Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон: на примере системы ZnS-ZnSe тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Мидерос Мора Даниэль Алехандро

• Мидерос Мора Даниэль Алехандро
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Мидерос Мора Даниэль Алехандро

ВВЕДЕНИЕ.-4

ГЛАВА I.

ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Теория "непересекающихся зон".- 19

1.2. Характеристика изоэлектронной примеси, инициирующей изменение зонной структуры.- 26

1.3. Глубина и положение относительно краев зон уровней изоэлектронных примесей.- 30

1.4. Роль парных центров и кластеров.- 35

ГЛАВА II.

МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1. Исследование морфологии и катодолюминесценции в растровом электронном микроскопе.- 38

2.2. Методы определения содержания кислорода.- 39

2.3. Исследование спектров катодолюминесценции и импульсной катодолюминесценции.- 41

2.4. Исследование спектров фотолюминесценции и возбуждения фотолюминесценции.- 43

2.5. Методика съемки спектров ИК-пропускания, отражения и поглощения.- 44

ГЛАВА III.

ПРИМЕСИ И ДЕФЕКТЫ, ШИРИНА ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ (ZnS-ZnSe)O

3.1. Изоэлектронная примесь кислорода в соединениях А2Вб.- 47

3.2. Собственные точечные дефекты в ZnS и ZnSe. Комплексы на основе собственных дефектов и кислорода.- 50

3.3. Формы присутствия и распределение кислорода в кристаллах.- 55

3.4. Инициированное кислородом аномальное уменьшение ширины запрещенной зоны на примере ZnS-О.- 63

3.5. Зависимость ширины запрещенной зоны ZnSxSe!.x0T состава.- 68

ГЛАВАIV.

САМОАКТИВИРОВАННОЕ СВЕЧЕНИЕ (ZnS-ZnSe) O И МОДЕЛИ ПЕРЕХОДОВ

4.1. Самоактивированное SA свечение ZnS.- 74

4.2. SA свечение ZnSe.- 83

4.3. SAL свечение ZnSe и ZnS.- 89

4.4. Влияние Си на спектры. Кислородные комплексы, возникающие в присутствии Си.- 96

4.5. Самоактивированное свечение ZnSxSe!x.- 108

ГЛАВА V.

ХАРАКТЕРИСТИКА ПОЛОС, ИНИЦИИРОВАННЫХ КИСЛОРОДОМ 5.1. Температурная зависимость полос, связанных с SAL и SA центрами.- 1185.2. Спектры SAL и SA свечения при изменении интенсивности возбуждения и затухании.- 123

5.3. Связанный экситон на SA и SAL центрах.- 127

5.4. Поглощение, спектры возбуждения и пропускания кристаллов (ZnS-ZnSe)-O в модели непересекающихся зон.- 137

ВЫВОДЫ.-150

ПРИНЯТЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ.-153

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон: на примере системы ZnS-ZnSe»

Широкозонные полупроводники А2Вб широко используется при создании люминесцентных и лазерных экранов, фотоприемников, в ИК-технике. Соединения А2В6 в настоящее время являются перспективными материалами оптоэлектроники, наноэлектроники и ИК-техники. Научно-технический прогресс требует расширения использования чистых материалов, для которых современный уровень исследования опто-электрических свойств соединений А2В6 оказывается недостаточным.

В последнее десятилетие привлекли значительное внимание исследования систем твердых растворов А2В6, легированных изоэлектронными примесями, так как значительное изменение их запрещенной зоны при неизменности параметров решетки предполагают широкие диапазоны использования при создании ряда новых оптоэлектронных устройств. Эти материалы принадлежат широкому классу твердых растворов с резким несоответствием свойств компонентов, в которых анионы частично заменены более электроотрицательними атомами.

Важным эффектом, наблюдаемым в этих соединениях, является изменение зонной структуры при резком уменьшении ширины запрещенной зоны с введением малых количеств изоэлектронной примеси. Эти электронные свойства имеют существенный потенциал для нескольких гетероструктурных устройств таких, как лазеры, солнечные ячейки и гетероструктурные биполярные транзисторы.

Содержание кислорода как фоновой изоэлектронной примеси в ZnS и в ZnSe достаточно высоко по сравнению с концентрациями других фоновых примесей и может достигать Ю20 - 1021 см"3 при температурах роста 1000 - 1300°С, поэтому исключить влияние кислорода на свойства соединений А2В6 не представляется возможным. Этот факт известен уже более полстолетия, однако до настоящего времени не ясно, сколь существенную роль играет кислород в оптике соединений А2В6.

Сравнительно недавно предложена новая теория "непересекающихся зон", определившая влияние изоэлектронных примесей на зонную структуру твердых растворов А3В5 и А2В6.

Цель диссертационной работы.

В связи с этим была поставлена цель по выяснению влияния ИЭП кислорода на ряд особенностей спектров соединений А2В6, учитывая новые представления теории непересекающихся зон" (ВАС). Для достижения поставленной цели необходимо было решить ряд основных задач:

1. Выяснить основы развивающейся теории ВАС, проверить применимость теории для объяснения наших экспериментальных результатов.

2. Проанализировать большое количество спектров исследованных нами образцов ZnS, ZnSe и ZnSxSeix, легированных в процессе роста кислородом и медью.

3. Проанализировать в соответствии с моделью непересекающихся зон спектры люминесценции, отражения, поглощения, возбуждения и пропускания ZnS и ZnSe, исследованные нами ранее с изменением концентрации кислорода.

4. Рассчитать зонные модели, определяющие излучательных переходы для самоактивированного свечения и поглощения ZnS и ZnSe.

5. Провести изучение роли кислорода в пропускании ZnSe и ZnS в диапазоне 520 мкм.

Обоснованность и достоверность полученных результатов подтверждается большим числом исследованных образцов с использованием современных общепризнанных методик анализа, комплексным характером независимых измерений, в том числе с изменением интенсивности возбуждения и температуры, исследованиями микросостава и микронеоднородности в РЭМ, а также измерениями отражения, поглощения, пропускания и т.п. При исследовании всех образцов осуществлялся контроль концентрации кислорода, а также других примесей. Получено хорошее совпадение результатов повторных экспериментов на близких по свойствам образцах. Все экспериментальные результаты, расчеты, выводы и предложенные модели достаточно хорошо согласуются с имеющимися литературными данными и не противоречат друг другу.

Научная новизна. В результате проведенной работы были получены следующие новые данные, представляющие научный интерес.

1. Впервые дана интерпретация особенностей оптических свойств ZnS-ZnSe на основе теории "непересекающихся зон", т.е. с учетом присутствия кислорода.

2. Проведен анализ спектров катодолюминесценция (KJI), поглощения, отражения, возбуждения люминесценции, пропускания на основе новых представлений, что глобально изменяет подход к их интерпретации.

3. Построены зонные модели с учетом кислорода для типичных составов кристаллов (ZnS-ZnSe)-O.

4. Изучено изменение ширины запрещенной зоны (Eg) на примере ZnS в зависимости от концентрации растворенного кислорода. Представлена зависимость Е ~ [Os], определяющая сдвиг края фундаментальной абсорбции сфалерита как 75мэВ на 1 мол% НЭП.

5. Впервые с учетом присутствия кислорода на основе теории "непересекающихся зон" исследованы и интерпретированы спектры и изменение ширины запрещенной зоны сульфоселенидов ZnSxSeix во всем диапазоне составов. Идентифицированы спектры кристаллов ZnSe-Te(O).

6. Впервые изучено самоактивированное свечение на основе модели ВАС, уточнена классификация полос самоактивированного свечения ZnS и ZnSe в зависимости от стехиометрии и присутствия кислорода, дано объяснение дублетной структуры SA и SAL полос.

7. Показано, что неоднородность реальных кристаллов за счет образования скоплений кислорода определяет ведущие полосы самоактивированного свечения в спектрах, причем спектральное положение этих полос позволяет определить [Os] в скоплениях.

8. Обнаружены и исследованы полосы связанного экситона на SA и SAL центрах. Показано, что экситонные полосы, соответствующие скоплениям, определяют спектр краевого свечения.

9. Согласно представленной модели переходов с поглощением в сложной мультизоне (ZnS-ZnSe)-O проведена интерпретация отдельных полос спектров поглощения, возбуждения люминесценции, а также селективных полос поглощения в среднем ИК диапазоне.

10. Выяснена структура спектра и природа свечения Си в ZnS-O и ZnSe-O.

Практическая значимость работы. Выяснение роли кислорода в люминесценции и пропускании ZnS и ZnSe, могут быть положены в основу оптического метода контроля концентрации растворенного кислорода в ZnS и ZnSe в основном объеме кристалла (матрице) и в скоплениях. Для контроля концентрации кислорода может быть использовано спектральное положение экситонных полос катодолюминесценции, отражения, а также пропускания в ИК диапазоне. Тип самоактивированного свечения определяет отклонение состава кристаллов от стехиометрии.

Освоение новых материалов, управляемо легированных ИЭП кислорода, перспективно для создания ряда новых приборов, в частности наноэлектроники. Проведенные исследования носят фундаментальный характер и могут быть

9 (л обобщены для объяснения аналогичных явлений по всей группе соединений А В .

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Экспериментальные результаты, показывающие, что резкое уменьшение ширины запрещенной зоны ZnS(ZnSe) объясняется с позиции теории непересекающихся зон.

2. Предложена зонная модель кристаллов ZnS-O, ZnS-Cu(O), ZnSe-O, ZnSe-Cu(O).

3. Новая интерпретация полос люминесценции Си в соединениях ZnS-О и ZnSe-O, как и дублетной структуры полос SA и SAL самоактивированного свечения.

4. Модель кислородных центров свечения в соединениях А2В6 и интерпретация на основе теории непересекающихся зон особенностей исследованных самоактивированных полос люминесценции.

5. Модель, соответствующая основным компонентам спектра поглощения (отражения, пропускания), возбуждения люминесценции в системе твердых растворов ZnS-0 - ZnSe-O.

6. Идентификация полос связанных экситонов BE на акцепторных уровнях кислородных центров самоактивированного SA свечения ZnS-О и ZnSe-O.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на Международном научно-техническом семинаре "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (Москва. МЭИ. 2005 - 2008 гг.) - 5 докладов; Международной научно - технической конференции студентов и аспирантов "Радиоэлектроника, электротехника и энергетика" (Москва. МЭИ. 2005 - 2008 гг.) - 6 докладов; Международной конференции "Оптика оптоэлектроника и технологии" (Ульяновск, 27-30 июня 2005 г., 24-30 сентября 2007 г.) - 2 доклада; XIII Intern. Conf. "High-purity substances and materials. Production, analysis, application" (Nizhny Novgorod, 28-31 May, 2007) - 1 доклад; II Int. Congress on Radiation Physics and Chemistry of Inorganic Materials, High Current Electronics, and Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows. (Tomsk, 10-15 November, 2006) - 1 доклад.

Основные результаты исследований по теме диссертации представлены в 18 публикациях, в том числе 4 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ для публикации основных результатов диссертаций на соискание ученых степеней доктора и кандидата наук.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пять глав,

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Мидерос Мора Даниэль Алехандро

Результаты работы могут быть представлены в виде следующих основных выводов:

1. Впервые проведены исследования и анализ основных оптических свойств соединений А2В6 — ZnS и ZnSe — с привлечением теории непересекающихся зон. Это позволило учесть присутствие фоновой примеси кислорода, которая влияет, даже в концентрациях до 1 мол%, на зонную структуру кристалла. Рассмотрены особенности самоактивированного свечения и характерное изменение ширины запрещенной зоны в присутствии кислорода. Анализ экспериментальных данных показал, что многие, ранее не имевшие интерпретации особенности спектров люминесценции, поглощения, отражения и пропускания, получают объяснение с позиций теории непересекающихся зон.

2. Предложена зонная модель для кристаллов ZnS-O, ZnS-Cu(O), ZnSe-O, ZnSe-Cu(O). Подтверждено или определено положение уровня кислорода Ео как 0,11 и 0,16 эВ по отношению ко дну зоны проводимости Ее чистых соединений ZnSe и ZnS. В зависимости от концентрации растворенного кислорода эта модель в согласии с экспериментальными данными позволяет оценить величины расщепления зоны проводимости (А = Е+ — Е), спектральное положение края фундаментального поглощения Е, а также полос SA или SAL самоактивированной люминесценции, как и связанного экситона на кислородных комплексах.

3. Представлена новая интерпретация полос люминесценции Си в соединениях ZnS-О и ZnSe-O, как и дублетной структуры полос SA и SAL самоактивированного свечения.

В частности, две хорошо известные для ZnSe полосы излучения Cu-R и Cu-G определяются одним и тем же центром, но обязаны переходам из двух подзон Е+ и Е расщепленной благодаря присутствию кислорода зоны проводимости.

4. Получены результаты, характеризующие распределение кислорода в кристаллах, которое в большинстве случаев неоднородное, что существенно усложняет суммарные спектры люминесценции и поглощения. При этом полосы свободного и связанного экситона из скоплений с повышенным содержанием растворенного кислорода определяют узколинейчатый сложный спектр в краевой области.

5. Построение модели излучательных переходов, позволило по-новому представить природу зеленого свечения ZnS-Си. Подтвердилось высказанное ранее предположение, что зеленое и синее свечение Си в ZnS определяются переходами на один и тот же акцепторный уровень. При этом спектральное положение зеленой полосы определяется уменьшением ширины запрещенной зоны Е в области скоплений кислорода. Эти выводы подтверждены исследованиями спектров возбуждения зеленого свечения. В случае ZnSe-Cu аналогичные по природе полосы должны соответствовать спектральному диапазону- 700-800 нм.

6. Дана идентификация полос связанных экситонов BE на акцепторных уровнях кислородных центров самоактивированного SA свечения ZnS-O и ZnSe-O. Обнаружено, что полосы связанных на SA центрах экситонов BESa наблюдаются в спектрах, полученных из объема кристаллов. При повышенной плотности возбуждения совершенных образцов полоса BEsa, резко усиливается, сужается и превалирует во всей видимой области спектра. Высказано предположение, что связанный экситон на кислородных центрах будет определять свечение при лазерном эффекте.

7. Изменение зонной структуры, инициированное кислородом, приводит к усложненной системе уровней, определяющей переходы с поглощением. Представлена модель, соответствующая основным компонентам спектра поглощения (отражения, пропускания), возбуждения люминесценции в системе твердых растворов ZnS-O - ZnSe-O.

Показано, что при введении кислорода усиливается абсорбция, которая обязана переходам Ev —> Е(+) и характеризуется величиной коэффициента поглощения на уровне фундаментального 5 ■ 104-105 см*1. Уточнены возможные типы переходов.

Выделены селективные полосы поглощения в ближнем ИК диапазоне спектра, которые определяются переходами между подзонами Е —> Е+. Показано, что спектральное положение этих полос зависит от концентрации кислорода. При неоднородном распределении кислорода имеет место их размытие.

8. Представленные зависимости смещения экситонных полос, как и самоактивированной люминесценции, с увеличением [Os] могут быть использованы для прямого определения концентрации растворенного кислорода в ZnS или в ZnSe в основном объеме кристалла (матрице) и в скоплениях. Спектральное положение этих полос может быть использовано для контроля [Os], а тип свечения - для оценки отклонения состава кристаллов от стехиометрии.

Отмечается, что при большом коэффициенте поглощения сложная система уровней повышает эффективность абсорбции света твердыми растворами ZnS-O и ZnSe-O, что благоприятно для создания ряда новых приборов оптоэлектроники.

Принятые обозначения

Ее (Ev) SO Е

Е+ - Е) Н, L

Ео, En

BGB

ВАС HMAs

FE(BE) 8

ЕЕ

АЕ

SA(I) или SA

Cu(I)

Ширина запрещенной зоны

Зона проводимости (валентная зона)

Спин-орбитальное расщепление

Минимум нижней подзоны (протяженных состояний) расщепленной зоны проводимости

Минимум верхней подзоны (локализованных состояний) расщепленной зоны проводимости

Величина расщепления зоны проводимости, инициированная изоэлектронной примесью А = (Е+ - Е), мэВ

Высокоэнергетическая и низкоэнергетическая составляющие излучательных переходов из подзон Е+ и Е соответственно

Уровни изоэлектронных примесей: кислорода, азота в зонной модели

Резкое ниспадающее изменение запрещенной зоны, инициированный изоэлектронной примесью (band gap bowing)

Непересекающиеся зоны (bands anticrossing)

Твердые растворы с резким несоответствием свойств компонентов (highly mismatched alloys — HMAs), когда имеет место изменение зонной структуры

Свободный экситон (связанный экситон) Энергия связи экситона Краевое свечение

Полуширина полос люминесценция, мэВ

Самоактивированная люминесценция, обязанная SA комплексам {Zn'-Nzn'}'■ 0*S(Se)

Самоактивированная люминесценция, обязанная Си комплексам {Cuj'-VznV" 0*s(se)

SAL(II) Самоактивированная люминесценция, обязанная SAL или SAL комплексам {Zni"-VZn//}x- 0*S(sC)

Cu(II) Самоактивированная люминесценция, обязанная Си комплексам {Cui**-VZll//}x- 0*s(sc)

Еа Положения акцепторного уровня

CVD Chemical Vapor Deposition химического осаждения из паровой фазы)

Z Атомный (порядковый) номер элемента

ГС Газостатирование - обработка при высоком давлении газа и высокой температуре

ИЭП или Изоэлектронная примесь замещения с резким несоответст

ИЭПнмаб вием свойств по сравнению с атомом матрицы

ИЭА Изоэлектронный акцептор типа HMAs

ИЭД Изоэлектронный донор типа HMAs

СТД Собственные точечные дефекты

Os] Концентрация растворенного кислорода в узлах решетки

КЛ(ФЛ) Катодо- (фото-) люминесценция

ДВ, KB Длинноволновое, коротковолновое

ИК Инфракрасная (область спектра)

ИКЛ Импульсная катодолюминесценция (см. гл. 2)

КДП Край "дополнительного поглощения", возникающий на спектрограммах ZnS-O, ZnSe-O

МКЛ Микрокатодолюминесценция (съемка в растровом электронном микроскопе)

РЭМ Растровый электронный микроскоп

РФА Рентгеноспектральный фазовый микроанализ

ХГХ Химический газохроматографический анализ (см. гл. 2)

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Мидерос Мора Даниэль Алехандро, 2008 год

1. Theory of substitutional deep traps in covalent semiconductors / H.P. Hjalmarson, P. Vogl, D.J. Wolford, J.D. and Dow // Phys. Rev. Lett. 1980. -Vol. 44, № 12.-P. 810-813.

2. M. Weyers, M. Sato, H. Ando / Red Shift of Photoluminescence and Absorption in Dilute GaAsN Alloy Layers // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. - Vol. 31.-P. L853-L855.

3. GalnNAs: A Novel Material for Long-Wavelength-Range Laser Diodes with Excellent High-Temperature Performance / M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, et al.//Jpn. J. Appl. Phys. 1996. - Vol. 35. - P. 1273-1275.

4. Auger recombination in long-wavelength infrared InNxSbix alloys / B.N. Murdin, M. Karmal-Saadi, A. Lindsay, E.P. O'Reilly, et al. // Appl. Phys. Lett. -2001.-Vol. 78, № 11.-P. 1568-1570.

5. J. Wu, W. Shan, and W. Walukiewicz / Band anticrossing in highly mismatched III-V semiconductor alloys // Semicond. Sci. Technol. — 2002. — Vol. 17.-P. 860-869.

6. Band Anticrossing in GalnNAs Alloys / W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. - Vol. 82, № 6. - P. 1221-1224.

7. J.W. Ager III and W. Walukiewicz / Current status of research and development of III-N-V semiconductor alloys // Semicond. Sci. Technol. — 2002. Vol. 17. - P. 741-745.

8. W. Walukiewicz / Narrow band gap group Ill-nitride alloys // Physica E. -2004. Vol. 20. - P. 300-307.

9. Large, nitrogen-induced increase of the electron effective mass in InyGaiyNxAsix / C. Skierbiszewski, P. Perlin, P. Wisniewski, W. Walukiewicz, W. Shan, J. F. Geisz, et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. - Vol. 76, № 17.-P. 2409-2412.

10. Nitrogen-induced increase of the maximum electron concentration in group III-N-V alloys / K.M. Yu, W. Walukiewicz, W. Shan, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, et al. // Phys. Rev. B. 2000. - Vol. 61, № 20. - P. 13337- 13339.

11. Nature of the fundamental band gap in GaNxPix alloys / W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, E.E. Haller, H.P. Xin, et al. // Appl. Phys. Lett. 2000.- Vol. 76, № 22. P. 3251 -3253.

12. Nitrogen- Activated transitions, level repulsion, and band gap reduction in GaAsi.xNx with x < 0,03 / J.D. Perkins, A. Mascarenhas, J.F. Geisz, D.J. Friedman, et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. - Vol. 82, № 16. - P. 3312-3315.

13. Band anticrossing in group II-Ox-VI.x highly mismatched alloys: Cdi-yMnyOxTe^x quaternaries synthesized by О ion implantation / K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, I. Mitkowski, P. Becla, et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. -Vol. 80, №9.-P. 1571-1573.

14. Effects of pressure on the band structure of highly mismatched ZniyMnyOxTeix alloys / W. Shan, K.M. Yu, W. Walukiewicz, J.W. Beeman, et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. - Vol. 84, № 6. - P. 924-926.

15. Effect of oxygen on the electronic band structure in ZnOxSeix alloys / W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, E.E. Haller, Y. Nabetani, et al. // Appl. Phys. Lett.- 2003. Vol. 83, № 2. - P. 299-301.

16. Epitaxial growth and large band-gap bowing of ZnSeO alloy / Y. Nabetani, T. Mukawa, Y. Ito, T. Kato and T. Matsumoto // Appl. Phys. Lett. 2003. - Vol. 83, №6.-P. 1148-1150.

17. Influence of microstructure on electrical properties of diluted GaNxAsi.x formed by nitrogen implantation / J. Jansinski, K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. Washburn, et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. - Vol. 79, № 7. - P. 931-933.

18. K. Uesugi, N. Marooka and I. Suemune / Reexamination of N composition dependence of coherently grown GaNAs band gap energy with high-resolution x-ray diffraction mapping measurements // Appl. Phys. Lett. — 1999. — Vol. 74, №9. -P. 1254-1257.

19. B.M. Keyes, J.F. Geisz, P.C. Dippo, R. Reedy, C. Kramer, et al. / Optical Investigation of GaNAs // AIP Conference Proceedings 462. Woodbury, NY: American Institute of Physics. 1999. - P. 511-516.

20. L. Malikova, F.H. Pollak and R. Bhat / Composition and temperature dependence of the direct band gap of GaAsi.xNx (x < 0,0232) using contactless electroreflectance // J. Electron. Mater. 1998. - Vol. 27, № 5. - P. 484-487.

21. Growth of GaAsN/GaAs, GalnAsN/GaAs and GalnAsN/GaAs quantum wells by low-pressure organometallic chemical vapor deposition / R. Bhat, C. Caneau, L. Salamanca-Riba, W. Bi, C. Tu // J. Crystal Growth. 1998. - Vol. 195, № 1-4.-P. 427-437.

22. P.W. Anderson / Localized Magnetic States in Metals // Phys. Rev. 1961. -Vol. 124.-P. 41-53.

23. A.N. Kocharian / Change of valence in rare earth semiconductors in the multiimpurity Anderson model / Sov. Phys. Solid State. 1986. - Vol. 28. P. 6-10.

24. A. Lindsay, E.P. O'Reilly / Theory of enhanced bandgap non-parabolicity in GaNAs and related alloys // Sol. Stat. Comm. 1999. - Vol. 112. - P. 443-447.

25. Interband optical absorption in free standing layer of Gao.96ln0.04As0.99N0.01 / P. Perlin, P. Wisniewski, G. Subramanya, Dan E. Mars, W. Walukiewicz, et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. - Vol. 76, № 10. - P. 1279-1281.

26. Diluted И-VI Oxide Semiconductors with Multiple Band Gaps / K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, W. Shan, et al. II Phys. Rev. Lett. 2003. - Vol. 91, № 24. - P. 246403.

27. Effect of nitrogen on the electronic band structure of group III-N-V alloys / W. Shan, W. Walukiewicz, E.E. Haller, J. F. Geisz, C. Nauka, et al. // Phys. Rev. B. 2000. - Vol. 62, № 7. - P. 4211-4214.

28. Band anticrossing in dilute nitrides / W. Shan, K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, J.W. Ager III and E.E. Haller // J. Phys: Condens. Matter. 2004. - Vol. 16.-P. S3355-S3372.

29. W. Walukiewicz et al., in Proceedings of the 195th meeting of the electrochemical society (The Electrochemical society, Inc., Pennington NJ) -1999.-Vol. 99-11. P. 190-199.

30. D.G. Thomas, J.J. Hopfield and C.J. Frosch / Isoelectronic Traps Due to Nitrogen in Gallium Phosphide // Phys. Rev. Lett. 1965. - Vol. 15. - P. 857-860.

31. D.G. Thomas and J.J. Hopfield / Isoelectronic Traps Due to Nitrogen in Gallium Phosphide//Phys. Rev. 1966. - Vol. 150. - P. 680-689.

32. J.D. Cuthbert and D.G. Thomas / Fluorescent Decay Times of Excitons Bound to Isoelectronic Traps in GaP and ZnTe // Phys. Rev. 1967. - Vol. 154. - P. 763-771.

33. J.J. Hopfield, D.G. Thomas and R.T. Lynch / Isoelectronic Donors and Acceptors // Phys. Rev. Lett. 1966. - Vol. 17. - P. 312-315.

34. J.W. Allen / Isoelectronic impurities in semiconductors: a survey of binding mechanisms//J. Phys. C. 1971. - Vol. 4. - P. 1936-1944.

35. J.C. Phillips / Cancelation Theorem for Isoelectronic Impurity Binding Energies // Phys. Rev. Lett. 1969. - Vol. 22. - P. 285-287.

36. G.W. Iseler and A.J. Strauss / Photoluminescence due to isoelectronic oxygen and tellurium traps in II-IV alloys // J. Lum. 1970. - Vol. 3. - P. 1-17.

37. Баженов B.K., Фистуль В.И. / Изоэлектронные примеси в полупроводниках. Состояние проблемы. // ФТП. 1984. - Т. 18, в. 8. — С. 1345-1362.

38. Oxygen isoelectronic impurity in ZnSxTeix / M.J. Seong, H. Alawadhi, I. Miotkowski, A.K. Ramdas and S. Miotkowska // Phys. Rev. B. 1999. - Vol. 60, № 24. - P. R16 275-R16 278.

39. Band anticrossing effects in MgyZn^yTe^Sex alloys / J. Wu W. Walukiewicz, K.M. Yu, and J. W. Ager III W. Shan E.E. Haller, et al. // Appl. Phys. Lett. -2002. Vol. 80, № 1. - P. 34-36.

40. K.P. Tchakpele and J.P. Albert / Excitons Bound to Те Impurities in CdS, ZnS, and Their Mixed Compounds with Wurtzite Structure // Phys. Status Solidi B. 1988. - Vol. 149, № 2. - P. 641-648.

41. Interaction of localized electronic states with the conduction band: band anticrossing in II-VI semiconductor ternaries / W. Walukiewicz, W. Shan, K.M. Yu, M.J. Seong, H. Alawadhi, A.K. Ramdas // Phys. Rev. Lett. 2000. -Vol. 85,№7.-P. 1552-1555.

42. Спектральное исследование энергетической структуры смешанных монокристаллов CdSexTeix / Бродин М.С., Витриховский Н.И., Кипень А.А., Миецкая И.Б. // ФТП. 1972. - Т. 6, в. 4. - С. 698-702.

43. Исследование энергетической структуры смешанных монокристаллов CdSxTeix / Витриховский Н.И., Кипень А.А., Мыхаськив О.В., Пляцко Г.В. // Физика полупроводников. 1975. - Т. 10, в. 6. - С. 1193-1195.

44. Витриховский Н.И. / Твердые растворы (ZnTe)x(CdSe)i.x Спектральное исследование энергетической структуры смешанных монокристаллов CdSexTebx // ФТП. 1972. - Т. 6, в. 4. - С. 698-702.

45. Jingbo Li and Su-Huai Wei / Alignment of isovalent impurity levels: Oxygen impurity in II-VI semiconductors // Phys. Rev. B. 2006. - Vol. 73. -P.041201.

46. P.R.C. Kent and A. Zunger / Theory of electronic structure evolution in GaAsN and GaPN alloys // Phys. Rev. B. 2001. - Vol. 64. - P. 115208.

47. J.L. Merz / Isoelectronic Oxygen Trap in ZnTe // Phys. Rev. Vol. 1968. -Vol. 176, №3.-P. 961-968.

48. R.E. Dietz, D.G. Thomas and J. J. Hopfield / "Mirror" Absorption and Fluorescence in ZnTe // Phys. Rev. Lett. 1962. - Vol. 8, № 10. - P. 391-393.

49. Origin of the band-gap bowing in highly mismatched semiconductor alloys / J. Wu, W. Walukiewicz, K.M. Yu, E.E. Haller, et al. // Phys. Rev. B. 2003. -Vol. 67. - P.035207.

50. Valence band hybridization in N-rich GaNixAsx alloys / J. Wu, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J.D. Denlinger, et al. // Phys. Rev. B. 2004. - Vol. 70.-P. 115214.

51. Magnetotunneling spectroscopy of dilute Ga(AsN) quantum wells / J. Endicott,

52. A. Patane, M. Hopkinson, R. Airey, et al. // Phys. Rev. Lett. 2003. - Vol. 91, № 12.-P. 126802.

53. Breakup of the conduction band structure of dilute GaAsiyNy alloys / A. Patane, J. Endicott, S.B. Healy, A. Lindsay, M. Hopkinson, et al. // Phys. Rev.

54. B. 2005. - Vol. 71. - P.195307.

55. From N isoelectronic impurities to N-induced bands in the GaNxAsix alloy / P.J. Klar, H. Gruning, W. Heimbrodt, J. Koch, F. Hohnsdorf, W. Stolz, et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. - Vol. 76. - P. 3439-3442.

56. P.R.C. Kent, L. Bellaiche and A. Zunger / Pseudopotential theory of dilute III-V nitrides // Semicond. Sci. Technol. 2002. - Vol. 17. - P. 851-859.

57. A. Lindsay and E.P. O'Reilly / A tight-binding based analysis of the band anti-crossing model in GaNxAsix// Physica E. 2004. - Vol. 21. - P. 901-905.

58. X. Liu, M.-E.Pistol, L. Samuelson, S. Schwetlick, and W. Seifert / Nitrogen pair luminescence in GaAs // Appl. Phys. Lett. 1990. - Vol. 56. - P. 14511453.

59. Галстян В.Г., Долуханян Т.П. / Комплексное исследование в РЭМ особенностей ионной имплантации сульфида цинка // Тезисы докл. III Республ. конф. Электронная микроскопия и вопросы диагностики. Кишинев. 1986. - С. 152-155.

60. Курбатов Б.А., Морозова Н.К. / Обработка порошковых рентгенограмм несовершенных монокристаллов методом наименьших квадратов // Сб. ТрудыМИИТ.- 1977.-№552.-С. 113-116.

61. Определение содержания кислорода в монокристаллах сульфида цинка методом активации быстрыми нейтронами / Морозова Н.К., Захаров Е.А., Толкачев И.В., Коваленко Д.Я. // Неорг. Матер. 1978. - Т. 14, в. 8. - С. 1389-1391.

62. Николаенко O.K. / Исследование и разработка нейтронно-активационных методов определения некоторых легких элементов // Дис. канд. техн. наук. М.: ЦНИИЧермет им. Бардина, 1968.

63. Николаенко O.K., Штань А.С. / К вопросу о чувствительности определения кислорода методом активации быстрыми нейтронами // Заводская лаборатория. 1967. - Т. 33, № 9. - С. 1102-1105.2 6

64. Федорченко О.В. / Термодинамика поведения кислорода в соединениях2 6

65. А В в процессе химического анализа с использованием газовой хроматографии // Маг. Дис. М.: МЭИ. 1999.

66. Блинов В.В. / Оптика центров, обязанных присутствию кислорода и меди в соединениях А2Вб (на примере ZnSe) // Дис. канд. физ.-мат. наук. — М.: МЭИ, 2003.

67. Назарова Л.Д. / Влияние сложного легирования изоэлектронными примесями кислорода и теллура на оптические свойства сульфида кадмия и селенида цинка// Дис. канд. физ.-мат. наук. — М.: МЭИ, 1995.

68. Эволюция первичной радиационной дефектности в ионных материалах / Лисицин В.М., Корепанов В.И., Олешко В.И., Яковлев В.Ю. // Изв. Вузов. Физика. 1996. - № 11. - С. 5-29.

69. Мащенко В.Е. / Спектроскопия экситонов Ванье Мота в чистых и активированных полярных кристаллах // Дис. докт. физ.-мат. наук. -Харков: УГУ, 1990.

70. Спектр поглощения ZnO, выделяющегося в ZnSe при насыщении кислородом / Морозова Н.К., Плотниченко В.Г., Гаврищук Е.М., Блинов В.В. // Неорг. Матер. 2003. - Т. 39, №8. - С. 920-925.

71. Морозова Н.К., Кузнецов В.А. / Сульфид цинка. Получение и оптические свойства // Под. ред. Фока М. В. М.: Наука, 1987.

72. W. Van Gool / Fluorescent centers in ZnS // Phys. Res. Rep. Suppl. — 1961. — №3.-P. 1-119.

73. Морозова H.K., Зимогорский B.C., Морозов A.B. / О растворимости кислорода в CdS // Неорган, матер. 1993. - Т. 29, № 7. - С. 1014-1016.

74. Экситонный спектр CdS с контролируемым изменением стехиометрии и концентрации кислорода / Морозова Н.К., Крыса А.Б., Данилевич Н.Д., Назарова Л.Д., Каретников И.А. // ЖПС. 1994. - Т. 60, № 3. - С. 341-348.

75. Морозова Н.К., Назарова Л.Д. Бутнев К.Н. / Изменение собственно-дефектной структуры CdS (ZnSe) при легировании изоэлектронными примесями О и Те // Неорган, матер. 1996. Т. 32, № 5. — С. 542-545.

76. Польских Э.Д. / Исследование цинксульфидных люминофоров, активированных кислородом // Дис. канд. хим. наук. М.: МХТИ, 1974.

77. Морозова Н.К., Кузнецов В.А., Рыжиков В.Д. и др. / Селенид цинка. Получение и оптические свойства // Под. ред. Фока М.В. — М.: Наука, 1992.

78. Голубева Н.П., Фок М.В. / Связанная с кислородом люминесценция "беспримесного" ZnS // ЖПС. 1972. - Т. 17, № 2. - С. 261-268.

79. Пащенко Ю.А. / Оптические свойства селенида цинка, содержащего кислород // Дис. канд. физ.-мат. наук. М.: МЭИ, 1986. '

80. Чечеткина Е.А., Хожаинов Ю.М., Галактионов С.С. / Исследование растворимости ZnO в ZnS (вюрците) // Изв. АН СССР. Неорган, матер.1978.-Т. 14, №8.-С. 1393-1398.

81. Морозов А.В. / Кислород в сульфиде кадмия и его влияние на оптические свойства// Дис. канд. физ.-мат. наук. -М.: МЭИ, 1993.

82. Морозова. Н.К. / Природа оптического поглощения сульфида цинка. // Дис. канд. физ.-мат. наук. -М.: МЭИ, 1964.

83. Морозова Н.К., Веселкова М.М. / Исследование изменения Eg ZnS при легировании кислородом // ЖПС. 1981. - Т.34, в.6. - С. 1094-1100.

84. Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. / Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов // Рига: Зинатне,1979.

85. Экситоны / Под. ред. Рашба Э.И., Стерджа М.Д. // М.: Наука, 1985.

86. M. Hanke, D. Henning, A. Kaschte / A tight-binding description of isovalent impurity clusters // Phys. Stat. Sol. (b). 1987. - Vol. 143. - P. 665-661.

87. Фельдбах Э.Х., Лущик Ч.Б., Куусман И.Л. / Сосуществование связанных с дефектами экситонов большого и малого радиуса в твердых телах // Письма в ЖЭТФ. 1984. - Т. 39, в. 2. - С. 54-56.

88. Н. Kanzaki, S. Sakuragi, К. Sakamoto / Excitons in AgBr!.xClx transition of relaxed state between free and selftrapped exciton // Sol. St. Commun. —1971. — Vol. 9, № 13. - P. 999-1002.

89. J.D. Cuthbert, D.G. Thomas / Optical properties of tellurium as an isoelectronic trap in cadmium sulphide //J. Appl. Phys. 1968. - Vol. 39, № 3. -P.1573-1580.

90. Exciton Self-Trapping in ZnSe-ZnTe Alloys / D. Lee, A. Mysyrowicz, A.V. Nurmikko, B.J. Fitzpatrick // Phys. Rev. Lett. 1987. - V. 58, № 14. - P. 1475-1478.

91. Localisation of exciton Anderson transition in ZnSe!xTex solid solutions / A. Reznitsky, S. Permogorov, S. Verbin, et al. // Sol. St. Comm. 1984. - Vol. 52, №1.-P. 13-16.

92. Кластеры Ten центры эффективной излучательной рекомбинации в ZnSeixTex (х < 0,2) / Акимова И.В., Ахеменян A.M., Козловский В.И., и др. // ФТТ. - 1985. - Т. 27, в. 6.-С. 1734-1741.

93. Localized excitons in CdSixSex solid solutions / S. Pergomorov, A. Reznitsky, S. Verbin, et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 1982. - Vol. 113, J^o 2. P. 589-594.

94. Наумов C.A., Пермогоров А.Ю., Резницкий A.H. / Экситонные спектры твердого раствора ZnSe,.xTex // ФТТ. 1987. - Т. 29, в. 2. С. - 337-384.

95. Крегер Ф. / Химия несовершенных кристаллов // М.: Мир, 1969.

96. Нгуен Чан Ха. / Связь некоторых свойств с дефектообразованием в ZnS и ZnSe // Маг. Дис. -М.: МЭИ. 2007.

97. Мидерос Д.А., Морозова Н.К. / Равновесие точечных дефектов и самоактивированная люминесценция в кристаллах ZnS, ZnSe // Докл. 36 межд. науч.-техн. семинара "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". М.: МЭИ. 2006. - С. 163-168.

98. G.D. Watkins / Optical properties of zinc vacancy in ZnSe // Bull. Amer. Phys. Soc.- 1970.-V. 15, №3.-P. 290-296.

99. Каретников И.А. и др. / Электропроводность тонких слоев ZnS // М.: Труды ИТ конф. М.: МЭИ. 1969. - С. 30-36.

100. Физика и химия соединений АПВУ1/ Под. ред. М. Авена // М.: Мир, 1970.

101. Морозова Н.К., Мидерос Д.А. / Связанный экситон на SA и SAL центрах ZnS(O) и ZnSe(O) // Изв. Вузов. Электроника, (в печати 2008).

102. Преобразование центров люминесценции CVD-ZnS при газостатировании / Морозова Н.К., Каретников И.А., Плотниченко В.Г., Гаврищук Е.М., Яшина Э.В., Иконников В.Б. // ФТП. 2004. - Т. 38, в. 1. - С. 39-43.

103. Влияние давления и температуры на равновесие точечных дефектов и ширину запрещенной зоны ZnS / Морозова Н.К., Каретников И.А., Гаврищук Е.М., Яшина Э.В., Плотниченко В.Г., Галстян В.Г. // Неорг. Матер. 2004. - Т. 40, № 11.-С. 1138-1145.

104. Влияние кислорода на электронную зонную структуру ZnS / Морозова Н.К., Каретников И.А., Данилевич Н.Д., Лисицын В.М., Олешко В.И. // ФТП. 2005. - Т. 39, № 5. - С. 513-520.

105. S. X. Li, E.E. Haller, K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, J. Wu, W. Shan, Hai Lu and William J. Schaff. / Effect of Native Defects on Optical Properties of InxGal-xN Alloys // Lawrence Berkeley National Laboratory. — 2005. Paper LBNL-57562.

106. Исследование центров люминесценции, обязанных присутствию меди и кислорода в ZnSe / Морозова Н.К., Каретников И.А., Блинов В.В., Гаврищук Е.М. // ФТП. 2001. - Т. 35, в. 1. - С. 25-33.

107. Костомаров Д.В. / Растворимость и кристаллизация сульфида и селенида цинка в щелочных гидротермальных растворах // Автореф. канд. дисс. — М.: ИКАН, 1987.

108. Чечеткина Е.А., Галактионов С.С., Бундель А.А. / Исследование растворимости ZnO в ZnS (вюрците) // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер. 1978. - Т. 14, № 8. - С. 1393-1398.

109. Nam Sungun, Rhee Jongkwang, О. Byungsung, Ki-Seon Lee. / Free-exciton luminescence and strain effect of high-quality ZnS/GaAs epilayers // J. Korean Phys. 1998. - Vol. 32, №2. - P. 156-161.

110. Морозова H.K. / Спектроскопия различных структурных форм сульфида цинка с изоэлектронными ловушками кислорода // Дис. докт. физ.-мат. наук.-М.: МЭИ, 1981.

111. S. Larach, R.E. Shrader, C.F. Stocker / Anomalus variation of band gap with composition in Zinc Sulfo- and Seleno-Tellurides // Phys. Rev. 1957. - Vol. 108, №3.-P. 87-89.

112. K. Kassali, N. Bouarissa / Composition and temperature dependence of electron band structure in ZnSxSeix// Mat. Chem. and Phys. 2002. - № 76. -P. 255-261.

113. Суслина JI.Д., Федоров Д.Л., Конников С.Г. и др. / Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSeix //ФТП. 1977.-Т. 11, № 10. -С.1934-1937.

114. A. Ebina, Е. Fukunaga, Т. Takahashi / Variation with composition of the E0 and Eo+Ao gaps in ZnSxSe,.x alloys // Phys. Rev. B. 1974. - Vol. 10, № 6. -P. 2495-2500.

115. V. Kumar, T.P. Sharma / Structural and optical properties of sintered ZnSxSeix films // Optical Materials. 1998. -№ 10. -P. 253-256.

116. S. Armstrong, P.K. Datta, R.W. Miles / Properties of zinc sulfur selenide deposited using a close-spaced sublimation method // Thin Solid Films. — 2002. -№403-404.-P. 126-129.

117. Мидерос Мора Д.А. Исследование оптических свойств сульфоселенидов цинка // Маг. дис. М.: МЭИ, 2005.

118. Исследование влияния кислорода на спектры катодолюминесценции и ширину запрещенной зоны ZnSxSej.x / Морозова Н.К., Каретников И.А., Мидерос Д.А., Гаврищук Е.М., Иконников В.Б. // ФТП. 2006. - Т. 40, № 10.-С. 1185-1191.

119. J.H. Song, E.D. Sim, K.S. Baek, S.K. Chang / Optical properties of ZnSxSe,.x (x<0.18) random and ordered alloys grown by metalorganic atomic layer epitaxy // J. Cryst. Growth. 2000. - № 214-215. - P. 460-464.

120. N. Lovergine, P. Prete, G. Leo, et al. / MOVPE Growth of Wide Band-Gap II-VI Compounds for Near-UV and Deep-Blue Light Emitting Devices // Cryst. Res. Technol. 1998. - Vol. 33, № 2. - P. 183-195.

121. K. Leutwein, A. Rauber, J. Shneider. / Optical and photoelectric properties of the F-center in ZnS // Sol. St. Commun. 1967. - Vol. 5, № 6. - P. 783-786.

122. Руманс К./ Структурные исследования халькогенидов при высоком давлении // М.: Мир, 1969.

123. Недоогло Д.Д., Симашкевич А.В. / Электрические и люминесцентные свойства ZnSe // Кишинев: Штиинца, 1984.

124. G.D. Watkins / Irradation effects in II-VI compounds in book Radiation effects in semiconductors. - 1971. - P. 301-309.

125. N.K. Morozova, D.A. Mideros, E.M. Gavrishuk / Self-Activated luminescence in ZnS-ZnSe system from positions of the band anticrossing model // Изв. Вузов Физика 2006.-№ 10.-С. 166-169.

126. Особенности спектров люминесценции ZnS(O) и ZnSCu(O) с позиций теории непересекающихся зон / Морозова Н.К., Мидерос Д.А., Гаврищук Е.М., Галстян В.Г. // ФТП (в печати 2008).

127. Роль фоновых примесей О и Си в оптике кристаллов ZnSe с позиций теории непересекающихся зон / Морозова Н.К., Мидерос Д.А., Гаврищук Е.М., Галстян В.Г. // ФТП. 2008. - Т. 42, № 2. - С. 131-135.

128. Голубева Н.П., Лавров А.В., Фок М.В. / О центрах люминесценции самоактивированного ZnS и ZnS-O,Си // Тр. ФИАН. 1983. — Т. 138. -С. 157-165.

129. Фотолюминесценция селенида цинка ионно-имплантированного кислородом / Аминов У.А., Галаев А.А., Георгобиани А.Н., Эльтазаров Б.Т. // Кр. сооб. по физике: ФИАН. 1996. - № 11-12. - С. 23-28.

130. Гурвич М.А. / Введение в физическую химию кристаллофосфоров // М.:ВШ, 1971.

131. Голубева Н.П., Фок М.В. / О природе центров зеленой люминесценции ZnS-O, Си IIЖПС. 1981. - Т. 35, №3. - С.551-553.

132. G.B. Stringfellow, R.H. Bube / Photoelectronic properties of ZnSe crystals // Phys. Rev. Vol. 1968.- 171, №3.-P. 903-916.

133. Рыжиков В.Д. / Сцинтилляционные кристаллы полупроводниковых соединений А2В6. Получение, свойства, применение // М.:НИИТЭХИМ 1989.

134. Research of the recombination centres in isovalently doping monocrystals ZnSe:Te / V.D. Ryjikov, V. Havrushin, A. Klazlauskaz et al // J. Lumines. -1992.-Vol. 52, № 1-4.-P. 71-81.

135. Балтрамеюнас P., Гаврюшин В., Рыжиков В.Д. / Спектроскопия глубоких центров в монокристалла ZnSe-Te методом лазерной модуляции двухступенчатого поглощения // ФТП. 1988. - Т. 22, №7. — С. 1163-1170.

136. Рыжиков В.Д. / Высокоэффективные полупроводниковые сцинтилляторы на основе соединений А2Вб// М.:НИИТЭХИМ, 1984.

137. I. Yao, М. Kato, J.J. Davies, Н. Taning / Photoluminescence of exitons bound at Те isoelectronic traps in ZnSe // J. of Crys. Growth. 1988. - Vol. 86. P. 552-557.

138. Distribution of chalogen atoms in the wurtzite CdSxSeix solid solution: experimental study by x-ray absorption / A. Ramos, C. Levelut, J. Petiau, J. Villain // J. Phys. Condens. Matter. 1993. - Vol. 5. - P. 3507-3518.

139. Evidence for persistence of free and impurity-bound excitons in Se Rich CdS. xSex alloys / C. Gourdon, P. Lavallard, S. Permogorov, A. Reznitsky // J. of Luminescence. 1988. - Vol. 39, № 4. - P. 269-274.

140. Собственные дефекты в люминесценции CVD-конденсатов ZnSe / Морозова Н.К., Гаврищук Е.М., Каретников И.А., Галстян В.Г. // ЖПС. -1996.-Т. 63, №5.-С. 731-738.

141. F. Rong, G.D. Watkins / ODMR observation of close frencel pairs in electron-irradiated ZnSe // Defects in semiconductors Materials Science Forum V. 1012.- 1986.-P. 837-842.

142. Агельманов M.E., Левит А.Д., Панасюк Е.И. / Выращивание и свойства нелегированного ZnSe р-типа проводимости // Изв. АН СССР. Неорг. Матер. 1991. - Т. 22, № 3. - С. 387-391.

143. F.A. Kroeger and J.A.M. Dikhoff / The function of oxygen in Zinc Sulfide Phosphors // J. of the Electrochemical Soc. 1952. - Vol. 99, № 4. - P. 144154.

144. Возможности использования оптических методов контроля качества монокристаллах гидротермального ZnS / Морозова Н.К., Кузнецов В.А., Штернберг А.А., Каретников И.А. // Кристаллография. 1979. - Т. 24, № 5. -С. 1088-1092.

145. Тущение краевого излучения ZnS при введении центров свечения и тушения / Левшин В.Л., Воронов Ю.В., и др. // ЖПС. 1972. - Т. 17, в. 4. -С. 636-641.

146. Люминесценция ZnSe, сильно легированного медью / Морозова Н.К., Гаврищук Е.М., Каретников И.А., Блинов В.В. и др. // Неорган, матер. -2002. Т. 38, № 6. - С. 674-681.

147. Георгобиани А.Н. / Физика соединений AnBVI // М.: Наука, 1986.

148. Влияние способа легирования кристаллов n-ZnSe медью на структуру центров свечения длинноволновой люминесценции / Иванова Г.Н., Касиян В.А., Недеогло Д.Д. и др. // ФТП. 1998. - Т. 32, №2. - С. 171-177.

149. Влияние ионного легирования кислородом на оптические свойства сульфида кадмия / Морозова Н.К., Разгуляев И.Н., Морозов А.В., Каретников И.А., Назарова Л.Д., Галстян В.Г. // Неорг. матер. 1994. — Т. 30, №6.-С. 731-736.

150. Growth by solid phase recrystallization and assessment of large ZnSe crystals of high purity and structural perfection / R. Triboulet, J.O. Ndap, A. Tromson-Carli, et. al. //J. Cryst. Growth. 1996. - Vol. 159, № 1-4. - P. 156-160.

151. U. Flesh, R.A. Hoffman and R. Rass / Exciton luminescence of cubic ZnS crystals // J. Lumines. 1970. -№ 3. - P. 137-142.

152. M. Kitagawa, Y. Tomomura / Photo-assisted homoepitaxial growth of ZnS by molecular beam epitaxy // J. Cryst. Growth. 1990. - Vol. 101. - P. 52-55.

153. S. Iida / Growth and characterization of p-type VPE ZnS layers // J. Cryst. Growth.- 1990.-Vol. 101.-P. 141-146.

154. H. Samelson, A. Lempicki / Fluorescence of cubic ZnS-Cl crystals // Phys. Rev. B. 1962. - Vol. 125, № 3. - C. 901-909.

155. Исследование оптических и структурных свойств порошков сульфида цинка и люминофоров на их основе с целью отработки методики контроля их качества / Морозова Н.К., Каретников И.А. и др. // Отчет о научно-исследовательской работе -М.: МЭИ, 1990.

156. Получение массивных слоев ZnSxSeix CVD-методом с последующей газостатической обработкой / Гаврищук Е.М., Савин Д.В., Иконников В.Б., и др. // Неорг. Матер. 2006. - Т. 42, № 8. - С. 928-933.

157. S. Kishida, К. Matsuura, Н. Mori / Temperature dependence of the 2,5 eV emission in Se treated ZnSe crystals // Phys. Stat. Sol. (a). - 1988. - Vol. 109, №2.-P. 617-623.

158. S. Kishida, K. Matsuura, A. Matsuoka / The transient behaviors of the 2,5 eV emission band in Se treated ZnSe crystals // Phys. Stat. Sol. (a). — 1988. — Vol. 105, № 2. - P. K165-K168.

159. Морозова H.K., Каретников И.А., Гаврищук E.M. / Роль кислорода в формировании глубоких центров люминесценции ZnSe // Неорг. матер. — 1999. Т. 35, № 8. - С. 917-922.

160. Иванова Г.Н., Касиян В.А., Недеогло Д.Д. / Фотолюминесценция кристаллов n-ZnSe, легированных донорной и акцепторной примесями из солевого расплава LiCl // ФТП. 1997. - Т. 31, в. 11. - С. 1327-1331.

161. Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами / Горн И.А., Мартынов В.Н., Волкова Е.С., Гринев В.И. // ФТП. 1990. - Т. 24, № 2. - С. 538-543.

162. Мартынов В.Н., Волкова Е.С. / Оптические свойства Р+-центра в ZnSe // Мат. Элект. Тех. 1999. - № 2. - С. 66-69.

163. Фотолюминесценция термически обработанных кристаллов селенида цинка / Иванова Г.Н., Недеогло Д.Д., Симашкевич А.В., Сушкевич К.Д. // ЖПС. 1979. - Т. 30, № 3. - С. 459-463.

164. Влияние контролируемого изменения собственных точечных дефектов и кислорода на оптические свойства CdS / Морозова Н.К., Морозов А.В., Каретников И.А., Назарова Л.Д., Данилевич Н.Д. // ФТП. 1994. - Т. 28, №10.-С. 1699-1713.

165. I.M. Catalano, A. Cingoliani and A. Minafra / Spontaneous and stimulated luminescence in CdS and ZnS excited by multiphonon optical pumping // Phys Rev. B. 1973. - Vol. 8, № 4. - P. 1488-1492.

166. S. Kishida, K. Matsuura, H. Mori / The 2,5 eV emission band in the Se-treated ZnSe crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1988. - Vol. 106, № 1. - C. 283-289.

167. Universal bandgap bowing in group-Ill nitride alloys / J. Wu, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J.W. Ager III, S.X. Li, E.E. Haller, Hai Lu, William J. Schaff. // Sol. St. Comm. 2003. - Vol. 127. - P. 411-414.

168. Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe / Квит А.В., Медведев С.А., и др. // ФТТ. 1998. - Т. 40, в. 6. - С. 1010-1017.

169. Концентрационный сдвиг ширины запрещенной зоны твердого раствора ZnSeixTex (0 < х < 1) / Наумов А.Ю., Пермогоров С.А., Резницкий А.Н., Жулай В .Я., Новожилов В. А., Петровский Г.Т. // ФТП. 1987. - Т. 21, № 2.-С. 350-352.