Радиационно-гальванические эффекты, обусловленные малоинтенсивным β-излучением в фуллерите С60 и донорно-акцепторных комплексах на его основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Умрихина, Мария Андреевна

• Умрихина, Мария Андреевна
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Умрихина, Мария Андреевна

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Влияние ионизирующего облучения на физические свойства твердых тел

1.1.1 Взаимодействие радиационного облучения различной природы с веществом

1.1.1.1. Прохождение электронов через вещество

1.1.1.2. Взаимодействие у-излучения с веществом

1.1.1.3. Прохождение тяжелых заряженных частиц через вещество

1.2. Взаимодействие облучения высокой энергии с молекулярными органическими кристаллами

1.3. Эффекты и механизмы влияния ионизирующего облучения на электрические свойства фуллеренов

1.4. Фотовольтаические эффекты и вольтаические эффекты, индуцированные ионизирующим облучением

1.5. Физические свойства фуллеренов

1.5.1 Электронная структура Сбо

1.5.2 Оптические свойства фуллеренов

1.5.3 Электрические свойства фуллеренов

1.6. Структура донорно-акцепторных комплексов на основе фуллерена Сбо

1.6.1. Структура комплекса TBPDA2C

1.6.2. Структура комплекса TBPDA'(C6o)2

1.6.3. Структура комплекса LC УС60-СбН5С

1.7. Перспективы использования фуллеренов в технике, электронике, химии и нанотехнологиях

1.8. Постановка целей и задач исследования

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1. Методика получения образцов

2.2. Методика измерения

2.3. Выводы

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ МАЛОИНТЕНСИВНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА

ПРОВОДИМОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ С

3.1 Экспериментальные данные о влияние малоинтенсивного ионизирующего облучения на проводимость монокристаллов Сбо

3.2. Модели влияния малоинтенсивного ионизирующего облучения на проводимость монокристаллов Сво

3.4. Выводы

ГЛАВА 4. ОБНАРУЖЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННО-ВОЛЬТАИЧЕСКИХ

ЭФФЕКТОВ, ВОЗНИКАЮЩИХ ПОД ДЕЙСТВИЕМ МАЛОИНТЕНСИВНОГО ^-ОБЛУЧЕНИЯ В ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫХ КОМПЛЕКСАХ НА ОСНОВЕ ФУЛЛЕРЕНА С

4.1. Радиационно-вольтаические эффекты в донорно-акцепторных комплексах на основе фуллерена Сбо

4.2. Модели, объясняющие возникновение радиационно-вольтаических эффектов в донорно-акцепторных комплексах на основе фуллерена Сбо

4.3. Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Радиационно-гальванические эффекты, обусловленные малоинтенсивным β-излучением в фуллерите С60 и донорно-акцепторных комплексах на его основе»

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы.

Фуллерены, фуллериты и их химические производные являются перспективными материалами для применения в области нанотехнологий, спинтроники и одноэлектроники [1]. В частности, в [2, 3] сообщалось об их практическом применении в качестве рабочего материала в фотопреобразователях солнечной энергии и датчиках излучения различной природы. Твердотельные датчики ионизирующего облучения и преобразователи солнечной энергии сейчас делаются, главным образом, на базе ионных и ковалентных кристаллов. Перспективным считается создание солнечных батарей и сенсоров на основе молекулярных фуллеренсодержащих материалов, которые будут обладать сходными характеристиками, а также некоторыми преимуществами, например гибкостью полученных элементов [4].

Для исследования фотогальванических эффектов в полупроводниках традиционно в виде источника возбуждения электронной подсистемы образцов используют свет различного диапазона длин волн. Однако из-за малой глубины проникновения света вглубь образца (для фуллеренсодержащих материалов ~1 мкм) такой источник возбуждения позволяет исследовать материал только в приповерхностном слое. Для исследования объемных свойств целесообразно использовать не свет, а другое излучение с более высокой проникающей способностью. Например: у-, (3- или протонное излучение. Из всех вышеперечисленных излучений Р-излучение обладает несколькими сравнительными достоинствами: во первых, облучение электронами интенсивностью К< Ю7 cm'V и флюенсом F<10u см"2 не приводит к деструктуризации фуллеренсодержащих материалов в отличие от протонного и у-излучения [5-9]; во вторых, механизмы возбуждения электронной подсистемы органических кристаллов светом и Ризлучением достаточно близки, что позволит применять модели возникновения различных фотогальванических эффектов и для радиационно-гальванических явлений.

В этой связи большой принципиальный и практический интерес вызывают исследования влияния малоинтенсивного облучения на электрические свойства фуллеритов и донорно-акцепторных комплексов (ДАК) на основе фуллеренов, а также обнаружение и исследование радиационно-вольтаических явлений в фуллеренсодержащих структурах. Кроме того, анализ экспериментальных данных, полученных при исследовании действия ионизирующего облучения на проводимость фуллеренов и их комплексов, позволит прогнозировать электронно-оптические свойства новых фуллеренсодержащих материалов и оптимизировать их синтез.

Таким образом, актуальность работы определяется:

7 1

- перспективностью исследования влияния малоинтенсивного (#<10 см* с") ионизирующего Р-облучения на электропроводность фуллерена Сбо;

- высокой вероятностью обнаружения радиационно-гальванических эффектов с большим квантовым выходом в ДАК на основе фуллерена Сбо;

- возможностями использования новых типов молекулярных комплексов на основе фуллерита Сбо в оптоэлектрических приборах.

- перспективами получения новых типов молекулярных комплексов на основе фуллерита Сбо с заданными радиационно-зависимыми свойствами.

Цель настоящей работы заключалась в изучении закономерностей влияния малоинтенсивного р-облучения на электропроводность монокристаллического фуллерита Сбо, а также в обнаружении и исследовании радиационно-вольтаических явлений, индуцированных р-облучением в ДАК на основе фуллерита Сбо- В соответствии с поставленной целью были сформулированы задачи исследования:

1. Создать экспериментальные условия для исследования влияния ионизирующего Р-облучения с интенсивностью К < 107 cm'V1 и средней энергией электронов 0,5 МэВ на проводимость молекулярных кристаллов.

2. Исследовать влияние малоинтенсивного ионизирующего р-облучения на электропроводность фуллерита Сбо- Определить основные характеристики радиационно-стимулированной проводимости монокристаллов Сбо.

3. Исследовать возможность возникновения радиационно-вольтаических эффектов в ДАК на основе фуллерита Сео. Определить основные особенности обнаруженных эффектов.

4. На базе полученных экспериментальных результатов предложить механизмы влияния ионизирующего р-облучения с интенсивностью К < 107 cm'V1 на проводимость фуллерита Сбо, а также возможные модели возникновения радиационно-вольтаических эффектов в комплексах на его основе.

Научная новизна полученных результатов состоит в следующем:

Обнаружено, что электрические свойства, в частности, электропроводность фуллерита Сбо чувствительна к малоинтенсивному ионизирующему облучению. Показано, что данный эффект можно объяснить с помощью модели многокаскадной ионизации молекул монокристалла электронами внешнего возбуждения. Обнаружено влияние слабого магнитного поля (МП) (индукция В = 0,4 Тл) на радиационно-стимулированную проводимость фуллерита Сбо.

Обнаружен радиационно-вольтаический эффект, индуцированный ионизирующим Р-облучением с интенсивностью К < 3-106 cm'V1 в нескольких молекулярных комплексах фуллерена Сбо с насыщенными аминами: LCV (лейко кристаллический фиолетовый или 4,4',4"-метилдинтрис(]М,М-диметиланилин)), TBPDA (N,N,N',N'-TeTpa6eH3mi-«-фенилендиамин), TMPDA (МДМ',К'-тетраметил-и-фенилендиамин). Исследована зависимость величины обнаруженного эффекта от интенсивности р-излучения. Определена температурная зависимость наблюдаемого эффекта. Показано, что радиационно-вольтаический эффект в данных материалах имеет анизотропный характер. Предложены возможные механизмы возникновения данного эффекта в ДАК на основе фуллерита С6о

Научная ценность заключается в обнаружении радиационно-индуцированной проводимости фуллерита Сбо и радиационно-вольтаического эффекта при воздействии малоинтенсивного ионизирующего р-облучения на монокристаллы Сбо и ДАК на их основе.

Практическая значимость. Полученные результаты дают возможность использования фуллеренсодержащих комплексов в качестве рабочего материала в датчиках ионизирующего Р-излучения с интенсивностью К < 107 cm'V1 и флюенсом 11 1

F < 10 см'. Полученные зависимости изменения проводимости фуллерита Сбо и величины радиационно-вольтаического эффекта в ДАК на его основе от интенсивности (3-излучения могут быть использованы при проектировании датчиков ионизирующего излучения на основе вышеперечисленных материалов. Температурные зависимости обнаруженных эффектов позволят учесть температурный дрейф при изготовлении датчиков ионизирующего излучения на основе исследуемых материалов. Явление влияния МП на радиационную проводимость фуллерита Сбо может быть использовано для бесконтактного селективного управления его радиационно-стимулированной проводимостью.

Апробация работы. Результаты работы были представлены на следующих конференциях и семинарах:

- Всероссийский симпозиум "Современная химическая физика" (Туапсе, 2003, 2004, 2006).

- XXII Всероссийская школа-симпозиум молодых ученых по химической кинетике (Москва 2004).

- Международный симпозиум «Фуллерены и фуллереноподобные структуры в конденсированных средах» (Беларусь, Минск, 2004,2006).

- II Всероссийская конференция «Прикладные аспекты химии высоких энергий» (Москва 2004).

- 7th Biennial International Workshop «Fullerenes and Atomic Clusters», (Russia, St. Petersburg, 2005).

- IX International Conference «Hydrogen materials science of carbon nanomaterials» (Ukraine, Sevastopol, 2005).

- IV Международная конференция «Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений» (Тамбов, 2007).

Основные публикации. По теме диссертации опубликовано 12 печатных работ (4 статьи и 8 тезисов международных и всероссийских конференций и симпозиумов).

На защиту выносятся следующие основные результаты и положения:

1. Обнаруженный эффект чувствительности проводимости фуллерита Сбо к малоинтенсивному ионизирующему ^-облучению. Выявленный термоактивационный характер данного эффекта с энергией активации для гранецентрированной (ГЦК) фазы ■Ёгцк = 0,22 эВ и простой кубической (ПК) фазы £"пк = 0,07 эВ. Линейная зависимость радиационно-стимулированной проводимости от интенсивности возбуждающего облучения.

2. Обнаруженный эффект влияния слабого МП с индукцией В < 0,5 Тл на проводимость фуллерита Сбо, индуцированную малоинтенсивным ионизирующим облучением.

3. Возникновение радиационно-вольтаического эффекта при воздействии малоинтенсивного ионизирующего р-облучения на фуллеренсодержащие комплексы LCV-Ceo'CeHjCl, TBPDA'(C6o)2 и TMPDA'Ceo- Энергия активации данного эффекта для исследуемых молекулярных комплексов: ЬСУ-Сбо'СбН5С1 - 0,19 эВ, ТВРОА-(Сбо)г -0,31 эВ и TMPDA-Ceo - 0,13 эВ. Нелинейная зависимость наблюдаемого эффекта от интенсивности ионизирующего р-облучения. Анизотропия эффекта возникновения тока при воздействии малоинтенсивного ионизирующего облучения.

4. Модель влияния малоинтенсивного р-облучения на проводимость монокристаллов Сбо> связанная с многокаскадной ионизации молекул решетки электронами внешнего излучения. Модели, объясняющие возникновение радиационно-вольтаического эффекта в донорно-акцепторных комплексах при воздействии (3-облучения.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав и списка цитированной литературы, содержащего 114 наименования. Полный объем составляет 121 страниц машинописного текста, в том числе 45 иллюстраций.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Умрихина, Мария Андреевна

ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

1. Обнаружено увеличение электропроводности фуллерита Сбо под влиянием

Л 7 1 малоинтенсивного Р-облучения (#<3-10 см'с*) на величину до 180%. Показано, что этот эффект имеет термоактивационный характер. Получено значение активационной энергии для ГЦК фазы 0,22 эВ и ПК фазы 0,07 эВ. Установлена линейная зависимость эффекта увеличения проводимости фуллерита Сбо от интенсивности р-облучения.

2. Установлено, что слабое постоянное МП (В<0,5 Тл) влияет на величину радиационно-стимулированной проводимости монокристаллов Сбо- Показано, что влияние магнитного поля на радиационную проводимость может быть связано с изменением в МП мультиплетности электронно-дырочных пар - предшественников свободных носителей заряда.

3. Обнаружен радиационно-вольтаический эффект (возникновение электрического тока при облучении образца включенного в замкнутую цепь),

6 2 1 индуцированный малоинтенсивным ионизирующим р-облучением (Я~М0 см' с") в ряде донорно-акцепторных комплексах на основе фуллерита Сво- Показано, что наблюдаемые эффекты имеют термоактивационный характер. Получены значения энергий активации комплексов LCV'Ceo'CeHsCl, TBPDA-(C60)2, TMPDA'Ceo - 0,19, 0,31 и 0,13 эВ соответственно. Установлена ориентационная зависимость радиационно-вольтаического эффекта для исследуемых ДАК. Обнаружена нелинейная зависимость величины радиационно-гальванического эффекта от интенсивности р-облучения.

4. Предложены модели, объясняющие увеличение проводимости монокристаллов Сбо под действием малоинтенсивного р-облучения и модели возникновения радиационно-вольтаического эффекта в донорно-акцепторных комплексах на основе фуллерена Сбо

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Умрихина, Мария Андреевна, 2007 год

1. Сидоров J1.H., Юровская М.А., Борщевский А.Я., Трушков И.В., Иоффе И.Н. Фуллерены. - М.: Издательство "Экзамен", 2005. - 688 с.

2. Sariciftci N.S. Optoelectronic devices based on fullerenes: present state and future prospects // Book of abstracts VII Biennial international workshop «Fullerenes and atomic clusters», St Petersburg, Russia 27 June 1 July, 2005.- P. 5.

3. D.M. Guldi Fullerene porphyrin architectures; photosynthetic antenna and reaction center models // Chem. Soc. Rev. - 2002. - Vol. 31. - № 1. - P. 22-36.

4. Zawislak F.C., Baptista D.L., Behar M., Fink D., Grande P.L., da Jornada J.A.H. Damage of ion irradiated Сбо films // Nuclear instruments and methods in physics research B. -1999.-V. 149.-P. 336-342.

5. Бржезинская M.M., Байтингер E.M., Шнитов В.В., Смирнов А.Б. Изучение начальных стадий дефектообразования углеродных нанотрубок под действием ионного облучения аргоном // ФТТ 2005. - Т. 47. - № 4. - С. 745-750.

6. Гордеев Ю.С., Микушкин В.М., Шнитов В.В. Спектры элементарных возбуждений фуллерита Сбо и влияние на них электронного облучения // ФТТ. 2000. - Т. 42. -№2.-С. 371-377.

7. Kalish R., Simoiloff A., Hoffam A., Uzan-Saguy C. and all. Disintegration of of Сбо by heavy-ion irradiation // Phys. Rev B. 1993. - V. 48. - № 24. - P. 18235-18238.

8. Narayanan K.L., Yamaguchi M., Dharmarasu N., Kojima N., Kanjilal D. Low energy ion implantation and high energy ion irradiation in Сбо film // Nuclear instruments and methods in physics research B. 2001. - V.178. - P. 301-304.

9. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники М.: Физматгиз 1983.

10. Келли Б. Радиационные повреждения твердых тел М.: Атомиздат 1970.

11. Конобеевский С.Т. Действия излучения на материалыМ.: Атомиздат -1967.

12. Шалаев A.M., Адаманеко А.А. Радиационно-стимулированное изменение электронной структуры / М.: Атомиздат 1970.

13. Громов В.В. Электрический заряд в облучаемых материалах М.: Энергоиздат 1982. -112 с.

14. ВоробьевС.А. Прохождение бета-частиц через кристаллы М.: Атомиздат 1975.

15. Воробьев А.А., Кононов Б.А. Прохождение электронов через вещество Томск: Изд-во Томск, гос. ун-та 1966.

16. Kubo К. Dielectric break down in LiF crystals bombarded by electrons J. Appi., Phys. -1966.-v. 37.-P. 4722-4728.

17. Samuel A.H., Mages J.L. Theory of radiation chemistry. Track effect in radiolysis of water //J. Chem. Phys. -1953. v. 21. - P. 1080-1087.

18. Действие излучений на полупроводники и изоляторы. Пер с англ. М.: Изд-во иностр. лит 1954.

19. Бурлакова Е.Б // РХЖ. 1999. - Т. 43. - № 5. - С. 3.

20. Лейпунский О.И., Новожилов Б.В., Сахаров В.Н. Распространение гамма-квантов в веществе М.: Гос. изд-во физ.-мат. лит-ры- 1960.

21. Спицын, В.И. В.В. Громов Физико-химические свойства радиоактивных твердых тел. М.: Атомиздат. -1973.

22. S.Arnolds, N. Hassan // J. Chem. Phys. -1983. №78. - P. 5606.

23. Поуп M., Свенберг Ч. Электронные процессы в органических кристаллах М.: Мир. -1985.

24. D.M. Hanson (ed. Carter F. L.) In Molecular Hecironic Devices New York, NY Marcel Dekker, Inc. 1983. - P. 89—111.

25. C.B. Duke (ed. Reineker P. Haken H.) Electronic Excitations and Interactions Process Molecular Aggregates Berlin/Heidelberg/New York, Springer-Verlag. 1983. - №49. -P.14.

26. Callis R.K. // Arm. Rev. Phys. Chem. -1983. №34. - P.329.

27. Argyrakis P., Hoopper D., Korelman R. // J.Phys. Chem. 1983. - №87. - P. 1467.

28. Гордеев Ю.С., Микушкин B.M., Шнитов B.B. Спектры элементарных возбуждений фуллерита Сбо и влияние на них электронного облучения // ФТТ. -2000. Т. 42. -вып. 2.-С.371-377.

29. Бржезинская М.М., Байтингер Е.М., Шнитов В.В., Смирнов А.Б. Изучение начальных стадий дефектообразования углеродных нанотрубок под действием ионного облучения аргоном // ФТТ. 2005. - Т.47. - вып. 4. - С. 745-750.

30. Микушкин В.М., Шнитов В.В., Гордеев Ю.С., Молодцов С.Л., Вялых Д.В. Фотоэмиссионный резонанс и его распад в процессе разрушения молекулярнойструктуры фуллерита Сбо синхротронным излучением // ФТТ. 2004. - Т. 46 - вып. 12.-С. 2233-2237.

31. Микушкин В.М., Шнитов В.В. трансформация структуры фуллерита под действием электронных пучков // ФТТ. 1997. - Т. 39. - вып. 1. - С. 184.

32. Шнитов В.В., Микушкин В.М., Брызгалов В.В., Годеев Ю.С. Исследование степени, скорости и механизмов электронно-стимулированной модификации фуллерита Сбо И ФТТ 2002. - Т. 44. - вып. 3. - С. 428.

33. Narayanan К L., Yamaguchi М., Dharmarasu N., Kojima N., Kanjilal D. Low energy ion implantation and high energy heavy ion irradiation in Ceo films // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. -2001. -№178. P. 301-304.

34. Zawislak F.C., Baptista D.L., Behar M., Fink D., Grande P.L., da Jornada J.A.H. Damage of ion irradiated Ceo films // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. -1999. -№149. -P. 336-342.

35. Иоффе А.Ф. Полупроводники в современной физике Изд. АН СССР. -1955.

36. Pfann W., Van Roosbroeck // J. Appl. Phys. 1954. - №25. - P. 1422.

37. Рыбкин C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках М.: Академический проспект. 1998. - 241 с.

38. Волк Т.Р., Греков А.А., Косологов Н.А., Фридкин В.М. // ФТТ. 1972. - Т. 14. - С. 3216.

39. Цернике Ф., Мидвинтер Дж. Прикладная нелинейная оптика М.: Мир. -1976.

40. Fridkijn V. М., Grekov A.A., Ionov P.V., Savchenko Е.А., Rodin A.J., Verkhovskaya К.A. // Ferroelectrics. -1974. V. 8. - P. 433.

41. Koch W. Т. H., Miinsor R., Ruppel W., Wiirfei P.// Sol. State Comm. 1975. - V. 17. - P. 847.

42. Зоергер К. Физика полупроводников // М.: Мир. 1998.

43. Дирович Э.И. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника Ташкент: Фан. -1972.

44. Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках М.: ИЛ. -1962.

45. Генкин В. Н., Меднис П.М. // ЖЭТФ. 1968. - Т. 54. - С.1137.

46. Меднис, П. М. // Письма ЖЭТФ. 1968. - Т. 7. - С. 355.

47. Белиничер В.И., Канаев И.Ф., Малиновский В.К., Стурман Б.И. // Автометрия. -1976.-№4.-С. 23.

48. Белиничер В.И., Малиповокии В.К., Стурман Б.И. // ЖЭТФ. 1977. - Т. 73. - С. 692.

49. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика М.: Наука. 1989. - 767 с.

50. Коган Ю., Максимов Л.А. // ФТТ. -1965. Т. 7. - С. 530-534.

51. Гуревич Л.Э., Яссиевич И.Н. // ФТТ 1965. - т. 7. - с. 582-583.

52. Белиничер В.И., Стурман Б.И.Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии //УФН 1980. - Т. 130. - вып. 3 - С. 415-458.

53. Фридкин В.М., Попов Б.Н. // УФН. -1978. т. 126. - с. 657

54. Фридкин В.М., Верховская К.А., Попов Б.Н // ФТП. 1977. - Т. 11. - С. 135-140.

55. Греков А.А., Малицкая М.А., Спицина В.Д., Фридкин В.М. // Кристаллография. -1970.-Т. 15.-с. 500.

56. Петров М.П., Грачев А.И. // Письма ЖЭТФ. -1979. Т. 30. - с. 18

57. Komojiob А.С. Фотовольтаические свойства интерфейсов органических молекулярных пленок на поверхности кремния //Письма в ЖТФ. 2006. - Т. 32 - № 12.-С. 34-40.

58. Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Шпунт В.Х. Фоточувствительность системы полупроводник-белок // Журнал технической физики. 2000. - Т.70. - № 2. - С. 114-117.

59. Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Гетероконтакт ZnGeP2 со слоистыми полупроводниками III-VI // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23 -№11. - С. 1-5

60. Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фотоэлектрические' свойства структур ZnO/CuPc/Si // Физика и техника полупроводников.-2004-Т. 38.-вып. 11.-С. 1349-1352.

61. Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Шпунт В.Х. Фотовольтаический эффект гетероконтакта р-СиЬаБег/зеленый лист // Физика и техника полупроводников. 1997. - Т. 31. - №2. -С. 129-132.

62. Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Гременок В.Ф., Викторов И.Л., Бекимбетов Р.Н., Боднарь И.В., Криволап Д.Д. Гетеропереходы на основе тонких пленок CuInxGai.xTe2 // Физика и техника полупроводников. 1999 - Т. 33. - вып. 7. - С. 824-827.

63. Иида С., Мамедов Н., Рудь В.Ю. , Рудь Ю.В. Фотоэлектрические свойства структур на основе монокристаллов TllnS2 // Физика и техника полупроводников. 1998 - Т. 32.-№ 1.-С. 78-81;

64. Барышников В.Г., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фоточувствительность гетеропереходов а-С: H/c-Si // Физика и техника полупроводников. 2001 - Т. 35. - вып. 11.-С. 1338-1340.

65. Лебедев А.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фоточувствительность гетероструктур пористый кремний-слоистые полупроводники AmBVI // Физика и техника полупроводников. -1998 Т. 32. -№ 3. - С. 353-355.

66. Боднарь И.В., Никитин С.Е., Ильчук ГЛ., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Якушев М.В. Создание и фоточувствительность гетеропереходов на кристаллах Cul^Ses // Физика и техника полупроводников. 2004- Т. 38. - вып. 10. - С. 1228-1233.

67. Mell Н., Николаев Ю.Л., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фотоэлектрические явления в гетероструктурах // Физика и техника полупроводников. 2001. - Т. 35. -вып. 11.-С. 1316-1319.

68. Saito S., Oshiyama A. Cohesive mechanism and energy bands of solid Сбо // Phys. Rev. Lett. 1991. - V. 66. -№ 20. - P. 2637-2640.

69. Mishori В., Shapira Y., Belu-Marian A., Manciu M., Devenyi A. Studies of Сбо thin films using surface photovoltage spectroscopy // Chem Phys. Lett. 1997. - V. 264. - P. 163167.

70. Schwedhelm R., Kipp L., Dallmeyer A., Skibowski M. Experimental band gap and core-hole electron interaction in epitaxial Сбо films // Phys. Rev. B. 1998. - V. 58. -№ 19. -P. 13176-13182.

71. Lai-Sheng, W. Threshold photodetachment of cold C~6o / W. Lai-Sheng, J. Conceicao, J. Changming, R.E. Smalley // Chem Phys. Lett. 1991. - V. 182. -№ 1. - P. 5-11.

72. Макарова T.JI. Электрические и оптические свойства мономерных и полимеризованных фуллеренов // ФТП. 2001. - Т. 35. - № 3. - С. 257-293.

73. Lof R.W., van Veenendaal М.А., Koopmans В., Jonk-man H.T., Sawatzky G.A. Band gap, excitons, and Coulomb interaction in solid Сбо //. Phys. Rev. Lett. -1992. V. 68. - № 26. -P. 3924-3927

74. Shirley E.L., Benedict L.X., Louie S.G. Excitons in solid C60 // Phys. Rev. В. 1996. - V. 54.-№ 15.-P. 10970-10977.

75. Knupfer M., Fink J. Frenkel and charge-transfer excitons in Сбо // Phys. Rev. B. 1999. -V. 60.-№15.-P. 731-734.

76. Mishori В., Shapira Y., Belu-Marian A., Manciu M., Devenyi A. Studies of Сбо thin films using surface photovoltage spectroscopy // Chem Phys. Lett. 1997. - V. 264. - P. 163167.

77. Hartmann C., Zigone M., Martinez G., Shirley E.L., Benedict L.X., Louie S.G., Fuhrer M.S., Zettl A. Investigation of the absorption edge of Ceo fullerite // Phys. Rev. B. 1995. - № 8. - V. 52.-R. 5550-5553.

78. Troullier N., Martins J.L. Structural and electronic properties of Сбо // Phys. Rev. B. -1992.-V. 46.-№3.-P. 1754-1765.

79. Hoshimono К., Fujimorim S., Fujita S. Semiconductor-Like Carrier Conduction and Its Field-Effect Mobility in Metal-Doped C60 Thin Films // Jap. J. Appl. Phys. P. 2-Lett. -1993.-V. 32. P. L1070-L1073.

80. Salkola M.I. Low-energy excitations of neutral C6o // Phys. Rev. B. -1994. V. 49. - № 6. -P. 4407-4410.

81. Bechstedt F., Fiedler M., Sham L.J. Excitonic effects in linear and nonlinear optical propertiesofC60//Phys. Rev. B. 1999.-V. 59.-P. 1857-1861.

82. Kazaoui S., Minami N., Tanabe Y., Byrne H.J., Eilmes A., Petelenz P. Comprehensive analysis of intermolecular charge-transfer exited states in Сбо and C70 films // Phys. Rev. B. 1998. - V. 58. - № 12. - P. 7689-7700.

83. Mochizuki S., M. Sasaki, R. Ruppin. An optical study on vapour, microcrystal beam and film // J. Phys.: Condens. Matter. 1998. - V. 10. - № 10. - P. 2347-2352.

84. Capozzi V., Gasamassima G., Lorusso G.F., Minafra A., Piccolo R., Trovato Т., Valentini A. Optical spectra and photoluminescence of Сбо thin films // Sol. St. Commun. 1996. -V. 9.-№9.-P. 853-858.

85. Баженов A.B., Горбунов А.В., Волкодав К.Г. Фотоиндуцированное изменение фундаментального поглощения в пленках Сбо // Письма в ЖЭТФ. 1994. - Т. 60. - № 5. - С. 326-328.

86. Баженов А.В., Горбунов А.В., Максимюк М.Ю., Фурсова Т.Н. Фотоиндуцированное поглощение света пленками Сбо в диапазоне 0.08 4.0 эВ // ЖЭТФ. - 1997. - Т. 112. -№1.-С. 246-252.

87. Habuchi H., Nitta S., Han D., Nonomura S. Localized electronic states related to O2 intercalation and photoirradiation on Сбо films and C70 films // J. Appl. Phys. 2000. - V. 87.-№12.-P. 8580-8588.

88. Hamed A., Sun Y.Y., Tao Y.K., Meng R.L., Ног P.H. Effects of oxygen and illumination on the in situ conductivity of C60 thin films // Phys. Rev. B. 1993. - V 47. - № 16. - P. 10873-10880.

89. Макарова Т.Л., Сахарова В.И., Серенкова И.Т., Буль А.Я. Фототрансформация пленок Сбо в присутствие и отсутствие кислорода // ФТТ. 1999. - Т. 41. - № 3. - С. 554-358.

90. Rikitake К., Akiyama Т., Takashima W., Kaneto К. Relationships between crystallinity and conductivity in evaporated C60 films // Synt. Met. 1997. - V. 86. - № 1 -3. - P. 23572358.

91. Kaneto K., Rikitake K., Akiyama Т., Hasegawa H. Dependencies of Transport and Photoluminescence on Morphology of Vacuum Deposited Сбо Films // Jap. J. Appl. Phys. -1997.-V. 36.-P. 910-915.

92. Kazaoui S., Ross R., Minami N. // Sol. St. Commin. 1994. - V. 90. - P. 623-626.

93. Бучаченко АЛ., Сагдеев P.3., Салихов К.М. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. Новосибирск: Наука. 1988. - С. 350.

94. Осипьян Ю.А., Кведер В.В. Фуллерены новые вещества для современной техники // Материаловедение. - 1997. - № 1. - С. 2-6.

95. Haddon R.C., Perel A.S., Morris R.C., Palstra T.T. M., Hebard A. F., Fleminget R.M. C60 thin film transistors // Applied Physics Letters. 1995. - V. 67. - № 1. - P. 121 -123.

96. В.И. Трефилов, Д.В. Щур, Б.П. Тарасов и др., Фуллерены основы материалов будущего, АДЕФ - Украина, Киев (2001), с. 13.

97. Lepley A.R., Closs G.K. Chemically Induced Magnetic Polarization New York: Wiley. -1973.

98. Гольдшлегер Н.Ф., Моравский А.П. Применение фуллеренов и фуллереносодержащих материалов в катализе // Нефтехимия. 2000. - Т.40. - №6. -С. 403-416.

99. Da Ros Т., Spalluto G„ Prato M. Biological application of fullerene derivatives: a brief overview // Croatica Chem. Acta. 2001. - V.74. -№4. - P. 743-755.

100. Bosi S., Da Ros Т., Spallutto G., Prato M. Fullerene derivatives: an attractive tool for biological application // Eur. J. Medic. Chem. 2003. - V. 38. - № 11. p. 913-923.

101. Peng R., Leung F.S.M., Wu A.X., Dong Yu., Dong Yo., Yu N.T., Feng X., Tang B.Z. Using buckyballs to cut off light! Novel fullerene materials with unique optical transmission characteristics // Chem. Mater. 2004. - V. 16. - P. 4790- 4797.

102. Адуев Б.П., Швайко B.H. Проводимость ионных кристаллов при облучении пикосекундными пучками электронов // ФТТ. 1999. - Т. 41. - вып. 7. - С. 12001203.

103. Осипьян Ю.А., Головин Ю.И., Лопатин Д.В., Моргунов Р.Б., Николаев Р.К., Шмурак С.З. Влияние постоянного магнитного поля на фотопроводимость монокристаллов С60 // ФТТ. -1999. Т. 41. - № 11. - С. 2097-2099.

104. СоколикИ.А.,ФранкевичЕ.Л.//УФН.-1973.-Т. 111.-№2.-С.261.

105. Ю.И. Головин, Д.В. Лопатин, Р.К. Николаев, А.А. Самодуров, Р.А. Столяров Локальные центры захвата носителей заряда в монокристаллах Сбо // ФТТ. 2006 -Т. 48.-вып. 9.-С. 1723-1726.

106. Адуев Б.П., Фомченко В.М., Швайко В.Н. Влияние температуры на импульсную проводимость кристаллов КС1 при возбуждении пикосекундными пучками электронов // ФТТ. -1999. Т. 41. - вып. 3. -С. 429-430.

107. Зельдович Я.Б., Бучаченко АЛ., Франкевич ЕЛ. // УФН. 1988. - Т. 155. - №1. - С. 3.

108. Стурман Б.И., Фридкин B.M. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления М.: Накуа. 1992. - 208 с.

109. Андрианов А.В., Валов П.М., Ярошецкий И.Д. Инверсия знака «линейного» фотогальванического эффекта в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ. 1980. -Т. 31. -вып. 9.-С. 532-535.