Процессы переноса и рекомбинации неравновесных зарядов в поликристаллах халькогенидов цинка тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Лифенко, Валерий Михайлович

• Лифенко, Валерий Михайлович
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Лифенко, Валерий Михайлович

ОГЛАВЛЕНИЕ. Стр.

Перечень основных обозначений. 4 Введение. 5 Глава 1: Литературный обзор. Оптические и электрические свойства халькогенидов цинка

1.1 Некоторые физические и химические параметры ZnSe и ZnS

1.2 Рекомбинационное излучение и центры захвата в кристаллах

ZnSe и ZnS

1.3 Процессы переноса заряда в полупроводниках с межзеренны-

ми границами

1.4 Явление остаточной проводимости в неоднородных полупроводниках

1.5 Выводы к первой главе. 33 Глава 2: Экспериментальные методики и аппаратура для комплексного исследования широкозонных материалов с дефектами различной размерности

2.1 Методика регистрации спектров ФЛ и ТСЛ.

Исследование фотоэлектрических свойств

2.2 Методика исследования оптического поглощения

2.3 Исследование полевых эффектов в поликристаллах

2.4 Дополнительные экспериментальные методы исследования

2.5 Характеристика исследуемых образцов

2.6 Заключение ко второй главе

Глава 3: Радиационное дефектообразование, процессы переноса и рекомбинации заряда в поликт\

3.1. Излучательная рекомбинация в поликристаллах ZnSe и ZnS

3.2. Оптическое поглощение, кинетика формирования и обесцвечивания полос, связанных с F+ - центрами в моно и

поликристаллах ZnS, облученных быстрыми электронами

3.3. Фотостимулированный электронный перенос в поликристаллическом 2пБе с центрами Б - типа

3.4. Термостимулированный перенос заряда в поликристаллах

2п8е, облученных быстрыми электронами

3.5 Выводы к третьей главе

Глава 4: Процессы переноса заряда в поликристаллах селенида

цинка при наличии поля

4.1. Вольт-амперные характеристики поликристаллов ZnSQ, обладающих длинновременной релаксацией проводимости

4.2. Переходные процессы в поликристаллах ¿пБе при наличии постоянного поля

4.3. Влияние поля на энергию активации проводимости и соотношение барьеров в поликристаллах 2пБе

4.4. Остаточная, фото- и термостимулированная проводимость в поликристаллическом селениде цинка

4.5 Выводы к четвертой главе

Глава 5: Рекомбинация неравновесных носителей заряда в

поликристаллах халькогенидов цинка при наличии постоянного поля

5.1. Полевые эффекты в поликристаллическом сульфиде цинка

5.2. Влияние перезарядки ловушек на кинетику длинновременной релаксации проводимости в поликристаллах 2п8

5.3. Процессы переноса и рекомбинации в поликристаллах селенида цинка после высокотемпературной обработки давлением

5.4 Выв с пятой главе

Заклю-.яие

Список литературы

ОСНОВНЫЕ СОКРАЩЕНИЯ.

ВАХ - вольт-амперная характеристика

ДАЛ - донорно-акцепторные пары

ДРП - длинновременные релаксации проводимости

ИОП - индуцированное оптическое поглощение

ИФП - индуцированная фотопроводимость

КЛ - катодолюминесценция

ЛАХ - люкс-амперная характеристика

МЗГ - межзеренная граница

ННЗ - неравновесные носители заряда

ОДМР - оптически детектируемый магнитный резонанс

ОП - оптическое поглощение

ОПр - остаточная проводимость

СА - самоактивированное (свечение)

ТСП - термостимулированная проводимость

ТСТ - термостимулированный ток

ТСЛ - термостимулированная люминесценция

ТЗТТ - температурная зависимость темнового тока

ФВ - фотовозбуждение

ФЛ - фотолюминесценция

ФП - фотопроводимость

ЭПР - электронный парамагнитный резонанс

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Процессы переноса и рекомбинации неравновесных зарядов в поликристаллах халькогенидов цинка»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Среди соединений и 2п8е зани-

мают важное место. Эти материалы используются как эффективные фото-, электро-, катодолюминофоры и благодаря этому нашли применение при изготовлении экранов электронно-лучевых трубок, детекторов ИК -излучения, приборов для визуализации длинноволнового излучения. Квантовый выход люминесценции в лучших люминофорах на основе ZnS близок к 100%. Высокая чувствительность ¿пБ позволяет разрабатывать на его основе фотосопротивления для коротковолнового света. Наличие прямых зон обусловливает высокую эффективность излуча-тельной рекомбинации электронов и дырок, а также генерации электронно-дырочных пар при поглощении коротковолнового света, что открывает возможности для их применения в качестве активных элементов полупроводниковых лазеров. Широкое распространение получили сцин-тилляторы на основе ZnS-Ag. ZnS может использоваться в качестве рабочего вещества детекторов ионизирующих излучений, представляющих собой твердотельные ионизационные камеры. Благодаря большой ширине запрещенной зоны возможна работа таких детекторов при комнатной температуре. I

Важным разделом физики твердого тела является радиационная физика полупроводников АПВУ1. Несмотря на исследования в этой области отечественных и зарубежных ученых, позволяющие установить некоторые закономерности образования радиационных дефектов в ZnS , ¿пБе многие вопросы остаются открытыми. В частности, до сих пор отсутствует надежная индентификация и определение основных параметров простейших радиационных дефект типа компонент френкелев-ских пар в подрешетках металла и металлоида, а также более сложных комплексов. Приборы, разработанные на основе 2п8, ¿пБе в виду высокой радиационной стойкости этих материалов, могут быть использованы

для работы в полях ионизирующих излучений. Поэтому вопросы, связанные с влиянием исходных свойств ZnS и ZnSe на радиационное де-фектообразование, особенности поведения радиационных дефектов и радиационную стойкость очень актуальны. Одним из аспектов этой проблемы является влияние межзеренных границ (МЗГ) поликристаллов на радиационно- стимулированные процессы в халькогенидах цинка.

Новейшие технологии выращивания позволяют получать массивные поликристаллические образцы, сравнимые по электроптическим свойствам с монокристаллами и обладающие повышенными механическими параметрами, кислото- и радиационной стойкостью. Это расширяет область применения данных материалов в оптоэлектронике. Наличие межзеренных границ позволяет рассматривать поликристалл в качестве гетероструктуры, содержащей переходы типа барьеров Шоттки. Эти свойства используются для создания элементов микроэлектроники с высокой степенью интегральности.

Использование поликристаллов ZnS, ZnSe в оптоэлектронике, радиотехнике вызывает насущную потребность изучения процессов переноса заряда через МЗГ. Современная теория переноса заряда в поликристаллах разработанная Дощановым K.M. объединяет модели термоэлектронной эмиссии и диффузионную, при этом учитывается влияние поля на концентрацию свободных носителей в объеме зерна. Влияние глубоких уровней на процесс переноса заряда считается незначительной. Используемый матаппарат позволяет определить ряд параметров неоднородного потенциального рельефа, создаваемого МЗГ и выявить причины, определяющие нел7" ~чные свойства поликристаллов. Наличие остаточной проводимости v р), длинновременных релаксаций проводимости (ДРП), нелинейных В АХ в поликристаллах Zns, ZnSe с глубокими уровнями затрудняет использование обобщенной модели переноса заряда через МЗГ при наличии поля и при фотовозбуждении.

Этим определилась цель выполненной работы.

Цель работы состояла в исследовании механизмов переноса заряда и рекомбинационных процессов в поликристаллах халькогенидов цинка.

Для конкретизации цели поставлены следующие задачи:

- изучение влияния поля на рекомбинационные процессы в поликристаллических сульфиде и селениде цинка;

- изучение влияния электрического постоянного поля на фото- термо-стимулированный перенос в поликристаллических сульфиде и селениде цинка;

- влияние высокотемпературной обработки давлением, отжига в парах цинка на процессы переноса и рекомбинации в поликристаллах 2п8, гпБе;

- изучение фото- и термостимулированного переноса в поликристаллических сульфиде и селениде цинка с Р- центрами.

- исследование влияния роли МЗГ на процессы радиационного дефек-тообразования в поликристаллах при облучении электронами с энергией 5 МэВ;

I:

Научная новизна и основные положения выносимые на защиту.

Изучено влияние МЗГ на процессы радиационного дефектообра-зования в поликристаллах и 2п8е.

Обосновано наличие фототермической ионизации для возбужденного - центра при 80К. Детализирован характер электронных переходов, г данных с парами Френкеля в селениде цинка.

н аследовано влияние постоянного поля, на про. ' :ы переноса в поликристаллах 2п8 и 7п8е.

Изучено влияние электрического поля, отжига в парах цинка, интенсивности фотовозбуждения и высокотемпературной обработки дав-

лением на рекомбинационные процессы в поликристаллах халькогени-дов цинка.

Для монокристаллов ЪпЪ, облученных электронами, установлено повышенное радиационное окрашивание в полосах оптического поглощения (ОП) центров, а также большая скорость формирования полос под действием ультрафиолетового света по сравнению с поликристаллами.

Особенности ДРП, наблюдаемые в поликристаллах 2п8е, обработанных давлением 100-500 МПа в условиях повышенной температуры, обусловлены как структурными изменениями, так и появлением точечных дефектов, изменяющих кинетику релаксационных процессов.

Практическая ценность: результаты исследования ДРП и ее зависимости от величины приложенного поля, наличия собственных дефектов и величины удельной поверхности кристаллитов могут применяться для разработки устройств памяти, видиконов, элементов автоматики.

- результаты изучения влияния МЗГ на процессы радиационного де-фектообразования в халькогенидах цинка могут быть использованы для прогнозирования изменений оптоэлектронных свойств поликристаллов в полях ионизирующих излучений.

- облучение быстрыми электронами в вакууме, отжиг в парах металла и обработка давлением при высоких температурах могут быть использованы для направленного и стабильного изменения свойств поликристаллов 2пБе.

Автор защищает:

- экспериментальные данные по кинетике формирования полос ОП Б+- центров в поликристаллах

- результаты исследования оптического и индуцированного оптического поглощения, кинетики формирования и обесцвечивания полос ОП центров Б- типа в облученном электронами поликристаллическом ZnS на основе зонной модели , включающей центры Е- типа и электронные ловушки;

- модель термостимулированного и фотостимулированного процессов переноса в 2пБе , облученного электронами, механизм взаимного преобразования Б и Б+ - центров;

- результаты исследования влияния поля и интенсивности фотовозбуждения (ФВ) на соотношение рекомбинационного (Ерек) и дрейфового (Едр) барьеров в поликристаллах халькогенидов цинка;

- интерпретацию особенностей фотопроводимости (ФП) и индуцированной фотопроводимости (ИФП) поликристаллов 2пБе , их нелинейные ВАХ и "гистерезисные" явления;

- экспериментальные результаты по перезарядке электронных ловушек при воздействии постоянным полем и ФВ в поликристаллах халькогенидов цинка;

- результаты исследования влияния обработки давлением при высоких температурах на процессы переноса и рекомбинации в поликристаллах 2п8е.

Апробация работы. Основные результаты представлялись на 9-ой Международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов (Томск 1996), На Уральском совещании по сцин-ти" "^орам и их применению г. Екатеринбург БСШТМАТ 96 Ек: тпЬига, докладывались на республиканских кот : ренциях (Биолого- химические и физико-технические методы и средства в современных научных исследованиях; Проблемы, достижения и перспективы развития ФТТ. г. Кустанай, КГУ, Казахстан 1995, 1996 г.)

Публикациям. По материалам диссертации опубликовано 10 работ.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения , пяти глав , заключения и библиографического списка из 120 наименований. Работа содержит 136 страниц, в том числе 96 страниц основного текста, 6 таблиц и 38 рисунков.

Содержание работы.

В введении сформулированы актуальность темы, цель диссертационной работы, научная новизна, практическая ценность и основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава содержит краткий обзор литературы. Приведены основные результаты работ отечественных и зарубежных авторов по изучению свойств центров Б- типа в аддитивно окрашенных, облученных электронами и нейтронами кристаллах ZnS, 2пБе идентификации Р+- центров методом ЭПР, обоснованию связанной с Б+ -центрами из-лучательной рекомбинации в ближней ИК- области. Было установлено, что формирование полос ОП Р+- центров с максимумами 2.3 и 2.9 эВ при возбуждении обусловлено перезарядкой Б- центров в ZnS. Однако механизм формирования полос ОП и последующего обесцвечивания кристаллов до конца не ясен. Ранее установлено, что в спектрах ОП аддитивно окрашенных в парах Тп и облученных нейтронами монокристаллах 2пБе проявляются полосы с максимумами около 2.5, 2.2, 2.0, 1.9, 1.6, эВ, однако с^словливающие их центры не идентифицирована не установлен хара/ о электронных переходов, приводящих к их по; . лению. Поэтому перед нами стояла задача - исследовать с помощью метода ОП поведение центров Р - типа в облученном высокоэнергетичны-ми электронами ZnSQ и , сопоставляя полученные данные с известным

для , попытаться построить завершенную модель центров Р- типа, выяснить причины определяющие скорость фотостимулированного переноса в 2п8е с И -центрами.

Барьерная модель удовлетворительно описывающая перенос и рекомбинацию неравновесных носителей заряда (ННЗ) в неоднородных полупроводниках, предполагает существование рекомбинационного и дрейфового барьеров , возникающих в результате перекрытия пространственных зарядов низкоомных (НО) и высокоомных (ВО) областей. При этом НО области содержат мелкие доноры, а ВО - глубокие центры рекомбинации. Свойства неоднородностей, обусловленных флуктуацией плотности и спектра локальных состояний, размеров и ориентации зерен, характерной для поликристаллов, описываются моделью случайно-неоднородного полупроводника. Исследование длинновременной релаксации проводимости в неоднородно легированном Мп, позволило установить, что величина остаточной проводимости определяется степенью компенсации К= Иа /N(1 и что кинетика ДРП не зависит от концентрации примеси.

Особенности фотоэлектрических свойств неоднородного ZnSQ интерпретируются на основе существования НО и ВО областей с различным набором локальных состояний. Величина фотопроводимости в зависимости от поля, контролируется либо НО, либо ВО областями. При исследовании холловской подвижности в 2п8е: Тп выявлено пространственное перераспределение электронов и дырок ВО области. Эффект обусловлен удалением свободных мест на центрах рекомбинации от гра^ч ВО и НО областей.

Для барьерного механизма проводимости поли к -сталлов используется либо диффузионная, либо модель термоэлектронной эмиссии (ТЭЭ). В модели ТЭЭ потенциальный барьер, создаваемый акцепторными состояниями, определяется величиной заряда МЗГ. Обнаружена за-

висимость энергии Ферми на МЗГ от степени легирования 81. Изменение уровня Ферми и попадание его на различные участки плотности состояний МЗГ соответствует изменению заряда, связанного на поверхности раздела. Обобщенная модель переноса заряда объединяет эти модели и учитывает влияние размера зерен на электропроводность - зависимость концентрации носителей в объеме зерна от величины приложенного поля. Это позволило объяснить нелинейную электропроводность поликристаллов 81.

Заслуживает внимания исследование влияния постоянного поля, интенсивности ФВ, исходной дефектности и последующей обработки кристаллов 2п8, 2п8е на кинетику ДРП, процессы переноса и рекомбинации ННЗ. Важно определить роль МЗГ в процессах происходящих при отжиге кристалла в парах собственных компонентов, при высокотемпературной обработке давлением.

Во второй главе описаны методики исследования оптических, люминесцентных и электрических свойств полупроводников, приведена характеристика объектов исследования. Для изучения поликристаллов использовались методы оптической, фотоэлектрической и люминесцентной спектроскопии с помощью которых были получены спектры ОП, фото- и индуцированной проводимости, фото- термостимулирован-ной люминесценции (ФЛ, ТСЛ), термостимулированной проводимости (ТСП), оптической микроскопии.

Люминесцентно- оптические измерения проводились на аттестованных установках в интервале тем~°ратур от 80 до 350 К. Измерение спектров ОП проводилось на спек жетре "8РЕС01Ш-М40". Для исследования процессов переноса и рекомбинации носителей заряда использовались методики ВАХ и релаксации проводимости при наличии поля. Высота дрейфового барьера определялась из температурной зави-

симости темнового тока (ТЗТТ). Мгновенное время релаксации (т мгн) рассчитывалось по формуле:

х мгн = сг/и из угла наклона зависимости т мгн. (1) определялось соотношение барьеров У— Ерек / Едр.

В качестве объектов исследования были выбраны нелегированные монокристаллы 2п8, выращенные газотранспортным методом и поликристаллы 2п8, 2п8е , полученные химическим осаждением из газовой фазы (СТО- метод) и методом металлоорганического синтеза (МОСУО-метод). Концентрация неконтролируемых примесей в тех и других образцах не превышала 1017 см"3. Кроме исходных, исследовались образцы 2п8 отожженные в насыщенных парах цинка (1100°С, £=60 мин), обработанные давлением (Р= 100,200, 500 МПа, Т= 800°С) и облученные электронами. Моно-и поликристаллы облучались при 300 К электрона-

152

ми с энергией 5 МэВ и флюенсом 1,7 • 10 см" (линейный ускоритель) в вакууме с контролируемыми температурой и интенсивностью излучения.

Третья глава посвящена процессам рекомбинации и переноса ННЗ при фото - и термовозбуждении, а также исследованию радиационного дефектообразования в поликристаллах 2п8, Zn$Q.

Спектры ФЛ необлученных поликристаллов ZnSe содержали интенсивную полосу излучения с максимумом 445 нм, имеющую экситон-ную природу. Образцы 2п8е, выращенные при температурах 583 и 694 °С не содержали " -ектрах люминесценции иных полос излучения. Поликристаллы. вырк енные при 785°С 1фоме экеитонной люминесцек и обладали интенсивной полосой излучения 458 нм, сопровождаемую эквидистантной серией многофонных повторений. Вероятнее всего данная полоса ФЛ обусловлена собственными дефектами типа (У&гУгп).

Спектры ФЛ образцов ZnS (MOCVD), выращенных при температуре 380-510 °С, содержат интенсивную полосу излучения с максимумом около 470 нм. Образцы синтезированные при более высоких температурах (580 и 640°С) не люминесцировали. В литературе полосу ФЛ 470 нм связывают с наличием Zn¡ в ZnS, входящего в качестве донора в состав центров свечения. В пользу данной модели говорят и результаты исследования кривых ТСЛ на которых для данных образцов присутствует полоса с максимумом около 113 К, ответственная за Zn¿.

Описаны результаты исследования электронного переноса в поликристаллах ZnS, ZnSe облученных быстрыми электронами (Е =5 МэВ, Ф

ТО у

=1.7-10 см' ). На рис. 1. приведены кривые характеризующие кинетику формирования полосы 2,3 эВ под влиянием УФ света (3,5 эВ) в ZnS. Скорость роста концентрации F+- центров, определенная из кинетики полос на начальных этапах формирования в поликристаллах меньше. Фотостимулированный перенос электронов в ZnS с центрами F- типа определяется концентрацией созданных облучением Vs и центров захвата (Zni). Данных о центрах захвата в облученных поликристаллах методом ТСЛ получить не удалось из-за малой ее интенсивности, в то время как в облученных монокристаллах обнаруживаются центры захвата, ответственные за пики ТСЛ с максимумами при Т=97 К, 132 и 170 К. Центры захвата при Т=97 К на кривых ТСЛ появляются в монокристаллах после облучения электронами и связаны с Zn, - основным компенсатором заряда F- центров. В поликристаллах, возникающий при облучении Zni стекает на МЗГ и поэтому на кривых ТСЛ соответствующий пик ; проявляется: Таким образом при сравнимых jv ¿щентрациях примесных атомов в исходных моно- и поликристаллах, а также первично созданных облучением френкелевских пар, концентрация ловушек в монокристаллах значительно превышает их концентрацию в поликристаллах. Большая-скорость электронного переноса в монокристаллах обусловлена

тем, что отношение вероятностей рекомбинации на Б-центрах высвобожденных электронов и захвата их на свободные ловушки в поликристаллах превышает это отношение для монокристаллов. Методами ОП, ТСЛ, неизотермической релаксации ОП исследованы фото- и термостимули-рованный перенос заряда в поликристаллах 2п8е с Р- центрами. Обнаружены фоточувствительные Б и Б+ -центры ответственные за полосы ОП 2.5; 2.2; 1,9 эВ. Предложен механизм взаимного преобразования Б и Б+- центров на основе зонной модели включающей центры Р-типа и электронные ловушки. Согласно этой модели с Б- центрами связана полоса ОП 2,5 эВ, а Б+- центры ответственны за фоточувствительные полосы 2,2 и 1,9 эВ. Становятся понятными причины меньшей интенсивности полос ОП Р+- центров в 2пБе по сравнению с 2пБ. В ZnS концентрация центров захвата значительно больше, о чем свидетельствуют данные ТСЛ. Полоса ОП 2,2 эВ обусловлена переходом в ионизированное состояние, а 1,9 эВ- в возбужденное с последующей термической доионизацией. Изменение оптической плотности (ЛИ) в полосе 1,9 эВ при термическом ступенчатом девозбуждении ZnSe объясняется на основе предложенной модели. При нагреве от 80 до 100К происходит де-локализация электронов с центров захвата, обусловленных мелким донором Ъщ. Часть их рекомбинирует с дырками на центрах свечения , а часть через С- зону захватывается на - центры, переводя их в Б- центры - уменьшается ДБ в полосе 1,9 эВ (рис.2). При Т>110 К АО возрастает до 160 К, что вызвано термическим высвобождением дырок с дырочных центров захвата в валентную зону и последующей рекомбинацией с Р-центрами. Осуществляется чоцесс преобразования Р -> Б+.

В четвертой главе исследуются процессы переноса неравновесного заряда в поликристаллах 2п8е при наличии поля.

ВАХ, измеренные при 80 и 300К, отдельных образцов 2п8е в ре-лаксированном состоянии, кроме линейного имели сверхлинейный участок. После ФВ линейность нарушалась, при этом наблюдались ДРП и ОПр, что свидетельствует о наличии в материале неоднородного потенциального рельефа. С увеличением интенсивности ФВ кинетика ДРП изменялась, при этом У- увеличивалась, что обусловлено замедлением темпа рекомбинации. Наличие ДРП, ОПр, нелинейность ВАХ предполагает использование двухбарьерной модели случайно-неоднородного полупроводника для описания переноса НТО в поликристаллах Наблюдаемое различие в ходе ВАХ, при нарастании и убывании приложенного напряжения (II) обусловлено заполнением ловушек, что подтверждается влиянием на эффект подсветки . Изменение высоты Едр

при переносе заряда по электронным состояниям НО и ВО областей

/

приводит к нелинейности ВАХ 2пБе.

Выявлено влияние поля на энергию активации проводимости и соотношение барьеров У. С увеличением поля от 50 до 700 В/см высота Едр уменьшалась, а значение У -увеличивалось. Изменение температуры образца от 80 до 300 К сопровождается увеличением У. При этом прямая Тмгн (0 проходила выше при 300 К. Во время исследования температур- ¡, ной зависимости проводимости при нагреве и охлаждении 2пБе наблюдалось явление "гистерезиса". При охлаждении кривая а (Т) проходила выше, чем при нагревании. С увеличением напряженности (Е) максимального поля эффект усиливается, что по-видимому связано с миграцией ННЗ в результате которой происходит перезарядка акцепторных состояний МЗГ. При этом изменяется потенции .ный рельеф, это подтверждается кинетикой проводимости при нал,.чаи поля. После приложения поля ток через образец не устанавливался мгновенно, а после первоначального выброса релаксировал к квазиравновесному состоянию. В малых тянущих полях Е= 50 В/см релаксация была спадающей, а

при Е=900 В/см переходила в нарастающую. Это обусловлено понижением потенциального барьера в сильных полях в результате интенсивного переноса электронов из НО областей и возрастание удельного объема структуры участвующей в переносе заряда.

Поведение и особенности фоточувствительных полос ФП, ТСП ZnSe объяснено на основе модели неоднородного полупроводника. Наличие НО и ВО областей с отличным спектром и плотностью локальных состояний приводит к увеличению фоточувствительности ZnSe в длинноволновой области после ФВ и появлению ОПр на фоне которой селективные полосы ФП, ответственные за локальные центры, не проявляются. Различный спектральный состав ловушек НО и ВО областей подтверждается спектрами ТСП, снятыми в различных полях. В поле с напряженностью Е=Т0 В/см в спектре ТСП наблюдались пики при 132, 163, и 191 К, с Е= 100 В/см - пики при 118 и 191 К, за которые ответственны ,очевидно, комплексы, связанные с Zni и локальный Zni.

В пятой главе исследованы полевые эффекты обусловленные перезарядкой ловушек в поликристаллах ZnS, ZnS:Zn , а также изучено влияние высокотемпературной (ВТ) обработки давлением на .процессы переноса и рекомбинации ННЗ в ZnSe.

Исследование ТЗТТ показало, что Едр с увеличением напряженности поля уменьшается, как для исходного, так и отожженного в парах Zn образцов ZnS.

В спектрах ТСП исходного ZnS наблюдались пики с максимумами при 118, 142, 190 и 230 К, по отжига в Zn - при 123, 208 К. Изменения в спектрах ТСП очевидно с..- ; ны с уменьшением концентрации донор-но-акцепторных пар Vzn - Znj и изолированных дефектов Vzn.

С увеличением напряженности поля в спектре ТСП ZnS наблюдалось перераспределение интенсивности пиков с максимумами около 118

и 143 К в пользу последнего. В полях с Е > 300 В/см появляются интенсивные ВТ пики при 230 и 208 К, в спектрах ТСП и 2п8: Ъ\ соответственно- происходит перезахват электронов с мелких на более глубокие локальные уровни. Усиление поля сопровождается участием в электропереносе областей кристаллитов более удаленных от границы НО и ВО областей с иным спектром локальных центров.

Исследование кинетики ДРП выявило с увеличением поля не монотонно возрастающую зависимость У(Е) для в отличии от Это может быть обусловлено наличием конкурирующих процессов, связанных с перераспределением рекомбинационных потоков.

Отжиг в насыщенных парах Ъп приводит к изменению концентрации Хщ, тем самым изменяя соотношение акцепторных центров быстрой и медленной рекомбинации. Это объясняет немонотонную зависимость У(Е).

Из сопоставления спектров ТСП и зависимости У(Е) обнаружено, что изменение кинетики ДРП в ZnS с увеличением поля связано с перезарядкой локальных центров неоднородно расположенных по объему кристаллитов с глубиной залегания 0,09 -0,17 и 0,82 эВ. Это подтверждается исследованием предварительного воздействия поля при ФВ на кинетику ДРП. Наблюдаемое при этом уменьшение интенсивности пика ТСП при 108 К сопровождалось увеличением значения У, что видимо обусловлено более сильным пространственным разделением электронно-дырочных пар, возникающих при ФВ.

Исследовано влияние давления (Р) на электрические свойства ХпБе. Обт гботка 7п5е давлением при 800°С привела к ^вменению структуры писталлитов и условий переноса ННЗ при нал и ! поля. С ростом давления обнаружено немонотонное изменение Едр, со спадающим и возрастающим участками.

Соотношение барьеров Y принимала значения 1,013; 0,965; 0,945; 0,968 (± 0,005) соответственно при Р= 0; 100; 200; 500 МПа. Перераспределение интенсивности пиков 108; 150; 194 К в спектрах термостимули-рованного тока, связанных с комплексом Vzn -Zni и Zni после обработки

г I ' Г» T^rj-i vy _

давлением и результаты ТЗТТ, оптическои микроскопии позволяют заключить, что изменение потенциального рельефа обусловлено "развалом " комплексных центров Vzn - Zni ; и переходом Zni с МЗГ в объем кристаллитов. Увеличение концентрации Zni приводит к уменьшению У от 1,013 до 0,945 и Едр от 1,07 до 0,59 эВ.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Лифенко, Валерий Михайлович

Выводы к пятой главе:

1. Влияние поля на процессы переноса ННЗ в 2п8(0), ZnS(Zn) определяется участием в перезарядке глубоких уровней. Особенности зависимости У(Е) обусловлены изменением концентрации комплексов У^-Ъь^ и Угп и объясняется наличием конкурирующих процессов, связанных с перераспределением рекомбинационных потоков при изменении концентрации Zm. Эффект может объясняться наличием двухзарядного акцептора, расположенного около дна зоны проводимости. Изменение кинетики ДРП с увеличением поля в 2п8 связано с перезарядкой локальных центров с Е=0.09-0.17 и 0.82 эВ, расположенных неоднородно по южсталлу. л.

2. Инверсия ТОТ, сопровождаемая уменьшением амплитуды пика 108 К, ответственного за Zni обусловлена перераспределением ННЗ на глубокие ловушки, более удаленные от границы НО и ВО областей. При этом рекомбинация определяется пространственным разделением электронно-дырочных пар, возникающих в ZnS при ФВ.

3. Длинновременные релаксации проводимости в поликристаллах ZnSe, обработанных давлением от 100 до 500 МПа в условиях повышенных температур, обусловлены как структурными нарушениями так и появлением в объеме зерна, изменяющих кинетику релаксационных процессов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. В облученном высокоэнергетичными электронами (Е= 5 МэВ) Ф=1,7 * 1018 см'3 поликристаллическом 2п$е обнаружены фоточувствительные Е- и Е+ -центры, ответственные за полосы ОП 2,5; 2,2; 1,9 эВ. Предложен механизм взаимного преобразования Б- и Е+ -центров. Исследования оптического и индуцированного поглощения, кинетики формирования и обесцвечивания, неизотермической релаксации и взаимного преобразования центров Б - типа в облученном электронами поликристаллическом 2п5е непротиворечиво могут быть объяснены на основе зонной модели, включающей центры Е- типа и электронные ловушки. Согласно этой модели с Б -центрами связана полоса оптического поглощения 2,5 эВ, а Е+ -центры ответственны за фоточувствительные полосы 2,2 и 1,9 эВ.

2. Значительно меньшая концентрация ловушек в объеме зерна примесного происхождения и введенных при облучении обусловлена тем, что границы зерен в поликристаллах являются стоками не только для междоузельных атомов 7ж\ но и для вакансий металлоида, возникающих при смещении атомов.

Скорость накопления Е+- центров на начальных этапах возбуждения может использоваться для оценки относительной концентрации Уб в кристаллах, в то время как ОП в максимумах полос для таких оценок использоваться не может из-за неполной ионизации Е- центров. С учетом отмеченного различия концентрации центров захвата в образцах большая скорость обесцвечивания поликристаллов по сравнению с монокристаллами объясняется тем, что при о' -сцвечивании отношение вероятностей рекомбинации на Е+- центрах, высвобожденных электронов и захвата на свободные ловушки в поликристаллах превышает это отношение для монокристаллов.

3. Установлено, что образцы ZnSe, выращенные при различной температуре, имеют различную удельную поверхность кристаллитов. С увеличением температуры синтеза изменяется однородность материала -вариация размера кристаллита от среднего значения и концентрация мелких доноров

4. Обосновано применение двухбарьерной модели "случайно-неоднородного полупроводника", предполагающей существование дрейфового и рекомбинационного барьеров для описания процессов переноса и рекомбинации ННЗ в поликристаллах 2п8е,

5. Нелинейные В АХ, "гистерезис" а (Т) и 1(11) , переходная релаксация проводимости при возбуждении поликристалла 2п8е обусловлены переносом заряда по локальным состояниям через потенциальный барьер, созданный неоднородным концентрационным рельефом ловушек Ъщ. Особенности спектров ФП, ИФП обусловлены процессом переноса ННЗ по НО и ВО областям поликристалла, с различными плотностью и спектром ловушек. Обнаружено снижение Едр и увеличение У= Ерек / Едр в 2п8е при увеличении поля, интенсивности ФВ, температуры (Т°К).

6. Влияние поля на процессы переноса ННЗ в ЪпЪ, 2п8 : Тп определяется участием в перезарядке глубоких уровней. Особенности зависимости отношения барьеров от напряженности поля обусловлены изменением концентрации комплексов У2П - Ъъх и УЛ1 и объясняются наличием конкурирующих процессов, связанных с перераспределением рекомбинационных потоков при изменении концентрации 7л\х. Изменение кинетики ДРП с увеличением поля в гп8 связано с перезарядкой локальных центров с Е ^ - 0,17 и 0,82 эВ, расположенных неоднородно по кристаллу.

7. Исследовано влияние высокотемпературного отжига (Т= 800°С) под давлением 100-500 МПа на структуру и электрические свойства поликристаллов 2п8е. Установлено, что отжиг под воздействием давления приводит к изменению концентрации Ъщ на МЗГ. Вероятнее всего, это обусловлено "развалом" комплексных центров У^- с ростом давления, и образованием локального Ъа^ при переходе с границ зерен в объем кристалла при изменении структуры самих границ под давлением и в условиях высоких температур обработки. Полученные результаты исследования ТСП, ТЗТТ, ФП, Тмгн(0, ВАХ, оптической микроскопии позволяют предполагать, что при обработке давлением определяющую роль играют два или несколько конкурирующих процессов, которые могут быть связаны как с изменениями протяженности и свойств МЗГ, так и концентрации Ъщ в объеме зерна с ростом давления. Увеличение концентрации сопровождается уменьшением У от 1,013 до 0,945 и Едр от 1,07 до 0,59 эВ.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Лифенко, Валерий Михайлович, 1998 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Недеогло Н.Н., Симашкевич А.В. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка. - Кишинев: Штиинца, 1984-150 С.

2. Морозова Н.К., Кузнецов В.А. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства. - М.: Наука, 1987. 200 С.

3. Горелик С.С. Рекристаллизация металлов и сплавов. М.: Металур-гия, 1978. 557 С.

4. Бронятовский А. "Электронные состояния на межзеренной границе в полупроводниках. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение." / Под. ред. Харбеке Г.М.: Мир, 1989,

C. 145 -174.

5. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир. 1974.

6. Donor bound etciton excited states in zinc selenide/ P.J.Dean,

D.C.Herbert, C.J.Werkhoven etal. // Phys.Rev.B.Condens.Matter.1981. V.23,N 10. P.4888-4901.

7. Optical properties of substantional donors tn ZnSe / J.L.Merz, H.Kukimoto, K.Nassau, J.W.Shiver // Phys.Rev.B.Solid State. 1972. V.6, N2. ¥.545-556.

8. Люминесценция связанных экситонных комплексов в монокристаллах ZnSe / Г.Н.Иванова, Д.Д.Недеогло, Б.В.Новиков, В.Г.Талалаев //Физика твердого тела . 1981 . Т . 23, N 9 . С.2693-2699.

9. Emission related to donor-bound excitons in highly purified zinc selenide single crystals/ M.Isshiki, T.Kyotani, K.Masumoto et.al.// Phys.Rev.B.Conders.Matter. 1987. V.36, N 5. P.2568-2577.

lO.Isshfla M. Photoluminescence and cr ->tron resonance studies on highly purified ZnSe single crystals// J.Cryst.Growth. 1988. V.86, N 14. P.615-624.

11. Оптические свойства полупроводников. Справочник/

B.И.Гавриленко, А.М.Грехов, Д.В.Корбутяк, В.Г.Литовченко,- Киев: Наукова думка 1987. 608 С.

12.Балтрамеюнас Р., Вайткус Ю., Куокштис Э. Краевое излучение монокристаллов ZnSe в температурном интервале 77-300 К при сильном оптическом возбуждении// Лит.физич.сборн. 1979. Т.19, N 6.

C.809-816.

13.Luminescence in highly conductive n-type ZnSe/ J.C.Bouley, P.Blanconnier, A.Herman et.al./ZJ.Appl.Phys. 1975. V.46, N 8. P.3549-3555.

14.Fujita S., Mimoto H., Naguchi T. Photoluminescence in ZnSe grown by liquid-phase epitaty from Zn-Ga solution// J.Appl.Phys. 1979. V.50, N 2. P. 1079-1087.

15.Высокотемпературная голубая катодолюминесценция кристаллов ZnSe / В.С.Вавилов, By Зоан Мьень, Г.Л.Иванова и др. // Физика твердого тела. 1984. Т. 25, N 5. С. 1457 - 1462.

16.Иванова Г.Н., Недеогло Д.Д. Влияние реабсорбции на экситонный спектр излучения кристаллов // Некоторые вопросы физики неравновесных процессов полупроводниках и диэлектриках. - Кишинев: Штиинца, 1984. С.85-89.

17.Голубая фотолюминесценция кристаллов ZnSe при сильном лазерном возбуждении / Г.Н. Иванова, Д.Д.Недеогло , А.В.Симашкевич, К.Д.Сушкевич // Физ. и техн. полупр. 1980. Т. 14, N 1. С.31 -36.

18.Yamaguchi М., Shigematsu Т. Behaviour of copper impurity in Znse // bp.JAppLPhys. 1977. V.17,N2. P.335-340.

Ь amaguchi M., Yamamoto A, Kondo M. Photolu. n iescence of ZnSe single ccrystals diffused with a group Ш element // J.Appl.Phys. 1977. V.48, N 12. P.5237 - 5244.

20.Donor - acceptor pair bands in ZnSe / R.N.Bhargava, R.J.Seymour, B.J.Fitzpatrick, S.P.Herko If Phys.Rev.B.Condens.Matter. 1979. V.20, N6. P.2407 -2419.

21.Кукк П.Л., Палмре Ы.В. Центры свечения в легированном ZnSe и энергии активации их образования // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1980. Т. 16,N 11. С. 1916-1920.

22.Спектры люминесценции кристаллов селенида цинка, оттоженых в расплавах солей / В.З.Болбошенко, Т.Л.Матвеева, Д.Д. Недеогло, Р.П.Соболевская // Физика полупроводников и полупроводниковой электроники. - Кишинев: Штиинца, 1985. С. 10-15.

23.Роль собственных дефектов в формировании мелких акцепторных центров в селениде цинка / М.Б.Котляревский, А.А.Пегов, О.В.Леонтьева, Б.Г.Чернявский // Рук. деп. в ВИНИТИ N 506. В86. 1986. 21 С.

24.Кукк П.Л. Физико-химический анализ несовершенных полупроводниковых кристаллов // Труды Таллинского политехнического института. 1986. N620. С. 3-22.

25.Briant F.J., Manning P.S. Radiation damage and decay characterictics of zinc selenidn emission bands and their equivalence to zinc sulphide emission bands // J Phys.Chem.Sol. 1974. V.35, N 1. P. 97 -101.

26.Photoluminescence of In doped ZnSe single crystals/ M.Isshiki, T.Yoshida, K.Igaki et.al.// J.Phys.C:Solid State Phys. 1986. V.19, N 22. P.4375-4381.

27.Serdyuk V.V., Korneva N.N., Vaksman Yu.F. Studies of long wave luminescence of zinc selenide monocr ' +als//Phys.staius solidi (a). 1985. V.91, N1. P.173-183.

28.Уоткинс Дж. Дефекты решетки в соединениях А1^^ //Точечные дефекты в твердых телах. - М.: Мир, 1979. С. 221-242.

29.Lее К.М., Dang Le Shi, Watkins G.D. Optically detected magnetic resonance of the zinc vacancy in ZnSe// Solid State Commun. 1980. V.35 N7. P. 527-530.

30.Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров,-М.: Высшая школа, 1982. 376 С.

31.Остапенко С.С., Танатар М.А., Шейнкман М.К. Симметрия анизотропных центров самоактивированного свечения монокристаллов ZnSe//Укр.физ.журн. 1981. T.26,N9. С. 1522-1527.

32.Grimmeis H.G., Ovren С., Mach R. Electric and optical properties of the "Cu-red" center in ZnSe// J.Appl.Phys. 1979. V.50, N 10. P.6328-6333.

33.Kukk P., Palmre O., Mellikov E. The structure of recombination centres in activated ZnSe phosphors// Phys.status solidi(a). 1982. V.30, N 1. P.35-42.

34.Patel J.L., Davies J.J., Nicholls J.E. Direct optically detected magnetic resonance observation of a copper centre associated with the green emission in ZnSe// J.Phys.C: Solid State Phys. 198L V.14, N 35. Phys.C: Solid State Phys. 1981. V.14, N35. P. 5545-5557.

36.HoIzP.O., MonemarB., Lozykowsky H J. Optical properties of Ag-related centres in bulk ZnSe// Phys.Rev.B.Condens.Matter. 1985. V. 32, N2. P.986-996.

37.An ODMR investigation of silver doped ZnSe/ N.R.J.Poolton, J.J.Davies, J.E.Nicholls, B.J.Fitzpatrick // J.Crist.Groth. 1985. V.72, N1-2. P. 336-341.

38. ODMR investigation of gold related deep recombination centres in zinc selenide / N.R.J.Poolton, J.J.Davis, J.E.Nicholls, B.J.Fitzpatrick // J.Phys.C:Sc : ? State Phys. 1987. V.20,N23,P. 3553-3570.

39.Пащенко R_ ... Галстян В.Г., Морозова H.K. Связанные и лег-лизо-ванные на кислороде экситонные состояния в спектрах монокристаллов селенида цинка, полученных разными методами// Сб.науч.трудов.

40.0конечников А.П., Кассандров И.Н., Гаврилов Ф.Ф. и др. // ЖПС, 1987, Т. 47, N1., С. 54-58.

41.Коджевников Ф.Ф., Андрианов A.A. Изменение фотолюминесценции монокристаллов ZnS в результате облучения в реакторе // ЖПС. 1973. Т. 19. N 4. С. 636-640.

42.Малов М.М. Ультрафиолетовая люминесценция монокристаллов ZnS, подвергнутых облучению быстрыми нейтронами. // Тез. VII Уральск, конф. по спектроскопии. - Свердловск. 1971. вып. 3, С. 81 - 83.

43.Морозова Ы.К. Оптические свойства монокристаллов ZnS, облученных быстрыми нейтронами // Оптика и спектроскопия. 1977. Т. 42. N6. С. 1126-1133.

44.Черный В.Д., Морозова Н.К. Влияние облучения быстрыми нейтронами на низкотемпературную люминесценцию монокристаллов кубического сульфида цинка / Труды МЭИ. 1974. вып. 180. С. 80 - 86.

46.Гаврилов Ф.Ф., Путиев И.Т. Исследование центров люминесценции в ZnS методом облучения кристаллов в реакторе. // Труды УПИ. 1972. вып. 201. С. 112-115.

48. Действие нейтронов и ионов гелия на некоторые оптические свойства монокристаллов ZnS-Ag // Спектроскопия твердого тела - Л: наука. 1969. N4. С. 219-221.

56.Физика соединений АПВ™ / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К.Шейн-кмана. - М.: Наука, 1986. 320 С.

61.Девятых Г.Т., ГаврищукЕ.М. Влияние условий химического осаждения из газовой фазы поликристаллического ZnS на его микроструктуру. // Известия АН. Неорганические материалы. 1996. Т. 32, N6, С. 667-669.

62.Schnneider J., Rauber A. Solid State Communs. 1967. Vol.5, N9. P.779-781.

63.Leutwein К., Rauber A., Schneider J. Solid State Communs. 1967. Vol.5,

N9. P.783 - 786. 64.Seiyma T. J. Phys. Soc. Jap. 1967. Vol.23. N3. P.525.

65.Matsuura К., Tsurumi S., Takeda F. Phys. Status solidi (a). 1975. Vol.28. N1. P.379 - 385.

66.Matsuura K. Phys status solidi (b). 1987. Vol.140. P.347-354.

67.Matsuura K., Kishida S., Tsurumi I. Phys. status solidi (b). 1987. Vol.142. P.79- 83.

68.Таркпеа К.Э., Отс А.Э. - P. Учен. зап. Тартуского госуниверситета. 1982. вып. 632. С.51 - 57.

69.ТаркпеаК.Э., Отс А.Э. ФТТ. 1985. Т.27. N11. С.3306-3309.

70.Г.В.Девятых , Э.В.Яшина, Е.М.Гавршцук, Высокочистые вещества. 1990. N3. С.164 - 166.

71.Смирнов Д.С. Физические процессы в облученных полупроводниках. * Новосибирск. Наука. 1927. 256с.

72.М.В. Фок. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров М. Наука. 1964. 283 С.

73.Kishida S., MatsuraK., FukumaH. et al. Phys. Stat. SoI(b). 1982. Vol. ИЗ, К 31.

74.Kishida S., Matsuura K., Nagase H. et al. Phys. Status Solidi (a). 1986. Vol. 95, P. 155.

75.By Куанг, Фок M.B. Труды ФИАН. 1984. T. 79. С.39 - 63.

76.Matsuura К., Teratani S., Kishida et al. Inst. Phys. Ser. No. 1977. Vol.31, P.418.

77.Matsuura K., Kishida S Fukata Y. et al. Phys. Status Solidi (b). 1987. Vol 143. P.275 - 280.

78.Радиационно - стимулированные явления в твердых телах. / И.Н.Кассандров, А.П.Оконечников, Ф.Ф.Гаврилов. и др. // Межвуз. сб. Свердловск. 1988. вып. 8, С. 131 - 134.

79.Аморфные и поликристаллические полупроводники // п/ред. Хейван-гаВ. М. Мир. 1987.

80.Шик А .Я. Буль Долговременные релаксации проводимости в полупроводниках // ФТП. 1974. Т.8. вып. 9, С. 1676.

81.Шик А.Я. Рекомбинация неравновесных носителей и фототок неоднородных полупроводниках - ФТП, 1975, Т. 9, В. 11, С. 2129.

82.Гольдман E.H., Ждан А.Г. Электропроводимость полупроводников с межгранульными барьерами // ФТП. 1976. Т. 10. вып. 10. С. 1839.

83.Релаксация фотовозбужденных носителей тока в селениде цинка с остаточной проводимостью. / О.А.Седлецкий, В.В.Бочкарев, А.Н.Никитич // Кинетика неравновесных электронных и электрон-колебательных систем. Кишинев: Штиинца. 1982. С. 138

84.Гольдман Е.И. Полевые характеристики электроводимости полупроводниковых пленок, содержащих межграничные барьеры // ФТП. 1976. Т. 10. вып. 11. С. 2089.

85.Исследование уровней прилипания в поликристаллических слоях ZnS / А.М.Павелец, Г.А.Пащенко, Е.А.Сальков // Укр. физ. ж. 1982. Т.27. N 5. С. 761-765.

86.Дощанов М.К. Рекомбинация и перенос заряда в поликристаллических полупроводниках при воздействии оптического излучения. //ФТП. 1996. Т.30,N 3. С.558.

87.Кобка В.Г. Об электропроводности поликристаллических полупроводников //ФТП. 1982. Т. 16 С. 2176.

88.Винников А.Я. Нелинейная перколяционная проводимость поликри-г- этической структуры // Письма в ЖТФ. 1980. В V? С. 2031.

89.Д нцанов М.К. Проводимость поликристаллов. Вольт-амперные характеристики//ФТП. 1994. Т.28. N9. С. 1645.

90.Зюганов А.Н., Свечников C.B. Скачок тока в полупроводниковых структурах с межгранульными барьерами // ФТП. 1977. Т 11. В 10. С. 2031.

91.Голованов В.В. Особенности рекомбинации в полупроводниках с межкристаллитными барьерами // Известия Вузов. Физика. 1989. № 3. С. 56.

92.Бирчак И. Фотоэлектрические свойства неоднородных монокристаллов селенида цинка. // Известия вузов. Физика. 1974. вып. 1, С. 143.

93.Шик А .Я. Кинетические явления в неоднородных полупроводниках / Неоднородные и примесные полупроводники во внешних полях. Кишинев. Штиинца. 1979. С.22.

94.Маркевич И.В. Особенности термостимулированной проводимости в неоднородных полупроводниках // ФТП. 1971. Т. 5 В 10. С. 1987.

95. Авдеенко A.B. Термостимулированная проводимость керамики различного состава на основе оксида цинка // Известия АН. Неорганические материалы. 1980. Т 16. N 7. С. 1310.

96.Глот А.Б. Инжекционные токи в керамических полупроводниках на основе ZnO и Zn02 // Известия АН. Неорганические материалы. 1977. Т. 13. N9. С. 1627-1629.

97.Афонько Е.Ф., Тонкошкур A.C. // Известия АН. Неорганические материалы. 1982. N 5. С. 872 - 873.

98.Абдинов А.Ш. Долговременная релаксация проводимости возбужденная электрическим полем в InSe и GaSe // ФТП. 1981. Т. 15. В. 1. С. 115.

99.Проскура А.К Стационарная ТСП керамики ZmoCc^oS fi Изв. ия АН. Неорганические материалы. 1978. Т. 14, N 5, С. 950 - 951.

100. Тонкошкур A.C. Электропроводимость варисторной оксидо-цинковой керамики при длительном протекании тока // Известия АН. Неорганические материалы. 1995. Т. 31. N6. С. 791-794.

101. Наждафзаде A.M., Глот А.Б. Электронные свойства оксидной керамической системы S11O2 - ZnO - Bí2Ch - GeCh // Известия АН. Неорганические материалы. 1994. Т. 30. N11. С. 1481.

102. Шейнкман М.К. Модель остаточной проводимости в полупроводниках и ее параметры в Cd:Ag:Cl //ФТП. 1971. Т 5. В. 10.

103. Добрего В.П. Расчет кинетики спада фотопроводимости при наличии коллективных рекомбинационных барьеров // ФТП. 1975. В 11. С. 2079-2084.

104. Добрего В.П. Модель остаточной проводимости Арсенид галия // ФТП. 1974. Т. 8. В. 10. С. 2015-2017.

105. Бирчак И. Особенности температурной зависимости фототока и его оптического гашения, связанные с эл-ми неоднородностями в монокристаллитах ZnSe // Известия вузов. Физика. 1977. В 1(176).

106. Явление остаточной проводимости в пленках CdSe /И.А.Карпович, Б.Н.Звонков, М.А.Ризиханов. // ФТТ. 1970. вып. 12, С. 2220 - 2223.

107. Бахадырханов М.К. Особенности остаточной проводимости в кремнии, легированном марганцем // ФТП. 1978. Т. 12. вып 4. С. 812.

108. Бахадырханов М.К. Влияние остаточной проводимости на фоточувствительность Si(Mn) // ФТП. 1977. Т. 11. В. 6. С. 1193.

109. Бахадырханов М.К. Стимулирование полем остаточной проводимости в Si(Mn) р-типа /7 ФТП. 1981. Т. 15. вып. 1. С. 12.

ПО. Рудяк В.Н. О кинетике дрейфового барьера в полупроводниках с рекомбинационными барьер г га // Известия вузов. Физика. 1980. Т. 23. N6. С. 102-104.

111. Шейнкман М.К., Шик А .Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках // ФТП, Т.10. вып.2. 1976. С. 209-233.

112. Точечные и макроскопические дефекты в селениде цинка, полученном по реакции H2Se<;r) + Z%) -> ZnSe^) + Нэд / Г.Г.Девятых, Е.М.Гаврищук, А.Ю.Даданов, М.В.Жуковский, И.Н.Кассандров, А.П.Оконечников. // Высокочистые вещества. N4. 1991. С.65 - 69.

113. Сандомирский В.Б. Механизм замороженной проводимости в полупроводниках.//ФТП. 1978. Т.7. В 7. С. 1314.

114. Афонько Е.Ф. Влияние перезарядки локальных центров на электрические свойства неоднородных полупроводниковых структур на основе Cds // ФТП. 1982. вып. 10. С. 1899.

115. Седлецкий O.A. Эффект замедления темпа рекомбинации фотовозбужденных носителей тока с ростом интенсивности освещения в кристаллах с остаточной проводимостью. // Письма в ЖЭТФ. 1979. Т. 5. В 17. С. 1063.

116. Проскура А.И. Дрейфовые барьеры в керамике ZnSe. // Известия вузов. Физика. 1985. N6. С. 115.

117. Сандомирский В.Б. Модель замороженной проводимости. // Письма в ЖЭТФ. 1972. Т. 15. В. 7. С. 408.

118. Влияние высокого давления на свойства селенида цинка, выращенного по CVD - технологии. / И.Н.Кассандров, А.П.Оконечников, М.В.Жуковский. // Тез.докл. Всесоюзной конференции "Получение, свойства, анализ и применение соединений с молекулярной кристаллической решетко? для новой техники". Новгород, 1991. С. 62.

119. Шик А.Я. Фотопроводимость случайно неоднородных иолу и, водников. // ЖЭТФ. 1975. Т.68, вып.5. С.1859 - 1866.

120. Оптическое поглощение сульфида цинка, обусловленное центрами F- типа. / А.П.Оконечников, В.М.Лифенко, И.Н.Кассандров, Ф.Ф.Гав-

рилов // Журнал прикладной спектроскопии 1994, V60, 3-4 // УДК 539.043; 535.34.

121. About recharging of F-type center in an electron irradiated ZnSe / F. F. Gavrilov, V.M.Lifenko. J.N. Kassandrov. A.P. Okonechnikov, // Open Urals Workshop on scintillation materials and their application SCINTMAT 96 (Ekaterinburg, Russia 1996.) C. 36.

122. Образование и оптические свойства пар Френкеля в халькогенидах цинка / А.П.Оконечников, Ф.Ф.Гаврилов, В.М.Лифенко, И.Н.Кас-сандров // Тезисы докладов 9 -ой Международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов. Томск. 1996. С. 302.

123. Процессы переноса и рекомбинации в поликристаллах сульфида цинка. / В.М.Лифенко, И.Н.Кассандров, А.П.Оконечников, Е.М.Гав-ршцук, Ф.Ф.Гаврилов. // Вопросы спектроскопии и спектрометрии. УГТУ. Екатеринбург. 1998. С. 3-7.

124. Оптическое поглощение облученных электронами моно- и поликристаллов сульфида цинка с центрами F- типа / А.П.Оконечников, В.М.Лифенко, И.Н.Кассандров, Ф.Ф.Гаврилов // Тезисы докладов республиканской научно-практической конференции "Проблемы, достижения и перспективы развития ФТТ". Кустанай. 1996.

125. Фотопроводимость и ддинновременные релаксации в поликристаллах селенида цинка / Ф.Ф.Гаврилов, Е.М.Гавришук, В.М.Лифенко, И.Н.Кассандров, А.П.Оконечников. // Тезисы докладов республиканской научно- практической конференции'Ъиолого- химические и физико- технические методы и средства в современных лаучных исследованиях". Кустанай. 1996.

126. Полевые эффекты в поликристаллах сульфида цинка / Ф.Ф.Гаврилов, В.М.Лифенко, И.Н.Кассандров, А.П. Оконечников. // Тезисы докладов республиканской научно- практической конференции.

"Биолого- химические и физико- технические методы и средства в современных научных исследованиях". Кустанай. 1996.

127. Влияние обработки давлением на оптические и электрические свойства поликристаллов 2пБе / А.П.Оконечников, В.М.Лифенко, И.Н. Кассандров, Ф.Ф.Гаврилов // Тезисы докладов республиканской научно-практической конференции "Проблемы, достижения и перспективы развития ФТТ". Кустанай. 1995.

128. О перезарядке центров Г- типа в поликристаллическом 2пБе, облученного электронами. / А.П.Оконечников, В.М.Лифенко, И.Н.Кас-сандров, Ф.Ф.Гаврилов // Тезисы докладов республиканской научно-практической конференции "Проблемы, достижения и перспективы развития ФТТ". Кустанай. 1995.

129. Методика комплексного исследования дефектов различной размерности в соединениях А^^ / В.М.Лифенко, И.Н.Кассандров, Е.Веселов // Тезисы докладов городской конференции. Кустанай. 1997.

В заключении выражаю глубокую благодарность научным руководителям проф., 5_ф.- м.н Гаврилову Ф.Ф., проф., у.ф,- м.н. Оконечнико-ву А.П. за постоянную поддержку и помощь в выполненной работе. Искренне благодарю за многолетний период совместной деятельности, ценные замечания, высказанные при обсуждении работы.

Выражаю глубокую признательность всему коллективу КЭФ УГТУ за помощь и доброе отношение к р >те.