Области локализации взаимодействий между оксидами-активаторами при термическом окислении арсенида галлия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, кандидат химических наук Донкарева, Ирина Александровна

• Донкарева, Ирина Александровна
• кандидат химических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат химических наук Донкарева, Ирина Александровна

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Собственное термическое окисление GaAs

1.2 Современные методы создания диэлектрических слоев на GaAs

1.3 Хемостимулированное окисление арсенида галлия с участием оксидов-активаторов

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ GaAs ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ СОВМЕСТНО ВВОДИМЫХ И ПРОСТРАНСТВЕННО РАЗДЕЛЕННЫХ КОМПОЗИЦИЙ АКТИВАТОРОВ; ИНСТРУМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА СЛОЕВ И КОМПОЗИ

ЦИЙ АКТИВАТОРОВ

2.1 Характеристика материалов

2.1.1 Арсенид галлия ^

2.1.2 Оксид свинца (И)

2.1.3 Оксид сурьмы (III)

2.1.4 Оксид висмута (III)

2.1.5 Оксид марганца (IV)

2.1.6 Оксид ванадия (V)

2.1.7 Физико-химические взаимодействия между оксидами-активаторами

2.2 Способ установления локализации каналов связи между оксидами-активаторами при их совместном воздействии на термическое окисление GaAs

2.3 Методика термооксидирования GaAs в присутствии композиций двух оксидов-активаторов 5^

2.4 Методика обработки результатов

2.5 Методы исследования слоев и превращений хемостимуля-торов 59 2.5.1. Рентгенофазовый анализ (РФА)

2.5.2 Рентгеноспектральный флуоресцентный анализ (РСФА)

2.5.3 Инфракрасная спектроскопия (ИКС)

2.5.4 Локальный рентгеноспектральный микроанализ (JIPCMA)

2.5.5 Масс-спектрометрия

ГЛАВА 3. ЛОКАЛИЗАЦИЯ КАНАЛОВ СВЯЗИ МЕЖДУ СОЕДИНЕНИЯМИ-АКТИВАТОРАМИ ПРИ ХЕМОСТИМУЛИ РОВАННОМ ТЕРМООКСИДИРОВАНИИ GaAs С УЧАСТИЕМ ОКСИДОВ СИСТЕМЫ Sb203-Bi203-Pb

3.1. Взаимное влияние активаторов в композициях Sb203+Bi в процессе их воздействия на термическое окисление GaAs 7Ь 3.2 Вклад твердофазных взаимодействий между оксидами-активаторами в нелинейный эффект воздействия композиций Pb0+Sb203 и РЬО+В12Оз на процесс термооксидирования GaAs

ГЛАВА 4. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ GaAs ПРИ СОВМЕСТНОМ И ПРОСТРАНСТВЕННО РАЗДЕЛЕННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ ОКСИДОВ СВИНЦА (II) И МАРГАНЦА (IV)

4.1. Термическое окисление GaAs в присутствии композиций 85 РЬ0+Мп

4.2. Локализация связывающих взаимодействий между оксидом свинца (II) и оксидом марганца (IV) при их совместном воздействии на термическое окисление GaAs

ГЛАВА 5. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ GaAs ПРИ СОВМЕСТНОМ И ПРОСТРАНСТВЕННО РАЗДЕЛЕННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ ОКСИДОВ ВАНАДИЯ (V) И МАРГАНЦА (IV)

5.1. Термическое окисление GaAs в присутствии композиций V205+Mn

5.2. Локализация связывающих взаимодействий между оксидом ванадия (V) и оксидом марганца (IV) при их совместном воздействии на термическое окисление GaAs

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Области локализации взаимодействий между оксидами-активаторами при термическом окислении арсенида галлия»

Полупроводниковые соединения типа AInBv представляют большой интерес как перспективные материалы для различных отраслей современной техники и как важнейший класс объектов химии твердого тела, а также кинетики сложных гетерогенных процессов [1].

Наиболее часто используемым полупроводниковым материалом является арсенид галлия, обладающий рядом свойств, как, например, высокая подвижность электронов (в 6 раз больше, чем у кремния) в электрических полях низкой напряженности, а также большая ширина запрещенной зоны, что является необходимым условием работоспособности структуры при повышенных температурах. Малая величина времени жизни неосновных носителей и большая, чем у кремния, ширина запрещенной зоны делают GaAs более перспективным материалом для создания радиационно-стойких приборов и интегральных схем [2].

Пластины GaAs могут обладать высокими значениями удельного сопротивления. Это позволяет использовать такой материал в качестве диэлектрика. Специфические свойства арсенида галлия обеспечивают возможности его применения в различных областях: изготовление туннельных и излучательных диодов [3, 4], СВЧ-приборов, биполярных и полевых транзисторов [5, 6], ин-жекционных лазеров.

Большинство из этих приборов не будут функционировать без качестве» ных диэлектрических слоев на поверхности GaAs.

Одним из сложных моментов остается создание диэлектрических пленок на поверхности полупроводников и соответствующих гетероструктур. Полученные в процессе собственного окисления АШВУ оксидные слои по своим свойствам оказались неудовлетворительными, что стимулировало поиск соединений, введение которых в систему окисления способно изменить механизм процесса и привести к улучшению свойств растущей пленки. Именно таким образом осуществляется химическое стимулирование процесса окисления полупроводников.

Введение соединений-активаторов приводит к изменению характера

Ь диффузионных процессов, состава слоев и улучшению их свойств, создает новые положительные реакционные стадии (каналы связи), позволяющие осуществить ускоренное формирование слоев с заданными свойствами. Соответственно возможно большее "разветвление" схемы процесса по сравнению с собственным окислением, что создает возможности для образования многокомпонентных композиций с гибко управляемыми свойствами [7].

В целом ряде работ [8-13] показана перспективность применения в качестве активаторов этих процессов оксидов р- и d-элементов, причем эти активаторы являются своего рода эталонами, когда хемостимулирование осуществляется посредством катиона, а анионом является собственно кислород.

При введении активаторов в газовую фазу была обнаружена неаддитивность их совместного хемостимулирующего воздействия, что, в принципе, позволяет более гибко управлять маршрутами многоканальных реакций и целе направленно формировать функциональные слои с широкой вариацией состава и свойств. Помимо прикладных аспектов проблемы, исследования нелинейных эффектов при совместном воздействии активаторов позволяют расширить представления о кинетике и механизме многомаршрутных гетерогенных реакций - химической индукции, термодинамическом и кинетическом сопряжении, каталитических процессах в открытых неравновесных тонкопленочных системах. Таким образом, эти исследования важны как в научном, так и в приклад ном отношении. Однако в предыдущих исследованиях не были выявлены области, в которых могут осуществляться связывающие взаимодействия между активаторами, ответственные за наблюдаемые нелинейные эффекты. Между тем, ответ на этот вопрос принципиально важен для более глубокого понимания механизма совместного воздействия активаторов в процессах хемостимулированного термического окисления полупроводников при создании на их поверхности тонкопленочных диэлектрических слоев.

Цель работы. Установление областей локализации взаимодействий между <>, оксидами р- и d-элементов, обусловливающих неаддитивность хемостимулирующего воздействия их композиций на термическое окисление арсенида галлия.

Для достижения поставленной цели требовалось решение следующих за. дач исследования:

1. Изучение нелинейных эффектов при совместном хемостимулирующем воздействии бинарных композиций адтиваторов РЬО - Мп02 и Мп02 -V2O5 на процесс термического окисления GaAs в зависимости от состава композиций, температуры и времени процесса.

2. Исследование воздействия композиций оксидов-активаторов Sb203 -Bi203, РЬО - Sb203, РЬО - Bi203, PbO - Mn02 и V205 - Mn02 при раздельном введении компонентов в газовую фазу в сравнении с процессами при их совместном введении. i

3. Установление элементного состава оксидных слоев, полученных на поверхности арсенида галлия, и твердофазных взаимодействий в композициях активаторов при помощи инструментальных методов анализа.

4. Определение состава паровой фазы над композициями активаторов р сравнении с испарением индивидуальных оксидов.

5. Развитие представлений о вкладе твердофазных и газофазных взаимодействий между оксидами, ответственных за наблюдаемые нелинейные эффекты их совместного хемостимулирующего воздействия при термооксидировании GaAs.

Методы исследования.

- толщину оксидных слоев на поверхности арсенида галлия определяли методом лазерной эллипсометрии (эллипсометр ЛЭФ-ЗМ);

- изменение фазового состава в композициях оксидов-активаторов в результате твердофазных взаимодействий определяли методом рентгенофазового анализа (ДРОН-3); v, - определение качественного и количественного элементного состава оксидных слоев, полученных на поверхности GaAs, осуществляли методами инфракрасной спектроскопии (Инфралюм ФТ-02, UR-10), рентгеноспектрального флуоресцентного анализа (VRA - 30, Carl Zeiss Yena), локального рентгеноспектрального микроанализа (KamScan);

- исследования состава паровой фазы при совместном испарении оксидов-активаторов осуществляли масс-спектрометрически эффузионным методом Кнудсена (масс-спектрометр МС-13 01).1

Научная новизна.

- установлено, что взаимодействия между оксидами-активаторами реализуются, главным образом, в твердой фазе и в газовой фазе при их испарении. Взаимодействия между ними на поверхности окисляемого полупроводника не оказывают существенного влияния на наблюдаемые нелинейные эффекты;

- показано, что при отсутствии ярко выраженного химического сродства между активаторами (система Sb203 - Bi203) процессы, протекающие в твердое и газовой фазе, приводят к взаимному ослаблению их хемостимулирующей активности (отрицательный нелинейный эффект) примерно в равной степени (56 и 44 % соответственно);

- обнаружено, что при химическом взаимодействии между активаторами в твердой фазе (системы РЬО - Sb203, РЬО - Bi203, PbO - Mn02 и V205 - Mn02) имеет место взаимное усиление хемостимулирующей активности (положительный нелинейный эффект), в то время, как процессы в газовой фазе приводят к существенному отрицательному отклонению от аддитивного совместного хе-мостимулирующего действия; Выражаем благодарность д.х.н., проф. Лопатину С.И. (Санкт-петербургский Государственный университет) ьа проведение масс-спектрометрических исследований

- обнаружено, что для различных систем активаторов и составов композиций содержание элементов-активаторов в оксидных слоях на поверхности GaAt, при раздельном испарении активаторов в целом ниже, чем при совместном, что указывает на меньшую их хемостимулирующую активность в этих условиях, и объясняет усиление отрицательного нелинейного эффекта совместного воздей-, ствия активаторов при взаимодействиях между ними только в газовой фазе;

- показано, что взаимное влияние активаторов в паровой фазе проявляется, главным образом, в усилении диссоциативных процессов, увеличением содержания атомарных свинца и висмута, что и является одной из причин усиления отрицательных отклонений от аддитивности. Вместе с тем, при реализации твердофазных взаимодействий паровая фаза содержит более богатые кислородом молекулярные формы, продукты взаимодействия исходных оксидов (например, PbSb204) или затормаживается собственная диссоциация (например, Мп02 в присутствии V2O5), что обеспечивает взаимное усиление хемостимули-рующей активности;

- установлена общая закономерность, в соответствии с которой во всех случаях, когда между компонентами-активаторами реализуются взаимодействия в твердой фазе, они способствуют сохранению в паровой фазе молекулярных оксидных форм, обеспечивая, тем самым, положительный эффект. Только когда химические взаимодействия между компонентами не наблюдаются (система Sb203 - В]'20з), положительный вклад отсутствует. Таким образом, собственно газофазные процессы в композициях оксидов активаторов имеют преимущественно диссоциативный характер, а возможность ассоциации в газовой фазе обусловлена твердофазными взаимодействиями.

На защиту выносятся: 1. Локализация взаимодействий между активаторами в композициях оксидов р- и d- элементов, воздействующих на окисление GaAs через газовую фазу.

2. Способ раздельного введения оксидов-активаторов в газовую фазу, позволяющий выявить специфику нелинейных эффектов за счет взаимодействий в газовой фазе.

3. Результаты исследования состава паровой фазы над композициями оксидов-активаторов при их совместном испарении в сравнении с испарением индивидуальных оксидов.

4. Закономерности изменения элементного состава оксидных слоев на поверхности GaAs в зависимости от состава композиций оксидов-активаторов и способа их введения в систему.

5. Взаимодействия между активаторами в твердой и газовой фазах как фактор, определяющий и нелинейные эффекты их совместного хемостиму-лирующего воздействия при окислении арсенида галлия.

Проведенные исследования поддержаны грантами: грант РФФИ № 02-0332418 "Механизм формирования гетероструктур при хемостимулированном окислении полупроводников", грант РФФИ№ 03-03-96500-р2003цчра "Нелинейные эффекты в процессах хемостимулированного синтеза диэлектрических оксидных слоев на AmBv", грант РФФИ № 06-03-96338-рцентра "Воздейсъ вие хемостимуляторов на кинетику и механизм термического окисления полупроводников A'V в процессах формирования тонких пленок и гетероструктур", Межвузовская научная программа Университеты России №YP.06.01.02Q "Процессы хемостимулированного окисления полупроводников", Межвузовская научная программа Университеты России №УР.06.01.001 "Нелинейные эффекты совместного воздействия хемостимуляторов в процессах термического окисления полупроводников".

Апробация. Результаты работы были доложены: Международной школе-семинаре «Нелинейные процессы в дизайне материалов» (Воронеж, 2002); Все российских научных чтениях (с международным участием), посвященных 70-летию со дня рождения чл.-корр. АН СССР М.В. Мохосоева (Улан-Удэ, 2002); I Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсирован-. ном состоянии и на межфазных границах» («ФАГРАН-2002», Воронеж, 2002); II, IV и IV Международных научных конференциях «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 2002, 2004, 2006).

Публикации. По материалам работы опубликовано 4 статьи (в изданиях РАН) и 8 тезисов докладов на научных конференциях.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, шести глав, выводов, списка литературы, содержит 140 страниц машинописного текста, включая 16 таблиц, 18 рисунков и библиографический список, содержащий 95 наименований литературных источников.

Заключение диссертации по теме «Неорганическая химия», Донкарева, Ирина Александровна

выводы

1. С использованием метода раздельного введения активаторов в газовую фазу, исключающего возможность твердофазных взаимодействий между ними, показано, что связывающие взаимодействия между активаторами, ответственные за наблюдаемые нелинейные эффекты при их совместном хемостиму-лирующем воздействии, локализованы, главным образом, в твердой и газовой фазах. Обнаружено, что при раздельном введении оксидов-активаторов в газовую фазу и при их совместном введении характер нелинейных эффектов совме: стного хемостимулирующего воздействия в процессе термического окисления арсенида галлия различается. В то же время осуществление процесса на чистой и предварительно окисленной поверхности GaAs приводит к практически одинаковым результатам, что доказывает несущественность возможного вклада взаимодействий на поверхности подложки в общий нелинейный эффект совместного хемостимулирующего воздействия активаторов.

2. Для композиций активаторов Sb203 - Bi203, в которых отсутствуют заметные химические взаимодействия между компонентами в твердой фазе, отрицательное отклонение от аддитивности при раздельном введении выражено менее сильно, чем при их совместном введении. Отрицательный вклад твердофазных и газофазных процессов при этом составляет примерно 56 и 44 % соответственно.

3. Для остальных исследованных композиций активаторов (РЬО -Sb2Oj, РЬО - Bi203, РЬО - Мп02 и V205 - Mn02) отрицательный нелинейный эффект при раздельном введении активаторов выражен существенно сильнее, чем при совместном испарении, т.е. разностный эффект, определяющий вклад твердофазных взаимодействий между активаторами, оказывается положительным.

4. Методом РФА показано, что между оксидами-активаторами в твердой фазе в процессе отжига реализуются разнообразные взаимодействия, определяемые различием кислотно-основных или окислительно-восстановительных свойств оксидов.

5. Исследованием элементного состава полученных оксидных слоев (JIPCMA) обнаружено, что для различных систем активаторов и составов композиций содержание элементов-активаторов при раздельном, испарении оксидов в целом ниже, чем при совместном, что указывает на меньшую их хемости-мулирующую активность в этих условиях и объясняет усиление отрицательного нелинейного эффекта совместного воздействия активаторов при взаимодействиях между ними только в газовой фазе.

6. Масс-спектрометрическое исследование состава паровой фазы над бинарными композициями оксидов показало, что их взаимное влияние проявляется, главным образом, в усилении диссоциативных процессов в паре, увеличением содержания атомарных свинца и висмута, не обладающих способностью к транзитной передаче кислорода, что и является одной из причин усиления отрицательных отклонений от аддитивности за счет взаимного влияния активаторов в газовой фазе. Вместе с тем, при возможности твердофазных взаимодействий в паровой фазе появляются более богатые кислородом молекулярные формы, продукты взаимодействия исходных оксидов (например, PbSb204) или затормаживается собственная диссоциация (например, Мп02 в присутствии V205).

7. На основании комплекса проведенных исследований сформулирована общая закономерность, в соответствии с которой во всех случаях, когда между компонентами-активаторами реализуются взаимодействия в твердой фазе, они способствуют сохранению в паровой фазе молекулярных оксидных форм, обеспечивая, тем самым, положительный эффект. Только когда химические взаимодействия между компонентами не наблюдаются (система Sb2C>3 -Bi203), положительный вклад отсутствует. Таким образом, собственно газофазные процессы в композициях оксидов активаторов имеют преимущественно диссоциативный характер, а возможность ассоциации в газовой фазе обусловлена твердофазными взаимодействиями.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Донкарева, Ирина Александровна, 2006 год

1. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы на современном этапе развития твердотельной электроники / М.Г. Мильвидский, В.Б. Уфимцев

2. B.Б. // Неорганические материалы. 2000. - Т. 36, № 3. - С. 360-368.

3. Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ.; под ред. Н. Айнс-прука, У. Уиссмена. М. : Мир, 1988. - 555 с.

4. Surface EXAFS investigation of oxygen chemisorption of GaAs (110) / R.S. Bauer et al. // J. Vac. Sci. Technol. 1979. V. 16, № 5. P. 1195 1199.

5. A surface analytical study of GaAs (110) cleaning procedures / L. H. Lu et al. // J. Vac. Sci. and Technol 1989. V. 7, № 3. Pt.l. P. 646 650.

6. GalnP/GaAs HBT broadband monolithic transimpedance amplifiers and their high frequency small and large signal characteristics / J.W. Park et al. // IEEE MTT-S : Intern. Microwave Symp. Baltimore, 1998. V. 1. P. 39-42.

7. High-Gain GalnP/GaAs HBT Monolithic Transimpedance Amplifier for High-Speed Optoelectronic Receivers /S. Mohammadi et al. // Department of Electrical Engineering and Computer Science, The University of Michigan- 19951. C.542-547.

8. Миттова И.Я. Нелинейный эффект совместного воздействия активаторов на процесс термооксидирования GaAs / И.Я. Миттова, В.Р. Пшестанчик, В.Ф. Кострюков // Докл. РАН. 1996. Т. 349, № 5. С. 641-643.

9. Термооксидирование GaAs в кислороде в присутствии Ge02 в газовой фазе / И.Я. Миттова и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1990. Т. 26, № 1.С. 14-17.

10. Закономерности формирования оксидных слоев термооксидированием GaAs при введении SnO в газовую фазу / И.Я. Миттова и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1991. Т. 27, № 4. С. 675-679.

11. Оксидные диэлектрические слои на GaAs, выращенные в присутствии Bi203 / И .Я. Миттова и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1988. Т. 24, № 12. С. 1941-1944.

12. Получение диэлектрических плёнок на GaAs в присутствии Sb203 в газовой фазе / И .Я. Миттова и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1988. Т. 24, №4. С. 539-541.

13. Термическое окисление GaAs при введении РЬО в газовую фазу / И .Я. Миттова и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1989. Т. 25, № 6. С. 908-911.

14. Ускоренное формирование оксидных диэлектрических слоев на ' GaAs в присутствии V205 в газовой фазе / И.Я. Миттова и др. // Изв. АН

15. СССР. Сер. Неорган, материалы. 1991. Т. 27, № 5. С. 127-131.

16. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников / Я.А. Угай. М. : Высшая школа, 1975. - 302 с.

17. Navratil К. The physical structure of the interface between single-crystal GaAs and its oxide films / K. Navratil, I. Ohlidal, F. Lukes // Thin Solid Films. 1979. V. 56, № 1-2. P. 163-171.

18. Koshiga F. Thermal oxidation of GaAs / F. Koshiga, T. Sugano // Jap. J. Appl. Phys. 1977. V. 16, № 16-1. P. 365-469.

19. Iwasaki H. Effects of water vapor and excitation on oxidation of GaAs, GaP and InSb surface studied by X-ray photoemission spectroscopy / H. Iwasaki et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1979. V. 18, № 8, P. 1525-1529.

20. Миттова И.Я. Химия процессов целенаправленного создания функциональных диэлектрических слоев на полупроводниках при примесном термооксидировании / И.Я. Миттова, В.Р. Пшестанчик // Успехи химии. 1991. Т. 60, вып. 9. С. 1898-1919.У

21. GaAs surface oxide desorbtion by annealing in ultra high vacuum / A.Guillen-Cervantes et al. // Thin Solid Films. 2000. № 373. P. 159-163.

22. Quagliano Lucia G. Detection of As203 arsenic oxide on GaAs surface by Raman scattering / Lucia G. Quagliano // Applied Surface Science. 2000. № 153. P. 240-244.

23. Characterization of oxide layers on GaAs substrates / D.A. Allwood et al. // Thin Solid Films. 2000. № 364. P. 33-39.

24. Local oxide growth on the n-GaAs surface studied by small area XPS /1. Gerard et al. // Surface Science. 1999. № 433-435. P. 131-135.

25. Mihailova Ts. XPS study of residual oxide layers on p-GaAs surfaces / Ts. Mihailova, N. Velchev, V. Krastev. // Applied Surface Science. 1997. № 120. P. 213219.

26. Kang M.G. Effect of GaAs surface treatments using HC1 or (NH4)2SX solutions on the interfacial bonding states induced by deposition of Au / M.G. Kang, H.H. Park // Thin Solid Films. 1998. V. 2, № 332. P. 223-226.

27. Local oxide growth on the n-GaAs surface studied by small area XPS /1. Gerard et al. // Surface Science. 1999. № 434. P. 232-237.

28. A study on the structural distribution of Se-passivatedGaAs surface / J.W. Kim et al. // Thin Solid Films. 1998. V. 332, № 2. P. 426-430.

29. Бедный Б.И. Пассивация поверхности GaAs при обработке в парах фосфина / Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь // Физика и техника полупроводников. 1996. Т. 30, №2. С. 236-243.

30. Бессолов В.Н. Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников АШВУ / В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32, № 11. С. 1281-1295.

31. Долгих Д.С. Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности GaAs(lOO), обработанном в селене / Д.С. Долгих, М.П. Сумец // Изв. вузов. Электроника. 1998. Т. 25, № 6. С. 157-158.

32. Панин А.В. Влияние серы и селена на рельеф поверхности диэлектрических пленок и электрические характеристики структур металл-диэлектрик-р-GaAs / А.В. Панин, А.Р. Шугуров, В.М. Калыгина // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, № 1. С. 78-83.

33. Левинштейн М.Е. Барьеры / М.Е. Левинштейн, Г.С. Симин. М. : Наука, 1987.-319 с.

34. Лифшиц В.Г. Поверхность твердого тела и поверхностные фазы /

35. B.Г. Лифшиц// Соросовский образоват. журн. 1995. № 1. С. 99-107.

36. A study on the structural distribution of Se-passivatedGaAs surface / J.W. Kim et al. // Thin Solid Films. 1998. V. 332, № 1. p. 305-311.

37. Kang M.G. Effect of GaAs surface treatments using HC1 or (NH4)2SX solutions on the interfacial bonding states induced by deposition of Au / M.G. Kang, H.H. Park // Thin Solid Films. 1998. V. 1, № 332. P. 437-443.

38. Structural studies of sulfur-passivated GaAs (100) surfaces with LEED and AFM / Y. Ke et al. // Surface Science. 1998. № 1. P. 29-36.

39. Миттова И.Я. Термическое окисление структур In2S3/GaAs / И.Я. Миттова, В.В. Пухова // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1986. Т. 32, № 6. С. 885-888.

40. Термическое окисление структур GaAs/GeS в кислороде / И.Я. Миттова И.Я. и др. П Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1988. Т. 24, № Ю.1. C. 1592-1594.

41. Получение термическим окислением структур GaAs/Bi2S3 и свойства диэлектрических пленок на GaAs / И.Я. Миттова и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1988. Т. 24, № 9. С. 1431-1434.

42. An X-ray photoelectron spectroscopy study of native oxides on GaAs / G.P Schwarts et al. // J. Electrochem. Soc. 1979. V. 126. P. 1737-1749.

43. Sands F. Crystallographic relationship between GaAs, As and Ga203 at the GaAs thermal oxideinterface / F. Sands, J. Washburn, R. Grensky // Mater. Lett. 1985. V. 3, № 5. P. 247-250.

44. Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл-квантово-размерный полупроводник ln(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции / Н.В. Байдусь и др. // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39, вып. 1. С. 312 317.

45. Sands F. Crystallographic relationship between GaAs, As and Ga203 at the GaAs thermal oxideinterface / F. Sands, J. Washburn, R. Grensky // Mater. Lett. 1985. V.3,№ 6. P. 387-401.

46. Электролюминесценция диодов Шоттки на основе гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в диапазоне 1.3-1.5 мкм // Н.В. Байдусь и др. //Изв. АН. Сер. физ. 2004. V. 68, № 1. С. 251.

47. Structural studies of sulfur-passivated GaAs (100) surfaces with LEED and AFM / Y. Ke et al. // Surface Science. 1998. № 3. P. 134-138.

48. Влияние электрохимической модификации тонкого покровного слоя Ga(In)As на энергетический спектр квантовых точек InAs/GaAs / А.В. Карпович и др. // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39, вып. 1. С. 541 -544.

49. Ferris S.D. Laser-Solid Interection and Laser Processing / S.D. Ferris, H.J. Leamy, J.M. Poate; American Institute of Physics. 1979. C. 485 487.

50. Шустин Е.Г. Плазмохимический реактор на базе пучково-плазменного заряда / Е.Г. Шустин; Институт радиотехники и электроники РАН. М.: Наука, 1987.-253 с.

51. Lucovsky G.A Chemical bonding model for the native oxides of the III -V compound semiconductors / G.A. Lucovsky II J. Vac. Sci. Technol. 1981. V. 19, № 3. P. 456-462.

52. Ludeke R. The oxidation of the GaAs (110) surface / R. Ludeke // Solid State Commun. 1977. V. 21. P. 815-820.

53. Исследование методом фотоэлектронной спектроскопии адсорбции кислорода на поверхности арсенида галлия в кислородной плазме / А. Майзель и др. // Поверхность: Физика, химия, механика. 1987. № 10. С. 27-36.if

54. Seebauer Е.С. Oxidation and annealing of GaAs <100> studied by photoreflectance / E.C. Seebauer // J. Appl. Phys. 1989. V. 66, № 10. P. 4963-4972.

55. Галицин Ю.Г. Исследование кинетики образования и состава оксида на сколотой поверхности GaAs <110> / Ю.Г. Галицин, И.П. Петренко, С.Н. Свиташева//Поверхность: Физика, химия, механика. 1987. № 11. С. 51-58.

56. Wilsmen G.W. Oxide layers on III V compound semiconductors / G.W. Wilsmen // Thin Solid Films. 1976. V. 30, № 2. P. 214-218.

57. GaAs oxidation and Ga-As-0 equilibrium phase diagram / C.D. Thurmond et al. // J. Electrochem. Soc. 1980. V. 14, № 4. P. 921-923.

58. Wilsmen C.W. Initial oxidation and oxide/semiconductor interface formation on GaAs / C.W. Wilsmen, R.W. Ku, K.M. Gub // J. Vac. Sci. Technol. 1979. V. 16, №5. P. 1366-1371.

59. Wilsmen G.W. Oxide layers on III V compound semiconductors / G.W. Wilsmen // Thin Solid Films. 1976. V. 30, № 1. P. 105-117.

60. Миттова И.Я. Примесное термооксидирование кремния и арсенида галлия : дис. . д-ра хим. наук / И.Я. Миттова. М., 1988. - 455 с.

61. Takagi Н. A new technique for growth of thermal oxide films on GaAs / H. Takagi, G. Kano, J. Teramoto // Surf. Sci. 1979. V. 86. P. 264-271.

62. Миттова И.Я. Многоканальные реакции при хемостимулированном термическом окислении полупроводников транзит, сопряжение, катализ / И.Я. Миттова // Вестн. Воронеж, ун-та. Сер. Химия. Биология. 2000. №2. С. 512.

63. Миттова И.Я. Нелинейный эффект совместного воздействия активаVторов на процесс термооксидирования арсенида галлия / И.Я. Миттова, В.Р. р ' Пшестанчик,, В.Ф. Кострюков // Докл. РАН. 1996. Т. 349, № 5. С. 641-643.

64. Особенности совместного воздействия оксидов свинца и висмута на процесс термооксидирования GaAs / И.Я. Миттова и др. // Неорганические материалы. 2001. Т. 46, № 5. С. 818-822.

65. Термическое окисление GaAs при одновременном активирующем воздействии оксидов свинца и сурьмы / И.Я. Миттова и др. // Журн. неорган, химии. 2002. Т. 47, № 6. С. 886-891.

66. Нагиев Т.М. Химическое сопряжение / Т.М. Нагиев. М. : Высш. шк, 1989.-251 с.

67. Неаддитивное влияние оксидов в композициях (СгОз-РЬО) и (Сг03-V2O5) как активаторов термического окисления арсенида галлия / И.Я. Миттова и др. // Докл. РАН. 2002. Т. 385, № 5. С. 634-637.

68. Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем : учеб. пособие / А.И. Курносов. -М. : Высш. шк., 1975. 310 с.

69. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников : учеб. пособие / Я.А. У гай. М. : Высш. шк., 1975.-302 с.

70. Лазарев В.Б. Химические и физические свойства простых оксидов металлов / В.Б. Лазарев, В.В. Соболев, И.С. Шаплыгин. М. : Наука, 1974. -486 с.

71. Казенас Е.К. Испарение оксидов / Е.К. Казенас, Ю.В. Цветков. М. : Наука, 1997.-543 с.

72. Лидин Р.А. Химические свойства неорганических веществ / Р.А. Лидии, В.А. Молочко, Л.Л. Андреева. М. : Химия, 1997. - 535 с.

73. Рабинович В.А. Краткий химический справочник / В.А. Рабинович, З.Я. Хавин. М. : Химия, 1978. - 392 с.

74. Кубашевский О. Термохимия в металлургии / О. Кубашевский, Э. Эванс. М.: Иностр. литература, 1954. - 252 с.V

75. Коновалов В.М. Диаграмма состояния оксида висмута (III) / В.М. р Коновалов, В.И. Кулаков, А.К. Фидря // Журн. техн. физики. 1955. - Т. 25, №11.-С. 1864.

76. Harwing H.A. Polymorphism of Bi203 / H.A. Harwing, Z. Anorg // Allg. Chem. 1978. - V. 444, N 2. - P. 151.

77. Kauffman A. Thermodynamik of Bi203 / A. Kauffman, E. Don Dilling. // Econom. Geol. 1950. V. 45. - P. 222.

78. Торопов H.A. Диаграммы состояния силикатных систем / H.A. Торо-пов, В.П. Борзаковский. Л. : Наука, 1969. - Вып 5. - 823 с.

79. Диаграммы состояния систем тугоплавких оксидов : справочник / под ред. Ф.Я. Галахова. Л.: Наука, 1986. - Вып. 5, ч. 2. - 353 с.

80. Громов В.К. Введение в эллипсометрию / В.К. Громов. Л. : ЛГУ, 1986.- 189 с.

81. Урывский Ю.И. Эллипсометрия / Ю.И. Урывский. Воронеж : Изд-во Вор. ГУ. 971.-131 с.

82. Кольцов С.И. Эллипсометрический метод исследования поверхности твердых веществ / С.И. Кольцов, В.К. Громов, P.P. Рачковский. Л. : Наука, 1983.-248 с.

83. Бублик В.Т. Методы исследования структуры полупроводников и металлов / В.Т. Бублик, А.Н. Дубровина. М. : Металлургия, 1978. - 271 с.

84. Гиллер Я.Л. Таблицы межплоскостных расстояний / Я.Л. Гиллер. -М. : Недра, 1966. 587 с.

85. Михеев В.И. Рентгенометрический определитель минералов / В.И. Михеев. М. : Госгеолиздат, 1957. - С. 325 - 327.

86. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов / Л.И. Миркин. М.: Физматгиз, 1961. - С. 124 - 137.

87. Жарский И.М. Физические методы исследования в неорганической химии / И.М. Жарский, Г.И. Новиков. М., 1988. - С. 122-124.

88. Основы аналитической химии / под. ред. Ю.А. Золотова. М., 1999. -С. 256-257.

89. Накамото К. ИК-спектры неорганических и координационных соединений / К. Накамото. М. : Мир, 1966. - 411 с.

90. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ / пер. с англ. М.: Мир, 1984. - Кн. 1. - 303 с.

91. Исаев Р.Н. Масс-спектрометрия и ее применение / Р.Н. Исаев. Барнаул : Алтайс. гос. ун-т, 1990. - 74 с.

92. Пентин Ю.А. Физические методы исследования в химии / Ю.А. Пен-тин, Л.В. Вилков. М. : Мир, 2003. - 683 с.

93. Физические методы исследования неорганических веществ / Т.Г. Ба-личева и др.; под ред. А.Б. Никольского. М.: Academia, 2006. - 442 с.

94. Кострюков В.Ф. Нелинейность совместного воздействия оксидов свинца, сурьмы и висмута на процесс термического окисления арсенида галлия : дисс. канд. хим. наук / В.Ф. Кострюков. Воронеж, 2000. - 114 с.

95. Роль инертного компонента Ga203 в композиции с оксидом-активатором Sb203 в процессе хемостимулированного окисления GaAs / И.Я. Миттова и др. // Журн. неорган, химии. 2005. Т. 50, № 10. С. 1599-1602.

96. Кнотько А.В. Химия твердого тела / А.В. Кнотько, И.А. Пресняков, Ю.Д. Третьяков. М. : Академия, 2006. - 304 с