Бистабильное электрическое переключение в структурах на основе оксидов ванадия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Путролайнен, Вадим Вячеславович

• Путролайнен, Вадим Вячеславович
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Путролайнен, Вадим Вячеславович

Введение.

1. Литературный обзор.

1.1. Свойства оксидов переходных металлов.

1.1.1. Особенности электронного строения.

1.1.2. Оксиды ванадия.

1.1.3. Электроформовка и эффект переключения.

1.2. Модификация свойств оксидов переходных металлов.

1.3. Неорганические резисты в литографии.

1.4. Резистивная память на основе оксидов переходных металлов.

1.5. Выводы из литературного обзора. Постановка задачи.

2. Методика экспериментальных исследований.

2.1. Методика получения образцов.

2.1.1. Методика получения аморфных пленок V2O5 термическим и лазерным распылением.

2.1.2. Создание структур методом анодно - катодной поляризации.

2.2. Аппаратура для фотонной и корпускулярной модификации.

2.3. Измерительные методики.

3. Электрические свойства структур на основе окидов ванадия.

3.1. Электрические свойства V-HxV02-Аи структур полученных методом анодно-катодной поляризации.

3.2. Электрические свойства структур на аморфного основе оксида ванадия.

4. Электрические свойства многослойных оксидных структур.

4.1. Исследование электрических свойств структур Si-Si02-V205-Au.

4.2. Моделирование электрических свойств структуры.

4.2.1. Формовка структуры.

4.2.2. Переход из низкоомного в высокооимное состояние.

4.2.3. Переход из высокоомного в низкоомное состояние.

5. Модификация и селективное травление тонких пленок аморфного V2O5.

5.1. Модификация аморфного V2O5 под действием ультрафиолетового облучения низкой интенсивности.

5.2. Лазерная и электронная модификация свойств аморфного V2O5.

5.3. Создание структур с эффектом переключения на основе диоксида ванадия.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Бистабильное электрическое переключение в структурах на основе оксидов ванадия»

Актуальность работы;

Под термином бистабильное переключение (или переключение с памятью) обычно понимают значительное и обратимое изменение величины проводимости полупроводников или изоляторов под действием электрического поля, сохраняющееся при отключении напряжения. Исследование подобного переключения интересно с научной точки зрения, так как дает информацию о взаимосвязи электронных и ионных процессов в твердых телах. Кроме того, в последнее время резко возрос интерес к явлениям, которые могут лечь в основу «универсальной» компьютерной памяти. Под «универсальной» памятью подразумевается устройство, позволяющее выполнять функции как оперативного, так и долговременного, энергонезависимого хранения информации. Бистабильное переключение рассматривается как одно из самых перспективных направлений для разработки подобной памяти.

Эффекты переключения наблюдаются в тонких пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников, аморфного кремния, полупроводниковых полимеров. Однако, наиболее ярко электрические неустойчивости различного типа (электроформовка, пороговое переключение, эффекты памяти) проявляются в целом ряде оксидов переходных металлов (ОПМ) [1-6]. Бистабильное переключение и управляемое током или напряжением отрицательное дифференциальное сопротивление было обнаружено, в частности, в таких оксидах как Nb2C>5 [3,4], Ta2Os [5], ТЮ2[6], NiO [7-9] и др.

Оксиды переходных металлов обладают рядом интересных физических явлений: высокотемпературная сверхпроводимость, фазовый переход металл-полупроводник (ФПМП), электрохромный эффект, колоссальное магнетосопротивление и т. д. Одним из перспективных материалов для микроэлектронных, электрохимических и оптоэлектронных устройств является пентаоксид ванадия [10]. Поликристаллические пленки пентаоксида ванадия имеют большой потенциал для применения в электрохромных дисплеях, цветовых фильтрах и других оптических приложениях. Кроме того, V2O5 используется в тонкопленочных микробатареях и газовых сенсорах. Возможность восстанавливать V2O5 до оксидов более низкой валентности, например, до VO2, проявляющего ФПМП, дает дополнительные возможности для различных приложений. Резкое и обратимое изменение оптических и электрических свойств при температуре ФПМП Tth=68°C потенциально перспективно в плане использования диоксида ванадия в оптических и электрических переключающих устройствах [11]. В связи с этим, выявление основных закономерностей переключения с памятью в тонкопленочньтх структурах на основе оксидов ванадия и изучение возможности использования этого явления для разработки новой памяти является актуальной задачей.

Отметим также, что оптимальных технологических приемов создания микро- и наноструктур на основе ОПМ не существует. Поэтому особую актуальность приобретают задачи получения оксидных структур микро- и наномасштаба. Основным процессом для получения микроструктур является литография. Литографический процесс должен обеспечить создание на полупроводниковой пластине определенного топологического рельефа при помощи резиста чувствительного к определенному виду излучения (лазерному, рентгеновскому, электронному и т.д.). Ранее было показано [1214], что перспективными для разработки неорганических резистов являются метастабильные аморфные пленки диоксида ванадия, получаемые методом анодного окисления и имеющие высокую чувствительность к фотонному и электронному облучениям. Важным свойством подобного резиста является то, что будучи неорганическим материалом после экспонирования он демонстрирует высокую плазмо- и термостабильность, существенно расширяя возможности литографического процесса. Одним из основных преимуществ литографического процесса с использованием оксиднованадиевого резиста является то, что он таюке может использоваться как активный материал оксидной структуры.

Цель работы: Выявление основных закономерностей энергонезависимого бистабильного электрического переключения в структурах на основе оксидов ванадия, перспективных для разработки универсальной компьютерной памяти. Разработка новых литографических методик на основе неорганических оксидных резистов для получения микро- и наноструктур с эффектом переключения.

Научная новизна диссертационной работы определяется тем, что в ней впервые:

1. Исследованы процессы ионного транспорта в пленочных структурах на основе водородной ванадиевой бронзы, приводящие к обратимым переходам между двумя резистивными состояниями.

2. На примере структуры M0-V2O5-M0 показана возможность реализации биполярного переключения с памятью, основанного на модификации поверхностного слоя оксида за счет дрейфа ионов кислорода под действием электрического поля.

3. Показано, что в результате электрической формовки структуры Si-SiCV V2O5-A11 возможна реализация бистабильного электрического переключения с эффектом энергонезависимой памяти, обусловленного локальной миграцией кислорода в пленке оксида ванадия, что обеспечивает стабильную работу переключателя с числом циклов достаточным для разработки универсальной памяти.

Научно-практическая значимость работы определяется тем, что в ней:

1. Исследованы эффекты бистабильного переключения в структурах на основе аморфного оксида ванадия, перспективные для использования в современных запоминающих устройствах.

2. Предложен новый неорганический резист на основе метастабильного пентаоксида ванадия, обладающего чувствительностью к ультрафиолетовому облучению низкой интенсивности. Тонкие пленки метастабильногоV205 могут быть использованы в качестве неорганического резиста для получения микроструктур перспективных для разработки универсальной памяти.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Особенности ВАХ структур V-HxV02x-Au (гистерезис, N-образное отрицательное дифференциальное сопротивление) обусловлены дрейфом протонов в условиях наличия контакта, блокирующего ионный перенос.

2. Эффект переключения с памятью в структурах металл — оксид — металл на основе аморфного пентаоксида ванадия обусловлен модификацией электрических свойств тонкого переходного слоя на одной из границ оксид — электрод за счет дрейфа ионов кислорода, приводящего к изменению концентрации кислородных вакансий в приэлектродной области.

3. В структуре Si-Si02-V205-Au после электрической формовки, приводящей к образованию наноразмерного канала Si в диэлектрической матрице Si02, наблюдается электрическое переключение с памятью. Эффект переключения определяется обратимым изменением сопротивления тонкого переходного слоя на границе оксид ванадия — кремний за счет электрополевой миграции ионов кислорода, сопровождающейся изменением концентрации кислородных вакансий.

4. Под действием стационарного ультрафиолетового облучения низкой интенсивности в тонких пленках аморфного пентаоксида ванадия происходит изменение оптических свойств и химической активности. Изменение химической активности позволяет использовать оксидные пленки как неорганический резист для литографического процесса получения компонентов оксидной электроники.

Апробация работы

Основные результаты диссертации доложены на следующих конференциях:

- II Всероссийской конференции "Многомасштабное моделирование процессов и структур в нанотехнологиях" Москва, 2009.

- Всероссийской электронной научной конференции РАЕ "Новые материалы и химические технологии", май 2008г.

- Congress on Nano Science and Technology ( IVC -17/ICSS-13, ICN +T2007, NCSS -6/ NSM -22/ SVM -4) Stockholm 2007.

- Ill Всероссийская конференция "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах" Воронеж 2006г.

- XXVI совещание по физике низких температур (НТ-34) Ростов на Дону 2006 г.

- Десятая Международной научной конференции и школе-семинаре "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (ПЭМ-2006) Дивноморское 2006 г.

- V Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 2006 г.

- Всероссийская научная конференция по физике низкотемпературной плазмы (ФНТП-2004), Петрозаводск, 2004 г. и опубликованы в виде статей и тезисов докладов конференций:

1) Putrolaynen V.V., Velichko A.A., Pergament A.L., Cheremisin А.В. and Grishin A.M. // UV patterning of vanadium pentoxide films for device application // J. Phys. D: Appl.Phys. 40 (2007) 5283-5286

2) Путролайнен B.B., Стефанович Г.Б., Величко A.A., Кулдин Н.А. // Биполярное резистивное переключение в структуре Si-Si02-V205-Au // Вестник ВГТУ 2009 Т.5 №11, С.99-102

3) Величко А.А., Пергамент A.JL, Стефанович Г.Б., Путролайнен В.В., Черемисин А.Б., Мануйлов С.А., Кулдин Н.А., Логинов Б.А. // Получение наноструктур на основе оксидов переходных металлов // Нанотехника, 2 (6) (2006) - 89с.

4) Pergament A, Velichko A, Putrolaynen V, Stefanovich G, Kuldin N, Cheremisin A, Feklistov I and Khomlyuk N // Electrical and optical properties of hydrated amorphous vanadium oxide // J. Phys.: Condens. Matter 20 (2008) 422204.

5) Cheremisin A.B., Loginova S.V., Velichko A.A., Putrolaynen V.V., Pergament A.L. and Grishin A.M. // Modification of atomic structure of thin amorphous V2O5 films under UV laser irradiation // Journal of Physics: Conference Series 100 (2008) 052096

6) Черемисин А.Б., Величко A.A., Путролайнен B.B., Пергамент А.Л., Кулдин Н.А. // Механизм лазерно-индуцированной модификации физико-химических свойств тонких аморфных пленок пентаоксида ванадия, синтезированных методом импульсного лазерного испарения // Фундаментальные исследования. №.6. С. 105-107. (2008).

7) Черемисин А.Б., Путролайнен В.В., Величко А.А., Пергамент А.Л., Стефанович Г.Б. // Неорганический резист на основе оксидов ванадия для нанолитографии // Сборник трудов Десятой Международной научной конференции и школы-семинара "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (ПЭМ-2006). 4.2. - Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2006. 278 е., -с.68-71

8) Пергамент А.Л., Величко А.А., Кулдин Н.А., Путролайнен В.В., Черемисин А.Б. // Фазовый переход металл — изолятор и низкотемпературное электронное переключение в диоксиде ванадия // Труды 34 совещания по физике низких температур (НТ-34). Том1.стр. 91-92 - Ростов-на-Дону, п. JIoo, 26-30 сентября 2006г. - Ростов н/Д: Изд-во РГПУ, 2006. - 260с. ISBN 5-8480-0563-Х.

9) Пергамент A. JL, Стефанович Г. Б., Величко А. А., Путролайнен В. В., Черемисин А. Б., Артюхин Д. В, Стрелков А. Н. // Эффекты переключения и памяти в структурах на основе оксидов переходных металлов // Сборник трудов Десятой Международной научной конференции и школы-семинара "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (ПЭМ-2006). 4.1. - Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2006. 278 е., - с.96-99

10) Черемисин А.Б., Путролайнен В.В., Величко А.А., Пергамент A.JL, Стефанович Г.Б., Grishin A.M. // Модификация физико-химических свойств тонких аморфных пленок оксидов ванадия под действием излучения эксимерного лазера // Сборник трудов. Y Межд. Конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". Санкт-Петербург.- 2006.- С. 317 - 318.

11) В.В. Путролайнен, А.Б. Черемисин, А.А. Величко, A.JI. Пергамент, Г.Б. Стефанович, A.M. Grishin // Получение тонких пленок оксида ванадия методом лазерной абляции // Сборник трудов. V Межд. Конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". Санкт-Петербург.- 2006.- С. 285 - 286.

12) Путролайнен В.В., Стефанович Г.Б., Величко А.А., Стефанович JI.A., Черемисин А.Б. // Термохромные индикаторы на основе диоксида ванадия // Фундаментальные исследования. 2005. №2. С. 44-46.

13) Стефанович Г.Б., Величко А.А., Путролайнен В.В., Стефанович JI.A., Черемисин А.В. // Проявление неорганического резиста на основе метастабильного оксида ванадия //Фундаментальные исследования. 2005. №2. С. 14-16.

14) Стефанович Г.Б., Стефанович Д.Г., Кулдин Н.А., Величко А.А., Пергамент A.JL, Борисков П.П., Путролайнен В.В. //

Альтернативные методы нанесения оксиднованадиевого резиста // Тезисы докл. Всероссийской конф. "Физика низкотемпературной плазмы". Петрозаводск. 2004. С. 205-208.

15) Путролайнен В.В., Величко А.А., Черемисин А.Б., Пергамент A.JL, Кулдин Н.А. // Модификация и селективное жидкофазное химическое травление пленок аморфного пентоксида ванадия // Фундаментальные исследования. (2008) №. 7, С 62-63

Вклад автора. Все экспериментальные исследования проведены за период 2003 - 2009г. при непосредственном участии автора, которым сформулированы и обоснованы все задачи диссертации. Часть работ была проведена в Королевском Технологическом Институте (КТН, Стокгольм, Швеция). В коллективных работах автору принадлежат изложенные в диссертации выводы и защищаемые положения.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 5 разделов, заключения и списка литературы. Диссертация содержит 126 стр., включая 61 рисунков, 2 таблицы и 102 наименования библиографических ссылок на 9 стр.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Путролайнен, Вадим Вячеславович

Основные выводы диссертационной работы можно сформулировать следующим образом:

В MOM структурах на основе водородной ванадиевой бронзы полученных методом анодно-катодной поляризации наблюдается ВАХ с гистерезисом и отрицательным дифференциальным сопротивлением. Численное моделирование процессов ионного и электронного транспорта показало, что особенности ВАХ обусловлены дрейфом протонов в условиях наличия контакта, блокирующего ионный перенос.

Исследован эффект переключения в MOM структурах основе аморфного пентаоксида ванадия. Показано, что эффект переключения с памятью обусловлен модификацией электрических свойств тонкого переходного слоя на одной из границ оксид - электрод за счет дрейфа ионов кислорода под действием электрического поля, приводящего к изменению концентрации кислородных вакансий в приэлектродной области.

В структуре Si-Si02-V205-Au обнаружен эффект бистабильного электрического переключения с памятью. Показано что формовка структуры, переводящая её в состояние с переключением, обусловлена диэлектрическим

116 пробоем слоя SiC>2 в условиях ограничения разрядного тока и формированием наноразмерного канала Si в диэлектрической матрице. Предложен механизм переключения в формованной наноструктуре Au-VOx-Si, основанный на обратимом изменении сопротивления тонкого переходного слоя на границе оксид ванадия — кремний за счет электрополевой миграции ионов кислорода, сопровождающейся изменением концентрации кислородных вакансий.

Высокая стабильность и большое количество циклов переключения позволяет рассматривать структуру Si-SiCVV^CVAu как базовый элемент для разработки универсальной компьютерной памяти.

Под действием стационарного ультрафиолетового облучения низкой интенсивности в тонких пленках аморфного пентаоксида ванадия происходит модификация физических свойств, сопровождающаяся изменением химической активности.

Изменение химической активности пленок в результате модификации позволяет проводить литографические процессы для получения тонкопленочных структур. В зависимости от типа химического проявителя тонкие пленки аморфного V205 могут проявлять свойства как негативного, так и позитивного резиста.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ

В соответствие поставленными задачами было проведено исследование электрических свойств структур на основе оксидов ванадия, с эффектами бистабильного электрического переключения с памятью. Построены модели механизмов электрического переключения с памятью. Электрические свойства структур были оптимизированы для использования в составе универсальной компьютерной . памяти. Разработана методика литографического процесса на основе аморфных пленок оксидов ванадия, использующихся в качестве неорганического резиста и рабочего материала для изготовления элементов электронной техники. В частности, на основе разработанного литографического процесса, получены микроструктуры обладающие эффектом электрического переключения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Путролайнен, Вадим Вячеславович, 2009 год

1. Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл-полупроводник и переключение в оксидах переходных металлов — ФТТ - 1994 - Т.36 - № Ю - С. 2988-3001.

2. Sawa A. Resistive switching in transition metal oxides — Materials Today 2008 - V.ll — №6-P.28.

3. Hickmott T. W., Electroluminescence, bistable switching and dielectric breakdown in Nb205 diodes J. Vac. Sci. Technol. - 1969 - V.6 - P.828.

4. Hiatt W. R. Hickmott T. W. Bistable switching in niobium oxide diodes Appl. Phys. Lett. - 1965 - V.6 - P. 106.

5. Chopra K. L. Avalanche-induced negative resistance in thin oxide films J. Appl. Phys. - 1965 - V. 36 - p.184.

6. Argall F. Switching phenomena in titanium oxide thin films — Solid-State Electron. 1968-V.ll -P.535.

7. Seo S., Lee M. J., Seo D. H. Reproducible resistance switching in polycrystalline NiO films Appl. Phys. Lett. - 2004 - V.85 - P.5655.

8. Gibbons J. F. Beadle W. E. Switching properties of thin NiO films Solid-State Electron.- 1964- V.7- P.785.

9. Bruyere J. C., Chakraverty В. К Switching and negative resistance in thin films of nickel oxide Appl. Phys. Lett. - 1970 - V. 16 - P.40.

10. Fujita Y., Miyazaki K., Tatsuyama Ch. On the Electrochromism of Evaporated V205 Films Jpn. J. Appl. Phys. - 1995 - V. 24 - P. 1082.

11. П.Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Л.: Наука - 1979 - 183 с.

12. Ильин А. М., Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б., Хахаев А. Д., Чудновский Ф. А. Лазерно-стимулированная модификация свойств оксидов переходных металлов Оптика и спектроскопия. - 1997. — Т. 82. — № 1. — С. 46 — 50.

13. Н.Величко А.А., Пергамент А.Л., Стефанович Г.Б., Путролайнен В.В., Черемисин А.Б., Мануйлов С.А., Кулдин Н.А., Логинов Б.А. Получение наноструктур на основе оксидов переходных металлов — Нанотехника — 2006- №2(6) С.89.

14. Ария С.М., Семёнов И.Н. Краткое пособие по химии переходных элементов. Изд. ЛГУ - 1972 - 141 с.

15. Харрисон У. Теория твердого тела. М.: Мир - 1972 - 616с.

16. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. М: Мир - 1975 - 396с.

17. Физико-химические свойства окислов. Справочник. Под редакцией Самсонова Г.В. М.: Металлургия - 1978 — 472с.

18. Бондаренко В.М. Кинетические явления в кислородосодержащих ванадиевых соединениях дисс. докт. физ.- мат. наук. - Вильнюс — 1991 — 305 с.

19. Rao C.N.R. Transition metal oxides. Annu. Rev. Phys. Chem. - 1989 - V.40. -P.291-326.

20. Pao Ч. H. P., Гопалакришнан Дж. Новые направления в химии твёрдого тела: структура, синтез, свойства, реакционная способность и дизайн материалов — Новосибирск 1990 - 520с.

21. Мотт Н. Ф. Переходы металл изолятор. - М: Наука. - 1979 - 344с.

22. Патрина И. Б., Иоффе В. А. Электирические свойства пятиокиси ванадия -ФТТ. 1964 - Т. 6. - № 11 - С. 3227 - 3234.

23. Kenny N., Kennewurf С. R., Witmore D. H.Optical absorption coefficients of vanadium pentoxide single crystals J. Phys. Chem. Solids. - 1966 - V. 27. - P. 1237-1246.

24. Мокеров В. Г. Фотоэлектрические свойства монокристаллов пятиокиси ванадия-ФТТ 1973-Т. 15.- №8. -С. 2393-2396.

25. Костылев С. А., Шкут В. А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. — Киев: Наукова думка — 1978 203с.

26. Сандомирский В. Б., Суханов А. А. Явления электрической неустойчивости (переключение) в стеклообразных полупроводниках — Зарубежная радиоэлектроника. 1976 - № 9. - С. 68 - 101.

27. Волков В. Л. Фазы внедрения на основе оксидов ванадия. Свердловск: УНЦ АН СССР -1987. - 180с.

28. Цэндин К. Д., Лебедев Э. А., Шмелькин А. Б. Неустойчивости с S- и N-образными вольт-амперными характеристиками и фазовые переходы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и полимерах 2005 — ФТТ — Т.47 — С.427

29. Андреев В. Н. , Тимощенко Н. Е., Черненко И. М., Чудновский Ф. А. Механизм формирования переключающих ванадатно фосфатных стекол — ФТЖ. - 1981. -Т. 51. -№ 8. - С.1685-1689.

30. Livage J. Vanadium Pentoxide Gels Chem. Mater. - 1991 - V. 3 - № 4. - P. 578-593.

31. Фаунен Б. В., Крэнделл Р. С. Электрохромные дисплеи на основе W03. Из кн. Дисплеи под ред. Панкова Ж. М.: Мир, 1982. - 320с.

32. Гуртов В. А., Райкерус П. А., Малиненко В. П. Физика окисных пленок: учебное пособие Петрозаводск — 1988. — 88с.

33. Гаврилюк А.И., Секушин Н.А., Электрохромизм и фотохромизм в оксидах вольфрама и молибдена Наука: Ленинград — 1990.

34. Gavrilyuk A.I., Photochromism in WO3 thin films Electrochimica Acta — 1999. -V.44- P. 3027-3037

35. Kinawy N.I., Nanai L., Vajtai R., Hevesi I. Mechanical properties of V205 polycrystals grown by laser light irradiation. — J. Alloys and Compounds. -1992.-V. 186(1)- C.L1-L5.

36. Бугаев A.A., Гаврилюк А.И., Гурьянов A.A., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Метастабильная металлическая фаза в плёнках двуокиси ванадия. -ПЖТФ 1978 - Т.4 - №2 - С.65 - 68.

37. Ивон А. И., Колбунов В. Р., Черненко И. М. Керамика на основе диоксида ванадия Неорганические Материалы. - 1996 - Т.32 - №5 - С.624-626.

38. Ruska W. S. Microelectronic processing: An introduction to the manufacture of integrated circuits New York : McGraw-Hill - 1987.

39. Pfeiffer N. Process Development for Fabrication of Silicon Semiconductor Devices in a Low Gravity, High Vacuum, Space Environment. — Master Thesis, Simon Fraser University, Canada 2000.

40. Калитеевская H.A., Коньков О.И., Теруков Е.И., Сейсян Р.П. Исследование порога абляции для аморфных алмазоподобных пленок под действием излучения ArF эксимерного лазера ПЖТФ - 2000. - Т. 26. - В. 23. - С. 1115.

41. Moreau W.M. Semiconductor lithography: Principles, Practices, and Materials. — New York and London: Plenum Press 1988.

42. Lavine J. M. and Buliszak. M. J. Ag2Te/As2S3: A high-contrast, top-surface imaging resist for 193 nm lithography J. Vac. Sci. & Technol. В -1996. - V. 14 -N. 6- pp 3489-3491.

43. Janus A.R. Rapid conversion of an iron oxide film — US Patent № 3,873,341, issued on March 25, 1975.

44. Bozler C., et al. Solid-transformation thermal resist. US Patent, № 4,619,894, issued on October 28, 1986.

45. Pang S. W., Kunz R. R., Rothschild M., Goodman R. В., and Horn M. W. Aluminum oxides as imaging materials for 193nm excimer laser lithography — J. Vac. Sci. & Technol. В 1989 - V. 7, N. 6, pp 1624-1628.

46. Zhuang W. W. Novel Colossal Magnetoresistive Thin Film Nonvolatile Resistance Random Access Memory (RRAM). 2002. - Tech. Dig. IEDM. - P. 193.

47. Baek I. G., et al., Highly scalable non-volatile resistive memory using simple binary oxide driven by asymmetric unipolar voltage pulses. — Tech. Dig. IEDM — 2004 — P.587

48. Potember R. S., et al., Electrical switching and memory phenomena in Cu-TCNQ thin films. Appl. Phys. Lett. - 1979 - V.34 - P.405

49. Muller R., et al., CuTCNQ resistive nonvolatile memories with a noble metal bottom electrode. Appl. Phys. Lett. - 2007 - V.90 - 063503

50. Ma L., et al., Nonvolatile electrical bistability of organic/metal-nanocluster/organic system Appl. Phys. Lett. - 2003 - V.82 - P. 1419

51. Yoshida C., et al., High speed resistive switching in Pt/Ti02/TiN film for nonvolatile memory application Appl. Phys. Lett. - 2007 - V.91 - 223510

52. Liu S. Q., Wu, N. J., Ignatiev A., Electric-pulse-induced reversible resistance change effect in magnetoresistive films Appl. Phys. Lett. - 2000 - V.76 - P.2749

53. Beck A., Bednorz J.G., Gerber Ch., Rossel C., Widmer D. Reproducible switching effect in thin oxide films for memory applications Appl. Phys. Lett. - 2000 - V. 77 -P.139

54. Watanabe Y., Bednorz J.G., Bietsch A., Gerber Ch., Widmer D., Beck A., Wind S.J., Current-driven insulator-conductor transition and nonvolatile memory in chromium-doped SrTiCb single crystals Appl. Phys. Lett. - 2001- V.78 -3738

55. Choi B. J., Jeong D.S., Kim S.K., Rohde C., Choi S., Oh J.H., Kim H.J., Tiedke S. Resistive switching mechanism of ТЮ2 thin films grown by atomic-layer deposition J. Appl. Phys. - 2005 - V.98 - 033715

56. Chen, A., et al., Tech. Dig. IEDM 2005 - 746

57. Fujii Т., Kawasaki M., Sawa A., Akoh H., Kawazoe Y., Tokura Y., Hysteretic current-voltage characteristics and resistance switching at an epitaxial oxide Schottky junction SrRu03/SrTio.99Nbo.oi03 Appl. Phys. Lett. - 2005 - V.86 -012107

58. Sawa A., Fujii Т., Kawasaki M., Tokura Y. Colossal electro-resistance memory effect at metal/La2Cu04 interfaces Jpn. J. Appl. Phys. - 2005 - V.44 - LI241

59. Baikalov, A., Wang Y.Q., Shen В., Lorenz В., Tsui S., Sun Y.Y., Xue Y.Y., Chu C.W. Field-driven hysteretic and reversible resistive switch at the Ag-Pr 0.7Са0.зМпОз interface. Appl. Phys. Lett. - 2003 - V.83 - P.957

60. Tsui S., Baikalov A., Cmaidalka J., Sun Y.Y., Wang Y.Q., Xue Y.Y., Chu C.W., Jacobson A.J. Field-induced resistive switching in metal-oxide interfaces — Appl. Phys. Lett. 2004 - V.85 - P.317

61. Chen X., Wu N.J., Strozier J.5 Ignatiev A., Direct resistance profile for an electrical pulse induced resistance change device — Appl. Phys. Lett. — 2005 -V.87- 233506

62. Seong, D.-J., et al., Electrochem. Solid-State Lett. 2007 - V.10 - H168.

63. Nian Y. В., Strozier J., Wu N. J., Chen X., Ignatiev A. Evidence for an Oxygen Diffusion Model for the Electric Pulse Induced Resistance Change Effect in Transition-Metal Oxides Phys. Rev. Lett. - 2007- V. 98 -146403

64. Fors R., Khartsev S. I., Grishin A. M. Giant resistance switching in metal-insulator-manganite junctions: Evidence for Mott transition Phys. Rev. В2005-V.71-045305

65. Rosenberg, M. J., Inoue I.H., Sanchez M. J., Strong electron correlation effects in nonvolatile electronic memory devices Appl. Phys. Lett. - 2006 - V.88 -033510

66. Oka Т., Nagaosa N., Interfaces of Correlated Electron Systems: Proposed Mechanism for Colossal Electroresistance Phys. Rev. Lett. - 2006 - V.95 -266403

67. Sawa, A., Fujii Т., Kawasaki M., Tokura Y., Interface resistance switching at a few nanometer thick perovskite manganite active layers — Appl. Phys. Lett2006-V.88-232112

68. Fujii Т., Kawasaki. M., Electrical properties and colossal electroresistance of heteroepitaxial SrRu03/SrTi,^Nb^03 (0.0002 0.02) Schottky junctions

69. Phys. Rev. В 2007 - V.75 - 165101

70. Suh J.Y., Lopez R, Feldman L.C., and Haglund R.F. Jr. Semiconductors to metal phase transition in the nucleation and grow of VO2 nanoparticles and thin films -J. Appl. Phys. 2004. -V.96-P.1209

71. Andreev V N, Kapralova V M, Klimov V A Phys. Solid State - 2007. - 49(12) -p. 2318

72. Stefanovich G B, Pergament A L, Velichko A A, Stefanovich L A J. Phys.: Condens. Matter - 2004. - V.16 - p.4013

73. Cox P. A. Transition Metal Oxides. An Introduction to their Electronic Structure and Properties (Oxford: Clarendon) - 1992.

74. Gavrilyuk AI Ionics 1998. - V.4 - p.372

75. Pergament A J. Phys.: Condens. Matter - 2003 - V.l5 - p.3217

76. Chenevas-Paule A J. de Phys. - 1976. -V.37 - C4-76

77. Казакова E.JI. Электронные и ионные процессы в гидратированном пентаоксиде ванадия — дисс. канд. физ.-мат. наук. — Петрозаводск 2002.

78. Demets G J F, Anaissi F J, Toma HE- Electrochim. Acta 2000. - V.46 -P.547

79. Корзо В. Ф., Черняев В. Н. Диэлектрические пленки в микроэлектронике. -М.: Энергия 1977. - 368с.

80. Эме Ф. Диэлектрические измерения для количественного анализа и для определения химической структуры. М.: Химия — 1967. — 224с.

81. Пергамент А.Л. Электронные неустойчивости в соединениях переходных металлов дисс. докт. физ.-мат. наук. - Петрозаводск - 2007.

82. Greeuw G. Hoenders В .J. Theoretical solution of the transient current equation for mobile ions in a dielectric film under the influence of a constant electric field J. Appl. Phys. - 1984 - V.55(9) — P.3371-3375

83. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел — М.: Наука 1964 -488с.

84. Джоншер A.JL, Хилл P.M. Электропроводность неупорядоченных неметаллических пленок Физика тонких пленок - 1978 - М.: Мир - Т.8 -С. 180-259.

85. М. Benmoussa, Е. Ibnouelghazi, A. Bennouna, E.L. Ameziane Structural, electrical and optical properties of sputtered vanadium pentoxide thin films -Thin Solid Films 1995 - V.265 - P.22-28.

86. Klein N., Electrical breakdown in solid Advances in Electronic and Electron Physics - 26 - L.Marton, Ed., New York, Academic Press - pp. 309-424.

87. Мануйлов С.А., Величко А.А. Электрические свойства структуры Si-VCV Me Современные проблемы науки и образования. - 2006 - № 3 -С.33-34.

88. Мотт Н.Ф., Девис Э.А., Электронные процессы в некристаллических веществах — М.: Мир 1974.

89. Аронзон Б.А., Ковалев Д.Ю., Рыльков В.В. ФТП- 2005 -т.39 -№7 С.844-852.

90. Lin Horng-Chin, Lee Da-Yuan, Huang Tiao-Yuan Breakdown models and their evolution in ultrathin gate oxide Jpn. J. Appl. Phys. - 2002 - V.41 - pp. 5957 -5963.

91. B.K. Ridley Specific negative resistance in solids Proc. Phys. Soc. - 1963 -V.82 — P.954.

92. Ridley B.K, Mechanism of electrical breakdown in Si02 films J. Appl. Phys. -1975-V.46-P.998.

93. Голенкова А. А. Совершенствование технологии формирования износостойких покрытий на алюминиевых сплавах микродуговым оксидированием. дисс. канд. тех. наук. — Красноярск - 2006. - 125 с.

94. Crank J. The mathematics of diffusion Clarendon Press, Oxford - 1975.

95. Gavrilyuk A. Nature of photochrtomism in amorphous V2O5 thin films Proc. of the SPIE - The Int. Society for Optical Engineering - 1997 - 2968 - pp. 195-200

96. Julien C, Guesdon J P, Gorenstein A, Khelfa A, Ivanov I. The influence of the substrate material on the growth of V2O5 flash-evaporated films Appl. Surface Science-1995.- 90- p.389-91

97. Liu Zuli, Fang Guojia, Wang Youqing, Bai Yandong and Yao Kai-Lun Laser-induced colouration of V205 J. Phys. D: Appl. Phys 2000. - V.33 - p.2327-2332

98. Krymonprez Z., Fiermans L., Vennik J The work function V2O5 and У6Оп surfaces. Surface science - 1973 - V. 36 - P.370-372.