Термическое оксидирование InP, модифицированного нанесенными композициями оксидов NiO+PbO,V2O5+PbO тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, кандидат наук Самсонов, Алексей Алексеевич

• Самсонов, Алексей Алексеевич
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Самсонов, Алексей Алексеевич

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ 5 Глава I. Воздействие хемостимуляторов и их композиций на кинетику и механизм оксидирования Фосфида индия

(обзор литературы)

1.1. Термическое оксидирование фосфида индия в кислороде

1.2. Термическое оксидирование фосфида индия под воздействием 18 хемостимуляторов

1.3. Эффект совместного воздействия композиций оксидов- 23 хемостимуляторов, вводимых через газовую фазу

1.4. Термооксидирование InP под воздействием индивидуальных 29 нанесенных оксидов.

1.4.1. Термооксидирование структур PbO/InP

1.4.2. Особенности оксидирования структур NiO/InP

1.4.3. Каталитическое термооксидирование структур V20/InP

1.5. Наноразмерные материалы и их свойства

1.5.1. Терминология и классификация наноматериалов

1.5.2. Температура плавления

1.5.3. Параметры кристаллической решетки

1.5.4. Реащионная способность

1.6. Выбор объектов исследования 41 Глава II. Методика формирования, термооксидирования и

исследования свойств гетероструктур (NiO +РЬО)/1пР

и (V205+Pb0)/InP

2.1. Исходные материалы и предварительная обработка

2.2. Обзор свойств использованных в исследовании оксидов 48 металлов

2.2.1. Свойства оксидов свинца

2.2.2. Свойства оксидов никеля

2.2.3. Свойства оксидов ванадия

2.3 Формирование композитных наноразмерных пленок 56 хемостимулятора

2.3.1 Особенности ионно-реактивного синтеза и ионно- 56 стимулированное газофазное осаждение

2.3.2 Технический аспект получения композитных нанопленок 60 методом магнетронного напыления

2.4. Методика окисления

2.5. Обработка кинетических данных

2.6. Методы исследования 72 2.6.1. Одноволновая лазерная и спектральная эллипсометрия

2.6.2 Растровая электронная микроскопия (РЭМ)

2.6.3 Сканирующая туннельная микроскопия (СТМ)

2.6.4. Рентгенофазовый анализ (РФА)

2.6.5. Инфракрасная спектроскопия (ИКС)

2.6.6. Ультрамягкая рентгеновская эмиссионная 90 спектроскопия (УМРЭС)

2.6.7. Локальный рентгеноспектрапъный микроанализ (ЛРСМА)

2.6.8. ОЖЕ-электронная спектроскопия (ОЭС)

2.6.9. Электрофизические исследования

Глава III. Термоксидирование гетероструктур (PbO+NiO)/InP 98 разного состава.

Глава IV. Каталитическое оксидирование гетероструктур

(РЬ0+У205)/1пР разного состава.

Глава V. Обсуждение результатов

ВЫВОДЫ

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

ПРИЛОЖЕНИЕ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

МЛЭ — молекулярно-лучевая эпитаксия ЭЭА — эффективная энергия активации РЭМ — растровая электронная микроскопия СТМ — сканирующая туннельная микроскопия АСМ — атомно-силовая микроскопия ИКС — инфракрасная спектроскопия

РФА — рентгенофазовый анализ, рентгеновская дифракция

УМРЭС — ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия.

ЛРСМА — локальный рентгеноспектральный микроанализ

ОЭС — Оже-электронная спектроскопия

ВИМС — вторичная ионная масс-спектрометрия

ИАЦ — искусственные активные центры

ВЭ — вторичные электроны

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Термическое оксидирование InP, модифицированного нанесенными композициями оксидов NiO+PbO,V2O5+PbO»

ВВЕДЕНИЕ

Весьма символично, что Нобелевский комитет в самом начале XXI века счел необходимым присудить премию "за основополагающие работы в области информационных и коммуникационных технологий". Именно в этой области человеческой деятельности в последние десятилетия происходят революционные изменения. Решительно на все направления научно-технического прогресса оказало огромное влияния развитие современных информационных технологий. Трудно представить сейчас любую сферу деятельности без быстродействующих компьютеров, Интернета, мобильной и оптоволоконной связи. Но все это стало возможным только благодаря созданию новых поколений функциональных материалов, в том числе полупроводниковых, с последующим изготовлением на их основе современных приборов с высокой производительностью. Неудивительно, что одним из приоритетных направлений в современной фундаментальной науке является развитие представлений химии полупроводников и теории конденсированного состояния, в том числе и на уровне наноразмеров. Установление специфических особенностей полупроводниковых материалов, наноразмерных гетерогенных структур на их основе, всестороннее исследование их свойств (оптических, магнитных и т. д.) закономерно приведет к созданию твердотельных устройств и приборов для следующих поколений вычислительной техники, твердотельной электроники, энергетики, медицины и экологии.

Перспективными материалами для современной твердотельной

электроники являются полупроводниковые соединения типа АШВУ,

представляющие исключительный интерес как объекты, на базе которых

развиваются фундаментальные представления неорганической химии и

физики твердого тела и создаются новые конкурентоспособные устройства и

приборы. Реализация МОП - структур на основе этих материалов возможна

посредством термического оксидирования полупроводников в кислороде,

которое, наряду с такими высокотехнологичными методами, как

5

молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) и фотонный отжиг, все еще остается одним из распространённых способов создания полупроводниковых и диэлектрических пленок на поверхности полупроводников. Однако непосредственное оксидирование полупроводников типа АШВУ не привело к развитию МОП-технологии на их основе, что связано с низким качеством полученных диэлектрических пленок и несовершенством границы раздела оксид/полупроводник.

Один из путей решения обозначенных выше проблем - изменение механизма процессов, происходящих при термооксидировании соединений типа АШВУ (1пР, ОаАБ), введением в систему соединений -хемостимуляторов, которые, химически стимулируя оксидирование полупроводника, обеспечивают быстрый рост оксидных пленок с улучшенными характеристиками и позволяют устранить негативные последствия механизма собственного оксидирования, осуществляя кинетический обход нежелательных стадий. Особый интерес в рамках данной тематики представляет исследование интерфейсных взаимодействий в наноразмерных гетероструктурах с нанесенными хемостимуляторами и их композициями, в которых целесообразно одновременно ипользовать хемостимуляторы, ускоряющие оксидирование полупроводников как по каталитическому, так и по транзитному механизмам. Это позволит реализовать нелинейные эффекты совместного воздействия хемостимуляторов и за счет изменения вкладов каталитического и транзитного механизмов в общий процесс термооксидирования посредством контролируемого варьирования состава сложного хемостимулятора эффективно и гибко управлять процессом термооксидирования, составом и свойствами пленок.

АКТУАЛЬНОСТЬ

Для оптимизации процесса термооксидирования фосфида индия, одного из самых перспективных полупроводников А|ПВУ, и устранения негативных последствий механизма собственного оксидирования (обогащения растущей

пленки металлическим индием и появления омической проводимости в структуре оксидЛпР) целесообразно использование различных хемостимуляторов и их композиций. Существует насколько способов введения хемостимулятора в реакционную среду - через газовую фазу в процессе оксидирования или непосредственно на поверхность полупроводника. В последнем случае используют две группы методов -«жёсткие» (магнетронное распыление, МЛЭ, электровзрыв и т.д.) и «мягкие» (золь-гель процессы, низкотемпературные МОСУЭ и т.д.). Однако введение хемостимулятора через газовую фазу не позволит, в случае использования композитного хемостимулятора, дифференцировать механизмы транзита и катализа. Методы непосредственного нанесения хемостимулятора также обладают недостатками: «мягкие» - плохой границей раздела пленка-полупроводник (возможно отслоение пленки) и соответственно ограниченной отражающей способностью этой границы, что приводит к обогащению пленок металлическим 1п и ухудшению их электрофизических характеристик. «Жёсткий» метод электровзрыва не позволяет создать регулярный слой хемостимулятора со стабильной воспроизводимостью. Применение молекулярно- лучевой эпитаксии ограничено дороговизной и максимальной технической сложностью.

Модифицирование поверхности полупроводника хемостимуляторами (и их композициями) методом реактивного магнетронного напыления, разграничение каталитического и транзитного механизмов с использованием преимуществ каждого из них в процессах оксидирования таких гетероструктур - весьма важная задача, решение которой приведет к целевому управлению процессом термооксидирования АШВУ с программированием состава и свойств пленок.

Работа выполнена в рамках НИР «Исследование воздействия активных

компонентов-хемостимуляторов на кинетику и механизм окисления,

структуру и свойства бинарных полупроводников в процессе синтеза

функциональных материалов», номер госрегистрации 0120.0602176,

7

выполняемой по аналитической ведомственной программе «Развитие потенциала высшей школы», и государственного задания Министерства образования и науки РФ 3.1673.2011 «Установление механизма хемостимулированного оксидирования и особенностей функциональных свойств тонких оксидных пленок на полупроводниках А3!}5», номер Г.Р. 01201263907 от 18.06.2012. Исследование поддержано грантами РФФИ № 03-03-96500-р2003цчр_а, № 06-03-9633 8-р_центр_а, № 09-03-97552-р_центр__а, № 10-03-00949-а и № 13-03-00705-а.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ

Установление механизма воздействия предварительно нанесенных наноразмерных слоев композиций оксидов р и с1- элементов У205 + РЬО и №0 + РЬО на термическое оксидирование 1пР и выявление специфики влияния хемостимулятора-катализатора (УгОз) при его совместном нахождении с хемостимулятором-транзитором (РЬО).

ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ

1. Исследование кинетики термического оксидирования гетероструктур (У205+РЬ0)/1пР и (1\Ю+РЬО)/1пР с нанесёнными наноразмерными слоями хемостимулятора различного состава.

2. Установление влияния природы и состава исходного композитного слоя хемостимулятора на состав и свойства сформированных термооксидированием пленок на 1пР.

3. Исследование механизма формирования многокомпонентных пленок при термооксидировании 1пР с нанесенными нанослоями композиций оксидов р и й- элементов.

4. Выявление различий в механизмах термического оксидирования изучаемых структур, обусловленных природой с1- элемента в нанесенных композициях.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА

• показано хемостимулирующее воздействие нанесенных слоев композиций оксидов рис/- металлов на процесс термического оксидирования фосфида индия;

• установлен характер взаимодействий, ответственных за формирование пленок сложного состава при оксидировании гетероструктур (У205+РЬ0)/1пР и (№0+РЮ)/1пР;

• доказана каталитическая активность У205 в составе нанесенного нанослоя композита с транзитором РЬО в процессе термооксидирования поверхности фосфида индия;

• впервые обнаружены и интерпретированы положительные нелинейные эффекты совместного хемостимулирующего воздействия напыленных композиций У205+РЬ0 и №0+РЬ0 в процессе термооксидирования фосфида индия;

• установлено улучшение электрофизических характеристик пленок, сформированных термооксидированием гетероструктур (У205+РЬ0)/1пР и (МЮ+РЮ)/1пР, по сравнению с собственными оксидными пленками на 1пР.

• разработаны схемы процессов термооксидирования гетероструктур на основе 1пР с нанесенными слоями нанокомпозита оксидов р и с1 -металлов.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ

Полученные результаты комплексного исследования механизма роста пленок на 1пР, их состава и свойств могут быть применены для оптимизации процессов синтеза нового поколения неорганических материалов. Они позволят увеличить производительность процесса термооксидирования фосфида индия за счет снижения рабочей температуры и увеличения скорости роста функциональных пленок. Будут достигнуты заданный состав

сформированных пленок, блокировка диффузии неокисленного индия в них и соответственно улучшение диэлектрических характеристик, что впоследствии позволит гибко управлять составом и свойствами образующихся тонкопленочных гетероструктур в целом и реализует возможность создания новых функциональных устройств на их основе.

ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ

1. Механизм воздействия композиции двух транзиторов ЫЮ+РЬО на термическое оксидирование 1пР, проявляющийся в ускорении процесса при сохранении высоких значений ЭЭА, не зависящих от состава композита, и относительно невысокой степени окисленности подложки, сравнимых с собственным оксидированием 1пР (УМРЭС), ее легировании катионообразователями хемостимуляторов (ОЭС), расходом исходных оксидов-транзиторов и их отсутствием в сформированной оксидно-фосфатной пленке (ИКС, РФА).

2. Механизм термического оксидирования 1пР под воздействием композиции катализатор - транзитор У205+РЬ0, характеризующийся закономерным снижением ЭЭА (примерно на порядок по сравнению с собственным) и возрастанием степени окисленности 1пР с увеличением содержания У205 в исходном слое хемостимулятора (УМРЭС), регенерацией катализатора и расходом транзитора (ИКС, РФА), блокировкой неокисленного индия (спектральная эллипсометрия, ОЭС), улучшением диэлектрических характеристик полученных пленок по сравнению с собственным оксидированием 1пР и индивидуальным влиянием оксидов композиции.

3. Характер и физико-химическая природа нелинейных эффектов совместного хемостимулирования процесса термического оксидирования 1пР магнетронно нанесенными нанослоями композиций оксидов ЫЮ+РЮ и У205+РЬ0 (ИКС, РФА, ОЭС, УМРЭС).

ПУБЛИКАЦИИ И АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ

По материалам работы опубликовано 5 статей (все - в реферируемых российских журналах из Перечня ВАК) и 8 тезисов докладов на научных конференциях.

Результаты работы были доложены на международной конференции «Structural chemistry of partially ordered systems, nanóparticles and nano composites» (Санкт-Петербург, Россия, 2006), III, IV и VI Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированных средах и на межфазных границах - ФАГРАН» (Воронеж, Россия, 2006, 2008, 2012); XI Международной конференции по физике и технологии тонких плёнок (МКФТТП-XI) (Ивано-Франковск, Украина, 2007); 6 Всероссийской школе-конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении (индустрия наносистем и материалы)», (Воронеж, Россия, 2007); Международной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов-2008» (Москва, Россия, 2008); X юбилейной международной научной конференции "Химия твёрдого тела: наноматериалы, нанотехнологии", (Ставрополь, Россия, 2010).

СТРУКТУРА И ОБЪЕМ ДИССЕРТАЦИИ

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, выводов, списка литературы и Приложения, изложена на 235 страницах машинописного текста, включая 16 таблиц, 105 рисунков и библиографический список, содержащий 180 наименований литературных источников.

ЛИЧНЫЙ ВКЛАД АВТОРА В ДИССЕРТАЦИОННУЮ РАБОТУ

Автором осуществлены эксперименты по магнетронному синтезу

наноразмерных слоёв оксидов р (РЬО) и d- элементов (NiO, V205) и

композитов различного состава на поверхности полупроводникового

монокристалла (InP); изучены кинетика термооксидирования и состав

11

полученных гетероструктур методами лазерной и спектральной эллипсометрии, растровой электронной микроскопии, рентгенофазового анализа, инфракрасной спектроскопии и т. д.; проведена оценка термодинамических параметров реакций, протекающих в изучаемых системах; совместно с научным руководителем обработаны и обобщены полученные данные, интерпретирован механизм и предложены схемы процессов, протекающих в исследуемых структурах.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ ИЗЛОЖЕНО В

РАБОТАХ:

1. Термическое окисление поверхности InP, модифицированной смесями NiO+PbO разного состава / И.Я. Миттова, A.A. Самсонов, А.Н. Лукин, С.П.Симонов // Неорганические материалы. - 2005. - Т. 41, № 4. -С. 391-399.-0,5 п.л.

2. Миттова И.Я. Влияние напыленных слоев РЬО с добавками оксидов никеля и ванадия на термооксидирование InP / И.Я. Миттова, A.A. Самсонов // Неорганические материалы. - 2006. - Т. 42, № 8. -С. 908-915.-0,4 п.л.

3. Каталитический эффект нанослоя композита (У2Оз+РЬО) в процессе термооксидирования кристалла InP / В.М. Иевлев, И.Я. Миттова, A.A. Самсонов, Е.В. Томина. В.М. Кашкаров // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 417, № 4. - С. 497-501. - 0,3 п.л.

4. Термооксидирование InP наноразмерными слоями У2Оз+РЬО разного состава / A.A. Самсонов, И.Я. Миттова, Д.П. Валюхов, Е.В. Томина,

A.Н. Лукин // Неорганические материалы. - 2011. - Т. 47, № 2. - С. HS-HS.-0,4 п.л.

5. Определение толщины и оптических постоянных нанометровых пленок, выращенных термооксидированием InP с магнетронно нанесенными слоями хемостимуляторов V205, V205 + РЬО, NiO + РЬО / И.Я. Миттова,

B.А. Швец, Е.В. Томина, A.A. Самсонов, Б.В. Сладкопевцев,

12

Н.Н.Третьяков // Неорганические материалы. - 2013. - Т. 49, № 10. -С. 1037-1044.- 1 п.л.

6. Миттова И .Я. Research the Catalytic Contribution of the Component of the Compound Chemical Stimulator in the Process of Thermal Oxidation Superficially Modified InP / И.Я. Миттова, A.A. Самсонов // Structural Chemistry of Partially Ordered Systems, Nanoparticles and Nanocomposites : Topical Meeting of the European Ceramic Society, June 27-29, 2006, Saint-Petersurg, Russia : book of abstracts. - SPb, 2006. - P. 69-70. - 0,1 пл.

7. Самсонов A.A. Термооксидирование InP поверхностномодифицированного композициями оксидов V2O5 и РЬО разного состава / А.А. Самсонов, М.С. Корабельникова, И.Я. Миттова // Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах ФАГРАН-2006 : III Всероссийская конференция, Воронеж, 8-14 окт., 2006 г. : материалы конференции. - Воронеж, 2006. - Т. 1. - С.423-425. - 0,2 п.л.

8. Миттова И.Я. Хемостимулированное термооксидирование InP под воздействием нанесенных композиций оксидов РЬО и V205 различного состава / И.Я. Миттова, А.А. Самсонов // Физика i технология тонких пливок та наносистем : матер1али XI М1жнароднш конференщУ, ICPTTFN-XI, 7-12 трав. 2007 p. I. - 1вано-Франювськ, 2007 . - Т.1. - С. 152-153.-0,1 п.л.

9. Самсонов А.А. Нелинейный эффект совместного воздействия компонентов нанесенных нанослоев (У2Оз+РЬО) на процесс термического окисления InP / А.А. Самсонов, И.Я. Миттова // Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении (индустрия наносистем и материалы) : 6 Всероссийкая научная школа-конференция : материалы школы-конференции, Воронеж, 14-20 окт. 2007 г. - Воронеж, 2007. - С. 181-184. -0,4 п.л.

10. Самсонов А.А. Хемостимулирование термического окисления InP

наноразмерными слоями композита (V2Os+PbO) / А.А. Самсонов,

13

И.Я. Миттова, Д.В. Протопопов // Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах ФАГРАН-2008 : IV Всероссийская конференция, Воронеж, 6-9 окт. 2008 г. : материалы конференции. - Воронеж, 2008. - Т. 1. - С. 491-494. - 0,3 п.л.

11. Самсонов A.A. Воздействие нанесенных нанослоев композита (У2Оз+РЬО) на процесс термического окисления InP / A.A. Самсонов, И.Я. Миттова // Ломоносов-2008 : материалы докладов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых. - М., 2008. - С.407. - 0,1 п.л.

12. Миттова И.Я. Особенности термического окисления хемостимулированного нанослоями оксидных композиций / И.Я. Миттова, A.A. Самсонов // Химия твердого тела : наноматериалы, нанотехнологии : X Юбилейная международная научная конференция, 17-22 окт. 2010 г. : материалы конференции. - Ставрополь, 2010. - С. 173-175.-0,2 п.л.

13. Третьяков H.H. Установление качественного и количественного состава оксидных пленок, выращенных хемостимуливанным термооксидированием InP, и выявление его зависимости от способа нанесения хемостимулятора / H.H. Третьяков, И.Я. Миттова, A.A. Самсонов // Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах ФАГРАН-2012 : материалы VI Всероссийской конференции, Воронеж, 15-19 окт. 2012 г. - Воронеж, 2012.-С. 258-259.-0,2 п.л.

Работы № 1-5 опубликованы в изданиях, входящих в Перечень ВАК и

международные базы цитирования Web of Science и Scopus.

ГЛАВА I. ВОЗДЕЙСТВИЕ ХЕМОСТИМУЛЯТОРОВ И ИХ КОМПОЗИЦИЙ НА КИНЕТИКУ И МЕХАНИЗМ ОКСИДИРОВАНИЯ ФОСФИДА ИНДИЯ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)

«Нет ничего невозможного. При надлежащей подготовке и планировании можно достичь всего»

Понсе де Леон

Для идентификации процессов, протекающих на границах раздела изучаемых гетероструктур (NiO+PbO)/InP, (V205+Pb0)/InP при их термооксидировании, необходимо рассмотреть все элементы данной системы по отдельности. Это подразумевает выявление кинетики и механизма собственного оксидирования выбранного полупроводникового материала (InP), рассмотрение индивидуального влияния каждого из выбранных оксидов и особенностей воздействия композиций различных оксидов -хемостимуляторов на термическое оксидирование соединений типа AiHBv. В силу того, что, как нанесенные, так и сформированные в результате термооксидирования пленки находятся в наномасштабном диапазоне толщин, имеет смысл обратить внимание и на исключительные свойства наноразмерных объектов. Описанный подход позволит адекватно обосновать выбор объектов исследования, а также сформулировать его цель.

Литературный обзор организован в соответствии с представленной схемой.

1.1. Термическое оксидирование фосфида индия в кислороде

Формирование оксидных пленок на фосфиде индия возможно различными методами: анодное и химическое оксидирование; плазмохимическое наращивание; термическое оксидирование и т.д. [1; 2]. Из

15

всех перечисленных способов ввиду ряда преимуществ (простота технической реализации и способов внешнего контроля) наиболее технологичным и перспективным является термическое оксидирование.

При оксидировании подложки 1пР в сухом кислороде в температурном интервале 450 - 620°С кинетика роста плёнки при парциальном давлении кислорода в 1 атм подчиняется параболическому закону [3-5], а при температурах, превышающих 680°С, толщина оксидных пленок становится нерегулярной и может даже уменьшаться со временем, что обусловлено испарением Р205 при разложении плёнок и самой подложки. Оксидные плёнки, выращенные при температурах ниже 620°С, прозрачны, однородны и растворяются в разбавленной ' НС1 со скоростью 5 нм/сек. Высокотемпературные же пленки в этом растворе практически нерастворимы.

Особенность процесса оксидирования фосфида индия состоит в том, что из всех соединении типа только у фосфидов, исключая А1Р,

энтальпия образования ВтуОп (Р205) больше, чем А2тОз (1п20з). Поэтому, согласно результатам термодинамического анализа, фосфор должен отнимать кислород у индия, то есть транзитными являются собственные реакции,

1п20з + 3,2Р <-» 0,3 Р4О10 + 21пР (1.1) 1п20з+1,2Р <-» 0,3 Р4О,0 + 21п (1.2),

которые протекают по типу "обратного транзита" [3; 4]. Однако считается [6], что в равновесных условиях термодинамически стабильными в системе 1п-Р-0 должны быть пары 1Г1РО4-Р, 1п(РОз)з-Р. Таким образом, наращивание регулярных пленок в «чистых» условиях возможно лишь за длительное время и за счет вторичного взаимодействия оксидов индия и фосфора с образованием фосфатных фаз.

Типичные реакции при собственном оксидирования фосфида индия могут быть представлены схемой (рис. 1.1.):

1 и

Рис. 1.1. Схема отрицательного реакционного канала при собственном оксидировании фосфида индия.

Здесь направления 1-5 соответствуют оксидированию под воздействием кислорода. В зависимости от соотношения энтальпий образования собственных оксидов компонентов А111 и Ву (1п2Оз и Р2О5) при термооксидировании будет превалировать либо направление 7 (так называемый "прямой" транзит), либо 6 ("обратный" транзит) [5].

По данным [6; 7], состав собственных оксидных пленок на фосфиде индия приближается к 1пР04. Однако в пленке обнаруживается и неокисленный индий [8; 9]. Собственное термическое оксидирование фосфида индия в интервале температур 575-675 °С является двухэтапным.

Первый этап, где рассчитанное по уравнению с1=(кт)п значение показателя п«0,5 и эффективная энергия активации (ЭЭА) составляет 270 кДж/моль, соответствует более быстрому росту пленки и отвечает диффузионному контролю, причем лимитирующей стадией является диффузия компонента подложки, в частности, индия, к внешней границе раздела.

Второй этап (п»0,33 и ЭЭА ~ 830 кДж/моль) соответствует типу процессов, в которых определяющим является взаимодействие в твердой фазе, приводящее к образованию 1пР04. На этом этапе диффузия газообразного окислителя к внутренней границе раздела не играет существенной роли. Лимитирует этот процесс взаимная диффузия оксидов. Достаточно высокая ЭЭА подтверждает предположение о химической природе определяющего процесса [3].

Пленки, выращенные в различных режимах и отвечающие как первому, так и второму участкам кинетических кривых, весьма сходны по своему составу и имеют аналогичное послойное распределение компонентов. Все они обогащены индием, концентрация которого мало изменяется от внешней границы пленки к внутренней. Содержание же фосфора минимально на поверхности пленки и возрастает по мере приближения к подложке. Основной причиной наличия свободного индия в пленке является протекание реакций (1.1) и (1.2). Второй причиной обогащения пленки индием (внешних ее слоев) является ускоренная диффузия индия к внешней границе раздела и замедленная кислорода - к внутренней (из-за испарения окисленного фосфора на внешней границе раздела и "вторичного" окисления индия, выделившегося по реакции (1.2)). Очевидно, что присутствие в системе несвязанного, гигроскопичного и легколетучего оксида фосфора, а также металлического индия, не может способствовать росту регулярной оксидной пленки с удовлетворительными электрофизическими характеристиками (удельное сопротивление пленок не превышало 106 Ом-см) [4]. Однако, высокая основность 1п203 и кислотность Р20з благоприятно сказываются на процессах солеобразования, а фосфат идия является хорошим диэлектриком [7; 8]:

1п203+ Р205=21пР04 (ДС8оо= -106 кДж/моль).

Таким образом, сам механизм формирования собственных пленок на фосфиде индия обусловливает их неудовлетворительные свойства и необходимо коренное его изменение, что, в частности, может быть достигнуто введением соединений-хемостимуляторов.

1.2. Термическое оксидирование фосфида индия под воздействием

хемостимуляторов

Одним из способов создания многофункционального диэлектрика, позволяющим широко варьировать состав и свойства оксидных пленок,

15

является термооксидирование полупроводника в присутствии специально вводимых в систему хемостимуляторов.

Для создания качественных оксидных пленок хемостимулированным оксидированием полупроводников необходимо соблюдать ряд условий:

1. Первоначально введенный активатор или продукты оксидирования должны обеспечить ускорение формирования пленок по транзитному или каталитическому механизму;

2. Желательно взаимное растворение собственных оксидов и оксидов добавленного активатора или их композиции;

3. Анионообразователь хемостимулятора должен способствовать улучшению характеристик оксидных пленок или, по крайней мере, не ухудшать их;

4. При оксидировании полупроводниковых соединений с легколетучим компонентом наиболее эффективным должно быть создание ограниченного источника хемостимулятора в виде предварительно нанесенного слоя;

5. Оптимально химическое связывание летучего компонента подложки хотя бы одним из компонентов пленки.

В процессах хемостимулированного оксидирования полупроводников наиболее простые схемы реализуются с использованием в качестве активаторов оксидов, хлоридов и сульфидов р-элементов. Однако, соединения ¿-элементов часто более эффективны при реализации хемостимулированных процессов, так как здесь имеется большее разнообразие промежуточных степеней окисления, что приводит к большему "разветвлению" процесса за счет образования целого ряда промежуточных соединений. Вообще, хемостимулированное термооксидирование полупроводников имеет своей целью [10; 11]: а) «разветвление» схемы процесса по сравнению с собственным оксидированием, что создаст возможности для образования многокомпонентных композиций с гибко управляемыми свойствами; б) кинетическую блокировку отрицательных

19

каналов связи типа (1.1) и (1.2), что, в свою очередь, приведет к изменению характера диффузионных процессов, состава пленок и улучшению их свойств; в) создание новых, положительных каналов связи, позволяющих осуществить ускоренное формирование слоев с заданными свойствами.

Оксидные формы хемостимулятора могут вводиться в систему различными способами: 1) введение оксидов-активаторов в газовую фазу испарением; 2) формирование оксидных форм в результате термооксидирования имплантированных различными ионами образцов; 3) введение в систему таких соединений, как сульфиды, хлориды и оксохлориды р- и с1- элементов, в результате разложения которых идет образование оксидов соответствующих элементов с последующей транзитной передачей кислорода компонентам подложки; и, наконец, 4) непосредственное их нанесение на поверхность окисляемой полупроводниковой пластины.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Самсонов, Алексей Алексеевич, 2013 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Мильвидский М. Г. Полупроводниковые материалы на современном этапе развития твердотельной электроники / М. Г. Мильвидский, В. Б. Уфимцев // Неорг. материалы. - 2000. - Т. 36, № 3. - С. 360-368.

2. Yu P. Y. Fundamentals of semiconductors: physics and materials properties / P. Y. Yu, M. Cardona. - N. Y. : Springer, 2010. - 775 p.

3. Рост собственных оксидных слоев на фосфиде индия / И. Я. Миттова [и др.] // Неорг. материалы. - 1991. - Т. 27, № 10. - С. 2047-2051.

4. Wager J. F. Thermal oxidation of InP / J. F. Wager, C. W. Wilmsen // Jnl. Appl. Phys.- 1980,- Vol. 51, № 1. - P. 812-814.

5. Миттова И. Я. Термическое окисление структур InP/PbO / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, О. Н. Малышев // Неорг. материалы. -1992.-Т. 28, № 10/11.-С. 2041-2044.

6. Schwartz G. P. The In-P-0 phase diagram: construction and applications / G. P. Schwartz, W. A. Sunder, J. E. Griffiths // Jnl. Electrochem. Soc. -1982.-Vol. 129, №6.-P. 1361-1367.

7. Hollinger G. On the nature of oxides on InP surfaces / G. Hollinger, E. Bergibnat, J. Joseph // Jnl. Vac. Set. Technol. - 1985. - Vol. A3. - P. 2082.

8. Yamaguchi M. Thermal oxidation of InP and properties of oxide films / M. Yamaguchi, K. Ando // Jnl. Appl. Phys. - 1980. - Vol.51, №9. -P. 5007-5012.

9. Lacuesta T. D. The InP surface and its native oxide / Lacuesta T. D. - Perth : Murdoch University, 1991. - 210 p.

10. Миттова И. Я. Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs : монография / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, В. Ф. Кострюков. - Воронеж : ИПЦ Воронеж, гос. ун-та, 2008. - 161 с.

11. Миттова И. Я. Многоканальные реакции при хемостимулированном окислении полупроводников - транзит, сопряжение, катализ // Вестник ВГУ. Серия: Химия, биология. - 2000. - № 2. - С. 5-12.

12. Термическое окисление 1пР в присутствии РЬО в газовой фазе / И. Я. Миттова [и др.] // Неорг. материалы. - 1999. - Т. 35, № 1. - С. 1316.

13. Взаимодействия при термическом оксидировании структур 1пР/№ / И. Я. Миттова [и др.] // Поверхность - 2001. - Т. 37, № 4. - С. 399-404.

14. Формирование диэлектрических слоев на фосфиде индия термооксидированием структур 1пР/РЬ8 / И. Я. Миттова [и др.] // Неорг. материалы, - 1991.-Т. 27, № 12.-С. 2484-2487.

15. Термическое окисление гетероструктур УгБзЛпР в кислороде / И. Я. Миттова [и др.] // Неорг. материалы. - 2000. - Т. 36, № 10. - С. 1-4.

16. Взаимодействие в структурах МБЛпР при их термическом окислении / И. Я. Миттова [и др.] // Неорг. материалы. - 1997. - Т. 33, № 6. - С. 652654.

17. Миттова И. Я. Каталитическое влияние оксида ванадия (V) на термическое окисление ОаАэ и 1пР ОаАБ / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик // Докл. АН СССР. - 1991. - Т. 318, № 1. - С. 139-143.

18. Термооксидирование поверхностно-модифицированного фосфида индия / И. Я. Миттова [и др.] // Поверхность - 2001. - № 6. - С. 48-53.

19. Термическое окисление структур 1пР/У205 / И. Я. Миттова [и др.] // Неорг. материалы. - 1992. - Т. 28, № 3. - С. 288-292.

20. Миттова И. Я. Совместное воздействие оксидов сурьмы и висмута на процесс термооксидирования арсенида галлия в кислороде / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, В. Ф. Кострюков // Журнал неорганической химии. - 1997. - Т. 42, №2. - С. 233-237.

21. Миттова И. Я. Нелинейный эффект совместного воздействия активаторов на процесс термооксидирования арсенида галлия / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, В. Ф. Кострюков // Доклады АН. -1996.-Т. 349, № 5.-С. 641-643.

22. Миттова И. Я. Относительные парциальные и интегральные величины как метод выявления вклада примесных соединений в

207

хемостимулированное термическое окисление арсенида галлия / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, В. Ф. Кострюков // Поверхность. -1998.-Т. 4, № 5.-С. 61-67.

23. Особенности совместного воздействия оксидов свинца и висмута на процесс термооксидирования GaAs / И. Я. Миттова [и др.] // Журнал неорганической химии. - 2001. - Т. 46, № 5. - С. 818-822.

24. Миттова И. Я. Знакопеременная нелинейность совместного активирующего воздействия бинарных композиций оксидов р-элементов при хемостимулированном термическом окислении GaAs / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, В. Ф. Кострюков // Доклады АН. -2001. - Т. 378, № 6. - С. 670-675.

25. Неаддитивное влияние оксидов в композициях СЮз-РЬО и Сг0з-У205 как активаторов термического окисления арсенида галлия / И. Я. Миттова [и др.] // Доклады АН. - 2002. - Т. 385, № 5. - С. 634-637.

26. Термическое оксидирование GaAs под воздействием бинарных композиций оксидов (СЮз-РЬО) и (Cr03-V205) / И. Я. Миттова [и др.] // Журнал неорганической химии. - 2003. - Т. 48, № 7. - С. 1085-1090.

27. Хемостимулированное термическое окисление GaAs при совместном воздействии оксида марганца (IV) с оксидами свинца (II) и ванадия (V) / И. Я. Миттова [и др.] // Журнал неорганической химии. - 2004. - Т. 49, №7.-С. 1085-1088.

28. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела / С. Моррисон. - М. : Мир, 1980. - 488 с.

29. Крылов О. В. Неравновесные процессы в катализе / О. В. Крылов, Б. Р. Шуб. - М. : Наука, 1990. - 288 с.

30. Nanotechnology standards (Nanostructure science and technology) / [ed. by V. Murashov, J. Howard. - N. Y. : Springer, 2011. - 260 p.

31. Научные основы нанотехнологий и новые приборы / [под ред. Р. Келсалла, А. Хамли, М. Геогегана; пер. с англ. А. Д. Калашникова]. -Долгопрудный : Интеллект, 2011. - 527 с.

32. Введение в нанотехнологию / [пер. япон. Н. Кобаяси]. - 2-изд. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008. - 134 с.

33. Ткачев А. Г. Аппаратура и методы синтеза твердотельных наноструктур : монография / А. Г. Ткачев, И. В. Золотухин. - М. : Машиностроение-1, 2007. - 316 с.

34. Нанотехнологии. Азбука для всех / [под. ред. Ю. Д. Третьякова]. - М. : Физматлит, 2008. - 368 с.

35. Gleiter H. Nanostructured materials: basic concepts and microstructure / H. Gleiter // Acta mater, 2000. - Vol. 48. - P. 1-29.

36. Алымов M. И. Механические свойства нанокристаллических материалов / М. И. Алымов. - М. : МИФИ, 2004. - 32 с.

37. Алымов М. И. Методы получения и физико-механические свойства объемных нанокристаллических материалов / М. И. Алымов, В. А. Зеленский. - М. : МИФИ, 2005. - 52 с.

38. Новые материалы / [под ред. Ю. С. Карабасова]. - М. : МИСИС, 2002. -736 с.

39. Андриевский Р. А. Фазовые равновесия. Кинетические явления / Р. А. Андриевский, А. М. Глезер // Физ. мет. металловед. - 1999. - Т. 88, № 1. - С. 50-73.

40. Глезер А. М. Аморфные и нанокристаллические структуры: сходства, различия, взаимные переходы / А. М. Глезер // Российский химический журнал. - 2002. - T. XLVI, № 5. - С. 57-63.

41. Андриевский Р. А. Наноструктурные материалы. Уч. пособие / Р. А. Андриевский, А. В. Рагуля. - М. : Издательский центр «Академия», 2005.- 117 с.

42. Андриевский Р. А. Наноструктурные материалы - состояние разработок и применение / Р. А. Андриевский // Перспективные материалы. - 2001, №6.-С. 5-11.

43. Головин Ю. И. Введение в нанотехнологию / Ю.И.Головин. - М. : Машиностроение-1, 2003 - 112 с.

209

44. Андриевский Р. А. Наноматериалы: концепция и современные проблемы / Р. А. Андриевский // Рос. химический, журнал. - 2002. -Т. XLVI, № 5. - С. 50-56.

45. Birringer R.Nanocrystalline materials - a first repoprt / R. Birringer, U. Herr, H. Gleiter // Inst. Met. Suppl. - 1986. - Vol. 27. - P. 43-52.

46. Наноматериалы и нанотехнологии / Ж. И. Алферов [и др.] // Нано- и микросистемная техника. - 2003. - № 8. - С. 3-13.

47. Развитие в России работ в области нанотехнологий / С. М. Алфимов [и др.] // Нано- и микросистемная техника. - 2004. - № 8. - С. 2-8.

48. NSTC, National nanotechnology initiative and its implementation plan, Washington, D.C., 2002. - URL: http://www.whitehouse.gov/administration/eop/ostp/nstc/docsreports/archives (дата обращения: 7.11.2012).

49. Сергеев Г. Б. Нанохимия / Г. Б. Сергеев. - М. : Книжный дом Университет, 2006. - 336 с.

50. Buffat Ph. Size effect on the melting temperature of gold particles / Ph. Buffat, J.-P. Вorel // Phys. Rev. A. - 1976. - Vol. 13. - P. 2287-2298.

51. Суздалев И. П. Атомная подвижность и термодинамика ультрамалых кластеров вещества / И. П. Суздалев, В. К. Имшенник, В. В. Матвеев// Неорг. материалы. - 1995. - Т. 31. - С. 807-810.

52. Discrete periodic melting point observations for nanostructure ensembles / Efremov M. [et al.] // Phys. Rev Lett. - 2000. - Vol. 58. - P. 3560-3563.

53. Shi F. G. Size dependent thermal vibrations and melting in nanocrystals / F. G. Shi // Jnl. Mater. Res. - 1994. - Vol. 9. - P. 1307-1313.

54. Морохов И. Д. Физические явления в ультрадисперсных средах / И. Д. Морохов, Л. И. Трусов, В. Н. Лаповок. - М. : Энергоатомиздат, 1984.-224 с.

55. Гусев А. И. Нанокристаллические материалы / А.И.Гусев, А. А. Ремпель. - М. : Физ- матлит, 2000. - 224 с.

56. Генералов М. Б. Криохимическая нанотехнология : учебное пособие для

210

вузов / М. Б. Генералов. - М. : Академкнига, 2006. - 325 с.

57. Урусов В. С. Кристаллохимия : краткий курс / В. С. Урусов. - М. : МГУ, 2004.-415 с.

58. Викторчук С. j1. Свойства наночастиц золота, полученных методом электрохимического восстановления / С. j1. Викторчук // Электрохимия.-2003.-Т. 13.-С. 1789-1794.

59. Мауе М. Core-shell gold nanoparticle assembly as novel electrocatalyst of CO oxidation / M. Maye, Y. Lou, C.-J. Zhong // Langmuir. - 2000. -Vol. 16.-P. 7520-7523.

60. Nanoparticle arrays as model catalysts: Microstructure, thermal stability and reactivity of Pt/Si02 and Ag/Al203 fabricated by electron beam lithography / Rupprechter G. [et al.] // Stud. Surf. Sci. - 2000. - Catal. A. - Vol. 130. -P. 215-220.

61. Wilcoxon J. P. Catalytic photooxidation of pentachlorophenol using semiconductor nanoclusters / J. P. Wilcoxon // Jnl. Phys. Chem. B. - 2000. -Vol. 104.-P. 7334-7343.

62. Plummer J. D. Silicon VLSI technology: fundamentals, practice, and modeling / J. D. Plummer, M. D. Deal, P. В Griffin. - New Jersey: Prentice Hall PTR, 2000.-817 p.

63. VLSI micro- and nanophotonics: science, technology, and applications/ E. H. Lee [et al.]. - N.Y. : CRC Press, 2010. - 632 p.

64. Handbook series on semiconductor parameters, in 2 Vols. / [ed. by N. M. Shmidt [etal.]].-L. : World Scientific, 1996.-Vol. 1.-218 p.

65. Стрельченко С. С. Соединения AIHBV : справочник / С. С. Стрельченко, В. В. Лебедев. - М. : Металлургия, 1984. - 143 с.

66. The semiconductors-information web-site (database; by Dr. D. W. Palmer). -URL: http://www.semiconductors.co.uk/ (дата обращения 12.09.2012).

67. Бабырин А. А. Физико-технологические основы макро-, микро- и наноэлектроники / А. А. Бабырин, В. И. Тамилин, В. И. Шаповалов. -М. : Физ. Мат. Лит., 2011. - 784 с.

211

68. Свойства легированных полупроводниковых материалов: сб. научн. трудов / [под ред. В. С. Земскова]. - М. : Наука, 1990. - 256 с.

69. Чоркендорф И. Современный катализ и химическая кинетика / И. Чоркендорф, X. Наймантсвердрайт. - Долгопрудный : Интеллект, 2010. -504 с.

70. Штабнова В. Л. Химический состав поверхности соединений InBv / В. Л. Штабнова, И. А. Кировская // Неорг. материалы. - 1989. - Т. 25. -№2.-С. 207-211.

71. Кировская И. А. Химический состав и природа активной поверхности соединении типа А3В5 / И. А. Кирове кая // Журнал физической химии. -1998.-Т. 72. №5.-С. 912-917.

72. Kikuchi D. Chemically cleaned InP(100) surfaces in aqueous HF solutions/ D. Kikuchi, S. Adachi // Materials science and engineering. - 2000. -Vol. 76.-P. 133-138.

73. Tuppen C. G. Ultra-flat InP substrates prodused using a chemo-mechanical polishing technique / C. G. Tuppen, B. H. Conen // Jnl. Crist. Growth. -1987.-Vol. 80-P. 459-462.

74. Kurth E. Chemical etching and polishing of InP / E. Kurth, A. Reif, V. Gottschalch // Cryst. Res. and Technol. - 1988. - Vol. 23, № 1. - P. 117126.

75. Лидин P. A. Химические свойства неорганических веществ / Р. А. Лидин, В. А. Молочко, Л. Л. Андреева. - М. : Химия, 1997. - 480 с.

76. Куликов И. С. Термодинамика оксидов / И. С. Куликов, Л. Хариф, П. В. Ковтуненко. - М. : Наука, 1986. - 235 с.

77. Карапетьянц M. X. Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ / M. X. Карапетьянц, М. Л. Карапетьянц. - М. : Химия, 1968. - 470 с.

78. Угай Я. А. Общая и неорганическая химия : учебное пособие для вузов / Я. А. Угай. - М. : Высшая школа, 2004. - 528 с.

79. Третьяков Ю. Д. Химия нестехиометрических окислов / Ю. Д. Третьяков. - М. : МГУ, 1974. - 364 с.

80. Хансен М. Структуры двойных сплавов / М. Хансен, К. Андерко. - М. : Металлургиздат, 1962. - 608 с.

81. Fromhold А. Т. Kinetiki of oxide film growth on metal crystal/ A. T. Fromhold // Jnl. Phis Chem Solids. - 1963. - Vol. 24. - P. 1081-1092.

82. Справочник химика. Основные свойства неорганических и органических соединений / [под ред. М. Е. Пожина]. - М. : Книга по Требованию, 2013.-Т. 2.- 1168 с.

83. Ванюков А. В. Теория пирометаллургических процессов/

A. В. Ванюков, В. Я. Зайцев. -М. : Металлургия, 1973. - 504 с.

84. Перельман Ф. М. Кобальт и никель / Ф. М. Перельман, А. Я. Зворыкин. -М. : Мир, 1981.-440 с.

85. Плетнев Р. Н. ЯМР в оксидных соединениях ванадия / Р.Н.Плетнев,

B. А. Губанов, А. А. Фотиев. - М. : Мир, 1979. - 340 с.

86. Куликов И. С. Термическая диссоциация соединений / И. С. Кульков. -М. : Металлургия, 1969. - 573 с.

87. Поляков А. Ю. Упругость пара жидкой пятиокиси ванадия / А. Ю. Поляков // Журн. Физ. Хим. - 1960. - Т. 20, № 9. - С. 1021-1025.

88. Vanadium corrosion studies: final report prep, by N. Bornstein, H. Roth, R.Pike (UTRC) for Office of naval research, Arlington, June 1993 // DTIC. N00014-89-C-0053. - URL: http//www.dtic.mil/dtic/tr/fulltext/u2/a266489.pdf (дата обращения: 15.02.2012).

89. Literature review of inhibition for vanadate attack: reported by N. S. Bornstein (UTRC), East Hartford, June 1988 // DTIC. N00014-88-M-0013. - URL: http://www.dtic.mil/cgi-bin/GetTRDoc?AD=ADA 198325 (дата обращения: 15.02.2012).

90. BerkowitzJ. Thermodynamics of the V-0 system: Dissociation energies of VO and V02 / J. Berkowitz, W. A. Chupka, M. G. Inghram // Jnl. Chem. Phys. - 1957. - Vol. 27, № 1. - P. 87-90.

91. Казенас E. К. Термодинамика испарения оксидов / E. К. Казенас, Ю. В. Цветков. - М. : ЛКИ, 2008. - 480 с.

92. Барыбин А. А. Физико-технологические основы макро-, микро-, и наноэлектроники / А. А. Барыбин, В. И. Томилин, В. И. Шаповалов. -М. : ФИЗМАТЛИТ, 2011. - 784 с.

93. Технология тонких пленок. Справочник, в 2 томах / [под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга; пер. с англ.]. - М. : Сов. Радио, 1977. - Т. 1.664 с.

94. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: Физическое распыление одноэлементных твердых тел. / [под ред. Р. Бериша; пер. с англ.]. - М. : Мир, 1984. - 336 с.

95. Sigmund P. Energy density and time constant of heavy-ion-induced-elastic-collision spikes in solids / P. Sigmund // Appl. Phys. Lett. - 1974. - Vol. 25, № 3. - P. 169-171.

96. Kelly R. On the nature of the phases formed when metals are implanted with oxigen or nitrogen / R. Kelly // Radiated Effects. - 1982. - Vol. 64. - P. 205220.

97. Recent advances in surfase processing with metall plasma and ion beams / I. G. Brown [et al.] // Surfase and Coatings Technology. 1999. - Vol. 112.-P. 271-277.

98. Microstructure and properties of multilayer coatings with covalent bonded hard materials / H. Leiste [et al.] // Surfase and Coatings Technology. -1999.-Vol. 116-119.-P. 313-320.

99. Щука А. А. Электроника / А. А. Щука. - 2-е изд., перераб. и доп. -СПб. : БХВ, 2008.- 752 с.

100. Склярова Э. В. Синтез слоев диоксида кремния, стимулированный ионной бомбардировкой / Э. В. Склярова, Е. А. Туренко, О. Б. Яценко //

214

Всесоюзная конференция. Ионно-лучевая модификация материалов. Тез. докл. - Каунас, 1989. - С. 27.

101. Туренко Е. А. Получение планарных слоев Si02 магнетронным распылением кварца на рельефе полупроводниковых структур / Е. А. Туренко, В. И. Соколов, Э. В. Склярова // Всесоюзный научно-технический семинар. Низкотемпературные технологические процессы в электронике. Тез. докл. - Ижевск, 1990. - С. 14.

102. Склярова Э. В. Плазменный синтез слоев диоксида кремния в ВЧ-магнетронной системе / Э. В. Склярова, Е. А. Туренко, В. И. Соколов// Всесоюзный научно-технический семинар. Низкотемпературные технологические процессы в электронике. Тез. докл. - Ижевск, 1990. — С. 24.

103. Reactive sputter deposition / [ed. by D. Depla, S. Mahieu]. - N.Y. : Springer, 2008.-590 p.

104. Рост собственных оксидных слоев на фосфиде индия / И. Я. Миттова [и др.] // Неорг. материалы. - 1991. - Т. 27, № 10. - С. 2047-2051.

105. Wilmsen С. W. Initial oxidation and oxide semiconduction interface formation on GaAs oxidation / C. W. Wilmsen, P. W. Ku, К. M. Gub // Jnl. Vac. Sci. Technol.- 1979. -Vol. 16, № 5. - P. 1431.

106. Руководство по неорганическому синтезу / [под ред. Г. Брауэра]. - М. : Мир, 1985.-Т. 2.-С. 424.

107. Kroger С. Reaction rates of glass batch melting: II / C. Kroger, G. Ziegler // Glastechn. Ber.-Berlin, 1953.-Vol. 26, № 11.-P. 346-353.

108. Миттова И. Я. Знакопеременная нелинейность совместного активирующего воздействия бинарных композиций оксидов р-элементов при хемостимулированном термическом окислении GaAs / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, В. Ф. Кострюков // Докл. АН. - 2001. -Т. 378, №6.-С. 775-777.

109. Громов В. К. Введение в эллипсометрию / В.К.Громов. - JI. : ЛГУ, 1986.- 189 с.

110. Урывский Ю. И. Эллипсометрия / Ю. И. Урывский. - Воронеж: Издательство Воронежского гос. ун-та, 1971. - 131 с.

111. Кольцов С. И. Эллипсометрический метод исследования поверхности твердых веществ / С. И. Кольцов, в. К. Громов, Р. Р. Рачковский. - ji. : Наука, 1983.-248 с.

112. Резвый Р. Р. Эллипсометрия в микроэлектронике / Р. Р. Резвый. - М. : Радио и связь, 1983. - 120 с.

ИЗ. АззамР. Эллипсометрия и поляризованный свет / Р. Аззам, Н. Башара [пер. с англ.].-М. :Мир, 1981.- 583 с.

114. Эллипсометрия - прецизионный метод контроля тонкопленочных структур с субнанометровым разрешением / В. А. Швец [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 3-4. - С. 91-102.

115. Эллипсометрия физико-химических процессов на межфазных границах / С. В. Рыхлицкий [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2006. - Т. 8, № 4. - С. 327-333.

116. Studies of metallic multilayer structures, optical properties, and oxidation using in situ spectroscopic ellipsometry / Xiang Gao [et al.] // Jnl. Vac. Sci. Technol. A. - 1998. - Vol. 16. - P. 429-435.

117. Studies of thin strained InAs, AlAs, and AlSb layers by spectroscopic ellipsometry / C.M. Herzinger [et al.] // Jnl. Appl. Phys. - 1996. - Vol. 79, №5.-P. 2663-2674.

118. InP optical constants between 0.75 and 5.0 eV determined by variable-angle spectroscopic ellipsometry / С. M. Herzinger [et al.] // Jnl. Appl. Phys. -1995.-Vol. 77, №4.-P. 1715-1724.

119. Infrared optical properties of mixed-phase thin films studied by spectroscopic ellipsometry using boron nitride as an example / M. Schubert [et. al.] // Jnl. Physical Review B. - 1997. - Vol. 56, № 20. - P. 13306-13313.

120. Dielectric function of amorphous tantalum oxide from the far infrared to the deep ultraviolet spectral region measured by spectroscopic ellipsometry / E. Franke [et al.] // Jnl. Appl. Phys. - 2000. - Vol. 88, № 9. - P. 5166-5174.

216

121. Спесивцев Е. В. Развитие методов и средств оптической эллипсометрии в Институте физики полупроводников / Е. В. Спесивцев, С. В. Рыхлицкий, В. А. Швец // Автометрия. - 2011. - Т. 47, № 5. - С. 512.

122. Handbook of ellipsometry / [red. by H. G. Tompkins, E. A Irene]. - N.Y. : William Andrew Publishing; Springer, 2005. - 870 c.

123. Fuji wara H. Spectroscopic ellipsometry : principles and applications/ H. Fujiwara. - Chichester : John Wiley&Songs Ltd., 2007. - 369 c.

124. Aspnes D. E. Optical properties of thin films / D. E. Aspnes // Thin solid films. - 1982. - Vol. 89. - P. 249.

125. Экспресс-контроль толщины и спектрально - эллипсометрическое исследование сложнооксидных пленок на InP / И. Я. Миттова [и др.] // Неорг. материалы. - 2013. - Т. 49, № 2. - С. 173-179.

126. Физические методы исследования неорганических веществ : учебное пособие / [под ред. А. Никольского]. - М. : Академия, 2006. - 448 с.

127. Кукуев В. И. Физические методы исследования тонких пленок и поверхностных слоев / В. И. Кукуев, И. Я. Миттова, Э. П. Домашевская. - Воронеж : Издательство Воронежского гос. ун-та, 2001.- 144 с.

128. Otto M. Современные методы аналитической химии. / М. Отто. - 2-е испр. изд. - М. : Техносфера, 2006. - 416 с.

129. Методы исследования атомной структуры и субструктуры материалов/ [под общей ред. чл.-кор. РАН В. М. Иевлева]. - Воронеж : Издательство Воронежского гос. техн. ун-та, 2003. - 484 с.

130. Кларк Э. Р. Микроскопические методы исследования материалов / Э. Р. Кларк, К. Н. Эберхардт / [пер. с англ. С. Баженова]. - М. : Техносфера, 2007. - 376 с.

131. Миронов В. Основы сканирующей зондовой микроскопии : учебное пособие для студентов старших курсов вузов / В. Миронов. - М. : Техносфера, 2005. - 143 с.

132. Неволин В. К. Зондовые нанотехнологии в электронике / В. К. Неволин. - М. : Техносфера, 2006. - 160 с.

133. X-ray spectrometry recent technological advances / [ed. by K. Tsuji, J. Injuk, R. Van Grieken]. -N.Y. : Wiley, 2004. - 616 p.

134. Физические методы анализа в химии : учебное пособие для вузов/ Т. Н. Орлова [и др.]. - Якутск : ЯГСХА, 2008. - 166 с.

135. Гиллер Я. JI. Таблицы межплоскостных расстояний / Я. ji. Гиллер. - М. : Недра, 1966.-587 с.

136. Михеев В. И. Рентгенометрический определитель минералов/ В. И. Михеев. - М. : Госгеолиздат, 1957. - 870 с.

137. Миркин JI. И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов / Л. И. Миркин. -М. : Физматгиз, 1961. - 863 с.

138. Diffraction data. Catalog v.2.4 // International centre for diffraction data. -URL: http://www.icdd.com/translation/rus/pdf2.htm (дата обращения: 17.08.2010).

139. Ханнинк P. Наноструктурные материалы / Р. Ханнинк, А. Хилл. - М. : Техносфера, 2009. - 488 с.

140. Накамото К. ИК-спектры и спектры КР неорганических и координационных соединений / К. Накамото.-М. : Мир, 1991.-335 с.

141. Атлас ИК-спектров ортофосфатов / [под ред. В. В. Печковского]. - М. : Наука, 1981.-218 с.

142. Атлас ИК-спектров фосфатов / [под ред. Р.Я.Мельниковой]. - М. : Наука, 1985.-235 с.

143. Yamaguchi М. Thermal oxidation of InP and properties of oxide films / M. Yamaguchi, K. Ando // Jnl. Appl. Phys. - 1980. - Vol.51, № 9.-P. 5007-5012.

144. Основы аналитической химии / Л. Г. Лавренова [и др.]. -Новосибирск : НГУ, 2005. - 203 с.

145. ЗимкинаТ. М. Ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия / Т. М. Зимкина, В. А. Фомичев. - Л. : Издательство ЛГУ, 1971. - 121 с.

218

146. Нефедов В. И. Ренгеноэлектронная спектроскопия химических соединений: справочник / В. И. Нефедов. - М. : Химия, 1994. - 256 с.

147. Введение в физику поверхности/ К. Оура [ и др.]. - М. : Наука, 2006. -490 с.

148. Еловиков С. С. Оже-электронная спектроскопия / С. С. Еловиков // Соросовский образовательный журнал. - 2001. -№ 2. - С. 82-88.

149. Борисенко А. И. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике/ А. И. Борисенко, В. В. Новиков, Н. Е. Приходько. - Л. : Наука, 1972. -114с.

150. Иевлев В. М. Тонкие плёнки неорганических материалов : механизм роста и структура : учебное пособие / В. М. Иевлев. - Воронеж : ИПЦ Воронежского гос. ун-та, 2008. - 496 с.

151. Миттова И. Я. Рост собственных оксидных слоев на фосфиде индия / И. Я. Миттова, Г. В. Борзакова, В. А Терехов // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1991. - Т. 27, № 10. - С. 2047-2051.

152. Миттова И. Я. Многоканальные реакции при хемостимулированном окислении полупроводников - транзит, сопряжение, катализ / И. Я. Миттова // Вестник ВГУ. Серия: Химия, биология. - 2000. - № 2. -С. 5-12.

153. Миттова И. Я. Термическое окисление структур InP/PbO / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, О. Н. Малышев // Неорг. материалы. -1992.-Т. 28, № 10/11.-С. 2041-2044.

154. Третьяков Ю. Д. Твердофазные реакции / Ю. Д. Третьяков. - М. : Химия, 1978.-360 с.

155. Schmalzried Н. Chemical kinetics of solids / H. Schmalzried. - Weinheim : VCH, 1996.-450 c.

156. Рост собственных оксидных слоев на фосфиде индия / И. Я. Миттова [и др.] // Неорг. материалы. - 1991. - Т. 27, № 10. - С. 2047-2051.

157. Динамика состава и структуры поверхности фосфида индия при его окислении в присутствии соединений ванадия / А. А. Лапенко [и др.] // Неорг. материалы. - 2008. - Т. 48, №. 11.-С. 1163-1168.

158. Синтез и каталитические свойства наноостровков V2O5, полученных электровзрывным методом на поверхности / А. А. Лапенко [и др.] // Неорг. материалы. - 2010. - Т. 46, №. 4. - С. 441-446.

159. Миттова И. Я. Каталитическое влияние оксида ванадия (V) на термическое окисление GaAs и InP GaAs / И. Я. Миттова,

B. Р. Пшестанчик//Докл. АН СССР. - 1991.-Т. 318,№ 1.-С. 139-143.

160. Термическое окисление структур 1пР/У2Об / И.Я. Миттова[и др.]// Неорг. материалы. - 1992. - Т. 28, № 3. - С. 288-292.

161. Третьяков Ю. Д. Введение в химию твердофазных материалов/ Ю. Д. Третьяков, В. И. Путляев. - М. : Наука, 2006 - 399 с.

162. Морисон С. Химическая физика поверхности твердого тела/

C. Морисон. - М. : Мир, 1980 - 488 с.

163. Витинг Л. М. К вопросу о диаграмме состояния системы окись свинца -ванадиевый ангидрид / Л. М. Витинг, Г. П. Голубкова // Вестн. МГУ. -1964.-Т. 19, №3.-С. 88-90.

164. Гребенщикова Н. В. Диаграммы состояния систем тугоплавких оксидов: Справочник. Вып. 5. Двойные системы. 4.2 / Н. В. Гребенщикова. - Л. : Наука, 1986-359 с.

165. Гребенщикова H. В. Диаграммы состояния систем тугоплавких оксидов: Справочник. Вып. 5. Двойные системы. Ч.З / Н. В. Гребенщикова. - Л. : Наука, 1986-281 с.

166. ФельцА. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела/ А. Фельц. - М. : Мир, 1986. - 296 с.

167. Взаимодействия при термическом оксидировании структур InP/Ni / И. Я. Миттова [и др.] // Поверхность. - 2001. - Т. 37, № 4. - С. 399-404.

168. Термооксидирование поверхностно-модифицированного фосфида индия / И. Я. Миттова [и др.] // Поверхность - 2001. - № 6. - С. 48-53.

169. Бреза Ю. Физико-химические особенности формирования границ раздела переходов металл-соединение А3ВЭ и возможности прогнозирования межфазных взаимодействий / Ю. Бреза // Поверхность. - 1998. - № 5. - С. 110-127.

170. Твердофазные взаимодействия при термическом оксидировании структур InP/Ni / И. Я. Миттова [и др.] // Неорг. материалы. - 2001.Т. 37, №4.-С. 399-404.

171. Твердофазные превращения при термическом окислении гетероструктур Ni/GaAs / И. Я. Миттова [и др.] // Микроэлектроника. - 2002. - Т. 31, №2.-С. 99-103.

172. Формирование многокомпонентных слоев при термооксидировании гетероструктур Co/GaAs / И. Я. Миттова [и др.] // Неорг. материалы. -2003.-Т. 39, № 12.-С. 10-15.

173. Свойства неорганических соединений. Справочник. - JI. : Химия, 1983. -389 с.

174. Глушко В. П. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справочное издание / В. П. Глушко. - 3-е изд., перераб. и расширен. -Т. I-IV.-M. : Наука, 1985.

175. Пригожин И. Современная термодинамика. От тепловых двигателей до диссипативных структур / И. Пригожин, Д. Кондепуди. - М. : Мир, 2002.-445 с.

176. Кудинов В. А. Техническая термодинамика / В. А. Кудинов, Э. М. Карташов. - М. : Высшая школа. - 2005. - 375 с.

177. Гурвич J1. В. Термодинамические свойства индивидуальных веществ : справочное издание : в 4 т. / JI.B. Гурвич [и др.]. - М. : Наука, 1981.Т. 3, кн. 2.-400 с.

178. Гурвич JT. В. Термодинамические свойства индивидуальных веществ : справочное издание : в 4 т. / JI.B. Гурвич [и др.]. - М. : Наука, 1982. -Т. 4, кн. 2.-560 с.

179. NIST, Chemistry WebBook. - URL: http://webbook.nist.gov/chemistry/ (дата обращения: 11.10.2012).

180. NASA, Thermo build. - URL: http://cea.grc.nasa.gov/ (дата обращения: 11.10.2012).