Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Камаев, Геннадий Николаевич

• Камаев, Геннадий Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Камаев, Геннадий Николаевич

СОДЕРЖАНИЕ стр.

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. СОБСТВЕННЫЕ ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ И ПРИМЕСИ В

РЕШЕТКЕ КРЕМНИЯ (обзор литературы)

§1.1. Собственные дефекты кристаллической решетки кремния

кремния

§1.3. Взаимодействие собственных дефектов кристаллической

решетки с примесями при облучении и отжиге

§ 1.4. Пассивация примесей и дефектов в кремнии атомарным водородом

Глава II. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ И

ОБРАБОТКИ РЕЗУЛЬТАТОВ

§2.1. Измерение спектров ИК-поглощения на примесях и

дефектах в кремнии

§2.2. Определение концентрации и подвижности свободных носителей заряда (методом эффекта Холла и

электропроводности)

§2.3. Определение концентрации ионизованных примесей из измерений вольт-фарадных характеристик и параметров центров с глубокими уровнями методом нестационарной емкостной

спектроскопии глубоких уровней

§2.4. Измерение температурной зависимости проводимости и вольт-амперных характеристик структур при криогенных

температурах

§2.5. Измерения спектральных зависимостей фотопроводимости

Глава III. ИЗМЕНЕНИЕ СОСТОЯНИЯ АТОМОВ ФОСФОРА И БОРА В РЕШЕТКЕ КРЕМНИЯ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ЭЛЕКТРОНАМИ И

ПОСЛЕДУЮЩИХ ТЕРМИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ

§3.1. Трансформация примеси фосфора в кремнии при

радиационных воздействиях

§3.2. Восстановление концентрации атомов фосфора в узлах решетки кремния при термообработках после облучения

§3.3. Радиационно-контролируемые изменения системы кремний-

легирующая примесь (В8, Р8) в зависимости от температуры

Глава IV. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С БЛОКИРОВАННОЙ ПРЫЖКОВОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ (В1В(Н)-структур) ПРИ ПАССИВАЦИИ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ АТОМАРНЫМ

ВОДОРОДОМ

§4.1. Влияние водорода на прыжковую проводимость слоев

кремния, сильнолегированных бором

§4.2. Исследование характеристик структур с блокированной прыжковой проводимостью на полученных пассивацией

атомов галлия атомарным водородом

§4.3. Влияние электронного облучения и термических воздействий на электрофизические характеристики В1В(Н)-

структур

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом»

ВВЕДЕНИЕ

Повышение степени интеграции ИС с одновременным увеличением площади кристалла, увеличение быстродействия и снижение энергоемкости приводит к ужесточению требований к качеству кремниевых пластин, диктует поиск новых технологий в микро- и наноэлектронике. Многие свойства полупроводников зависят от того, в какой степени реальные твердые тела отклоняются от "идеальных" структур. Введение примесей и радиационных дефектов определяют физические свойства кремния, позволяет управлять параметрами полупроводниковых приборов и широко используется в современной микроэлектронике [1]. В то же время дефекты могут играть и отрицательную роль, ухудшая параметры п\п приборов. Неконтролируемые примеси кислорода, углерода, водорода и другие, присутствующие в исходных кристаллах или вносимые в ходе технологических обработок в процессе производства полупроводниковых приборов, оказывают решающее влияние на их характеристики и, соответственно, процент выхода годных изделий. Поэтому изучение природы и свойств дефектов является одним из основных направлений современной физики полупроводников.

Каждое воздействие определяет новое равновесное состояние кристалла, которое достигается через взаимодействие дефектов [2]. В приборных структурах электрическая активность дефектов определяется: типом дефекта, взаимодействием друг с другом и с примесями, расположением дефекта по отношению к активным областям прибора, особенностям технологического процесса изготовления прибора. Однако, большинство дефектов, созданных внешним воздействием, термически неустойчиво, а состояние системы в этом случае является неравновесным [3].

Изучение процессов восстановления равновесного состояния в полупроводниках, которое имеет место при термической диссоциации (отжиге) нарушений, дает важные результаты для физики реальных кристаллов. Особый научный и практический интерес при этом представляет изучение

релаксационных процессов в исходно неравновесных кристаллах и структурах при генерации точечных дефектов и ионизации в условиях низких температур, в частности, образование междоузельного компонента легирующей примеси. Предполагая, что взаимодействие собственных междоузельных атомов с примесями является следствием неравновесности системы кристалл-примесь в условиях облучения [4], следует ожидать протекание этой реакции при радиационных обработках в кристаллах кремния с концентрацией примеси в узлах выше равновесной при температуре облучения.

Успехи физики твердого тела и физического материаловедения в значительной мере связаны с успехами в наших представлениях о природе, атомной структуре дефектов. Однако, и в настоящее время многие детали, касающиеся взаимодействия примесей и дефектов при низких температурах и в условиях неравновесности, остаются неясными. Связано это с многообразием типов дефектов и возможных вариантов их взаимодействия между собой и с примесями [3]. Эффективным методом исследования дефектов в твердых телах является внедрение атомарного водорода в кремний и изучение процессов его взаимодействия с примесями и дефектами [5]. Водород обладает высокой подвижностью и химической активностью при низких температурах, может встраиваться в кристаллическую решетку в окрестности мелких доноров и акцепторов, комплексов точечных дефектов, изменяя их электрические свойства. Управление электрофизическими параметрами кремния и структур на его основе путем введения атомарного водорода имеет большое значение, обусловленное практическими задачами технологии изготовления полупроводниковых приборов. Из вышесказанного следует, что исследования природы примесных и дефектных центров (в частности, изучение поведения примесей с мелкими уровнями), процессов их взаимодействия и влияния на свойства кристаллического кремния продолжают оставаться актуальными.

В настоящей работе исследовано взаимодействие радиационных дефектов и водорода с легирующими примесями в кремнии в условиях

различной степени пересыщения по отношению к равновесной концентрации примесей и дефектов в кристаллах.

Цель и задачи работы. Целью настоящей диссертационной работы являются исследования радиационных процессов и процессов взаимодействия с атомарным водородом в системе кремний - легирующая примесь с различным пересыщением, определяемым концентрацией примеси и температурой.

Для достижения указанной цели были поставлены и решались следующие задачи:

1. провести исследование методом ИК-спектроскопии изменения концентрации фосфора в замещающем положении в кремнии с различным содержанием кислорода и углерода при облучении электронами и последующих отжигах;

2. исследовать методом ИК-спектроскопии изменение концентрации фосфора (Р8) и бора (В5) в узлах решетки кремния при облучении электронами в температурном интервале 20-700 °С;

3. изучить влияние гидрогенизации на прыжковую проводимость по примесной зоне в сильнолегированных слоях кремния р-типа;

4. получить гидрогенизацией структуры с блокированной прыжковой проводимостью на сильнолегированном р-8КОа> и провести экспериментальные исследования их электрофизических и фотоэлектрических характеристик.

Научная новизна работы: 1. На основе совместных измерений концентрации атомов фосфора в узлах методом ИК-спектроскопии, радиационных дефектов методом БЬТБ, свободных электронов экспериментально установлено, что убыль фосфора в узлах превышает концентрацию образующихся известных вакансионных дефектов с фосфором. Это свидетельствует о наличии взаимодействия атомов фосфора с междоузельными атомами кремния.

2. Определено влияние концентрации фоновых примесей кислорода и углерода в кремнии на изменение концентрации фосфора в узлах при электронном облучении. Обосновано существование реакции взаимодействия атомов фосфора с междоузельными атомами кремния, в частности, вытеснение их в междоузельное положение.

3. Показано, что зависимость изменения концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния от температуры облучения в диапазоне

имеет нарастающие и спадающие участки. Полученные результаты интерпретированы исходя из наличия двух процессов: 1) вытеснения примеси из узла в междоузельное положение собственными междоузельными атомами и появления междоузельных комплексов, содержащих легирующую примесь; 2) растворения междоузельной примеси в вакансиях (радиационных и термических).

4. Определена область термической устойчивости радиационно-введенных комплексов в кремнии, в состав которых входят атомы фосфора. Установлено, что восстановление атомов фосфора в узлах связано с областями температур, где отжигаются основные вакансионные дефекты (А-центры, Е-центры, дивакансии).

5. Обнаружено, что гидрогенизация имплантированных слоев кремния р-типа приводит к подавлению прыжковой проводимости по примесной зоне.

6. Предложен и обоснован метод получения блокирующих слоев для фоточувствительных В1В(Н) - структур путем пассивации мелкой акцепторной примеси атомарным водородом.

Практическая значимость работы:

• Полученные экспериментальные данные о взаимодействии атомов легирующих примесей с радиационными дефектами в кремнии с различным содержанием кислорода и углерода при облучении в широком диапазоне температур имеют практическое значение при прогнозировании радиационной стойкости кремния и полупроводниковых приборов.

• Полученные данные о возможности блокирования прыжковой проводимости по примесной зоне с помощью гидрогенизации кремния р-типа были применены для создания радиационно стойких фоточувствительных линеек ИК-излучения на основе В1В(Н)-структур.

Результаты исследований были переданы для использования предприятиям электронной промышленности.

Положения и основные результаты, выносимые на защиту:

1. При облучении кристаллов кремния с концентрацией донорной и акцепторной примеси, превышающей растворимость при данной температуре, происходит распад раствора примеси в кристаллах с образованием междоузельных дефектов, включающих примесь. В данном рассмотрении реакция Уоткинса является начальной стадией распада пересыщенных растворов примеси.

2. Увеличение мощности междоузельных стоков в кремнии (концентрации углерода), увеличение концентрации свободных вакансий при росте температуры облучения и отжига определяют стационарную концентрацию междоузельного компонента примеси.

3. Гидрогенизация сильно легированного кремния приводит к пассивации акцепторной примеси атомарным водородом и формированию слоев с толщиной, определяемой диффузией и захватом водорода на примесь. Установлено блокирование прыжковой проводимости по примесной зоне гидрогенизированными слоями кремния.

4. На основе блокирования прыжковой проводимости по примесной зоне гидрогенизированными слоями получены фоточувствительные В1В(Н)-структуры.

Структура и объем диссертации. Диссертация изложена на 133 страницах: состоит из введения, 4-х глав, выводов и заключения. Работа

содержит 36 рисунков, 7 таблиц и библиографический список из 143 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Камаев, Геннадий Николаевич

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. Болотов В.В., Камаев Г.Н., Смирнов JI.C. ИК-спектрометрические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в Si при облучении электронами.- ФТП, 1988, т.22, в.2, с.210-214.

2. Ахметов В.Д., Болотов В.В., Камаев Г.Н., Смирнов JI.C. Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами.- ФТП, 1990, т.24, в.1, с.72-76.

3. Ахметов В.Д., Болотов В.В., Камаев Г.Н., Смирнов JI.C. ИК-спектрометрические исследования перестроек примесей бора и фосфора в кремнии при высокотемпературном облучении электронами.-Радиационная физика полупроводников и родственных материалов (тезисы докладов всесоюзной конференции, Ташкент, 30 октября-1 ноября 1984г.).

4. Akhmetov V.D., Bolotov V.V., Kamaev G.N., Smirnov L.S. The removal kinetics of Boron and Phosphorus atoms from Substitutional Site in Si caused by interaction with radiation defects. -Mat.Sci.Forum., 1989, v.38-41, p.1239-1243.

5. Болотов B.B, Камаев Г.Н., СмирновЛ.С. Изменение узлового состояния атомов фосфора в кремнии при облучении электронами.- Третья республиканская школа-конференция молодых ученых "Актуальные проблемы физики полупроводников": Тезисы докладов, Киев, 1989г.

6. Болотов В.В., Камаев Г.Н., Феофанов Г.Н., Эмексузян В.М. Формирование структур с блокированной прыжковой проводимостью гидрогенизацией кремния легированного галлием.- ФТП, 1990, т.24, в. 10, с. 1697-1704.

7. Болотов В.В., Камаев Г.Н., Карпов А.В., Феофанов Т.Н., Эмексузян В.М. Фоточувствительные элементы на BIB-структурах, полученные пассивацией легирующей примеси водородом.- В сб.:Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Тезисы докладов II научной конференции (Ашхабад, 23-25 октября 1991г.)- Ашхабад: Ылым, с.263.

8. А/с N 1649974 (РФ). Способ изготовления фоточувствительного элемента для инфракрасной области спектра / Болотов В.В., Камаев Г.Н., Эмексузян В.М.- Опубл. В Б.И., 1997г., №14.

9. А/с N 1649975 (РФ). Способ изготовления фоточувствительного элемента для инфракрасной области спектра / Болотов В.В., Камаев Г.Н., Эмексузян В.М.- Опубл. В Б.И.,1997г., №14.

10. Эмексузян В.М., Смирнова В.В., Г.Н.Камаев Г.Н., Болотов В.В. Влияние гидрогенизации на прыжковую проводимость в слоях легированного бором кремния.- Тез. докл. 1 Рос. конф. по физике полупроводников, Нижн. Новгород, 1993, с.337.

11. Болотов В.В., Камаев Г.Н., Феофанов Г.Н., Эмексузян В.М. Формирование структур с блокированной прыжковой проводимостью гидрогенизацией кремния, легированного галлием.- В сб.: Полупроводники. Новосибирск: ВО "Наука", Сибирская издательская фирма, 1993, с.12-13.

12. Эмексузян В.М., Камаев Г.Н., Феофанов Г.Н., Болотов В.В. Структуры с блокированной прыжковой проводимостью на кремнии, легированном галлием, полученные гидрогенизацией в плазме водорода. -ФТП, 1997, т.31, в.З, с.311-317.

Общее число публикаций: 18.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе исследовано взаимодействие радиационных дефектов и водорода с легирующими примесями в кремнии в условиях различной степени пересыщения по отношению к равновесной концентрации примесей и дефектов в кристаллах. Методом ИК-спектроскопии исследовано изменение концентрации атомов фосфора (Р,) и бора (В8) в узлах решетки кремния при облучении электронами в температурном интервале 20-700 °С. Изучено влияние гидрогенизации на прыжковую проводимость по примесной зоне в сильно легированных слоях кремния р-типа.

Установлено существование реакции взаимодействия атомов фосфора с междоузельными атомами кремния, в частности вытеснение их в междоузельное положение с образованием комплексов дефектов. Показано, что гидрогенизация имплантированных слоев кремния р-типа приводит к подавлению прыжковой проводимости по примесной зоне, что позволило предложить и обосновать способ создания В1В(Н) - структур с высокоомными блокирующими слоями путем пассивации примеси галлия атомарным водородом.

Ф ф Ф Ф Ф «1. Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф Ф

Ф ф Ф ^ ^ Ф ^ Ф Ф ф Ф ф ф Ф Ф Ф Ф Ф

Представленная работа выполнялась в лаборатории №23 «Радиационная стойкость полупроводников и полупроводниковых приборов» ИФП СО РАН и физики полупроводниковых структур ИСМЭ СО РАН под руководством зав.лаб., д.ф.-м.н. Болотова В.В.

В.В.Болотов, являющийся основным соавтором работ, осуществлял руководство работой на всех этапах ее выполнения: при выборе тематики, постановке задачи, поиске путей решения, анализе полученых результатов и оформлении публикаций, за что автор ему глубоко признателен.

Особую благодарность автор выражает профессору Л.С.Смирнову -руководителю Новосибирской научной школы радиационной физики полупроводников, за идейный вклад в работу, за постоянный интерес к работе и полезные дискуссии.

В работе по теме диссертации принимали участие сотрудники лаборатории №23. Их вклад состоял в следующем.

ИК-измерения и измерения эффекта Холла на кремнии, легированном бором, выполнены совместно с Ахметовым В.Д. Он принимал участие в обсуждении результатов и подготовке публикации по высокотемпературному облучению кремния, легированного бором и фосфором, является соавтором публикации.

Цикл исследований по получению и исследованию характеристик кремниевых структур с блокированной прыжковой проводимостью при пассивации легирующей примеси атомарным водородом выполнен совместно с В.М.Эмексузяном, Г.Н.Феофановым, В.В.Смирновой. В.М.Эмексузян принимал активное участие в измерениях фотоэлектрических характеристик В1В(Н)-структур, в проведении измерений профилей концентрации мелких и глубоких уровней в них емкостными методами, обсуждении полученных результатов, является соавтором публикаций. Модельные расчеты экспериментальных ВАХ В1В(Н)-структур проведены совместно с Г.Н.Феофановым, который является соавтором соответствующих публикаций. В измерениях температурной зависимости проводимости сильнолегированных бором слоев кремния принимала участие В.В.Смирнова, которая является соавтором публикации.

Плазменные обработки р-кремния и технологические процессы при создании ВЮ-(структур) выполнены при содействии С.Н.Клемина и Н.В.Смирновой.

Автор искренне благодарен всем соавторам и коллегам за участие в работе.

Автор выражает глубокую признательность А.М.Романовой, Р.Р.Севостьяненко, Н.И.Сумченко, С.В.Бородиной, И.В.Ивановой, О.И.Камаевой за химические обработки образцов, за техническую помощь при оформлении экспериментальных результатов, публикаций, диссертационной работы.

Автор благодарит весь коллектив лаб.№№10,23 ИФП СО РАН за творческую атмосферу, полезные рабочие дискуссии, консультации.

Апробация работы и публикации

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Камаев, Геннадий Николаевич, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Вопросы радиационной технологии полупроводников/ Под ред. Смирнова Л.С. Новосибирск: Наука, 1980, 296с.

2. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур.-М.:Радио и связь, 1982.-240с.

3. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков,- М.: Металлургия,-1988.,с.574.

4. Смирнов Л.С., Болотов В.В., Васильев А.В. Роль неравновесности кристаллов полупроводников при радиационных обработках.- ФТП, 1979, т. 13, в.7, с. 14431445.

5. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности.-М.: Наука, 216с.

6. Болтакс Б.И., Бахардыханов М.К, Городецкий С.М., Куликов Г.С. Компенсированный кремний.-Л.: Наука, 1972.- 124с.

7. Френкель Я.И. Введение в теорию металлов.- Изд. 2-е. М.-Л.: Гос. изд. техн.-теор. литер., 1950.- 384с.

8. Родес Р.Г. Несовершенства и активные центры в полупроводниках.- М.: Металлургия, 1968.- 371с.

9. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках.- Л.: Наука, Ленингр.отд., 1972.- 384с.

10. Булярский C.B., Фистуль В.И. Термодинамика и кинетика взаимодействия дефектов в полупроводниках.- М.: Наука, Физматлит, 1977.- 352с.

11. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова O.P. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках.- М.: Наука, 1981.- 368с.

12. Физические процессы в облученных полупроводниках\ Под ред. Л.С.Смирнова.- Новосибирск: Наука, 1977.- 256с.

13. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. - М.: Радио и связь, 1981.- 248с.

14. Емцев В.В, Машовец Т.В., Михнович В.В. Пары Френкеля в германии и кремнии.- ФТП, 1992, т.26, в.1, с.22-44.

15. Corbett J.W., Bourgoin J.C., Cheng L.J. The status of defect studies in silicon.-In: Radiation Effects in Semiconductors, Conf. Ser., N31, Inst, of Phys. London -Bristol, 1977, p. 1-11.

16. Крайчинский A.H., Мизрухин JI.B., Осташко Н.И., Шаховцов В.И. Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности.- ФТП, 1988, т.22, в.2, с.215-218.

17. Крайчинский А.Н., Мизрухин JI.B., Осташко Н.И., Шаховцов В.И. Эффективность образования дефектов в n-Si при облучении электронами с энергией 1МэВ.- ФТП, 1985, т.19, в.12, с.2202-2204.

18. Корбетт Дж., Бургуэн Ж. Дефектообразование в полупроводниках.- В кн.: Точечные дефекты в полупроводниках. Серия НФТТ, вып.9.- М.: Мир, 1979. с.9-162.

19. Кинчин Г.Х., Пиз P.C. Смещение атомов твердых тел под действием излучения.- Успехи физ. наук, 1956, т.60, в.4, с.590-615.

20. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах.- М.: Атомиздат, 1969. 310с.

21. Баязитов P.M., Борисенко В.Е., Коновалов Д.А., Хайбуллин И.Б., Юдин С.Г. Распад пересыщенного раствора фосфора в кремнии при секундной термообработке.- ФТП, 1987

22. Gwozdz P.S., Kochler J.S. Changes in AC conductivity of silicon with electron irradiated at 0,5 K.- Phys.Rev. В., 1972, v.6, N.12, p.4571-4574.

23. Watkins G.D. A review of EPR studies in irradiated silicon.- In: Effects des Rayonnement sur les Semiconducteurs.- Paris : Dunod, 1965, p.97-111.

24. Watkins G.D., Troxell J.R., Chatterjee A.P. Vacancies and interstitials in silicon.-In: Defects and Radiation Effects in Semiconductors. -1978, Conf. Ser., N46, Bristol and London : The Institute of Physics, 1979, p.16-30.

25. Bourgoin J.С., Corbett J.W. Enhanced diffusion mechanisms.- Rad. Eff., 1978, v.36, p.157-188.

26. Крайчинский A.H., Мизрухин JI.B., Осташко Н.И., Шаховцов В.И. Время жизни первичных радиационных дефектов в кремнии.- ЖТФ, 1988, т.58, в.6, с.1180-1181.

27. Bourgoin J.C., Corbett J.W. A new mechanism for interstitial migration.- Phys. Lett., 1972, v.38A, N2, p.135-137.

28. Watkins G.D. EPR studies of the lattice vacancy and low-temperature damage processes in silicon. -In: Lattice defects in semiconductors. Conf. 1974. Institute of Physics. London-Bristol, 1975. p. 1-22

29. Ланно M., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория.- М.: Мир, 1984.- 302с.

30. Seeger A., Foil Н., Frank W. Selfs-interstitials, vacancies and their clusters in silicon and germanium.- In: Defects and Radiation Effects in Semiconductors. -1978, Conf. Ser., N31, Bristol and London : The Institute of Physics, 1979, p.12-27.

31. Глазов B.M., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников.- М.: Наука, 1967.- 378с.

32. Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов.- М.: Металлургия, 1977. -240с.

33. Булярский С.В., Фистуль В.И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках.- М.: Наука. Физматлит, 1997.- 352с.

34. Смит Р. Полупроводники.- М.: Мир, 1982.- 560с.

35. Kohn W. Shallow impurity states in silicon and germanium.- Sol. St. Phys., 1957, v.5, p.257-320.

36. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах.- М.: Мир, т.2, 1978,- 358с.

37. Morin F.J., Maita J.P., Shulman R.G., Hanney N.B. Impurity levels in silicon. -Phys. Rev., 1954, v.96, N.3, p.833.

38. Феер Дж. Электронная структура доноров в кремнии, определенная с помощью метода двойного электронно-ядерного резонанса.- В кн.: Электронный спиновой резонанс в полупроводниках. -М.: ИЛ, 1962,- с. 13-97.

39. Pajot В., Kauppinen J., Antilla R. High resolution study of the group V impurities absorption in silicon.- Sol. St. Comm., v.31, 759-763.

40. Cerofolini G.F., Bez R. Neutral and ionized states of group III acceptors in silicon.- J.Appl.Phys., 1987, v.61, N.4, p.1435-1441.

41. Бургуэн Ж., Ланно M. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты.- М.: Мир, 1984. -304с.

42. Шаповалов В.П., Городкин В.А. Изменение электрической активности примеси фосфора в диффузионной зоне кремния при термических обработках.-ФТП, 1983, т.25, в.7, с.614-616.

43. Schwenker R.O., Pan E.S., Lever R.F. Arsenic clastering in silicon. -J.Appl.Phys., 1971, v.42, N.8, p.3195-3200.

44. Joshi M.L., Dash S. Precipitation of phosphorus, arsenic, and boron in thin silicon foils. -IBM Journal, 1967, N.5, 271-283.

45. Jaccordine R.J. Precipitation formed by high-concentration phosphorus diffusion in silicon.- J.Appl.Phys., 1968, v.39, N.7, 3105-3108.

46. Технология СБИС: В 2-х ккигах. Кн.1 / Под ред. С.Зи.- М.: Мир, 1986.- 404с.

47. Немцев Г.З., Пекарев А.И., Чистяков Ю.Д. Бурмистров А.Н. Геттерирование точечных дефектов в производстве полупроводниковых приборов.- Зарубежная электронная техника, 1981 вып11(245), с.3-63.

48. Fuller C.S., Logan R.A. Effects of heat treatment upon the electrical properties of silicon crystals. -J.Appl.Phys., 1957, v.28, N.12, pl427-1436.

49. Блецкан Н.И., Воробьев В.Л., Совершенствование технологии получения монокристаллов кремния для микроэлектроники.- Электр, пром-ть, 1990, N.8, с.59-61.

50. Kolbesen В.О., Muhlbaur A. Carbon in silicon: properties and impaction devices. -Sol. St. Electr, 1982, v.25, N.8, p.759-777.

51. Ремизов О.А., Ильин М.А., Воронина Г.П., Насупкина JI.B. Влияние атмосферы выращивания на содержание углерода в монокристаллах кремния, полученных методом Чохральского. -Цветные металлы, 1982, N.9. с.62-64.

52. Kishino S., Matsushita J., Kanamori M., Suzuki F. Thermally induced microdefects in Czochralski-grown silicon nucleation and grows behaviour. -JapJ.Appl.Phys., part 1, 1982, v.21, N.l, p. 1-12.

53. Cehrlein G.G, Lindstrom J.L., Corbett J.W. Carbon-oxygen complexes as nuclei for the precipitation of oxygen in Czochralski silicon. -Appl.Phys.Lett., 1982, v.40, N.3,p.241-243.

54. Beam A.R., Newman R.C. The effect of carbon on thermal donor formation in heat treated pulled silicon crystals. -J.Phys.Chem.Solids, 1972, v.33, p.255-268.

55. Series R.W., Barraclouch K.G., Carbon contamination during growth of Czochralski silicon.- J.Crystal Grows, 1982, v.60, N.2, p.212-218.

56. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.- М.: Мир, 1977.- 562с.

57. Герасименко Н.Н., Двуреченский А.В., Панов В.И., Смирнов JT.C. О пороговой энергии образования радиационных дефектов в полупроводниках.-ФТП, 1971, т.5, в.8, с. 1644-1646.

58. Панов В.И. Смирнов Л.С. О роли коллективных процессов при образовании первичных радиационных дефектов в кремнии.- ФТП, 1971, т.5, в.1, с.212-215.

59. Смирнов Л.С., Стась В.Ф., Хайновская В.В. Роль дислокаций в процессе отжига облученного германия.- ФТП, 1971, т.5, в. 10, с. 1179-1184.

60. Болотов В.В, Васильев А.В., Смирнов Л.С. О влиянии интенсивности облучения на процессы накопления радиационных дефектов в полупроводниках.- ФТП, 1973, т.7, в.11, с.2132-2136.

61. Svensson B.G., Svensson J., Lindstrom J.L., Davies G., Corbett J.W. Generation of divacancies in doped silicon.- Appl.Phys.Lett., 1987, v.51, N.26, p. 2257-2259.

62. Awadelkarim O.O. Divacancies production in irradiated n-type silicon.- Physica B+C, 1988, v.150, N.3, p. 312-318.

63. Bean A.R., Newman R.C., Smith R.C. Electron irradiation damage in silicon containing carbon and oxygen.- J.Phys.Chem.Solids, 1970, v.31, N.4, p.739-751.

64. Watkins G.D., Corbett J.W. Defects in irradiated silicon: Electron paramagnetic resonance of the divacancy. -Phys.Rev., 1965, v.138, N.2A, p.543-555.

65. Corbett J.W., Watkins G.D. Production of divacancies and vacancies by electron irradiation of silicon.- Phys.Rev., 1965, v. 138, N.24, p.A555-560.

66. Kimerling L.C. Defect studies in electron -bombarded silicon: Capacitance transient analyses.- Radiation effects in semiconductors, Conf. Ser. N.31-Bristol and London : The Institute of Physics, 1977, p.221-230.

67. Mascher P., Dannefaer S., Kerr D. Positron annihilation in electron-irradiated silicon. -Mater. Sci. Forum, 1989, v.38-41, p. 1157-1162.

68. Watkins G.D., Corbett J.W. Defects in irradiated silicon: EPR of the Si-A center.-Phys.Rev., 1961, v.21, N.4, p.1001-1014.

69. Corbett J.W., Watkins G.D., Chrenho R.M., Mc.Donall R.S. Defects in irradiated silicon. IR absorption of the Si-A center.- Phys. Rev., 1961, v. 121, N4, p.l 015-1022.

70. Akhmetov V.D., Bolotov V.V., Dvurechensky A.V., Kashnikov B.P.,Smirnov L.S., Tishkovsky E.G. Accumulation of defects in silicon at superhigh doses of electron irradiation.- Rad. Eff., 1980, N.l-2, p.33-40.

71. Болотов B.B., Васильев A.B., Смирнов JI.C. Влияние концентрации акцепторной примеси на скорость введения комплекса вакансия-кислород в кремнии.- ФТП, 1976, т. 10, N.5, с. 1787-1788.

72. Ахметов В.Д., Болотов В.В. Кинетика накопления радиационных дефектов и аннигиляция вакансий и междоузлий в кремнии, содержащем углерод и бор ФТП, 1982, т. 16, N.7, с.1220-1223.

73. Watkins G.D., Corbett J.W. Defect in irradiated silicon. EPR and ENDR of the Si-E center.- Phys.Rev., 1964, v.134, N.5A, p.1359-1377.

74. Su Z., Husain A., Farmes J.W. Determination of oxygen in silicon by ratio of Acenter to E-center.- J. Appl. Phys., 1990, v. 67, N.4, p. 1903-1906.

75. Вавилов B.C., Исаев Н.У., Мукашев Б.Н., Спицын А.В. Влияние размера атомов донорной примеси на накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии n-типа.- В кн.: Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, изд-во Белорусского ун-та, 1972, с. 15-17

76. Вавилов B.C., Уваров Е.Ф., Чукичев М.В. Зависимость скорости введения радиационных дефектов от концентрации фосфора в образцах кремния, облученных реакторными нейтронами. -ФТП, 1969, т.З, в.12, с.1838-1843.

77. Kimerling L.C., De Angelis Н.М., Dilbold J.W. On the role of defect charge state in the stability of point defects in silicon. -Solid State Commun., 1975, v. 16, N.l, p.171-174.

78. Watkins G.D. EPR of trapped vacancy in boron-doped silicon.- Phys.Rev. B, 1976, v.13, N.6, p.2511-2517.

79. Bains S.K., Banlury P.C. A bistable defect in electron -irradiated boron-doped silicon.- J. Phys. C., 1985, v.18, p.L109-L116.

80. Губская В.И., Кучинский П.В., Ломако В.М. Дефектообразование в сильнолегированном кремнии при облучении .- ФТП, 1982, т. 16, в.1,с.93-97.

81. Capizzi М., Mittiga A. Hydrogen in Si: Diffusion and shallow impurity deactivation.- PhysicaB, 1987, v.146, N.l, p.19-29.

82. Singh V.A., Weigel C., Corbett J.W., Roth L.M.. Vibrational and electronic structure of hydrogen -related defects in silicon calculated by the extended Huckel theory.- Phys.Stat.Sol.(b), 1977, v.81, N.2, p.637-646.

83. Pearton S.J., Corbett J.W., Shi T.S. Hydrogen in crystalline semiconductors.-Appl.Phys. A, 1987, v.43, N.2, p.153-195.

84. Corbett J.W., Sahu S.N., Shi T.S., L.C.Snyder. Phys.Lett., 1983, V.93A, N.6, p.303-305.

85. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности.-М.: Наука, 216с.

86. Stein H.J. Bonding and thermal stability of implanted hydrogen in silicon.-J.Elect.Mat, 1975, v.4, N.l, p. 159-174.

87. Cardona M. Vibrational spectra of hydrogen in silicon and germanium.-Phys.Stat.Sol.(b), 1983, v.l 18, N.2, p.463-481.

88. Mukashev B.N., Tamendarov M.F., Tokmoldin S.Zh., Frolov V.V. Hydrogen implantation into silicon.- Phys.Stat.Sol.(b), 1985, v.91, N.2, p.509-522.

89. Токмолдин С.Ж. Пассивация атомарным водородом дефектов в кристаллическом кремнии.- Автореф.дисс. .. .док.физ.-мат.наук.- Алматы, 1998.

90. Pearton SJ. Electrical and optical effects of hydrogen in semicondutors.- Defect and Diffusion Forum, 1989, v.62/63, p. 1-26.

91. Johnson N.M., Doland C., Ponce F., Walker J., Anderson G. Hydrogen in crystalline semiconductors. A review of experimental results.- Physica B, 1991, v.170, N.l, p.3-20.

92. Picraux S.T, Vook F.L. Structure of hydrogen center in D-implanted Si.-Phys.Rev. B, 1978, v.18, N.5, p.2066-2077.

93. Pankove J.I., Wance R.O, Berkeyheiser J.E. Neutralisation of acceptors in silicon by atomic hydrogen.- Appl.Phys.Lett., 1984, v.45, N.10, p. 1100-1102.

94. Mikkelsen J.C. Atomic deuterium passivation on boron acceptor levels in silicon.-Appl.Phys.Lett., 1985, v.46, N.9, p.882-884.

95. Pankove J.I., Magge C.W., Wance R.O. Hole-mediated chemisorption of atomic hydrogen in silicon.- Appl.Phys.Lett., 1985, v.47, N.7, p.748-750.

96. Болотов B.B., Спиридонов B.H., Эмексузян B.M. Влияние химической обработки на состояние золота в приповерхностных слоях кремния.-Поверхность. Физика, химия, механика, 1988, в.8, с.49-53.

97. Pearton S.J., Tavendale A.J. Reduction in y-ray damage in hydrogenated silicon.-Rad. Eff. Lett., 1982, v.68, p.25-27.

98. Болотов B.B., Плотников Г.Л., Эмексузян B.M., Шмальц К. Пассивация радиационных дефектов в гидрогенизированных слоях кремния при нейтронном облучении. -ФТП, 1992, т.26, в.7, с. 1297-1299.

99. Ramdas A.K., Rodrigues S. Spectroscopy of the solid-state analogues of the hydrogen atom: donors and acceptors in semiconductors.- Rep. Prog. Phys., 1981 v.44, N.12, p.1297-1387.

100. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках.-М.:Мир, 1973.

101. Киреев П.С. Физика полупроводников. М., 1969. 592с.

102. B.Pajot, H.J.Stein, В.Cales, C.Naud. Quantitative Spectroscopy Of Interstitial Oxigen in Silicon.-J.Electrochem.Soc., 1985, v.132, p.3034.

103. Bullis W.M., Coates L.B. Measurement of Oxigen in Silicon.-1987, v.12, N.3, p.69.

104. Ильин M.A., Коварский В.Я., Орлов А.Ф. Определение содержания кислорода и углерода в кремнии оптическим методом.- Зав. лаборатория, 1984, т.50, в.1, с.24-32.

105. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В.. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур.-М.:Радио и связь, 1985, с.264.

106. Берман JI.C.. Емкостные методы исследования полупроводников.- JL: Наука, 1972, с. 104.

107. Берман Л.С., Лебедев А.А.. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках.- Л.: Наука, 1981, с. 176.

108. Lang V.D. .-J.Appl.Phys., 1974, v.45, N.7, р.3023.

109. Stievenard D., Vaillenme D. .-J.Appl.Phys., 1986, v.60, p.973,.

110. Lang D.V. Space-Charge Spectroscopy in Semiconductors. In:Topics in Applid Physics, 1979, v.37, p.93.

111. Sonder E., Templeton L.C.Gamma irradiation of silicon. 1.Levels in n-type material containing oxygen .- J. Appl. Phys., 1960, v.31, N.7, p.1279-1286.

112. Sonder E., Templeton L.C. Gamma irradiation of silicon. 11.Levels in n-type flote-zone material.- J. Appl. Phys., 1963, v.34, N.l 1, p.3295-3301.

113. Sonder E., Templeton L.C. Gamma irradiation of silicon. 111.Levels in p-type material.- J. Appl. Phys., 1965, v.36, N.6, p. 1811-1815.

114. Вавилов B.C., Глазман В.Б., Исаев Н.У., Мукашев Б.Н., Спицын А.В. Влияние температуры облучения и вида легирующей примеси на процессы дефектообразования в кремнии n-типа, облученного электронами.- ФТП, 1974, т.8, в.З, с.471-475.

115. Hirata М., Saito Н. The interactions of point defects with impurities in silicon .J. Phys. Soc. Japan, 1969, v.27, N.2, p.405-414.

116. Watkins G.D. The interaction of irradiation-produced defects with impurities and other defects in semiconductors. EPR studies in silicon.- In: Rad. Eff. Semicond. Сотр. Toulose, 1967, p.Al-A9.

117. Borgoin J.C., MollotF..- Phys. St. Sol. (b), 1971, v.43, N.l, p.343-355.

118. Newman R.C., Bean A.R. Irradiation damage in carbon-doped silicon irradiated of low temperatures by 2 Mev electrons- In: Rad. Eff. Semicond. London-N.-Y.-Paris, 1971, p.155-159.

119. Watkins G.D., Brower K.L. EPR observation of the isolated interstitial carbon atom in silicon.- Phys. Rev. Lett., 1976, v.36, N.22, p.1329-1332.

120. Болотов B.B. Радиационная модификация структур на основе кремния и германия.- Дис. в виде научного доклада на соискание ученой степени доктора физико-математических наук.- Новосибирск, 1996, 59 с.

121. Laitwaite К., Newman R.S., Totterdell D.H.J. .- J. Phys. С: Sol. St. Phys., 1975, v.8, N.2, p.236-242.

122. Akhmetov V.D., Bolotov V.V..- Phys. St. Sol. (a), 1982, у.12, N.l, p.61-68.

123. Конозенко И.Д., Семенюк A.K., Хиврич В.И. Радиационные эффекты в кремнии.- Киев: Наукова думка, 1974, 200с.

124. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных олупроводников.- М.: Наука, 1979.- 416 с.

125. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах.- М.: Мир, 1982.- 368 с.

126. Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках.- М.: Мир, 1985.- 304 с.

127. Patent № 4568960 (USA) / Blocked impurity band detectors.- Petroff M.D., Stapelbrock M.G.-1980.

127. Brown E.R., Tannenwald P.E. .- Far-Infr. Sei. Techn. SPIE, 1986, v.666, p.38-

50.

129. Sclar N.Progr. Quant. Electron., 1984, v.9, p. 149130. Szmulovicz F., Madarsz F.L. Blocked impurity band detectors .- J. Appl. Phys., 1987, v.62, N.6, p.2533-2540.

131. Watson D.M., Huffman J.E..- Appl. Phys. Lett., 1988, v.52, N.19, p.1602-1604.

132. Martin B.G..- Sol. St. Electron., 1990, v.33, N., p.427.

133. Norton P.R..- Opt. Eng., 1991, v.30, N., p. 1649.

134. A.c. 1649974 (РФ). Способ изготовления фоточувствительного элемента для инфракрасной области спектра / Болотов В.В., Камаев Г.Н., Эмексузян В.М.

- Опубл. в Б.И., 1997, № 14.

135. A.c. 1649975 (РФ). Способ изготовления фоточувствительного элемента для инфракрасной области спектра / Болотов В.В., Камаев Г.Н., Эмексузян В.М.

- Опубл. в Б.И., 1997, № 14.

136. Болотов В.В., Камаев Г.Н., Эмексузян В.М. Формирование структур с блокированной прыжковой проводимостью гидрогенизацией кремния, легированного галлием.- ФТП, 1990, т.24, в.Ю, с. 1697-1704.

137. Болотов В.В., Камаев Т.Н., Эмексузян В.М. Структуры с блокированной прыжковой проводимостью на кремнии, легированного галлием, полученные гидрогенизацией в плазме водорода,- ФТП, 1997, т.31, в.З, с.311-317.

138. Н.Л.Глинка. Общая химия. -Л.: "Химия", 1987, 704с.

139. Гершензон Е.М., Исмагилова Ф.М., Литвак-Горская Л.Б., Мельников А.П. Прыжковая фотопроводимость легированных кремния и германия.-ФТТ, 1991, т. 100, в.3(9), с.1029-1041.

140. Ray R.K., Fan H.Y. Impurity Conduction in Silicon.- Phys. Rev., 1961, v. 121, N.3, p.768-779.

141. Болотов В.В., Камаев Г.Н., Карпов A.B., Феофанов Г.Н., Эмексузян В.М. Фоточувствительные элементы на BIB-структурах, полученные пассивацией легирующей примеси водородом.- В сб. ¡Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Тезисы докладов II научной конференции (Ашхабад, 23-25 октября 1991г.)- Ашхабад: Ылым, с.263.

142. Болотов В.В., Камаев Г.Н., Смирнов Л.С. ИК-спектрометрические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в Si при облучении электронами.- ФТП, 1988, т.22, в.2, с.210-214.

143. Ахметов В.Д., Болотов В.В., Камаев Г.Н., Смирнов Л.С. Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами.- ФТП, 1990, т.24, в.1, с.72-76.