Релаксация первичной радиационной дефектности в кристаллах фторидов лития и магния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Гречкина, Татьяна Валерьевна

• Гречкина, Татьяна Валерьевна
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Гречкина, Татьяна Валерьевна

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1 ОСНОВНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О СВОЙСТВАХ ПЕРВИЧНОЙ РАДИАЦИОННОЙ ДЕФЕКТНОСТИ В

ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ.

§ 1.1. Автолокализованные экситоны.

§ 1.2. Энергетическая и электронная структура АЭ.

§1.3. Образование точечных дефектов.

§1.4. Спектры свечения и поглощения кристаллов LiF и MgF2 при воздействии радиации.

1.4.1. Спектральный состав свечения в кристалле LiF.

1.4.2. Радиационные дефекты и люминесценция кристаллов MgF2.

Глава 2 МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА.

§2.1. Объекты для исследования.

§2.2. Импульсный оптический спектрометр.

§2.3. Градуировка измерительного тракта спектрометра.

§ 2.4. Обработка результатов кинетических исследований.

Глава 3 СПЕКТРАЛЬНО-КИНЕТИЧЕСКИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ

ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ КРИСТАЛЛА LiF.

§3.1. Спектры импульсной катодолюминесценции кристалла LiF при ^ низкой температуре.

§3.2. Температурные зависимости кинетических параметров затухания свечения в кристалле LiF.

3.2.1. Температурные зависимости характеристического времени затухания.

3.2.2. Температурные зависимости интенсивностей и высвеченных светосумм в спектрах ИКЛ кристалла LiF.

§3.3. Обсуждение результатов и выводы.

Глава 4 АВТОЛОКАЛИЗОВАННЫЕ ЭКСИТОНЫ В MgF2.

§ 4.1. Спектры импульсной катодолюминесценции MgF2.

§ 4.2. Кинетика затухания ИКЛ в кристалле MgF2.^

§ 4.3. Спектрально-кинетические параметры экситонного поглощения в кристалле MgF2.

§ 4.4. Обсуждение результатов и выводы.Ю

Глава 5 СООТНОШЕНИЕ КАНАЛОВ ДИССИПАЦИИ ЭНЕРГИИ ПЕРВИЧНЫХ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В

КРИСТАЛЛАХ LiF И MgF2.

§ 5.1. Особенности создания АЭ в кристаллах LiF и MgF2.^ q^

§ 5.2. Температурные зависимости эффективности создания АЭ и Fцентров в кристаллах LiF и MgF2.Ill

5.2.1. Автолокализованные экситоны.

5.2.2. F-центры.

5.2.3. Анализ температурных зависимостей.

§ 5.3. Обсуждение результатов и выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Релаксация первичной радиационной дефектности в кристаллах фторидов лития и магния»

АКТУАЛЬНОСТЬ РАБОТЫ. В широкощелевых материалах, в том числе ионных кристаллах, реализуется сложная картина реакций взаимодействия генерируемых облучением первичных дефектов между собой и существующей или накопленной длительным облучением дефектностью. Это приводит к образованию локализованных и автолокализованных экситоноподобных состояний, возбуждению люминесценции, изменению исходной дефектной структуры материала, накоплению новых собственных и примесных центров окраски и другим эффектам. Без знания деталей этих реакций невозможно широкое практическое применение потоков фотонных и корпускулярных ионизирующих излучений. Их анализ дает возможность контролировать технологию радиационной обработки материалов и изделий, прогнозировать поведение материала в поле радиации, осуществлять контроль степени его чистоты и совершенства структуры.

Создание и последующее преобразование дефектов в ионных соединениях преимущественно связывают с процессами распада электронных возбуждений. Процесс распада включает в себя набор промежуточных стадий релаксации автолокализующегося электронного возбуждения. Созданные при этом автолокализованные экситоны (АЭ) и F,H пары относятся к первичным продуктам образующихся дефектов в щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК). В последующем АЭ также могут превращаться в F-H пары дефектов. Соотношение каналов диссипации энергии электронных возбуждений в процессе их распада на первичные дефекты зависит от материала, условий облучения и т. д.

Роль процесса автолокализации ЭВ в образовании F-центров в ЩГК была признана уже давно и, тем не менее, механизм процесса еще недостаточно изучен даже в ЩГК и тем более в других ионных кристаллах.

Особый интерес представляют сопоставления этих процессов в кристаллах LiF и MgF2, имеющих близкие электронные строения, но отличающиеся структурой решетки. Эти сопоставления перспективны для выявления общих для ионных кристаллов закономерностей процессов создания и эволюции радиационных дефектов. Однако для обобщений к настоящему времени имеющейся информации о процессах радиационного дефектообразования в этих кристаллах явно недостаточно.

СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ. С момента появления классической работы Френкеля (1931г.) по теории экситонов в диэлектриках и полупроводниках к настоящему времени накоплен обширный материал по изучению их свойств и структуры. Открытие низкоэнергетического экситонного механизма создания точечных дефектов в ЩГК (1965 г.) послужило началом нового этапа в исследовании экситонов, - поиска механизма преобразования энергии электронного возбуждения в кинетическую энергию ионного смещения.

Установлено, что в большинстве ЩГК создание электронных возбуждений, возбуждение нижайшего триплетного состояния АЭ в электронном [4,5] или дырочном [6] компоненте приводит к созданию F,H пар дефектов. Эти результаты показывают на существование возбужденных состояний АЭ, которые с высокой вероятностью преобразуются в пары дефектов.

Возможности техники и методов люминесцентной и абсорбционной спектроскопии с нано-, пико- и фемтосекундным временным разрешением позволили экспериментально получить в конце 80-х начале 90-х годов ХХ-го века ряд важнейших результатов, составляющих основу современных представлений: образование одногалоидного экситона, сосуществование on- и off- центровой конфигураций автолокализованных экситонов [16] и др. Выявлению закономерностей спектрально-кинетических свойств АЭ on- и offтипа в ряду ЩГК посвящены работы (Kan'no, Williams, Song, Tanimura и др., 1993-1995г.). В работах [5,17-21] установлены основные элементарные процессы рождения первичных дефектов. В [22,23] развиты представления о распаде электронных возбуждений на коррелированные и некоррелированные пары. Наибольший прогресс достигнут в понимании процессов генерации первичных радиационных дефектов в модельных ЩГК. Однако, разработаны лишь основные представления о процессах пространственного разделения компонентов пар Френкеля в ЩГК [18,22,31,32], хотя именно процессами преобразования первичной дефектности в устойчивые определяется конечный результат воздействия на материал ионизирующих излучений.

В кристаллах MgF2, также как в ЩГК и фторидах щелочно-земельных металлов (ЩЗМ) с решетками флюорита (Me: Са, Sr, BaF2), под действием радиации создаются собственные радиационные дефекты в виде электронных центров окраски F, F2 и дырочных //-центров [7-10]. Показано, как и в других ионных соединениях, F,H пары в кристаллах MgF2 с высоким выходом образуются при распаде электронных возбуждений (Лисицын, 1972, 1975г.). Согласно (Tanimura, Itoh, 1991г.), выход числа F-центров в MgF2 значительно увеличивается при оптическом возбуждении триплетного состояния АЭ.

Однако имеющийся набор результатов по радиационному дефектообразованию в этих кристаллах получен разными авторами при разных условиях облучения, в образцах разной предыстории и для достижения разных целей. Поэтому эти результаты достаточно сложно проанализировать для построения обобщенной и цельной картины стимулированных радиацией процессов в кристаллах фторида магния.

Одна из отличительных особенностей кристаллов MgF2 заключается в возможности создания в них автолокализованных экситонов [11,12] при отсутствии экспериментальных доказательств автолокализации дырок в этом кристалле [10]. Однако ясного представления и о том, как это обстоятельство сказывается на процессах создания и эволюции первичных дефектов в решетке MgF2 нет. Кристалл MgF2 отличается от ЩГК также высокой радиационной стойкостью и тем, что поведение центров окраски в нем при фототермических воздействиях подобно поведению аналогичных центров в аддитивно окрашенных ЩГК. Причина этого также не установлена.

Существующие к настоящему времени сведения о процессах радиационного дефектообразования в кристаллах MgF2 были получены в основном стационарными методами исследований [12-15]. Для изучения динамики преобразования первичной дефектности, которая, как правило, является короткоживущей, необходима информация о быстропротекающих процессах возникающих при взаимодействии излучения с веществом, по крайней мере, в наносекундном временном диапазоне. Сведений об этих процессах во фториде магния явно недостаточно.

Исследования собственной люминесценции и закономерностей дефектообразования в кристалле LiF немногочисленны и часто противоречивы [24-28]. Причиной малой изученности кристаллов LiF является его специфика - большая ширина запрещенной зоны, трудность получения чистых кристаллов, слабое собственное свечение, необходимость исследования в основном в УФ- области. Особенно слабо изучены радиационные эффекты методами импульсной спектрометрии при низких температурах.

LiF и MgF2 являются представителями широкощелевых диэлектриков и принадлежат к разным группам кристаллов. Оба кристалла находят широкое практическое применение, так как имеют наибольшую границу прозрачности в УФ области из всех оптических материалов. Поэтому эти кристаллы незаменимы в оптических устройствах для УФ области, в том числе и в лазерной УФ технике, в твердотельной электронике в космической оптике. Материалы широко используются для изготовления твердотельных дозиметров.

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ РАБОТЫ. Целью настоящей работы является исследование закономерностей создания и эволюции первичной радиационной дефектности в кристаллах LiF и MgF2 методами импульсной люминесцентной и абсорбционной спектроскопии с наносекундным временным разрешением. Цель работы достигалась путем решения следующих задач:

1. Исследование спектрально-кинетических параметров люминесценции и поглощения в кристаллах LiF и MgF2 при низких температурах.

2. Исследование и анализ температурных зависимостей эффективности создания первичных радиационных дефектов (автолокализованных экситонов и F-центров) в кристаллах фторидов лития и магния.

3. Анализ и сопоставление процессов радиационного дефектообразования в кристаллах фторидов металлов с разным типом кристаллической решетки (каменной соли - LiF и рутила - MgF2).

НАУЧНАЯ НОВИЗНА:

1. Впервые проведены детальные исследования спектрально-кинетических параметров затухания люминесценции в кристаллах LiF и MgF2 при низких температурах в широком временном интервале после облучения электронными импульсами наносекундной длительности. В MgF2 обнаружена новая собственная полоса свечения с максимумом при 4.2эВ.

2. Уточнено электронное строение и ядерные конфигурации автолокализованных экситонов (АЭ) в кристаллах LiF и MgF2.

3. Впервые в широком температурном интервале 12.5-500К детально изучены эффективность создания и параметры релаксации F-центров в кристаллах MgF2.

4. Установлено, что в обоих типах кристаллов (LiF и MgF2) создание АЭ и F,H-nap происходит из высокоэнергетических состояний автолокализующихся электронных возбуждений.

5. Показано, что причиной высокой радиационной стойкости фторида магния по сравнению с кристаллами фторида лития является низкая эффективность преобразования первичных дырочных центров в стабильные.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ результатов исследований состоит в их использовании: для разработки методов прогнозирования поведения материалов в радиационных полях в атомной энергетике и космической технике; для совершенствования радиационных технологий обработки материалов и изделий; для разработки новых методов испытания, контроля и анализа материалов природного и искусственного происхождения.

Результаты и анализ проведенных исследований позволяют расширить представления о механизмах образования и эволюции первичных дефектов в ионных кристаллах, дают возможность разработать более адекватные модели для их описания.

ЗАЩИЩАЕМЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ.

1. В кристалле LiF при низких температурах определено спектральное положение полос ответственных за автолокализованные экситоны двух типов {on-типа с излучательным переходом при 5.8эВ и off-типа с излучательным переходом при 4.4эВ). Соотношение эффективностей создания этих дефектов изменяется в температурном интервале 20-60К.

2. В кристалле MgF2 при низких температурах создаются автолокализованные экситоны off-типа с излучательным переходом 3.2эВ.

3. В кристаллах LiF и MgF2 существует два независимых канала диссипации энергии высокоэнергетических (преддефектных) состояний автолокализующихся ЭВ, по которым создаются либо двухгалоидные экситоны в триплетном состоянии либо пары френкелевских дефектов. Соотношение эффективностей каналов диссипации зависит от температуры кристалла.

ЛИЧНЫЙ ВКЛАД АВТОРА. Результаты, изложенные в диссертации, получены автором в сотрудничестве с сотрудниками кафедры лазерной и световой техники электрофизического факультета Томского политехнического университета (ТПУ) и кафедры физики Томского государственного архитектурно-строительного университета (ТГАСУ). Участие в работе отражено в совместных публикациях. Личный вклад автора включает проведение экспериментальных исследований, обработку и представление результатов исследований.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ. Результаты настоящей работы были доложены на следующих конференциях и семинарах: VIм и IXм международные научно-практические конференции студентов, аспирантов и молодых ученых (Томск, 2000, 2003); школа-семинар "Люминесценция и сопутствующие явления" (Иркутск 2000, 2001), II— школа-семинар «Современные проблемы физики и технологии» (Томск, 2001), Международная конференция "Физико-химические процессы в неорганических материалах" (Кемерово, 2001), III Ural Workshop on Advantage Scintillation and Storage Optical Materials (Ekaterinburg, 2002), 12м международная конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов, РФХ-12 (Томск, 2003).

Диссертационная работа планировалась и выполнялась в рамках научного направления Томского политехнического университета -«Разработка научных основ и технологий радиационных и лазерных воздействий на материалы». Исследования выполнялись также при финансовой поддержке Министерства образования РФ (Грант №01980004587), а также при поддержке РФФИ (Грант №01-02-18035).

ОБЪЁМ И СТРУКТУРА. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы из 117 наименований. Общий объем диссертации: 141 страница машинописного текста, 32 рисунка и 6 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Гречкина, Татьяна Валерьевна

Выводы

1. Создание первичных дефектов в кристаллах LiF и MgF2 происходит из высокоэнергетических (преддефектных) состояний автолокализующихся ЭВ.

2. В отличие от ЩГК, в MgF2 не эффективны процессы создания стабильных дырочных центров. Этими процессами объясняется высокая радиационная стойкость MgF2, высокая стабильность электронных центров окраски.

3. В кинетике пострадиационной релаксации F-центров в кристалле MgF2 имеется несколько компонентов обусловленных электронно-дырочными процессами в коррелированных F,H - парах. и»

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Методами импульсной оптической спектрометрии с наносекундным временным разрешением исследованы закономерности создания и эволюции первичных дефектов (АЭ и F-центров) в широком температурном 12.5-500К и временном 10"8-10"'с интервалах в кристаллах фторидов лития и магния. Установлены основные особенности радиационного дефектообразования. Полученные экспериментальные данные и анализ результатов исследований привели к следующим основным выводам:

1. В кристалле LiF под действием радиации создаются короткоживущие дефекты двух типов, которые имеют различные спектрально-кинетические параметры поглощательных и излучательных переходов, различные значения энергии активации процессов пострадиационной релаксации и разный характер температурных зависимостей эффективности создания под действием ИЭ. При низких температурах (12.5К) преимущественное создание принадлежит дефектам типа I (АЭ оп-типа), которым соответствуют поглощательные 5.5 и 5.1эВ и излучательный 5.8эВ переходы. Дефекты типа II (АЭ off- типа) имеют поглощательные 5.3 и 4.75эВ и излучательный 4.4эВ переходы, создаются в области (12.5-170К) с максимальной эффективностью в области 60К.

2. В кристалле MgF2 под действием радиации в области низких температур создается АЭ off типа с излучательным переходом на 3.2эВ.

3. В обоих типах кристаллах LiF и MgF2 наблюдается одновременное создание двух радиационных дефектов АЭ и F-центров. Энергетические затраты на создание одного F-центра равны

2 10 эВ в LiF и 2 103эВ - в MgF2.

4. В области высоких температур - в области термоактивированного создания F-центров кристаллы LiF и MgF2 имеют много общих характеристик: близкие значения как температуры проявления термоактивированного механизма создания F-центров- 120 в MgF2 и 140К в LiF, так и величины энергии активации процесса, приводящего к росту эффективности создания F-центров (0.07 и О.ОбэВ соответственно).

5. Создание первичных дефектов в кристаллах LiF и MgF2 происходит из высокоэнергетических (преддефектных) состояний автолокализующихся ЭВ.

6. В кристалле LiF эффективность создания стабильных центров окраски при всех температурах существенно выше - примерно на 2 порядка при 20К (в MgF2 4-105, а в LiF - З-Ю3 эВ/дефект). Различие обусловлено тем, что в кристалле MgF2, созданные Я-центры, не преобразуются в более устойчивые дырочные центры, как в LiF.

7. В кристаллах MgF2 имеет место многокомпонентная кинетика релаксации F-центров в коррелированных F,H парах.

В заключение приношу глубокую искреннюю благодарность научному руководителю доктору физ.-мат. наук, профессору, заслуженному деятелю науки РФ В.М. Лисицыну за поддержку, внимание и интерес к работе.

Автор искренне благодарен кандидату физ.-мат. наук, доценту В.И.Корепанову и доктору физ.-мат. наук, профессору Л.А. Лисицыной за помощь в организации и планировании экспериментальной части в работе, за помощь в изучении физики процессов и плодотворные обсуждения полученных результатов.

Автор считает приятным долгом поблагодарить доктора физ.-мат. наук, профессора В.Ю. Яковлева за полезные дискуссии и интерес к работе, а также коллег по лаборатории кандидата физ.-мат. наук, доцента В.И.Олешко, научного сотрудника М.Ф.Кузнецова, ассистента Е.Ф.Полисадову, инженера С.Н. Путинцеву и аспиранта С.С. Вильчинскую за помощь и поддержку.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Гречкина, Татьяна Валерьевна, 2004 год

1. Нокс Р. Теория экситонов. -М.: Мир, 1966.-218с.

2. Pooley D. F-centre production in alkali halides by electron-hole recombination and subsequent <100> replacement sequence: a discussion of the electron-hole recombination. // Proc. Phys.Soc. -1966.-V.87,№2-P.245-246.

3. Агранович B.M. Теория экситонов. -M.: Наука, 1968.- 382с.

4. Williams R.T. Intersystem crossing, polarization and defect formation induced by optical excitation of self-trapped excitons in alkali halides. // Phys.Rev.Lett.-1976. -V.36,№10.-P.529-532.

5. Yoshinari Т., Iwano H., Hirai M. F-H center formation by the optical conversion in self-trapped excitons in КС 1 crystals. // J.Phys.Soc.Jap.-1978.-V.45,№3.-P.936-943.

6. Sugiyama Т., Fujiwara H., Suzuki Т., Tanimura K. Femtosecond time-resolved spectroscopy of self-trapping processes of holes and electron-hole pairs in alkali bromide crystals. // Phys. Rev. B. -1996.-V.54, №21.-P.15109-15119.

7. Лисицын B.M., Корепанов В.И. Энергия образования первичной пары радиационных дефектов в кристалле MgF2.//H3B. вузов.Физика, 1977. №9, С.146-147.

8. Norman C.D., Halliburton L.E. Radiation-induced fluorine intestinal atoms in MgF2 // Phys. Rev. В V.15, №12, 1977, P.5883-5889

9. Hills M.E., McBride W.R. Absorption bands of irradiated magnesium fluoride //J. Chem. Phys. -1964. -V.40, №7. -P.2053-2054.

10. Blunt R.F., Cohen M.I. Irradiation-induced color center in magnesium fluoride //Phys. Rev. -1967. -V.153, №3. -P. 1031-1038.

11. Unruh W.P., Nelson L.G., Lewis J.T., Kolopus J.L. The F-center in MgF21: Epr and Endor //J. Phys. C: Sol. St. Phys. -1971. -V.4. -P.2992-3006.

12. Kolopus J.L., Lewis J.T., Unruh W.P., Nelson L.G. The F-center in MgF2 II //J. Phys. C: Sol. St. Phys. -1971. -V.4. -P.3007.

13. Sibley W.A., Facey O.E. Color centers in MgF2// Phys. Rev. -1968. -V.174, №3. P. 1076-1082.

14. Buckton M.R., Pooley D. // J.Phys. C: Solid State Phys. -1972. -V.5.-C.1553.

15. Williams R.T., Marquardt C.L., Williams J.W., Kabler M.N. Transient absorption and luminescence in MgF2 following electron pulse excitation // Phys. Rev. B. -1977. -V.15. №10. -P.5003-5011.

16. Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М.: Наука, 1989. -264 с.

17. Song K.S., Williams R.T. Self-Trapped Excitons. -Springer, Berlin, 1993.-404p.

18. Matsumoto Т., Shirai M., Кап'по K. Correlation between the spin state and structure of self-trapped excitons in alkali halides// J. of Phys.Soc. Jpn. 1995.-V.64, №1.-P. 291-301.

19. Karasawa Т., Hirai M. F center formation in KC1 and KBr crystals below 4.2 K. // J. Phys. Soc. JpT. -1976. -V.40, № 3. -P.769-775.

20. Itoh N. Creation of lattice defects by electronic excitation in alkali halides./AAdv.in Phys.-1982.-vol.31 ,No.5.-p.491-551.

21. Tanimura K., Katoh Т., Itoh N. Lattice relaxation of higly excited self-trapped excitons in CaF2. // Phys. Rev. -1989. -V.40, № 2. -P. 1282-1287.

22. Лисицын B.M. Образование и эволюция первичной дефектности в ионных кристаллах.// Изв. ТПУ. Томск: -2000. -Т.303, № 2. -С.7-25.

23. Лисицын В.М., Яковлев А.Н. Кинетика релаксации первичных пар радиационных дефектов в ионных кристаллах.//ФТТ.-2002.-Т.44,№11.-С.2067.

24. Wasiela A., Block D. Optically detected E.P.R. of self-trapped ecxitons in alkali fluorides-luminescence identification // Journal de Physique, Colloque CI.- 1976,- V.37, №12.- P.C7-221-224.

25. Polley D., Runciman W.A. Recombination luminescence in alkali halides // J.Phys.C: Solid St.Phys .-1970.-V.3.-P.1815-1824.

26. Куусман И.Л., Лущик Ч.Б. Собственная люминесценция ионных кристаллов с автолокализующимися экситонами // Известия АН СССР, Серия Физ,- 1976.-Т.40,№9.- С.1785-1792.

27. Родный П.А. Ультрафиолетовые полосы люминесценции фтористого лития // Оптика и спектрометрия.-1975.- Т.39, №2.- С. 409-411.

28. Dietrich Н.В., Murray R.B. Low temperature luminescence in LiF //Bull. Amer. Phys. Soc., 1969, ser.2, V.14, №1, P. 131.

29. Лисицын B.M. О температурной зависимости накопления радиационных дефектов в ионных кристаллах. //Изв. Вузов. Физика. -1979. -Т.21, №2. -с.86-91.

30. Лисицын В.М. Эволюция дефектности в ионных кристаллах после импульсного радиационного возбуждения. /Сб. Сильноточные имп. электр. пучки в технике. Под ред. Г.А. Месяц. Новосибирск.: Наука.-1983.-с.61-72.

31. Бочканов П.В., Корепанов В.И., Лисицын В.М. Моделирование эволюционного процесса дефектообразования первичных френкелевских пар в щелочногалоидных кристаллах. // Изв. Вузов. Физика.-1985. -№2.-С.19-23.

32. Бочканов П.В., Корепанов В.И., Лисицын В.М. Пространственное разделение элементов заряженной пары дефектов Френкеля в щелочногалоидных кристаллах. //Изв. Вузов. Физика. -1989. -№3. -С.21-25.

33. Лёвшин Л.В., Салецкий A.M. Люминесценция и ее измерения. Изд-во Моск. ун-та. -1989.-274с.

34. Мак-Глинн С., Адзуми Т., Киносита М. Молекулярная спектроскопия триплетного состояния. М.: Мир, 1972.- 433с.

35. Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов.- Рига: Зинатне, 1979.-252с.

36. Мотт Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. М.: Иностранная лит-ра, 1950.-304с.

37. Jouanin С., Gout.C. Valence band structure of magnesium fluoride by the tight-binding method // J.Phys.C: Solid State Phys. -1972. -V.5, №15.-P.1945-1952.

38. Williams R.T., Bradford J.N., Faust W.L. Short-pulse studies of exciton relaxation and F center formation in NaCl, KC1 and NaBr.// Phys.Rev.B.-1978.-V.18,№12.-P.7038-7057.

39. Васильченко E.A., Лущик H.E., Лущик Ч.Б. //ФТТ.-1970.-Т.12, №1.-С.211-215.

40. Tanimura К., Itoh N. The hopping motion of the self-trapped exciton in NaCl. //J. Phys. Chem. Solids.- 1981.-T.42, №10-P.901-910.

41. Song K. Calculation of activation energy of Vk-center migration in alkali halides//Solid St. Commun.-1971.-V.9, №14.-P. 1263-1266.

42. Suzuki Y., Hirai M. // J. Phys. Soc. Jap. 43.1679 (1977).

43. Kabler M.N., Patterson D.A. Evidence for a triplet state of the self-trapped exciton in alkali halides crystals. // Phys.Rev.Lett.-1967.-V.19, №11.-P.652-654.

44. Rabin H., Klick C.C. Formation of F centers at low and room temperatures. // Phys. Rev. -1960. -V.l 17, № 4. -P. 1005-1010.

45. Itoh N., Stoneham A. M., Harker A. H. The initial production of defects in alkali halides: F and H centre production by non-radiative decay of self-trapped excitons. // J. Phys. C: Solid State Phys.- 1977.- V.10.- P.4197

46. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах. М.: Мир, 1978. Т.2. -357 с.

47. Yoshinari Т., Hirai М. Intrinsic luminescence in KI and Rbl under two-photon excitation // J.Phys.Soc.Jap.-1975.-V.39, №6.-P. 1498-1505.

48. Karasawa Т., Hirai M. Relaxation process of excitons in KI // J. Phys. Soc. Jap.-1976.-V.40, №3.-P.755-760.

49. Iwai S., Nakamura A., Tanimura K., Itoh N. A study of ultrafast self-traping processes of electron-hole pairs in Rbl by femtosecond pump and ptobe spectroscopy // Solid State Com. -1995. -V.96, №10,- P.803-809.

50. Williams R.T., Liu H., Williams Jr., Piatt K.J. New features of self-trapped exciton luminescence in rubidium iodide// Phys. Rev. Lett. -1991,- V.66, №16,- P.2140-2143.

51. Fischbach J.U., Frohlich D., Kabler M.N. Recombination luminescence lifetimes and self-trapped exciton in alkali halides// J.Luminescence.-1973.-V.6,№l.-P.29-43.

52. Song K.S., Chen L. Modeling of self-trapped exciton л-luminescence in alkali halides // J.Phys.Soc.Jap.- 1989.-V.58, №8.-C.3022-3027.

53. Tanimura K., Itoh N., Hauashi Т., Nishimura H. // J. Phys. Soc. Jap.- 1992.-T.61.-C.1366.

54. Лисицына Л.А., Корепанов В.И., Лисицын В.М. Сравнительный анализ спектральных характеристик триплетных автолокализованных экситонов и Р2-центров в щелочно-галоидных кристаллах //ФТТ.-2002.-Т.44, №12.-С.2135-2138.

55. Лисицын В.М., Корепанов В.И., Яковлев В.Ю. Эволюция первичной радиационной дефектности в ионных материалах. //Изв. Вузов. Физика. -1996. -№11.-С.5-29.

56. Fujiwara Н., Suzuki Т., Tanimura К. Femtosecond time-resolved spectroscopy of the Frenkel-rair generation and self-trapped-exiton• formation in KC1 and RbCl. // J.Phys.: Condens. Mater. -1997.-№9.- P.923-936.

57. Bradford Y.N., Williams R.T., Faust W.L. Study of F center formation in KC1 on a picosecond time scale. // Phys. Rev.Lett. -1975.-V.35, №5.-P.300-304.

58. Кудрявцева И.А., Васильченко E.A., Лущик А.Ч., Лущик Ч.Б. Образование и стабилизация F -центров после прямого созданияавтолокализованных экситонов в кристаллах КС1. // ФТТ.-1999.-Т.41 ,№3 .-С.433-440.

59. Tanimura К., Itoh N. Relaxation of excitons perturbed by self-trapped excitons in Rbl: evidence for exciton fusion in inorganic solids with strong electron-phonon coupling // Phys. Rev. Lett. -1990. -V.64,№12.- P. 14291432.

60. Баранов А.И., Лисицын B.M., Рейтеров B.M., Шишацкая Л.П.,• Шишкин И.С. Изменение спектральной прозрачности LiF, MgF2, CaF2, BaF2, под действием плазмы. 2 Всесоюзный симпозиум по взаимод.ат. частиц с тв. телом, Сб.док. Москва, 1972, с.235-236.

61. Tanimura К., Itoh N. Lattice instability at excited states of the self-trapped excitons in MgF2 // J. Appl. Phys. -1991. -V.69,№11.- P.7831-7835.

62. Soda K., Itoh N. Creation of luminescent singlet self-trapped excitons from highly excited states of triplet self-trapped exciton in NaCl. // Phys.Letters.-1979.-73A.-P.45-49.

63. Suzuki Y., Kitamura E., Hirai M. Time resolved spectroscopy in nano- and picosecond ranges on the F center formation process in KI crystals.// J.Luminescence.-1987.-V.38. -P. 178-180.

64. Лисицын B.M., Сигимов В.И. Яковлев В.Ю. Распад электронных возбуждений на пары френкелевских заряженных дефектов в кристалле KI. //ФТТ.-1982.-Т.24,№9.-С.2747-2752.

65. Лисицын В.М., Яковлев А.Н. Влияние температуры образца при облучении на взаимное распределение компонентов пар Френкеля. // Труды школы-семинара "Люминесценция и сопутствующие• явления".-Иркутск: Изд-во ИГУ.- 1997,- С. 163-167.

66. Алукер Э.Д., Гаврилов В.В., Дейч Р.Г., Чернов С.А. Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах. Рига: Зинатне, 1987. -183 с.

67. Краткий справочник физико-химических величин / Под ред. А.А. Равделя и А.М.Понамаревой Л: Химия, 1983.-232с.

68. Таблицы физических величин. Справочник/ Под ред.И.К. Кикоина,

69. М.: Атомиздат, 1976.-1005с.

70. Физические величины: Справочник / А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, A.M. Братковский и др.; под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова -М.; Энергоатомиздат, 1991.-1232с.

71. Справочник химика / Под ред. Б. П. Никольского.-2-е изд., перераб. и доп.-Л.; М.: Химия, 1964-. Т.2: Основные свойства неорганических и органических соединений.-1963.-1168с.о

72. Durand P., Farge G., Lambert M. The creation of Fr centers in lithium fluoride between 77 and 600K and their interpretation by recombination model of interstitial-vacancies //J.Phys. Chem.Sol. 1969.V.30, №6.-P.1353-1374.

73. Непомнящих А.И., Раджабов E.A., Егранов A.B. Центры окраски и люминесценция кристаллов LiF. -Новосибирск: Наука, 1984.-112с.

74. Раджабов Е., Центры свечения в кристаллах фтористого лития с примесью Li20 /Люминесцентные приемники и преобразователи рентгеновского излучения. Новосибирск: Наука, -1985.- С. 106-110.

75. Плеханов В.Г., Емельяненко А.В. Люминесценция экситонов и F-центров в кристаллах LiF // Тезисы докладов VIII всесоюзной конференции по физике вакуумного ультрафиолета и его взаимодействию с веществом, ч. 1.-1989.-С.36-37.

76. Головин А.В., Рейтеров В.М., Родный П.А. Собственная люминесценция фторида лития // Тезисы докладов. Люминесценция молекул и кристаллов. Институт физики АН ЭССР, Таллин.-1987.-С.107

77. Ершов Н.Н., Захаров Г.М., Никитинская Т.И., Родный П.А. Люминесценция и центры окраски монокристаллов LiF при рентгеновском возбуждении // Оптика и спектроскопия.-1974.- Т.36.-С.209-211.

78. V. Jain //Rad. Protect. Dosim. 2,3,141 (1982)

79. Егранов A.B., Раджабов Е.А. Спектроскопия кислородных и водородных примесных центров в ЩГК Новосибирск; Наука, 1992.

80. Ueda Y. //J. Phys. Soc. Japan. -1976. -V.41. -P. 1255.

81. Ершов H.H, Захаров Г.М., Никитинская Т.И., Никулин H.M., Рейтеров В.М. Рентгенолюминесценция неактивированных кристаллов фтористого магния //ЖПС. -1978. -Т.26,В.1.-С.162-163.

82. Захаров Н.Г., Никитинская Т.И., Родный П.А. Свойства автолокализованных экситонов в MgF2 // ФТТ.-1982.-Т.24,№4.-С.1249-1251.

83. Эпштейн М.И. Измерения оптического излучения в электронике.-2-е изд., перераб. и доп.-М.: Энергоатомиздат, 1990.-254с.

84. Гуторов М.М. Основы светотехники и источники света: Учеб. Пособие для вузов.-2-е изд., доп. и перераб.- М.: Энергоатомиздат,• 1983.-384с.

85. Высокоэнергетическая электроника твердого тела. // Под ред. Вайсбурда Д.И. Новосибирск: Наука. -1982. -226с.

86. Фок М.В. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи обобщенного метода Аленцева.// Тр. ФИАН. -1972. -Т.59. -С.3-24.

87. Эланго М.А. Элементарные неупругие радиационные процессы. -М.:• Наука, 1988.-152с.

88. Dietrich Н.В., Murray R.B. Low temperature luminescence in LiF.- Bull. Amer. Phys. Soc.- 1969.-ser.2,V. 14, № 1.- p. 131.

89. Баранов П.Г. Регистрация ЭПР возбужденных состояний по люминесценции в ионных кристаллах // Изв. АН СССР. Сер.физ.-1981.-Т.45,№2.-С.253-260.

90. Block D., Wasiela А. // Solid State Commun.-1979.-№28.-C.455.

91. Song K.S., Leung C.H., Spaeth J.M. Zero-field splitting of the self-trapped exciton in alkali fluorides and alkaline-earth fluorides.// J. Phys.: Condens. Matter. -1990. -V.2, № 30. -P.6373-6379.

92. Song K.S., Leung C.H. A theoretical study of the 7i-luminescence from self-trapped excitons in alkali halide crystals.// J. Phys.: Condens. Matter. -1989. -V.l, № 44. -P.8425-8435.

93. Chu J.H., Mieher R.L. ENDOR study of a 111. interstitial defect in LiF.// Phys. Rev. -1969. -V.188, № 3. -P.1311-1319.

94. Лущик А.Ч., Васильченко E.A., Галаганов В.Г., Колк Ю.В., Семан В.О., Фрорип А.Г.// Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн.наук.-1990.-№3.-С.33.

95. Корепанов В.И., Лисицын В.М., Сахнова Л.В., Яковлев В.Ю. Оптическое поглощение автолокализованных экситонов в кристалле MgF2// Опт. спектр. 1983. т.53,№.з. С.535-538.

96. Williams R.T. Optically generated lattice defects in alkali halides// Optical Engineering. 1989. V.28. №10. P.1024-1033.

97. Hayes W, Stoneham A.M. Crystals with fluorite structure. Clarendon Press. Oxford, 1974. 448p.

98. Лисицына Л.А., Корепанов В.И., Гречкина T.B. Влияние температуры на процессы радиационного создания первичных дефектов в кристаллах MgF2 // Оптика и спектроскопия. -2003.-Т.95.-№5.-С.797-801.

99. Лисицына Л.А. Сравнительный анализ свойств автолокализованных экситонов и —центров в щелочно-галоидных кристаллах// Изв.вузов. Физика. -1995. -Т.38,№8.-С.115-118.

100. Chen L., Zhou L., Song К. A study of the self-trapped exciton and F centre in MgF2 // J.Phys.: Condens. Matter. -1997.-V.9.-P.6633.

101. Point defects in solids ed. by Crawford J.H., Slifkin L.M. N-Y, 1972. V. 1. 556 p.

102. Parker S., Song K.S., Catlow C.R.A., Stoneham F.V. Geometry and change distribution of H centres in fluorite structure // J.Phys.C.: Solid State Phys.-1981.-V.14.-P.4009-4015.

103. Lisitsyn V.M., Korepanov V.M., Lisitsyna L.A., Yakovlev A.N. Relaxation of primary defects in ionic crystals // Proceedings of 12th International conference on Radiation physics and chemistry of inorganic materials.-Tomsk .- Russia.- 2003.- P.47-52.

104. Лисицына Л.А., Гречкина T.B., Корепанов В.И., Лисицын В.М. Короткоживущие первичные радиационные дефекты в кристалле LiF //ФТТ. -2001.-Т.433.9.-С.1613-1617.

105. ПО.Алукер Э.Д., Гаврилов В.В., Чернов С.А. Процессы генерации и разрушения F центров в кристалле КС1 при импульсном облучении// ФТТ. -1977.-Т.19, В.4.-С.1198.

106. Still Р.В., Pooley D.//Phys. Stat. Solidi.-1969.- V.32.- P. K147.

107. Hirai M.//Sol. Stat. Comm. -1972. -V.10.-P.493.

108. Лисицын B.M., Лисицына Л.А. Фокусированные соударения в кристаллах MgF2. //Изв. Вузов. Физика. -1975. -Т.18,№7. -с.158.

109. Лисицын В.М., Лисицына Л.А., Сигимов В.И. Пространственное разделение компонентов первичных пар радиационных дефектов в ионных кристаллах. //ФТТ,- 1977.-Т.19,В-5.- С.1495-1497.

110. Kantorovich L. Multipole theory of the polarization of solids by point defects. //Phys.Stat.Sol (b). -1987. -V.144.-P.719-726.

111. Лисицын В.М., Корепанов В.И. Энергия образования первичной пары радиационных дефектов в кристалле MgF2 //Известия ВУЗов. Физика.-1977.-№9.-С. 146-147.

112. Лисицын В.М., Яковлев В.Ю., Корепанов В.И. Кинетика разрушения М-центров после импульсного облучения электронами в кристаллах MgF2// ФТТ,-1978.-Т.20,№3 .-С.731 -733.