Влияние инфракрасного излучения на радиационную деградацию биполярных ИМС тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Башин, Аркадий Юрьевич

• Башин, Аркадий Юрьевич
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Башин, Аркадий Юрьевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.

1.1. Эффект низкой интенсивности излучения.

1.2. Эффект старения.

1.3. Недостатки существующих методов моделирования эффектов низкой интенсивности и старения.

Постановка задачи.

ГЛАВА 2. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭФФЕКТА НИЗКОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ В БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ.

2.1. Методика проведения экспериментов.

2.2. Источник инфракрасного излучения.

2.3. Технические средства проведения экспериментов.

2.4. Исследование характеристик биполярных PNP транзисторов после воздействия инфракрасного излучения.

2.5. Исследование характеристик биполярных NPN транзисторов после воздействия инфракрасного излучения.

2.6. Исследование зависимости радиационной деградации биполярных PNP транзисторов с ЭПИК изоляцией от режима инфракрасного предоблучения.

2.7. Исследование зависимости радиационной деградации биполярных NPN транзисторов от режима инфракрасного предоблучения.

2.8. Моделирование эффекта низкой интенсивности в биполярных ИМС при помощи инфракрасного излучения.

2.9. Физическая модель изменения радиационной деградации биполярных транзисторов вследствие инфракрасного предоблучения

Выводы.

ГЛАВА 3. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ВМЕСТО ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭФФЕКТА СТАРЕНИЯ В БИПОЛЯРНЫХ ИМС.

3.1. Сравнение моделирования эффекта старения при термическом воздействие и инфракрасном предоблучении для биполярных PNP транзисторов с ЭПИК изоляцией.

3.2. Сравнение методов моделирования эффекта старения в биполярных NPN транзисторах с SiC^ изоляцией.

Выводы.

ГЛАВА 4. ИНФРАКРАСНЫЙ ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В БИПОЛЯРНЫХ ИМС.

4.1. Методика проведения экспериментов.

4.2. Инфракрасный отжиг радиационных дефектов в биполярных PNP транзисторах.

4.3. Инфракрасный отжиг радиационных дефектов в биполярных NPN транзисторах.

4.4. Исследование «насыщения» инфракрасного отжига.

4.5. Сравнение инфракрасного и термического отжига радиационных дефектов в биполярных транзисторах.

Выводы.

ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ СТАБИЛЬНОСТИ СИСТЕМЫ НЕЙТРАЛЬНЫХ И ДИПОЛЬНЫХ Е' ЦЕНТРОВ, ВОЗНИКШЕЙ В БИПОЛЯРНЫХ ИМС ВСЛЕДСТВИЕ ИНФРАКРАСНОГО ПРЕДОБЛУЧЕНИЯ

5.1. Выбор методики проведения эксперимента.

5.2. Исследование воздействия повышенной температуры на радиационную деградацию биполярных PNP транзисторов с ЭПИК изоляцией, подвергшихся инфракрасному предоблучению.

5.3. Исследование температурной стабильности системы нейтральных и дипольных Е' центров в биполярных NPN транзисторах с SiC>2 изоляцией.

5.4. Оценка энергии перехода Е' центров между разными энергетическими конфигурациями при отсутствии напряжения смещения перехода эмитгер-база.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние инфракрасного излучения на радиационную деградацию биполярных ИМС»

Актуальность темы диссертации. Проблема определения уровня радиационной стойкости биполярных интегральных микросхем (ИМС), используемых в аппаратуре специального назначения, несмотря на долголетние исследования в этой области, до сих пор весьма актуальна.

Это связано, во первых, с постоянным совершенствованием технологии биполярных ИМС и как следствие появлением новых физических эффектов в биполярных структурах при воздействии ионизирующего излучения. За последние несколько лет произошло резкое снижение линейных размеров интегральных биполярных транзисторов (размер эмиттера в современной схеме может составлять 1x1 мкм2), вследствие чего радиационная деградация современных биполярных структур, особенно используемых в устройствах аэрокосмического назначения, определяется в основном поверхностными эффектами. Несмотря на то, что влиянию поверхностных эффектов на радиационную деградацию ИМС посвящено несколько работ, данный вопрос мало изучен. Поэтому решение проблемы прогнозирования радиационной деградации биполярных ИМС с учётом поверхностных эффектов является важной задачей.

Во вторых, ужесточились требования к самой специальной аппаратуре, где используются, в частности, биполярные ИМС. Так, срок службы систем космического назначения увеличился до 15 лет, что привело к необходимости внесения существенных корректировок в существующие методики прогнозирования. Повышенные требования предъявляются в настоящее время к достоверности и точности прогноза, вследствие постоянно возрастающей стоимости космических аппаратов.

Основная проблема прогнозирования радиационной деградации биполярных ИМС, работающих в условиях воздействия излучения космического пространства, состоит в необходимости учёта эффекта низкой интенсивности. Суть эффекта состоит в том, что при долговременной работе

ИМС в условиях космического пространства происходит отжиг одних и накопление других дефектов, чего не наблюдается в лабораторных условиях при облучении ИМС излучением высокой интенсивности. Эффект проявляется в том, что при одинаковой суммарной поглощённой дозе биполярные ИМС деградируют в 2-2,5 раза сильнее под воздействием ионизирующего излучения низкой интенсивности (менее 10 рад/с^Юг)), чем под воздействием излучения высокой интенсивности. Таким образом, для прогнозирования радиационной деградации биполярных ИМС, работающих в условиях воздействия излучения низкой интенсивности, необходимо или воздействие излучения аналогичной интенсивности в течение длительного времени (несколько лет), или выбор такого режима воздействия излучения высокой интенсивности, который бы позволил за короткое время моделировать воздействие низкоинтенсивного излучения.

В последнее время серьёзной проблемой, имеющей много общего с прогнозированием долговременных эффектов в ИМС при длительных полётах космических аппаратов, стала, так называемая, проблема старения. Оказалось, что при длительном хранении ИМС их радиационная стойкость изменяется: две одинаковые биполярные ИМС, но с разными временами хранения, под воздействием ионизирующего излучения деградируют по -разному.

Для моделирования как эффекта низкой интенсивности, так и эффекта старения, используется воздействие повышенной температуры (от 80° С до 250° С) в течении некоторого времени (10-1000 часов). Соответственно, изменяя температуру и время выдержки при повышенной температуре, можно получить прогноз поведения биполярных ИМС в условиях низкой интенсивности или после длительного хранения. Существующие на сегодняшний день методы моделирования имеют следующие недостатки: —

1. Воздействие повышенной температуры в течение длительного времени приводит к изменению физических свойств биполярных ИМС ещё до воздействия на них радиационного излучения.

2. Вследствие воздействия повышенной температуры может произойти коррозия токопроводящей разводки кристалла.

3. Незначительное изменение температуры выдержки в процессе моделирования, которое может возникнуть вследствие отклонений в работе оборудования, ведёт к сильному искажению конечного результата.

4. Для моделирования длительного (10 и более лет) хранения биполярных ИМС время выдержки даже при высокой температуре (порядка 250° С) составляет приблизительно 1 ООО часов.

Воздействие повышенной температуры в настоящее время также широко применяется для отжига радиационных дефектов в биполярных ИМС. Термический отжиг радиационных дефектов проводится при температурах 100° С-150° С в течение нескольких часов. Данному методу отжига присущи недостатки, описанные выше.

Один из путей устранения указанных выше недостатков-замена выдержки при повышенной температуре на неразрушающее воздействие инфракрасного излучения. Несмотря на то, что взаимодействию инфракрасного излучения с полупроводником посвящено некоторое количество ранее опубликованных работ, влияние инфракрасного излучения на радиационную деградацию биполярных ИМС до сих пор практически не исследовано. Поэтому разработка научно-технических основ использования инфракрасного излучения вместо повышенной температуры для моделирования эффекта низкой интенсивности, эффекта старения и отжига радиационных дефектов в биполярных ИМС является актуальным.

В представленной диссертации рассматриваются только биполярные ИМС, так как эффекты старения и воздействия излучения низкой интенсивности для биполярных ИМС изучены значительно меньше, чем для МОП ИМС. Кроме того, необходимо отметить, что хотя на сегодняшний день в специальной аппаратуре большинство компонентов построено по КМОП технологии, часто выход из строя подобной аппаратуры обусловлен отказом именно биполярных ИМС, входящих в её состав [1]. В настоящее время электронные устройства, в состав которых входят биполярные ИМС, наиболее широко используются в современных спутниковых энергосистемах, системах обработки сигналов и управления. Примерами являются операционные усилители, аналого-цифровые преобразователи, компараторы, цифро-аналоговые конвертеры, аналоговые ключи, мультиплексоры, стабилизаторы напряжения, источники опорного напряжения, модуляторы длительности импульса.

Целью данной диссертации является разработка научно-технических основ использования комбинированного воздействия инфракрасного излучения и различных электрических режимов, позволяющих исключить воздействие повышенной температуры на биполярные ИМС во время проведения экспериментов, необходимых для прогнозирования радиационной деградации ИМС, функционирующих в условиях излучения низкой интенсивности и после длительного хранения, во время проведения отжига поверхностных радиационных дефектов, а так же дающих возможность значительно сократить продолжительность данных экспериментов.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи: 1. Анализ существующих методов моделирования эффектов старения и низкой интенсивности в биполярных ИМС, а так же методов отжига радиационных дефектов.

2. Создание технологического оборудования, необходимого для проведения экспериментов, представленных в диссертации, и разработка методики проведения данных экспериментов.

3. Исследование влияния инфракрасного излучения на радиационную деградацию биполярных ИМС.

4. Изучение кинетики отжига радиационных дефектов при помощи воздействия инфракрасного излучения.

5. Создание физической модели воздействия инфракрасного излучения на радиационный отклик биполярных ИМС.

6. Предложение научно-технических основ использования инфракрасного излучения вместо повышенной температуры, которые могут быть использованы при создании методов моделирования эффекта низкой интенсивности и эффекта старения в биполярных ИМС.

Научная новизна диссертации заключается в разработке принципов использования комбинированного воздействия инфракрасного излучения и различных электрических режимов вместо повышенной температуры для прогнозирования радиационной деградации биполярных ИМС в условиях низкоинтенсивного воздействия космического пространства и после длительного времени хранения. Применение комбинированного воздействия инфракрасного излучения и различных электрических режимов для моделирования вышеуказанных эффектов произведено впервые, и позволило исключить воздействие повышенной температуры на ИМС, а так же снизить продолжительность моделирования. Кроме того, был исследован отжиг радиационных дефектов в биполярных ИМС, основанный на использовании инфракрасного излучения. Так же, была разработана физическая модель влияния инфракрасного излучения на радиационную деградацию биполярных ИМС.

Практическая значимость диссертации заключается в следующем:

1. Предложены научно-технические основы использования инфракрасного излучения, позволяющие исключить воздействие повышенной температуры на биполярные ИМС в процессе моделирования эффекта низкой интенсивности и эффекта старения, а так же повысить точность моделирования.

2. Исследован отжиг поверхностных радиационных дефектов в биполярных ИМС при помощи комбинированного воздействия инфракрасного излучения и разных электрических режимов.

3. Разработана методика исследования воздействия инфракрасного излучения на радиационную деградацию биполярных ИМС.

4. Разработано оборудование для проведения вышеуказанных исследований, изготовленное на основе отечественных серийно выпускаемых узлов и компонентов.

5. По предложенным методикам проведены испытания ряда промышленных ИМС, изготовленных по биполярной технологии, подтвердившие возможность использования инфракрасного излучения вместо повышенной температуры для моделирования эффектов низкой интенсивности и старения, а так же отжига радиационных дефектов.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Методика экспериментальных исследований влияния инфракрасного излучения на радиационную деградацию дискретных биполярных транзисторов и биполярных транзисторов в составе ИМС.

2. Экспериментальные данные, подтверждающие влияние инфракрасного излучения на радиационную деградацию биполярных ИМС, представляющие собой зависимости приращения тока базы биполярных транзисторов, подвергшихся комбинированному воздействию инфракрасного излучения и различных напряжений смещения перехода эмиттер-база, от суммарной поглощённой дозы ИМС.

3. Результаты сравнения деградации биполярных ИМС в условиях излучения низкой интенсивности и деградации аналогичных ИМС, для которых эффект низкой интенсивности моделировался при помощи инфракрасного излучения.

4. Физическая модель влияния комбинированного воздействия инфракрасного излучения и разных электрических режимов на радиационную деградацию биполярных ИМС.

5. Использование инфракрасного излучения для изучения кинетики отжига поверхностных радиационных дефектов в биполярных ИМС.

6. Полученные в ходе экспериментальных исследований результаты по температурной стабильности энергетического состояния Е' центров, возникших в окисле биполярных ИМС вследствие воздействия инфракрасного излучения.

Апробация результатов диссертации. Основные результаты диссертации докладывались на ежегодной всероссийской конференции «Радиационная стойкость» (НИИП, г. Лыткарино, 2000-2004), ежегодной Научной сессии МИФИ (2000-2004), конференции «Влияние внешних воздействующих факторов на элементную базу аппаратуры авиационной и космической техники» (2003), ежегодной Европейской конференции RADECS (2003), ежегодной Американской конференции IEEE NSREC (2001-2002).

Опубликованные результаты. По материалам диссертации опубликовано 14 печатных работ, в том числе 5 статей.

Объём и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 5 глав, заключения, списка цитируемой литературы из 73 наименований. Работа изложена на 114 страницах, содержит 48 рисунков.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Башин, Аркадий Юрьевич

Основные результаты диссертации представляются следующими: 1. Проведено исследование влияния инфракрасного излучения на радиационную деградацию биполярных ИМС. Показано, что инфракрасное излучение оказывает сильное воздействие на радиационную деградацию биполярных ИМС, и при этом не оказывает влияния на их исходные характеристики, такие как зависимость тока базы от напряжения эмиттер-база и зависимость тока коллектора от напряжения эмиттер-база. Изменение радиационной деградации происходит качественно одинаково для биполярных ИМС обоих типов проводимости, причём возможно как усиление деградации, так и её ослабление, в зависимости от напряжения смещения перехода эмиттер-база, приложенного во время воздействия инфракрасного излучения. Так же, изменение радиационной деградации не зависит от типа изоляции биполярных ИМС. 06102 работку ИМС инфракрасным излучением возможно включить в уже существующие технологические циклы, например, на этапе корпусиро-вания кристалла.

2. Создано оборудование для проведения экспериментов по исследованию влияния инфракрасного излучения на радиационную деградацию биполярных ИМС. Кроме того, разработана методика проведения данных экспериментов.

3. Подробно исследован эффект влияния напряжения смещения, поданного на переход эмиттер-база биполярных ИМС во время инфракрасного предоблучения, на изменения радиационной деградации. Было установлено, что в случае, когда на переход во время инфракрасного предоблучения подаётся напряжение прямого смещения (или иными словами, когда краевое электрическое поле в окисле над переходом эмиттер-база имеет слабую напряжённость), радиационная деградация биполярных ИМС обоих типов проводимости снижается в 1,8 - 2,2 раза. Если же во время инфракрасного предоблучения на переход эмиттер-база подаётся напряжение обратного смещения (напряжённость краевого электрического поля в окисле над переходом высокая), происходит усиление радиационной деградации в 1,9 - 2,4 раз.

4. Предложены научно-технические принципы использования комбинированного воздействия инфракрасного излучения и различных напряжений смещения, которые могут быть положены в основу единого метода моделирования эффекта низкой интенсивности и эффекта старения в биполярных ИМС.

5. Проведено сравнение существующих методов моделирования эффекта низкой интенсивности и эффекта старения с методами, основанными на использовании инфракрасного излучения. Показано, что в случае использования инфракрасного излучения, значительно сокращается время, требуемое для проведения экспериментов, и биполярные ИМС не подвергаются воздействию повышенной температуры.

6. Исследован отжиг поверхностных радиационных дефектов при помощи воздействия инфракрасного излучения. Установлено, что напряжение смещения, приложенное к переходу эмиттер-база, оказывает сильное влияние на эффективность отжига. В частности, если во время инфракрасного отжига к переходу эмиттер-база приложено напряжения прямого смещения, он наиболее эффективен, а в случае, если приложено напряжение обратного смещения, эффективность значительно снижается. Сравнение инфракрасного и высокотемпературного отжига поверхностных радиационных дефектов в биполярных ИМС показало, что инфракрасный отжиг в случае прямосмещённого перехода эмиттер-база происходит значительно быстрее, чем термический отжиг при 150 °С.

7. Основываясь на полученных результатах, была разработана физическая модель воздействия инфракрасного излучения на биполярные ИМС

8. Экспериментальным путём была определена энергия активации перехода Е' центра из одного энергетического состояния в другое (имеется в виду нейтральное и дипольное состояния). Исходя из полученного значения, равного приблизительно 1 эВ, стало возможным сделать вывод о правомерности физической модели, объясняющей влияние инфракрасного излучения на радиационную деградацию биполярных ИМС.

Таким образом, результаты настоящей работы с одной стороны могут быть использованы для усовершенствования существующих методов прогнозирования радиационной стойкости биполярных ИМС, и отжига радиационных дефектов, поскольку в диссертации предложен ряд значительно более эффективных методов. С другой стороны, результаты работы могут быть непосредственно использованы при разработке и проектировании новых методов тестирования биполярных ИМС и отдельных этапов производства ИМС.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Главная задача диссертации заключалась в разработке новых научно-технических основ применения инфракрасного излучения, которые могли бы быть использованы при создании методов прогнозирования радиационной деградации биполярных ИМС, работающих в условиях воздействия излучения космического пространства, или иными словами, в условиях воздействия ионизирующего излучения низкой интенсивности, а так же биполярных ИМС, которые длительное время не эксплуатировались. Причём, эти методы должны были быть лишены тех недостатков, которые присущи существующим на сегодняшний день и широко используемым методам. С этой целью необходимо было исследовать воздействие инфракрасного излучения на радиационную деградацию биполярных ИМС, и установить связь изменения радиационной деградации вследствие воздействия инфракрасного излучения с различными режимами его воздействия. Кроме того, в диссертации исследовался отжиг радиационных дефектов в биполярных ИМС при помощи воздействия инфракрасного излучения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Башин, Аркадий Юрьевич, 2005 год

1. Radiation analysis of bipolar transistors and circuits / R. L. Pease, H. J. Tausch, H. D. Barnaby, R. D. Schrimpf, D. M. Schmidt // MRC/ABQ final report to NAVSURFWARCENDIV Crane -1995. P. 1764.

2. Response of advanced bipolar process to ionizing radiation / E. W. Enlow, R. L. Pease, W. E. Combs, R. D. Schrimpf, R, N. Nowlin // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1991-V. NS-38. - P.1342.

3. Trends in the Total-Dose Response of Modem Bipolar Transistors / R. N. Nowlin, E. W. Enlow, R. D. Schrimpf, W. E. Combs // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992.—V. NS-39. - P.2026.

4. Hardness assurance and testing issues for bipolar/BiCMOS devices / R. N. Nowlin, D. M. Fleetwood, R. D. Schrimpf, R. L. Pease, W. E. Combs // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1993.-V. NS-40. - P. 1686.

5. Nowlin R. N., Fleetwood D. M., Schrimpf R. D. Saturation of the dose-rate response of BJTs below 10 rad(Si02)/s : implication for hardness assurance // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994.-V. NS-41. - P.2637.

6. Башин А. Ю., Зебрев Г. И., Першенков В. С. Использование инфракрасного излучения для моделирования эффекта низкой интенсивности в биполярных NPN транзисторах // Вопросы атомной науки и техники. -2004. -№4. -С. 36-38.

7. Dose-rate effects on radiation-induced bipolar junction transistor gain degradation / A. Wei, S. L. Kosier, R. D. Schrimpf, D. M. Fleetwood, W. E. Combs // Applied Physic letter. 1994. - V. 65. - P. 1918.

8. Comparision of hot-carrier and radiation induced increases in base current in bipolar transistors / R. L. Pease, S. L. Koiser, R. D. Schrimpf, W. E. Combs, D. M. Fleetwood// IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994.-V. NS-41. -P.2567.

9. Total dose effects on negative voltage regulator / J. Beaucour, T. Carriere, A. Gach, D. Laxague, P. Poirot // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994-V. NS-41. -P.2420.

10. Использование инфракрасного излучения для моделирования эффекта низкой интенсивности в биполярных PNP транзисторах / А. Ю. Башин, Г. И. Зебрев, В. С. Першенков, Д. Ю. Павлов // сб. Радиационная стойкость электронных систем. 2004. - №2. - С. 147-148.

11. Lee С. I., Rax В. G., Johnston А. Н. Total ionizing dose effects on high resolution ( 12-/14-bit) analog-to-digital converter // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1994.-V. NS-41.-P.2459.

12. Schrimpf R. D. Recent Advances in understanding total-dose dose effects in bipolar transistors // Proc. of the Second European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems RADECS-95. P.9.

13. Johnston A. H., Swift G. M., Rax B. G. Total dose effects in conventional bipolar transistors and linear integrated circuits // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1994.-V. NS-41.-P.2427.

14. Dependence of total dose response of bipolar linear microcircuits on applied dose rate / S. H. McClure, R. L. Pease, W. Will, G. Peny // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994.-V. NS-41. - P.2544.

15. IC's radiation effects modeling and estimation / V.V. Belyakov, A. I. Chumakov, A. Y. Nikiforof, V. S. Pershenkov, P. K. Skorobogatov, A. V. Sogoyan // Microelectronics Reliability. ~ 2000. V. 40. - P. 1997.

16. Hardness Assurance Considerations for Long-Term Ionizing Radiation Effects on Bipolar Structures / R. M. Hart, J. B. Smyth, V. A. vanLint, D. P. Snowden, R. E. Leaden // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1978.-V. NS-25. -P. 1502.

17. Johnston А. Н., Plaag R. Е. Models for total dose degradation of linear integrated circuits // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1987.-V. NS-34. - P.1474.

18. Bounding the total-dose response of modern bipolar transistors / S. L. Kosier, W. E. Combs, A. Wei, R. D. Sclirimpf, D. M. Fleetwood, M. DeLaus, R. L. Pease // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994.-V. NS-41. - P.l864.

19. Pease R. L., Turfler R. M., Platteter D. G. Total dose effects in recessed field oxide digital bipolar microcircuits // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1983.-V. NS-30.-P.4216.

20. Fleetwood D. M., Schwank J. R., Riewe L. C. Radiation effects at low electric fields in thermal, simox, and bipolar-base oxides // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996.-V. NS-43. - P.2537.

21. Modeling low-dose-rate effects in irradiated bipolar-base oxides / R. J. Graves, C. R. Cibra, R. D. Schrimpf, R. J. Milanowski, D. M. Fleetwood // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1998.-V. NS-45. - P.2352.

22. Use of MOS structures for the investigation of low-dose-rate effects in bipolar transistors / V. V. Belyakov, V. S. Pershenkov, A. V. Shalnov, I. N. Shvetzov-Shilovsky // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1995.-V. NS-42. - P.1660.

23. Johnston A. H., Rax B. G., Lee С. I. Enhanced damage in linear bipolar integrated circuits at low dose rate // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1995.-V. NS-42. -P. 1650.

24. The effect of emitter junction bias on the low-dose-rate radiation response of bipolar devices / V. S. Pershenkov, V. B. Maslov, S. V. Cherepko, I. N.

25. Shvetzov-Shilovsky, V. V. Belyakov, A. V. Sogoyan // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1997.-V. NS-44. - P.1840.

26. Comparison of ionizing-radiation-induced gain degradation in lateral, substrate, and vertical PNP BJTs / D. M. Schmidt, D. M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, R. L. Pease // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1995.-V. NS-42. - P.1541.

27. Hardness-assurance issues for lateral PNP bipolar junction transistors / R. D. Schrimpf, R.J. Graves, D.M. Schmidt, D. M. Fleetwood, R. L. Pease, W. E. Combs // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1995.-V. NS-42. - P. 1641.

28. Radiation-induced gain degradation in lateral PNP BJTs with lightly and heavily doped emitters / A. Wu, R. D. Schrimpf, H. J. Barnaby, D. M. Fleetwood, R. L. Pease, S. L. Koiser// IEEE Trans. Nucl. Sci. 1997.-V. NS-44. - P.1914.

29. Cazenave P., Fouillat P., Montagner X. Total dose effects on gain controlled lateral PNP bipolar junction transistors // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1998.-V. NS-45. - P.2577.

30. Moderated degradation enhancement of lateral PNP transistors due to measurement bias / S. C. Witczak, R. D. Schrimpf, H. J. Barnaby, R. C. Lacoe, D. C. Mayer, K. F. Galloway, D. M. Fleetwood // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1998.-V. NS-45. P.2644.

31. Pease R. L., Gehlhausen M. A. Elevated temperature irradiation of bipolar linear microcircuits // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996.-V. NS-43. - P.3161.

32. Witczak S. C., Schrimpf R. D., Fleetwood D. M. Hardness assurance testing of bipolar junction transistors at elevated irradiation temperatures // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1997.-V. NS-44. - P.1989.

33. Evaluation of proposed hardness assurance method for bipolar linear circuits with enhanced low dose rate sensitivity / R. L. Pease, M. A. Gehlhausen, J. D. Kreig, L. M. Cohn // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1998.-V. NS-45. - P.2665.

34. Whorter P. J., Miller S. L., Miller W. M. Modeling the anneal of radiation-induced trapped holes in a varying thermal environment // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1990.-V. NS-37. - P. 1682.

35. Fleetwood D. M., Winokur P. S., Meisenheimer T. L. Hardness assurance for low-dose space applications // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1991.-V. NS-38. -P.1560.

36. Latent interface states buildup and its implications for hardness assurance / J. R. Schwank, D. M. Fleetwood, M. R. Shaneyfelt, P. S. Winokur // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992.-V. NS-39. - P. 1953.

37. Mechanisms for total dose sensitivity to preirradiation thermal stress in bipolar linear microcircuits / R.L. Pease, M. R. Shaneyfelt, P. S. Winokur, D. M. Fleetwood, J. R. Gorelick // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996.-V. NS-45. -P. 1425.

38. Effects of burn-in on radiation hardness / M. R. Shaneyfelt, D. M. Fleetwood, P. S. Winokur, J. R. Schwank, T. L. Meisenheimer // IEEE Trans. Nucl. Sci.- 1994.-V. NS-41. -P.2550.

39. Effects of reliability screens on MOS charge trapping / M. R. Shaneyfelt, P. S. Winokur, D. M. Fleetwood, J. R. Schwank // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1996.-V. NS-43. P.865.

40. Effect of aging on radiation Response of Bipolar Transistors / V. S. Per-shenkov, A. Y. Slesarev, A. V. Sogoyan, V. V. Belyakov, V. B. Kekukh, A. Y. Bashin, D. V. Ivashin // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2001.-V. NS-48. -P.1550.

41. Phillip H. R. The IR optical properties of Si02 and Si02 layers on Si // J. Appl. Phys. 1979.- V.50. - P.1053:

42. Conley J. F., Lenahan P. M., Roitman P. S. Evidence for a deep electron trap and charge compensation in separation by implanted oxygen oxides // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992.-V. NS-39. - P.2114.

43. Conley J. F., Lenahan P. M. Molecular hydrogen, E'-center, hole traps, and radiation-induced interface traps in MOS devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1993-V. NS-40. P. 1335.

44. Conley J. F., Lenahan P. M., Lelis A. J. Electron spin resonance evidence that Ey centers can behave as switching oxide traps // IEEE Trans. Nucl. Sci.- 1995.-V. NS-42. P. 1744.

45. Башин А. Ю., Першенков В. С. Влияние комбинированного воздействия инфракрасного излучения и различных электрических режимов на радиационную стойкость биполярных транзисторов // сб. Радиационная стойкость электронных систем. 2003. - №4. - С. 156-158.

46. Башин А. Ю., Першенков В. С. Влияние смещения перехода эмиттер-база в процессе облучения инфракрасным светом на радиационный отклик биполярного транзистора // Сборник трудов Научной сессии МИФИ-2003. М. - 2003. - Т. 1. - С. 118-119.

47. Башин А. Ю., Першенков В. С. Влияние инфракрасного излучения на начальные характеристики биполярных ИМС // Сборник трудов Научной сессии МИФИ-2001. М. - 2001. - Т. 1. - С. 112-113.

48. Башин А. Ю., Першенков В. С. Влияние инфракрасного излучения на радиационный отклик биполярных и МОП транзисторов // Сборник трудов Научной сессии МИФИ-2003. М. - 2003. - Т. 1. - С. 102-103.

49. Богомолов А. Ю., Сидоров С. М., Усольцев А. Н. Приёмные устройства ИК систем. М.: Наука. 1988.- 120 с.

50. Зи С. Физика полупроводниковых приборов/ пер с англ. под ред. Р. А. Суриса. тт. 1-2. - М.: Мир, 1984.бО.Джоунопулос Д., Люковски Д. Физика гидрогенизированного кремния. -М.: Мир, 1988.-447 с.

51. Singh J., Madhukar A. Appl. Phys. Lett. 1981.- V.38. -P.884.

52. Johnson N. M., Biegelsen D. К., Moyer M. D. Physics of MOS insulators. -NY.: Pergamon, 1980. 311 p.

53. Tzou J., Sun Т., Sah C. Field dependence of two large hole capture cross section in thermal oxide on silicon // Appl. Phys. Lett. 1983 - V.43. - P.992.

54. Барабан А. П., Булавин В. В., Коноров П. П. Электроника слоев SiC>2 на кремнии Л.: Изд. Ленинградского ун-та, 1988. - 303 с.

55. Першенков В. С., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС М.: Мир, 1987. - 240 с.

56. Effect of aging on radiation Response of Bipolar Transistors / V. S. Per-shenkov, A. Y. Slesarev, A. V. Sogoyan, V. V. Belyakov, V. B. Kekukh, A. Y. Bashin, D. V. Ivashin // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2001.-V. NS-48. -P.1550-1553.

57. Влияние старения на радиационный отклик биполярных транзисторов / В. С. Першенков, А. Ю. Слесарев, А. В. Согоян, В. В. Беляков, В. Б. Ке-кух, А. Ю. Башин, Д. В. Ивашин // Вопросы атомной науки и техники. -2002.-№4. с. 133-135.

58. The nature of trapped hole annealing process / A. J. Lelis, H. E. Boesh, T. R. Oldham, F. B. McLean // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1989.-V. NS-36. -P.1808.

59. Pease R. L., Emily D. A., Boesh H. E. Total dose induced hole trapping and interface state generation in bipolar recessed field oxide // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1991.-V. NS-42. - P. 1612.

60. Башин А. Ю., Першенков В. С. Отжиг радиационно-индуцированных дефектов в биполярных NPN транзисторах при помощи инфракрасногоизлучения // Сборник трудов Научной сессии МИФИ-2004. М. - 2004. -Т.1. -С.100-101.

61. Башин А.Ю., Першенков B.C. Инфракрасный отжиг радиационно-индуцированных дефектов в биполярных PNP транзисторах // Сборник трудов Научной сессии МИФИ-2000. М. - 2000. - Т. 1. - С. 118-119.