Влияние термообработки и легирования на свойства монокристаллического кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Тимошина, Маргарита Игоревна

• Тимошина, Маргарита Игоревна
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Тимошина, Маргарита Игоревна

Введение,

Содержание

Глава 1 Пути направленного изменения свойств при термической обработке кремния.

1.1 Возможность управления деградацией электрофизических и физико - химических свойств кремния.

1.2 Полиморфные превращения в кремнии.

1.3 Влияние примесей на свойства кремния.

1.3.1 Свойства кремния, легированного редкоземельными элементами.

1.3.1.1 Влияние примесей редкоземельных элементов на электрофизические параметры кремния.

1.3.1.2 Влияние РЗЭ на процессы радиационного дефектообразования кремния.

1.3.1.3 Термическая стабильность кремния, легированного РЗЭ.

1.3.2 Свойства кремния, легированного натрием.

1.3.3 Поведение примеси золота в кремнии.

1.4 Применение геттерирования в кремнии.

1.5 Выводы.

Глава 2 Методики эксперимента и расчета.

2.1 Методика исследования электропроводности и эффекта Холла полупроводников при| температурах от комнатных до 1600К.

2.2 Методические аспекты измерения гальваномагнитных эффектов в высокоомном кремнии.

2.2.1 Измерительные образцы.

2.2.2 Схема компьютерной системы измерения.

2.2.3 Исходные расчетные формулы.

2.3 Проявление неоднородностей кристаллов.

2.4 Методика определения параметров дефектов и примесей, создающих в запрещенной зоне полупроводников глубокие уровни (БЬТБ).

2.5 Методики исследования структурных дефектов.

2.6 Определение параметров распада пересыщенных твердых растворов на основе кремния.

Глава 3 Влияние термообработки на электрофизические свойства кремния.

3.1 Исследование параметров электронного переноса в кремнии.

3.2 Электрофизические свойства монокристаллов кремния в широком интервале температур.

3.2.1 Эффект Холла.

3.2.2 Глубокие уровни в кремнии.

3.3 Термообработка кремния.i.

3.4 Выводы.

Глава 4 Радиационная и термическая стойкость кремния.

4.1 Выбор легирующих добавок, определенных на основе системы неполяризованных ионных радиусов (СНИР).

4.2 Влияние термической обработки на структуру и свойства легированного монокристаллического кремния.

4.2.1 Кремний, полученный методом Чохральского.

4.2.2 Кремний БЗП.

4.3 Ионное легирование кремния примесями, определенными на основе системы неполяризованных ионных радиусов (СНИР).

4.4 Кинетика распада твердых растворов на основе кремния.

4.4.1 Кремний - алюминий.

4.4.2 Кремний - натрий, кремний - вольфрам - натрий.

4.4.3 Кремний - гадолиний - золото.

4.4.4 Кремний - германий - марганец.

4.5 Выводы.

Глава 5 Получение приборов на основе кремния.

5.1 Разработка способов термической обработки подложек кремния для изготовления транзисторов.

5.2 Разработка прецизионных стабилитронов на основе радиационностойкого кремния.

5.3 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние термообработки и легирования на свойства монокристаллического кремния»

Уровень развития современной полупроводниковой электроники тесно связан с достижениями в технологии полупроводниковых материалов. История технологии полупроводникового кремния характеризуется непрерывным стремлением к совершенству. Это вызвано тем, что совершенство кристаллов, однородность свойств по объему не только влияет на рабочие характеристики приборов и микросхем, но и определяет эффективность их производства. С увеличением степени интеграции свойства отдельного элемента все более определяются локальными свойствами кристаллической подложки. Кремний является основным материалом для изготовления интегральных схем высокой эффективности. Возможность совершенствования полупроводниковых приборов заложена в повышении качества подложек, характеристики которых находятся в прямой зависимости от свойств монокристаллов и изготавливаемых из них пластин. Задача получения монокристаллов с равномерным распределением электрических свойств, пониженным содержанием остаточных фоновых примесей и структурных дефектов весьма актуальна. Таким образом, один из главных путей улучшения качества изделия полупроводниковой микроэлектроники - это улучшение качества исходных кристаллов кремния. Термостабильность свойств кристаллов кремния относится к основным параметрам качества полупроводникового материала. Именно термостабильность свойств кристаллов кремния определяет устойчивость к деградации параметров микроэлектронных приборов при повышенных температурах и расширяет области их применения. Термостабильность кристаллов кремния имеет также существенное значение при изготовлении микроэлектронных приборов, поскольку в технологических процессах кристалл подвергается воздействию высоких температур, которые часто необратимо ухудшают свойства исходных кристаллов.

Дестабилизирующими факторами также являются напряженные состояния решетки кремния, возникающие при термической и механической обработке кристаллов или же при создании многослойных полупроводниковых структур. Имеются и другие дестабилизирующие факторы, например, радиационное облучение. Актуальность проблемы обусловлена, с одной стороны, улучшением термостабильности кристаллов кремния, а с другой - необходимостью создания полупроводниковых приборов на основе кремния со стабильными параметрами.

Возможности экстенсивного развития технологии кремния в настоящее время уже исчерпаны. Поэтому различные исследования, приводящие к дальнейшему совершенствованию технологии монокристаллов нужны, интересны и перспективны.

Основная цель работы заключалась в комплексном исследовании электрофизических характеристик и особенностей структуры, выборе легирующих добавок и разработке способов термообработки промышленного кремния для повышения термостабильности полупроводниковых приборов на его основе.

Основные задачи работы: - проведение комплексного исследования электрофизических и физико-химических свойств монокристаллического кремния, различных промышленных марок, в широком интервале температур (от азотной до 1600К), в том числе, исследование параметров электронного переноса в кремнии с целью оценки степени однородности высокоомного кремния;

- исследование влияния термической обработки на структуру и свойства монокристаллического кремния;

- разработка режимов и способов термообработок подложек кремния;

- изучение кинетики распада пересыщенных твердых растворов на основе кремния, определение механизмов распада;

- расчет энергии связи и зарядовой плотности кремния при легировании двумя примесями, основанный на применение системы неполяризованных ионных радиусов (СНИР).

- получение на основе термостабильного и радиационностойкого Б! ультрапрецизионных стабилитронов и транзисторов.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Выполнены экспериментальные исследования гальваномагнитных эффектов в монокристаллическом высокоомном кремнии п-типа проводимости в области температур 140-540К. Разработаны критерии, позволяющие оценить степень неоднородностей кремния.

2. Проведены экспериментальные высокотемпературные исследования (от комнатной до 1600К) электрофизических параметров кремния различных промышленных марок. На кривых температурной зависимости постоянной Холла в области температур 1000К зафиксирован переход от п-типа проводимости к р-типу для кремния, полученного различными методами: Чохральского (Сг), бестигельной зонной плавкой БЗП (Рг) и нейтронного трансмутационного легирования (НТЛ).

3. Определено, что высокоомный монокристаллический кремний п-типа проводимости весьма чувствителен к условиям и режимам термообработки. Установлено, что диффузионное легирование БЗП кремния диспрозием позволяет повысить термостабильность кремния.

4. Показано влияние легирующих добавок на радиационную и термическую стойкость кремния. Проведен расчет энергии связи и зарядовой плотности кремния при легировании двумя примесями. Установлено, что натрий во взаимодействии с редкоземельными и переходными металлами способствует увеличению энергии связи в кремнии.

5. Проведено исследование кинетики распада пересыщенных твердых растворов на основе кремния. Показано, что полученные кинетические кривые относятся к классическим кинетическим кривым распада. Установлено, что атомы гадолиния стабилизируют состояние атомов золота в кремнии, атомы вольфрама - атомов натрия, атомы германия - атомов марганца, что в итоге замедляло распад твердых растворов.

Научная и практическая значимость работы:

1. Разработаны критерии, позволяющие оценить степень однородности высокоомного кремния путем анализа холловской и магниторезистивной подвижностей, измерения магниточувствительности напряжения проводимости и напряжения ассиметрии.

2. Разработаны режимы и способы циклических термообработок подложек кремния промышленных марок, повышающие его термостабильность. При этом сохраняются значения удельного сопротивления кремния с одновременным увеличением времени жизни неосновных носителей зарядов.

3. Применение предложенной в п.2 методики для изготовления транзисторов КТ - 8127, приводит к увеличению выхода годных на 20%.

4. Предложены методики термической обработки монокристаллов кремния, легированных редкоземельными элементами и переходными металлами, повышающие их термостабильность и однородность.

5. Показана возможность получения ультрапрецизионных стабилитронов на пластинах кремния, легированных редкоземельными и переходными элементами.

Апробация работы

По результатам диссертационной работы опубликовано 7 научных работ, в т.ч. 4 в изданиях, рекомендованных ВАК, 15 тезисов докладов на Российских и международных конференциях и семинарах. Результаты работы докладывались на Всероссийской научной конференции «Физика полупроводниковых соединений и полуметаллов» г. Санкт-Петербург 2002г., на Международных конференциях «Кремний - 2002» г. Новосибирск, «Полупроводниковые материалы для термоэлектрических устройств и солнечной энергии» ИМЕТ РАН, г. Москва 2002г., «Кремний -2003» МИСИС, «Кремний - 2005, школа» МИСИС, г. Москва, «Кремний -2007», г. Прага., «Кристаллография 21-века», МИСиС, «Кремний - 2007», МИСиС.

Личный вклад автора состоял в проведении термических обработок монокристаллов кремния, измерении параметров электронного переноса монокристаллов высокоомного кремния, проведении выходного контроля качества транзисторов, проведении расчета энергии связи примесей в кремнии методом физико-химического моделирования, анализе полученных результатов, подготовке научных публикаций.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Тимошина, Маргарита Игоревна

Основные результаты работы следующие.

I. Экспериментальные исследования электрофизических свойств в широком интервале температур:

1 - разработаны критерии электронного переноса в монокристаллическом кремнии п - типа, позволяющие адекватно оценить степень неоднородности высокоомного кремния для силовой электроники, путем анализа холловской и магниторезистивной подвижности, измерения магниточувствительности напряжения проводимости, измерения напряжения ассиметрии. Измерение указанных параметров показало, что высокоомный кремний п -типа проводимости отличается наличием неоднородностей проводимости, которые могут составлять от 1 до 36% при температурах от 220 до 300К;

2 - зафиксирован на кривых температурной зависимости постоянной Холла в области температур 1000К переход от п -типа проводимости к р - типу для кремния, полученного разными методами: методом Чохральского, БЗП, и НТЛ;

3 - показано, что высокоомный монокристаллический кремний п - типа проводимости весьма чувствителен к условиям и режимам термообработки. Установлено, что диффузионное легирование БЗП кремния диспрозием позволяет повысить термостабильность кремния;

4 - изучено влияние температуры и времени выдержки при термообработке на электрические свойства БЗП кремния и кремния Чохральского. Показано, что для получения термостабильных образцов необходимо проводить циклическую термообработку с последующим медленным охлаждением.

И. Влияние легирующих добавок на радиационную и термическую стойкость кремния. 1-е использованием методики физико - химического моделирования, путем применения принципа металлохимии и комплексного легирования, в основе которого лежит система неполяризованных ионных радиусов (СНИР) проведен расчет энергии связи и зарядовой плотности кремния при легировании как одной так и двумя примесями. Определены примеси которые, понижают энергию связи в кремнии (как А1, В), слабо влияют на энергию взаимодействия атомов решетки кремния (Бп, Мп, Ое), усиливают энергию связи в кремнии Аи, РЗЭ). Установлено, что натрий во взаимодействии с редкоземельными и переходными металлами способствует увеличению энергии связи в кремнии. 2 - показано, влияние термообработки на микроструктуру и микротвердость кремния, легированного В, Бп, ве, Н£ 2т, В + Мо, XV, Иа + Нагрев до 1000°С и последующее охлаждение до комнатной температуры приводит к уменьшению количества двойников и рассыпанию дислокационных цепочек кремния полученного методом Чохральского, легированного В, Hf, Zr, В + Mo, Na; к увеличению количества избыточной фазы и нарушению монокристалличности кремния, комплекснолегированного В - Sn.

3 - исследована температурная зависимость коэффициента термического расширения монокристаллического кремния, легированного разными элементами (В, Sn, Ge, В + Mo, В + Sn). Определен немонотонный характер температурной зависимости коэффициента термического расширения;

4 - показано влияние легирования диспрозием и нейтронного легирования на структуру и свойства кремния БЗП;

5 - исследованы профили распределения ионноимплантированного натрия и вольфрама в условиях термического отжига. Показано влияние вольфрама на ионную имплантацию натрия в кремнии.

6 - показано, что структурные изменения ослабляются или подавляются полностью путем введения в кремний легирующих элементов, значительно повышающих энергию межатомного взаимодействия в решетке кремния, а так же путем проведения различных видов термической обработки.

III. Распад пересыщенных твердых растворов на основе кремния

1 - методом эффекта Холла проведены исследования электрофизических свойств образцов кремния (Si - AI, Si -Na, Si - Au - Gd, Si - Mn - Ge, Si - W - Na) в зависимости от температуры и времени отжига;

2 - анализ кинетических кривых изменения концентрации носителей показал, что полученные зависимости можно отнести к классическим кинетическим кривым распада. Были определены энергии активации процесса распада и постоянные времени распада;

3 - установлено, что атомы гадолиния стабилизируют состояние атомов золота в кремнии; атомы вольфрама - атомов натрия в кремнии; атомы германия - атомов марганца в кремнии, что во всех случаях замедляет распад исследуемых твердых растворов.

IV. Получение приборов на основе кремния

1 - разработаны способы термической обработки подложек кремния для изготовления транзисторов;

2 - показана возможность получения ультрапрецизионных стабилитронов путем легировании кремния редкоземельными и переходными элементами.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Тимошина, Маргарита Игоревна, 2011 год

1. Мильвидский М.Г. Полупроводниковый кремний на пороге XXI века.// Известие ВУЗов, Материалы электронной техники, 2000, №1, с. 1-14.

2. Рыгалин Б.Н. Управление свойствами полупроводникового кремния на основе взаимодействия легирующих примесей в процессах выращивания и обработки кремния. // Автореферат докт. диссертации, Москва, МИЭТ, 2004.

3. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников.//- М. Металлургия, 1984.

4. Бабич В.М., Блецкаи Н.И., Венгер Е.Ф. Кислород в монокристаллах кремния.// Киев, Интерпресс ЛТД, 1997,239с.

5. Keiser W.//a.e. Phus.Rev., 1956, v.101, №4, p. 1264-1268.

6. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. // М. Наука, 1990,211с.

7. Власов A.A., Крюков B.JL, Кунакина О.В., Сказочкин A.B., Фурманов Т.П., Чешуина С.Е. Связь рекомбинационных свойств кремния с преципитацией кислорода при термообработке. //Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1990, т.26, в. 12, с. 2453-2456.

8. Poligano M.L., Cerofoline G.F., Bender Н., Clayes С. Gettering mechanisms in silicon.//! Appl.Phys. 1988. v.64. №2. P.869-876.

9. Kang J.S., Schroder D.K. Gettering in silicon//J. Appl.Phys. 1989. y.65 №8 P.2974-2985.

10. Курбаков А.И., Рубинова Э.Э., Соболев H.A., Стук A.A., Трапезникова И.Н., Трунова В.А., Шеек Е.И. Генерация решеточных дефектов при термообработке кремния в хлоросодержащей атмосфере.// Письма в ЖТФ. 1988. т.14. в.21.с.1929-1933.

11. Критская Т.В., Думбров В.И., Бидуха В.И., Левченко В.М., Исследование свойств монокристаллического кремния, выращенного по методу Чохральского в атмосфере азота. // Вестник АН БССР. Сер. Физ. -мат. Наук. 1991. №3. с.7-10.

12. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. // Мир. М., 1984.427с.13. Патент США №3997368.1976.

13. Chen C.S., Schroder D.K. Kinetics of gettering in silicon//J. Appl.Phys. 1992 V.71 №12. p.5858-5864.

14. Заявка Япония №51-35345.1976.16. Патент США №4053335.1977.

15. Вавилов B.C., Горин Б.М., Данилин Н.С., Кив А.Е., Нуров Ю., Шаховцов В.И. Радиационные методы в твердотельной электронике.//-М. Радио и Связь, 1990,184с.

16. Таланин В.М., Таланин И.Е. Микродефектная структура полупроводникого кремния // Известия ВУЗов, Материалы электронной техники, №4,2002, с. 4-15.

17. Коноплева Р.Ф., Литвинов В.Л., Ухин Н.А. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. М. Атомиздат. 1971. 141с.

18. Гильцинецкий Л.П., Кошкин В.М., Кумаков В.М., Кулик В.Н., Руденко М.И., Рябка П.М., Ульманис У.А., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л. Эффект радиационной устойчивости полупроводников со стехиометрическими вакансиями.// ФТТ. 1972. т.14 в.2. с.646-648. /

19. Кучинский П.В., Ломако В.М., Петрунин А.П. Влияние температуры облучения и электрического поля на образование и стабильность вакансионных дефектов в р- Si.//OTIT. 1991. т.25 в.З. с.448-452.

20. Khramtsov V.A., Lomasov V.N., Pilkevich Ya.Ya., Vlasenko M.P., Vlasenko M.P. Assumulation and transformation of radiation defects in silicon under différent dosee and intesites of electron irradiation. // Phus. Stat sol.A 19988. V109 №1 p.127-134

21. Абдурахманов К.П., Добровинский Ю.М., Сагдуллаев Х.У., Шеримбетов Т. Радиационное дефектообразование в диодных структурах при облучении электронами с различной интенсивностью.// ФТП. 1988. т.22. в.З с.510-511.

22. Под ред. Смирнова Л.С. Физические процессы в облученных полупроводниках. Новосибирск. 1997.256 с.

23. Кошкин В.М., Забродский Ю.Р., Оксенгендлер Б.Л. На пути к радиационно-стойким материалам//Природа. 1988. № 11. С.19-24.

24. Регель А.Р., Глазов В.М. Периодический закон и физические свойства электронных расплавов. М., Наука, 1978, с.305.

25. Таран Ю.Н., Глазов В.М., Регель А.Р., Куцова В.З., Тимошина Г.Г., Кольцов В.Б., Фалькевич Э.С., Узлов К.И., Зубков А.М. Открытие «Явление локального уплотнения структур микрообъемов кристаллов полупроводников»,// М., 1995, бюллетень ВАК, № 5.

26. Ю.Н. Таран, В.З. Куцова, К.И. Узлов, Э.С. Фалькевич, Б.А. Шкляр. Температурная зависимость относительного удлинения сверхчистого кремния // Высокочистые вещества, АН СССР, 4,1989, с.5-8.

27. Ю.Н. Таран, Н.М. Кочегура, В.З. Куцова и др. Объемные свойства кремния в твердом и жидком состоянии //Докл. АН СССР, 1989, т.305,4, с.865-867.

28. Ю.Н. Таран, В.З. Куцова и др. Структурные превращения в кремнии в твердом состоянии //

29. Докл. АН УССР, 1987, сер. А, 7, с.81-83/

30. Ю.Н. Таран, В.М. Глазов, А.Р, Регель, В.З. Куцова, В.Б. Кольцов, Г.Г. Тимошина, К.И. Узлов, Э.С. Фалькевич. Структурные превращения при нагреве монокристаллов кремния // ФТП, т.25, в.4.1991, с.588-595.

31. Глушко В.П. Термодинамические свойства индивидуальных веществ, // Москва, из-во АНСССР, 1962г.

32. Глазов В.М., Тимошина Г.Г., Михайлова М.С. «Исследование теплоемкости кремния в интервале температур от комнатной до 773К // М. Цветные металлы,

33. Известия ВУЗОВ, 1997 г. Т.2.

34. Pirouz P., Dahmen U., Wastmacott К., Chaim R. Acta metal, 1990, v.38,2, p.329-336.

35. Pirouz P., Dahmen U., Wastmacott K., Chaim R. Acta metal, 1990, v.38,2, p.313-322.

36. Курдюмов Г.В. Бездиффузионные превращения в сплавах // Журнал технической физики, 18,8,1948, с.999-1025/

37. Новиков И.И. Теория термический обработки металлов. //М., Металлургия, 1986.

38. A.A. Ситникова, JI.M. Сорокин, И.Е. Таланин, K.JI. Малышев, Э.Г. Шейхет, Э.С. Фалькевич. Исследование природы микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния.

39. Физика твердого тела, т.28, 6,1986, с. 1829-1833.

40. Горбачева Н.И. Карпов Ю.А. Турковский Б.М. // Влияние условий выращивания на электросопротивление легированного гандолием кремния, полученного методом Чохральского // В сб. докладов 4-ой Межотраслевой конф. Гиредмет, 1977,с. 130-134

41. Воронкова Г.И., Иглицын М.И., Салманов А.Р. Поведение гольмия в кремнии // ФТП, -1974, -T.8, в.8, - С.1607-1609.

42. А.Р. Салманов, Г.И. Александрова, Г.И. Воронкова и др. Взаимодействие примесей редкоземельных элементов с углеродом в кремнии // Изв. АН СССР, Неорг.матер. 1978.-t.14.-№ 1.-С.85-88.

43. В.П. Гришин, Ю.А. Карпов, С.И. Корнюшин и др. Некоторые свойства кремния, легированного гадолинием // УФЖ, 1976, - т.21, № 2, - С.332-334.

44. Р.С.Антоненко, Ю.А. Карпов, В.И. Шаховцов и др. Электрофизические свойства облученного р-кремния с примесью гадолиния // ФТП, 1978, - т. 12, -в.9, -С.1707-1713.

45. В.Б. Неймаш, М.Г. Соснин, В.И. Шаховцов, B.JL Шиндич. Дефектообразование в п-кремнии с примесью гадолиния // ФТП, -1981. -т.15. в. 4. - С.786-788.

46. P.C. Антоненко, В.Б. Неймаш, М.Г. Соснин и др. Дефектообразование в р-кремнии с примесью иттербия // Радиационные эффекты в полупроводниках и п/п приборах, Баку, 1980, - С.13.

47. В.П. Гришин, Ю.А. Карпов, С.И. Корнюшин и др. Влияние облучения электронами наконцентрацию и подвижность носителей в кремнии, легированном самарием // УФЖ, 1977, -т.22, - № 6, С.1037-1039.

48. Р.С. Антоненко, В.Б. Неймаш, М.Г. Соснин и др. Дефектообразование в р-кремнии с примесью иттербия // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, 1982, - в. 4, - С.38-39.

49. Петров В.В., Просолович B.C., Ткачев В.Д. Природа и температурная устойчивость донорных центров в кремнии с эрбием. // Докл. АН БССР, 1984, - т.28, - № 3, - С.219-221.

50. Э.В. Хуцишвили, М.Г. Кекуа, Н.К. Бигвава. Свойства кремния, легированного лантаном //Изв. АН СССР сер. Химическая. 1975, т.1, -№ з, - С.249-252.

51. В.П. Гришин, В.М. Никитин, Ю.А. Карпов и др. Исследование методов определения редкоземельных элементов в высокочистых монокристаллах кремния // Труды по химии и химической технологии. Горький, Изд. ГГУ, 1973. - в.4. - С.93-97.

52. Карпов Ю.А., Петров В.В., Просолович B.C. Фотопроводимость и электрические свойства Si/Er/, облученного у квантами 60Со// ФТП, - 1982. - т. 16. - в. 9. - С.1676-1678.

53. Петров В.В., Просолович B.C. Природа и температурная устойчивость донорных центров в кремнии с эрбием // Доклады АН БССР. 1984. - т.28. - № 3 - С.219-221.

54. Н.Т. Баграев, J1.C. Власенко, В.М. Волле и др. Термостабильность кремния, легированного примесями РЗЭ при выращивании методом Чохральского // ЖТФ, 1984 - т.54 - в.1 - С. 207208.

55. Н.Т. Баграев, Э.П. Бочкарев. Л.С. Власенко и др. Влияние распада твердого раствора золота в кремнии на релаксацию ядер 29// ФТТ 1979, - т. 21 - в.4 - С. 1044-1048.

56. Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, В.П. Гришин и др.Влияние гадолиния на распад твердого раствора золота в кремнии // Легирование полупроводников. М.: Наука, 1982 - С.249-252.

57. Н.Т. Баграев, Л.С Власенко, В.М. Воле и др. Возможность повышения термостабильности монокристаллического кремния для мощных полупроводниковых приборов // ЖТФ 1984, т.54 -в.5-с. 917-928.

58. Болтакс Б.И. Бахадырханов М.К., Городецкий С.М., Куликов Г.С. Компенсированный кремний. Ленинград, Наука, 1972-с. 120.

59. Leroueille J. Influence of carbon on oxygen behavior in silicon // Phys. Stat, sol., (a)8,1981, -v.67, № 1, - p.177-181.

60. B.E. Кустов, В.И. Шаховцов В.Л. Шиндич. Свойства кремния, легированного редкоземельными элементами. // препринт № 20 ак.наук. УССР - 1988.

61. Фистуль В.И., Чернова А.И., Якимова Е.Е. Миграция натрия в кремнии, ФТП, 1980, т. 14, в.5, с. 990-993.

62. Бредов М.М., Нуромский А.Б. Об измерении поверхностных свойств р-кремния приоблучении ионами лития РТТ, 1962, т.4, в.2, с. 562-564.

63. M.Caldin J. Jitlle М., Widmer A. The solubility of Sidium in silicon J. Phys. Chem. Solids, 1965, v. 26, p.l 119-1123.

64. Svob L. Solubility and diffusion coefficient of Sodium and Potassium in silicon Solid st. electron, 1967, v.10, p.991-996.

65. Заставной A.B., Король B.M., Проценко A.B. О поведении и донорных свойствах щелочных металлов в кремнии при диффузионных методах легирования // АН СССР, Высокочистые вещества, М., 1991, с. 62-64.

66. Король В.М. Управление диффузионным профилем имплантированных в кремний примесей лития и натрия // РАН, Поверхность, 2004, № 11, С. 128-131.

67. Король В.М., Заставной А.В. Особенности перераспределения натрия в кремнии при постимпланционном отжиге // РАН, поверхность, 2001. № 5, с. 74-78.

68. Милне. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках Пер. с англ. М.: Мир, 1977, с. 562.

69. Melsi А., Соurcelle Е., Zundel Т., Siffert P. Process-indused and gold acceptor defects in silicon. -Phys. Rev. В., 1987, v.36,Nfil5, p.8049-8062.

70. Ledebo L.-A., Wang Z.-G. Evidence that the gold donor and acceptor in silicon are two levels of the same defect.- Appl. Phys. Lett., 1983, v.42, Ne8, p.680-682.

71. Van Staa P., Kassing R. The gold donor and acceptor level inp-type silicon.-Solid State Commun., 1984, v.50, Nsl2, p.1051-1055.

72. Utzig J., Schroter W. Donor and acceptor behavior of gold in silicon.-Appl. Phys. Lett., 1984, v.45, Nfi7, p.761-763.

73. Morante J.P., Carceller J.E., Herms A. Dependence of the electron cross section for the acceptor gold level in silicon to donor ratio.-Appl. Phys. Lett., 1982, v.41, Nfi7, p.656-658.

74. Lu L.S., Nishida Т., Sah C.-T. Thermal emission and capture rates of holes at the gold donor level in silicon.- J. Appl. Phys., 1987, v.62, №12, p.4773-4780

75. Lu L.S., Sah C.T. Electron recombination rates at the gold acceptor level in high resistivity silicon.-J. Appl. Phys., 1986, v.59, №1, p.173-176.

76. Lang D.V., Grimmeis H.G., Meiger E., Jaros M. Complex nature of gold-related deep levels in silicon.-Phys. Rev. В., 1980, v.22, №8, p.3917-3934.

77. Баграев H.T., Вихнин B.C. Корреляции в распределении донорных и акцепторных примесей в кремнии.-ЖЭТФ, 1984, т.86, №1, с.200-211.

78. Баграев Н.Т., Власенко J1.C., Жданович Н.С. Исследование примесных центров золота в кремнии // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1979, т. 15, №5, с.725-730.

79. Hohne М. Gold-related EPR centres of low symmetry in silicon. Phys. Stat Solidi(b), 1983, v.119, №2, p.kll7-kl21.

80. Brotherton S.D., Bradley P, Gill A., Weber E.R. Electrical observation of the Au-Fe complex in silicon.- J. Appl. Phys., 1984, v.55, №4, p.952-956.

81. Brotherton S.D., Bradley P, Gill A. Annealing kinetics of the gold-iron complex in silicon.-J. Appl. Phys., 1986, v.57, №6, p.1783-1790.

82. Kleinhenz R.L., Lee Y.H., Corbett J.W. EPR observation of an Au-Fe complex in silicon.- Phys. Stat. Solidi(b), 1981, v.l08,№2, p.363-371.

83. Assali L.V.C., Leite J.R. Electronic structure of the Au-Mn pair in silicon.-Solid State Commun., 1986, v.58, №9, p.577-580.

84. Rodewald D., Severitt S., Volmer H., Labusch R. EPR invesnigation of CrCu and CrAu pairs in silicon.-Solid State Commun., 1988, v.67, №6, p.573-576.

85. Hohne M. Electron paramagnetic resonance of gold in silicon,- Phys. Stat. Solidi(b), 1982, v. 109, №2, p.525-534.

86. Hohne M., Lebedev A.A. Changes in the EPR of gold in silicon induced by light. -Phys. Stat. Solidi(b), 1981, v.104, №1, p.k79.

87. Компенсированный кремний. Под ред. Болтакса Б.И. - JL: Наука, 1972, с. 124, ил.

88. Joshi M.L., Dash S. Distribution and precipitation of gold in phosphorus-diffused silicon.-J. Appl. Phys., 1966, v.37, №6, p.2453-2457.

89. Meek R.L, Seidel Т.Е. Enhanced solubility and ion pairing of Cu and Au in heavily doped silicon at high temperature.-J. Phys. Chem. Solids, 1975, v.36, №7/8, p.731-740.

90. Dorward R.C., Kirkaldy J.S.- Solubility of gold in p-type silicon.-J.EIectrochem. Soc., 1969, v.116, №9, p. 1284-1285.

91. Aristov V.V., Bondarenko I. E., Heydenreich J. Electrical properties and defect structure of plastically deformed silicon crystals doped with gold.- Phys. Stat. Solidi(a), 1987, v. 102, №2, p.687-695.

92. Шуман В. Б. О диффузии золота в кремнии.// ФТП, 1967, т.1, №6, с.947-948.

93. Coffa S., Calgano L, Campisano S.U., Calleri G. Diffusion of ion-implanted-gold in p-type silicon.- J. Appl. Phys., 1989, v.64 ,№11, p.6291-6295.

94. Бадалов A.3., Шуман В.Б. Диффузия Аи в n-SiV/ФТП, 1969, т.З, №9, с.1366-1369.

95. Huntly F.A., Willoughby A.F.W. The effect of dislocation density on the diffusion of gold in thin silicon.-J.EIectrochem. Soc., 1973, v.120, №3, p.414-422.

96. Cosele U., Frank W., Seeger A. Mechanism and kinetics of the diffusion of gold in silicon.-Appl. Phys. A., 1980, v.23 ,№4, p.361-368.

97. Morehead F., Stolwijk N.A., Meijberg M., Cosele U. Self-interstitial and vacancy contributions to silicon self-diffusion determined from the diffusion of gold in silicon.-Appl. Phys. Lett., 1983, v.42, №8, p.690-692.

98. Stolwijk N.A., Hoize J., Frank W., Hauber J. Decoration of defects in silicon with gold and relatedsubjects.- Phys. Stat. Solidi(a), 1987, v. 104, Nfil, p.225-245.

99. Stolwijk N.A., Hoize J., Frank W., Weber E.R. Diffusion of gold in dislocation-free or highly-dislocated silicon measured by the spreading-resistance tecknique.-Appl. Phys. A., 1986, v.39,Nsl, p.37-48.

100. Крюков В.JI. «Разработка технологии получения высокоомного компенсированного кремния для . СВЧ-устройств. //автореферат, Москва, МИСиС, 1997.

101. ЮЗЛабунов В.А., Баранов И.Л., Бондаренко В.П., Дорофеев A.M. Современные методы геттерирования в технологии полупроводниковой электроники.- Зарубежн. электрон, техн., 1983, №11, с.3-66.

102. Ю4.Немцев Г.З., Пекарев A.M., Чистяков Ю.Д., Бурмистров А.Н. Генерирование точечных дефектов в производстве полупроводниковых приборов.- Зарубежн. электрон, техн., 1981, №11, с.3-63.

103. Ю5.Костенко Е.М., Румак Н.В., Таратын И.А. Способ геттерирования примесей из полупроводниковых подложек.-А.с. №1103750, H01L 21/265.

104. Jaworska D., Szyrsko W., Tarnowska E. The efficiency of gettering Au in n-type and p-type silicon- Semicond. Sci. and Technol., 1988, v.3, №8, p.813-815.

105. Wong H., Cheung N.W., Chu P.K. Gettering of gold and copper with implanted carbon in silicon.-Appl. Phys. Lett., 1988, v.52, №11, p.889-891.

106. Frank W., Shroter W. Gold gettering in silicon by phosphorus diffusion and argon implantation: Mechanisms and limitations.-J.Appl. Phys., 1981, v.52 ,№8, p.5090-5097.

107. Tseng W.F., Koji Т., Majer J.W., Seidel Т.Е. Simultaneous gettering of Au in silicon by phosphorus and dislocations.-Appl. Phys. Lett., 1978, v.33, №5, p.442-444.

108. Polignano M.I., Cerofolini G., Bender H., Clayes С Gettering mechanisms in silicon.-J.Appl. Phys.,1988, v.64, №2, p.869-876.

109. Бирковой Ю.А., Гришин А, В. Исследование возможности создания эффективных геттерирующих слоев для снижения плотности дефектов кристаллической структуры,- Электрон, техн. Сер. Микроэлектроника, 1989, №1, с. 163-164.

110. Baginski Т. A., Monkowski J.R. Germanium back-side gettering of gold in silicon.-J. Electrochem. Soc„ 1986, v. 133, №1, p. 142-147.

111. Baginski T.A., Monkowski J.R. The role of chlorine in the gettering of metallic impurities from silicon.-J.Electrochem. Soc., 1985, v.132, №8, p.2031-2033.

112. Falster R.J., Modlin D.N., Tiller W.A., Gibbons J.F. Effective gettering of gold in silicon at 900°C by low-current corona discharge.- J.Appl. Phys.,1985, v.57, №2, p.554-558.

113. Graven R.A., Korb H.W, Internal gettering in silicon.- Solid State Technology, 19A1, Vii, №7,p.55-61.

114. GoorskyM.S., Logowsky J.K., Gatos H.S. The constractive behavior of Fe and Cr during the intrinsic gettering of silicon.- J. Appl. Phys.,1988, v.64, №12, p.6716-6720.

115. Pietila DA, Masson D.B. Evaluation of intrinsic gettering of gold by oxide precipitation in Czochralski silicon.- J.Electrochem. Soc., 1988, v. 135, №3, p.686-690.

116. Monkowski J.R. Gettering processes for defect control.- Solid State Technology, 1981, v.24, №7, p.44-51.

117. Monkowski J.R, Gettering processes for defect control.- Solid State Technology, 1981, v.24, №7, p.44-51.

118. Cerofolini G.F., Polignano M.L. A comparison of gettering techniques for very scale integration.-J.Appl. Phys., 1984, v.55, №3, p.686-690.

119. Brorjner G.B., Plummer D.J. Gettering of gold in silicon: A tool for understanding the properties of silicon interstitials.- J. Appl. Phys.,1987, v.61, №12, p.5286-5298.

120. Kang J.S., Schroder P.K. Gettering in silicon.- J. Appl. Phys.,1989, v.65, №8, p.2974-2985.

121. Итальянцев А.Г., Краснобаев Л.Я., Кузнецов А.Ю., Омельяновская С.Г. Эффекты в полупроводниках при введении неравновесных вакансий.- Электрон, техн. Сер. Материалы, 1989, №4, с.43-48.

122. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. Пер. с англ.- М.: Мир, 1986.- 176с., ил.

123. Жузе В.П., Николаев С.П. Метод измерения эффекта Холла в полупроводниках, ЖТФ, 1953, т.23, № 5, с. 913 923.

124. Богомолов В.П., Мясников В.А. Установка для измерения эффекта Холла в полупроводниках, ЖТФ, 1953, т.23, № 6, с. 1209-1214.

125. Алексеев В.А., Андреев A.A., Рыжов Ю.Ф. Измерение эффекта Холла в жидких полупроводниках и металлах. Заводск. лаборат. 1969, т. 35, № 6, с. 691-698.

126. Казанджан Б.И., Матвеев В.М., Селин Ю.И. Методика исследования эффекта Холла в жидких полупроводниках. // Заводская лаборатория, 1979г., Т.45, №5, с.433-435

127. Таблицы физических величин, справочник. Под ред. И.К. Кикоина, М. Атомиздат, 1976, с. 346.

128. Казанджан Б.И., Лобанов A.A., Селин Ю.И. Прецизионные ячейки для измерения эффекта Холла, заводская лаборатория, 1972 т. 38, № 7 с. 884-885.

129. Глазов В.М., Кольцов В.Б., Курбатов В.А. Устройство для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников // А.С № 1308962 от 08.01.1987

130. Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла. // М. Советское радио, 1974,328 с.

131. Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования, М., Радио и связь, 1990г., с.263

132. Берман Л.С, Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках, //Л. Наука, 1981 г, с. 176

133. Заварицкая В.А., Кудинов A.B., Миляев В.А., Никитин В.А. Исследование рекомбинации неравновесных носителей в кремнии методом СВЧ, ФТП, 1984, т. 18, №12, с. 2160-2169.

134. Ильин М.А., Коварский В.Я., Орлов А.Ф. Определение содержания кислорода и углерода в кремнии. Заводская лаборатория, 1984, т.50, №1 с.24-32

135. Харди Г.К., Хилл Т., Выделения второй фазы, Сб. Успехи физики металлов, М., Металлургиздат, т.2, 1958г.

136. Фистуль В.И., Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов М., Металлургия, 1977г., с.238

137. Павлова Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов.//Москва, Высшая школа, 1978., 206с.

138. Глазов М.О., Осипов Ю.В., Тимошина М.И., Зубков A.M. Электрофизические свойства монокристаллов кремния в широком интервале температур. // М. Приборы, №11 (65), 2005г. Стр. 11-16.

139. Регель А.Р. Исследования по электронной проводимости жидкостей, Автореферат докт. физ мат. наук, Ленинград, 1956г.

140. Глазов В.М., Пильдон В.И., Зубков A.M., Кольцов В.Б. Исследования электрофизических свойств монокристаллов высокоомного кремния, п типа проводимости в широком интервале температур. // ФТП, 1993, т.27 в. 10, с. 1605-16Ж.

141. Осипов Ю.В., Глазов В.М., Тимошина М.И., Зубков A.M. Исследование электрофизических свойств Si в широком интервале температур. // Известия ВУЗов, Материалы электронной техники, №3,2005г., Москва, с.77-81.

142. Соколов ВМ. Деградационные процессы при изготовлении и эксплуатации кремниевых планарных приборов. В книге «Проблемы электронного материаловедения», отв. ред. Кузнецов Ф.А. // СО. Наука, Новосибирск, 1986, с 168.

143. Приходько Э.В. Система неполяризованных ионных радиусов и ее использование для анализа электронного строения и свойств вещества // Киев, Наукова Думка, 1973, с. 76.

144. Приходько Э.В. Металлохимия комплексного легирования, М., Металлургия, 1983, с. 184.

145. Приходько Э.В. Металлохимия многокомпонентных систем, М., Металлургия, 1995, с. 320.

146. Приходько Э.В. «О перспективах развития методов моделирования физико-химических свойств», Известия Вузов, Черная металлургия, 1991, № 12, с. 7-13.

147. Приходько Э.В., Белькова А.И., Физико-химические критерии для компьютерного моделирования фазовых равновесий в системе. // Известия АН СССР, Неорганические материалы, 1998, № 9 с. 1250-1256.

148. Глазов В.М., Тимошина Г.Г., Михайлова М.С. «Принципы легирования кремния для повешения его термостабильности» //ДАН, т. 347, № 3,1996, с, 352-355.

149. Глазов В.М., Земсков B.C. «Физико-химические основы легирования полупроводников» М., Наука, 1967, с. 372.

150. Кожитов Л.В., Тимошина М.И., Пильдон В.И., Шепель П.Н. «Влияние примесей на радиационную стойкость кремния, тезисы докладов Третьей Российской конференции «Кремний-2003», с. 443.

151. Таран Ю.Н., Куцова В.З., Узлов К.И., Носко O.A., Критская ТВ. «Влияние легирования на структуру и свойства полупроводникового кремния» Известия Вузов, материалы электронной техники № 1,2003, с. 26-29.

152. Таран Ю.Н., Куцова В.З, Червоный И.Ф., Швец Е.Я., Фалькевич Э.С. «Полупроводниковый кремний, теория и технология производства» Запорожье, ЗГИА, 2004, с. 344.

153. Таран Ю.Н., Куцова В.З, Носко O.A. «Фазовые переходы, полупроводник-металл» // Успехи физики металлов, т 5, № 1,2004,с.87-166.

154. Kutsova V.Z., Nosko O.A. Timoshina M.J. alloving effect on structure and properties of semiconductor silicon // Silicon 2006, vol. 11, p.450-459. The Tenth Scientific and Bisiness Conference

155. Король B.M. Исследование ионного легирования кремния примесями щелочных элементов. Автореферат канд. дис, Ростов-на-Дону, 1980г.

156. Кожитов Л.В., Дегтярев В.Ф., Тимошина М.И. «Влияние кремния на процесс радиационного дефектообразования твердых растворах германий кремний п-типа проводимости» Известия Вузов Материалы электронной техники № 3,2003.

157. Kutsova V.Z., Osipov U.V., Timoshina M.J., Lazarev M.V. Decomposition kinetics of solid solutions on the silicon basis.//Silicon 2006, vol. 11, p.383-401. The Tenth Scientific and Bisiness Conference.

158. Баграев H.T., Власенко Л.С., Лебедев A.A. Распад твердого раствора золота в кремнии // МТФ, 1985, т.55 №11 с.2149-1169.

159. Омельяновский Э.М., Фистуль В.И. Примеси переходных металлов в полупроводниках. // М., Металлургия, 1983,192с.

160. Бахадырханов М.К., Талипов СМ., Кожукова О.П. «Электрофизические свойства кремния, легированного марганцем» Известия АН УзССР, Серия Физ-мат наук. 1985, №3

161. ОАО «Завод полупроводников» ''' * "ТГ" Ю.В. Рековдекабря 2009 г.1. Акт

162. Об использовании рекомендаций диссертационной работы Тимошиной Маргариты Игоревны «Влияние термической обработки и легирования на свойства кремния с целью улучшения его параметров»

163. ОАО «Завод полупроводников»1. С.И.Сиренко