Влияние методов формирования структур VxOy/InP на особенности их термооксидирования и состав пленок тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, кандидат химических наук Сладкопевцев, Борис Владимирович

• Сладкопевцев, Борис Владимирович
• кандидат химических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат химических наук Сладкопевцев, Борис Владимирович

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Особенности собственного оксидирования ІпР

1.2. Хемостимулированное термооксидирование ІпР

1.3. Обзор некоторых методов синтеза наноразмерных структур

1.3.1. Вакуумно-термическое испарение

1.3.2. Магнетрониое распыление

1.3.3. Электрический взрыв проводника

1.3.4. Золь-гель технология. СУИ-процесс. Пиролиз аэрозолей

1.4. Импульсная фотонная обработка

1.5. Влияние ванадия и его соединений на термооксидирование полупроводников АШВУ

ГЛАВА П. МЕТОДИКИ МОДИФИЦИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ІпР. ОКСИДИРОВАНИЕ И АНАЛИЗ СИНТЕЗИРОВАННЫХ СТРУКТУР

2.1. Характеристика и свойства исходных материалов

2.2. Методики синтеза структур УхОуЯпР

2.2.1. Методика формирования островковых структур (жёсткий метод)

2.2.2. Методика формирования сплошных структур (мягкие методы)

2.3. Импульсная фотонная обработка ІпР и структур УхОуЯпР

2.4. Термооксидирование структур УхОуЯпР

2.5. Методы исследования полученных структур

2.5.1. Одноволновая лазерная и спектральная эллипсометрия, кинетическая обработка результатов

2.5.2. Рентгенофазовый анализ

2.5.3. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия

2.5.4. Оже-электронная спектроскопия

2.5.5. Растровая электронная микроскопия

2.5.6. Сканирующая туннельная микроскопия

ГЛАВА Ш. ОПТИМИЗАЦИЯ РЕЖИМА ФОРМИРОВАНИЯ НА-НООСТРОВКОВЫХ СТРУКТУР VxOy/InP. КИНЕТИКА ОКСИДИРОВАНИЯ И МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ

3.1. Зависимость характеристик наноостровковых структур от параметров электровзрывного процесса их нанесения на поверхность InP

3.2. Выбор оптимального режима формирования наноструктур для достижения максимального ускорения их термооксидирования

3.3. Характеристика наноостровковых структур, сформированных в оптимальном режиме

3.4. Кинетика термооксидирования наноостровковых структур V2Os/InP, сформированных в оптимальном режиме

ГЛАВА IV. РАЗРАБОТКА И ОПТИМИЗАЦИЯ МЯГКИХ МЕТОДИК СИНТЕЗА СТРУКТУР VxOy/InP И КИНЕТИКА ИХ ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ

4.1. Результаты модифицирования поверхности мягкими методами, термический отжиг

4.2. Термооксидирование структур на основе InP, сформированных осаждением слоев оксидов ванадия мягкими методами из золя и геля

4.3. Эффект фотонной активации процесса оксидирования InP и структур VxOy/InP

4.3.1. Термооксидирование InP, прошедшего импульсную фотонную обработку

4.3.2. Термооксидирование структур VjD/InP, сформированных мягкими методами и прошедших импульсную фотонную обработку

ГЛАВА V. ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И СОСТАВ ПЛЕНОК, СФОРМИРОВАННЫХ ТЕРМООКСИДИРОВАНИЕМ ПОЛУЧЕННЫХ ОБРАЗЦОВ

5.1. Спектральпо-эллипсометрическое исследование сложноок-сидных пленок на InP

5.2. Характер распределения компонентов в образцах, сформированных термооксидированием наноостровковых и сплошных структур (ОЭС)

5.3. РФЭС образцов, сформированных термооксидированием синтезированных структур

ГЛАВА VI. ВЛИЯНИЕ МЕТОДА НАНЕСЕНИЯ ХЕМОСТИМУЛЯ-ТОРА НА МЕХАНИЗМ ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ, СОСТАВ И МОРФОЛОГИЮ СЛОЁВ

6.1. Кинетика и механизм процесса термооксидирования

6.2. Влияние метода нанесения хемостимулятора на состав и морфологию пленок, выращенных термооксидированием структур VxOy/InP

6.3. Обобщение результатов

ВЫВОДЫ

Список используемой литературы

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

РЭМ - растровая электронная микроскопия

ОЭС - Оже-электронная спектроскопия

РФА - рентгеновский фазовый анализ

СТМ - сканирующая туннельная микроскопия

РФЭС - рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия

СЭ - спектральная эллипсометрия

ЭЭА - эффективная энергия активации

ЭВП - электрический взрыв проводника

ГР - граница раздела

ТО - термический отжиг

ИФО - импульсный фотонный отжиг

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние методов формирования структур VxOy/InP на особенности их термооксидирования и состав пленок»

ВВЕДЕНИЕ

Состав плёнок, формируемых хемостимулированным термооксидированием 1пР, а, следовательно, свойства синтезируемых структур и качество границы раздела определяются физико-химической природой и способом введения хемостимулятора в систему - через газовую фазу или непосредственно на поверхность полупроводника. В последнем случае используют две группы методов - жёсткие (магнетронное распыление, электровзрыв), воздействующие на поверхность еще до начала процесса термооксидирования, и мягкие (золь-гель процессы, низкотемпературные МОСУТ) и т.д.), практически не изменяющие поверхность при модифицировании. Физико-химические свойства У205 позволяют использовать любой из перечисленных методов. Мобильность же перехода ванадия из одной степени окисления в другую обусловливает возможность реализации как транзитного, так и каталитического механизмов термооксидирования структур УхОуЛпР.

Работа выполнена в рамках аналитической ведомственной целевой программы «Развитие научного потенциала высшей школы» мероприятие 1, № государственной регистрации 01200602176 и государственного задания Министерства образования и науки РФ 3.1673.2011 «Установление механизма хемо-стимулированного оксидирования и особенностей функциональных свойств тонких оксидных пленок на полупроводниках А3В5» номер Г.Р. 01201263907 от 18.06.2012, поддержана грантами РФФИ №№ 09-03-97552-р_центр_а, 10-03-00949-а, 13-03-00705-а.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ

Установление влияния методов нанесения хемостимулятора на кинетику и механизм термооксидирования наноразмерных структур УхОуЯпР, состав и морфологию сформированных плёнок.

ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ

1. Разработка методик модифицирования поверхности 1пР золем и гелем оксида ванадия при невысоких степенях воздействия на подложку и выявление зависимости состава и морфологии слоев от условий нанесения, режима термического отжига, импульсной фотонной обработки;

2. Исследование кинетики термооксидирования наноструктур УхОуЛпР, сформированных мягкими методами;

3. Поиск оптимальных (по максимальной толщине сформированных в результате термооксидирования плёнок) условий формирования островковых наноструктур УхОу/1пР электровзрывным синтезом и исследование кинетики их оксидирования;

4. Сравнение характера воздействия мягких и жёстких методов модифицирования поверхности полупроводника на кинетику оксидирования островковых и плёночных наноструктур УхОу/1пР;

5. Выявление зависимости состава и морфологии сформированных плёнок от метода нанесения хемостимулятора и предокислительной обработки нанесенных слоев.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА

- установлена зависимость кинетики и механизма термооксидирования наноструктур УхОу/1пР, состава и морфологии плёнок от метода нанесения хемостимулятора на поверхность полупроводника;

- разработаны методики создания наноструктур УхОуЛпР в мягких условиях (из золя и геля), отличающиеся экономичностью и простотой реализации и позволяющие варьировать состав, толщину и морфологию нанесенных слоёв хемостимулятора в широких пределах;

- определены оптимальные условия синтеза наноостровковых структур У205ЛпР жестким методом электровзрыва, необходимые для установления механизма их термооксидирования на начальном этапе; показана динамика состава и

морфологии поверхности островковых структур в процессе формирования пленок.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ

Разработанные методики мягкого и жёсткого модифицирования поверхности полупроводников оксидами ванадия могут быть применены для последующего синтеза наноструктур с заданными толщиной, морфологией, составом и использованы для нанесения других хемостимуляторов на полупроводниковые подложки с целью варьирования параметров синтезируемых плёнок. Полученные результаты позволят повысить эффективность термооксидирования 1пР (увеличение скорости роста пленок, снижение параметров процесса, достижение заданного состава структур) при создании функциональных полупроводниковых и диэлектрических плёнок на его основе.

ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ

I. Зависимость механизма термооксидирования наноструктур УхОуЛпР от метода их формирования. Двухэтапный процесс оксидирования островковых наноструктур (жесткий метод электровзрыва) с реализацией синхронного каталитического механизма на начальном этапе (ЭЭА 60-70 кДж/моль против 270 кДж/моль в отсутствие хемостимулятора) и транзитный механизм (ЭЭА 210 кДж/моль) термооксидирования наноструктур УхОуЛпР, синтезированных мягкими методами.

П. Влияние метода нанесения хемостимулятора на состав пленок, выращенных термооксидированием наноструктур УхОуЯпР. Образование новых фаз (1пУ04) между хемостимулятором, нанесенным мягкими методами, и компонентами полупроводника как фактор нарушения цикличности процесса, обусловливающий транзитный механизм формирования пленок; преобладание при катализе трансформаций оксидных форм ванадия над процессом их связывания в новые фазы.

Ш. Преимущества мягкого метода над жестким, заключающиеся в: а) варьировании соотношения оксидов ванадия в различных степенях окисления, и, соответственно, скорости термооксидирования УхОуЯпР; б) формировании структурированных (размер кристаллитов 90 нм-1 мкм) оксидных плёнок; в) управлении профилями распределения компонентов изменением типа и режима отжига.

ПУБЛИКАЦИИ И АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ

По материалам работы опубликовано 7 статей в реферируемых российских журналах из Перечня ВАК и 12 тезисов докладов на научных конференциях. Результаты работы представлены на XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов-2008» (Москва, 2008); Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированных средах и на межфазных границах ФАГРАН» (Воронеж, 2010, 2012); 4-ой Всероссийской конференции (с международным участием) «Химия поверхности и на-нотехнология» (Санкт-Петербург-Хилово, 2009); на международной конференции «Sviridov Readings: Conf. of Chemistry and Chemical Education» (Минск, Беларусь, 2010, 2012); международной научной конференции «Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии» (Ставрополь, 2010, 2012); XIX Менделеевском съезде по общей и прикладной химии (Волгоград, 2011); на Всероссийской научной конференции с международным участием «Байкальский мате-риаловедческий форум» (Улан-Удэ, 2012); на IV международной конференции с элементами научной школы для молодежи «Функциональные наноматериалы и высокочистые вещества» (Суздаль, 2012).

СТРУКТУРА И ОБЪЕМ ДИССЕРТАЦИИ

Диссертационная работа состоит из введения, шести глав, выводов, списка литературы, изложена на 191 странице машинописного текста, включая 7 таблиц, 79 рисунков и библиографический список, содержащий 185 наименований литературных источников.

ЛИЧНЫЙ ВКЛАД АВТОРА В ДИССЕРТАЦИОННУЮ РАБОТУ

Автором осуществлены эксперименты по синтезу островковых наноструктур методом электровзрыва проводника и выявлена зависимость их поверхностных характеристик от условий синтеза; разработаны мягкие методы нанесения хемостимулятора на поверхность полупроводника и выявлена зависимость состава плёнок и морфологии поверхности от режима термической или импульсной фотонной обработки; исследована кинетика термооксидирования структур УхОуЛпР и зависимость состава и морфологии плёнок от метода нанесения и режима термооксидирования.

и

Заключение диссертации по теме «Неорганическая химия», Сладкопевцев, Борис Владимирович

ВЫВОДЫ

1. Оксидирование поверхности InP с наноостровками V2O5 (ЭВП, жесткий метод) протекает в два этапа. Наибольшее воздействие островков проявляется на начальном (в среднем до 10 минут) этапе и состоит в ускорении (от 50 до 80%) роста пленок по сравнению с собственным и уменьшении практически на порядок ЭЭА (60 кДж/моль против 280 кДж/моль), что доказывает синхронный каталитический механизм процесса (ЛЭ, СЭ, ОЭС, РФА). Особенно это проявляется при температуре 480 °С, когда собственное оксидирование незначительно.

2. Наноразмерные островки хемостимулятора являются активными центрами, на которых начинается интенсивный рост плёнки. Жесткий метод их нанесения (ЭВП) воздействует на поверхность InP еще до начала термооксидирования (РФА). На развитом этапе процесса кинетика аналогична таковой для собственного оксидирования; морфология и состав поверхности пленки определяются параметрами процесса термооксидирования (РФЭС, СТМ, СЭМ, ОЭС): эрозия внешнего слоя за счёт испарения летучего компонента и высота рельефа заметно выражены при максимальной температуре. Наиболее интенсивному изменению при термооксидировании островковых структур поверхность InP подвергается на начальном этапе (СТМ, СЭМ, ЛЭ, СЭ), что согласуется с кинетическими данными и отвечает каталитическому механизму оксидирования на данном этапе.

3. Модифицирование мягкими методами определяет протекание процесса оксидирования структур в один этап (относительное увеличение скорости роста от 20 до 40%, ЛЭ, СЭ) по транзитному механизму (ЭЭА 210 кДж/моль) и большую вариабельность состава и морфологии сформированных пленок (СТМ, РФА, РФЭС) по сравнению с жесткими. Регулирование в нанесенных слоях VxOy соотношения оксидов ванадия в различных степенях окисления позволяет управлять скоростью термооксидирования, изменяя содержание наиболее эффективного хемостимулятора V2O5 (РФА, ЛЭ, СЭ).

4. ИФО структур УхОу/1пР, созданных мягким методом, по сравнению с ТО, эффективнее влияет на темп роста плёнок (в среднем на 30%, ЛЭ), ускоряет кристаллизацию слоя хемостимулятора до начала термооксидирования (СТМ) и обусловливает менее равномерное распределение компонентов по толщине пленки (ОЭС).

5. Состав плёнок определяется методом нанесения хемостимулятора, формой (островки или сплошной слой) его присутствия на поверхности и режимом оксидирования (РФЭС, РФА, ОЭС, СЭ). После оксидирования структур, созданных ЭВП, в плёнках обнаружены 1п20з, 1пР04, У205,1п. Состав плёнок, синтезированных мягкими методами, как до, так и после термооксидирования, более сложен: 1п203,1п, 111РО4, У205, У20з, У02 и 1пУ04. Образование 1пУ04 обусловливает транзитный механизм термооксидирования из-за химического связывания пентаоксида ванадия, преобладающего над взаимными превращениями различных оксидных форм ванадия при катализе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Сладкопевцев, Борис Владимирович, 2013 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Design, fabrication, and characterization of photonic devices II / J. Henry, J. Livingstone, Ed. by Marek Osinski, Soo-Jin Chua, Akira Ishibashi. Proc SPIE. 2001.-Vol. 4594, 447.

2. Wilmsen C.W. Oxide layers on III-V compound semiconductors / C. W. Wilmsen // Thin Solid Films. - 1976. - Vol. 39. - P. 105-117.

3. Временной дрейф параметров границы раздела фосфид индия - двуокись кремния / Л.С. Берман [и др.] // Письма в ЖТФ. - 1996. - Т. 22, № 2. -С. 65-69.

4. Thermal oxides of Ino.5Gao.5P and Ino.5Alo.5P / D. Pulver [et. al.] // J. Vac. Sci. Technol. B. -2001. - Vol. 19. -P. 207-214.

5. Composition and growth of anodic and thermal oxides on InP and GaAs / A. Pakes [et. al.] // Surface and Interface Analysis. - 2002. -N. 34. - P. 481-484.

6. Исследование собственных оксидов InP / Белякова Е.Д. [и др.] // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1992. -№ 7. - С. 88-93.

7.1пР(110) oxidation with 02, NO, and N20 at 20 К: Temperature and photon-energy dependencies / Steven G. Anderson [et. al.] // Physical review B. - 1991. -Vol. 43, N. 12.-P. 9621-9625.

8. Photoinduced oxidation of InP(llO) with condensed 02 at 25 К / Y. Chen [et. al.] // Physical review B. - 1991. - Vol. 44, N. 4. - P. 1699-1706.

9. Oxidized In-containing III-V(IOO) surfaces: Formation of crystalline oxide films and semiconductor-oxide interfaces / M.P.J. Punkkinen [et. al.] // Physical reviewB. -2011.-N. 83.-P. 195329-1-195329-6.

10. Фоточувствительность гетеропереходов, полученных термическим окислением InP / Ю.А. Николаев [и др.] // Письма в ЖТФ. - 2007. - Т. 33, вып. 7. - С. 87-94.

11. Влияние предварительной импульсной магнитной обработки кристаллов фосфида индия на кинетику их окисления / М.Н. Левин [и др.] // Письма в ЖТФ. -2005. - Т. 31, вып. 17. - С. 89-94.

12. Wager J.F. Thermal oxidation of InP / J.F. Wager, C.W. Wilmsen / J. Appl. Phys. - 1980. - Vol. 51, N 1. - P. 812-814.

13. Yamaguchi M. Thermal oxidation of InP and properties of oxide films / M. Yamaguchi, K. Ando // J. Appl. Phys. - 1980. - Vol. 5, N 9. - P. 5007-5012.

14. Рост собственных оксидных слоев на фосфиде индия / И.Я. Миттова [и др.] // Неорганические материалы. - 1991. - Т. 27, № 10. - С. 2047-2051.

15. Schwartz G.P. The In-P-0 phase diagram: construction and applications / G.P. Schwartz, W.A. Sunder, J.E. Griffiths // J. Electrochem. Soc. - 1982. - Vol. 129, N6.-P. 1361-1367.

16. Взаимодействие наноразмерных плёнок NiO с поверхностью GaAs / E.B. Томина [и др.] // Неорганические материалы. - 2007. - Т. 43, № 5. - С. 593-599.

17. Твердофазные процессы при термическом окислении GaAs с поверхностью, модифицированной ванадием / И.Я. Миттова [и др.] // Неорганические материалы. - 2004. - Т. 40, № 5. - С. 519-523.

18. Миттова И.Я. Влияние напылённых слоёв РЬО с добавками оксидов никеля и ванадия на термооксидирование InP / И.Я. Миттова, Е.В. Томина, A.A. Самсонов // Неорганические материалы. - 2006. - Т. 43, №8. - С. 908915.

19. Твердофазные превращения при термическом окислении гетерострук-тур Ni/GaAs / И.Я. Миттова [и др.] // Микроэлектроника. - 2002. - Т. 31, № 2. -С. 99-103.

20. Миттова И.Я. Каталитическое влияние оксида ванадия (V) на термическое окисление GaAs и InP / И.Я. Миттова, В.Р. Пшестанчик // Докл. АН СССР. - 1991. - Т. 318, № 1. - С. 139-143.

21. Миттова И.Я. Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs : монография / И.Я. Миттова, В.Р. Пшестанчик, В.Ф. Кост-рюков. - Воронеж : Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета, 2008. - 161 с.

22. Чоркендорф И., Наймантсведрайт X. Современный катализ и химическая кинетика. Долгопрудный : Интеллект, 2010,-504 с.

23. Крылов О.В., Шуб Б.Р. Неравновесные процессы в катализе. М. Химия, 1990, 284 с.

24. Миттова И .Я. Термооксидирование фосфида индия в среде, содержащей оксиды ванадия / И.Я. Миттова, В.В. Свиридова, В.Н. Семенов // Неорганические материалы. - 1991. - Т. 27, № 12. - С. 2491-2494.

25. Термическое окисление InP в присутствии РЬО в газовой фазе / И.Я. Миттова [и др.] // Неорганические материалы. - 1999. - Т. 35, № 1. - С. 13-16.

26. Сухочев А.С. Термическое окисление арсенида галлия с наноразмер-ными слоями переходных металлов на поверхности / А.С. Сухочев, Е.В. То-мина, И.Я. Миттова // Физика и химия стекла. - 2008. - Т. 34, № 6. - С. 953974.

27. Термическое окисление арсенида галлия с поверхностью, модифицированной оксидами переходных металлов / Е.В. Томина [и др.] // Физика и химия стекла. - 2010. - Т. 36, № 2. - С. 297-306.

28. Murashov V. Nanotechnology standards (Nanostructure science and technology) / Eds. V. Murashov, J. Howard. - Springer, 2011. - 260 p.

29. Научные основы нанотехнологий и новые приборы / под ред. Р. Кел-салла, А. Хамли, М. Геогегана ; пер. с англ. А.Д. Калашникова. - Долгопрудный : Интеллект, 2011. - 527 с.

30. Иевлев В.М. Тонкие плёнки неорганических материалов : механизм роста и структура : учеб. пособие / В.М. Иевлев. - Воронеж : Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета, 2008. -496 с.

31. Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси Si / А.И. Никифоров [и др.] // Физика твёрдого тела. - 2005. - Т. 47, вып. 1. - С. 67-69.

32. Никитин М.М. Технология и оборудование вакуумного напыления / М.М. Никитин. -М.: Металлургия, 1992. 112 с.

33. Магнитные свойства термически напылённых тонких плёнок Fe/GaAs (100) / А.А. Веселов [и др.] // Журнал технической физики. - 2002. - Т. 72, вып. 8.-С. 139-142.

34. Алиев Р.А. Влияние условий синтеза на фазовый переход металл-полупроводник в тонких плёнках диоксида ванадия / Р.А. Алиев, В.А. Климов // Физика твёрдого тела. - 2004. - Т. 46, вып. 3. - С. 515-519.

35. Твердофазные взаимодействия при термическом оксидировании структур Ni/InP / И.Я. Миттова [и др.] // Неорганические материалы. - 2001. -Т. 37, №4.-С. 399-404.

36. Кузьмичев А.И. Магнетронные распылительные системы. Кн. 1. Введение в физику и технику магнетронного распыления / А.И. Кузьмичев. - К.: Аверс, 2008. - 244 с.

37. Влияние отжига на магнитные и магнитооптические свойства плёнок Ni / Шалыгина Е.Е. и др. // Физика твёрдого тела. - 2005. - Т. 47, вып. 4. - С. 660-665.

38. Transparent conducting p-type NiO thin films prepared by magnetron sputtering / H. Sato, T. Minami,S. Takata, T. Yamada // Thin Solid Films. - 1993. -Vol. 236, N. 1-2.-P. 27-31

39. Structural, electrical and optical properties of sputtered vanadium pentox-ide thin films / M. Benmoussa [et. al.] // Thin Solid Films. - 1995. - Vol. 265, N. 1-2. P. 22-28.

40. Shigesato Y. Thermochromic V02 films deposited by RF magnetron sputtering using V203 or V205 targets / Y. Shigesato, M. Enomoto, H. Odaka // Japanese Journal of Applied Physics. - 2000 - Vol. 39, N 10. - P. 6016-6023.

41. Optical and structural properties of vanadium pentoxide films prepared by d.c. reactive magnetronsputtering / Li-Jian Meng [et. al.] // Thin Solid Films. -2006.-Vol. 515, N. l.-P. 195-200.

42. Fateh N. Structural and mechanical properties of dc and pulsed dc reactive magnetron sputtered V205 films / N. Fateh, G. A. Fontalvo, C. Mitterer // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2007. - Vol. 40. - P. 7716.

43. New transparent conducting thin films using multicomponent oxides composed of ZnO and V2O5 prepared by magnetronsputtering / Toshihiro Miyata [et. al.] // Thin Solid Films. - 2002. - Vol. 411, N. 1. - P. 76-81.

44. Термическое окисление поверхности InP, модифицированной смесями NiO+PbO разного состава / И.Я. Миттова [и др.] // Неорганические материалы. - 2005. - Т. 41, № 4. - С. 391-399.

45. Термооксидирование InP наноразмерными слоями V205+Pb0 разного состава / A.A. Самсонов [и др.] // Неорганические материалы. - 2011. - Т. 47, №2.-С. 138-145.

46. Твердофазные взаимодействия при термическом оксидировании структур Ni/InP / И.Я. Миттова [и др.] // Неорганические материалы. - 2001. -Т. 37, №4.-С. 399-404.

47. Рогов A.B. Формирование коллоидного раствора металлических на-ночастиц при магнетронном напылении на поверхность жидкости /A.B. Рогов, С.С. Фанченко, Н.Е. Белова // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 11-12.-С. 101-103.

48. Перекрестов В.И. Образование островковых структур при осаждении слабопересыщенных паров алюминия / В.И. Перекрестов, A.B. Коропов, С.Н. Кравченко // Физика твёрдого тела. - 2002. - Т. 44, вып. 6. - С. 1131-1136.

49. Бурцев В.А. Электрический взрыв проводников и его применение в электрофизических установках / В.А. Бурцев, Н.В. Калинин, A.B. Лучинский - М. : Энергоатомиздат, 1990. - 288 с.

50. Котов Ю.А. Исследование частиц, образующихся при электрическом взрыве проводников / Ю.А. Котов, H.A. Яворский // Физика и химия обработки материалов. - 1978. - № 4. - С. 24-29.

51. Ильин А.П. Проблемы совершенствования электровзрывной технологии получения нанодисперсных порошков / А.П. Ильин, О.Б. Назаренко // Известия высших учебных заведений. Химия и химическая технология. -2008. - Т. 51, вып. 7. - С. 61-64.

52. Орешкин B.B. Применение электрического взрыва проволочек для получения наноразмерных порошков / В.В. Орешкин, B.C. Седой, Л.И. Чеме-зова // Прикладная физика. - 2001. - № 3. - С. 94-102.

53. Superheating of solid metal prior to electric explosion of wires at fast energy deposition / M. N. Krivoguz [et al.] // J. Phys. A: Math. - 2003. - N. 36. - P. 6041-6048.

54. Наносекундный электрический взрыв вольфрамовых проволочек в различных средах / A.B. Тер-Оганесьян [и др.] // Физика плазмы. - 2005. - Т. 31, №11.-С. 989-996.

55. Иванов Г.В. Закономерности окисления и самовоспламенения на воздухе электровзрывных ультрадисперсных порошков металлов /Г.В. Иванов, О.В, Гаврилюк // Физика горения и взрыва. - 1999. - Т. 35, № 6. - С. 53-60.

56. Мутас И.Ю. Взаимодействие нанопорошков алюминия различной дисперсности с газообразной водой / И.Ю. Мутас, А.П. Ильин // Известия Томского политехнического университета. - 2004. - Т. 307, № 4. - С. 89-92.

57. Лернер М.И. Пассивация нанопорошков металлов, полученных электрическим взрывом проводников / М.И. Лернер, И.И. Шиманский, Г.Г. Савельев // Известия Томского политехнического университета. - 2007. - Т. 310, №2.-С. 132-136.

58. Назаренко О.Б. Процессы получения нанодисперсных тугоплавких неметаллических соединений и металлов методом электрического взрыва проводника. Автореф. дисс. доктора тех. наук. Томск: Томский политех, ун-т, 2006. 39 с.

59. Получение нанопорошка вольфрама методом электрического взрыва проводника / А.П. Ильин [и др.] // Известия Томского политехнического университета. - 2005. - Т. 308, № 4. - С. 68-70.

60. Характеристики нанопорошков оксида никеля, полученных электрическим взрывом проволоки / Ю.А. Котов [и др.] // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, вып. 10. - С. 39-43.

61. Назаренко О.Б. Влияние условий синтеза на свойства электровзрывных нанопорошков карбидов металлов / О.Б. Назаренко // Известия Томского политехнического университета. Серия: Технические науки. - 2003. - Т. 306, №6.-С. 62-66.

62. Лернер М.И. Зависимость дисперсности нанопорошков металлов и процесса их агломерации от температуры газовой среды при электрическом взрыве проводников / М.И. Лернер, В.И. Давыдович, Н.В. Сваровская // Физическая мезомеханика. - 2004. - 7 спец. выпуск, 4.2. - С. 340-343.

63. Tepper F. Nanosize powders produced by electro-explosion of wire and their potential applications / F. Tepper // Powder metallurgy. - 2000. Vol. 43, N 4. -P. 320-322.

64. Preparation of Cu, Ag, Fe and A1 nanoparticles by the exploding wire technique / P. Sen [et. al.] / Journal of Chemical Sciences. - 2003. - Vol. 115, N5-6. -P. 499-508

65. Особенности активных центров катализатора W - ZSM-5 дегидроаро-матизации метана по данным ПЭМВР / В. В. Козлов [и др.] // Кинетика и катализ. - 2008. - Т. 49, № 1.-С. 117-121.

66. Характеристики нанопорошков оксида алюминия, полученных методом электрического взрыва проволоки / Ю.А. Котов [и др.] // Российские на-нотехнологии. - 2007. - Т. 2, №7-8. - С. 109-115.

67. Нанопорошки оксидов железа, полученные электрическим взрывом проволоки / Ю.А. Котов [и др.] // Неорганические материалы. - 2007. - Т. 43, №6.-С. 719-734.

68. Preparation of nano metal carbide powders by explosion of conductors in liquid hydrocarbons / Young Soon Kwon [et al.] // J. Ind. Eng. Chem. - 2004. -Vol.10, No. 6.-P. 949-953.

69. Goswami Navendu Photoluminescent properties of ZnS nanoparticles prepared by electro-explosion of Zn wires / Navendu Goswami, P. Sen // Journal of Nanoparticle Research. - 2007. - Vol. 9, N 3. - P. 513-517.

70. Получение и свойства электровзрывных нанопорошков сплавов и ин-терметаллидов / А.П. Ильин [и др.] // Известия Томского политехнического университета. - 2005. - Т. 308, № 4. - С. 71-74.

71. Fu Y. Characterization of nanocrystalline TiNi powder / Y. Fu, C. Shear-wood // Scripta Materialia. - 2004. - Vol. 50, N 3. - P. 319-323.

72. Пул Ч., Оуэне Ф. Нанотехнологии / Ч. Пул, Ф. Оуэне. - М.: Техносфера, 2005. - 336 с.

73. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии / Гусев А.И. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2005. - С. 416.

74. Стефанович Г.Б. Электрическое переключение в структурах металл— диэлектрик—металл на основе гидратированного пентаоксида ванадия/ Г.Б.Стефанович, А.Л. Пергамент, Е.Л.Казакова // Письма в ЖТФ. - 2000. - Т. 26, № 11.-С. 62-67.

75. Фазовый переход металл—полупроводник в пленках нестехиометри-ческого диоксида ванадия / О.Я.Березина [и др.] // Неорганические материалы. - 2007. - Т. 43, №5. - С. 577-583.

76. Livage J. Vanadium Pentoxide Jels / Chem. Mater. - 1991, №3. - P. 578593.

77. Синтез, структура и свойства нанотрубок пентаоксида ванадия / A.B. Григорьева [и др.] // Физика и химия стекла. - 2007. - Т.33, №3. - С.232 - 236.

78. Захарова Г.С. Интеркалаты оксидов ванадия и нанотубулены на их основе: синтез, строение, свойства : автореф. дисс. ... д-ра хим. наук / Г.С. Захарова. - Екатеринбург, 2007. - 47 с.

79. Синтез пленок диоксида ванадия модифицированным золь-гель-методом / Д.А. Виниченко [и др.] // Неорганические материалы. - 2011. - Т. 47, №3,-С. 330-335.

80. Структура и электрофизические характеристики пленок оксидов ванадия на кремнии, полученных золь-гель методом / Е.А. Тутов [и др.] // Кон-

денсированные среды и межфазные границы. - 2011. - Т. 13, № 3. - С. 358362.

81. Sahana М.В. Microstructure and properties of V02 thin films deposited by MOCVD from vanadyl acetylacetonate / M.B. Sahana, M.S. Dharmaprakash, S.A. Shivashankar / J. Mater. Chem. - 2002. - Vol. 12. - P. 333-338.

82. Atmospheric pressure chemical vapour deposition of tungsten doped vana-dium(IV) oxide from VOCI3, water and WC16 / Troy D. Manning, Ivan P. Parkin // Journal of Materials Chemistry. - 2004. - Vol. 14. - P. 2554-2559.

83. Intelligent window coatings: atmospheric pressure chemical vapour deposition of vanadium oxides / Troy D. Manning [et al.] // J. Mater. Chem. - 2002. -Vol. 12.-P. 2936-2939.

84. Kaid M.A. Characterization of electrochromic vanadium pentoxide thin films prepared by spray pyrolysis / M.A. Kaid // Egypt. J. Solids. - 2006 - Vol. 29, N2.-P. 273-291.

85. Тиокарбамидные координационные соединения в процессах синтеза твердых растворов Cdi.xZnxS / А.В. Наумов, Т.В. Самофалова, В.Н. Семенов, И.В. Нечаев // Журнал неорганической химии. - 2011. - Т. 56, № 4. - С. 666672.

86. Фазовый состав и микроструктура пленок In3S4 и CuInS2, осажденных на кремнии методом пиролиза аэрозоля / А.В. Сергеева [и др.] // Неорганические материалы. - 2007. - Т. 43, № 10. - С. 1170-1174.

87. Люминесценция и фотопроводимость пленок сульфида кадмия, легированных элементами I группы / А.В. Наумов [и др.] // Неорганические материалы. - 2006. - Т. 42, № 5. - С. 523-529.

88. Сергеева А.В. Влияние комплексообразования в растворах 1пС1з - тио-карбамид на осаждение пиролитических слоев сульфида индия / А.В. Сергеева, А.В. Наумов, В.Н. Семенов // Вестник Воронежского государственного университета. Сер. : Химия. Биология. Фармация. - 2008. - № 1. - С. 41-46.

89. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов / А.В. Двуречен-ский, Г.А. Качурин, Е. В. Нидаев, JI.C. Смирнов ; АН СССР. Сибирское отд.

Ин-т физики полупроводников; [отв. ред. А. В. Ржанов]. - М. : Наука, 1982. -208 с.

90. Влияние фотонного облучения на процесс рекристаллизации тонких металлических плёнок/ В.М. Иевлев [и др.] // Физика металлов и металловедение. - 2007. - Т. 103, № 1. - С. 61-66.

91. Нанокристаллизация аморфного сплава Al87Nii0Nd3 при импульсной фотонной обработке/ O.K. Белоусов [и др.] //«НАНО 2007» 13-16 марта 2007 г., материалы конференции, г. Новосибирск. - С. 110.

92. Действие импульсного фотонного облучения на образование нанокристаллической структуры в аморфных сплавах Fe-P-Nb / Вавилова В.В. [и др.] //Металлы. -2011. -№3. -С.85-92.

93. Свойства поверхности кремния после лазерной обработки импульсами наносекундной длительности / В.А. Пилипенко [и др.] // Инженерно-физический журнал. - 2008 г. - Т. 81, № 3. - С. 592-595.

94. Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя/ Д.С. Точилин [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. - 2007. - № 4. - С. 152-154.

95. Фазовые, структурные и морфологические превращения в пленочных гетероструктурах W — С при импульсной фотонной обработке / В.М. Иевлев [и др.] // Перспективные материалы. - 2008. - №3. - С. 5-14.

96. Синтез наноструктурированных пленок SiC при импульсной фотонной обработке Si в углерод содержащей среде/ В. М. Иевлев [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхнотронные и нейтронные исследования. — 2009.-№ 10.-С. 48-53.

97. Синтез пленок рутила, активируемый фотонной обработкой / В.М. Иевлев [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2011. - №4. - С. 59.

98. Influence of rapid thermal ramp rate on phase transformation of titanium silicides/ Hu Y.Z. [et al] // Electrochemical Society Proceedings. - 1999. - V. 99, № 10.-P. 229-236.

99. Синтез пленок TiSi2 в процессе вакуумной конденсации и методом импульсной фотонной обработки / В. М. Иевлев [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2009. - Т. 11, № 3. - С. 216-220.

100. Получение TiSi2 при импульсной фотонной обработке гетероструктуры TiN/Ti/Si / В.М. Иевлев [и др.] // Неорганические материалы. - 2009. - Т. 45, № 7. - С. 835-838.

101. Структура и оптические свойства пленок диоксида титана, легированных лантаном / Ю.В. Герасименко [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2010. - Т. 12, № 4. - С. 348-354.

102. Термическое окисление гетероструктур V2S5/IiiP в кислороде / И.Я. Миттова [и др.] // Неорганические материалы. - 2000. - Т. 36, № 10. - С. 1165-1168.

103. Ускоренное термическое окисление фосфида индия в присутствии VOCl2 / И.Я. Миттова [и др.] // Неорганические материалы. - 1992. - Т. 28, №7.-С. 1360-1364.

104. Миттова И.Я. Окисление плёнок ванадия на подложке из InP / И.Я. Миттова, Е.В. Томина, A.A. Лапенко // Неорганические материалы. - 2005. -Т. 41, №3.-С. 263-267.

105. Лапенко A.A. Эволюция наноразмерных плёночных и островковых структур Me/InP (GaAs) и MexOy/InP (GaAs) (Me=V, Co) в процессе термооксидирования : диссертация . канд. хим. наук : 02.00.01 / A.A. Лапенко ; Воронеж. гос. ун-т; науч. рук. И.Я. Миттова. - Воронеж, 2010.-214с.

106. Управление топохимическими реакциями темоокисления на поверхности монокристаллов AmBv / E.B. Томина [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. - Воронеж, 2008. - Т. 10, № 2. - С. 172-182.

107. Динамика состава и структуры поверхности InP при его окислении в присутствии V и V205 / A.A. Лапенко [и др.] // Неорганические материалы. -2008.-Т. 44, №11.-С. 1293-1299.

108. Транзитное и каталитическое окисление полупроводников АШВУ с нанесенными наноразмерными слоями оксидов кобальта и ванадия различ-

ной толщины / Б.В. Сладкопевцев [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2010. - Т. 12, № 3. - С. 268-275.

109. Термическое окисление арсенида галлия с поверхностью, модифицированной оксидами переходных металлов / Е.В. Томина [и др.] // Физика и химия стекла. - 2010. - Т. 36, № 2. - С. 297-306.

110. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников : Учебное пособие для студ. хим. спец. вузов / Я.А. Угай. - 2-е изд, перераб. и доп. - М. : Высш. шк., 1975.-302 с.

111. Химическая энциклопедия : [В 5 т.] / Гл. ред. И.Л. Кнунянц. - М. : Советская энциклопедия, 1988. Т. 2: Даф - Мед. - 1990. - 671 с.

112. Сангвал К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение / К. Сангвал ; Пер. с англ. A.B. Быстрицкого; Под ред. Т.И. Марковой. - М. : Мир, 1990.-496 с.

113. Угай Я.А. Неорганическая химия : Учеб. для студ. вузов, обуч. по спец. «Химия». - М. : Высшая школа, 1989. - 462 с. : ил.

114. Неорганическая химия : Химия элементов : Учебник для студ. хим. фак. ун-тов / Ю. Д. Третьяков, JL И. Мартыненко, А. Н. Григорьев, А. Ю. Ци-вадзе. -М.: Академкнига, МГУ, 2007 г. 1216 с.

115. Ningyil Y. Comparison of V02 thin films prepared by inorganic sol-gel and ffiED methods / Y. Ningyil // J. Appl. Phys. A. - 2003. - Vol. 78. - P. 777780

116. Kyoungho L. Dependence of electrochemical properties of vanadium oxide films on their nano- and microstructures / Kyoungho Lee, Ying Wang, Guo-zhong Cao // J. Phys. Chem. B. - 2005. - N 109. - P. 16700-16704.

117. Захарова Г.С. Интеркаляционные соединения на основе ксерогеля оксида ванадия (V) / Г.С. Захарова, B.JI. Волков // Успехи химии. - 2003. - Т. 72, №4.-С. 346-362.

118. Волков B.J1. Нанокомпозиты со слоистой структурой ксерогеля У205'пН20 / B.JI. Волков, Г.С. Захарова, JI.A. Переляева // Журнал неорганической химии. - 2006. - Т. 51, № 1. - С. 47-51.

119. Синтез и каталитические свойства наноостровков V2O5, полученных электровзрывным методом на поверхности кристаллов InP / И.Я. Миттова [и др.] // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, № 4. - С. 441-446.

120. Thin layers deposited from V2O5 gels: A conductivity study / J Bullot [et al.] //Journal of Non-Crystalline Solids. - 1984. - Vol. 68, N 1. - P. 123-134

121. Mandouh El Z.S. Physical properties of vanadium pentoxide sol gel films / El Z.S. Mandouh, M.S. Selim / Thin solid films. - 2000. - Vol. 37, N 1. - P. 259-263.

122. Канныкин C.B. Синтез нанокристаллических оксидных пленок никеля и олова методом импульсной фотонной обработки : диссертация... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 Воронеж, 2007. - 112 с.

123. Fujiwara Н. Spectroscopic Ellipsometry: Principles and Applications / H. Fujiwara - John Wiley & Sons Inc., 2007. - 370 p.

124. Аззам P. Эллипсометрия и поляризованный свет / Р. Аззам, Н. Баша-ра. -М.: Издательство «Мир», 1981. 584 с.

125. Эллипсометрия - прецизионный метод контроля тонкопленочных структур с субнанометровым разрешением / Швец В.А. [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 3-4. - С. 91-102.

126. Эллипсометрия физико-химических процессов на межфазных границах / С.В. Рыхлицкий [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2006. - Т. 8, №4. - С. 327-333.

127. Studies of metallic multilayer structures, optical properties, and oxidation using in situ spectroscopic ellipsometry / Xiang Gao [et al.] // J. Vac. Sci. Technol. A. - 1998. - Vol. 16. - P. 429-435.

128. Studies of thin strained InAs, AlAs, and AlSb layers by spectroscopic ellipsometry / C.M. Herzinger [et al.] // J. Appl. Phys. - 1996. - Vol. 79, N 5. - P. 2663-2674.

129. InP optical constants between 0.75 and 5.0 eV determined by variableangle spectroscopic ellipsometry / C.M. Herzinger [et al.] // J. Appl. Phys. - 1995. -Vol. 77, N4.-P. 1715-1724.

130. Infrared optical properties of mixed-phase thin films studied by spectroscopic ellipsometry using boron nitride as an example / M. Schubert [et. al] // J. Physical Review B. - 1997. - Vol. 56, N 20. - P. 13306-13313.

131. Dielectric function of amorphous tantalum oxide from the far infrared to the deep ultraviolet spectral region measured by spectroscopic ellipsometry / Eva Franke [et al.] // J. Appl. Phys. - 2000. - Vol. 88, N 9. - P. 5166-5174.

132. Спесивцев E.B. Развитие методов и средств оптической эллипсомет-рии в Институте физики полупроводников / Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, В.А. Швец // Автометрия. - 2011. -Т. 47, №5. - С. 5-12.

133. Handbook of ellipsometry. Ed. by H.G. Tompkins and E.A Irene. William Andrew Publishing, Springer, 2005. 870 c.

134. Fujiwara H. Spectroscopic ellipsometry : Principles and Applications. John Wiley&Songs Ltd. The Atrium, Chichester, West Sussex, England, 2007. 369 c.

135. Миттова И.Я. Физико-химия термического окисления кремния в присутствии примесей / И.Я. Миттова. - Воронеж : Изд-во Воронежского унта, 1987. -195 с.

136. Пентин Ю.А. Физические методы исследования в химии / Ю.А. Пен-тин, Л.В. Вилков. -М. : Мир : ACT, 2003. - 683 с.

137. X-ray Characterization of Materials / Е. Lifshin (ed.). - Weinheim: Wiley-VCH, 1999.-277 p.

138. Diffraction Data. Catalog // International centre for diffraction data.

139. Брандон Д. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля / Д. Брандон, У. Каплан ; Пер. с англ. под ред. С.Л. Баженова. - М. : Техносфера, 2004. - 377 с.

140. Рентгеноэлектронная и фотоэлектронная спектроскопия / Нефедов В.И. -М.: Знание, 1983. - 62 с.

141. Farrukh М.А. Advanced Aspects of Spectroscopy / Ed. M.A. Farrukh. InTech.-2012.-548 p.

142. Карлсон Т. Фотоэлектронная и Оже-спектроскопия / Т.А. Карлсон. -Л.: Машиностроение, 1981. -431 с.

143. Электронный ресурс http://www.lasurface.com/accueil/index.php

144. Еловиков С.С. Оже-электронная спектроскопия // Соросовский Образовательный Журнал. 2001. № 2. Том 7. С. 82 - 88.

145. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких плёнок: Пер. с англ. - М.: Мир, 1989. - 344 с.

146. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ / Дж. Гоулдстейн и др. // Пер. с англ. - М.: Мир, 1984. -303 с.

147. Scanning tunneling microscopy in surface science, nanoscience and catalysis / Editors Bowker M., Davies P.R. - Wiley-VCH, 2010.-261 p.

148. Миронов В. Основы сканирующей зондовой микроскопии : учебное пособие для студентов старших курсов вузов / В. Миронов ; Рос. акад. наук, Ин-т физики микроструктур. -М. : Техносфера, 2005. - 143 с.

149. Каталитический эффект нанослоя композита (V2O5 + РЬО) в процессе термооксидирования кристалла InP / В.М. Иевлев [и др.] // Доклады АН. -2007. - Т. 417, № 4. - С. 497-501.

150. Березина О.Я. Влияние условий синтеза и легирования на физические свойства оксидов ванадия : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук / Петрозаводский гос. ун-т. - Петрозаводск, 2007. - 17 с.

151. Термическое окисление структур InP / V2O5 / И.Я. Миттова [и др.] // Неорганические материалы. - 1992. - Т. 28, № 2. - С. 288-292.

152. Термодинамические свойства индивидуальных веществ : Справочное издание : В 4 т. / Л.В. Гурвич, И.В. Вейц, В.А. Медведев и др. - М. : Наука. Т. 3, Кн. 2-1981 г.; Т. 4, Кн. 2. - 1982 г.

153. Adachi S. Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors. Numerical data and graphical information. Kluwer Academic Publishers. 1999. 714 c.

154. Тематические базы данных Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе. http://www.ioffe.ru/SVA/NSMynk/index.html

155. Влияние наноостровков V2O5 на состав и структуру поверхности InP в процессе термооксидирования / И.Я. Миттова [и др.] // Неорганические материалы. - 2011. - Т. 47, № 8. - С. 901-906.

156. Aspnes D.E. Optical properties of thin films / D.E. Aspnes // Thin Sol. Films. - 1982. - Vol. 89. - P. 249.

157. Миттова И.Я. Термическое окисление структур InP/PbO / И.Я. Миттова, В.Р. Пшестанчик, О.М. Малышев // Изв. АН СССР, сер. Неорган, материалы. - 1992. - Т. 28, № 5. - С. 2041-2044.

158. Practical surface analysis by auger and X-ray photoelectron spectroscopy. 2nd edition, ed. M.P. Seah and D. Briggs. Wiley & Sons, Chichester, UK. 1992.

159. Indium and tin oxide nanowires by vapor-liquid-solid growth technique Pho Nguyen, Sreeram Vaddiraju, M. Meyyappan // Journal of electronic materials. - 2006. - Vol. 35, N. 2. - P. 200-206.

160. Simple and coordination compounds / Nefedov V.I. [et al.] // Russian Journal of Inorganic Chemistry. - 1975. - Vol. 20. - P. 2307-2314.

161. Shih P.Y. Thermal and corrosion behavior of P205-Na20-Cu0 glasses / P.Y. Shih, S.W. Yung, T.S. Chin // Journal of non-cristalline solids. - 1998. - Vol. 224.-P. 143-152.

162. Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy / C.D. Wagner, J.F. Moulder, L.E. Davis, W.M. Riggs. 1st Ed., Perkin-Elmer, Eden Prairie, MN 1979.

163. Yarn K.-F. High sensitive hydrogen sensor by Pd/oxide/InGaP MOS structure / Yarn K.-F. // Modern physics letters B. - 2006 - Vol. 20, N 28. - P. 1781-1787.

164. Study of electron-beam evaporated Sn-doped ln203 films / S.M.A. Durrani [et al.] // Solar energy materials and solar cells. - 1996. - Vol. 44, N 1. - P. 37-47.

165. Evolution of oxidation states in vanadium-based catalysts under conventional XPS conditions / L. Suchorski [et al.] // Applied Surface Science. - 2005. -Vol. 249. P. 231-237.

166. Tian X.S. Component effects on the vanadium oxide thin films phase transition character phenomenon / X.S. Tian, J.C. Liu, Q.Wang // Laser Physics. -2008.-Vol. 18, N10.-P. 1207-1211.

167. XPS investigations achieved on the first cycle of V205 thin films used in lithium microbatteries / A. Benayad [et al.] // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. - 2006. - Vol. 150. - P. 1-10.

168. Веке S. A rewiew of the growth of V205 films from 1885 to 2010 / S. Веке // Thin solid films. -2011,- Vol. 519. - P. 1761 -1771.

169. Каталитическое действие ванадия и его оксида (V) в процессах оксидирования полупроводников АШВУ / И.Я. Миттова [и др.] // Наносистемы: физика, химия, математика. - 2012. - Т. 3, № 2. - С. 116-138.

170. Layered structure of vanadium pentoxide gels / P. Aldebert [et al.] // Materials Research Bulletin. - 1981. - Vol. 16, N 6. - P. 669-676.

171. Влияние метода синтеза на электрохимические характеристики ксе-рогелей V205 при внедрении лития / Д.А. Семененко [и др.] // Альтернативная энергетика и экология. - 2007. - № 4. - С. 82-86.

172. Сравнительный анализ физико-химических свойств наноматериалов на основе оксидов ванадия, получаемых гидротермальным и гидротермально-микроволновым методами / С.В. Балахонов [и др.] // Наносистемы: физика, химия, математика. - 2012. - Т. 3, № 4. - С. 66-74.

173. Электрохимическое внедрение лития в многостенные нанотрубки оксида ванадия / А.В. Григорьева [и др.] // Альтернативная энергетика и экология. - 2008. - № 8 (64). - С. 86-92.

174. Кировская И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Химический состав поверхности. Катализ / И.А. Кировская. - Иркутск : Изд-во Иркут. ун-та, 1988. - 167 с.

175. Кировская И.А. Физико-химические свойства поверхности соединений InBv / И.А. Кировская // Неорганические материалы. - 1999. - Т. 35, № 5. -С. 535-540.

176. Штабнова В.JI. Химический состав поверхности соединений InBv / В.Л. Штабнова, И.А. Кировская // Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1989. - Т. 25, № 2. - С. 207-211.

177. Миттова И.Я. Многоканальные реакции при хемостимулированном термическом окислении полупроводников - транзит, сопряжение, катализ / И.Я. Миттова // Вестник Воронеж, ун-та. Сер.Химия, биология. - 2000. - №2. -С. 5-12.

178. Миттова И. Я. Получение диэлектрических пленок на GaAs в присутствии оксида сурьмы в газовой фазе / И. Я. Миттова, В. В. Васильева // Изв. АН СССР. сер. Неорганические материалы. - 1988. - Т. 24, №. 4. - С. 538-541.

179. Миттова И. Я. Трехкомпонентные композиции системы Pb0-Sb203-Bi203 как хемостимуляторы процесса термооксидирования GaAs / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, В. Ф. Кострюков // Журнал неорганической химии. - 2003. - Т. 48, №. 1. - С. 46-51

180. Миттова И.Я. Химия процессов целенаправленного создания функциональных диэлектрических слоев на полупроводниках при их примесном термооксидировании / И.Я. Миттова, В.Р. Пшестанчик // Успехи химии. 1991. Т.60, Вып. 9.-С. 1898-1919.

181. Миттова И.Я. Термическое окисление арсенида галлия в «беспримесной» и примесной атмосферах / И.Я. Миттова // Неорганические материалы. - 1992. - Т. 28, № 5. - С. 917-927.

182. Миттова И.Я. Термооксидирование фосфида индия при совместном воздействии V2O5 и NH3 / И.Я. Миттова, С.С. Лаврушина, М.В. Сычева // Микроэлектроника. - 2005. - Т. 34, № 1. - С. 51-55.

183. Выращивание диэлектрических слоев термическим окислением структур GaAs/ V2O5 / И.Я. Миттова [и др.] // Неорганические материалы. -1991. - Т. 27, № 9. - С. 1793-1797.

заторов с нанесенными ионами переходных металлов // Рос. Хим. Ж. Катализ на пути в XXI век, 2000. T. XLIV, № 1. - В. 1. - С. 57-70.

185. Активация процесса термического окисления GaAs сульфатами элементов IIIА группы / С.С.Лаврушина [и др.] // Журнал неорганической химии. - 2003. - Т. 48, № 7. - С. 1186-1190.