Влияние особенностей формирования пленок пористого кремния на характеристики полупроводниковых барьерных структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, доктор наук Трегулов Вадим Викторович

• Трегулов Вадим Викторович
• доктор наук
• 2022

Оглавление диссертации доктор наук Трегулов Вадим Викторович

Введение

Глава 1. Анализ современного состояния в области исследования полупроводниковых структур

с пленками пористого кремния

1.1. Общие представления о пористом кремнии

1.2. Процессы, протекающие при формировании

пленок пористого кремния

1.3. Оптические характеристики пленок пористого кремния

1.4. Проблема стабильности пористого кремния

1.5. Особенности электрофизических характеристик полупроводниковых структур с пленками

пористого кремния

1.6. Области применения полупроводниковых структур

с пленками пористого кремния

1.7. Выводы по главе

Глава 2. Полупроводниковая структура с пленкой

пористого кремния, сформированной над п+-р-переходом

2.1. Основные проблемы

2.2. Проблема стабильности характеристик полупроводниковой структуры с пленкой пористого кремния, сформированной

над п+-р- переходом

2.2.1. Образцы с пленками пористого кремния, изготовленными анодным электрохимическим травлением

2.2.2. Исследование изменений характеристик полупроводниковой структуры с пленкой пористого кремния, сформированной анодным электрохимическим травлением

2.2.3. Направление решения проблемы стабилизации характеристик полупроводниковой структуры

2.2.4. Образцы с пленками пористого кремния, изготовленными

2

химическим окрашивающим травлением

2.2.5. Исследование изменений характеристик полупроводниковой структуры с пленкой пористого кремния, сформированной химическим окрашивающим травлением

2.2.6. Исследование механизмов стабилизации

характеристик пленки пористого кремния

2.2.6.1. Описание экспериментальных образцов

и исследование стабильности их характеристик

2.2.6.2. Особенности морфологии пленок пористого кремния экспериментальных образцов

2.2.6.3. Исследование инфракрасных спектров

поглощения

2.2.7. Механизмы процессов, приводящих

к стабилизации характеристик пористого кремния

2.3. Физические характеристики полупроводниковой структуры с пленкой пористого кремния, сформированной

над n+-p- переходом

2.3.1. Фотоэлектрические характеристики

2.3.1.1. Методика исследования

2.3.1.2. Образцы с пленками пористого кремния, сформированными анодным электрохимическим травлением

2.3.1.3. Образцы с пленками пористого кремния, сформированными химическим окрашивающим

травлением

2.3.2. Отражательная способность фронтальной поверхности

2.3.2.1. Методика исследования

2.3.2.2. Образцы с пленками пористого кремния, сформированными анодным электрохимическим травлением

2.3.2.3. Образцы с пленками пористого кремния, сформированными химическим окрашивающим травлением

2.3.3. Механизмы переноса носителей заряда

2.3.3.1. Образцы с пленками пористого кремния, сформированными анодным электрохимическим травлением

2.3.3.2. Образцы с пленками пористого кремния, сформированными химическим окрашивающим

травлением

2.3.3.3. Сравнение механизмов переноса

носителей заряда

2.3.4. Ловушки с глубокими энергетическими уровнями

2.3.4.1. Образцы с пленками пористого кремния, сформированными анодным электрохимическим травлением

2.3.4.2. Образцы с пленками пористого кремния, сформированными химическим окрашивающим

травлением

2.3.5. Вольт-фарадная характеристика полупроводниковой структуры с пленкой пористого кремния, сформированной

над п+-р-переходом

2.3.5.1. Высокочастотная вольт-фарадная

характеристика

2.3.5.2. Эквивалентная электрическая схема

замещения полупроводниковой структуры

2.3.5.3. Частотная зависимость вольт-фарадных характеристик

2.3.5.4. Объяснение особенностей вольт-фарадных

характеристик полупроводниковой структуры

4

с пленкой пористого кремния, сформированной

над п+-р-переходом

2.4. Выводы по главе

Глава 3. Полупроводниковая структура с п+-р-переходом, сформированным внутри пленки пористого кремния

3.1. Основные проблемы

3.2. Исследование пленки пористого кремния

с примесью фосфора

3.2.1. Изготовление экспериментальных образцов

3.2.2. Особенности морфологии пленки пористого кремния

3.2.3. Процессы, протекающие при формировании пленки пористого кремния с примесью фосфора

3.3. Полупроводниковая структура с п+-р-переходом, сформированным термической диффузией внутри пленки пористого кремния

с примесью фосфора

3.3.1. Изготовление экспериментальных образцов

3.3.2. Особенности морфологии экспериментальных образцов

3.3.3. Фотоэлектрические характеристики

3.3.4. Механизмы переноса носителей заряда

3.3.5. Вольт-фарадные характеристики

3.3.6. Спектры отражения фронтальной поверхности

3.3.7. Модель внутреннего строения

3.4. Полупроводниковая структура с п+-р-переходом, сформированным лазерным излучением внутри пленки пористого кремния

с примесью фосфора

3.4.1. Изготовление экспериментальных образцов

3.4.2. Особенности морфологии экспериментальных образцов

3.4.3. Фотоэлектрические характеристики

3.4.4. Механизмы переноса носителей заряда

3.4.5. Вольт-фарадные характеристики

3.4.6. Процессы, протекающие при формировании n+^-перехода

под действием лазерного излучения

3.5. Выводы по главе

Глава 4. Исследование полупроводниковой структуры CdS/por-Si/p-Si

4.1. Основные проблемы

4.2. Изготовление и исследование пленок CdS

4.2.1. Формирование пленок CdS

4.2.2. Элементный состав пленок CdS

4.2.3. Морфология пленок CdS

4.2.4. Механизмы переноса носителей заряда

в гетеропереходе CdS/Si-p

4.3. Влияние профиля распределения концентрации легирующей примеси в базовой области структуры CdS/por-Si/p-Si

на ее характеристики

4.3.1. Изготовление экспериментальных образцов структуры CdS/por-Si/p-Si

4.3.2. Методика исследования экспериментальных образцов

4.3.3. Результаты исследования экспериментальных образцов

4.3.4. Механизмы переноса носителей заряда

4.3.5. Выводы по результатам исследования

полупроводниковой структуры CdS/por-Si/p-Si

4.4. Выводы по главе

Заключение

Список литературы

Приложение 1. Список публикаций по теме диссертации

Приложение 2. Акты использования результатов исследований

ВВЕДЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние особенностей формирования пленок пористого кремния на характеристики полупроводниковых барьерных структур»

Актуальность темы

Пористый кремний (por-Si) является одним из представителей современных функциональных материалов. Использование пленок пористого кремния позволяет существенно расширить области применения полупроводниковых приборов на основе кристаллического кремния, а также улучшить их характеристики. Этому способствует возможность гибкого управления электрофизическими и оптическими характеристиками пленок пористого кремния за счет контролируемого изменения параметров процесса их выращивания и последующей обработки. Технология формирования пленок пористого кремния не требует применения сложного оборудования и дорогостоящих химических реактивов, что является важным достоинством. К наиболее активно исследуемым областям применения полупроводниковых структур с пленками пористого кремния следует отнести оптические датчики; газовые датчики; акустические датчики и излучатели; светоизлучающие и волноводные структуры; антиотражающие покрытия кремниевых солнечных элементов; буферные слои для эпитаксии; оптические нелинейные среды, используемые для управления излучением и генерации гармоник; зеркала с заданным спектром отражения; структуры для решения биомедицинских задач [1-5]. Таким образом, в настоящее время сохраняется значительный интерес к применению пористого кремния в различных областях техники. В связи с этим, исследование влияния особенностей процесса формирования пленок пористого кремния на физические характеристики полупроводниковых структур, является актуальной проблемой.

Степень разработанности темы

В настоящее время наиболее подробно исследованной является

полупроводниковая структура «пористый кремний/монокристаллический

кремний». Здесь наибольший интерес представляет структура с пористой

пленкой, состоящей из наноразмерных кремниевых кристаллитов, в которых

7

проявляется размерный эффект. В результате, ширина запрещенной зоны в кремниевых кристаллитах больше, чем в кристаллическом кремнии, на котором выращена пористая пленка. Указанная полупроводниковая структура представляет собой гетеропереход. Такая структура актуальна, прежде всего, для оптоэлектроники. Достаточно подробно исследованы электрофизические и оптические характеристики структуры «пористый кремний/монокристаллический кремний» [1,4,6-8]. В частности установлено, что наряду с механизмом переноса носителей заряда, характерным для гетероперехода, проявляются процессы, определяемые токами, ограниченными пространственным зарядом, а также туннелирование носителей заряда [7,8]. Существует возможность гибкого управления оптическими характеристиками пленок пористого кремния за счет формирования градиента пористости, введения металлических и полупроводниковых наночастиц, молекул органического красителя [5,9-11]. Убедительно показано, что оптические свойства могут быть объяснены в рамках модели эффективной среды [12]. В связи с необходимостью создания новых способов формирования пленок пористого кремния, а также последующей модификации их свойств, проблема исследования физических процессов в структуре «пористый кремний/монокристаллический кремний» по-прежнему актуальна.

Также известна полупроводниковая структура, содержащая пленку

пористого кремния и р-п-переход. Наибольшее внимание уделяется варианту

структуры с пленкой пористого кремния, выращенной над предварительно

сформированным р-п-переходом. Такие структуры с глубиной залегания р-п-

перехода не более 0,8 мкм перспективны для применения в качестве

оптических датчиков и солнечных элементов [5,13-16]. Пленка пористого

кремния обладает сильно развитой поверхностью, что способствует

увеличению эффективной площади освещаемой поверхности и повышению

чувствительности фотоприемников и кпд солнечных элементов [5,13,14].

Кроме того, пленка пористого кремния играет роль широкозонного окна,

8

способствуя пассивации поверхностных состояний и расширению области спектральной чувствительности в коротковолновую сторону [5]. Основное внимание уделяется изучению влияния факторов технологического процесса формирования пленок пористого кремния на оптические свойства фронтальной поверхности полупроводниковой структуры, а также на характеристики эффективности преобразования солнечной энергии [5,13,14]. В тоже время, вопросы влияния ловушек с глубокими энергетическими уровнями, возникающих при формировании пористой пленки, на электрофизические характеристики обсуждаемой полупроводниковой барьерной структуры, изучены не достаточно.

Другой вариант структуры с пленкой пористого кремния и р-п-переходом предусматривает формирование р-п-перехода с помощью диффузии внутри предварительно выращенной пористой пленки [17,18]. Отмечается, что таким способом могут быть изготовлены структуры с большой глубиной залегания p-n-перехода (25 мкм и более) [17]. Такие структуры могут быть востребованы при изготовлении газовых датчиков, а также биосенсоров [1,19-23]. Структуры с небольшой глубиной залегания p-^перехода перспективны для солнечных элементов и оптических датчиков [5,13,18]. Следует отметить, что исследованию электрофизических характеристик структуры с p-n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния, уделяется очень мало внимания.

Значительный интерес в настоящее время проявляется к исследованию полупроводниковой структуры «широкозонный полупроводник/пористый кремний/кристаллический кремний». Наибольшее внимание уделяется структурам, в которых на поверхности пористого кремния сформированы полупроводниковые пленки SnO2, TiO2 [24], ZnO [25,26], ZnS, ZnCdS [27], CdS [28-34]. Слой широкозонного полупроводника, играет роль оптического окна, и способствует пассивации поверхностных состояний на кремниевых кристаллитах в пористой пленке [33,34]. Пленка пористого кремния служит

буферным слоем, снижающим механические напряжения между кремниевой

9

подложкой и пленкой широкозонного полупроводника, которые возникают вследствие различия постоянных кристаллической решетки [34-36]. Обсуждаемая полупроводниковая структура, в первую очередь, актуальна для создания оптических датчиков с широкой областью спектральной чувствительности [28,30,33] и солнечных элементов [29,32,34]. Много внимания уделяется исследованию механизмов переноса носителей заряда и фотоэлектрических характеристик с учетом влияния факторов технологического процесса формирования пленок пористого кремния и широкозонного полупроводника [28-34]. Несмотря на то, что полупроводниковые структуры «широкозонный полупроводник/пористый кремний/кристаллический кремний» достаточно хорошо изучены, по-прежнему актуальна задача разработки новых способов улучшения их фотоэлектрических характеристик.

Важной проблемой, затрудняющей широкое применение пористого кремния при изготовлении полупроводниковых приборов, является нестабильность его свойств в течение длительного времени (до нескольких месяцев). Указанная проблема отмечается большим количеством исследователей и актуальна на сегодняшний день [13,37-39]. Причиной нестабильности является процесс замены связей Si-Hx на Si-Ox при хранении пористого кремния. Для стабилизации свойств пористого кремния следует принимать меры, приводящие к удалению водорода с поверхности кремниевых кристаллитов с последующей их пассивацией [40]. К настоящему времени предложены различные методы стабилизации свойств пористого кремния [13,41]. Однако не все предложенные способы могут быть совместимыми с технологическими операциями изготовления конкретной полупроводниковой структуры. В связи с этим актуальна проблема разработки новых способов формирования пленок пористого кремния со стабильными свойствами. Также, не менее актуальной проблемой является исследование характеристик полупроводниковых барьерных структур с

пленками пористого кремния, сформированными с применением новых способов.

Современные представления о механизмах физических процессов в полупроводниковых структурах с пленками пористого кремния, а также о процессах, протекающих при их формировании, отражены в работах ведущих российских ученых - С.П. Зимина, Д.Н. Горячева, Л.В. Белякова, О.М. Сресели, Л.А. Голованя, А.С. Леньшина, П.К. Кашкарова, В.М. Кашкарова, В.Ю. Тимошенко, В.А. Караванского и других.

Научной проблемой, решаемой в диссертационной работе, является изучение влияния особенностей факторов формирования пленок пористого кремния на электрофизические, фотоэлектрические и морфологические характеристики полупроводниковых барьерных структур. Решение данной проблемы актуально для развития представлений о механизмах физических процессов, протекающих в полупроводниковых структурах с пленками пористого кремния, а также для совершенствования технологии формирования пленок пористого кремния, применяемых при создании перспективных полупроводниковых приборов.

Целью диссертационной работы является установление влияния особенностей процессов формирования пленок пористого кремния на электрофизические, фотоэлектрические и морфологические характеристики полупроводниковых барьерных структур.

Задачи диссертационной работы

1. Анализ современного состояния в области исследования процессов, протекающих при формировании пленок пористого кремния, электрофизических, оптических и морфологических характеристик полупроводниковых структур с пленками пористого кремния, а также изучение перспективных областей применения полупроводниковых структур с пленками пористого кремния.

2. Разработка новых способов формирования пленок пористого

кремния со стабильными характеристиками на основе методов анодного

11

электрохимического и химического окрашивающего травления, а также изготовление экспериментальных образцов.

3. Исследование влияния параметров процесса формирования пленки пористого кремния на характеристики ловушек с глубокими энергетическими уровнями и механизмы переноса носителей заряда в полупроводниковой структуре с пленкой пористого кремния, выращенной над ^^-переходом (на поверхности п+-слоя) методами анодного электрохимического и химического окрашивающего травления.

4. Физическая интерпретация вида вольт- фарадных характеристик

+

полупроводниковой структуры c п ^-переходом и пленкой пористого кремния, сформированной на ^-поверхности анодным электрохимическим и химическим окрашивающим травлением.

5. Разработка нового способа изготовления полупроводниковой структуры с ^^-переходом, сформированным внутри пленки пористого кремния методами термической диффузии и воздействия лазерного излучения.

6. Исследование физических процессов, протекающих при формировании ^^-перехода внутри пленки пористого кремния термической диффузией и воздействием лазерного излучения.

7. Изучение электрофизических, фотоэлектрических и морфологических характеристик полупроводниковой структуры с п+^-переходом, сформированным внутри пленки пористого кремния термической диффузией и воздействием лазерного излучения.

8. Исследование влияния параметров процесса формирования пленки пористого кремния на электрофизические и фотоэлектрические характеристики полупроводниковой структуры CdS/por-Si/p-Si.

Объектами исследования являются полупроводниковые структуры c ^^-переходом и пленкой пористого кремния, сформированной методами

анодного электрохимического и химического окрашивающего травления на

++

п -поверхности после изготовления п ^-перехода; полупроводниковые

структуры «рог-Б^монокристаллический кремний» (por-Si/p-Si); полупроводниковые структуры с ^^-переходом, сформированным внутри пленки пористого кремния термической диффузией и воздействием лазерного излучения; полупроводниковые структуры CdS/por-Si/p-Si.

Методы исследования

Для изготовления пленок пористого кремния использовались методы анодного электрохимического и химического окрашивающего травления. Для исследования оптических характеристик использовались методы измерения спектров отражения и спектрометрии комбинационного рассеяния света. Фотоэлектрические характеристики экспериментальных образцов изучались методами спектрометрии фотоэдс и фототока. Электрофизические характеристики изучались методами измерения вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик, спектроскопии импеданса. Изучение ловушек с глубокими энергетическими уровнями производилось методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Особенности морфологии экспериментальных образцов исследовались методами атомно-силовой микроскопии и растровой электронной микроскопии с возможностью изучения элементного состава рентгеновским энергодисперсионным анализатором. Также в работе использовались методы спектрометрии фотолюминесценции, спектрометрии поглощения в видимом и инфракрасном диапазонах, вторично-ионной масс-спектрометрии, электронной Оже-спектрометрии.

Достоверность научных результатов работы обеспечивается:

- использованием общеизвестного математического аппарата физики полупроводников;

- отсутствием противоречий между полученными результатами и основными представлениям физики;

- использованием независимых методов исследования;

- соответствием полученных результатов исследования результатам

работ других авторов, опубликованным в независимых источниках.

13

Научная новизна результатов, представленных в работе, заключается в следующем.

1. Установлено, что стабилизация спектров фотолюминесценции и вольт-фарадных характеристик полупроводниковых барьерных структур с пленками пористого кремния достигается при применении анодного электрохимического и окрашивающего химического травления с использованием травителя HF:C2H5OH:KMnO4.

2. Показано, что снижение концентрации ловушек с глубокими

уровнями на порядок величины (от 2,901015 до 2,801014 см-3) в p-области

+

полупроводниковой структуры с п ^-переходом и пленкой пористого кремния, сформированной на поверхности п+-слоя, достигается заменой анодного электрохимического травления на химическое окрашивающее травление при формировании пористой пленки.

3. Доказано, что полная емкость полупроводниковой структуры с пленкой пористого кремния, сформированной над ^^-переходом методом электрохимического или химического травления в диапазоне частот измерительного сигнала 1 кГц - 1 МГц определяется выражением

С = \с1Р 1 + С2Р 1 +(срп + СрпР У1 , где Срп и СрпР - емкости области

пространственного заряда ^^-перехода на частоте 1 МГц и на более низких частотах, соответственно; С1Р и С2р - емкости поверхностного и внутреннего слоев пленки пористого кремния, соответственно.

5. Установлено, что пленка пористого кремния, содержащая примесь фосфора, формируется на поверхности кремниевой монокристаллической пластины p-типа проводимости методом анодного электрохимического травления в электролите HF:C2H5OH:HзPO4.

6. Показано, что частичная перекристаллизация пленки пористого кремния с примесью фосфора происходит в результате отжига при температуре 1100 °С, в течение 10 минут, а также при лазерном облучении

однократным импульсом длительностью 18 нс, на длине волны 355 нм и

Л

плотности энергии излучения 0,3-0,7 Дж/см .

7. Установлено, что ^^-переход, сформированный отжигом пленки пористого кремния с примесью фосфора при температуре 1100 ^ в течение 10 мин, находится внутри наноразмерных кремниевых кристаллитов, в которых проявляется размерный эффект, в результате чего базовая область p-типа проводимости ^^-перехода имеет большее значение ширины запрещенной зоны (1,19 - 1,21 эВ) по сравнению с материалом монокристаллической кремниевой подложки (1,12 эВ).

8. Показано, что ^^-переход внутри пленки пористого кремния, содержащей примесь фосфора, формируется в результате облучения пористой пленки однократным лазерным импульсом длительностью 18 нс, на

Л

длине волны 355 нм и плотности энергии излучения 0,3-0,7 Дж/см .

9. Установлена взаимосвязь между фотоэлектрическими характеристиками гетероструктуры CdS/por-Si/p-Si (напряжением холостого хода, плотностью тока короткого замыкания, шириной области спектральной чувствительности) и профилем распределения концентрации акцепторной примеси в базовой области гетероперехода por-Si/Si-p, который формируется при выращивании пленки пористого кремния.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Стабилизация вольт-фарадных характеристик и спектра фотолюминесценции полупроводниковой структуры с пленкой пористого кремния, сформированной над ^^-переходом (на внешней поверхности п+-области) достигается применением химического окрашивающего травления с использованием травителя HF:C2H5OH:KMnO4 при выполнении условий: соотношение компонентов 1:1:0,5; концентрация раствора KMnO4 0,025 -0,050 M, длительность травления 0,5-5,0 мин.

2. Снижение суммарной концентрации ловушек с глубокими энергетическими уровнями на порядок величины (от 2,901015 до 2,801014

-5

см-) в p-области полупроводниковой структуры с пленкой пористого

15

кремния, сформированной над ^^-переходом (на внешней поверхности п+-области) обеспечивается применением химического окрашивающего травления вместо анодного электрохимического травления для выращивания пористой пленки.

3. Полная емкость полупроводниковой структуры, с пленкой пористого кремния, сформированной электрохимическим или химическим окрашивающим травлением, над п ^-переходом (на внешней поверхности

^-области) определяется выражением С = [с^ 1 + С2Р 1 + (срп + СрпР , где Срп

и Српр - емкости области пространственного заряда ^^-перехода на частоте 1 МГц и на более низких частотах, соответственно; С1Р и С2р - емкости поверхностного и внутреннего слоев пленки пористого кремния, соответственно.

4. Базовая область p-типа проводимости полупроводниковой структуры с ^^-переходом, сформированным термической диффузией внутри пленки пористого кремния с примесью фосфора, при температуре 1100 ^ в течение 10 мин, имеет более высокое значение ширины запрещенной зоны (1,19 -1,21 эВ) по сравнению с материалом монокристаллической кремниевой подложки (1,12 эВ).

5. Облучение пленки пористого кремния с примесью фосфора однократным лазерным импульсом длительностью 18 нс на длине волны 355 нм, в диапазоне плотностей энергии 0,3-0,7 Дж/см2 формирует ^^-переход внутри кремниевых кристаллитов пористой пленки.

6. Повышение значений напряжения холостого хода, плотности тока короткого замыкания, ширины области спектральной чувствительности -фотоэлектрических характеристик гетероструктуры CdS/por-Si/p-Si, достигается за счет управляемого изменения профиля распределения концентрации акцепторной примеси в базовой области гетероперехода por-Si/p-Si путем задания значений плотности тока и длительности процесса

анодного электрохимического травления при формировании пленки пористого кремния.

Практическая значимость диссертационной работы заключается в следующем.

1. С целью стабилизации спектров фотолюминесценции и вольт-фарадных характеристик полупроводниковых барьерных структур с пленкой пористого кремния, предложено использовать электролит состава HF:C2H5OH:KMnO4 при формировании пористой пленки.

2. Получена эквивалентная схема замещения полупроводниковой

структуры с пленкой пористого кремния, сформированной

+

электрохимическим или химическим окрашивающим травлением над п переходом (на внешней поверхности ^-области) в виде последовательной цепи, импеданс которой описывается выражением

7 (а) = Я0 +-+ ^

1 + ЛЯх (¡а)1 1 + Л2Я2 (¡а)*' ' где Я0 - омическое сопротивление контактов и квазинейтральной части p-области структуры; К1,Я2,- активные сопротивления, показатели

неоднородности, А1уЛ2- параметры двух последовательно включенных элементов постоянной фазы, соответственно.

3. Предложен новый способ формирования пленки пористого кремния с примесью диффузанта (фосфора), основанный на применении метода анодного электрохимического травления в электролите HF:C2H5OH:HзPO4.

4. Разработан новый способ формирования ^^-перехода внутри пленки пористого кремния, содержащей примесь фосфора, за счет облучения пористой пленки однократным лазерным импульсом длительностью 18 нс, на

Л

длине волны 355 нм и энергии импульса 0,3-0,7 Дж/см .

5. Разработан новый способ повышения значений напряжения холостого хода, плотности тока короткого замыкания, ширины области спектральной чувствительности - фотоэлектрических характеристик гетероструктуры CdS/por-Si/p-Si за счет управляемого изменения профиля

распределения концентрации акцепторной примеси в базовой области гетероперехода por-Si/p-Si путем задания значений плотности тока и длительности процесса анодного электрохимического травления при формировании пленки пористого кремния.

Использование результатов диссертационной работы

Научные результаты, полученные в диссертационной работе, использовались при проведении научно-исследовательской работы, выполняемой в РГУ имени С.А. Есенина в рамках государственного задания Минобрнауки России по темам: «Исследование электрофизических характеристик полупроводниковых гетероструктур преобразователей солнечной энергии» №01201151731 (2012-2014 г.г.); «Исследование механизмов стабилизации оптических и электрофизических характеристик гетероструктур, содержащих пористые полупроводники» №114120470064 в 2015 г.

Научные результаты диссертационной работы использовались в ООО «ЛазерВариоРакурс» при разработке технологии формирования p-n-перехода в полупроводниковых структурах на основе монокристаллического кремния и пленки пористого кремния с помощью лазерного излучения.

Результаты диссертационной работы использовались при проведении учебного процесса в РГУ имени С.А. Есенина по основным профессиональным образовательным программам высшего образования бакалавриата 16.03.01 «Техническая физика», направленность (профиль) «Физическая электроника» и магистратуры 16.04.01 «Техническая физика», направленность (профиль) «Инновационные технологии в науке и на производстве». Результаты использовались при подготовке лекционного материала и лабораторного практикума по дисциплинам «Физика наноразмерных структур», «Микро- и наноэлектроника», «Практикум по микро- и наноэлектронике», «Физика тонкопленочных покрытий» (бакалавриат), «Современные проблемы технической физики» (магистратура).

Апробация работы

Основные научные результаты диссертационной работы обсуждались на следующих конференциях: 52-я Научная конференция МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук» (Москва, 2009 г.); I, III Всероссийская научно-практическая конференция «Актуальные вопросы развития современной науки, техники и технологий» (Москва, 2009,

2011 г.г.); I Всероссийская научно-практическая конференция «Научно-практические аспекты развития современной техники и технологий в условиях курса на инновации» (Санкт-Петербург, 2010 г.); X Международная научно-практическая конференция «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности» (Санкт-Петербург, 2010 г.); III Межвузовская научно-практическая конференция «Новые технологии и инновационные разработки» (Тамбов, 2010 г.); Научно-практическая конференция «Инновации в науке, производстве и образовании» (Рязань, 2011, 2013 г.г.); XIII Международная научно-практическая конференция «Фундаментальные и прикладные исследования, разработка и применение высоких технологий в промышленности и экономике» (Санкт-Петербург,

2012 г.); II, III International Research and Practice Conference «European Science

and Technology» (Wiesbaden, Germany, 2012, Munich, Germany, 2012); IX

Международная конференция «Кремний-2012» (Санкт-Петербург, 2012 г.);

Международный научный семинар, Россия- КНР, «Физика лазерных

процессов и применение» (Рязань, 2012 г.); VIII Международная научно-

техническая конференция «Фундаментальные и прикладные проблемы

физики» (Саранск, 2013 г.); V International Research and Practice Conference

«Science and Education» (Munich, Germany, 2014); Международная

конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-

Петербург, 2014, 2018 г.г.); VIII Всероссийская школа-семинар студентов,

аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика

наноматериалов и наноструктур» (Рязань, 2015 г.); VI Всероссийская

молодежная конференция по фундаментальным и инновационным вопросам

19

современной физики (Москва, ФИАН, 2015 г.); XXV Международная конференция «Лазерно-информационные технологии в медицине, биологии, геоэкологии и транспорте» (Новороссийск, 2017 г.); III International scientific-practical conference «General question of world science» (Luxembourg, 2017); Международная научно-практическая конференция «Стратегии исследования в естественных и технических науках» (Белгород, 2018 г.).

Публикации

По теме диссертационной работы опубликована 1 монография, 37 статей (из них 33 статьи из перечня, рекомендованного ВАК РФ, 16 статей входят в базы данных Web of Science и Scopus), 27 тезисов докладов, получено 2 патента на изобретение.

Личный вклад автора

Во всех публикациях, выполненных в соавторстве, автором диссертации производилась постановка задачи исследования, внесен основной вклад в анализ и обобщение теоретических и экспериментальных результатов. Экспериментальные образцы изготавливались автором в лабораториях РГУ имени С.А. Есенина. Автором разработано и изготовлено следующее экспериментальное оборудование: установка для формирования пленок пористого кремния; установка для исследования спектров отражения, поглощения и фотолюминесценции на основе спектрометра USB-4000-VIS-NIR (Ocean Optic, USA); установка для исследования спектров фотоэдс и фототока на основе монохроматора УМ-2. Исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик экспериментальных образцов с помощью цифрового измерителя иммитанса Е7-20 (МНИПИ, Белоруссия) проводились автором самостоятельно.

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Трегулов Вадим Викторович, 2022 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Canham L. Porous Silicon Application Survey / L. Canham // Handbook of Porous Silicon / edited by L. Canham.- Springer International Publishing AG, part of Springer Nature.- 2018.- P. 1089 - 1098.

2. Koshida N. Porous Silicon Acoustic Devices / N. Koshida // Handbook of Porous Silicon / edited by L. Canham.- Springer International Publishing AG, part of Springer Nature.- 2018.- P. 1241 - 1250.

3. Golovan L.A. Nonlinear Optical Properties of Porous Silicon / L.A. Golovan // Handbook of Porous Silicon / edited by L. Canham. -Springer International Publishing AG, part of Springer Nature.- 2018.- P. 363 -394.

4. Hadjersi T., Gabouze N. Photodetectors based on porous silicon produced by Ag-assisted electroless etching / T. Hadjersi, N. Gabouze // Optical Materials. -2008. - №30. - P. 865-869.

5. Dzhafarov T., Bayramov A. Porous Silicon and Solar Cells / T. Dzhafarov, A. Bayramov // Handbook of Porous Silicon / edited by L. Canham.- Springer International Publishing AG, part of Springer Nature.- 2018.-P. 1479 - 1492.

6. Акципетров О.А. Анизотропные фотонные кристаллы и микрорезонаторы на основе мезопористого кремния / О.А. Акципетров, Т.В. Долгова, И.В. Соболева, А.А. Федянин // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, №1. - С. 150-152.

7. Band edge discontinuities and carrier transport in c-Si/porous silicon heterojunctions / Md.N. Islam, S.K. Ram, S. Kumar // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2007. - Vol. 40, № 19. - P. 5840-5846.

8. Vasquez M.A., Romero-Paredes G., Pena-Sierra R. Electrical transport phenomena in nanostructured porous-silicon films / M.A. Vasquez, G. Romero-Paredes, R. Pena-Sierra // Revista Mexicana de Fisica. - 2018. - №64. - P. 559565.

9. Striemer C.C. Dynamic etching of silicon for broadband antireflection applications / C.C. Striemer, P.M. Fauchet // Applied Physics Letters.- 2002. -Vol. 81, №. 16. - Р. 2980-2982.

10. Optical Properties of Black Silicon with Precipitated Silver and Gold Nanoparticles / R. Jarimaviciute-Zvalioniene, I. Prosycevas, Z. Kaminskiene, S. Lapinskas // Acta Physica Polonica A. 2011. - Vol. 120, №. 5. - Р. 942-945.

11. Aliaghayee M. A new method for improving the performance of dye sensitized solar cell using macro-porous silicon as photoanode / M. Aliaghayee, H. Ghafoori Fard, A. Zandi // J. Porous Mater. - 2015. - №. 22. - P. 1617 - 1626.

12. Головань Л.А. Оптические свойства нанокомпозитов на основе пористых систем / Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Успехи физических наук. - 2007. - Т. 177, №6. - С. 619-638.

13. Porous silicon passivation for applications in sensors and photovoltaics: Optical characterization / R.P. Toledo, C.E.S. Dias, D.R. Huanca, [at all] // 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro).- Belo Horizonte.- 2016. - P. 1-4.

14. Panes P. Porous silicon layer as antireflection coating in solar cells / P. Panes, M. Lipinski, H. Czternastek // Optoelectronics review. - 2000. - Vol. 1, №8. - P. 57 - 59.

15. Chaoui R. Screen-printed solar cells with simultaneous formation of porous silicon selective emitter and antireflection coating / R. Chaoui, A. Messaoud // Desalination. - 2007. - № 209. - P. 118-121.

16. Kwon H. Investigation of Antireflective Porous Silicon Coating for Solar Cells / H. Kwon, J. Lee, M. Kim, S. Lee // International Scholarly Research Network (ISRN Nanotechnology).- 2011.- № 5, Article ID 716409. - 4 p.

17. Глубокое диффузионное легирование макропористого кремния / Е.В. Астрова, В.Б. Воронков, И.В. Грехов [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 1999. - Т. 25, вып. 23. - C. 72-79.

18. Patent № 8.227.881 B2 United States, Int. Cl. H01L 27/14 (2006.01).

Solar cell and its method of manufacture: № US 2007/0238216 A1: prior

254

publication 11.10.2007: date of patent 24.07.2012 / Sang-Wook Park, Suwon-Si (KR). - 11 p.

19. Giuseppe Barillaro Porous Silicon Gas Sensing / Giuseppe Barillaro // Handbook of Porous Silicon / edited by L. Canham.- Springer International Publishing AG, part of Springer Nature.- 2018.- P. 1251-1262.

20. Ксенофонтова О.И. Пористый кремний и его применение в биологии и медицине // О.И. Ксенофонтова, А.В. Васин, В.В. Егоров, А.В. Бобыль и др. / Журнал технической физики. - 2014, Т. 84, № 1. - С. 67-78.

21. Serda R.E. Immunotherapy with Porous Silicon / R.E. Serda // Handbook of Porous Silicon / edited by L. Canham.- Springer International Publishing AG, part of Springer Nature.- 2018.- P. 1419 - 1432.

22. Helder A. Santos Chemotherapy with Porous Silicon / Helder A. Santos // Handbook of Porous Silicon / edited by L. Canham.- Springer International Publishing AG, part of Springer Nature.- 2018.- P. 1403 - 1417.

23. Baker C., Gole J.L. Interface Modifications of Porous Silicon for Chemical Sensor Applications / C. Baker, J.L. Gole // JSM Nanotechnology Nanomedicine. - 2014. - Vol.2, №1. - P. 1020 - 1031.

24. Badawy W.A. Porous Silicon Modified Photovoltaic Junctions an Approach to High-Efficiency Solar Cells and Environmentally Safe Energy Conversion / W.A. Badawy // ISESCO Science and Technology Vision. - 2007. -Vol. 3, № 3. - P.43-48.

25. Khaldun A.S. Effective conversion efficiency enhancement of solar cell using ZnO/PS antireflection coating layers / A.S. Khaldun, O. Khalid, Z. Hassan // Solar Energy. - 2012. - № 86. - P. 541-547.

26. ZnO/Porous-silicon photovoltaic UV detector / A.M. Suhail, S. Salman, F.E. Naoum [at all] // Journal of Electron Devices.- 2012. -Vol. 13. - P. 900-909.

27. Mahdi M.A. High-Quality ZnCdS Nanosheets Prepared Using Solvothermal Synthesis / M.A. Mahdi, J.J. Hassan, S.S. Ng, Z. Hassan // Journal of Nanoscience.- 2013. - Article ID 897638. - P. 1-6.

28. Zhang P. Nanostructured CdS prepared on porous silicon substrate: Structure, electronic, and optical properties / P. Zhang, P.S. Kim, T.K. Sham // J. Appl. Phys. - Vol. 91, №. 9.- 2002. - P. 6038-6043.

29. CdS nanocrystalline structured grown on porous silicon substrates via chemical bath deposition method/ M.A. Mahdi, Asmiet Ramizy, Z. Hassan [at all] // Chalcogenide Letters. - Vol. 9, № 1. - 2012. - P. 19 - 25.

30. Davidenko N.A. Cadmium sulfide-porous silicon nanocomposite structures / N.A. Davidenko, G.V. Kuznetsov, Yu.S. Milovanov // Ukr. J. Phys. -2013. - Vol. 58, № 2. - P. 163 - 170.

31. Fabrication of nanostructure CdS thin film on nanocrystalline porous silicon / S.A. Hasoon, I.M. Ibrahim, M.S. Raad [at all] // International Journal of Current Engineering and Technology. - 2014. - Vol. 4, №.2. - P. 594-601.

32. Jafarov M.A. Nano-CdS/porous silicon heterojunction for solar cell / M.A. Jafarov, E.F. Nasirov, S.A. Jahangirova // International Journal of Scientific and Engineering Research. - 2015. - Vol. 6, № 7. - P. 849- 853.

33. Abd A.N. Improved photoresponse of porous silicon photodetectors by embedding CdS nanoparticles / A.N. Abd // World Scientific News. - 2015. -Vol.19. - P. 32-49.

34. Электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов c-Si/пористый-Si/CdS / Г.М. Мамедов, А. Кукевеч, З. Коня [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2018. - Т. 61, № 9. -C. 96-101.

35. Получение эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений на пористых подложках (обзор) / А.О. Султанов, Н.И. Каргин, А.С. Гусев [и др.] // Известия вузов. Северо-Кавказский регион. Технические науки. - 2013. - № 2. - С.106-112.

36. Eesa M.W. Porous silicon effect on the performance of CdS nanoparticles photodetector / M.W. Eesa, M.M. Abdullah // International Journal of Current Engineering and Technology. - 2016. -Vol. 6, № 4. - P. 1372-1376.

37. Зимин С.П. Пористый кремний- материал с новыми свойствами / С.П. Зимин // Соросовский образовательный журнал. - 2004. - Т. 8, № 1. -С. 101-107.

38. Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием / Е.В. Астрова, В.В. Ратников, Р.Ф. Витман [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 1997. - Т. 31, вып. 10. - С. 1261-1268.

39. Влияние термических отжигов и химических воздействий на фотолюминесценцию пористого кремния / Е.А. Шелонин, М.В. Найденкова, А.М. Хорт [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 1998. - Т. 32, вып. 4. - С. 494-496.

40. Леньшин А.С. Особенности оптических характеристик пористого кремния и их модификация с использованием химической обработки поверхности / А.С. Леньшин // Физика и техника полупроводников. - 2018. Т. 52, вып. 3. - С. 342-348.

41. О.Ю. Шевченко Оптические свойства нанопористого кремния, пассивированного железом / О.Ю. Шевченко, Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 5. -С. 669-673.

42. Кашкаров П.К. Необычные свойства пористого кремния / П.К. Кашкаров // Соросовский образовательный журнал.- 2001.- Т. 7, № 1.- С. 102-107.

43. Porous Silicon: From Formation to Application. Vol.1. Porous Silicon: Formation and Properties / edited by G. Korotcenkov. - Taylor and Francis Group, LLC, 2016. - 423 p.

44. Algun G. An Investigation of Electrical Properties of Porous Silicon / G. Algun, M.C. Arikan // Tr. J. of Physics. - 1999. - № 23. - P. 789-797.

45. Батенков В.А. Электрохимия полупроводников / В.А. Батенков. -Барнаул: Изд-во Алтайского университета, 2002. - 162 с.

46. Properties of Porous Silicon / edited by L. Canham. - London: INSPEC,

The Institution of Electrical Engineers, 1997.- 416 p.

257

47. Горячев Д.Н. О механизме образования пористого кремния / Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели // Физика и техника полупроводников. -

2000. - Т. 34, вып. 9. - C. 1130-1134.

48. Гаврилов С.А., Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. Механизм кислородной пассивации пористого кремния в растворах HF:HCl:C2H5OH / С.А. Гаврилов, А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, вып. 1. - С. 104-108.

49. Zhang X.G. Electrochemistry of Silicon and Its Oxide / X.G. Zhang.-New York, Boston, Dordrecht, London, Moscow: Kluwer Academic Publishers,

2001. - p. 510.

50. Приготовление и исследование карбидизированного пористого кремния/ О.М. Сресели, Д.Н. Горячев, В.Ю. Осипов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, вып. 5. - С. 604-610.

51. Лисаченко М.Г. Особенности рекомбинации неравновесных носителей заряда в образцах пористого кремния с различной морфологией наноструктур / М.Г. Лисаченко, Е.А. Константинов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, вып. 3. - C. 344-348.

52. Горячев Д.Н. Электролитический способ приготовления пористого кремния с использованием внутреннего источника тока / Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, вып. 4. - С. 494-498.

53. Kolasinski K.W. Porous Silicon Formation by Stain Etching / K.W. Kolasinski // Handbook of Porous Silicon / edited by L. Canham. - Switzerland, Springer International Publishing. - 2014. - P. 624-637.

54. Каганович Э.Б. Фоточувствительные структуры на пористом кремнии / Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников // Физика и техника полупроводников. - 1999. - Т. 33, вып. 3. - C. 327-331.

55. Венгер Е.Ф. Влияние водородной плазмы на спектр электроотражения и спектр электронных состояний пористого кремния / Е.Ф.

258

Венгер, Р.Ю. Голиней, Л.А. Матвеева, А.В. Васин // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, вып. 1. - C. 104-109.

56. Жарова Ю.А. Поверхностные наноструктуры, формирующиеся на ранних стадиях металл-стимулированного химического травления кремния. Оптические свойства наночастиц серебра / Ю.А. Жарова, В.А. Толмачев, А.И. Бедная, С.И. Павлов // Физика и техника полупроводников. - 2018. - Т. 52, вып. 3. - С. 333-336.

57. Levy-Clement C. Porous Silicon Formation by Metal Nanoparticle-Assisted Etching / C. Levy-Clement // Handbook of Porous Silicon / edited by L. Canham. - Switzerland, Springer International Publishing. - 2014. - P. 593-608.

58. Kurek A. Metal-assisted chemical etching using sputtered gold: a simple route to black silicon / A. Kurek, S.T. Barry // Sci. Technol. Adv. Mater.-2011. -№12. - 045001.

59. Георгобиани В.А. Структурные и фотолюминесцентные свойства нанонитей, формируемых металл-стимулированным химическим травлением монокристаллического кремния различной степени легирования / В.А. Георгобиани, К.А. Гончар, Л.А. Осминкина, В.Ю. Тимошенко // Физика и техника полупроводников.- 2015. - Т. 49, вып. 8. - С. 1050-1055.

60. Филиппов В.В. Спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения пористого кремния, подвергнутого анодному окислению и травлению / В.В. Филиппов, В.П. Бондаренко, П.П. Першукевич // Физика и техника полупроводников. - 1997. - Т. 31, вып. 9. - С. 1135-1141.

61. Аверкиев Н.С. Переходный фототок и фотолюминесценция в пористом кремнии / Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Ю.П. Пирятинский, Н.Н. Смирнова // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, вып. 10. C. 1244-1247.

62. Изменение свойств системы пористый Si/Si при постепенном стравливании слоя пористого Si / Е.Ф. Венгер, Т.Я. Горбач, С.И. Кириллова [и др.] // Физика и техника полупроводников.-2002.-Т.36, вып. 3.-С. 349-354.

63. Canham L. Introductory lecture: origins and applications of efficient visible photoluminescence from silicon-based nanostructures / L. Canham // Faraday Discuss. - 2020. - № 222. - P. 10-81.

64. Лазарук С.К. Эффективность лавинных светодиодов на основе пористого кремния / С.К. Лазарук, А.А. Лешок, В.А. Лабунов, В.Е. Борисенко// Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, вып. 1. - С. 149-152.

65. Берашевич Ю.А. Электролюминесценция в пористом кремнии при обратном смещении барьера Шоттки / Ю.А. Берашевич, С.К. Лазарук, В.Е. Борисенко // Физика и техника полупроводников. - 2006. - Т. 40, вып. 2. - С. 240-245.

66. Евтух А.А. Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний/монокристаллический кремний / А.А. Евтух, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, Н.А. Семененко // Физика и техника полупроводников. - 2006. - Т. 40, вып. 2. - С. 180-184.

67. Образцов А.Н. Поглощение света и фотолюминесценция пористого кремния / А.Н. Образцов, В.А. Караванский, Х. Окуши, Х. Ватанабе // Физика и техника полупроводников. - 1998. - Т. 32, вып. 8. - С. 1001-1005.

68. Prabakaran R. Optical and microstructural investigations of porous silicon / R. Prabakaran, R. Kesavamoorthy, A. Singh // Bull. Mater. Sci. - 2005. -Vol. 28, № 3. - P. 219-225.

69. Sohn H. Refractive Index of Porous Silicon / H. Sohn // Handbook of Porous Silicon / edited by L. Canham.- Switzerland, Springer International Publishing.- 2014.- P. 796-807.

70. Горячев Д.Н. Формирование толстых слоев пористого кремния при недостаточной концентрации неосновных носителей / Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели // Физика и техника полупроводников. - 2004. - Т. 38, вып. 6. - С. 739-744.

71. Мельник Н.Н. Исследование структуры толстой пленки пористого кремния методами фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света

/ Н.Н. Мельник, В.В. Трегулов // Краткие сообщения по физике ФИАН. -2015. - №3. - С. 19-24.

72. Yang M. Study of the Raman peak shift and the linewidth of light-emitting porous Silicon / M. Yang, D. Huang, P. Hao // J. Appl. Phys. - 1994. -Vol. 75, № 1. - P. 651-653.

73. Взаимосвязь морфологии пористого кремния с особенностями спектров комбинационного рассеяния света / Б.М. Булах, Б.Р. Джумаев, Н.Е. Корсунская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, вып. 5. - С. 587-592.

74. Лазарук С.К. Использование процессов горения и взрыва наноструктурированного пористого кремния в микросистемных устройствах/ С.К. Лазарук, А.В. Долбик, В.А. Лабунов, В.Е. Борисенко // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 9. - С. 1130-1134.

75. Зимин С.П. Влияние кратковременного отжига на проводимость пористого кремния и переходное сопротивление контакта алюминий-пористый кремний / С.П. Зимин, Е.П. Комаров // Письма в ЖТФ.- 1998. - Т. 24, № 6. - С. 45-51.

76. Зимин С.П. Классификация электрических свойств пористого кремния / С.П. Зимин // Физика и техника полупроводников. - 2000. - Т. 34, вып. 3. - С. 359 - 363.

77. О влиянии процесса окисления на эффективность и спектр люминесценции пористого кремния / Б.М. Булах, Н.Е. Корсунская, Л.Ю. Хоменкова, и др. // Физика и техника полупроводников.- 2006.- Т. 40, вып. 5.-С. 614-620.

78. Костишко Б.М. Стабилизация светоизлучающих свойств пористого кремния термовакуумным отжигом / Б.М. Костишко, И.П. Пузов, Ю.С. Нагорнов // Письма в ЖТФ. - 2000. - т. 26, вып. 1. - С. 50-55.

79. Белогорохов А.И. Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных с использованием электролита HCl:HF:C2H5OH / А.И.

Белогорохов, Л.И. Белогорохова // Физика и техника полупроводников.-1999.- Т. 33, вып. 2. - С. 198-204.

80. Электрофизические свойства мезопористого кремния, пассивированного железом / Д.И. Биленко, В.В. Галушка, Э.А. Жаркова [и др.] // Физика и техника полупроводников.-2013.-Т.48,вып.10.-С.1405- 1408.

81. Фотоэлектрические и фотовольтаические свойства структур на основе мезопористого кремния, пассивированного железом / Д.И. Биленко, В.В. Галушка, Э.А. Жаркова [и др.] // Физика и техника полупроводников. -2014. - Т. 48, вып. 10. - С. 1405- 1408.

82. Казакова Л.П. Переходный фототок в структурах аморфный, пористый полупроводник-кристаллический полупроводник / Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев // Физика и техника полупроводников.- 1998.- Т. 32, вып. 2.- C. 187-191.

83. Казакова Л.П. Переходный ток, ограниченный пространственным зарядом в пористом кремнии / Л.П. Казакова, А.А. Лебедев, Э.А. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 1997. - Т. 31, вып. 5. - C. 609-610.

84. Аверкиев Н.С. Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом кремнии / Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, Н.Н. Смирнова // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Т.35, вып.5. - C.609-611.

85. Аверкиев Н.С. Перенос носителей заряда в пористом кремнии / Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Н.Н. Смирнова // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, вып. 3. - C. 355-359.

86. Аверкиев Н.С. Переходный фототок и фотолюминесценция в пористом кремнии / Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Ю.П. Пирятинский, Н.Н. Смирнова // Физика и техника полупроводников.-2003.-Т.37, вып. 10.- C. 1244-1247.

87. Слободчиков С.В. О токопереносе в пористом p-Si и структурах Pd-(пористый Si) / С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.В. Руссу // Физика и техника полупроводников.- 1998.- Т. 32, вып. 9.- C. 1073-1075.

88. Электролюминесценция и вольт-амперные характеристики структур на основе пористого кремния n-типа / Э.Ю. Бучин, Н.А. Лаптев, А.В. Проказников [и др.] // Письма в ЖТФ.- 1997.- Т.23, вып. 11.- С. 70-76.

89. Денисов А.А. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней /

A.А. Денисов, В.Н. Лактюшкин, Ю.Г. Садофьев // Обзоры по электронной технике. Серия 7. Технология, организация производства и оборудование. -Москва: ЦНИИ «Электроника», 1985. -Вып. 15(1141). -52 с.

90. Ермачихин А.В. Автоматизированный измерительный комплекс токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней / А.В. Ермачихин,

B.Г. Литвинов // Приборы и техника эксперимента.-2018.- № 2.- С. 118-123.

91. Калыкова Г.К. Исследование свойств мезопористого кремния / Г.К. Калыкова, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. - 2005. - Т.2, №2. - С.101-104.

92. Трегулов В.В. Метод токовой РСГУ для исследования поверхностных состояний в гетероструктурах фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии / В.В. Трегулов // Вестник Тамбовского государственного технического университета. -2011. - Т.17,№ 3. -С.752-756.

93. Трегулов В.В. Исследование поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p) / В.В. Трегулов, В.А. Степанов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико- математические науки. - 2011. - Т.19, №3. - С. 140- 150.

94. Трегулов В.В. Применение метода РСГУ для исследования поверхностных состояний в гетероструктурах фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии / В.В. Трегулов // Сборник трудов научно-практической конференции «Инновации в науке, производстве и образовании» 24-26 октября 2011 г.- Рязань, РГУ имени С.А. Есенина.-2011.- С. 25-28.

95. Степанов В.А. Влияние поверхностных состояний на высоту

потенциального барьера для электронов в гетероструктурах CdS/Si(p),

263

изготовленных методом гидрохимического осаждения / В.А.Степанов, В.В. Трегулов // Научно-технический вестник Поволжья.- 2011.- № 2.- С. 22-25.

96. Вывенко О.Ф. Оптимизация корреляционной процедуры в методах термостимулированной релаксационной спектроскопии полупроводников / О.Ф. Вывенко, А.А. Истратов // Физика и техника полупроводников. - 1992. -Т. 26, вып. 10. - C. 1693-1700.

97. Ray A.K. Transport mechanisms in porous silicon / A.K. Ray, M.F. Mabrook, A.V. Nabok // Journal of Applied Physics.-1998.- Vol. 84, № 6. P. 3232- 3235.

98. Таларико О.С. Исследование механизмов токопрохождения в тонких пластинах рубрена, изготовленных газотранспортным методом / О.С. Таларико, В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Письма в журнал технической физики. - 2016. - Т.42, №22. - С. 16-22.

99. Фаренбух А. Солнечные элементы: Теория и эксперимент / А. Фаренбух, Р. Бьюб. - М.: Энергоатомиздат, 1987. - 280 с.

100. Трегулов В.В. Методика исследования поверхностных состояний в резких несимметричных гетероструктурах CdS/ p-Si / В.В. Трегулов // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико- математические науки. -2012. - Т.146, №2 . - С. 27-32.

101. Трегулов В.В. Способ определения плотности поверхностных состояний в гетероструктурах CdS/Si(p) на основе анализа вольт-фарадных характеристик / В.В. Трегулов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико- математические науки. - 2012. - Т.23, №3. - С. 124- 132.

102. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. В 2 т. Т.1.,Т.2 / С.М. Зи. - М.:Мир, 1984. - 456 с.

103. Jarimaviciute-Zvalioniene R. Investigation of electrochemically

produced black silicon with silver nanoparticles / R. Jarimaviciute-Zvalioniene, Z.

Kaminskiene, I. Prosycevas, S. Lapinskas // Przeglad Elektrotechniczny (Electrical

Review). - 2012. - Vol. 10, № 88. - P. 311-313.

264

104. Black silicon: fabrication methods, properties and solar energy applications / X. Liu, P.R. Coxon, M. Peters [at all] // Energy & Environmental Science. - 2014. - № 7. - P. 3223-3263.

105. Marthi S.R. Optical Properties of Black Silicon: An Analysis / S.R. Marthi, S. Sekhri, N.M. Ravindra // JOM: Journal of the Minerals, Metals, and Materials Society. - 2015. - P. 1-7.

106. Гончар К.А. Увеличение интенсивности фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в одномерных фотонных кристаллах на основе пористого кремния / К.А. Гончар, Г.К. Мусабек, Т.И. Таурбаев, В.Ю. Тимошенко // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т.45, № 5. - С. 625- 628.

107. Сакун Е.А. Разработка пористых структур на кремнии / Е.А. Сакун, А.В. Полюшкевич, П.А. Харлашин, О.В. Семенова, А.Я. Корец // Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии. -2010. - Т.4, №3. - С. 430-443.

108. Chang-Ho C. Size Effects in Raman Scattering of Porous Silicon / C. Chang-Ho, S. Young-Seok, N. Hoonkyun, K. Youngyou // Journal of the Korean Physical Society. - 1998. - Vol. 33, № 3. - P. 292-296.

109. Исследование ИК фотодиодов на основе РbТе, полученных на буферном подслое пористого кремния / Л.В. Беляков, И.Б. Захарова, Т.Н. Зубкова [и др.] // Физика и техника полупроводников.-1997.- Т. 31, вып. 1. -C. 93-95.

110. Структурные и морфологиче^ие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на «податливой» подложке por-Si(111) / П.В. Середин, Д.Л. Голощапов, Д.С. Золотухин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2019. - Т. 53, вып. 8. - С. 1141- 1151.

111. Degans H. Plasma texturing and porous Si mirrors boost thin-film Si solar efficiency / H. Degans, I. Kuzma, G. Beaucarne, J. Poortmans // Photovoltaics International journal. - 2008. - Vol.1. - P. 83-85.

112. Solar cells from upgraded metallurgical-grade silicon purified by metallurgical routes / A.D.S. Cortes, D.S. Silva, G.A. Viana [at all] // Journal of Renewable and Sustainable Energy.-2013.- № 5. - 023129.

113. Upgraded metallurgical-grade silicon solar cells with efficiency above 20% / P. Zheng, F.E. Rougieux, C. Samundsett [at all] // Applied Physics Letters. -2016. - № 108. - 122103.

114. Epitaxial Solar Cells Over Upgraded Metallurgical Silicon Substrates: The Epimetsi Project / P. Sanchez-Friera [at all] // IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conference. - Waikoloa, 2006. - P. 1548-1551.

115. Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов / Б.Н. Мукашев, А.А. Бетекбаев, Д.А. Калыгулов [и др.] // Физика и техника полупроводников. -2015. - Т. 49, вып. 10. - С. 1421-1428.

116. Approaches to the development of environmentally friendly and resource-saving technology for solar-grade silicon production / S.M. Karabanov, D.V. Suvorov, D.Y. Tarabrin [at all] // MRS Advances. - 2019. - Vol. 4, № 35.-P.1937-1947.

117. Karabanov S. Equipment and Technology for Solar Grade Silicon Production / S. Karabanov, E. Trunin, O. Trunina // Book of Abstracts of the 8th World Renewable Energy Congress. August 29 - September 3, 2004. - Denver, Colorado USA. - 2004. - P. 304.

118. Ushasree P.M. Silicon Solar Cells / P.M. Ushasree, B. Bora // Solar Energy Capture Materials / edited by E.A. Gibson. - 2019. - P. 1-55.

119. Xakalashe B.S. Silicon processing: from quartz to crystalline silicon solar cells / B.S. Xakalashe, M.Tangstad // Southern African Pyrometallurgy 2011, International Conference. 6-9 March 2011.- Johannesburg.- 2011. - P. 83-99.

120. Карабанов С.М. Кремний для солнечной энергетики / С.М. Карабанов, Е.Б. Трунин, О.Е. Трунина // Электронная промышленность. -2003. - №4. - С. 99-105.

121. Трунин Е.Б. Дешевый кремний для солнечной энергетики / Е.Б. Трунин, О.Е. Трунина, В.В. Трегулов // Сборник трудов научно-практической конференции «Инновации в науке, производстве и образовании» 24-26 октября 2011 г.- Рязань, РГУ имени С.А. Есенина.- 2011.- С. 64-67.

122. Silicon Nanocrystals: Fundamentals, Synthesis and Applications / edited by Lorenzo Pavesi and Rasit Turan.- Weinheim: WILEY-VCH Verlag GmbH & Co, 2010. - 627 p.

123. Вайнштейн Ю.С. Поверхностные плазмон-поляритоны в композитной системе пористый кремний-золото / Ю.С. Вайнштейн, Д.Н. Горячев, О.С. Кен, О.М. Сресели // Физика и техника полупроводников.-2015. - Т. 49, вып. 4. - С. 453-458.

124. Gangadevi K. Optical studies on ClAlPc (dye) decorated porous silicon for solar cell application / K. Gangadevi, K. Ramachandran, R. Srinivasan // International Journal of Scientific and Engineering Research. - 2014. - Vol. 5, № 3. - P. 178-180.

125. Николенко Л.М. Коллоидные квантовые точки в солнечных элементах / Л.М. Николенко, В.Ф. Разумов // Успехи химии.- 2013.- Т. 82, №5. - С.429 - 448.

126. Habubi N.F. Improved photoresponse of porous silicon photodetectors by embedding CdSe nanoparticles / N.F. Habubi, R.A. Ismail, A.N. Abd, W.K. Hamoudi // Indian Journal of Pure and Applied Physics. - 2015. - Vol. 53. - P. 718-724.

127. Биленко Д.И. Влияние адсорбции на электрофизические свойства структур на основе окисленного пористого кремния / Д.И. Биленко, О.Я. Белобровая, Э.А. Жаркова и др. // Физика и техника полупроводников. -2002.- Т. 36, № 4. - С. 490-495.

128. Биленко Д.И. Свойства структур на основе окисленного пористого кремния при воздействии освещения и газовых сред / Д.И. Биленко, О.Я. Белобровая, Э.А. Жаркова // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, № 7. - С. 834-838.

129. Биленко Д.И. Влияние давления атмосферного воздуха на токоперенос в структурах с окисленным пористым кремнием / Д.И. Биленко, О.Я. Белобровая, Э.А. Жаркова и др. // Физика и техника полупроводников. -2007. - Т. 41, № 8. - С. 945-949.

130. Ramírez-González F., García-Salgado G., Rosendo E., at all Porous Silicon Gas Sensors: The Role of the Layer Thickness and the Silicon Conductivity / F. Ramírez-González, G. García-Salgado, E. Rosendo, T. Díaz, F. Nieto-Caballero, A. Coyopol, R. Romano, A. Luna, K. Monfil, E. Gastellou // Sensors. -2020. - № 20. - P. 4942 - 4952.

131. Болотов В.В. Формирование многослойных структур с интегрированными мембранами на основе пористого кремния/ В.В. Болотов, К.Е. Ивлев, Е.В. Князев, И.В. Пономарева, В.Е. Росликов // Физика и техника полупроводников. - 2020. - Т. 54, № 5. - С. 504 - 509.

132. Chaoui R. Contribution of the Photoluminescence Effect of the Stain Etched Porous Silicon In Improvement of Screen Printed Silicon Solar Cell Performance / R. Chaoui, B. Mahmoudi, A.Y. Si // Revue des Energies Renouvelables. - 2013. - Vol. 16, № 2. - P. 347 - 356.

133. Лидин Р.А. Химические свойства неорганических веществ / Р.А. Лидин, В.А. Молочко, Л.Л. Андреева. - М.: КолосС, 2006. - 480 с.

134. Salcedo W.J. Influence of laser excitation on Raman and photoluminescence spectra and FTIR study of porous silicon layers / W.J. Salcedo, F.R. Fernandez, J.C. Rubimc // Brazilian Journal of Physics. - 1999. - Vol. 29, № 4. - P. 751 - 755.

135. Оптические характеристики различных структур пористого кремния / А.С. Леньшин, В.М. Кашкаров, П.В. Середин [и др.] //Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, вып. 2. - С.70-75.

136. Копылов А.А. Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол / А.А. Копылов, А.Н. Холодилов // Физика и техника полупроводников.-1997.- Т.31, вып. 5.- C. 556-558.

137. Исследование процесса карбонизации и окисления пористого кремния методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и ИК-спектроскопии / А.В. Васин, П.Н. Охолин, И.Н. Веровский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 360-364.

138. Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках n- и p- типа, методами XANES и ИК спектроскопии / А.С. Леньшин, В.М. Кашкаров, П.В. Середин [и др.]// Физика и техника полупроводников.-2011.-Т.45,вып.9.-С.1229-1234.

139. Гаврилов С.А. Электрохимические процессы в технологии микро-и наноэлектроники / С.А. Гаврилов, А.Н. Белов. - М.: Высшее образование, 2009. - 257 с.

140. Патент № 2568954 Российская Федерация, МПК H01L 32/02 (2010.01), B82B 3/00 (2006.01). Способ получения пористого кремния со стабильной фотолюминесценцией: № 2014122726/28: заявлено 03.06.2014: опубликовано 20.11.2015 / Мельник Н.Н., Трегулов В.В. - 5 с.: ил. - Текст: непосредственный.

141. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии: Пер. с англ. / К. Рейви. - М.: Мир, 1984. - 475 с.

142. Влияние ионно-индуцированного рельефа на высокодозное распыление графита / А.М. Борисов, Е.С. Машкова, А.С. Немов [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Термоядерный синтез. - 2004. - вып. 2. - С. 65 - 72.

143. Топорец А.С. Оптика шероховатой поверхности/ А.С. Топорец. -Л.: Машиностроение, 1988. - 191 с.

144. Ламперт М. Инжекционные токи в твердых телах / М. Ламперт, П. Марк. - М.: Мир, 1973. - 416 с.

145. Шарма Б.Л. Полупроводниковые гетеропереходы: Пер. с англ. / Под ред. Ю.В. Гуляева/ Б.Л. Шарма, Пурохит Р.К.-М.:Сов.радио,1979.- 232с.

146. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов / В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. - М.: Высш. шк, 1987. - 479 с.

269

147. Measuring Complex for Analysis of Recombination Deep Traps in Semiconductor Solar Cells / V.G. Litvinov, N.V. Vishnyakov, V.V. Gudzev [at all] // Proceedings of IEEE International Conference on Industrial Technology (ICIT). 17-19 March 2015. - Seville, Spain. - P. 1071-1074.

148. Ermachikhin A.V. An automated measuring system for current deep-level transient spectroscopy / A.V. Ermachikhin, V.G. Litvinov // Instruments and Experimental Techniques. - 2018. - Vol.61, № 2. - P. 277-282.

149. Investigation of the Influence of Deep-Level Defects on the Conversion Efficiency of Si-based Solar Cells / V.G. Litvinov, N.V. Vishnyakov, V.V. Gudzev [at all] // MRS Advances. - 2016. - Vol.1, № 14. - P. 911-916.

150. Gautier G. Porous silicon for electrical isolation in radio frequency devices: A review / G. Gautier, P. Leduc // Applied Physics Rewiews. - 2014. -№1.011101. - P.1 - 18.

151. Зимин С.П. Концентрация носителей заряда в монокристаллической матрице пористого кремния / С.П. Зимин // Письма в журнал технической физики. - 1995. - Т.21, вып. 24. - С. 46-50.

152. Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников / Г.П. Пека. - Киев: Высш. школа, 1984. - 214 с.

153. Влияние адсорбции паров воды на вольт-фарадные характеристики гетероструктур с пористым кремнием / Е.А. Тутов, Е.Н. Бормонтов, В.М. Кашкаров [и др.] // Журнал технической физики.- 2003.- Т. 73, вып. 11. - С. 83 - 89.

154. Barsoukov E. Impedance Spectroscopy Theory, Experiment and Applications / E. Barsoukov, J.R. Macdonald. - New Jersey: Published by John Willey & Sons Inc., 2005. - 595 p.

155. Стройнов З.Б. Электрохимический импеданс / З.Б. Стройнов, Б.М. Графов, Б. Саввова-Стройнова. - М.: Наука, 1991. - 336 с.

156. Поклонский Н.А. Эквивалентная схема замещения кремниевых диодов, облученных высокими флюенсами электронов / Н.А. Поклонский,

Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский // Журнал технической физики.- 2010. - Т. 80, вып. 10. - С.74-82.

157. Трегулов В.В. Рассеяние света в антиотражающем покрытии фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе кремния /

B.В. Трегулов, В.А. Степанов, Г.Н. Скопцова // Научно-технический вестник Поволжья. - 2013. - № 1. - С. 46-49.

158. Трегулов В.В. Улучшение и стабилизация оптических характеристик пористого кремния / В.В. Трегулов // Научно- технические ведомости СПбГПУ. Физико- математические науки. - 2013. - Т.170, №2. -

C.130-136.

159. Трегулов В.В. Влияние антиотражающего покрытия на электрофизические характеристики кремниевого фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии / В.В. Трегулов, Г.Н. Скопцова // Научно-технический вестник Поволжья. - 2013. - № 2. - С. 44-47.

160. Трегулов В.В. Особенности свойств пленок пористого кремния, сформированных на текстурированной подложке / В.В. Трегулов, М.В. Афонин, Ю.В. Воробьев, Н.М. Толкач // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. - 2013. - вып. 46, №4, часть 1. - С. 103-107.

161. Трегулов В.В. Исследование поверхности антиотражающего покрытия кремниевого фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе тонкой пленки пористого кремния / В.В. Трегулов, Н.В. Вишняков, Ю.В. Воробьев, Д.В. Алмазов // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. - 2014. - вып. 47, №1. -С. 113-116.

162. Трегулов В.В. Особенности высокочастотной вольт-фарадной характеристики фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе кремниевого р-п-перехода с антиотражающим слоем пористого кремния / В.В. Трегулов // Журнал технической физики. - 2014. - Т.84, №9. -С.153-154.

163. Трегулов В.В. Структура поверхности пленок пористого кремния, сформированных в электролите на основе ИБ с добавкой КМп04 / В.В. Трегулов, Н.В. Вишняков, Ю.В. Воробьев, В.В. Гудзев, Н.М. Толкач // Нано-и микросистемная техника. - 2014. - № 11. - С. 16-19.

164. Трегулов В.В. Особенности структуры пленок пористого кремния с развитой поверхностью / В.В. Трегулов // Вестник МГОУ. Серия: Физика-математика. - 2015. - №1. - С. 64-69.

165. Трегулов В.В. Особенности механизмов токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с п+-р-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния / В.В. Трегулов, В.А. Степанов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Журнал технической физики.- 2016.- Т.86, №11.-С. 91-94.

166. Трегулов В.В. Дефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Письма в журнал технической физики. - 2017. - Т.43, №21. - С. 3-9.

167. Трегулов В.В. Особенности электрофизических процессов в фотоэлектрическом преобразователе солнечной энергии с пленкой пористого кремния / В.В. Трегулов // Вестник Балтийского федерального университета им. И. Канта. Серия: Физико-математические и технические науки. - 2017. -№3. - С.64-73.

168. Трегулов В.В. Особенности частотной зависимости вольт-фарадных характеристик полупроводниковой структуры фотоэлектрического преобразователя на основе р-п-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния / В.В. Трегулов // Журнал технической физики. - 2018. -Т.88, №12. - С. 1863-1867.

169. Трегулов В.В. Механизмы токопрохождения в полупроводниковой

структуре фотоэлектрического преобразователя с п+-р-переходом и

антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом

272

окрашивающего травления / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Журнал технической физики. - 2019. - Т. 89, №5. - С. 737-743.

170. Трегулов В.В. Дефекты с глубокими уровнями в фотоэлектрическом преобразователе с антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной окрашивающим химическим травлением / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Письма в журнал технической физики. - 2019. - Т.45, №4. - С. 24-27.

171. Tregulov V.V. Investigation of the frequency dependence of the capacitance-voltage characteristics of a solar cell with an antireflective film of porous silicon / V.V. Tregulov, A.A. Krivushin // Slovak International Scientific Journal. - 2017. - №.6. - P.113 - 116.

172. Трегулов В.В. Влияние химической обработки поверхности пористого кремния на стабильность электрофизических характеристик гетероструктур / В.В. Трегулов // Труды 52-й Научной конференции МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук» - Москва. -2009. - Т.1, Часть 5. - С.190.

173. Трегулов В.В. Стабилизация электрофизических характеристик фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии на основе пористого кремния / В.В. Трегулов, Г.Н. Скопцова // Материалы I Всероссийской научно-практической конференции «Актуальные вопросы развития современной науки, техники и технологий» - Москва.- 2009.- С. 111-112.

174. Трегулов В.В. Стабилизация электрофизических характеристик полупроводниковых структур на основе пористого кремния / В.В. Трегулов // Сборник статей Тринадцатой международной научно-практической конференции «Фундаментальные и прикладные исследования, разработка и применение высоких технологий в промышленности и экономике» 24-26 мая 2012 г. - Санкт-Петербург. - 2012. - С. 201- 203.

175. Tregulov V.V. Investigation the Influence of Inclusion KMnO4 in the Electrolyte of the Electro Physical Characteristics of Semiconductor Structures

273

based on Porous Silicon / V.V. Tregulov // II International Research and Practice Conference «European Science and Technology» 9-10 may 2012.- Wiesbaden, Germany.- 2012. - Vol. 2.- P. 69- 72.

176. Трегулов В.В. Исследование стабилизации характеристик пористого кремния за счет добавок окислителя в электролит / В.В. Трегулов// IX Международная конференция «Кремний-2012» 9-13 июля 2012 г. - Санкт-Петербург. - 2012. - С. 316- 318.

177. Трегулов В.В. Стабилизация фотолюминесценции пленок пористого кремния / В.В. Трегулов // Сборник научных трудов международного научного семинара (Россия- КНР) «Физика лазерных процессов и применение» 15-17 октября 2012 г.- Рязань.- 2012.- С. 193-196.

178. Tregulov V.V. Effect of Electrolyte Composition on the Photoluminescence of Porous Silicon / V.V. Tregulov // III International Research and Practice Conference «European Science and Technology» 30-31 october 2012.- Munich, Germany. - 2012. - Vol. 1. - P. 41- 44.

179. Трегулов В.В. Особенности комбинационного рассеяния света в тонких пленках пористого кремния, сформированных на текстурированных подложках / В.В. Трегулов, М.В. Афонин // Сборник трудов научно-практической конференции «Инновации в науке, производстве и образовании» - Рязань, РГУ имени С.А. Есенина.- 2013. - С. 44-47.

180. Трегулов В.В. Исследование фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающим покрытием на основе пористого кремния / В.В. Трегулов, Г.Н. Скопцова // VIII Международная научно-техническая конференция «Фундаментальные и прикладные проблемы физики» 21-23 октября 2013 г.- Саранск.- 2013.- С. 127-130.

181. Tregulov V.V. Porous silicon thin films for antireflection coating silicon photovoltaic solar energy converters / V.V. Tregulov, V.A. Stepanov, G.N. Scoptsova // V International Research and Practice Conference «Science and Education» 27-28 February 2014.-Munich, Germany.- 2014.-Vol.2.- P.190- 192.

182. Вихров С.П. Исследование поверхности пленок пористого кремния методом флуктуационного анализа / С.П. Вихров, Ю.В. Воробьев, В.В. Гудзев, Н.В. Рыбина, В.В. Трегулов // Сборник трудов IX Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» 7-10 июля 2014 г. - Санкт-Петербург. - 2014. - С.132- 133.

183. Трегулов В.В. Исследование морфологии поверхности пленок пористого кремния, сформированных в электролитах различного состава / В.В. Трегулов, Н.В. Вишняков, В.В. Гудзев, Ю.В. Воробьев // Сборник трудов IX Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» 7-10 июля 2014 г. - Санкт-Петербург. - 2014. - С. 138-139.

184. Гудзев В.В. Исследование свойств пористого кремния / В.В. Гудзев, С.Г. Тюнин, А.Д. Маслов, В.В. Трегулов // Труды VIII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур» - Рязань, РГРТУ.- 2015.-Т.3. - С. 189-194.

185. Трегулов В.В. Исследование механизмов транспорта носителей

+

заряда в полупроводниковой структуре, содержащей п -р- переход с пленкой пористого кремния на поверхности п+- области / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Труды VIII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур» - Рязань, РГРТУ.- 2015.- Т.3.- С. 176-179.

186. Трегулов В.В. Исследование спектра отражения тонких пленок пористого кремния, сформированных методом химического окрашивающего травления на фронтальной поверхности фотоэлектрического преобразователя с п+-р-переходом / В.В. Трегулов, А.А. Кривушин, А.И. Иванов // Сборник научных трудов по материалам Международной научно-практической конференции «Стратегии исследования в естественных и технических науках» 28 июня 2018 г.- Белгород. - 2018. - С. 14 - 17.

187. Трегулов В.В. Особенности фотоэлектрических процессов в полупроводниковой структуре с антиотражающей пленкой пористого кремния и р-п-переходом / В.В. Трегулов, А.В. Ермачихин, В.Г. Литвинов // Сборник трудов Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» 19-21 ноября 2018 г. - Санкт-Петербург.- 2018. - С. 229-230.

188. Солнечная фотовольтаика: современное состояние и тенденции развития / В.А. Миличко, А.С. Шалин, И.С. Мухин [и др.] // Успехи физических наук. - 2016. - Т.186, №8. - С. 801 - 852.

189. Fairfield J.M. Silicon diodes made by laser irradiation / J.M. Fairfield, G.H. Schwuttke // Sol. St. Electron. - 1968. - Vol. 11. № 12. - P. 1175-1176.

190. Модификация пористого кремния в результате лазерного воздействия / Л.М. Сорокин, В.И. Соколов, А.П. Бурцев [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып. 24. - С. 69 - 75.

191. Ismail R.A. Effect of Nd:YAG laser irradiation on the characteristics of porous silicon photodetector / R.A. Ismail, M.K. Abood // Int Nano Lett.- 2013.-Vol. 11, №3.- P. 2 -8.

192. Ван Везер Фосфор и его соединения Пер. с англ. / под ред. А.И. Шерешевского/ Ван Везер. - М.:Изд. Иностранной литературы, 1962. - 672 с.

193. Lavrentiev V. Raman Scattering in Silicon Disordered by Gold Ion Implantation / V. Lavrentiev, J. Vacik, V. Vosecek, V. Vorlicek // Phys. Status Solidi (B). - 2010. - Vol. 247, № 8. - P. 2022-2026.

194. Патент № 2662254 Российская Федерация, МПК H01L 31/18 (2006.01). Способ изготовления полупроводниковой структуры, содержащей p-n-переход под пленкой пористого кремния для реализации фотоэлектрического преобразователя: № 2017120708: заявлено 13.06.2017: опубликовано 25.07.2018 / Трегулов В.В., Мельник Н.Н. - 10 с.: ил. - Текст: непосредственный.

195. Пячин С.А. Новые технологии получения функциональных наноматериалов: лазерная абляция, электроискровое воздействие / С.А. Пячин, М.А. Пугачевский. - Хабаровск, 2013. - 38 с.

196. Двуреченский А.В. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов / А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов.-М.: Наука, 1982. - 208 с.

197. Джафаров Т.Д. Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках / Т.Д. Джафаров. - М.: Энергоатомиздат, 1984. - 136 с.

198. Трегулов В.В. Механизмы токопрохождения в диодной структуре с п+-р-переходом, сформированным термической диффузией фосфора из пленки пористого кремния / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2017. - Т.60, №9. - С. 94-99.

199. Tregulov V.V. Properties of the semiconductor structure with a p-n-junction created in a porous silicon film under laser radiation / V.V. Tregulov, V.A. Stepanov, N.N. Melnik // St. Petersburg Polytechnical State University Journal. Physics and Mathematics.- 2018.- Vol. 11, №.1.- P.18-25.

200. Мельник Н.Н. Исследование особенностей микроструктуры приповерхностной области фотоэлектрического преобразователя с антиотражающей пленкой пористого кремния и n+^-переходом / Н.Н. Мельник, В.Л. Федоров, В.В. Трегулов // Краткие сообщения по физике ФИАН. - 2019. - №1. - С. 23-29.

201. Мельник Н.Н. Особенности микроструктуры приповерхностной области фотоэлектрического преобразователя с антиотражающей пленкой пористого кремния и n+^-переходом, сформированным с помощью лазерного излучения / Н.Н. Мельник, В.В. Трегулов, Н.Б. Рыбин, В.А. Степанов // Краткие сообщения по физике ФИАН. - 2019. - №6. - С. 17-23.

202. Мельник Н.Н. Свойства n+^-перехода, сформированного термической диффузией в пленке пористого кремния / Н.Н. Мельник, В.В. Трегулов, А.А. Кривушин // Сборник трудов VI Всероссийской молодежной

конференции по фундаментальным и инновационным вопросам современной физики 15-20 ноября 2015 г.- Москва, ФИАН. - 2015. - С. 155.

203. Трегулов В.В. Исследование полупроводниковой структуры с p-n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния с помощью лазерного излучения / В.В. Трегулов // Труды XXV международной конференции «Лазерно-информационные технологии в медицине, биологии, геоэкологии и транспорте» 4-9 сентября 2017 г.- Новороссийск. - 2017. -С.72-73.

204. Tregulov V.V. Properties of Raman scattering in the CdS films, formed on the monocrystalline surface and porous silicon by the chemical bath deposition method / V.V. Tregulov // Materials of the III International scientific-practical conference «General question of world science» 30 November 2017. -Luxembourg. - 2017. - P. 20 - 22.

205. Чопра К. Тонкопленочные солнечные элементы / К. Чопра, С. Дас. - М.: Мир, 1986. - 435 с.

206. Timokhov D.F. Determination of structure parameters of porous silicon by the photoelectric method / D.F. Timokhov, F.P. Timokhov // Journal of physical studies. - 2004. - Vol.8, №2. - P. 173-177.

207. Hadi H.A. Impact of the etching time and current density on Capacitance-Voltage characteristics of p-type of porous silicon / H.A. Hadi, T.H. Abood, A.T. Mohi, M.S. Karim // World Scientific News. - 2017. - Vol.67, №2.-P. 149-160.

208. Fangyang L. Characterization of chemical Bath deposited CdS thin films at different deposition temperature / L. Fangyang, L. Yanging, L. Jun // Journal of Alloys and Compounds. - 2010. - Vol.493, № 1-2. - P. 305-308.

209. Mahdi M.A. Structural and optical properties of chemical deposition CdS thin films / M.A. Mahdi, S.J. Kasem, J.J. Hassen, A.A. Swadi // Int. J. Nanoelectronics and Materials. - 2009. - № 2. - P. 163-172.

210. Троян В.И. Физические основы методов исследования наноструктур и поверхности твердого тела / В.И. Троян, М.А. Пушкин, В.Д. Борман. - М.: МИФИ, 2008. - 260 с.

211. Майорова Т.Л. Влияние примеси на фотопамять пиролитических пленок сульфида кадмия / Т.Л. Майорова, В.Г. Клюев, М. Фам Тхи Хаи // Конденсированные среды и межфазные границы.- 2008.- Т.10, № 4.- С. 256260.

212. Comparative study of CdS thin films deposited by single, continuous, and multiple dip chemical processes / I.O. Oladeji, L. Chow, J.R. Liu [at all] // Thin Solid Films. - 2000. - № 359. - P.154-159.

213. Maroni V.A. Raman spectra of the CdCl2 - KCl system / V.A. Maroni, E.J. Hathaway // Electrochimica Acta. - 1970. - Vol.15. - P. 1837 - 1840.

214. Берман Л.С. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках / Л.С. Берман, А.А. Лебедев. - Л.: Наука, 1981. - 176 с.

215. Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2017. - №12/2(60). -C. 202-206.

216. Мельник Н.Н. Особенности строения приповерхностной области полупроводниковой структуры, сформированной металл - стимулированным травлением монокристаллического кремния / Н.Н. Мельник, В.В. Трегулов, Н.Б. Рыбин, А.И. Иванов // Краткие сообщения по физике ФИАН. - 2019. -№10. - С. 39-45.

217. Мельник Н.Н. Особенности строения приповерхностной области гетероструктуры CdS/por-Si/p-Si с пленкой пористого кремния, сформированной металл-стимулированным травлением / Н.Н. Мельник, В.В. Трегулов, Н.Б. Рыбин, Н.В. Рыбина // Краткие сообщения по физике ФИАН.-2020.- №7.- С. 24-31.

218. Трегулов В.В. Исследование фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p) / В.В. Трегулов // Вестник Тамбовского государственного технического университета. - 2010. -Т.16, № 4. - С. 892-896.

219. Трегулов В.В. Оптимизация технологии изготовления гетероструктур CdS/Si(p) / В.В. Трегулов // Научно-технический вестник Поволжья. - 2012. - № 2. - С. 31-34.

220. Трегулов В.В. Измерение разрывов зон в энергетической диаграмме гетероструктуры CdS/Si(p), изготовленной методом гидрохимического осаждения пленки CdS / В.В. Трегулов // Вестник СГТУ. -2014. - Т. 75, №2. - С. 64-68.

221. Трегулов В.В. Исследование особенностей поверхности пленки CdS, изготовленной гидрохимическим осаждением на текстурированной кремниевой подложке / В.В. Трегулов, Г.Н. Скопцова, С.С. Балаганский, Н.М. Толкач // Вестник Балтийского федерального университета им. И. Канта. Физико-математические науки. - 2014. - № 10. - С. 91-96.

222. Трегулов В.В. Исследование механизмов токопрохождения в гетероструктуре CdS/por-Si/p-Si / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Физика и техника полупроводников. - 2018. - Т. 52, №. 7. - С. 751-756.

223. Tregulov V.V. The efficiency of solar energy conversion by the CdS/por-Si/p-Si heterostructure: the dopant effect / V.V. Tregulov // St. Petersburg Polytechnical State University Journal. Physics and Mathematics.- 2020.- Vol. 13, №2.- P.17-26.

224. Трегулов В.В. Исследование с помощью атомно-силовой микроскопии поверхности тонких пленок CdS, изготовленных методом гидрохимического осаждения / В.В. Трегулов, В.А. Степанов, Г.Н. Скопцова // Вестник Рязанского государственного университета имени С.А. Есенина.-2010.- Т. 28, № 3.- С. 130-137.

225. Трегулов В.В. Исследование гетероструктур CdS/Si(p), изготовленных методом гидрохимического осаждения CdS / В.В. Трегулов // Вестник Рязанского государственного университета имени С.А. Есенина.-2011. - Т. 32, № 3. - С. 169-179.

226. Трегулов В.В. Исследование механизмов проводимости гетероструктур CdS/Si(p), изготовленных методом гидрохимического осаждения сульфида кадмия / В.В. Трегулов, В.А. Степанов // Вестник Рязанского государственного университета имени С.А. Есенина. - 2012. - Т. 36, № 3. - С. 144-149.

227. Трегулов В.В. Оптимизация технологии гидрохимического осаждения CdS при изготовлении фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии / В.В. Трегулов // Сборник трудов I Всероссийской научно-практической конференции «Научно-практические аспекты развития современной техники и технологий в условиях курса на инновации» 15-17 ноября 2010 г. - Санкт-Петербург. - 2010. - С. 109-111.

228. Трегулов В.В. Особенности вольт-фарадных характеристик гетероструктур CdS/Si(p) изготовленных методом гидрохимического осаждения / В.В. Трегулов, Г.Н. Скопцова // Сборник трудов X Международной научно-практической конференции «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности» 9-11 декабря 2010 г.- Санкт-Петербург.- 2010.- С. 337-338.

229. Трегулов В.В. Исследование характеристик гетероструктур СёБ/Б^р) изготовленных методом гидрохимического осаждения / В.В. Трегулов // Материалы III Межвузовской научно-практической конференции «Новые технологии и инновационные разработки» 13 декабря 2010 г.Тамбов. - 2010. - С. 109-110.

230. Трегулов В.В. Исследование химического состава пленок сульфида кадмия, изготовленных метеодом гидрохимического осаждения / В.В. Трегулов // Сборник трудов III Всероссийской научно-практической

конференции «Актуальные вопросы развития современной науки, техники и технологий» 9-11 февраля 2011 г. - Москва. - 2011. - С. 86-89.

231. Трегулов В.В. Исследование механизма формирования тонких пленок CdS при гидрохимическом осаждении / В.В. Трегулов, В.А. Степанов, Г.Н. Скопцова // Сборник трудов научно-практической конференции «Инновации в науке, производстве и образовании» 24-26 октября 2011 г. -Рязань, РГУ имени С.А. Есенина.- 2011. - С. 21-24.

232. Трегулов В.В. Исследование гетероструктур CdS/Si методом электронной Оже- спектроскопии / В.В. Трегулов, Г.Н. Скопцова, Д.В. Объедков // Сборник трудов научно-практической конференции «Инновации в науке, производстве и образовании» - Рязань, РГУ имени С.А. Есенина.-2013.- С. 51-54.

233. Трегулов В.В. Пористый кремний: технология, свойства, применение: монография / В.В. Трегулов. - Рязань: Изд. РГУ имени С.А. Есенина, 2011.- 124 с.

Приложение 1 Список публикаций по теме диссертации Публикации из перечня ВАК

1. Трегулов В.В. Исследование фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p) / В.В. Трегулов // Вестник Тамбовского государственного технического университета. - 2010. -Т.16, № 4. - С. 892-896.

2. Степанов В.А. Влияние поверхностных состояний на высоту потенциального барьера для электронов в гетероструктурах CdS/Si(p), изготовленных методом гидрохимического осаждения / В.А.Степанов, В.В. Трегулов // Научно-технический вестник Поволжья. - 2011. - № 2. - С. 2225.

3. Трегулов В.В. Метод токовой РСГУ для исследования поверхностных состояний в гетероструктурах фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии / В.В. Трегулов // Вестник Тамбовского государственного технического университета. -2011. - Т.17,№ 3. -С.752-756.

4. Трегулов В.В. Исследование поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p) / В.В. Трегулов, В.А. Степанов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико- математические науки. - 2011. - Т.19, №3. - С. 140- 150.

5. Трегулов В.В. Оптимизация технологии изготовления гетероструктур CdS/Si(p) / В.В. Трегулов // Научно-технический вестник Поволжья. - 2012. - № 2. - С. 31-34.

6. Трегулов В.В. Методика исследования поверхностных состояний в резких несимметричных гетероструктурах СёБ/ р-Б1 / В.В. Трегулов // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико- математические науки. -2012. - Т.146, №2 . - С. 27-32.

7. Трегулов В.В. Способ определения плотности поверхностных

состояний в гетероструктурах СёБ/Б^р) на основе анализа вольт-фарадных

283

характеристик / В.В. Трегулов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико- математические науки. - 2012. - Т.23, №3. - С. 124- 132.

8. Трегулов В.В. Рассеяние света в антиотражающем покрытии фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе кремния /

B.В. Трегулов, В.А. Степанов, Г.Н. Скопцова // Научно-технический вестник Поволжья. - 2013. - № 1. - С. 46-49.

9. Трегулов В.В. Улучшение и стабилизация оптических характеристик пористого кремния / В.В. Трегулов // Научно- технические ведомости СПбГПУ. Физико- математические науки. - 2013. - Т.170, №2. - С.130-136.

10. Трегулов В.В. Влияние антиотражающего покрытия на электрофизические характеристики кремниевого фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии / В.В. Трегулов, Г.Н. Скопцова // Научно-технический вестник Поволжья. - 2013. - № 2. - С. 44-47.

11. Трегулов В.В. Особенности свойств пленок пористого кремния, сформированных на текстурированной подложке / В.В. Трегулов, М.В. Афонин, Ю.В. Воробьев, Н.М. Толкач // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. - 2013. - вып. 46, №4, часть 1. - С. 103-107.

12. Трегулов В.В. Исследование поверхности антиотражающего покрытия кремниевого фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе тонкой пленки пористого кремния / В.В. Трегулов, Н.В. Вишняков, Ю.В. Воробьев, Д.В. Алмазов // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. - 2014. - вып. 47, №1. -

C. 113-116.

13. Трегулов В.В. Особенности высокочастотной вольт-фарадной характеристики фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе кремниевого р-п-перехода с антиотражающим слоем пористого кремния / В.В. Трегулов // Журнал технической физики. - 2014. - Т.84, №9. -С.153-154.

14. Трегулов В.В. Измерение разрывов зон в энергетической диаграмме гетероструктуры CdS/Si(p), изготовленной методом гидрохимического осаждения пленки CdS / В.В. Трегулов // Вестник СГТУ. - 2014. - Т. 75, №2. - С. 64-68.

15. Трегулов В.В. Структура поверхности пленок пористого кремния, сформированных в электролите на основе HF с добавкой KMnO4 / В.В. Трегулов, Н.В. Вишняков, Ю.В. Воробьев, В.В. Гудзев, Н.М. Толкач // Нано-и микросистемная техника. - 2014. - № 11. - С. 16-19.

16. Трегулов В.В. Исследование особенностей поверхности пленки CdS, изготовленной гидрохимическим осаждением на текстурированной кремниевой подложке / В.В. Трегулов, Г.Н. Скопцова, С.С. Балаганский, Н.М. Толкач // Вестник Балтийского федерального университета им. И. Канта. Физико-математические науки. - 2014. - № 10. - С. 91-96.

17. Мельник Н.Н. Исследование структуры толстой пленки пористого кремния методами фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света / Н.Н. Мельник, В.В. Трегулов // Краткие сообщения по физике ФИАН. -2015. - №3. - С. 19-24.

18. Трегулов В.В. Особенности структуры пленок пористого кремния с развитой поверхностью / В.В. Трегулов // Вестник МГОУ. Серия: Физика-математика. - 2015. - №1. - С. 64-69.

19. Трегулов В.В. Особенности механизмов токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с n+-p-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния / В.В. Трегулов, В.А. Степанов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Журнал технической физики.- 2016.- Т.86, №11.-С. 91-94.

20. Таларико О.С. Исследование механизмов токопрохождения в тонких пластинах рубрена, изготовленных газотранспортным методом / О.С. Таларико, В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Письма в журнал технической физики. - 2016. - Т.42, №22. - С. 16-22.

21. Трегулов В.В. Механизмы токопрохождения в диодной структуре с n+^-переходом, сформированным термической диффузией фосфора из пленки пористого кремния / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2017. - Т.60, №9. - С. 94-99.

22. Трегулов В.В. Дефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Письма в журнал технической физики. - 2017. - Т.43, №21. - С. 3-9.

23. Трегулов В.В. Особенности электрофизических процессов в фотоэлектрическом преобразователе солнечной энергии с пленкой пористого кремния / В.В. Трегулов // Вестник Балтийского федерального университета им. И. Канта. Серия: Физико-математические и технические науки. - 2017. -№3. - С.64-73.

24. Tregulov V.V. Properties of the semiconductor structure with a p-n-junction created in a porous silicon film under laser radiation / V.V. Tregulov, V.A. Stepanov, N.N. Melnik // St. Petersburg Polytechnical State University Journal. Physics and Mathematics.- 2018.- Vol. 11, №.1.- P.18-25.

25. Трегулов В.В. Исследование механизмов токопрохождения в гетероструктуре CdS/por-Si/p-Si / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Физика и техника полупроводников. - 2018. - Т. 52, №. 7. - С. 751-756.

26. Трегулов В.В. Особенности частотной зависимости вольт-фарадных характеристик полупроводниковой структуры фотоэлектрического преобразователя на основе p-n-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния / В.В. Трегулов // Журнал технической физики. - 2018. -Т.88, №12. - С. 1863-1867.

27. Мельник Н.Н. Исследование особенностей микроструктуры приповерхностной области фотоэлектрического преобразователя с

антиотражающей пленкой пористого кремния и n+^-переходом / Н.Н.

286

Мельник, В.Л. Федоров, В.В. Трегулов // Краткие сообщения по физике ФИАН. - 2019. - №1. - С. 23-29.

28. Трегулов В.В. Механизмы токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с п+-р-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего травления / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Журнал технической физики. - 2019. - Т. 89, №5. - С. 737-743.

29. Трегулов В.В. Дефекты с глубокими уровнями в фотоэлектрическом преобразователе с антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной окрашивающим химическим травлением / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Письма в журнал технической физики. - 2019. - Т.45, №4. - С. 24-27.

30. Мельник Н.Н. Особенности микроструктуры приповерхностной области фотоэлектрического преобразователя с антиотражающей пленкой пористого кремния и п+-р-переходом, сформированным с помощью лазерного излучения / Н.Н. Мельник, В.В. Трегулов, Н.Б. Рыбин, В.А. Степанов // Краткие сообщения по физике ФИАН. - 2019. - №6. - С. 17-23.

31. Мельник Н.Н. Особенности строения приповерхностной области полупроводниковой структуры, сформированной металл - стимулированным травлением монокристаллического кремния / Н.Н. Мельник, В.В. Трегулов, Н.Б. Рыбин, А.И. Иванов // Краткие сообщения по физике ФИАН. - 2019. -№10. - С. 39-45.

32. Tregulov V.V. The efficiency of solar energy conversion by the CdS/por-Si/p-Si heterostructure: the dopant effect / V.V. Tregulov // St. Petersburg Polytechnical State University Journal. Physics and Mathematics.- 2020.- Vol. 13, №2.- P.17-26.

33. Мельник Н.Н. Особенности строения приповерхностной области гетероструктуры CdS/por-Si/p-Si с пленкой пористого кремния, сформированной металл-стимулированным травлением / Н.Н. Мельник, В.В.

Трегулов, Н.Б. Рыбин, Н.В. Рыбина // Краткие сообщения по физике ФИАН.-2020.- №7.- С. 24-31. Охранные документы

1. Патент № 2568954 Российская Федерация, МПК H01L 32/02 (2010.01), B82B 3/00 (2006.01). Способ получения пористого кремния со стабильной фотолюминесценцией: № 2014122726/28: заявлено 03.06.2014: опубликовано 20.11.2015 / Мельник Н.Н., Трегулов В.В. - 5 с.: ил. - Текст: непосредственный.

2. Патент № 2662254 Российская Федерация, МПК H01L 31/18 (2006.01). Способ изготовления полупроводниковой структуры, содержащей р-п-переход под пленкой пористого кремния для реализации фотоэлектрического преобразователя: № 2017120708: заявлено 13.06.2017: опубликовано 25.07.2018 / Трегулов В.В., Мельник Н.Н. - 10 с.: ил. - Текст: непосредственный.

Прочие публикации (статьи, монография, материалы конференций)

1. Трегулов В.В. Исследование с помощью атомно-силовой микроскопии поверхности тонких пленок CdS, изготовленных методом гидрохимического осаждения / В.В. Трегулов, В.А. Степанов, Г.Н. Скопцова // Вестник Рязанского государственного университета имени С.А. Есенина.-

2010.- Т. 28, № 3.- С. 130-137.

2. Трегулов В.В. Исследование гетероструктур CdS/Si(p), изготовленных методом гидрохимического осаждения CdS / В.В. Трегулов // Вестник Рязанского государственного университета имени С.А. Есенина.-

2011. - Т. 32, № 3. - С. 169-179.

3. Трегулов В.В. Исследование механизмов проводимости гетероструктур CdS/Si(p), изготовленных методом гидрохимического осаждения сульфида кадмия / В.В. Трегулов, В.А. Степанов // Вестник Рязанского государственного университета имени С.А. Есенина. - 2012. - Т. 36, № 3. - С. 144-149.

4. Tregulov V.V. Investigation of the frequency dependence of the capacitance-voltage characteristics of a solar cell with an antireflective film of porous silicon / V.V. Tregulov, A.A. Krivushin // Slovak International Scientific Journal. - 2017. - №.6. - P.113 - 116.

5. Трегулов В.В. Пористый кремний: технология, свойства, применение / В.В. Трегулов. - Рязань.: Изд. РГУ имени С.А. Есенина, 2011.- 124 с.

6. Трегулов В.В. Влияние химической обработки поверхности пористого кремния на стабильность электрофизических характеристик гетероструктур / В.В. Трегулов // Труды 52-й Научной конференции МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук» - Москва. -2009. - Т.1, Часть 5. - С.190.

7. Трегулов В.В. Стабилизация электрофизических характеристик фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии на основе пористого кремния / В.В. Трегулов, Г.Н. Скопцова // Материалы I Всероссийской научно-практической конференции «Актуальные вопросы развития современной науки, техники и технологий» - Москва.- 2009.- С. 111-112.

8. Трегулов В.В. Оптимизация технологии гидрохимического осаждения CdS при изготовлении фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии / В.В. Трегулов // Сборник трудов I Всероссийской научно-практической конференции «Научно-практические аспекты развития современной техники и технологий в условиях курса на инновации» 15-17 ноября 2010 г. - Санкт-Петербург. - 2010. - С. 109-111.

9. Трегулов В.В. Особенности вольт-фарадных характеристик гетероструктур CdS/Si(p) изготовленных методом гидрохимического осаждения / В.В. Трегулов, Г.Н. Скопцова // Сборник трудов X Международной научно-практической конференции «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности» 9-11 декабря 2010 г.- Санкт-Петербург.- 2010.- С. 337-338.

10. Трегулов В.В. Исследование характеристик гетероструктур CdS/Si(p) изготовленных методом гидрохимического осаждения / В.В. Трегулов // Материалы III Межвузовской научно-практической конференции «Новые технологии и инновационные разработки» 13 декабря 2010 г.Тамбов. - 2010. - С. 109-110.

11. Трегулов В.В. Исследование химического состава пленок сульфида кадмия, изготовленных метеодом гидрохимического осаждения / В.В. Трегулов // Сборник трудов III Всероссийской научно-практической конференции «Актуальные вопросы развития современной науки, техники и технологий» 9-11 февраля 2011 г. - Москва. - 2011. - С. 86-89.

12. Трегулов В.В. Исследование механизма формирования тонких пленок CdS при гидрохимическом осаждении / В.В. Трегулов, В.А. Степанов, Г.Н. Скопцова // Сборник трудов научно-практической конференции «Инновации в науке, производстве и образовании» 24-26 октября 2011 г. -Рязань, РГУ имени С.А. Есенина.- 2011. - С. 21-24.

13. Трегулов В.В. Применение метода РСГУ для исследования поверхностных состояний в гетероструктурах фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии / В.В. Трегулов // Сборник трудов научно-практической конференции «Инновации в науке, производстве и образовании» 24-26 октября 2011 г.- Рязань, РГУ имени С.А. Есенина.-2011.- С. 25-28.

14. Трунин Е.Б. Дешевый кремний для солнечной энергетики / Е.Б. Трунин, О.Е. Трунина, В.В. Трегулов // Сборник трудов научно-практической конференции «Инновации в науке, производстве и образовании» 24-26 октября 2011 г.- Рязань, РГУ имени С.А. Есенина.- 2011.- С. 64-67.

15. Трегулов В.В. Стабилизация электрофизических характеристик полупроводниковых структур на основе пористого кремния / В.В. Трегулов // Сборник статей Тринадцатой международной научно-практической конференции «Фундаментальные и прикладные исследования, разработка и

применение высоких технологий в промышленности и экономике» 24-26 мая 2012 г. - Санкт-Петербург. - 2012. - С. 201- 203.

16. Tregulov V.V. Investigation the Influence of Inclusion KMnO4 in the Electrolyte of the Electro Physical Characteristics of Semiconductor Structures based on Porous Silicon / V.V. Tregulov // II International Research and Practice Conference «European Science and Technology» 9-10 may 2012.- Wiesbaden, Germany.- 2012. - Vol. 2.- P. 69- 72.

17. Трегулов В.В. Исследование стабилизации характеристик пористого кремния за счет добавок окислителя в электролит / В.В. Трегулов// IX Международная конференция «Кремний-2012» 9-13 июля 2012 г. - Санкт-Петербург. - 2012. - С. 316- 318.

18. Трегулов В.В. Стабилизация фотолюминесценции пленок пористого кремния / В.В. Трегулов // Сборник научных трудов международного научного семинара (Россия- КНР) «Физика лазерных процессов и применение» 15-17 октября 2012 г.- Рязань.- 2012.- С. 193-196.

19. Tregulov V.V. Effect of Electrolyte Composition on the Photoluminescence of Porous Silicon / V.V. Tregulov // III International Research and Practice Conference «European Science and Technology» 30-31 october

2012.- Munich, Germany. - 2012. - Vol. 1. - P. 41- 44.

20. Трегулов В.В. Особенности комбинационного рассеяния света в тонких пленках пористого кремния, сформированных на текстурированных подложках / В.В. Трегулов, М.В. Афонин // Сборник трудов научно-практической конференции «Инновации в науке, производстве и образовании» - Рязань, РГУ имени С.А. Есенина.- 2013. - С. 44-47.

21. Трегулов В.В. Исследование гетероструктур CdS/Si методом электронной Оже- спектроскопии / В.В. Трегулов, Г.Н. Скопцова, Д.В. Объедков // Сборник трудов научно-практической конференции «Инновации в науке, производстве и образовании» - Рязань, РГУ имени С.А. Есенина.-

2013.- С. 51-54.

22. Трегулов В.В. Исследование фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающим покрытием на основе пористого кремния / В.В. Трегулов, Г.Н. Скопцова // VIII Международная научно-техническая конференция «Фундаментальные и прикладные проблемы физики» 21-23 октября 2013 г.- Саранск.- 2013.- С. 127-130.

23. Tregulov V.V. Porous silicon thin films for antireflection coating silicon photovoltaic solar energy converters / V.V. Tregulov, V.A. Stepanov, G.N. Scoptsova // V International Research and Practice Conference «Science and Education» 27-28 February 2014. - Munich, Germany.- 2014. - Vol. 2. - P. 190192.

24. Вихров С.П. Исследование поверхности пленок пористого кремния методом флуктуационного анализа / С.П. Вихров, Ю.В. Воробьев, В.В. Гудзев, Н.В. Рыбина, В.В. Трегулов // Сборник трудов IX Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» 7-10 июля 2014 г. - Санкт-Петербург. - 2014. - С. 132 - 133.

25. Трегулов В.В. Исследование морфологии поверхности пленок пористого кремния, сформированных в электролитах различного состава /

B.В. Трегулов, Н.В. Вишняков, В.В. Гудзев, Ю.В. Воробьев // Сборник трудов IX Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» 7-10 июля 2014 г. - Санкт-Петербург. - 2014. - С. 138-139.

26. Гудзев В.В. Исследование свойств пористого кремния / В.В. Гудзев,

C.Г. Тюнин, А.Д. Маслов, В.В. Трегулов // Труды VIII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур» - Рязань, РГРТУ.- 2015.-Т.3. - С. 189-194.

27. Трегулов В.В. Исследование механизмов транспорта носителей

+

заряда в полупроводниковой структуре, содержащей n -p- переход с пленкой пористого кремния на поверхности n+- области / В.В. Трегулов, В.Г.

Литвинов, А.В. Ермачихин // Труды VIII Всероссийской школы-семинара

292

студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур» - Рязань, РГРТУ.- 2015.- Т.3.- С. 176-179.

28. Мельник Н.Н. Свойства п+^-перехода, сформированного термической диффузией в пленке пористого кремния / Н.Н. Мельник, В.В. Трегулов, А.А. Кривушин // Сборник трудов VI Всероссийской молодежной конференции по фундаментальным и инновационным вопросам современной физики 15-20 ноября 2015 г.- Москва, ФИАН. - 2015. - С. 155.

29. Трегулов В.В. Исследование полупроводниковой структуры с p-n-переходом, сформированным в пленке пористого кремния с помощью лазерного излучения / В.В. Трегулов, В.А. Степанов, Н.Н. Мельник // Труды XXV международной конференции «Лазерно-информационные технологии в медицине, биологии, геоэкологии и транспорте» 4-9 сентября 2017 г.Новороссийск. - 2017. - С.72-73.

30. Tregulov V.V. Properties of Raman scattering in the CdS films, formed on the monocrystalline surface and porous silicon by the chemical bath deposition method / V.V. Tregulov // Materials of the III International scientific-practical conference «General question of world science» 30 November 2017. -Luxembourg. - 2017. - P. 20 - 22.

31. Трегулов В.В. Исследование спектра отражения тонких пленок пористого кремния, сформированных методом химического окрашивающего травления на фронтальной поверхности фотоэлектрического преобразователя с и^-переходом / В.В. Трегулов, А.А. Кривушин, А.И. Иванов // Сборник научных трудов по материалам Международной научно-практической конференции «Стратегии исследования в естественных и технических науках» 28 июня 2018 г.- Белгород. - 2018. - С. 14 - 17.

32. Трегулов В.В. Особенности фотоэлектрических процессов в полупроводниковой структуре с антиотражающей пленкой пористого кремния и p-n-переходом / В.В. Трегулов, А.В. Ермачихин, В.Г. Литвинов // Сборник трудов Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» 19-21 ноября 2018 г. - Санкт-Петербург.- 2018. - С. 229-230.

Приложение 2 Акты использования результатов исследований

___ А.И. Мйнаев

«_» ■ г.

- -- М -П--

акт

об использовании материалов диссертационной работы доцента кафедры общей и теоретической физики и методики преподавания физики Рязанского государственного университета имени С.А. Есенина Трегулова Вадима Викторовича в проведении НИР

Настоящим подтверждаем, что при проведении НИР «Исследование электрофизических характеристик полупроводниковых гетероструктур преобразователей солнечной энергии», которая выполнялась на кафедре общей и теоретической физики и методики преподавания физики Рязанского государственного университета имени С.А. Есенина в рамках государственного задания Минобрнауки России с 01.01.2012 по 31.12.2014 (регистрационный номер: 01201151731), использовались материалы диссертации Трегулова В.В. «Влияние особенностей формирования пленок пористого кремния на характеристики полупроводниковых барьерных структур», представленной на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 1.3.11 - Физика полупроводников.

Полученные в диссертационной работе результаты были использованы при разработке технологии изготовления экспериментальных образцов полупроводниковых структур Сс18/р-81 и С(18/рог-81/р-81, при исследовании морфологических, электрофизических и фотоэлектрических характеристик экспериментальных образцов, а также при подготовке аннотированного отчета по НИР.

Руководитель работы, д.ф.-м.н., профессор

п. Минаев 2022 г.

акт

об использовании материалов диссертационной работы доцента кафедры общей и теоретической физики и методики преподавания физики Рязанского государственного университета имени С.А. Есенина Трегулова Вадима Викторовича в проведении НИР

Настоящим подтверждаем, что при проведении НИР «Исследование механизмов стабилизации оптических и электрофизических характеристик гетероструктур, содержащих пористые полупроводники», которая выполнялась на кафедре общей и теоретической физики и методики преподавания физики Рязанского государственного университета имени С.А. Есенина в рамках государственного задания Минобрнауки России с 01.01.2015 по 31.12.2015 (регистрационный номер: 114120470064), использовались материалы диссертации Трегулова В.В. «Влияние особенностей формирования пленок пористого кремния на характеристики полупроводниковых барьерных структур», представленной на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 1.3.11 - Физика полупроводников.

Полученные в диссертационной работе результаты были использованы при подготовке разделов № 1 «Исследование полупроводниковых структур с пленками пористого кремния» и №3 «Способ получения пористого кремния со стабильной фотолюминесценцией» итогового отчета НИР.

Руководитель работы, д.ф.-м.н., профессор

В.А. Степанов

«УТВЕРЖДАЮ»

АКТ

об использовании результатов диссертационной работы Трегулова Вадима Викторовича «Влияние особенностей формирования пленок пористого кремния на характеристики полупроводниковых барьерных структур», представленной на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 1.3.11 — Физика полупроводников

Настоящим актом подтверждается, что результаты диссертации Трегулова В В., выполненной в Рязанском государственном университете имени С.А. Есенина, использовались в ООО «Лазервариоракурс» при разработке технологии формирования р-п-перехода в полупроводниковых структурах на основе монокристаллического кремния с помощью лазерного излучения.

В научно- технической деятельности ООО «Лазервариоракурс» нашли применение результаты экспериментальных исследований облучения поверхности пленки пористого кремния, содержащей примесь фосфора, импульсным лазером. Разработанное в результате исследований технологическое решение, актуально для создания специализированных фотоэлектрических датчиков видимого и ближнего инфракрасного диапазона и позволяет реализовать следующие преимущества:

- гибкое управление антиотражающими свойствами фронтальной поверхности и спектром фоточувствительности за счет применения пористого кремния;

- снижение трудоемкости изготовления изделия за счет совмещения операций формирования пористой пленки и насыщения ее примесью диффузанта, а также за счет исключения операции фотолитографии при формировании топологии фоточувствительной области.

Главный конструктор ООО «Лазервариоракурс»

С.И. Хилов

«УТВЕРЖДАЮ» Проректор РГУ имени С.А. Есенина по учебно- методической деятельности

Е.А. Кирьянова 2022 г.

акт

об использовании материалов диссертационной работы доцента кафедры общей и теоретической физики и методики преподавания физики Рязанского государственного университета имени С.А. Есенина Трегулова Вадима Викторовича в учебном процессе

Настоящим подтверждаем, что при проведении учебного процесса по основным профессиональным образовательным программам высшего образования бакалавриата 16.03.01 «Техническая физика», направленность (профиль) «Физическая электроника», и магистратуры 16.04.01 «Техническая физика», направленность (профиль) «Инновационные технологии в науке и на производстве», в Рязанском государственном университете имени С.А. Есенина использованы материалы диссертации Трегулова В.В. «Влияние особенностей формирования пленок пористого кремния на характеристики полупроводниковых барьерных структур», представленной на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 1.3.11 - Физика полупроводников.

Полученные в диссертационной работе результаты были использованы при подготовке лекционного материала и лабораторного практикума по дисциплинам «Физика наноразмерных структур», «Микро- и наноэлектроника», «Практикум по микро- и наноэлектронике», «Физика тонкопленочных покрытий» (бакалавриат), «Современные проблемы технической физики» (магистратура).

И.о. директора института физико- математических и компьютерных наук,

к.ф.-м.н., доцент

А.С. Шилин

Заведующий кафедрой общей и теоретической физики и методики преподавания физики, к.ф.-м.н., доцент

О.Е. Трунина