Влияние некоторых дефектов структуры на процессы поляризации и переполяризации одноосных модельных сегнетоэлектриков, принадлежащих к различным кристаллофизическим классификационным типам тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Поздняков, Андрей Петрович

• Поздняков, Андрей Петрович
• кандидат физико-математических наук
• 2002

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Поздняков, Андрей Петрович

Введение.

Общая характеристика работы. Постановка задачи.

Глава 1. Процессы поляризации, переполяризации, доменная структура и некоторые физические свойства сегнетоэлектрических кристаллов.

1.1 Условия образования, геометрия и способы наблюдения доменной структуры кристаллов группы триглицинсульфата и сегнетовой соли.

1.2 Динамические свойства доменных границ и методы их изучения.

1.2.1 Исследование динамики доменных границ визуальными методами.

1.2.2 Исследование динамики доменных границ при анализе петель переполяризации в синусоидальных полях.

1.2.3 Исследование динамики доменных границ некоторыми электрическими методами.

1.3 Влияние дефектов на статические и динамические свойства доменной структуры кристаллов группы ТГС и СС.

1.3.1 Влияние собственных дефектов структуры кристаллической решетки на статические и динамические свойства кристаллов группы ТГС и СС.

1.3.2 Влияние примесей на процессы переполяризации и диэлектрические свойства кристаллов группы ТГС и СС.

1.3.3 Влияние радиационных дефектов на процессы переполяризации и диэлектрические свойства кристаллов группы ТГСиСС.

1.4 Некоторые достижения теории движения ДГ и переполяризации. 43 Выводы.

Глава 2. Измерительная аппаратура, методика измерений и подготовка образцов.

2.1 Визуализация доменной структуры и определение характеристик переполяризации. Метод нематических жидких кристаллов (НЖК).

2.2. Измерение эффективных диэлектрических характеристик переключения в слабых и средних электрических полях. Осциллографический метод с цифровой обработкой на ЭВМ.

2.3. Измерение комплексной диэлектрической проницаемости в ультраслабых полях.

2.4 Используемые образцы и их подготовка.

Глава 3. Визуализация динамики доменных границ кристаллов ДТГС в сравнении с ТГС в электрических полях различной напряженности и частоты.

3.1 Переполяризация кристаллов ДТГС в постоянном поле.

3.1.1 Полевые зависимости характеристик переключения кристаллов ДТГС.

3.1.2 Температурные зависимости характеристик переключения кристаллов ДТГС.

3.2 Эволюция доменной структуры кристалла ДТГС в синусоидальном поле.

3.3 Влияние радиационных дефектов на процесс переполяризации кристалла ДТГС.

3.3.1 Сравнение характеристик переключения в облученной и необлученной областях кристаллов ДТГС.

3.3.2 Характеристики переключения в области диффузии радиационных дефектов кристаллов ДТГС.

Выводы.

Глава 4. Вклад различных механизмов движения доменных

ГРАНИЦ В НИЗКО- И ИНФРАНИЗКОЧАСТОТНЫЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ ТГС И ДТГС. Роль НИЗКО- и ИНФРАНИЗКОЧАСТОТНОЙ ЭФФЕКТИВНОЙ ПРОВОДИМОСТИ В ПРОЦЕССАХ ПОЛЯРИЗАЦИИ.

4.1 Частотные зависимости полей активации процесса переполяризации и полуширины петель поляризации кристаллов ТГС и ДТГС.

4.2 Амплитудные и частотные зависимости вкладов различных механизмов движения доменных границ в диэлектрические свойства кристаллов ТГС и ДТГС.

4.3 Температурные и частотные зависимости вкладов различных механизмов движения доменных границ в диэлектрические свойства кристаллов ТГС и ДТГС в интервале слабых полей.

4.4 Исследование диэлектрических свойств кристаллов ТГС и ДТГС в интервале ультраслабых полей.

4.4.1 Диэлектрическая проницаемость в' и диэлектрические потери s" кристаллов ТГС и ДТГС в ультраслабых низко-и инфранизкочастотных электрических полях. Влияние высокотемпературного отжига.

4.4.2 Эффективная проводимость кристаллов ТГС и ДТГС в ультраслабых низко- и инфранизкочастотных электрических полях. Влияние высокотемпературного отжига.

Выводы.

Глава 5. Вклад различных механизмов движения доменных границ в низко- и инфранизкочастотные диэлектрические свойства кристаллов группы сегнетовой соли (СС, ЛСС, ДСС)

5.1 Амплитудно-частотно-температурные зависимости диэлектрических свойств кристаллов СС, ЛСС и ДСС в широком интервале низко- и инфранизкочастотных электрических полей.

5.2 Амплитудно-частотно-температурные зависимости полей активации процессов переполяризации кристаллов СС, ЛСС и ДСС в широком интервале частот и температур.

5.3 Процессы переполяризации и механизмы движения доменных границ кристаллов СС, ЛСС и ДСС.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние некоторых дефектов структуры на процессы поляризации и переполяризации одноосных модельных сегнетоэлектриков, принадлежащих к различным кристаллофизическим классификационным типам»

Актуальность темы. Физика сегнетоэлектриков и родственных материалов в настоящее время является одним из ведущих разделов физики твердого тела (физики конденсированного состояния). С одной стороны, это определяется общностью и фундаментальным характером физических идей и проблем, возникающих и решаемых при изучении сегнетоэлектричества, а с другой - исключительно быстро расширяющимся практическим применением сегнетоэлектрических и родственных материалов.

В последние десятилетия все большее внимание уделяется изучению свойств неупорядоченных систем, в частности, реальных кристаллов, имеющих разного рода несовершенства структуры: доменные и фазовые границы, примеси и другие дефекты, в том числе точечные [1-5]. Такие исследования важны для развития представлений о роли дефектов при структурных фазовых переходах (ФП), для понимания причин и предсказания отклика системы на внешние воздействия, для решения задач оптимизации рабочих характеристик активных материалов путем управления реальной структурой и др.

Исследования диэлектрических и поляризационных свойств в низко-(НЧ) и инфранизкочастотных (ИНЧ) полях позволяют выявить доменный вклад в диэлектрический отклик кристаллов и изучить его особенности, обусловленные взаимодействием доменных границ (ДГ) с дефектами в зависимости от предыстории объекта и при различных внешних воздействиях на него [3,5-7].

Вместе с тем практически важно, что ряд функциональных элементов электроники (например, НЧ фильтры, различные акустические преобразователи и мн. др.) работают в диапазоне низких частот, а перспективы дальнейшего существенного продвижения в развитии методов длинноволновой гидроакустики связаны с более эффективным использованием ИНЧ электромеханических свойств сегнетоэлектриков и родственных им материалов.

Экспериментальное изучение влияния дефектов доменной (ДГ) и недоменной природы на макроскопические физические свойства (главным образом диэлектрические) сегнетоэлектриков при процессах поляризации и переполяризации на низких и инфранизких частотах является актуальной задачей. Не менее актуальным является сочетание указанной методики с визуализацией доменных процессов при переполяризации коллинеарных кристаллов [4,8]. Наконец, достаточно важным является поиск ответов на вопросы, касающиеся протонного беспорядка и протонной проводимости в водородсодержащих кристаллах и роли в этих процессах водородной связи, которые до сих пор в достаточной мере не изучены и представляют фундаментальный научный интерес.

Цели и методы исследования настоящей работы предопределили выбор в качестве модельных объектов исследования таких хорошо изученных сегнетоэлектриков как триглицинсульфат (ТГС) и сегнетова соль (СС).

Тематика диссертационной работы соответствует «Перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований», утвержденных Президиумом РАН, а работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре физики Волгоградской архитектурно-строительной академии по грантам Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 95-02-06366-а по теме "Влияние доменных и фазовых границ, а также дефектов недоменной природы на макроскопические физические свойства некоторых пьезо-сегнетоэлектрических монокристаллов и керамик" и проект № 98-02-16146 по теме "Долговременные релаксационные процессы в сегнетоэлектриках и родственных материалах в связи с их реальной структурой") и грантов конкурсного центра Минобразования России (проект № 97-0-7.1-43 по теме "Медленные ' электрофизические процессы в неоднородных (неупорядоченных) структурах на основе сегнетоэлектриков и родственных материалов (высокоомных полупроводников)").

Цель работы заключалась в развитии и углублении представлений о различных механизмах поляризации и переполяризации на основе исследования процессов переполяризации модельных сегнетоэлектрических кристаллов (группы ТГС и СС) методами низко- инфранизкочастотной спектроскопии в широких интервалах температур, частот и амплитуд измерительного поля. В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи:

1. Изучение влияния различного рода дефектов (радиационных и изотопических) на параметры, характеризующие движение ДГ с помощью визуального исследования методом нематических жидких кристаллов (НЖК) процессов переполяризации кристаллов дейтерированного ТГС (ДТГС) в постоянных и переменных полях в широком интервале температур, полей и частот.

2. Определение соотношения вкладов релаксационного и гистерезисного механизмов движения ДГ в диэлектрические свойства кристаллов группы ТГС и СС в широком интервале температур, полей и частот.

3. Изучение характера НЧ и ИНЧ эффективной проводимости кристаллов ТГС и ДТГС в ультраслабых электрических полях с целью выяснения роли водородных связей как в параэлектрической, так и в полярной фазах.

4. Развитие модельных представлений о взаимодействии ДГ с дефектами на основе комплексного анализа данных о переполяризации.

Научная новизна:

- Впервые методом НЖК изучены зависимости времени полного переключения кристалла ДТГС от температуры и напряженности поля различного направления и величины, определены поля и энергии активации, проанализирована их взаимосвязь и проведено сопоставление с аналогичными характеристиками кристалла ТГС.

- Впервые для кристаллов ДТГС (методом прямого наблюдения с помощью НЖК) получены экспериментальные свидетельства возникновения сильных и слабых дефектов при рентгеновском облучении и исследована их роль в процессах переполяризации данных кристаллов.

- Впервые на основе обработки петель поляризации (ПП) (по методике [9]) проведено количественное разделение механизмов движения ДГ в кристаллах группы ТГС и СС в широком интервале температур, полей и частот и выявлена эволюция этих механизмов с изменением температуры кристалла и величин амплитуды и/или частоты переполяризующего поля.

- Впервые вводится понятие о среднем (промежуточном между сильными и слабыми) типе дефектов в зависимости от силы их взаимодействия с ДГ (расширена классификация точечных дефектов). На основании предлагаемого подхода дается объяснение полевых, частотных и температурных зависимостей вкладов гистерезисного и релаксационного механизмов движения ДГ исследуемых кристаллов.

Практическая значимость. Новые результаты и установленные закономерности процессов переполяризации модельных монокристаллов семейства ТГС и СС при наличии внешних воздействий различной природы, представленные в диссертационной работе, позволяют значительно пополнить имеющуюся информацию о механизмах движения ДГ, что является важным для проверки существующих и разработки новых теоретических представлений об особенностях протекания процессов переполяризации в реальных кристаллах (кристаллах, имеющих дефекты различной природы), а также (на основе развитых моделей) проектировать новые материалы с заданными свойствами для практических применений.

В качестве объектов исследований выбраны представители модельных монокристаллов, принадлежащих к различным кристаллофизическим типам (по JI.A. Шувалову [10]): группы ТГС - чистый и дейтерированный кристаллы ТГС и СС - чистая СС, дейтерированная (ДСС) и с примесью лития (JICC). Данные монокристаллы были получены из лаборатории фазовых переходов Института кристаллографии АН СССР (ныне РАН) им. А.В. Шубникова и выращены в СКБ данного института, а также В.П. Константиновой, Н.Г. Максимовой и Н.М. Щагиной.

Положения, выносимые на защиту:

1. Дейтерирование и последующее локальное радиационное облучение кристалла ТГС приводит к росту значений его переполяризационных характеристик (полей активации переполяризации в постоянном поле; пороговых полей образования зародышей и рядов зародышей в синусоидальном поле).

2. Вблизи (за "границей") области сильного радиационного повреждения кристаллов ДТГС (так же как и у кристаллов ТГС) возникают области, обладающие меньшими энергиями активации (аналог "радиационного отжига" кристалла), в которые диффундировали слабые радиационные дефекты.

3. Изотопические и изовалентные дефекты замещения (дейтерий и литий) в кристаллах сегнетовой соли существенно изменяют переполяризационные характеристики (например, поля активации увеличиваются в 1,5-3 раза) полярной фазы во всем исследованном диапазоне частот (0,1Гц - 90Гц) переполяризующих синусоидальных полей.

4. Развита (расширена) классификация точечных дефектов, обусловливаемая характером их взаимодействия с ДГ и (в конечном счете) механизмами движения последних: "слабые" (подвижные дефекты, движущиеся вслед за ДГ при переполяризации), "средние" (малоподвижные дефекты, не успевающие следовать за ДГ, срываясь с которых ДГ при переполяризации движутся гистерезисно) и "сильные" (неподвижные дефекты, "намертво" прикалывающие ДГ, заставляющие ее прогибаться между ними под действием внешнего поля как нагруженную мембрану). Показана возможность трансформации одних классификационных типов точечных дефектов в другие в связи с предысторией кристалла и условиями эксперимента.

Апробация результатов работы. Основные результаты, изложенные в диссертационной работе, докладывались на: IV и V Международных симпозиумах по доменным структурам в ферроиках (Вена, Австрия, 1996г., Пенсильвания, США, 1998г.), Международной научно-технической конференции по физике твердых диэлектриков "Диэлектрики-97" (Санкт-Петербург, 1997г.), IX Международной конференции "Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах" (Тула, 1997г.), XI Международном симпозиуме по применению сегнетоэлектриков и VI Европейской конференции по применению полярных диэлектриков (Монтре, Швейцария, 1998 г.), 8-й Международной конференции по сегнетоэлектрикам-полупроводникам (Ростов-на-Дону, 1998 г.),

Международной конференции "Фазовые переходы и критические явления в конденсированных средах" (Махачкала, 1998г.), XV Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Ростов-на-Дону, 1999), IV международной конференции "Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение" (Александров, 1999г.), Международной конференции по материаловедению и физике конденсированного состояния (Кишинев, 2001), XVI Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Тверь, 2002).

Публикации

Содержание диссертации опубликовано в 24 печатных работах (из них 5 статей в реферируемых научных журналах: "Ferroelectrics" и "Физика твердого тела").

Структура и объем

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем составляет 154 страниц, включая 34 рисунка, 8 таблиц. Список литературы содержит 159 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Поздняков, Андрей Петрович

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ РАБОТЫ И ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Комплексное исследование процессов поляризации и переполяризации кристаллов группы ТГС и СС с использованием различных методик в широком интервале полей частот и температур позволили выявить новые и получить дополнительные сведения о роли вклада ДГ изменяющейся концентрации, а также некоторых дефектов недоменной природы в макроскопические физические свойства этих кристаллов. Основные из этих результатов и выводы можно сформулировать следующим образом:

1. На основе экспериментального исследования методом НЖК было установлено, что дейтерирование кристалла ТГС приводит к увеличению поля активации переполяризации в постоянном поле и увеличению пороговых полей образования зародышей и рядов зародышей в синусоидальном поле. Рентгеновское облучение приводит к еще большему закреплению ДГ в дейтерированном кристалле ТГС.

2. Исследование переполяризации областей, локально облученных рентгеновскими лучами, и примыкающих к ним областей повышенной концентрации диффундировавших радиационных дефектов, выявило существование как сильных малоподвижных дефектов, затрудняющих переполяризацию данных областей кристалла, так и слабых радиационных дефектов, облегчающих переполяризацию соответствующих областей кристалла (аналог "радиационного отжига").

3. При анализе особенностей вкладов различных механизмов движения ДГ в комплексную эффективную диэлектрическую проницаемость (£*>ф) кристаллов ТГС и ДТГС вводится понятие о трех типах дефектов ("слабые", "средние" и "сильные") в зависимости от силы их взаимодействия с ДГ. На основании развиваемого подхода дается

134 объяснение полевых, частотных и температурных зависимостей вкладов гистерезисного и релаксационного механизмов движения ДГ в е*Эф.

4. Обосновано предположение о том, что в ИНЧ эффективную проводимость кристаллов ДТГС в парафазе существенный вклад вносит движение электронов, локализованных вблизи дейтонов, замещающих протоны на водородных связях аналогично модели [11]. Проводимость же кристаллов ТГС в неполярной фазе, по-видимому, обусловлена несколькими носителями, дающими интегральный вклад в эффективную проводимость кристалла на НЧ и ИНЧ.

5. Установлено значительное влияние точечных дефектов и их трансформации в зависимости от условий эксперимента на процессы поляризации и переполяризации кристаллов группы СС. Отмечается, что с уменьшением частоты происходит трансформация "сильных" дефектов в "средние", а "средних" в "слабые", а с уменьшением температуры наблюдается обратная картина ("усиление" дефектов или их "замораживание").

135

БЛАГОДАРНОСТИ

Автор считает своим приятным долгом выразить глубокую благодарность научным руководителям Шильникову А.В и Галияровой Н.М. за постановку задачи и постоянную помощь и внимание к работе. Почтить память уже ушедшей от нас Донцовой Л.И., под руководством которой были проведены исследования, вошедшие в 3 главу. Выразить благодарность соавторам многих работ Сопиту- А.В., Федорихину В.А., Шувалову Л.А., Нестерову В.А. за помощь при обработке и обсуждений результатов, а также Завьялову Д.В. за написание программного обеспечения, позволившего существенно ускорить обработку части материала.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Поздняков, Андрей Петрович, 2002 год

1. Пешиков Е.В. Влияние несовершенств структуры на свойства кристаллов// Ташкент: Фан, 1979, 114с.

2. Леванюк А.П., Сигов Л.С. Влияние дефектов на свойства сегнетоэлектриков и родственных материалов вблизи точки фазового перехода второго рода// Изв. АН СССР. сер. физ. 1981, т.45, №9, с.1640-1645.

3. Шильников А.В. Низко- и инфранизкочастотпая диэлектрическая спектроскопия некоторых сегнетоэлектрических кристаллов и керамик.// Изв. АН СССР. сер. физ. 1987, т.51, №10, с. 1726-1735.

4. Донцова Л.И., Тихомирова Н.А., Гинзберг А.В. Кинетика процесса переключения локально облученных образцов триглицинсульфата// ФТТ, 1988, т.30, №9, с.2692-2697.

5. Донцова Л.И., Тихомирова Н.А., Шувалов Л.А. Дефекты и их роль в процессах переполяризации и формирования внутренних смещающих полей в сегнетоэлектриках// Кристаллография. 1994, Т,39, №1, с.158-175.

6. Shil'nikov A.V., Nesterov V.N., Burkhanov A.I. Simulation motion of domain and interphase boundaries and their contribution to the dielectric properties of ferroelectrics// Ferroelectrics. 1996. v.175. pp.145-151.

7. Marutake М. The effect of electric field on the domain structures in Rochelle salt// J. Phys. Soc. Japan. 1951. v.1.7, №1, pp.25-29.

8. Mitsui Т., Furuichi Y. Domain structure of Roclielle Salt and KH2P(V/ Phys. Rev. 1953. v.90, №2. pp. 193-202.

9. Mitsui Т., Furuichi Y. Kinetic properties of the domains in Rochelle Salt// Phys. Rev. 1954. v.95, №2, p.558.

10. Nakamura T. Domain properties in Rochelle salt// J. Phys. Soc. Japan. 1956. v.l 1, pp.624-629.

11. Miller R, Savage A. Motion of 180° domain walls in metal electrodes barium titanate crystals as a function of electric field and sample thickness// J. Appl. Phys. 1960, v.3I, № 4. pp. 662-669.

12. Мелешина В.А., Рез И.С. К вопросу о природе униполярности сегнетоэлектрического триглицинсульфата// Изв. АН СССР, сер. физ. -1964. т.28, №4, с.735-740.

13. Шильников А.В. Некоторые диэлектрические свойства полидоменных монокристаллов сегнетовой соли, триглицинсульфата и дигидрофосфатакалия// Автореф. дисс. на соискание ученой степени к.ф.-м.н. ВПИ. Воронеж. 1972. 19с.

14. Миловидова С.Д., Сидоркин А.С., Бурданина Н.А., Гришаева Л.А -Формирование внутреннего смещающего поля ТГС дефектами кристаллической структуры// Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, Калинин, 1987, с.91.

15. Шильников А.В. Роль доменных и фазовых границ в процессах низко-и инфранизкочастотной поляризации и переполяризации модельных сегнетоэлектриков/ Автореф. дисс. на соискание ученой степени д.ф.-м.н. Ин.-т. физики АН ЛатССР. Саласпилс, 1988. 25с.

16. Донцова Л.И. Доменная структура и процессы 180°-ой переполяризации модельных сегнетоэлектриков// Автореф. дисс. на соискание ученой степени д.ф.-м.н. Воронеж.т 1991. 29с.

17. Миловидова С.Д., Косцов A.M. и др. Внутреннее смещающее поле в ТГС, созданное рентгеновским облучением// Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь. 1991. с. 120.

18. Дука С.Н., Клубович В.В., Толочко Н.К. Исследование процесса переполяризации кристаллов ТГС, полученных при послойном выращивании в растворах с примесями L- и D-a-аланина// Докл. АН БССР, 1991, т.35, №9, с.784-788.

19. Бородин В.З., Шнейдер В.Я. Образование зародышей доменов при переключении сегнетоэлектриков// Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, Тверь, 1993, с.144-147.

20. Большакова Н.Н. Исследование устойчивости поляризованного состояния кристаллов группы ТГС// Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, Тверь, 1993, с.33-42.

21. Комлякова Н.С., Корина Р.В., Испалатова О.В., Тихомирова Н.А. -Процессы перестройки доменной структуры кристаллов ТГС с примесями а-аланина и фосфора// Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, Тверь, 1993, с.115-120.

22. Прасолов Б.Н., Сафонова И.А. Эффекты взаимодействия доменных границ с подвижными точечными дефектами в кристаллах ТГС\\ Изв. РАН, сер. физ., 1995, т.59, №9, с.69-72.

23. Струков Б,А. Фазовые переходы в сегнетоэлектрических кристаллах с дефектами// Сорос. Образ. Ж. 1996, №12, с.95-101.

24. Миловидова С.Д., Евсеев И.И., Вавресюк И.В., Алешин С.А. -Структура и свойства кристаллов ТГС, выращенных из облученных затравок// Кристаллография. 1997, т.42, №6, с. 1137-1138

25. Гладкий В.В., Кириков В.А., Нехлюдов С.В., Иванова Е.С. Релаксация поляризации в сегнетоэлектрическом кристалле с различными состояниями доменной структуры и поверхности // ФТТ. 1997, т.39, №11, с.2046-2052.

26. Камышева J1.H., Голицина О.М., Подгорная Т.Н. Подвижность доменных стенок облученного ТГС// ФТТ. 1998, т.40, вып.7, с.1321-1323

27. Дрождин С.Н., Куянцев М.А. Диэлектрическая релаксация в кристаллах ДТГС// ФТТ. 1998, т.40, №8, с.1542-1545.

28. Иванов В.В., Колышева М.В., Клевцова Е.А. Релаксация диэлектрической проницаемости в кристалле ДТГС// Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, Тверь. 1998, с. 131.

29. Unruch H.-G., Muser H.E. Rash ablaufende ferroelektrische Nachwirkun-gserscheinungen// Z. angew. Phys., 1962, Bd.14, H.3, S.121-125.

30. Unruch H.-G. Uber Gitterfehler, ferroelektrische Nachwirkubgserscheinungen und dielektrische Relaxation in Seignettesalz// Z.angew. Physik, 1963, Bd. 16, H.5, S.315-324.

31. Мелешина В. A. К методике одновременного избирательного травления доменов и дислокаций и их идентификации в кристаллах триглицинсульфата/'/ Кристаллография. 1964. т.9, вып. 3. с.381-387.

32. Донцова Л И., Попов Э.С. Особенности самопроизвольного движения доменных стенок в монокристаллах триглицинсульфата и титаната бария// Сб. Физика диэлектриков и полупроводников, Волгоград. 1978,. с. 106-115.

33. Кобзарева С.А., Дистлер Г.И., Константинова В.П. Выявление доменной структуры кристаллов триглицинсульфата методом избирательной кристаллизации антрахинона// Кристаллография. 1970, т. 15, вып. 3, с.510-514.

34. Донцова Л.И., Тихомирова Н.А., Шувалов Л.А. Исследование динамики доменной структуры ТГС в синусоидальных электрических полях// Сб. Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград. 1978, с.92.

35. Шур В.Я., Летучев В.В., Попов Ю.А. Перестройка доменной структуры в монокристаллах германата свинца// ФТТ, 1982, т.24, вып. 11, с.3444-3446.

36. Согр А.А., Бородин В.З. Наблюдение динамики доменной структуры сегнетоэлектриков в растровом электронном микроскопе// Изв. АН СССР, сер. физ. 1984. т.48. №6. с.1086-1089.

37. Beudon D., Boudjema El.H., Le Bihan R. Observation of ferroelectric domains with a scanning electron microscope by decoration techniques// Jap. J. Appl. Phys. 1985. v.24, Suppl. 24-2. pp.545-547.

38. Бравина С.Л., Морозовский Н.В., Остапенко Н.И., Скрышевский Ю.А. -Пироэлектрические явления в кристаллах семейства ТГС// Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь 1990, с.75-82.

39. Bluhm Н., Schwarz U.D., Meyer К.-Р., Wiesendanger R. Anisotropy of sliding friction on the TGS (010) surface// Appl. Phys. A., 1995, т.61, №5, С.525.

40. Белушкин А.В. Исследования систем с разупорядоченными водородными связями методом рассеяния нейтронов// Кристаллография, 1997. т.42, №3,с.549-575

41. Малышкина О.В., Бильдина Н.Б. Температурный гистерезис пиротока в кристаллах ДТГС// Кристаллография, 1997, т.42, №4, с.735-737.

42. Донцова Л.П., Попов Э.С., Шильников А.В. и др. Влияние изменений температуры на доменную структуру и плотность поверхностной энергии доменных стенок в кристаллах триглицинсульфата// Кристаллография, 1981, Т.26, вып.4, С.758-765.

43. Донцова Л.И., Булатова Л.Г., Попов Э.С., Шильников А.В. и др. Закономерности динамики доменов в процессе переполяризации кристаллов ТГС// Кристаллография, 1982, Т.27, вып.2. С.305-312.

44. Донцова Л.И., Булатова Л.Г., Шильников А.В., Тихомирова Н.А. Динамика доменов и диэлектрические свойства кристаллов ТГС в синусоидальных электрических полях// Физика диэлектриков и полупроводников, Волгоград, 1986, С. 165-181.

45. Fatuzzo E., Merz W.Y. Ferroelektrisity. Amsterdam: North-Holland, 1967, 356c.

46. Донцова Jl.И., Тихомирова Н.А., Булатова Л.Г., Корина Р.В. Общие закономерности в формировании доменной структуры чистых и примесных кристаллов ТГС//Кристаллография. 1988. т.ЗЗ. вып. 2, с.450-458.

47. Кэди У. Пьезоэлектричество и его практические применения// Пер. с англ. Достовалова Б.Н. и Константиновой В.П.; Под ред. Шубникова А.В., М.: Иностр. лит., 1949. 717с.

48. Pulvari C.F., Kuebler W. Polarization reversal in triglycine fluoberrylate and triglycine sulfate single crystals// J. Appl. Phys. 1958. v.29, №12. pp.1742-1746.

49. Шильников A.B., Попов Э.С., Рапопорт СЛ. О различии механизмов движения доменных стенок в кристаллах сегнетовой соли вблизи верхней и нижней точек Кюри.// Кристаллография. 1969. т.14, вып. 6,-с.1028-1032.

50. Шильников А.В., Попов Э.С., Рапопорт С.Л. Шувалов Л.А. О диэлектрических свойствах кристаллов сегнетовой соли в низкочастотных полях различных амплитуд// Сб. Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград. 1970. вып. 29. с.107-125.

51. Шильников А.В. К вопросу о переполяризации кристаллов триглицинсульфата в переменных полях низкой частоты// Сб. Физика диэлектриков и полупроводников, Волгоград. 1970. вып. 29. с.95-106.

52. Барфут Дж. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений// М., Мир, 1970. 352с.

53. Большакова Н.Н., Павлов С.А., Рудяк В.М., Тихомирова Н.А. -Процессы перестройки доменной структуры кристаллов ТГС в синусоидальных электрических полях// Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, Калинин, 1985, с.3-7.

54. Proszak W. Electric permeability and parameters of the dielectric hysteresis loop of alanine doped ferroelectric TGS single crystals// J. Techn. Phys. 1993, т.34,-№4, c.437-442.

55. Piekara A.H., Wieckowski A.B. Temperature dependence of the spontaneous polarization in Rochelle salt and thiourea// Phys. status solidi. В., 1996, т. 197, №1, pp.259-263.

56. Иванова Т.П., Клевцова Е.А. Исследование диэлектрических свойств аланин-содержащих кристаллов группы ТГС// Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь, 1998, с.67.

57. Попов Э.С., Шувалов Л.А. Поверхностное натяжение 180° доменных стенок и некоторые явления в кристаллах триглицинсульфата и с-доменного ВаТЮз// Кристаллография. 1973. т.18, вып. 3, с.642-644.

58. Wieder Н.Н. Ferroelecric polarization reversal in Rochelle salt// Phys. Rev. 1958. v.l 10, №1. pp.29-36.

59. Камышева JI.H., Косарева С.А., Дрождин С.Н., Голицына О.М. -Импульсная переполяризация в дефектных кристаллах ТГС// Кристаллография, 1995, т.40, №1, с.93-96.

60. Камышева Л.Н., Голицына О.М., Дрождин С.Н., Масликов А.Д, Барбашина А.Б. Особенности импульсной переполяризации облученных кристаллов ТГС// ФТТ, 1995, т.37, №2, с.388-394.

61. Камышева Л.И., Дрождин С.Н., Подгорная Т.Н. Параметры доменной структуры "ДТГС// Вестник ВГТУ, сер. "Материаловедение", Воронеж,1997, вып. 1.2, с.58-61.

62. Рудяк В.М. Вязкостные явления в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках// Изв. АН СССР. Сер. физ. 1983. т.47, №4, с.794-797.

63. Рудяк В.М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах// Москва: Наука, 1986. 244с.

64. Горностаев В.Ф. Закономерности и некоторые особенности процессов переполяризации образцов монокристалла ТГС, вырезанных из пирамид роста разных граней// Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь1998, с.107-115.

65. Баранов А.И. Аномалии проводимости при структурных фазовых переходах в кристаллах с водородными связями// Изв АН СССР, сер. физ., 1987, т.51, №12, с.2146.

66. Раевский И.П., Павлов А.Н., Прокопало О.Н. Аномалии электропроводности сегнетоэлектриков в области фазовых переходов различных типов// Изв. АН СССР, 1987, т.51, №12, с.2260

67. Гаврилова Н.Д., Лотонов A.M., Медведев И.Н., Новик В.К. -Метастабильная протонная проводимость в кристаллах ТГС и ДГН// Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь, 1991, с.54.

68. Гаврилова Н.Д., Новик В.К., Павлов С.В. Динамика протонов и диэлектрические свойства сегнетоэлектриков// Изв. АН, сер. физ., 1993, т.57, №6, с, 128-131.

69. Гаврилова Н.Д., Мукина О.В. Водородная связь и аномалии электрофизических свойств твердых диэлектриков// Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1997, т.33, №7, с.871-875.

70. Овчинникова Г.И., Гаврилова Н.Д., Лотонов А.Н., Коростелева Ю.Н., Сапронова А.В. Ионный транспорт в кристаллах СС в микроволновых спектрах и статической проводимости// Изв. РАН, сер. физ. 1997, т.61, №12, с.2431-2438.

71. Голицина О.М., Камышева Л.Н., Дрождин С.Н. Релаксация радиационных дефектов в облученном ТГС// ФТТ, 1998, т.40, №1, с. 116117.

72. Попов Э.С., Рапопорт С.Л., Шильников А.В. Электрические свойства сегнетовой соли при двухчастотном воздействии// Изв. АН СССР. сер. физ. 1967. т.31,№7, е.! 199-1201.

73. Попов Э.С., Рапопорт С.Л. Процессы переполяризации монокристаллов титаната бария при двухчастотном воздействии// Кристаллография. 1968. т.13, вып. 2, с.278-283.

74. Прасолов Б.Н., Постникова Н.В., Сафонова И.А. Влияние постоянного поля на релаксационные процессы, обусловленные взаимодействием доменных границ и подвижных точечных дефектов, в кристаллах ТГС// Изв. РАН, сер. физ. 1997, т.61, №5, с.1002-1004.

75. Galiyarova'N.М., Gorm S.V., Nadolinskaya E.G., Shil'nikov A.V. Real Crystal of Rochelle Salt Group Domain Dynamics and Its Contribution to Low-Frequency Dispersion of Dielectric Permittivity// Ferroelectric Letters. 1988, v.8, №5/6, p. 105-109

76. Галиярова H.M., Горин C.B., Васильев Д.Г., Надолинская Е.Г., Шильников А.В. О некоторых особенностях структурного фазового перехода кристаллов сегнетовой соли в низкотемпературную неполярную фазу//Изв. АН СССР, сер. физ. 1989, т.53, №7, с.1390-1393

77. Галиярова Н.М., Горин С.В., Васильев Д.Г., Шильников А.В. -Эволюция низкочастотных и инфранизкочастотных диэлектрических спектров монокристаллов СС при воздействиях на доменную структуру// Изв. АН СССР, сер. физ. 1989, т.53, № 7, с.1414-1418

78. Shil'nikov A.V., Galiyarova N.M., Gorki S.Y., Nadolinskaya E.G., Vasil'ev D.G., Vologuirova L.H. On Ferroelectric Single Crystal's Reversible Domain Walls Motion in LF and ILF Electric Fields// Ferroelectrics. 1989. v.98. pp.3-14

79. Galiyarova N. M. Infralow frequency dispersion of dielectric permittivity due to irreversible domain wall motion near phase transition point in TGS// Ferroelectncs, 1990. v. 111. p.171.

80. Галиярова H.M., Горин C.B., Вологирова JT.X., Шильников А.В., Шувалов Л.А. Особенности предпереходных явлений и эволюция диэлектрических спектров в некоторых водородсодержащих сегнетоэлектриках// Изв. АН СССР, сер. физ. 1990. т.54, с.795

81. Галиярова Н.М. Эмпирическое описание областей диэлектрической дисперсии с линейной зависимостью между проницаемостью и потерями.// Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, Тверь, 1991, с.98-104.

82. Шильников А.В., Галиярова Н.М., Горин С.В., Васильев Д.Г., Вологирова Л.Х. Простейшая классификация механизмов движения доменных стенок в низко- и инфранизкочастотных электрических полях// Изв. АН СССР. сер. физ. 1991, т.55, №3, с.578.

83. Галиярова Н.М. Особенности диэлектрических спектров и динамика доменных стенок с точки зрения неравновесной термодинамики// Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, Тверь, 1993, с.85-98.

84. Galiyarova N., Gorin S. DontsovaL. Fractality and Dielectric Spectra of Ferroic Materials// Materials Research Innovations. 1999. v.3. №1. pp.30-41.

85. Galiyarova N.M., Gorin S.V. Fractal Features of Dielectric Response of Ferroelectncs with Domains and Clusters// Ferroelectrics. 1999. v.222. pp.373-379

86. Nakamura Т. After effect of the domain motion in Rochelle salt crystal// J. Phys. Soc. Japan. 1957. v.12, №5. pp.477-482.

87. Романюк H.A., Желудев И.С. Поляризация сегнетовой соли под воздействием единичных П-образных электрических импульсов// Кристаллография. 1960. т.5, вып. 6, с.904-911.

88. Глизер А.А. Роль диэлектрической вязкости в процессах переключения сегнетоэлектриков при различных частотах внешнего воздействия.// Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, Калинин, 1987, с. 135-139.

89. Чернышева М.А. Влияние электрического поля на двойниковое строение кристаллов сегнетовой соли// Докл. АН СССР. 1951, т.81, №6, с. 1065-1068.

90. Gilletta F. Dielectric relaxation in mnlti-domain TGS single crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1972, v. 12, pp.143-151.

91. Нечаев В.Н. Взаимодействие дислокации с доменной границей в сегнетоэлектрике.// ФТТ. 1991. т.ЗЗ, №5, с.1536-1568.

92. Хильчер Б. Энергия активации движения доменных стенок в кристаллах ТГС с дефектами // Изв. АН СССР, сер. физ. 1975, т.39, №4, с.846-849.

93. Комлякова Н,С., Лихов А.Б., Малек 3., Рудяк В.М., Шувалов Л.А. -Исследование пере поляризации кристаллов триглицинсульфата и зависимости этого процесса от дефектов, имеющихся в кристаллах //Кристаллография. 1977. т.22. вып. 3, с.566-570.

94. Dontsova L.I., Tikhomirova N.A., Shuvalov L.A. Switching process in feiToelectrics by the liquid crystals method// Ferroelectrics, 1989, v.97, pp.97126.

95. Мудрый В.E., Юрин В.А. Низкочастотная диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС с примесями а-аланина// Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, Калинин, 1977, с.49-55.

96. Миловидова С.Д., Бурданина Н.А., Камышева J1.H., Гриднев С.А.,. Верховец А.К., Стародубцева. Н.А. Электрические свойства кристаллов ТГС с а-аланином// Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин. 1978, с.62-69.

97. Дедрик М.С., Марголин Л.Н., Заборовский Г.А. Влияние L-a-аланина на поляризационные свойства кристаллов ТГС ТГС+ТГСел// Сб. Структура и свойства сегнетоэлектриков, Минск, 1982, с. 14-24.

98. Филиппова И.Г., Киоссе Г.А. Кристаллические структуры сегнетоэлектриков семейства СС и твердых растворов на ее основе// Структурные исследования неорганических и органических соединений, Кишинев, 1985, с.97

99. Шильников А.В., Попов Э.С., Надолинская Е.Г., Щагина Н.М. -Реверсивные зависимости s* дейтерированной сегнетовой соли вблизи верхней и нижней точек Кюри// Кристаллография. 1985. т.ЗО, вып. 4, с.729-733.

100. Цедр и к М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата// Минск: Наука и техника, 1986, 215с.

101. Донцова Л.И., Катрич М.Д., Тихомирова Н.А., Беспальцева И.П., Окенко А.П. Стабилизация поляризации и повышение трещиностойкости кристаллов ТГС радиационными дефектами// ФТТ. 1991. Т.33. №3. с.668-674.

102. Мелешина В.А., Белугина Н.В., Шлеммбах X., Винди В., Гавриш Л. -Особенности поведения доменной структуры под действием у-облучения в реальных униполярных кристаллах ТГС// Кристаллография, 1995, т.40, №5, с.863-869.

103. Юрин В.А. Влияние примесей и ядерных излучений на электрические свойства некоторых сегнетоэлектриков// Автореф. дисс. на соискание ученой степени к.ф.-м.н., ИКАН, М., 1964.

104. Fatuzzo E. The reversal of the spontaneous polarisation in gnanidine aluminium sulphate hexahydrate // Helv. Phys. Acta, 1960, v.33, №5, pp.429436.

105. Звиргздс Ю.А., Капостиныи П.П., Звиргздс Ю.В. Влияние облучения на структурный фазовый переход в триглицинсульфате// Дефекты в сегнетоэлектриках. 1981. с.4-10.

106. Kittel С , Gait J. Ferromagnetic domain theory// Solid State Physics., -New York: .Acad. Press Inc., Publ. 1956. v.3, pp.337-564.

107. Санников Д.Г. Дисперсия в сегнетоэлектриках// ЖЭТФ. 1961, т.41, вып. 1, с. 133-138.

108. Санников Д. Г. К теории движения доменных границ в сегнетоэлектриках// Изв. АН СССР Сер. физ. 1964. т.28, №4, с.703-707.

109. Демьянов В.В., Соловьев С.П. Динамическая поляризация и потери в сегнетоэлектриках//ЖЭТФ. 1968. т.54, вып. 5, с. 1543-1553.

110. Lawless W.N., Fousec J. Small-Signal Permittivity of the Stationary (100)-180° Domain Wall in ВаТЮ3// J. Phys. Soc. Jap. 1970. v.28, №2, pp.419-424.

111. Лайхтман Б.Д. Изгибные колебания доменных стенок и диэлектрическая дисперсия в сегнетоэлектриках// ФТТ. 1973. т. 15, вып.1, с.93-102.

112. Miller R.C., Weinreich С. Mechanism for the sidewise motion of 180° domain walls in barium titanate// Phys. Rev. 1960, v.l 17, №6, pp.1460-1466.

113. Stadler H.L., Zachmanidis P.J. Nucleation and growth of ferroelectric domains m BaTi03 at fields from 2 to 450kV/cm// J. Appl. Phys. 1968, v.34, №11, pp.3255-3260.

114. Hayashi M. A note on the domain wall motion in ferroelectric switching// J. Phys. Soc. Jap. 1973, v.34, №5, pp.1686-1692.

115. Miller S.L., McWhorter P.J., Miller W.M. et all. A practical predictive formalisms to describe generalised activated physical processes.// J. Appl. Phys. 1991, v.70, №8, c.4555-4568.

116. Лещенко M.A., Поплавко Ю.М. Анализ размытых диэлектрических спектров.// Укр. физ. ж. 1992, т.37, №6, с.898-904.

117. Zhang Q.M., Wang Н., Kim N. Direct evaluation of domain-wall and intrinsic contribution to the dielectric and piezoelectric response and their temperature dependence on lead zirconate-titanate ceramics.// J. Appl. Phys. - 1994, v.75,№l,c.454-459.

118. Тихомирова H.A., Донцова Л.И., Пикин С.А., Шувалов Л.А. -Визуализация динамики доменной структуры в коллинеарных сегнетоэлектриках// Письма в ЖЭТФ, 1979, т.29, вып. 1, с.38-40.

119. Тихомирова Н.А., Чумакова С.П., Гинзберг А.В., Донцова Л.П., Шувалов Л.А. Использование жидких кристаллов для изучения процессов переполяризации сегнетоэлектриков// Кристаллография, 1987, т.32,-вып. 1, с. 143-148.

120. AS TM-D 150-70. Методы определения диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь твердых электроизоляционных материалов при переменном токе.// Сборник стандартов США. М. 1979. С.188-207 / ЦИОНТ ПИК ВИНИТИ №25.

121. Бурханов А.И. -Долговременные релаксационные процессы в сегнетоэлектрических твердых растворах типа ЦТСЛ и (l-x)PMN-xPSN. // Диссертация., кан. физ.-мат., Воронеж, 1989, 125 с.

122. Донцова Л.И., Попов Э.С., Шильников А.В., Булатова Л.Г., Тихомирова Н.А., Шувалов Л.А. Влияние изменений температуры на доменную структуру и плотность поверхностной энергии доменных стенок в кристаллах ТГС// Кристаллография, 1981. т.26, №4, с.758-765.

123. Белоненко М.Б. Немеш В.В. Локализованное состояние заряженной частицы в сегнетоэлектрическом кристалле// УФЖ, 1999, т.44, №7, с.871.

124. Донцова Л.И., Тихомирова Н.А., Гинзберг А.В. и др. Влияние потока высокоэнергетичных электронов на кинетику процесса переполяризации и хрупкого разрушения кристаллов ТГС// Кристаллография, 1988, т.ЗЗ, №6, с. 1450.

125. Fletcher S.R., Keve Е.Т., Scapscki A.S. Structural studies of TGS. Part II: after x-radiation/field treatment (structure B)// Ferroelectrics, 1976, v. 14, p.789.

126. Шульга C.3., Демьянчук А.П. Процессы образования и стабилизации парамагнитных радиационных дефектов в у-облученных кристаллах ТГС// Журн. прикл. спектроскопии. 1980, т.22, с.307.

127. Пешиков Е.В. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках. Ташкент: "Фан", 1986. 140с.

128. Ziebert V. Vapour pressure of triglycine sulfate (TGS) below 150°C// Ferroelectrics, 1974, v.6, pp. 157-162.

129. Попов Э.С., Рапопорт С.Л. К вопросу о переполяризации сегнетоэлектриков в слабых переменных полях// Сб. Физ. диэл. полупр.,-Волгоград,1970, вып.29, С.45-54.

130. Shil'nikov A.V., Nesterov V.N., Pozdnyakov А.Р., Fedorikhin V.A., Shuvalov L.A. About mechanisms of repolarization of DTGS crystalls under the ас-fields of low and infralow frequencies// Ferroelectrics, 1999, V.222. P.317.

131. Галиярова Н.М. Эволюция диэлектрических спектров при изменении соотношения определяющих движение доменных стенок упругих, вязких и инертных сил// Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь, ТГУ, 1993.- С.54-70.

132. Нестеров В.Н. Динамика доменных и межфазных границ в сегнетоэлектрических твердых растворах на основе цирконата-титаната свинца. (Компьютерный анализ)// Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук, Волгоград, 1997, 168с.

133. Галиярова Н.М., Поздняков А.П., Сопит А.В.,.Шильников А.В, Шувалов J1.A. О роли изотопических и радиационных дефектов в процессах переполяризации триглицинсульфата// Вестник ВолгГАСА, сер. естественные науки, вып.1(2), 1999, с.48-56.

134. Shil'nikov A.V., Pozdnyakov А.Р., Nesterov V.N., Fedorikhin V.A., Uzakov R.H. The analysis of domain boundaries dynamics of TGS single crystals under the ас-fields of low and ultralow frequencies// Ferroelectrics, 1999, V.223.P.149.

135. Шильников A.B., Шувалов Jl.A., Федорихин B.A., Поздняков А.П., Сопит А.В. Диэлектрические свойства монокристаллов дейтерированного триглицинсульфата в ультраслабых низко- и инфранизкочастотных электрических полях// ФТТ, 1999, Т.41, вып.6, С.1073.

136. Abe R. Anomalous dispersion of coercive field at very low frequencies and jerky wall motion in Roshelle salt// Jap.J, Appl.Phys.-1964.- Vol.3, N 5. -P.243-249.

137. M. Лай'нс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им кристаллы. Мир. М. (1981), 736 с.

138. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы// Изд. Мир, М. 1955, С.555 .