Разработка полупроводниковых материалов для приборов ночного наблюдения и промышленной технологии их производства тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Пинчук, Игорь Владимирович

• Пинчук, Игорь Владимирович
• кандидат технических наук
• 2001

Оглавление диссертации кандидат технических наук Пинчук, Игорь Владимирович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. Эффективные полупрозрачные арсенидгаллиевые фотокатоды с отрицательным электронным сродством (ОЭС-фотокатоды).И

1.1. Физическая модель полупрозрачного ОЭС-фотокатода и конструкция полупрозрачных арсенидгаллиевых ОЭС-фотокатодов.

1.2. Основные технологические принципы получения гетероструктур на основе твердых растворов арсенида галлия-алюминия методом жидкофазной эпитаксии

Глава 2. Исследование рекомбинационно-оптических свойств и фотонно-диффузионных процессов в гетероструктурах арсенида галлия - алюминия и полупрозрачных ОЭС-фотокатодов на их основе.

2.1. Методики исследования рекомбинационно-оптических свойств эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюминия.

2.2. Диффузионная длина электронов в гомоэпитаксиальных слоях арсенида галлия, легированных цинком.

2.3. Исследование влияния дислокаций и ионизованных примесей на диффузионную длину электронов в эпитаксиальных слоях арсенида галлия.

2.4. Физическая модель полупрозрачного арсенидгаллиевого ОЭС-фотокатода, учитывающая . влияние рекомбинационно-оптических эффектов на внешний квантовый выход фотоэмиссии.

2.5. Оптимизация гетеросгруктуры арсенида галлия-алюминия для полупрозрачных арсенидгаллиевых ОЭС-фотокатодов.

ГлаваЗ. Исследование технологии получения гетероструктур арсенида галлия-алюминия для полупрозрачных ОЭС-фотокатодов.

3.1. Особенности получения гетероструктур.

3.2. Аппаратурное оформление процесса жидкофазной эпитаксии гетероструктур.

3.3. Учет гидродинамических факторов при кристаллизации полупроводниковых слоев в системах с движущимися растворами - расплавами.

3.4. Исследование влияния гидродинамических факторов на кристаллизацию эпитаксиальных слоев арсенида галлия-алюминия.

3.5. Выращивание гетероструктур арсенида галлия-алюминия при охлаждении ростового раствора-расплава до комнатной температуры.

3.6. Исследование влияния термообработки и чистоты исходного галлия на рекомбинационно-оптические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия.

3.7. Рентгеноструктурные исследования напряжений и деформаций в гетероструктурах арсенида галлия-алюминия.

Глава 4. Разработка и внедрение промышленной технологии получения арсенида галлия-алюминия с двухслойным диэлектрическим покрытием.

4.1. Основные характеристики разработанной промышленной технологии и технологический цикл получения гетеро структур.

4.2. Технология выращивания гетероструктур арсенида галлия-алюминия жидкофазной эпитаксией с принудительным вытеснением предыдущего растворарасплава последующим.

4.3. Разработка технологических режимов нанесения диэлектрических пленок нитрида кремния и двуокиси кремния.

4.4. Лазерная калибровка гетероструктур.

4.5. Испытание гетероструктур ЭСАГА 78 в качестве основы полупрозрачных арсенидгаллиевых ОЭС-фотокатодов

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка полупроводниковых материалов для приборов ночного наблюдения и промышленной технологии их производства»

Работа выполнена по разработке и внедрению в промышленное производство электронно-оптических преобразователей изображения и фотоэлектронных умножителей с полупрозрачными арсенидгаллиевыми фотокатодами с отрицательным полупрозрачным сродством (ОЭС-фотокатоды). Электронно-оптические преобразователи изображения с полупрозрачными арсенидгаллиевыми ОЭС-фотокатодами необходимы для создания бесподсветных систем, приборов ночного видения третьего поколения, так как в ночных условиях спектральный состав излучения объектов смещается в длинноволновую область. В области длин волн 800.900 нм на фотокатод электронно-оптических преобразователей поступает в 5. 7 раз больше квантов, чем на длине волны 500 нм. Большинство объектов наблюдения имеет более высокий коэффициент отражения длинноволнового излучения по сравнению с коротковолновым, что повышает контраст изображения на входе электронно-оптических преобразователей. Использование полупрозрачных арсенидгаллиевых ОЭС-фотокатодов в электронно-оптических преобразователях изображения и фотоэлектронных умножителях позволяет повысить интегральную чувствительность приборов в красной и инфракрасной областях спектра в 3. 5 раз по сравнению с классическими многощелочными фотокатодами /1/. Для приборов ночного видения необходимо достижение максимальной интегральной чувствительности у полупрозрачных ОЭС-фотокатодов в ближайшей инфракрасной области оптического спектра.

Оптимизация конструкции полупрозрачных ОЭС-фотокатодов и определение требований к гетероструктурам, используемых для их изготовления, проводится на основе физической модели работы полупрозрачного ОЭС-фотокатода. Однако, существующая диффузионная модель работы полупрозрачного ОЭС-фотокатода не учитывает влияния рекомбинационно-оптических эффектов (многопроходность и переизлучения) на чувствительность фотокатодов, что не позволяет определить оптимальный тип гетероструктуры для высокоэффективных полупрозрачных арсенид-галлиевых ОЭС-фотокатодов.

Перспективной конструкцией полупрозрачного арсенид-галлиевого ОЭС-фотокатода является фотокатод (стекло /А1уСа1-уА5ЮаА8:С5,02), в котором стеклянный диск выполняет роль подложки и входного окна электронно-оптического преобразователя или фотоэлектронного умножителя, изготавливаемый на основе гетероструктуры СаАз (подложка) /А1хОа1-хА8/ОаА5/А1уСа1.уА8 с диэлектрическим покрытием.

Важное значение для достижения высокой интегральной чувствительности и ее равномерности по площади полупрозрачного ОЭС-фотокатода имеют следующие параметры гетероструктуры: ширина запрещенной зоны, тип и концентрация примеси в активной области, величина диффузионной длины электронов, равномерность толщины активной области и ее структурные и рекомбинационные оптические свойства, тип диэлектрического покрытия на поверхности.

Наиболее развитым методом получения гетероструктур на основе твердых растворов арсенид галлия-алюминия является метод жидкофазной эпитаксии.

Однако, промышленное применение существующих методик эпитаксиального выращивания из растворов-расплавов ограничивается сложностью получения в гетероструктурах арсенида галлия-алюминия активной области арсенида галлия без следов алюминия "резких" гетеропереходов, высокого качества поверхности.

В связи с этим, целью настоящей работы является разработка технологии гетероструктур на основе арсенида галлия для полупрозрачных фотокатодов с отрицательным электронным сродством.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

- уточнение физической модели работы полупрозрачного ОЭС-фотокатода с учетом рекомбинационно-оптических эффектов (многопроходность и переизлучение) и оптимизация конструкции гетероструктуры арсенида галлия-алюминия с диэлектрическим покрытием;

- исследование зависимости диффузионной длины электронов в эпитаксиальных слоях арсенида галлия от концентрации дырок, плотности дислокаций, времени термообработки в контакте с ростовым раствором-расплавом;

- исследование влияния гидродинамических факторов на процессы кристаллизации эпитаксиальных слоев арсенида галлия-алюминия при жидкофазной эпитаксии с принудительным вытеснением предыдущего раствора-расплава последующим;

- определение оптимальных технологических режимов выращивания гетероструктур с заданным составом активной области и "резкими" гетеропереходами;

- исследование оптимальных условий получения гетероструктур с высоким качеством поверхности при охлаждении до комнатной температуры в контакте с ростовым раствором-расплавом А1-Са-А5;

- разработка и внедрение промышленной технологии.

Научная новизна работы состоит в следующем: 1) предложена физическая модель работы полупрозрачного ОЭС-фотоАсатода, которая учитьшает влияние рекомбинационно-оптических эффектов (переизлучение, многопроходность рекомбина-ционного излучения) на квантовую эффективность фотокатода. На основе указанной модели оптимизирована конструкция гетеро-структуры (патент № 1820786);

2) установлена зависимость диффузионной длины электронов (2) в эпитаксиальных слоях арсенида галлия, имеющих р-тип проводимости, от концентрации дырок , плотности дислокаций, времени термообработки в контакте с ростовым раствором-расплавом;

3) предложена модель кристаллизации полупроводниковых эпитак-сиальных слоев при жидкофазной эпитаксии с принудительным вытеснением предьщущего раствора-расплава последующим, учитывающая влияние гидродинамических факторов на диффузионные процессы в растворах-расплавах.

Практическая ценность работы заключается в том, что для получения методом жидкофазной эпитаксии с принудительным вытеснением растворов-расплавов гетероструктур арсенида галлия-алюминия с заданной концентрацией ростовых и легирующих компонентов "резкими" гетеропереходами и высоким качеством поверхности необходимо:

- использовать дополнительные растворы-расплавы, ненасыщенные по мышьяку (3);

- вьщержать гетероструктуру в контакте с дополнительными растворами-расплавами в течение заданного времени (4);

- вытеснить предыдущий раствор-расплав последующим из зоны кристаллизации с заданной скоростью;

- проводить охлаждение до комнатной температуры в контакте с ростовым раствором-расплавом (5);

На основе проведенных исследований разработана и освоена промышленная технология производства двух типов гетероструктур арсенида галлия-алюминия (ЭСАГА 78-1, ЭСАГА -II) с диаметром 20 мм по техническим условиям ЯеО.032.078 ТУ для высокоэффективных полупрозрачных ОЭС-фотокатодов.

На основе гетероструктур ЭСАГА-78 изготовлены полупрозрачные ОЭС-фотокатоды со стеклянной подложкой, являющиеся входным окном электронно-оптических преобразователей изображения и фотоэлектронных умножителей с максимальной интегральной чувствительностью "на просвет" в сверхвысоковакуумной камере 1850 мкА/Лм, что превышает уровень лучших отечественных и зарубежных аналогов.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Физическая модель работы полупрозрачного ОЭС-фотокатода, которая учитывает влияние рекомбинационно-оптических эффектов (самопоглощение, переизлучение, многопроходность рекомбина-ционного излучения) на квантовую эффективность фотокатода.

2. Оптимизация структуры (арсенида галлия-алюминия с двухслойным диэлектрическим покрытием 81зН4/5102) для высокоэффективного полупрозрачного ОЭС-фотокатода на стеклянной основе.

3. Экспериментальная зависимость диффузионной длины электронов в эпитаксиальных слоях арсенида галлия от концентрации дырок, плотности дислокаций, времени термообработки слоев в контакте с ростовым раствором-расплавом.

4. Модель кристаллизации полупроводниковых эпитаксиальных слоев при жидкофазной эпитаксии с принудительным вытеснением растворов-расплавов, учитывающая влияние гидродинамических факторов на диффузионные процессы в растворах-расплавах и состав эпитаксиальных слоев.

-10

5. Способ получения гетероструктур арсенида галлия-алюминия с высоким качеством поверхности при охлаждении до комнатной температуры в контакте с ростовым раствором-расплавом А1-Са-А8.

6. Промышленная технология получения гетероструктур арсенида галлия-алюминия с "резкими" гетеропереходами, заданной концентрацией ростовых и легирующих компонентов в эпитаксиальных слоях, высоким качеством поверхности.

Основные результаты работы докладьшались и обсуждались на следующих конференциях и симпозиумах:

XI Всесоюзная конференция по фотоэлектронным приборам (Ленинград, 1990г.), V Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (Калуга, 1990г.), II научная конференция "Фотоэлектрические явления в полупроводниках" (Ашхабад, 1991г.).

Диссертация состоит из введения, 4 глав и выводов. Работа изложена на 152 страницах машинописного текста, включая 44 рисунка, 5 таблиц и список литературы.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Пинчук, Игорь Владимирович

ВЫВОДЫ

1. Освоена промышленная технология производства жидкофазной эпитаксией гетероструктур двух типов с диэлектрическими пленками : СаАз (подложка) / А1хОа1-хА5/ А1уСа1.уА5/ р+ОаАз / А1гСа1-гАз/51зК4/8102. х=0,15, у=0,5, 7=0,6) с ориентацией подложек (100) и (111)А РСАГА 78-1 и ЭСАГА 78-2 по техническим условиям Яе0.032.078ТУ) для высокоэффективных полупрозрачных ОЭС-фотокатодов фотоэлектронных умножителей и электронно оптических преобразователей изображения.

2. Предложена физическая модель работы полупрозрачного ОЭС-фотокатода на основе арсенида галлия, учитывающая влияние рекомбинационно-оптических эффектов (самопоглощение , переизлучение рекомбинационного излучения в гетероструктурах) на квантовую эффективность ,в которой показано, что оптимальной легирующей примесью в активной области фотокатода является цинк с концентрацией дырок р=(0,8.1,0) • 10А см'З, которая обеспечивает максимальную интегральную чувствительность "на просвет" и сформулированы дополнительные требования к гетероструктурам и фотокатодам на их основе.

3. Предложен и реализован новый тип гетероструктуры СаАз (подложка) / А1хОа1-хАз/ А1уОа|-уАз/ р+ОаАз / А1г0а1-2Аз/51зН4/8102. На основе гетероструктур, диаметром 20 мм, изготовлены полупрозрачные ОЭС-фотокатоды со стеклянной подложкой, являющейся входным окном ЭОП и ФЭУ с максимальной интегральной чувствительностью "на просвет" 1850 мкА/лм в сверхвысоковакуумной камере, что превышает уровень лучших отечественных и зарубежных аналогов.

4. Впервые предложена модель кристаллизации полупроводниковых эпитаксиальных слоев при жидкофазной эпитаксии с принудительным вытеснением растворов-расплавов, учитывающая влияние гидродинамических факторов на диффузионные процессы в растворах-расплавах.

На основе проведенных теоретических и экспериментальных исследований найдены количественные соотнощения, определяющие взаимосвязь геометрических параметров зоны кристаллизации, скорости движения растворов-расплавов, их кинематической вязкости, коэффициентов диффузии и концентрации кристаллообразующих и легирующих компонентов в растворах-расплавах.

5. На основе указанной модели кристаллизации предложены и реализованы способы получения гетероструктур С а Аз (подложка) / А1хОа1-хА5/ А1уСа1-уА5/ р"АСаА5 / А1г0а1-2А5/81зН4/8102 с минимальным содержанием алюминия в эпитаксиальных слоях арсенида галлия и "резкими" гетеропереходами, включающими в себя использование ненасыщенных и насыщенных дополнительных растворов-расплавов Оа-Аз для эффективной очистки зоны кристаллизации от алюминия и выдержки гетероструктуры в контакте с дополнительными растворами-расплавами.

6. Предложен и реализован способ получения гетероструктур СаАз (подложка) / А1хОа1-хАз/ А1уОа1-уАз/ р+ОаАз / АЬСа1.гАз / 81зН4 / 8102 жидкофазной эпитаксией с принудительным вытеснением растворов-расплавов и высоким качеством поверхности эпитаксиального слоя АЬСаАгАз, включающий выращивание слоя при охлаждении в интервале температур 973-293 К в контакте с ростовым раствором-расплавом. Качество поверхности гетероструктур позволяет реализовать оптически бездефектные соединения гетероструктур со стеклянным диском, являющимся входным окном ФЭУ и ЭОП.

7. Получена зависимость диффузионной длины электронов в гомоэпитаксиальных слоях арсенида галлия, легированного цинком от концентрации дырок в интервале 310''.310'А см-А, чистоты исходных

ИС; 41," Спектральные характеристики полупрозрачных Фотокатодов с различныг.1И диэлектрическими покрытиями: ЗАОА $1зЫ4 + 810А (3,4).

Кривые 1,3 - в режиме "на отражение", 2,4 - в режиме "на просвет",'

Т38

РИС. 42

Спектралыше зависш-Лости полупрозрачных фото1сатодов'при разлзгчных толщинах ра(5очего слоя арсекида галлия,' Кривая I соответствует толщргне больше оптюлалъной, кривая 2 -толщине меньше оптитлальной, кривая 3 - оптшлальной толщи

43. BîieimnrQ ытд Фот—скатсднсго узла на стекляннсМ осново.

140компонентов и плотности дислокаций. Показано, что диффузионная длина электронов монотонно уменьшается от 10 до 2 мкм при увеличении концентрации дырок.

8. Предложен и реализован способ термообработки гетероструктур в контакте с ростовым раствором-расплавом, позволяющий повысить значение диффузионной длины электронов в активном слое и улучшить однородность рекомбинационно-оптических параметров по площади гетероструктур. Относительная неравномерность ширины запрещенной зоны и интенсивности фотолюминесценции по площади гетероструктур ЭСАГА 78-1,11 не более ±5%.

9. Предложена и реализована конструкция поршневой кассеты для наращивания многослойных гетероструктур, обеспечивающая получение гетероструктур с высоким качеством поверхности, заданным составом эпитаксиальных слоев, "резкими гетеропереходами", с неоднородностью толщины слоев по площади гетероструктуры не более ±10%.

4-í p, od^f ««Ив :

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Пинчук, Игорь Владимирович, 2001 год

1. Белл Р.Л. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством.-М.:Энергия, 1978.-192с.

2. Пинчук И.В., Фурманов Г.П. и др. Совершенствование полупрозрачных арсенид-галлиевых ОЭС-фотокатодов высокой чувствительности .// Тезисы докладов XI Всесоюзной конференции по фотоэлектронным приборам. Ленинград, 1990, с.25-26.

3. Пинчук И.В., Фурманов Г.П. и др. Формирование резкой гетерограницы в эпитаксиальных структурах для ОЭС- фотокатодов.// V Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупро-водниковых гетероструктурах.-Калуга, 1990, с.174-175.

4. Пинчук И.В., Фурманов Г.П. и др. Формирование резкой гетерограницы в эпитаксиальных структурах для ОЭС-фото-катодов./УЭлектронная техника, сер."Материалы".-1991, вып.3(257).

5. Пинчук И.В., Фурманов Г.П. и др. Совершенствование полупрозрачных ОЭС-фотокатодов.//Тезисы докладов II научной конференции "Фотоэлектрические явления в полупроводниках".-Ашхабад, 1991, с. 165.

6. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Гарбузов Д.З. и др. Кинетика электролюминесценции и эффекты "переизлучения" в трехслойных гетероструктурах на основе системы AIAs-GaAs // Физика и техника полупроводников.-1974.-Т.8, Вып.12-с.2350-2354.

7. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Гарбузов Д.З., Румянцев В.Д. 100% внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации в трехслойных гетеросветодиодах на основе системы AIAs-GaAs // Физика и техника полупроводников.-1975.-Т.9,Вып.6.-С. 1059-1064.

8. Gutierrez W. A., Pommerenig H. D. High sensitivity transmission- mode GaAs photocathodes//J. Applied Phisics Letters.-1973.-V.22,N6.-p.282-283.

9. Hugos H.R.,Savoye E.D., homan D.H. GaP/GaAsxPi-x/ GaAs:(Cs-0) transmission photocathodes// J.Electronic Materials.-1974.-V.3-p.9-12.

10. Fisher D.G.,01sen G. H. Properties of high sensitivity GaP/lnxGai-xP / GaAs:(Cs-0) transmission photocathodes//J.Applied Phisics.-1979.-V.50,N4.-p.2930-2935/

11. AllensonM.R.,King P.G.R.,Rowland M.C. et al. An improved GaAs transmission photocathodes//J. Phisics D:Applied Phisics.-1972.-V5, N10.-p.89-92.

12. Frank G.,Garbe S. GaP-AlxGai-xAs-GaAs heterostructurs with improved transmission/ZPhisica Status Solidi (a).-1974.-V.26,N2-p.K91-92.

13. Горшков В.П„Бондарь С.А.,Гаванин B.A. и др.Гетероэпитаксиальные структуры для полупрозрачных ОЭС-фотокатодов//Специальная электроника,серюМатериалы.-1978.-Вып. 1 .-С.42-44.

14. Отчет по научно-исследовательской работе "Разработка эпитаксиальных структур на основе соединений ААВА для ОЭС-фотокатодов электронно-оптических пребразователей изображения № Х06840, Калуга, 1979.

15. Отчет по опытно-конструкторской работе "Разработка эпитаксиальных структур на основе соединений ААВА для полупрозрачных ОЭС-фотокатодов и технологии их производства" ,№ Ф12656, Калуга, 1981.

16. Antypas G.A.,Edgecumber J. Glass-sealed GaAs-AlGaAs transmission photocathodes/ZApplied Phisics Letters.-1975.-V26,N7.-p.371372.

17. Antypas G.A., Esher J.S.,Edgecumber J., Eng R.S. Brodband GaAs-transmission photocathodes//J.Applied Phisics.-1978.-V.49,N7.-p.430-431.

18. Andre J.P.,Guittard P.,Hallais J.,Piaget C. GaAs Photocathodes for low light level imaging//J.Crystal Growth.-198l.-V.55.-p235-245.

19. Уфимцев В.Б.,Акчурин P.X. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии.-Мю:Металлургия, 1983.-222С.

20. Крапухин В.В.,Соколов В.А.,Кузнецов Г.Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов.-М.:Металлургия,1982.-352с.

21. Nelson Н. Epitaxial growth from the liquid state and its application to the fabrication of tunnel and laser diodes//RCA Review.-1963.-V.24,-p.603-6l5.

22. Андреев В.М.,Долгинов Л.М.,Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов.-М.-Советское радио, 1975.-328С.

23. Болховитянов Ю.Б. Кинетика роста полупроводниковых пленок из раствора-расплава//В кн.: Полупроводниковые пленки для микроэлектроники.-Новосибирск:Наука, 1977.-С. 170-196.

24. Panish M.B.,Sumski S.,Hayashi J. Preparation of multilayer LPE heterostructures with crystalline solid solution of AlxGai-xAs: Heterostructures lasers/ZMetallurgical Transaction.-1971.-V2,N.3-p.795-801.

25. Woodall Y.M., Isotermal solution mixing growth of thing Gai.xAlxAs layers/ZJ.Electrochemical Sosiety.-1971.-V.l 18,N1.,p. 150-152.

26. Shih K, R.Blum J.M. AlxGai-xAs Growth-Diffusud electroluminescent planar monolithik diodesZZJApplied Phisics.-1972.-V.43'N7.-p.3094-3097.

27. Alferov Zh.J.,Andreev V.M., Konnikov S.G. et al. New LPE method of obtaining AlGaAs heterostructuresZZKristall und Technik.-1976.-V.l 1.-p.1013-1020.

28. Алферов Ж.И.,Андреев В.М.,Конников С.Г.,Ларионов В.Р. Жидкостная эпитаксия структур с гетеропереходами в структуре AI-Ga-As //В кн.гРост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок.-НовосибирскгНаука, 1977.-Ч. 1-С209-214.

29. Путный Б.В. Многопроходные светодиоды на основе гетероструктур в системе алюминий-галлий-мышьяк:Диссертация кандидата физ.-мат. наук:№ специальности 01.04.10.-Л.-1980.-157с.

30. Hall R.N. Solubility of 3-5 compound semiconductors in column 3 liquidsZZ J.Electrochemical Sosiety.-1963.-V.l 10,N1 .,p385-395Z

31. Crossly J.,Small M.B. Computer simulation of liquid phase epitaxy of GaAs in Ga solutionZZ J.Crystal Growth.-1971.-V. 1 l,N.2.-p. 157-165.

32. Rode D.L. Isothermal diffusion theory of LPE:GaAs,GaP, bubble garnet// J.Crystal Growth.-1973.-V.20,N1,-p. 13-23.

33. Hsieh J.J. Thickness and surface morfology of GaAs LPE layers grown by supercooling, step-cooling, equilibrium-cooling and two phase solution techniques//J.Crystal Growth.-1974.-V.27,Nl,-p.49-61.

34. Bryskiewicz T. Investigation of mechenizm and kinetics of growth of LPE GaAs// J .Crystal Growth.-1978.-V.43,N 1,-p. 101 -114.

35. Малинин А.Ю., Невский О. Б. Теоретические основы кристаллизации при эпитаксиальном наращивании из раствора-расплава//Доклады АН СССР.-1977.-Т.236,Хо5.-С.1177-1179.

36. Малинин А.Ю., Невский О.Б.,Минаджинов М.С.,Хряпов В.Т. К вопросу теории эпитаксиального наращивания из жидкой фазы при наличии второй межфазной границы// Доклады АН СССР.-1978.-Т.238,№5.-С.1159-1161.

37. Малинин А.Ю., Невский О.Б.,Минаджинов М.С.,Хряпов В.Т. Теоретическое определение скорости эпитаксиального роста из раствора-расплава//Доклады АН СССР.-1978.-Т.241,№«3.-С.647-649.

38. Андреев В.М.,Сырбу А.В. Выращивание эпитаксиальных слоев AlxGai-xAs из ограниченного объема раствора-расплава//Журнал технической физикию-1978.-Т.48,№9.-С. 1927-1930.

39. Hasegava H.,HartnagelH.L. Anodic axidation of GaAs in mixed solutions of glycol and water// J. Electrochemical Sosiety.-1976.-V.123,Nl.,p.713-723.

40. Ковтонюк Н.Ф.,Концевой Ю.А. Измерение параметров полупроводниковых материалов.-М.:Металлургия,1970-429с.

41. Escher J.S.,Williams B.F. Simple internal photoemission method for determining shape of yield curves of negative electron affinity semiconductors//J.Applied Phisics.-1973.-V.44,N 1 .-p.525-526.

42. Gartner W.W. Depletion -layer photoeffects in semiconductors//Physical Review.- 1959.-V. 116?N 1 .-P.84-87.

43. Зи СМ. Физика полупроводниковых приборов.-М.:Энергия,1973.-656с.

44. Крутоголов Ю.К.,Лебедева Л.В.,Соколов Е.Б.,Стрельченко С.С. Измерение диффузионной длины дырок при использовании электролит-полупроводник п-типа //Электронная техника, сер.6. Материалы .-1977.-ВЫП.11.-С.90-96.