Закономерности образования, структура и лазерные свойства центров окраски в активированных фторидных кристаллах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Хулугуров, Виталий Михайлович

• Хулугуров, Виталий Михайлович
• доктор физико-математических наук
• 2003

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Хулугуров, Виталий Михайлович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1 СИНТЕЗ КРИСТАЛЛОВ, ИХ ХАРАКТЕРИСТИКИ, МЕТОДЫ И АППАРАТУРА ИССЛЕДОВАНИЙ.

1.1 Методы синтеза кристаллов 1ЛР, активированных ионами гидроксила.

1.2. Облучение кристаллов.

1.3. Оптические методы.

1.4. Метод токов термостимулированной деполяризации

ГЛАВА 2 КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИЕ ДЕФЕКТЫ В ЩГК.

2.1. Молекулярные ионы ОН" в ЩГК и их преобразования под действием ионизирующей радиации.;.

2.2. Молекулярные ионы Ог" в ЩГК и условия их образования.

2.3. Молекулы 02 и 02+ в ЩГК.,.

2.4. Примесь кислорода в щелочно - земельных фторидах.

2.5. Агрегаты кислородных молекул во фторидах лития и натрия.

2.6. Изучение кислородных примесей в кристаллах 1ЛР методом ядерной спин - решеточной релаксации

2.7. Молекулярный кислород в облученных кристаллах фторидов 1л и № с кислородсодержащими примесями.

2.8. Водородная связь в ЩГК с гидроксилом .—.

2.9. Радиационно - наведенные оксигидрильные комплексы в кристаллах №ОН,

§.

2.10. Радиационно - химические преобразования гидроксила в ЫБ и ЫаБ.

2.11. Термохимические преобразования молекулярных центров с водородной связью и центров окраски в кристаллах 1ЛР:ОН и 1ЛР:ОН,

§.

2.12. Инфракрасные колебательные спектры радиационно - наведенного поглощения кристаллов ИаРЮН.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Закономерности образования, структура и лазерные свойства центров окраски в активированных фторидных кристаллах»

4.2. F2+Mg2+Vc" - центры в кристаллах LiF:Mg.115 1Л"

4.2.1. Теоретические оценки энергии связи в F2 Mg Vc"- комплексе. 117

4.2.2. Механизм образования F2 - и

-центров в LiF:Mg.119

4.3. F2 - агрегатные центры, стабилизированные катионными вакансиями в кристаллах LiF:Me ,ОН".121

4.4. F2+ - центры в кристаллах LiF, легированных двухвалентными примесями Со2+, Ni2+, Ве2+. .126

4.5. F3 Mg2+Vc" центры в кристаллах LiF-Mg.127

4.6. LiF с примесями Sr2+ и Са2+.132

4.7. Сопоставление ТСД и оптических измерений.140

4.8. Механизм образования F2+Me2+Vc" - центров.147

4.9. Механизм образования и структурная модель центров окраски с 0-фононной линией 600 нм.150

4.10. F2 - и F2 - подобные центры в кристаллах NaF:Me2+.154

4.11. Заключение.161

ГЛАВА 5 ЛАЗЕРНЫЕ СРЕДЫ И ГЕНЕРАЦИЯ НА ЦЕНТРАХ ОКРАСКИ .165

5.1. Введение.165

5.2. Генерация на термостабильных и классических F2+ - центрах в LiF при возбуждении излучением импульсных лазеров.167

5.2.1 Накачка второй гармоникой (А, = 532 нм) Nd:YAG - лазера.167

5.2.2. Накачка лазером на парах меди .170

5.2.3. Природа потерь при генерации на F2+ - центрах в кристаллах LiF.172

5.3. Нестационарная активная спектроскопия лазерно - активных центров окраски в кристаллах фтористого лития.179

5.3.1. Метод .179

5.3.2. Исследование агрегатных одноэлектронных центров окраски.179

5.3.3. Исследование F2- и F3центров.182

5.3.4. Фотопревращение центров окраски в кристалле LiF под действием пико-секундного излучения.184

5.4. Активные среды на основе кристаллов NaF.186

5.4.1. Особенности генерации активных сред на основе кристаллов NaF:Me с F2+ - подобными центрами.186

5.4.2. Перестраиваемая в диапазоне 1100 - 1340 нм генерация на кристаллах NaF с центрами окраски.192

5.5. Генерация на центрах окраски в лазерных средах LiF и NaF при ламповой накачке. Фототермические свойства центров .196

5.5.1. Преобразование F, F2-> F2+ .196

5.5.2. Ламповая накачка термостабильных F2+ - ЦО в LiF и NaF .199

5.6. Причины деградации генерации.201

5.7.Генерация ультракоротких импульсов света на стабилизированных /^центрах окраски в кристалле LiF при синхронной накачке рубиновым лазером.203

5.8. Генерация на - и F2 - центрах окраски в LiF, перестраиваемая в спектральной области 750 - 1100 нм.206

5.9. Генерация на

FjMg Vc"

- центрах окраски в LiF в спектральной области 640 -720 нм .207

5.10. Перестраиваемый лазер на F2-центрах окраски с распределенной обратной связью.209

5.11. Заключение .211

ГЛАВА 6 НЕЛИНЕЙНЫЕ НАСЫЩАЮЩИЕСЯ ФИЛЬТРЫ НА ОСНОВЕ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ.215

6.1. Введение .215

6.2. Модуляция добротности резонаторов импульсных неодимовых и рубинового лазеров .217

6.3. Модуляция добротности лазера с непрерывной накачкой.225

6.4. Неактивные потери в кристаллах LiF:F2" за счет рассеяния226

6.5. Самосинхронизация мод в Nd:YAG - лазерах и лазерах на рубине при использовании в качестве насыщающихся фильтров щелочно - галоидных кристаллов с центрами окраски.230

6.6. Заключение.233

ГЛАВА 7 ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ЭНЕРГИИ НАКАЧКИ В ОПТИЧЕСКИ СВЯЗАННЫХ СИСТЕМАХ С НЕЛИНЕЙНЫМИ И ЭЛЕКТРОННО - КОЛЕБАТЕЛЬНЫМИ ГЕНЕРИРУЮЩИМИ СРЕДАМИ.235

7.1. Вынужденное комбинационное рассеяние.235

7.1.1. Спектральные характеристики.239

7.1.1.1. Система Ва(Ж)з)2 - LiF:F2'. Стоксова область.240

7.1.1.2. Система Ba(N03)2 - LiF:F2~. Антистоксова область.242

7.1.1.3. Система бензол -IAY\F2.243

7.1.1.4. Система бензол - оксазин.246

7.1.1.5. Усиление ВКР в стоксовои области F2+ - центрами окраски в кристалле LiF.246

7.1.2. Обсуждение результатов.251

7.1.3. Энергетические характеристики.256

7.1.3.1 Однопроходовое усиление ВКР широкополосными средами.256

7.1.3.2. Внутрирезонаторное ВКР с усилением излучения широкополосными электронно - колебательными средами.259

7.2. Параметрическая генерация.263

7.2.1. LiNb03- LiF:F2+ - система.266

7.2.2. LiNb03 - LiF:/*y - система.268

7.2.3. Обсуждение результатов.270

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.272

ЛИТЕРАТУРА.275

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность и состояние проблемы. Исследования центров окраски (ЦО) в ионных кристаллах ведутся уже многие десятки лет. За это время результаты исследований вылились в создание дозиметров ионизирующих излучений, материалов ядерной энергетики, сцинтилляторов, детекторов изображений рентгеновского и других видов излучений и так далее. С точки зрения создания лазерных сред и элементов управления параметрами лазерного излучения исследования ЦО начались относительно недавно. К началу наших исследований были опубликованы единичные работы, например Ребане К.К (1965 г.), в которых указывалось на возможность лазерной генерации на ЦО в щелочно - галоидных кристаллах (ЩГК), а также была получена генерация с ламповой накачкой на FA - ЦО в KCl при температуре 77К (Фритц и Менке, 1965 г.) [1]. В 1974 г появилось сообщение Молленауэра и Олсона [2] о создании непрерывного низкотемпературного лазера на FA - ЦО в KCl, после чего и были начаты систематические исследования ЩГК с ЦО для криогенных лазеров. Значительная ширина однородно - уширенных полос люминесценции (более 1000 см-1) сразу же позволила достичь рекордного диапазона перестройки частоты генерации, при ширине линии до 100 к Гц. На ЦО в ЩГК получен ряд важных результатов по генерации ультракоротких световых импульсов, включая фемтосекундный диапазон, однако при низкой температуре. Серьезные проблемы, связанные с неустойчивостью рабочих ЦО и температурным тушением их люминесценции при комнатной температуре, поставили задачу поиска и исследования кристаллов и свойств ЦО, пригодных для эксплуатации в реальных условиях.

Автору диссертации, совместно с Лобановым, Парфиановичем и др., принадлежат первые публикации и изобретения, связанные с модификацией ЦО примесями в кристаллах фторидов Li и Na и даны обоснования моделей таких ЦО [3-10] В этих же работах впервые были получены результаты по усилению и генерации вынужденного излучения в широком спектральном диапазоне на стабильных при комнатной температуре ЦО. Предложенные модели были поддержаны в более поздних работах, выполненных, в основном, на нефторид-ныхЩГК [11-13].

Дальнейшие исследования направлены на углубление фундаментальных основ физики процессов радиационного создания, преобразования дефектов и их свойств в примесных ионных кристаллах и вызваны необходимостью решения проблем надежности и эффективности лазерных систем с широкой перестройкой частоты излучения в в ультрафиолетовой, видимой и ближней ИК -областях

Для решения таких задач имеющейся информации о механизмах образования, преобразовании радиационных дефектов их оптических и термических свойствах, особенно в мощных лазерных полях, было недостаточно. Особенности и закономерности преобразования дефектов в примесных кристаллах в пострадиационный период оказались малоизученными, а структурные модели лазерно-активных и сопутствующих ЦО во многом противоречили экспериментальным фактам. Это связано с тем, что исследования проводились на кристаллах в достаточно узких диапазонах концентрации примесей и без учета особенностей фторидов в сравнении с другими ЩГК, особенно при легировании их кислородсодержащими примесями.

После создания нами первых лазерных источников излучения с устойчивыми пассивными затворами на основе насыщения поглощения в ЦО [14], приобрели актуальность исследования кооперативных оптических явлений в системах, состоящих из широкополосных усиливающих сред на основе ЩГК с центрами окраски и сред с кубическими и квадратичными нелинейностями, взаимодействующих через поле резонатора. В ранних работах Басса и Дейча, Соколовской и др. [15,16] была качественно показана возможность усиления ВКР с помощью растворов органических красителей, с одновременным сужением полосы генерации красителя, однако, природа данных явлений не рассматривалась. Не ставилась также задача исследования влияния процессов генерации квантовых систем с однородно уширенными электронно-колебательными переходами на другие нелинейные оптические процессы.

Таким образом, целью работы является экспериментальное исследование процессов образования, построение структурных моделей модифицированных примесями лазерно — активных Р-агрегатных центров в кристаллах щелочных фторидов и разработка лазерных систем, генерирующих широко перестраиваемое по частоте излучение в видимой и ближней ИК - областях спектра в широких временных диапазонах.

Были поставлены и решены следующие задачи:

1. Разработать методы синтеза оптически совершенных фторидных кристалов с широким диапазоном концентраций примесных ионов ОН"

2. Исследовать фундаментальные процессы радиационного и пострадиационного преобразования примесных и собственных дефектов в кристаллах с примесями кислорода, ОН и двухвалентных металлов и выявить закономерности образования ЦО а также установить степень влияния примесных дефектов и продуктов их преобразования на оптические и фототермические свойства этих ЦО.

3. Установить особенности поведения ЦО в поле оптической накачки и разработать лазерные устройства, генерирующие широко перестраиваемое по частоте излучение в видимой и ближней РЖ - областях спектра.

4. Исследовать кооперативные процессы преобразования энергии когерентной накачки в связанных системах с нелинейными и электроно - колебательными средами. Разработать мощные наносекундные лазеры видимого и ближнего ИК - диапазона.

Научная и практическая ценность работы. Научная значимость работы определяется тем, что предложенные в ней структурные модели и процессы образования агрегатных электронных центров окраски в облученных ионизирующей радиацией примесных ЩГК могут служить основой для понимания аналогичных явлений, происходящих под действием радиации в других ионных кристаллах. Результаты работы могут быть использованы при создании как лазерных сред, так и материалов для дозиметрии ионизирующих излучений, ядерной энергетики, сцинтилляторов, детекторов изображения рентгеновского и других видов ионизирующих излучений.

Бурное развитие фемтосекундных лазерных систем требует лазерных сред с широкими спектрами генерации и высокой концентрацией рабочих центров. Такие среды могут быть созданы на основе представленных результатов. Генерация ультракоротких импульсов возможна в системах с широкополосной средой на ЦО и средой с квадратичной или кубической нелинейностя-ми, связанных общим резонатором. Разработанные лазерные среды и лазеры на модифицированных ЦО с успехом используются при анализе газов, проводимом методом внутрирезонаторной лазерной спектроскопии, в лидарах для трассового зондирования атмосферы, в онкологии для фотодинамической терапии.

Реализация результатов работы. Разработанные на основе исследований, изложенных в диссертации, лазерные элементы и элементы управления параметрами лазерного излучения демонстрировались на следующих выставках: »

1. Достижения новаторов Иркутской области в X пятилетке. Иркутск , 1981.

2. Выставка Минвуза СССР "Лазеры в науке и приборостроении". Москва,

1983.

3. Выставка "Лазеры в науке и промышленности", на ВДНХ, Москва, 1983,

1984.

4. Выставка "Наука народному хозяйству". Иркутск ,1997.

На основе разработок выполнен Государственный заказ СССР на мелкосерийное производство лазерных элементов и элементов управления лазерным излучением. Образцы элементов на основе хозяйственных договоров и договоров о научно - техническом содружестве были поставлены в такие научные и технические организации как МГУ, МФТИ, ФИ АН СССР, ИОФ АН СССР, ГОИ СССР, ИФ АН БССР, ЦКБ "Пеленг", НПО " Зенит", а также за рубеж (ГДР).

Полученные соискателем данные привели к разработке твердотельных лазеров, которые с успехом используются в медицине, в частности для фотодинамической терапии онкологических заболеваний. Часть результатов работы поддержана грантами Сорроса, НАТО.

Личный вклад автора. Экспериментальные и теоретические исследования, представленные в настоящей работе, выполнены в НИИ прикладной физики Иркутского государственного университета при непосредственном участии автора и по его инициативе. В диссертации отражен личный вклад автора в опубликованные по теме диссертации работы. В основном эти работы выполнены с учениками соискателя, защитившими кандидатские диссертации под его руководством: Л.И. Брюквиной, H.A. Ивановым. Д.В. Иншаковым. Ряд научных и практических результатов получены и опубликованы в соавторстве с сотрудниками НИИ прикладной физики В.И Барышниковым, E.H. Карнауховым, Б.Д. Лобановым, Е.Ф. Мартыновичем, Н.Т. Максимовой, A.A. Михаленко, И.А. Парфиановичем, Э.Э. Пензиной, А.Э. Ржечицким, В.Н. Саломатовым, Ю.М. Титовым, А.Г. Шнейдером, В.А. Чепурным и другими, а также с сотрудниками других организаций, с которыми выполнялись совместные исследования, в том числе и за рубежом. Автору диссертации принадлежат постановка задач, выбор направлений исследований, участие в проведении экспериментов, интерпретация и обобщение результатов, сформулированных в виде научных положений, выносимых на защиту.

На защиту выносятся следующие положения.

1. В отличие от хлоридов, бромидов и иодидов щелочных металлов, в щелочные и щелочноземельные фториды, при их синтезе, наряду с молекулами ОН", входит кислородная примесь, в виде молекул Ог или их агрегатов. Вероятность образования подвижных кислород - вакансионных диполей 02"-Va+ во фторидах мала. Под действием ионизирующего излучения, молекулы О2 преобразуются в ионы С>2+. Радиация создает, как за счет распада молекул ОН", так и выхода их в междоузлия молекулярные комплексы с водородной связью типа OmHn, ОН.О, FH.F, а также FH.0 и OH.F, которые не входят в структуру модифицированных лазерных центров окраски или не включают их в свой состав. Значительная часть продуктов радиационной трансформации ионов ОН" локализуется на объемных дефектах, таких, например, как дислокации, и скапливается в газообразной или жидкой фазе. Предельные концентрации молекул ОН" в кристаллах фторидов щелочных металлов достигаются путем фторирования расплава.

2. В щелочных фторидах, содержащих ОН" и Ог, в отличие от других ЩГК, в вакансии аниона, входящей в состав диполей 02"-Уа+ локализован незаряженный дефект. Термические и оптические свойства модифицированных Р2 -центров определяются нейтральным дефектом, включенным в их состав.

3. В ЩГК, под действием ионизирующей радиации образуются F - агрегатные центры окраски Р2, Т7/, Т7* модифицированные примесно - ваканси-онными диполями или катионными вакансиями. В кристаллах, где примесный ион имеет низкий второй потенциал ионизации, за счет осуществления механизма Хайса - Никольса в процессе пострадиационной агрегации создаются как Б- агрегатные центры, в структуре которых присутствуют примесно - ваканси-онные диполи, так и центры, возмущенные катионными вакансиями. Напротив, если второй потенциал ионизации двухвалентного иона в кристаллической матрице велик, создаются только агрегатные центры, в структуру которых входят катионные вакансии.

4. В ЩГК с двухвалентными примесными катионами или ионами ОН" модифицированные центры окраски являются эффективно усиливающими при комнатной температуре в широком спектральном диапазоне квантовыми системами. Пассивные затворы на основе ЩГК с центрами окраски обеспечивают стабильный режим синхронизации мод лазеров при комнатной температуре. При создании таких лазерных сред, с целью реализации максимального соотношения между усилением и потерями, температура облучения должна быть ниже температуры подвижности анионных и катионных вакансий.

5. Механизмы кооперативных оптических явлений в системах, состоящих из широкополосных усиливающих сред на основе ЩГК с центрами окраски и сред с кубическими и квадратичными нелинейностями, взаимодействующих через поле резонатора. Разработка нового класса высокоэффективных твердотельных лазеров на основе данных явлений, в том числе для фотодинамической терапии онкологических заболеваний.

Совокупность научных положений диссертации может быть квалифицированна как решение крупной научной задачи в области физики кристаллических лазерных сред на основе радиационных дефектов: "Центры окраски в примесных лазерных кристаллах и преобразование их широкополосного излучения при взаимодействии с нелинейными средами."

Апробация результатов. Все основные материалы работы и положения, выносимые на защиту, докладывались и обсуждались на Всесоюзных конференциях, совещаниях, симпозиумах, съездах: конференциях по люминесценции (Кишинев, 1976, Львов, 1978); совещании по кислородсодержащим примесям (Ташкент, 1976), конференции по радиационным дефектам в твердых телах (Ашхабад, 1977), конференциях по физике диэлектриков (Караганда, 1978, Баку, 1982)), совещаниях по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Рига, 1978, 1983), совещаниях по люминесценции (Эзерниеке, 1980, Ровно,

1984), совещании по спектроскопии (Свердловск, 1980), конференциях по нелинейной и когерентной оптике (Киев, 1980, Ереван, 1982), симпозиуме по распространению лазерного излучения в атмосфере (Томск, 1981), съезде по спектроскопии Томск, 1982), симпозиуме по люминесцентным приемникам и преобразователям рентгеновского излучения (Иркутск, 1982), 3-ем расширенном совещании Координационного совета Минвуза СССР по программе "Лазеры" (Иркутск, 1982), конференции по перестраиваемым по частоте лазерам (Новосибирск, 1983), совещании по проблемам лазерного зондирования атмосферы (Ташкент, 1984), конференции по росту кристаллов (Цахкодзор,

1985), конференции по физике вакуумного ультрафиолета и его взаимодействию с веществом (Рига, 1986, Иркутск, 1986), совещании по инверсной заселенности и генерации на переходах в атомах и молекулах (Томск, 1986), конференции по электронным возбуждениям и дефектам в диэлектриках (Караганда,

1986), конференциях по оптике лазеров (Ленинград, 1987, 1990, 1991, 1993), научно - технической конференции по состоянию и задачам пирометрии (Иркутск, 1988). Международных конференциях, симпозиумах, совещаниях: симпозиуме по люминесцентным детекторам и преобразователям ионизирующей радиации (Рига , 1991), конференциях по лазерам и электрооптике (США, 1994, Ирландия, 1998), конференциях по перестраиваемым лазерам (Иркутск, 1989, Минск, 1994), конференциях по лазерам (Канада, 1994, Южная Каролина, 1995), конференциях по люминесценции и оптической спектроскопии конденсированных веществ (Прага, 1996, Осака, 1999), конференции по дефектам в диэлектриках (США, 1996), конференции по электрооптике и лазерам (Сан -Хосе, 1996), симпозиуме по современным проблемам лазерной физики (Новосибирск, 1997), симпозиуме по оптике атмосферы и океана (Томск, 1997), конференции по физико - химическим процессам в неорганических материалах (Кемерово, 1998), симпозиуме по информатике и телекоммуникациям (Южная Корея, 2000), совещании по применению сцинтилляторов в медицине (Иркутск, 2000), конференции по биомедицинской оптике (США, 2002), Греческой конференции по физике твердого тела (Греция, 1999), на ежегодных школах -семинарах по люминесценции и сопутствующим явлениям в ИГУ (Иркутск 1997 - 2001 ).

Публикации. Материалы диссертации опубликованы в 104 печатных работах в отечественных и зарубежных изданиях, включая 29 авторских свидетельств и патентов.

Содержание работы изложено во введении, семи главах и заключении. Во введении дано обоснование актуальности, сформулирована цель, защищаемые положения и апробация работы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Хулугуров, Виталий Михайлович

Выводы, сделанные для системы Ва(МОз)2 - 1лР:/у, справедливы и для системы бензол - 1л¥:Р2. На рисунке 7.5 видно, что для последней имеет место передача энергии генерации центров окраски в линии бензола, соответствующие колебаниям на частотах 3062 и 3047 см"1 (линия 636 нм). Генерация при рассеянии на наиболее сильном колебании 992 см"1 из-за потерь в резонаторе за счет малого отражения для этой частоты зеркал Мз и М4 и поглощения - центрами окраски практически подавлена. Линии вблизи накачки и линия при 597 нм, возможно, связаны с примесями. Линии 682, 731 и 786 нм, вероятно, обусловлены возникновением колебаний с суммарными частотами, рассчитанными по данным из [296]: 3062 +1 х 992 = 4054 см"1; 3062 + 2 х 992 = 5076 см'1; 3062 + 3 х 992 = 6038 см"1.

В эксперименте эти частоты соответствуют 4133, 5116, 6073 см"1, что достаточно близко к расчетным значениям. Возникновение составных колебаний в жидкостях отмечается в работе [288]. Это предположение подтверждает факт отсутствия сильной генерации при рассеянии на колебаниях 992 см'1. Энергия генерации ^ -центров окраски полностью перекачивается в две линии, находящиеся вблизи максимума усиления этих центров. Сильная генерация на длинах волн этих линий подавляет излучение линий при 732 и 786 нм.

Использование в оптической системе в качестве широкополосной среды оксазина - 1 в полиметилметакрилате (Рис. 7.8) показало, что аналогичные механизмы преобразования энергии имеют место и для систем с красителями. В данном случае, однако, в связи с тем, что оксазин - 1 имеет большой коэффициент усиления и более узкую полосу усиления, чем центры окраски, полной конденсации спектра не происходит, что видно по сдвигу максимума и ширине линии 688 нм.

Таким образом, из представленных результатов [298,299] можно сделать следующие выводы.

1. Во всех случаях с кристаллическими или жидкостными ВКР - преобразователями имеет место понижение пороговой мощности и увеличение эффективности ВКР для стоксовых компонент, попадающих в контур полосы усиления широкополосной среды (центры окраски, красители). Стоксовы компоненты высшего порядка подавляются.

2. Наблюдается понижение пороговой мощности возбуждения ВКР в антистоксовой области.

3. Происходит захват и полная или частичная конденсация спектра генерации широкополосной среды в одну или несколько линий КР.

4. В случае жидкостных ВКР - сред при определенном соотношении усиления возбуждается сразу несколько линий, обусловленных рассеянием на разных типах колебаний, в том числе и составных, молекул ВКР - среды.

Для возбуждения этих колебаний необходима генерация широкополосной среды.

Перечисленные факты подтверждают вывод о том, что в системе ВКР -преобразователь - широкополосная генерирующая среда реализуется не просто однопроходовое усиление, а образуется оптически связанная система. Факт наиболее значительного усиления ВКР сигнала и снижение порога при генерации широкополосной средой, когда инверсия сбрасывается вблизи максимума полосы усиления, указывает на то, что в данном случае имеет место бигармо-ническая накачка, а не только усиление на частотах КР. При этом в ВКР-преобразователе за счет излучения накачки и генерации широкополосной среды возбуждаются и фазируются все типы колебаний, в том числе и составные, попадающие в полосу усиления данной среды.

В работе не ставилась задача определения реальной спектральной ширины линии при полной конденсации спектра генерации системы ВКР- преобразователь - широкополосная среда, но, исходя из теоретических рассмотрений [288], она не должна превышать ширины линии КР, обусловленной спектральной шириной линии накачки.

Использование вышеописанных оптических систем с учетом спектрального диапазона усиления исследованных широкополосных сред {F2, F2, F2+) позволит исследовать одновременно возбуждаемые различные типы колебаний, включая и составные, практически во всех активных в плане КР веществах, в том числе, наиболее высокочастотных, имеющих С — Н-,0 — Н-и N — Н - связи, частоты колебаний которых попадают в область от 200 до 6200 см'1.

За счет подбора ВКР - среды становится возможной генерация многих лазерных частот, которые определяются частотой колебаний молекул в ВКР -среде.

Исследованные нами оптические системы, в совокупности с применяемой системой регистрации, можно использовать для анализа быстропротекающих процессов. Например, при изучении воздействия взрывной волны на жидкости или газы в реальных условиях, когда за один цикл динамической нагрузки необходимо получать комплексную информацию о внутренних механизмах протекания взрыва. Публикации о таких исследованиях в настоящее время относительно редки, так как их проведение затруднено в силу сложности экспериментальной техники [300].

7.1.3 Энергетические характеристики

7.1.3.1 Однопроходовое усиление ВКР широкополосными средами

Для решения задач волоконной оптики и спектроскопии значительный интерес представляют лазеры, излучающие в ближней ИК области (1200 - 1400 нм). Возрастает также потребность в мощных источниках излучения в спектральной области 600 - 650 нм, в частности, для целей фотодинамической терапии [301]. Для получения излучения в ближнем ИК диапазоне успешно используется ВКР - преобразование в кристаллах Ва(МЭ3)2, имеющих большой погонный инкремент усиления.

В работе [297] осуществлено преобразование перестраиваемого сфокусированного излучения лазера на кристалле ЫР с Т7*/ - центрами путем генерации ВКР в кристалле Ва(ЪЮз)2 с эффективностью для первой стоксовой компоненты, достигающей 60 %. В работе [302] исследована генерация стоксова излучения в резонаторе при ВКР в кристалле нитрата бария. Генерация и усиление излучения рассмотрены в работе [303], причем в качестве усилителя также применялся кристалл нитрата бария.

Использование ВКР для генерации в резонаторе осложняется каскадным преобразованием излучения на стоксовой частоте в высшие стоксовы компоненты. Кроме того, для осуществления усиления при ВКР требуется значительная мощность накачки. Она должна достигать тех же значений, которые необходимы для получения основного излучения, а это требует пространственного формирования и фокусировки пучков. В результате осложняется схемное решение источников излучения и уменьшается надежность лазеров.

В данном разделе работы исследованы энергетические характеристики при однопроходовом усилении стоксова излучения попутного и встречного ВКР на примере системы, включающей кристалл нитрата бария и ЫБ с Р2~ - ЦО [304]. Как уже было отмечено, плотность мощности возбуждения для Р2~ - центров в 1ЛР значительно ниже, чем для возбуждения ВКР в Ва(ЫОз)г, и насыщение достигается при 50 - 60 МВт/см , поэтому для реализации большого коэффициента усиления можно использовать несфокусированный пучок накачки. Весьма удачным обстоятельством является то, что частоты стоксовых компонент излучения с X = 1064 нм для многих кристаллических ВКР - преобразователей попадают в полосу усиления Р2 -центров. Кроме того, в случае использования накачки с X — 1064 нм накачка 1ЛР осуществляется тем же излучением, что и накачка ВКР - преобразователя.

В качестве ВКР - преобразователя использовался кристалл Ва(ЫОз)г длиной 7 см, вырезанный вдоль кристаллографического направления [110]. Усилителем служил гамма - облученный кристалл 1ЛР длиной 12 см. Схема эксперимента приведена на рисунке 7.13. Накачка ВКР - преобразователя и усилителя осуществлялась первой гармоникой И&УАО - лазера как поляризованным, так и неполяризованным излучением. Лазер накачки работал в режиме модуляции добротности с затвором из LiF-.Fi, энергия моноимпульса достигала 60 мДж при длительности 15 не. В такой схеме излучение накачки при отсутствии уси

2 J 4 5 6 7f—

D«1=3 «=з [Н==ь-с==}^нЬ

Рис. 7.13 - Схема экспериментальной установки: 1 - глухое зеркало; 2 - пассивный затвор; 3 - кристалл Ш:УАО; 4 - выходное зеркало; 5 - ВКР - преобразователь Ва(ЫОз)2; 6 -усилитель 1ЛР:^";7 - зеркало, пропускающее 80% энергии излучения с длиной волны 1064 нм. и полностью отражающее излучение с длиной волны более 1150 нм; 8 - измеритель энергии ИМО - 2.

М, г 2 3 Мл

Т| ~У\ HIZZbf

Рис.7.14 - Схема экспериментальной установки для внуртрирезонаторного усиления ВКР. энергии накачки.

Рис 7.16 - Зависимость пиковой Рр(1) и средней Ра (2) мощностей от пропускания затвора в :Nd: YAP - лазере; Зависимость Ра (3) для Nd: YAG - лазера лителя LiFi/y вызывало слабый (менее 1 % ) сигнал первой стоксовой компоненты (1197 нм) ВКР. При включении в схему кристалла LiF:F/ в качестве усилителя энергия импульса первой стоксовой компоненты достигала 35 % от энергии накачки. В отсутствие усилителя при фокусировке излучения накачки на ВКР - преобразователь наряду с первой стоксовой компонентой наблюдалась вторая с длиной волны 1369 нм, а при наличии усилителя вторая стоксова компонента отсутствовала, т.е. происходило преобразование энергии накачки только в первую компоненту.

Преобразование в кристалле КДП позволило получить вторую гармонику первой стоксовой компоненты (598,5 нм), а также суммарную частоту накачки и первой стоксовой компоненты (563 нм), энергия которой составляла несколько миллиджоулей. Аналогичные результаты были получены в случае, когда усилитель устанавливался перед ВКР - преобразователем, однако, при тех же параметрах накачки эффективность преобразования в обратном направлении не превышала 20 %.

Таким образом, высокий коэффициент усиления за один проход позволяет получить из слабого затравочного, попутного и обратного ВКР, генерируемого кристаллом нитрата бария, интенсивную стоксову компоненту, не уступающую по мощности получаемой в сфокусированных пучках. Одним из преимуществ данной схемы является возможность увеличения длины взаимодействия излучения в кристалле Ва(1ЧОз)2, а также многократное повышение надежности, по сравнению со схемой со сфокусированными пучками [297].

7.1.3.2 Внутрирезонаторное ВКР с усилением излучения широкополосными электронно - колебательными средами

Эффективность преобразования энергии накачки в первую стоксову компоненту внутри резонатора была исследована на ряде систем [305,306]. Измерялись пиковая Рр и средняя Pav мощности излучения первой стоксовой компоненты внутрирезонаторного ВКР в кристалле Ва(Ж)з)2 с усилением излучения F{ -центрами в LiF. Кристалл LiF выполнял одновременно две функции - затвора и усилителя.

Изучалась зависимости Рау и Рр комбинационных лазеров на гранате (X = 1197 нм) и на ортоалюминате иттрия (X = 1216 нм) в зависимости от пропускания затвора и длины ВКР-преобразователя. На рисунке 7.14 приведена схема лазерного резонатора. Активный элемент (1) - гранат либо ортоалюминат иттрия с размерами 6,3 х 90 мм. В качестве ВКР - преобразователя (2) использовались кристаллы Ва(ЪЮз)2, вырезанные вдоль кристаллографического направления [110]. Затвор - усилитель (3) изготавливался из у - облученного кристалла 1лР по отработанной нами ранее технологии. Для более эффективного использования накачки оба зеркала резонатора были сделаны полностью отражающими основное излучение с длинами волн 1064 либо 1079 нм. Пропускание выходного зеркала Мг для первой стоксовой компоненты составляло около 35%. Накачка активных элементов осуществлялась ксеноновой лампой ИНП - 6/90 в стандартном осветителе К - 301. Энергия импульса Е и средняя мощность РаУ измерялись с помощью приборов ИКТ - 1М и ИМО - 2, соответственно. Длительность отдельного импульса, ти, и число пичков, п, в серии определялись с помощью коаксиального фотоэлемента путем осциллографирования. Пиковая мощность Рр рассчитывалась по формуле Рр = Е/пти.

На рисунке 7.15 приведена зависимость выходной энергии комбинационного лазера с длиной волны 1216 нм от энергии накачки для затвора с пропусканием 20%. С увеличением энергии накачки лазер излучает от одного до восьми пичков в импульсе с длительностью каждого пичка по полувысоте - 20 не и энергией около 45мДж, интервал между пичками составляет 15-20 мкс. Аналогичные результаты получены для затворов с пропусканием в интервале 15-55 %, число пичков в импульсе изменялось от 1 до 15, длительность - от 20 до 40 не, а энергия - от 45 до 10 мДж (в зависимости от плотности затвора).

На рисунке 7.16. приведены зависимости пиковой и средней мощностей комбинационного лазера с Х = 1216 нм (активный элемент - ортоалюминат иттрия) от пропускания затвора - усилителя для определенного значения энергии накачки. Средняя мощность измерялась при частоте следования импульсов, равной 5 Гц. Из представленных результатов видно, что оптимальное пропускание затвора для Pav находится в диапазоне 20 - 25%, в то время как пиковая мощность монотонно возрастает с уменьшением пропускания.

Аналогичные зависимости приведены на рисунке 7.16, для комбинационного лазера с длиной волны генерации 1197 нм (активный элемент - гранат). В данном случае оптимизация по пропусканию выходного зеркала не проводилась, поэтому характеристики лазера могут быть существенно улучшены. Такая зависимость средней мощности от пропускания затвора типична для лазеров, в которых для модуляции добротности используются просветляющиеся лазерные затворы, и связана с изменением числа пичков в импульсе при изменении плотности затвора.

В резонатор лазера на гранате с Nd с модулированной добротностью (см. рисунок 7.15) вместо нитрата бария помещалась кювета с бензолом или нитробензолом длиной 16 см с плоскими окнами. Частоты наиболее сильных линий комбинационного рассеяния света для бензола лежат при 992 и 3064 см"1, нитробензола - 1004 и 1345 см"1 [296]. Модуляция добротности осуществлялась также с помощью LiF с Fi - центрами. На выходе лазера наблюдалось излучение с длиной волны 1189 нм для бензола и 1241 нм в случае нитробензола. Эффективность преобразования, по отношению к длине волны 1064 нм составляла 3 - 5% для бензола и 16% для нитробензола. Лазер устойчиво работал с частотой повторения импульсов до 15 Гц при средней мощности 0.100 -0.150 Вт, а затем с увеличением частоты, из-за значительных термооптических искажений в жидкости, мощность генерации резко падала.

Исследовалась система с активным элементом из KGd(WC>4)2 с Nd, который имел диаметр 0,4 см, а длину - 4 см. Стоксов сдвиг частоты для него составляет 961см'1. Длина волны основного излучения для этой среды равна 1068,8 нм. Активный элемент помещался в стандартный осветитель К - 301 и накачивался импульсной лампой ИНП - 6/90. Выходное зеркало имело 50% пропускания для первой стоксовой компоненты при 1186 нм. Для модуляции добротности использовался кристалл LiF с F{ - центрами и пропусканием 15% на длине волны 1068,8 нм. При этом генерировалось излучение с длиной волны 1180 нм, эффективность которого по отношению к 1068,8 нм составляла примерно 56 % . Было получено эффективное преобразование излучения во вторую гармонику с длиной волны 509 нм. Лазер устойчиво работал с частотой повторения импульсов 10 Гц при средней мощности комбинационного излучения 0,36 Вт. Оценки пиковой плотности мощности излучения основной частоты в резонаторе во всех исследованных случаях дают величину не более 30 МВт см". При этом в некоторых случаях эффективность преобразования излучения накачки в первую стоксову компоненту достигает 50% и выше, как это видно из таблицы 7.1, в которой приведены характеристики исследованных лазеров.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Впервые показано, что модифицированные примесями центры окраски в ЩГК приобретают комплекс новых свойств, даюших возможность успешно использовать их для лазерной генерации при комнатной температуре. Разработанные методы выращивания фторидов щелочных металлов позволяют достигать в кристаллах предельных концентраций примесных ионов ОН" до 16 х 1019 см-3.

Установлено, что, в отличие от хлоридов, бромидов и иодидов щелочных металлов, в выращенные на воздухе или с добавками соответствующих щелочей щелочные фториды, наряду с ионами ОН", входит кислородная примесь, главным образом, в виде молекул 02 или их агрегатов. Легирование щелочных и щелочно - земельных фторидов солями угольной кислоты также приводит к образованию в них молекул 02. Вероятность образования подвижных кислород - вакансионных диполей 02"-Уа+ во фторидах пренебрежимо мала. Под действием ионизирующего излучения молекулы 02 в щелочных фторидах преобразуются в молекулы 02+. Наряду с распадом ионов ОН", радиация параллельно создает междоузельные молекулы ОН. Большая часть трансформированных ионов ОН" образует молекулярные комплексы с водородной связью типа ОтНп, (РНО)" , ОН.О, ОН.Р, которые не входят в структуру лазерных центров окраски или не включают их в свой состав. Молекулярные комплексы локализуются на объемных дефектах, таких, например, как дислокации, и скапливаются в газообразной или жидкой фазе.

Исследования фторидных кристаллов, проведенные параллельно оптическими и диэлектрическими методами, позволили установить, что в щелочных фторидах, содержащих ионы ОН", в отличие от других ЩГК, в вакансии аниона, входящей в состав 02"-Уа+ - диполей и модифицированных Р2+ - центров, локализован незаряженный дефект. Термические и оптические свойства модифицированных Т7/ - центров определяются нейтральным дефектом, включенным в их состав.

Установлено, что в ЩГК под действием ионизирующей радиации образуются F - агрегатные центры окраски - F2 F2, F/, Fj, модифицированные примесно - вакансионными диполями или катионными вакансиями. В кристаллах, где примесный ион имеет низкий второй потенциал ионизации, за счет осуществления механизма Хайса - Никольса в процессе пострадиационной агрегации создаются как F - агрегатные центры, в структуре которых присутствуют примесно - вакансионные диполи, так и центры, возмущенные катионными вакансиями. Напротив, если второй потенциал ионизации двухвалентного иона в кристаллической матрице велик, создаются только агрегатные центры, в структуру которых входят катионные вакансии.

Учет раскрытых механизмов образования модифицированных лазерно-активных ЦО и предложенных структурных моделей позволил получить высокие их концентрации. Установлено, что в ЩГК с двухвалентными примесными катионами или ионами OIT модифицированные центры окраски являются эффективно усиливающими при комнатной температуре в широком спектральном диапазоне квантовыми системами. Впервые продемонстрирована возможность генерации вынужденного излучения на широком круге таких квантовых систем, во фторидах лития и натрия в режиме с когерентной накачкой одиночными импульсами пико -, нано - и микросекундной длительности, так и с накачкой с частотой повторения в несколько килогерц. На ряде таких систем реализована генерация с ламповой накачкой. С помощью исследованных лазерных сред впервые перекрыт важный спектральный диапазон 640 - 1340 нм. Впервые созданы пассивные затворы на основе насыщения поглощения в ЩГК с центрами окраски, которые обеспечивают стабильный режим синхронизации мод лазеров при комнатной температуре. Установлено, что при создании таких лазерных сред с целью реализации максимального соотношения между усилением и потерями температура облучения должна быть ниже температуры подвижности анионных и катионных вакансий. Выявлено, что основными причинами деградации лазерной генерации или усиления на ЦО в ЩГК при когерентной и ламповой накачках является наведенное нестационарное поглощение, которое является следствием туннельного взаимодействия с частичным переносом заряда возбужденных в высокоэнергетические состояния рабочих центров. Такое взаимодействие осуществляется либо с Р - центрами, либо с близко расположенными примесными ионами. Впервые продемонстрирована возможность использования перестраиваемых лазеров на ЦО как с когерентной так и с ламповой накачкой для анализа газов методом внутрирезонаторной спектроскопии. Получены спектры поглощения паров воды, и органических соединений С2Н2, СН3ОН, СН4 с чувствительностью 3 х 10"5 см"1 в области 900 нм [315], а также спектры поглощения атмосферы и аммиака в области 1500 нм [316]. За счет увеличения длительности импульса непрерывной генерации лазера на Г2+ - центрах стало возможным многократное увеличение чувствительности внутрире-зонаторного метода [317]. С помощью лазерного лидара на Р2 - центрах получены спектры пропускания атмосферы на трассах различной длины [318]. Разработаны твердотельные лазеры с пассивными затворами на ЦО для атмосферных лидаров [319]. На кристаллах с ЦО разработаны аподизирующие диафрагмы [320].

Установлено, что в системах, состоящих из широкополосных усиливающих сред на основе ЩГК с центрами окраски и сред с кубическими и квадратичными нелинейностями, взаимодействующих через поле резонатора, возникают кооперативные оптические явления, заключающиеся в конденсации спектра широкополосной среды на определенной стоксовой или антистоксовой частоте при ВКР, либо на частоте параметрической генерации, Конденсация спектра приводит к увеличению затравочного излучения нелинейной среды на несколько порядков, за счет чего понижается пороговая мощность ВКР или ПГС и увеличивается эффективность преобразования энергии накачки. На основе данных явлений впервые разработан новый класс высокоэффективных твердотельных лазеров, в том числе для фотодинамической терапии онкологических заболеваний [321].

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Хулугуров, Виталий Михайлович, 2003 год

1.Fritz В., Menke Е. Laser effect in KCl with Fa(Lî) centers // Solid State Commun., 1965, v. 3, p. 61- 63.

2. Mollenauer L.F., Olson D.H. A broadly tunnable CW laser using color centers // Applied Physics Letters, 1974, v. 24, № 8, p. 386-388.

3. Лобанов Б.Д., Хулугуров В.М., ГГарфнанович И.А., Иванов H.A. И К люминесценция кристаллов LiF // Тезисы докладов ХХГГ Всесоюзной конференции по люминесценции, Кишинев, 1976, с. 43.

4. Парфианович И.А., Лобанов Б.Д., Хулугуров В.М. Максимова Н.Т. // Радиационные дефекты в кристаллах фтористого лития с примесью магния // Тезисы докладов Всесоюзной конференции «Радиационные эффекты в твердых телах», Ашхабад, 1974, с. 174.

5. Лобанов Б.Д., Хулугуров В.М., Парфианович И.A. F агрегатные центры окраски в кристаллах LiF - Li20. // Изв. Вузов, Физика, 1978, № 4, с.81-85.

6. Хулугуров В.М., Лобанов Б.Д. Генерация на центрах окраски в кристалле LiF-OH при 300 К в спектральной области 0,84-1,13 мкм // Письма в ЖТФ, 1978, т.4, в.24, с. 1471-1474.

7. Хулугуров В.М., Лобанов Б.Д. Генерация вынужденного излучения на центрах окраски в кристаллах NaF при 300 К // Письма в ЖТФ, 1978, т.4, №19, с. 1175-1177

8. Парфианович И.А., Лобанов Б.Д., Хулугуров В.М., Максимова Н.Т. Радиационные дефекты в кристаллах фторида лития с примесью магния. Деп. ВИНИТИ, 1978, № 2513- 78.

9. Лобанов Б.Д., Хулугуров В.М., Максимова Н.Т., Мартынович Е.Ф, Парфианович И.А. Активный элемент ОКГ // Авторское свидетельство СССР, № 658638, приоритет от 12.04.77.

10. Wandt D., Gellerman W., Luty., Welling H. Tunable CW laser operation in the 1,41-2,16 m range based on F2+ like centers in 02" doped NaCl, KC1 and KBr crystals // J. Appl. Phys., 1987, v.61, № 3, p. 864-869.

11. Кирпичников A.B., Пестряков E.B., Петров B.B., Трунов В.И. Генерация пикосекундных импульсов на стабильных при комнатной температуре центрах окраски в кристалле NaCl:ОН в ближнем ИК- диапазоне // Изв. АН сер.физ., 1994, т.58, № 6, с.157-160.

12. Хулугуров В.М., Лобанов Б.Д., Чепурной В.А., Титов Ю.М., Иванов Н.А., Парфианович И.А. Пассивный модулятор добротности резонатора лазера // Авторское свидетельство СССР, № 818423, приоритет от 16.08.79

13. Bass М., Deutch T.F. Broad-band light amplification in organic dyes. // Appl Phys. Lett., 1967, v. 11, № 3, p 89-91.

14. Соколовская А.И., Леммерман Г.Ю., Бреховских Г.Л., Сущинский М.М. Усиление вынужденного комбинационного рассеяния при помощи органических красителей // ЖПС, 1969, в.6, с. 1017-1021.

15. Stoebe T.G. Influence of OH-ions on infrared absorption and ionic conductivity on LiF crystals // J. Phys.Chem.Sol., 1967,v. 28, № 8, p. 1375-1382.

16. Stoebe T.G. Distribution of hydrolic ions in doped alkali halide crystals // J. Phys.Chem.Sol., 1970, v. 31, № 6, p.1291-1294.

17. Александров B.M., Андреев T.A. Образование примеси ОН" в процессе выращивания кристаллов LiF из расплава // ФТТ, 1961, т.З, № 9,.с. 2835-2640.

18. Чепурной В.А. Люминесценция 02"в монокристаллах LiF // Оптика и спектроскопия, 1987, т.63, вып. 3, с. 552-556.

19. Akhvlediani Z.G., Berg K.I., Berg G. Formation and annealing of hydrogen centers on OH" containing x-irradiated LiF crystals // Cryst. Lattice Defects, 1980, v. 8, №4, p. 167-175.

20. Хулугуров B.M., Шнейдер А.Г., Иванов H.A., Бубнова Л.И. Способ изготовления активного элемента твердотельного лазера // Авторское свидетельство СССР, № 814225, приоритет от 05.12.1979.

21. Clementi E. and Mclean A.D. Atomic negative ions // Phys. Rev., 1964, v.133, №24, p. 419-433.

22. Волочек М.Ф., Иванов H.A., Хулугуров B.M., Шнейдер А.Г. Способ выращивания кристалла фторида лития // Авторское свидетельство СССР № 1575585, приоритет от 29.07.1988.

23. Хулугуров В.М., Иванов Н.А., Брюквина Л.И., Фигура П.В. Способ выращивания кристаллов на основе фторида лития // Авторское свидетельство СССР, № 126404, приоритет от 31. 07. 1984.

24. Камалов В.Ф., Яките Р.В. Нестационарные спектры поглощения и пико-секундные процессы релаксации в F -центрах // Материалы 3 симпоз. "Сверхбыстрые процессы в спектроскопии", Минск, 28-30 сент., 1983, с 203207.

25. Kalogeras I. М. and Vassilikou-Dova A. Molecular mobility in microporous architectures: Conductivity and dielectric relaxation phenomena in natural and synthetic zeolites. // Cryst. Res. Technol., 1996, v. 31, № 6, p. 693 -726

26. Vanderschueren J., Gasiot J // in Fild- induced thermally stimulated carrents topics in Applied Physics) edited by G.M. Sessler (Springer, Berlin), 1980, v. 33, p. 135-223.

27. Lavergne C., Lacabanne C. Review of TSDC // IEEE, Electr. Insul. Magn., 1993, v. 9, №2, p. 5-35.

28. Gucrelsberger K., Zelsmann H.R. Infrared absorption of OH doped LiF // Sol.State Commun. 1979,v. 32, № 7, p. 551-552.

29. Watterich A., Foldvary I., Voszra K. Colour centers in LiF:Mg crystals // J de Physique, Colloque, 1980, v. 41, Suppl. an № 7.

30. Freytag E. Absorptionsmessungen an OH doterien NaF kristallen in vakuumultraviolett // Z. Physik, 1964, v.177, № 2, p. 206-214.

31. Егранов A.B., Раджабов E.A., Спектроскопия кислородных и водородных примесных центров в щелочно-галоидных кристаллах, М.: Наука, 1992, 159 с.

32. Meistrich M.L. U.V. and I.R. absorption in OH" doped NaF // J. Phys. Chem. Solids, 1968, v. 29, p. 1119-1125.

33. Morato S.P., Luty F. Photochemistry and reaction of OH" defects and F -centers in alkali halides // J. Phys. Chem. Solids, 1980, v .41 p. 1181-1186.

34. Kerkhoff F., On photochemical behaviery of oxigen comlexes in alkali halide crystals // Physik, 1960, v. 158, № 5, p.595-606.

35. Kerkhoff F., Martienssen W., Sander W. Elektronen spin-resonanz und photochemie des U2 Zentrum in alkalihalogenid kristallen // Z. Physik, 1963, v. 173, № 2, p. 184-202.

36. Etzel H.W., Patterson D.A. Optical properties of alkali halides contaning hy-droxyl ions // Phys. Rev., 1958, v. 112, № 4, p. 1112-1116.

37. Luty F. Uber die natur der U3 -Zentren in strahlungsverfarbten KCl // J. Phys. Chem. Solids, 1962, v. 23, № 6, p. 677-681.

38. Dotch H., Gebhardt W., Martins C.M. Lokalized vibration of H" and D" ions in NaF and LiF // Solid State Commun., 1965, v. 3, №9, p. 297-298.

39. Physics of color centers. Ed. by Fowler W.B., N.Y.; London: Acad. Press, 1968.-655 c.

40. Ворожейкина Л.Ф., Албуташвили H.B., Татишвили К.Д. Колебательный спектр кристаллов NaF с примесными и радиационными дефектами // Оптика и спектроскопия, 1986, т. 60, в. 3, с.535-540.

41. Kamikawa Т. Formation of substitional hydrogen centers in LiF- OH crystals // Phys. Stat. Sol. (b) 1975, v.68, № 2, p.639 -643.

42. Kamikawa T. Interstitial hydrogen centers in LiF crystals. // Phys.Stat.Sol. (b) 1980, v.99, № 2, p.721-726.

43. Hayes W., Hodby I.W. An investigation of x- irradiation KC1:H and NaCl:H // Proc. Roy Soc. A, 1966, v. 294 №1438, p. 359-375.

44. Dweck I.A., Hooper H.O., Bray P.I. Electron spin resonance studies of atomic hydrogen and tritium in LiF // Bull Amer. Phys. Soc., 1962, ser.l 1, v.7, №1, p. 51-55.

45. Kasumata Y. ESR studies of neutron- irradiated LiF crystals // J. Phys. Sos. Japan, 1973, v. 35, №5, p. 1442-1449.

46. Ахвледиани И.Г., Ахвледиани З.Г., Калабегашвили Г.Л. Новые данные о стабилизации водорода в LiF // Тезисы докладов 5 Всесоюзного совещания по радиационной физике и химии ионных кристаллов. 1983, Рига, с. 241-242.

47. Morato S.P., Luty F. Hydrogen defects from UV photodissotiation of Off centers in alkali halides // Phys. Rev., B, 1980, v.22, №10, p.498-499.

48. Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М.: Наука, 1989, 261 с.

49. Fisher F., Grundig Н., Hilsh R. Definierter einbau und optishe absorption von O-und 02" zentren in KC1 // Z. Phys, 1965, Bd. 189, H.l, s. 79-96.

50. Rolfe J. Low- temperature emissia spectrum of 02* in alkali halides // J. Phys. Chem., 1964, v. 40, p. 1664-1671

51. Zeller H.R., Shyly R.T., Kanzig W.The molecular character of the 02* centers in alkali halides // J de Physique, Colloque, C4,1967, 28, p. 8-9.

52. Лайсаар А.И., Ниилиск А.И. Влияние гидростатического давления на люминесценцию примесных молекул 02" в щелочно-галоидных кристаллах // Труды ИФА АН ЭССР, 1968, т. 37, с. 75-78.

53. Rolfe J. Some spectroscopic constant for 02" -ions in alkali halide crystals // J. Chem. Phys., 1968, v. 48, p.963 -964.

54. Ребане Л.А. Люминесценция примесной молекулы 02" в щелочно- галоидных кристаллах // Труды ИФА АН ЭССР, 1968, т. 37, с. 14-45.

55. Коттон Ф., Уилкинсон Дж. Современная неорганическая химия, т.2, М.: Мир, 1969,360 с.

56. Meictrich M.L. Materials sciens center Cornell Univerit.: New-York, 1968

57. Kerkhoff F. Definierter einbau und optische absorption von O2" und O" -zentren in KC1 kristallen // Z. fur Physik, 1966, Bd.189, s. 79-96.62Jaccard С. Paramagnetic nitrogen oxides in irradiated potassium halides // Phys Rev. 1961, v. 124, p.60-66.

58. Иванов Н.А.,Парфианович И.А., Хулугуров B.M., Шнейдер А.Г. Молекулярные кислородные ценры и их спектральные характеристики в щелочно-галоидных кристаллах // Тезисы докладов XIX Всесоюзного съезда по спектроскопии. Томск, 1982, с.228-229.

59. Сильдос И., Лыхмус А., Ребане Л. Люминесценция кислорода в монокристаллах аргона при фотовозбуждении // Известия АН ЭССР сер. физ.-мат., 1972, т 21, с 121-124.

60. Хулугуров В.М. Центры окраски, люминесценция и вынужденное излучение кристаллов LiF с катионо- и анионо-замещающими примесями. Диссертация на соискание ученой степени к.ф.-м.н., Иркутск, 1978, 147с.

61. Farge Y., Lambert М., and Smoluchowski R. Mecanisme de formation des centres M et R // Solid State Commun., 1966, v. 4, p. 333-336.

62. Термодинамичекские свойства индивидуальных веществ. Справочник под редакцией Глушко В.П., Гурвича Л.В., Хачкурузова Г.А., Вейц И.В., Медведева В.А., т. 1 М.: Изд-во АН СССР, 1962,1162 с.

63. Gustin Е., Bouwen A., Scoemaker D., An С.Р., and Luty F. Electronic emission with highly detailed spectral substructure studied in OH" or OD" doped LiF and

64. NaF crystals. // Abstracts Int. Conf. EURODIM 1998, p. 146.

65. Radzhabov E.and Figura P. Optical properties of oxygen vacancy defects in alkaline- earth fluoride cryctals // Phys. Stat. Sol. (b) 1994, v. 186, p. K37-40.

66. Bolmann W. Absorption and ionic conductivity of oxygen containing SrF2 crystals // Kristall und Technik, 1980, v. 15, № 3, p. 359-366.

67. Jacobs P.W.M., Ong S.H. Thermal depolarization in cryctal of calcium fluoride doped with oxygen // J. Phys. Chem. Solids, 1980, v.41, № 3, p. 437 441.

68. Шнейдер А.Г., Иванов H.A., Хулугуров В.М. О природе красного свечения в кристаллах фтористого лития // Оптика и спектроскопия, 1997, т. 83, №1, с. 102-106

69. Kokott Ch., Fisher F. Dielectric relaxation of chalogen vacancy centers in potashium halide crystals // Phys. Stat. Solidi (b) 1981, v. 106, № 1, p. 141-147.

70. Беляев Jl.M., Добржанский Г.Ф, Чадаева B.B. Выращивание активированных кристаллов фтористоого лития // II Кристаллография, 1959, т. 4, в. 5, с. 794-795.

71. Непомнящих А.И., Раджабов Е.А., Егранов A.B. Центры окраски и люминесценция кристаллов LiF. М.: Наука, 1984,113 с.

72. Stoebe Т. // Bull. Am. Phys. Soc., 1966, v. 11, p. 866-869.

73. Ребане H.A., Авармаа P.A. Молекулярные центры свечения 02* и S2" в ще-лочно-галоидных кристаллах. М.: Таллин, 1968. 73 с.

74. Сильдос И.Р. Люминесценция молекул кислорода в кристаллах аргона и азота // Автореферат, дисс. канд. физ.- мат. наук, Тарту, 1975, 20 с.

75. Ельяшевич М.А. Атомная и молекулярная спектроскопия. М.: 1962.892el.

76. Prots R., Maier M.J. Laser induced fluorescence and relaxation of singlet molecular oxygen in the liquid phase // Chem. Phys., 1980, v. 73, № 11, p. 5464-5467.

77. Брюквина Л.И., Хулугуров B.M., Шнейдер А.Г., Гильманов А.Н., Губай-дулин Ф.Ф. Изучение анионозамещающих примесей в кристаллах LiF методом ядерной спин-решеточной релаксации // УФЖ, 1988, т. 33, №10, с. 1543-1546.

78. Губайдуялин Ф.Ф., Гильманов А.Н. Многофункциональная импульсная аппаратура ЯМР с фурье-преобразованием. М.:, 1983, Деп. ВИНИТИ 24.09.83, №4618-83.

79. Хуцишвили Г.Р. Спиновая диффузия // УФН, 1965, т. 87, в. 2, с. 211- 254.

80. Комашня В.JI., Шутилов В.А. Ядерная спин-решеточная релаксация в легированных щелочно-галоидных кристаллах // ФТТ, 1977, т. 18, в. 4, с. 1090 -1096.

81. Гуринович Г.П. Кислород, его люминесценция и влияние на люминесценцию органических молекул // Изв. АН СССР, сер. физ., 1982, т. 46, № 2, с. 362 -366.

82. Arnold S.J., Ogrizlo G.A., Wilzke Н. Some new emission bonds of molecular oxygen // J. Chem. Phys., 1964, v. 40, №6, p. 1769- 1770.

83. Findlay F. D. Visible emission bands of molecular oxygen // Canadian J. of Phys., 1970, v.48, p. 2107-2111.

84. Красновский A.A. мл. Фотосенсибилизированная люминесценция синг-летного кислорода в растворе // Биофизика, 1976, т. 21, № 4, с. 748- 749.

85. Бытева И.М., Гуринович Г.П., Избавителев С. Люминесценция кислорода и сенсибилизация реакций фотоокисления в растворах // ЖПС, 1978, т. 29, №1, с. 154- 156.

86. Григоров В.А. Двухполосный режим генерации на F2" центрах в LiF. Автореферат канд. Дисс., Иркутск, 1984,26 с.

87. Rusch W., Seidel Н. The F center, containing a water molecule // Solid State Commun., 1971, v. 9, № 3, p. 231-234.

88. Лобанов Б. Д., Хулугуров В.М., Максимова Н.Т. Радиационно-наведенные оксигидрильные комплексы в кристалле LiF-OH, Mg // ФТТ, 1980, т. 22, №1, с.283-285.

89. Алексеев П.Д., Баранов Г.И. Образование водородной связи в кристаллах LiF-OH при облучении у- излучением Со60 // ФТТ, 1980, т.22, в. 4, с. 1213-1214.

90. Шварц К.К., Кристапсон Я.Ж., Лусис Д.Ю., Подинь А.В. Фтористый литий, оптические свойства и применение в термолюминесцентной дозиметрии. В кн: Радиационная физика, V, Рига, 1967, с. 179-235.

91. Пиментел Дж., Мак-Клелан О. Водородная связь.-М.: Мир, 1964.-462 с.

92. Ахвледиани З.Г., Политов Н.Г. Высокочастотные локальные колебания в кристаллах LiF с водородными и тритиевыми центрами окраски // Изв. АН СССР, сер. физ., 1971, т. 35, №7, с. 1414-1417.

93. Юхневич Г.В. Инфракрасная спектроскопия воды. М.: Наука, 1973, 208с.

94. Alekseev P.D., Baranov G.I. Kurakina E.P. and Maltsev K.A. Formation of hydrogen bonding in doped OH- group alkali halide crystals by the action of y-radiation // Phys. Stat. Solidi (b), 1983, v. 120, p. K119-121.

95. ЮО.Булычев В.П., Соколов К.Д. Состояние квантово-механической теории водородной связи,- В кн.: Водородная связь. М.: Наука, 1981,15 с.

96. Справочнк . Под ред. Разделя A.A. и Понамаревой А.И. X.: Химия. 1983, 187 с.

97. Frits B.J. Anionslucken und zwischeugetterionen in alkalihalogenid alkali-hidrid miskristallen // J. Phys. Chem. Sol., 1962, v. 23, № 4, p.375-394.

98. ЮЗ.Златов Б., Георгиев Г. Ur центрове в LiF // Годишник ВТУЗов, Физика, 1973, т. 1, с. 131 -140.

99. Брюквина Л.И. Радиационно- термические преобразования анионоза-мещающих примесных дефектов в кристаллах LiF-OH // Изв. вузов, физика. 1988, т. 31, №9, с. 101-103.

100. Алексеев П.Д., Беляева В.К., Маров И.Н. Центры с водородной связью в матрице у- облученных монокристаллов фторида лития и их проявления в ИК и ЭПР спектрах // ФТТ, 1988, т. 30, №1, с. 308 311.

101. Catlow C.R.A., Diller K.M., Hobbs L.W // Phil. Mag., A, 1980, v. 42, № 2, p. 123 150.

102. Ю7.Брюквина Л.И., Синица Л.Н., Хулугуров B.M., Шнейдер А.Г. Механизм вхождения, колебательно-вращательные спектры, и радиационно-химические преобразования гидроксила в LiF. Препринт АН СССР, Томск, 1980, № 5, 14 с.

103. Брюквина Л.И., Хулугуров В.М. Термохимические преобразования молекулярных центров с водородной связью и центров окраски в кристаллах LiF-OH и LiF- ОН, Mg // ФТТ, 1990, т. 32, в. 1, с. 288-289.

104. П.Барышников В.И., Григоров B.A., Лобанов Б.Д., Мартынович Е.Ф., Пе-зина Э.Э., Хулугуров В.М., Чепурной В.А. Кристаллы с центрами окраски для лазерной техники // Известия АН СССР, сер.физ., 1990, т. 54, №8, с. 1467-1475.

105. Mirov S.B., Dergachev A.Y. Powerful, room- temperature stable LiF: F2+" tunable laser // Proceding SPIE, Solid State Lasers VI, February, San -Jose 1997, v. 2986, p. 162-173.

106. Парфианович И.А., Хулугуров B.M., Лобанов Б.Д., Максимова Н.Т. Люминесценция и вынужденное излучение центров окраски в LiF // Известия АН СССР, сер. физ., 1979, т. 43, №6, с. 1125-1132.

107. Pollock C.R. Optical properties of laser -active centers // J. Luminesc., 1986, v.35, № l,p. 65-78

108. Pinto J.F., Georgiou E., Pollock C. Stable color center laser in OH doped NaCl, operating in the 1,41-1,81 m region // Optics letters, 1986, v. 11, № 8, p. 519521

109. Couroll L.C., Gomes L., Ranieri J.M. Microscopic identefication of the F2+-O2'- centers formation in LiF: OH// Phys. Rev. B, 1990, v. 42, №7, p. 4741.4743.

110. Саломатов B.H., Юрьева Т.Г. Энергетическая и пространственная структура (Р^н-Центров в NaCl, КС1 и КВг // ФТТ, 1991 т.ЗЗ, № б, с. 1801-1803.

111. Farge Y. and Fontana М.Р. Dynamic of F2+ centers in LiF: one phonon sideband and raman scattering // Sol. State. Commun., 1972, v. 10, p. 333-336.

112. Chepurnoi V.A., Mysovskii S.N., Parfianovich I.A., Salomatov V.N., Shka-darevich A.P. Influence of oxygen defects on the position and form of the F2 + center zero-phonon lines in LiF //Phys.Stat. Sol.(b) 1984, v. 125, p. K41-44.

113. Gellerman W., Luty F., Koch K.P., Litfin G. F2+ center stabilization and tunable laser operation in OH doped alkali halides // Phys. Stat. Solidi (a) 1980, v.57, №2, p. 411-418.

114. Nauhm J., Wiegand D. Optical properties of some F-aggregate centers in LiF //Phys. Rev., 1967, v. 154, №3, p. 817-830.

115. Mollenauer L.F. Bloom D., Guggenhaim H. Simple two-step photoioniza-tion yields densities of laser-active F2+-centers // Appl. Phys. Lett., 1978, v. 33, № 6, p. 506-509.

116. Nauhm J. Optical properties and mechanism of formation of some F-aggregate centers in LiF // Phys. Rev., 1967, v. 158, p. 814 -825.

117. Иванов H.A., Хулугуров B.M., Чепурной B.A., Шнейдер А.Г. Способ изготовления материала для активных элементов и пассивных затворов лазеров // Авторское свидетельство СССР, №1102458, приоритет от 22.12.82.

118. Ермикова Н.П., Иванов Н.А., Носик А.С., Михаленко А.А., Чепурной

119. В.А. Времена жизни первого релаксированного возбужденного состояния ла2+зерно-активных центров окраски в кристаллах LiF, активированных Mg (ОН)2* и ОН" // Тезисы докладов, второй конф молодых ученых. 1984, Иркутск, изд-во Иркутского университета, с. 90.

120. Иванов Н.А., Ржечицкий А.Э., Хулугуров В.М. Процессы накопления и разрушения F2+- центров свечения в LiF:OH // Тезисы докладов 30 Всесоюзн. совещ. по люминесценции. 1984, Ровно, с. 112

121. Миллерс Д К, Толе И.А., Котомин Е.А. Единый подход к описанию процессов накопления и отжига радиационных дефектов в ЩГК // Учен. Записки Латв. ГУ, 1975, т. 245, №4, с 24-77.

122. Konrad К., Newbert Т. J. F- aggregate centers in sodium fluoride // J. Chem. Phys. 1967, v. 47, №12, p. 4946-4950.

123. Chandra A.J. Impurity effect on the ionization states of F- aggregate colour centers in sodium fluoride // J. Chem. Phys., 1969, v. 51, № 4, p. 1499 -1509.

124. Nauhm J. Optical properties and formation kinetics of M*- centers in NaF // Phys. Rev., 1968, v. 174, №3, p. 1000-1003.

125. Chandra A., Holcomb D. Taxonomy of F aggregate centers in NaF // J. Chem. Phys., 1969, v. 51, p. 1509-1523.

126. Collins W., Shneider I. Optical properties and reorientation of N centers in NaF Phys. Stat. Solidi (b), 1972, v. 51, p. 769-774.

127. Khulugurov V.M., Salomatov V.N., Kalogeras I.M., Vassilikou-Dova A. and Christakis L.The role of OH" ions in the stabilisation of F2+ color centers in LiF // Eur.Phys J., B, 2002, v. 28, p. 91-101.

128. Katsika V., Grammatikakis JJEnergy parameters of defect dipole relaxation in Mg2+ doped LiF // J. Phys. Chem. Solids, 1990, v. 51, №9, p. 1089 -1092.

129. An C.P., Luty F. Reorientational tunneling and elastic-dipole properties of OH" and OD" molecular defects in alkali fluorides // Phys. Rev. B, 1997, v. 56, №10, p. R5721-R5724.

130. Gustin E., Bouwen A., Shoemaker D., An C.P., Luty F. Infrared absorption and Raman scattering of OH" and OD" stretching- mode vibrations in alkali fluorides: isolated defects // Phys. Rev., B, 2000, v. 61, № 9, p. 3989-3999.

131. Enss C., Ludwig S., Kreft M, An C.P., Luty F. Dielectric relaxation if interacting hydroxyl ions in KC1 crystals // Physica B, 1999, 263-264, p. 129-132.

132. Luty F. Vibration absorption of tunneling molecular defects in crystal. I. Tunneling molecules in electric fields (KChOH) // Phys. Rev. B, 1974, v. 10, p. 3667-3676.

133. Иванов H.A., Иншаков Д.В., Хулугуров B.M. РЖ-люминесценция облученных кристаллов с кислородсодержащими примесями // ЖПС, 1987, т. 46, с. 136-138.

134. Pissis P., Apekis L., Christodoulides С., Г. Boudouris. Dielectric study of dispersed ice micro-crystals by the depolarization thermocurrent technique // J. Phys. Chem., 1983, v. 87, p. 4034 -4037.

135. Laudat J., Laudat F. Dielectric study of frozen aqueous-solutions of ionic materials by means of thermally stimulated depolarization currents // Z. Phys. Chem., 1991, v. 174, p. 211-224.

136. Anagnostopoulou-Konsta A., Apekis L., Christodoulides C.D. Daoukakis P., Pissis, in Dielectric study of hydration process in biological materials ( Biologically inspired physics) edited by L. Peliti ( Plenum, New York, 1991 ), p.229-240.

137. Kalogeras I.M., Vassilikou-Dova A. Dielectric probe of intermolecular interactions in poly(methyl methacrylate) (PMMA) and PMMA+SiC>2 matrixes doped with luminescent organics // J. Phys. Chem., B, 2001, v. 105, № 32, p. 7651 -7662.

138. Capelletti R., Beneventi P., Colombi E., Fowler W.B. High-resolution vibrational spectroscopy of the OH- ion in and Mg-related defect in LiF and NaF // Nuovo Cimento, D, 1993, v. 15, p. 415-428.

139. Capelletti R., Beneventi P., Colombi E., Prato S. High-resolution FTIR spectroscopy to study isotopic substitutions of OH" in LiF and NaF doped with Mg and Ti3+ // Nuovo Cimento, D, 1998, v. 20, p. 859 -866.

140. Suszynska M., Macalik B. The influence of OH-ions upon the relaxation phenomena in NaCl-Ca single-crystals // Acta Phys. Polon., A, 1982, v. 62, p. 363 -372

141. Radzhabov E. Impurities centers in LiF: Li20 // Phys. Status Solidi (b),1984, v. 123, №1, p. K79-82.

142. Radzhabov E. Photodissotiation of O" Va+ centers in LiF // Phys. Status Solidi (b), 1985, v. 130, №1, p. K55 -58.

143. Fischer F., Gummer G.Quantenausbeute fur den photochemichen aabbau von 0""-centren in KC1 // Z. Phys., 1965, Bd.189, H.l, s.97-112.

144. Gummer G. O"- lusken -dipole in alkalihalogenid kristallen // Z. Phys., 1968, Bd. 215, H.3,s. 256-258.151 .Kokott C., Fischer F. O"- lusken -dipole in rubidiumhalogenide- kristallen // Z. Phys., 1971, Bd. 249, H.l, s.31-37.

145. Hennl P. Low temperature photochemistry of chalogen- vacancy centers in alkali halides crystals // Phys. Status Solidi (b), 1977, v. 84, p. K151-154.

146. Hennl P.Optical properties of chalogen- vacancy centers in alkali halides // Phys. Status Solidi (a), 1978, v. 46, №1, p. 146 .

147. Раджабов E. Оптические свойства центров кислород- вакансия в кристаллах NaCl // Оптика и спектроскопия, 1988, т. 64, в. 1, с. 221-223.

148. Ivanov N.A., Penzina Е.Е., Zilov S.A. Peculiarities of polarization of colour centre red emission in heavily y- irradiated Mg doped LiF crystals // Phys. Status

149. Solidi. (b), 1999, v. 213, №1, p. 197-200.

150. Salomatov V.N., Yurieva T.G. The (F2+)h center energy structure in alkali halides // Proceding of the XII Int. conference on defects in insuling materials. Schlob Nordkirchen, Germany. 1992, v. 1, p. 471-473.

151. Кристофель H.H., Саломатов B.H. Расчет искажения решетки и энергии связи KCl-Tl(J)' центра // Известия АН ЭССР, сер.физ.-мат., 1968, т. 17, №3, с. 324-329.

152. Кристофель Н.Н., Саломатов В.Н. Расчет искажения решетки и энергии связи Т1+ центров с чужеродным анионом в щелочногалоидных кристаллах // ФТТ, 1968, т. 10, с. 2227-2230.

153. Лобанов Б.Д., Саломатов В.Н., Юрьева Т.Г. F-подобные центры в кри2сталлах LiF, содержащих кислородно вакансионные О ~Va диполи // ФТТ, 1993, т. 35, №7, с. 1791-1796.

154. Cook J.S., Dryden J.C. Thermally stimulated depolarization measurments on NaF:02", NaCl:S2" and KCI:S2"// Radiation effects, 1983, v. 75, p. 113 -115.

155. Mikhalenko A.A., Khulugurov V.M., Dmitrieva E.I., Salomatov V.N., F2+ -centres in LiF:Mg crystals // Phys.Status Solidi (b), 1989, v. 155, issue 2, p. 359-364.

156. Абрамов А.П., Архангельская В.А., Королев Н.Е., Полетимов А.Е., Ра-зумова И.К // Сложные агрегатные центры окраски в кристаллах LiF // Оптика и спектроскопия, 1990, т. 68, вып. 3, с. 586-592.

157. Ахвледиани З.Г., Иванов Н.А., Михаленко А.А., Хулугуров В.М., Шка-даревич А.П. Генерация на новых центрах окраски в кристаллах LiF в спектральной области 0,64- 0,72 мкм // Письма в ЖТФ, 1985, т. 11, в. 3, с. 187-191.

158. Лисица М.П., Литвинчук А.П., Силенко В.В., Тарбаев Н.И. Пьезоспек-троскопическое исследование антистоксовых центров окраски в LiF // Оптика и спектроскопия, 1991, т. 70, вып. 2, с. 356-360.

159. Khulugurov V.M., Vassilikou-Dova A., Penzina Е.Е., Astafeva E.I. Color center thermostabilization by imputity ions in laser crystals // Proceeding of the international workshop on medical application of scintillators, 2000, Irkutsk, Russia, p. 49-55.

160. Феофилов П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов, М.: Физматгиз, Москва, 1959,288 с.

161. Cook J.S. and Drydn J.S. An investigation of the aggregation of divalent cationic impurities in alkali halides by dielectric absorption // Proc. Phys. Soc., 1962, v. 80, p. 479 -488.

162. Crawford J.H. Agregation of divalent metal impurity in alkali halide cryctals //J. Phys. Chem. Solids. 1970, v. 31. p. 399-409.

163. Berg G., Frolich F., Shoemaker D. On the existence of charged aggregates of divalent impurities in NaCl type cryctals ( point charge approximation) // Phys. Status Solidi (a) 1977, v. 42, №1, p. 73-77.

164. Dmitrieva E.I., Kristoffel N.N., Parfianovich I.A. Popov L.G., Salomatov V.N. The Fh(F-) Center Energy Structure in KC1 // Phys. Status. Solidi (b) 1986, v. 134, p. K125-128.

165. Березин А.А. Теоретичкское рассмотрение F2+ центра окраски в ионных кристаллах // Вестник Ленинградского университета, 1968, т. 4, с 47-51.

166. Delbecq C.J. A study of М center formation in additively colored KC1 // Z. Phys, 1963, v. 171, №3, p. 560-581.

167. Hayes W., Nicols G. Paramagnetic resonance and optical absorption of a V-center // Phys. Rev., 1960, v. 117, №4, p. 993-998.

168. Hayes W. Effect of ionising radiation of alkali halides containing divalent impurities // J. Appl. Phys., 1962, v. 33, №1, p. 329-331.

169. Farge Y., Lambert M., Smoluchowski R. Covalent interaction in process of M+-center formation. // Phys. Rev., 1967, v. 159, №3, p. 700-702.

170. Kos H.-J., Nink R. Zi-centers in Mg-doped lithium fluoride // Phys. Status Solidi. (a) 1977, v. 41, p. K157-161.

171. Hayes W., Wilkens J. An investigation of the Ni ion in irradiated LiF and NaF // Proc. Roy. Soc., 1964, v. 281 A, p. 340-365.

172. Лобанов Б.Д., Максимова Н.Т., Хулугуров В.М., Парфианович И.A. F2+ -агрегатные центры в кристалле LiF-Mg, ОН // ЖПС, 1980, т. ХХХП, в. 6, с. 1079-1083.

173. Иванов Н.А., Иншаков Д.В., Олейников Е.А., Хулугуров В.М., Черны-шов А.И. Оптические переходы двухвалентного никеля во фториде лития // ЖПС, 1991, т. 54, №2, с. 331-334.

174. Hughes, А.Е. and Runchman, W.A. Stress spectra of colour centres in lithium fluoride // Proc. Phys. Soc., 1965, v. 86, p. 615 627.

175. Stoebe, T.G. and Watanabe, S. Thermoluminescence and lattice defects in LiF // Publ. IEA, 1977, №.485, p. 1-6.

176. Иванов H.A., Хулугуров B.M. Спектроскопические характеристики и1.21фотопреобразования F2 и F2 подобных центров свечения в кристалах NaF-Me // Тезисы докл. 30 Всесоюзн. совещания по люминесценции, Ровно, 1984, с. 113.

177. Иванов Н.А., Лохныгин В.Д., Фомичев А.А., Хулугуров В.М. Особенности генерации активных сред на основе кристаллов NaF- Me с F2 -подобными центрами // Квантовая электроника, 1986, №12, с. 2491-2496.

178. Bosi L. and Nimis M. An analysis of the classical arguments concerning forecasts for the Z\ centre formation in alkali halides // Phys. Status Solidi (b), 1985, v. 131,№2, p.Klll-116.

179. Чепурной В.А. Спектрально-люминесцентные и фототропные характеристики F- агрегатных центров окраски в LiF и создание на их основе пассивных лазерных затворов: Автореферат диссертации канд. физ.- мат.наук. Иркутск, 1986, 27 с.

180. Титов Ю.М. Люминесцентные свойства кристаллов фторида лития и динамика излучения лазера с фототропными средами на их основе: Автореферат диссертации канд. физ.- мат.наук. Иркутск, 1987, 17 с.

181. Papathanassou A.N., Grammatikakis J., and Borgis N.G. Thermally stimuIlated depolarization phenomena in LiF:Ca cryctals // Phys. Rev.(b) 1993, v. 48, p. 17715-17723.

182. Барышников В.И., Колесникова T.A. Возбуждение собственных дефектов в ионных кристаллах мощными оптическими и электронными пучкам // ФТТ, 1998, т. 40, №6, с. 1030-1035.

183. Markham J.J. and Konitzer J.D. Experimental and theoretical study of the shape of the F absorbtion in KC1, // J. Chem. Phys., 1959, v. 29, p. 328-335.

184. Воржейкина Л.Ф. Радиационно-термические нарушения в кристаллах КС1 и LiF: Автореферат диссертации канд. физ.- мат.наук. Тбилиси, 1970, 22 с.

185. Seitz F. Colour centers in alkali halide crystals // Rev. Mod. Phys., 1954, v. 26, №1, p.7-94

186. Vassilikou-Dova A B, Grammatikakis J G and Londos C. Thermally stimulated depolarization currents in in LiF+ Be // J. Phys. Chem. Solids, 1986, v. 47, №7, p. 727-729.

187. Grammatikakis J, Londos С A, Katsika V. and Bogris N J.Migration enthalpy of the cation vacancies in LiF:Be 2+// J. Phys. Chem. Solids, 1989, v. 50, №8, p. 845849.

188. Саломатов B.H., Кристофель H.H. Система локальных одноэлектронных уровней в кристалле КС1 с двухвалентным активатором // Известия АН СССР, сер. физ., 1974, т. 38 №6, с. 1238-1240.

189. Strutt J Е and Lilley Е. Kinetics of clustering and precipitation in LiF doped with MgF2 // J. Phys. Chem. Solids, 1981, v. 42, №9, p. 827 -836.

190. McKeever S.W.S. and Lilley E. Evidence for trimer formation during dipole clustering in Mg doped LiF // J. Phys. Chem. Solids, 1982, v. .43, №9, p. 885 893.

191. Барышников В.И., Хулугуров B.M. Создание дефектов в ионных кристаллах электронными пучками высокой плотности // Тезисы докладов 10 международной конференции по радиационной физике и химии неорганических кристаллов. Томск, 1999, с. 86-87

192. Гусев Ю.Л., Коноплин С.И., Кирпичников А.В., Мареников С.И. Генерация перестраиваемого по частоте излучения на F3" -центрах // Препринт Ин-та теплофизики СО АН СССР, № 43-79, Новосибирск, 1979, 7 с.

193. Bosi L.and Nimis М. Lifetime studies on excited (F2+)* and M centers in NaF doped with magnesium // Phys.Status Solidi, (b), 1987, v. 140, p. 355-360.

194. Mollenauer L.F. Room-temperature stable F2+ -like centers yields cw laser tunable over the 0,99- 1,22 mkm range // Opt. Lett., 1980, v. 5, № 5, p. 188-190.

195. Mollenauer L.F. Laserr- active, defect -stabilized F2+ centers in NaF-OH" and dynamics of defects- stabilized centers formation // Opt. Lett., 1981, v. 6, № 7, p. 342-344.

196. Hofmann D.M., Lohse F., Paus H.J., Smith D.Y. and Spaeth J-M. Opticaly detected spin resonanse of F2+ and (F2+ )* centers in NaF // J. Phys. C: Solid State Phys., 1985, v. 18, p. 443-454.

197. Eissele H., Paus H.J., Wagner J., Leduc M.- Fadding properties of a NaF:F2+* color center laser // J. Appl. Phys., 1983, v. 54, № 9, p. 4821-4825.

198. Басиев T.T., Миров С.Б., Прохоров A.M. Импульсно-периодический перестраиваемый лазер на кристалле LiF с F2+ -центрами, возбуждаемый излучением второй гармоники лазера на гранате с Nd3+ // ДАН СССР, 1979, т. 246, вып. 1, с. 72 -74.

199. Mollenauer L.F. Progress in color centrer lasers // Proc. Intern, conf. «Defects in Insul. crystals, 1981, Riga, p. 524-541.,

200. Иванов H.A., Лохныгин В.Д., Фомичев A.A., Хулугуров В.М., Черняго Б.П. О природе потерь при генерации на F2+ центрах в кристаллах LiF // Ж.ПС, 1987, т. 46, №2, с. 207-211.

201. Вахидов Ф.А. Спектрально -люминесцентные и генерационные характеристики кристаллов LiYF4 и NaF с центрами окраски для F2+ и F2+ подобных ЦО. Диссертация канд.физ.-мат. наук, ИОФ АН СССР, Москва 1989, 150 с.

202. Парфианович Н.И., Иванов H.A., Хулугуров ВМ, Чепурной В.А. Нелинейные насыщающиеся фильтры на основе щелочногалоидных кристаллов с центрами окраски // Известия АН СССР, серия физ., 1982, т. 46, №10, с. 19851991.

203. Gellerman W., Muller А., Wandt D. Formation »optical properties, and laser operation of F2* centers in LiF // J. Appl. Phys., 1987, v. 61, №4, p. 1297-1303.

204. Иванов H.A., Иншаков Д.В., Хулугуров B.M. Генерация на центрах окраски в лазерных средах LiF и NaF при ламповой накачке и их фототермические свойства // Труды V Международной конференции " Перестраиваемые лазеры", 1989, Байкал, ч. I, с. 56-60.

205. Саскевич Н.А.,Синицин Г.В., Ф.В.Карпушко, Исследование квазинепрерывного лазера на кристалле LiF: F2+ с ламповой накачкой // Труды V Международной конференции " Перестраиваемые лазеры", 1989, Байкал, ч. I, с. 105109.

206. Лохныгин В.Д,. Онищуков Г.И,. Фомичев A.A. Лазер на красителе с синхронной накачкой цугами ультракоротких импульсов непрерывнонакачи-ваемого лазера на AHT:Nd3+ // Квантовая электроника, 1981, №8, с. 2024.

207. Исаев A.A., Казарян И.А., Петраш Г.Г., Раутиан С.Г., Шалагин A.M. Процесс формирования выходного пучка в импульсном газовом лазере с неустойчивым резонатором // Квантовая электроника, 1977, т. 4, №6, с. 1325-1335.

208. Хулугуров В.М., Иванов H.A., Лобанов Б.Д., Климкин В.М., Мосарнов-ский Л.В. Частотные лазеры на кристаллах LiF с накачкой лазером на парах ме-ди//ЖТФ, 1981, т. 51, вып. 1, с.164-165.

209. Басиев Т. Т., Воронько Ю. К., Кирпиченкова О. Е., Миров С.Б. Осико В.В. Превращения ЦО в кристаллах LiF под действием лазерного излусения //

210. Краткие сообщения по физике, ФИАН, 1982, № 3, с. 3-9.

211. Барышников В.И., Колесникова Т.А., Дорохов C.B. Механизмы ионизации F2 центров в лазерных средах на основе кристаллов LiF // Оптика и спектроскопия, 2000, т. 89, №1, с.70-75.

212. Гадонас Р., Данелюс Р., Иванов H.A., Пискарскас A.C., Хулугуров В.М. Эффективное усиление пикосекундных импульсов с перестройкой частоты на кристалле LiF // Тезисы докладов XI конференции "Когерентная и нелинейная оптика"- КИНО, Ереван, 1982, с.859.

213. Барейка В., Дикчюс Г., Камалов В.Ф., Коротеев Н.И., Пискарскас A.C., Сируткайтис В. Пикосекундная генерация лазера на центрах окраски при синхронной накачке: динамика F2+ центров при пикосекундной накачке // Письма в ЖТФ, 1980, т. 6, с. 697-700.

214. Басиев Т.Т., Воробьев Н.С, Миров С.Б., Осико В.В., Пашинин П.П., Пустовалов В.Е., Прохоров A.M. Исследование пикосекундной генерации на F-центрах окраски в кристалле LiF с перестраиваемой частотой // Письма в ЖТФ,1980, т. 31, с. 31.

215. Лисицын В.Н., Пестряков Е.В., Трунов В.И., Гусев Ю.Л. Генерация пи-косекундных импульсов на F2"- центрах окраски в LiF в диапазоне 1,1- 1,25 мкм // Письма в ЖТФ, 1981 т. 7, с. 396.

216. Ахманов С.А., Гадонас Р., Данелюс Р., Камалов В.Ф., Коротеев Н.И., Пискарскас A.C., Свирко Ю.Я. Спектроскопия возбужденных состояний и пи-косекундная релаксация в F центрах // Письма в ЖЭТФ, 1981, т. 34, вып. 9 ,с. 504-508.

217. Войтович А.П., Калинов B.C., Калоша И.И., Михнов С.А., Овсейчук С.И. Генерация излучения в зеленой области спектра лазером на кристаллах фторида лития с радиационными центрами окраски // Докл. АН БССР, 1986, т. 30, №2, с. 132-134.

218. Egranov A.V., Nepomnyachikh A.I. Magnesium color centers in NaF // Phys. Status Solidi (b), 1984, v. 122, p. 249-254.

219. Kaipa P., Luty F.Two fully bleachable zero- phonon- line defects in NaF:possible candidates for highly efficient photochemical hole burning // Phys. Rev. B, 1985, v. 32, №2, p. 1264 -1269.

220. Алыбаков A.A. и др. Генерация на кристаллах NaF с ЦО при возбуждении излучением с длиной волны 1,06 мкм // Материалы IV Всесоюзной конференции "Перестраиваемые по частоте лазеры", изд. Ин-та теплофизики СО АН СССР, Новосибирск, 1984, с. 124-127.

221. Волкова Н.В., Иванов H.A., Иншаков Д.В., Кузнецов С.П. Хулугуров В.М. Лазер на F2+- подобных центрах в кристаллах NaF при ламповой накачке // Оптика и спектроскопия., 1987, т. 63, вып. 6, с. 455-456.

222. Иванов H.A., Иншаков Д.В., Хулугуров В.М. Фототермическое преобразование центров окраски в кристаллах LiF. Оптика и спектроскопия, 1989, т. 66, вып. 3, с. 716-718.

223. Иванов H.A., Иншаков Д.В., Парфианович И.А., Хулугуров В.М. Лазеры на кристаллах LiF и NaF с преобразованием F, F2—F2+ при ламповой накачке // Письма в ЖТФ, т. 12, вып. 20, с. 1250-1253.

224. Иванов H.A., Ишаков Д.В., Хулугуров В.М. Способ получения когерентного излучения на F2+ центрах в кристаллах фтористого лития // Авторское свидетельство СССР, №1414266, приоритет от 20.02.86.

225. Саскевич H.A., Синицин Г.В., Карпушко Ф.В. Исследование квазинепрерывного лазера на кристалле LiF: F2+ с ламповой накачкой // Труды V международной конференции "Перестраиваемые лазеры", 1989, Иркутск, ч.1, с. 105109.

226. Ivanov N.A., Inshakov D.V., Khulugurov V.M. Lasers on F2+ centers in LiF with a transformater of the pamp spectrum // Laser Physics, 1997, v. 7, № 2, p. 416417.

227. Астапенко ВА Передача энергии между центрами окраски в щелочно-галоидных кристаллах, иницированная фотоном // Труды физико-технического института. 1984, Москва, с.51-53.

228. Royt T.R., Faust W.L., Goldberg L.S., Lee C.H. Temporally coincident ultrashort pulses from synchronously pumped tunable dye lasers // Applied Phys. Letts., 1974, v. 25, p. 514-516.

229. Гусев Ю.Л., Маренников С.И., Чеботаев В.П. Перестраиваемые лазеры на центрах окраски. Изв. АН СССР, серия, физ., 1980, т. 44, № 10, с. 2018-2028.

230. Viera N.D., Ranieri J.M., Morato S.P. Room temperature visible laser action on aggregated centers in LiF:Mg; OH crystals // Phys. Status Solidi. (a) 1982, v. 73, p. K115 117.

231. Васильев С.Г., Исянова Е.Д. Лобанов Б.Д. Максимова Н.Т. Эффективный лазер на оптически стабильных Р2-центрах в кристаллах LiF // Письма в ЖТФ, 1984, т. 10, вып 4, с. 248-251.

232. Bjorklund С.С., Mollenauer L.F. Active optical devices with spattially modulated populations of F centers // Patent USA, № 3991386.

233. Асаенок H.A., Костенич Ю.В., Рубинов A.H., Хулугуров В.М., Чепур-ной В.А. Шкадоревич А.П., Эфендиев Т.Ш. Перестраиваемый лазер на F2- центрах окраски с распределенной обратной связью // Письма в ЖТФ, 1983, т.9, вып. 18, с. 1144-1146.

234. Hultzsch R. Conversion of colour center in doped SrF2 crystals. Phys. Status Solidi (a), 1973, v. 17, p. K119-123.

235. Hultzsch R. Passive Q- switching of the Ruby laser by means of colour centers in SrF2 // Phys. Status Solidi (a) 1978, v. 47, p. 415-425.

236. Гусев Ю.Л, Мареников С.И., Новожилов С.Ю. Генерация перестраиваемого по частоте излучения на F-центрах // Квантовая электроника, 1978, т. 5, №8, с. 1685-1688.

237. Парфианович И. А., Пензина Э. Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск. М.:В-Сибирское изд., 1977,208 с.

238. Колеров А.Н., Хулугуров В.М., Мелкумян Б.В., Чепурной В.А.Управление длительностью и скважностью излучения импульсных лазеров фильтрами на центрах окраски // В сб."Импульсная фотометрия". Ленинград, 1982, с.210-213.

239. Иванов H.A., Парфианович И.А., Титов Ю.М., Хулугуров В.М., Чепурной В.А. Пассивные модуляторы добротности лазерных резонаторов на основе ЩГК с центрами окраски // Тезисы докладов. III Всесоюзной конф.Оптика лазеров, Ленинград, 1982, с. 15.

240. Иванов H.A., Парфианович И.А., Титов Ю.М., Хулугуров В.М., Чепурной В.А. Пассивные модуляторы добротности лазерных резонаторов на основе кристаллов LiF с центрами окраски // Письма в ЖТФ, 1984, т. 10, вып.7, с. 425429.

241. Бученков В.А., Калинцев А.Г., Мак А.А. н др. Характеристики лазеров иа АИГ: Nd при пассивной модуляции добротности кристаллами LiF с центрами окраски // Квантовая электроника, 1981, т. 8, с. 2239.

242. Майоров А.П., Макуха В.К., Смирнов В.А., Тарасов В.М., Трошин Б.И., Чеботаев В.П. Использование кристаллов LiF с F2" -центрами в качестве нелинейных фильтров в лазерной системе на стекле с неодимом // Письма в ЖТФ, 1980, т. 6, с. 941-943.

243. Архангельская В.А., Полетимов А.Е. Нелинейное поглощение света-термопреобразованными Р3"-центрами в кристаллах LiF // Оптика и спектроскопия. 1984, т.57, № 3, с. 377-378.

244. Лобанов Б.Д., Костюков В.М. Пассивные лазерные затворы на основе кристаллов LiF с центрами окраски для лазеров на александрите // Тезисы докладов XIV международной конф. по когерентной и нелинейной оптике, Ленинград, 1991,ч. 3, с. 162-163.

245. Тырышкин И.С, Иванов Н.А.Г Хулугуров В.М. Узкополосный перестраиваемый лазер на александрите с пассивной модуляцией добротности // Квантовая электроника, 1998, т. 25, №6, с. 505-508.

246. Архангельская В.А., Феофилов П.П. Перестраиваемые лазеры на центрах окраски в ионных кристаллах // Квантовая электроника, 1980, т. 7, №6, с. 1141-1152.

247. Bosi L., Bussolati С., Spinolo G. Lifetime of the first excited state of the F2+ center in LiF // Phys. Lett., 1970, v. 32A, p. 159-160.

248. Бураков B.C., Михнов C.A., Чепурной B.A., Хулугуров B.M., Шкадаре-вич А.П. Способ измерения коэффициента остаточного поглощения в ПЛЗ на основе LiF с F2" центрами окраски // Авторское свидетельство СССР, №1220475, приоритет от 25.08.81.

249. Бураков B.C., Кононов В.А., Корочкин Л.С., МихновС.А., Хулугуров В.М., Хюппенен В.П., Чепурной В.А., Шкадоревич А.П. Свойства пассивного затвора на центрах окраски в кисталле LiF // ЖПС, 1982, т. 36, № 3, с. 494-496.

250. Иванов H. А., Кузаков С. М., Парфианович И.А., Шуралева Е.И., Хулугуров В. М. Исследование лазерно- активных F2+ -центров в кристалах LiF и NaF. Деп ВИНИТИ, 1981, № 981-82,.

251. Иванов H.A., Михнов С.А., Хулугуров В.М., Чепурной В.А. Шкадаре-вич А.П., Янчук Н.Ф. Способ изготовления лазерной среды для активных элементов и пассивных лазерных затворов. // Авторское свидетельство СССР, № 1064835, приоритет от 29.09.81.

252. Михнов С.А., Стацкевич Л.И., Хюппенен В.П., Шкадаревич А.П. Стабильность лазерных элементов на основе LiF: F2"b условиях ультрафиолетового облучения // ЖПС, 1983, т. 39, с. 552-556.

253. Воржейкина Л.Ф. Автореферат диссертации канд. физ—мат. наук. Ра-диационно-термические нарушения в кристаллах KCl и LiF // Тбилиси, 1970, 22 с.

254. Радченко И.С. Коллоидные центры окраски в кристаллах фторида лития //ФТТ, 1969, т. И, с. 1829-1834.

255. Покровский В.П., Соме Л.Н., Степанов А.И., Тарасов A.A., Хулугуров В.М., Чепурной В.А. Без названия. Авторское свидетельство СССР, № 169578, приориет от 21.04.82.

256. Kobayashi Т. Picosecond study of color center translocation in LiTa03 // Solid. State Commun., 1980, v.33, p. 95-97.

257. Соболев Л.М., Варнавский О.П., Пензина Э.Э., Леонтович A.M., Парфианович И.А., Брюквин В.В. Самосинхронизация мод неодимового лазера ЩГК с Z -центрами окраски // Квантовая электроника, 1984, т. 2, №2 , с.416-417.

258. Maier M. Applications of stimulated raman skattering // Appl. Phys. 1976, v. 11.p. 209-231.

259. Kaiser I., Maier M // Laser Handbook, Amsterdam. 1972, v. 2. p. 1077 -1150.

260. Плачек Г., Рэлевское рассеяние, раман-эффект M.: Гостехиздат Украины, 1935, С.230.

261. Blomhergen N. The stimulated raman effekt // Amer. J. Phys, 1967, v. 35, № 11, p. 989.

262. Зубов B.A, Сущинский M.M, Шувалов И.К. Стимулированное комбинационное рассеяние света// УФЫ, т. LXXXIII, вып. 2, 1964, с. 197-222.

263. Баев В.М, Беликова Т.П., Свириденков Э.А, Сучков А.Ф. Внутрирезо-наторная спектроскопия с использованием лазеров непрерывного и квазинепрерывного действия // ЖЭТФ, 1978, т. 74, с. 43-56.

264. Коваленко С, Семин С. Конденсация спектра генерации широкополосных лазеров на узких линиях усиления // Квантовая электроника, 1988, т. 15, № 5. с. 1010-1015.

265. Белоконь М, Рубинов А.Н, Адамушко А. Автозахват частоты непрерывного лазера на красителе вблизи атомных линий поглощения в электрическом разряде // ЖПС, 1978, т. 29, № 3, с.409-414.

266. Басиев Т.Т. Спектроскопия новых ВКР -активных кристаллов и твердотельные ВКР-лазеры // УФН, 1999,т.169, X 110, с. 1149-1155.

267. Рождественская Т.В, Стрижевский В .Я, Хулугуров В.М, Шукиров Ж, Яшкир Ю.Н. Кинетика спектра ИК -люминисценции (1,08-1,6 мкм) F2"- центров окраски в кристаллах фторида литтия // Оптика и спектроскопия, 1985, т. 53, вып.4, с. 951-952.

268. Свердлов Л., Ковнер М, Крайнов Е. Колебательные спектры многоатомных молекул. М.: Наука, 1970, 291 с.

269. Хулугуров В.М, Иванов Н.А., Олейников Е.А., Куклин Е.А., Хулугуров Р.В. Усиление ВКР в стоксовой области 2200-5300 см"1 Р2+-центрами окраски в кристалле LiF // Оптика и спектроскопия, 1996, т. 80, с. 648-653.

270. Бобович Я.С. Последние достижения динамической спектроскопии комбинационного рассеяния света // УФН. 1992. т. 162,. № 6, с. 81-127.

271. Kinsey J.H., Cortese D.A., Moses H.L Ryan R.J., and Branum E.L. Photody-namic effect of hematoporohyrin derivate as a function of optical spectrum and in-cindent energy density // Cancer Research, 1981, v. 41, p. 5020-5026.

272. Карпухин C.M., Степанов А.И. Генерация в резонаторе при ВКР в кристаллах Ba(N03)2, Ыа(ЫОз)2 и СаСОз // Квантовая электроника, 1986, т. 13, с. 1572-1577.

273. Карпухин С.Н., Яшин В.Е. Генерация и усиление излучения при ВКР в кристаллах Ва(1чЮз)2// Квантовая электроника, 1984, т. 11, с. 1992 -2000.

274. Хулугуров В.М., Иванов Н.А., Олейников Е.А., Войцеховский В.Н. Усиление в кристалле LiF:F2~ при ВКР в кристалле Ва(Ж)з)2 // Квантовая электроника, 1992, т. 19, №2, с. 162-163.

275. Хулугуров В.М., Иншаков Д.В., Иванов Н.А., Олейников Е.А. Комбинационный лазер с внутрирезонаторным ВКР и усилением излучения на F2~ -центрах во фториде лития // Квантовая электроника, 1993, т. 20, №6, с. 567-568.

276. Хулугуров В.М., Иванов Н.А., Иншаков Д.В., Олейников ЕА. Лазер на основе вынужденного комбинационного рассеяния // Патент РФ, № 2012119, приоритет от 14.08.91.

277. Zernike F., Midwinter J. Applied nonlinear optics // A Wiley-Interscience Publication, New-York, Sydney, Toronto, London/ 1973 p. 189-215.

278. Дмитриев В., Тарасов Л. Прикладная нелинейная оптика. М.: "Радио и связь" 1982,. 336 с.

279. Ицхоки Я., Серегин С. Иницирование параметрической генерации оптической радиацией // Квантовая электроника. 1980, т. 7, № 4, с. 900-903.

280. Brosnan S.I., Byer R.L. Optical parametric oscillator threshold and linewidth studies // IEEE, J. Quantum Electron., 1979, v. QE-15, № 6, p.415-431.

281. Koechner W. Solid -state laser engineering // Springer-Verlag, Berlin Heidelberg 1996, 605 p.

282. Khulugurov V.M., Rzechickhy A.E. Oleynikov E.A., Karnauhov E.N. Laser on the base LiF(F2+) -LiNbOß with the temperature tuning of the generation // Pro-ceding SPIE "Solid State Lasers V", 1996, v. 2698, p. 229-234.

283. Хулугуров B.M., Ржечицкий А.Э., Олейников E.A. Перестраиваемый лазер // Патент РФ по заявке № 95120421/28 (035960), приоритет от 01.12.19.

284. Иванов H.A., Хулугуров В.М., Чепурной В.А., Шнейдер А.Г. Способ изготовления материала для активных элементов и пассивных затворов лазеров // Авторское свидетельство СССР, №1102458, приоритет от 22.12.82.

285. Волков В.В., Иванов H.A., Свириденков Э.А., Смольская Л.П., Хулугуров В.М., Ющук О.И. Генерация кристаллов КС1:Т1 и их применение в методе ВРЛС // Краткие сообщения по физике, ФИАН, 1989, №7, с. 24-25.

286. Хулугуров В.М., Иванов H.A., Синица Л.Н., Сердюков В.И., Квазине2прерывная генерация F2 О " центров в кристаллах LiF // Оптика и спектроскопия, 1981, т. 50, вып. 4, с. 801-802.

287. Мигулин A.B., Разумихина Т.Б., Холодных А.И., Хулугуров В.М. Лидар с излучателем на Р2+-центрах окраски для трассовой спектроскопии атмосферы в диапазоне 0,9-1,0 мкм // Оптика атмосферы, 1988, т. 1, №12, с. 36-41.

288. Иванов Н.А., Кузаков С.М., Парфианович И.А., Петухов В.А., Хулугуров В.М. Материал для аподизирующей диафрагмы. // Авторское свидетельство СССР, № 991841, приоритет от 30.06.81.

289. Khulugurov V., Ivanov N., Kim B.C., Mayorov A., Bordzilovsky D., Masy-cheva V., Danilenko E., Chung M.K. All solid state lasers for photodynamic therapy of the malignant neoplasm // Proc. SPIE 2002, v. 4615 p. 180-186.