Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Исмаилова, Нупайсат Пахрудиновна

• Исмаилова, Нупайсат Пахрудиновна
• кандидат физико-математических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Исмаилова, Нупайсат Пахрудиновна

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. Дислокационная структура полупроводниковых соединений А1^8*14.

1.1. Процессы формирования дислокационной структуры полупроводниковых соединений

1.2. Влияние примесей на дислокационную структуру

Л полупроводниковых соединений А1^8^.

1.3. Особенности формирования дислокационной структуры в монокристаллических слоях БЮ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x»

Развитие электронной техники требует применения новых материалов для создания полупроводниковых приборов, надежно работающих в экстремальных условиях эксплуатации. К числу перспективных материалов, обладающих высокой химической, механической, тепловой и радиационной стойкостью, относится карбид кремния и твердые растворы на его основе.

Наибольший интерес исследователей привлекают твердые растворы (8Ю)1.Х(А1М)Х. Особенно перспективны твердые растворы фС)1.х(А1М)х для создания приборов, основанных на гетеропереходах (инжекционные лазеры, светодиоды, фотоприемники и т.д.), так как близость параметров решеток ЭЮ и (81С)1.Х(А1М)Х позволяет получать гетеропереходы с малым числом состояний на границе раздела.

Для широкого применения твердых растворов (5Ю)1Х(АМ)Х в электронной технике необходимо решить проблему управляемого получения структурно совершенных эпитаксиальных слоев (ЭС) твердых растворов (81С)1.Х(А1>Т)Х. Повышение структурного совершенства эпитаксиальных слоев требует проведения широкого комплекса исследований, направленных на установление связи дислокационной структуры ЭС (81С)1.Х(А1Ы)Х с условиями их выращивания, формирование дислокационной структуры переходной области подложка 8Ю - эпитаксиальный слой (8Ю)1Х(АШ)Х, изучение динамики дислокаций в ЭС твердых растворов (81С)1.Х(А1Ы)Х. Дислокации в полупроводниках, подобно примесям и другим дефектам решетки, выступают в качестве электрически активных центров, движение которых сильно изменяет электрические свойства полупроводников.

Однако широкое применение гетероэпитаксиальных слоев (ГЭС) п-81С/р-(8Ю)1-х(АШ)х сдерживается недостаточной изученностью процессов, протекающих в приграничной области перехода и их влияния на свойства гетероструктур. Энергетическая структура гетероперехода (ГП) п-8Ю/р

81С)1.Х(АШ)Х все еще не изучена. Не решена проблема создания общей модели, которая позволила бы правильно интерпретировать полученные экспериментальные данные и прогнозировать свойства анизотипных гетеропереходов. Экспериментальные данные сильно зависят от технологических условий выращивания гетероперехода, наличия поверхностных состояний на границе раздела. Благодаря этому, создать общую модель весьма сложно. В данной работе для интерпретации экспериментальных данных ГП п-81С/р-(81С)1.х(АШ)х применяется модель [1], которая позволяет получить информацию о формировании и свойствах границы раздела гетероперехода.

Таким образом, получение структурно совершенных ЭС (8Ю)1.Х(А1Ы)Х и исследование свойств гетероструктур на их основе имеет важное практическое значение для создания полупроводниковых приборов, надежно работающих в экстремальных условиях эксплуатации.

Омические контакты, являясь важными элементами структуры полупроводниковых приборов, определяют параметры, эффективность и надежность их работы. Приборы на основе широкозонных полупроводников работают при высоких температурах и больших плотностях тока, поэтому получение низкоомных, стабильных при высоких температурах, омических контактов к ЭС твердых растворов (8Ю)1.Х(А1Ы)Х весьма актуально.

Данная диссертационная работа посвящена:

- изучению дислокационной структуры ЭС твердых растворов (БЮ^. Х(АМ)Х в связи с условиями роста и легирования;

- исследованию влияния дислокационной структуры переходной области подложка - эпитаксиальный слой на свойства ГЭС п-81С/р-(81С)1. х(АШ)х;

- получению и исследованию свойств омических контактов к 8Ю и ЭС твердых растворов (81С)1.Х(АМ)Х.

- расчету зонной энергетической диаграммы ГП п-81С/р-(81С)1.х(АШ)х, с целью прогнозирования свойств и кинетики проводимости.

Цель работы.

1. Получение структурно совершенных ЭС твердых растворов (81С)1.Х(АМ)Х, путем формирования дислокационной структуры в процессе выращивания.

2. Получение и исследование свойств омических контактов к и ЭС твердых растворов (8Ю)1.Х(АШ)Х.

3. Исследование электрофизических свойств и расчет энергетической диаграммы гетеропереходов п-81С/р-(81С)1.х(А1Ы)х.

Задачи работы.

1. Исследование влияния условий роста и легирования на дислокационную структуру ЭС твердых растворов (8Ю)1.Х(АМ)Х.

2. Изучение динамики дислокаций в ЭС твердых растворов (81*С)1.Х(АШ)Х.

3. Исследование влияния дислокационной структуры переходной области подложка БЮ- эпитаксиальный слой (8Ю)1.Х(АШ)Х на свойства ГЭС п-8Ю/р-(81С)1.х(А1Ы)х.

4. Получение и исследование омических контактов к БЮ и ЭС твердых растворов (81С)ьх(АШ)х.

5. Исследование электрофизических свойств гетеропереходов п-8Ю/р-(81С),.Х(АШ)Х.

6. Расчет энергетической диаграммы гетеропереходов п-8Ю/р-(81С)1х(АМ)х.

Научная новизна заключается в том, что впервые:

1. Установлено влияние условий роста и легирования на формирование дислокационной структуры ЭС твердых растворов (81С)1.Х(АШ)Х. Показано, что увеличение температуры выращивания в интервале 2100-г2600К приводит к уменьшению плотности дислокаций на 2-3 порядка. При легировании изовалентными примесями (ИВП) Ti, Zr обнаружен эффект упрочнения кристаллической решетки твердого раствора (SiC)i.x(AlN)x. Совместное легирование ИВП с азотом приводит к значительному снижению плотности дислокаций в ЭС (SiC)ix(AlN)x .

2. Установлено влияние дислокационной структуры переходной области подложка - эпитаксиальный слой на электрофизические свойства ГЭС n-SiC-p-(SiC)i.x(AlN)x. Наиболее совершенные по вольт-амперным характеристикам (ВАХ) гетероструктуры получаются при меньших плотностях дислокаций на границе раздел^. При высоких температурах выращивания -2600К, из-за взаимной диффузии наблюдается ухудшение свойств гетероструктур.

3. Получены и исследованы омические контакты Al, Al-Cr, Al-Ni, Al-Ni-Si к ЭС (SiC)i.x(AlN)x р- типа проводимости и Сг, Ni, Ni-Si к п -типу проводимости. Наименьшие сопротивления и хорошую адгезию имеют контактные системы Al-Ni-Si к p-(SiC)iX(A1N)X и Ni-Si к n- (SiC)i.x(AlN).

4. Рассчитана энергетическая диаграмма гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)i. X(A1N)X. Установлено, что диффузионный ток почти полностью обусловлен дырками. Разрыв в валентной зоне создает в области перехода заметный "пичок", ограничивающий инжекцию дырок, в результате чего при низких напряжениях ток будет обусловлен в основном рекомбинацией на границе раздела, а при высоких напряжениях -туннелированием.

5.Исследованы температурные зависимости диффузионной длины НТО в ГЭС n-SiC/p-(SiC)i.x(AlN)x методом фототока. Установлено, что при увеличении температуры диффузионная длина в целом растет и достигает значений 3-й мкм при 800К. Исключением является температурный диапазон 293-^350К, где наблюдается незначительное уменьшение диффузионной длины.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Влияние условий роста, легирования и дислокационной структуры переходной области подложка 81'С- эпитаксиальный слой (8Ю)1.Х(А1М)Х на электрофизические свойства ГЭС п-8Ю/р-(8Ю)1.х(АМ)х.

2. Зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов к ЭС твердых растворов (81С)1.Х(А1М)Х от состава твердого раствора и температуры термообработки.

3. Энергетическая диаграмма и прогнозирование на ее основе электрофизических свойств гетеропереходов п-8Ю/р-(8Ю)].х(А1М)х.

Практическая ценность:

1. Исследование влияния условий роста и легирования на формирование дислокационной структуры ЭС твердых растворов (81С)1-Х(АШ)Х позволяет определить оптимальные технологические режимы управляемого получения структурно совершенных ЭС твердых растворов фСЫАМ),.

2. Разработана методика получения и исследованы омические контакты к и ЭС твердых растворов (81С)1-Х(А1>Г)Х с целью создания на их основе высокотемпературных, радиационно-устойчивых приборов.

3. Результаты исследований электрофизических и рекомбинационных свойств ГЭС 8Ю/(8Ю)1.Х(АМ)Х позволяют использовать их для создания светоизлучающих приборов.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались на: 2— Международной конференции по высокотемпературной электронике (Альбуркек, США,

1996г.), 23— международном симпозиуме по полупроводниковым соединениям (Санкт-Петербург, 1996г.), 5 Всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых ученых (Екатеринбург, апрель 1999), Всероссийской конференции по физической электронике (Махачкала, май 1999г.), Международной научной конференции посвященной 275-летию РАН и 50-летию ДНЦ РАН (Махачкала, май 1999г.), Всероссийской конференции с международным участием Актуальные проблемы химической науки и образования (Махачкала, сентябрь 1999г.). Они докладывались также на итоговых научных конференциях Даггосуниверситета (1995-2003 гг.).

Публикации. Всего по теме диссертационной работы опубликовано 15 печатных работ.

Структура и объем диссертации.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав с выводами, заключения, изложенных на 152 страницах машинописного текста, списка литературы и приложения.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Исмаилова, Нупайсат Пахрудиновна

ВЫВОДЫ.

1. Методом сублимации получены гетероэпитаксиальные слои (SiC)ix(AlN)x большой площади (d = 5-10 мм) на подложках 6H-SiC. Повышение содержания A1N в образцах приводит к ухудшению морфологии и увеличению плотности дислокаций, как на поверхности, так и в глубине слоя.

2. Тепловые условия роста и охлаждения оказывают сильное влияние на процесс формирования дислокационной структуры ЭС твердых растворов (SiC)i-x(AlN)x. Увеличение температуры выращивания в интервале Тр=2100-г2600К приводит к уменьшению плотности дислокаций на 2-3 порядка. Установлено, что режим охлаждения выращенных ЭС (SiC)i.x(AlN)x определяет характер необратимого изменения их дислокационной структуры. Однородное распределение плотности дислокаций по диаметру образца наблюдается при скоростях охлаждения УОХЛ<950 К/ч.

3. Установлено, что легирование ЭС (SiC)i.x(AlN)x в процессе выращивания изовалентными примесями циркония, титана приводит к упрочнению кристаллической решетки, а их совместное легирование с азотом приводит к значительному снижению плотности дислокаций в твердых растворах (SiC)i.x(AlN)x.

4. Методами рентгеновской топографии и химического травления исследована дислокационная структура переходной области подложка SiC - ЭС (SiC)i.x (A1N)X. Установлено, что формирование дислокационной структуры переходной области определяется температурой кристаллизации. Степень релаксации напряжений, связанная с генерацией и движением дислокаций, определяет ширину переходной области.

5. Установлена зависимость скорости движения дислокаций на поверхности ЭС (81С)1.Х(АШ)Х от времени отжига и температуры термообработки в интервале 500-г2000°С. При температурах выше 1200°С наблюдается эффект упрочнения твердого раствора обусловленный взаимодействием дислокаций с точечными дефектами.

6. Проведены исследования технологических режимов изготовления омических контактов к ЭС твердых растворов (81С) 1Х(АШ)Х п -и р - типа проводимости. Наименьшие контактные сопротивления и хорошую адгезию имеют контактные системы А1-№-81 к р-(81С)1.х(А1Ы)х и N1-81 к п- (81С),.Х(АШ).

7. Установлено, что зависимость удельного переходного сопротивления омических контактов к ЭС (81С)1.Х(АШ)Х от температуры термообработки имеет минимум при Т^^ИОО^. Температура термообработки, при которой достигается минимум удельного контактного сопротивления, зависит от состава твердого раствора. Причем значение контактного сопротивления увеличивается с повышением состава твердого раствора, а область минимума контактного сопротивления рс при этом смещается к более высоким температурам термообработки.

8. Результаты исследований прямых ветвей ВАХ гетеропереходов п-6Н-81С/р-(81С)1.х(АШ)х показали, что они являются типичными для ВАХ анизотипный ГП. В области малых токов прямые ВАХ описываются законом j = ^ ехр(еи/ркТ), где 1<р<2. В области больших напряжений (и>2-2,5 В) прямой ток описывается выражением j = ^ ехр(Аи), где А принимает значения 5-10. Обратные ветви ВАХ гетеропереходов п-6Н-81С/р-(81С)1.х(АШ)х описываются выражением 15=Вехр(-еи/ркТ), где Р лежит в пределах 1.5-2, имея тенденцию к снижению при росте температуры.

9. ВФХ ГП п-81С-р-(81С)1.х(АШ)х линейны в координатах С*2 от и, что указывает на образование в них резкой гетерограницы. Из ВФХ определено значение контактной разности потенциалов Vd. Установлено, что с увеличением концентрации A1N в ЭС (SiC)i.x(AlN)x Vd растет, что связано, вероятно, с ростом ширины запрещенной зоны.

Ю.Установлено влияние дислокационной структуры переходной области подложка -эпитаксиальный слой на электрофизические свойства ГЭС п-SiC-p-(SiC)i.x(AlN)x. Наиболее совершенные по В АХ гетероструктуры получаются при меньших плотностях дислокаций на границе раздела. При высоких температурах выращивания ~2600К, из-за взаимной диффузии наблюдается ухудшение свойств гетероструктур.

11 .Рассчитана энергетическая диаграмма гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)i. X(A1N)X. Определены основные параметры зонной диаграммы ДЕС и AEV. Установлено, что диффузионный ток почти полностью обусловлен дырками. Разрыв в валентной зоне создает в области перехода заметный "пичок", ограничивающий инжекцию дырок, в результате чего при низких напряжениях ток будет обусловлен в основном рекомбинацией на границе раздела, а при высоких напряжениях — туннелированием.

12.Исследование времени жизни и диффузионной длины ННЗ в ГЭС п-SiC-p-(SiC)i.x(AlN)x позволило определить значение xst и Lp. Для исследованных структур xs лежит в интервале 0.63-10"10 -s- 1.03-10"9 с , a Lp в пределах 0,8 + 2,1 мкм (х=0.05 -ь 0.73) при Т=300К. Из температурной зависимости диффузионной длины ННЗ в ГЭС n-SiC-p-(SiC)i.x(AlN)x, установлено, что при увеличении температуры диффузионная длина в целом растет и достигает значений 3-г4 мкм при 800К. Исключением является температурный диапазон 293-K3 50К, где наблюдается незначительное уменьшение диффузионной длины.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Исмаилова, Нупайсат Пахрудиновна, 2003 год

1. Karafyllidis.Y, Hagouel.P, Kriezis.E. Semiconductor heterojunctions: a rigorous new model. // Microelectronics Journal. 1990.- v.21.- №5.- p.41-57.

2. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников.- М.: Металлургия.- 1986.- 256с.

3. Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич A.B. Эпитаксиальные9 /лпленки соединений А В . -JI.: Изд. Лен .университет.- 1978.- 3 Юс.

4. Современная кристаллография. т.З. Образование кристаллов. Под ред. Чернова A.A., Гиваргизова E.H., и др.- М.: Наука.- 1980.- 408с.

5. Современная кристаллография, т.4. Физические свойства кристаллов. Под ред. Шувалова JI.A., Урасовской A.A., Желудева И.С., и др. -М.: Наука.-1981.- 496с.

6. Сиротин ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. -М.: Наука-1975.- 680с.

7. Ovwaraye А.О., Smith S.R., Skowronski М., Mitchel Observation of surface defects in 6H-SiC wafers.// J.Appl.Phys. 1995.-74 (8).-p.5269-5271.

8. Блистанов A.A., Гераськин B.B. Дислокации в монокристаллах со структурой вюрцита.// Кристаллография.-1989.-т.14.-№32.-р.652-656.

9. Смородина Т.А. Кристаллографическое определение дислокаций в кристаллах структурного типа вюрцита.// Научные проблемы микроэлектроники.-М.:МИЭТ, 1985.-вып.20.-с.243-247.

10. Маделуг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и IV групп. /Пер. с англ.; Под ред. Болтакса Б.И. -М.: Мир.- 1967.- 477с.

11. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. -М.: Радио и связь.- 1982.-240с.

12. Демьянов Э.А., Смирнов В.В. Строителев С.А. О влиянии отклонений отстехиометрии на рост и морфологию кристаллов антимонида индия.// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. -1968.- т.4.- №9.- с. 1591-1592.

13. Chaudhuri A.R., Patel J.R., Rubin L.G. Velocities and densities of dislocations in Germanium and other semiconductor crystals/ // J. Appl. Phys.- 1982.- 33.-p.2736-2746.

14. Frisch H.L., Patel J.R. Chemical influence of holes and electrons on dislocation velocity in semiconductors.// Phys. Rev. Lett.- 1987.- 18.- p.784-787.

15. Ерофеев B.H., Никитенко В.И. Сопоставление экспериментальных данных и теории подвижности дислокаций в кремнии. //ЖЭТФ.- 1998.-т.60.-вып.5.- с.1780-1785.

16. Patel.J.R., Testardi L.R. Entropy of ionization and temperature variation of ionization levels of defect in semiconductors.// Phys. Rev.B.- 1987.-13.-p.3539-3550.

17. Судзуки Т., Ёсинага X., Такеути С. Динамика дислокаций и пластичность. / пер. с японского.; под ред. Осипьяна Ю.А. и Варданяна Р.А.- М.: Мир.-1989.- С.147.

18. Рид. В.Т. Дислокации в кристаллах. / Под ред. Динга И.А. -М.: Металлургия.- 1957.- 280с.

19. Халл Д. Введение в дислокации. / Пер с англ. ; Под ред. Быкова В.Н. -М.: Атомиздат.- 1968.- 280с.

20. Yoshinoga H., Matoruni S. Dislocations movement. // Phil. Mag.-1981.- v.23.-1351-1367.

21. Milvidsky M.G., Osvensky V.B., Shifrin S.S. Generation and movement ofdislocations in doped III-V compounds. // J. Cryst. Growth.- 1981.- v.52.-p.396-403.

22. Анастасьева H.A., Бублик B.T., Каратаев B.B. и др. Влияние изовалентных примесей на дефектообразование в монокристаллах InAs.// Кристаллография.- 1984.- т.29.- №6.- с. 1095-1098.

23. Гагина Н.В., Мильвидский М.Г., Шершанов А.И., Югова Т.Г. Влияние легирования изовалентными примесями на дефектообразование в гомоэпитаксиальных слоях GaAs. // Кристаллография.- 1982.- т.27.- №9.-с. 1025-1027.

24. Большева Ю.Н., Григорьев Ю.А., Гришина С.П. Влияние легирования изовалентными примесями на совершенство структуры монокристаллов GaAs. // Кристаллография.- 1982.- т.27. -№4.- с.722-728.

25. Shigehiro N., Yoshikazu Н., Hiroguki М., Tesiro Т. Chemical vapor deposition of single crystalline SiC films on silicon substrate with sputtered SiC intermediate layer. // J. Electrochem. Soc.- 1990.- №12.- p.2674-2680.

26. Tohno Shun-ichi, Kubota Eishi.The influence of isoelectronic doping on the density of dislocation of monocrystals InP. // Jap. J. Appl. Phys.- 1984.- pt.2, 23.-№2.- p.72-74.

27. Югова Т.Г., Вдовин В.И., Ганина H.B. и др. Исследование несоответствий эпитаксиальных пленок GaAs при легировании изовалентными примесями. // Кристаллография.- 1984.- т.29.- №5.- с.856-859.

28. Боженов В.К. Фистуль В.И. Изоэлектронные примеси в полупроводниках. // ФТП.- 1984.- т. 18.- вып.8.- с.1008-1017.

29. Джафаров Т.Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах. -JL: Наука.- 1978.-203с.

30. Левчук Б.И. Дислокационная структура монокристаллов карбида кремния в связи с условиями их роста. Канд. дисс.- JL: ЛЭТИ.- 1984.

31. Карачинов В.А. Процессы роста и дефектообразование в монокристаллах карбида кремния. Канд. дисс.,-Л.: ЛЭТИ.- 1985.

32. Pandey D., Krishna P. Politips in close packed structures. / In: Current topics in materials science , ed. E.Kaldis, Amsterdam.- 1982.- v.9.- p.415-491.

33. Knippenberg W.E. Phenomena in Silicon Carbide. // Philips Res. Reports.-1983.- v. 18.-p. 161-274.

34. Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. Progress in controlling the growth of politipic crystals. / In : Progress in crystall growth and characterization of polytype structures. Ed. P.Krishna. Pergamon Press.- Oxford.- 1983.- 502p.

35. Суханек Г.К. Процессы роста и политипизм кристаллов карбида кремния. Канд. дисс.- Л.: ЛЭТИ.- 1983.

36. Нойберт Ф. Изучение физико-технологических основ управления политипной структурой карбида кремния. — Канд. дисс.- Л.: ЛЭТИ.- 1983.

37. Паулинг Л. Природа химической связи. Л.:ГХИ.- 1947.

38. Jepps N.W., Page T.F. Electron Microscopy of interfaces between transforming polytypes in silicon carbide.// J. Microscopy.- 1989.- v.l 16.- p. 159-171.

39. Allen C.W., Lino K.C. Dislocation models for Shear transformations. //Phys. St.sol.- 1982.-v.74.- p.91-99.

40. Трегубова A.C., Шульпина И.Л. Дефекты роста в полупроводниковых кристаллах карбида кремния. // ФТТ.- 1982.- т. 14.- №9.- с.2670-2675.

41. Бритун В.Ф., Эволюция реальной структуры кристаллов SiC в процессах роста. Пластической деформации и фазовых превращений. Автореферат канд. дисс. -Киев. ИП АН УССР.- 1985.- 21с.

42. Дорожин С.И., Левчук Б.И. Анализ структуры переходных областей затрака-слиток в монокристаллах карбида кремния выращенных из паравой фазы. // Изв. ЛЭТИ. Научн. труды. -Л.- 1984.- вып.338.- с. 8-12.

43. Тхорик Ю.А., Хазан Л.С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. -К.: Наукова думка.-1983.-304с.

44. Райхель Ф. Процессы массопереноса и кинетики роста при выращивании монокристаллов карбида кремния из паровой фазы. -Кан. дисс.- Л.: ЛЭТИ.- 1983.

45. Дорфман В.Ф., Пыпкын Б.Н.Б Очеретянский А.Л. Влияние скорости роста и условий кристаллизации на образование дефектов в эпитаксиальных слоях GaAs и GaP.//Кристаллография.- 1992.-т.17.- №6.- с.1225-1231.

46. Шашков Ю.М., Шушельбина Н.Я. Выращивание бездислокационных монокристаллов кремния при повышенных скоростях вытягивания.// Изв. АН СССР. Неорганические материалы.- 1965.- т.1.- №5.- с.643-647.

47. Сафаралиев Г.К. Исследование процессов роста и легирования карбида кремния при выращивании кристаллов из газовой фазы. Л.: ЛЭТИ.- 1975.

48. Лебедев A.A., Савкина Н.С., Трегубова A.C., Щеглов М.П. Исследование гетероэпитаксиальных структур {p-3C/n-6H}-SiC.// ФТП.-1997.-т.31.-№9.-с.1083-1085.

49. Нурмагомедов Ш.А. Твердые растворы нитрида алюминия карбида кремния. - Кан. дисс.- Л.: ЛЭТИ.- 1986.

50. А.Хийярат Влияние условий роста на структуру и свойстваэпитаксиальных слоев (SiC)i.x(AlN)x. Кан. дисс.- МахачкалагДГУ.- 2000.

51. Белых Н.К., Борисова Т.А., Иванова Л.С., и др. Низкотемпературные методы выращивания эпитаксиальных слоев кремния. / Научные труды Гиердмента.- 1977.- т.72.- с. 18-23.

52. Гатос X., Мудсе П., Лавин М. Выращивание кристаллов InSb в направлении, полярном III. В кн.: Новое в получении монокристаллов полупроводников. / Пер. с анг.; Под ред. Петрова Д.А. -М.- 1962.- с.238-257.

53. Дорфман В.Ф. Газофазная микрометаллургия полупроводников. — М.: Металлургия.- 1974.- 192с.

54. Кузнецов В.К., Новиков В.Б., Шевченко В.Я. Влияние некоторых технологических параметров на образование дислокаций в GaAs.- В кн.: арсенид галлия. Томск.: изд-во Томского универ.- 1988.- с.445-449.

55. Лебедев A.A. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния. // Физика и техника полупроводников.- 1999.- т.ЗЗ.- вып.2.- с. 132.

56. Ильин В.А., Карачинов В.А., Таиров Ю.М., Цветков В.А. Упрочнение кристаллической решетки 6H-SiC при легировании изовалентными примесями.// Письма в ЖТФ.-1985.-Т.11.-вып.12.-с.749-752.

57. Нурмагомедов Ш.А., Сорокин Н.Д., Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Особенности получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x. // Известия АН СССР. Неорганические материалы.- 1986.- т.22.- вып. 10.- с. 1672-1674.

58. Коттрел А.Х. Дислокации и пластическое течение в кристаллах. / пер. с англ. -М.: Металлургиздат.- 1958.- с.267.

59. Сангвал К. Травление кристаллов: теория, эксперимент, применение, /пер. с англ.- М.: Мир.- 1990.- с.278.

60. Felice R., Northrup J.E. Theory of the AIN/SiC (1010) interface.// Phys.Rev.B.-1997.-56.-№ 15 -p.9213-92-16.

61. Александров Л.Н. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. Новосибирск.: Наука.- 1978.- 271с.

62. Maianiemi S., Ala-Nissila Т., Krug J. Monte Carlo simulation of diffusion of interacting electrons in lateral suface superlattices.// Phys. Rev. В.- 1993.- v. 48.- p.8076-8082.

63. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов.- М.: Высшая школа.- 1988.- 123с.

64. Судзуки Т., Ёсинага X., Такеути С. Динамика дислокаций и пластичность. / пер. с японского.; под ред. Осипьяна Ю.А. и Варданяна Р.А.- М.: Мир.-1989.- 294с.

65. Петухов Б.В. Влияние флуктуаций состава на кинетику дислокаций в пленках твердых растворов полупроводников.//Физика и техника полупроводников. -1995.- т.29.- вып.1,- с. 105-113.

66. Tupen G.G.Gibbing C.J. A quantitative analysis of strain relaxation by misfit dislocation guide in Sij.xGex/Si heterostructures. //J.Appl.Pys.-1990.-68.-p.1526-1534.

67. Савин Н.М., Чернов В.М. Взаимодействие дислокаций с точечными дефектами в кристаллах с гексогональной плотной упаковкой структуры. //Кристаллография.-т.21.-вып.З.-1996.-с.459-465.

68. Waldrop J.R., Grant R.W., Wang J.C., Davis R.F. Barrier height of contact metal-silicon carbide. I I J. Appl. Phys.- 1994.- v.75.- p.4548-4554.

69. Porter L.M., Davis R.F., Bow J.S., Kim M.J. and Carpenter R.W. Characterization of contacts to n- and p-type a- 6H-SiC (0001). // Second Inter. Confer, on high temperature electronic.- Charlotte, Noth Caroline.- j.5-10.-1994.- v.lXIII-3

70. Papanicolaou N.A., Christou A.A., Gipe M.L. Pt and PtSix Schottky contacts to P-SiC.// J. Appl. Phys.- 1989.- v.65 (9).- p.3526-3530.

71. Tung R.T. Electron transport at metal-semiconductor interfaces: general theory. //Phys. Rev.-1981.- B 45 (23).- p.13509-13523.

72. Saxena V., Steckl A.K., Vichare M., et.al. Temperature effects in the operetion of high voltage Ni/6H-SiC Schottky rectifiers.// Second Inter. Confer, on high temperature electronic.- Charlotte, Noth Caroline.-j.5-10.- 1994.- v.l.- VII-5.

73. Lundberg N., Tagtstrom P., Jansson U. CVD based tungsten carbide Schottky contacts to 6H - SiC for very high temperature operation.// First European conference on SiC and related materials. -Greece, oct.6-9.- 1996.- p.54.

74. Constantinidis G., Tsadaraki K., Androulidaki M. Schottky barrier contacts on reactive ion etched 6H-SiC.// First European conference on SiC and related materials.- Greece , oct.6-9.- 1996.-p.67.

75. Anghel L., Ouisse N., Billon T. Low frequency noise in Silicon Carbide Schottky diods. // First European conference on SiC and related materials. -Greece , oct.6-9.- 1996.- p.72.

76. Ballandovich V.V., Bogachev S.V., Ilin V.A. et. Al. Silicon Carbidetemperature sensors.// Trans, of the Third International high Temperature Eectronics Conference. USA.- 1996.-p.201.

77. Иванов П.А., Челноков B.E. Полупроводниковый карбид кремния — технология и приборы. // ФТП.- 1996.- т.29.- вып.11.- с.1921-1940.

78. Андреев А.Н., Лебедев А.А., Растогаева М.Г. и др. Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе nSiC-6H.// ФТП.- 1995.- т.29.-вып.10.- с.1833-1843.

79. Веренчикова Р.Г., Санкин В.И. Исследование контактов металл-SiC. // Письма в ЖТФ.- 1988.- т. 14.- с.1742-1747.

80. Санкин В.И., Веренчикова Р.Г., Водаков Ю.А. и др. Свойства выпрямляющих контактов к 6H-SiC. //ФТП.- 1982.- т.16.- с.1325-1331.

81. Васильев И.Г., Боева Г.Г. Омические контакты к широкозонным полупроводникам GaAs, GaP и SiC. // Обзор по электронной технике 1970.- вып. 19 (212).- сер. «Полупроводниковые приборы».- с. 10-14.

82. Adams S., Severts С., Leonard J., Liu S., Smith S.R. Ohmics contacts to 6H-SiC semiconductors. // Second Inter. Confer, on high temperature electronic.-Charlotte, Noth Caroline, j.5-10.- 1994.- v.l.- XIII-9.

83. Crofton J., Williams J.R., Bazack M.J. A high temperature Ohmics contacts to n-type 6H-SiC using Ni. // Second Inter. Confer, on high temperature electronic.- Charlotte, Noth Caroline, j.5-10.- 1994.- v.l.- XIII-15.

84. Porter L.M., Davis R. Issues and of ohmics contacts for p-type Silicon Carbide.// Second Inter. Confer, on high temperature electronic.- Charlotte, Noth Caroline, j.5-10.- 1994.- v.l.- VII-3.

85. Crofton J.P,et. al. Metallization studies on epitaxial 6H-SiC.// Springer Proc. In Phys.- 1992.- v.71.- p.176-182.

86. Crofton J.P., Barness J.R., Williams J.R. Contact resistance measurements on p-type 6H-SiC.// J. Appl. Phys. Lett.-1993.- v.62(4).- p.384-386.

87. Dmitriev V.A., Irvin K., Sprencer M. Low resistively ohmics contacts to 6H

88. Silicon Carbide fabricated using cubic silicon carbide contacts layers. // J. Appl. Phys. Lett.-1994.- v.64(3).- p.318-322.

89. Glass R.C., Palmour J.W., Davis R.F. and Porter L.F. Method of forming ohmics contacts to p-type wide bandgap semiconductor and resulting ohmics contacts stricture. U.S., Patent, №5.323.022

90. Porter L.M., Davis R.F. A critical review of ohmic and rectifying contacts for silicon carbide. // Mater. Sci. Eng.- 1995.- B34.- p.83-105.

91. Spieb L., Nennewitz O., Weishart H., et. al. Aluminum implantation of p-SiC for ohmic contacts. // First European conference on SiC and related materials. -Greece , oct.6-9.- 1996.- p.55.

92. Pecz В., Radnoczi G., Vincze G. Tem study of Ni and Ni2Si ohmic contacts to SiC. // First European conference on SiC and related materials. -Greece , oct.6-9.- 1996.- p.58.

93. Rastegaev V.D., Reshanov S., Andreev A., Rastegaeva M. Models for high temperature SiC-metal contacts resistance investigation.// Trans, of the Third. Intern, high temperature conference.- USA.- 1996.- p. 149.

94. Нисков В.Я. Разработка методик исследования и исследование омических контактов металл полупроводник Кан. диссер.- М.; МИСиС.-1970.

95. ЮЗ.Мадоян С.Г., Гусейханов М.К. Измерение удельных переходных сопротивлений омических контактов к тонким слоям полупроводников.// Изв. вузов. Физика.- 1976.- №6.- с.80-83

96. Nakatsuka H.,Domeneco A.J., Pearson G.L. Improved ohmic contacts to n-type GaP devices. // Solid State Electronics.- 1976.- v.14.- №9.- p.849-853.

97. Мадоян С.Г., Гусейханов М.К. Омические контакты к фосфиду галлия п типа проводимости. // Электронная техника, сер.Материалы.- 1976.-вып.5.- с.101-104.

98. Мадоян С.Г., Гусейханов М.К., Болтовский В.В. Свойства контактоволово фосфид галлия. // Электронная техника, сер. Полупроводниковые приборы.- 1975.- вып.2.- с. 102-104.

99. Растегаева М.Г., Андреев А.Н., Бабанин А.И. Факторы ответственные за образование омических контактов на основе никеля к 6H-SiC. // Тезисы докладов Международного семинара. Карбид кремния и родственные материалы.-Новгород.- 1997.- с.38.

100. Barnes P.A. Contacts to compound semiconductor at elevated temperatures. // Second Inter. Confer, on high temperature electronic.- Charlotte, Noth Caroline, j.5-10.- 1994.- v. 1.- VII-7.

101. Crofton J., Barnes P. A. A comparison of one, two and tree band calculations of contact resistance for a GaAs contact using the WKB approximation and numerical solution of the schrodinger equation. // J. Appl. Phys.- 1991.- v.69.-p.7660-7764.

102. Liu S., Reinhard K., Severt C., Scofield J. Long term termal stability of Ni/CrAV ohmic contacts to n-SiC. // Presented at 6-th Int. Conf. on SiC and related malts. -Kyofo. Japan.- 1995.- p. 18-21.

103. Гевондян А.Г. Исследование контактных систем на основе ванадия и алюминия для кремниевых интегральных микросхем. Автореф. на соискание ученой степени канд. тех. наук- М.; МИСиС.- 1984.

104. Мадоян С.Г., Коган JI.M., Гусейханов М.К., Гофштейн-Гарт и др. Исследование отражающей способности металлических контактов к фосфиду галлия.// Электронная техника, сер. Полупроводниковые приборы.- 1986.- вып. 6(108).- с.83-88.

105. ПЗ.Кубецкий Г.А., Нисков В.Я. Расчетно-статистический метод измерения сопротивления омических контактов.// ПТЭ.- 1980 .- № 4.- сЛ 45-146.

106. Гутерб Р.С., Овчинский Б.В. Элементы численного анализа и математической обработки результатов опыта.-М.:Физматгиз.-1962.-200с.

107. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковыхматериалов. -М.: Высшая школа.- 1971.- 207с.

108. Крикова М. Исследование омических контактов к GaAs п-типа. // Электротехника.- 1993.- 24.- р. 184-187 .

109. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. -М. :Советское радио.- 1979.- 235с.

110. Курбанов М.К. Эпитаксия твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x из газовой фазы и физические свойства гетероструктур на их основе. — Канд. дисс,-Махачкала.: ДГУ.- 1998.

111. Лебедев A.A., Давыдов Д.В., Игнатьев К.И. Исследование контактной разности потенциалов бН-SiC р-n структур.//ФТП.-1996.-т.30.-вып.10.-с. 1865-1870.

112. Справочник по электротехническим материалам. т.З. под ред. Корицкого Ю.В.- Л.гЭнергия.- 1976.- с. 580 584.

113. Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Исмаилова Н.П. и др. Гетеропереходы в системе карбид кремния твердый раствор (SiC)i.x(AlN)x.// Изв. Вузов. Электроника .-1996.- №1-2.- с.87-90.

114. Riben A.R., Feucht D.L. nGe-pGaAs heterojunction.// Solid-State Electronics.-1966.-V.9.-P. 1055-1065.

115. Stojadinovic N.D., Popovic R.S. A new method for elimination of emitter odge dislocations of silicon planar NPN transistor . // Ibid.- 1979.- v.55.- №1.-p.307-313.

116. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. -М.: Мир.- 1974.-463с.

117. Anderson R.L. Diffusion mechanism of current transport over heterojunction. //Solid-States Electron.- 1962.- v.5.- p.341.

118. Nettel S. Electron transport in semiconductors. // Phys.Rev.B.-1984.-v.30.-p.1019-1020.

119. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл -полупроводник. -М.: Мир.- 1975. 380с.

120. Tersoff J. Transport current over heterojunction. // Phys. Rev. В.- 1984.-v.30.- p.4847-4849.

121. Алексенко М.Ф., Забродский А.Г., Ильин В.А. и др. Электроперенос в сильнолегированном 6Н- SiC.// Письма ЖТФ.- 1985.-Т.11.-№1.-с.14-18.

122. Косолапова Т.Я. Свойства, получение и применение тугоплавких соединений .Справочник. -М.: Наука.- 1983.- с.375.

123. Нурмагомедов Ш.А., Пихтин А.Н., Разбегаева и др. Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов.// Письма в ЖТФ.- 1986.- т. 12.- №7.- с.1043-1045.

124. Safaraliev G.K., Ismailova N.P., Tairov Y.M. The energy diagram of heterojunction in system SiC-(SiC)i.x(AlN)x.// Trans, of the Third International high Temperature Eectronics Conference. USA.- 1996.- p.245-250.

125. Ferrara P., Binggeli N. Эпитаксиальные гетеропереходы A1N и GaN на 6H-SiC(0001). Разрывы зон и поляризационные поля. // J. Vac. Sci. And Technol.B.- 1999.- v. 17.- №4.- p. 1674-1678.

126. Ferrara P., Binggeli N., Baldereschi A. Band discontinuities in zinc-blende and wurtzite SiC/AIN heterostructures.// Phys. Rev.B.-1997.-v.55.-12.-p.R7418-R7421.

127. Leibovitch M., Kronik L., Korobov V. and Shapira Y. Constructing band diagrams of semiconductor heterojunctions.//J.Appl.Phys.Lett.-1995.-v.66(5).-23.-P.457-459.

128. Kronik L., Leibovitch M., Korobov V. and Shapira Y. Electroniccharacterization of heterojunctions by surface potential monitoring.// J. Electronic materials.-1995.-v.24.-№7.-p.893-900

129. Стрельчук A.M. Времена жизни и диффузионные длины неравновесных носителей заряда в SiC р-n структурах. // ФТП.- 1995.-т.29.- с.1190-1205.

130. Kordina D., Bersman J.P., Hallin С. The minority lifetime of n-type 4H and 6H-SiC epitaxial lagers.// J.Appl.Phys. Lett.-1996.-69.-№5.-p.679-681.

131. Шокли В. Теория электронных полупроводников. -М.: Мир.- 1953

132. Аникин М.М., Зубрилов А.С., Лебедев А.А., Стрельчук А.П. Рекомбинационные процессы в 6Н SiC в р-n структурах и влияние на них глубоких центров.// Физика и техника полупроводников 1991.-t.25.-вып.З.-р-479-486.

133. Евстропов В.В., Кисилев К.В., Петрович И.Л., Царенков Б.В. Ток, обусловленный рекомбинацией через многоуровневый центр в слое объемного заряда р-n структуры.// ФТП.- 1984.-т.18.с. 1852-1858.

134. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -М.: Гос. Изд. Физ.-мат. Лит.- 1963.- 494с.