Создание фотодиодов на основе InSb, PbTe и CdxHg1-xTe и анализ их функционирования в составе оптико-электронных систем тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, доктор физико-математических наук Туринов, Валерий Игнатьевич

• Туринов, Валерий Игнатьевич
• доктор физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Туринов, Валерий Игнатьевич

Содержание

Введение

1 Состояние проблемы и задачи исследования

1.1 Фотоприемники ИК диапазонов 3.5и8.14 мкм

1.2 Состояние проблемы согласования параметров приемников и оптико-электронных 16 систем

1.3 Задачи исследования

2 Параметры фотодиодов ИК диапазонов 3.5 и 8. 14 мкм

2.1 Чувствительность и обнаружительная способность фотодиодов

2.2 Коэффициент поглощения в кейновских полупроводниках

2.3 Квантовая эффективность фотодиодов

3 Измерение параметров материалов и исследование их свойств

3.1 Разработка методов и средств контроля электрофизических и фотоэлектрических 32 параметров материалов InSb, РЬТе и CdHgTe

3.2 Исследование электрофизических свойств InSb и РЬТе 35 3 .3 Исследование электрофизических свойств CdHgTe

3.4 Выводы

4 Фотодиоды на InSb, РЬТе и CdHgTe

4.1 Технология изготовления фотодиодов на InSb, РЬТе и CdxHgixTe

4.2 Исследование электрических характеристик фотодиодов на InSb и РЬТе

4.3 Исследование электрических характеристик фотодиодов на CdHgTe

4.4 Квантовая эффективность, чувствительность и обнаружительная способность фото- 96 диодов на InSb, РЬТе и CdHgTe

4.5 Фотогальванические многоцветные приемники инфракрасного диапазона

4.6 Конструкция и параметры фотодиодов ИК диапазона

4.7 Выводы

5 Фотоприемники в составе оптико-электронных систем

5.1 Крутизна преобразования фотодиодов с кейновской зонной структурой

5.2 Оптическая передаточная функция фотодиодов ИК диапазона с кейновской зонной 148 структурой

5.3 Фотодиоды для гетеродинного детектирования на СОг-лазере

5.4 Пороговая разность температур оптико-электронной системы с фотодиодами на ос- 159 нове твердых растворов

5.5 Фотодиоды ИК спектра с охлаждаемыми длинноволновыми фильтрами

5.6 Анализ параметров фотоприемных устройств с фотодиодами на CdHgTe

5.7 Иммерсионные фотодиоды ИК диапазона на CdHgTe

5.8 Выводы 196 6 Характеристики тепловых объектов и применение фотодиодов

6.1 Пространственно-частотная характеристика объекта переменной яркости

6.2 Передача контраста переменного по яркости объекта фотодетектором с кольцевыми 202 р-л-переходами

6.3 Методы определения теплофизических характеристик материалов

6.4 Многоспектральная ИК дефектоскопия

6.5 Оптимизация блоков устройства для ИК дефектоскопии

6.6 Выводы 240 Заключение 242 Литература 245 Приложение

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Создание фотодиодов на основе InSb, PbTe и CdxHg1-xTe и анализ их функционирования в составе оптико-электронных систем»

т

Из всей ИК области спектра к теме данной работы относятся два диапазона, 3.5и8.14 мкм, соответствующих окнам прозрачности атмосферы, на которые ориентируются разработчики оптико-электронных систем и приемников, функционирующих при температуре жидкого азота и конструктивно изготавливаемых в вакуумных криостатах.

Известна широкая гамма приемников на эти диапазоны, действующих на различных физических явлениях. В свою очередь системы можно разделить на три группы по способу сканирования пространства тепловых объектов. Это системы с одиночными приемниками, с линейками приемников и матрицами. К теме нашего исследования относятся приемники для систем первого и второго типов, таких как тепловизоры для медицинской диагностики, приборы ночного видения, приборы для наблюдения тепловых изображений промышленных зданий и линий электропередач, устройства для ИК дефектоскопии материалов, диагностики газов, приборы для поисковых и полицейских задач, охранные устройства, и ряд аналогичных им.

Тепловые, пироэлектрические приемники и примесные фоторезисторы не подходят для целей обозначенного применения. Эти приемники могут конкурировать с фотодиодами по основному параметру, обнаружительной способности D*, а точнее по пороговой разности температур АГпор в ф составе систем, только в матричном исполнении.

Когда же требуется высокая чувствительность и быстродействие, то на диапазон 3. 5 мкм отдают предпочтение приемникам на InSb [1], а на 8. 14 мкм приемникам из CdHgTe [2]. Отметим, что акцент разработок на этих материалах сместился в последнее время на создание фотодиодных линеек и матриц [3-5].

Приемники из РЬТе чувствительны в том же спектральном диапазоне, что и приемники из InSb. По D* они находятся на уровне приемников из InSb, но из-за высокого значения диэлектрической константы, eg = 400 [6] (по данным работы [7] et = 800 при Т = 78 К), они не в состоянии конкурировать с приемниками из InSb на частотах выше / >20 кГц, т. е. в системе со сканированием одиночными приемниками. Однако при современной тенденции перехода на матричное исполнение приборов ИК диапазона они вполне могут конкурировать с приемниками из InSb, когда частотный диапазон работы матричного приемника определяется только частотой кадра изображения. В этом случае та же es выступает уже как преимущество матрицы на РЬТе, более стойкой к электромагнитным помехам по сравнению с матрицей из InSb (es = 17.78 (78К) [6]). Ктому же энтальпия образования PbTe#0f(298) = -16.39 ккал/моль в 2.3 раза выше, чем у InSb#<rf(298) = -♦ 7.3 ккал/моль, и по величине сравнима с энтальпией образования такого широкозонного полупроводника как GaAs Н0*(298) = -17.7 ккал/моль [6]. То есть приемники из РЬТе могут выдерживать без значительного ухудшения параметров дозы радиационного облучения примерно в

2.3 раза выше, чем приемники из InSb [8]. Это является одной из причин интереса к разработке и исследованию приемников на РЬТе, наряду с приемниками из InSb.

В области разработок тепловизионных систем широкого применения, предназначенных для наблюдения тепловых полей низкотемпературных объектов на уровне естественного фона, идет интенсивное освоение спектрального диапазона 8. 14 мкм, приемники для которого разрабатывают в основном из CdHgTe [9-12]. Полупроводниковые твердые растворы CdHgTe, также как например PbSnTe и PbSnSe, привлекают внимание разработчиков тем, что они дают возможность, варьируя составом х, выбирать граничную длину волны кт приемников и тем самым оптимизировать спектральные характеристики и интегральные параметры приемников и систем, в частности, проводить согласование со спектральными характеристиками пропускания атмосферы.

До начала постановки данной темы приемники на InSb в стране разрабатывали и изготавливали в виде фоторезисторов. Фотодиоды изготавливали меза-технологией из р-п-переходов, получаемых методом вытягивания из расплава. Из материала же CdxHgi-xTe изготавливали только фоторезисторы. Поскольку у фоторезисторов и меза-переходов ниже точность выдержки размеров, и связанных с ними фотоэлектрических параметров, чем у р-и-переходов, получаемых методами ионной имплантации и планарной технологии, то это изначально накладывало ограничения на многие сферы их применения. Этот недостаток выступил на первый план особенно явно тогда, когда начался переход на создание линеек и матриц из этих материалов, например, с размерами /т-и-переходов 50x50 мкм и меньше, с зазором между ними меньше 10 мкм. Конструктивно приемники разрабатывали исключительно в металло-стеклянном исполнении. Основной недостаток таких криостатов - низкая термическая и механическая прочность.

Ill Y TV VI

Указанные материалы являются соединениями разных групп А В , А В и твердыми растворами переменного состава х, но по структуре энергетических зон относятся к так называемым кейновским узкозонным полупроводникам, что дает основание рассматривать и обобщать физические процессы в фотодиодах этой группы с единой точки зрения, при этом изготовленных единообразной технологией. Эти материалы имеют ряд особенностей, как, например, маленький коэффициент краевого поглощения и высокую подвижность электронов, что вызывает, в частности, при диффузии сильное размывание "пакета" фотоносителей по отношению к первичному потоку фотонов, поступающих на чувствительную площадку, и влияет на параметры фотодиодов. В литературе не ставились вопросы о влиянии этого эффекта на частотно-контрастную характеристику (ЧКХ) фотодиодов, и как это отражается на оптической передаточной функции (ОПФ) системы. Не решалась и такая задача, как согласование переменного по размерам и яркости теплового объекта, создаваемого на поверхности непрозрачного твердого материала излучением лазера, с условиями считывания сигналов системой, задача, которая относится к ИК дефектоскопии. Не рассматривалась и задача о ЧКХ фотодиода в виде кольцевого/>-и-перехода, т. е. пространственный спектр, который он пропускает, и ряд других задач, указанных ниже в пункте научной новизны работы.

Сказанное выше определяет актуальность постановки работы, в которой необходимо было охватить проблему как создания фотодиодов ИК диапазонов 3.5 и 8. 14 мкм методами современной ионной имплантации в сочетании с планарной технологией, пассивирующими и просветляющими покрытиями для обеспечения высокой квантовой эффективности 7/, конструктивно выполненных в полностью металлических криостатах с оптимальными масса-габаритными показателями, надежными и долговечными в эксплуатации, так и исследование их параметров во взаимосвязи с решением теоретических задач, рассматривающих функционирование их в составе систем.

Целью настоящей работы являлось разработка и исследование фотодиодов на InSb, РЬТе и CdHgTe РОС диапазонов 3.5и8.14 мкм и установление критериев согласования их параметров и параметров оптико-электронных систем для оптимального обнаружения и пространственного разрешения тепловых объектов.

Достижение поставленной цели требовало разработать основы единообразной технологии фотодиодов, определить их максимально достижимые теоретические и экспериментальные параметры, провести исследования функционирования фотодиодов в системах по обнаружению и распознаванию сложных, различной природы тепловых объектов в предельных условиях их применения, - на больших дистанциях наблюдения, при выявлении низкоконтрастных объектов, объектов с различной или переменной излучательной способностью е, - и установить критерии, с помощью которых можно прогнозировать параметры систем, а значит и новые области их применения.

При этом необходимо было выполнить следующие задачи.

1. Разработать основы единообразной технологии (планарной, с ионной имплантацией) фотодиодов на InSb, РЬТе и CdHgTe, провести исследование их с выявлением зависимости их параметров от свойств исходных материалов и режимов эксплуатации.

2. Решить теоретические задачи согласования фотодиодов с системами, с целью увеличения вероятности распознавания тепловых объектов путем улучшения контрастности их изображений, оптимизации системы и фотодиодов с атмосферным "окном" и с электронным трактом.

3. Разработать и теоретически обосновать новые методы измерения теплофизических констант материалов, позволяющие упростить процедуру измерений, уменьшить влияние е на результаты измерений, повысить точность измерений, расширить интервал значений измеряемой величины и номенклатуру возможно исследуемых материалов.

Научная новизна работы

1. Показано, что для отбора материала CdxHgi-xTe для изготовления фотодиодов с прогнозируемыми параметрами, помимо измерений Rh и р0 при Т = 78 К, необходимо измерять температурные и полевые зависимости Rn(T,B) и p0{TJB\ спектры фотопроводимости материала и температурные зависимости поперечного магнитосопротивления Ар/р(В). Для отбора же материала, который пойдет на изготовление фотодиодных линеек и матриц, этих измерений недостаточно, необходим еще контроль структурного совершенства материала, в частности, рентгено-струюурные измерения.

2. У CdxHgi-xTe в запрещенной зоне выявлены мелкие уровни с Е* - Ev = 8. 12 мэВ, создаваемые однозарядными вакансиями Унй+ и связанные с зоной Ev, и глубокие уровни с Et=Ev + 0.6£g) связанные с зоной Ес. Было определено, что они ведут себя как ловушки и слабо влияют на параметры фотодиодов. Рекомбинационными уровнями, сильнее влияющими на параметры фотодиодов, являются уровни cEt-Ev&36 мэВ. Среди этой группы уровней есть уровни cEt»Ev + 0.26£g, т. е. связанные с зоной Ес, и есть не зависящие отЕ6, следовательно от составах CdxHgi.KTe, и, вероятнее всего, последние создают примесные атомы.

3. Получено теоретическое выражение для крутизны преобразования S-, фотодиодов из 4 материалов с кейновской зонной структурой, и на его основе проведены теоретические исследования

ЧКХ фотодиодов на CdxHgi.xTe с от 1.8 до 18.0 мкм и ряда размеров г0 чувствительной площадки. По ЧКХ фотодиодов определены условия согласования г0 с размером пятна рассеяния изображения точечного объекта в зависимости от Яс0 фотодиодов на CdxHgi.xTe, необходимые для передачи контраста объекта, максимально приближенного к истинному.

4. Показано, что ДГпор тепловизионной системы критично к выбору по Лео фотоприемника. Особенно резко зависимость А77ПоР(Л») системы проявляется при наблюдении удаленных тепловых объектов, когда имеется затухание излучения в атмосфере в ИК диапазонах 3.5и8.14 мкм. Кроме того, показано, что системы с фотодиодами как того, так и другого диапазона не являются оптимальными по АГпор при наблюдении как низкотемпературных, так и высокотемпературных объектов.

5. Впервые предложена автором и теоретически обоснована идея применения "сэндвич" фотоприемников для ИК дефектоскопии [13], реализованная в фотоакустическом микроскопе ФМ-5М [14-20]. Это позволило уменьшить влияние на результаты измерения такого неопределенного параметра как излучательная способность е объектов.

6. Дано теоретическое обоснование преимущества использования иммерсионных линз в фотоприемниках на CdxHgi-xTe диапазона 8. 14 мкм, что было подтверждено экспериментально на тепловизоре ТВ-03.

7. Решены следующие теоретические задачи и на их основе предложены и разработаны новые методы измерения параметров тепловых объектов: задача согласования переменного по размерам и яркости теплового объекта с параметрами считывания сигналов системой; задача о спектре ЧКХ фотоприемника в виде кольцевого />-/2-перехода; задача, связанная с новым методом измерения параметров тепловых объектов с помощью ИК фотоприемника из двух кольцевых /^-«-переходов, упрощающим измерение коэффициента температуропроводности а тепловых объектов и уменьшающим влияние е на результаты измерения, а при известном а из рассмотренной теоретически задачи следует, что данным методом можно измерять геометрические размеры теплового объекта переменного по размерам и яркости. Рассмотрены и решены теоретические задачи определения параметров объекта из измерений теплового излучения, принимаемого от объекта "сэндвич" фотоприемником в диапазонах 3.5 и 8. 14 мкм. Проведен теоретический анализ пространственной фильтрации тепловых объектов системой с "сэндвич" приемником ИК диапазона с двумя полупрозрачными транспарантами с решеткой Фурье и Френеля и рассмотрены два варианта пространственной селекции объектов по размерам, представляющих практический интерес.

Совокупность полученных в работе экспериментальных данных и теоретических положений можно рассматривать как решение крупной научной проблемы : целевой разработки фотоприемников под активные и пассивные огггико-электронные системы среднего и дальнего ИК диапазонов для получения новой информации о тепловых объектах и повышения ее достоверности.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Установлено, что для фотодиодов на InSb оптимальными режимами эксплуатации по D* следует считать температуры Т <, 100 К и смещения U < —100.—150 мВ, причем в диапазоне температур Т= 90. 100 К D* ограничена генерационными процессами в ОПЗ перехода, а режим ограничения фоном D* начинается при Т< 90 К.

2. Получено, что в запрещенной зоне CdxHgixTe мелкие уровни с Et- = 8 . .12 мэВ и глубокие уровни сЕ^=Еу + 0.6Е% являются ловушками, они слабо влияют на параметры фотодиодов, а рекомбинационными уровнями, сильнее влияющими на параметры фотодиодов, являются уровни с £tw£v+ 0.26£g.

3. Установлено, что у реальных фотодиодов с Ате > 4 мкм их оптическая передаточная функция увеличивает весовую долю низкотемпературных участков объекта и занижает -высокотемпературных. Это искажение тем сильнее, чем меньше размер фотодиода г0, больше его Л» и шире спектральный диапазон чувствительности. Для передачи контраста объекта, максимально приближенного к истинному, при согласовании размера чувствительного слоя г0 с размером пятна рассеяния изображения точечного объекта за оптимальное следует считать условие, когда пятно вписывается в размер г0 по уровню м> » 0.3 от максимальной освещенности в центре пятна. С уменьшением частоты сканирования/0 или размера г0 оптимум сдвигается к w » 0.4. При увеличении Л» фотодиодов их передаточная функция расплывается, и система становится не столь критична к согласованию размера г0 с размером пятна рассеяния.

4. Показано, что при наблюдении удаленных объектов в диапазоне 8. 14 мкм, когда происходит затухание излучения в атмосфере, для достижения минимальной А7пор тепловизионной системы в ней следует применять фотодиоды на CdxHgixTe с Х^ = 11 ±1 мкм, а для спектрального диапазона 3. 5 мкм фотодиоды с/U = 4.0 ±0.1 мкм. Система с фотодиодами на CdxHgixTe с /U = 4.0 мкм дает улучшение А7Пор примерно в 2 раза по сравнению с системами с фотодиодами на InSb с Л» = 5.4 мкм и является оптимальной по АТиор в диапазоне 3. 5 мкм.

5. Методы измерения теплофизических характеристик непрозрачных твердых материалов с помощью устройств с фотодиодами ИК диапазонов, имеющими предложенную конфигурацию чувствительных элементов, и выведенные аналитические соотношения позволяют уменьшить влияние излучательной способности материала на результаты измерения, понизить тепловые нагрузки на материал, получать информацию о дефектах в поверхностных слоях твердых непрозрачных материалов и идентифицировать их по размеру и коэффициенту температуропроводности.

Апробация работы. Результаты диссертации изложены в 16 научных статьях в ж. АН СССР (РФ), в 2-х статьях в ж. SPffi и в 1-ой статье в ж. The Optical Society of America. Опубликованы также в 2 обзорах, в 24 научных статьях в ряде серий отраслевого сб. Электронная техника, в 25 тезисах докладов на Всесоюзных н.-т. конференциях, в 9 н.-т. отчетах по НИОКР. По теме работы получено 9 патентов и 1 авторское изобретение.

Практическая значимость работы. По выполненным автором и внедренным в производство на ФГУП «Hi111 «Исток» ОКР было произведено, начиная с 1981 г. по 1991 г., и поставлено заводу «Агат» 1100 приборов ФД-511-1 на общую сумму 1.76 млн. руб. (по курсу 80-х гг.) для комплектования фотодиодами серийно выпускаемого тепловизора ТВ-03, который широко использовался в народном хозяйстве страны в 80-е и в начале 90-х годов. В 2003 г. возобновлены поставки заводу «Агат» фотодиодов ФД-511-1 при плане 50 шт. в год для комплектования тепловизоров ТВ-04, новой разработки такого типа приборов заводом «Агат». Кроме того, фотодиоды ФД-511 и ФД-294 были поставлены в ИТПМ г.Новосибирск, институту Оптики Атмосферы г.Томска, ВНИИОФИ, МИФИ, НПО «Алмаз», ВНИИМИСП, НПО Лазерные ф Измерительные Системы, ФИАН, ИОФАН, ИВТАН г.Москва, ОКБ завода «Тантал» г.Саратова, институту Прикладной Оптики г.Казань и в ряд других городов и организаций страны. Разработанные двухдиапазонные, на 3.5 и 8.12 мкм, ИК фотоприемники "Дцран" с чувствительными элементами типа "сэндвич" изготавливались и поставлялись штучно по заказам.

Результаты диссертационной работы были использованы ИОФАН, г. Москва, в экспериментах по исследованию загазованности городских улиц с помощью изделия ФД-294-2 (фотодиоды из CdxHgixTe, ЛЯ = 8. 12 мкм) на длине волны излучения Я = 10.6 мкм. Использование фотодиодов ФД-294-2 и научных положений диссертации позволило в МИФИ, на кафедре «Лазерная физика», увеличить точность детектирования химических и биологических веществ разработанным на кафедре спектрополяриметром ИК диапазона на СО2-лазере. Организацией «Спецгаздиагностика» были успешно внедрены изделия ФД-294-1 (фотодиоды из InSb, ДА= 3.5 мкм) в устройство по обнаружению утечек метана в магистральных газопроводах по поглощению излучения гелий-неонового лазера на Я = 3.39 мкм, что привело к значительному увеличению дальности зондируемой лучом лазера трассы, с 80 до 200 м.

Расчетные данные, изложенные в диссертационной работе, по оптимизации у двухдиапазонного тепловизора каналов 3.5 и 8.12 мкм при наблюдении удаленных объектов, когда учитывается пропускание излучения атмосферой, легли в обоснование выбора спектральных диапазонов. А при разработке многоспектрального томографа ФМ-5М, получившего серебряную медаль на международном салоне по перспективным работам и изобретениям "ЭВРИКА-95" в ноябре 1995 г., г. Брюссель, применялся двухдиапазонный "сэндвич" фотоприемник "Ядран" и развитые теоретические положения об уменьшении влияния излучательной способности на результаты измерения. Это позволило, например, при контроле с помощью томографа ФМ-5М высоковольтных кремниевых транзисторов типа КТ-872 увеличить глубину обнаружения дефектов пайки в два раза, с 350 мкм до 700 мкм, а при исследовании лазерных швов у высоконадежных титановых корпусов кардиостимуляторов (вживляемых в организм, срок функционирования не менее 20 лет) уверенно выявлялись дефекты сварки швов и трещины размером ~ 0.1. 1.0 мкм, которые не удавалось обнаружить другими методами контроля.

Развитые теоретические положения об уменьшении влияния излучательной способности на результаты измерений, вместе с изделием "Ядран", были использованы также в Физико-энергетическом институте в г. Обнинске для контроля перегрева ТВЭЛов, что обеспечило существенное ослабление влияния неоднородностей степени черноты поверхности контролируемого изделия на измерение температуры, что является необходимым условием повышения достоверности обнаружения и определения тепловых параметров дефектов типа отслоения между топливным сердечником и оболочкой ТВЭЛа.

Структура изложения материала диссертационной работы

В первой главе приводится краткий литературный обзор состояния с разработкой приемников диапазонов 3.5и8.14 мкм и вопросами их согласования с системами, и определена цель и задачи исследований.

Во второй главе даны соотношения для основных параметров фотодиодов ИК диапазона, характеризующих их как преобразователей теплового излучения в электрический сигнал.

В третьей главе отражены результаты разработки комплекса методик и установок контроля электрофизических и фотоэлектрических параметров узкозонных полупроводников, а также результаты измерения параметров материалов после технологических обработок, связанных с изготовлением /^-«-переходов, исследование электрофизических и фотоэлектрических свойств материалов InSb, /г-РЬТе и CdHgTe.

В четвертой главе изложена технология изготовления ионной имплантацией в сочетании с планарной технологией /?-я-переходов на InSb, РЬТе и CdHgTe, исследование электрических характеристик/?-/ьпереходов и их связь с электрофизическими параметрами исходных материалов, влияние глубоких уровней в запрещенной зоне на параметры фотодиодов. Приведены результаты экспериментального исследования и теоретические расчеты квантовой эффективности 77, токовой чувствительности Si и обнаружительной способности D* фотодиодов. Приведены результаты разработки фотогальванических двухдиапазонных фотоприемников типа "сэндвич" структур и теоретические расчеты их параметров. Рассмотрены теоретически также амплитудные и фазовые спектры "сэндвич" приемника ИК диапазона с транспарантами Фурье и Френеля. Там же представлены технические характеристики разработанных фотодиодов ФД-511-1, ФД-511 -2, ФД-294-1 и ФД-294-2 на спектральные диапазоны 3.5 и 8. 12 мкм для эксплуатации в тепловизионных системах.

Пятая глава посвящена теоретическому анализу функционирования фотодиодов спектральных диапазонов 3.5 и 8.14 мкм в составе оптико-электронных систем и условиям оптимального согласования параметров фотодиодов с параметрами систем, настроенных на обнаружение тепловых объектов.

В шестой главе приведены результаты теоретического рассмотрения ПЧХ объекта переменной яркости и переменного размера и его пространственной селекции, представлены результаты теоретического обоснования новых методов определения коэффициента температуропроводности а тепловых объектов.

Объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы. Общий объем работы составляет 266 страниц, включая машинописный текст, 239 иллюстраций и 17 таблиц. Список использованной литературы состоит из 360 наименований.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Туринов, Валерий Игнатьевич

6.6 Выводы

1. Получено теоретическое соотношение для ПЧХ объекта переменной яркости и переменного размера для задачи с мгновенным источником тепла. Рассчитаны теоретически ЧКХ объектов из меди и никеля в зависимости от приведенной пространственной частоты (1 - v/vB). Показано влияние спектров приемников на CdHgTe на спектр свертки для ряда отношений rjp0 размера приемника к характерному размеру р0 луча лазера, создающего тепловой источник излучения.

2. Решена теоретическая задача пространственной селекции объектов (пеленгация, измерение скорости) при сканировании изображения объекта в форме вытянутого эллипса кольцевым приемником. Показано, что импульсные сигналы приемника имеют особенности, которые дают возможность измерять угловые размеры объектов и составляющие V± и V\\ скорости их движения относительно оси приемника. Разобран пример использования для этого приемников на InSb (АЯ = 3.5 мк) и CdxHgi хТе (АЛ = 8.12 мкм).

3. Решена теоретическая задача и предложен метод определения коэффициента температуропроводности а, в котором датчиком сигнала служит фотодиод, состоящий из двух центрированных кольцевых планарных/т-и-переходов. Получены соотношения, связывающие коэффициент а с геометрическими параметрами переходов и моментами времени, соответствующими максимумам сигналов на них. Метод устраняет влияние излучательной способности s поверхности объекта на результаты измерений. Точность определения коэффициента а не зависит от спектрального диапазона чувствительности фотодиода, от которого зависит только температурное разрешение метода максимальное в диапазоне 5. 12 мкм.

4. Решена теоретическая задача определения послойно коэффициента температуропроводности а и толщины подповерхностных слоев d непрозрачных твердых тел из измерений разности фаз сигналов двух центрированных кольцевыхр-л-переходов фотодиодов, принимающих ИК излучение от концентрических тепловых волн на поверхности твердого тела, изменяющихся по гармоническому закону.

5. Решена теоретическая задача определения размеров дефектов £под непрозрачными поверхностными покрытиями по сдвигу фаз сигналов фотоприемника, имеющего два кольцевых р-п-перехода, принимающих ИК излучение поверхностной концентрической тепловой волны, возбуждаемой в исследуемом образце зондирующим малой мощности излучением, изменяющимся по гармоническому закону.

6. Решена теоретическая задача и предложен метод ИК дефектоскопии, в котором датчиком ИК излучения служит фотоприемник типа "сэндвич" на CdHgTe, чувствительный в двух спектральных диапазонах АХ\ = 2.5 мкм и ДЯг = 8. 14 мкм. В методе, после подачи на поверхность исследуемого непрозрачного материала короткого импульса лазерного излучения, синхронно и независимо регистрируются фотосигналы 1\ и h и скорости их изменения в диапазонах АЛ\ и ДЯг от одной и той же тепловой зоны объекта, имеющего температуру Т< 685 К. Теплофизические параметры и глубину залегания дефектов определяют путем деления отношения (dl\ldx)ll\ диапазона ДА] на (dIjldT)IIj диапазона ДЯ2. Метод уменьшает влияние излучателъной способности объекта на результаты измерений, а также повышает инструментальную точность за счет исключения аппаратных функций обоих спектральных диапазонов.

7. Решена теоретическая задача и предложен метод ИК дефектоскопии, в котором датчиком ИК излучения служит фотоприемник типа "сэндвич" на CdHgTe, чувствительный в двух спектральных диапазонах ДЯ] - 2.5 мкм и ДЯг = 8. 14 мкм. В методе на исследуемый непрозрачный образец с поверхностным покрытием подаются короткие импульсы Ю-8 с) лазерного излучения с частотой Д модулированные по амплитуде с частотой су« Д и каналом ДЯг регистрируются (dh/dx) импульсов теплового излучения образца с частотой Д а сигнал по каналу ДЯ1 от тепловой волны с частотой со демодулируется с последующей регистрацией разности фаз между тепловой волной и излучением лазера, и по (dl^dr), частоте сои сдвигу фаз определяется коэффициент температуропроводности покрытия образца а, его толщина И и размер тепловой неоднородности 6под ним.

8. Для системы, состоящей из лазера, эллипсоидального отражателя, линзы и ФПУ, применяемой для ИК дефектоскопии, предложена конструкция эллипсоидального отражателя и теоретически рассчитаны зависимости между параметрами системы и пороговой скоростью изменения фотосигнала dl/dx, принимаемого ФПУ от теплового источника, представляющего собой локально разогретую излучением лазера поверхность металлической пленки на изолирующей подложке.

Заключение

Решена научная проблема, включающая разработку технологии фотодиодов на кейновских узкозонных полупроводниках InSb, РЬТе и CdxHgixTe, установление критериев согласования параметров фотодиодов и оптико-электронных систем для оптимального обнаружения и пространственного разрешения тепловых объектов в ИК диапазонах 3. 5 и 8. 14 мкм, а также предложены, теоретически обоснованы и практически осуществлены новые методы измерения параметров тепловых объектов. Основные результаты работы сводятся к следующему.

1. Определены необходимые свойства исходных материалов InSb, РЬТе и CdxHgixTe и разработана технология изготовления фотодиодов с D* ограниченной фоном. Выявлены предельные температуры и смещения U, при которых у фотодиодов начинается падение/)*, а значит и ДГпор системы, из-за того, что тепловой шум становится сравним с фотонным. Для идеальных фотодиодов на InSb это температура Т« 140 К, а для экспериментальных не выше Т« 110 К и U не более -100. .150 мВ. Причем в диапазоне температур Т= 90. 100 KD* ограничена генерационными процессами в ОПЗ перехода, а оптимальный режим, режим ограничения фоном D*, начинается при Т< 90 К.

2. При исследованиях образцов w-CdHgTe была определена энергия уровней с глубиной £с - Et от 23 до 32 мэВ, авэтихжеобразцах/7-типа, после отжига, определена энергия уровнейEt-Ey в 32 и 48 мэВ. Кроме того, был впервые обнаружен глубокий уровень Е\-Еу& 0.7Eg, связанный с неизвестной примесью, имеющей амфотерный характер. У фотодиодов на CdxHgixTe из измерений туннельного тока через "примесные" уровни в запрещенной зоне были отмечены мелкие уровни cEt-Ev = 8. 12 мэВ, создаваемые однозарядными вакансиями Ун8+ и связанные с зоной Еу, и глубокие уровни с Et=Еу + 0.6£g, связанные с зоной Ес. Выявлено, что они ведут себя как ловушки и слабо влияют на параметры фотодиодов. Рекомбинационными уровнями, сильнее влияющими на параметры фотодиодов, являются уровни с Et - Еу « 36 мэВ. Среди этой группы уровней есть уровни с Et » Еу + 0.26Eg, т. е. связанные с зоной Ес, и есть не зависящие от Eg, следовательно от состава х CdxHgi.xTe, и, вероятнее всего, последние создают примесные атомы.

Теоретические расчеты и экспериментальные данные показали, что для достижения высоких значений т](Я) и Si(/l) фотодиодов на CdxHgixTe необходимо уменьшать/^ в/юбласти перехода. Однако на этом пути имеются принципиальные трудности технологического характера из-за особенностей синтеза и роста кристаллов CdHgTe, поэтому в настоящее время нет сообщений об изготовлении и+-р-переходовнаCdxHgixTe(х« 0.20) ср< МО16см-3 (78К) иг\> 0.7.

3. Разработаны в металлическом исполнении с оптимальными теплопритоками фотодиоды ФД-511-1, ФД-511-2, ФД-294-1 и ФД-294-2 на спектральные диапазоны 3.5 и 8. 12 мкм для эксплуатации в оптико-электронных системах. Фотодиоды отличаются высокой D*, повышенной механической и термической стойкостью. Разработан фотогальванический двухдиапазонный фотоприемник "Ядран" типа "сэндвич" структуры, у которого верхним является фотодиод на w-InSb с Л» = 5.3 мкми D* =2.310п смГц1/2Вт \ а нижним-фотодиод на CdxHgi.xTe с 11.2 мкм и D\ =3.2Ю10 смТц1/2Вт-1.

4. Теоретически рассчитаны ЧКХ фотодиодов HaCdxHgi.xTec/LcoOT 1.8 до 18.0мкм, определены условия оптимального согласования размера г0 чувствительной площадки фотодиода с пятном рассеяния изображения точечного объекта. Показано, что фотодиоды ИК диапазона, искажая истинный контраст объекта, имеют ЧКХ, которая увеличивает весовую долю низкотемпературных участков объекта и занижает - высокотемпературных. Причем это искажение тем сильнее, чем меньше г0 и больше Ясо фотодиода.

5. Показано, что при наблюдении удаленных объектов в диапазоне 8. 14 мкм, когда происходит затухание излучения в атмосфере, для достижения минимальной Д Гпор тепловизионной системы в ней следует применять фотодиоды на CdxHgixTe с Л^ = 11 ±1 мкм, а для спектрального диапазона 3. 5 мкм фотодиоды с Л,*, = 4.0 ±0.1 мкм. Система с фотодиодом на CdxHgixTe с Л^ = 4.0 мкм дает улучшение ДГпор примерно в 2 раза по сравнению с системой с фотодиодом на InSb с Лео = 5.4 мкм и является оптимальной по ДГпор в диапазоне 3. 5 мкм.

6. Предложена и теоретически обоснована новая конструкция иммерсионного фотодиода на основе эпитаксиальной структуры CdxHg i хТе спектрального диапазона 8. 14 мкм, когда иммерсионная линза одновременно выполняет функцию длинноволнового фильтра с Л>= 8.0 мкм. В спектральном диапазоне 8. 14 мкм Д Гпор систем с иммерсионными фотодиодами имеет слабо выраженную зависимость от Лео в отличие от систем с фотодиодами без иммерсионных линз.

7. Предложены и теоретически обоснованы новые методы определения коэффициента температуропроводности а твердых материалов, в которых датчиком сигнала служат фотодиоды в виде двух центрированных кольцевых планарных/>-и-переходов. Получены соотношения, связывающие коэффициент а с геометрическими параметрами />-«-переходов и моментами времени, соответствующими максимумам сигналов на них. Решена теоретическая задача определения послойно коэффициента температуропроводности а и толщины подповерхностных слоев d непрозрачных твердых тел из измерений разности фаз сигналов двух центрированных кольцевых/т-л-переходов фотодиодов, принимающих ИК излучение от концентрических тепловых волн на поверхности твердого тела, изменяющихся по гармоническому закону. Решена теоретическая задача определения размеров дефектов £под непрозрачными поверхностными покрытиями по сдвигу фаз сигналов фотоприемника, имеющего два кольцевых/>-и-перехода, принимающих ИК излучение поверхностной концентрической тепловой волны, возбуждаемой в исследуемом образце зондирующим малой мощности излучением, изменяющимся по гармоническому закону.

8. Предложены и теоретически обоснованы два новых метода ИК дефектоскопии, в которых датчиком ИК излучения служит фотоприемник типа "сэндвич" на CdHgTe, чувствительный в двух спектральных диапазонах ЛЯг = 3.5 мкм и АЛг = 8.12 мкм. В первом методе, после подачи на поверхность исследуемого непрозрачного образца короткого импульса лазерного излучения, синхронно и независимо регистрируются фотосигналы 1\ и h и скорости их изменения в диапазонах АХ\ и АХг от одной и той же тепловой зоны объекта. Теплофизические параметры и глубину залегания дефектов определяют путем деления отношения (dl\ldx)ll\ диапазона АХ\ на (dli/dtyh диапазона АЛг- Метод уменьшает влияние излучательной способности объекта на результаты измерений, а также повышает инструментальную точность за счет исключения аппаратных функций обоих спектральных диапазонов. Во втором методе на исследуемый непрозрачный образец с поверхностным покрытием подаются короткие импульсы Ю-8 с) лазерного излучения с частотой Д модулированные по амплитуде с частотой (о« Д и каналом АЛг регистрируются (dlj/dx) импульсов теплового излучения образца с частотой Д а сигнал по каналу АЛ\ от тепловой волны с частотой ©демодулируется с последующей регистрацией разности фаз между тепловой волной и излучением лазера, и noidl-JdT), частоте о>и сдвигу фаз определяется коэффициент температуропроводности покрытия образцам, его толщина/; и размер тепловой неоднородности 8 под ним.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Туринов, Валерий Игнатьевич, 2004 год

1. Hurwitz С.Е., Donnelly J.P. Planar JnSb photodiodes fabricated by Be and Mg ion implantation//Solid-St. Electronics. -1975. -V.18, N 19. -P.753-756.

2. Fiorito G., Gasparrini G., Svelto F. Properties of Hg implanted HgixCdxTe infrared detectors //J. Appl. Phys. -1978. -V.17, N 1. -P. 105-110.

3. Benson R.G., Forrest W.J., Pipher J.L., Glaccum W.J. Spatial distributions of hole traps and image latency in InSb focal plane arrays //SPIE. -2000. V.4131. -P. 171-184.

4. Nesher O., Elkind S., Adin A. A Digital Cooled InSb Detector for IR Detection //SPIE. -2003. -V.5074.-P. 120-129.

5. Hipwood L., Gordon N.T., Jones C.L. 4 цт cut-off MOVPE HgixCdxTe hybrid arrays with near BLIP performance at 180 К //SPIE. -2003. -V.5074. -P.185-190.

6. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. М.: Наука, 1979. -339 с.

7. Iantsch W., Lopez-Otero A. Influence of lattice defects on the paraelectric behaviour of PbTe //Pros, of 13th Intern. Confer. Rome, Aug. 30 Sept. 3. -1978. -P.487.

8. Заитов Ф.А., Исаев Ф.К., Бонакова JI M., Косогов O.B. Исследование влияния нейтронов на /T-w-переходы на основе InSb //Электронная техника. Сер. Материалы. -1985. -В. 1(200). -С.56-58.

9. Kumar R, Dutt М.В., Nath R., Chauder R., Gupta S.C. Boron implantation p-type Hgo>8Cdo,2Te //J. Appl. Phys. -1990. -V.68, N11. -P.5564-5566.

10. Grnner M., Davis M., Devitt J., Rawe R., Wade D., Vollker J. State of the art in large format IR FPA development at CMC Electronics Cincinnati //SPIE. -2003. -V.5074. -P.60-71.

11. Chu M., Gurgenian H.K., Mesropian S. Advanced HgCdTe Focal Plane Arrays //SPIE. -2003. -V.5074. -P. 103-110.

12. Suffis S., Cals M., Tauvy M. Implementation and measurement of gamma radiation on IR photodetectors HgCdTe IRCMOS //SPIE. -2003. -V.5074. -P. 111-119.

13. Turinov V.I. Optical and thermophysical parameters measurement using sandwich photodetectors //SPIE. -1993. -V.2161. -P. 153-157.

14. Берников E.B., Гапонов С.С., Туринов В.И. Автоматизированный комплекс многоспектральной ИК дефектоскопии //8-я Всесоюзн. н.-т. конф. "Фотометрия и ее метрологическое обеспечение". Москва, ВНИИОФИ, 26 30 ноября 1990г. Тезисы. С. 114.

15. Гапонов С.С., Туринов В.И. К задаче измерения оптических и теплофизических констант образцов "сэндвич" приемниками ИК диапазона//18-я н.-т. конф. "Высокоскоростная фотография и фотоника". Москва, ВНИИОФИ, 26 27 ноября 1997г. Тезисы. С.ЗО.

16. Гапонов С.С., Туринов В.И. Импульсно-модуляционный метод термографического контроля образцов с глубоко расположенными дефектами //Дефектоскопия. -1996. —В. 11. -С.71-77.

17. Берников Е.В., Гапонов С.С., Туринов В.И. Способ ИК-дефектоскопии //Патент РФ № 2059230, заявлен 27.11.92. Бюлл. № 12, 1996 г.

18. Гапонов С.С., Туринов В.И. Способ двухспектральной импульсно-частотной дефектоскопии //Патент РФ № 2114421, заявлен 31.05.96. Бюлл. № 18, 1998 г.

19. Putly Е.Н. Topics in Applied Physics. Springer Verlag, Berlin and N.Y. 1980.

20. Ravich L.E. Pyroelectric detectors and imaging //Laser Focus/Electro-Optics. -1986. -N 7. -P. 104-115.

21. Bode D.E. Infrared detector technology today and tomorrow //Electro-Opt. Systems Des. -1976. -V.8, N 12. -P.42—46.

22. Sclar N. Properties of doped silicon and germanium infrared detectors //Prog. Quant. Electr. -1984. -V.9, N 3. -P. 149-170.

23. Pellegrini P.W., Shepherd F.D. The evolution of metal silicide Schottky barrier infrared focal plane detectors //SPIE. -1983. -V.409. -P.66-68.

24. Kimuta M. u.a. A 512x512-Element PtSi Schottky-Barrier Infrared Imager Sensor //J. Solid-State Circuits. -1987. -V.22, N 6. -P. 1124-1129.

25. Park J.S., Lin T.L., Jones E.W., Del Castillo H.M., George Т., Gunapala S.D. Long-wavelength stacked SiixGex/Si heterojunction internal photoemission infrared detectors //SPIE. -1993. -V. 2020. -P. 12-21.

26. Riedling K., Qlcaytug F., Fallmann W. Alloyed planar diodes in indium antimonide //Electron. Lett. -1979. -V.15, N 18. -P.572-573.

27. Lambert V.L. Пат. США, кл.148-186, N 3.554.818. Заявл. 25.04.68, опуб. 12.01.71.

28. Koichi К., Akihiro Y., Water M. Properties of JnSb photodiodes fabricated by liquid phase epitaxy//Jap. J. Appl. Phys. -1976. -V.15, N 7. -P. 1329-1334.

29. Rosbeck J.P., Kasai I., Hoendervoogt R.M., Lanir M. High performance Be+ implanted InSb photodiodes//IEDM. -1981. V.7. -P. 161-164.

30. Foyt A G., Lindley W.T., Donnelly J.P. n-p Junction photodetectors in JnSb fabricated by proton bombardment //Appl. Phys. Lett. -1970. -V.16, N 9. -P.335-337.

31. Protons are key to IR detector arrays //Elektronics. -1973. -V.46, N 9. -P.32, 34.

32. Chang L.L. Junction delineation by anodic oxidation in JnSb(As,P) //Solid-St. Electronics. -1967. -V.10, N 2.-P.539-544.

33. Богатырев B.A., Гаврилов A.A., Качурин Г.А., Пусеп Ю.А., Смирнов JI.C. Электрические и фотоэлектрические свойства р-п-переходов на InSb, полученных внедрением ионов цинка с последующей диффузионной разгонкой//ФТП. -1978. -Т. 12, в. 11. -С.2106-2109.

34. Eddolls D.V. 3-5 цт single crystal РЬТе and PbxSni xTe detectors //Infr. Phys. -1976. -V.16, N 1. -P.47-50.

35. Donnelly J.P., Harman T.C., Foyt A G., Lindley W.T. PbTe photodiodes fabricated by Sb+ ion implantation //J. Nonmetals. -1973. -V.l, N 2. -P. 123-128.

36. Donnelly J.P., Harman T.C. As-Ion implanted lead telluride p-n junction photodiodes //Solid-St. Electr. -1975. -V.18, N 12. -P. 1144-1146.

37. Logothetis E.M., Holloway H., Varga A.J., Johnson M.J. n-p Junction IR detectors made by proton bombadrment of epitaxial PbTe //Appl. Phys. Lett. -1972. -V.21, N 9. -P.411-413.

38. Hadni A. Review on thermal infrared detectors //Chinese J. Infrared Research. -1986. -V.5,ser.B. -P. 1-16.

39. Piroelectric infrared detectors //Electronic application news. -1982. N 7/8. -P.29-36.

40. Tebo A.R. SPIE San Diego Preview: infrared technology and Cryogenic optical Systems //Laser Focus + Electro-Optics. -1988. -N 6. -P.94-95.

41. Levine B.F., Bethea C.G., Choi K.K., Walker J., Malik R.J. Bound-to-extended state absorption GaAs superlattice transport infrared detectors //J. Appl. Phys. -1988. -V. 64, N 3. -P. 1591-1593.

42. Melngailis I., Harman T.C. Semiconductors and Semimetals 5, ed. by R.K. Willardson and AC. Beer (Academic Press, N.Y. 1970) pp. 111-174.

43. Lehmann C.H., Nimtz G., HassL.D., Jakobus T. Appl. Phys. -1981. -V.25. -P.291.

44. Baars J., Sorger F. Solid State Commun. -1972. -V.10. -P.875.

45. Shanley J.E., Flanagan C.T., Reine M.B. Elevated temperature n+-p Hgo,8Cdo,2Te photodiodes for moderate bandwidth infrared heterodyne applications //SPIE. -1980. -V.227. -P. 117-122.

46. Shanley J.E., Flanagan C.T. Wide bandwidth, high sensitivity Hgo^Cd^Te photodiodes for C02 laser applications //SPIE. -1980. -V.227. -P. 123-132.

47. Л 49. Marine J., Motte C. Infrared photovoltaic detectors from ion-implanted CdxHgi-xTe //Appl.

48. Phys. Lett. -1973. -V.23, N 8. -P.450-452.

49. Mollmann K.-P., Bittner H., Heukenkamp H., Schubert B. Diffusion limited dark current in As-implanted (Hg,Cd)Te photodiodes /flnfr. Phys. -1991. -V.31, N 5. -P.493^99.

50. Igras E., Piotrowski J., Higersberger I.Z. Investigation of ion implanted graded gap (Cd,Hg)Te photodiodes //Electr. Technol. -1977. -V. 10, N 4. -P.63-70.

51. Wilson R.G. <111> Randon and <110> channeled implantation profiles and range parameters in HgCdTe //J. Appl. Phys. -1988. -V.63, N11. -P.5302-5311.

52. Foyt A G., Harman T.C., Donnelly J.P. Type conversion and n-p junction formation in Hgi. xCdxTe produced by proton bombardment //Appl. Phys. Lett. -1971. -V. 18, N 8. -P.321-323.

53. Wang C.C. Mercury cadmium telluride junctions growth by liquid phase epitaxy //J. Vac. Sci. and Techn. B. -1991. -V.9, N 3. -P. 1740-1745.

54. Fiorito G., Gasparrini G., Svelto F. Advance in Hg implanted Hgi.xCdxTe photovoltaic detectors //Infr. Phys. -1975. -V.15, N 4. -P.287-293

55. Rosbeck J.P., Starr R E. Price S.L., Riley K.J. Backg-round and temperature dependent current-voltage characteristics of HgCdTe photodiodes //J. Appl. Phys. -1982. -V.53, N 9. -P.6430-6440.

56. Shanley J.F., Flanagan C.T., Reine MB. Thermal diffusion current mechanisms in n+-p-p Hgi.xCdxTe photodiodes //IEEE Int. El. Dev. Meet., Waschington. -1980. -P.501-507. -1980. -V.ED-27, N 1. -P.48-57.

57. Briggs R.J., Marciniec J.W., Zimmerman P H., Sood A.K. Current mechanisms and 1/f noise ^ in 8-12 цт n+ on p(Hg,Cd)Te photodiodes /ЛЕЕЕ Int. El. Dev. Meet., Waschington. -1980. -V.2.1. P.496-500.

58. Wong J. Y. Effect of trap tunneling on the performance of long-wavelength Hgi.xCdxTe photodiodes //IEEE Trans. El. Dev. -1980. -V.ED-27, N 1. -P.48-57.

59. Rolls W.H. A Two-color infrared detector //Electro-Optical Systems Design. -1977. -V.9, N 11.-P.10-13.

60. Lockwood A.H., Balon JR., Chia P.S., Renda F.J. Two-color detector arrays by PbTe/Pbo>8Snol2Te liquid phase epitaxy //Infr. Phys. -1976. -V.16, N 5. -P.509-514.

61. Fiorito G., Gasparrini G., Svelto F. Multispectral HgixCdxTe photovoltaic detectors //Infr. Phys. -1976. -V.16, N 5. -P.531-534.

62. Halpert H., Musicant B.L. N-Color (Hg,Cd)Te photodetectors //Appl. Optics. -1972. -V.ll, N 10. -P.2157-2161.

63. Жуков А.Г., Комарницкая О.Б., Трунов А.П. Двухднапазонный тепловизор //Электронная промышленность. -1987. -В.8(166). -С.61-63.

64. Жуков А.Г. Быстродействующий тепловизор ТВ-03 (БТВ-1) //Электронная промыш-Ш ленность.-1981.-В.З.-С.50.

65. Мирошников М.М. Теоретические основы оптико-электронных приборов. Л.: Машиностроение, 1983. -695 с.

66. Якушенков Ю Г. Теория и расчет оптико-электронных приборов. М.: Логос, 1999. -480с.

67. Тришенков М.А. Фотоприемные устройства и ПЗС. М.: Радио и связь, 1992. -400 с.

68. Ллойд Дж. Системы тепловидения. М. Мир, 1978. -414 с.

69. Порфирьев Л.Ф. Теория оптико-электронных приборов и систем. Ленинград. Машиностроение, 1980. -272 с.

70. Ишанин Г.Г., Панков Э.Д., Андреев А.Л., Полыциков Г.В. Источники и приемники излучения. С.-Пб.: Политехника, 1991. -240 с.

71. Круз П., Макглоулин Л.Ю. и Макквистан Р. Основы инфракрасной техники. М.: Военное издательство, 1964. -463 с.

72. Sawyer D.E., Rediker R.H. Harrow base germanium photo-diodes //Proc. IRE. -1958. -V.48, N6.-P. 1122-1130.

73. Van de Wiele F. Solid-State Imaging. Ser.E: Appl. Science, N 16. Hoordhoff-Leyden, 1976.-P.29.

74. Wang S. Solid-State Electronics. N.Y.: McGraw-Hill, 1966. -P.300-308.

75. Субашиев В. К. Вентильный фотоэффект на р-п-переходе при произвольной функции генерации //ФТТ. -1961. -Т.З, в. 12. -С.3571-3580.

76. Tandon J.C., Roulston D.J., Chamberlain S.G. Reverse-bias characteristics of a P-N-N pho-todiode //Solid-St. Electr. -1972. -V. 15, N 6. -P.669-685.

77. Евдокимов B.M., Лисовский Ю Л. Диффузия электронов в постоянном электрическом поле с экспоненциально изменяющимися подвижностью и временем жизни //ФТТ. -1972. -Т. 14, в.8. -С.2416-2420.

78. Levin B.J. Spot illumination of a semiconductor panel //Proc. IEEE. -1968. -V.56, N 7. -P.1230-1231.

79. Mukheijee M.K., Das S.N. Two-dimensional analysis for response of a photodiode array //Solid-St. Electr. -1975. -V.18, N 7/8. -P.716-718.

80. Holloway H. Theory of lateraly-collection photodiodes //J. Appl. Phys. -1978. -V.49, N 7. -P.4264—4269.

81. Хотяинцев В Н., Андреев В. А., Кузнецов И.М., Берцов В.Б. О регистрации фотоприемником многомодового гауссова пучка//Оптика и спектроскопия. -1986. -Т.60, в.4. -С.852-855.

82. Белов М.Л., Орлов В.М. Об оптимальной форме фотоприемника //Оптика и спектроскопия. -1986. -Т.60, в.2. -С.404—406.

83. Тейч М.Г. Гетеродинное детектирование в ИК-области спектра //ТИИЭР. -1968. -Т.56, № 1. -С.46-57.

84. Melngalis I., Calawa A.R. Photovoltaic effect in PbxSni.xTe diodes //Appl. Phys. Letts. -1966. -V.9, N 10. -P.304-306.

85. Dimmock J.O., Melngalis I., Strauss A.J. Band structure and laser action in PbxSni.xTe //Phys. Rev. Letts. -1966. -V. 16, N 6. -P. 1193-1196.

86. Verie C., Ayas J. CdxHgi.xTe infrared photovoltaic detectors //Appl. Phys. Letts. -1967. -V.10, N 9. -P.241-243.

87. Spears D.L. Planar HgCdTe quadrantal heterodyne arrays with GHz response at 10,6 цт //Infr. Phys. -1977. -V.17, N 1. -P.5-8.

88. Coyester J.Y., Hofheimer H. Selecting HgCdTe photodiodes //Optical Spectra. -1978. -V.12, N11. -P.55-59.

89. Bouman C., Sauer К. /ЛЕЕЕ Trans. Image Process. -1993. -V.2, N 3. -C.296-310.

90. SundaramR., Ersoy O.K., HansenD. //Opt. Eng. -1995. -V.34, N 11. -C.3271-3276.

91. Воронин В.И., Дедкова Н.Д. //Оптич. ж. -1994. 2. -С.20-23.

92. Nordal Р.Е., Kanstad S.O. Photothermal radiometry //Physica Scripta. -1979. -V.20. -P.659662.

93. Leung W.P., Tarn A.C. Techniques of flash radiometry //J. Appl. Phys. -1984. -V.56, N 1. -P.153-161.

94. Cielo P. Pulsed photothermal evaluation of layered materiales //J. Appl. Phys. -1984. -V.56, N 1. -P.230-234.

95. Neale R. Laser methods for contactless testing //Electron. Eng. -1986. -V.58, N 719. -P.113-114, 117.

96. Klein M.V. Optics. Wiley, NY.: 1970. -647 p.

97. Shuman H. Contrast in confocal scanning microscopy with a finite detector //J. Microscopy. -1988. -V.149, N 1. -P.67-71.

98. Lindberg P.J. A prisma line-scanner for high speed thermography //Optica Acta. -1966. -V. 15, N 1. -P.305-316.

99. Jespers P.G., Van de Wiele F., White M.H. Solid state imaging. Noordhoff-Leyden, The Netherlands: 1976. -573 p.

100. Вавилов В.П., Ахмед Т., Джин Х.Д., Томас P.JI., Фавро Л.Д. Экспериментальная тепловая томография твердых тел при импульсном одностороннем нагреве //Дефектоскопия. -1990, № 12. -С.60-66.

101. Бекешко Н А. Об интерпретации результатов теплового контроля при изменениях из-лучательной способности поверхности объекта контроля //Дефектоскопия. -1982, № 9. -С.32-34.

102. Свет Д.Я. Оптические методы измерения истинных температур, М.: 1982. -296 с.

103. Обозрение электронной техники //Электроника. -1984. 4. -С.6.

104. ЦНИИ Электроника//Экспресс-информация. -1988. -В. 60(4363).

105. Chung Н.К., Rosenberg М.А., Zimmerman Р.Н. Origin of 1/f noise observed in Hgi.xCdxTe variable area photodiodes arrays //J. Vac. Sci. Technol. A. -1985. -V.3, N 1. -P. 189-191.

106. Tobin S.P., Iwasa S., Tredwell T.J. 1/f Noise in (Hg,Cd)Te photodiodes //IEEE Trans. El. Dev. -1980. -V.ED-27, N 1. -P.43^18.

107. Scott M.W. Energy gap in HgbxCdxTe by optical absorption //J. Appl. Phys. -1969. -V.40, N 10. -P.4077—4081.

108. Finkman E., Nemirowski Y. Infrared optical absorption of HgxCdixTe //J. Appl. Phys. -1979. -V.50, N 6. -P.4356-4361.

109. Туринов В.И. Квантовая эффективность фотодиодов на основе CdHgTe //Электронная техника. Cep.ll. Лазерная техника и оптоэлектроника. -1984. -Вып. 1(27). -С.88-98.

110. Туринов В.И. Крутизна преобразования фотодиодов с кейновской зонной структурой //Радиотехника и электроника. -1990. -Т.35, в. 5. -С. 1073-1080.

111. Капе Е.О. Band structure of indium antimonide //J. Phys. and Chem. Solids. -1957. -V.l, N 1. -P.249-261.

112. Guldner Y., Rigaux C., Mycielski J., Couder Y. Magnetooptical investigation of Hgi xCdxTe mixed crystals //phys. stat. sol. (b). -1977. -V.82, N 1. -P. 149-158.

113. Weiler M.H. Semiconductors and semimetals /Ed. By RWillardson and ABeer. -N.Y.: Academic, 1981. -V.18. -P. 119.

114. Baars J., Sorger F. Restralen spectra of HgTe and CdxHgixTe //Solid-State Comm. -1972. -V.10, N 9. -P.875-878.

115. Dingrong Q., Wenguo Т., Jie S., Junhao C., Guozhen Z. Infrared absorption in In-doped degenerate HgixCdxTe //Solid State Comm. -1985. -V. 56, N 9. -P.813-816.

116. Mroczkowski J.A., Nelson D.A., Murosako R., Zimmermann P.H. Optical absorption edge inHgo.7Cdo.3Te //J. Vac. Sci. Technol. A. -1983. -V.l, N 3. -P. 1756-1760.

117. Кронрод A.C. Узлы и веса квадратурных формул. М.: 1964.

118. Капе Е.О. J. Phys. Chem. Solids. -1956. -N.l. -P.83.

119. Ван де Виле Ф. Квантовый выход фотодиода. Полупроводниковые формирователи сигналов изображения. Под ред. Йесперс П., Ван де Виле Ф., Уайт М. М., Мир. -1979. -С.573.

120. Нагибина И.М. Интерференция и дифракция света. Л., Машиностроение, 1974.

121. Heavens O S. Optical properties of thin solid films. Buterworth, London and Washington.1955.

122. Антимонид индия монокристаллический. Каталог. М., 1971.

123. Туринов В.И. Разработка методов получения и исследование физических свойств особо чистого теллурида свинца. Диссертация к. т. н., МИСиС. -1977 г. с.115.

124. Туринов В.И., Дудко С.А., Коновалов С.А. Разработка методов и средств контроля параметров объемного и эпитаксиального материала кадмий-ртуть-теллур //Научно-техн. отчет № 798411, НИР "Целостат". -1989 г. -С.30.

125. Луцив Р.В., Кошелева В.И., Туринов В.И. Температурные и полевые зависимости постоянной Холла и удельного сопротивления на p-CdHgTe //Материалы УП Всесоюзного симпозиума, Львов. -1986 г. Тезисы. -С. 124-125.

126. Кошелева В.И., Туринов В.И. Исследование инвертирующих отжигов твердых растворов CdxHgi.xTe//Электронная техника. Сер.6. Материалы. -1987. -В.5(226). -С.76-78.

127. Шевчун, Генкер, Ягер, Барбер, Томпсон. Управляемая ЭВМ, автоматическая система измерения проводимости и эффекта Холла в полупроводниковых образцах //Приборы для научных исследований. -1971. -№ 2. -С. 1797-1807.

128. Голуб Н.П., Потапов В.Ф., и др. Автоматизированный комплекс для определения электрофизических параметров полупроводниковых структур //Приборы и техника эксперимента. -1986.-№2. -С.238.

129. Туринов В.И. Автоматизация измерений электрофизических параметров полупроводников //Электронная техника. Сер.1. СВЧ электроника. -1991. -В.1(445). -С.30-32.

130. Schmit J.L. and Stelzer E,L. Temperature and alloy compositional dependences of the energy gap ofHgi.xCdxTe //J. Appl. Phys. -1969. -V.40, N 12. -P.4865^869.

131. Туринов В.И. Импульсный метод измерения времени жизни носителей тока //10-я н -т. конф. "Фотометрия и ее метрологическое обеспечение". Москва, ВНИИОФИ, 29 30 ноября 1994. Тезисы. С.38.

132. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и Y групп. М.: Мир, 1967. -477 с.

133. Туринов В.И. Разработка двухдиапазонного фотоприемника для тепловизора. (НИР "Дцран"). Н.-т. отчет № 20-5984. 1980 г. С.28.

134. Блаут-Блачев А.Н., ИвлеваВ.С., Коротин В.Г., Кривоногое С.Н., Селянина В Н., Сме-танникова Ю.С. Особенности рекомбинационных процессов в n-InSb //ФТП. -1975. -Т.9, в. 11.-С.2176-2178.

135. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М. Высшая школа, 1975. -206 с.

136. Куриленко И.Н., Литвак-Горская Л.Б., Луговая Г.Я., Хлыстовская М.Д. Влияние компенсации на энергию ионизации многозарядных примесей в p-InSb //ФТП. -1977. -Т. 11, в. 6. -С. 1125-1130.

137. Яременко Н.Г. Проводимость сильно компенсированного n-InSb при низких температурах //ФТП. -1975. -Т.9, в. 5. -С.840-846.

138. Ismailov I.M., Nasledov D.N., Smetannikova Ju.S., Felitsiant V.R. Phys. St. Sol. -1969. -V.36. -P.747.

139. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам PbTe PbSe и PbS. М. Наука, 1968. -383 с.

140. Виноградова М.Н., Тамарченко В.И., Прокофьева JIB. Параметры сложной валентной зоны и особенности проводимости в р-РЬТе //ФТП. -1975. -Т.9, в. 3. -С.483-^87.

141. Старик П.М., Акименко Н.И. О температурной зависимости подвижности носителей в РЬТе р-типа //УФЖ. -1970. -Т. 15, в. 2. -С.340-342.

142. Shogenji К, Uchiyama S. On electrical resestivity and Hall coefficient of PbTe crystals //J. Phys. Soc. Japan. -1957. -V.12, N 3. -P.252-258.

143. Смирнов И.А., Мойжес Б.Я., Ненсберг Е.Д. Об эффективной массе носителей тока в селенистом свинце//ФТТ. -1960. -Т.2, в. 8. -С. 1992-2004.

144. Syllaios A.J., Williams M.J. Conductivity type conversion in (Hg,Cd)Te //J. Vac. Sci. Tech-nol. -1982. -V.21, N 1. -P.201-204.

145. Techn. -1981. -V.128, N 12. -P.2609-2619.

146. Schaake H.F., Tregilgas J.H., Beck J.D., Kinch M.A., Gnade B E. The effect of low temperature annealing on defects, impurities and electrical properties of (Hg,Cd)Te //J. Vac. Sci. Technol. A. -1985. -V.3, N 1. -P. 143-149.

147. Berding M.A., Sher A., Chen A.-B. Vacancy formation energies in II-YI semiconductors //J. Vac. Sci. and Technol. -1987. -V.A5, № 5. -P.3009-3013.

148. Елизаров А.И., Курбанов K.P., Берченко H.H., Евстигнеев А.И. Особенности образования электрически активных дефектов в халькогенидах ртути //Электронная техника. Сер.6. Материалы. -1983. -В.5(178). -С.74-76.

149. Scott W. Electron mobility in Hgi.xCdxTe //J. Appl. Phys. -1972. -V.43, N 3. -P.10551062.

150. Dubowski J.J., Dietl Т., Szymanska W., Galazka R.R. Electron scattering in CdxHgbxTe //J. Phys. Chem. Solids. -1981. -V.42, N 5. -P.351-362.

151. Brebrick R.F., Schwartz J.P. Defect analysis of (Hgo.eCdo.^i-yTey //J. of Electr. Mat. -1980. ♦ -V.9, № 3. -P.485-497.

152. Schmit J.L. Intrinsic carrier concentration of Hgi.xCdxTe as a function of x and Г using kp calculations //J. Appl, Phys. -1970. -V.41, N 7. -P.2876-2879.

153. Hansen G.L. and Schmit J.L. Calculation of intrinsic carrier concentration in Hgi.xCdxTe //J.

154. Appl. Phys. -1983. -V.54, N 3. -P. 1639-1640.

155. Бовина JI. А., Савченко Ю.Н., Стафеев В.И. Гальваномагнитные явления в узкозонных твердых растворах CdxHgi.xTe //ФТП. -1975. -Т.9, в. 11. -С.2084-2090.

156. Соболев Д.В., Пономаренко В.П., Бовина Л.А., Стафеев В.И., Курбанов К.Р. Электрофизические свойства микрокристаллов CdxHgi.xTe с х = 0,3 //ФТП. -1981. -Т. 15, в. 7. -С. 1293-1295.

157. Карачевцева Л.А., Любченко А.В., Маловичко Э.А. Особенности магнитополевых зависимостей кинетических коэффициентов в двухслойных структурах CdxHgi.xTe //ФТП. -1992. -Т.26, в. 3. -С.535-538.

158. Бовина Л.А., Савченко Ю.Н., Стафеев В.И. Гальваномагнитные явления в узкозонных CdxHgi.xTe при гелиевых температурах//ФТП. -1975. -Т.9, в. 1. -С.26-31.

159. Елизаров А.И., Иванов-Омский В.И., Корнияш А.А., Петряков В.А. К вопросу об аномалиях кинетических коэффициентов в CdxHgi.xTe при низких температурах //ФТП. -1984. -Т. 18, в. 2. -С.201-205.

160. Власенко А.И., Гаврилюк Ю.Н., Любченко А.В., Сальков Е.А. Рекомбинация носителей в кристаллах CdxHgi.xTe в области примесной проводимости //ФТП. -1979. -Т. 13, № 11.щ С.2180-2184.

161. Steininger J. //Cryst. Growth. -1977. -V.37, № 1. -P. 107-115.

162. Гальпери Ю.С., Эфрос А Л. Электронные свойства компенсированных полупроводников с коррелированным распределением примесей //ФТП. -1972. -Т.6, в. 9. -С. 1081-1085.

163. Kinch М.А., Brau M.J., Simmons A. Recombination mechanisms in 8-14 pm HgCdTe //J. Appl. Phys. -1973. -V.44, N 4. -P. 1649-1663.

164. Pratt R.G., Hewett J., Capper P., Jones C.L., Jubb N. Minority-carrier lifetime in doped and undoped n-type CdxHgi.xTe //J. Appl. Phys. -1986. -V.60, N 7. -P.2377-2385.

165. Lacklison D.E., Capper P. Minority carrier lifetime in doped and undoped p-type CdxHgi. xTe//Semicond. Sci. Technol. -1987. -V.2, N 1. -P. 33-43.

166. Polla D.L., Tobin S.R., Reine M.B., Sood. A.K. Experimental determination of minority-carrier lifetime and recombination mechanisms in p-type Hgi.xCdxTe //J. Appl. Phys. -1981. -V.52, N 8. -P. 5182-5194.

167. Kinch M.A. Electronics properties of HgCdTe //J. Vac. Sci. Technol. -1982. -V. 21, N 1. -P.215-219.• 169. Mollmann K.-P., Bittner H., Heukenkamp H., Schubert B. Diffusion limited dark current in

168. As-implanted (Hg,Cd)Te photodiodes//Infr. Phys. -1991. -V.31, N 5. -P.493^99.

169. Whelan M.V. Graphical relations between surface parameters of silicon, to be used in connection with MOS-capacitance measurements //Philips Research Reports. -1965. -V.20, N 5. -P.620

170. Carter D.L., Kinch M.A., Buss D.D. Optical phonons and dielectric constant in Hgi.xCdxTe //J. Phys. Chem. Solids. Suppl 1. -1971. -V.32. -P.273-277.

171. Nemirovsky Y., Bahir G. Passivation of mercury cadmium telluride surfaces 111. Vac. Sci. Technol. A. -1989. -V.7, N 2. -P.450-459.

172. Campbell A., Hayman C. Manufacturing Aspects ofZinc Sulphide //SPIE. -1988. -V.915. -P. 79-83.

173. Janousek B.K., Carscallen R.C., Bertran P.A. Passivation properties and interfacial chemistry of photochemically deposited Si02 on Hgo,7oCdo,3oTe //J. Vac. Sci. Technol. A. -1983. -V.l, N 3. -P. 1723-1725.

174. Wilson J.A., Cotton V.A. Electrical properties of Si02: HgCdTe interface 111. Vac. Sci. Technol. A. -1985. -V.3, N 1. -P. 199-202.

175. Nemirovsky Y., Burstein L., Kidron I. Interface of p-typy HgixCdxTe passivated with native sulfides 111. Appl. Phys. -1985. -V.58, N 1. -P.366-373.

176. Туринов В.И., Замахина JI.H., Кошелева В.И., Слипенко Н А. Разработка тепловизи-онного фотодиода с граничной длиной волны Хм = 8-14 мкм //Н.-т. отчет № 115-7905. ОКР. -1987 г. -С. 52. (ОКР "Цезий").

177. Туринов В.И. Исследование искажения формы одиночных лазерных импульсов фотоприемниками ИК диапазона //10-я н.-т. конф. "Фотометрия и ее метрологическое обеспечение". Москва, ВНИИОФИ, 29-30 ноября 1994. Тезисы. С.36.

178. Туринов В.И., Дудинов В.А., Замахина Л.А. Разработка и внедрение в производство фотоприемников повышенной надежности в металлокерамическом исполнении для тепловизоров //(ОКР № 3530). Н.-т. отчет № 81-6278. -1981 г. -С.41.

179. Туринов В.И., Дудинов В. А. Разработка фотодиода на антимониде индия для тепловизора //(ОКР "Цикада"). Н.-т. отчет № 250-7393. -1985 г. -С.40.

180. Коршунов А.Б. Эллипсометрическое исследование антимонида индия, облученного ионами средних энергий //ФТП. -1979. -Т. 13, в.9. -С. 1846-1848.

181. Богатырев В.А., Качурин Г. А., Смирнов Л.С. Диффузия цинка из имплантированных слоев антимонида индия //ФТП. -1978. -Т. 12, в.5. -С.878-880.

182. Коршунов А.Б., Миркин Л.И., Тихонов В.Г. Исследование изотермического отжигаантимонида индия, облученного ионами средних энергий //ФТП. -1979. -Т. 13, в.4. -С.645-648.

183. Богатырев В.А., Качурин Г.А., Смирнов Л.С. Внедрение ионов в антимонид индия при повышенных температурах//ФТП. -1978. -Т. 12, в.1. -С. 102-104.

184. Косогов О.В., Перевязкин Л.С. Электрические свойства эпитаксиальных п+-р-переходов в антимониде индия //ФТП. -1970. -Т.5, в.8. -С.1611-1614.

185. Стафеев В.И. Влияние сопротивления толщи полупроводника на вид вольт-амперной характеристики диода//ЖТФ. -1958. -Т.28, в. 8. -С.1631-1641.

186. Туринов В.И. Параметры фотодиодных линеек на InSb при повышенных температурах //9-я н.-т. конф. "Фотометрия и ее метрологическое обеспечение". Москва, ВНИИОФИ. 1992, 24 26 ноября. Тезисы. С.43.

187. Якимов Е.Б. Наведенный электронным пучком ток и его использование для характе-ризации полупроводниковых структур //Изв. РАН, сер.физ. -1992. -Т.56, в. 3. -С.31-^4.

188. Bloom I., Nemirovsky Y. IEEE Trans. El. Dev. -1991. -V.38. -P.1792.

189. Iohnson M R., Chapman R.A., Wrobel J.S. Detectivity limits for diffused junction PbSnTe detectors /Лпй". Phys. -1975. -V.15, N 4. -P.317-329.

190. Heinrich H., Huber W., Lischka K. et al. Minority-carrier lifetime and optical properties of PbTe epitaxial and implanted diodes //J. Vac. Sci. and Technol. -1976. -V.13, N 4. -P.919.

191. Lischka K, Huber W. Carrier recombination and deep levels in PbTe //Solid-State Electr. -1978. -V.21,N 11/12. -P.1509-1512.

192. Kanai Y., Chohno K. Dielectric constant of PbTe //Japan J. Appl. Phys. -1963. -V.2, N 1.1. P.6-10.

193. Day N.M., Macpherson AC. P-N junctions in lead telluride //Proc. IEEE. -1963. -V.51, N 10.-P. 1362-1363.

194. Lischka K., Huber W. Auger recombination in PbTe //J. Appl. Phys. -1977. -V.48, N 6. -P.2632-2633.

195. Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors //Bell Syst. Techn. J. -1949. -V.28, N 3. -P.435-489.

196. Shockley W., Read W.T. Statistics of the recombination of holes and electrons //Phys. Rev. -1952. -V.87, N 5. -P.835-842.

197. Sah S.T., Noyce R.N., Shockley W. Carrier generation and recombination in P-N junction characteristics //Proc. IRE. -1957. -V.45, N 9. -P. 1228-1243.

198. Chakraborty P.K. A study of the effect interband tunneling current on the R<,A product of Hgi.xCdxTe photodiodes//Solid-State Electron. -1991. -V.34, N 6. -P.665-666.

199. Nemirovsky Y., Bloom I. Tunneling current in reverse biased HgxCdixTe photodiodes /Лпй\ Phys. -1987.-V.27, N 3. -P. 143-151.

200. Sah C.T. Phys. Rev. -1961. -V.123. -P.1594.

201. Inkson J.C. An investigation of inversion layer induced leakage current in abrupt p-n junctions. //Solid-St. Electr. -1970. -V.13, N 8. -P. 1167-1174.

202. Cutler M., Bath H.M. Surface leakage current in silicon fused junction diodes //Proc. IRE. -1957. -V.45, N 1. -P.39-43.

203. Statz H., De Mars G.A., Devis H., Adams A. Surface states on silicon and germanium surface //Phys. Rev. -1956. -V.101, N 4. -P.1272-1281.

204. Туринов В.И. Исследование электрических характеристик переходов на CdHgTe //Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. -1990. -В.8. -С.3-5.

205. Schaake H.F., Tregilgas J.H., Lewis A.J., Everett P.M. Lattice defects in (Hg,Cd)Te: investigation of their nature and evolution //J. Vac. Sci. and Technol. -1983. -V.A1, N 3. -P.1625-1630.

206. Легирование полупроводников ионным внедрением. Сб. ст. под ред. B.C. Вавилова и В.М. Гусева. М.: Мир. -1971. -С.532.

207. Fastow R, Nemirovsky Y. The excess carrier lifetime in vacancy- and impurity-doped HgCdTe //J. Vac. Sci. Technol. A. -1990. -V.8, N 2. -P. 1245-1250.

208. Finkman E., Nemirovsky Y. Electrical properties of shallow levels in /?-type HgCdTe.//J. Appl. Phys. -1986. -V.59, N4. -P. 1205-1211.

209. Schlicht В., Alpsancar A., Nimtz G., Schroeder N.F. Proceedings of the 4th International Conference on Physics of Narrow-Gap Semiconductors, Linz 1981 (Springer, Berlin, 1981), p.439.

210. Polla D.L., Jones C.E. Deep level studius of Hgi.xCdxTe. I: Narrow-band-gap space-charge spectrocsopy //J. Appl. Phys. -1981. -V.52, N 8. -P.5118-5131.

211. Polla D.L., Reine M.B., Jones C.E. Deep level studius of Hgi.xCdxTe.II: Correlation with photodiode performance //J. Appl. Phys. -1981. -V.52, N 8. -P.5132-5138.

212. Jones C.E., Nair V., Polla D.L. Generation-recombination centers in p-type Hgi.xCdxTe //Appl. Phys. -1981. -V.39, N 3. -P.248-250.

213. Polla D.L., Reine M B., Sood A.K., Lovecchie P., Jones C.E., Scott M.W. Measurement of space charge generation-recombination current in Hgi.xCdxTe photodiodes by deep level transient spectroscopy //Solid-St. Electr. -1981. -V.24, N 8. -P.719-723.

214. Polla D.L., Jones C.E. Deep level transient spectroscopy in Hgi.xCdxTe //Solid St. Comm. -1980. -V.36, N 9. -P.809-812

215. Polla D.L., Jones C.E. Admittance spectroscopy of deep levels in Hgi.xCdxTe //J. Appl.

216. Phys. -1980. -V.51, N 12. -P.6233-6237.

217. OverhofH. Phys. Stat. Sol. (b) -1971. -V.43, N 1. -P.315.

218. Kinch M.A., Buss D.D. Far infrared cyclotron resonance in Hgi.xCdxTe //J. Phys. Chem. Solids. Suppl 1. -1971. -V.32. -P.461-469.

219. Pines M.Y., Stafsudd O.M. Recombination processes in intrinsic semiconductors using impact ionization capture cross sections in indium antimonide and mercury cadmium telluride //Infr. Phys. -1979. -V.20, N 2. -P.73-91.

220. Cotton V.A., Wilson J.A., Jones C.E. Deep electron traps near the passivated interface of HgCdTe //J. Appl. Phys. -1985. -V.58, N 6. -P.2208-2211.

221. Туринов В.И. Динамическое сопротивление фотодиодов на твердых растворах CdHgTe //Электронная техника. Cep.ll. Лазерная техника и оптоэлектроника. -1989. -В.4(52). -С.61-65.

222. Туринов В.И. Электрофизические свойства твердых растворов CdxHgi.xTe и фотоэлектрические параметры фотодиодов на их основе //Обзоры по электронной технике. Сер.1. СВЧ-Техника. -1992. -В. 16(1687). -91 с.

223. Casselman T.N. Calculation of auger lifetime in p-type Hgi.xCdxTe //J. Appl, Phys. -1981. -V.52, N 2. -P.848-854.

224. Туринов В.И. Исследование емкостных характеристик п+-р-переходов на твердых растворах CdHgTe //Электронная техника. Сер. 1. СВЧ Электроника. -1992. -В.2(446). -С. 14-16.

225. Kennedy D.P. A Mathematical study of space-charge layer capacitance for an abrupt p-n semiconductor junction//Solid-St. Electr. -1977. -V.20, N 1. -P.311-319.

226. Жуков А.Г., Пархоменко B.H., Туринов В.И. и др. Разработка тепловизора с многофункциональным видеоконтрольным устройством //Н.-т. отчет № 50-7555. -1986 г. -С.50.

227. Жуков А.Г., Глазунов Ю.А., Малицкая Н А., Пархоменко В В., Трунов А.П. Модернизированный тепловизор ТВ-03 //Электронная промышленность. -1987. -В.8(166). -С.62-63.

228. Галаванов В.В., Наследов Д.Н., Филипченко А С. Исследование механизма рассеяния электронов в чистых и легированных кристаллах InSb //ФТТ. -1964. -Т.6, в. 9. -С.2683-2688.

229. Filipchenko A.S., Bolshakov L.P. Mobility of holes in p-lnSb crystals //phys. stat. sol.(b). -1976. -V.77, N 1. -P.53-58.

230. Zitter R.N., Strauss A.S.,Attard A.E. Recombination processes in p-type indium antimonide //Phys. Rev. -1959. -V.l 15, N 2. -P.266-273.

231. Pines M.Y., Stafsudd O.M. Characteristics of n-type InSb //Infr. Phys. -1979. -V.19, N 5. -P.563-569.

232. Туринов В. И. Температурная зависимость обнаружительной способности фотодиодов на антимониде индия //Электронная техника. Сер. 11. Лазерная техника и оптоэлектроника.1985. -В.2(33). -С.90-92.

233. Bailey G.C., Niblack С.А., Wimmers J.T. SPIE. -1986. -V.686 -P.76.

234. Исмаилов И М. и др. Примесная фотопроводимость антимонида индия при низких температурах//ФТП. -1968. -Т.2, в. 6. -С.901-903.

235. Engeler W. Photoconductivity in p-type indium antimonide with deep acceptor impurities //J. Phys. Chem. Solids. -1961. -V.22, N 12. -P.249-254.

236. Gibson A.F., Kent M.J., Kimmitt M.F. Photoconductivity in indium antimonide at 10,6 цт wavelength//Brit. J. Appl. Phys. (J. Phys. D). -1968. Ser.2, V.l, N 2. -P. 149-154.

237. Данишевский A.M., Патрин А.А., Рыбкин C.M., Ярошевский И.Д. О влиянии индуцированного поглощения свободными носителями на двухфотонную фотопроводимость в полупроводниках//Ж. экспер. итеорет. физики. -1969. -Т.56, в. 5. -С. 1457-1462.

238. Туринов В.И. Тепловизионные приемники диапазона 8. 14 мкм //Электронная техника. Cep.ll. Лазерная техника и оптоэлектроника. -1988. -В.3(47). -С.83-86.

239. Fiorito G., Gasparrini G., Svelto F. Hg-Implanted Hgi.xCdxTe infrared photovoltaic detectors in the 8- to 14 pm range //Appl. Phys. Lett. -1973. -V.23, N 8. -P.448-449.

240. Polla D.L., Sood A.K. Schottky barrier photodiodes in Hgi.xCdxTe //IEEE, Int. El. Dev. Meet., Washington. -1978. -V.3. -P. 419^20.

241. Дружинина Л.В., Туринов В.И., Шлемский А.А. Способ изготовления гибридных фотодиодных матриц на InSb //Электронная техника. Сер.1. СВЧ-Техника. -1994. -В.2(462). -С.51-63.

242. Hoendervoogt R.M., Kormos К.A., Rosbeck J.P. et. al. Hybrid focal plane array fabrication //IEEE. Int. Electr. Dev. Meet. Washington. -1978. -V.3. -P.510-512.

243. Fowler A.M., Probst R.G, Britt J.P. et. al. Evaluation of an indium antimonide hybrid focal plane array for ground-based infrared astronomy //Opt. Engineer. -1987. -V.26, N 3. -P.232-240.

244. Туринов В.И. Способ изготовления гибридной фотодиодной матрицы на антимониде индия. Патент РФ № 2069028, заявл.21.03.98; Бюлл. 31, 1996г.

245. Микаэлян А. Л. Оптические методы в информатике. 1990. -М.: Наука. -232 с.

246. Туринов В.И. Фотогальванические многоцветные приемники инфракрасного диапазона //Электронная техника. Сер.11. Лазерная техника и оптоэлектроника. -1984. -В.5(31). -С.91-101.

247. Туринов В.И. Амплитудные и фазовые спектры "сэндвич" приемников ИК диапазонас транспарантами //Оптический журнал. -1998. -Т.65, № 4. -С.56-59.

248. Туринов В.И. Пространственно-частотные спектры "сэндвич" фотоприемников ИК диапазона //11-я н.-т. конф. "Фотометрия и ее метрологическое обеспечение". Москва, ВНИИОФИ, 17- 19 декабря 1996. Тезисы. С.20.

249. Туринов В.И. Фотометрирование толщи атмосферы в ИК диапазоне системой с "сэндвич" фотоприемником //11-я н.-т. конф. "Фотометрия и ее метрологическое обеспечение". Москва, ВНИИОФИ, 17-19 декабря 1996. Тезисы. С. 19.

250. Туринов В.И. Фазовые спектры "сэндвич" приемников ИК диапазона с транспарантами Френеля //18-я н.-т. конф. "Высокоскоростная фотография и фотоника". Москва, ВНИИОФИ, 26 27 ноября 1997. Тезисы. С.31.

251. Папулис А. Теория систем и преобразований в оптике. М.: МИР, 1971. —495 с.

252. Зуев В.Е. Прозрачность атмосферы для видимых и инфракрасных лучей. М.: Советское радио, 1966. 318 с.257. "Detectors" //Laser Fokus. -1980. -N 40. -P.50-70.

253. At-a-glace guide to infrared detectors //Photonics Spectra. -1985. -N 7. -P.83-92.

254. Infrared katalog //Oriel Corporation, USA, 1985.

255. Туринов В.И. Фотодиоды на антимониде индия для тепловизионных систем //Электронная промышленность. -1987. -В.8. -С.41-42.

256. Справочник по физико-техническим основам криогеники. Под ред. Малкова М.П. М.: Энергоатомиздат, 1985. С.432.

257. Уилкс С. Математическая статистика. М.: Наука, 1977. С.831.

258. Туринов В.И. О стабильности параметров изделий ФД-511 и ФД-294 // Электронная техника. Сер.8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания. -1989. -В.4(136). -С.70-72.

259. Туринов В.И. Оптическая передаточная функция фотодиодов ИК-диапазона с кейнов-ской зонной структурой//Оптика и спектроскопия. -1989. -Т.66, в.4. -С.868-873.

260. Туринов В.И. Фотодиоды на CdHgTe в составе оптико-электронных систем. Обзоры по электронной технике//СВЧ-Техника. Сер.1. -1994. -В.5(1703). 38 с.

261. Wise G.H. Wide bandwidth HgCdTe photomixers //EASCON-76, Rec., Washington, D C, 1976, N.Y., P.152a-152b.

262. Туринов В.И. Частотно-контрастная характеристика фотодиодов среднего ИК диапазона //8-я Всесоюз. н.-т. конф. "Фотометрия и ее метрологическое обеспечение". Москва, ВНИИОФИ, 26 30 ноября 1990. Тезисы. С. 127.

263. Shanley J.E., Perry L.C. Wide bandwidth 10,6 |im (Hg,Cd)Te photodiodes for infrared heterodyne applications //IEEE Int. El. Dev. Meet., Washington, 1978. -P.424-429.

264. Туринов В.И. Функция рассеяния интенсивности у иммерсионных приемников ИК диапазона //17-я н.-т. конф. "Высокоскоростная фотография и фотоника". Москва, ВНИИОФИ, 29 30 ноября 1995. Тезисы. С.30.

265. Spears D.L. Wide-bandwidth С02 laser photomixers //SPIE. C02 laser devices and applications. -1980. -V.227. -P. 108-116.

266. Spears D.L. Theory and status of high performance heterodyne detectors //SPIE. Physics and Technology of coherent infrared radar. -1981. -V.300. -P.174-184.

267. Туринов В.И. Фотодиоды на CdHgTe для гетеродинного детектирования на С02-лазере //Электронная техника. Cep.ll. Лазерная техника и оптоэлектроника. -1989. -В.4(52). -С.57-61.

268. Sirieix М. Application aux telecommunications а 10,6 pm // These Doct.-ing Fac. Sci. Or-say Univ. Paris, 1971.

269. Landsberg P.T. An introduction to the theory of photovoltaic cells //Solid-St. Electronics. -1975. -V.18, N 12. -P. 1043-1052.

270. Бирюлин П.В., Туринов В.И. Шумовые характеристики фотодиодов на CdxHgi.xTe на высоких частотах //10-я н.-т. конф. "Фотометрия и ее метрологическое обеспечение". Москва, ВНИИОФИ, 29 30 ноября 1994. Тезисы. С.39.

271. Piotrowski J., Piotrowski Т. Thermal figure of merit M limit for (CdHg)Te photoconductive detectors /Яnfr. Phys. -1978. -V.18, N 1. -P.309-314.

272. Piotrowski J., Piotrowski T. Detection of thermal radiation by 77-300 К (CdHg)Te detectors //Optica Applicata. -1979. -V.IX, N 1. -P.7-13.

273. Elliot C.T., Jervis M.H., Phillips J.B. Sensitivity limits for HgUxCdxTe photoconductivite detectors operated at temperature above 190 К //Conf. CNRS, Nice 10-12 September, 1973.

274. Туринов В.И. Пороговая разность температур оптико-электронной системы с фотодиодами на CdHgTe //Электронная техника. Cep.l 1. Лазерная техника и оптоэлектроника. -1987. -В.1(41). -С.51-58.

275. Туринов В.И. Оптимизация фотодиодов на CdHgTe по пороговой разности температур оптико-электронной системы //Электроника СВЧ. Сер.1. -1987. -В.8. -С.28-31.

276. Kolodny A., Kidron J. Properties of the implanted p-n-junctions in HgCdTe //IEEE Trans. Eleotr. Dev. -1980. -V.ED-27, N 1. -P.37^2.

277. Von Dittmar G., Plotner M., Kostka S., Neumann E. Gestaltung Leistungs Faniger CdxHgi. xTe-Infrarotdioden //Experimentelle Technik der Physik. -1986. -B.34, H.I. -S.27-35.

278. Хадсон P. Инфракрасные системы. M.: Мир, 1972.

279. Passman S., Larmore L. Atmospheric Transmission, Rand Paper P-897, Rand Corporation Santa Monica, 1956.

280. Туринов В.И. Пороговая разность температур оптико-электронной системы с фотодиодами на CdHgTe для атмосферных окон 3,0. 5,0 мкм и 8.14 мкм //Электронная техника. Сер. 11. Лазерная техника и оптоэлектроника. -1987. -В.2(42). -С.58-63.

281. Туринов В.И. Фотодиоды на CdHgTe с охлаждаемыми коротковолновыми фильтрами //Электронная техника. Cep.ll. Лазерная техника и оптоэлектроника. -1988. -В.3(47). -С.86-91.

282. Ryssel Н., Bang G., Biersack J.P., Muller К., Kruger W. Ion implantation doping of CdxHgi.xTe for infrared detectors //IEEE Trans. Electron Dev. -1980. -V.27, N 1. -P.58-62.

283. Fiorito G., Gasparrini G., Svelto F. P-n junction characteristics and ultimate performances of high quality 8-14 pm Hgi.xCdxTe implanted photodetectors //Infr. Phys. -1977. -V.l7, N 1. -P.25-31.

284. Туринов В.И. Анализ параметров фотоприемных устройств с фотодиодами на CdHgTe//Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника-1989. -В.4(133). -С.67-69.

285. Plotner М., Neumann Е. Herstellung und Anwendungseigenschaften Gekulter Fotodioden aus CdxHgi.xTe //Feingeretatechnik, Berlin. -1985. -B.34, N 3. -S. 116-117.

286. Gupta S C., Sharma W.L., Agashe V.V. Comparison of Schottky barrier and diffused junction infrared detectors //Infr. Phys. -1979. -V. 19, N 5. -P.545-548.

287. Jones R.S. Immersed radiation detectors //Appl. Optics. -1962. -V.l, N 5. -P.607-613.

288. Carmichael I.C., Dean A.B., Wilson D.J. Optical immersion of a cryogenically cooled 77 К photoconductive CdHgTe detector //2-nd Int. Conf. Advanced infrared detectors and systems, Copyright Controller, HMSO, London, 1983. -P.45-48.

289. Turinov V.I. Immersed photodiodes for IR range from 8 to 14 pm //SPIE. -1993. -V.2161. -P.82-89.

290. Туринов В.И. Иммерсионные фотоприемники ИК-диапазона на CdHgTe //Электронная техника. Сер.1. СВЧ. -1988. -В. 10. -С.3-7.

291. Туринов В.И. Иммерсионный фотодиод. Авт. свидетельство, № 275019 от 13.07.87. МКИ4 Н OIL 32/8/

292. Фефилов Б.В. Прикладная оптика. М.: 1947. -531 с.

293. Туринов В.И. Аберрационные эффекты, ограничивающие кружок рассеяния в иммерсионных приемниках ИК диапазона //Электронная техника. Сер.1, СВЧ-Техника. -1995. -В.2(466). -С.3-6.

294. Туринов В.И. Аподизирующее действие входного зрачка у иммерсионных фотоприемников ИК диапазона //Радиотехника и электроника. -1998. -Т.43, в. 6. -С.759-762.

295. Toyoda Т., Hanba S. The temperature dependence of the optical dispersion parameters in Hgi.xCdxTe //J. Appl. Phys. -1987. -V.61, N 11. -P.5196-5197.

296. Jensen В., Torabi A. Linear and. non-linear intensity dependent refractive tndex of HgixCdxTe //J. Appl. Phys. -1983. -V.54, N 10. -P.5945-5949

297. Toyoda T. Refractive and tne exponential optical absorpiton for Hgi.xCdxTe (0,2 < x < 0.3) //J. Appl. Phys. -1988. -V.63, N 1. -P.228-230.

298. Туринов В.И. Иммерсионный фотоприемник ИК-диапазона //Патент РФ № 2071147, заявл. 22.04.94; Бюлл. 36, 1996г.

299. Туринов В. И. Аберрационные эффекты в иммерсионных приемниках ИК диапазона //17-я н.-т. конф. "Высокоскоростная фотография и фотоника". Москва, ВНИИОФИ, 29 30 ноября 1995. Тезисы. С.31.

300. А с. 2206447 Великобритания. МКИ4 Н 01 L 31/02. Lensed photodetektors //C.T.Elliot, N.T.Gordon R.G.Hymphreys. Приоритет от 19.05.88.

301. О' Нейл Э. Введение в статистическую оптику. М.: 1966. 254 с.

302. Туринов В.И. Иммерсионные фотодиоды для ИК-диапазона 8-14 мкм //8-я Всесоюз. н.-т. конф. "Фотометрия и ее метрологическое обеспечение". Москва, ВНИИОФИ, 26 30 ноября, 1990. Тезисы. С.81.

303. Jensen В., Torabi A. The refrative tndex of CdxHgi.xTe //Proc. SPIE. -1983. -V.409.1. P. 12-17.

304. Operating manual thermovision 780, AGA, 1979.

305. Туринов В.И. ЧКХ иммерсионных фотодиодов ИК диапазона //16-я н.-т. конф. "Высокоскоростная фотография, фотоника и метрология быстропротекающих процессов". Москва, ВНИИОФИ, 23 25 ноября 1993. Тезисы. С. 63.

306. Gordon N.T. Design of Hgi.xCdxTe infrared defector arrays using optical immersion with microlenses to achieve a higner operating temperature //Semicond. Sci. and Technol. -1991. -V.6, N 12. -P.C106-C109.

307. Jones C.L., Matthews B.E., Purdy D.R., Metcalfe N.E. Fabricaiton and assessment of optically immersed CdHgTe detectors arrays //Semicond. Sci. and Technol. -1991. -V. 6, N 12. -PC 110-C113.

308. Int. Conf. Austin, Texas, october 1996: Micromachining and Microfabrication Process Technology II //Proc. SPIE. -1996. V.2879.

309. Int. Conf. Austin, Texas, october 1996: Microelectronic Structures and MEMS for Optical Processing II //Proc. SPIE. -1996. V.2881.

310. Ш 315. Туринов В.И. Пространственно-частотная характеристика объекта переменной яркости//Радиотехника и электроника. -1992. -Т.37, в. 11. -С. 1973-1977.

311. Лыков А.В. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967. С. 599.

312. Туринов В.И. Передача контраста переменного по яркости объекта детектором с кольцевыми р-п-переходами //Оптика и спектроскопия. -1992. -Т.72, в. 1. -С.239-242.

313. Turinov V.I. Contrast Transmission of a variable-brightness object by a detector with ring p-n junction //The Optical Society of American. -1992. -N 10. -P. 131-132.

314. Туринов В.И. Частотно-контрастная характеристика фотодиода кольцевой формы //15-я Всесоюзн. н.-т. конф. "Высокоскоростная фотография, фотоника и метрология быстропро-текающих процессов". Москва, 26-28 ноября 1991. ВНИИОФИ. Тезисы. С.55.

315. SchwandtnerK. Wullenwever-Peilverfahren: Пат. 2201536 ФРГ. М. Кл. G01S 3/58. 1972.

316. Мусьяков М П., Миценко И.Д. Оптико-электронные системы ближней дальнометрии. М.: Радио и связь, 1992. С. 168.

317. Туринов В.И. Устройство для измерения скорости объекта //Патент РФ № 2089916, заявлен 21.03.94. Бюлл. № 15, 1997 г.

318. Туринов В.И. К вопросу об измерении скорости удаленных объектов по измерениям положения и размеров оптического изображения //Радиотехника и электроника. -1996. -Т.41, в. 5.-С.548-551.

319. Туринов В.И. Оптико-электронный способ измерения скорости удаленных объектов ^ //Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. -1996. -В. 1(467). -С.44-50.

320. Туринов В.И. Оптико-элекгронный способ измерения дальности до объектов эллипсоидальной формы //17-я н.-т. конф. "Высокоскоростная фотография и фотоника". Москва, ВНИИОФИ, 29 30 ноября 1995. Тезисы. С.28.

321. Туринов В.И. К вопросу об определении теплофизических характеристик материалов //Журнал технической физики. -1992. -Т.62, № 8. -С. 175-180.

322. Гапонов С.С., Туринов В.И. Способ измерения коэффициента температуропроводности материала и устройство для его осуществления //Патент РФ № 2072516, заявлен 01.03.93. Бюлл. № 3, 1997 г.

323. Туринов В.И. Метод измерения теплофизических характеристик материалов //15-я Всесоюзн. н.-т. конф. "Высокоскоростная фотография, фотоника и метрология быстропротекаю-щих процессов". Москва, ВНИИОФИ, 26 28 ноября 1991г. Тезисы. С.56.

324. Туринов В.И. К задаче определения размеров дефектов в поверхностных слоях твердых образцов //11-я н.-т. конф. "Фотометрия и ее метрологическое обеспечение". Москва, ВНИИОФИ, 17- 19 декабря 1996. Тезисы. С.41.

325. Ш 330. Туринов В.И. Измерение коэффициента температуропроводности поверхностныхслоев непрозрачных твердых тел //Журнал технической физики. -1997. -Т.67, № 8. -С. 128-130.

326. Туринов В.И. Термоволновой способ измерения коэффициента температуропроводности материала //Патент РФ, заявка № 96109500/25 от 08.05.96г; положительное решение от 22.04.97г.

327. Туринов В.И. Способ измерения коэффициента температуропроводности материала //Патент РФ, заявка № 96109504/25 от 08.06.96г.; положительное решение от 05.01.97г.

328. Туринов В.И. К задаче обнаружения тепловых неоднородностей в двухслойной пластине из непрозрачных твердых материалов //Журнал технической физики. -1997. -Т. 67, № 10. -С. 129-131.

329. Ватсон Г.Н. Теория бесселевых функций. 4.1. М.: ИЛ, 1949. 798 с.

330. Heuret М., Egec P., Bisseux С. et. al. //Vide Couches Minces. -1990. -V.45, № 251. Suppl. P.29-31.

331. Резников A.B., Чередниченко О.Б. //Изв. АН. Сер. физ. -1992. -Т. 56, № 5. -С.213217.

332. McDonald F.A., Wetsel С. Generalized theory of the photoacoustic effect //J. Appl. Phys. -1978. -V.49, N 4. -P.2313-2322.

333. A. c. № 699410 (СССР). Способ обнаружения дефектов в многослойных объектах /Ю.А. Попов, А.Е. Карпельсон, А.А. Кеткович и др. Опубл. в Б.И., 1979, № 43.

334. Inglehart L.J., Lepoutre F. and Charbonnier F. Thermal-wave nondestructive evaluation of a carbon-epoxy composite using mirage effect //J. Appl. Phys. -1986. -V.59, N 1. -P.234-240.

335. Fujimori H., Asakura Y., Suzuki K. and Uchida S. Noncontact measurement of film thickness by the photothermal deflection method //Japan. J. Appl. Phys. -1987. -V. 26, N 10. -P. 1759-1764.

336. Fugate G.W., Felty J R. Automation of solder joint inspection procedures utilizing laser induced infrared //ШЕЕ Trans. Сотр., Hybrids and Manuf. Technol. -1987. -V.10, N 3. -P.374-378.

337. Туринов В.И. Метод оптической многоспектральной ИК дефектоскопии //Дефектоскопия. -1993. -В.6. -С.24-28.

338. Туринов В.И. Измерение оптических и теплофизических параметров объектов с помощью "сэндвич" фотоприемников //9-я н.-т. конф. "Фотометрия и ее метрологическое обеспечение". Москва, ВНИИОФИ, 24 26 ноября 1992г. Тезисы. С.50.

339. Берников Е.В., Гапонов С.С., Туринов В.И. Многоспектральная ИК дефектоскопия //Электронная промышленность. -1990. -В.1. -С.35-36.

340. Beaudoin I.L., Danjoux R., Van Schel E., Potier F., Egee M. On the use of two photother-mal imaging device to reach a new NDT. -Non-Destruct. Test.: Proc. 4th Eur. Conf., London, 13 17 Sept. -1987. -V.3. -Oxford etc., 1988. -P. 1941-1948.

341. Топорец. A.C. Оптика шероховатой поверхности. Ленинград, Машиностроение, 1988.1. С.192.

342. Золотарев В.М., Морозов, В.Н., Смирнова Е В. Оптические постоянные природных и технических сред. Ленинград, Машиностроение, 1984. С.216.

343. Берников Е.В., Гапонов С.С., Туринов В.И. Устройство для бесконтактного неразру-шающего контроля материалов //Патент РФ № 2073851, заявлен 24.11.92. Бюлл. № 5, 1997 г.

344. Берников Е.В., Гапонов С.С., Туринов В.И. К оптимизации параметров отражателя для ИК дефектоскопии //Лазерная техника и оптоэлектроника. -1992; -В. 1-2(62-63). -С. 108-111.

345. Grudzien М., Piotrowski J. Monolithic optically immersed HgCdTe IR detectors //Infr. Phys. -1989. -V.29, N 2-A. -P.251-253.

346. Берников E.B., Гапонов С.С., Туринов В.И. Дефектоскопия эпитаксиальных полупроводниковых структур CdHgTe/CdTe //Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. -1990. -В.8. -С.43-45.

347. Бирюлин П.В., Дудко С.А., Коновалов С.А., Пелевин Ю.А., Туринов В.И. Исследование границы раздела ZnS-CdHgTe //ФТП. -2003. -Т. 37, в. 12. -С. 1431-1434.

348. Jones С.Е., Nair V., Lingquist J., Polla D.L. Effects of deep-level defects in HgixCdxTe. J. Vac. Sci. Technol. -1982. -V.21, N 1. -P. 187-190.

349. Jones C.E., James K., Merz J., Braunstein R., Burd M., Eetemadi M., Hutton S., Drumheller J. Status of point defects in HgCdTe. J. Vac. Sci. and Technol. -1985. -V.A3, N 1. -P.131-137.

350. Бирюлин П.В., Туринов В.И., Якимов Е.Б. Исследование характеристик фотодиодных линеек на InSb //ФТП. -2004. -Т. 38, в. 4. -С. 498-503.

351. Бирюлин П.В., Туринов В.И., Якимов Е.Б. Исследование утечек по поверхности у фотодиодов на CdHgTe//ФТП. -2004. -Т.38, в. 7. -С.890-895.

352. Бирюлин П.В., Кошелева В.И., Туринов В.И. Исследование электрофизических свойств CdxHgixTe //ФТП. -2004. -Т.38, в. 7. -С. 784-790.

353. Туринов В.И. Исследование глубоких уровней в CdHgTe методом туннельного тока у фотодиодов //ФТП. -2004. -Т.38, в. 9. -С. 1129-1134.

354. Hansen G.L., Schmit J.L., Casselman T.N. Energy gap versus alloy composition and tem-* perature in HgbxCdxTe //J. Appl. phys. -1982. -V. 53, N 10. -P.7099-7101.