Медленные процессы релаксации поляризации в неупорядоченных сегнетоэлектриках и родственных материалах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Бурханов, Анвер Идрисович

• Бурханов, Анвер Идрисович
• доктор физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Бурханов, Анвер Идрисович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. РЕЛАКСОРНЫЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ (РСЭ). ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА И НЕКОТОРЫЕ МОДЕЛИ, ОПИСЫВАЮЩИЕ ПРОЦЕССЫ РЕЛАКСАЦИИ ПОЛЯРИЗАЦИИ В ОБЛАСТИ РАЗМЫТОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В РСЭ.

1.1. Особенности макроскопических свойств релаксоров.

4 1.2. Исследования микроструктурных характеристик РСЭ.

1.2.1. Рентгенографический анализ.

1.2.2. Высокоразрешающая электронная микроскопия (ВРЭМ).

1.3. Модельные представления РСЭ.

1.3.1. Модель флуктуации состава (модель Исупова В.А.Смоленского Г.А.).

•) 1.3.2. Другие модели, основанные на представлении о флуктуации состава в РСЭ.

1.3.2.1. Модель суперпараэлектрического состояния.

1.3.2.2. Модель дипольного и спинового стекла.

1.3.2.3. Модель случайного поля.

1.3.2.4. Модель колебания фазовых границ.

1.4. Долговременные релаксационные процессы в СЭ

I и родственных материалах. , \ 1.4.1. Процессы диэлектрического старения в СЭ.

1.4.2. Долговременная релаксация в РСЭ и сегнетоэлектриках с несоразмерной фазой (НСФ).

1.4.2.1. Долговременная релаксация в РСЭ.

1.4.2.2. Изменение физических свойств со временем в области несоразмерной фазы.

1.5. Краткие выводы по обзорной главе.

ГЛАВА 2. ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ АППАРАТУРА, МЕТОДИКА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ И ПОДГОТОВКИ ОБРАЗЦОВ.

2.1. Экспериментальные установки по измерению диэлектрического отклика материала при различных частотах и амплитудах измерительного поля.

2.2. Методики измерения временных зависимостей диэлектрических параметров материалов.

2.3. Методика измерений токов.

2.4. Образцы.

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЙ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРЕДЫСТОРИИ НА НИЗКО- И ИНФРАНИЗКОЧАСТОТНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОТКЛИК РЕЛАКСОРНЫХ СЕГНЕТОКЕРАМИК НА ОСНОВЕ ЦТС.

3.1. Кинетика диэлектрического отклика сегнетокерамики ЦТС Л в различных временных интервалах выдержки образца при температурах соответствующих размытому фазовому переходу.

3.1.2. Влияние выдержки образца на поведение температурных зависимостей диэлектрических параметров и токов поляризации (деполяризации) в сегнетокерамике ЦТСЛ -8/65/35+0.1Еи.

3.2. Эффекты диэлектрической памяти в сегнетокерамике

ЦТСЛ-х/65/35.1.

3.2.1. Обсуждение эффектов термической памяти в ЦТСЛ.

3.3. Реверсивная диэлектрическая проницаемость и петли поляризации в сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/

3.4. Подобия и отличия в проявлении релаксорных свойств многокомпонентной сегнетопьезокерамики на основе

ЦТС (МКСПК) и модельного релаксора ЦТСЛ.

3.4.1. Поведение НЧ-ИНЧ диэлектрического отклика МКСПК в слабых измерительных полях до и после воздействия смещающего поля.

3.4.2. Реверсивные зависимости и петли поляризации в МКСПК в широкой области температур.:.

3.5. Выводы.

ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИИ И МЕХАНИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ПРОЦЕССЫ РЕЛАКСАЦИИ

ПОЛЯРИЗАЦИИ В СЕГНЕТОКЕРАМИКЕ ЦТСЛ-Х/65/35.

4.1. Особенности температурного поведения НЧ-ИНЧ диэлектрического отклика в облученной сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/

4.2. Влияние различных типов облучения на поведение петель поляризации в сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/

4.3. Временная зависимость диэлектрических параметров в облученной сегнетокерамики ЦТСЛ-х/65/35.

4.3.1. Изменение характера дисперсии е* при длительной изотермической выдержке ГН-облученного образца ЦТСЛ-8/65/35.

4.3.2. Проявление эффектов термической и полевой памяти в облученных образцах ЦТСЛ-х/65/

4.4. Влияние давления на процессы релаксации поляризации в ЦТСЛ-х/65/35 (эффекты механической памяти).

4.4.1. Влияние постоянного электрического поля на проявление эффекта механической памяти.

4.4.2. Проявление эффекта полевой памяти в сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35 при различной механической предыстории материала.

4.5. Выводы.

ГЛАВА 5. ДОЛГОВРЕМЕННЫЕ РЕЛАКСАЦИОННЫЕ

ЯВЛЕНИЯ В МОНОКРИСТАЛЛЕ SBN.

5.1. Влияние механического напряжения на диэлектрические свойства SBN-75.

5.2. Изменение диэлектрических параметров с течением времени в области размытого фазового перехода в монокристалле SBN.

5.3. Эффекты диэлектрической памяти в монокристалле-релаксоре SBN-75. 5.3.1. Эффект термической памяти.

5.3.2. Эффект полевой памяти.

5.4. Токи поляризации и деполяризации в монокристалле SBN при различной предыстории материала.

5.4.1. Обсуждение результатов по поведению токовых характеристик.

5.5. Поляризационные и переполяризационные процессы в монокристалле SBN.

5.5.1. Эволюция петель поляризации в области характеристических температур Та и Тт в монокристаллах SBN.

5.5.2.Температурные зависимости поляризационных и переполяризационных характеристик.

5.5.3. Влияние предыстории на характер поляризационных и переполяризационных процессов в монокристаллах SBN.

5.6. Выводы.

ГЛАВА 6. ВЛИЯНИЕ ДОПИРОВАНИЯ ЛАНТАНОМ НА НИЗКО- И ИНФРАНИЗКОЧАСТОТНЫЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛА SBN-61.

6.1. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости е\Т), потерь в"(Т) и эффективной глубины дисперсии Аг\Т) в SBNL-61.

6.2 Влияние смещающего поля на диэлектрический отклик 8ВЫЬ-61.

6.3. Реверсивные зависимости г\Е=) в монокристалле 8ВМЬ-61 в широкой области температур.

6.4. Кинетика диэлектрической проницаемости и эффекты памяти в монокристалле 8ВМЬ-61.

6.5. Процессы низко- и инфранизкочастотной переполяризации в монокристалле 8ВЫЬ-61.

6.6. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Медленные процессы релаксации поляризации в неупорядоченных сегнетоэлектриках и родственных материалах»

Актуальность проблемы. В последние десятилетия центр тяжести исследований физики конденсированных сред все более смещается в область изучения всевозможных неупорядоченных систем: стеклоподобных объектов различной природы; монокристаллических структур с точечными, линейными и поверхностными дефектами; твердых растворов, керамик и текстур, полученных с применением различных технологий.

Особое место среди этих исследований занимают поиски ответов на фундаментальные вопросы о физической природе медленных релаксационных процессов протекающих в сегнетоэлектриках (СЭ) и родственных материалах при размытых фазовых переходах (РФП), так как эти материалы являются уникальными объектами моделирования процессов происходящих в комплексных системах. Кроме того СЭ с размытым фазовым переходом в силу своих особых свойств являются наиболее перспективными для применений в различных отраслях современной техники, например, в изготовлении миниатюрных многослойных керамических конденсаторов, микропозиционеров и микродвижителей применяемых в сканирующих электронных микроскопах , в адаптационных зеркалах, световых затворах и дисплеях, в чувствительных инфракрасных датчиках, в поглотителях сверхвысокочастотных электромагнитных волн и многое другое. При этом важной проблемой использования СЭ и родственных им материалов была и остается проблема стабильности их свойств во времени — так называемая проблема старения и усталости материала.

В ряде работ (А.В.Шильников и др.) показано, что медленные электрофизические процессы и связанные с ними эффекты старения наиболее адекватно отражаются в характере низко- и инфранизкочастотных (НЧ-ИНЧ) диэлектрических спектров. Это привело, особенно в последнее время, к значительному расширению применения исследователями в разных странах инфранизкочастотной методики для изучения сегнетоэлектриков с РФП -релаксоров и других неупорядоченных (неравновесных) структур.

Однако, несмотря на значительный объем экспериментальных и теоретических результатов, полученных к настоящему времени при исследовании медленных процессов в СЭ - релаксорах, большая часть проблем остается открытой. При этом совершенствующиеся различные методы изучения (например, результаты нейтронных исследований или методы компьютерного моделирования) заставляют по-новому смотреть на полученные ранее результаты. Все это свидетельствует о безусловной актуальности изучения медленных неравновесных процессов в неупорядоченных СЭ и родственных им материалах.

1. Тематика работы соответствует «Перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований», утвержденных Президиумом РАН (раздел 1.2. — «Физика конденсированных состояний вещества. Работа является частью комплексных исследований проводимых на кафедре физики Волгоградского архитектурно-строительного университета: вначале по координационному плану Государственного комитета по науке и технике : проект №37-37-10 «Низко- и инфранизкочастотная диэлектрическая спектроскопия сегнетоэлектриков и родственных материалов») и, в дальнейшем, по грантам Российского фонда фундаментальных исследований и грантам Минобразования России (проекты: №95-02-06366 «Влияние доменных и фазовых границ, а также дефектов недоменной природы на макроскопические физические свойства некоторых пьезо-сегнетоэлектрических монокристаллов и керамик», 97-07.1-43 «Медленные электрофизические процессы в неоднородных (неупорядоченных) структурах на основе сегнетоэлектриков и родственных материалов (высокоомных полупроводников), №98-02-16146 «Долговременные релаксационные процессы в сегнетоэлектриках и родственных материалах в связи с их реальной структурой»; №Е02-3.4-424, «Исследование физической природы различных эффектов последействия в сегнетоэлектрических и родственных материалах»; по научно-технической программе: «Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники» - №202.03.02.04 «Роль доменных и фазовых границ в проявлении макроскопических физических свойств многокомпонентных сегнетопьезокерамик».

Цель работы - формирование и развитие представлений о механизмах медленной релаксации поляризации в сегнетоэлектрических и подобных им объектах с размытым фазовым переходом. В связи с этим решаются следующие задачи:

-на основе экспериментальных исследований вида НЧ-ИНЧ спектров комплексной диэлектрической проницаемости (с*) и эволюции параметров этих спектров в связи с предысторией, дефектной структурой, соотношением концентрации компонентов в твердом растворе изучаемых объектов, выявить характер и природу влияния этих факторов на протекание долговременных электрофизических процессов в СЭ с РФП - релаксорах; - обобщить выявленные закономерности и в рамках полученных результатов выявить возможности прогнозирования макроскопических физических свойств материалов создаваемых для практических нужд. Основные подходы и методы решения

Используя прецизионный метод НЧ-ИНЧ диэлектрической спектроскопии, разработанный на кафедре физики ВолгГАСУ, методы измерения токов поляризации и деполяризации, метод резонанса-антирезонанса при измерении пьезоэлектрических характеристик провести комплексные исследования (широкий интервал температур, амплитуд и частот измерительных и смещающих полей) ряда сегнетэлектрических монокристаллов и керамик в зависимости от предыстории, включающей в себя различные времена выдержки при постоянной температуре, различную степень воздействия постоянных (смещающих) полей, различные дозы "жесткого" гамма и (или) нейтронного облучения.

При обобщении, анализе и интерпретации экспериментальных результатов, в качестве основных, будут учитываться теоретические подходы рассмотрения размытых фазовых переходов (Г.А.Смоленский, В.А.Исупов, В.Я.Фрицберг, М.Д.Глинчук, Е.Кросс, В.Вестфаль и др.), несоразмерной фазы (А.П.Леванюк, Д.Г.Санников, К.Хамано и др.), влияния точечных дефектов (А.С.Сигов, А.С.Сидоркин, В.Н.Нечаев, А.В.Морозов и др.) Объекты исследования

Для исследования процессов медленной релаксации поляризации в неупорядоченных объектах были выбраны типичные представители СЭ с размытым фазовым переходом, так называемые, релаксоры: -твердые растворы цирконата титаната свинца модифицированного лантаном -РЬ1хЬах(2го.б5'По.з5)Оз (ЦТСЛ), приготовленные в виде горячепрессованной керамики;

-многогомпонентная сегнетопьезокерамика на основе ЦТС - РЬТЮз - PbZrOз - РЬ№>2/з2п1/зОз - РЬ"^/2 О - РЬ\Уз/51л2/5 0з при РЬТЮ3 - 34,89 шо1% с добавлением модификатора;

-твердые растворы системы ниобата бария стронция -БгхВаьхЫЬгОб (БВЫ), приготовленные в виде монокристаллов оптического качества, как «чистые», так и с добавлением лантана.

Основные результаты и выводы работы могут быть распространены и на другие сегнетоэлектрические материалы с РФП.

Научная новизна

•Впервые для всей области размытого фазового перехода выявлены типы временных асимптотик, описывающих долговременный спад диэлектрической проницаемости в релаксорных сегнетоэлектриках. • Впервые, обнаружены и интерпретированы эффекты диэлектрической памяти при долговременных процессах релаксации поляризации, проведены комплексные исследования данных эффектов и процессов, рассмотрены и получены некоторые их практические применения.

•Впервые, на основе сопоставления экспериментальных результатов по изучению медленной релаксации поляризации в неупорядоченных материалах - релаксорной керамике ЦТСЛ и монокристаллах-релаксорах БВЫ, доказывается необходимость использования двух подходов (моделей) при описании долговременных релаксационных процессов в такого рода системах: а) для области температур лежащих ниже характеристической температуры Та - модель пиннинга фазовых и доменных границ на диффундирующих к этим границам точечных дефектах; б) для области температур Тт>Т>Тс1 - модель стеклоподобного состояния в релаксоре, где учитывается возможность "замораживания" полярных кластеров в локальных областях образца (в областях концентрации дефектов структуры) и возникновения особых кластеров -фрактокластеров (микроэлектретов).

•Впервые при исследовании эффектов последействия в монокристаллах релаксорах 8ВЫ выявлено, что высокие значения Рх (сравнимые с теоретическими), определяемые с помощью петель поляризации, получаются лишь вначале цикла переполяризации, тогда как при дальнейшей переполяризации значения Рх существенно уменьшаются, что вызвано процессами стеклоподобного «замораживания» в неупорядоченных материалах.

Научная и практическая ценность результатов работы. Выявленные закономерности в характере долговременных процессов поляризации в системах с размытым фазовым переходом позволяют прогнозировать характер диэлектрических, пироэлектрических, пьезоэлектрических, упругих и других свойств перспективных материалов - релаксоров. Это, в частности, подтверждает факт наличия авторского свидетельства «Релейный датчик температуры. АС № 1525480. Опубл. в БИ.№44. 30. 11. 1989 г.», полученного на основе результатов исследования эффектов диэлектрической памяти релаксорной керамики ЦТСЛ.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Экспериментальное обоснование необходимости описания процессов долговременной релаксации поляризации в области размытого фазового перехода не одной, а несколькими функциональными зависимостями. Вид которых определяется положением исследуемой температурной точки Ть относительно характеристических температур релаксора : , Тт и/или 7}.

2. Обнаружение различных эффектов диэлектрической памяти (температурной -ЭТП, постоянного -ЭПП и переменного ЭГПТП полей, механической -ЭМП) присущей релаксорам при долговременных процессах. Интерпретация этих эффектов с позиций пиннинга межфазных (доменных) границ на точечных дефектах (область температур - Т<Т и/или с позиций стеклоподобного «замораживания» (интервал температур

3. Экспериментальные результаты, устанавливающие особенности процессов релаксации поляризации в т.н. промежуточных («слабых» релаксорах) на основе твердых растворов цирконата-титаната свинца. Данные особенности обусловлены сосуществованием полярных фаз различной симметрии в области температур ниже Тт и сосуществованием полярной и неполярной фаз в области Т>Тт.

4. Экспериментальные результаты, отражающие изменения в характере медленных процессов релаксации поляризации в релаксорной керамике ЦТСЛ после воздействия различных типов радиации. Данные изменения обусловливаются существенным перераспределением частот релаксации поляризации облучаемого материала.

5. Экспериментальное доказательство обязательного существования токов деполяризации при нагревании короткозамкнутого образца из релаксорного материала (в независимости от его предварительной поляризации). Данные токи возникают благодаря распаду при нагревании крупных полярных кластеров, формирующихся в релаксоре как под действием внешнего смещающего электрического поля, так и в процессе старения материала в нулевом поле при температурах расположенных ниже Тт.

6. Результаты сравнительного анализа характера медленных процессов переполяризации при различных величинах постоянных смещающих полей, частотах и амплитудах переменного поля, в температурной области (7>ГИ) для двух релаксорных систем (монокристаллы БВЫ и керамики ЦТСЛ), устанавливающие, что как в монокристалле-релаксоре БВИ, так и в случае релаксорной керамики ЦТСЛ индуцируемый полем фазовый переход из релаксорной фазы в СЭ фазу является ФП первого рода. Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на 11-ой (Киев-Черновцы, 1986), 12-ой (Ростов-на-Дону, 1989), 13-ой (Тверь, 1992) 14-ой(Иваново,1995), 15-ой(Ростов-на-Дону,Азов,1999) и 16-ой(Тверь,2002) Всесоюзных и Всероссийских конференциях по СЭ, на выездной сессии Научного совета АН СССР по физике сегнетоэлектриков и диэлектриков (Волгоград, 1985). Положения диссертации докладывались также на различных международных конференциях и семинарах: 6-ой, 8-ой Европейских конференциях по СЭ (Познань, 1987, Найемеген, 1995); 1, 4, 5 семинарах по доменной структуре (Волгоград, 1989, Вена, 1996, Пенсильвания, 1998); научно-практических конференциях «Релаксация -93, 94, 97, 2000» (С.Петербург, 1993, 1994, 1997,

2000); семинарах по релаксационным явлениям в твердых телах (Воронеж, 1993,1995), 6, 7, 9 (4) семинарах по физике сегнетоэластиков (Воронеж,1994, Казань, 1997, Воронеж,2003); 6-ой конференции по электрокерамике (Авейро,1996); семинарах по релаксорным СЭ (Дубна 1996, 1998, 2000); 9 и 10 Всемирных конференциях по СЭ (Сеул, 1997, Мадрид

2001), 5-ой конференции по приложению полярных диэлектриков (Рига,2000), Российско-Балтийско-Японском симпозиуме по физике сегнетоэлектриков (С.-Петербург, 2002), научно-практическим конференциям «Пьезотехника» (2000, 2002, Москва, Тверь), «Межфазная релаксация в полиматериалах» (Москва, 2001, 2003) «Интерматик 2003» (Москва, МИРЭА) и др.

Публикации. По теме диссертации автором опубликовано 156 работ, основные из которых перечислены в конце автореферата. Личный вклад автора. Все результаты, изложенные в диссертации получены автором лично или совместно с сотрудниками руководимой проф. А.В.Шильниковым лаборатории по изучению НЧ-ИНЧ диэлектрических свойств СЭ и родственных материалов. Часть экспериментальных результатов была получена совместно с Шишловым С.Ю., Узаковым Р.Э., Сопитом A.B., Даниловым А.Д., Оцаревым И.В., Завьяловой (Оцаревой) A.A., Старцевой О.Н. Другие соавторы публикаций принимали участие в ряде экспериментов и обсуждении результатов (Лучанинов А.Г., Штернберг А., Борманис К., Бирке Е., Надолинская Е.Г., Нестеров В.Н., Сатаров С.А., Лалетин P.A., Кудашев A.C., Мамаков Ю.Н., Кравченко C.B.).

На протяжении почти 20 лет автор работал вместе с бывшим научным руководителем по кандидатской диссертации, а затем и его научным консультантом - профессором А.В.Шильниковым. Его влияние в огромной степени способствовало формированию научных взглядов автора и появлению данной работы. И хотя скоропостижная смерть Аркадия Владимировича Шильникова прервала это плодотворное сотрудничество, светлая память о нем останется навсегда, чему подтверждением будут новые труды его учеников.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка цитированной литературы. Диссертация содержит 307 страниц текста, включающего 97 рисунков и 7 таблиц. Список литературы содержит 304 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Бурханов, Анвер Идрисович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В настоящей работе впервые проведены систематические исследования НЧ-ИНЧ спектров диэлектрической проницаемости и токов деполяризации широкой группы модельных и «слабых» релаксоров в широкой области температур, позволившие установить общие и особенные закономерности протекания медленных процессов релаксации поляризации в подобных материалах. При этом сформулированы следующие выводы:

1. Выявленные закономерности в поведении временных ассимптотик с* релаксоров указывают на необходимость описания процессов долговременной релаксации поляризации не одной, а несколькими функциональными зависимостями в области размытого фазового перехода. При этом характер долговременной релаксации поляризации и его описание определяется положением исследуемой температурной точки Г,-, относительно характеристических температур релаксора : Та,Тт и/или 7}-.

2. В "смешанных" СЭ системах, таких как релаксоры, где одновременно имеют место и СЭ (дальнодействие), и стекольные свойства (короткодействие), различные эффекты диэлектрической памяти могут быть качественно интерпретированы как с позиций пиннинга межфазных (доменных) границ на точечных дефектах (область температур - Т<Т^), так и с позиций стеклоподобного «замораживания» (интервал температур 7^-Тт). :

3. Особенности долговременных процессов релаксации поляризации в промежуточных («слабых») релаксорах на основе твердых растворов ЦТС обусловлены сосуществованием полярных фаз различной симметрии в области температур ниже Тт и сосуществованием полярной и неполярной фаз в области Т>Т

1 -1 /я*

4. Изменения в характере медленных процессов релаксации поляризации в релаксорной керамике ЦТСЛ после воздействия различных типов радиации связаны с существенным перераспределением частот релаксации поляризации в облучаемом материале, что, в свою очередь, проявляется в ослаблении или усилении эффектов диэлектрической памяти в данном материале

5. На основе экспериментальных результатов исследования токов поляризации и деполяризации в различных релаксорах доказано, что при нагреве короткозамкнутого образца всегда (в независимости, от его предварительной поляризации) имеет место наложение на пиротоки, вызываемые изменением поляризационного состояния материала при РФП, токов деполяризации. При этом токи деполяризации обусловливаются разрушением (распадом) крупных полярных кластеров (фрактокластеров-«микроэлектретов»), формирующихся в релаксоре как под действием внешнего смещающего электрического поля, так и в процессе старения материала при температурах расположенных ниже Тт.

6. Из результатов сравнительного анализа характера медленных процессов переполяризации при различных величинах постоянных смещающих полей, частотах и амплитудах переменного поля, в температурной области для двух релаксорных систем (монокристаллы БВК и керамики ЦТСЛ) следует, что как в монокристалле-релаксоре БВИ, так и в случае релаксорной керамики ЦТСЛ индуцируемый полем фазовый переход из релаксорной фазы в СЭ фазу является ФП первого-рода.

БЛАГОДАРНОСТИ

Выражаю глубочайшую признательность и благодарность безвременно ушедшему от нас Аркадию Владимировичу Шильникову — моему научному консультанту. На протяжении многих лет творческое общение ним поддерживало и обогащало меня в научном поиске. Его влияние в огромной мере способствовали формированию моих научных взглядов и появлению данной работы. Светлая память о нем останется навсегда в моем сердце.

Выражаю благодарность всем сотрудникам кафедры физики ВолгГАСУ за внимание и помощь в работе; сотрудникам Института физики твердого тела Латвийского университета Андрису Штернбергу и Карлису Борманису за представление образцов керамики различных составов и постоянный интерес к проводимым исследованиям; сотрудникам Института физики Ростовского госуниверситета Владимиру Павловичу Сахненко, Игорю Павловичу Раевскому, Галине Михайловне Акбаевой, Ирине Николаевне Захарченко за представление различных образцов сегнетоэлектрических материалов; сотруднику Института общей физики РАН Людмиле Ивановне Иевлевой за представление образцов монокристаллов 8ВИ различного состава; а также всем сотрудникам Воронежской лаборатории сегнетоэлектриков руководимой Станиславом Александровичем Гридневым, где во время своих пребываний автор всегда получал радушный прием, поддержку, взыскательную, но благожелательную критику при всестороннем обсуждении результатов.

Выражаю глубокую благодарность Анатолию Георгиевичу Лучанинову, который всегда интересовался проводимыми исследованиям, что выражалось и в дискуссиях, и в его советах, ценность которых с течением времени лишь увеличивается, несмотря на то, что его уже нет с нами.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Бурханов, Анвер Идрисович, 2004 год

1. Смоленский Г.А. Фазовые переходы в некоторых твердых растворах, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами. / Смоленский Г.А., Исупов В.А.//ДАН СССР. 1954. т. 9, № 1. с. 653-654.

2. Смоленский Г.А. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов станната-титаната бария. / Смоленский Г.А., Исупов В.А.// ЖТФ. 1954. т. 24, №8. с. 1375-1386.

3. Смоленский Г.А. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов цирконата бария в титанате бария. / Смоленский Г.А., Тарутин Н.П., Трушин Н.П. // ЖТФ. 1954. т. 24, вып. 9, с. 1584-1593.

4. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом. /Смоленский Г.А., Исупов В.А., Аграновская А.И., Попов С.Н. // ФТТ. 1960, т. 2, вып. 11, с.2906-2918.

5. Боков В.А. Электрические и оптические свойства монокристаллов-сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом. / Боков В.А., Мыльникова И.Е.// ФТТ, 1961, т. 3, вып. 3, с. 841-855.

6. Физика сегнетоэлектрических явлений. /Смоленский Г.А., Боков В.А.,

7. Исупов В.А., Крайник H.H., Пасынков P.E., Соколов А.И., Юшин Н.К. -Л.: Наука, 1985,396 с.

8. Лайнс М. Сегнетоэлектрические и родственные им материалы. / Лайнс М.,

9. Гласс А. Москва.: "Мир", 1981, 316 с.

10. Шильников A.B. Низко- и инфранизкочастотная диэлектрическая спектроскопия некоторых сегнетоэлектрических кристаллов и керамик. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1987. т.51, №10. с.1726-1735.

11. Low frequency dielectric response of PbMgi/3Nb2/303 /Colla E.V., Okuneva N.M.,

12. Koroleva E.Yu., Vakhrushev S.B.// J. Phys. Condensed Matter, 1992, v. 4, pp. 3671-3677.

13. Бурханов А.И. Сверхмедленные релаксационные процессы в сегнетоэлектрических твердых растворах с размытыми фазовыми переходами. // Труды междунар. семинара "Релаксационные явления в твердых телах". Воронеж, 5-8 сентября 1995г. Ч. I. С.89-110.

14. Бурханов А.И. Долговременные релаксационные процессы в сегнетоэлектрических твердых растворах типа ЦТС Л и (l-x)PMN-xPSN. // Дисс. кан. физ.-мат. наук: 01.04.07. Воронеж, 1989. 125 с.

15. Cross L.E. Relaxor ferroelectrics. // Ferroelectrics 1987. У.16. N1-2. P.241-267.

16. Cross L.E. — Relaxor ferroelectrics: an overview. // Ferroelectrics. 1994. V.151. P.3 05-320.

17. Кириллов B.B. Исследование диэлектрической поляризации PbMgi/3Nb2/303св диапазоне частот 10 4-10 Гц. / Кириллов В.В., Исупов В.А.// Изв. АН СССР. Сер. физ. 1969.Т.ЗЗ. № 2.С.313-315.

18. Кириллов В.В. Релаксационная поляризация сегнетоэлектрика PbMgi/3Nb2/3 с размытым фазовым переходом. / Кириллов В.В., Исупов В.А. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1971. Т.35. №12. С.2602-2606.

19. Kirillov V.V. Relaxation polarization of PhMgi^Nb^Cb — ferroelectric with adiffused phase transition. / Kirillov V.V., Isupov V.A. // Ferroelectrics. 1973. V.5. №1-2. P.3-9.

20. Viehland D. Deviation from Curie-Weiss behavior in relaxor ferroelectrics. / Viehland D., Jang S.J, Cross L.E, Wuttig M. // Phys. Rev. B. 1992. V.46. №13. P.8003-8006.

21. Исмаилзаде И.Г. Рентгенографическое исследование системы Pb3NiNb209 -Pb3MgNb209//Кристаллография. 1960. T.5. С.316-325.

22. Bonneau P. Structural study of PMN ceramics by X-ray difraction between 297 К and 1023 К / Bonneau P., Gamier P., Husson E., Morell A.// Mat. Res. Bui. 1989.V.24.№2. P.201-206.

23. A structural model for the relaxor PbMgi/3Nb2/303 at 5 K. / de Mathan N., Husson E., Galvarin G., Gavarri J.R., Hewat A., Morell A. //J.Phys.:Condens. Matter. 1991. V.3.№12. P.8159-8171.

24. Вахрушев С.Б. Процессы микроскопической перестройки структуры в сегнетоэлектриках с размытыми фазовыми переходами и родственных материалах. // Диссертация на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук, Санкт-Петербург, 1998, 86 с.

25. Nuclear magnetic resonance study of ion ordering and ion shifts in relaxor ferroelectrics. /Glinchuk M.D., Laguta V.V., Bykov I.P., Nokhrin S., Bovtun V.P., Leschenko M.A., Rosa J., Jastrabi'k L.// J. Appl. Phys. 1997. V.81. №8. Ptl.P. 3561-3569.

26. NMR Investigation of mixed relaxors xPMN-(l-x)PSN. / Glinchuk M.D., Bykov I.P., Laguta V.V. and Nokhrin S.// Ferroelectrics. 1997. V.199. P.173-185.

27. Bruce A.D. Structural phase transitions. / Bruce A.D., Cowley R.A. // London: Taylor and Francis, 1981, 407 p.

28. Keve E.T. Structure-property relations in PLZT ceramic materials // Ferroelectrics. 1976. V.10. №1-4. P.169-174.

29. Rossetti G.A. X-ray and phenomenological study of lanthanum-midified leadzirconate-titanates in the vicinity of the phase transition region. / Rossetti G.A., Nishimura T. and Cross E.- / J. Appl. Phys. 1991.V.70.№ 3.P. 1630-1637.

30. Burns G. Glassy polarization behavior in ferroelectric compounds Pb(Mgi/3Nb2/3)03 and Pb(Zn1/3Nb2/3)03. / Burns G., Dacol F.N.// Solid State Commun. 1983.V.48.№ 10.P.853-856.

31. Konstantinov G. Diffusion of phase transition in PZT ferroelectric ceramics /

32. Konstantinov G., Bogosova Ya., and Kupriyanov M. //Ferroelectrics. 1992.V.131.P.193-197.

33. Веневцев Ю.Н. Сегнето-и антисегнетоэлектрики семейства титананта бария. /Веневцев Ю.Н., Политова Е.Д., Иванов С.А. //М.: Химия. 1985.-256с.

34. Абдулвахидов К.Г. Влияние структурных несовершенств сегнетоэлектрических кристаллов PbSco.5Nbo.5O3 (PSN) и PbIno.5Nbo.5O3

35. PIN) на их физические свойства./ Абдулвахидов К.Г., Куприянов М.Ф. // Изв.РАН Сер.физ. 1995. Т.59. 9. С.73-76.

36. Kinetics of compositional ordering in РЬгВ'ЕГОб crystals. / Bokov A.A., Rayevskii I.P., Smotrakov V.G., and Prokopalo O.I. // Phys. stat. sol. (a). 1986.V. 93. P. 411-417.

37. Боков А.А. Кинетика размытого фазового перехода в кристаллах с замороженным беспорядком. // ФТТ. 1994. Т.36. №1. С.36-45.

38. Transmission electron microscope observation of relaxor ferroelectric Pb(Mg,/3Nb2/3)03. / Yoshida M., Mori S., Yamamoto N., Uesu Y., Kiat J.M. // J. of Kor. Phys. Soc. February 1998. V. 32. P. 993-995.

39. Bratkovsky A. / Bratkovsky A., Salje E.K. H. and Heine V // Phase Transition, 1994. V.52. pp.77-89.

40. Schmidt G. Eigenschaften von Relaxatorferroelektrika und inkommensurablen NaN02. / Schmidt G., Grutzmann D. // Wiss.Beitr.M-Luter-Univ.:Halle-Wittenberg. 1985. V.O .№16.S.24-35.

41. Kleemann W. Dynamics of Nanodomains in Relaxor Ferroelectrics. // J. of Korrean Phys. Soc. 1998. V.32. P.S939-S941.

42. Toulouse J. Collective Behaviors in the Disordered Ferroelectrics KLT and KTN. / Toulouse J., Pattnaik R. // J. of Korrean Phys. Soc. 1998. V.32.P.S942-S946.

43. Ролов Б.Н. Размытые фазовые переходы. //Рига, Зинатне. 1982. 203с.

44. Ролов Б.Н., Юркевич В.Э. Физика размытых фазовых переходов.// Ростов-на-Дону, РГУ. 1983. 320с.

45. Ищук В.М. Аномальное размытие фазовых переходов в ЦТСЛ / Ищук В.М., Галкин А.А., Завадский Э.А. // ФТТ. 1982. Т.24. №12. С. 3684-3688.

46. Завадский Э.А. Метастабильные состояния в сегнетоэлектриках. / Завадский Э.А., Ищук В.М.// Киев, Наукова думка. 1987,240 с.

47. Ishchuk V.M. Investigation of the phase transition in the system Pbi.^Li^La^x (Zr.yTiy)03./ Ishchuk V.M., Ivashkova N.I., Lakin E.E. // Ferroelectrics.1992. V.131. P.177-181.

48. Фрицберг В.Я. Роль фазовых флуктуаций при сегнетоэлектрических фазовых переходах в твердых растворах со структурой типа перовскита. // ФТТ. 1968. Т. 10. № 2. С. 385-390.

49. Фрицберг В.Я. Особенности фазовых переходов в твердых растворах ЦТСЛ / Фрицберг В.Я., Штернберг А.Р.// Физические свойства сегнетоэлектрических материалов: Сб.науч.трудов, Рига. ЛГУ. 1981.С.З-12.

50. Reineke Т. Disorder in ferroelectrics. / Reineke Т., Ngai К.// Solid State Commun. 1976.V.18.№ 18-P. P. 1543-1547.

51. Sternberg A. Transparent ferroelectric ceramics recent trend and status quo. // Ferroelectrics.1992. V.131. P. 13-23.

52. Zuo-Guang Ye. Relaxor ferroelectric Pb(Mgi/3Nb2/3)C>3: properties and present understanding.//Ferroelectrics. 1996. V.184. P. 193-208.

53. Исупов B.A. Поляризационно-деформационные состояния сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом. // ФТТ. 1996. Т. 38. № 5. С.1326-1330.

54. Isupov V.A. New approach to phase transition in relaxor ferroelectrics. //Phys.Stat. Sol. (b). 1999. V.213. P.211-218.

55. Исупов B.A. //ЖЭТФ. 1956. T.26. C.1912-1915.

56. ТЕМ Study of PLZT ceramics. / Wang P.C., Chen Z.L., He X.W. et al.// Ferroelec. Lett. Sec. 1985. V. 4. № 2. P. 47-51.

57. Bikyashev E.A. Phase transitions and electostriction in the PMN-PT ceramical solid solutions . / Bikyashev E.A., Lisnevskaya I.V., Sakhnenko V.P.// Abstractsof VII Intern. Seminar on ferroelastics, Kazan. 1997. P.01-5.

58. Бикяшев Э.А. Синтез, фазовые состояния и электрострикция керамики на основе магнониобата свинца. // Автореферат на соискание ученой степени канд. хим. наук. Ростов-на-Дону. 1999. 22с.

59. Исупов В.А. Сегнетоэлектрики со слабо размытыми фазовыми переходами. // ФТТ. 1986. Т.28. №7. С. 2235-2238.

60. Isupov V.A. Diffuse ferroelectric phase transition and PLZT ceramics // Ferroelectrics. 1992. V.131. P.41-48

61. Исупов B.A. Явления при постепенном размытии сегнетоэлектрического фазового перехода. // ФТТ. 1992. Т.34. №7. С.2025-2030

62. Isupov V.A. Parametrs of ferroelectric phase transitions diffuseness in PMN-PT and PMN-PNN solid solutions. / Isupov V.A., Pronin I.P., Ayazbaev T.// Ferroelectrics. 1998. V.207. P.507-517.

63. Размеры областей Кенцига и размытие фазового перехода в керамике PMN-PZT./ Цоцорин А.Н., Гриднев С.А., Рогова С.П., Лучанинов А.Г. //Изв.РАН. Сер.физ. 1998. Т.62. №4. С.1579-1583.

64. Цоцорин А.Н. Диэлектрическая релаксация и размытые фазовые переходыв твердом растворе PMN-PZT. // Автореф. дисс. на соискание ученой степени к. ф.-м. н., Воронеж. 1999. ВГТУ. 16 с.

65. Гриднев С. А. Электрострикционные свойства твердого раствора магнониобата свинца цирконата- титаната свинца. / Гриднев С.А., Цоцорин А.Н., Лучанинов А.Г. // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. 1999. Вып. 1.5. С.85-89.

66. Гриднев С.А. Механизмы низкочастотных потерь вблизи точек фазовых переходов 2-го рода. / Гриднев С.А., Даринский Б.М., Нечаев В.А.//ФТТ. 1981.Т.23.№8. С.2474-2481.

67. Гриднев С.А. Механизмы внутреннего трения в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках. Автореф.дис. . д.-ра физ.мат.наук. ЛПИ. Ленинград. 1984. 34с.

68. Bell A.J. Calculations of dielectric properties from the superparaelectric model of relaxors. // J. Phys.: Condens. Matter. 1993. V.5. №46.P. 8773-8792.

69. Toulouse J. Relaxor and superparaelectric behavior in the disordered ferroelectrics KLT and KTN / Toulouse J. and Pattnaik R. // Ferroelectrics. 1997.V.199. P.287-294.

70. Burns E. Crystalline ferroelectrics with glassy polarization behavior. / Burns E., Dacol F.H. II Phys. Rev. B. 1983. V.28. № 5. P.2527-2530.

71. Glass-like freezing in PMN and PLZT relaxor systems. /Levstik A., Kutnjak Z.,

72. Filipic C. and Pirc R.//J. of the Kor. Phys. Soc. V. 32. Feb. 1998. P. S957-959.

73. Dielectric spectra and Vogel-Fulcher scaling in Pb(IN0.5Nbo.5)03 relaxor ferroelectric./ Bokov A.A., Leschenko M.A., Malitskaya M.A. and Raevski I.P

74. Щ' II J. Phys.: Condens. Matter. 1999. V.l 1. P. 4899-4911.

75. Коренблит И.Я. Спиновые стекла и неэргодичность. / Коренблит И .Я., Шендер Е.Ф. IIУФН. 1989. Т.157. Вып. 2. С. 267-310.

76. Burkhanov A.I. Aging and after-effects in PLZT-x/65/35 ferroelectric ceramics. * / Burkhanov A.I., Shilnikov A.V., Sternberg A. // Ferroelectrics. 1989. V.90.1. P.39-43.

77. Диэлектрическая релаксация в легированной и у-облученной сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35 . /Бурханов А.И., Шильников А.В., Шишлов С.Ю., Штернберг А., Димза В. // ФТТ. 1994. Т.36. №8. С.2320-2327.

78. Long-time relaxation of the dielectric response in lead magnoniobate. /Colla E.V., Koroleva E.Yu., Okuneva N.M., Vakhrushev S.B. // Phys. Rev. Lett. 1995.V. 4. № 9. P. 1681-1684.

79. Schmidt G. Pseudoelasticity and shape memory of PLZT ceramic / Schmidt G.,Boczek J.// Pbys. Status solidi. 1978. V.A50.№1. P. 109-111.щ.

80. Roth P. Gedächtnis effect on Ferroelektrika by tiefen Temperaturen / Roth P., Hegenbarth E. // Wiss.Beitr.M-Luter-Univ.:Halle-Wittenberg. 1990. V.O. №33, S. 102-106.

81. Шильников A.B. Эффекты диэлектрической памяти в прозрачной сегнетокерамике ЦТСЛ. / Шильников A.B., Бурханов А.И., Бирке Е.Х. //ФТТ. 1987. Т.29. №3. С.899.

82. Dielectric memory effect in ferroelectric ceramics of PLZT and PMN. /Shil'nikov

83. A.Y., Burkhanov A.I., Sternberg A.R, Birks E.// Ferroelectrics, 1988. V. 81.1. P.317-321.

84. Бурханов А.И. Комплексное исследование эффектов диэлектрической памяти в ЦТСЛ в области размытого фазового перехода. /Бурханов А.И., Шильников A.B. //Тез. док. III Междувед. семинара выставки. Рига: ЛГУ. 1988. Т.1.С.116-118.

85. Шильников A.B. Новые эффекты диэлектрической памяти в керамике ЦТСЛ. /Шильников A.B., Бурханов А.И. // ЖТФ. 1988. Т.58. № 5. С.792-793.

86. Burkhanov A.I. Dielectric Memory Effects of (Mn, Fe, Co, Cu, Eu) Doped PLZT Ceramics/ Burkhanov A.I., Shilnikov A.V., Dimza V.// Ferroelectrics. 1992. V.131. P.267-273

87. Долговременные процессы релаксации поляризации и эффекты диэлектрической памяти в прозрачной сегнетокерамике ЦТСЛ-Х/65/35. /Шильников A.B., Бурханов А.И. Нестеров В.Н., Штернберг А., Димза В. // Изв. РАН Сер. физ. 1993. Т. 57. №3. С. 101-107.

88. Влияние допирования и гамма-облучения на эффект механической памяти в системе ЦТСЛ /Бурханов А.И., Шильников A.B., Шишлов С.Ю., Штернберг А., Димза В.// Изв. РАН Сер. физ. 1995. Т.59. № 9. С. 97-101.

89. Доценко B.C. Физика спин-стекольного состояния. // УФН. 1993. Т.163.6. С. 1-37.

90. Kleeman W. Random-field induced antiferromagnetic, ferrolectric and structural domains states. //Int. J. Mod. Phys. B. 1993. V. 7. №3. P. 2469-2507.

91. Westphal V. Diffuse phase transition and random-field-induced domain states of the "relaxor" ferroelectric РЬМ£1/з№>2/зОз . /Westphal V., Kleeman W. and Glinchuk M.D.// Phys. Rev. Lett. 1992. V.68. №6. P.847-850.

92. Glinchuk M.D. Relaxor ferroelectrics in the random field theory framework ./ Glinchuk M.D., Farhi R. and Stefanovich V.A.// Ferroelectrics. 1997.V.199. P.l 124.

93. Круминь А.Э. Прозрачная сегнетокерамика в качестве объекта физических исследований, оптические и электронные свойства. // Фазовые переходы и сопутствующие им явления в сегнетоэлектриках: Сб.науч.трудов. Рига, ЛГУ. 1984. С. 3-62.

94. Сандомирский В.Б. Аномальные фото-э.д.с. в модели сильно легированного и компенсированного сегнетоэлектрика / Сандомирский В.Б., Халилов Ш.С., Ченский Е.В. //ФТТ. 1982. Т.24. №1. С.3318-3326.

95. Круминь А.Э. Случайные поля и фазовые переходы в прозрачной сегнетокерамике ДТСЛ //Сегнетоэлектрики: Сб.науч.трудов. Минск. МПИ. 1985. С.72-78.

96. Круминь А.Э. Структура и электрофизические свойства прозрачной сегнетокерамики .// Автореф. Дис. .д-ра физ.мат наук . Институт физики Латвии , Саласпилс, 1986. 39с.

97. Glinchuk M.D. Nonliner dielectric response of relaxor ferroelectrics. / Glinchuk

98. M.D. and Stephanovich V.A. //Ferroelectrics. 1998. V.217. P.253-261.

99. Glinchuk M.D. Random field, dynamic properties and phase diagram peculiarities of relaxor ferroelectrics. /Glinchuk M.D. and Stephanovich V.A. // J. of Korean Phys. Soc. 1998. V.32. P.S1100-1103.

100. Glinchuk M.D. Theory of nonlinear susceptibility of relaxor ferroelectrics. / Glinchuk M.D. and Stephanovich V.A. // J.Phys.: Condens.Matter. 1998. V.10. P.l 1081-11094.

101. Стоунхам В. Теория дефектов в твердых телах. // М.: Мир, 1978, 320с.

102. Viehland D., Jang S.J., Cross L.E. and Wutting M. //J.Appl.Phys. 1991. V.69. P.414.

103. Tagantsev A.K. Mechanism of polarization response in the ergodic phase of a relaxor ferroelectric. /Tagantsev A.K. and Glazounov A.E. //Phys. Rev. (B). 1998. V.57.№1.P.18-21.

104. Tagantsev A.K. Dielectric non-linearity and the nature of polarization response ofPbMg1/3Nb2/303 relaxor ferroelectric. /Tagantsev A.K. and Glazounov A.E. // J. of Korean Phys. Soc. 1998. V.32. P.S951-S954.

105. Glazounov A.E. Evidence for domain-type daynamics in ergodic phase of PbMgl/3Nb2/303 relaxor ferroelectric. /Glazounov A.E., Tagantsev A.K. and Bell A.J.//Phys. Rev.B. 1996. V.53.P. 11281-11289.

106. Glazounov A.E. A "breathing" model for the polarization response of relaxor ferroelectrics. /Glazounov A.E., and Tagantsev A.K. // Ferroelectrics. 1999. V. 221. P. 55-66.

107. Nattermann T. Nucleation, pinning and hysteresis effects at the incomensurate-commensurate transition //J. Phys. C: Solid State Phys. 1985. V.18. №30. P.5683-5996.

108. Nattermann T. Dielectric tails in K2ZnCl4: no evidence for an intrinsic chaotic state. //Phys. Stat. Sol. 1986. V.B133. №l.P.65-70.

109. Шильников A.B. Низкочастотная диэлектрическая дисперсия в кристаллах ТГС. // Тезисы докл. VII науч. конф. по сегнетоэлектричеству. Воронеж. 1970. С. 136.

110. Низкочастотная диэлектрическая дисперсия в кристаллах сегнетовой соли /Шильников А.В., Попов Э.С., Рапопорт C.JL, Шувалов JI.A. // Кристаллография. 1970. Т.15. С. 1176-1181.

111. Шильников А.В. Некоторые диэлектрические свойства полидоменных монокристаллов сегнетовой соли, триглицинсульфата и дигидрофосфата калия. // Дис.канд.физ.мат.наук. 1972. Волгоград. ВГПИ. 224с.

112. Kittel С. Domain bondary motion in ferroelectric crystals and the dielectric constaant at high frequency // Phys.Rev. 1951. V.83. №2. P.458-463.

113. Санников Д.Г. Дисперсия в сегнетоэлектриках. //ЖЭТФ. 1961. Т.41. Вып.1. С.133-138.

114. Санников Д.Г. К теории движения доменных границ в сегнетоэлектриках // Изв.АН СССР Сер.физ. 1964. Т.28. №4. С.703-707.

115. Kittel С. Ferromagnetic domain theory. /Kittel С., Gait J.K.// Solid State Physics. New York: Acad.Press INC. 1956.V.3.P.437-564.

116. Простейшая классификация механизмов движения доменных стенок в низко- и инфранизкочастотных электрических полях. /Шильников А.В., Галиярова Н.М., Горин С.В., Васильев Д.Г., Вологирова JI.X. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1991. Т.55. №3. С.578-582.

117. Dielectric properties of Ki.xLixTa03 at frequences 10'2 103 Hz. /Smolensky G.A. , Nadolinskaya E.G., Yushin N.K., Shilnikov A.V. // Ferroelectrics. 1986. V.69. №3-4. P.275-281.

118. Andrews S.R. X-rays scattering study of the random electric dipol system KTa03:Li //J.Phys.C. 1985. V.18. P.1387-1376.

119. Shirnikov A.V. Mechanisms of motion of domain interhase boundaries and their computer simulation /Shirnikov A.V., Nesterov V.N. and Burkhanov A.I. //Ferroelectrics. 1996. V.175. P. 145-149.

120. Нестеров B.H. Динамика доменных и межфазовых границ в сегнетоэлектрических твердых растворах на основе цирконата титанатасвинца ( компьютерный анализ) // Дис. канд.физ.мат.наук. Волгоград.1. ВолгГАСА . 1998. 172 с.

121. Галиярова Н.М. Медленная релаксация поляризации и особенности низкочастотного диэлектрического спектра триглицинсульфата в области фазового перехода. // ФТТ. 1989. Т.31. №11. С. 248-251.

122. Galiyarova N.M. Infralow frequency dispersion on dielectric permittivity due to irreversible domain walls motion near phase transition point in triglycine sulfate. // Ferroelectrics. 1990. V. 111. P. 171-179.

123. Galiyarova N. Fractal Dielectric Response of Multidomain Ferroelectric from the Irreversible Thermodynamic Standpoint. // Ferroelectrics. 1999. V.222. P. 381-387.

124. Galiyarova N. Response of some fractal nonlinear systems /Galiyarova N., Korchmaryuk Ya. // Ferroelectrics. 1999. V.222. P. 389-395.

125. Мисарова А. Старение монокристаллов титаната бария // ФТТ. I960. Т.2. №6. C.I276-I282.

126. Моравец Ф. Изменение ширины доменов в кристаллах триглицинсульфата со временем /Моравец Ф., Константинова В.П. // Кристаллография. 1968. Т. 13. №2. С.284-289.

127. Константинова В.П. Исследование доменной структуры триглицинсульфата при старении . / Константинова В.П., Станковская Я. // Кристаллография. 1971.Т. 16. № 1. C.I58-163.

128. Донцова Л.И. Влияние термических и электрических воздействий на процесс старения сегнетоэлектриков // Дис.канд.фиэ.-мат. наук. Калинин. КГУ. 1969. 238с.

129. Камышева Л.Н. Диэлектрическая релаксация в кристаллах группы КН2Р04 / Камышева Л.Н., Сидоркин А.С., Зиновьев И.Н. // Изв.АН СССР. Сер.физ. 1984. Т.48. №6. С.1126-1130.

130. Fernandez J.F. Dielectric and piezoelectric aging of pure and Nb-doped ВаТЮз /Fernandez J.F., Duran.P, and Moure C.// Ferroelectrics. 1990. V.106. P.381-386.

131. Plessner K.W.// Proc. Phys. Soc. 1956. V.69. P.1261-1272.

132. Ikegami S. Mechanism of Aging in Polycrystalline ВаТЮз /Ikegami S. and Ueda I. //J.Phys.Soc.Jpn. 1967. V.23. P.725-734.

133. Diderichs Н. and Arlt G. //Ferroelectrics. 1986. V.68. P.281-287.

134. Струков Б.А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. /Струков Б.А., Леванюк А.П.//М.: Наука. 1983. 239с.

135. Arlt G. Aging and fatigue in bulk ferroelectric perovskite ceramics. /Arlt G. and Robel U. // Integrated Ferroelectrics. 1993. V.3. P.343-349.

136. Robel U. Dielectric aging and its temperature dependence in ferroelectric ceramic. / Robel U., Schneider-Stôrmann and Arlt G. // Ferroelectrics. 1995. V. 168. P. 301-311.

137. Peculiarities of dielectric properties of same composition of PZT-based ferroceramics /Shilnikov A.V., Otsarev I.V. Burkhanov A.I. Nesterov V.N. AKbaeva G.M, Uzakov R.E. //J. of European Ceramic Society. 1999. V.9. P. 1197-1200.

138. Диэлектрический отклик в системе ЦТС в области сосуществования фаз /Данилов А.Д., Шильников А.В., Бурханов А.И., Г.М.,Нестеров В.Н., Надолинская Е.Г., Акбаева Г.М. //Изв.РАН. Сер физ. 2000. Т.64. №6. С.1236-1241.

139. Kondo M. Temperature dependence of Piezoelectric Constant of properties of 0.5 PbNii/3Nb2/303- 0.5(РЬТЮ3- PbZr03 ) ceramics. /Kondo M., Tsukada M., Kurihara K. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V.38. №9B. P.5539-5543.

140. Нечаев B.H. О равновесии фаз в твердых телах с точечными дефектами /Нечаев В.Н., Рощупкин A.M. // ФТТ. 1988. Т. 30. №11. С.3431-3435.

141. Нечаев В.Н. Влияние точечных дефектов на динамику когерентных межфазных границ в твердых телах / Нечаев В.Н., Рощупкин A.M. // ФТТ. 1988. Т.30. №9. С.2576-2576.

142. Кудряш В.К. Инфранизкочастотная механическая релаксация в чистых собственных сегнетоэлектриках KH3(Se03)2 и KD3(Se03)2 //Дис. . канд.физ.-мат.наук. Воронеж. ВПИ. 1981. 182с.

143. Морозова Г.П. Исследование доменной "памяти" в сегнетоэлектрическихкристаллах методом генерации звука /Морозова Г.П., Сердобольская С.Ю., Тихомирова Н.А. // Письма в ЖЭТФ. 1986. Т.43.№ 10.С. 488-491.

144. Дистлер Г.И. Реальная структура сегнетоэлектрических кристаллов и влияние воздействия на элементы этой структуры // Сегнетоэлектрики при внешних воздействиях: Сб.науч.трудов. Ленинград. ФТИ. 1981. С. 17-29.

145. Shulze W.A. Dielectric Aging in PLZT System. /Shulze W.A. and Biggers J.V. // Ferroelectrics. 1975. V.9. P.203-217.

146. Borchardt G. Aging of Stronium Barium Niobat and PLZT Ceramic / Borchardt G., J.von Cieminski, Schmidt G. // Phys.Status Solidi. 1980. V.59a. №2. P.749-754.

147. Dielectric ageing effects in doped lead magnesium niobat: lead titanate relaxor ferroelectric ceramics. /Pan Wugi, Furman E., Dayton G.O. et al.// J.Mater.Sci.Lett. 1986. V.5. №6. P.647-649.

148. Pan W.Y. Modeling the ageing phenomena in 0.9PMN-0.1PT relaxor ferroelectric ceramics. /Pan W.Y., Shrout T.R., Cross L.E. // J.Mater.Scince Lett. 1989. V.8.P.771-776.

149. Hung С .Ling. Aging behavior of xPtyFe^Wj^Cb -(1-х) Pb(Fe,/2Nb,/2)03 ceramic. / Hung C.Ling, Man F.Yan and Warren W.Rhodes. //J.Am.Ceram.Soc. 1991.V.74. №2. P.287-289.

150. Баранов А.И. Критическое поведение длговременной диэлектрической релаксации в новом классе протонных стекол / Баранов А.И., Кабанов О.А., Шувалов Л.А. / Письма в ЖЭТФ. 1993. Т.58. №7. С.542-546.

151. Proton glass Cs5H3(S)4)4 хН20 : relaxation dynamics /Baranov A.I., Shuvalov L.A., Yakushkin E.D. and Synitsyn V.V.// Ferroelectrics. 1997. V.199. P.307-316.

152. Диэлектрическая релаксация в легированной и у-облученной сегнетокерамике ЦТСЛ-х/65/35. /Бурханов А.И., Шильников А.В., Шишлов С.Ю., Штернберг А., Димза В.//ФТТ. 1994. Т.36. №8. С.2320-2327.

153. The lead magnoniobate behavior in applied electric field. /Colla E.V., Koroleva

154. E.Yu., Nabereznov A.A., Okuneva N.M. // Ferroelectrics. 1994. V. 151. P. 337342.

155. Zuo-Guang Ye. Optical, dielectric and polarization studies of the electric field-induced phase transition in Pb(Mgi/3Nb2/3)03 PMN. /Zuo-Guang Ye and Hans Schmid. //Ferroelectrics. 1993. V.145. P. 83-108.

156. Alberici F. Non ergodic aging in lithium-potassium tantalate crystals. /Alberici

157. F., Doussineau P. and Levelut A. // J.Phys. I France. 1997. V.7. P.329-348.

158. Леванюк А.Я. Теория фазовых переходов в сегнетоэлектриках с образованием сверхструктуры не кратной исходному периоду/ Леванюк А.Я., Санников Д.Г. //ФТТ. 1976. Т.18. №2. С.423-428.

159. Санников Д.Г. Новый тип фазовой диаграммы с несоразмерной фазой / Санников Д.Г., Головко В.А.//ЖЭТФ. 1987. Т.92. №2. С.580-538.

160. Санников Д.Г. Термодинамическая теория несоразмерных фазовых переходов в сегнетоэлектриках //Изв.АН СССР. Сер.фиэ. 1985. Т.49. №2. С.227-233.

161. Hamano Katsumi. Transient dielectric behavior during the commensurate-to-incommensurate phase transition in Rb2ZnCl4 /Hamano Katsumi, Sakata Hideaki, EmaKenji//J.Phys.Soc.Jap.l985.V.54,№5. P.2021-2031.

162. Hamano K. Incommensurate Phases in Dielectrics I. // Modern problems in Condensed matter: North-Holland, Amsterdam, 1986, ed. by R.Blinc and A.P.Levanyuk. P. 365

163. Unruh H.G. Dielectric dispersion in the incommensurate phases of N(CH3)4, CoCI4 and K2ZnCL4 // Solid State Commun. 1985. V.53. №11. P.l023-1 025.

164. Особенности диэлектрических свойств кристаллов прустита в области несоразмерной фазы/ Алексеева З.М., Вихнин.В.С., Рябченко С.М. и др.//ФТТ. 1985. Т.27. №3. С.870-876.

165. Струков Б.А. Влияние электрического поля на фазовый переход несоразмерная-соразмерная фаза в кристаллах (NH4)BeF4 / Струков Б.А.,

166. Арутюнова В.М., Куруленко Е.П. //Кристаллография. 1985. Т.ЗО. №4. С.726-728.

167. Диэлектрическая проницаемость K2Se04 при фазовом переходе в полярную фаэу. /Леманов В.В., Бжезина. Б., Есаян С.Х. и др.// ФТТ. 1984. Т.26. №5. С.1331-1333.

168. Moudden А.Н. Thiourea under a high electric field X-ray studies. /Moudden

169. A.H., Moncton D.E., Axe J.D. // Phys.Rev.Lett. 1983. V.51. №26. P.2320-2393.

170. Nonlinear optical properties of Rb2ZnCl4 in the incommensurate and ferroelectric phases./Sanctuaiy R., Judt D., Baumert J.G et al. // Phys.Rev.B.: Condens.Mater. 1985. V.32. №3. P.l649-1660.

171. Ultrasonic study of the normal-incommensurate-commensurate phase transitions in N(CH3)4, K2ZnCl4 . /Berger J., Benoit J.P., Gorland C.W et al. //J.Phys.(Fr). 1986. V.47. №3. P.483-489.

172. Difraction study of solid solution (thiorea)i.x (urea)x /Onodera Akira,Takahashi Isao,Koto Yoshitake et al. //Jap. J.Appl.Phys. 1985. V.24. №2. P.841-843

173. Струков В.А. Диэлектрические свойства кристаллов NaN02 в окрестности фазовых переходов в несоразмерную фазу /Струков В.А., Арутюнова

174. B.М. Уесу И. //ФТТ. 1982. Т.24. №10. С.3061-3068.

175. Tilo Hauke. Dynamics of polarization reversal in purified Rb2ZnCl4 . /Tilo Hauke, Volkmar Muller, Horst Beige and Jan Fousek. //Ferroelectrics. 1997. V.191. P.225-230.

176. Влияние предыстории на поведение диэлектрической проницаемости кристаллов Rb2ZnCl4 в области аномального термического гистерезиса /Шувалов Л.А., Гриднев С.А., Прасолов Б.Н., Горбатенко В.В. //Изв. АН СССР Сер.физ. 1990. Т.54. №4. С.721-725.

177. Гриднев С.А. Солитонный и доменный вклады в неравновесную диэлектрическую проницаемость в Rb2ZnCl4 /Гриднев С.А., Прасолов Б.Н., Горбатенко В.В. //ФТТ. 1990. Т.32. Вып.7. С.2172-2174.

178. О двух временах релаксации в кристаллах с несоразмерной фазой /Гриднев С .А., Прасолов Б.Н., Шувалов JI.A., Санников В.Г. // ФТТ. 1989. Т.31. С.97-99.

179. Land C.J. Electrooptic Ceramics. /Land С.J., Thacher P.D., Haertling Cr.H. //Applied Solid State Sciene. N.Y.I974. V.4. P. 137-233.

180. Yin Zih-Wen. Ferroelectric ceramics research in China // Ferroelectrics.1981. V.35.№l-4. P.161-166.

181. Wolters M. The electric field-induced antiferroelectric to ferroelectric phase transition in some (Pb,La)Zr0.55Ti0.45O ceramics. /Wolters M., Thieme C.L.H., Burggraaf A.J. //Mater.Res.Bull. 1976. V.l 1. P.315-322.

182. Ищук B.M. Сосуществование фаз и размытые фазовые переходы в ЦТСЛ /Ищук В.М., Завадский Э.А., Пресняков О.В. //ФТТ. 1984. Т.26. №3. С.724-729.

183. Ищук В.М. Размытые фазовые переходы в твердых растворах ЦТС, обусловленные сосуществованием сегнето- и антисегнетоэлектрической фазы /Ищук В.М., Завадский Э.А., Гулиш O.K. //ФТТ. 1986. Т.28. №5. C.I502-I504.

184. Savenko B.N. Neutron diffraction studies on SrxBaixNb206 single crystals. /Savenko B.N., Sangaa D., Prokert F. // Ferroelectrics. 1990. V.l07. P.207-212.

185. Prokert F. Accurate determination of 1С modulation in SrxBaixNb206 from second-oder satellites of neutron diffraction spectra. /Prokert F., Savenko B.N., Balagurov A.M. // Сообщения объед.института ядер.исслед.: Дубна. 1993. №Е14-93-279. С.1-10.

186. Prokert F. Neutron diffraction study of SrxBaixNb206 crystals. /Prokert F., Sangaa D., Savenko B.N.// Abstract of The eith international meeting on ferroelectricity (IMF 8) , 8-13 august 1993. P.338.

187. Диэлектрические и электрооптические свойства сегнетоэлектрика Ba0.54Sr0.46Nb2O6, легированного Y, La, Тт. /Вайвод В.В., Воронов В.В., Ивлева Л.И., КузьминовЮ.С.//ФТТ. 1977. Т.19.№ 10. С.3163-3165.

188. Chun М.Р. The dielectric relaxation behaviors of (Sr0.6Bao.4)i-2y(Li, Dy)yNb206

189. Chun M.P., Yang J.H., Choo W.K. // Journal of the Korean Physical Society. 1998. V.32. P.S970-S973.

190. Влияние примесей редкоземельных элементов на фазовый переход и пьезоэлектрические свойства кристаллов ниобата бария-стронция. /Салобутин В.Ю., Волк Т.Р., Педько Б.Б., Ивлева Л.И. и Иванов В.В. // Изв.РАН. Сер.физ. 2000. Т.64. №6. С.1154-1158.

191. Mashiyama Н. Relaxation of the modulated structure near the lock in transition in K2 ZnCU /Mashiyama H., Kasatani H. //Jap.J. Appl.Phys. 1985. V.24. №2. P.802-804.

192. Kinetic evolution in the incommensurate phase of K2ZnCl4 ./Onodera A., Watanabe O., Yamashita., Haga H. and Shiozaki Y. //Abstract of 8- international meeting on ferroelectricity (IMF-8), 8-13 august 1993. P.215.

193. Влох О.Г., Каминский Б.В., Китых Л.В. и др. //ФТТ. 1986. Т.28. С.1226-1230.

194. Weakening of pinning effect in purified Rb2 ZnCU crystal. /Hamano Katsami, Sakata Hideaki, Jsumi Haruhiko et al. //Jap. J.Appl.Phys. 1985. V.24. №2.-P.796-753

195. Прасолов Б.Н. Медленные релаксационные процессы в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках. //Дис. док.физ.-мат.наук. Воронеж. ВПИ. 1992. 355с.

196. Jamet J.P. Memory effect in thiourea: SC(ND2)2 /Jamet J.P., Lederer P. //Ferroelec.Lett. Sci. 1984.V.1. №5-6. P.139-142.

197. Folcia C.L. Termal hysteresis and memory effect in ferroelectric incommensurate tetramethilammonium tetrachlorocobalt. /Folcia C.L., Tello M.J., Perer-Moto J.M. //Solid State Commun. 1986. V.60. №7. P.581-585.

198. Эффект термической памяти в кристаллах группы А2ВХ4. /Влох О.Г., Каминский Б.В., Китых Л.В. и др. //ФТТ. 1985. Т.27. №1. С.3436-3439.

199. Kiat J.M. Influence of a frozen defects density wave on the incommensurate modulation in BSN / Kiat J.M., Calvarin G., Schneck J. // Jap.J.Appl.Phys. 1985. V.24.№2. P.832-834.

200. Optical birefringence investigation of the memory effect in barium sodium niobate / Toledano J.C., Errandonea G., Schneck J. et al. // Jap .J. Appl. Phys. 1985. V.24. №2. P.290-292.

201. О нелинейных электромеханических свойствах несоразмерной фазы кристаллов фторбериллата. /Джабраилов A.M., Киряков В.А., Гладкий

202. B.В. и др. //ФТТ. 1985. Т.27. №11. С. 3465-3470.

203. Гринберг Е.С. Прямое наблюдение закрепления фазы несоизмеримой волны на парамагнитных дефектах. /Гринберг Е.С., Ефимов В.Н., Силкин Н.И. //Тезисы XI Всесоюзной конференции по физике сегнетоэлектриков, сентябрь, 1986, Черновцы-Киев. Т.2. С.127.

204. Багаутдинов Б.Ш. Дифракционные свидетельства образования волн плотности дефектов в несоразмерных модулированных структурах. /Багаутдинов Б.Ш., Шмытько И.М. // Письма в ЖЭТФ. 1994. Т.59. Вып.З.1. C.171-175.

205. Багаутдинов Б.Ш. Динамические структурные изменения в области фазовых переходов в сегнетоэлектриках //Автоеферат дис. на соискание ученой степени канд.- физ.-мат. наук. Черноголовка. 1994. 20с.

206. Бурханов А.И. Влияние внешних воздействий на релаксационные явления в монокристалле Sr0.75Ba0.25Nb2O6. /Бурханов А.И., Шильников A.B., Узаков Р.Э. // Кристаллография. 1997. Т.42. № 6. С.1069-1075.

207. Влияние предыстории на параметры низкочастотной диэлектрической проницаемости в кристаллах сегнетовой соли /Шильников A.B.,

208. Галиярова Н.М., Горин C.B. и др. //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1983. Т.47.4. С.820-824.

209. ASTM-D 150-70 Методы определения диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь твердых электроизоляционных материалов при переменном токе. // Сборник стандартов США. -М. 1979. ЦИОНТ ПИК ВИНИТИ №25. С. 188-207.

210. Теория диэлектриков. /Богородицкий Н.П., Волокобинский Ю.М., Воробьев A.A., Тареев Б.М. //M.-JL: Энергия. 1965.253с.

211. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. Учеб. Пособие для специальности «Полупроводники и диэлектрики» вузов. М., «Высшая школа». 1977. 448 с.

212. Яффе Б. Пьезоэлектрическая керамика. /Яффе Б., Кук У., Яффе Г. (Перевод с английского под ред. Л.А.Шувалова) // М: Мир. 1974. 288с.

213. Гороховатский Ю.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных диэлектриков и полупроводников. /Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. //М: Наука. 1991. 248с.

214. Garlick g.F.J, Gibson A.F. //Proc.Phys.Soc. London. 1948. V.60. P.574-590.

215. Парфинович И.А. ЖЭТФ. 1954. T.26. №6. C.697-703.

216. Дудкевич В.П. Физика сегнетоэлектрических пленок. /Дудкевич В.П., Фесенко Е.Г. //Ростов-на Дону. РГУ. 1979. 192с.

217. Scott J.F. The Physics of Ferroelectrics Ceramic Thin Films for memory Applications. //Ferroelectrics Review. 1998. V. 1. № 1. P. 1 -129.

218. Сигов A.C. Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике //Соросовский Образовательный Журнале. 1996. №10. С.83-91.

219. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков. М.: Наука .1968. 403с.

220. Токи термодеполяризации в кристаллах триглицинсульфата. / Миловидова

221. С.Д., Гаврилова Н.Д., Камышева JT.H., Новик В.К., Кременчугский В.Г., Гурьянов М.Н. //Полупроводники-сегнетоэлектрики. Науч.сб. РГУ. Ростов-на-Дону. 1978. С.137-139.

222. Штернберг А.Р. Современное состояние в технологии получения в исследовании и применении электрооптической сегнетокерамики. (Обзор). // Электрооптическая сегнетокерамика.: Сб. научных трудов. ЛГУ. Рига. 1977. С.5-104.

223. Sternberg A. Transparent ferroelectric ceramics recent trend and status quo. //Ferroelectrics. 1992. V.131. P.13-23.

224. Akbaeva G.M. Ferroelectric solid solution with low coercive force for memory devices. /Akbaeva G.M., Dantsiger A.,Ya, Razumovskaya., O.N. //Proceedings of the Intern. Conf. "Electroceramic IV", Aachen, Germany. 1994. V.1.P.535.

225. Okadsaki K. Developments in fabrication of piezoelectric ceramics. //Ferroelectrics. 1982.V. 41 .P.77-96.

226. Панич A.E. Физика и технология сегнетокерамики. /Панич А.Е., Куприянов М.Ф.//Ростов-на-Дону. РГУ. 1989. 176с.

227. Пьезоэлектрическое приборостроение. Том I. Физика сегнетоэлекткрической керамики. /Под ред. проф. А.В.Гориша. //Предприятие журнала «Радиотехника» М:. 1999. 367с.

228. Сахненко В.П. Энергетическая кристаллохимия твердых растворов соединений кислородно-октаэдрического типа и моделирование пьезокерамических материалов. /Сахненко В.П., Дергунова Н.В., Резниченко JI.A. //РГПУ. Ростов-на-Дону. 1999. 323с.

229. Кузьминов Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. //М.: Наука. 1982. С.100-175.

230. Сегнетоэлектрическая доменная структура в кристаллах SBN (статика и динамика). /Иванов Н.Р., Т.Р.Волк, Ивлева Л.И., Чумакова С.П., Гинзбург А.В. // Кристаллография. 2002. Т.47. №6. С. 1092-1099.

231. Cheng Z.-Y. Dielectric spectrum and its relationship with time for PLZT 8/65/35 ceramics under DC bias. / Cheng Z.-Y. and Katiyar R.S.// J. of the Kor. Phys. Soc. V.32. Feb. 1998. P.S1042-S1045.

232. Олемской А.И. Эволюция дефектной структуры твердого тела в процессе пластической деформации / Олемской А.И., Скляр И.А. //УФН. 1992. Т. 162. №6. С.29-79.

233. Богомолов А.А. Исследование пироэлектрических свойств сегнетокерамики ЦТСЛ динамическим методом. /Богомолов А.А., Дабижа Т.А.// Тезисы докладов II Междувед. семинар-выставки .Рига., 8-10 апреля 1985г. Рига. ЛГУ. 1985. С.110-112.

234. Особенности температурной зависимости диэлектрический проницаемости и пироэффекта сегнетомягкой керамики на основве ЦТС /Захаров Ю.Н., Акбаева Г.М., Бородин В.З., Дудко В.А., Наскалова О.В. // Изв РАН. Сер.Физ. 2000. Т.64. №7.С. 1446-1449.

235. Bogomolov А.А. Study of the pyroelectric properties of PLZT ceramic by dynamic method. / Bogomolov A.A., Dabizha T.A. //Ferroelectrics. 1987.V.74.№l-2. P.81-84.

236. Da Zhi Sun. Relationship between the Pyroelectric Effect in Ferroelectric Ceramics and their Structurral Parametrs. / Da Zhi Sun and Shen Wei Lin. // J. of Kor. Phys. Soc. February 1998. V.32. P.S205-S207.

237. Pyroelectric charge release in rhombohedral PZT. / Beatiz Noheda, Ning Duan, Noe Cerceda and Julio A.Gonzalo. // J. of Kor. Phys. Soc. February 1998. V.32. P. S256-S259.

238. The dielectric response of electrostrictive (l-x)PMN -PZT ceramics / ShiPnikov A.V., Sopit A.V., Burkhanov A.I., Luchaninov A.G., Uzakov R.E. //J. of Euro. Ceramic Soc. 1999. V.19. P.1295-1297.

239. Jae-Hwan Park. Ferroelectric-Paraelectric Phase Transisition and Dielectric Relaxation in PMN-PT Relaxor Ferroelectrics. / Jae-Hwan Park and Yoonho

240. Kim.// Journal of Korean Phys.Soc.V.32. February. 1998. P.S967-S969.

241. Влияние предыстории на физические свойства скандониобата свинца с различным содержанием бария. /Шильников А.В., Бурханов А.И., Мамаков Ю.Н., Завьялова А.А., Сопит А.В., Штернберг А., Борманис К. //Изв. РАН. Сер.физ. 2001. Т. 65. №8. С. 1156-1161.

242. Polarization and depolarization currents in Pbi.xBaxSc0,5Nbo,503 ferropiezoelectric ceramics /А.1.Burkhanov, A.V.ShiPnikov, A.A.Zavjalova, Yu.N.Mamakov, A.Sternberg, K.Bormanis // Ferroelectrics. 2001. V. 257. №14. Part I. P.85-90.

243. Burkhanov A.I. Polarization currents in thermal depolarized PLZT relaxor ferroceramics / Burkhanov A.I., ShiPnikov A.V. // Abstracts book of ISRF-2.

244. Dubna. Russia, June 23-26, 1998. P. 100.

245. Uzakov R.E. The influence of the thermal and electrical prehistory on physical properties of relaxor SBN / Uzakov R.E., Burkhanov A.I., ShiPnikov A.V. // Journal of Korean Phys.Soc.V.32. February. 1998. P.S1016-S1018.

246. Нечаев B.H. Макроскопическая динамика доменных и межфазных границ в сегнетоэластиках и сегнетоэластиках-сегнетоэлектриках. /Нечаев В.Н., Рощупкин A.M. //Изв. РАН. Сер.физ. 1995. Т.59. №9.С.11-25.

247. Сидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материала.// Москва: Физматлит. 2000. 240с.

248. Пустовал Л.Е. Синтез и свойства пироэлектрических материалов на основе цирконата-титаната и феррониобата свинца. // Автореф. дис. к-та хим. наук. Ростов-на-Дону. 1999. РГУ. 16с.

249. Field and frequency dependence of the dielectric response of Zr-rich PZT at the Frl-Frh and Frh-Pc phase transitions. /Duan N, Gereceda N., Nheda B. and Gonzalo J. A. //Journal of Korean Phys.Soc.V.32. February. 1998. P.S273-S276.

250. Доменные процессы в кристалле Sro.75Bao.25Nb2C>6 в широком интервале амплитуд низко- и инфранизкочастотных полей. /Шильников А.В., Бурханов А.И., Узаков Р.Э., Шуваев М.А., Сильвестров В.И. // Изв. РАН. Сер. физ. 1995. Т.59. № 9.С.65-68.

251. M.E.Drougard. Domain clamping effect in barium titanate single crystals /M.E.Drougard, D.RJoung. //Phys.Rev. 1954. V.94. №6. P.1561-1566.

252. Коротков Л.Н. Динамика перехода в состояние протонного стекла в смешанных кристаллах дигидрофосфатата калия-амония. //Автореферат диссертации на соискание уч.степени к.ф.-м.н. Воронеж. 1984. ВГТУ. 15с.

253. Gridnev S.A. Dielectric relaxation in disordered polar dielectric. //Ferroelectrics. 2002. V.266. P. 171-209.

254. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. //Виша шк., Киев. 1980. 398с.

255. Structure and dielectric and optical properties of Mn, Fe, Co, Eu doped PLZT ceramics. /Dimza V.I., Sprogis A.A., Kapenieks A.I., Shebanov L.A., Plaude A.V., Stumpe R. and Books M. // Ferroelectrics. 1989.V.90. P.45-55.

256. Фрицберг В.Я. Иследование реверсивной нелинейности в керамике ЦТСЛ. /Фрицберг В.Я., Гаевскис А.П., Капениекс А.Э. //Межв.сборник. «Электроптическая керамика». Рига.1977. ЛГУ. С.127-137.

257. Иона Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы. /Иона Ф.,Ширане Д. // М.: Мир. 1965. 552с.

258. Лучанинов А.Г. Пьезоэлектрический эффект в неполярных гетерогенныхсегнетоэлектрических материалах. //Волгоград. ВолгГАСА. 2002. 276с.

259. Изменение структуры сегнетокерамики на основе ЦТС, обладающей стеклодипольным сосотоянием, под влиянием электрического поля. /Константинов Г.М., Богосова Я.Б., Абдулвахидов К.Г., Куприянов М.Ф. // Изв.РАН. Сер.физ. 1995. Т.59.№9. СС.89-92.

260. Электромеханические и диэлектрические свойства релаксорной электрострикционной керамики PMN-PZT. /Сопит А.В., Лучанинов А.Г., Шильников А.В., Бурханов А.И. //Изв.РАН.Сер.физ. 2000. Т.64. №8. С.1658-1661.

261. Особенности электрофизических свойств при размытых фазовых переходах в многокомпонентной сегнетопьезокерамике на основе ЦТС /Бурханов А.И., Шильников А.В., Мамаков Ю.Н., Акбаева Г.М. //ФТТ. 2002. Т.44, N9. С. 1665-1672.

262. Особенности низко- и инфранизкочастотной релаксации поляризации в области морфотропной фазовой ганицы системы PNN-PT-PZ / Шильников А.В., Бурханов А.И., Сатаров С.А., Калване А., Борманис К.Я., А.Р.

263. Штернберг //Материалы Международной научно-технической конференции "Полиматериалы 2001" 26-30 ноября 2001г. Москва. МИРЭА. С.49-52

264. Nonlinearity of dielectric parametrs of PbNii/303-Pb(Zr,Ti)03 ferroelectric solid solutions. /Sternberg A., Bormanis K., Kalvane A., Burkhanov A.I., Satarov S.A., Mamakov Y.N., ShiPnikov A.V. //Ferroelectrics. 2002.V.268.P.375-380.

265. Specifics polarization switching in PbNii/3Nb2/303 PbTi03 - PbZr03 ferroelectric ceramics./ Burkhanov A.I., ShiKnikov A.V., Satarov S.A. Bormanis K., Sternberg A., Kalvane A., // Journal of the European Ceramic Society. 2004. V.24. №6. P.1541-1544.

266. Диэлектрические свойства разупорядоченной сегнетоэлектрической керамики PSN-PT. /Бурханов А.И, Сатаров С.А., Шильников А.В., Борманис К., Штернберг А., Калване А. //Изв.РАН. Сер.Физ. 2004. (в печати)?????

267. Chynoweth A.G. Radiation damage effects in ferroelectric Triglycine Sulfate //

268. Phys.Rev. 1959. V.l 13. №1. P.159-166.

269. Юрин В.А. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов ТГС, облученных Г-квантами. /Юрин В.А., Сильвестрова И.М., Желудев И.С. //Кристаллография 1962. Т.7. Вып.З. С.394-402.

270. Доменная структура у-облученных кристаллов триглицинсульфата /Юрин В.А., Белугина Н.В., Мелешина В.А., Анкудинов М.А. и Желудев И.С. //Изв.АН СССР. Сер физ.1971. Т.35, №9 . С.1927-1930.

271. О диэлектрических свойствах у-облученных кристаллов КН2РО4 /Камышева JI.H., Бурданина Н.А., Жуков O.K., Даринский Б.М. и Сизова Л.Н.//Изв. АН СССР. Сер.физ. Т.34. №12. 1970. С.2612-2616.

272. Донцова JI.И. Кинетика процесса переключения локально облученных образцов триглицинсульфата. / Донцова Л.И., Тихомирова H.A., Гинзберг A.B. // ФТТ. Т.30. №9. 1988. С.2692-2697.

273. Пешиков Е.П. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках. // Ташкент. Изд-во ФАН. Узбекской ССР. 1986. 186 с.

274. Получение и исследование монокристаллов твердых растворов Pbj. xBaxSc0.5Nb0.503. /Раевский И.П., Еремкин В.В., Смотраков В.Г., Гагарина Е.С., Малицкая М.А. //Кристаллография. 2001 Т.46. №1. С.144-148.

275. Sternberg A. Influence of irradiation on physical properties in PLZT and Pb(Sco.5Nbo.5)03 transparent ceramics. //Ferroelectrics. 1989. V.91. P.53-62.

276. Radiation effects in PLZT and PSN ceramics. /Sternberg A., Krumina A., Sprogis A. et al. //Ferroelectrics. 1992. V.131. P.275-282.

277. Radiation effects on lead-containing perovskite ceramics. /Sternberg A., Shebanov L., Birks E. et al. //Ferroelectrics. 1996. V.183. P.301-310.

278. Шильников A.B. Пьезодиэлектрический эффект в прозрачной сегнетокерамике ЦТСЛ / Шильников A.B., Бурханов А.И., Шуваев М.А. //Изв.РАН. Сер.физ. 1992. Т.56. №11. С. 168-170.

279. Бурханов А.И. Влияние постоянного электрического поля на эффект механической памяти в прозрачной керамике ЦТСЛ-8, легированной европием. /Бурханов А.И., Шильников A.B. //Изв.РАН. Сер. физ. 1997. Т.61. №5. С.903-905.

280. Гейфман И.Н. Особенности электрополевого эффекта в ЭПР Gd3+ в монокристалле КТаОз. /Гейфман И.Н., Сытиков A.A., Круликовский Б.К. //ФТТ. 1986. Т.28. Вып.4. С.971-276.

281. Geifman I.N. Phase transition in Ki.xLixTa03 . //Ferroelectrics. 1992. V.131. P.207-212.

282. Гейфман И.Н. Разворачивающаяся петля диэлектрического гистерезиса в (Ki.x: 1Лх)ТаОз // Тезисы докладов XI Всесоюзной конференции по физике сегнетоэлектриков. Черновцы, сентябрь 1986г. ИФ АН УССР. 1986. Том 2. С.263.

283. О двух видах релаксации поляризации полидоменных сегнетоэлктриков в электрическом поле. /Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С., Нехлюдов С.В. // ФТТ. 1999. Т.41. Вып.З. С.499-504.

284. Lente М.Н. Frequence dependence of the switching polarization in PZT ceramics. /Lente М.Н. and Eiras J.A. // Ferroelectrics. 2001. V.257. P.227-232.

285. Mulvihill M.L. Dynamic motion of the domain configuration in relaxor ferroelectric single crystals as a function of temperature and electric field. /Mulvihill M.L., Cross L.E., and Uchino K. // Abstract book, Nijmegen, The Netherlands, 1995. PI6-08.

286. Santos I.A. Pyroelectric properties of rare earth doped strontium barium niobate ceramics from 20K to 450K. /Santos I.A., Garcia D., and Eiras J.A. // Ferroelectrics. 2001. V. 257. P. 105-110.

287. Abrahams S.C. Atomic displacement relationship to Curie temperature and spontaneous polarization in displacive ferroelectrics. /Abrahams S.C., Kurtz S.K., Jamieson P.B. // Phys. Rev. 1968. VI. 172. № 2. P.551-553.

288. Glass A.M. Investigation of the electrical properties of SrixBaxNb206 with reference to pyroelectric detection. //J.Appl.Phys. 1969. V.40. P.4699-4713.

289. Аномалия поляризации сегнетоэлектрического релаксора. / Гладкий В.В., Кириков В.А., Нехлюдов С.В. Т.В.Волк, Ивлева Л.И. //Письма в ЖТЭФ. 2000. Т.71. Вып.1. С.38-41.

290. Ferroelectric phenomena in holographic properties of strontium-barium niobate crystals doped with rare-earth elements. / Volk Т., Woike Th., Doerfler U., Pankrath R., Ivleva L. and Woehlecke M. // Ferroelectrics. 1997. V.203. P.457-470.

291. Dielectric measurements on SBN:Ce. . /Wittier N., Greten G., Kapphan S., Pankrath R., Seglins J. // Phys. status solidi. B. 1995. V. 189. № 1. P. k37-k40.

292. Effect of different cations on the ferroelectric properties of modified strontium barium niobate ceramics. /Murthy S. Narayana, Umakantham K., Murthy K.V. et al И J. Mater Sci. Lett. 1992. V.l 1. № 9. P. 607-609.

293. Диэлектрические свойства монокристалла ниобата бария-стронция допированного лантаном . /Шильников А.В., Бурханов А.И., Старцева О.Н., Узаков Р.Э., Завьялова. А.А. // Вестник ВГТУ. Конденсированные среды и межфазные границы . 2000. С.241-245 .

294. Huang Y.N. Domain freezing in KDP and TGS. /Huang Y.N., Wang Y.N., Li X. and Ding Y. // Journal of the Korean Physical Society. 1998. V.32. P. S733-S736.

295. Dependence of dielectric permittivity on bias field in Pbi.xBaxSco,5Nbo,503. /Burkhanov A.I., Shil'nikov A.V., Zavjalova A.A., Sternberg A., Bormanis K. // Ferroelectrics. 2001. V.257 (1-4). Part I. P. 91-98.