Влияние условий синтеза и легирования на физические свойства оксидов ванадия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Березина, Ольга Яковлевна

• Березина, Ольга Яковлевна
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Березина, Ольга Яковлевна

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОКСИДЫ ВАНАДИЯ И СОЕДИНЕНИЯ ВНЕДРЕНИЯ НА ИХ ОСНОВЕ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).

1.1. Оксиды переходных металлов.

1.1.1. Строение и свойства оксидов переходных металлов.

1.1.2. Фазовый переход металл-полупроводник в оксидах переходных металлов.

1.1.3. Электроформовка и эффект переключения.

1.1.4. Оксиды ванадия, фазовый переход металл-полупроводник и эффект переключения в них.

1.2. Гидратированный пентаоксид ванадия.

1.2.1. Технология получения пленок гидратированных оксидов.

1.2.2. Состав и структура пленок, полученных из У205-геля.

1.2.3. Физические свойства гидратированного пентаоксида ванадия

1.2.4. Термовакуумное восстановление V205.

1.3. Получение, структура и свойства интеркаляционных соединений на основе ксерогеля оксида ванадия.

1.3.1. Интеркаляция неорганических катионов.

1.3.2. Интеркаляция катионов органических соединений и комплексных ионов.

1.3.3. Нанотубулярные формы интеркаляционных соединений.

1.3.4. Получение легированного V02 и влияние вариаций состава на его свойства.

1.4.Выводы из обзора литературы и постановка задачи.

2. ПОЛУЧЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОКСИДОВ ВАНАДИЯ, СОЕДИНЕНИЙ ВНЕДРЕНИЯ НА ИХ ОСНОВЕ И МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ ИХ СВОЙСТВ.

2.1. Получение геля пентаоксида ванадия и пленок легированных оксидов ванадия.

2.2. Определение толщины пленок.

2.3. Определение оптических констант пленок ксерогеля.

2.4. Исследование структуры и состава пленок.

2.5. Электрофизические измерения.

2.6. Оптические измерения.

3. ЗАВИСИМОСТЬ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ПЕНТАОКСИДА ВАНАДИЯ ОТ УСЛОВИЙ СИНТЕЗА.

3.1. Структура пленок.

3.2. Оптические свойства.

3.3. Электрофизические свойства.

3.4. Способы восстановления до низших оксидов.

4. СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК ПЕНТАОКСИДА И ДИОКСИДА ВАНАДИЯ.

4.1. Структура.

4.2. Оптические свойства легированных пленок пентаоксида ванадия.

4.3. Электрофизические свойства легированных пленок пентаоксида ванадия.

4.4. Электрофизические свойства легированных пленок диоксида ванадия.

4.5. Выводы к разделу 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние условий синтеза и легирования на физические свойства оксидов ванадия»

Одним из перспективных направлений электроники является совмещение традиционных полупроводников, широко применяемых в микроэлектронике, с материалами, в которых проявляются такие яркие физические явления, как, например, сверхпроводимость, различные формы спинового упорядочения в магнитных материалах, оптические и фотоэлектрические процессы в оптически активных веществах, мезоскопические явления, переходы металл-изолятор. Исследование таких гибридных структур имеет прикладной аспект, а именно - новые приложения в микро- и оптоэлектронике. С другой стороны, богатые возможности полупроводниковых технологий позволят более детально изучить некоторые из вышеуказанных фундаментальных явлений. Использование новых физических эффектов в электронике привело к развитию таких альтернативных направлений как оптоэлектроника, сверхпроводниковая электроника и квантовая наноэлектроника, которые интенсивно развиваются в последнее время.

Перспективными материалами с этой точки зрения являются оксиды переходных металлов. Переходные металлы, проявляя переменную валентность в соединениях с кислородом, образуют, как правило, целый ряд оксидов, обладающих широким спектром физических свойств. В частности, по типу проводимости эти вещества могут быть как диэлектриками (Та2С>5, Nb205) или полупроводниками (FeO, Mn02), так и металлами (VO, ТЮ, R11O2) и даже сверхпроводниками.

Неординарные свойства соединений переходных металлов обусловлены спецификой поведения d-электронов. Малая пространственная протяжённость d-волновых функций приводит к образованию узких зон, а поведение электронов в узких зонах характеризуется сильными межэлектронными и электрон-фононными корреляциями, т.е. в соединениях d-элементов характерные энергии взаимодействия электронов с фононами и между собой сравнимы с шириной зоны или с кинетической энергией электрона. Одно из ярких проявлений указанных эффектов - явление фазового перехода металл-полупроводник (ФПМП), присущее многим оксидам переходных металлов. ФПМП заключается в резком, значительном и обратимом изменении свойств материала (прежде всего - величины и характера температурной зависимости проводимости или оптических констант) при вариации внешних факторов - температуры или давления. Диоксид ванадия, например, переходит из полупроводникового в металлическое состояние при Tt=340 К. Одна из главных причин актуальности исследований фазовых переходов - очевидная перспектива практических применений, например, в запоминающих устройствах, фотонных кристаллах [1], оптических затворах для импульсных лазерных генераторов, пленочных интерферометрах, используемых в качестве реверсивной голографической среды, оптических лимитеров, датчиков температуры, болометров и т.п. [2].

Системы с ФПМП условно могут быть разделены на две группы по начальному механизму нестабильности основного состояния. В первой группе изменения в кристаллической решетке (структурный фазовый переход) приводят к расщеплению электронной зоны проводимости и, следовательно, к переходу в изоляторное состояние. В другой группе ФПМП удовлетворительно описывается в рамках чисто электронных моделей (например, переход Мотта). Классическими объектами для изучения ФПМП являются оксиды переходных металлов (в частности оксиды ванадия).

Для многих оксидов переходных металлов характерно также явление переключения, связанное с развитием токовых неустойчивостей в сильных электрических полях, приводящих к появлению на вольтамперных характеристиках участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ОДС). ВАХ таких систем обычно подразделяются на две категории: с ОДС S- и N-типа. Эффект отрицательного сопротивления потенциально перспективен для создания различных приборов и устройств [3]. Тепловой или электротермический механизм, основанный только на тепловых и электрических объёмных свойствах материала, оказывается во многих случаях достаточным для объяснения большинства аспектов порогового переключения. Однако были предложены и альтернативные нетепловые, электронные модели для описания условий возникновения неустойчивости, ведущей к переключению [4]. Кроме того, есть целый ряд работ, рассматривающих эффект переключения как переход металл-изолятор, происходящий в электрическом поле.

Интерес к явлениям переключения и ФПМП обусловлен не только возможностью их практического использования, но и их актуальностью с точки зрения решения целого ряда фундаментальных проблем физики твёрдого тела. К числу таких проблем относятся коллективные (многоэлектронные) эффекты в металлах и полупроводниках, которые, собственно, и лежат в основе механизма ФПМП. Если переключение обусловлено переходом металл-полупроводник, как, например, в V02, то такие исследования могут дать дополнительную информацию о влиянии электронных эффектов на ФПМП, что, безусловно, важно для понимания механизма перехода.

Успешному применению новых материалов мешает отсутствие продвинутой технологии их получения и модификации под нужды конкретных научно-технических задач.

В последние годы исследователи уделяют особое внимание интеркаляционным соединениям на основе ксерогеля оксида ванадия(У) [5], проявляющим свойства как исходной ванадий-кислородной матрицы, так и внедренных веществ. В интеркаляционных соединениях (соединениях внедрения) ионы или молекулы-гости расположены в кристаллографических пустотах вещества-хозяина. Характерная особенность интеркаляционных соединений на основе ксерогеля оксида ванадия(У) — квазиодномерная структура слоев. В структуру ксерогеля можно легко внедрить не только катионы, но и молекулы органических соединений. Большая интеркаляционная емкость ксерогеля объясняется его природой и обеспечивается отрицательным зарядом ванадий-кислородных слоев, распределенным вдоль волокон V2Os [6]. Интеркаляция может осуществляться за счет дипольной адсорбции, ионообменных или окислительно-восстановительных процессов. Во всех случаях она приводит к изменению межслоевого расстояния, что соответствует внедрению одного или нескольких слоев интеркаланта без изменения структуры ксерогеля. Эффективным методом синтеза интеркаляционных соединений общей формулы МхV2yTy05+8 ' Н2О (М - одно-, двух- или трехвалентный катион, Т = Mo, W, Cr, Ti) является растворение соответствующих оксидов, гидридов или металлов в пероксиде водорода с последующим разложением пероксидных соединений [5]. На основе ксерогеля оксида ванадия(У) могут быть получены твердые растворы замещения ванадия на шести-, пяти- или четырехвалентные ионы с более широкой областью гомогенности, чем в случае безводных сложных оксидов. Такие растворы довольно просто получить в виде пленок, высокодисперсных порошков и нанокомпозитов по экологически безопасным технологиям с низкими энергетическими затратами, поэтому они перспективны для создания материалов для различных электрохимических устройств, оптических приборов [7], их можно использовать при синтезе катализаторов, в качестве прекурсоров безводных и нанотубулярных форм оксидных соединений.

В данной работе для получения пленок гидратированного пентаоксида ванадия и твердых растворов замещения на его основе используется золь-гель метод, который рассматривается в настоящее время как одна из наиболее перспективных технологий, обладающих целым рядом достоинств по сравнению с традиционными способами изготовления тонких пленок [8-12].

В последние годы исследования интеркаляционных соединений на основе ксерогелей простых и сложных оксидов ванадия занимают лидирующее место в изучении соединений внедрения. Для современных экспериментальных исследований характерны работы по получению упорядоченных нано-, мезо-, микро- и макроструктур интеркаляционных соединений. Приводится описание методик синтеза, химического состава и морфологии ксерогелей, однако сведений о физико-химических и физических свойствах недостаточно.

В области экспериментальных исследований физических свойств, кристаллических структур и фазовых диаграмм оксидов переходных металлов и основных параметров ФПМП в них за последние десятилетия накоплен большой фактический материал, что, однако до сих пор не привело к существенному прорыву в теоретическом понимании детального механизма перехода в конкретных материалах.

Разработка эффективных методов получения твердых растворов замещения ванадия в его оксидах, а также исследование их свойств является актуальной задачей, решение которой позволит получить новые представления о природе ФПМП и послужит научной базой для разработки технологии получения перспективных для электронных приложений материалов.

Вышесказанным определяется актуальность данной работы.

Целью работы является разработка методики получения легированных пленок гидратированного пентаоксида ванадия золь-гель методом; изучение зависимости состава, структуры, электрических и оптических свойств пленок ксерогеля V2.yTy05±s-nH20 (Т = W, Мо или Yb) от условий синтеза, типа и концентрации примеси; разработка методики получения легированных пленок низших оксидов ванадия и исследование физических свойств полученных пленок.

Научная новизна работы определяется тем, что в ней впервые:

- разработана методика получения твердых растворов замещения ванадия в ксерогеле оксида ванадия(У) на ионы W, Mo, Yb золь-гель методом;

- установлено влияние условий синтеза (температуры исходного расплава) и легирования ионами W, Mo, Yb на свойства тонких пленок гидратированоого пентаоксида ванадия;

- определена зависимость параметров ФПМП в диоксиде ванадия от режима восстановления и условий синтеза исходных и легированных пленок ксерогеля;

- изучено влияние уровня легирования ионами W на свойства тонких пленок диоксида ванадия и параметры ФПМП в них, в частности, обнаружено уменьшение температуры ФПМП и изменение формы петли температурного гистерезиса с ростом концентрации примеси и подавление ФПМП при высоких концентрациях примеси;

- исследованы процессы электоформовки и переключения в сэндвич структурах на основе У20з-геля, легированного ионами W;

- показана возможность получения низших оксидов ванадия путем ионно-лучевой обработки пленок гидратированного V2O5 ионами Аг.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1) При увеличении температуры расплава на этапе изготовления геля происходит частичное восстановление оксида, сопровождающееся увеличением концентрации донорных центров (низковалентных катионов V4+) в пленках ксерогеля, что модифицирует его электрические (увеличение электронной проводимости на постоянном токе; уменьшение времени релаксации поляризации) и оптические свойства.

2) Изменение условий синтеза пленок УгОз-пНгО и существенно влияет на свойства нестихиометричного V02 (проводимость, параметры ФПМП), получаемого вакуумным восстановления гидратированного пентаксида.

3) Удельное сопротивление пленок пентаоксида ванадия, легированного W, существенно увеличивается с ростом концентрации примеси за счет замещения части центров V4+ ионами W6+ и уменьшения в связи с этим прыжкового электронного зарядопереноса между разновалентными ионами ванадия, а также уменьшением подвижности ионов Н+, зарядоперенос которых дает существенный вклад в общую проводимость гидратированного оксида.

4) Удельное сопротивление пленок диоксида уменьшается с ростом концентрации примеси (W). Параллельно наблюдается монотонное подавление ФПМП (температура перехода ФПМП снижается, увеличивается температурная растянутость перехода, уменьшается скачок сопротивления). Увеличение проводимости связано с появлением дефектов донорного типа: при замещении иона V4+ ионом W6+ возникают два иона V3+, что диктуется необходимостью сохранения электронейтральности. Подавление ФПМП ростом концентрации донорных центров подтверждает электронный (Моттовский) механизм перехода в VO2.

5) В сэндвич структурах металл/Уг.у^Оз^/металл наблюдается эффект переключения, который обусловлен образованием в процессе электроформовки канала, состоящего из Vi.yWy02±5, и соответственно, переходом металл-изолятор в нем. Введение примеси вольфрама в определенной концентрации (<3%) приводит к снижению разброса пороговых параметров ввиду снижения температуры ФПМП.

Научно-практическая значимость работы определяется тем, что в ней получена новая информация, способствующая развитию представлений о механизмах переключения и фазового перехода металл-изолятор в легированном нестехиометричном диоксиде ванадия.

В прикладном аспекте разработанные основы экологически безопасного, с низкими энергетическими затратами технологического процесса синтеза тонких пленок пентаоксида и диоксида ванадия, легированных W, Мо и Yb, могут быть использованы для их производства.

Разработанные способы управления параметрами ФПМП (изменение температуры перехода и формы петли гистерезиса) в пленках диоксида ванадия определяют возможность их использования в пленочных интерферометрах различного назначения.

MOM (металл-окисел-металл) структуры на основе У205-геля, легированного W, обладающие переключением с вольт-амперной характеристикой S-типа, перспективны с точки зрения использования их в качестве различных электронных устройств и чувствительных элементов сенсорных систем. Определяется это их малыми размерами и сэндвич-конфигурацией, совместимой с современной интегральной технологией.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы были доложены на семинарах в ПетрГУ (Петрозаводск), а также на следующих конференциях:

- 10-я Международная конференция "Физика диэлектриков ДЭ-2004" (Санкт-Петербург, РГПУ им. А. И. Герцена, 2004);

- IV и V Международные конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург, 2004 и 2006 г.);

- Всероссийская научная конференция «Физика низкотемпературной плазмы» ФНТП-2004 (Петрозаводск, 2004);

- 2-я Международная конференция «Физика электронных материалов» (Калуга, 2005);

- 2-я Международная научно-практическая конференция «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности» (Санкт-Петербург, 2006);

- II и III Всероссийские конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (ФАГРАН) (Воронеж, 2004 и 2006).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 14 печатных работ, из них 2 статьи в российских журналах (1 из них реферируемый), 12 докладов и тезисов докладов в материалах конференций.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 разделов, заключения и списка литературы. Диссертация содержит 156 стр., включая 72 рисунка, 9 таблиц и 185 наименований библиографических ссылок на 16 стр.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Березина, Ольга Яковлевна

4.5. Выводы к разделу 4

1. По данным рентгенофазного анализа в результате интеркаляции ионов вольфрама в пентаоксид ванадия в пленках не происходит резких структурных изменений, слоистая структура сохраняется. В легированных вольфрамом пленках пентаоксида и диоксида ванадия часть ионов У4+ замещается ионами

W*6. В результате восстановления пленок V2O5 • иНгО отжигом в вакууме происходит их кристаллизация и образуется нестехиометрический VO2, близкий по составу к VO2J.

2. Добавка ионов молибдена Мо6+ и W6+ немного увеличивает оптическое поглощение в области малых частот и оптическую ширину запрещенной зоны Eg. Тогда как легирование ионами иттербия Yb3+ к подобным изменениям не приводит. Объясняется это, видимо, тем, что при легировании ионы W6+, замещая ионы V4+, создают донорные уровни, тогда как ионы Yb3+ -акцепторные. Характер изменения оптических свойств легированных пленок определяется не только видом внедренных элементов, но и способом легирования.

3. Добавка ионов W6+ и Мо6+ ведет к значительному увеличению импеданса, сдвигу максимума на кривой тангенса диэлектрических потерь tgS (f) в область более низких частот, увеличению времени релаксации поляризации. Легирование Yb3+ к существенным изменениям не приводит. Удельное сопротивление пленок пентаоксида ванадия, легированных вольфрамом, практически линейно растет с ростом концентрации примеси. К уменьшению электропроводности приводит снижение концентрация ионов V4+, которые при легировании замещаются ионами W6+.

4. В легированных пленках диоксида ванадия при замещении иона V4+ ионом W6+ возникают два иона V3+, что диктуется необходимостью сохранения электронейтральности. Образование дефектов донорного типа приводит к росту проводимости и снижению температуры ФПМП из-за сужения запрещенной зоны. В свою очередь снижение Tt в результате легирования подтверждает электронный (Моттовский) механизм фазового перехода в VO2 . Увеличение температурной протяженности ветвей петли термического гистерезиса с ростом «у» вызвано разбросом концентрации примеси в зернах пленки, а, следовательно, разной температурой перехода в них.

5. Оценка радиуса локализации электрона дает примерно 1,4 А, и эта величина уменьшается до 1,3 А с ростом концентрации примеси вольфрама.

6. Легирование вольфрамом в количестве примерно 3 ат.% стабилизирует пороговое напряжение исследуемых переключателей на основе V2. yWy05±5'nH20, что, по-видимому, связано с уменьшением температуры ФПМП в диоксиде ванадия.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В соответствии с поставленной задачей были разработаны методики получения легированных пленок гидратированного пентаоксида и диоксида ванадия. Исследована зависимость структуры и свойств полученных пленок от способа синтеза (температуры исходного расплава) и концентрации примеси.

Основные научные результаты и выводы работы могут быть обобщены следующим образом.

1. Структура и морфология поверхности пленок У205'«Н20 определяются температурой расплава. Пленки V205-rcH20, полученные при разных температурах расплава (Тр = 700 и 1000°С) рентгеноаморфны и обладают выраженной слоистой структурой, причем п = 1,6. Образцы, полученные при меньшей Тр, обладают более высокой степенью кристалличности и имеет меньшую высоту неоднородностей поверхности. Отжиг пленок на воздухе приводит к увеличению размеров неоднородностей на поверхности.

2. Рост Тр при изготовлении геля приводит к изменению оптических (сдвигу края собственного поглощения в коротковолновую область спектра, увеличению «оптической» запрещенной зоны Eg от 2,23 до 2,45 эВ и к незначительному увеличению поглощения в длинноволновой области спектра) и электрических (увеличение электронной проводимости на постоянном токе; уменьшение времени релаксации поляризации) свойств. Указанная модуляция свойств вызвана увеличением концентрации донорных центров (низковалентных катионов V4+) в пленках ксерогеля с ростом Тр.

3 Возможно восстановление пленок V205-«H20 до низших оксидов ионно-лучевой (ИЛ) обработкой ионами Аг при низкой температуре и за короткое время.

4. Условия синтеза (Тр) и времени отжига при вакуумном восстановлении пленок V205'«H20 существенно влияют на свойства получаемого нестехиометричного V02 (проводимость, скачок сопротивления при ФПМП, ширина петли гистерезиса на зависимости р(Т) при ФПМП). Лучшие параметры ФПМП наблюдались при восстановлении при 500°С в течении часа пленок V205-rcH20, полученных из геля с Тр = 900°С, при этом образуется нестехиометрический V02, близкий по составу к V02ii.

5. При легировании вольфрамом даже с высокой концентрацией примеси (12 ат.%) слоистая структура пленок пентаоксида ванадия сохраняется, часть ионов V4+ замещается ионами W6+. В легированных вольфрамом восстановленных пленках также происходит замещение ионов V4+ ионами W6+.

6. Характер изменения оптических и электрических свойств легированных пленок пентаоксида ванадия определяется не только видом внедренных элементов, но и способом легирования. Рост концентрации примеси («у») в пленках V2yWy05±s • пН20 приводит к незначительному росту поглощения в области малых частот (hv < 2 эВ); уменьшению поглощения при hv >2,5 эВ и небольшому (порядка 0,05 эВ) увеличению оптической ширины запрещенной зоны Eg. Легирование пленок пентаоксида ванадия вольфрамом и молибденом приводит к значительному возрастанию импеданса Z и увеличению времени релаксации поляризации примерно на порядок. Легирование иттербием к существенным изменениям не приводит.

7. Удельное сопротивление (р) пленок V2.yWy05±5-«H20 значительно растет с ростом «у» из-за замещения части центров V4+ ионами W6+.

8. С ростом концентрации примеси «у» в пленках Vi.yWy02±6 уменьшается удельное сопротивление, снижается температура ФПМП (ATt « 10°С на 1 ат.% W), уменьшается скачок сопротивления при ФПМП, увеличивается растянутость перехода по Т. У пленок с концентрацией W больше 6 ат.% ФПМП не наблюдался. Увеличение проводимости и снижение Tt связано с появлением дефектов донорного типа: при замещении иона V4+ ионом W6+ возникают два иона V3+, что диктуется необходимостью сохранения электронейтральности. Это в свою очередь подтверждает электронный (Моттовский) механизм ФПМП в VO2. Радиус локализации электрона а1 ~ 1,4 А и уменьшается до 1,3 А с ростом концентрации примеси.

9. В структурах металл/V2.у^^С^а/металл наблюдается эффект переключения с ВАХ iS-типа, который обусловлен образованием в процессе электроформовки канала, состоящего из Vi.yWy02±s, и соответственно, переходом металл-изолятор в нем. Причем введение примеси вольфрама в определенной концентрации (<3%) приводит к снижению разброса пороговых параметров переключения по сравнению с нелегированными пленками ввиду снижения температуры ФПМП. Такие структуры перспективны с точки зрения использования их в качестве различных электронных устройств и чувствительных элементов сенсорных систем. Определяется это их малыми размерами и сэндвич-конфигурацией, совместимой с современной интегральной технологией.

10. Разработанные способы управления параметрами ФПМП (изменение температуры перехода и формы петли гистерезиса) в пленках диоксида ванадия определяют возможность их использования в пленочных интерферометрах различного назначения.

В заключение выражаю глубокую благодарность сотрудникам кафедры энергетики и электроники ПетрГУ A.JI. Пергаменту, А.А. Величко, кафедры общей физики E.JI. Казаковой, а также зав. кафедрой физики твердого тела В.А. Гуртову и сотрудникам кафедры В.П. Малиненко, JI.A. Луговской, С.Н. Кузнецову, Н.А. Шиловскому за помощь при проведении некоторых экспериментов и обсуждении результатов.

Особую благодарность выражаю своему научному руководителю Г.Б. Стефановичу за поддержку и помощь в работе над диссертацией.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Березина, Ольга Яковлевна, 2007 год

1. Ильинский А.В., Электрические и оптические явления в диоксиде ванадия вблизи фазового перехода полупроводник-металл / А.В. Ильинский, В.А. Климов, С.Д. Ханин, Е.Б. Шадрин // Известия РГПУ им. А.И. Герцена. Физика. 2006. - № 6 (15). - С. 100-120.

2. Климов В.А. Формирование петли температурного гистерезиса при фазовом переходе металл-полупроводник в пленках диоксида ванадия / В.А. Климов, И.О. Тимофеева, С.Д. Ханин, Е.Б. Шадрин и др. // ЖТФ. 2002. - Т. 72, вып. 9. - С. 67-74.

3. Лосева Г.В. Переход металл-диэлектрик в сульфидах Зс1-металлов / Г.В. Лосева, С.Г. Овчинников, Г.А. Петраковский. Новосибирск: Наука, 1983.- 144 с.

4. Меден А. Физика и применение аморфных полупроводников / А. Ме-ден, М. Шо. М.: Мир, 1991,-670 с.

5. Волков В.Л. В кн. Химия, технология и промышленная экология неорганических соединений / В.Л. Волков, Г.С. Захарова. Пермь: Пермский унт, 2001.-С. 19.

6. Livage J. Synthesis of polyoxovanadates via "chimie douce" // Coordin Chem. Rev. 1998,- 180, 999.

7. Волков В.Л. Перспективные материалы / В.Л. Волков, Г.С. Захарова, А.В. Яковлев, В.Э. Иванов. 2001 (3), 30 с.

8. Волков В.Л. Фазы внедрения на основе оксидов ванадия. Свердловск: УНЦ АН СССР. - 1987.- 180 с.

9. Livage J. Optical and electrical properties of vanadium oxides synthesized from alkoxide // Coordination Chemistry Reviews. 1999. - 190, 192. - P. 391403.

10. Livage J., Ganguli D. Sol-gel electrochromic coatings and devices: A review Solar Energy Materials & Solar Cells. 2001. - V. 68. - P. 365-381.

11. Aegerter M. A. Electrochromism in Materials Prepared by the Sol-Gel Process / M.A. Aegerter, C.O. Avellandera, Pawlica A., M. Atic // Journal of Sol-Gel Science and Technology. 1997. - V. 8. - P. 689-696.

12. Livage J. Vanadium Pentoxide Gels // Chem. Mater. 1991. - V. 3. - № 4. -P. 578-593.

13. Стефанович Г.Б. Переход металл-изолятор в пленочных структурах на основе оксидов переходных металлов: дисс. докт. физ.-мат. наук. Петрозаводск, 1997.-360 с.

14. Rao C.N.R. Transition metal oxides // Annu. Rev. Phys. Chem. 1989. -V.40. - P.291-326.

15. Ханин С.Д. Проблемы электрофизики металлооксидных конденсаторных диэлектриков: Обзоры по электронной технике. Сер.5. М.: ЦНИИ "Электроника", 1990. - Вып. 1(1524). - 58 с.

16. Бондаренко В.М. Кинетические явления в кислородосодержащих ванадиевых соединениях: дисс. докт. физ.-мат. наук. Вильнус, 1991. 305 с.

17. Ария С.М. Краткое пособие по химии переходных элементов / С.М. Ария, И.Н. Семёнов. Изд-во Ленинградского Университета, 1972. - 140 с.

18. Рао Ч.Н.Р. Новые направления в химии твёрдого тела: структура, синтез, свойства, реакционная способность и дизайн материалов / Ч.Н.Р. Рао, Дж. Гопалакришнан. Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1990. -520 с.

19. Фотиев А.А. Ванадаты. Состав, синтез, структура, свойства / А.А. Фо-тиев, Б.В. Слободин, М.Я. Ходос. М.: Наука. - 1988. - 272 с.

20. Гинзбург В.Л. О некоторых успехах физики и астрономии за последние три года // УФН, 2002. Т. 172, вып. 2. - С. 213-219.

21. Зайцев P.O. Основные представления о переходах металл изолятор в соединениях 3d - переходных металлов / P.O. Зайцев, Е.В. Кузьмин, С.Г. Овчинников //УФН, 1986.-Т. 148,-№4.-С. 603-636.

22. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости / под ред. В.Л. Гинзбурга и Д.А. Киржница. М.: Наука, 1977. - 400 с.

23. Мотт Н.Ф. Переходы металл-изолятор. М.: Наука, 1979. 342 с.

24. Малиненко В.П. Фазовый переход металл-полупроводник в структурно разупорядоченном V02 / В.П. Малиненко, Г.Б. Стефанович, Ф.А. Чудновский // Письма в ЖТФ. -1983. 9 (12). С. 754-756.

25. Бугаев А.А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение / А.А. Бугаев, Б.П. Захарченя, Ф.А. Чудновский. Л.: Наука, 1978. - 187 с.

26. Михеев В.М. Влияние донор-донорного взаимодействия на переход металл-изолятор в легированных полупроводниках // ФТТ. 1997. - Т. 39, вып. 11.-С. 1985.

27. Петраковский Г.А. Низкотемпературная фаза моносульфида ванадия / Г.А. Петраковский, Г.В. Лосева, Г.М. Мукоед и др. // ФТТ. 1994. — Т. 36, вып. 12.-С. 350.

28. Даунов М.И. Электронные фазовые переходы металл-диэлектрик под давлением в полупроводниках / М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов // Известия ВУЗов: Физика. 2004. - Т. 47, вып. 3. - С. 48-53.

29. Матвеев Г.А. Неомическая проводимость Ge: Sb вблизи перехода металл-изолятор / Г.А. Матвеев, А.Т. Лончаков // ФТП. 1993. - Т. 27, вып. 3. -С. 409.

30. Шадрин Е.Б. О природе фазового перехода металл-полупроводник в диоксиде ванадия / Е.Б. Шадрин, А.В. Ильинский // ФТТ. 2000. - Т. 42. - № 6.-С. 1092-1099.

31. Меден А. Физика и применение аморфных полупроводников / А. Ме-ден, М. Шо. -М.: Мир, 1991.-670 с.

32. Марч Н. Коллективные эффекты в твердых телах и жидкостях / Н. Марч, М. Паринелло. -М.: Мир, 1986. 320 с.

33. Мокеров В.Г. Электронная структура и фазовый переход металл-изолятор в структурно-разупорядоченной двуокиси ванадия / В.Г. Мокеров, А.Р. Бегишев, А.С. Игнатьев // ФТТ. 1980. - Т. 22. - № 1. - С. 92-99.

34. Займан Дж. Принципы теории твёрдого тела. М.: Мир, 1974. - 472 с.

35. Андреев В.Н. Фазовый переход в электрическом поле в V2O3 и эффект переключения / В.Н. Андреев, А.Г. Аронов., Ф.А. Чудновский. // ФТТ. 1970. -Т. 12, вып. 5.-С. 1557-1559.

36. Мотт Н.Ф. Электронные процессы в некристаллических веществах. В 2-х т. / Н.Ф. Мотт, Э. Дэвис. М.: Мир, 1982. - 663 с.

37. Tsukagoshi К. Carbon nanotube devices for nanoelectronics / К. Tsukago-shi, N. Yoneya, S. Uryu, Y. Aoyagi et al. // Physica B. 2002. - V. 323. - N. 1-4. -P. 107-114.

38. Resta R. Why are insulators insulating and metals conducting? // J. Phys.: Condens. Matter. 2002. - V. 14. - P. R625-R656.

39. Пергамент A.Jl. Фазовый переход металл-полупроводник и эффект переключения в оксидах переходных металлов / A.JI. Пергамент, Г.Б. Стефанович, Ф.А. Чудновский // ФТТ. 1994. - Т. 36. -№ 10. - С. 2988-3001.

40. Forrest S. R. Organic-inorganic semiconductor devices and 3, 4, 9, 10 pery-lenetetra-carboxylicdianhydrid: an early history of organic electronics // J. Phys. Condens. Matter. 2003. - V. 15. - №.38. - P. S2599-S2610.

41. Metal-Insulator Transition Revisited, edited by P.P. Edwards and C.N. Rao (Taylor and Francis, London, 1995).

42. Куликов Н.И. Волны спиновой плотности и зонный антиферромагнетизм в металлах / Н.И. Куликов, В.В. Тугишев // УФН. 1984. - Т. 144, вып.4.-С. 643.

43. Herrell D.J. The electrical properties of bistable niobium pentaoxide films / D.J. Herrell, K.C. Park//J. Non-Cryst. Solids. 1972. -V. 8-10. - P. 449-454.

44. Oxley D.P. Electroforming, switching and memory effects in oxide thin films // Electrocompon. Sci. Technol. 1977. - V. 3. - № 4. - P. 217-224.

45. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. М: Мир, 1975. 396 с.

46. Yethiraj М. Pure and doped vanadium sesquioxide: a brief experimental review // J. Solid State Chem. 1990. - V. 88. - № 1. - P. 53-69.

47. Пергамент A.JI. Эффект переключения в оксидах переходных металлов: дисс. канд. физ.-мат. наук. // Санкт-Петербург, 1994. 170с.

48. Копаев Ю.В. Механизм фазовых переходов в окислах ванадия и титана / Ю.В. Копаев, В.П. Мокеров // ДАН СССР. 1982. - Т. 264. - № 6. - С. 1370-1376.

49. Горячев Е.Г. Электрические и магнитные свойства фаз Магнели Vn02n-i / Е.Г. Горячев, С.Г. Овчинников // ФТТ. 1978. - Т. 20. - № 7. - С. 22012209.

50. Idlis B.G. On the theory of phase transitions in vanadium oxides Vn02n-i (Magneli phases) / B.G. Idlis, Yu.V. Kopaev // Solid State Comm. 1983. - V. 45, №3.-P. 301-304.

51. Андреев B.H. Механизм формирования переключающих ванадатно-фосфатных стекол / B.H. Андреев, Н.Е. Тимощенко, И.М. Черненко, Ф.А. Чудновский // ЖТФ. 1981. - Т. 51. - № 8. - С. 1685-1689.

52. Taketa Y. Switching and oscillation phenomena in Sn02-V0x~Pd0 ceramics / Y. Taketa, R. Furugochi // Appl. Phys. Lett. 1977. - V. 31. - № 7. - P. 405406.

53. Огрин Ю.Ф. Эффект переключения в кристаллах пятиокиси ванадия / Ю.Ф. Огрин, З.Э. Кунькова, А.А. Абдуллаев // Микроэлектроника. 1973. -Т. 2.-№6.-С. 559-561.

54. Патрина И.Б. Электрические свойства пятиокиси ванадия / И.Б. Патри-на, В.А. Иоффе // ФТТ. 1964. - Т. 6. - № 11. - С. 3227-3234.

55. Kenny N. Optical absorption coefficients of vanadium pentoxide single crystals / N. Kenny, C.R. Kennewurf, D.H. Witmore // J. Phys. Chem. Solids. 1966. -V. 27.-P. 1237-1246.

56. Мокеров В.Г. Фотоэлектрические свойства монокристаллов пятиокиси ванадия//ФТТ.- 1973.-Т. 15.-№ 8.-С. 2393-2396.

57. Partlow D.P. Switchable vanadium oxide films by a sol gel process / D.P. Partlow, S.R. Gurkovich, K.C. Radford, L.J. Denes // J. Appl. Phys. - 1991. - V. 70.-№ l.-P. 443-452.

58. McChesney J.B. / J.B. McChesney, J.F. Potter, H. J. Guggenheim // J. Amer. Ceram. Soc. 1968. - V. 51. - P. 176.

59. Lu S. Surfase analysis and phase transition of gel derived VO2 thin films / S. Lu, L. Hou, F. Gan // Thin Solid Films. - 1999. - V. 353. - P. 40-44.

60. Sanchez C. Semiconducting properties of V2O5 gels / C. Sanchez, F. Bobon-neau, R. Morineau, J. Livage // J. Philos. Mag. B. 1983. - V. 47. - № 3. - P. 279-290.

61. Barboux P. Diffusion protonique dans les xerogels de pentoxyde de vanadium / P. Barboux, N. Baffler, R. Morineau, J. Livage // Solid State Ionics. 1983. -V. 9-10.-P. 1073-1080.

62. Aldebert P. Layered structure of vanadium pentoxide gels / P. Aldebert, N. Baffler, N. Charbi, J. Livage // Mat. Res. Bull. 1981. - V. 16 - № 6. - P. 669676.

63. Livage J. Vanadium pentoxide sol and gel mesophases / J. Livage, O. Pelletier, P. Davidson // J. Sol Gel Science and Technology. - 2000 - V. 19. - P. 275-278.

64. Плетнёв P.H. Гидратированные оксиды элементов IV и V групп / Р.Н. Плетнёв, А.А. Ивакин, Д.Г. Клещеев и др. М.: Наука, 1986. - 160 с.

65. Bullot J. Experimental determination of the disorder energy in amorphous V205 layers deposited from gel / J. Bullot, D. Gourier, O. Gallais et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 1981.-V. 68.-P. 357-361.

66. Bullot J. Thin layers deposited from V2O5 gels. 1. A conductivity study / J. Bullot, D. Gourier, O. Gallais et al. // J. Non-Ciyst. Solids. 1984. - V. 68. - № 1. -P. 123-134.

67. Alonco B. Synthesis of vanadium oxide gels from peroxovanadic acid solutions: A 51 V NMR study / B. Alonco, J. Livage // J. Solid State Chem. 1999. -V. 148.-P. 16-19.

68. Ozer N. Electrochemical properties of sol gel deposited vanadium pentoxide films // Thin Solid Films. - 1997. - V. 305. - P. 80-87.

69. Livage J. Optical properties of sol gel derived vanadium oxide films / J. Livage, G. Guzman, F. Beteille, P. Davidson // J. Sol - Gel Science and Technology. - 1997. - V. 8.-P. 857-865.

70. Gharbi N. A new vanadium pentoxide amorphous phase / N. Gharbi, R' C. Kha, D. Ballutand et al. // J. Non-Cryst. Solids. 1981. - V. 46. - № 3. - P. 247257.

71. Kittaka S. / S. Kittaka, Y. Ayatsuka, K. Ohtani, N. Uchida // J. Chem. Soc, Faraday Trans. 1989. -1, 85, 3825.

72. Vandenborre M.T. Etude par spectroscopic infra-rouge de 1 ' eau adsorbee sur un xerogel d ' oxyde de vanadium / M.T. Vandenborre, R. Prost, E. Huard, J. Livage // Mat. Res. Bull. 1983. - V. 18. - № 9. - P. 1133-1 142.

73. Repelin Y. Structural study of gel of V205: normal coordinate analysis / Y. Repelin, E. Husson, L. Abello, G. Lucazeau // Spectrochimica Acta 1985. - V. 41 A.-№8.-P. 993-103.

74. Бондаренко В. Гидратированные соединения ванадия / В. Бондаренко, В. Волков, А. Плешановас // ФТТ. 1993. - Т. 35. - № 12. - С. 3189-3197.

75. Yao Т. Layered structures of vanadium pentoxide gels / T. Yao, Y. Oka, N. Yamamoto // Mater. Res. Bull. 1992. - T. 27, - P.669.

76. Плетнёв P. О химической природе гидратированной пятиокиси ванадия / Р. Плетнёв, А. Ивакин, В. Горшков, А. Чирков // ДАН СССР. 1975. - Т. 224. -№ 1.- С. 106-108.

77. Linde J. Molecular dynamics simulation of the vanadium pentoxide gel host / J. Linde, J.O. Thomas // Solid State Ionics. 1996. - T. 85, -P.l.

78. Плетнев P.H. ЯМР в соединениях переменного состава / Р.Н. Плетнев, JI.B. Золотухина, В.А. Губанов. М.: Наука, 1983. - 168 с.

79. Ивакин А.А. / А.А. Ивакин, Г.С. Захарова, B.JT. Волков, М.В. Кручини-на // Журн. неорг. химии. 1998. - Т. 33, - С. 1152.

80. Aldebert P. Layered structure of vanadium pentoxide gel / P. Aldebert, N. Bafier, N. Charbi, J. Livage // Mat. Res. Bull. 1981. - V. 16 - № 6. - P. 669-676.

81. Волков В.JI. / В.Л. Волков, Л.В. Золотухина, А.П. Палкин, Г.С. Захарова // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1990. - Т. 26. - С.1893.

82. Волков В.Л. / В.Л. Волков, Г.С. Захарова // Журн. неорг. химии. 1988. -Т. 33.-С. 1580.

83. Kuznetsov M.V. / M.V. Kuznetsov, V.L.Volkov, G.S.Zakharova, V.A. Gubanov // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1994. - T. 68. - P. 579.

84. Badot J.C. Dielectric study of У205-1,6Н20 xerogel in broad frequency range (104 1010) Hz / J.C. Badot, A. Pourrue-Lamer, N. Baffler // J. Phys. (France). - 1985. - V. 46. -№ 12. - P. 2107-2115.

85. Zhang J.G. The switching mechanism in V205 gel films / J.G. Zhang, P.S. Eklund // J. Appl. Phys. 1988. - V. 64. - № 2. - P. 729-733.

86. Bullot J. Threshold switching in V205 layers deposited from gels / J. Bullot, O. Gallais, M. Gauthier, J. Livage // Phys. Status Solidi. 1982. - V. A71. - № 1. -P.K1-K4.

87. Sasaki H. A new growing method for V02 single crystals / H. Sasaki, A. Watanabe // J. Phys. Soc. Japan. 1964. - V. 19. - № 9. - P. 1748.

88. Ивон А.И. Керамика на основе диоксида ванадия / А.И. Ивон, В.Р. Колбунов, И.М. Черненко // Неорганические Материалы. 1996. - Т. 32. - № 5.-С. 624-626.

89. Jerominek Н. Vanadium oxide films for optical switching and detection / H. Jerominek, F. Picard, D. Vincent // Optical Engineering. 1993. - V. 32 - №. 9. -P. 2092-2099.

90. Гаврилюк А.И. Фото- и термохромизм в аморфных пленках V2Os / А.И. Гаврилюк, Н.М. Рейнов, Ф.А. Чудновский // Письма в ЖТФ. 1979. - Т. 5. -№. 20.-С. 1227- 1230.

91. Stefanovich G. Electrical switching and Mott transition in V02 / G. Stefano-vich, A. Pergament, D. Stefanovich // Journal of Physics: Condensed Matter. -2000.-V. 12.-№.41. P. 8837-8845.

92. Чапланов A.M. Влияние термической обработки и лазерного воздействия на композицию ванадий-кремний / A.M. Чапланов, А.Н. Шибко // ЖТФ 1997.-Т. 67.-№6.-С. 96-99.

93. Hanlon T.J. Comparison between vanadium dioxide coatings on glass produced by sputtering, alkoxide and aqueous sol-gel methods / T.J. Hanlon, R.E. Walker, J.A. Coath, M.A. Richardson // Thin Solid Films. 2002. - V. 405. - № 1-2.-P. 234-237.

94. Cavanna E. Optical switching of Au-doped V02 sol-gel films / E. Cavanna, J.P. Segaud, J. Livage // Mat. Res. Bull. 1999. - V. 34. - № 2. - P. 167-177.

95. Greenberg C.B. Undoped and doped V02 films grown from У0(0СзН7)3 / C.B. Greenberg // Thin Solid Films. 1983. - V.l 10. - P.73-82.

96. McChesney J.B. / J.B. McChesney, J.F. Potter, H.J. Guggenheim // J. Elec-trochem. Soc. 1968. - v.l 15. - P. 52.

97. Benmoussa M. et al. Structural, electrical and optical properties of sputtered vanadium pentoxide thin films / M. Benmoussa, E. Ibnouelghazi, A. Bennouna // Thin Solid Films. 1995. - V. 265 - P. 22-28.

98. Dachuan Y. et al. Vanadium dioxide films with good electrical switching properties / Y. Dachuan, X. Niankan, Z. Jingyu // J. Phys. D: Appl. Phys. 1996. -V. 29-P. 1051-1057.

99. Dachuan Y. et al. High quality vanadium dioxide films prepared by inorganic sol-gel method / Y. Dachuan, X. Niankan, Z. Jingyu // Mater. Res. Bull. -1996. V. 31.-№ 3. - P. 335-340.

100. Deki S. A novel wet process for the preparation of vanadium dioxide thin film / S. Deki, Y. Aoi, A. Kajinami // J. Mater. Sci. 1997. - V. 32. - P. 42694273.

101. Salloux К. / K. Salloux, F. Chaput, H.P. Wong, B. Dunn, M.W. Breiter // J.Electrochem. Soc. 1995.-L.191.-P. 142.

102. Волков В.JI. Фазовый состав и кинетика образования поливанадатов в системе KVO3-VOSO4-K2SO4-H2O / В.Л. Волков, Н.В. Подвальная // Журн. неорг. химии. 2000. - Т. 45. - С. 1912.

103. Захарова Г.С. / Г.С. Захарова, Т.А. Денисова, B.J1. Волков, Р.Н. Плетнев // Журн. неорг. химии. 1988. - Т. 33. - С. 1444.

104. Захарова Г.С. / Г.С. Захарова, Кручинина М.В., Волков В. JL, Денисова Т.А. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1990. - Т. 26. - С. 1069.

105. Baffler N. / N. Baffler, L. Znaidi, J.C. Badot. //Chem. Soc, Faraday Trans. -1990. -T. 86,-P. 2623.

106. Baffler N. Synthesis of vanadium bronzes MxV205 through sol-gel proc9 Л L Л i Л l #esses II orthorhombic bronzes (M = Ba +, Ni , A1 , Fe ) / N.Baffler, L.Znaidi, M.Huber // Mater. Res. Bull., - 1990. - T. 25. - P. 705

107. Kittaka S. Interaction of Ag ions with a vanadium pentoxide hydrate— Formation of silver vanadate at low temperature / S. Kittaka, Y. Yata, K. Matsuno, H. Nishido // J. Mater. Sci. 2000. - T. 35. - P. 2185.

108. Oliveira H.P. Structural characterization and thermal behavior of lantha-nide(III)-vanadium(V)-oxide xerogels / H.P. Oliveira, F.J. Anaissi, H.E. Toma // Mater. Res. Bull. 1998. - T. 33, - P. 1783.

109. Le D. B. / D.B. Le, S. Passerini, F. Coustier, J. Guo, T. Soderstrom, B.B. Owens, W.H. Smyrl // Chem. Mater. 1988. - T. 10. - P. 684.

110. Захарова Г.С. / Г.С. Захарова, B.JI. Волков // Журн. неорг. химии. -1992.-Т. 37.-С. 1245.

111. Волков B.JT. / B.JI. Волков, Г.С. Захарова, М.В. Кузнецов // Журн. неорг. химии. 1995. - Т. 40. - С. 124.

112. Волков B.JI. / B.JI. Волков, Г.С. Захарова, М.В. Кузнецов // Журн. неорг. химии.-1994. Т. 39. - С. 877.

113. Волков В.Л. / В.Л. Волков, Г.С. Захарова // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1989. - Т. 25. - С. 1360.

114. Волков В.Л. / В.Л. Волков, Г.С. Захарова // Журн. общ. химии. 1989. -Т. 59.-С. 27.

115. Волков В.Л. / В.Л. Волков, Г.С. Захарова // Журн. общ. химии. 1989. -Т. 59.-С. 1780.

116. Волков В.Jl. / В.Л. Волков, Г.С. Захарова // Неорг. материалы. 1996. -Т. 32. - С. 740.

117. Волков В.Л. / В.Л. Волков, Г.С. Захарова // Неорг. материалы. 1997. -Т.ЗЗ.-С. 1371.

118. Волков В.Л. / В.Л. Волков, Г.С. Захарова // Журн. физ. химии. 2002. -Т. 76. - С. 829.

119. Волков В.Л. / В.Л. Волков, Г.С. Захарова, М.В. Кузнецов, Л.В. Кристаллов и др. // Журн. неорг. химии. 2002. - Т. 47. - С. 217.

120. Bondarenka V. / V. Bondarenka, S. Grebinskij, S. Mickevicius, V.L. Volkov, G.S. Zacharova // J. Non-Cryst. Solids. 1998. - T. 226. - P. 1.

121. Kittaka S. / S. Kittaka, N. Fukuhara, H. Sumida // Chem. Soc, Faraday Trans.- 1993.-T. 89.-P. 3827.

122. Kanatzidis M.G. / M.G.Kanatzidis, C.-G.Wu, H.O. Marcy, C.R. Kannewurf // J. Am. Chem. Soc. 1989. - Т. 111. - P. 4139.

123. Liu Y.-J. / Y.-J. Liu, D.C. DeGroot, J.L. Schindler, C.R.Kannewurf, M.G. Kanatzidis // J. Chem. Soc, Chem. Commun. 1993. - T. 7. - P. 593.

124. Rolison D. R. Electrically conductive oxide aerogels: new materials in electrochemistry / D. R. Rolison, B. Dunn // J. Mater. Chem. 2001. - 11. - P. 963.

125. Goward G.R. Poly(pyrrole) and poly(thiophene)/vanadium oxide interleaved nanocomposites: positive electrodes for lithium batteries / G.R. Goward, F. Leroux, L. F. Nazar // Electrochim. Ada. 1998. - T. 43. - P. 1307.

126. Inagaki M. Soft process for the intercalation of ammonium cations into vanadium oxide / M. Inagaki, T. Nakamura, A. Shimizu // J. Mater. Res. 1998. -13.-P. 896.

127. Liu Y.-J. / Y.-J. Liu, J.L. Schindler, D.C. DeGroot, C.R. Kannewurf, W. Hirpo, M.G. Kanatzidis // Client. Mater. 1996. - T. 8. - P. 525.

128. Liu Y.-J. / Y.-J. Liu, D.C. DeGroot, J.L. Schindler, C.R. Kannewurf, M.G. Kanatzidis // Chem. Mater. 1991. - T. 3. - P. 992.

129. Oliveira H.P. Synthesis and structural characterization of tetrakis(n-methyl-4-pyridyl) porphyrin copper into v2o5 xerogel / H.P. Oliveira, C.F.O. Graeff, J.M. Rosolen // Mater. Res. Bull. 1999. - T. 34. - P. 1891.

130. Mohseni M. Vanadium-Based Organic-Inorganic Hybrid Materials Prepared by a Sol-Gel Method / M. Mohseni, P.F. James, P.V. Wright // J. Sol-GelSci. Techno.- 1998.-T. 13.-P. 495.

131. Liu Y.-J. / Y.-J. Liu, D.C. DeGroot, J.L. Schindler, C.R. Kannewurf, M.G. Kanatzidis // Adv. Mater. 1993. - T. 5. - P. 369.

132. Wang J.Z. A Combinatorial Approach for the Synthesis and Characterization of Polymer/Vanadium Oxide Nanocomposites / J.Z. Wang, K.E. Gonsalves // J. Comb. Chem. 1999. - Т. 1. - P. 216.

133. Rojas-Cervantes M.L. / M.L. Rojas-Cervantes, B. Casal, P. Aranda, M. Saviron, J.C. Galvan, E. Ruiz-Hitzky // Colloid Polym. Sci. 2001. - T. 279. - P. 990.

134. Ивановский A.JI. Неуглеродные нанотрубки: синтез и моделирование // Успехи химии. 2002. - Т. 71. - С. 203.

135. Ajayan P.M. Carbon nanotubes as removable templates for metal oxide nanocomposites and nanostructures / P.M. Ajayan, O. Stephan, P. Redlich, C. Col-liex //Nature (London). 1995. - T. 375. - P. 564.

136. Muhr H.-J. / H.-J. Muhr, F. Krumeich, U.P. Schonholzer, F. Bieri, M. Nied-erberger, L.J. Gauckler, R. Nesper // Adv. Mater. 2000. - T. 12. - P. 231.

137. Pan D.Y. Hydrothermal preparation of long nanowires of vanadium oxide / D.Y. Pan, S.Y. Zhang, Y.Q. Chen, J.G. Hou // J. Mater. Res. 2002. - T. 17. - P. 1981.

138. Niederberger M / M. Niederberger, H.-J. Muhr, F. Krumeich, F. Bieri, D. Gunther, R. Nesper // Chem. Mater. 2000. - T. 12. - P. 1995.

139. Pillai K.S. / K.S. Pillai, F. Krumeich, H.-J. Muhr, M. Niederberger, R. Nesper//Solid State Ionics.-2001.- 141-142.- 185.

140. Satishkumar B.C. / B.C. Satishkumar, A. Govindaraj, E.M. Volg, L. Basu-mallick, C.N.R. Rao //J. Mater. Res. 1997. - T. 12. - P. 604.

141. Xu J.F. / J.F. Xu, R. Czerw, S. Webster, D.L. Carroll, J. Balloto, R. Nesper //Appl.Phys. Lett.-2002.-T. 81.-P. 1711.

142. Sakamoto J.S. Vanadium Oxide-Carbon Nanotube Composite Electrodes for Use in Secondary Lithium Batteries / J.S. Sakamoto, B. Dunn // Electrochem. Soc. -2002.-T. 149.-P. 26.

143. Spahr M.E. / M.E. Spahr, P. Stoschitzki-Bitterli, R. Nesper, 0. Haas, P. Novak // J. Electrochem. Soc. 1999. - T. 146. - P. 2780.

144. Nordlinder S. / S. Nordlinder, K. Edstrom, T. Gustafsson // Electrochem. Solid State Lett. 2001. - Т. 4A. - P. 129.

145. Sides C.R. / C.R. Sides, N.C. Li, C.J. Patrissi, B. Scrosati, C.R. Martin // MRS Bull. 2002. - T. 27. - P. 604.

146. Kim G.T. / G.T. Kim, J. Muster, V. Krstic, J.G. Park, Y.W. Park, S. Roth, M. Burghard // Appl. Phys. Lett. 2000. - T. 76. - P. 1875.

147. Jin P. and Nakao S., ibid. 1998. -324.- 151.

148. Sobhan M.A. Thermochromism of sputter deposited WxVbx02 films / M.A. Sobhan R.T. Kivaisi // Solar Energy Mater. Solar Cells. 1996. - T. 44. - P. 451.

149. Jin P. High-energy W ion implantation into V02 thin film / P. Jin, S. Nakao // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 1998. - T. 141. - P. 419.

150. Jin. P. Tungsten doping into vanadium dioxide thermochromic films by high-energy ion implantation and thermal annealing / P. Jin., S. Nakao, Tanemura // S. Thin Solid Films. 1 July 1998. - Volume 324, Issues 1-2. - P. 151-158.

151. Lu S. Synthesis and phase transition of Cu2+ ion doped V02 thin films / S. Lu, L. Hou // J. Mater. Sci. Lett. 1996. - T. 15. - P. 856.

152. Burkhardt W. W- and F-doped V02 films studied by photoelectron spectrometry / W. Burkhardt, T. Christmann // Thin Solid Films. 1999. - T. 345. - P. 229.

153. Guzman G. and Beteilie F. // Eur. J. Solid State Inorg. Chem. 1995. - T. 32. - P. 851.

154. Lu S.W. Surface analysis and phase transition of gel-derived V02 thin films / S .W. Lu, L.S. Hou // Thin Solid Films. 1999. - T. 353. - 40.

155. Lu S.W. and Hou L. S. //Adv. Mater. 1997. -T. 9. - P. 244.

156. Hanlon T.J. Molybdenum-doped vanadium dioxide coatings on glass produced by the aqueous sol-gel method / T.J. Hanlon, J.A. Coath, M.A. Richardson // Thin Solid Films. 2003. - T. 436. - P. 269-272.

157. Shiqing Xu. Study on optical and electrical switching properties and phase transition mechanism of Mo6+-doped vanadium dioxide thin films / Xu Shiqing, Ma Hongping, Dai Shixun, Jiang Zhonghong // Journal of materials science 39. -2004-P. 489-493.

158. Burkhardt W. and Christmann Т., ibid. 2002. - T. 402. - 226.

159. Lee M. H.//Solar Energy Mater. Solar Cells. 2002. - T. 71.-P. 537.

160. Wu Z. P. and Miyashita A. // J. Appl. Phys. 1999. - T. 86. - P. 5311.

161. Jin P. and TazawaM.//Amer. Vacuum Soc. 1999.- T. 17.-P. 1817.

162. Барышников Ю.Ю. Легированные плёнки диоксида ванадия полученные по МОС-технологии / Ю.Ю. Барышников, В.В. Дроботенко, С.В. Захарова и др. // Физика окисных плёнок. Тез. докл. 3-й Всесоюз. науч.конф. -Петрозаводск, 1991. Ч. 1. - С. 31.

163. Bruckner W. Metal-nonmetal transition in Fe- and Al-doped V02 / W. Bruckner, U. Gerlach, W. Moldenhauer et al. // J. Phys. (Paris). 1976. - V. 37, suppl. № 10. - P. C4-63 - C4-68.

164. Ланская Т.Г. Фотоспилловер водорода в плёнках оксидов переходных металлов: автореф. дисс. канд. физ.-мат. наук. Л, 1991. - 19 с.

165. Buhling D. Temperaturcharacteristik und Schichtstructur dunner Vanadium dioxide / D. Buhling, Burger, W. Widerstand // Schichten-Hermsdorf. Techn. Mitt. 1976.-V. 16.-№45.-P. 1424.

166. Мокеров В.Г. Влияние отклонения от стехиометрического состава на электронную структуру и фазовый переход металл-изолятор в двуокиси ванадия / В.Г. Мокеров, А.Р. Бегишев, А.С. Игнатьев // ФТТ. 1979. - Т. 21. -№5.-С. 1482-1488.

167. Joffa Е.А. Theory of temperature induced Mott transition / E.A. Joffa, D. Adler // Phys. Rev. B. 1979. - V. 20. - № 10. - P. 4044^4059.

168. Verleur H.W. Optical properties of V02 between 0.25 and 5 eV / H.W. Ver-Ieur, A.S. Barker, C.N. Berglund // Phys. Rev. 1968. - V. В172. - P. 788.

169. Гербштейн Ю.М. Особенности оптических свойств пленок двуокиси ванадия вблизи фазового перехода полупроводник-металл / Ю.М. Гербштейн, Т.В. Смирнова, Е.И. Теруков, Ф.А. Чудновский // ФТТ. 1976. - Т. 18.-С. 1503.

170. Kennedy T.N. Suppression of the semiconductor-metal transition in vanadium oxides / T.N. Kennedy, J.D. Mackenzie // J. Non-Cryst. Sol. 1969. - V. 1. -P. 326.

171. Ufert K.D., Terukov E.I. On the problem of the phase transitions in disordered V02 thin films / K.D. Ufert, E.I. Terukov // Phys. St. Sol.(a) . 1977. - V. 40.-№2.-P. K157.

172. Добычин Д.П. Физическая и коллоидная химия / Д.П. Добычин, Л.И. Каданер, В.В. Серпиский и др. М.: Просвещение, 1986. - 463 с.

173. Гавриленко В.И. Оптические свойства полупроводников. Справочник / В.И. Гавриленко, A.M. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Киев: Нау-кова Думка. - 1987. - 607 с.

174. Ramana C.V. Low-temperature growth of vanadium pentoxide thin films produced by pulsed laser ablation / C.V. Ramana, B.S. Naidi, O.M. Hussain, R. Pinto // J. Rhys. D: Appl. Phys. 2001. - V. 34. - P. L335-L339.

175. Казакова Е.Л. Электронные и ионные процессы в гидратированном пентаоксиде ванадия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физ. -мат. наук. Петрозаводск. 2002. - 150 с.

176. Корзо В.Ф. Диэлектрические пленки в микроэлектронике / В.Ф. Корзо, В. Н. Черняев. М.: Энергия. - 1977. - 368 с.

177. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. Киев: "Вища Школа". - 1980. -400 с.

178. Glicksman М.Е. Diffusion in solids. John Wiley & Sons, Inc., 2000. - P. 472.

179. Мокеров В.Г., Бегишев A.P., Игнатьев A.C. Локализация 3d электронов в твердых растворах V02 + Ar // ФТТ. 1981. - Т. 23, вып. 4. - С. 983-988.

180. Lieberman М.А. Principles of Plasma Discharges and Material Prossesing. -John Wiley & Sons, Inc. / M.A. Lieberman, A.J. Lichtenberg. New York, -1994.

181. Захарова Г.С. Интеркаляционные соединения на основе ксерогеля оксида ванадия(У) / Г.С. Захарова, В.Л. Волков // Успехи химии. 72 (4). -2003.-С. 346-362.

182. Andreev V.N. / V.N. Andreev, F.A. Chudnovskiy, S. Perooly, J.M. Honig // Phys. Stat. Sol. (b). 234. 2002.- № 2. - P. 623-627.

183. Bryksin V.V.//Sov. Phys. JETP. 100. 1991.-P. 1556.

184. Pergament A. //J. Phys.: Condens. Matter. 15. 2003. - P. 3217-3223.