Транспортные свойства гетероструктур a-Si+ПК/p-Si, полученных анодированием кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Хмара Александр Николаевич

• Хмара Александр Николаевич
• кандидат наук
• 2018

Оглавление диссертации кандидат наук Хмара Александр Николаевич

Введение

Глава 1. Получение слоев пористого и аморфного кремния и исследование их транспортных свойств (обзор)

1.1. Пористый и аморфный кремний: получение и свойства

1.1.1. Получение пористого кремния

1.1.2. Транспортные свойства пористого кремния

1.2. Получение пленок аморфного кремния электрохимическим осаждением и их свойства

1.3. Пленки оксида цинка

1.4 Выводы к главе

Глава 2. Получение слоев пористого и аморфного кремния и гетероструктур на их основе. Исследование их структурных

свойств

2.1 Получение гетероструктур 7пО/а^+ПК /р-Б1

2.2. Исследование морфологии слоев а^+ПК

2.3. Исследование химического состава поверхностных слоев, полученных анодированием кремния в безводных электролитах

2.4. Выводы к главе

Глава 3. Исследование транспортных свойств гетероструктур а-Si+ПК/p-Si на постоянном и переменном токах

3.1. Механизмы проводимости в полупроводниках на постоянном

токе

3.1.1.Общее представление о механизмах проводимости на

постоянном токе

3.1.2. Механизмы прыжковой проводимости

3.2. Механизмы проводимости в аморфных полупроводниках на

переменном токе

3.2.1 .Модели механизмов проводимости на переменном токе

3.2.1.1.Туннельный переход между одночастичными состояниями, равномерно распределенными по пространству и энергии

3.2.1.2. Прыжки через коррелированый барьер

3.2.2. Измерение удельной электропроводности на переменном токе,

методика обработки полученных данных и их интерпретация

3.2.3 Температурные зависимости емкости

3.2.4. Оценка величины дрейфовой подвижности

3.3. Выводы к главе

Глава 4. Исследование вольт-амперных характеристик (ВАХ) гетероструктур ZnO/ а^+ПК/р^ в режиме токов монополярной

инжекции

4.1. Теоретические основы переноса в режиме токов монополярной инжекции, ограниченных объемным зарядом

4.2. Исследование ВАХ в режиме токов ограниченных объемным зарядом (ТООЗ)

4.3. Анализ и интерпретация ВАХ, полученных в режиме ТООЗ

4.4. Выводы к главе

Заключение

Библиографический список

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Транспортные свойства гетероструктур a-Si+ПК/p-Si, полученных анодированием кремния»

ВВЕДЕНИЕ

Аморфный кремний (а-Si) - это перспективный материал для изготовления дешевых и эффективных солнечных батарей (максимальный к.п.д. ~13% для батареи с тремя p-i-n переходами [11, 13, 14, 69, 91, 103]), а также анодов с высокой удельной емкостью для литий-ионных батарей [4, 18, 47] (теоретическая удельная емкость - 4212 мА-ч-г"1, достигнутая на данный момент 3400-3700 мА-чт-1 , в то время как у применяемых сейчас графитовых анодов максимальная удельная емкость - 372 мА-чт-1). Также он используется для создания фотодетекторов [94] и детекторов ионизирующего излучения на основе p-i-n структур, светодиодов, тонкопленочных транзисторов (TFT), устройств хранения информации [78] и датчиков влажности [9]. Традиционно а-Si получают разложением силана SiH4 в тлеющем разряде, магнетронным напылением, термическим вакуумным напылением, термическим разложением силана SiH4. Для получения пленок а-Si так же применяется электрохимическое осаждение кремния из растворов его соединений. По сравнению с другими методами этот метод осаждения является более дешевым, ресурсосберегающим и энергоэффективным [18, 22, 45, 63, 80]. Но его применимость ограничивается рядом особенностей процесса, такими, как применение довольно дорогих и токсичных растворителей. Помимо этого пленки кремния, полученные этим методом, зачастую обладают довольно высоким уровнем легирования фтором, а в ряде случаев и углеродом.

Кроме того, как показало изучение существующих публикаций по данной теме, транспортные свойства аморфного кремния, полученного электрохимическим осаждением, являются недостаточно изученными. Что, в свою очередь, затрудняет практическое применение аморфного кремния полученного по такой технологии.

Другим перспективным материалом является пористый кремний (ПК).

Впервые слои пористого кремния были получены случайно при отработке

режимов анодной электрополировки кремния в водно-спиртовом растворе

4

плавиковой кислоты [47]. При дальнейшем изучении пористого кремния был обнаружены уникальные свойства, такие как зависимость ширины запрещенной зоны от структуры пористого слоя, прямозонность, несвойственная кристаллическому кремнию и высокая удельная поверхность. Это позволяет существенно расширить область применения классической кремниевой электроники.

Согласно одному из представлений о механизме образования ПК основную роль в его образовании грает аморфный вторичный кремний, образующийся на поверхности и стенках пор по реакции диспропорционирования и создающий условия для анизотропного травления кремния [1]. Образующееся при этом количество аморфного кремния мало. Поэтому представляет интерес получение поверхностных слоев, содержащих большее количество аморфного кремния и сочетающих в себе свойства обеих материалов, а также исследование их транспортных свойств.

Таким образом, можно сформулировать цель данного исследования:

получение гетероструктур на основе слоев пористого кремния и исследование их транспортных свойств, определяемых переносом заряда в слоях а^+ПК/р-Б1, полученных электрохимическим травлением кремния.

Для достижения поставленной цели должны быть решены следующие задачи:

1. Установить влияние параметров технологии получения, таких как состав электролита, время и плотность тока на особенности морфологии полученных гетероструктур.

2. Определить влияние условий получения на транспортные свойства гетероструктур а^+ПК/р-Бг

3. Установить особенности распределения плотности локализованных

состояний по энергии посредством анализа вольтамперных характеристик

(ВАХ) на основе теории токов, ограниченных пространственным зарядом

Актуальность работы обусловлена интенсивным развитием материалов на

основе кремния, использующихся в энергетике для получения и накопления

энергии. Это делает необходимым разработку новых методов получения этих материалов и исследование их свойств.

Основными экспериментальными методами исследований в данной работе являлись .

измерение вольт-амперных характеристик (ВАХ); мостовой метод измерения импеданса с автоматической балансировкой (ЯЬС-метр Актаком АМ-3026); энергодисперсионный анализ (ЕВАХ); рентгеновская дифрактометрия (ХКО); растровая электронная микроскопия (РЭМ). рамановская спектроскопия.

В результате выполнения работы:

1. Установлено, что для полученных слоев а-Б1+ПК на постоянном токе действуют следующие механизмы переноса: активационная проводимость, на низких температурах (Т < 60 - 160К) преобладает прыжковая проводимость по состояниям, лежащим вблизи уровня Ферми. У всех образцов с энергией активации около 0.054 - 0.171 эВ (~0.1 Её) наблюдается прыжковая проводимость по Мотту, тогда как для образцов с энергией активацией порядка 0.46 - 0.48 эВ (~Её/2) наблюдалась прыжковая проводимость по механизму Шкловского-Эфроса. Это объясняется закреплением уровня Ферми примерно посередине запрещенной зоны из-за расщепления уровня нейтральных дефектов

2. Установлено, что топологическая размерность (для ПП по Мотту) зависит от плотности тока при получении образца, так как при увеличении плотности тока увеличивается и скорость роста пленки аморфного кремния, а, следовательно, и степень беспорядка и концентрация дефектов.

3. Установлено, что на переменном токе транспорт носителей осуществляется благодаря прыжковой проводимости по локализованным состояниям в хвостах зон с коррелированным за счет электростатического взаимодействия барьером (1111КБ).

Отличительной особенностью механизма ППКБ по локализованным

состояниям в хвостах зон является практически линейная зависимость

6

энергии состояний, участвующих в прыжках от температуры, что согласуется с теорией переноса носителей заряда с захватом на ловушки [48,78,82].

Полученные нами значения времени нахождения носителя на ловушке

5 8

составляют порядка 10- - 10- с, что совпадает со значениями, полученными для аморфного кремния, полученного магнетронным распылением и разложением в тлеющем разряде [78].

4. Исследовано распределение состояний в запрещенной зоне аморфного кремния с использования метода анализа ВАХ в режиме тока ограниченного объемным зарядом (ТООЗ), что позволило определить тип распределения ловушек (локализованных состояний) по энергии и их концентрацию. Была определены значения плотности состояний в хвосте зоны проводимости, согласующиеся с величинами плотности состояний, полученных из значений емкости на постоянном токе.

Научная новизна работы:

1. Впервые при анодировании кремния были получены гетероструктуры со слоем макропористого кремния с порами, полностью заполненными вторичным аморфным кремнием, осажденным из электролита.

2. Впервые установлены механизмы проводимости на постоянном и переменном токах в гетероструктурах а^+ПК/р-Б1, полученных электрохимическим травлением кремния, а также распределение уровней прилипания (ловушек) по энергии.

Практическая значимость работы:

1. Полученная информация о механизмах проводимости и параметрах переноса носителей заряда в поверхностных слоях гетеростуктур, полученных при анодировании кремния, может быть использована при проектировании устройств на его основе (литий-ионные батареи, солнечные батареи, фотодатчики).

2. Выяснено влияние параметров процесса получения на распределение

по энергии уровней прилипания и их концентрацию, что позволит создавать

гетероструктуры с требуемыми свойствами для их использования в качестве

7

поглощающего слоя в солнечных батареях или анода в литий-ионных батареях.

Личный вклад автора в проведение исследований и получение результатов является определяющим. Все результаты, приведенные в диссертации, получены либо самим автором, либо при его непосредственном участии. Исследование образцов с помощью РЭМ проводилась совместно со специалистами ЦКП НИУ «БелГУ».

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Влияние перемешивания электролита на морфологию поверхностных слоев а^+ПК, заключающееся в образовании слоя ПК с порами, полностью заполненными вторичным кремнием.

2. Влияние условий получения на транспортные свойства гетероструктур а^+ПК/р^, такие как величины удельной электропроводности и энергии активации, а также механизм низкотемпературной прыжковой проводимости.

3. Глубина залегания хвоста зоны проводимости и плотность локализованных состояний в запрещенной зоне материала слоя а^+ПК.

Связь работы с научными программами и темами.

Работа выполнена при финансовой поддержке программы Министерства образования и науки Российской Федерации для высших учебных заведений, ФЦП, проект №14.578.21.0192 ^МЕБ157816Х0192).

Публикации. По результатам диссертационных исследований опубликовано 5 печатных работ, отражающих основное содержание диссертации (включая 4 статьи в журналах, входящих в Перечень ВАК, и 1 статью в зарубежном периодическом издании. Также полученные результаты были представлены на одной международной конференции.

Достоверность результатов обоснована применением современных методов исследования и воспроизводимостью результатов получения и исследования свойств гетероструктур а-81+ПК/р-Б1.

Выводы диссертации сделаны на основе комплексного исследования

8

транспорта носителей заряда с использованием нескольких методик, при этом полученные по каждой из них результаты дополняют другие и согласованы между собой. Полученные нами данные согласуются с теоретическими и экспериментальными данными, полученными ранее другими авторами.

Объем и структура диссертации.

Диссертации состоит из введения, 4 глав, заключения и списка литературы, включающего 119 наименований и содержит 119 страниц, 42 рисунка и 11 таблиц.

Глава 1. Получение слоев пористого и аморфного кремния и исследование их транспортных свойств (обзор).

Введение

Впервые пористый кремний был получен в середине 1950-х годов А. Улиром в ходе исследования процессов анодной электрохимической обработки пластин монокристаллического кремния в электролитах на основе водных растворов плавиковой кислоты. Было обнаружено, что при определенных режимах обработки кремниевых пластин вместо ожидаемой электрополировки на их поверхности образуются цветные пленки.

В 1990 году Л. Кэнхэм обнаружил достаточно эффективную фотолюминесценцию пористого кремния при комнатной температуре в видимой области спектра [12]. Это вызвало интерес к изучению свойств пористого кремния.

В настоящее время появилась возможность изготовления на основе слоев пористого кремния светоизлучающих структур, фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии, химических датчиков и других полупроводниковых приборов.

Основным препятствием для широкого применения пористого кремния в производстве полупроводниковых приборов является нестабильность его люминесцентных и электрофизических характеристик из-за окисления вследствие его высокой удельной поверхности и химической активности. В то же время пористый кремний обладает рядом уникальных свойств, что делает этот материал перспективным для применения. Например, изменяя степень пористости и размеры пор можно управлять величиной ширины запрещенной зоны и положением полосы фотолюминесценции [116].

Создание полупроводниковых приборов делает актуальной задачу

управления свойствами пористого кремния. Оно может достигаться

введением в матрицу ПК других веществ [116, 119]. Эти вещества могут, как

взаимодействовать с матрицей ПК, так и не взаимодействовать. Например,

разработан метод карбидизации, заключающийся во введении в матрицу ПК

10

растворов углеводов с последующим отжигом [41, 77].

В случае нереагирующего наполнителя матрицы ПК возможны два случая:

- если ПК окислен, то получится система, состоящая из квантовых нитей\точек, которая может использоваться в оптике и фотонике;

- если ПК не окислен, то при нанесении на него пленок получится гетероструктура с текстурированным гетеропереходом, что может использоваться для создания светоизлучающих, фоточувствительных и газочувствительных приборов. [9, 11, 13, 14, 69, 78, 94, 91, 103]

Также матрицу пористого кремния можно заполнить аморфным кремнием, что позволит использовать уникальные свойства обеих материалов для получения поглощающих слоев в солнечных батареях [11, 13, 69] и в качестве анодов в литий-ионных батареях [4, 18, 47].

Аморфный кремний является перспективным материалом благодаря большей, чем у кремния ширине запрещенной зоны (1.5 - 1.9 эВ) и ряду других особенностей.

Помимо этого пористый кремний можно сочетать и с оксидом цинка, создавая гетероструктуры ZnO/ПК/p-Si. Слой оксида цинка наносится на слой ПК, а ПК играет роль матрицы и полупроводника р-типа, в то время как ZnO является полупроводником п-тиш и выполняет функцию прозрачного электрода. Поскольку ПК обладает чаще всего фотолюминесценцией оранжево-красного цвета [41], а оксид цинка - сине-зеленой, то совместив оба материала можно получить светоизлучающую структуру белого свечения. В ряде работ [19, 25, 29, 34, 58, 73, 74, 92] исследователи получили на подобных структурах белую фотолюминесценцию, что подтверждает перспективность практического применения этих структур.

1.1. Пористый кремний: получение и свойства.

На данный момент пористый кремний является популярным

материалом и ему посвящено множество обзоров на английском языке [7, 51]

11

и книг [1, 26, 27], но из отечественной литературы стоит отметить монографию Трегулова В.В. [116], так как она достаточно полно отражает современный уровень научных представлений о пористом кремнии.

1.1.1. Получение пористого кремния.

В настоящее время известны два способа получения слоев ПК на поверхности кремниевых пластин - химическое окрашивающее травление без приложения внешнего электрического поля и анодное электрохимическое травление кремниевой пластины во внешнем электрическом поле. Большинство исследователей используют второй метод.

Один из вариантов конструкции электрохимической ячейки для получения слоев ПК показан на рис. 1.1, также есть вариант с перемешиванием электролита (рис. 1.2) [21].

В качестве анода служит кремниевая пластина, которая помещается в электрохимическую ячейку. Электролит в основном это смесь плавиковой кислоты (ИБ) с органическими добавками, которые хорошо смачивают поверхность кремния (в основном спирты: этанол или изопропанол), потому, что ИБ не смачивает поверхность кремния.

Рис. 1.1 Конструкция электрохимической ячейки для получения пористого кремния [49].

12

Рис. 1.2 Схема установки для получения пористого кремния c перемешиванием электролита[21]

В качестве катода используется электрод, материал которого не взаимодействует с плавиковой кислотой (например, платина или спектрально-чистый графит). Электрохимическую ячейку изготавливают из материалов, устойчивых к действию НР, в основном из пластиков (фторопласт, полиэтилен, полипропилен).

Если рост слоев ПК производится при освещении поверхности кремниевой подложки (обязательно для кремния п-типа), то в корпусе электрохимической ячейки монтируется прозрачное окно из материала, устойчивого к действию НР.

Типичная зависимость потенциала анода от анодного тока при травлении кремния р-типа и высоколегированного п-типа в растворах плавиковой кислоты обычно имеет S-образную форму (рис. 1.3) [118]. Вид анодной кривой может несколько изменяться в зависимости от условий электролиза: концентрации НР, перемешивания раствора, температуры и т.д. Наибольший практический интерес представляют показанные на рис. 1. 4 участки 1 и 2. При плотности анодного тока, соответствующей отрезку между точками Ь и с (участок 1 на рис. 1.3), на поверхности кремниевой

пластины наблюдается рост пористой пленки коричневого цвета.

13

О 25 50 75 /, мА/см2

Рис. 1.3 Типичный вид анодной кривой для кремния p-типа (водный раствор HF 25 моль/л, 25 °С) [118].

Пленка может отделяться от подложки, имеет низкую проводимость и, по данным химического анализа, содержит 85-92 % кремния и 3.8-4 % фтора. Рентгеноструктурный анализ показал, что эта пленка аморфна.

На отрезке между точками b и с (участок 1 на рис. 1.3) наблюдается выделение водорода с поверхности кремниевого анода. Причем выделение водорода продолжается некоторое время и после отключения источника тока. Водород выделяется в результате химической реакции при восстановлении протонов продуктами частичного анодного окисления кремния или при разложении гидридов [118].

На участке 2 выделение водорода прекращается, пленка на поверхности кремния перестает образовываться, наблюдается электрополирование кремния. Наилучшие условия полировки достигаются в точке d. При высоких анодных потенциалах на анодной кривой появляется

14

участок 3, начинается непрерывное выделение кислорода на аноде, полировка прекращается, и электролит заметно нагревается.

Электрохимическое травление кремния проводят в одном из трех режимов - гальваностатическом (при постоянном токе), потенциостатическом (при постоянном напряжении) и комбинированном [118].

В гальваностатическом режиме скорость роста пленки на поверхности кремниевого анода линейно зависит от плотности анодного тока [118]:

Л£ _ ]Мц

& пГ р

где Д5 - приращение толщины пленки; у - плотность анодного тока;

М - молекулярная масса оксида в пленке;

п - число электронов, теряемых атомом кремния;

П - выход по току;

Г - число Фарадея;

р- плотность пленки.

В гальваностатическом режиме на постоянном токе должна наблюдаться линейная зависимость логарифма ионного тока от падения напряжения в пленке.

Потенциостатический режим, является нестационарным. В начальный момент времени при приложении к аноду повышенного напряжения начальная плотность тока ¡ъ, ограниченная только сопротивлением электролита и электродов, достигает больших значений. Затем плотность тока экспоненциально уменьшается до значения остаточного тока ]г [118]:

у = Л ■ ехр(-^) + у

где в - постоянный коэффициент, зависящий от условий процесса анодирования.

Комбинированный режим начинается с анодирования при постоянном токе до напряжения, которое на 15-30 % меньше напряжения пробоя пленки, затем это напряжение поддерживается постоянным, а плотность тока снижается до уг. Такой режим позволяет получить анодные пленки более

совершенной структуры с улучшенными диэлектрическими свойствами.

В [116] на с.8-9 приведен обзор основных режимов анодного электрохимического процесса изготовления слоев ПК, из которого видно, что большинство исследователей при анодном электрохимическом травлении использует электролит, содержащий плавиковую кислоту и этанол.

Метод химического окрашивающего травления без приложения внешнего электрического поля для получения слоев ПК основан на применении в составе травителя наряду с плавиковой кислотой сильного окислителя, например, KNO2, НЫ03 [23, 24, 38]. Процессы, протекающие на поверхности кремниевой пластины, сходны с процессами при электрохимическом травлении. Однако доокисление ионов Б12+ до Б14+ осуществляется не ионами водорода, а более сильными окислителями, и водород на поверхности кремниевой пластины не выделяется.

Электрохимическое и химическое окисление кремния во многом аналогично и в обоих случаях протекает в две стадии [24]:

1) перенос заряда через межфазную границу кремний/раствор

протекает с потреблением дырок 2И+, при этом образуются неустойчивые

2+

ионы :

+ 2И+ ^ Б12+ (1.1)

2) окисление ионов Б12+ ионами водорода:

Б12+ + 2Н+ ^ Б14+ + Н2 Т (1.2)

Также в работе [100] авторы предлагают механизм переноса заряда при

травлении кремния с участием воды, при этом кремний окисляется также в

два этапа:

+ 2И+ + Н20 ^ Б10 + 2Н+

Б10 + 2И+ + Н2О ^ Б102 + 2Н+ (1.3)

также оксид кремния (II) может окисляться водородом воды:

Б10 + Н2О ^ Б102 + 2Н0 (1.4)

Образующиеся при этом атомы водорода являются переносчиками

заряда между кристаллитами кремния [100].

16

Неустойчивые ионы Б12+ также могут участвовать в реакции диспропорционирования:

312+ + Б12+ ^ + Б14+ (1.5)

в результате которой образуется вторичный атомарный кремний в количестве равном половине участвующих в этой реакции атомов кремния. Вторая половина атомов кремния реагирует с ионами Б-, образует ионные комплексы [81Б6]2- и в таком виде переходит в раствор. Реакции окисления и диспропорционирования протекают параллельно.

При анодном электрохимическом окислении кремния вначале происходит изотропное растворение кремния и накопление ионов Б12+ [24]. На этой стадии ПК не образуется. Возникающие ионы могут адсорбироваться на поверхности кремния, а также диффундировать в раствор в виде комплексных ионов [Б1Б4]2- и адсорбироваться на некотором расстоянии от места их образования. Затем начинаются реакции окисления и диспропорционирования. Реакция диспропорционирования наиболее вероятно протекает на поверхности кремния, так как благодаря наличию свободных носителей в твердой фазе возможен прямой обмен зарядами между частицами, расположенными на удалении друг от друга. Вторичные атомы кремния, возникающие по этой реакции, также изначально адсорбируются на поверхности кремния.

Таким образом, на поверхности кремния образуются начальные островки роста. Концентрация вторичных атомов кремния, адсорбированных на поверхности подложки, сопоставима или превышает поверхностную концентрацию атомов кремния исходной подложки. При этом вторичные атомы кремния не имеют возможности достраивать кристаллическую решетку исходного кремния и хаотически располагаются по поверхности подложки. Возможно также образование агрегатов, состоящих из нескольких атомов вторичного кремния. Образующиеся на поверхности кремниевой подложки структуры роста могут растворяться, однако в результате квантово-

размерных эффектов их электрическое сопротивление может оказаться

17

значительно выше сопротивления исходного кремния, что увеличит устойчивость структур роста к растворению. Так на поверхности кремниевой подложки возникают поверхностные нанокристаллиты [24].

В дальнейшем кремний растворяется преимущественно в промежутках между нанокристаллитами, начинается образование и углубление пор. Одновременно с образованием пор продолжается нарастание вторичного кремния на всей поверхности ПК, в том числе и на стенках пор. Высокое удельное сопротивление вторичного кремния обеспечивает повышенную устойчивость стенок пор к растворению и способствует росту крупных пор вглубь подложки. Вторичный кремний осаждается на стенках пор также в виде отдельных разрозненных агрегатов, в результате чего образуются мелкие боковые ответвления пор [24].

Освещение кремниевой подложки усиливает вклад реакции диспропорционирования в образование ПК [24]. На подложках п-типа проводимости ПК практически всегда получают при освещении, поскольку свет обеспечивает достаточную концентрацию дырок на границе кремния с электролитом [24].

На кинетику реакций влияют параметры исходного кремния: концентрация и подвижность основных и неосновных носителей заряда, скорость поверхностной рекомбинации. Освещение увеличивает концентрацию неосновных носителей заряда. При этом повышается интенсивность реакции диспропорционирования и снижается интенсивность реакции окисления, что способствует образованию на поверхности ПК нанокристаллического слоя с интенсивной фотолюминесценцией [24].

При получении ПК методом электрохимического окисления на подложках р-типа проводимости освещение практически не влияет на напряжение и ток в электролитической ячейке, однако существенно влияет на структуру. Пористый кремний, полученный при освещении подложки, более светлый, его поверхность более рыхлая, и демонстрирует интенсивную фотолюминесценцию [24].

Освещение кремниевой положки при электрохимическом травлении ускоряет химический процесс взаимодействия электролита со слоем образующегося ПК. Пористость слоя заметно возрастает с увеличением интенсивности освещения. Причем спектральный состав излучения существенно не влияет на пористость.

На размер пор в ПК наряду с интенсивностью освещения большое влияние оказывает удельное сопротивление кремниевой подложки. Для управления размерами пор авторы [98] предлагают добавлять в состав электролита галогенсодержащие вещества. В этом случае образцы ПК изготавливались методом анодного электрохимического окисления. Галогены добавлялись в электролит в виде раствора в изопропиловом спирте брома и йода и в виде солей КС1 и К1. Морфология слоев ПК исследовалась методом атомно-силовой микроскопии. В работе [98] установлено, что добавление свободных галогенов Вг2 и 12 способствует формированию крупных пор с характерными размерами 100-150 нм. Добавление галогенидов калия (КС1 и К1) приводит к образованию большого количества пор с характерными размерами 30-60 нм. Таким образом, контролируемое введение галогенов и их солей может использоваться для гибкого управления размерами пор и пористостью получаемых слоев.

1.1.2. Транспортные свойства пористого кремния.

Обзор работ, посвященных экспериментальному исследованию

электрических свойств - поперечного транспорта тока ПК, до 2000 г.

представлен в обзорных статьях [67, 118]. Отмечается, что хотя квантовый

конфайнмент (явление обеднения поверхностных слоев полупроводника за

счет квантово-размерных эффектов, наблюдается в наночастицах) широко

привлекается для объяснения люминесцентных свойств ПК, его роль не

совсем ясна в объяснении транспорта тока. Предполагаемые транспортные

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Хмара Александр Николаевич, 2018 год

Библиографический список

1. Amato, G. Structural and optical properties of porous silicon nanostructures/ G. Amato, C. Delerue, H.-J. von Bardeleben//Amsterdam, 1997. - 533crp.

2. Austin, I. G. Polaron conduction in disordered 3d oxides/ I. G. Austin/Journal of Non-crystalline solids. - 1970. - N.2. - P. 474-483.

3. Balagurov, L. A. Electrical properties of metal/porous silicon /p- Si structures with thin porous silicon layer/ L. A. Balagurov, S. C. Bayliss, A. F. Orlov, E. A. Petrova, B. Unal, and D. G. Yarkin// Journal of Applied Physics. - 2001. - N.90. -P. 4184-4190.

4. Baranchugov, V. Amorphous silicon thin films as a high capacity anodes for Li-ion batteries in ionic liquid electrolytes/ V. Baranchugov, E. Markevich, E. Pollak, G. Salitra, D. Aurbach// Electrochemistry Communications. - 2007. - N.9. - P.796-800.

5. Bassam, G. R. Synthesis of silicon nanostructures: comparative study/ Bassam G. R. //Advances in Materials. - 2013. - N.2(1). - P. 6-11.

6. Berashevich, J. A. Electroluminescence in Porous Silicon at a Reverse Bias Voltage Applied to the Schottky Barrier/ J. A. Berashevich, S. K. Lazarouk, and V. E. Borisenko // Semiconductors. - 2006. - V. 40, N. 2. - P. 234-239.

7. Bisi, O. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics/ O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi // Surface Science Reports. - 2000. -№38. - P. 1-126.

8. Blonskyy, I. V. New mechanism of charge carriers localization in silicon nanowires/ I. V. Blonskyy, V. M. Kadan, A. K. Kadashchuk, A. Yu. Vakhnin, A. Ya. Zhugayevych, I. V. Chervak// Physics of Low-Dimensional Structures. - 2003. - V. 25, N. 7/8. - P. 1-7.

9. Bravina, S. Dynamic electrophysical characterization of porous silicon humidity sensing/ S. Bravina, N. Morozovsky, R. Boukroub// Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - 2006. - V. 9, N 1. - P. 79-83.

10. Butcher, P.N. Calculation of hopping transport coefficients/ Butcher P.N.//Philosophical Magazine Part B. - 1980. - V.42, N.6. - P.799-824.

11. Crandall, R. The Future of Amorphous Silicon Photovoltaic Technology/ R. Crandall, W. Luft//Progress in photovoltaics: Reaserch and applicatons. - 1995. -V.3. - P.315-331.

12. Cullis, A.G. Visible light emission due to quantum size effects in highly porous crystalline silicon/ A.G. Cullis, L.T. Canham // Letters to Nature. - 1991. - V. 353. - P. 335-338.

13. Deng, X. Amorphous Silicon Based Solar Cells [Текст]/ X. Deng, E.A. Schiff//Handbook of Photovoltaic Science and Engineering. - Ed.7 - John Wiley & Sons. Ltd, 2003. - Гл.12 - стр. 505 - 566.

14. Dzhafarov, T. Silicon Solar Cells with Nanoporous Silicon Layer/ T. Dzhafarov // Solar Cells - Research and Application Perspectives. - InTech, 2013. -Гл. 2. - с.27-57.

15. Elliott, S. R. A theory of a.c. conduction in chalcogenide glasses/ S. R. Elliott//Philosophic Magazine. - 1977. - V. 36, N. 6. - P.1291-1304.

16. Elliott, S. R. A.c. conduction in amorphous chalcogenide and pnictide semiconductors/ S. R. Elliot//Advances in physics. - 1987. - V. 36, N. 2. - P. 135218.

17. Emin, D. Studies of Small-Polaron Motion IV.Adiabatic Theory of the Hall Effect/ D. Emin, T. Holstein//Annals of physics. -1969. - N.53. -P.439-520

18. Epur, R. Electrodeposition of amorphous silicon anode for lithium ion batteries/ R. Epur, M. Ramanathan, F. R. Beck, A. Manivannan, Prashant N. Kumta//Materials Science and Engineering B. - 2012. - N.177. - P. 1157- 1162.

19. Ersin, K. White light luminescence from annealed thin ZnO deposited porous silicon /E. Kayahan//Journal of Luminescence. - 2010. - N. 130. - P. 1295-1299.

20. Evtukh, A.A. Electron field emission from porous silicon prepared at low anodisation currents/ A.A. Evtukh, V.G. Litovchenko, N.I. Klyui, M.O. Semenenko, E.B. Kaganovich and E.G. Manoilov//International Journal of Nanotechnology. - 2006. - V. 3, N. 1. - P.282-299.

21. Foll, H. Formation and application of porous silicon/ H. Foll, M. Christophersen, J. Carstensen, G. Hasse// Materials Science and Engineering. -2002. -V.R280. - P. 1 - 49.

22. Fulop, G. F. Electrodeposition of semiconductors/ G. F. Fulop, R. M. Taylor//Annual Review of Materials Science. - 1985. - N.15. - P.197-210.

23. Goryachev, D. N. Electrolytic Fabrication of Porous Silicon with the Use of Internal Current Source/D. N. Goryachev, L. V. Belyakov, O. M. Sreseli //Semiconductors. -2003. - V. 37, N. 4. - P.477-481.

109

24. Goryachev, D. N. On the Mechanism of Porous Silicon Formation/ D. N. Goryachev, L. V. Belyakov, and O. M. Sreseli// Semiconductors. - 2000. - V. 34, N. 9. - P. 1090-1093.

25. Guangxia, Hu White Light from an Indium Zinc Oxide/Porous Silicon Light-Emitting Diode/ [Guangxia Hu, Shi Qiang Li, Hao Gong,Yanlin Zhao et al.]//The Journal of Physical Chemistry C. - 2009. - N.113. - P.751-754.

26. Handbook of sol-gel science and tachnology: Processing, Characterization and Applications [Текст]: монография/ed. H. Kozuka, R. M. Almeida, S. Sakka//Springer, 2005. - 1986 с.

27. Herino, R. Porous silicon: material, technology and devices/ R.Herino, W. Lang, H. Münder //Thin Solid Films. - 1996. - V. 276, №1-2. - 292стр.

28. Holstein, T. Studies of Polaron Motion/ Holstein T. //Annals of physics. -1959. - N.8. - P.325-389.

29. Hsu, H.-C. Orientation-enhanced growth and optical properties of ZnO nanowires grown on porous silicon substrates/ H.-Ch. Hsu, Ch.-Sh. Cheng, Ch.-Ch. Chang, S. Yang, Ch.-Sh. Chang, W.-F. Hsieh //Nanotechnology. - 2005. -N.16. - P. 297-301.

30. Huang, J.-S. Influences of ZnO sol-gel thin film characteristics on ZnO nanowire arrays prepared at low temperature using all solution-based processing/ Jing-Shun Huang, Ching-Fuh Lin //Journal of Applied Physics. - 2008. - N. 103, P. 014304

31. Ilican, S. Preparation and characterization of ZnO thin films deposited by solgel spin coating method/ S. Ilican, Y. Caglar, M. Caglar // Journal of Optoelectronics and Advanced materials. - 2008. - V. 10, N. 10. - P. 2578 - 2583.

32. Kamalasanan, M.N. Sol-gel synthesis of ZnO thin films/ M.N. Kamalasanan, Subhas Chandra // Thin Solid Films. - 1996. - N.288. - P.112-115.

33. Kastner, M. Valence-Alternation Model for Localized Gap States in Lone-Pair Semiconductors/ M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche//Physical Review Letters. -1976. - V. 37, N. 22. - P. 1504 - 1507.

34. Kim, Ch. Physical and electronic properties of ZnO:Al/porous silicon/ Choongmo Kim, Anna Park, K. Prabakar, Chongmu Lee // Materials Research Bulletin. - 2006. - N. 41. - P.253-259.

35. Kim, Y.-S. Effect of preheating temperature on structural and optical properties of ZnO thin films by sol-gel process/ Young-Sung Kim, Weon-Pil Tai, Su-Jeong Shu// Thin Solid Films. - 2005. - N.491. - P.153 - 160.

36. Klinger, M. I. Self-trapped electron and hole states/ M. I. Klinger// Uspekhi Fizicheskih Nauk. - 1985. - N.146. - P.105-142.

37. Klinger, M.I. Glassy disordered systems: topology, atomic dynamics and localized electron states/ Klinger M.I.//Physics Reports (Review Section of Physics Letters). - 1988. - V.165, N. 5-6. - P.275 - 397.

38. Kolasinski, K. W. Laser assisted and wet chemical etching of silicon nanostructures/ K. W. Kolasinski, D. Mills and M. Nahidi// Journal of Vacuum Science & Technology A. - 2006. - V.24. - P.1474-1479.

39. Kononov, N. N. Dielectric and Transport Properties of Thin Films Precipitated from Sols with Silicon Nanoparticles/ N. N. Kononov, S. G. Dorofeev, A. A. Ishchenko, R. A. Mironov,V. G. Plotnichenko, and E. M. Dianov// Semiconductors. - 2011. - V. 45, N. 8. - P. 1038 - 1048.

40. Korsunskaya, N.E. Suboxide-related centre as the source of the intense red luminescence of porous Si/ N.E. Korsunskaya, T.V. Torchinskaya, L.Yu. Khomenkova, B.R. Dzhumaev, S.M. Prokes//Microelectronic Engineering. - 2000. - N.51-52. - P. 485 - 493.

41. Kostishko, B. M. Heterogeneous Effect in Carbonized Porous Silicon/ B. M. Kostishko, Sh. R. Atazhanov, I. P. Puzov, S. Ya. Solomatin, and Yu. S. Nagornov// Technical Physics Letters. - 2000. - V. 26, N. 3. - pP. 199-201.

42. Lang, D. V. Measurement of the density of gap states in hydrogenated amorphous silicon by space charge spectroscopy/ D. V. Lang, J. D. Cohen, J. P. Harbison//Physical Review B. - 1982. - V. 25, N. 8. - P. 5285 - 5320.

43. Lang, D. V. Observation of photoinduced changes in the bulk density of gap states in hydrogenated amorphous silicon/ D. V. Lang, J. D. Cohen, J. P. Harbison, A. M. Sergent//Applied Physics Letters. - 1982. - N.40. - pp. 474 - 476

44. Lang, D. V. Resolution of the a-Si:H DLTS energy scale controversy/ D. V. Lang, J. D. Cohen, J. P. Harbison, M. C. Chen, A. M. Sergent//Journal of Non-CrystaUine Solids. - 1984. - N.66. - P.217-222.

45. Lee, C. H. Cathodic Deposition of Amorphous Alloys of Silicon,Carbon, and Fluorine/ C. H. Lee and F. A. Kroger// Journal of The Electrochemical Society. -1982. - V. 129, N.5. - P.936 - 942.

46. Lenshin, A. S. Specific Features of the Sol-Gel Formation and Optical Properties of 3d Metal/Porous Silicon Composites/ A. S. Lenshin, P. V. Seredin, D. A. Minakov, V. M. Kashkarov, B. L. Agapov, E. P. Domashevskaya, I. E. Kononova, V. A. Moshnikov, N. S. Terebova, and I. N. Shabanova -Semiconductors. - 2014. - V. 48, N. 4. - P. 551-555.

47. Lin, D. High Tap Density Secondary Silicon Particle Anodes by Scalable Mechanical Pressing for Lithium-ion Batteries/ D. Lin, Z. Lu, P.-C. Hsu, H. R. Lee, N. Liu, J. Zhao, H. Wang, C. Liu, Y. Cui//Energy & Environmental Science Accepted Manuscript, 2015. -

48. Long, A. R. Frequency-dependent loss in amorphous semiconductors/A. R. Long//Advances in Physics. - 1982. - V. 31, N. 5. - P. 553-637.

49. Luterova, K. Optical gain in nanocrystalline silicon: comparison of planar waveguide geometry with a non-waveguiding ensemble of nanocrystals/ K. Luterova, M. Cazzanelli, J.-P. Likforman, D. Navarro, J. Valenta, T. Ostatnicky, K. Dohnalova, S. Cheylan, P. Gilliot, B. Honerlage, L. Pavesi, I. Pelant// Optical Materials. - 2005. - N.27. - P. 750-755.

50. Masashi Ohyama Sol-gel preparation of ZnO films with extremely preferred orientation along (002) plane from zinc acetate solution/ M. Ohyama, H. Kozuka, T. Yoko //Thin Solid Films. - 1997. - N.306. - P.78 - 85.

51. Matthias, H. L. Optical properties of silicon-based materials: A comparison of porous and spark-processed silicon/ Matthias H. Ludwig// Criticul Revews in Solid Suite and Materials Sciences. - 1996. - N.21(4). - P. 265-351.

52. Min, S. K. ZnO Thin Films Grown on Porous Silicon by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy/ M.S. Kim, K.G. Yim, D.Y. Kim, S. Kim, G. Nam, S.-O Kim, D.-Y. Lee, J.-Y. Leem//Japanese Journal of Applied Physics. - 2012. - N.51. -P. 035502.

53. Mott, N. F. States in the gap and recombination in amorphous semiconductors/ N. F. Mott, E. A. Davis, R. A. Street//Philosophical Magazine. - 1975. - N.32:5. -P. 961-996.

54. Musata, V. Al-doped ZnO thin films by sol-gel method/ V. Musata, B. Teixeira, E. Fortunato, R.C.C. Monteiro, P. Vilarinho //Surface and Coatings Technology. - 2004. - N.180 - 181. - P. 659 - 662.

55. Okushi, H. Determination of the Density of State Distribution of a-Si:H by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy/ H. Okushi, Y. Tokumaru, S. Yamasaki, H. Oheda, K. Tanaka//Japanese Journal of Applied Physics. - 1981. - V. 20, N. 7 - P. L549 - L552.

56. Okushi, H. Energy dependence of electron-capture cross section of gap states in n-type a-Si:H/ H. Okushi, Y. Tokumaru, S. Yamasaki, H. Oheda, K. Tanaka//Physical Review B. - 1982. - V. 25, N. 6. - P. 4313 - 4316.

57. Okushi, H. Temperature dependence of electron-capture cross section of localized states in a-Si:H/ H. Okushi, T. Takahama, Y. Tokumaru, S. Yamasaki, H. Oheda, K. Tanaka//Physical Review B. - 1983. - V. 27, N. 8. - P. 5184 - 5187.

58. Peng, Y.-Y. White-light emitting ZnO-SiO2 nanocomposite thin films prepared by the target-attached sputtering method/ Yu-Yun Peng, Tsung-Eong Hsieh and Chia-Hung Hsu //Nanotechnology. - 2006. - N.17. - P. 174 - 180.

59. Phillips, W. A. Two-electron excitations and the low temperature properties of glasses/ Phillips W. A.//Philosophical Magazine. - 1976. - N.34:6. - P. 983-991.

60. Physics of Disordered Materials/ ed. D. Adler, H. Fritzsche, S. R. Ovshinsky// New York.:Plenum Press, 1985. - P. 834.

61. Pike, G. E. ac Conductivity of Scandium Oxide and a New Hopping Model for Conductivity/ G. E. Pike//Physical Review B. - 1972. - V. 6, N.4. - P. 1572 - 1580.

62. Pramanik, M.H.A. The d.c. conductivity of chalcogenide films due to the correlated barrier hopping mechanism/ M.H.A. Pramanik, P.N. Butcher, I.D. Cox//Philosophical Magazine Part B. - 1983. - N. 47:4. - P. 437 - 443.

63. Rama Mohan, T. R. Cathodic deposition of amorphous slicon from solutions of silicic acid and tetraethyl orthosilicate in ethylene glycol and formamde containing HF/ T. R. Rama Mohan and F. A. Kroger//Electrochimica Acta. - 1982. - V. 27, N. 3. - P.371 -377.

64. Raoufi, D. The effect of heat treatment on the physical properties of sol-gel derived ZnO thin films/ D. Raoufi, T. Raoufi //Applied Surface Science. - 2009. -N. 255. - P. 5812-5817.

65. Reiss, H. Chemical Interactions Among Defects Germanium and Silicon/ H. Reiss, C. S. Fuller, F. J. Morin//The Bell System Technical Journal. - 1956. - V. 25, N. 3. - P. 535 - 636.

66. Rieder, G. Frequency-dependent dielectric behavior of amorphous silicon thin films/ G. Rieder//Physical Review B. - 1979 - V. 20, N.2. - P. 607 - 615.

67. Saren, A. A. On the Relationship between the Optical Transmission and Photoluminescence Characteristics of Porous Silicon/ A. A. Saren, S. N. Kuznetsov, V. B. Pikulev, Yu. E. Gardin, and V. A. Gurtov//Technical Physics Letters. - 2001. - V. 27, N. 4. - P. 328-330.

68. Schnakenberg, J. Polaronic Impurity Hopping Conduction/ Schnakenberg J.//Physica status solidi. - 1968. - N. 28. - P. 623 - 633.

69. Schropp, R.E.I. Amorphous Silicon, Microcrystalline Silicon, and Thin Film Polycrystalline Silicon Solar Cells/ R.E.I. Schropp, R. Carius, and G. Beaucarne//MRS Bulletin. - 2007. - V. 32. - P. 219 - 224.

70. Schuler, T. Optical, electrical and structural properties of sol gel ZnO:Al coatings/ T. Schuler, M.A. Aegerter // Thin Solid Films. - 1999. - N. 351. - P.125-131.

71. Shimakawa, K. On the temperature dependence of a.c.conduction in chalcogenide glasses/ K. Shimakawa// Philosophical Magazine Part B. - 1982. - N. 46:2. - P.123 - 135.

72. Shimoda, T. Solution-processed silicon films and transistors/T. Shimoda, Y. Matsuki, M. Furusawa, T. Aoki, I. Yudasaka, H. Tanaka,H. Iwasawa, D. Wang, M. Miyasaka, Y. Takeuchi//Nature. - 2006. - V. 440. - P. 783 - 786.

73. Singh, R. G. Photoluminescence studies of ZnO/porous silicon nanocomposites/R. G. Singh, F. Singh, V. Agarwal, R. M. Mehra// Journal of Physics D: Applied Physics. - 2007. - N. 40. - P. 3090 - 3093.

74. Singh, R. G. White light emission from chemically synthesized ZnO-porous silicon nanocomposite/R. G. Singh, F. Singh, D. Kanjilal, V. Agarwal, R. M. Mehra// Journal of Physics D: Applied Physics. - 2009. - N. 42. - P. 062002.

75. Slobodchikov, S. V. Current transport in porous p-Si and Pd-porous Si structures/ S. V. Slobodchikov, Kh. M. Salikhov, E. V. Russu// Semiconductors. -1998. - N. 32 (9). - P.960-962.

76. Spear, W.E. Electronic transport and localization in low mobility solids and liquids/ Spear W.E.//Advances in Physics. - 1974. - N. 23:3. - P. 523-546.

77. Sreseli, O. M. Preparation and Study of Carbidized Porous Silicon/ O. M. Sreseli, D. N. Goryachev, V. Yu. Osipov, L. V. Belyakov, S. P. Vul', I. T. Serenkov, V. I. Sakharov, and A. Ya. Vul'//Semiconductors. - 2002. - V. 36, N. 5. - P. 574-580.

78. Street, R. A. Hydrogenated amorphous silicon/R. A. Street//Cambridge, 1991. -P. 417.

79. Street, R. A. States in the Gap in Glassy Semiconductors/ R. A. Street, N. F. Mott//Physical Review Letters. - 1975. - V. 35, N. 19. - P. 1293 -1296.

80. Takeda, Y. Cathodic Deposition of Amorphous Silicon from Tetraethylorthosilicate in Organic Solvents/ Y. Takeda, R. Kanno, O. Yamamoto, T. R. Rama Mohan, Chia-Hao Lee, F. A. Kroger// J. Electrochem. Soc.: Electrochemical science and technology. - 1984. -V. 128, N. 6. - P.1221 - 1224.

81. Tanaka, K. Defect states and carrier capture processes in a-Si:H/ K. Tanaka, H. Okushi//Journal of Non-CrystaUine Solids. - 1984. - N. 66. - P. 205 - 216.

82. Tiedje, T. A physical interpretation of dispersive transport in disordered semiconductors/ T. Tiedje, A. Rose//Solid State Communications. - 1980. - V.37. -P.49-52.

83. Tiedje, T. Information about Band-Tail States from Time-of-Flight Experiments/T. Tiedje//Semiconductors and semimetals. - 1984. - V. 21. - P.207 -238.

84. Timoshenko, V. Yu. Investigation of the photovoltage in por-Si/p-Si structures by the pulsed-photovoltage method/ V. Yu. Timoshenko and E. A. Konstantinova// Semiconductors. - 1998. - N.32 (5). - P. 549-554.

85. Timoshenko, V.Yu. Influence of photoluminescence and trapping on the photovoltage at the por-Si / p-Si structure/ V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov, A.B. Matveeva, E.A. Konstantinova, H. Flietner, Th. Dittrich// Thin Solid Films. -1996. - N. 276. - P. 216 - 218.

86. Tsay, C.-Y. Effect of Sn-doped on microstructural and optical properties of ZnO thin films deposited by sol-gel method/ Chien-Yie Tsay, Hua-Chi Cheng, Yen-Ting Tung, Wei-Hsing Tuan, Chung-Kwei Lin //Thin Solid Films. - 2008. -N.517. - P. 1032 - 1036.

87. Vakulenko, O.V. Photovoltage and photocurrent spectroscopy of luminescent porous silicon/ O.V. Vakulenko, S.V. Kondratenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - 2003. - V. 6, N.2. - P.192 - 196.

88. Valle, G.G. Transparent and conductive ZnO:Al thin films prepared by sol-gel dip-coating/ G.G. Valle, P. Hammer, S.H. Pulcinelli, C.V. Santilli //Journal of the European Ceramic Society. - 2004. - N. 24. - P. 1009 - 1013.

89. Wu, X. L. Stabilized electronic state and its luminescence at the surface of oxygen-passivated porous silicon/ X. L. Wu, S. J. Xiong, D. L. Fan, Y. Gu, and X. M. Bao// Physical Review B. - 2000. - V. 62, N. 12. - P.R7759-R7762.

90. Xu, Z.Q. Characteristics of Al-doped c-axis orientation ZnO thin films prepared by the sol-gel method/ Z.Q. Xu, H. Deng, Y. Li, Q.H. Guo, Y.R. Li // Materials Research Bulletin. - 2006. - N. 41. - P. 354 - 358.

91. Yerokhov, V.Yu. Porous silicon in solar cell structures: a review of achievements and modern directions of further use/ V.Yu Yerokhov, I.I. Melnyk // Renewable and Sustainable Energy Reviews. - 1999. - N. 3. - P.291 - 322.

92. Zhao, B. White Light Emission from the composite system of ZnO/porous Si/ Zhao B., Li Q.-S., Qi H.-X., Zhang N. // Chinese Physic Letters. - 2006. - V. 23, N.5. - P.1299 - 1301.

93. Агафонова, Е.А. Влияние термического окисления на перенос носителей заряда в наноструктурированном кремнии/Е.А. Агафонова, М.Н. Мартышов, П.А.Форш, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров// Физика и техника полупроводников. - 2010. - T. 44, вып. 3. - с.367 - 371.

94. Беляков, Л.В. Светочувствительные структуры шоттки на пористом кремнии/ Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий // Физика и техника полупроводников. - 1993. - т. 27, вып. - с. 1371 - 1375.

95. Биленко, Д.И. Свойства структур на основе окисленного пористого кремния при воздействии освещения и газовых сред/ Д.И. Биленко, О.Я. Белобровая, Э.А. Жаркова, Д.В. Терин, Е.И. Хасина //Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, вып. 7. - с.834 - 838.

96. Бланк, Т.В. Механизмы протекания тока в омических контактах металл -полупроводник. Обзор/ Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - с.1281 - 1308.

97. Болотов, В.В. Исследование электрофизических и газочувствительных свойств слоев нанокомпозита por-Si/SnOx/В.В. Болотов, В.Е. Росликов, Е.А. Курдюкова, О.В. Кривозубов, Ю.А. Стенькин, Д.В. Чередов//Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - с. 109 - 112.

98. Болотов, В.В. Влияние галогенов на образование и свойства пористого кремния/ В.В. Болотов, Ю.А. Стенькин, Н.А. Давлеткильдеев, О.В. Кривозубов, И.В. Пономарева// Физика и техника полупроводников. - 2009. -Т. 43, вып. 1. - с.100 - 103.

99. Болотов, В.В. Получение слоев нанокомпозита por-Si/SnOx для газовых микро- и наносенсоров/ В.В. Болотов, П.М. Корусенко, С.Н. Несов, С.Н. Поворознюк, В.Е. Росликов, Е.А. Курдюкова, Ю.А. Стенькин, Р.В. Шелягин, Е.В. Князев, В.Е. Кан, И.В. Пономарева// Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - с.702 - 707.

100. Горячев, Д.Н. Механизмы переноса и инжекции носителей в пористый кремний при его электролюминесценции в электролитах/ Д.Н. Горячев, Г.Полисский, О.М. Сресели// Физика и техника полупроводников. - 2000. - Т. 34, вып. 2. - с.227 - 233.

101. Григорьев, Л.В. Транспортные свойства термически окисленного пористого кремния/ Л.В. Григорьев, И.М. Григорьев, М.В. Заморянская, В.И. Соколов, Л.М. Сорокин //Письма в ЖЭТФ. - 2006. - Т. 32, вып. 17. - с. 33 - 41.

102. Евтух, А.А. Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний/монокристаллический кремний/ А.А. Евтух, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, Н.А. Семененко// Физика и техника полупроводников. - 2006. - Т. 40, вып. 2. - с.180 - 184.

103. Ерохов, В.Ю. Кремний мультипористой структуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии/ В.Ю. Ерохов, А.А. Дружинин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. -2009. - №3. - с.21 - 23.

104. Зимин, С.П. Влияние кратковременного отжига на проводимость пористого кремния и переходное сопротивление контакта алюминий -пористый кремний/ С.П. Зимин, Е.П. Комаров // Письма в ЖЭТФ. - 1998. - Т. 24, №6. - с.45 - 51.

105. Зимин, С.П. Классификация электрических свойств пористого кремния/ Зимин С.П. //Физика и техника полупроводников. - 2000. - Т. 34, вып. 3. -с.359 - 363.

106. Зимин, С.П. Электрофизика пористого кремния и структур на его основе [Текст]: автореф. дис... док. физ. - мат. наук./ С.П. Зимин. - Ярославль, 2003. -35с.

107. Каганович, Э.Б. Фоточувствительные структуры на пористом кремнии/ Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников // Физика и техника полупроводников. - 1999. - Т. 33, вып. 3. - с.327 - 331.

108. Карась, Н.И. Отрицательная фотопроводимость в структурах макропористого кремния/ Н.И. Карась// Новi технологи (Науковий вюник КУЕ1ТУ). - 2010. - № 1 (27). - с.118 - 123.

109. Карпова, C.C. Золь-гель синтез и исследование нанокомпозитов на основе оксида цинка/ C. C. Карпова // Наноструктурированные и тонкопленочные материалы

110. Ламперт, М. Инжекционные токи в твердых телах/Ламперт М., Марк П.

- М.:Мир, 1973. - 413c.

111. Лебедев, Э.А. Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом кремнии/ Э.А. Лебедев, Г. Полисский, В. Петрова-Кох // Физика и техника полупроводников. - 1996. - Т. 30, вып. 8. - с.1468 - 1472.

112. Лисаченко, М.Г. Особенности рекомбинации неравновесных носителей заряда в образцах пористого кремния с различной морфологией наноструктур/ М.Г. Лисаченко, Е.А. Константинов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров// Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, вып. 3. - с.344

- 348.

113. Матвеева, А.Б. Исследование фотоэдс и фотоиндуцированного захвата заряда в пористом кремнии/ А.Б. Матвеева, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Физика и техника полупроводников. - 1995. -Т. 29, вып. 12. - с.2180 - 2188.

114. Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах/ Мотт Н., Дэвис Э. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Мир, 1982. - 368 с, в 2 томах.

115. Сорокин, Л.М. Особенности вольт-амперных характеристик и температурные зависимости электропроводности слоев пористого кремния/

Л.М. Сорокин, В.И. Соколов, А.Е. Калмыков, А.В. Черняев //Письма в ЖЭТФ. - 2010. - Т. 36, вып. 24. - с. 61 - 68.

116. Трегулов, В.В. Пористый кремний: технология, свойства, применение [Текст]: монография/ Рязань: Ряз. гос. ун-т им. С.А. Есенина, 2011. - 124 с.

117. Форш, П.А. Особенности электрического транспорта в анизотропно наноструктурированном кремнии/ П.А. Форш, Л.А. Осминкина, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров //Физика и техника полупроводников. - 2004. - Т. 38, вып. 5. - с.626 - 629.

118. Чубенко, Е. Б. Преобразователи энергии на основе структур макропористый кремний/оксид цинка [Текст]/ Е. Б.Чубенко, А. Л. Долгий, А. А. Клышко//Материалы и структуры современной электроники: сборник 4-ой Междунар. науч. конф. - Минск, 2010. - c.77 - 80.

119. Юзова, В.А. Развитие технологии получения и исследования пористого кремния/ В.А. Юзова, А.А. Левицкий, П.А. Харлашин/Лоигпа1 of Siberian Federal University. Engineering & Technologies. - 2011. - N. 1. - P. 92-112.