Релаксационные явления и диэлектрическая вязкость в сегнетоэлектрических монокристаллах ТГС, ДТГС и BaTiO3 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Колышева, Марина Валериевна

• Колышева, Марина Валериевна
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Колышева, Марина Валериевна

Введение».

ГЛАВА I. Обзор литературы.

1.1. Процессы переключения в сегнетоэлектрикаж.И

1.2. Вязкостные явления в сегнетоэлектриках и еегнетоэластшсах

1.3. Релаксационный метод исследования динамических свойств доменной структуры,

1.4. Структура, физические свойства кристаллов ТГС, ДТГС, ВаТЮз,

Влияние дейтерирования на свойства сегнетоэлектриков.

Постановка задачи.

ГЛАВА И. Методики исследовании и обработки результатов.

2.1. Экспериментальные установки.

2.1.1. Установка для исследования релаксации диэлектрической проницаемости при различных внешних воздействиях.

2,12, Метод эффекта Баркгаузена.

2.1.3. Устройство дня создания одноосных механических напряжений

2.1.4. Методика исследования петель диэлектрического гистерезиса сегнетоэлектриков по схеме Сойера-Тауэра.

2.2. Методика исследования релаксации диэлектрической проницаемости.

2.3. Обратное преобразование Лапласа, Обращение преобразования Лапласа с помощью разложения в ряд Фурье но синусам.

2.4. Методика исследования диэлектрической вязкости.

2.5. Объекты исследования'.

2.6. Погрешность измерения.

ГЛАВА III. Экспериментальные результаты.

3.1. Диэлектрическая релаксация в монокристаллах чистого и дейтерированного триглицинсульфата.

3.2, Математическая обработка релаксационных кривых е(1).

3.3, Использование модели вязкостных явлений для расчета распределения времен релаксации процесса переполяризации кристаллов ТГС и ДТГС.

3.4, Роль вязкостных явлений в процессах переключения кристалла ВаТЮз под воздействием электрического поля

3.5. Влияние диэлектрической вязкости на гистерезисные явления в кристаллах ВаТЮз.

3.6. Влияние механических напряжений на процессы переключения кристаллов ВаТЮз происходящих под воздействием электрического поля.

ГЛАВА IV. Обсуждение экспериментальных результатов . . 9В

§4.1. Релаксация диэлектрической проницаемости в кристаллах ТГС и

ДТГС.

§4.2.Распределение времён релаксации в кристаллах ТГС и ДТГС

§4.3.Вязкостные явления в кристалле ВаТЮз.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Релаксационные явления и диэлектрическая вязкость в сегнетоэлектрических монокристаллах ТГС, ДТГС и BaTiO3»

Актуальность Ш€МЫ. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы находят широкое применение во многих областях современной техники: гидроакустике, квантовой электронике, интегральной оптике, радио- и измерительной технике. Наибольшее распространение получили пироэлектрические приёмники излучения, рабочими телами которых: являются кристаллы группы триглицинсульфата (ТГС). Сравнительная простота технологии получения крупных однородных кристаллов делает ТГС и его изоморфы наиболее перспективными материалами для разработки высокочувствительных пироприёмников и пировид иконок.

Наличие в сегнетоэлектриках спонтанной поляризации, которая может быть реориентирована приложенным внешним электрическим полем, является отличительной особенностью этих кристаллов. Поэтому исследование процессов переполяризации сегнетоэлектриков представляет собой фундаментальную задачу физики твердого тела. В последние годы внимание ученых привлекают различные неоднородные системы, примерами которых могут служить стёкла, солитонные структуры несоразмерных фаз или доменные структуры реальных, содержащих дефекты сегнетоэлектриков. Значительный интерес в таких объектах представляют релаксационные явления, происходящие после различных внешних воздействий (электрическое поле, изменение температуры, механическое напряжение). Для этих систем' • характерно множество метастабильных состояний и, как следствие, медленная релаксация к термодинамическому равновесию. Полидоменные сегнетоэлектрики, по-видимому, могут служить модельным объектом для экспериментального исследования общих закономерностей медленной кинетики структуры и физических свойств. Изучение процессов переключения сегнетоэлектрических кристаллов представляет интерес с научной точки зрения и, кроме того, необходимо при решении ряда прикладных проблем.

Однако, имеющиеся на сегодня литературные данные по исследованию релаксационных явлений в различных неоднородных системах противоречивы. 'Поэтому целесообразно было исследовать процессы переключения сегнетозлектриков с помощью высокочувствительных методов: эффекта Баркгаузена, исследования временных зависимостей диэлектрической проницаемости, компьютерной обработки данных.

Цель и задачи исследования. Целью настоящей работы является исследование релаксационных и вязкостных явлений в кристаллах TTC, ДТГС, ВаТЮз.

В соответствии с этой целью были поставлены основные задачи: Исследовать процессы переключения в ТГС и ДТГС, происходящие после коммутации электрического поля, методом исследования временных зависимостей диэлектрической проницаемости и методом- эффекта Баркгаузена, а также влияние внешних воздействий на протекание процессов переполяризации этих кристаллов.

• Выявить влияние дейтерирования на переключательные свойства кристалла ТГС.

• Разработать методику получения и исследования распределения времен релаксации процесса переполяризации.

• Исследовать роль диэлектрической вязкости в процессах переключения кристаллов ВаТЮз, вызванных воздействием электрического поля, методом эффекта Баркгаузена. Исследовать характер влияния механических напряжений на диэлектрическую вязкость и процессы переполяризации кристалла BaTiCb методом эффекта Баркгаузена, разработав устройство для создания одноосных механических напряжений сжатия.

Объекты исследования. В качестве объектов исследования были выбраны перспективные для преобразователей инфракрасного излучения сегнетоэлектрики и твердотельной электроники - сегнетоэластики. Нами исследовались модельный одноосный сегнетоэлектрик ТГС, его дейтерированный аналог ДТГС (фазовый- переход П рода) и многоосный сегнетоэлектрик - сегнетоэластик ВаТЮз (фазовый переход I рода). Мы использовали монокристаллы ТГС и ДТТС, выращенные в Институте Кристаллографии РАН и на Ловозёрском горно-обогатительном комбинате, а также монокристаллы ВаТ!Оз, выращенные в Ростовском университете.

Научная новизна. В данной работе впервые: получено распределение времён релаксации процесса переполяризации для кристаллов ТГС и ДТГС с помощью метода эффекта Баркгаузена, модели вязкостных явлений и численного метода Папулиса нахождения обратного преобразования Лапласа и установлено, что для этих объектов целесообразным является представление о целом наборе времен релаксации; с помощью разработанной нами методики исследовано влияние внешних воздействий на размытость распределения времён релаксации кристаллов ТГС и ДТГС; проведено сравнение переключательных свойств кристаллов ТГС и ДТГС, исследовано влияние деитерирования на переключательные свойства ТГС и распределение времен релаксации; исследована роль диэлектрической вязкости в процессах переключения и в гистерезисных явлениях, происходящих в кристаллах ВаТЮз под действием электрического поля в отсутствие и под воздействием механических напряжений; изучено влияние механических, напряжен™ на диэлектрическую вязкость и гистерезисные явления кристаллов ВаТЮз.

Практическая ценность результатов работы заключается в возможности использования разработанных экспериментальных и теоретических методов для исследования релаксационных явлений в твёрдых телах. Полученные новые результаты углубляют представления о переключении сегнетоэлектриков под воздействием электрического поля и позволяют использовать математическую модель для описания процессов переполяризации.

Полученные в работе результаты и установленные закономерности могут быть использованы в лабораториях и научным центрах, занимающихся исследованиями динамических свойств доменной структуры сегнетоэлектрических кристаллов. Они представляют интерес и для практического применения и могут быть учтены при разработке пироэлектрических приёмников, пировидиконов, запоминающих устройств, температурных датчиков.

Основные положения. выносимые на защиту.

1. После коммутации электрического поля, приложенного к кристаллам ТГС и ДТГС, релаксация диэлектрической проницаемости в широком интервале значений электрических полей и температур описывается эмпирическим законом Кольраунга:

8(1.) ~ ехр(4/т)а, (1) где 0<а<!. Для этих .кристаллов приемлемым является представление о наборе времен релаксации; а - характеризует размытость распределения времён релаксации.

2. Увеличение напряженности коммутируемого поля для ТГС и ДТГС приводит к размытию распределения времен релаксации. С ростом температуры кристалла ДТГС размытость распределения времен релаксации уменьшается и вблизи температуры Кюри имеет место дебаевская релаксация (а=Т).

3. С помощью метода эффекта Баркгаузена установлено, что кривая распределения времен релаксации Г(т) процесса переполяризации для кристаллов ТГС и ДТТГС имеет колоколообразную форму.

4. Дейтерирование изменяет характер температурной зависимости а, а также затрудняет процессы переполяризации кристаллов ТГС.

5. В определённом интервале полей и температур переключательные свойства кристалла ВаТЮз характеризуются коэффициентом диэлектрической вязкости р, независящим от величины электрического поля. Приложение к кристаллу ВаТЮз продольных механических напряжений приводит к отклонению от модели вязкостных явлений.

Апробация результатов работы, Основные результаты диссертационной работы докладывались на:

1) XIV Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Иваново, 1995).

2) VII Международном семинаре по физике сегнетоэлектриков -полупроводников (Ростов - на -Дону, 1996).

3) III Международной конференции "Кристаллы; рост, свойства, реальная структура, применения" (Александров, 1997).

4) Международной научной конференции "Математические модели нелинейных возбуждений, переноса, динамики, управления в конденсированных системах и других средах" (Тверь, 1996).

5) III Международной научной конференции "Математические модели нелинейных возбуждений, переноса, динамики, управления в конденсированных системах и других средах" (Тверь, 1998).

6) Международной конференции по росту и физике кристаллов (Москва, 1998).

7) Международной научной студенческой конференции (Новосибирск, 1994).

8) Ш Всероссийской научной конференции студентов-физиков (Екатеринбург, 1995),

9) Ш научной конференции молодых ученых и специалистов, (Дубна,

1999),

10)9th European Meeting of Ferroelectricity (Praha, 1999).

1!)IV Международной конференции "Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение" (Александров, 1999).

12)ХХ Международной конференции "Релаксационные явления в твердых телах" (Воронеж, 1999).

13)ХУ Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Ростов - на - Дону, 1999).

14)IV научной конференции молодых ученых и специалистов (Дубна,

2000).

Публикации. Основные результаты исследований отражены в работах, опубликованных в международной, центральной и межвузовской печати. Всего по теме диссертации опубликована 21 работа, написанная в соавторстве.

Личный вклад двшора. Диссертационная работа выполнена в соответствии с планом исследований, проводимых та кафедре физики сегнетоэлектриков и пьезоэлектриков ТвГУ, при поддержке Международной Соросовской Программы Образования в Области Точных Наук (гранты № snl451 и s96-2990) и президента РФ (стипендия аспиранта за 1998-1999 и 1999-2000 уч. г.). Автором получены все основные экспериментальные результаты, выполнены соответствующие расчёты физических параметров, проведена интерпретация экспериментальных данных. Работы по изучению роли диэлектрической вязкости в процессах переключения кристаллов ВаТЮз выполнены под руководством Заслуженною деятеля науки и техники РФ, доктора физ.-мат, наук, профессора, В.М.Рудяка. Исследования релаксационных процессов переполяризации в кристаллах ТГС и ДТГС выполнены под руководством кандидата физ.-мат. наук, доцента В.В.Иванова,

Структура и объём диссертационной работы. Диссертация состоит из введения:, четырёх глав, выводов и библиографии. Работа изложена на 132 страницах машинописного текста и содержит 39 рисунков и 1 таблицу. Библиография включает 117 наименований.

Содержание работы;

В& введении обоснована актуальность темы, сформулированы цель и задачи работы, основные положения, выносимые на защиту. Показаны научная новизна и практическая ценность полученных результатов.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Колышева, Марина Валериевна

выводы.

1. Исследовано изменение во времени диэлектрической проницаемости' при переполяризации кристаллов ТГС и ДТГС. Установлено, что релаксация диэлектрической проницаемости после коммутации электрического поля в кристаллах ТГС и ДТГС в широком интервале значений электрических полей и температур вплоть до температуры фазового перехода описывается растянутой экспоненциальной функцией (эмпирический закон Кольрауша): e(t) ~ ехр(4/т)а, где а - функция температуры и величины электрического поля, 0<а<1. Показано, что для этих кристаллов является приемлемым представление о наборе времен релаксации, а характеризует размытость распределения времен релаксации.

2. Методом исследования временных зависимостей диэлектрической проницаемости изз^чено влияние внешних условий на распределение времен релаксации. Установлено, что увеличение напряженности коммутируемого поля как для ТГС, так и для' ДТГС приводит к размытию распределения времен релаксации. С ростом температуры кристалла ДТГС уменьшается размытость распределения времен релаксации, и вблизи' температуры Кюри наблюдается одно время релаксации.

3. С помощью метода эффекта Баркгаузена и • модели вязкостных явлений получен явный вид функции распределения времен релаксации процесса переполяризации Г(т) для кристаллов ТГС и ДТГС. Установлено, что кривая распределения f(x) имеет колоколообразную форму.

4. Изучено влияние дейтерирования на переключательные свойства ТГС. Установлено, что дейтерирование изменяет вид температурной зависимости коэффициента а. Методами исследования временных зависимостей диэлектрической проницаемости и эффекта Баркгаузена, а также с помощью кривых Г(т) показано, что дейтерирование затрудняет процессы переполяризации кристаллов ТГС. Комплексы с незамещенным на дейтерий водородом в кристалле ДТГС играют роль дефектов, тормозящих перестройку доменной структуры.

5. Изучена роль вязкостных явлений в процессах переключения кристалла ВаТЮз. Показано, что, как в одноосных сегнетоэлектриках, так и в многоосном кристалле ВаТЮз, в определённом интервале полей и температур переключательные свойства, кристалла характеризуются коэффициентом диэлектрической вязкости р, не зависящим от величины электрического поля. Установлено, что В уменьшается с ростом температуры в интервале от 12°С до 110°С Показано, что экспериментальные результаты, полученные для кристалла ВаТЮз, согласуются с теорией вязкостных явлений.

6.Установлено, что приложение к кристаллу ВаТЮз механических напряжений приводит к отклонению от линейной модели вязкостны?; явлений. Это отклонение увеличивается с ростом механических напряжений.

7. Показано, что продольное механическое напряжение, приложенное к кристаллу ВаТЮз вдоль направления' [001], затрудняет процессы переполяризации, происходящие под действием электрического поля.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Колышева, Марина Валериевна, 2000 год

1. Л айне М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. // М. Мир. 1981. 736С.

2. Рудяк В.М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах. М.: Наука. 1986.

3. Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения. М.: Мир. 1981. 528 С.

4. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М.: Мир.1965. 556С.

5. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник Н.Н., Пасынков Р.Е., Шур М.С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Л.Паука. 1971.476 С.

6. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник Н.Н., Пасынков Р.Е., Соколов А.И., Юшин Н.К. Физика сегнетоэлекгрических явлений (под ред. Смоленского Г.А.) Л.: Наука. 1985. 396 С.

7. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлекгрических явлений в кристаллах. М.: Наука. 1995. 304С.

8. Желудев И.С. Основы сегнетоэлектричества. М. 1973.

9. Желудев И.С. Электрические кристаллы М.: Наука. 1969. 216 С. Ю.Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семействатриглицинсульфата. Мн.: Наука и техника. 1986. 216 С.

10. Bolshakova N.N., Maltseva T.V., Rudyak V.M., Fomina V.I., Chereslmeva N.N. Characteristics of pyroelectric materials for pyrovidicon targets.// Integrated Ferroelectrics. 1998. V.19. P. 179-192.

11. Afonskaya A., Bolshakova N.N., Komlyakova N.S., Korina R.V., Sokolova I D. Pecularities of DS realignment processes in Cu- and Cr-doped TGS ciystais.// Ferroelectrics. 1991. V.115. P.129-133.

12. Магатаев В.К., Глушков В.Ф., Гладкий В.В., Козин В.В., Яковлева Л.М. Аномальный гистерезис перестройки доменной структуры кристалла Rb^ZnClj при изменении температуры.// ФТТ. 1989. Т.З I. №5. С.317-319.

13. Магатаев В.К., Глушков В.Ф., Гладкий В.В. Электрический отклик полидоменного сегнетоэлектрика на циклическое изменение температуры.// ФТТ. 1997. Т.39. №2. С.358-362.

14. Шур В.Я., Румянцев Е.Л., Куминов В.П., Субботин А.Л., Кожевников

15. B.Л. Эффект Баркгаузена при скачкообразном движении доменной стенки в мол и благе гадолиния. /У ФТТ. 1999. Т.41. №2. С.301-305.

16. Леванюк А.П., Осипов В.В., Сигов A.C., Собянин A.A. Изменения структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов.//ЖЭТФ. 1979. Т.76. №1. С.343-368.

17. Леванюк А.П., Сигов A.C. Структурные фазовые переходы в кристаллах с дефектами.// Изв АН СССР. Сер. Физ. 1985. Т.49. №2.1. C.219-226.

18. Сидоркин A.C., Сигов A.C. Униполярное состояние сегнетоэлектрической пластины с ориентированными полярными дефектами.// Кристаллография. 1999. Т.44. №1. С. 115-117.

19. Рудяк В.М. Эффект Баркгаузена как метод исследования сегнетоэлектрических кристаллов.// Изв.АН СССР. Сер.Физ. 1967. Г.31. №7. СП71-1174.

20. Rudy ak V.M. Viscosity phenomena and switching processes in ferroelastics.//Ferroelectrics. 1983. V.48. P. 131-141.

21. Рудяк B.M., Рудяк Ю.В. Процессы переключения сегнетоэлектриков и диэлектрическая вязкость.// Сешетоэлекгрики и пьезоэлектрики. Калинин. КГУ. 1986. С.З 8.

22. Иванова Т.И., Руднев Н.Е. Влияние температуры на релаксационные процессы переиоляризации и коэффициент диэлектрической вязкости кристаллов ТГС./'/' Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин. КГУ. 1982. С. 100-105.

23. Иванова Т.И., Иванов В.В., Караваева Е.Н. Вязкостные явления и релаксационные процессы проводимости в кристаллах ТГС.// Изв.АН СССР. Сер.Физ. 1984. Т.48. №6. С. 1207-1209.

24. Рудяк В.М. Влияние вязкостных явлений на процессы переключения и другие физические свойства сегнетоэлектриков и сегнетоэластиков.// Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин. КГУ. 1981. С.3-15.

25. Щербаков К).В., Некрасова Г.М., Рудяк В.М. Эффект Баркгаузена и вязкостные явления в монокристаллах молибдата гадолиния.// Изв.АН СССР. Сер.Физ. 1983. Т.47. №.3. С.518-524.

26. Некрасова Г.М. Канд.дис. Тверь. ТГУ. 1990.

27. Рудяк В.М. Релаксационные процессы переключения и подвижность доменных стенок в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках.// Тез.докл. Между н ар. ко н ф. по электрической релаксации. Сан кг Петербург. 1994 С.110-111.

28. LaGraff J R., Payne DA. Oxygen stoichiometry and mobility effects on domain wall motion in ferroelectrics УВагСизОт^// Ferroelectrics. 1992. V.I 30. P.87-104.

29. Yoo 1.К., Desu S B. Modelling of the hysteresis of ferroelectric thin film.// Fhylosophical Magazine B. 1994. Y.69. №3. P.461-469.

30. Галиярова H.M. Особенности диэлектрических спектров и динамика доменных стенок с точки зрения неравновесной термодинамики.// Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь. ТГУ. 1993. С.85-98.

31. Сердюк О.М., Камышева Л.Н., Дрождин С.Н., Барабашина А.Б. Роль внутреннего поля в процессах релаксации макроскопической поляризации кристаллов ТГС.// ФТТ. 1988. Т.ЗО. №.2. С. 540-544.

32. A.Misarova. On the increase in permittivity of ferroelectries during switching.// Czech. J.Phys. 1961. B11. P.668-673.

33. Камышева Л.Н., Дрождин C.H., Панкова Т.Н. Температурная зависимость времени релаксации поляризации ТГС.// "Вопросы физ. формообраз. и фаз. превращений", Калинин. 1985. С.151-156.

34. Прасолов Б.Н., Сафонова И.А. Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС, обусловленная динамикой доменных границ.// Изв РАН Сер. Физ. 1993. Т.57. №3. С.126-128.

35. Гриднев С.А., Попов С.В. Релаксация метастабилъных состоянии в области размытого фазового перехода в Ко 5Bi0 5Ti()rPbZrCb.// Изв РАН Сер. Физ. 1997. Т.61. №2. С.232-237.

36. Gridnev S.A., Khodorov A.A. Relaxation of metastable states near the ferroelastic phase transition in KLiS04.// Ferroelectrics. 1997. V. 199. P.279-285.

37. Hamano K., Sakata H., Ema K. Transient dielectric behavior during the

38. Mashiiyama H., Kasatani H. Time evolution of the incommensurate phase in K2ZnC14 observed by dielectric measurements and x-ray scatterings.// J.Phys.Soc.Japan. 1987. V.56. Ш-). P.3347-3353.

39. Kawasaki K. Dynamical behaviour of bound dislocation pairs in modulated systems./'/'Physica.B. 1984. V.124. P • 56-172

40. Коломенский Е.Б. Нелинейный рост доменов "закаленных" несоизмеримых и родственных систем.// ЖЭТФ. 1991. Т.99. №2. С. 562-567.

41. Каллаев С.Н., Глушков В.Ф. Медленная стадия эволюции несоразмерной сверхструктуры сегнетоэлектрика.// ФТТ. 1998. Т.40. №11. С. 2101-2102.

42. Каллаев С.Н., Камилов И.К. Релаксационные процессы в несоразмерной фазе кристалла с дефектами.// ФТТ. 1999. Т.41. №3. С. 513-515.

43. Гладкий В.В., Кириков В.А., Желудев И.С., Таврилова И В. Влияние механических напряжений на диэлектрическую проницаемость Rl^ZnCLi сегнетоэлектрика с несоразмерной фазой.// ФТТ. 1987. Т.29. №6. С. 1690-1697.

44. Novotna V., Fousek J., Kroupa J., Hamano K. Ageing and reactivation of domain wall oscillations in the ferroelectrics lock-in phase of purified Rl^ZnCL,.// Solid State Commun. 1991. V.77. №11. P.821-824.

45. Гриднев C.A., Горбатенко B.B., Прасолов Б.Н. Релаксация долгоживущих метастабильных состояний в сегнетоэлектрике RbzZnCL, в несоразмерной фазе.// Кристаллография. 1994. Т.39. №1. С. 106-113.

46. Гриднев С.А., Горбатенко В.В., Прасолов Б.Н. Диэлектрическая релаксация в несоразмерной фазе Rb2ZnCl4.// Изв.РАН. 1993. Т.57. №3. С.97-100.

47. Гладкий ВВ., Кириков В.А., Иванова Е.С. Медленная релаксация полидоменного сешетоэлектрика в слабых электрических нолях.// ФТТ. 1997. Т.39. №2. С.353-357.

48. Гладкий В.В., Кириков В.А., Нехлюдов С.В., Иванова Е.С. Релаксация поляризации в сегнетоэлектрическом кристалле с различными состояния доменной структуры и поверхности./'/ ФТТ. 1997. Т.39. №11. С.2046-2052.

49. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С., Нехлюдов С В. О двух видах релаксации поляризации полидоменных сегнетоэлектриков в электрическом поле.// ФТТ. 1999. Т.41. №3. С.499-504.

50. Baranov А.1., Shuvalov L.A., Yakushkin E.D., Synitsyn V.V. Proton glass Cs5H3(So4)4*xH20: relaxation dynamics.// Ferroelectrics. 1997. V.199. P.307-316.

51. Rachna Mishra, Rao K.J. Electrical conductivity studies of poly(ethileneoxide) poly(vinylalcohol) blends.// Solid State Ionic. 1998. ¥.106. P.113-127.

52. Palmer R.G., Stain D.L., Abrahams E., Anderson P.W. Models ofhierarchically constrained dynamics for glassy relaxation.// Phys. Rev. Lett. 1984. ¥.53. №10. P.958-96J.

53. Шур В.Я., Румянцев E.Л.,Макаров С.Д. Кинетика переключения поляризации в сегнетоэлектриках конечных размеров.// ФТТ. 1995. Т.37. №б. С.1687-1692.

54. Шур В.Я., Макаров С.Д., Пономарев Н.Ю., Волешв ВВ., Тонкачева H.A., Суслов Л.А., Салащенко H.H., Клюенков Е.Б. Кинетика переключения поляризации в эпитаксиальных тонких пленках цирконата титана га свинца.// ФТТ. 1996. Т.38. №6. СJ 889-1895.

55. Дудник Е.Ф., Дуда В.М., Кушнерёв А.И. Ферроэластоэлектрические явления в одноосном сегнегоэлектрическом кристалле ТГС.// ФТТ. 2000. Т.42. №1. С. 133-135.

56. Дудник Е.Ф., Дуда В.М., Кушнерёв А.И. Влияние одноосных механических напряжений на параметры петель диэлектрического гистерезиса ТГС.// Тез.XV Всеросс. конф. по физ. сегнетоэл. г.Ростов-на-Дону, 1999. С.27.

57. Селю к Б.В., Гаврилова Н.Д., Новик В.К. Проявление внутреннего поля в кристаллах ТГС.// Изв. АН СССР, Сер. физ. 1975. Т.39. №5. С.1052-1056.

58. Малышкина И.А. Низкочастотные релаксационные процессы вблизи структурных фазовых переходов в кристаллических и полимерных сегнетоэлектриках. Дисс.к.ф.-м.н. М.:МГУ, 2000. 126с.

59. Донцова Л.И., Тихомирова H.A., Шувалов Л.А. Дефекты и их роль в процессах переполяризации формирования внутренних смещающих полей в сегнетоэлектриках.// Кристаллография. 1994. Т.39. №1. С. 158175.

60. Афонская И.А., Большакова H.H., Иванова Т. И., Иодковская К.В., Корина Р.В., Рудяк В.М. Влияние у облучения на некоторые физические свойства таллийсодержащих кристаллов триглицинсульфата./У Изв. АН БССР. Сер. Физ.-мат. 1986. №1. С.74-78.

61. Nelms R. J. Structural studies of KDP and the KDP type transition byneutron and x ray diffraction: 1970 - 1985.// Ferroelectrics. 1987. V.7Î. P.87-123.

62. Sugiinoto H., Ikeda S. Isotope effect in hydrogen bonded crystal KH2PO4.// Phys. Rev. Lett. 1991. V.67. №10. 1306-1309.

63. Tanaka Satoshi. Geometric isotope effect in hydrogen bonded crystals.// Phys. Rev.B. 1990. V.42. №16. Pi.В P. 10488 - 10498.

64. Баранов А.И., Якушкин Е.Д. Смешанные фазы и не эргодичность в кристаллах (N114) | xRbxbl ЫS04)2 и [(ND4)ixRbx bD.^SO^.// Тез.XV Всеросс. конф. по физ. сегнетоэл. г.Ростов-на-Дону, 1999. С.78.

65. Сидоркин АС., Бурданина НА., Камышева Л.Н., Федосов В.Н. Влияние доменной структуры на процессы переполяризации кристалла KH2xD2(1.x)P04 (DKDP).// ФТТ. 1979. Т.21. №3. С.861 865.

66. Камышева Л.Н., Подгорная Т.Н. Подвижность доменных стенок в кристаллах дейтерированного триглицинсульфата.// Кристаллография. 1999. Т.44. №2. С.304-307.

67. Богомолов А.А., Малышкина О.В. Поверхностный слой в кристаллах ДТГС.//Изв РАН, Сер.физ. 1993. Т.57. №3. С. 199-203.

68. Богомолов А.А., Дабижа ТА., Малышкина О.В., Солнышкин А.В. Пироэлектрические свойства кристаллов ДТГС при наличии температурного градиента./'/' Изв РАН, Сер.физ. 1996. Т.60. №10. С. 186-189.

69. Наземец O B., Дабижа Т.А. Доменная структура дейтерированного триглицинсульфата при различных температурных воздействиях.// Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. 1988. С. 116 122.

70. Галиярова Н.М., Федорихин В.А., Донцова Л.И., Шильников A.B. Критическое замедление низкочастотной релаксации в дейт ерированном триглицинсульфате.// Изв РАН. Сер.физ. 1996. Т.60. №10. С. 142-149.

71. Александрова М.А., Комлякова Н.С., Соколова Н.Д. Исследование процессов переполяризации монокристаллов ДТГС и ДТГС : Си2' различной толщины.// Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. 1988. С. 157-159.

72. Иванов 11.Р., Чумакова С.П., Гинзберг A.B. Новая мода переключения сегнетоэлектрических доменов в кристаллах группы триглицинсульфата.// Тез.XV Всеросс. конф. по физ сегнетоэл. г.Ростов-на-Дону, 1999. С. 125.

73. Ю1.Фесенко Е.Г. Семейство перовскита. и сегнетоэлектричество.// М., Атомиздат. 1972. 248 С.

74. Ю2.Титанат бария.// М., Наука. 1973. - 264 С.

75. ЮЗ.Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл титанат бария.// М.Наука. 1974. 296 С.

76. Фесенко Е.Г., Гавриляченко В.Г., Семенчев А.Ф. Доменная структура многоосных сегнетоэлектрических кристаллов.// Ростов-на-Дону. РГУ. 1990.192 С.

77. Бородина В.А. Периодическая структура 90° доменов в а-доменных кристаллах ВаТЮз.// Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин. КГУ 1988. С. 162-166.

78. Tsunekawa S., Fukuda Т., Ozaki Т., Yoneda J., Okabe Т., Terauchi H. Study on ferroelectric domains in ВаТЮз crystalline films and bulk crystalsby atomic force and scanning electron microscopes.// J.Appl.Phys. 1998. V.84. №2. P.999 1002.

79. Wada Satoshi, Suzuki Takeyuki, Osada Minora, Kakihana Masato, Noma Tatsuo. Change of macroscopic and microscopic symmetry of barium titanate single crystal around Curie temperature.// Jap.J.Appl.Phys.Pt.l. 1998. Y.37. №9b. P.5385-5393.

80. Ю.Большакова H.H., Иванова Т.И. Влияние градиентов температуры и механических напряжений на процессы перестройки доменной структуры и фазовый переход в монокристаллах титаната бария.// Сегнетоэлектрики и пьезозлектрики. Тверь. ТГУ. 1993. С.93-96.

81. Синяков Е.В., Дудник Е.Ф., Флерова С.А. Влияние механического давления на процессы поляризации в монокристаллах ВаТЮз и твёрдых растворах ВаТЮз-ZnO.//ФТТ. 1966. Т.8. №10. С.2848-2852.

82. Синяков Е.В., Флерова С.А., Гаврилишина А.И. Влияние поперечного сжатия на диэлектрические свойства монокристаллов ВаТЮз.// Изв АН СССР. Сер.физ. 1971. Т.35. №9. С. 1908-1911.

83. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и специалистов.//М. Наука. 1984. 831С.

84. Бронштейн И.Н., Семендяев К.А. Справочник по математике. Наука, М. 1981. С.718.

85. Крылов В.И., Скобля 11.С. Методы приближенного преобразования Фурье и обращения Лапласа. Я М. Наука, 1974.- 223С

86. Пб.Деч Г., Руководство к практическому применению преобразования Лапласа, М., "Наука", 1965. 288 С.

87. П7.Лернер М.М. "Выбор конденсаторов для электронных устройств" М., Энергия, 1970.1.1РИ«Л051СЕН ИЕ

88. REM -----------------------------------1. REM

89. REM ПРОГРАММА ВЫЧИСЛЕНИЯ ОБРАТНОГО1. ПРЕ ОБРАЗОВАНИЯ ЛАПЛАСА1. REM

90. REM -----------------------------------

91. REM Задание типа переменных.

92. DEFSNG A-Z: DE FI NT I-N: DEFDBL A-F, M. P, S-T, X,

93. REM par = tau max / t max CLS : par = .2

94. REM N -- число точек в исходных файлах данных. REM Ni -- число точек на экстраполируемой кривой E(t REM N2 -- число членов ряда Фурье в экстраполяции f(tau) .

95. REM N3 — число точек в решении f(tau).

96. REM Nn — число слагаемых в полиноме экстраполяции1. Eft).

97. N3 = 4 00: Nn = 6: Ni = 11 sumnorm = 01. ТЛГ> Т1ТГП1. ГК1Н 1

98. PUT " имя файла, в котором хранятся данные:"; dat$ INPUT " количество столбцов в файле с данными:"; N6 INPUT " номер столбца,, в котором содержатся времена измерения:"; п4

99. PUT " номер столбца? в котором содержится функция отклика:"; п51. Т") ~~г хтгп1. ГКХГМ 1

100. PRINT " Максимальное значение: taumax = (1/5) tma.x tt

101. PRINT " если параметр (1/5) не устрах4вает -- ввести другой параметр,.11

102. PUT " если устраивает -- нажать Enter :"; w IF w = О GOTO 12" par = w12

103. REM Нахождение числа точек N.

104. OPEN dat$ FOR INPUT AS #1 N = -1

105. FOR i = 1 TO N6 INPUT #1, D NEXT i N = N + 11. (EOF(1)) = 0 THEN GOTO 33 CLOSE1. REM. Задание массивов.

106. DIM E(N1 + 1): DIM с(N1 + 1): DIM dl(N + 1): DIM d2(N + 1)DIM f2(N3): DIM A(Nn + lf Nn +1): DIM В(Nn + 1, Nn + 1)

107. DIM El (Nn + 1): DIM D(Nn + 1)

108. NOT tmax = dl(N) THEN PRINT "Ошибка ввода.": STOP REM Основная программа1. Emax = О

109. CLS : pi = 4 * ATN(1): si = tmax / (2 * N1 + i)

110. CATE 10, 10: PRINT "Пожалуйста подождите."

111. REM Задание Eft) (j — t) (ЭКСТРАПОЛЯЦИЯ)

112. Emax = 0: Nnp = 2; Nnm = Nn Nnp - 1 FOR j3 = 0 TO N1 - 1

113. CATE 5, 5: i6 = 100 * j3 / N1 / 2: PRINT "Выполнено. •, С, . '» Ч- «f X и у Оt = si * (2 * j3 + 1) 12 = -140j2=j2+l IF t <= dl(j2) GOTO 60 GOTO 4 0 60 REM

114. IF j2 Nnm < 0 THEN j2 = j2 + 1: GOTO 62 64 IF j2 + Nnp > N THEN j2 = j2 - 1: GOTO 64 j 4 = j 2 - Nnm1. REM Задание массива.1. FOR i = 0 TO Nn 1

115. El (i) = d2(j4 + i) NEXT i

116. FOR j = 0 TO Nn 1: REM строка

117. FOR i = 0 TO Nn 1: REM столбецp = dl(j 4 + j)1. A(j, i) = ABS(p) л i1. NE&T i1. NEXT j

118. REM Начало цикла нахождения коэффициентов D(i) ряда экстраполяции.

119. FOR jl = Nn TO 0 STEP -1 FOR j = 0 TO Nn 1 FOR i = 0 TO Nn - 1 IF jl = Nn GOTO 21372136 IF j = jl THEN B(i, j) = El {i) : GOTO 2138ь 11/2138 NEXT 214 0 NEXTj ) = A { i , j )

120. REM Вычисление детерминанта2146 FOR i = 0 2148 FOR j = i 2150 IF В(if . 2160 с = -Bii,217 0 FOR к 2180 В(к, 2190 NEXT 2200 NEXT 2210 zzzO 2230 2260и