Автоматизация контроля скоростей распыления и осаждения тонких пленок методом электронно-эмиссионной спектроскопии при магнетронном нанесении тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.06, кандидат технических наук Ломанов, Алексей Николаевич

• Ломанов, Алексей Николаевич
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Ломанов, Алексей Николаевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОБЗОР И АНАЛИЗ МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ СКОРОСТИ ОСАЖДЕНИЯ ПОКРЫТИЙ, НАНОСИМЫХ В ВАКУУМЕ. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЕДОВАНИЙ

1.1 Классификация известных методов контроля скорости осаждения, наносимых в вакууме

1.2 Методы и устройства контроля параметров технологического процесса осаждения покрытий

1.2.1 Обзор дифференциальных методов контроля скорости осаждения покрытий

1.2.2 Обзор прямых методов контроля скорости нанесения покрытий

1.3 Сравнение косвенных и прямых методов контроля скорости осаждения материала

1.4 Формулировка задачи исследования

1.5 Выводы по первой главе и постановка задач исследований

ГЛАВА 2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ МЕТОДА ЭЛЕКТРОННО-ЭМИССИОННОГО СПЕКТРОСКОПИИ, ПРИМЕНЯЕМОГО ДЛЯ КОНТРОЛЯ СКОРОСТИ ОСАЖДЕНИЯ И АНАЛИЗА СОСТАВА ПОКРЫТИЙ. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ ЭЛЕКТРОННО-ЭМИССИОННОГО ДАТЧИКА

2.1 Анализ процессов, происходящих при магнетронном распылении

2.1.1 Исследование основных особенностей работы магнетронной распылительной системы

2.1.2 Движение заряженных частиц в плазме

2.1.3 Зависимость скорости распыления материалов от основных параметров технологического процесса

2.1.4 Математическая модель магнетронной системы, характеризующая число возбуждений распыленных атомов

2.2 Электронно-эмиссионный датчик скорости распыления материала

2.2.1 Конструкция электронно-эмиссионного датчика скорости распыления материала

2.2.2 Математическая модель электронно-эмиссионного датчика

2.2.3 Статические и динамические параметры датчика

2.3 Выводы по второй главе

ГЛАВА 3. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ СИСТЕМЫ КОНТРОЛЯ СКОРОСТЕЙ РАСПЫЛЕНИЯ И ОСАЖДЕНИЯ МАТЕРИАЛА

3.1 Разработка аппаратной части АСК ТП

3.1.1 Анализ распределенных систем ввода-вывода

3.1.2 Структура АСК ТП.

3.1.3 Измерение скоростей распыления и осаждения материала

3.1.4 Измерение сопротивления резистивного свидетеля

3.2 Разработка программного обеспечения АСК ТП

3.3 Выводы по третьей главе

ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННО-ЭМИССИОННОГО ДАТЧИКА И АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ СИСТЕМЫ КОНТРОЛЯ СКОРОСТЕЙ РАСПЫЛЕНИЯ И ОСАЖДЕНИЯ МАТЕРИАЛА В ВАКУУМЕ

4.1 Конструкция электронно-эмиссионного датчика

4.2 Устройство сопряжения датчиков с ПЭВМ

4.3 Программное обеспечение АСК ТП

4.4 Результаты проведения испытаний АСК ТП на базе электронно-эмиссионного датчика

4.5 Выводы по четвертой главе 109 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 111 СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 114 ПРИЛОЖЕНИЕ А 123 ПРИЛОЖЕНИЕ Б

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Автоматизация контроля скоростей распыления и осаждения тонких пленок методом электронно-эмиссионной спектроскопии при магнетронном нанесении»

Осаждение материалов в вакууме является одной из эффективных технологий получения тонкопленочных покрытий, применяемых в машиностроении, приборостроении и электронике. В последнее время наибольшее распространение в этой сфере получили технологии ионно-плазменного распыления, в частности, планарные магнетронные распылительные системы.

Свойства получаемых покрытий зависят от множества параметров технологического процесса. Одним из основных таких параметров является скорость осаждения материала, которая оказывает большое влияние на структуру, адгезию и электрофизические свойства пленки, а при одновременном использовании нескольких распылительных систем для получения сложных многокомпонентных покрытий - на химический состав пленки. Также, зная среднее значение скорости осаждения, можно рассчитать текущую толщину напыляемого покрытия.

Получение покрытий с заданными параметрами можно обеспечить контролем и управлением скоростью осаждения материала. Поэтому актуальной является задача непрерывного автоматизированного контроля и регулирования скорости осаждения покрытий.

Наиболее широко распространенные в промышленности методы контроля осаждения пленок с использованием кварцевого пьезокристалла или ионизации потока паров осажденного материала во многих случаях не обеспечивают требуемой точности контроля либо имеют малый ресурс непрерывной работы.

В данной работе был усовершенствован метод электронно-эмиссионной спектроскопии для определения скоростей распыления и осаждения материала в процессе получения тонкопленочных покрытий в вакууме для магнетронных систем распыления путем создания математической модели метода, автоматизации процесса и разработки нового электронно-эмиссионного датчика.

Объектом исследования настоящей работы является технологический процесс осаждения тонкопленочных покрытий методом магнетронного распыления материала.

Предметом исследования являются методы оперативного контроля скорости осаждения материала в вакууме и средства их автоматизации.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ - разработка и исследование автоматизированной системы контроля скоростей распыления и осаждения материала в вакууме, основанной на методе электронно-эмиссионной спектроскопии, на базе персонального компьютера класса IBM PC.

Для выполнения работы используются следующие методы исследования:

- анализ состояния проблемы автоматизации известных методов оперативного контроля скорости осаждения покрытий в вакууме;

- математическое моделирование планарной магнетронной системы распыления;

- математическое моделирование электронно-эмиссионного датчика контроля скорости осаждения материала в вакууме;

-экспериментальное исследование автоматизированной системы контроля скоростей распыления и осаждения материала с использованием электронно-эмиссионного датчика.

Научная новизна работы заключается в следующем:

- разработана и исследована автоматизированная система оперативного контроля скоростей распыления и осаждения материала на базе электронно-эмиссионного датчика и персонального компьютера для вакуумных установок, содержащих магнетронные распылительные системы;

- предложена, исследована и доказана возможность определения скоростей распыления и осаждения материалов в вакууме по интенсивности отдельных спектральных линий спектра излучения плазмы методом электронно-эмиссионной спектроскопии при магнетронном распылении;

- разработана математическая модель магнетронной системы, характеризующая зависимость между интенсивностью отдельных спектральных линий плазмы и основными параметрами технологического процесса (геометрическими особенностями магнетронной системы распыления, скоростью распыления материала, давлением рабочего газа, типом распыляемого материала и т. д.);

- разработан и исследован новый электронно-эмиссионный датчик скорости осаждения материала на основе предложенного метода;

- разработана и исследована математическая модель электронно-эмиссионного датчика, определяющая зависимость выходного сигнала датчика от основных параметров технологического процесса.

В результате проведения исследований сформулированы основные научные положения, которые выносятся на защиту:

- автоматизированная система контроля скоростей осаждения и распыления материала в вакууме;

- способ определения скоростей распыления и осаждения материала в вакууме, а также анализа состава наносимого покрытия;

- математическая модель магнетронной распылительной системы;

-структура электронно-эмиссионного датчика контроля скорости осаждения;

- математическая модель электронно-эмиссионного датчика.

Практическая ценность работы заключается в следующем:

-разработанная автоматизированная система контроля (АСК) на базе электронно-эмиссионного датчика внедрена в процесс производства мини-джойстиков;

- результаты разработки, теоретические и экспериментальные исследования электронно-эмиссионного датчика скоростей распыления и осаждения покрытий используются в учебном процессе РГАТА имени П. А. Соловьева.

Достоверность теоретических результатов подтверждена экспериментальными исследованиями и испытаниями макета разработанной автоматизированной системы контроля толщины покрытий на базе электронно-эмиссионного датчика.

Результаты работы прошли апробацию на 6 международных, всероссийских межрегиональных, научно-технических и студенческих конференциях и семинарах:

- IX, X, XI Международных научно-технических конференциях «Высокие технологии в промышленности России» (Москва, 2003, 2004, 2005);

- Всероссийской научно-технической конференции «Моделирование и обработка информации в технических системах» (Рыбинск, 2004);

- XXIX Конференции молодых ученых и студентов (Рыбинск, 2005);

-Международной школе-конференции молодых ученых, аспирантов и студентов имени П. А. Соловьева и В. Н. Кондратьева «Авиационная и ракетно-космическая техника с использованием новых технических решений» (Рыбинск 2006).

По материалам диссертации опубликовано 11 печатных работ, из них 8 статей и 3 тезисов докладов.

Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения, списка источников и двух приложений на 129 листах, содержит 40 рисунков, 14 таблиц, список источников из 81 наименования.

Заключение диссертации по теме «Автоматизация и управление технологическими процессами и производствами (по отраслям)», Ломанов, Алексей Николаевич

4.5 Выводы по четвертой главе

1. Описаны опытные образцы электронно-эмиссионного датчика и автоматизированной системы контроля скоростей распыления и осаждения материала.

2. Создано программное обеспечение АСК ТП, отвечающее всем необходимым требованиям использования данной системы на производстве.

3. Проведены экспериментальные исследования макета АСК ТП на установке УВН-75Р-1, в результате которых были получены зависимости скорости распыления материала от тока разряда магнетрона, скорости осаждения материала от давления рабочего газа в камере.

4. На основе полученных зависимостей были сделаны выводы, что зависимость скорости распыления материала от тока разряда имеет линейный характер, что свидетельствует об адекватности математических моделей магнетронной системы распыления и электронно-эмиссионного датчика.

5. Получено значение относительной погрешности АСК ТП измерения скоростей распыления и осаждения материала, которое составляет 11,5 % при токе 0,4 А.

6. Установлен диапазон давлений рабочего газа в камере (от 9 • Ю-4 до 2-10 мм рт. ст), при котором скорость распыления материала максимальна.

7. Получено значение чувствительности датчика по скорости распыления, составившее 500 В ■ с • г-1.

8. В результате проведенных промышленных испытаний АСК ТП, показано, что разработанная система позволяет контролировать скорости распыления и осаждения материала, чем достигается улучшение параметров покрытий изготавливаемых изделий, а также уменьшается количество брака на 12 %.

Ill

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные научные и практические результаты работы показали возможность создания автоматизированной системы контроля скоростей распыления и осаждения материала в вакууме на базе персонального компьютера класса IBM PC с использованием электронно-эмиссионного датчика для магнетронных систем распыления, позволяющую увеличить надежность, а в ряде случаев и точность системы контроля по сравнению с существующими устройствами.

В процессе выполнения работы были получены следующие основные результаты.

1. Рассмотрены и проанализированы существующие косвенные и прямые методы, предназначенные для контроля скорости осаждения покрытий в вакууме. Было показано, что наиболее часто используемые методы (метод кварцевого резонатора и ионизационный метод) имеют существенные недостатки (малый ресурс датчика, недостаточную точность). Определено, что наибольшему числу требований, предъявляемых к методам контроля скорости осаждения покрытий, отвечает метод электронно-эмиссионной спектроскопии, но в конструкции существующих датчиков применяется накальный катод. Из-за этого уменьшается надежность датчика.

2. Проведен анализ процессов, происходящих при магнетронном распылении материала. На его основе был предложен новый способ определения скоростей распыления и осаждения материала, основанный на методе электронно-эмиссионной спектроскопии.

3. Разработана математическая модель магнетронной системы, характеризующая зависимости между основными параметрами технологического процесса, основанная на предложенном способе.

4. Для контроля скоростей распыления и осаждения материала в вакууме при магнетронном распылении разработан и исследован новый электронно-эмиссионный датчик, позволяющий повысить надежность контроля по сравнению с существующим электронно-эмиссионным датчиком, описанным в гл. 1. Чувствительность разработанного датчика по скорости распыления составила 500 В-с-г-1.

5. Разработана математическая модель электронно-эмиссионного датчика, описывающая влияние основных параметров технологического процесса на показания датчика.

6. Предложен способ оперативного контроля анализа состава осаждаемого покрытия.

7. Разработана автоматизированная система контроля скоростей распыления и осаждения материала в вакууме при магнетронном распылении на базе персонального компьютера. В качестве датчика скорости используется электронно-эмиссионный датчик.

8. Созданы и описаны опытные образцы электронно-эмиссионного датчика и автоматизированной системы контроля скоростей распыления и осаждения материала в вакууме.

9. Проведены экспериментальные исследования разработанной системы контроля и датчика. Установлены практические зависимости между основными параметрами технологического процесса и регистрируемыми скоростями распыления и осаждения. По результатам проведенных экспериментов относительная погрешность разработанной системы контроля составила 11,5 % при токе 0,4 А. Так же был установлен диапазон давлений рабочего газа в камере (от 9 • Ю-4 до 2 • Ю-3 мм рт. ст.), при котором скорость распыления материала максимальна.

Результаты диссертационной работы внедрены на HI 111 «Тензосенсор», НТЦ «Интрофизика» и используются в учебном процессе в РГАТА им. П. А. Соловьева. Использование автоматизированной системы контроля скоростей распыления и осаждения материала на базе электронно-эмиссионного датчика позволяет уменьшить физическую нагрузку операторов установок вакуумного напыления и увеличить точность контроля скоростей распыления и осаждения материала, чем достигается улучшение параметров тонкопленочных покрытий изготавливаемых изделий, а также уменьшается количество брака.

Автор выражает глубокую благодарность научному руководителю профессору Э. И. Семенову, доценту А. В. Гусарову, профессору В. М. Комарову (РГАТА им. П. А. Соловьева), В. С. Никитину (Hi111 «Тензосенсор») за помощь при проведении испытаний и внедрении АСК ТП на базе электронно-эмиссионного датчика, а также Н. А. Швалеву, И. Ю. Паутову, А. С. Истомину за моральную поддержку.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Ломанов, Алексей Николаевич, 2007 год

1. Богородицкий, А. А. Состояние и тенденции развития методов и средств контроля толщины покрытий в приборостроении Текст. / А. А. Богородицкий, А. А. Капитанов, А. А. Мельников // Измерения, контроль, автоматизация. 1982.-№ 1.-С.9-14.

2. Троицкий, В. А. Современное состояние и тенденции развития нераз-рушающего контроля покрытий (Обзор) Текст. / В. А. Троицкий, В. И. Загре-бельный, Н. Н. Синица // Автоматическая сварка. 1986. - № 7. - С. 22 - 29.

3. Демидов, Ф. П. Датчики оперативного технологического контроля процессов нанесения и травления пленок Текст. / Ф. П. Демидов, Л. М. Аммо-сова // Электронная промышленность. 1991. - № 7. - С. 20 - 26.

4. Данилин, Б. С. Вакуумная техника в производстве интегральных схем Текст. / Б. С. Данилин ; под. общей ред. Р. А. Нилендера. М.: Энергия, 1972. -256 с.

5. Минаков, В. И. Производство тонкопленочных микросхем Текст.: учеб. пособие для индивидуального и бригадного обучения рабочих / И. В. Минаков, М. 3. Коган. Л.: Энергия, 1973. - 176 с.

6. Технология тонких пленок Текст. : справочник ; в 2-х т. ; под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. ; пер. с англ. под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. -М.: Сов. радио, 1977. Т. 2 - 768 е.: ил.

7. Мищенко, В. П. Весовой измеритель толщины и скорости роста покрытий Текст. / В. П. Мищенко, П. П. Осечков, Л. Ф. Новиченко // Проблемы специальной электрометаллургии. 1985. - № 4. - С. 51-55.

8. Берлин, Г. С. Механотроны Текст. / Г. С. Берлин. М. : Радио и связь, 1984.-248 с.: ил.

9. Зигмунд, Х.-Й. Новые измерительные приборы и микропроцессорное управление для напылительных и распылительных установок Текст. / Х.-Й. Зигмунд. Ганау: Лейбольд-Хереус ГМБХ, 1980. - 33 с.: ил.

10. Демидов, Ф. П. Применение пьезокварцевого микровзвешивания при изготовлении тонкопленочных структур Текст. / Ф. П. Демидов, А. И. Лоскутов, В. К. Ершов // Электронная промышленность. 1989. -№11.-С. 20-21.

11. Малов, В. В. Пьезорезонансные датчики Текст. / В. В. Малов. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергоатомиздат, 1989. - 272 с.: ил.

12. Семенов, Э. И. Разработка и исследование фотометрических методов контроля и регулирования скорости осаждения диэлектрических слоев в технологии интегральных схем Текст. : дис. . канд. техн. наук / Семенов Эрнст Иванович. М.: 1974. - 132 с.

13. Юдин, А. В. Анализ точностных характеристик фотометрического датчика толщины пленок Текст. / А. В. Юдин, С. Э. Семенова // Датчики и системы. 2001. - № 11. - С. 44-46.

14. Глудкин, О. П. Анализ и контроль технологических процессов производства РЭА Текст. : учеб. пособие для вузов / О. П. Глудкин, В. Н. Черняев. -М. : Радио и связь, 1983. 296 с.

15. Зеркаль, H. М. Устройство контроля толщины и показателя преломления прозрачных пленок в процессе выращивания Текст. / H. М. Зеркаль. // Электронная промышленность. 1989. -№ 1. - С. 50.

16. Сокол, В. А. Система лазерного контроля процессов плазмохимиче-ского травления Текст. / В. А. Сокол, С. С. Сухоруков, В. М. Тельнов, В. И. Хомяков, С. В. Чукаев // Электронная промышленность. 1989. - № 1. - С. 57.

17. А. с. 1127913 СССР, МКИ3 С 23 С 13/00. Устройство для контроля толщины покрытия Текст. / Э. И. Семенов, В. П. Сидоркин, В. Ф. Латышев (СССР) ; заявл. 30.03.1983 ; опубл. 07.12.1984, Бюл. № 45. С. 4.

18. Семенов, Э. И. Методы контроля технологического процесса термовакуумного нанесения защитных покрытий и тонких пленок и их параметров Текст. / Э. И. Семенов // Контроль. Диагностика. 1999. - № 3. - С. 17-24.

19. Шполянский, В. А. Хронометрия Текст. / В. А. Шполянский. М.: Машиностроение, 1974. - 656 с.: ил.

20. Колгин, Е. А. Контроль толщин пленок при плазменном ВЧ распылении диэлектриков Текст. / Е. А. Колгин // Изв. Ленинград, электротехн. ин-та им. В. И. Ульянова (Ленина). 1989. - Вып. 408. - С. 57-60.

21. Епифанов, Г. И. Физика твердого тела Текст. : учеб. пособие для ВТУЗов / Г. И. Епифанов. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1977. - 288 с.: ил.

22. Patent # 4036167 USA, Int. С1.2 С 23 C13/08. Apparatus for monitoring vacuum deposition processes. / Chin-shun Lu (USA). Publ. 19.07.1977.

23. Lu, C. Rate controlling and composition analysis of alloy deposition processes by electron impact emission spectroscopy (EIES) Text. / C. Lu, M. J. Lightner, C. A. Gogol // J. Vac. Sci. Technol, 1977. Vol. 14. - №1. - P. 103 - 107.

24. Заявка на изобретение 98100837 Россия, МКИ6 С 23 С14/35. Устройство для нанесения покрытий в вакууме Текст. / В. Г. Кузнецов, В. П. Булатов, С. И. Рыбников (Россия); опубл. 27.10.1999.

25. Автоматизация процесса напыления резистивных слоев. Заключительный отчет Текст. : отчет о НИР / Рыбинский авиац.-технол. ин-т ; рук. Семенов Э. И.; исполн. Дьяконова Н. А. [и др.]. Рыбинск, 1979. - 60 с. - № ГР 201-77

26. Паутов, И. Ю. Совершенствование метода контроля толщины покрытий в процессе их осаждения в вакууме путем создания автоматизированной системы на базе камертонного датчика Текст. : дис. . канд. техн. наук / Паутов Илья Юрьевич. Рыбинск : 2004. - 133 с.

27. Thornton, J. A. Magnetron sputtering: basic physics and application to cylindrical magnetrons Text. / J. A. Thornton // J. Vac. Sci. Technol. 1978. - vol. 15. - № 2. - P. 171.

28. Чернетский, А. В. Введение в физику плазмы Текст. / А. В. Чернет-ский. -М.: Атомиздат, 1969.

29. Sigmund, P. Theory of sputtering. Sputtering yield of amorphous and poly-crystalline targets Text. / P. Sigmund // Physical Review. 1969. - vol. 184. - № 2. -P. 383-416.

30. Вопросы теории плазмы Текст. / под ред. М. А. Леонтовича. Вып. 1. -М. : Госатомиздат, 1963.

31. Ворончев, Т. А. Физические основы электровакуумной техники Текст. / Т. А. Ворончев, В. Д. Соболев. -М. : Высшая школа, 1983.

32. Wasa, К. Some features of magnetron sputtering Text. / K. Wasa, S. Ha-yakawa // Thin Solid Films. 1978. - vol. 52. - № 1. - P. 31-43.

33. Кролл, H. Основы физики плазмы Тект. / Н. Кролл, А. Трайвелнис. -М. : Мир, 1975.

34. Christophorou, L. G. Atomic and molecular radiation physics Text. / L. G. Christophorou. -N. Y. : Wileyinterscience, 1985. 35 p.

35. Данилин, Б. С. Магнетронные распылительные системы Текст. / Б. С. Данилин, В. К. Сырчин. М. : Радио и связь, 1982. - 72 с. : ил.

36. Плазменные ускорители Текст. : под общей ред. Л. А. Арцимовича. -М. : Машиностроение, 1973. -256 с.

37. Vorous, Т. Planar magnetron sputtering: a new industrial coating technique Text. / T. Vorous // Solid State Technol. 1976.

38. Shirn, G. A. Vacuum systems for sputtering Text. / G. A. Shirn, W. A. Patterson // J. Vac. Sci. Technol. 1980. - vol. 60.

39. Дворсон, А. И. Метрология и радиоизмерения Текст. : конспект лекций / А. И. Дворсон. Рыбинск : РГАТА, 1995. - Ч. 1. - 66 е.: ил.

40. Зайдель, А. Н. Таблицы спектральных линий: справочник Текст. / А. Н. Зайдель, В. К. Прокофьев, С. М. Райский [и др.]. М. : Наука, 1977.

41. National Instruments Электронный ресурс. Электрон, дан. - Режим доступа: http://www.ni.com, свободный. - Загл. с экрана. - Яз. рус., англ.

42. Фирма Ниеншанц-Автоматика Электронный ресурс. Электрон, дан. - Режим доступа: http://www.nnz-ipc.ru, свободный. - Загл. с экрана. - Яз. рус., англ.

43. Фирма ProSoft Электронный ресурс. Электрон, дан. - Режим доступа: http://www.prosoft.ru, свободный. - Загл. с экрана. - Яз. рус., англ.

44. Краткий каталог продукции ПроСофт 8.0. М. : ProSoft, 2002. - 273 с.ил.

45. Яковлев, В. А. Структура измерительной системы на базе пассивных датчиков Текст. / В. А. Яковлев // Современные технологии автоматизации. -2002.-№ 1.-С. 76-84.

46. Литюга, А. М. Теоретические основы построения эффективных АСУ ТП Текст. : конспект лекций / А. М. Литюга, Н. В. Клиначев, В. М. Мазуров. -Offline версия 1.1. Тула, Челябинск, 2002. - 703 файла: ил.

47. Гук, М. Аппаратные средства IBM PC Текст. : энциклопедия / М. Гук. -СПб: Питер, 2001. 816 с.: ил.

48. Словецкий, Д. И. Механизмы химических реакций в неравновесной плазме Текст. / Д. И. Словецкий. М.: Наука, 1980.

49. Луизова, А. А. Оптические методы диагностики плазмы Текст. : учеб. пособие / А. А. Луизова. Петрозаводск : ПетрГУ, 2003.

50. Ефремов, А. М. Кинетика взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и смесей хлор-аргон с медью и излучением разряда Текст.: дис. . канд. техн. наук / А. М. Ефремов. Иваново, 1994.

51. Малышева, И. А. Технология производства интегральных микросхем Текст. / И. А. Малышева. М.: Радио и связь, 1991.

52. Зибер, Л. И. Контроль толщины тонких пленок при вакуумном напылении Текст. / Л. И. Зибер, Н. А. Кельнер, М. А. Шабельник // Известия Ленинградского электротехнического института им. В. И. Ульянова (Ленина). -1980.-Вып. 279.-С. 59-60.

53. Лещенко, И. H. Прибор для контроля параметров пленок при их напылении в вакууме Текст. / И. Н. Лещенко, В. А. Сокол, С. В. Чукаев // Приборы и техника эксперимента. 1984. - № 3. - С. 243-244.

54. Information neue Produkte: UNIVEX 450 Universelle Experimentieranlage Text. - Köln : Leybold-Heraeus GMBH, 1982. -4p.: ill

55. Производство тонких пленок в исследовании и развитии: Универсальная лабораторная система Z400 для катодного распыления Текст. Кельн : Лейбольд-Хереус ГМБХ, 1980. - 20 с. : ил.

56. Бронштейн, И. Н. Справочник по математике для инженеров и учащихся ВТУЗов Текст. / И. Н. Бронштейн, К. А. Семендяев. 13-е изд., исправленное. - М. : Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1986. - 544 с. : ил.

57. Датчики теплофизических и механических параметров Текст. : справочник ; под общ. ред. Ю. Н. Коптева ; под ред. Е. Е. Багдатьева, А. В. Гориша, Я. В. Малкова. М. : ИПРЖР, 1998. - Т. 1 (кн. 1). - 458 с. : ил.

58. Magruder, Т Гибкие масштабируемые системы сбора данных на основе ПК Текст. / Т. Magruder // Instrumentation Newsletter. 2001. - Том 13. — № 3. - С. 4-5.

59. Новиков, Ю. В. Разработка устройств сопряжения для персонального компьютера типа IBM PC Текст. : практическое пособие / Ю. В. Новиков, О. А. Калашников, С. Э. Гуляев ; под общ. ред. Ю. В. Новикова. М. : ЭКОМ, 2002. - 224 с. : ил.

60. Бесекерский, В. А. Цифровые автоматические системы Текст. / В. А. Бесекерсткий. М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1976. - 576 с.: ил.

61. Клюев, В. В. Неразрушающий контроль и диагностика Текст. : справочник / В. В. Клюев, Ф. Р. Соскин, А. В. Ковалев [и др] ; под ред. В. В. Клюева.- М.: Машиностроение, 2003. 656 с.

62. Зайдель, А. Н. Вакуумная спектроскопия и ее применение Текст. / А. Н. Зайдель, Е. Я. Шрейдер. М.: Наука, 1976. - 432 с.

63. Тарасов, К. И. Спектральные приборы Текст. / К. И. Тарасов. М. : Машиностроение, 1977. - 367 с.

64. Яноши, Л. Теория и практика обработки результатов измерений Текст. / Л. Яноши. М.: Мир, 1968. - 464 с.

65. Виртуальный клуб программистов Электронный ресурс. Электрон, дан. - Режим доступа: http://www.delphikingdom.ru, свободный. -Загл. с экрана.- Яз. рус.

66. Государственный институт прикладной оптики Электронный ресурс.- Электрон, дан. Режим доступа: http://www.gipo.kazan.ru, свободный. - Загл. с экрана. - Яз. рус.

67. Фирма СП Солар ТИИ Электронный ресурс. Элекстрон. дан. - Режим доступа: http://www.solartii.com, свободный. - Загл. с экрана. - Яз. рус.

68. Сизиков, В. С. Математические методы обработки результатов измерений Текст. / В. С. Сизиков. М.: Политехника, 2001.123