Взаимодействие первичных дефектов со структурными нарушениями в ионных кристаллах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Вильчинская, Светлана Сергеевна

• Вильчинская, Светлана Сергеевна
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Вильчинская, Светлана Сергеевна

ВВЕДЕНИЕ. ф

ГЛАВА 1. ЭКСИТОНЫ В ЧИСТЫХ И ПРИМЕСНЫХ ЩГК.

1.1. Автолокализованные экситоны в чистых ЩГК.

1.2. Дырочные центры в ЩГК с гомологическими примесями.

1.2.1. Гетероядерные Ук-центры и Ук-центры, связанные с дефектами решетки.

1.2.2. Н- Нл- Нв - центры.

1.3. Локализованные экситоны в ЩГК с катионными гомологическими ф примесями.

1.4. Локализованные экситоны в ЩГК с анионными гомологическими примесями.

1.4.1. Поглощение локализованными экситонами.

1.4.2. Излучение локализованных экситонов в КС1.Т.;.

1.4.3. Излучение локализованных экситонов в КС1:Вг.

1.5. Взаимодействие электронных возбуждений с мономерами тяжелой анионной гомологической примеси в ЩГК.

1.6. Причины локализации электронных возбуждений в дефектной области кристалла. ф

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНИТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ,

ИСПОЛЬЗОВАННЫЕ В РАБОТЕ.

2.1. Образцы для исследований.

2.2. Импульсный оптический спектрометр.

2.3. Методика проведения эксперимента.

2.4. Градуировка измерительного тракта спектрометра.

2.5. Обработка результатов исследований.

ГЛАВА 3. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ПЕРВИЧНЫХ ДЕФЕКТОВ С ЛОКАЛЬНЫМИ ДЕФОРМАЦИЯМИ РЕШЕТКИ В МОДЕЛЬНЫХ

СИСТЕМАХ.

• 3.1. Импульсная катодолюминесценция кристаллов КС1:1 и КС1:Вг.

3.2. Экситоны, локализованные около димеров примеси.

3.2.1. Околодимерные экситоны в КС1:Вг.

3.2.2. Околодимерные экситоны в КС1:1.

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 4. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ПЕРВИЧНЫХ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ С ДОРАДИАЦИОННЫМИ В КРИСТАЛЛАХ MgF2H

ПРИРОДНЫХ ОБЪЕКТАХ.

4.1. Преобразования накопленных дефектов при взаимодействии с первичными в кристалле MgF2. k 4.2. Импульсная катодолюминесценция кристалла MgF2.

4.3. Взаимодействие первичных радиационных дефектов с дефектами в природных кристаллах.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Взаимодействие первичных дефектов со структурными нарушениями в ионных кристаллах»

АКТУАЛЬНОСТЬ И СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ ф Радиационное воздействие на твердофазные вещества приводит к значительному изменению их физико-химических свойств. Поэтому важны исследования, направленные на установление природы процессов, приводящих к изменению свойств, с целью поиска путей управления этими процессами.

При исследовании радиационных эффектов в широкощелевых материалах наибольший прогресс достигнут в понимании процессов # генерации первичной радиационной дефектности в чистых кристаллах щелочных галогенидов, фторидах щелочноземельных металлов, некоторых оксидных материалах. Однако, даже в номинально чистых материалах существует большое количество примесей, особенно гомологических, л дефектов в структуре решетки, вызванных не идеальными условиями их выращивания, не говоря уже о тех, которые вводятся специально. Наличие примеси приводит к значительным локальным деформациям решетки, что сказывается на эффективности взаимодействия с подвижными электронными возбуждениями в ионных кристаллах. В таких кристаллах происходит неоднородное по объему выделение поглощенной энергии радиации, (ф реализуется сложная картина реакций взаимодействия генерируемых Ф облучением первичных дефектов между собой и существующей или накопленной длительным облучением дефектностью. Это приводит к разрушению и электрическому пробою диэлектрика в местах скопления неоднородностей, изменению скоростей химических реакций, образованию локализованных и автолокализованных экситоноподобных состояний, возбуждению собственной и примесной люминесценции, изменению исходной дефектной структуры материала, накоплению новых собственных ^ и примесных центров окраски и другим эффектам [1-28]. Итоговый результат ♦ радиационно-стимулированных процессов в таких реальных кристаллах может очень сильно отличаться от результатов полученных при исследовании чистых материалов. Поэтому без знания процессов влияния дефектов на стимулированные радиацией реакции невозможно прогнозировать поведение материалов и изделий в радиационных полях, разрабатывать технологии получения новых материалов с заданными свойствами, модификации их свойств с использованием радиации.

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ РАБОТЫ

Целью настоящей работы является изучение закономерности взаимодействия первичных дефектов с существующими на примере ЩГК с гомологическими примесями и кристалла MgF2 с предварительно наведенными F-центрами методами импульсной спектрометрии.

Для достижения поставленной цели было необходимо:

1) исследовать процессы взаимодействия первичной радиационной дефектности с локальными деформациями решетки в смешанных (сильнолегированных) ионных кристаллах.

2) исследовать ядерные конфигурации локализованных электронных возбуждений в смешанных ионных кристаллах.

3) исследовать механизмы взаимодействия первичной дефектности с присутствующей в образцах кристалла MgF2

Указанные задачи решались при выполнении работ по программе «Университеты России», тема «Радиационно-химические процессы в смешанных ионных кристаллах» (2004 -2005гг., рук. - доц. Корепанов В.И.); гранту РФФИ «Катастрофические процессы в материалах при возбуждении мощными импульсами потоков электронного и лазерного излучения» (20042005гг., проект 04-02-16339, рук. - проф. Лисицын В.М.); по плану ТПУ, тема «Исследование нестационарных процессов в материалах при импульсных лазерных и электронных воздействиях». (2003-2005гг., рук. - проф. Лисицын В.М., № Гос. per.: 01200315128).

НАУЧНАЯ НОВИЗНА

1. Впервые проведены детальные исследования спектральных и кинетических характеристик люминесценции сильнолегированных кристаллов КС1:Вг и КС1:1 при возбуждении сильноточным электронным о 9 пучком наносекундной длительности в широком временном (10" - 10" с) и температурном (28-300 К) диапазонах; ряд исследований проведен методами каскадного возбуждения.

2. Обнаружены новые полосы люминесценции в спектрах импульсной катодолюминесценции (ИКЛ) в кристаллах КС1:1 с максимумом при 3.8 эВ, КС1:Вг с максимумами при 2.15, 2.8 эВ.

3. Впервые проведены исследования температурных зависимостей времени затухания, интенсивностей свечения, и высвеченных светосумм компонентов затухания полосы 3.8 эВ и 3.4 эВ в кристаллах КС1:1, длинновременного компонента затухания полосы 3.6 эВ в КС1:Вг; температурных зависимостей интенсивности ИКЛ F2(C2h)~ и F2(Ci)-4eHTp0B в кристалле MgF2. температурных зависимостей т, I, S медленного компонента затухания свечения F2(C2h)- и Р2(С])-центров в кристалле MgF2.

4. Получены новые доказательства существования влияния дефектов структуры на топографию локализации электронных возбуждений в щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК), MgF2.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ

Полученные экспериментальные результаты могут быть использованы при построении моделей прогнозирования поведения материалов в поле радиации, для разработки методов управления радиационной стойкостью и модификации их свойств, для создания новых методов контроля дефектной структуры конденсированных сред, их анализа при возбуждении исследуемого материала сильноточным электронным пучком.

Закономерности, полученные для модельных кристаллов, могут быть использованы для интерпретации явлений, наблюдаемых в других типах веществ: оксидах, стеклах, минералах, в том числе уже нашедших практическое применение в качестве детекторов в термолюминесцентных и термоэмиссионных дозиметрах, люминесцентных индикаторов излучения, сред для записи и хранения информации, активных сред для лазеров на центрах окраски и в других качествах. Особо следует подчеркнуть возможности использования полученных результатов в качестве научной базы для создания импульсного катодолюминесцентного анализа природных объектов, минералов.

ОСНОВНЫЕ НАУЧНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ:

1. Полосы люминесценции 3.8 эВ и 3.4 эВ в кристалле КС1:1 и полоса люминесценции 3.6 эВ в кристалле КС1:Вг обусловлены излучательным распадом экситонов, локализованных около димеров примеси.

2. В кристаллах КС1:1 и КС1:Вг создается одинаковый набор локализованных экситонов. Влияние размера примеси сводится лишь к незначительному смещению максимумов полос и изменению кинетических характеристик их свечения.

3. Взаимодействие электронных возбуждений с центрами окраски в кристалле MgF2 влияет на топографию их локализации, стимулирует F^F2, F2^F2 реакции, возбуждает синглетную и триплетную (при Т>150 К) люминесценцию Р2-центров. Взаимодействие созданных за импульс Н-центров с Р2-центрами приводит к разрушению Р2-центров и возбуждению их люминесценции при Т>180 К.

ЛИЧНЫЙ ВКЛАД

Результаты, изложенные в диссертации, получены лично автором, а также совместно с сотрудниками кафедры лазерной и световой техники электрофизического факультета Томского политехнического университета, и отражены в совместных публикациях. Личный вклад автора включает участие в постановке задачи исследования и планировании эксперимента, в проведении комплекса экспериментальных исследований по изучению излучательных и абсорбционных свойств отобранных групп минералов, в обсуждении и анализе полученных данных.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ

Результаты настоящей работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах: 12-ой международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов (Томск, 2003), 9-ой международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, 2004), 4-ой международной конференции "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (Томск, 2004), школе-семинаре «Люминесценция и сопутствующие явления», посвященной памяти заслуженного деятеля науки РФ профессора И.А. Парфиановича (Иркутск, 2000), 6-ой, 7-ой, 8-ой, 9-ой международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Современные техника и технологии» (Томск, 2000, 2001, 2002, 2003), региональной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике (Владивосток, 2003), научно-технической конференции студентов электрофизического факультета (Томск, 1999г), 8-ой международной конференции по физике твердого тела (Алматы, Казахстан, 2004), 7-ом Российско-Китайском симпозиуме по лазерной физике и лазерным технологиям (Томск, 2004), 6-ой, 10-й всероссийских научных конференциях студентов физиков и молодых ученых (Екатеринбург, 2000, Москва, 2004), международной конференции «Спектроскопия вакуумного ультрафиолета и взаимодействие излучения с конденсированной материей» (Иркутск, 2005). ПУБЛИКАЦИИ

Научные результаты, представленные в диссертации опубликованы в 15 печатных работах (1 статья в рецензируемом журнале, 8 статей в сборниках трудов конференций, 6 тезисов докладов всероссийских и международных конференций).

СТРУКТУРА РАБОТЫ

Диссертации состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы из 132 наименований, изложена на 127 страницах машинописного текста, содержит 50 рисунков, 7 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Вильчинская, Светлана Сергеевна

Основные выводы по результатам проведенных исследований могут быть сформулированы следующим образом:

1. Обнаружены новые полосы люминесценции в спектрах ИКЛ в кристаллах КС1:1 с максимумом при 3.8эД, KCl.Br с максимумами при 2.15, 2.8 эВ.

2. Установлено, что полосы люминесценции ЗЯэВ и 3.4эВ в кристалле KCUI обусловлены излучательным распадом экситонов локализованных около димеров примеси. Это предположение является наиболее вероятным, поскольку интенсивности свечения полос пропорциональны квадрату концентрации примеси; возбуждение околопримесных мономерных экситонов приводит к вспышке свечения в области 3.8 эВ.

3. Полоса люминесценции З.бэВ в кристалле KCLBr обусловлена излучательным распадом экситонов, локализованных около димеров примеси. Это предположение является наиболее вероятным, поскольку возбуждение этих центров приводит к вспышке свечения димерных экситонов.

4. Показано, что в КС1:Вг наблюдается такой же набор полос свечения локализованных экситонов, как и в КС1:1. Влияние размера примеси сказывается лишь на изменении соотношения микросекундных составляющих полос (3.4 эВ и 2.64 эВ в КС1:1 и 3.6 эВ и 2,5 эВ в КС1:Вг) и незначительным смещением максимумов их полос.

5. После воздействия единичного импульса радиации на кристалл MgF2 с предварительно наведенными F и Р2-центрами окраски имеет место релаксация дефектности, завершающаяся за продолжительное время (до 1с) установлением существовавшего до воздействия импульса радиации равновесного соотношения между ранее наведенными дефектами. Изучены кинетики изменения светопропускания в максимумах полос F2(Cj)~ и F2(C2h)~ центров, описывающие процессы установления равновесия между этими центрами (F2<^F2 реакцию) в кристалле MgF2.

6. Электронейтральные по отношению к решетке F и ^-центры окраски в MgF2 являются эффективными ловушками и центрами захвата электронных возбуждений и первичных дефектов.

7. Воздействие СЭП на кристаллы MgF2 с предварительно наведенными F и Р2-центрами окраски при низких температурах приводит к возбуждению люминесценции, интенсивность которой определяется пробегом до автолокализации (локализации) подвижных электронных возбуждений. При высоких (>150К) температурах ИКЛ возбуждается и электронными возбуждениями, и с участием Н-центров.

8. Впервые измерены температурные зависимости интенсивности свечения в максимумах полос 5.39 эВ и 3.75 эВ и интенсивности нано и микросекундных составляющих в кинетике затухания свечения полосы 4.35 эВ в спектрах ИКЛ полевых шпатов.

Автор считает своим приятным долгом выразить благодарность научному руководителю д.ф.-м.н., профессору, заслуженному деятелю науки РФ В.М. Лисицыну за постоянное внимание и интерес к работе; к.ф.-м.н., докторанту В.И. Корепанову за помощь в проведении экспериментов и плодотворные дискуссии, к.ф.-м.н., доценту В.И. Олешко за полезные обсуждения; коллегам по лаборатории М.Ф. Кузнецову, к.ф.-м.н., ассистенту Е. Ф. Полисадовой, к.ф.-м.н., ассистенту Т.В. Гречкиной, инженеру С.В. Путинцевой, за внимание и поддержку.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе исследованы процессы эволюции первичных радиационных дефектов, ядерной конфигурации локализованных электронных возбуждений в содержащих дефекты материалах различных классов. Исследованы механизмы взаимодействия первичной дефектности с присутствующей в образце.

Исследована импульсная катодолюминесценция кристаллов КС1:1 и КС1:Вг при температурах 30 - 300 К, во временном интервале 10"8-10"1 с, обсуждается природа впервые обнаруженных полос свечения в этих системах. Исследована релаксация короткоживущих околопримесных экситонов при оптическом их довозбуждении. Обнаружены и исследованы околодимерные экситоны.

В кристаллах фторида магния исследованы и обсуждаются детали процессов разрушения и образования F- и ^-центров окраски, при их взаимодействии с электронными возбуждениями. Исследована импульсная катодолюминесценция кристалла MgF2.

Изучены спектрально-кинетические характеристики природных кристаллов, минералов, с целью поиска в них изучаемых в настоящей работе процессов: взаимодействия первичных дефектов с имевшимися в кристалле.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Вильчинская, Светлана Сергеевна, 2005 год

1. Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твёрдых телах. М: Наука.-1989.С.-264.

2. Алукер Э.Д., Гаврилов В.В., Дейч Р.Г., Чернов С.А. Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щёлочно-галоидных кристаллах. Рига: Зинатне, 1987. - С. 183.

3. Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979.-252 с.

4. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. М., Наука, 1966. 324 с.

5. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров: Учеб. пособие для вузов. М.: Высш. школа, 1982. - 376 с.

6. Левшин Л.В., Салецкий A.M. Люминесценция и её измерения М: Изд. МГУ, 1989.

7. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов/ Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, В.Н. Куценко; под ред. Г.П. Пека. Киев: Техника, 1986. 152 с.

8. Парфианович И.А., Соломатов В.Н. Люминесценция кристаллов. Иркутск: Изд-во ИГУ. 1988. -248 с.

9. Прингсхейм П. Флуоресценция и фосфоресценция (Пер. с англ.). М: ИЛ. -1951.-622 с.

10. Феофилов П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов. М.: Физматгиз. 1959.

11. Фок М.В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука. 1964.

12. Ребане К.К. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов. М.: Наука, 1968.

13. Лущик Ч., Лущик А., Кярнер Т., Кирм М., Долгов С. Релаксация, автолокализация и распад электронных возбуждений в широкощелевых оксидах. // Изв. Вузов. Физика. Т.43. - №3. - 2000. С. 5-16.

14. Барышников В.И., Колесникова Т.А., Квапил И. Возбуждение люминесценции примесных ионов широкозонных кристаллов мощными электронными пучками и оптическими вспышками. // ФТТ. 1994. - Т. 36. - №9.- С. 2788-2790.

15. Парфианович И.А., Пензина Э.Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск, 1977, 208 с.

16. Вавилов B.C., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука, Физматгиз, 1988. 190 с.

17. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М:. Наука, 1981, 368 с.

18. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наукова думка, 1979. 336 с.

19. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках / Под ред. С.М.Рывкина. М: Радио и связь, 1981, 248 с.

20. Бактыбеков К.С. Люминесценция и радиационно-стимулированные процессы в кристаллах с комплексными анионами и катионами. Автореферат дис-ции на соискание степени д.ф.-м.н. Алматы: Алматинский гос. ун-т. 1996.

21. Шаршеев К. Радиационные и примесные центры с переменой валентностью в кристаллах сложных сульфатов щелочных металлов. Екатеринбург-Каракол, 1999. 209 с.

22. Супе А.А., Ананьева Т.А., Тилинкс Ю.Е. Спектральный состав люминесценции облученных сульфатов щелочных металлов. // Химия высоких энергий, 1996. Т. 30. - №2. - С. 124-127.

23. Itoh М., Horimoto М., М. Fujita Luminescence decay of PbW04 crystals under different exitation conditions // J. Phys. Condens. Matter.15, 2003, p. 193-201.

24. Бережной А.И., Красников А.С. Образование центров окраски в стеклокристаллических материалах и керамике при радиационном воздействии // Новые технологи 21 век. 2000. 1. С. 48-51.

25. Марфунин А.С. Введение в физику минералов. М.: Недра. 1974. 328 с.

26. Марфунин А.С. Спектроскопия, люминесценция и радиационные центры в минералах. М.: Недра, 1975. - 327 с.

27. Таращан А.Н. Люминесценция минералов. Киев: Наукова думка, 1978. -296 с.

28. Комов И.Л. Радиационная минералогия. М.: Энергоиздат. 1982. -175 с.

29. Лисицын В. ММ Изв. ТПУ, 2000, т.ЗОЗ, №2, с.7-25.

30. CastnerT.G., Kanzig W. The electronic structure of V-centers.-J.Phys. Chem. Sol.- 1957.-vol.3, №3-4.-P. 178-195.

31. Delbecg C. J., Smaller P., Yuster P.H. Optical absorption of Cl2—-molecular ions in irradiated potassium chloride. Phys. Rev. -1958.- V.lll, №5,- P. 12351240.

32. Delbecg C. J., Hayes W, Yuster P.H. Absorption spectra of F2— ,C12~, Br2— J2— in alkali yalides. Phys. Rev. -1961.- V.121, №4.- P. 1043-1050

33. Мотт H., Герни P. Электронные процессы в ионных кристаллах. М.: Иностранная лит-ра, 1950.-304с.

34. Song K.S., Williams R.T. Self-Trapped Excitons. -Springer, Berlin, 1993.-404p.

35. Fujiwara H., Suzuki Т., Tanimura K. Femtosecond time-resolved spectroscopy of the Frenkel-pair generation and self-trapped-exciton formation in KC1 and RbCl. J. Phys. Condens. Matter.-1997.- V. 9.- P.923-936.

36. Williams R.T., Bradford J.N., Faust W.L. Short-pulse studies of exciton relaxation and F center formation in NaCl, KC1 and NaBr.// Phys.Rev.B.-1978.-V.18, №12. P.7038-7057.

37. Schoemaker D. g and hyperfme components of F^-centers. Phys. Rev. В.-1973.-V.7, №2,- P. 786-801.

38. Goldberg L. S., Meistrich M.L. Optical and electron-spin-resonance studies of the JC1"~ ^-centers in KC1-J. Phys. Rev.- 1968. V. 172. №8.- P.- 877-885.

39. Hirai M. Formation of color centers in anion-doped crystals. J. Chem. Solids. -1990.-V. 51, №7.-P. 737-745.

40. Williams R.T., Bradford J.N., Faust W.L. Short-pulse studies of exciton relaxation and F center formation in NaCl, KC1 and NaBr.// Phys.Rev.B.-1978.-V.18,№12.-P.7038-7057. 1

41. Kabler M. N., Patterson D. A. // Phys. Rev. Lett- 1967, vol. 19, № 11, p. 652654.

42. Tanimura K., Nurakami T.,itoh N. // Journal of the Physical Society of Japan. -1982.-V. 51, №3.-P. 888-897.

43. Fuller R. G., Williams R. Т., Kabler M. N. // Phys. Rev. Lett- 1970, V. 25, № 7, p. 446-449.

44. Arimoto O., Sasaki K., Kan'no K., Nakai Y.//J. Phys. Soc. Jap. — 1985. —V. 54. — № 8. — P. 3188—3194.

45. Лисицын В. M., Малышев А. А., Яковлев В. Ю.//ФТТ. — 1983. — Т. 25. —Вып. 11. — С. 3356—3360.

46. Кузнецов М. Ф., Корепанов В. И. // Опт. и спектр. 1988. - Т. 64. - Вып. 4. -С. 960-961.

47. Song K.S., Williams R.T. Self-Trapped Excitons. -Springer, Berlin, 1993.-404p.

48. Itoh N., Stoneham A. M., Harker A. H. The initial production of defects in alkali halides: F and H centre production by non-radiative decay of self-trapped excitons. // J. Phys. C: Solid State Phys.- 1977.- V.10.- P.4197-4209.

49. Rabin H., Klick C.C. Formation of F centers at low and room temperatures. // Phys. Rev. -1960. -V.l 17, № 4. -P. 1005-1010.

50. Kabler M. N. Hole center in halide lattices. In: Point defects in solids. New York, Plenum Press, 1972, p. 327 - 380.

51. Delbecq C., Hutchinson E., Schomaker D. // Phys. Rev. 1969. V. 187. № 6. P. 1103-1119.

52. Schomaker D. //Phys. Rev. 1971. V. 3. № 2. P. 3516-3531.

53. Schomaker D. // Phys. Rev. 1973. V. 7. № 2. P. 786-801.

54. Круминьш В. Я., Бауманис Э. А. // Учен. зап. Латв. ун-та. 1975. Т. 245. № 4. С. 82-98.

55. Корепанов В. И., Кузнецов М. Ф., Малышев А. А., Стреж В. В.// //-центры в ШГК с тяжелой анионной гомологической примесью. ФТТ., т. 32, №5, 1990, с. 1317- 1322.

56. Шункеев К. Ш, Гиндина Р. И., Плоом Л.А. / / Тр. ИФАН ЭССР. 1981. Т. 52. С. 7101-7120.

57. Hirano Y., Itoh N. Self-trapped excitons perturbed by Na+ in KC1 crystal // Physics letters. 1977- V. 60A. - № 5. - pp. 465-467.

58. Williams R. Т., Kabler M. N. Excited-state absorption spectroscopy of seif-trapped excitons in alkali halides // Phys. Rev. B, 1974, vol. 9, № 4, p. 1897 1907

59. Toyoda K., Nakamura K. and Nakai Y. Luminescence from self-trapped excitons in KBr:Na // Journal of Luminescence. -1976. V. 12&13. - pp. 321325.

60. Nakamura K., Fukuda K., Kato R., Matsul A. and Uchida Y. J. Phys. Soc. Jpn. 16(1961) 1262.

61. Малышев А. А., Яковлев В. Ю. Релаксированные гетероядерныеэкситоны в кристалле КС1:1 // ФТТ. 1982. - т. 24. - вып. 8. - с. 22962299.

62. Корепанов В. И., Лисицын В. М., Лисицына Л.А.// Образованиеоколодефектных экситонов в щелочно-голоидных кристаллах. Физика, т. 39, №11, 1996, с. 94-109.

63. Hirota S., Edamatsu К., Kondo Y. and Itoh Т. Infrared transient absorption and electronic state of localized self-trapped excitons in KC1:I.// Phys. Rev. B. -1995.-V. 52, №11. pp.7779-7782.

64. Kanno K., Itoh M., and Nakai Y. Luminescent from KC1:I at low temperatures // Journal of the Physical Society of Japan. 1979. V. 47, № 3. - pp. 915-920.

65. Goldberg L. S. Luminescence from 1СГ Vk-Center-Electron Recombination and Localiszed Exciton Decay in KC1:I // Physical Review . 1968. V. 168, № 3. - pp. 989-991.

66. Kanno K., Itoh M., and Nakai Y. Luminescent from KC1:I at low temperatures // Journal of the Physical Society of Japan. 1979. V. 47, № 3. - pp. 915-920.

67. Кусманн И. Л., Лущик Ч. Б. Собственная люминесценция ионных кристаллов с автолокализующими экситонами // Изд. АН СССР. Сер. Физ.

68. Ф 1976. - т. 40. - № 9. - с. 1785-1792.

69. Toyoda К., Nakamura К. and Yuster P. H. Luminescence of Iodine Dimers in KC1:I // Journal of the Physical Society of Japan. 1975. V. 39, № 4. - pp. 994-998.

70. Edamatsu K., Hiramatsu Т., Hirai M. Luminescent decay of the relaxed excitons localized at iodine dimmers in NaCl:I and KC1:I // Journal of Luminescence. 1994. -V. 60&61. - pp. 607-610.

71. Kanno К., Tanaka K., Kosaka H., Mukai Т., Nakai Y., M. Itoh Y., Miyanaga Т., Fukui K. and Watanabe M. Phys Scr 41 (1990) 120.

72. Tanaka K., Kanno K. and Y. Nakai. Lattice Relaxation of Self-Trapped Excitons in Binary Mixed Crystals of KC1 and KBr // Journal of the Physical Society of Japan. 1990.-V. 59, № 4. pp. 1474-1487.

73. Arimoto O., Kan 5, Ono K., Nakamura K., Nakai Y.// J. Phys. Soc.Jap.-1984.-V.53, N1.-p.70-73.

74. Васильченко E.A., Саломатов B.H., Тайиров MM.// Тр. ИФ АН ЭССР.-1986.- ВЫП.58.-С.100-110.

75. Кузнецов М.Ф., Корепанов В.И., Малышев А.А. // ФТТ.-1991.-Т.32,№2,-с.3471-3475.

76. Лисицын В.М., Корепанов В.И., Яковлев В.Ю. Эволюция первичной радиационной дефектности в ионных кристаллах.// Изв. ВУЗзов. Физика. -1996. -№ И. -С.5-29.

77. Shirai М., Кап'по К. Time-Resolved ODMR Study of the Type II Relaxed Exciton in KBr:I.//J. Phys. Soc. Jap.- 1998.- V.67, №6.- P. 2112-2119.

78. Артемова В.Б, Крейнин О.Л. //Деп в ВИНИТИ N1606-74.

79. Ланг И.Г.//ЖЭТФ.-1977.-Т.72,В.6.-с.2152-2160.

80. Вайниард Дж. Динамика радиационных повреждений.- УФН.- 1961.-Т.74, В.З.- С.435-459.

81. Агранович В.М., Кирсанов В.В. Проблемы моделирования радиационных повреждений в кристаллах. УФН.- 1976.- 118, В1.- С.3-51.

82. Щ 86. Кристофель Н.Н. Теория примесных центров малого радиуса вионных кристаллах. М.: Наука. -1974.-336с.