Распад электронных возбуждений в ЩГК с гомологической примесью тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Малышев, Анатолий Александрович

• Малышев, Анатолий Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Малышев, Анатолий Александрович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ В ЧИСТЫХ И ПРИМЕСНЫХ

ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ

ДАННЫХ).II

1.1. Электронные возбуждения в ЩГК .II )

1*1.1. Автолокализованные дырки.II

1.1.2. Экситоны в щелочно-галоидных кристаллах.

1.2. Электронные возбуждения в ЩГК с гомологической примесью

1.3. Влияние примеси на образование и накопление радиационных дефектов в ЩГК

1.4. Задачи исследования.

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ,

ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В РАБОТЕ.V.

2.1. Установка импульсной абсорбционной и люминесцентной спектрометрии.

2.2. Обработка экспериментальных данных.

2.3. Объекты исследования.

ГЛАВА 3. ЛОКАЛИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУЖДЕНИИ ВБЛИЗИ

ПРИМЕСИ ИОДА В

3.1. Короткоживущее поглощение в К с/:у , наводимое импульсом радиации.

3.2. Эффективность захвата электронных возбуждений примесью иода.

3.3. Люминесценция кристаллов IШ-.ъ при импульсном возбуждении радиацией.

3.4. Механизмы процесса захвата электронных возбуждении примесью иода в и их эволюции.

3.5. Природа полосы люминесценции на 3,4 эВ в К а-.'З

ГЛАВА 4. ЗАХВАТ ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБЛЩШМ ПРИМЕСЬЮ

БРОМА В КРИСТАЛЛАХ ЫМ'-Вп И КМ:Ы

4.1. Короткоживущее поглощение в Л/аС£:Вг наведенное импульсом электронов . НО

4.2. Люминесценция кристаллов /ФСХ'Вп при импульсном возбуждении электронами

4.3. Короткоживущее поглощение, наведенное импульсом электронов в К и: 8>ч

4.4, Люминесценция при возбуждении импульсом электронов.

ГЛАВА. 5. ВЛИЯНИЕ АНИОННОИ ПРИМЕСИ НА ОБРАЗОВАНИЕ И ЭВОЛЮЦИЮ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В К и И А/а и

5.1. Вяияние примеси иода на образование дефектов

5.2. Анализ результатов исследования процессов эволюции первичных дефектов в КС£:У

5.3. Образование центров окраски в ЫаСЛ-.&ъ

ЗАКЛШШИЕ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Распад электронных возбуждений в ЩГК с гомологической примесью»

Актуальность проблемы. Широкое исследование свойств щелочно-галоидных кристаллов, подвергнутых действию радиации, предпринятое еще в начале нашего столетия и,2 3 , не ослабевает и в настоящее время. Относительно простые методы выращивания, простота строения ранетки определило роль этим кристаллам, как модельные для соединений с ионной связью в физике твердого тела. Для радиационной физики интерес к ЩГК обусловлен прежде всего существованием в них явления анголокализации электронных возбуждений (дырок, экситонов), а также механизма образования структурных дефектов при безызлучательном распаде автолокализую-щихся экситонов 12-62,

Имеется и практическая сторона интереса к щелочно-галовдным кристаллам. Можно отметить такие области их применения, как использование в качестве оптических материалов в инфракрасной и ультрафиолетовой (особенно в вакуумном ультрафиолете) области спектра С в сцинтилляционной технике 181 , термолюминесцентной дозиметрии [ЭЛ , а также в качестве рабочих тел лазеров и элементов оптоэлектроники [-Ю ,

Особую актуальность приобретают исследования щелочно-галоидных кристаллов в связи с существованием в настоящем двух важнейших задач радиационной физики: создание радиационностойких и ра-диационночувствительных оптических материалов. Изучение процессов, протекающих в этих кристаллах под действием радиации, как в чистых, так и с примесью, неразрывно связано с изучением свойств электронных возбуждений, особенностей их релаксации в зависимости от условий возбуждения, с выяснением механизмов взаимодействия с дефектами решетки, как собственными так и примесными.

В этой связи несомненно актуальным представляется изучение радиационно-стимулированных процессов в щелочно-галоидных кристаллах с примесью, включающих в себя исследование топографии распределения электронных возбуждений в примесных кристаллах, определение эффективности и механизмов взаимодействия электронных возбуждений с примесью, изучение особенностей процесса распада электронных возбуждений, захваченных примесью.

Состояние проблемы и цели работы, В настоящее время широко исследуются щеп очно-галоидные кристаллы, содержащие как гегеро- так и изовалентную примзсь, как ка-тионную так и анионную. В данной работе мы ограничились исследованием радиавдонно-стимулированных процессов в ШГК, содержащих гомологическую анионную примесь. Выбор примеси определялся тем, что, во-первых» поскольку примесь гомологическая, то она практически всегда присутствует в некотором количестве в кристаллах, поэтому необходимо знать роль этой примеси в радиационно-стимулированных процессах в кристаллах. Во-вторых, интерес к анионной гомологической примеси высок в связи с поиском и изучением диссоциативного механизма образования дефектов Френкеля при распаде авт©локализующихся эксигонов. При этом гетероядерные экситоны являются хорошей моделью для изучения возможности этого механизма, поскольку вследствие разных масс галоидов, составлявших ядро этого экситона, происходит несимштричное распределение энергии распадащегося экситона, что является основным условием протекания диссоциативного механизма И 2-14,7,

В настоящее время наиболее изучены радиационно-стимулированные процессы в кристаллах КС£'7 и хуже в ¡Ш-В»^ г Исследования проводились преимущественно стационарными методами. Показано, что, как при возбуждении УФ-светом в примесных полосах поглощения так и ионизирупцей радиацией, в этих кристаллах образуются экситоны, захваченные изолированной или парной примэсыо, то есть гетероядерные и примесные {У?')* - эксигоны,имеющие характерные спектры светенш Г^Наиболее подробно свойства примесной люминесценции изучены в КС£:и . Поляризационными и ЭПР-исследованиями, а также рекомбинацией электронов с предварительно наведенными гегероядерными (УХ')Ук - центрами показано, что свечение гетероядерных экситонов имеет природу, подобную трип-летной люминесценции ралаксированных экситонов в чистых кристаллах. Определены спектральные, временные и температурные свойства гетероядерных экситонов в К и # Полностью неисследованными оставались до начала настоящей работы абсорбционные свойства гетероядерных экситонов. Не определена эффективность захвата электронных возбуждений, наводимых радиацией, анионной токологической примесью.

Ряд работ посвящен исследованию дефектообразования в кристаллах с гомологической примесью 121,23-203, Подавляющая часть исследований проведена с использованием стационарных методик, то есть объектами исследования были накопленные стабильные дефекты, для которых от общего числа наводимых облучением Р- и И - центров не превышает 10$. Показано, что распад локализованных тяжелой галогенной примесью экситонов приводит к образованию Г- и Н -центров, причем их свойства практически не отличаются от таковых в чистых кристаллах. Это позволило авторам 1253. сделать предположение о том, что в процессе распада локализованного примесью эксито-на происходит переброс дырки с примесного галогена на матричный, поэтому образование Г-Н - пар происходит в собственной решетке, а Р - центр, по-видимому, находится через катион от примеси [30]. Эти эксперименты были проведены при низких температурах, когда уход Н - центра от места рождения Р-Н - тры определяется только внутренней энергией распадающегося экситона. При более высоких температурах, когда становится возможным термоактивированное движение Н - центров и их взаимэдействиё с примесью, исследования практически не проводились, поэтому мало исследован характер взаимодействия Н - центров с тяжелой анионной примесью. Так, в работе [23] показано, что лишь в кристаллах КС£ с очень шсоким содержанием щи шеи йода (больше 1%) возможно образование гетеро-ядерных СЭС£~)Н- центров. Взаимодействуют ли N - центры с примесью в случае малых их концштрации и характер этого взаимодействия к началу наших исследований не было известно.

Очевидно, что для решения проблем, существующих в радиационной физике ионных кристаллов с гошлогич еской анионной пршесью, необходима наряду с использованием стационарных методов исследования цришнягь и имцульсные мзтоды. Высскоинформативным, а в ряде случаев и единственно возможным, является метод абсорбционной спектро-штрии с временным разрешением. Начало развития этого мзтода с примени ием мощных импульсных ускорителей электронов было положено в 60-х годах. С помощью этого метода была получена масса интересных результатов, недоступных для стационарных методик, позволивших существ еню прояснить детали процессов, происходящих в кристаллах под действием излучения. Широкие возможности этого метода,а также важнейшие результаты, гол ученные с его помощью, описаны в обзоре Г 317 .

Целью настоящей работы являлось изучение релаксированных экси-тонов в кристаллах, содержацих тяжелур анионную гомологическую цримесь; изучение влияния этих примесей на процессы образования и накопления дефектов в кристаллах Ш;7 ,Ксе'В'г и ЫМ-&П. . Основным методом исследования избран метод абсорбционной и люминесцентной спектроскопии с наносекундным врешннъм разрапением, разработанным в нашей лаборатории С 32] ,

Научная новизна работы и основные защищаемые положения заключаются в следующем:

1. Впервые исследовано короткоживущее поглощение в кристаллах КС£: 7 , к се-./31 и А/а (ЛВъ , наводимое нано секундным импульсом электронов. При этом обнаружена высокая эффективность захвата электронных возбуждений примесью. Так, в КС£ :0,17М около 25% всех электронных возбуждений захватывается примесью.

2. Исследованы процессы релаксации электронных возбуждений, захваченных тяжелой анионной примесью, при этом обнаружено, что в кристаллах К а: У и, по-видимому, в Ыаи-.Вч. подавляющая часть этих возбуждений релаксирует, так же как и в кристаллах с лешой катионной примесью, в виде околопримесных триплетных экситонов (хЮу (где У - примэсь иода или брома).

3. Исследованы спектральные, кинетические и температурные свойства шолопршесных экситонов совместно со свойствами свечения ге-тероядерных экситонов, на основании чего предложена и эксперимш-тально обоснована новая модель проирсса релаксации электронного возбуждения в области примеси, заключающаяся в том, что возбуждение первоначально релаксирует в виде околопримесного (Х/Чу - экси-тона, а затем в инерционном процессе преобразовывается в гетерои» у ядерный (УУ~) - экситон. При этом, время спада свечения (ху") -экситонов оцределяется скоростью преобразования окалопримесных^ру-- экситонов в гетероядфные, в то время как собственное время аннигиляции гетероядерных экситонов мшьше 20 не.

4. Исследовано влияние анионной примеси на эффективность образования, накопления и преобразования первичных Р-Н - пар при облучении импульсом электронов в области температур 80-400 К. При этом, в К се: У обнаружено уменьшение эффективности образования

Р-Н - пар вследствие низкой вероятности распада захваченных примесью экситонов на структурные дефекты. Кроме того, впервые обнаружен эффективный захват подвижных И - центров примесью иода с образованием На(э) - центров.

План изложения маг фиалов в диссертации следует из оглавления.

Основные результаты исследований опубликованы в£33-^21, доложены и обсувдены на следущих совещаниях и семинарах:

- Ш Всесоюзное совещание "Воздействие ионизирующего излучения и света на гетерогенные системы". Кемерово, 1982;

- У Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов, Рига, 1983;

- Прибалтийские семинары по физике ионных кристаллов (Лиелупе 1980, 1982; Лохусалу 1981).

Во всех работах, выполненных в соавторстве, автору диссертации принадлежат результаты и выводы, изложенные в диссертационной работе.

Практическая ценность. Обнаруженная нами высокая эффективность взаимодействия электронных возбуждений с изовалентной анионной примесью имеет важное значение не только для щелочно-галоидных, но и для других материалов. Так, учет этого обстоятельства для сульфидных люминофоров, в которые в процессе их получения сашпроизвольно в больших количествах входит изовалшт-ный кислород, позволил нам создать тритиевый источник света (в котором люминофор возбуждается / - частицами при распаде газообразного трития), стабильность яркости которого в несколько раз больше существующих 11!01

Впервые обнаруженное нами явление преимущественной автолокализации электронных возбуждений, захваченных анионной примесью, в вице окол опримесных (Х2=)у - экситонов и их последующее инерционное преобразование в гет ероядерные (ху^)* позволит глубже понять механизмы радиахщонно-стимулированных процессов как в примесных, так и в чистых кристаллах, и могут быть использованы при разработке теории радиационного дефект о образования, а также в связи с поиском путей создания радиацшнно стойких (и наоборот, радиацюнно чувствительных) материалов.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Малышев, Анатолий Александрович

Основные результаты исследования образования и эволюции первичных радиационных дефектов - Р-Н - пар в сводятся к следующим.

1) Эффективность образования Р-Н - пар в КС{: У меньше, чем в неактивированном 1<С£ при возбуждении изодозными импульсами электронов.

2) Спектрально-кинетические характеристики Р - и Н -центров, наводимых импульсом радиации в КМ-У , аналогичны таковым в \Ш .

Эти результаты мы объясняем тем, что в /К . существенная доля электронных возбуждений захватывается примесью йода с образованием релаксированных околопримесных экситонов (ССг)^ , не способных создавать Р-Н - пары. Образование наблюдаемых в эксперименте Р-Н - центров происходит в невозмущенной примесью йода решетке. Эти результаты подтверждаются исследованиями других авторов. Так в работах С21,251 показано, что свойства И - центров, возникающих при оптическом возбуждении в примесной полосе поглощения К С£'7 , неотличимы от свойству Н - центров в чистом \{С1 , В работе С2У7 показано, что эффективность создания дефектов при прямом возбуждении примеси йода в области гелиевых температур мала. Этот вывод подтверждается работами Г¿^/,26 7 , где показано, что охлаждение кристалла КСе: 7 от комнатной температуры приводит к резкому уменьшению эффективности создания Р - центров при возбуждении кристалла в длинноволновых полосах примеси на краю фундаментального поглощения (прямое возбуждение примеси). При 7 К селективное создание возбужденных состояний ¡7" - центров приводит к образованию Р - центров с очень низкой эффективностью,

Подавлящая часть Р - и Н - центров, созданных имцуль-сом радиации при 80 К, находится в коррелированных парах[ЩЩМ51 и с малой вероятностью может преодолеть потенциал взаимодействия между ними и разделиться. При 80 К большая часть их аннигилирует. Поэтому лишь незначительная часть Н - центров может быть захвачена примесью йода, находящейся в области действия потенциала взаимодействия и наблюдаться в стационарном спектре поглощения полосой 3,6 эВ (рис.5,5),

При повышении температуры образца КС?IУ при облучении все большая часть И - центров преодолевает барьер притяжения к рожденным в паре Р - центрам и получает возможность в процессе диффузии по кристаллу взаимодействовать с примесью, с другими дырочными центрами, а также аннигшпфовать с "чужими"

17 - центрами. Взаимодействие и - центров с примесью приводит к их стабилизации в виде НдО) - центров. Рекомбинация с другими дырочными центрами приводит к образованию сложных дырочных центров типа Х3~ . Поскольку концентрация примеси йода в исследуемых нами кри стати ах на несколько порядков больше концентрации создаваемых в импульсе дефектов, то следует ожидать, , что подавляющая часть 1-1 центров будет захвачена примесью. Это объясняет отсутствие спада Р - центров и нарастания сложных дырочных центров в КСЛ-7 после возбуждения импульсом электронов при комнатной температуре (рис.5.46).

Таким образом, основное влияние примеси йода в на процессы образования и накопления радиационных дефектов под действием импульса электронов сводится к следующему.

I. Уменьшается эффективность образования Р-Н- пар по 1 сравнению с чистым К Сб. , вследствие эффективного захвата и автолокализации электронных возбуждений примесью в виде

9 в котором они не способны распадаться на пары дефектов. Этот процесс слабо зависит от температуры.

2» Изменяется эффективность накопления и агрегации первичных дефектов в результате стабилизации Н - центров цримесью йода. Подобное влияние йода сильно зависит от температуры облучения образца. При низких температурах, когда разделение коррелированных Р-Н - пар маловероятно, лишь небольшая доля И - центров оказывается вблизи примеси и захватывается ею, при этом увеличивается доля стабильных Р - и Н - центров. При повышении температуры образца увеличивается вероятность разделения Р-Н -пар,

часть Н - центров оказывается захваченной примесью с образованием НА(1)~ центров. После создания ИА(П) центров процесс отжига Р - центров и нарастания сложных дырочных центров определяется термоактивированным процессом делокализации захваченных примесью Н - центров.

5.3, ОБРАЗОВАНИЕ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В Mi С*:в*.

В работе ISPJ показано, что в ЫаСЛ при 80 К с относительно слабой эффективностью при облучении импульсом электронов образуются Р - центры. В twci показано, что с повышением температуры образца N&.U растет эффективность создания дефектов при импульсном возбуждении электронами. Нами проведены исследования эффективности образования центров окраски в кристаллах NaU'Bn при комнатной температуре.

На рис.5.6 приведены спектры поглощения кристаллов t/aW-Bz (спектр I) и М&и (спектр 2), измеренные сразу после окончания возбуждения изодозными импульсами электронов при 295 К. Наиболее интенсивная полоса в обоих кристаллах находится в области 2,65-2,7 эВ и обусловлена Р - центрами. С коротковолновой стороны от Р полосы наблюдается значительно менее интенсивное поглощение, простирающееся до глубокого ультрафиолета. Это поглощение обусловлено простыми и сложными дырочными центрами.

Перечислим основные особенности поглощения, наводимого импульсом радиации в MciCti&m. по сравнению с Nate

I. Оптическая плотность в максимуме Р - полосы, измеренная сразу после окончания возбуждающего импульса, одинакова для обоих кристаллов, однако полуширина существенно различается. Если в чистом кристалле л&се ширина F - полосы на полушсоте составляет 0,53 эВ, то в - больше и составляет

Рис.5.б. Спектры поглощения НМ*.Въ (I) и (2), измеренные при 295 К через 10 не после импульса возбуждения* 3 - поглощение Ыай'.Вч. через 45 мкс. 4 - разность (1-3).

0,б5эВ.

2. В наблюдается увеличенное по сравнению с чистым А/лбС поглощение с коротковолновой стороны от Р - полосы - в области 3-4 эВ.

3, Часть поглощения в Наи--^ нестабильно по сравнению с более стабильным поглощением в А/&б£ и спадает в микросекундном диапазоне (примерно на 15% в области Р1 - полосы).

Спектр нестабильного поглощения (рис.5,б, спектр 4) имеет ела-бовыраженные максимумы в области 3,15 эВ и 2,6 эВ.

Если в чистом полоса поглощения сложных дырочных центров находится в области 5,5 эВ, то в Аона расположена в области 5,1 эВ,

В области 3-4 эВ в //я М находятся полосы поглощения дырочных центров семейства . Так, максимум - полосы приходится на 3,28 эВ 15-11 , а Н - полосы - на 3,75 эВ £577 . Учитывая, что гетероядерные - центры (8гсе~) в КМ'-йъ поглощают в области 3,25 эВ €4 2] , можно полагать, что и в подобные ( Я'гС^"") \/к - центры поглощают в близкой спектральной области. На основании спектрального положения максимумом нестабильного поглощения (рис.5.б, спектр 4) можно предположить, что это поглощение обусловлено гетероядерными V*- и р' - центрами, разрушающимися в результате взаимной рекомбинации. Согласно Г^Ч] максимум Р* - полосы находится в области 2,65 эВ, а ее полуширина составляет около I эВ. Тогда богь-шая по сравнению с чистым ширина Р - полосы в УаС^-'в? обусловлена, очевидно, наложением поглощения от и Р -центров. По мере исчезновения гетероядерных У*- и Р' - центров Р -полоса в Маи-.&ъ все более соответствует таковой в чистом А/аСС . Так, через 45 мкс полуширина Р - полосы уменьшилась до 0,55 эВ (рис.5.б, спектр 3). Ступенька в области 3,5-3,6 эВ в спектре разрушающегося поглощения (рис.5.б, спектр 4), возможно, так же как ив , обусловлена Н - центрами, захваченными галогенной примесью. Такой захват замедляет процесс исчезновения Н - центров в различных рекомбинационных процессах, что делает их заметными в спектрах поглощения в отличие от неактивированных Уд С* .

В дальней ; ультрафиолетовой области поглощают сложные дырочные центры. Согласно в области 5,55 эВ находится полоса поглощения - центров (Х£) . Полоса поглощения на 5,1 эВ в $ по-видимому, имеет подобную же природу, что и полоса 5,0 эВ в КС*:7 г Тже. она обусловлена сложными примесными дырочными центрами (й>ъ2сг~).

Анализируя изложенные в этой главе экспериментальные результаты, можно сделать следующее заключение.

1. Тяжелая анионная примесь оказывает существенное влияние на дефектообразование под действием ионизирующей радиации. Наличие примеси уменьшает эффективность образования Р-Н - пар в интервале температур от азотной до комнатной. Особенно хорошо это заметно в КС?¡У . Уменьшение эффективности образования дефектов обусловлено эффективным захватом электронных возбуждений цримесью, которые при этом имеют малую по сравнению с идеальной решеткой вероятность безызлучательного распада на Р-Н -пару.

2. Тяжелая анионная примесь коренным образом изменяет вторичные процессы рекомбинации первичных дефектов и их агрегатиза-ции. Это изменение обусловлено следующим: а) впервые экспериментально обнаруженным захватом И - центров тяжелой анионной примесью. При этом Н - центр находится в одном из ближайших к примеси узлов в виде X/ , т.е. это ИА/У) -центр. Такой центр более стабилен, поэтому процессы диффузионно контролируемых рекомбинаций Н - центров с другими дырочными центрами и с Р - центрами смещены в более высокотемпературную область по сравнению с неактивированными кристаллами. Определены спектральные параметры НА(У) - центров в КМ: У .Возможно, что подобная стабилизация Н - центров (как ив КМ : О ) примесью брома, но с меньшей эффективностью, наблюдалась нами ив I б) подавляющая часть сложных дырочных центров, образующихся как в момент возбуждения импульсом электронов, так и в диффузионно контролируемом процессе, включает в себя анионную примесь, т.е. образуются (У2Х~) - центры.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В настоящей работе впервые проведено исследование свойств переходного поглощения, наводимого наносекундным импульсом электронов, в кристаллах с анионной примесью ( К се: у в ии;(?>>г ,

А/аСе:8ч ) с использованием метода абсорбционной спектрометрии с временным разралением. Одной из самых главных задач являлось обнаружение релаксированных экситонов, захваченных анионной примесью, и изучение их свойств с целью установления структура экситонов.

Сочетание люминесцентных, абсорбционных, кинетических и температурных исследований позволило нам обнаружить новый вид экситонов: о коло примесные автолокализованные Сх^у "" экситоны в кристаллах и, по-видимому, в А/аСЛ^ъ . В итоговой табл.1 приведены измеренные нами при возбуждении импульсом электронов положения полос поглощения и свечения о кол о примесных экситонов, время их жизни при 80 К, а также тадпература и энергия активации уменышния времени спада этих экситонов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Малышев, Анатолий Александрович, 1984 год

1. Иоффе А.Ф. Физика полупроводников. - М.-Л., 1957.

2. Мотт Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. М.: ИЛ, 1951.3. Лущик Ч.Б.,

3. Витол И.К., Зланго М.А. Распад электронных возбуждений на рациационные дефекты в ионных кристаллах. УФН, 1977,т.122, с.223-251.

4. Miriams RT- Phohchemkiry cf F-centre, j-огтаИсп tf) A-cotide Semiccnciucîors cm ci JnsuMûK; AM8 , vfiC.3, f>. 25-f' г35<

5. Lushchik С Lushchik 4., Vasrf'chenkc £t Stettens <*nc( peint cùfech création ¿m cdkaîi ÂaC<e(es, Jn : Dtjich in Inmtah'ncj CrysMs. èd. fy Tuchkevicb Ив nef Shorts 2inaine;bga,anc( Ярпщег-Verlag Bedinßi

6. J'M Л Pr t mciry proce^s с/- defeci jvt-maHon in oZkaiî НаШез, Ъ: 3)фсИ in Jnwiaïïng Сп\Шь . £tj Tu с h кейс h V& and ShmrH k.K. Zïncitne t Riga ,ctnc( Sprinter - VcrCcu^t

7. ЫгСт} p. ънь-ъе*. Hïish ß,, Pokß R.W, Uhudie ersfe") ultraviolettes) &igen -jrequenzen einiges- eJnfacfi&r iin\(<xtk, 2,bd. HS, Д Ъ8Ч- Ъ9в.

8. Вяземский В.0., Ломоносов И.И., Писаревский А.Н. и др, Сцинтилляционный метод в радиометрии. М., Госатомиздат,19б8, 430 с.

9. Шварц К.К., Грант З.А., Меже Т.К., Грубе М.М. Термолюминесцентная дозиметрия. Рига, Зинатне, 1968, 188 с.

10. Ю. Fink E.L. UV- tcisbor ¿mciGiPn Uf сп <*Ш ¿m-iahon. -Offi. Php*. Letft> .(Q£Si „tf. ?f p ¡05 406.

11. Шварц К.К., Готлиб В.ИТ, Кристансон Я.Ж. Оптические регистрирующие среды. Рига, Зинатне, 1976, 184 с.

12. Витал И.К. Современные представления о механизме рекомбина-ционной люминесценции щелочно-галоидных кристаллофосфоров. -Изв.АН СССР, Сер.физ., 1966, т.30, с.564-569.

13. Herch tf.M Proposed exihmc Ъее^пкт of Co to renter j-ormaticn m alkati ktUcfest ft ев, Щ p^-Q5Z.

14. Poc% P. F-center product,on in a^ad hauc(es Sy elecHrpn-hof* гесст4Ш}сп еще! ^^ ^cement*«¡uw. «cfbcussln cfihe ebbon recc»

15. ЬшЬоп.-ЬосЯф. See., Met, vce.**F.

16. Ш /bleat X Soer§tf 1**nsf*r due *> ^crUns a*1. Ztnt/^ *** -ХР&Лф., ,mt• goto Serous, Uuminescenee from jCi'V'-center -electron

17. KconBmahon etnef LocoUiecf exciton Фсщ „ ~ PU ws, voS. mt p. osv-cjqi J ^ ^

18. Mafir H, ЪисШ M Lifetime of the emieet Teener tn m -Rhys. 2ev.} m5; voil J3JA, p. Z ?c ¿jy

19. Toy*«к toW* к ma, y. Licence of i^nemers in ma-1 Phys. bee, jap. rof. p,

20. Кап'лок^шм., Ndbuy Ьнтш see nee from MtV tzt temperatures. ZPhys. Ясс. jap., №79, voe.

21. WaUh^ A Umin ¡see nee of К Br к J scrfttf scfusions under irracUcifien чЛ Щша Ыщт temperature - XP/ius. £ccJaP, №tf wtf 3/, h SVS - /5/3 '

22. Jtafa New ybtk, J<366) p. m.

23. Maki M., ttacjasQu/a M, H irai M. %ffect cf fa to,и ûnfAe P-centir formation In ¡¿Ci crys'i-a£$ under U\/ Uyh/ CrrcuU'a&en. -SoM $»Me Comm., /№; vpUï, p.'fW~M3.

24. Нечаев А.Ф., Пяаченов Б.T., Сиротш O.C. Генерация радиационных дефектов в ЩГК, легированных иодом. Деп,

25. Лисицын В.М., Малышев A.A., Нестерова С.Н., Чернов С,А., Яковлев В.Ю. Распад электронных возбуждений в кристаллах

26. А^.'У при импульсном возбуждении электронами. ФТТ, т.24, в.З, с,914-916.

27. Малышев A.A., Яковлев В.Ю. Релаксированные гетероядерные экситоны в кристалле kCiiJ . ФТТ, 1982, т.24, в.8, с.2296-2299.

28. Малышев A.A., Яковлев В.Ю. Импульсная оптическая спектроскопия смешанных кристаллов ICCi.'J , Тез.докл.Ш Всес.сов. Воздействие ионизирующего излучения и света на гетерогенные системы. 26-28 мая 1982, Кемерово, с.230-231.

29. Лисицын В.М., Малыиев A.A., Яковлев В.Ю. Локализованные примесью экситоны в щелочно-галоидных кристаллах. ФТТ, 1983, т.25, в.II, с.3356-3360.

30. Чернов С.А., Гаврилов В.В., Малышев A.A. Генерация радиационных дефектов в щел очно-галоидных кристаллах с примесью натрия, ФТТ, 1983, т.

31. Лисицын В.М., Малышев A.A., Яковлев В.Ю. Влияние гомологической анионной примеси на радиационные процессы в ЩГК. Тез,У~го Всес.сов,по рад.физ.и хим.ионных кристаллов. Рига, 1983,с.155-156, I

32. Пустоваров В.А., Бетенекова Т.А., Завьялов H.A., Малышев A.A., Чолах С.О. Генерация и распад радиационных дефектов в монокристаллах гидрида лития. Тез.У-го Всес.сов.по рад.физ. ихим.ионных кристаллов. Рига, 1983, с.299.

33. Баранов А.И., Малышев A.A., Лисицын В.М., Кужелев Л.П. Источник света анг.свид. ® 665349 от 8 февраля 1979,

34. Морозова Н.К., Малышев A.A. 0 некоторых аналогиях свойств локализованных экситонов на центрах анионного замещшия в in^'O > QctP1^ и щелочно-галоидных кристаллах. Изв.ВУЗов, Физика, 1984.

35. Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щел очно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979, 251 с.

36. Алукер Э.Д., Чернов С.А. Миграция дырок в щелочно-галоидных кристаллах. В сб.: Радиационная физика. Рига: Зинатне,1973, т.7, с.9-59.

37. Пунг Л.А. Динамика нерелаксированных и авголок ал изо ванных дьрок в щел очно-галоидных кристаллах. Тр.Ин-та Физ.АН ЭССР, 1979, № 50, с.7-34.

38. Рашба Э.И. Сосуществование свободных и автолокапизавэнных экситонов в кристаллах. Изв.АН СССР. Сер.физ., 1976, т.40, S 9, с.1793-1800,

39. Рейфман С.П. Свободные и автолокализованные квазичастицы в кристаллах. Тр.ИФ АН ЭССР, 1976, $ 46, с.143-170,

40. Куусманн И.Л., ЛиДцъя Г.Г., Лущик Ч.Б. Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах.

41. Тр.ИФ АН ЭССР, 1976, № 46, с.5-80.

42. Аксенов O.E. Низкотемпературная ионизация активатора впри фотовозбуадении в области мездузонных переходов. Изв. АН Латв.ССР. Сер.физ.и техн.наук, 1978, № 3, с.140-150.

43. W'z-, Brz> in cMcdi -1аШе4.- Phy-s. Ъ^ lQ6i, vol. щ zv//, f. ¡СНЪ~Ю50,

44. Delbccj, СЛ, Smct,lkr P.t Ушкг PM. VpUcaC ClfccrpUon cf- friclt euCar t&tu tri Ir^cuUcbüci pctcissium Mom'cU.-Phfrs. fä^ JCJ5$> wP- Щ p. Ш*?- ШО.

45. УъсепмЫг Д УшйгРУ. gP£ -emd ebit-dcit cd$crp4ien sludy: cf atui сшс ereifert ¿¿илек in doptri ¡¿С? Сг^Ый. I Рек В, wf. ff>.im -HB; 1. Phj«. ßti/. в, WS, vof. P. 3933

46. VirCtnitrs in KCC, ~ Phys. pzir, M9f wt Щ /V ^ p. ms- №3,

47. Алукер Э.Д,, Флеров В.И., Чернов С.А. Влияние тешературы на эффективность генерации Vtc центров в UP . - ФТТ, 1977, т.19, вып.5, с.1425-1426.

48. Флеров В,И. Зависимость эффективности образования ^-центров от температуры во фтористом литии, Изв.АН Латв.ССР. Сер.физ, и техн.наук, 1977, $ I, с,59-63.

49. Дейч Р.Г., Флеров В.И, Температурная зависимость эффективности образования центров во фториде кальция. - Изв. АН Латв.ССР. Сер.физ.и техн.наук, 1977, $ 6, с.42-44.

50. Флеров В.И, Зависимость эффективности образования Р центров от температуры во фтористом литии. - Изв. АН Латв.ССР. Сер.физ.и теш.наук, 1977, № 4, с.33-36.62. 2аги4сг(с1 I/, Ной тскап4£гп$> ¿>/ И ши( Рсеп&г ргосиссЯоп т Ш сгу&к{.(к. ~ Рку<. ЖаЛ. (Ц

51. Тгеа!а£ 7. (Рп Ш 'Рчхм^с-гтако« ¡иЛ-о Иеа£т н&Ш.ТгРкрМ-, ?№{р64. \CaJUr М, имрггайс^ гест&па&ён ¿игт/итаее ¡паЬ АакЖ сгумйг РкрМ^ШУ, ¡>ми-<Г№.

52. Млитссу Шсст4таН1&ъ игЫмьипел ^т ¡/¿-сепка ¡я реЪшшт Ы.ШЛ^

53. Куусманн И.Л,, Лущик Ч.Б. Собственная люминесценция ионных кристаллов с автолокализующимися эксигонами. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1976, т.40, № 9, с.1785-1792.

54. Куусманн И.Л., Либлик П.Х., Лущик Ч.Б. Краевая люминесценция экситонов в ионных кристаллах. Письма в ЖЭГФ, 1975, т.21, вып.2, с.161-163.

55. Куусманн И.Л., Либлик П.Х., Ливдья Г.Г. и др. Краевая люминесценция экситонов в щелочных иодидах. ФГТ, 1975, т.17,вып.12, с.3546-3550.

56. КьусиЖлТ., ОкаАаТ, ¡СсьЬлпс 6/1, егги^оп ем^сп С*70. ./íisb'mitrci НOkityOsihi Tanwka У. f Te nutra. M. Ьлспсииц faiTUtuscefice from tveiioru in, aMctb ¿cctiáe sltujÁ

57. Лущик Н.Е., Coo вше Т.А. Возбуждение люминесценции примесных центров в jíJ&r при оптическом создании экситонов. Тр.ИФА АН ЭССР, 1974, $ 42, с.61-80.

58. Лущик Ч.Б., Васильченко А.Е., Лущик Н.Е., Пунг Л.А. Релакси-рованные и нерелаксиро ванные возбуждения в кристаллах тшв Л<аС£ . Тр.ИФА АН ЭССР, 1972, » 39, с.3-46.

59. Mcti А/, К, Яспе&лт A.M. rke Ufiünu of eécfaciU; -A.c¿e<i щ ¿yCiítPM -fófvrt trapping. j, PJuji, Su-. P. QpkcL S-ia'te Pl^-, Ш, #1*,р.ЪЪ94' 339«P,

60. Surm /f. PhOsW cUaftrcvm p.f ttiv £xe< hn m tic pJwwi ■fM. -1 >!№, vvf. /v^ p, -Ш6 • ШУ.

61. Хижняков В.В., Шерман А.В. Адиабатические поверхности и оптические спектры автолокализующихся экситонов. Тр. ИФА АН ЭССР, Ií 46, с.120-142.

62. Kcdkr M,N4 Pcvíkrtcn D. Л. ЪмЪи/гег -far a ЫрЫel -tU uif -impftd ¿HiU^ "i cap 1. Phys. kr. LtA, J96-K

63. Pcc&fy i), Q.nncirrut¡v //< A, fUccrnAtn&l('\Qn ^ccmJni6C£fue¿X Maú Ididtt.- У, Pfyi. e. i&ak PIypi., МЩ vePSjv$, р. WS-ШЧ.

64. Victima Si ОЬшъо 7J, Hircu M. PclecnzcUion cf -Ш aií-or- -piion, due 'к Ш in Á/aOi, к ce, ¡Cbr ¿W ЯеcryiM&r1. %s. Зое. faf-, WC,

65. Tbtlítr k.Ü^hJtMiams Kcct&r M. A'. Transient op-bcae

66. С1вжгр4,ш 'jcf stff- tm/wet efáíctu ¡n cMaUьщМи. %í Ш*> ^ Л0~> "Ь~> m' m80. й1акл4а St.} УШ/ Oktaw ti., Ici^awa ^ Шгш M. Тетрмrectus cicpetute'fue of He lifetime sMl ¿f7 ST&in hfa(t1 £fk, ВШ сгущай, # Ue.fo., m/^Sl

67. Cmiids incCu&tf fyitt/'ttahf- W /crf^emptwtfure. -f.Pkp* . fcWtAiabe HM, B&utfoJУ , Dhffcesicti Pctrant&fcsrs of ^^swfeg CWCfert Jy ic?m%tKj rcLOttUcev in

68. Php. tM. Ml ty, W*, MM, у//, p 3 <T- 3/%

69. Vazii'cAeibLc Ьу dae-Uhtl Ж, JUis&cful CL. MiqraMc^.ojL сыгеС fudu in, 4unu/meCiif~ c^ji^aio of Bn 1 jUc-nun^ Wt. P- ^ W

70. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Лущик Ы.Е. и др. Электронные возбуждения и радиационные дефекты в кристаллах <Ara/&r . Тр. ИФА АН ЭССР, 1975, $ 44, с.3-44.

71. Вяземский В.О., Ломоносов И.И., Писаревский А.Н. и др. Сцин-тиллятщонный метод в радиометрии. М., Госатомиздат, 1961,430 с.88. Wattsj^Alei of- ргеи aUadi /ьа^'аго -femferatu*^ > $7/ lA'aclectr ¿teawh-ics. VfesuiQ¿ABA , /¿ш^Д^/^иг

72. Schoemaátsr Д ср tzW tu/perftne ммьрюпел-к pf l/^-c^t-im , Pkffi. P¿vt Ш-é-e/.

73. Icifccia IC., Malcamusa yVaJcapJ- ойсоигшее^г-ае ^чс^т? jity --iritpptd £&ePü.ъг-s in. ZfoiAü. У. Mtnune<}C£Jtcey4Ш, vtf. p.bJU

74. Дейч Р.Г. Люминесценция Ci^'Jta при возбуждении импульсами электронов. Изв. АН Латв.ССР. Сер.физ.и техн.наук, 1981,2, с.48-50.

75. McprcUa т. mi4 Mitai У, OpUcaé aéfcrpUon ef

76. PCinJU Э,; йашшг S, T¡u ûft/cat oJs&r^Pion of m ¡tce cnj^kiis -at fa ~ eúaceiiñ-tz¿iKc>m. ¿М-f, S 9-Mb,vtí.&x, p. Ztt-Ztt

77. Изв. АН СССР, Физ., 1965, т.29, с.446.97. sAtigasaivcL ¿o еа ti^etf -cuvcf 4cifw exetí&nz In- atícL^ M&Hde alla-fc iodide 4i?àctieiu, i! Pit^. toc.faf., M ¿9, p, SSVJ,98. Ш Ai, А/аЫ У. У- Мьср

78. Actbagmv&H., Ш А/, Мгос^ъч -Utns-" Kteteiue of cesctc* /V vfa№ X P/u^. fa.fef;1. Ш1, yol ъь, f p

79. Витол И,К., Лущик Ч.Б., Зланго М.А. Экситонный механизм создания Р центров в бездефектных участках ионных кристаллов. - ФГТ, 1968, т.10, с.2753-2759.

80. Лущик Ч.Б., Вале Г.К., Зланго М.А. Электронные возбуждения ионных кристаллов и элементарные механизмы создания центров окраски. Изв.АН СССР. Сер.физ., 1967, т.31, с.820-828.

81. Ю2. ?<?0'(а/ А УОС>1 сиыо(ъ гер^ешш^ -¿¿¿¡лы^еы 1гь АсМскл -апЛ ^кесг- ге£сЛсп Р-селЛ&г ргссСссс^ап- Ше гшт^па^ои, РгсРЬуъ,и

82. Лисищн В.М. Образование радиационных дефектов при распаде электронных возбуждений в кристаллах со сложной структурой решетки. Докторская диссертация. Томск, 1979.

83. Лущик Ч.Б., Васильченко Е.А., Лущик А.Ч., Лущик Н.Е., Тайиров М.М. Экситонные и примесно-экситонные механизмы создания Р, Н пар в щ ел очно-галоидных кристаллах. - Тр. ИФА АН ЭССР, 1983, & 54, с.5-37.

84. Тоустмя У* €1 р^с^хм^ Г)ъ€>с>Се£ о/- гпесЛа^тсг иф^ ^мпа^оп »г а{1аи* -А^гаСе*, У, Ы.Ц р.

85. Лисицын В.М., Серикова Г.Н. Эффективность образования первичных радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах. -ФТТ, т.22, в,10, с.2956-2959.

86. Алукер Э.Д., Чернов С.А., Нестерова С.Н. Эксперимштальное проявление различных механизмов образования френкелевских пар дефектов в щелочно-галовдных кристаллах. Изв. АН Лат в, ССР. Сер.физ. и техн.наук, 1979, 8> 3, с.28-34.

87. Гаврилов В.В., Нестерова С.Н., Чернов С.А., Яковлев В.Ю.0 механизмах распада экситона на пару френкелевских дефектов в щелочно-гало вдных кристаллах. ФТТ, 1981, т.23, в.7, с.2180-2182.

88. Мощные наносекундные импульсные источники ускоренных электронов. Под ред. Г .А. Месяца. Новосибирск, 1974, 216 с.

89. Андерсен И.Н. Широкополосные трансформаторы тока. Приборы для науч.иссл., 1971, т.7, с.3-14.

90. ИЗ. Берковский А.Г., Гаванин В.А., Зааделъ И.Н, Вакуумные фотоэлектронные приборы. М.: Энергия, 1976, 256 с. П4. ile&L И, ßdvr ceiite^r $UcvLm т otiLccli -ЬаМсСыif fnclu-ef ¿tecTfW? ste-Cnтъ irr-cicCfti4i*c>t- £ РАуз. Яое.fetf', roJ-ZS,

91. Heerte У, M., Ue<t& Pf* Tw.(v$f£tvf ferrncUSoa. p^ce-iitc^ ¡n fc&r cupi> U:iA гыъсиф&е pneti^f ¿¿¿¿¿ъ Ü iW.^y., 33; p /¿5V /¿Tj

92. Mive* W, Эгхhr М. fceicifi<on 4-etiveeJi a^zop-fcona uptUe sot/äs, piyt. 49 ypf. Ш, p>.

93. WUliamA Rnctd.fo+4 la+td 14 PieadecvnA spek-~tw£h?jH£ of- transientcifcorpiiotx. in ¡¿№, -Pk^s.ßw.

94. Вайсбурд Д.И., Семин Б.Н., Таванов Э.Г, Свечение и проводимость неидеальной вьровденной электронно-дырочной плазмы, возникающей в ионных кристаллах при сверхмощном возбуждении, Изв.АН СССР. Сер.физ., 1976, т.40, с.2404-2409.

95. Sa ил, SßdQ я. Höhtf. иа. ssr.

96. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Пунг Л.А. и др. Радиационное создание катионных вакансий в нитевидных кристаллах А '3 У" . -Изв. АН СССР. Сер.физ., 1974, т.38, с.1225-1226.

97. Spektra of Шс^вл so£iction,$ сыЫ in, citkafr -haßa"es,~ %s, votJQS,

98. U¡nte,r g,K; ttolfe Ckrí^if btclrelsm of

99. VSctttds, ¡n- pofct^tun «ctnd шШ/ит131. kzrcidCltj, fi,/, t CpffLpíon KV. (Mor- centtsá tn KC£ ши, l¿ Br fy .*rolvncj¿¿t Jt írradcatfen -¿etir Phys, He*: ¿ vo¿ MS-9H.

100. HclHch S. а И- -tana ¿n К M: J с rytUJs.- Р/и£. м, &tJ vcl м f, р.Ш-Hf.

101. Яковлев В.10. Исследование сложных центров окраски в ионных кристаллах при импульсном электронном возбуждении, Автореферат канд.дисс., Свердловск» 1980.

102. LynzH.j Rogitvóon. F-untt-rt itt ctikcid h,aiícte<L

103. Ворожейкина Л.Ф, и др. Действие лазерного излучения на

104. F центры окраски в облученных кристаллах A/flC¿7, -Ж.Опт.Спект., 1979, т.47, S 4, с.716-718.

105. Тайиров М.М. Экситонный и дырочный механизмы созданияи А 7 пар в кристаллах K&r'C¿\ - Тр. ИФ АН ЭССР,1983, $ 54, с.73-101.

106. Тайиров М.М. Низкотемпературный распад эксигонов с рождением дефектов в кВт- ж . ФТТ, 1983, т.25, с.450--455.

107. Тайиров М.М., Акилбеков А.Т., Федорова О.В. Влияние ионов хлора на люминесценцию и радиационные эффекты в £ . -Тр. ИФ АН ЭССР, 1983, $ 54, с.102-121.

108. Васильченко Е.А., Тайиров М.М., Федорова О.В., Соовик Х.А. Люминесценция и распад экситонов на дефекты Френкеля в кристаллах ¡í&r~Ci ь Тез. У-го Всес.сов.по рад.физ. и хим, ионных кристаллов. Рига, 1983, с.143-144,