Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор технических наук Зыков, Владимир Михайлович

• Зыков, Владимир Михайлович
• доктор технических наук
• 2002

Оглавление диссертации доктор технических наук Зыков, Владимир Михайлович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Долговременные процессы в полупроводниковых приборах (Общий анализ и постановка задачи исследований).

1.1 Долговременные процессы радиационного отклика и проблема обеспечения надежности работы полупроводниковых приборов в полях ионизирующих излучений.

1.2 Комбинированное действие светового и электронного излучения на характеристики примесного монокристаллического кремния.

1.2.1. Физические процессы в примесном кремнии при низкотемпературном воздействии электронным излучением.

1.2.2 Зависимость фотоэлектрических процессов в примесном кремнии от уровня легирования.

1.2.3 Индуцированная примесная фотопроводимость в слаболегированном монокристаллическом кремнии.

1.2.4 Индуцированная отрицательная прыжковая проводимость в сильно легированном кремнии.

1.3 Использование релаксации для контроля параметров примесного кремния.

1.4 Особенности долговременных процессов в МОП-структурах.

1.4.1 Проблемы радиационной стойкости МОП-транзисторов и КМОП интегральных схем.

1.4.2 Радиационные изменения параметров МОП-транзисторов при воздействии ионизирующих излучений.

1.4.3 Методология радиационных испытаний полупроводниковых приборов.

1.4.4 Физические механизмы и модели радиационных изменений параметров

МОП-транзисторов.

1.4.5 Компьютерное моделирование радиационного отклика МОПтранзисторов

1.5. Выбор обобщенной модели долговременного радиационного отклика и постановка задачи исследований.

ГЛАВА 2. Разработка криогенной аппаратуры для радиационных исследований индуцированной примесной фотопроводимости в монокристаллическом Si<B>.

2.1 Выбор методики исследований и состава экспериментальной аппаратуры.

2.2 Конструирование аппаратуры для радиационных исследований индуцированной примесной фотопроводимости в Si<B>.

2.2.1 Общие требования к аппаратуре и ее компоновке

2.2.2 Криостат для радиационных исследований примесного кремния.

2.2.3 Источник электронного излучения и система контроля параметров электронного излучения.

2.2.4 Источники примесного и собственного оптического возбуждения.

2.2.5 Система контроля и регулировки температуры.

2.2.6 Автоматизированный измерительный комплекс для измерения фотоэлектрических параметров примесного кремния.

2.3 Разработка методов лабораторного моделирования спектрального распределения электронного излучения на ускорителях электронов.

2.3.1 Постановка задачи моделирования спектра на ускорителях электронов.

2.3.2 Разработка методики моделирования.

2.4 Экспериментальное моделирование спектрального распределения излучения на ускорителях электронов.111.

2.4.1 Моделирование электронных спектров на основе тормозного излучения.

2.4.2 Моделирование с применением специальных рассеивающих экранов

2.4.3 Моделирование электронов ЕРПЗ на бетатроне с управлением энергией электронов в каждом импульсе излучения.

2.4.4 Оценка возможностей бетатрона для моделирования вариаций характеристик поля электронного излучения.

Выводы к главе 2.

ГЛАВА 3 Исследование фотоэлектрических процессов, индуцированных действием электронного излучения на Si<B>.

3.1 Исследование квазиравновесной индуцированной фотопроводимости в слабо компенсированном примесном кремнии.

3.2 Разработка модели индуцированной примесной фотопроводимости в слабо компенсированном Si<B>.

3.3 Исследование действия больших доз излучения на индуцированную примесную фотопроводимость в Si<B>.

3.4 Исследование индуцированной прыжковой проводимости в Si<B> при воздействии электронами.

Выводы к главе 3.

ГЛАВА 4. Компьютерное моделирование нелинейного долговременного радиационного отклика МОП-транзистора.

4.1 Метод вариативных сверток для моделирования нелинейных систем.

4.2 Радиационная электрическая модель МОП-структуры.

4.3 Моделирование процессов радиационного отклика МОП-системы.

4.4 Алгоритм метода вариативных сверток и идентификация параметров модели.

4.5 Оценка радиационного отклика МОП-транзисторов радиационно-стойких технологий методом вариативных свёрток.

Выводы к главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии»

Актуальность темы. Долговременные процессы изменения электрических параметров, которые инициируются ионизирующей радиацией в полупроводниковых приборах, изготовленных на основе кристаллического кремния, являются одним из существенных факторов, которые определяют надежность работы этих приборов в условиях действия факторов космического пространства. Примерами долговременных процессов, инициированных ионизирующей радиацией, являются индуцированная примесная фотопроводимость (ИПФ), наблюдаемая в примесных ИК-фотоприемниках глубокого охлаждения на основе примесного кремния (р+ - р - р+ структуры), и долговременный отклик структур металл-окисел-полупроводник (например, МОП-транзисторов) на воздействие ионизирующей радиацией. Фотоприемные устройства с глубокоохлаждаемыми примесными фотоприемниками на основе монокристаллического германия и кремния обеспечили достижение рекордной обнаружительной способности, приближающейся к теоретическому пределу даже в условиях низкого фона [1]. В связи с этим основной областью применения примесных фоторезисторов стала космическая оптико-электронная аппаратура. Полупроводниковые приборы на основе МОП-структур широко применяются в составе бортовой аппаратуры космических аппаратов из-за их высокого быстродействия и малого энергопотребления. Вместе с тем мировая статистика показывает, что более 30% отказов космических аппаратов произошедших за 90-е годы связаны с воздействием ионизирующих излучений [2]. При сроке активного существования космического аппарата (КА) 10-15 лет уровни требований по радиационной стойкости близки к физическим возможностям изделий полупроводниковой электроники [3], поэтому проблема обеспечения радиационной стойкости электронной аппаратуры приобретает особо важное значение. Одним из направлений решения этой проблемы считается 6 совершенствование методов испытаний и прогнозирования работоспособности электронных полупроводниковых приборов в космических условиях. Важной задачей при этом считается учет режимов функционирования электронных приборов в натурных условиях и в процессе наземных испытаний [4].

Значительная часть инициированных ионизирующими излучениями долговременных процессов связана с захватом неравновесных носителей заряда на ловушки в объеме полупроводника или в изолирующем окисном слое полупроводникового прибора. Длительность долговременных процессов радиационного отклика в полупроводниковых приборах на примесном кремнии может достигать десятков часов для примесных фотоприемников и нескольких лет для МОП-транзисторов после окончания импульсного ионизирующего воздействия и сложным образом зависит от теплового и электрического режимов работы, а также от вида, интенсивности и длительности радиационного воздействия. Основная проблема изучения долговременных эффектов низкоинтенсивного облучения заключается в невозможности проведения исследований в реальном масштабе времени из-за большой длительности изучаемых процессов и малых скоростей изменения их характеристик. Вместе с тем, стандартная процедура радиационных испытаний полупроводниковых приборов на воздействие ионизирующих излучений космического пространства предусматривает их

2 3 5 6 облучение при мощности дозы 1(Г - 1(Г рад/с, которая в 1(Г - 10° раз превышает мощность дозы в натурных условиях. В условиях ускоренных испытаний наблюдается целый ряд нелинейных эффектов искажающих получаемую информацию. Корректная экстраполяция результатов ускоренных испытаний на натурные условия становится возможной только на основе нелинейного моделирования.

К началу настоящей работы: Во-первых, в результате исследования воздействия сверхмалых доз (до 10 рад) гамма-излучения Со-60 при температуре ниже 12 К на примесный 7 кремний была обнаружена долговременная ИПФ связанная с перезарядкой примесей [5] и стала актуальной задача разработки средств и методов исследования индуцированной примесной фотопроводимости в условиях, когда образование радиационных дефектов существенным образом влияет на кинетику фотоэлектрических процессов. Классическая модель индуцированной проводимости в р-типа кремнии [6] не пригодна для описания кинетики ИПФ при температуре ниже температуры ионизации примесей поскольку не учитывает влияние перезарядки основной примеси на примесную фотопроводимость. Кроме того, для обеспечения присущего натурным условиям эксплуатации примесных фотоприемников низкого фона теплового излучения и создания возможности изучения влияния на ИПФ спектрального состава электронного излучения потребовалась разработка специальной криогенной аппаратуры. Существовавшие к началу настоящей работы радиационные криогенные устройства не обеспечивали необходимую для проведения исследований комбинацию факторов воздействий, а методология исследований фотопроводимости в полной мере не учитывала целый ряд низкотемпературных факторов и эффектов, включая

- зависимость доминирующего механизма проводимости кремния от концентрации легирующей примеси, степени компенсации и температуры;

- аномально высокую скорость генерации радиационных дефектов на основе атомов легирующей примеси из-за эффекта Уоткинса;

- перезарядку примесей компонентами разделенных электронно-дырочных пар с соответствующим изменением подвижности носителей заряда;

- возможный захват основных носителей заряда - дырок (электронов) нейтральными атомами легирующей примеси с образованием Ат (Р") -заряженных центров;

- перестройку дефектной системы под действием света со спектром, обеспечивающим собственное возбуждение кремния. 8

Во-вторых, получило развитие исследование радиационного отклика МОП-транзисторов на импульсное радиационное воздействие (Naval Research Laboratory, США [7]; Harry Diamond Laboratories, CILIA [8]), а также построение на этой основе упрощенных полуэмпирических моделей расчета радиационного отклика, базирующихся на теории линейных систем (Sandia National Laboratory, США [9J; Naval Research Laboratory, США [10]). Вместе с тем целый ряд наблюдаемых в условиях ускоренных испытаний радиационных эффектов таких как эффект "радиационно-индуцированной нейтрализации заряда", эффект "полевого коллапса", характерных для работы МОП-транзисторов в цифровых схемах и существенным образом влияющих на надежность их работы, не могут быть описаны в рамках теории линейных систем. В связи с этим стала актуальной задача разработки метода компьютерного моделирования нелинейного радиационного отклика МОП-транзистора, базирующегося на теории линейных систем и вместе с тем учитывающего основные нелинейные радиационные эффекты в МОП-системах. Проблема нелинейного моделирования долговременного радиационного отклика МОП-транзисторов связана с необходимостью учета большого числа участвующих процессов с характерными временами от долей наносекунды до нескольких лет, а также влияющих факторов в виде параметров технологии производства, параметров электрического и теплового режима работы, а также параметров радиационных воздействий.

Цель работы - исследование инициированных ионизирующей радиацией долговременных процессов в глубокоохлаждаемых фоторезисторных кремниевых (р+- р -р+) - структурах и МОП-транзисторах и построение физико-математических моделей этих процессов, пригодных для идентификации параметров моделей по результатам ускоренных лабораторных испытаний и для прогнозирования долговременного поведения полупроводниковых структур в изменяющихся электрических режимах работы. 9

Для достижения поставленной цели ставились следующие исследовательские задачи:

1. Разработка специальной криогенной аппаратуры и методики для радиационных исследований комбинированного действия высокоэнергетического электронного и светового излучений на примесную фотопроводимость и индуцированную прыжковую проводимость в легированном кремнии при температуре 6ч-12 К и плотности потока фотонов теплового фона менее 1012 см"2с"'.

2. Экспериментальное исследование в области температур 8-И 2 К основных закономерностей долговременных процессов индуцированной примесной проводимости и фотопроводимости в облучаемом электронами примесном кремнии с малой степенью компенсации.

3. Разработка физико-математической модели возбуждения и долговременной релаксации индуцированной примесной фотопроводимости в слабо компенсированном примесном кремнии.

4. Разработка физико-математической модели изотермической релаксации индуцированной прыжковой проводимости по состояниям вблизи уровня Ферми в 8кВ> с малой степенью компенсации и методики идентификации ее параметров.

5. Разработка метода компьютерного моделирования долговременного нелинейного отклика п-канального МОП-транзистора на радиационное воздействие с учетом изменяющегося электрического режима работы в процессе облучения и отжига.

Научная новизна работы отражена в выводах по отдельным этапам работы и в заключении по работе в целом.

Впервые разработаны: 1. Комплекс радиационно-криогенной аппаратуры для низкотемпературных радиационных исследований комбинированного действия светового и электронного излучений на примесную фотопроводимость в легтированных полупроводниках, который реализует импульсный метод исследования

10 кинетики возбуждения индуцированной примесной фотопроводимости, обеспечивает тепловое фоновое излучение ниже 1012 фотон-см~2-с~', а также программное управление спектральными характеристиками электронного излучения с эффективностью преобразования спектра электронного излучения ускорителя электронов в спектр излучения за конструкционной защитой космического аппарата до 10 % .

2. Нелинейная модель возбуждения индуцированной примесной фотопроводимости в 8кВ> с концентрацией бора не более 5-1015 см "3 и малой степенью компенсации, учитывающая захват и изменение подвижности основных и неосновных носителей заряда и, в отличии от известных моделей, адекватно описывающая процесс возбуждения индуцированной примесной фотопроводимости при высоком уровне возбуждения.

3. Методика исследований и физико-математическая модель релаксации индуцированной примесной фотопроводимости в слабо компенсированном 8КВ>, которые учитывают процесс перезарядки примесей и дефектов и могут быть использованы для анализа изменений индуцированной примесной фотопроводимости, обусловленных образованием радиационных дефектов.

4. Новый способ определения параметров примесного полупроводника с малой степенью компенсации на основе измерения изотермической релаксации к равновесным условиям индуцированной прыжковой проводимости по состояниям вблизи уровня Ферми.

5. Метод суммы вариативных сверток, позволяющий определять долговременный нелинейный отклик порогового напряжения МОП-транзистора на радиационное воздействие как решение самосогласованной задачи в виде суммы последовательно сдвинутых во времени вариативных сверток с кусочно-постоянными начальными условиями, и который учитывает технологию изготовления транзистора, параметры радиационного воздействия и изменения электрического режима работы.

11

6. Радиационная модель МОП-транзистора и алгоритм метода вариативных сверток, позволяющие идентифицировать параметры модели на основе экспериментальных данных, полученных для составляющих сдвига порогового напряжения, обусловленных соответственно объемным зарядом захваченных в подзатворном окисле дырок и зарядом поверхностных состояний на границе раздела окисел-кремний, в процессе ускоренных испытаний и последующего изотермического отжига с переключением электрического режима в процессе облучения и отжига.

Практическая значимость

1. Результаты радиационных исследований свойств монокристаллического примесного кремния с малой степенью компенсации, а также созданный комплекс радиационно-криогенной аппаратуры на базе транспортного гелиевого сосуда СТГ-40 для имитационных исследований индуцированной примесной проводимости в примесных полупроводниках использованы в разработках ФГУП "НПО ОРИОН".

2. Разработанный метод изотермической релаксации индуцированной прыжковой проводимости (Патент РФ БШ 2025827) использован для определения радиационных изменений параметров легированного кремния с малой степенью компенсации в работах, проводимых для ФГУП "НПО ОРИОН".

3. Результаты исследований радиационной стойкости входных транзисторов КМОП интегральных схем с моделированием спектрально-угловых характеристик электронного излучения использованы в разработках космических аппаратов навигации связи и телевидения производства ФГУП НПО Прикладной механики им. акад. М.Ф. Решетнёва.

4. Разработанный метод суммы вариативных сверток адекватно описывает нелинейные эффекты радиационного отклика МОП транзисторов известных радиационно-стойких технологий и применим для прогнозирования поведения этих транзисторов в условиях переключения электрического

12 режима работы, а также для определения скорости их радиационной деградации в условиях космического пространства по результатам ускоренных радиационных испытаний.

Реализация результатов исследований осуществлена при выполнении хоздоговорных работ с НПО "ОРИОН" (г.Москва) и НПО Прикладной механики им. акад. М.Ф. Решетнёва (г. Железногорск), а также при чтении курса лекций для студентов электро-физического факультета ТПУ по дисциплине "Моделирование процессов и систем". Автор защищает:

1. Комплекс радиационно-криогенной аппаратуры для низкотемпературных радиационных исследований комбинированного действия светового и электронного излучений на примесную фотопроводимость в полупроводниках, которая реализует импульсный метод исследования кинетики возбуждения индуцированной примесной фотопроводимости, обеспечивает тепловое фоновое излучение ниже 1012 фотон-см"2-с"' и возможность программного управления спектральными характеристиками электронного излучения.

2. Нелинейную модель возбуждения индуцированной примесной

15 3 фотопроводимости в 8КВ> с концентрацией бора не более 5-10 см и малой степенью компенсации, учитывающую захват и изменение подвижности основных и неосновных носителей заряда и, в отличии от известных моделей, адекватно описывающую процесс возбуждения индуцированной примесной фотопроводимости при высоком уровне возбуждения.

3. Методику исследований и модель релаксации индуцированной примесной фотопроводимости в слабо компенсированном 8КВ>, учитывающую процесс перезарядки примесей и дефектов и, в отличие от известных моделей, пригодные для анализа изменений индуцированной примесной фотопроводимости из-за образования радиационных дефектов.

13

4. Новый способ определения параметров примесного полупроводника с малой степенью компенсации на основе измерения изотермической релаксации к равновесным условиям индуцированной прыжковой проводимости по состояниям вблизи уровня Ферми.

5. Метод суммы вариативных сверток, позволяющий определять долговременный нелинейный отклик порогового напряжения МОП-транзистора на радиационное воздействие как решение самосогласованной задачи в виде суммы последовательно сдвинутых во времени вариативных сверток с кусочно-постоянными начальными условиями, и который учитывает технологию изготовления транзистора, параметры радиационного воздействия и изменения электрического режима работы.

6. Радиационную модель МОП-транзистора и алгоритм метода вариативных сверток, позволяющие идентифицировать параметры модели на основе экспериментальных данных, полученных для составляющих сдвига порогового напряжения, обусловленных соответственно объемным зарядом захваченных в подзатворном окисле дырок и зарядом поверхностных состояний на границе раздела окисел-кремний, в процессе ускоренных испытаний и последующего изотермического отжига с переключением электрического режима в процессе облучения и отжига.

Апробация работы и публикации. Основные результаты, полученные автором, опубликованы в 53 печатных работах, включая 3 изобретения и патент. Материалы, изложенные в диссертации докладывались и обсуждались на следующих научных совещаниях и конференциях: "1 Всесоюзная научно-техническая конференция Радиационная стойкость бортовой аппаратуры и элементов космических аппаратов" 25-27 июня 1991 г., Томск; Международная конференция "Проблемы взаимодействия ИСЗ с космической средой." 15-19 июня 1992 г. Новосибирск; "8-я конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов" - Томск, 1993; "30-е совещание по физике низких температур", 6-7 сентября 1994 г., г.Дубна (Московская обл.) ОИЯИ; "Взаимодействие космических аппаратов

14 с окружающей средой. Российская конференция", Иркутск, 1-3 ноября 1995г.; "Радиационные гетерогенные процессы: шестая международная конференция" КГУ,г.Кемерово,1995 г.; IV Всероссийская конференция по модификации структуры материалов пучками заряженных частиц. 23-25 мая 1996 г. Томск, 1996; III Межотраслевая научно-техническая конференция "Влияние низкоинтенсивных излучений космического пространства и атомных электростанций на элементы и устройства радиоэлектроники и электротехники" (3-5 июня 1997 года, НИИ приборов, г. Лыткарино, Московская обл.); "III Российской конференции по физике полупроводников", Физический институт АН , г.Москва (декабрь 1997 г.); Всероссийская научно-техническая конференция по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-98" (2-4 июня 1998 года, НИИ приборов, г.Лыткарино, Московская обл.); "The 7й1 European Conference on NonDestructive Testing, Copenhagen, 26-29 May 1998", Denmark, 1998; 10-я международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов (РФХ-10), 21-25 сентября 1999 г.", г. Томск; «lst International Congress on Radiation Physics, High Current Electronics, and Modification of Materials. Proceedings. llth International Conference on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter.», Tomsk, 2000; Всероссийская научно-техническая конференция по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2000" ( июнь 2000 года, НИИ приборов, г.Лыткарино, Московская обл.).

Полнота публикаций по теме диссертации: По теме диссертации опубликовано 53 работы, в том числе 3 авторских свидетельства СССР и патент Российской федерации, которые достаточно полно раскрывают содержание выполненных исследований.

Личный вклад автора в получение научных результатов:

Представленная диссертационная работа является результатом многолетних экспериментальных и теоретических исследований, выполненных под научным руководством и с непосредственным участием

15 автора. Все основные положения, выводы и результаты, полученные в работе, принадлежат автору.

Структура и объем диссертации: Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и библиографического списка. Материал диссертации представлен на 248 страницах, содержит 92 иллюстрации и библиографию, включающую 173 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Зыков, Владимир Михайлович

Основные результаты и выводы:

1. Впервые создана автоматизированная аппаратура для низкотемпературных радиационных исследований комбинированного действия светового и электронного излучений на примесную фотопроводимость в полупроводниках, которая реализует импульсный метод исследования кинетики возбуждения ИПФ, обеспечивает тепловое

12 2 1 фоновое излучение ниже 10 фотон см" -с" и возможность программного управления спектральными характеристиками электронного излучения.

2. Впервые на основе программного управления энергией ускоренных электронов в каждом импульсе излучения бетатрона и использования рассеивающего экрана создана методика лабораторного моделирования спектрально-угловых характеристик электронного излучения за конструкционной защитой космических аппаратов с эффективностью преобразования излучения до 10%.

4. Разработаны: физико-математическая модель индуцированной примесной фотопроводимости, учитывающая процесс перезарядки примесей и дефектов, а также нелинейности, связанные с изменением подвижности зарядов и времени электронно-дырочной рекомбинации.

- основанная на разработанной модели методика исследования кинетики возбуждения и релаксации индуцированной примесной фотопроводимости в примесном кремнии с использованием импульсного возбуждения и нагрева образца до температуры ионизации центров захвата неосновных носителей заряда,

6. Предложен новый способ определения степени компенсации и параметров примесного полупроводника ответственных за долговременную релаксацию проводимости, который основан на измерении изотермической релаксации индуцированной прыжковой проводимости и измерении температурной

234 зависимости равновесной прыжковой проводимости. Алгоритм определения параметров полупроводника по результатам эксперимента базируется на применении критерия минимальной скорости релаксации.

7. Созданный метод суммы вариативных сверток и радиационная модель, позволяют определять долговременный нелинейный отклик порогового напряжения МОП-транзистора на радиационное воздействие как решение самосогласованной задачи в виде суммы последовательно сдвинутых во времени вариативных сверток с кусочно-постоянными начальными условиями.

8. Разработанный алгоритм метода суммы вариативных сверток позволяет оценить предельную скорость радиационного изменения порогового напряжения МОП-транзистора от дозы излучения в условиях приближенных к условиям космического пространства на основе модели расчета, параметры которой определены по результатам ускоренных радиационных испытаний. Установлено, что для корректного описания нелинейного отклика радиационная модель и алгоритм расчета должны учитывать:

- перераспределение во времени электрического поля по МОП-структуре и толщине подзатворного окисла с учетом процессов захвата и отжига дырок, а также процесса образования поверхностных состояний на границе с кремнием;

- определяющее влияние полевой зависимости выхода свободных дырок в подзатворном окисле на полевую зависимость медленного процесса образования поверхностных состояний на границе с кремнием; определяющее влияние на образование поверхностных состояний в процессе отжига тепловой эмиссии дырок с глубоких ловушек у границы с кремнием и рекомбинации дырок на ловушках путем туннелирования электронов из кремния;

- технологические параметры транзистора, включая контактную разность потенциалов между затвором и подложкой, эффективную ширину

235 энергетического спектра и концентрацию ловушек, толщину оксидного слоя и слоя напряженных связей, уровень легирования подложки.

236

Заключение

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Зыков, Владимир Михайлович, 2002 год

1. Таубкин И.И., Залетаев Н.Б., Кочеров В.Ф. Физические явления в монокристаллических примесных фоторезисторах. М: НТЦ "Информтехника" , 1992,- 120с.

2. Борисов Ю. А. Проблемы обеспечения радиационной стойкости аппаратуры космических аппаратов с длительными сроками активного существования. // ВАНТ, сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру.2001, вып 3-4, с. 98-104.

3. Маляков Е.П., Никифоров А.Ю., Чумаков А.И., Прогнозирование и обеспечение радиационной стойкости элементной базы космических систем. Там же, 1999, вып. 1-2, с. 41-44.

4. Petroff M.D., Pickel J.С., and Curry M.P. Low-level radiation effects in extrinsic infrared detectors// IEEE Trans. Nucl. Science, 1979, Vol. NS-26, p. 4840-4846.

5. Хорнбек Дж., Хейнс Дж. Захват неосновных носителей тока в кремнии. Кремний р-типа. // В сб. "Проблемы физики полупроводников". Пер. с англ. -М.:Изд. Иностранной литературы, 1957. -629с.

6. Saks N.S., Dozier С.М., and Brown D.B. Time dependence of interface trap formation in MOSFETs following pulsed irradiation, IEEE Trans. Nucl. Sci. 1988, Vol. 35,No.6, p. 1168-1177

7. Boesch H.E.,Jr. Time-dependent interface trap effects in MOS devices// IEEE Trans. Nucl. Sci., 1988, Volo.35, No.6, p.l 160-1167

8. McLean F.B. Generic impulse response function for MOS systems and its application to linear response analysis. IEEE.Trans.Nuc.Sci.1988.-V.35.- No.6.-P.l 178—1185

9. O.Brown D.B., Jenkins W.C, Johnston A.H. Application of a model for treatment of time dependent effects on irradiation of microelectronic devices // IEEE Trans. Nucl. Sci., 1989, Vol. 36, No. 6, p. 1954-1962

10. Benedetto J. M. and Boesch H.E., Jr. The relationschip between 60Co and 10-keV damage in MOS devices// IEEE Trans. Nucl. Sci., 1986, Vol. NS-33, No. 6, p. 1318-1323

11. Fleetwood D.M., Winokur P.S. and Riewe L.C. Predicting switched-bias response from steady-state irradiations// IEEE Trans. Nucl. Sci., 1990, Vol.37,No.6, pp.1806-1817

12. McWhorter P.J., Miller S.L., and Miller W.M. Modeling the anneal of radiation-induced trapped holes in a varying thermal environment // IEEE Trans. Nucl. Sci., 1990, Vol. 37, No. 6, p. 1682-1689

13. Winokur P.S:, Sexton F.W., Schwank J.R. et al. Total-dose radiation and annealing studies: implications for hardness assurance testing //IEEE Rtan. Nucl. Sei., 1986, Vol. NS-33, No.6, p.1343-1351

14. Шейкман M. К. и Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках (Обзор) // ФТП, 1976, т.2, в.З, с. 209-233

15. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.:Физматгиз, 1963

16. Бъюб Р. Фотопроводимость твердых тел, М.: ИЛ, 1963

17. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных схем. М.: Энергоатомиздат, 1988. -256 с

18. Заитов Ф.А., Зыков В.М., Шавров, Юнда Н.Т. Радиационно-поверхностные эффекты в поликристаллических слоях сульфида свинца в сб. Труды Всесоюзного семинара'Тадиационные эффекты в полупроводниковых приборах-80", Баку, Изд. ИФАН Азерб. ССР, 1980, с. 89

19. В.М. Зыков, Ю.Н. Юнда Исследование электропроводности слоев сульфида свинца, облучаемых электронами в различных газовых средах. Известия ВУЗов Физика, 1979, N9, с 112-115

20. Заитов Ф.А., Зыков В.М., Шавров А.Е., Юнда Н.Т. Радиационные эффекты на поверхности поликристаллических слоев сульфида свинца. В Сб. "Труды X Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами", Изд. МГУ, 1981, с 464-469.

21. Заитов Ф.А., Зыков В.М., Исаев Ф.К., Шавров А.Е., Матершев Ю.А. Радиационные эффекты в поликристаллических фотослоях сульфида свинца Доклады АН Азерб. ССР, 1981, т. XXXVII, сер. Физика полупроводников, №12, с. 35-37

22. Зыков В.М., Юнда Н.Т. Фоторезистор. Авт. свидетельство СССР № 890786

23. Вавилов B.C., Горин Б.М., Данилин Н.С. и др. Радиационные методы в твердотельной электронике -М.: Радио и связь, 1990, -184 с

24. Boesch H.F. A proposed dose response of MOS devices // IEEE Trans. Nucl. Sei,1986, NS-33, No. 6, p. 1337-1342

25. Боргуэн Ж, Ланно M, Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты: пер. с англ, / под ред. В.Л. Гурвича. М.: Мир, 1985.-304с

26. Вавилов B.C., Кив А.Е, Ниязова O.P. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981, -368 с238

27. Вопросы радиационной технологии полупроводников / под ред. JT.C. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1980, 296 с.

28. Кузнецов Н.В., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния. -М.: Энергоатомиздат, 1989.-96с.

29. Дирнли Дж., Нортроп Д. Полупроводниковые счетчики ядерных излучений: пер. с англ. М.: Мир, 1966, 359 с.

30. Мырова Л.О., Чепиженко А.З. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениям. М.: Радио и связь, 1988, -259с

31. Колодин Л.Г. Исследование процессов образования и отжига радиационных дефектов в кремнии р-типа, облученном электронами: Дис. .канд. Физ.-мат. наук. Алма-Ата, 1980, 100 с.

32. Уоткинс Дж., Корбет Дж., Уолкер Р. Спиновый резонанс в кремнии, облученном электронами // В сб. Электронный спиновый резонанс в полупроводниках. Пер. с англ./под ред. А.Н.Пенина, М.:Изд.-во иностр. лит.-ры, 1962, -с. 350-368

33. Komitzi C.D. and Banbury P.C. -Low-temperature radiation damage studies in boron-doped silicon, J. Phys. C: Solid State Phys. 1982, lj>, p. 1137-1141

34. Ланно M., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. Пер. с англ. -М.: Мир, 1984. -264 с.

35. Емцев В.В., Машовец Т.В., Назарян Е.Х. Собственные дефекты в кремнии и их взаимодействие с примесью бора при низких температурах ФТП, 1982, т. 16, вып.10, с. 1901-1904

36. Коган Ш.М., Лифщиц Т.М. Некоторые проблемы фотоэлектрической спектроскопии Известия АН СССР, сер. Физическая, т. 42, № 6, с. 11221130

37. Берман Л.В., Селиверстов А.И. нейтрализация мелких примесей в кремнии светом из области фундаментального поглощения ФТП, 1989, т.23, вып. 11, с. 1959-1965

38. Шредер Д.К. Двумерные приемники изображения на примесном кремнии: Сб.//Приборы с зарядовой связью/ Пер. с англ./ под ред. Д.Ф. Барба.-М.: Мир,1982.-240

39. Киес Р. Дж., Крузе П.В., Патли Э.Г. и др. Фотоприемники видимого и РЖ диапазонов Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1985.—328 с

40. Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н, Захват носителей заряда на притягивающие центры в полупроводниках ФТП, 1978, Т. 12, в.1, с. 3-32

41. Годик Э.Э, Курицын Ю.А., Синие В.П. Захват дырок нейтральными атомами бора в кремнии Письма в ЖЭТФ, 1971, т. 14, с. 377-379

42. Гершензон Е.М., Ладыжинский Ю.П., Мельников А.П. О новом механизме рекомбинации носителей заряда в полупроводниках Письма в ЖЭТФ, 1971, т.14, с. 380-382

43. Банная В.Ф., Гершензон Е.М., Мельников А.П. и др. Н" подобные центры и делокализация электронов в полупроводниках ЖЭТФ, 1983, т.85, вып. 2(8), с 746-763239

44. Ворожцова JI.А., Гершензон Е.М., Гурвич Ю.А. и др. Примесная фотопроводимость слабокомпенсированного кремния в условиях делокализации Д" (А+) -состояний. ЖЭТФ, 1987, т.93, вып. 4(10), с. 14191430

45. Ворожцова Л.А., Гершензон Е.М., Гурвич Ю.А. и др. Рекомбинация свободных носителей в легированном кремнии с малой компенсацией ЖЭТФ, 1988, т.94, вып. 2, с. 350- 363

46. Гершензон Е.М., Исмагилова Ф.М., Литвак-Горская, Мельников А.П. Прыжковая фотопроводимость легированных кремния и германия ЖЭТФ, 1991, т. 100, вып. 3(9), с. 1029-1040

47. Добрего В.П. Прыжковая фотопроводимость в германии с мелкими примесями двух типов. // ФТП,1969,т.З, в. 11, с. 1665-1668.

48. Мотт Н., Туз У. Теория проводимости по примесям. 1963, УФН, t.XXIX, вып.4, с.691-740

49. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. -М.: Наука, Главная реакция физ.-мат. лит., 1979, 416с.

50. Добрего В.П., Рыбкин С.М. Отрицательная прыжковая фотопроводимость //ФТТ, 1962, т.4, вып.2, с. 553-555

51. Добрего В.П., Рыбкин М.С. Прыжковая фотопроводимость и межпримесная рекомбинация // ФТТ, 1964, т.6, вып. 4, с 1203-1207

52. Добрего В.П. Расчет люксамперных характеристик прыжковой фотопроводимости//ФТТ, 1966, т.8, в. 11, с. 3506-3512

53. Добрего В.П., Ермолаев О.П. Прыжковая проводимость германия п-типа, облученного у -квантами// ФТП, 1975, т.9, вып. 5, с. 926-928

54. Батавин В.В., Концевой Ю. А, Федорович Ю.В. // Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур М.: Радио и связь, 1985 -264с

55. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. Учеб. для вузов. -М.: Высш. школа, 1987 235с

56. Рыльков В.В. Захват дырок на отрицательно заряженные атомы бора в легированном слабо компенсированном кремнии при низких температурах // ФТП, 1988, том. 22, вып. 9, с. 1661-1665

57. Веденеев A.C. Измерение коэффициента Холла при высоком уровне помех // Измерительная техника, 1986, №11, с. 46-48

58. Зыков В.М. Стационарные и релаксационные электрические методы исследования точечных дефектов в полупроводниках Известия Томского политехнического университета. Тематический выпуск, 2000, Том.303, вып. 2, с. 137-161

59. Lang D. V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors // J. Appl. Phys. 1974. V.45, N7, p. 3023-3032

60. Берман Л.С., Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Ленинград: Наука, 1981. -176с

61. Гороховатский Ю.А.,Бордовский Г.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М.: Наука: гл. ред. физ. мат. лит., 1991.-248 с.240

62. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. В двух частях. 4.2: Пер. с англ. М.: Мир, 1984.-368с.

63. Garofano Т., Colazzari Т. Isothermal current decay in antracene crystal, Nuovo Cimento, 1975,V.26,p.23-29.

64. Горин Б.М., Кив A.E., Плотникова JT.Г., Соловьев В.Н. Механизмы естественного старения и вынужденной деградации полупроводниковых приборов// Обзоры электронной техники, 1983, сер. Полупроводниковые приборы, вып.8(967), 57с

65. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов: пер. с англ./ под ред. И.В. Грехова -Л.: Энергоатомиздат, 1986, 248с.

66. Чернышев А.А., Чепыженко А.З., Борисов Ю.А. и др. Перемежающиеся и устойчивые отказы в цифровых интегральных микросхемах при воздействии ионизирующего излучения Зарубежная электронная техника, 1986 вып. 7(302), с. 3-157

67. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах/ Под ред. Т.М. Агаханяна. М.: Энергоатомиздат, 1989, -256 с.

68. Lantz M.D., Galloway K.F. Radiation effects in MOS devices and circuits // IEEE Trans. Nucl. Sci.,1983, Vol. NS-30, p.4264

69. Military Standard, Test Methods and Procedures for Microelectronocs, MIL-STD-883D, Method 1019.4, Defense Electronics Supply Center, 1992

70. Pershenkov V.S., Belyakov V.V., Shalnov A.V. Fast Switched -Bias Annealing of Radiation -Induced Oxide Trapped Charge and its Application for Testing of Radiation Effects in MOS Structures// IEEE Trans. Nucl. Sci., 1994,Vol.41, No.6, P. 2593-2599

71. Jenkins-William C., Martin Richard L. A comparison of methods for simulating low dose-rate gamma ray testing of MOS devices // IEEE Trans.Nucl.Sci., 1991, 38, No.6, Pt.l, p.1560-1566

72. Pugh R.D., Johnston A.H. and Galloway K.F. Characteristics of the breakdown voltage of power MOSFETs after total dose irradiation // IEEE Trans. Nucl. Sci.1986, Vol.NS-33, p. 1460

73. Boesch H.E., Jr., McGarrity J.M. Charge yield and dose effects in MOS capacitors at 80 К IEEE Trans. Nucl. Sci., 1986, vol. NS-32, No.6 p. 15201525

74. Klein R.B., Saks N.S., and Shanfield Z. Saturation of radiation-induced threshold-voltage shifts in thin-oxide MOSFETs at 80 К IEEE Trans. Nucl. Sci., 1990, vol.37, No.6, p. 1690-1695

75. Fleetwood D.M. Radiation-induced charge neutralization and interface trap buildup in MOS devices //J.Appl. Phys., 1990,v.67,p.580241

76. Boesch H.E., Jr., McLean F.B., Benedetto J.M. et. al Saturation of threashold voltage shift in MOSFET's at high total dose, IEEE Trans. Nucl. Sei., 1986, Vol. NS-33, No. 6, p. 1191-97

77. Schrimpf R.D., Galloway R.D., Wahle P.J. Interface and oxide charge effects on DMOS channel mobility // Electronics Lett., 1989, Vol. 25, p.l 156

78. McLean F.B., Boesch H. E., Jr. Time-dependent degradation of MOSFET channel mobility following pulsed irradiation IEEE Trans. Nucl. Sei. , 1989, vol.36, No. 6, p. 1772-1783

79. Galloway K.F.,and Schrimpf R.D. MOS device degradation due to total dose ionizing radiation in the natural space environment: a review // Microelectronics Journal, 1990, Vol. 21, No. 2, p. 67-81

80. Sexton F.W., Schwank J.R., Correlation of radiation effects in transistors and integrated circuits IEEE Trans. Nucl. Sei., 1985, NS-32, No.6, p. 3975-3981

81. Buchman P. Total doze hardness assurance for microcircuits for space environment // IEEE Trans. Nucl. Sei.,1988,Vol. NS-33, p.1382-1358

82. Oldham T.R. and Garrity J.M.Comparison of Co-60 Response and 10 keV X-rays Response in MOS Capasitors, IEEE Trans. Nucl. Sei., 1983, Vol. NS-30, No.6, p. 4363-4381

83. Hamm R.N. Dose calculations for Si-Si02-Si layered structures irradiated by X-rays and 60Co gamma rays IEEE Trans. Nucl. Sei., 1986, Vol. NS-3, No. 6, p. 1236-1239

84. Oldham T.R. Analysis of damage in MOS devices for several radiation environments // IEEE Trans. Nucl. Sei., 1984, Vol. NS-31 No.6, p. 1236-1241

85. Dozier C.M., Fleetwood D.M., Brown D.B., and Winokur P.S. An evaluation of low-energy X-ray and cobalt-60 irradiations of MOS-transistors // IEEE Trans. Nucl. Sei., 1987, Vol. NS- 34, No.6, p. 1535-1539

86. Benedetto J.M., Boesch H.E., Jr., Oldham T.R, Brown G.A., Measurement of low-energy X-ray dose enhancement in MOS devices with metal solicide gates //IEEE Trans. Nucl. Sei, 1987, Vol. NS-34, No.6, p. 1540-1543

87. Fleetwood D.M., Beutler D.E., Lorence L. J. et al. Comparison of device response and predicted X-ray dose enhancement effects on MOS oxides IEEE Trans. Nucl. Sei, 1988, Vol. 35, No.6, p. 12665-1271

88. Benedetto J.M, Boesch H.E, Jr., and McLean F.B. Dose and energy dependence of interface trap formation in cobalt-60 and X-ray environment // IEEE Trans. Nucl. Sei, 1988, Vol. 35, No.6, p. 1260-1264

89. Tausch H.J, Wenhoner R, Rease R.L. et al. Programmable test system for transient annealing characterization of irradiated MOSFETs //IEEE Trans. Nucl. Sei, 1987, Vol. NS-34, No. 6, p. 1763-1768

90. Winokur P.S., Kerris K.G, Harper L. Predicting CMOS inverter response in nuclear and space environments// IEEE Trans. Nucl. Sei, 1983, 30, No.6, p. 4326-4332

91. Lenahan P.M., Dressendorfer P.V. Hole traps and trivalent silicon centers in metal/semiconductor devices, J. Appl. Phys, 1984,V 55, p. 3495

92. Witham H.S. and Lenahan P.M. The nature of the deep hole trap in MOS oxides IEEE Trans. Nucl. Sei, 1987, vol.NS-34, No.6, p.l 147-1151242

93. Lenahan P.M., Dressendorfer P.V. Radiation-induced paramagnetic defects in MOS-structures IEEE Trans. Nucl. Sci., 1982, vol. NS-29, No.6, p. 1459-1461

94. Witham H.S., and Lenahan P.M. Nature of the E' deep hole trap in metal-oxide-semiconductor oxide, Appl. Phys. Lett, 1987, V.51(13), p.1007-1009

95. Grunthaner F.J., Grunthaner P.J., and Maserjan J. Radiation-induced defects in Si02 as determined with XPS, IEEE Trans. Nucl. Sci., 1982, vol. NS-29, No. 6, 1462-1466

96. McLean F.B. A direct tunneling model of charge transfer at the insulator-semiconductor interface in MIS devices U. S. Government Report # HDL-TR-1965,1976

97. Герасименко H.H., Мордкович B.H. Радиационные эффекты в системе полупроводник-диэлектрик// Поверхность. Физика, химия, механика.-1987.-Вып. 6.-с. 1-17

98. Lai S.K. Interface Trap Generation in Silicon Dioxide when Electrons are Captured by Trapped Holes//J. Appl. Phys. -1983,- Vol.54, N 5. p.2540-2545

99. Saks N.S., Brown D.B. Interface trap formation via the two-stage H4 process IEEE Trans. Nucl. Sci. 1989, Vol. 36, No.6, p.1848-1857

100. Гирий В.А., Лысенко B.C., Шаховцов В.И. Радиационные процессы в системах металл-диэлектрик-полупроводник. Препринт. Киев, 1986, -53 с. (Ин-т физики АН УССР №8610)

101. Sii Н.К., Znang J.F., Degraeve R. , Groeseneken G. Relation between hygrogen and the generation of interface state precursors // Microelectron. Eng.-1999 -v. 48, N 1-4, p 135-138

102. Hess K., Tuttle В., Register F., Ferry D.K. Magnitude of the threshold energy for hot electron damage in metal-oxide-semiconductor field effect transistors by hydrogen desorption // Appl. Phys. Lett., 1999, v.75, N20, p. 3147-3149

103. Fleetwood D.M., Winokur P.S., and Schwank J.R. Using laboratory x-ray and cobalt-60 irradiations to predict CMOS response in strategic and space environments //IEEE Trans. Nucl. Sci. 1988, Vol.35,No.6, p. 1497-1505

104. Ю9.Эйкхофф П. Основы идентификации систем управления. Оценивание параметров и состояния. М.: Изд-во "МИР", 1975, 683 с.

105. Ю.Зыков В.М., Лукин А.Л., Киселев А.Н. "Разработка метода и аппаратуры контроля примесных полупроводников на основе эффекта индуцированной примесной фотопроводимости", Промежуточный научный отчет № Гос. регистрации 01860073988, 1987 г.-68с.

106. П.Зыков В.М., Лукин А.Л., Киселев А.Н. "Разработка метода и аппаратуры контроля примесных полупроводников на основе эффекта индуцированной примесной фотопроводимости", Заключительный научный отчет № Гос. регистрации 01860073988, 1989 г.,-66с.

107. Wrenn G.L Conclusive evidence for internal dielectric charging anomalies on geosynchronous communications spacecraft //Journal of spacecraft and rockets May-June 1995. - V.32 - No.3 - P.514-520.

108. Соловьев Ю.А., Бюллер А.В., Зыков B.M. "Электризация диэлектрических материалов под действием электронов космического пространства"//Известия вузов. Физика. (Приложение. Тематический сборник), 2000, №5, с.32-36.

109. Bond R.A., Latham P.M. Report " An analysis of internal charging-phenomena", prepared for ESA, Document No. TLP A/31942/Rep/1,1994

110. Беспалов В.И, Верхотуров В.И, Графодатский О.С, Зыков В.М. Спектральные характеристики 60Со-моделирующей установки // В сб. "Радиационная стойкость бортовой аппаратуры и элементов космических аппаратов. Материалы конференции", Томск, 1991, с. 156-157;

111. ГОСТ 25645.139-86. Пояса Земли радиационные естественные. Модель пространственно-энергетического распределения плотности потока электронов. -М.: Издательство стандартов, 1986.

112. Авакян C.B., Вдовин А.И., Пустарников В.Ф. Ионизирующие и проникающие излучения в околоземном космическом пространстве. Справочник. С- Петербург: Гидрометеоиздат, 1994, 501 с.

113. Холлендер М., Вульф Д.А. Непараметрические методы статистики. -М.: Финансы и статистика, 1983, 518 с.

114. Вентцель Е.С. Теория вероятностей.- М.: ГИФМЛ, 1962; Справочник по прикладной статистике./Под ред. Э. Ллойда, У. Ледермана.-М.: Финансы и статистика, 1989, т.1, 501 с.

115. Anderson D.E., Dahnus R.G.// Spacecraft and Rockets, 1975.-Vol.4, - No.3,.

116. Беспалов В.И., Зыков В.M., Кашковский B.B. //Росс, конф. "Взаимодействие космических аппаратов, с окружающей средой". Иркутск, 1-3 ноября 1995 г. Программа и тезисы доклада. РАН Сиб. отделение .Иркутск, 1995, с. 48-49.

117. Беспалов В.И., Зыков В .М., Кашковский В .В .//В Сб.: IV Всероссийская конференция по модификации свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц. Тезисы докладов. 13-17 мая 1996 г. -Томск, 1996, с. 196-198.

118. Поллард Дж. Справочник по вычислительным методам статистики //Пер. с англ. B.C. Занадворова; Под. ред. Е.М. Четыркина.-М.: Финансы и статистика, 1982.-334с.

119. Rester D.H., Derrisckon J.H. Electron transmission measurements for Al, Sn and Au targets at electron bombarding energies at 1.0 and 2.5 MeV. // J.Appl. Phys., 1971, V.42, pp.714-721.

120. Беспалов В.И. Характеристики тормозного излучения за плоскими мишенями, облучаемыми электронами. // Деп. ВИНИТИ, No 1782-80, Томск, 1980.

121. Беспалов В.И. Расчеты методом Монте-Карло характеристик полей электронов и квантов в однородных и неоднородных поглотителях. // Деп. ВИНИТИ, No. 3707-80.-М.:, 1980, (аннотация в Изв. вузов, Физика, 1980, No 10, с. 127)246

122. Выставкин А.Н., Годик Э.Э., Губанков В.Н. и . др. Высокочувствительные приемники электромагнитных излучений // В/ кн.: Проблемы современной радиотехники и электроники. // Под. ред. В.А. Котельникова,- М.: Наука, 1982. -с. 359-412

123. Шредер Д. К. (Schroder D.K.) В сб.: Приборы с зарядовой связью под ред. Д.Ф. Барба (М., Мир,1982) с.ЮЗ./Пер. с англ.: Charge-Coupled Devices ed. by D.F. Barbe, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg New York 1980

124. Каминский A.C., Покровский Я.E. Влияние примесной подсветки и температуры на межпримесную излучательную рекомбинацию в кремнии // ФТП,1969, 3, с. 1766

125. Зыков В.М., Заитов Ф.А. Волков В.Ф. и др. " Влияние захвата носителей заряда дефектами на примесную фотопроводимость" // В сб. "Вопросы стойкости ЭРИ, элементов и материалов к спецвоздействиям", М., Изд.НТЦ "Информтехника", 1990 г., с. 11-12

126. Зыков В.М.-" Индуцированная примесная проводимость в облученном электронами кремнии" // В сб."Тезисы докладов 8-й международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов", том1, Томск, изд. ТПУ, 1993, с. 149

127. Патент RU 2025827 "Способ контроля параметров полупроводниковых материалов" / Авт.: Заитов Ф.А, Горшкова О.В, Зыков В.М, Волков В.Ф. Киселев А.Н. Бюллетень изобретений N24 от 30.12.94г.

128. Zykov V.M. and Kiselyov А. N. "Testing of impurity atoms state in single-crystal Si"- 7th European Conference on Non-Destructive Testing. 26-29 May 1998, Copenhogen, 1998, p.40

129. V.M. Zykov, A.N. Kiselyov. "Testing of impurity atoms state in single-crystal Si" in "Proceedings of the 7th European Conference on Non-Destructive Testing. Copenhagen, 26-28 May 1998.Printed in Denmark, 1998. V.l. P.281-286.

130. Зыков В.М, Окунцов М.И, Лисицын В.М. Метод вариативных сверток для моделирования долговременного радиационного отклика полупроводниковых приборов//ВАНТ, сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру 2001, вып.1-2, с.135-141.

131. Зыков В.М. Модель и метод моделирования нелинейного радиационного отклика транзисторной структуры металл-окисел-полупроводник // Известия высших учебных заведений. Физика. 1996.вып.7.с.52-58.

132. Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter.", Tomsk, 2000, p.466-469.

133. Тамм И.Е. Основы теории электричества, -М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1966. -624 с.

134. McLean F.B. A framework for understanding radiation-induced interface states in Si02 MOS structures// IEEE Trans. Nucl. Sei. 1980, Vol. NS-27, No.6, p. 1651-1656.

135. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн.-М.:Мир, 1984

136. Schrimpf R.D., Wahle P.J., Andrews R.C. et al. Dose-rate effects on the total-dose threshold-voltage shift of power MOSFETs //IEEE Trans. Nucl. Sei. -1988.-V.35,No.6, p. 1536-1540

137. McWhorter P.J., Fleetwood D.M., Pastorek R.A. et al. Comparison of MOS capacitor and transistor postirradiation response // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1989, Vol. 36, N0.6, p. 1792-1799

138. Johnston А.Н., Roeske S.B. Total dose effects at low dose rates// IEEE Trans/ Nucl. Sei.,1986, Vol. NS-33, No.6, p.1487-1492

139. Okabe Т., Kato M., Katsueda M., Kamimura H., Takei I. High-frequency annealing effects on ionizing radiation response of MOSFET // IEEE Trans. Nucl. Sei., 1990, Vol. 37, No.6, 1670-1676249