Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Магомедова, Патимат Мустафаевна

• Магомедова, Патимат Мустафаевна
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Магомедова, Патимат Мустафаевна

СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

Глава I СОБСТВЕННЫЕ ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ

ZnS, ZnSQ, Сс^е И АССОЦИАТЫ С ИХ УЧАСТИЕМ (ЛИТ. ОБЗОР)

§ 1.1 Собственные точечные дефекты соединений А2В

1.1.1 Классификация центров, обусловленных точечными дефектами, и методов их исследования

1.1.2 Сульфид цинка

1.1.3 Селенид цинка

1.1.4 Селенид кадмия

1.1.5 О п- ир-типе проводимости соединений А2В

§ 1.2 Взаимодействие точечных дефектов - ассоциаты

1.2.1 Излучателъная рекомбинация с участием донорно-акцепторных пар

1.2.2 Примесные фотоэффекты в донорно-акцепторных парах

1.2.3 Роль ассоциатов с участием собственных дефектов в формировании фотоэлектрических и люминесцентных свойств соединений 2п8, ZnSe, СсШе

ВЫВОДЫ

Глава II МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

§ 2.1 Общая характеристика образцов

§2.2 Экспериментальные установки

§ 2.3 Методика эксперимента

Глава III ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА СУЛЬФИДА ЦИНКА, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕМ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ СОБСТВЕННОЙ ПРИРОДЫ

§ 3.1 Люминесценция неактивированных кристаллов сульфида цинка

3.1.1 Спектральное распределение фотолюминесценции неактивированных кристаллов 2п8 и ее температурная зависимость

3.1.2 Термостимулированная люминесценция.

§ 3.2 Фотоэлектрические свойства неактивированных кристаллов ZnS.

3.2.1 ИПФ кристаллов 2п8 и ее температурная зависимость

3.2.2 Термостимулированные токи.

§ 3.3 Обсуяедение экспериментальных данных. Модель центров зеленой (А,га =540 нм) полосы люминесценценции неактивированных кристаллов 2п8.

ВЫВОДЫ

Глава ГУ ЭЛЕКТРО- И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ САМОАКТИВИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ

§ 4.1 Электролюминесценция симметричных структур на основе самоактивированных кристаллов ZnSe

§ 4.2 Самоактивированная люминесценция кристаллов селенида цинка.

4.2.1 Фотолюминесценция неактивированных и самоактивированных кристаллов 2пБе.

4.2.2 Термоактивационные процессы

§ 4.3 Обсуждение экспериментальных результатов выводы

Глава V ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА НЕАКТИВИРОВАННЫХ И ЛЕГИРОВАННЫХ ПРИМЕСЯМИ СЕРЕБРА И МЕДИ КРИСТАЛЛОВ Сё8е, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ АССОЦИАТАМИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ СОБСТВЕННОЙ И ПРИМЕСНОЙ ПРИРОДЫ

§ 5.1 Фотоэлектрические свойства кристаллов С(18е легированных примесями серебра и меди

§ 5.2 Фотоэффект Холла в кристаллах Сс18е.

§ 5.3 Инфракрасная люминесценция (Ьу=1.3-1.5 эВ) монокристаллов селенида кадмия

§ 5.4 Обсуждение экспериментальных результатов. Модель центров излучения (Ьу=1.3-1.5 эВ) в селениде кадмия

ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe»

Актуальность темы. Соединения ZnS, ХпЪе, Сё8е являются типичными представителями широкозонных полупроводников группы А2В6 и обладают уникальными фотоэлектрическими и люминесцентными свойствами. На их основе созданы фото-, электро- и катодолюминофоры, твердотельные лазеры, фотоприемники и преобразователи солнечной энергии, активные элементы оптоэлектонных приборов.

Генерационные и рекомбинационные процессы в этих соединениях контролируются точечными дефектами собственной и примесной природы, которые в зависимости от характера участия в процессах релаксации неравновесных носителей заряда (ННЗ) делятся на центры прилипания (ЦП) и центры рекомбинации (ЦР). Кинетические и энергетические характеристики этих центров определяют спектральный диапазон фоточувствительности и люминесценции, времена жизни ННЗ, квантовый выход излучения, инерционность и многие другие параметры приборов и устройств на основе широкозонных полупроводников.

Большой научный и практический интерес, проявляемый к кристаллам и пленкам ZnS, ZnSQ, Сс18е, способствовали изучению многих их свойств, что позволило установить структуру, параметры и природу многих ЦП и ЦР. Однако, несмотря на значительные успехи, все еще остаются открытыми и нерешенными многие вопросы, связанные с взаимодействием (ассоциацией) точечных дефектов различной природы, структурой энергетического спектра ЦП и ЦР ассоциативной природы и механизмами электронно-дырочных переходов с их участием. Эти обстоятельства осложняют решение практически важной задачи: целенаправленного управления фотоэлектрическими и люминесцентными свойствами соеди

1 Список обозначений и сокращений помещен на 3-4 стр.

2 6 нений А В , более эффективного использования этих материалов при разработке и конструировании новых приборов и устройств оптоэлектроники.

Исследование ассоциатов точечных дефектов собственной и примесной природы в этих материалах представляет и фундаментальный интерес с точки зрения познания особенностей кристаллов с нарушенной трасляционной симметрией.

Таким образом исследование фотоэлектрических и люминесцентных свойств, обусловленных взаимодействием точечных дефектов; установление их физико-химической природы, структуры и особенностей их энергетического спектра и механизмов электронно-дырочных переходов с их участием, представляют весьма актуальную задачу физики широкозонных полупроводников.

Основная цель диссертационной работы - определение оптимального числа экспериментальных методов исследования ЦП и ЦР, позволяющих однозначно установить их структуру; установление физико-химической природы, кинетических и энергетических параметров взаимодействующих точечных дефектов, и их роли в формировании фотоэлектрических и люминесцентных свойств полупроводниковых соединений А2В6.

Основными объектами исследования выбраны кристаллы 2п8^п8е, СёЭе. Эти соединения независимо от технологических методов выращивания обладают монополярной проводимостью п-типа и имеют богатый набор точечных дефектов собственной природы, уровни которых локализованы в запрещенной зоне в широком интервале энергий, что обеспечивает процессам захвата и рекомбинации в них ярко выраженный характер. В силу этой причины данные соединения могут быть причислены к модельным полупроводникам для исследования ЦП и ЦР.

Изучение системы 2п8-2п8е-Сс18е позволит проследить за трансформацией физических свойств, связанных с теми или иными нарушениями трансляционной симметрии кристаллической решетки при замещении в них катиона или аниона. Такие исследования могут дать дополнительную информацию о природе точечных и ассоциированных дефектов.

Экспериментальные исследования проводились с применением комплекса методов, основанных на исследовании кинетических, спектральных и температурных характеристик ПФ, ИПФ, ОГФ, ФЛ, ЭЛ, ТСТ, ТСЛ, эффекта Холла. При обработке экспериментальных данных и теоретических расчетах использовался пакет программного обеспечения спектрально-вычислительного комплекса КСВУ-12.

Научная новизна. Комплекс экспериментальных и теоретических исследований, выполненных в диссертационной работе, привели к установлению следующих данных.

В кристаллах гпБ, 2п8е, Сс18е реализуются ЦП, ЦР сложной структуры, обусловленные взаимодействующими точечными дефектами собственной (У2п С(1, ) и примесной природы.

Зонно-примесным полосам ИПФ, межпримесным полосам ФЛ и ЭЛ, обусловленным ассоциированными точечными дефектами, свойственны спектральные сдвиги в зависимости от концентрации неравновесных носителей заряда (уровня возбуждения). Исследования эффектов такого рода позволяют установить сложную структуру ЦП и ЦР.

Предложены модели центров излучательной рекомбинации в кристаллах СсШе (Ъут =1.3-1.5 эВ) и 2п8 (Ьут =2.3 эВ), в основе которых лежат представления о ассоциатах точечных дефектов.

Рост неравновесной фоточувствительности кристаллов СсШе определяется не только концентрацией ЦП, пребывающих в фотоактивном состоянии, но и их зарядовым состоянием.

Практическая ценность

1. Результаты исследования физико-химической природы, структуры, параметров и особенностей ЦП и ЦР, обусловленных взаимодействующими точечными дефектами в кристаллах ZnS,ZnSe, CdSe могут быть использованы в технологических процессах при выращивании этих кристаллов с заранее заданными свойствами, а также при разработке и конструировании новых полупроводниковых приборов и люминофоров на их основе.

2. Для практики исследования ЦП и ЦР сложной структуры выявлен круг экспериментальных методов, позволяющих выявить структуру взаимодействующих точечных дефектов.

3. Разработана методика получения электролюминесцирующих ячеек на основе кристаллов ZnSe.

Защищаемые положения.

1. В кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe n-типа в соответствии с физ-химией соединений А2В6 реализуются двухуровневые ЦП Vs2+e и ЦР Fz2~Cd. Многообразие электронных уровней и соответствующих им спектров ИПФ, ОГФ, ФЛ, ЭЛ, ТСТ, ТСЛ - следствие взаимодействия этих точечных дефектов как между собой, так и с дефектами примесной (Ц = Agi, Си. ) природы [(Vz2;-D+ Г -Vs%]+, (Cul-Vc:d)°, (Ag;-V-J.

2. Рост неравновесной фоточувствительности полупроводниковых соединении

А В в примесной области обусловлен не только увелечением концентрации ЦП в фотоактивном состоянии с ростом концентрации неравновесных носителей заряда, но и перезарядкой этих центров.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались на итоговых конференциях преподавателей и сотрудников Дагестанского госуниверситета (г. Махачкала, 1994-1997 г.г.), Международной 9 конференции "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах" (г.Ульяновск, 1997 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано пять научных работы. Все они в тексте и списке литературы подчеркнуты.

Диссертационная работа выполнена под руководством доктора физ.-мат. наук, профессора Сафаралиева Г.К. и научного консультанта кандидата физ.-мат. наук Зобова Е.М. Во всех указанных совместных работах вклад автора настоящей диссертационной работы существенен: принимала участие в составлении программ для расчета теоретических данных; выполнила экспериментальные измерения и провела на ЭВМ обработку данных, внесла существенный вклад в обсуждение и интерпретацию результатов исследования.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Магомедова, Патимат Мустафаевна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В рамках различных неравновесных методов, основанных на измерении ФП, ИПФ, ОГФ, ФЛ и ЭЛ, ТСТ и ТСЛ выполнены исследования глубоких электронных ЦП и ЦР в различных кристаллах ZnS, ZnSе, CdSe, отличающихся технологией роста и препаративными условиями термообработки и легирования.

1. Экспериментально установлено, что наиболее важными собственными точечными дефектами являются двухуровневые вакансии анионов (У^е)2* и катионов (Угп,сё)2 • Богатство энергетического спектра электронных состояний в неактивированных кристаллах 2п8, 2п8е, CdSe является результатом их взаимодействия друг с другом и реализации распределенных по межатомным расстояниям ассоциатов типа ДАП.

2. Участие данных дефектов в ассоциатах {(Vs,se)2+ - [(VZn,cd)2" - D+]"} приводит к появлению системы донорных и акцепторных уровней, локализованных в интервале энергий Ес-(0.1-0.6) эВ и Ev + (0.2-1.0) эВ соответственно.

3. При локализации второго электронного уровня двухуровневых центров (Vs.se) в запрещенной зоне, интенсивность фото-, термоактива-ционных и излучательных процессов в кристаллах ZnS, ZnSe,CdSe, связанных с состоянием первого электронного уровня, определяется не только концентрацией центров с зарядовым состоянием (Vs>se)+ > но и концентрацией центров с зарядовым состоянием (Vs,se)°.

4. Ассоциаты {(Vs,se)2+ - [(VZn,)2" - D+]"} являются эффективными центрами излучательной рекомбинации и обуславливают в кристаллах ZnS зеленую (А,т = 540 нм ), а в кристаллах ZnSe- оранжево-красную (À,m = 580-640 нм) полосы люминесценции.

5. В легированных Ag или Си кристаллах CdSe междоузельные доноры (Agi)+ ,(Cuí)+ играют роль быстрых ЦП a-типа и характеризуются уровнями Ес- 0.23 эВ, Ес-0.27 эВ соответственно. Сечение захвата электрона на эти центры составляет Sn=lО"13 - 10"15 см2.

6. Донорные центры (Ag¡)+ ,(Cu¡)+ склонны к ассоциации с собственными дефектами кристаллической решетки CdSe и образуют комплексы типа [(Agi)+ - (Vcd)"]°,[(Cui)+ - (Ved)"]0, которые являются эффективными центрами излучательной рекомбинации и обуславливают ИК (hv=1.3 - 1.5 эВ) полосы люминесценции данного полупроводникового материала.

7. Представления о сложной структуре электронных ЦП и ЦР в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe, развитые в работе, подтверждены исследованиями эффектов спектрального сдвига соответствующих полос ИПФ, ОГФ,

97

ФЛ и ЭЛ в зависимости от факторов, обеспечивающих смещение квазиуровней Ферми (собственное фотовозбуждение, инжекционные ток) в результате постепенного заполнения (начиная с глубоких) электронных и дырочных уровней из системы состояний распределенных ассодиатов.

Как показали эксперименты величина "красного" смещения спектральных полос ИПФ, ОГФ, ФЛ, ЭЛ достигает величины ДЕ-0.03-0.1 эВ.

8. Для более точного определения структуры, характеристических параметров, природы ЦП и ЦР, формирующих фотоэлектрические и лю-минесценцтные свойства соединений А2В6, необходимо применять комплекс экспериментальных методов основанных на исследовании явлений ФП, ИПФ, ОГФ, ОГЛ, ТСТ и ТСЛ, ФЛ и эл.

9. Величина неравновесной фоточувствительности полупроводниковых соединений А2В6 определяется не только концентрацией ЦП и ЦР в фотоактивном состоянии, но и их зарядовым состоянием, определяющим механизмы рассеяния неравновесных носителей заряда.

10. Симметричные структуры на основе самоактивированных кристаллов 2п8е (1п^п8е-1п) могут использоваться в качестве малогабаритных низковольтных (8-20 В) источников видимого излучения (А,=500-700 нм). Механизм возбуждения ЭЛ в этих структурах носит ударный характер.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Магомедова, Патимат Мустафаевна, 1998 год

1. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов.// М.: изд-во "Мир".-1969.- 654 С.у /2. Физика и химия соединений AB// (Перевод с английского по редакцией Медведева С.А.).- М.: изд-во "Мир".- 1971,-624 С.

2. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров.// М.: изд-во "Высшая школа".- 1982. 375 С.о А

3. Физика соединений A B // (Под редакцией Георгобиани А.Н., Шейнкмана M.K.).- М.: изд-во "Наука".- 1986. 320 С.

4. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.// М.: изд-во "Физматгиз".- 1962. 494 С.

5. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел.// М.: изд-во "ИЛ".-1962.- 47 С.

6. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. // М.: изд-во "Мир".-1966.-38 С.

7. Лашкарев В.Е., Любченко A.B., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках// Киев: изд-во"Наукова Думка".-1981.-264 С.

8. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах.// Новосибирск: изд-во "Наука".- 1979.- 333 С.

9. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.// М.: изд-во "Мир".- 1977. 562 С.1.. Кюри Д. Люминесценция кристаллов.// М.: изд-во "ИЛ".- 1961. 194 С.

10. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках.// М.: изд-во "Мир".- 1973.-456 С.

11. Van Bueren H.G. Interfections in Crystals.// North-Holland Publisching Company.- Amsterdam: 1960.

12. Смит Р. Полупроводники.//M.: изд-во "Мир".- 1982. -559 С.

13. Кустов Е.Ф., Бондуркин Г.А., Муравьев Э.Р., Орловский В.П. Электронные спектры соединений редкоземельных элементов.// М.: изд-во "Наука".- 1981. 303 С.

14. Dutton D.// Phys.Rev., 1958, v. 112, р.785; Bube R.H.// Phys.Rev., 1955, v. 98, p. 431 (цитируется по 6.)

15. Феофилов П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул, и кристаллов.// М.: Физматгиз.- 1959.

16. ЛампертМ., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах.//М.: изд-во "Мир".- 1973.-416 С.

17. Зюганов А.Н., Свечников C.B. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках.// Киев: изд-во "Наукова Думка".- 1981.-254 С.

18. Георгобиани А.Р., Грузинцев А.Р., Тигиняну И.М. Люминесценция, связанная с комплексами дефектов в широко зонных полупроводниках.// Изв.АН СССР, сер.физич.-1985.- т.49.- в.Ю.-С. 1899-1904.

19. Меркам Л., Вильяме Ф. Конфигурационное взаимодействие и корреляционные эффекты в спектрах донорно-акцепторных пар.// Изв.АН СССР, сер.физич.- 1973.-т.37.- в.4.-С. 803-809

20. Reiss H., Fuller C.S., Morin F.J. // Bell. Syst Tech.J.- 1956.-v.35.- P.535-611. (Цитируется no 1.).

21. Prener J.S., Weil D.J. The luminescent center in self activated ZnS phosphors.//J. Electrochem.Soc.- 1959.- v.106.-P. 409.

22. Гавриленко В.И., Грехов A.M., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников.// Киев: изд-во "Наукова Думка".-1987.- 607 С.

23. Morgan T.N., Weiber В., Bhargana R.H. Optical proper-ties of Cd-0 and Zn-O Complexes in GaP.// Phys.Rev.- 1968.- v.166.- N 3.- P. 751-753

24. Henry С., Dean P., Thomas D., Hopfield J. A localized exciton bound to cadmium and oxygen in gallium phosphide.// In: Proc. conf. localized excitations // Ed.Wallis R.F. New York: Plenum press.- 1968.- P. 257.

25. Юнович А.Э. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия.// В кн.: "Излучательная реком бинация в полупроводниках." М.: изд-во "Наука".- 1972.- С. 224-304.

26. Williams F. Radiative recombination on donor-acceptor pairs and higher associates.// J. Luminescence.- 1973.-v.7.- N1.-P.35-50

27. Берг А., Дин П. Светодиоды.// M.: изд-во "Мир",- 1973.

28. Lorenz M.R., Morgan T.N., Pettit G.D., et.al. Sharp-Line Donor-Acceptor Pair Spectra in AlSb.// Phys.Rev.- 1968.-v.168.- N3.-P. 902-904.

29. Hopfield J.J, Thomas D.G., Gershenzon M. Pair spectra in GaP.// Phys.Rev.Lett.- 1963.- v.10.-N5.- P. 162-164.

30. Thomas D.G., Gershenzon M., Trumbore F.A. Pair spectra and "edge" emission in gallium phosphide.//Phys.Rev.A.- 1964.-v. 133.-N1.-P. 269-279.

31. Williams F. Donor-acceptor pair in semiconductors.// Phys.status solidi.- 1968.- v.25.- N2.- P. 493-512.

32. Thomas D., Hopfield J., Augustyniak W. Kinetics of radiative recom-bination at randomly distributeg donors and acceptors.//- Phys.Rev.-1965.- v. 140,- N3A.-P. 742-749.

33. Ризаханов M.A., Габибов Ф.С. Спектральные сдвиги полос ин-дуци-рованной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS<Ag>.// Физ.и техн.полупров.- 1979.- т.13.- в.7.-С.1324-1328.

34. Ризаханов М.А., Зобов Е.М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувствленного CdSe<Ag>.// Физ.и техн.полупров.- 1980.- т. 14.- в. 12.- С. 2407-2410.

35. Потыкевич И.В., Любченко А.В., Борейко Л.А. Примесная фотопроводимость в монокристаллах CdTe n-типа.// Физ.и техн. полупро-водн.- 1971.- Т.5.- в. 10.- С. 2033.

36. Ризаханов М.А., Габибов Ф.С.,Гасанбеков Г.М., Шейнкман М.К. Основные особенности электронных центров захвата Ес-(0.14-0.55) эВ в халькогенидах кадмия и их объяснение.// Депонировано ЦНИИ "Электроника".- Р-3270/81.

37. Hoogenstraaten W. Electron traps in zinc-sylphide phosphors.// Philips. Res. Rep. -1958. Vol. 13.-p.515-659.

38. Samelson H., Lempicki A. Fluorescence of cubic ZnS crystals.// Phys.Rev.- 1962.- v. 125.- N3.- P. 901-909.

39. Elmanharawy M.S., Abdel-Kader A. On the nature of fluorescent centers and traps in some ZnS-phosphors activated with silver and copper.// Acta Phys.Polon.- 1979.- v.A56.-N1.- P. 19-29.

40. Калева З.П., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф.,Филина Т.Ф. К вопросу о происхождении центров свечения и уровней захвата электронов в самоактивированных кристаллах ZnS.// Журн. прикл. спектроскоп.-1969.- т. 10.- N5.- С. 819-824.

41. Bryant F.I., Flamid S.A. Electron-inducced traps in Zinc Sulfide single crystals.// Phys.Rev.Letters.- 1969.-v.23.-N6.-P. 304-306.

42. Ceva T., Lambert B. Etude de la termoluminescence et de la contuctilide dun ZnS:Cu,Ce a dans bandes d'émission.// J. Phys.- 1965.- v.25.-N10.-P. 587-590.

43. Ребане K.-C.K., Руттас В.И. Термостимулированная люминесценция и стимуляция ИК-светом фосфоров ZnS.// Журн.прикл.спектроскоп.-1971.- Т.15.- N4.-С. 647-652.

44. Hiroshi Sugimoto and Tetsuo Maruyama. Chenge Transfers in the Red-Copper Luminescent ZnS Phosphors Investigated by Electron Spin Resonance Method.// J.of the Phys.Soc. Japan.- 1967.- v.23.- N1.- P. 44-51.

45. Горюнов В.А., Левшин В.Л. О влиянии вторичной локализации электронов на фотостимулированное свечение и проводимость монокристаллов ZnS.// Журн.прикл.спектроск.- 1966.- т.4.- в.4.- С.316-322.

46. Рун А., Кульсрешта А.П., Горюнов В.А. О расчете термостимули-рованных токов.//Физ.тверд.тела.- 1966.-т.8.- в.6.-С. 1944-1946.

47. Ребане К.-С.К., Руттас В.И. Термостимулированная люминесценция и ИК стимуляция фосфоров ZnS.// Журн.прикл.спектроск.-1971.-т.15.- в.б.-С. 1030-1034.

48. Красноперов В.А.,Тале В.Г.,Тале И.А.Даушканова Л.В. Энергетический спектр в люминофорах ZnS.// Журнал прикл.спектроск.- 1981.-т.34.- в.2,- С. 253-259.

49. Туницкая В.Ф., Лепнев Л.С. Стимуляция свечения неактивированных монокристаллов ZnS инфракрасным светом.// Журн. прикл. спек-троск.- 1977.- т.26.- в.4.-С. 706-711.

50. Коджеспиров Ф.Ф., Гордиенко Ю.Н. Спектры ИК-стиму-лированной люминесценции монокристаллов ZnCdS:Cu.// Журн. прикл. спектроск.- 1974.- т.20.- в.1.- С.76-80.

51. Гордиенко Ю.Н., Коджеспиров Ф.Ф. Стимулированная фото-ЭДС в неоднородно возбужденных кристаллах ZnS:Cu.// Физ. тверд тела.- 1974.- т. 16.- в.2.-С. 623-625.

52. Горюнов В.А., Левшин В.Л. Термостимулированная и фоостиму-лированная проводимость монокристаллов ZnS.// Журн. прикл. спек-троск.- 1965.- т.З.- в.6.- С.504-509.

53. Отс A.C., Ребане К.-С.К. Создание парамагнитных центров в ZnS под действием механического давления.// Физ. тверд, тела.- 1971.-т.13.-в.1.-С. 1219-1221.

54. Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Экспериментальные доказательства существования двухэлектронных центров захвата в Ъг&Л Физ.и техн. полупров.- 1979.- т.13.- в.8.- С. 1578-1583.

55. Оконечников А.П. Взаимодействие между центрами люминесценции и захвата в облученных нейтронами монокристаллах сульфида цинка.// Дис. канд. физ.-мат.наук: Свердловск.- 1970. 134 С.

56. Тимофеев Ю.П., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. О природе центра свечения полосы с максимумом 2.66 эВ, входящей в состав голубого излучения самоактивированного Ъг&Л Журн. прикл. спектроск.- 1973.-т.19.- в.З.-С. 469-474.

57. Каретников И.А. Влияние структурных дефектов на электрофизические свойства тонких слоев сульфида цинка// Дис.канд.физ.-мат.наук: М.: МЭИ.- 1973.- 148 С.

58. Воронов Ю.В., Тимофеев Ю.П. Термовысвечивание неактивированного сульфида цинка при электронном возбуждении.// Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1969.- Т. 33.- N6.- С. 951-960.

59. Илюхина З.П., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф. Приготовление кристаллов сульфида цинка и природа центров голубого свечения самоактивированного ZnS.ll Труды ФИ АН СССР, М.: изд-во "Наука".- 1972.- т.59.- С. 38-64.

60. Илюхина З.П., Панасюк Е.И.,Туницкая В.Ф.,Филина Т.Ф. Свойства индивидуальных полос излучения самоактивированного сульфида цинка и природа соответствующих центров свечения.// Изв. АН СССР, сер.физич.-1971.- т.35.- С. 1437-1440.

61. Морозова Н.К., Кузнецов В.А. Сульфид цинка получение и свойства.// М.: изд-во "Наука".- 1987. 200 С.

62. Ермолович И.Б., Коновец Н.К. Особенности рекомбинационных процессов в твердых растворах Укр .физ.журн.- 1973.-т.18.в.5, С. 732-746.

63. Бочков Ю.В., Георгобиани А.Н., Гершун А.С. и др. Рекомбина-ционное излучение в сульфиде цинка.// Оптика и спектроскопия.- 1967.-Т.22.- в.4,- С. 655-656.

64. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Михайленко В.Н. Структура дефектов в ZnS с собственно-дефектной дырочной проводимостью.// Изв.АН СССР. Неорган.материалы.- 1981.- т. 17.- в.7.- С. 1329-1334.

65. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Рогозин И.В. Глубокие акцепторные центры в А2В6.// Труды междунаодной конференции "Центры с глубокими уровнями в олупроводниках и полупроводниковых структурах".- Ульяновск: изд-во УГУ.- 1997.- С. 26-27.

66. Георгобиани А.Н.,Маев Р.Г.,Озеров Ю.В.,Струмбан Э.Е. Исследование глубоких уровней в монокристаллах сульфида цинка.// Изв.АН СССР. Сер.физ.- 1976.- т.40.- в.9.- С. 1079-1983.

67. Morehead F.F. Luminescence in ZnS,Se: Cu,CI.//- J. Phys. and Chem. Solids.- 1963.- v.24.- N1.- P. 37-44.

68. Joseph J.D., Neville R.C. Some optical properties of high-resistivity zinc sulfide.// Appl.Phys.- 1977.- v.48.- N5.-P. 1941-1945.

69. Раммо И., Юрма Э. ИК стимуляция фотопроводимости монокристаллов ZnS-Cu.// Изв. АНЭССР. Сер.физ.-мат.- т.24.-в.2.-С. 195-200.

70. Igaki Konso, Satoh Shiro. The electrical properties of Zinc selenide heat-treated in controlled Partial Pressures of constituent elements.// Japan J.Appl. Phys.- 1979.- v.18.- N10.- P. 1965-1972.

71. Aven M., Segal B. Carrier and Shalow Impurity States in ZnSe and ZnTe.// Phys. Rev.- 1963.-v.130.-N1.-P.81-91.

72. Shirakawa J., Kukimoto H. The electron traps associated with an anion vacancy in ZnSe and ZnSx Se,.x // Solid State Commun.- 1980.- v.34.- N5.- P. 359-361.

73. Кукк П.JI., Палмре И.В. Центры свечения в легированном ZnSe и энергия активации их образования.// Изв. АН СССР, Неорган, материалы.- 1980.- t.16.-N11.-C. 1916-1920.

74. Satoh Shiro, Igaki Konso. Termaly-stimulated Current of Zinc selenide Heattreated in Controlied Partial Pressures of Constituent Elements.// Japan J. Appl. Phys.- 1980.- v. 19.- N3.- P. 485-490.

75. Wakim F.G. Stimulated photocurrent and thermally stimulated current excitation spectra in cubic ZnSe crystals.// J.Appl.Phys.- 1970.- v.41.- N2.1. P. 835-836.

76. Глущенко Н.И., Загоруйко Ю.А., Мигаль В.П. и др. Исследование монокристаллов и пленок ZnSe методом термостимулированной проводимости в режиме токов, ограниченных пространственным зарядом.-Деп.в НИИТЭ-ХИМ.- Черкасы: 1975.- N 469

77. Leigh W.B., Wessels B.W. Nitrogen related centres in Zinc selenide.// J. Appl. Rhys.- 1984.- v.55.- N15.-P. 1614-1616.

78. Verity D., Bryant F.I., Davies I.I. Nicholls I.E . et.al. Deep levels and associated carrier recombination processes in Zn-annedled ZnSe "Singl Crystals"// J. Phys.C. Solid Stat.Phys.- 1982.-v.15.-N26.-P. 5497-5505.

79. Stringfellow G.B., Bube R. Photoelectronic properties of ZnSe Crystals.// Phys.Rev.- 1968.- v.171.- N3.- P. 903-915.

80. Блашков B.C., Манжаров B.C., Ткачук П.Н., Цосопь B.M. Термо-высве-чивание селенида цинка легированного акцепторными примесями.// Физ.и техн.полупр.- 1980.- т.14.-N8.-С. 1621-1624.

81. Smith F.T.I. Evidence for a nature donor in ZnSe from high temperature electrica 1 measurements.// Solid Stat.Commun.-1969.- v.24.- N7,- P. 1757-1761.

82. Ваксман Ю.Ф., Малушин H.B., Сердюк B.B. Исследование спектров фотолюминесценции монокристаллов ZnSe легированных алюминием.// Журн.прикл.спектроск.- 1976.- т.25.-в.5.-С. 832-835.

83. Недеогло Д.Д., Симашкевич A.B. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка.// Кишинев: изд-во "ШТИИНЦА".-1984.- 150 С.

84. Шейнкман М.К., Беленький Г.Л. Излучательная рекомбинация в неактивированных монокристаллах ZnSe.// Физ.и техн.полупр.- 1968.- т.2.-В.11.- С.1635-1638.

85. Bube R., Barton L. Some acpects of photoconductivity in cadmium selenide crystals.//J.Chem. Phys.- 1958.-v.29.-N1.-P.128-137.

86. Sacalas A., Baubinas R. Scattering centers and their ralation to the recombination centers in singl crystals of CdSe.// Phys. Stat. Sol.(a).- 1975.-v.31.- N1.- P. 301-307.

87. Baubinas R.,Januskevicius Z.,Sacalas A., Viscakas J. P-type conductivity in undoped CdSe single crystals.// Solid Stat.Commun.- 1974.- v. 15.-N11-12.-P. 1731-1733.

88. Сакалас А. Собственные дефекты в селенистом кадмии.// Лит. физ.сб., 1979.- Т.19.- В.2.- С. 233-240.

89. Ризаханов М.А. Вакансионно-примесная модель электронных центров захвата Ес- (0.14-0.55) эВ в халькогенидах кадмия наблюдаемых термо-активационными методами.// Депонировано ЦНИИ "Электроника".-Р-3271/81.

90. Schulz H.J., Kulp В.А. Electron radiation damage in cadmium selenide crystals at liqued-Helium temperaturs.// Phys. Rev.- 1967.- v. 159.- N3.- P. 603-609.

91. Burmeister R.A., Stevenson D.A. Electrical properties of n-type CdSe.//Phys. Stat .Solid.- 1967.-v.24.-N2.- P.683-690

92. Сакалас А.П. Электрические и фотоэлектрические свойства электронного и дырочного селенида кадмия.// Докторская диссертация.-Вильнюс.- 1975.

93. Sacalas A., Baubinas R. Scattering centers and their ralation to the recombination centers in singl crystals of CdSe.// Phys.Stat.Sol.(a).- 1975.-v.31.-N1.-P. 301-307.

94. Баубинас P., Вищакас Ю., Сакалас А., Янушкевичус 3. О природе центров чувствительности в кристаллах CdSe.// Лит. физ.сб.-1974.- Т.14.- В.4.-С. 609-611.

95. Ризаханов М.А., Хамидов М.М., Абрамов И.Я. Объяснение особенностей зелено-синей люминесценции в ZnS на основе новой модели центров свечения.// Физ. и техн. полупр.- 1978.- т.12.- в.11.- С.2186-2190.

96. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Михайленко В.Н. Собственно-дефектные центры люминесценции в ZnS р-типа.// Труды ФИАН СССР.- 1983.- Т.138." С. 79-135.

97. Lee K.M., O'Donnell K.P., Watkins J.D.// Solid State Communs. 1982, v.41, N12, p. 881-883 (цитируется по 63.).

98. Ризаханов М.А.,Хамидов М.М. Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnS е.// Физ. и техн. полупров.- 1993.- т.27.- в.5.- С.721-727.

99. Garlic G.F.T., Gibson A.F. The electron traps mechanism of luminescence in sylphide and selenide phosphors.//Proc. Phys. Soc.- 1948.- v.A60.-N342,- P. 574-590.

100. Шейнкман M.K., Ермолович И.Б., Беленький Г.JI. Природа инфракрасной люминесценции (À,=1.2 мкм) в монокристаллах CdSe и ее связь с фотопроводимостью.// Физ. тв. тела. -1968.- т.10.- в.10.- С. 17691772.

101. Беленький Г.Л., Любченко A.B., Шейнкман М.К. Исследование люминесценции À,=0.93 мкм в монокристаллах CdSe и ее связь с фотопроводимостью.// Физ. и техн. полупр. 1968.-т.2.-в.4.-С. 540-547.

102. Беленький Г.Л., Шейнкман М.К. Механизм люминесценции -0.82 мкм в CdSe-монокристаллах и параметры центров свечения.// Физ. и техн. полупр. 1968.- т.2.- в.10.- С. 1534-1536.

103. Kokubin J., Watanabe H., Wada M. Photoluminescence of CdSe singl crystals// Jap. J. Appl. Phys.- 1977. v. 13.- N 9.- P. 1393-1396.

104. Корицкий А.Г., Киреев П.С., Кондауров H.M., Супалов В.А. Примесная люминесценция в CdSe// Изв.АН СССР,сер. неорган, материалы.- 1975.- Т.Н.- В.П.-С. 1990-1994.

105. Данияров О.,Захаров В.Е.,Любченко А.В.,Олейник Г.С., Шейнкман M.JI. Спектры локальных состояний в твердых растворах CdSexTeix.//- Физ.и техн. полупр.- 1974.-Т.8.- в.З.- С. 452-458.

106. Ermolovich I.B., Milenin V.V. Natyre of deep luminescence centres in CdSe and CdSexTe,.x.// Phys.Stat. Sol. 1986.- v.133.- N 2.- P.611-620.

107. Ризаханов M.A. Оъяснение линейчатых спектров индуцированной примесной фотопроводимости в CdS-CdSe на основе представлений о донорных молекулах // Физ.и техн.полупр.- 1982.- т. 16.- в.4.- С.699-702.

108. Зобов Е.М., Ризаханов М.А. Инжекционное очувствление симметричных МПМ структур на основе CdSe:Ag в среднем диапазоне ИК света//Физ.и техн.полупр.- 1989. т.23.-в.7.-С. 1291-1293.

109. Ризаханов М.А.,Эмиров Ю.Н.,Габибов Ф.С.Дамидов М.М. Природа оранжевой люминесценции в кристаллах CdS:Ag.// Физ.и техн.полупр.- 1978.- т.12.- в.7.- С. 1342-1346.

110. Эмиров Ю.Н., Остапенко С.С., Ризаханов М.А., Шейнкман М.К. Структура центров оранжевого свечения в сульфиде кадмия.// Физ.и техн. полупр.- 1982.- т. 16.- в. 8.- С. 1371-1376.

111. Зобов Е.М., Магомедова П.М. Инфракрасная люминесценция (hv=1.3-1.5 эВ) селенида кадмия и ее связь с электронными центрами прилипания a-типа.- Вестник ДНЦ РАН.- 1998.- № 2. С. 8 - 11

112. Макаренко В.В., Потыкевич И.В., Рыбалка В.В. и др. Фотопроводимость легированных кристаллов ZnTe.// Физ.и техн.полупров.-1970.-T.4.-B.9.-C. 1835.

113. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б. Проблемы создания ин-жекционных светодиодов на основе широкозонных полупроводниковых соединений А2В6.// Изв. АН СССР, сер. физич.- 1985.- т.49.- в. 10.- С. 19161922.

114. Serdyuk V.V., Korneva N.N, Vaksman Yu.F. Studies of long-wave luminescence of ZnSe monocrystals.//Phys.Stat.Sol.(a).- 1985.- v. 91.- N 1.-P. 173-183.

115. Etienne D., Allegre J., Chevrier S., Bougnot G. Sur la photoluminescence du seleniure de zinc.// Phys.Stat.Sol.(a), 1975.-v. 32.-N 1.-P. 279-286.

116. Иванова Г.Н., Недеогло Д.Д., Симашкевич А.В., Сушкевич К.Д. Фотолюминесценция термически обработанных кристаллов селенида цинка.// Журн. приклад.спектроскопии.- 1979.- т.ЗО.- в.З.- С.459-463

117. Гашин П.А., Иванова Г.Н., Матвеева T.JI. и др. Фотолюминесценция монокристаллов ZnSe:Al.// Физ.и техн.полупров.- 1981.- т.15.-В.9.- С. 1841-1844.

118. Bruant F.J., Manning P.S. Radiation damage and decay characteristics of zinc selenide emission band.// j. Phys.Chem.Solids.-1974.- v.35.-N1.-P.97-101.

119. Bouley J.C., Blanconnier P., Herman A. et.al. Luminescence in Highly conductive n type ZnSe. // J. Appl. Phys.- 1975.- v.46.- N 8.- P. 3355111

120. Зобов Е.М., Магомедова ILM., Сафаралиев Г.К., Хамидов М.М. Электролюминесценция симметричных структур In-ZnSe-In.// Вестник ДГУ, Естественно-технические науки,-1997.- № 4.- С. 49 51

121. Работкин B.JL, Котляревский М.В. В сб. "Электролюминесценция твердых тел".// Киев: "Наукова Думка",-1971,-С. 138.

122. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов.// М.:"Наука".- 1971,-278 С.

123. Зобов Е.М., Магомедова П.М., Сафаралиев Г.К., Хамидов М.М. Термоактивациаонные процессы в неактивированных кристаллах ZnSe.// Вестник ДГУ, Естественно-технические науки,-1997.» Ks 4.- С. 51 55

124. Зобов Е.М., Магомедова П.М., Хамидов М.М. Длинноволновая самоактивированная люминесценция монокристаллов ZnSe.// Труды Международной конференции "Оптика полупроводников". Ульяновск: 1998.-С.58-59.