Многоканальная спектрометрия и матричное тепловидение, основанные на использовании арсенид-индиевых фоточувствительных МДП-структур с зарядовой инжекцией тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.01, доктор физико-математических наук Вайнер, Борис Григорьевич

• Вайнер, Борис Григорьевич
• доктор физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Вайнер, Борис Григорьевич

Перечень сокращений, условных обозначений и символов.

ВВЕДЕНИЕ.

Актуальность исследований.

Цель диссертации и формулировка научных проблем, предлагаемых к решению.

Научные положения, вынесенные на защиту.

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Спектрометрия и тепловидение.

1.2. Детекторы ИК излучения.

1.3. Полупроводниковые приборы с зарядовой инжекцией.

1.4. Некоторые актуальные задачи науки и техники, нуждающиеся в разработке новых подходов к их решению.

1.5. Основные результаты литературного обзора.

ГЛАВА 2. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В МДП-СТРУКТУРАХ НА

ОСНОВЕ УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА А3В5.

2.1. Экспериментальные образцы МДП-структур.

2.2. Полевая нестабильность МДП-ПЗИ ячеек на основе узкозонных полупроводников типа А3В5.

2.2.1. Основные проявления зарядовой нестабильности и модель зарядовогосостояния МДП-структуры.

2.2.2. Метод определения некоторых фундаментальных физических параметров МДП-структур и его применение к структурам на основе 1п8Ь и 1пАб.

2.2.3. Снижение эффективности зарядовой инжекции при подаче серии импульсов напряжения.

2.3. Эффект увеличения фотоответа в результате латерального дрейфа заряда в МДП-структурах с пленками низкотемпературной пиролитической двуокиси кремния.

ГЛАВА 3. АРСЕНИД-ИНДИЕВЫЕ ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА,

ОПТИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ НА ИХ ОСНОВЕ, ИССЛЕДОВАНИЕ

ТАКИХ СИСТЕМ И ИХ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В МНОГОКАНАЛЬНОЙ СПЕКТРОМЕТРИИ.

3.1. Фоточувствительные МДП-ПЗИ элементы.

3.2. Линейные многоканальные детекторы ЭМ излучения.

3.3. Матричные тепловизионные детекторы ИК излучения.

3.4. Матричный тепловизор.

3.4.1. Устройство и программное обеспечение системы.

3.4.2. Калибровка температурной чувствительности ПЗИ-ячеек.

3.4.3. Исследование рабочих характеристик тепловизора.

3.4.3.1. Быстродействие и температурная чувствительность.

3.4.3.2. Спектральная чувствительность и обусловленные ей выигрышные позиции арсенид-индиевых тепловизоров.

3.4.3.3. Пространственная разрешающая способность.

3.5. Многоканальный быстродействующий спектрально-широкополосный спектрометр с линейным детектором излучения.

3.5.1. Оптическая многоканальная спектрометрия.

3.5.2. Устройство многоканального спектрометра.

3.5.3. Особенности работы арсенид-индиевых фотоприемников в составе многоканальных спектрометрических устройств.

3.5.4. Программное обеспечение, разработанное с учетом особенностей ПЗ И-фото приемников.

3.5.5. Исследование рабочих характеристик спектрометра с линейным многоканальным детектором.

3.5.5.1. Определение линейности фотоотклика МДП-ПЗИ при монохроматической засветке.

3.5.5.2. Спектральная характеристика чувствительности линейного спектрометрического детектора излучения.

3.5.5.3. Разрешающая способность, задаваемая детектором.

3.6. Спектры, полученные с применением многоканальных линейчатых ПЗИ-детекторов излучения на основе ТпАэ.

3.7. Визуализирующий спектрометр с тепловизионной камерой.

ГЛАВА 4. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ МДП ПЗИ-ЭЛЕМЕНТАХ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ, РАБОТАЮЩИХ В СОСТАВЕ МНОГОКАНАЛЬНЫХ СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКИХ И ТЕПЛОВИЗИОННЫХ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ.

4.1. Влияние физических характеристик, конструктивных особенностей и условий функционирования матричных ПЗИ-фотоприемников, а также параметров принимаемого излучения, на предельное температурное разрешение (NETD) InAs ИК детекторов, работающих в тепловизионном режиме.

4.1.1. Кинетика накопления заряда в неравновесной потенциальной яме ПЗИ-ячейки ограниченной емкости.

4.1.2. Влияние коротковолновой границы чувствительности ПЗИ-детектора, апертуры холодной диафрагмы, атмосферного поглощения, положения ячейки на поле матрицы и спектрального коэффициента излучения источника на NETD

4.2. Латеральная фоточувствительность МДП-элементов и ее связь с особенностями строения многоэлементных ПЗИ.

4.2.1. Источники латеральных фотоэффектов и сканирующий инфракрасный зонд для их прецизионного исследования.

4.2.2. Избыточный латеральный фотоответ, неоднородность локальной чувствительности и эффект изолированной ячейки в ПЗИ-фотоприемниках.

4.3. Влияние напряжения смещения на поверхностное распределение локального фотоотклика в МДП-ПЗИ ячейках, частично экранированных от латеральной засветки.

4.4. Фотоотклик ячеек МДП-ПЗИ при засветке от источника излучения с динамическими пространственно-временными характеристиками.

4.5. Нерегулярные пиксел-соизмеримые дефекты в гибридных фоточувствительных микросхемах.

4.6. Повышение фоточувствительности ПЗИ-детекторов в многоканальных спектрометрах на основе 1пАз методом импульсной лазерной коррекции т^Ш.

4.7. Перекрестные инжекционные наводки в многоэлементных линейных ПЗИ с последовательной адресацией и новый способ считывания сигнала, обеспечивающий снижение их уровня.

ГЛАВА 5. КОРОТКОВОЛНОВОЕ СПЕКТРАЛЬНО-УЗКОПОЛОСНОЕ ТЕПЛОВИДЕНИЕ И ОСНОВАННЫЕ НА НЕМ НОВЫЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ФИЗИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ, РАЗВИТЫЕ ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ МАТРИЧНЫХ АРСЕНИД-ИНДИЕВЫХ МДП-ПЗИ

ФОТОПРИЕМНИКОВ.

5.1. Метод определения спектрально-широко диапазонных энергетических диаграмм направленности источников излучения.

5.2. Метод определения спектрального коэффициента излучения поверхностей в рабочей полосе спектрально-узкополосного тепловизора.

5.3. Количественный метод исследования процесса адсорбции молекул из газовой фазы на поверхностях твердых тел.

5.4. Спектрально-узкополосная тепловизионная дефектоскопия в полупроводниковой технологии.

5.4.1. Метод спектрально-узкополосного тепловизионного контроля скрытых границ раздела контактирующих поверхностей.

5.4.2. Дефектоскопия приборов полупроводниковой электроники.

5.5. Тепловизионный неразрушающий контроль в материаловедении и экспериментальной механике.

5.6. Изучение физических свойств живых объектов методом высокоразрешающего матричного тепловидения.

5.7. Тепловидение как метод контроля в задачах косметологии.

5.8. Тепловидение в телемедицине.

ГЛАВА 6. НОВЫЕ ЭМПИРИЧЕСКИЕ И МАТЕМАТИЧЕСКИЕ ПОДХОДЫ К КОЛИЧЕСТВЕННОМУ АНАЛИЗУ НЕОДНОРОДНЫХ ТЕПЛОВЫХ ПОЛЕЙ.

6.1. Гетерогенные термограммы и их анализ с привлечением аппарата математической статистики.

6.2. Методологические особенности экспериментальной статистической термографии.

6.3. Степень гетерогенности - новая количественная характеристика термограмм.

6.3.1. Алгоритмические подходы к количественному описанию гетерогенности термограмм, основанные на Фурье-анализе и вейвлетных преобразованиях Хаара.

6.3.2. Метод поиска очагов повышенного теплового излучения путем "затопления трехмерного теплового ландшафта" и анализ их распределения по площадям.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Многоканальная спектрометрия и матричное тепловидение, основанные на использовании арсенид-индиевых фоточувствительных МДП-структур с зарядовой инжекцией»

Актуальность исследований

Научный и практический интерес к полупроводниковым структурам, чувствительным в инфракрасной (ИК) области спектра остается на неизменно высоком уровне, что во многом предопределено широкими возможностями создаваемых на их базе детекторов излучения, позволяющих не только решать актуальные научно-технические задачи, но и глубже познавать явления и законы природы. Предложены разнообразные принципы построения ИК фотоприемных устройств (ФПУ), активно внедряемых в практику [1—3]. Созданы фоточувствительные приборы, основанные на собственном поглощении излучения, примесном поглощении, поглощении с использованием свойств гетеропереходов, полупроводниковых сверхрешеток, квантовых ям, детекторы, осуществляющие неселективное поглощение энергии фотонов, и другие. Направляются усилия на конструирование отдельных фотоэлементов и фоточувствительных матриц с использованием, так называемых, квантовых точек [4, 5].

Спектрометрию и тепловидение — высокоинформативные и широко известные сегодня методы экспериментальной физики - объединяет то, что ключевым элементом в них является детектор электромагнитного (ЭМ) излучения. От последнего зависят такие характеристики системы, как чувствительность, быстродействие, разрешающая способность, спектральный диапазон. Свойства детекторов, значительная доля которых — полупроводниковые, во многом определяются уровнем развития микроэлектроники, поэтому к началу диссертационной работы большинство спектрометров видимого и инфракрасного (ИК) диапазонов использовало в качестве детекторов излучения лишь наиболее простые — одноэлементные - фотоприемники, и работали эти приборы по классической оптической схеме со сканированием спектра одиночной выходной щелью монохроматора. Практически, во всех тепловизорах также применялись одиночные и, реже, линейчатые фотоприемники, требующие для построения двумерного теплового изображения наличия внутреннего оптико-механического сканера. Механическая развертка спектра в спектрометрах и механическое сканирование в тепловизорах существенно ограничивали быстродействие систем, вызывали акустический шум,

ЭМ наводки и вибрации. Отсутствие компьютерной поддержки в большинстве приборов снижало производительность и информативность исследований.

Новым техническим решением в спектрометрии стало применение линейных многоканальных детекторов, помещаемых в открытое отверстие монохроматора вместо выходной щели, а в тепловидении - использование матричных фотоприемников, не требующих оптико-механического сканирования. Это на 2-3 порядка увеличило быстродействие и, при прочих равных условиях, во столько же раз улучшило чувствительность аппаратуры, поскольку механическое сканирование было заменено практически безынерционным - электронным.

К началу 90-х годов 20-го века, когда появились наши первые публикации по многоканальной спектрометрии, многоэлементные полупроводниковые детекторы если и применялись в спектрометрах, то были изготовлены, как правило, из кремния, а потому решали лишь задачи от ультрафиолетового (0.2 мкм) до ближнего ИК (около 1 мкм) диапазона. В литературе уже встречались сообщения об изготовлении матриц тепловизионного применения и приводились отдельные демонстрационные примеры изображений, полученных с помощью таких матриц. При этом, матричными детекторами регистрировалось, в основном, ИК излучение относительно длинноволнового (3-5 мкм, 8-12 мкм) и широкого участка спектра. Наиболее популярными материалами для детекторов здесь являются InSb, кадмий-ртуть-теллур (KPT, Hgi.xCdxTe) и ряд других соединений [6-11].

Многоэлементные системы, созданные на основе узкозонного полупроводника типа А3В5 арсенида индия, оставались к началу диссертационных исследований практически без внимания, хотя можно было понять, что они позволяют в области собственного поглощения InAs охватить важный для многих спектрометрических приложений диапазон от видимого вплоть до 3.05 мкм, в котором, в частности, открывалась привлекательная возможность их использования в широкодиапазонной многоканальной спектрометрии.

Идея построения тепловидения на основе арсенид-индиевых фотоэлементов была интересна тем, что из всех полупроводниковых соединений, потенциально пригодных для тепловидения высокого пространственного и температурного разрешения, область фундаментального поглощения InAs соответствовала наиболее коротковолновому участку (вблизи 3 мкм) на шкале ЭМ волн [12]. Перспективность построения матричного тепловидения на базе InAs-детекторов следовала из фундаментальных свойств теплового излучения, обеспечивающего заметно большую контрастность изображения в коротковолновой ИК области по сравнению с длинноволновой. Более того, объединенная в гибридную микросхему с кремниевым мультиплексором арсенид-индиевая фотоприемная матрица обладала узким спектральным диапазоном чувствительности (ширина рабочей полосы много меньше средней рабочей длины волны детектора). Коротковолновая и узкая спектральная область чувствительности представлялась для тепловидения весьма перспективной, поскольку здесь можно было ожидать большего динамического диапазона детекторов тепловизионных камер в силу не столь существенного влияния фонового излучения, приводящего к быстрому переполнению ячеек длинноволновых ИК фотоприемников. Арсенид-индиевые детекторы с шириной запрещенной зоны полупроводника около 0.4 эВ допускают работу при более высоких температурах, чем длинноволновые с шириной зоны 0.2 эВ и меньше. При меньших длинах волн и в условиях спектральной узкополосности следовало ожидать и лучшего пространственного разрешения оптической системы ввиду ослабления дифракционных ограничений и отсутствия хроматических аберраций.

В качестве фоточувствительных элементов арсенид-индиевых детекторов можно с успехом использовать простые в изготовлении (по сравнению, скажем, с фотодиодами) и потому перспективные для промышленного производства структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), работающие на физическом принципе приборов с зарядовой инжекцией (ПЗИ). Вместе с тем, здесь следует принимать во внимание ряд принципиальных отличий МДП-ПЗИ элементов на основе 1пАз от хорошо изученных в этой области кремниевых МДП-ПЗИ ячеек, а по ряду признаков и от других структур, используемых в ИК технике, в частности, в тепловизорах. Перечисленные ниже факторы способны отразиться на физических характеристиках и результатах практического применения арсенид-индиевых фотоприемных ячеек:

1) арсенид-индиевая система обладает температурной неустойчивостью, требующей при создании МДП-структур использовать низкотемпературные (100200 °С) технологии; 2) электронное сродство х в 1пАз на 0.9 эВ превышает х в что влияет на высоту граничных потенциальных барьеров в структурах с одинаковыми диэлектриками; 3) стандартные измерения на Si и на узкозонных полупроводниках типа А3В5 проводят при разной температуре (300 К и 80 К), от которой зависит соотношение между полевыми и термоактивационными механизмами в процессах инжекции и переноса заряда; 4) фундаментальные свойства 1пАз, в частности, его зонная структура существенно отличаются от полупроводников IV группы; 5) из-за низкой плотности электронных состояний в зоне проводимости поверхностный изгиб зон здесь заметно больше, чем в [13, 14*]1, что влияет на распределение электрического поля в МДП-структуре и на высоту потенциального барьера 1пАз-диэлектрик; 6) в тепловизионном исполнении арсенид-индиевая ячейка является спектрально-узкополосной, что принципиально отличает ее от многих других ИК фотоприемников; 7) при спектрометрическом применении такая ячейка является спектрально-широкополосной, функционирующей одновременно в ИК и видимой частях спектра, что не характерно для многих ИК фотоприемников; 8) арсенид-индиевая МДП-структура сама является накопительной ячейкой ПЗИ, в отличие от многих других ИК фотоприемников (фотодиоды, барьеры Шоттки, многослойные меза-структуры), где накопительная ячейка перемещена в кремниевый мультиплексор.

В связи с отсутствием необходимых знаний об особенностях протекания физических процессов в арсенид-индиевых МДП-ПЗИ структурах, функционирующих в составе многоэлементного фоточувствительного устройства, не было оснований считать их пригодными для целей многоканальной спектрометрии и матричного тепловидения. Способность таких структур в интегральном исполнении удовлетворять задачам, стоящим перед матричным тепловидением и многоканальной спектрометрией, являлась неочевидной хотя бы потому, что никто до сих пор в указанных областях их систематически не использовал и применимость к этим областям целенаправленно не изучал. Таким образом, изучение физических процессов в арсенид-индиевых МДП-структурах и МДП-ПЗИ ячейках, работающих в составе многоэлементных фотоприемников, применительно к их использованию в спектрометрии и тепловидении, явилось новой и актуальной научной задачей.

Само тепловидение с появлением матричных ИК детекторов также требовало разработки и развития основанных на нем методов научного исследования, поскольку последние к началу диссертационной работы опирались лишь на исполь

1 Для удобства идентификации публикаций, сделанных с участием автора, все ссылки на такие работы в тексте, а также в списке литературы, помечены "звездочкой". зование сканирующих камер ранних поколений, принципиально не позволявших корректно решать многие задачи экспериментальной физики.

Вышесказанным определилась актуальность разработки теоретических и практических основ современных методов научного исследования — многоканальной спектрометрии и матричного тепловидения, построенных на использовании спектрально-широкополосных линейных и коротковолновых спектрально-узкополосных матричных арсенид-индиевых МДП-ПЗИ фотоприемников.

Настоящая диссертация обобщает материалы и ключевые научные результаты, полученные по вышеуказанным проблемам при доминирующем участии и вкладе автора в ходе многолетних исследований, проведенных в ИФП СО РАН.

Цель диссертации и формулировка научных проблем, предлагаемых к решению

Целью диссертационных исследований является разработка базовых принципов построения спектрально-широкополосной многоканальной спектрометрии и коротковолнового спектрально-узкополосного матричного тепловидения на основе использования фоточувствительных арсенид-индиевых МДП-ПЗИ структур с зарядовой инжекцией и необходимое для этого исследование физических процессов, протекающих в указанных структурах при их функционировании в составе многоэлементных (линейных и двумерных) детекторов ЭМ излучения.

Конкретные задачи работы состояли в следующем:

1. Экспериментально, аналитически и методами компьютерного моделирования исследовать арсенид-индиевые МДП-ПЗИ элементы применительно к условиям их работы в составе многоканальных линейных и матричных спектрометрических и тепловизионных фотоприемных устройств (ФПУ).

2. Определить физические механизмы зарядовой нестабильности МДП-структур на основе узкозонных полупроводников типа А3В5 во внешнем электрическом поле при температуре, близкой к 80 К, путем исследования особенностей накопления заряда в диэлектрике при функционировании этих структур в режиме неравновесного обеднения.

3. Определить физическую природу локальных дефектов, избыточной латеральной фоточувствительности и перекрестных наводок в многоканальных арсенид-индиевых фотоприемниках, предназначенных для спектрометрии и тепловидения.

4. Разработать и программно реализовать метод самосогласованного квантового расчета дискретного энергетического спектра и поверхностного потенциала в слоях обогащения узкозонных полупроводников с учетом непараболичности зоны проводимости и фермиевской статистики с целью уточнения потенциальных барьеров на границе полупроводник-диэлектрик и распределения электрического поля в МДП-структуре .

5. Разработать и программно реализовать аналитическую полуэмпирическую модель, описывающую заполнение неравновесной потенциальной ямы фотогене-рированными и тепловыми носителями заряда с учетом латерального диффузионного подтекания и исследовать особенности работы арсенид-индиевой ПЗИ-ячейки ограниченной зарядовой емкости в предельных режимах функционирования, приближающих ее к состоянию зарядового насыщения, порождающему фундаментальные ограничения на точность тепловизионных и спектрометрических измерений при использовании ПЗИ-детекторов.

6. Разработать новые экспериментально-аналитические методы исследования МДП-структур и фоточувствительных ячеек на основе узкозонных полупроводников, спектрометрических и тепловизионных ФПУ, направленные на уточнение зонной диаграммы МДП-структур, определение уровня перекрестной связи фотоэлементов, установление линейности свет-сигнальной характеристики, прецизионное исследование координатных характеристик локальной фоточувствительности.

7. Использовать полученные результаты исследования физических свойств фотоприемников на основе узкозонных полупроводников 1п8Ь и 1пАб, а также многоэлементных ФПУ, с целью создания многоканальных спектрометров и коротковолновых спектрально-узкополосных матричных тепловизоров с высокими техническими параметрами на основе арсенид-индиевых детекторов излучения. Исследовать основные физические и рабочие характеристики созданных спектрометров и тепловизоров.

8. Изучить особенности поведения фотоответа арсенид-индиевых МДП-ПЗИ структур, интегрированных в многоэлементные ИК детекторы, в условиях их практического применения при решении разнообразных прикладных задач многоканальной спектрометрии и матричного тепловидения, на базе чего обосновать или исключить возможность полноценного практического использования данных приборов для этих областей приложения.

9. Разработать новые принципы и методы измерения физических величин, основанные на использовании тепловидения, в частности, коротковолнового спектрально-узкополосного матричного тепловидения, а именно, принцип и метод измерения энергетических характеристик диаграмм направленности источников ЭМ излучения, принцип и метод измерения поверхностной концентрации адсорбированных молекул из газовой фазы на твердом теле, метод определения спектрального коэффициента излучения поверхностей материалов на рабочей длине волны спектрально-узкополосного тепловизора, метод определения толщины и положения скрытых полостей на границах раздела в слоистых структурах, методы определения количественных характеристик тепловых полей в физике живых систем и др.

10. Расширить круг научно-прикладных задач, решаемых с помощью тепловидения, путем применения матричных фотоприемных устройств, а именно, применить матричное тепловидение для выявления диаграмм направленности ЭМ излучения, исследования токов утечки в приборах силовой электроники, решения научных проблем в области косметологии и физиологии человека, включая выявление количественных физических характеристик отдельных потовых желез и др.

11. Разработать принципиально новые эмпирические и математические подходы к количественному анализу поверхностных тепловых полей, а также методы математической обработки термограмм, полученных с учетом улучшенных технических характеристик матричных тепловизоров.

Заметим, что помимо фундаментальных и прикладных задач, направленных на исследование арсенид-индиевых полупроводниковых структур, важной проблемой выступает методологическая. А именно, с учетом изученных физических явлений и процессов в МДП-ПЗИ структурах, их спектральных характеристик, особенностей функционирования, опираясь на экспериментальные данные, полученные при разнообразных способах применения этих структур, интегрированных в многоэлементные ИК детекторы, разработать методологические основы использования данных фотоприемников в многоканальной спектрометрии и матричном тепловидении, а также новые принципы и методы измерений разнообразных физических величин.

Научные положения, вынесенные на защиту

1. Арсенид-индиевые фоточувствительные ПЗИ-элементы со структурой МДП можно полноценно использовать в многоканальных линейчатых и матричных ФПУ, предназначенных для широкодиапазонной (от видимого до 3 мкм) спектрометрии и спектрально-узкополосного тепловидения.

2. Результаты исследования электрофизических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных ячеек (установленные туннельные механизмы зарядовой нестабильности, координатные характеристики чувствительности, низкий (2%) уровень электронно-оптической связи фотоэлементов, широкодиапазонная спектральная характеристика и др.), а также набор полученных спектров пропускания и эмиссионных спектров, измеренных в области от 0.5 мкм до 3.05 мкм за времена порядка нескольких миллисекунд с помощью арсенид-индиевых 512-элементных МДП-ПЗИ линейных фотоприемников, доказывают возможность и демонстрируют начало развития спектрально-широкополосной многоканальной спектрометрии на базе указанных детекторов излучения.

3. Развитое при выполнении диссертационной работы коротковолновое спектрально-узкополосное матричное тепловидение, характеризующееся использованием для этой цели научно-обоснованной новой элементной базы (арсенид-индиевые матричные МДП-ПЗИ фотоприемники) и разработанными новыми методами измерения физических величин, является новым высокоинформативным инструментом исследования в экспериментальной физике.

4. Зарядовая нестабильность МДП-структур на основе узкозонных полупроводников типа А3В5 1п8Ь и ЪхАб в сильном электрическом поле (> 106 В/см) при температуре, близкой к 80 К, обусловлена механизмом туннелирования электронов через треугольный потенциальный барьер.

5. Экспериментальное исследование кинетики накопления заряда в диэлектрике МДП-структур на основе узкозонных полупроводников типа А3В5 (ГпБЬ, 1пАз) при температуре жидкого азота позволило определить значения фундаментальных физических параметров этих структур: высоту потенциальных барьеров для электронов на границах полупроводник-диэлектрик и металл-диэлектрик, энергию активации ловушек в диэлектрике, эффективную массу электрона в запрещенной зоне анодного окисла, выращенного на 1п8Ь.

6. В фоточувствительных МДП-ПЗИ элементах на основе ГпАэ определяющую роль при температуре, близкой к 80 К, играют латеральные эффекты (латеральная фоточувствительность, латеральное растекание заряда), которые способны на количественном (десятки процентов) и качественном (потеря разрешающей способности) уровнях изменять характеристики многоэлементных детекторов излучения, созданных на базе таких полупроводниковых структур.

7. Высокоэффективным способом снижения уровня электронных перекрестных наводок в многоэлементных ПЗИ-детекторах с последовательным считыванием сигнала является задержка напряжения считывания на каждом предыдущем элементе на время, превышающее время жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике.

8. Новая физическая величина - степень гетерогенности температурного поля, - количественно описывающая неоднородность распределения температуры поверхности физических тел, является независимой количественной характеристикой, отражающей физические свойства исследуемого объекта, и может быть определена путем математической обработки измеренных тепловизионных термограмм.

9. Тепловидение, реализованное с использованием арсенид-индиевых спектрально-узкополосных матричных детекторов излучения, обладает высокими пространственным разрешением (коэффициент электронно-оптической связи фотоэлементов менее 2%), быстродействием (порядка 100 кадров в секунду), чувствительностью (порядка сотых долей градуса при температуре объекта 30 °С) и контрастностью изображения (превышающей при температурах объекта 30-40 °С контрастность длинноволновых тепловизионных изображений на десятки процентов); в качестве примеров: оно позволяет количественно исследовать в реальном масштабе времени температурную кинетику функционирования одиночных кожных желез и регистрировать начальные стадии адсорбции молекул паров воды на твердых телах, начиная с эффективной степени заполнения поверхности молекулами адсорбата, соответствующей десятым и сотым долям монослоя.

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы экспериментальной физики», Вайнер, Борис Григорьевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ РАБОТЫ

1. Решена крупная научная проблема, состоящая в разработке и развитии базовых физических принципов построения спектрально-широкополосной многоканальной спектрометрии и коротковолнового спектрально-узкополосного матричного тепловидения на основе использования фоточувствительных арсенид-индиевых МДП-ПЗИ структур с зарядовой инжекцией.

2. Подробно изучены физические процессы и явления, протекающие в МДП-структурах и фотоэлементах на основе узкозонных полупроводников типа А3В5 1п8Ь и 1пАз, что было направлено на построение на новой элементной базе многоканальной спектрометрии и матричного тепловидения. При этом а) установлено, что доминирующим механизмом при инжекции и растекании заряда в МДП-структурах при Т = 80 К в сильном электрическом поле Е > 106 В/см является механизм туннелирования электронов; адекватным приближением для количественного описания туннелирования при этом служит барьер треугольной формы; б) обнаружен эффект снижения эффективности зарядовой инжекции в МДП-структурах при подаче серии коротких импульсов напряжения по сравнению с одиночным импульсом суммарной длительности и такой же амплитуды; явление объяснено влиянием неравновесного обеднения поверхности 1пАб; в) обнаружен эффект латерального растекания заряда (электронов) по поверхности низкотемпературного пиролитического 8Юг; приводящий к созданию охранного кольца на образцах р-типа и увеличению фотоответа на образцах п-типа; г) с помощью разработанного прецизионного автоматизированного ИК зонда обнаружена высокая (на уровне десятков процентов) избыточная латеральная фоточувствительность ПЗИ-элементов, обусловленная диффузионным подтеканием дырок, фотогенерированных в краевых областях ячейки, под полевой электрод и контактные площадки; д) показано, что при отсоединении фоточувствительной ячейки от ячейки мультиплексора на соседних площадках возникает избыточный фотоответ, обусловленный подтеканием "чужих" фотоносителей; методом ИК-зондирования исследована "анатомия" избыточного фотоответа.

3. Достоверно показано, что арсенид-индиевые фоточувствительные ПЗИэлементы со структурой МДП можно полноценно использовать в многоканальных линейчатых и матричных ФПУ, предназначенных для широкодиапазонной спектрометрии и спектрально-узкополосного тепловидения. При этом доказано, что InAs может рассматриваться как оптимальный материал для применения в тепловизорах медицинского и иного назначений, когда не требуется изучать объекты слишком низких (например, меньших 10°С) температур.

4. Разработан новый метод измерения фундаментальных физических параметров МДП-структур, основанный на анализе их зарядовой нестабильности в сильном электрическом поле. Экспериментально определены значения параметров МДП-структур на основе InSb и InAs - высота потенциальных барьеров на границе металл-диэлектрик, полупроводник-диэлектрик, глубина энергетических уровней ловушек в диэлектрике, эффективная масса электрона в запрещенной зоне диэлектрика. Установлено, что с учетом поверхностного изгиба зон InAs в сильном электрическом поле высота потенциального барьера для электронов на границе InAs-SiCb составляет 3.3-3.4 эВ для значения эффективной массы электрона в барьере (0.55-0.50)wo, где т0 - масса свободного электрона.

5. Выявлены источники избыточного шума, характерные для каналов линейчатых гибридных микросхем; разработан и реализован метод его эффективного подавления, основанный на использовании импульсной лазерной коррекции in-situ.

6. Для инфракрасной (до 3.05 мкм) и, одновременно, видимой (от 0.5 мкм) областей спектра разработан и практически реализован метод многоканальной спектрометрии; для работы в данном диапазоне впервые созданы широкополосные многоканальные спектрометры на базе арсенид-индиевых МДП-ПЗИ многоэлементных линейных детекторов излучения.

7. На базе матричного арсенид-индиевого МДП-ПЗИ фотоприемника коллективно при участии соискателя разработан тепловизор, доведенный до уровня промышленного образца,- рекомендованный Минздравом РФ к серийному производству и применению в медицинской практике и внесенный в Государственный реестр изделий медицинского назначения и медицинской техники.

8. Разработано и освоено новое направление в экспериментальной физике - коротковолновое (вблизи длины волны 3 мкм) спектрально-узкополосное матричное тепловидение - и всесторонне подтверждена его высокая информативность.

9. Показано, что коротковолновое спектрально-узкополосное тепловидение может быть с успехом использовано как инструмент исследования и средство измерений физических величин в различных областях физики — экспериментальной механике, лазерной физике, физике полупроводниковых приборов, физике живых систем и т. д.

10. На основе применения в тепловидении коротковолновых спектрально-узкополосных ИК детекторов разработаны и реализованы новые аналитико-экспериментальные методы физических исследований (определение спектрального коэффициента излучения поверхности, диаграмм направленности источников излучения, дефектоскопия скрытых полостей в слоистых системах и др.).

11. Расширены экспериментальные возможности тепловидения в плане количественного изучения новых для этого метода объектов и природных явлений (адсорбция, перспирация, распределение энергии в потоке ЭМ излучения и др.), а также в плане математической обработки температурных полей; осуществлен количественный подход к анализу многих тепловых явлений, ранее представленных в тепловидении лишь на уровне качественного описания термограмм (особенности процессов теплообмена и терморегуляции живых организмов и др.).

12. Визуализирован и исследован тепловой эффект, связанный с адсорбцией молекул газа на твердой поверхности и названный "эффектом теплового пламени". Обнаружено его изменение в пределах порядка величины. Оценено, что с помощью матричного тепловидения возможно изучать кинетику начальных стадий адсорбции при эффективном покрытии поверхности адсорбента слоем молекул адсорбата с эффективной толщиной всего десятые и сотые доли монослоя. Этот результат открывает широкие перспективы перед тепловидением как экспериментальным методом для его применения в физике поверхности твердого тела, химической и молекулярной физике.

13. Обнаружен ряд новых температурных проявлений при тепловизионном исследовании кожи человека как физического объекта живой природы: а) при изучении кожи лица в ИК диапазоне обнаружена аномальная нестабильность температуры в области носа (увеличение за несколько минут на 9 градусов при сохранении почти неизменной на остальной площади); обращено внимание на возможное использование данного явления применительно к медицине; б) зарегистрировано новое явление природы — стабильный точечный гипергидроз; в) установлено, что физические и общие тепловые нагрузки на организм приводят к резкой гетерогенности тепловой картины поверхности тела; г) обнаружено, что характерная для организма в спокойном состоянии функция распределения его поверхностной температуры близка к функции нормального распределения; показано, что фундаментальной задачей является анализ трансформаций гистограмм поверхностного распределения температуры и поиск обуславливающих эти трансформации причин.

14. Обоснована и продемонстрирована адекватность применения методов математической статистики для анализа тепловых изображений, получаемых в сфере биомедицинского тепловидения.

15. С целью количественного описания степени гетерогенности термограмм предложены и опробованы математические методы, основанные на Фурье-анализе теплового изображения, вейвлетных преобразованиях Хаара и прямом статистическом анализе распределения поверхностных локальных очагов гипертермии. Показана адекватность разработанного метода компьютерного анализа тепловых полей.

Есть основания надеяться, что в ближайшем будущем для использования в спектральной области до 3 мкм, где чувствительны структуры на основе ГпАб, появится немалое количество новых детекторов, и многие материалы настоящей диссертации приобретут еще большую актуальность.

В настоящей диссертации представлены лишь те научные результаты, где личный вклад соискателя в их получение (постановка проблемы, постановка и проведение эксперимента, исследование, обработка и анализ экспериментальных результатов, разработка моделей, получение аналитических выражений, программирование, оформление публикаций и др.) был доминирующим. По ряду работ, выполненных в соавторстве, можно пояснить следующее:

- разработка и изготовление полупроводниковых экспериментальных образцов на основе ЪгёЬ и 1пАз, образцов тепловизоров и спектрометров осуществлялись при непосредственном участии диссертанта силами большого коллектива ИФП СО РАН и ряда других организаций;

- тепловизионные исследования в области экспериментальной механики

284*—286*] были выполнены при доминирующем участии сотрудников ИФТПС СО РАН Е.С.Лукина и А.М.Иванова; соискатель принял участие в обсуждении, корректировке результатов и оформлении публикаций;

-компьютерные расчеты при обработке гетерогенных термограмм были проведены под руководством соискателя А.С.Москалевым, А.Ф.Сапетиной и М.С.Тарковым;

-трехмерные компьютерные расчеты теплопереноса в живых тканях были проведены под руководством соискателя П.Г.Белозеровым и В.И.Барановым;

- технология полупроводниковых структур и приборов, полученных методом прямого сращивания, контролировалась Г.Н.Камаевым, принимавшим также участие в ряде экспериментов, проводимых с этими структурами, и в составлении заявки на изобретение тепловизионного устройства для контроля скрытой границы раздела контактирующих поверхностей;

- создание первой импульсной лазерной установки, использованной автором для коррекции фотоприемных модулей, и работа на этой установке были осуществлены А.Г.Клименко;

- получение обзорного спектра оптического пропускания атмосферы на фурье-спектрометре Bruker IFS 113V было выполнено с участием соискателя А.Г.Милехиным;

- в составление обзора зарубежной литературы, посвященного тепловизион-ной диагностике рака молочной железы [299*], основной вклад внес д.б.н. А.Л.Маркель;

-постановка научной проблемы по соответствию механизмов пробоя твердотельных диэлектриков и жидкостей осуществлена А.Л.Куперштохом; здесь личный вклад соискателя - создание автоматизированной экспериментальной установки, проведение экспериментов, обсуждение результатов.

В заключение соискатель хотел бы выразить глубокую признательность вышеперечисленным участникам и соавторам работ за вклад, без которого трудно было бы получить конечный научный результат по указанным темам. Особая благодарность Г.Л.Курышеву, осуществлявшему научное руководство соискателем на этапе его кандидатской диссертации, а позднее инициировавшему производство тепловизоров на основе InAs в ИФП СО РАН. В части изготовления тепловизоров соискатель признателен В.М.Базовкину, отвечавшему за сборку первой (испытательной) модели, А.П.Ковчавцеву, отвечавшему за производство последующих моделей, и другим коллегам по лаборатории в ИФП им. А.В.Ржанова СО РАН, включая многочисленных технологов и рабочий персонал. Соискатель благодарит И.И.Ли за полезные дискуссии, касающиеся схемотехнических вопросов построения матричных ФПУ. Соискатель глубоко признателен Э.С.Когану, Ю.А.Шлапунову, А.В.Бехтереву и другим разработчикам и технологам НПО "Восток", участвовавшим в создании первых экспериментальных образцов линейчатых и матричных фоточувствительных структур, использовавшихся в представленных научных исследованиях.

Помимо Г.Н.Камаева, соискатель благодарит М.Д.Ефремова, Л.В.Миронову, В.П.Попова и всех работавших с ними технологов за подготовку и предоставление экспериментальных образцов многослойных структур, полученных методом прямого сращивания, и приборов силовой электроники для проведения теплови-зионных исследований, а также Г.Л.Курышева за обеспечение взаимодействия с данными коллективами. Диссертант благодарит В.Я.Беленького за предоставление оборудования для проведения исследований в области косметологии, а также Л.И.Фоминых и других косметологов, осуществлявших работу в косметическом салоне "Виола" в ходе тепловизионного контроля. Диссертант благодарен мсье Жан-Люку де Маншану (1оЫп-1уоп, Франция), в процессе совместной работы с которым был получен ряд спектров на многоканальном спектрометре с линейным детектором, а также В.Г.Кеслеру за совместное исследование характеристик пленок 1п203. Соискатель выражает благодарность Н.И.Халиуллину за изготовление электронного узла стенда, реализующего быстрое оптико-механическое сканирование элементов пятном малого размера.

Соискатель особо признателен А.Л.Асееву за поддержку представленных в настоящей диссертации работ, в частности, по медико-биологическому направлению, в ИФП им. А.В.Ржанова СО РАН и за инициативу, способствовавшую представлению на Сессии РАН в Москве научных материалов по использованию тепловидения в телемедицине. Искренняя признательность многочисленным волонтерам, любезно согласившимся принять участие в тепловизионных исследованиях и способствовавшим тем самым получению оригинальных экспериментальных результатов в области биомедицинских наук. Глубокая признательность Сибирскому отделению РАН за финансовую поддержку научных работ, выполнявшихся соискателем по проблемам, отраженным в диссертации, в ранге со-координатора и ответственного исполнителя Интеграционных проектов №№ 139-2003, 46-2006, 91-2009.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Вайнер, Борис Григорьевич, 2009 год

1. Рогальский А. Инфракрасные детекторы: Пер. с англ./ Под ред. А.В.Войцеховского. Новосибирск: Наука, 2003. — 636 с.

2. Богомолов П.А., Сидоров В.И., Усольцев И.Ф. Приемные устройства ИК-систем./ Под ред. В.И.Сидорова. М.: Радио и связь, 1987. - 208 с.

3. Филачёв А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А. Твердотельная фотоэлектроника. Физические основы. — М.: Физматкнига, 2005. 384 с.

4. Razeghi М., Lim Н., Tsao S., Szafraniec J., Zhang W., Mi K., Movaghar B. Transport and photodetection in self-assembled semiconductor quantum dots. — Nanotechnology, 2005, vol. 16, no. 2, p. 219-229.

5. Kim J.C. InSb charge-injection device imaging array. IEEE Transactions on Electron Devices, 1978, vol. ED-25, no. 2, p. 232-241.

6. Staller C., Niblack C., Evans Т., Blessinger M., Westrick A. Infrared focal plane design for the Comet Rendezvous/Asteroid Flyby and Cassini Visible and Infrared Mapping Spectrometers. SPIE, 1991, vol. 1540, Infrared Technology XVII, p. 219-230.

7. Parrish W.J., Blackwell J.D., Kincaid G.T., Paulson R.C. Low-cost high performance InSb 256x256 infrared camera. SPIE, 1991, vol. 1540, Infrared Technology XVII, p. 274-284.

8. Kruse P.W. The emergence of HgixCdxTe as a modem infrared sensitive material. In: Semiconductors and Semimetals, 1981, vol. 18, p. 1-20, edited by R.K. Willardson and A.C. Beer, Academic Press.

9. Manissadjian A., Tribolet P., Chorier P., Costa P. Sofradir infrared detector products: the past and the future. In: Infrared Technology and Applications XXVI,

10. Bjom F. Andersen, Gabor F. Fulop, Marija Strojnik, Editors. Proc. SPIE, 2000, vol.4130, p. 480-495.

11. Online: http://www.qsl.net/wb9ajz/laser/data/atmosphe.gif

12. Физический энциклопедический словарь/ Гл. ред. А.М.Прохоров. Ред. кол. Д.М.Алексеев, А.М.Бонч-Бруевич, А.С.Боровик-Романов и др. М., Сов. энциклопедия, 1983. - 928 с.

13. Зайдель А.Н., Островская Г.В., Островский Ю.И. Техника и практика спектроскопии. 2-е изд. - М., "Наука", 1976. - 392 с.

14. Пейсахсон И.В. Оптика спектральных приборов. 2-е изд., JI., 1975.

15. Тарасов К.И. Спектральные приборы. 2-е изд., Л., 1977.

16. Лебедева В.В. Техника оптической спектроскопии. — 2-е изд. М., Изд-во МГУ, 1986.-352 с.

17. Ковалев А. В., Федчишин В. Г., Щербаков М. И. Тепловидение сегодня.

18. Для удобства идентификации публикаций, сделанных с участием автора, все ссылки на такие работы в тексте, а также в списке литературы, помечены "звездочкой".

19. Специальная техника, 1999, № 3, с. 13-18.

20. Ковалев А. В., Федчишин В. Г., Щербаков М. И. Тепловидение сегодня. — Специальная техника, 1999, № 4, с. 19-23.

21. Kimata М., Tubouchi N. Schottky-barrier photoemissive detectors. — In: Infrared Photon Detectors, Antoni Rogalski, Editor, SPIE Optical Engineering Press, 1995, p. 299-350.

22. Audebert Р., Giotta D., Mottin Е., Rambaud P., Marion F. 640x480 МСТ 3-5 pm snapshot focal plane array. Part of the SPIE Conference on Infrared Detectors and Focal Plane Arrays V, Orlando, Florida, April 1998. - SPIE, 1998, vol. 3379, p. 577-585.

23. Hoffman A., Randall D. High-performance 256x256 InSb FPA for astronomy. — SPIE, 1991, vol. 1540, p. 297-302.

24. Kondoh Y., Togasaki Т., Saito M. A flip chip interconnection technique using indium alloy bumps for a newly designed CCD module. Proc. IMC, Yokahama, 1992, p. 120.

25. Chance D. Fluxless C4 joints and reflow without degradation. — IBM Tech. Bui., 1980, vol. 23, no. 7, p. 2990.

26. Г.Л.Курышев, А.П.Ковчавцев, Н.А.Валишева. Электронные свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе InAs. ФТП, 2001, т. 35, вып. 9, с. 1111-1119.

27. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазо-на/В.Н.Овсюк, Г.Л.Курышев, Ю.Г.Сидоров и др. Новосибирск: Наука, 2001.-376 с.

28. Полупроводниковые формирователи сигналов изображения/ Под ред. П.Йесперса, Ф. Ван де Виле, М.Уайта. М.: Мир, 1979. - 575 с.

29. Barbe D.F. Imaging devices using the charge-coupled concept. Proc. IEEE,1975, vol. 63, no. 1, p. 38-67.

30. Приборы с зарядовой связью: Пер. с англ./Под ред. Д.Ф.Барба. М.: Мир, 1982.-240 с.

31. Burke Н.К., Michon G.J. Solid state imaging apparatus. U.S. Patent, № 3993897; Nov. 23, 1976; Intern. Class H01J 039/12; filed Nov. 26, 1975, Appl. № 635703.

32. Howard P.E., Kim J.C., Sippach H.G. Accumulation mode charge injection infrared sensor. U.S. Patent, № 4004148; Jan. 18, 1977; Intern. Class G01J 001/00, GO IT 001/22; filed Feb. 2, 1976, Appl. № 654512.

33. Milton A.F., Hess M.R. Series-parallel scan, IR, CID, focal-plane array. U.S. Patent, № 4054797; Oct. 18, 1977; Intern. Class G01T 001/24; filed Sep. 23,1976, Appl. № 725769.

34. Quantitative InfraRed Thermography QIRT 92, Proceedings of the Eurotherm Seminar no. 27, July 7-9, 1992, Chatenay-Malabry, France. D.Balageas, G.Busse, and G.M.Carlomagno, editors. ONERA, 1992, 420 pp.

35. Pierre C., Deltour R., Van Bentum J., Perenboom J.A.A.J. Electrical-conduction mechanisms in polymer-copper-particle composites. II. (l/f)-noise measurements in the percolation limit. Phys. Rev. B, 1990-11, vol. 42, no. 6, p. 3386-3394.

36. Cerisier P., Rahal S., Rivier N. Topological correlations in Benard-Marangoni convective structures. Phys. Rev. E, 1996, vol. 54, no. 5, p. 5086-5094.

37. Eich Т., Herrmann A., Neuhauser J., ASDEX Upgrade Team. Nonaxisymmetric energy deposition pattern on ASDEX upgrade divertor target plates during type-I edge-localized modes. Phys. Rev. Lett., 2003, vol. 91, no. 19, p. 195003 (1-4).

38. Bendada A., Zheng C.Q., Nardini N. Investigation of temperature control parameters for inductively heated semi-solid light alloys using infrared imaging and inverse heat conduction. J. Phys. D: Appl. Phys., 2004, vol. 37, no. 7, p. 1137— 1144.

39. Jaeger M.S., Mueller Т., Schnelle T. Thermometry in dielectrophoresis chips for contact-free cell handling. J. Phys. D: Appl. Phys., 2007, vol. 40, no. 1, p. 95105.

40. Deng Z.-S., Liu J. Blood perfusion-based model for characterizing the temperature fluctuation in living tissues. Physica A, 2001, vol. 300, p. 521-530.

41. Deng Z.-S., Liu J. Mathematical modeling of temperature mapping over skin surface and its implementation in thermal disease diagnostics. — Comput. Biol. Med., 2004, vol. 34, no. 6, p. 495-521.

42. Wu Z., Liu H.H., Lebanowski L., Liu Z., Ног P.H. A basic step toward understanding skin surface temperature distributions caused by internal heat sources. — Phys. Med. Biol., 2007, vol. 52, no. 17, p. 5379-5392.

43. Salvaggio C., Miller C. J. Comparison of field and laboratory collected midwave and longwave infrared emissivity spectra / data reduction techniques. Proc. SPIE, 2001, vol. 4381, p. 549-558.

44. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ./Под ред. С.Зи. — М.: Мир, 1986.-404 с.

45. Shimbo М., Furukawa К., Fukuda К., Tanzawa К. Silicon-to-silicon direct bonding method. J. Appl. Phys., 1986, vol. 60, no. 8, p. 2987-2989.

46. Lasky J. B. Wafer bonding for silicon-on-insulator technologies. Appl. Phys. Lett., 1986, vol. 48, p. 78-80.

47. Shimbo M., Furukawa K., Fukuda K. A newly developed silicon to silicon direct adhesion method. In: Ext. Abs. 169th Electrochem. Soc. Mtg., 1986, p. 337338.

48. Nakagawa A., Watanabe K., Yamaguchi Y. 1800V bipolar-mode MOSFETs: A first application of silicon wafer direct bonding (SDB) technique to a power device. -In: 1986 IEEE IEDM Tech. Dig., 1986, p. 122-125.

49. Hower P.L. Power semiconductor devices: an overview. — Proc. IEEE, 1988, vol. 76, no. 4, p. 335-342.

50. Yun C., Kim S., Kwon Y., Kim T. High performance 1200 V PT IGBT with improved short-circuit immunity. Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1998, ISPSD 98, 3-6 June, 1998, p. 261-264.

51. Detjen D., Schroder S., De Doncker R.W. New high-power BIMOS-devices based on silicon-silicon bonding. — Conference Record of the Industry Applications Conference, 2002. 37th IAS Annual Meeting. Vol. 3, 13-18 October 2002, p. 2152-2158.

52. Ohoka Т., Yoshitake Т., Kikuchi H., Okonogi K. A wafer bonded SOI structure for intelligent power ICs. — Proceedings of the 5th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1993, ISPSD '93, 18-20 May 1993, p. 119-123.

53. Ohashi H., Furukawa K., Atsuta M., Nakagawa A., Imarnura K. Study of Si-wafer directly bonded interface effect on power device characteristics. In: 1987 IEEE IEDM Tech. Dig., 1987, p. 678-681.

54. Abe Т., Katayama M. Bonded SOI technologies for high voltage applications. — 8th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1996. ISPSD '96 Proceedings., 20-23 May 1996, p. 41-49.

55. Bengtsson S., Engstrom O. Low-temperature preparation of silicon/silicon interfaces by the silicon-to-silicon direct bonding method. J. Electrochem. Soc., 1990, vol. 137, no. 7, p. 2297-2303.

56. Воронков В.Б., Грехов И.В., Козлов B.A. Контроль качества интерфейса методом лазерного сканирования при прямом сращивании кремниевых пластин. ФТП, 1991, т. 25, № 2, с. 208-216.

57. Bollmann D., Landesberger С., Ramm P., Haberger К. Analysis of wafer bonding by infrared transmission. Japan. J. Appl. Phys., 1996, vol. 35, pt. 1, no. 7, p. 3807-3809.

58. Lawson R. Implications of surface temperatures in the diagnosis of breast cancer. Can. Med. Assoc. J., 1956, vol. 75, no. 4, p. 309-311.

59. Lawson R. Thermography; a new tool in the investigation of breast lesions. — Can. Serv. Med. J., 1957, vol. 8, no. 8, p. 517-524.

60. Lecerof H., Bornmyr S., Lilja В., De Pedis G., Hulthen U.L. Acute effects ofdoxazosin and atenolol on smoking-induced peripheral vasoconstriction in hypertensive habitual smokers. J. Hypertens. Suppl., 1990, vol. 8, no. 5, p. S29-S33.

61. Tham T.C., Silke В., Taylor S.H. Comparison of central and peripheral haemody-namic effects of dilevalol and atenolol in essential hypertension. — J. Hum. Hypertens., 1990, vol. 4, Suppl. 2, p. 77-83.

62. Fushimi H., Inoue Т., Yamada Y., Matsuyama Y., Kubo M., Kameyama M. Abnormal vasoreaction of peripheral arteries to cold stimulus of both hands in diabetics. Diabetes Res. Clin. Pract., 1996, vol. 32, no. 1-2, p. 55-59.

63. Mabuchi K. Clinical significance of thermography a non-invasive and non-contact method to evaluate peripheral circulatory function in the diagnosis of diabetic complications. - Nippon Rinsho, 1990, vol. 48, Suppl, p. 580-587.

64. Лихтерман Л. Б. Ультразвуковая томография и тепловидение в нейрохирургии. М.: Медицина, 1983. - 143 с.

65. Колесов С. Н. Диагностические возможности тепловидения в нейрохирургии: Автореф. дис. канд. мед. наук. — М.: 1980. 28 с.

66. Steketee J. Spectral emissivity of skin and pericardium. Phys. Med. Biol., 1973, vol. 18, no. 5, p. 686-694.

67. Steketee J. The influence of cosmetics and ointments on the spectral emissivity of skin. -Phys. Med. Biol., 1976, vol. 21, no. 6, p. 920-930.

68. Togawa T. Non-contact skin emissivity: measurement from reflectance using step change in ambient radiation temperature. Clin. Phys. Physiol. Meas., 1989, vol. 10, no. l,p. 39-48.

69. Основы клинической дистанционной термодиагностики. / Под ред. д-ра мед. наук Л.Г.Розенфельда. Киев, "Здоровья", 1988. -223 с.

70. Драгун В.Л., Филатов С.А. Вычислительная термография. Применение в медицине. Минск, "Навука i Тэхшка", 1992, 232 с.

71. Клиническое тепловидение/В.П.Мельникова, М.М.Мирошников, Е.Б.Брюнелли, В.Г.Воронов, Н.В.Гончар, О.А.Козлов, А.А.Мошкалов,

72. Б.М.Никифоров, Е.М.Рождественская, Ю.И.Строев, В.Ф.Суханова. СПб.: ГОИ им. С.И.Вавилова, 1999.-124 е., ил.

73. Online: http://vAvw.comp.glam.ac.uk/pages/staff'pplassma/Medlmaging/News/ ComebackOfIR.htm

74. Zontak A., Sideman S., Verbitsky О., Beyar R. Dynamic thermography: analysis of hand temperature during exercise. Ann. Biomed. Eng., 1998, vol. 26, no. 6, p. 988-993.

75. Stuttgen G., Eilers J. Reflex heating of the skin and telethermography. Arch. Dermatol. Res., 1982, vol. 272, no. 3-4, p. 301-310.

76. Shuran M., Nelson R.A. Quantitation of energy expenditure by infrared thermography. -Am. J. Clin. Nut., 1991, vol. 53, p. 1361-1367.

77. Cassis L.A., Marshall D.E., Fettinger M.J., Rosenbluth В., Lodder R.A. Mechanisms contributing to angiotensin II regulation of body weight. Am. J. Physiol., 1998, vol. 274, no. 5, p. E867-E876.

78. Adams A.K., Nelson R.A., Bell E.F., Egoavil C.A. Use of infrared thermographic calorimetry to determine energy expenditure in preterm infants. — Am. J. Clin. Nutr., 2000, vol. 71, p. 969-977.

79. Klede M., Handwerker H.O., Schmelz M. Central origin of secondaiy mechanical hyperalgesia. J. Neurophysiol., 2003, vol. 90, no. 1, p. 353-359.

80. Nagashima K., Nakai S., Matsue K., Konishi M., Tanaka M., Kanosue K. Effects of fasting on thermoregulatory processes and the daily oscillations in rats. — Am. J. Physiol. Regul. Integr. Сотр. Physiol., 2003, vol. 284, p. R1486-R1493.

81. Allen J. A., Grimley J. F., Roddie I. C. A body balance to measure sweat rates in man. -Biomed. Eng., 1971, vol. 6, no. 10, p. 468-471.

82. Большая медицинская энциклопедия: В 30 т. / АМН СССР; Гл. ред. Б.В. Петровский. 3-е изд. - М.: Советская энциклопедия. — Т. 20: Пневмопек-сия-Преднизолон. — 1983. - 560 с.

83. Ponten В. Quantative measurements of sweat gland activity using the ninhydrin method. Acta Physiol. Scand., 1960, vol. 48, p. 20-28.

84. Ahcan U., Arnez Z.M., Bajrovic F., Janko M. Contribution of collateral sprouting to the sensory and sudomotor recovery in the human palm after peripheral nerve injury. Br. J. Plast. Surg., 1998, vol. 51, no. 6, p. 436-443.

85. Rovensky J., Toman M. A colorimetric contact method for measurement of insensible skin perspiration. — Hautarzt., 1962, vol. 13, p. 464-467.

86. De Marinis M., Stocchi F., Testa S.R., De Pandis F., Agnoli A. Alterations of thermoregulation in Parkinson's disease. Funct Neurol., 1991, vol. 6, no. 3, p. 279-283.

87. Takano S., Kondo N., Shibasaki M., Aoki K., Inoue Y., Iwata A. The influence of work loads on regional differences in sweating rates. — Jpn. J. Physiol., 1996, vol. 46, no. 2, p. 183-186.

88. Kenny G. P., Periard J., Journeay W. S., Sigal R. J., Reardon F. D. Effect of exercise intensity on the postexercise sweating threshold. J. Appl. Physiol., 2003, vol. 95, no. 6, p. 2355-2360.

89. Kellogg D. L. Jr, Johnson J. M., Kenney W. L., Pergola P. E., Kosiba W. A. Mechanisms of control of skin blood flow during prolonged exercise in humans. — Am. J. Physiol. Heart Circul. Physiol., 1993, vol. 265, no. 2, p. H562-H568.

90. Kingston J. K., Geor R. J., McCutcheon L. J. Use of dew-point hygrometry, direct sweat collection, and measurement of body water losses to determine sweating rates in exercising horses. — Am. J. Vet. Res., 1997, vol. 58, no. 2, p. 175-181.

91. Ariagno R. L., Glotzbach S. F., Baldwin R. В., Rector D. M., Bowley S. M., Moffat R. J. Dew-point hygrometry system for measurement of evaporative water loss in infants. J. Appl. Physiol., 1997, vol. 82, no. 3, p. 1008-1017.

92. Шато-Тьери M. Фруктовые кислоты. — Новости эстетики (les Nouvelles Esthetiques, русское издание), 1998, № 1, с. 43-44.

93. Schmitt J. M. Array detection for speckle reduction in optical coherence microscopy. -Phys. Med. Biol., 1997, vol. 42, no. 7, p. 1427-1439.

94. Wilmsen С. W., Szpak S. MOS processing for Ш-V compound semiconductors: overview and bibliography. Thin Solid Films, 1977, vol. 46, no. 1, p. 17-45.

95. Манохина Г.А., Павлова 3.B., Кузнецов Ю.А. Диэлектрики в разработке и производстве приборов на антимониде индия. — Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборыю — 1979, вып. 6 (652). 59 с.

96. Schmid К., Ryssel Н., Muller Н., Wiedeburg К.Н., Betz Н. Properties of А1203 and Si02 surface layers on InSb, investigated by back-scattering techniques. — Thin Solid Films, 1973, vol. 16, no. 2, p. S11-S12.

97. Fischer J. E. MOS capacitors for surface barrier electroreflectance measurements.- Rev. Sci. Instrum., 1971, vol. 42, no. 6, p. 872-877.

98. Kim J. C. Interface properties of InSb MIS structures. IEEE Trans, on Parts, Hybrids and Packaging. - 1974, vol. PHP-10, no. 4, p. 200-207.

99. Anderson G. W., Schmidt W. A., Comas J. Composition, chemical bonding, and contamination of low temperature SiOxNy insulating films. J. Electrochem. Soc, 1978, vol. 125, no. 3, p. 424-430.

100. Korwin-Pawlowski M. L., Heasell E. L. Characteristics of MOS capacitors formed on p-type InSb. Phys. Stat. Solidi (a), 1974, vol. 24, no. 2, p. 649-652.

101. Sewell H., Anderson J. C. Slow states in InSb/SiOx thin film transistors. SolidState Electron., 1975, vol. 18, no. 7/8, p. 641-649.

102. Shappir J., Margalit S., Kidron I. p-Channel MOS transistor in indium antimonide.- IEEE Trans. Electron Dev., 1975, vol. ED-22, no. 10, p. 960-961.

103. Olcaytug F., Riedling K., Fallmann W. C/V measurements on M.I.S. structures on n-InSb formed by room temperature reactive deposition of SisN4. Electronics Lett., 1980, vol. 16, no. 17, p. 677-678.

104. Shinoda Y., Kobayashi T. CVD A1203 films on III-V binary semiconductors. — Japan. J. Appl. Phys., 1980, vol. 19, no. 6, p. L299-L301.

105. Waiden R. Н. A method for the determination of high-field conduction laws in insulating films in the presence of charge trapping J. Appl. Phys., 1972, vol. 43, no. 3,p. 1178-1186.

106. Fowler R. H., Nordheim L. Electron emission in intense electric fields. — Proc. Roy. Soc., 1928, vol. 119, no. A781,p. 173-181.

107. Weinberg Z. A., Johnson W. C., Lampert M. A. High-field transport in Si02 on silicon induced by corona charging of the unmetallized surface. — J. Appl. Phys., 1976, vol. 47, no. 1, p. 248-255.

108. Weinberg Z. A. On tunneling in metal-oxide-silicon structures. J. Appl. Phys., 1982, vol. 53, no. 7, p. 5052-5056.

109. Korneffel В., Ludwig W. Energy-momentum dispersion in A1203 tunneling structures. -Phys. Stat. Solidi (a), 1972, vol. 9, no. 1, p. 201-206.

110. Krag W. E., Phelan R. J., Dimmock J. O. Effects of light on the charge state of InSb -MOS devices. J. Appl. Phys., 1969, vol. 40, no. 9, p. 3661-3667.

111. Гуга К. Ю., Малютенко В. К., Саченко А. В., Чайкин В. И. Фотопроводимость InSb с окисленной поверхностью. — УФЖ, 1977, т. 22, № 3, с. 507-509.

112. Но P., Lehovec К., Fedotowsky L. Charge motion on silicon oxide surfaces. — Surface Sci, 1967, vol. 6, no. 4, p. 440^60.

113. Heimann P. A., Olsen J. E. A sensitive method for measuring surface conductivity of insulators. J. Appl. Phys., 1982, vol. 53, no. 1, p. 546-549.

114. Hofstein S. R., Zaininger К. H., Warfield G. Frequency response of the surface inversion layer in silicon. Proc. IEEE, 1964, vol. 52, no. 8, p. 971-972.

115. Nicollian E. H., Goetzberger A. Lateral a. c. current flow model for metal insulator - semiconductor capacitors. - IEEE Trans. Electron Dev., 1965, vol. ED-12, no. 3, p. 108-117.

116. Goetzberger A. Ion drift in the fringing field of MOS capacitors. Solid - State Electron., 1966, vol. 9, no. 9, p. 871-878.

117. Блаут-Блачев A. H., Иглицын M. И., Ивлева В. С., Селянин В. И. Исследование рекомбинационных свойств InSb п-типа. — ФТП, 1975, т. 9, вып. 2, с. 374-376.

118. Zitter R. N., Strauss A. J., Attard А. Е. Recombination processes in p-type indium antimonide. Phys. Rev., 1959, vol. 115, no. 2, p. 266-273.

119. Chopra К. L., Major S., Pandya D. К. Transparent conductors a status review. — Thin Solid Films, 1983, vol. 102, no. 1, p. 1-46.

120. Nath P., Bunshah R. F. Preparation of ln203 and tin-doped 1п20з films by a novel activated reactive evaporation technique. — Thin Solid Films, 1980, vol. 69, p. 6368.

121. Chamonal J. P., Audebert P., Destefanis G., Medina P., Ravetto M., Deschamps J., Girard M., Chatard J.-P. Long MWIR HgCdTe butted linear arrays. Proc. SPIE, 1997, vol. 3061, p. 467-475.

122. Burstein E. Anomalous optical absorption limit in InSb. Phys. Rev, 1954, vol. 93, p. 632-633.

123. Moss T. S. The Interpretation of the properties of indium antimonide. — Proc. Phys. Soc., 1954, vol. В 67, no. 10, p. 775-782.

124. Dixon J. R., Ellis J. M. Optical properties of n-type indium arsenide in the fundamental absorption edge region. Phys. Rev., 1961, v. 123, no. 5, p. 1560-1566.

125. Зотова H. В., Наследов Д. H., Неуймина JI. Д. Край поглощения n-InAs при 300 и 100° К. ФТП, 1971, т. 5, № 11, с. 2111-2115.

126. Online: http://www.ioffe.rssi.rU/SVA/NSM/Semicond/InAs/electric.html# Recombination

127. Woolaway J. Т. New sensor technology for the 3- to 5-pm imaging band. — Photonics Spectra, 1991, vol. 25, no. 2, p. 113-119.

128. Криксунов JI. 3. Справочник по основам инфракрасной техники. М.: Сов. радио, 1978.-400 с.

129. Schrader В. Raman/Infrared atlas of organic compounds, Second edition. VCH Verlagsgesellschaft mbH, 1989, 1120 pp.

130. Taubkin 1.1., Trishenkov M. A., Vasilchenko N. V. Minimum temperature difference detected by the thermal radiation of objects. Infrared Phys. Technol., 1994, vol. 35, no. 5, p. 715-732.

131. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М., Мир, 1967, 480 с.

132. Brodie I., Muray J. J. The physics of microfabrication. — Plenum, New York, ch. 6, 1982.-528 pp.

133. Hung R.Y., Yon E.T. Surface study of anodized indium antimonide. J. Appl. Phys., 1970, vol. 41, no 5, p. 2185-2189.

134. Вавилов В. С., Плотников А. Ф., Шубин В. Э. Перезарядка ловушек оксида InSb в структурах Аи оксид InSb - InSb. - ФТП, 1971, т. 5, вып. 11, с. 20642069.

135. Buxo J., Esteve D., Farre J., Sarrabayrouse G., Simonne J. A model for the large-amplitude hysteresis in MIS structures on InSb. Appl. Phys. Lett., 1978, vol. 33, no. 11, p. 969-971.

136. Букингем M. Шумы в электронных приборах и системах: Пер. с англ.- М.: Мир, 1986.-399 с.

137. Космическое оружие: дилемма безопасности /Под ред. Е.П.Велихова, Р.З.Сагдеева, А.А.Кокошина. -М.: Мир, 1986. 182 с.

138. Клименко А. Г., Новоселов А. Р. Скрайбирование поверхности кремниевого кристалла излучением импульсного ультрафиолетового лазера на микронных расстояниях от активных элементов. — Автометрия, 1998, № 4, с. 113—

139. Клименко А. Г., Новоселов А. Р., Торлин М. А. Исследование зоны термического поражения в CdHgTe и Si вблизи лазерных кратеров при ультрафиолетовом облучении наносекундными импульсами. — Автометрия, 1998, № 5, с. 78-85.

140. Датчик излучения. Пат. Японии (JP) заявка № 57-55225, МКИ: Н 01 L 27/14; Н 04 N 3/14. (заявлено 29.05.1974; заявитель Дженерал Электрик Компани; Приоритет США 29.05.1973 364346, 29.05.1973 364345; опубл. 22.11.1982 г.)

141. Gibbons М. D., Wang S. С. Status of CID InSb detector technology. Proc. SPIE, 1984, vol. 443, p. 151-166.

142. Michon G. J., Elchelberger C. W. Method and apparatus for sensing radiation and providing electrical readout. U.S. Patent 3, 805, 062 (Apr. 16, 1974) H 01 J 39/12.

143. Anagnostopoulos C. N. Charge injection device readout. U.S. Patent, № 4079422; Mar. 14, 1978; Intern. Class H04N 005/30; filed Oct. 12, 1976, Appl. № 731077.

144. Michon G. J., Burke H. K. Operational characteristics of CID imager. ISSCC Dig. Tech. Papers, Feb. 1974, p. 26-27.

145. Демидов Ю. П., Заргарьянц M. Н., Киселев А. А., Колоненкова С. И. Диаграмма направленности излучения полупроводниковой многослойной структуры. -Письма в ЖЭТФ, 1970, т. 12, с. 169-172.

146. Мишкин В. П., Филатов Д. О., Некоркин С. М., Кутергина Ю. В. Влияние селективного химического травления на диаграмму направленности излучения полупроводникового лазера. ЖТФ, 2004, т. 74, вып. 7, с. 78-80.

147. Vasil'eva Е. D., Rubashkin Ju. A., Bogdanov A. A., Lin'kov А. Е., Kalinichev К. Ju. Light-emitting diode incorporating optical component. Patent RU 2 265 917 CI. Date of publication: 10.12.2005, Bull. 34; eff. date prop, rights: 02.12.2004.

148. Kozlowska A. Infrared imaging of semiconductor lasers. — Semicond. Sci. Technol., 2007, vol. 22, p. R27-R40.

149. Brambilla M., Battipede F., Lugiato L. A., Penna V., Prati F., Tamm C., Weiss C. O. Transverse laser patterns. 1. Phase singularity crystals. Phys. Rev. A, 1991, vol. 43, no. 9, p. 5090-5113.

150. Chen Y. F., Jiang С. H., Lan Y. P., Huang K. F. Wave representation of geometrical laser beam trajectories in a hemiconfocal cavity. — Phys. Rev. A, 2004, vol. 69, p. 053807 (1-6).

151. Habraken S. J. M., Nienhuis G. Modes of a twisted optical cavity. Phys. Rev. A, 2007, vol. 75, p. 033819 (1-11).

152. Weiss С. O., Telle H. R., Staliunas K., Brambilla M. Restless optical vortex. -Physical Review A, 1993, vol. 47, no. 3, p. R1616-R1619.

153. Moseley R. R., Shepherd S., Fulton D. J., Sinclair B. D., Dunn M. H. Electromag-netically-induced focusing. Phys. Rev. A, 1996, vol. 53, no. 1, p. 408-415.

154. Kennedy S. A., Szabo M. J., Teslow H., Porterfield J. Z., Abraham E. R. I. Creation of Laguerre-Gaussian laser modes using diffractive optics. Phys. Rev. A, 2002, vol. 66, p. 043801(1-5).

155. Norgard J. D., Metzger D. W., Cleary J. C., Seifert M. F. Infrared/microwave correlation measurements. Proc. SPIE, 1991, vol. 1540, p. 699-708.

156. Norgard J. D., Musselman R. Direct infrared measurements of phased-array antenna source distributions. Proc. SPIE, 2003, vol. 5073, p. 231-242.

157. Gonzalez J. M., Navarro M., Puente C., Romeu J., Aguasca A. Active zone self-similarity of fractal-Sierpinski antenna verified using infra-red thermograms. — Electronics Letters, 1999, vol. 35, no. 17, p. 1393-1394.

158. Винокуров H. А., Князев Б. А., Кулипанов Г. H., Матвеенко А. Н., Попик В.

159. М., Черкасский В. С., Щеглов М. А. Визуализация излучения мощного тера-герцового лазера на свободных электронах с помощью термочувствительного интерферометра. ЖТФ, 2007, т. 77, вып. 7, с. 91-100.

160. Levesque P., Deom A., Balageas D. NDE of absorbing materials using microwave stimulated infrared thermography. In: QIRT 92, ed. D.Balageas, G.Busse, and G.M.Carlomagno, Editions Europ. Thermique et Industrie. - 1992, Paris, p. 302— 307.

161. Miotto R., Ferraz A. C., Srivastava G. P. Acetylene adsorption on the Si(001) surface. -Phys. Rev. B, 2002, vol. 65, no. 7, p. 075401(1-11).

162. Vartapetyan R. Sh., Voloshchuk A. M. The mechanism of the adsorption of water molecules on carbon adsorbents. Russ. Chem. Rev., 1995, vol. 64, no. 11, p. 985-1001.

163. Berezin G. I., Vartapetyan R. Sh., Voloshchuk A. M., Petukhova G. A., Polyakov N. S. A model of the two-stage condensation mechanism of water adsorption on nonporous carbon adsorbents. Russ. Chem. Bull., 1998, vol. 47, no. 10, p. 18791885.

164. Cho J.-H., Kleinman L., Jin K.-j., Kim K. S. Theoretical study of water adsorption on the Ge(100) surface. Phys. Rev. B, 2002, vol. 66, no. 11, p. 113306 (1^1).

165. Park J. M., Cho J.-H., Kim K. S. Atomic structure and energetics of adsorbed water on the NaCl(OOl) surface. Phys. Rev. B, 2004, vol. 69, p. 233403 (1^1).

166. Wang S., Cao Y., Rikvold P. A. First-principles calculations for the adsorption of water molecules on the Cu(100) surface. Phys. Rev. B, 2004, vol. 70, no. 20, p. 205410 (1-5).

167. Song X., Zhai J., Wang Y., Jiang L. Fabrication of superhydrophobic surfaces by self-assembly and their water-adhesion properties. — J. Phys. Chem. B, 2005, vol. 109, no. 9, p. 4048-4052.

168. Lee E.-C., Kim Y.-S., Jin Y.-G., Chang K. J. First-principles study of hydrogen adsorption on carbon nanotube surfaces. — Phys. Rev. B, 2002, vol. 66, no. 7, p. 073415 (1^4).

169. Online: http://www.diagnost.ru/Termovision%20articles/10.htm.

170. Ren Y. J., Ruckman J. E. Water vapour transfer in wet waterproof breathable fabrics. J. Industr. Text., 2003, vol. 32, no. 3, p. 165-175.

171. Ruckman J. E. Water vapour transfer in waterproof breathable fabrics: Part 1: under steady-state conditions. Intern. J. Cloth. Sci. Techn., 1997, vol. 9, no. 1, p. 10-22.

172. Wiecek B., Owczarek G., Danych R., Zwolenik S. Infrared systems for fast thermal process investigation. Proc. SPIE, 2003, vol. 5073, p. 495-504.

173. Zimniewska M., Michalak M., Krucinska I., Wiecek B. The physical properties of the surface of apparel made from flax and polyester fibres. Intern. J. Cloth. Sci. Techn., 2003, vol. 15, no. 3/4, p. 284-294.

174. Online: http://www.infraredinc.com/apps/apps8.html.

175. Cassie A. B. D. Physics and textiles. Rep. Prog. Phys., 1944, vol. 10, p. Mini.

176. Калитеевский H. И. Волновая оптика: Учеб. пособие для ун-тов. Изд. 2-е, испр. и доп. М., Высш. шк., 1978. - 383 с.

177. Stengl R., Ahn K.-Y., Gosele U. Bubble-free silicon wafer bonding in a non-cleanroom environment. Jap. J. Appl. Phys., 1988, vol. 27, no. 12, p. L2364— L2366.

178. Lehmann V., Mitani K., Stengl R., Mii Т., Gosele U. Bubble-free wafer bonding of GaAs and InP on silicon in microcleanroom. Jap. J. Appl. Phys., 1989, vol. 28, no. 12, p. L2141—L2143.

179. Kastner G., Akatsu Т., Senz S., Plosl A., Gosele U. Large-area wafer bonding of GaAs using hydrogenand ultrahigh vacuum atmospheres. Appl. Phys., 2000, vol. A70, p. 13.

180. Mitani K., Lehmann V., Stengl R., Feijoo D., Gosele U. M., Massoud H. Z. Causes and prevention of temperature-dependent bubbles in silicon wafer bonding. -Jap. J. Appl. Phys., 1991, vol. 30, no. 4, p. 615-622.

181. Вавилов В. П. Тепловые методы неразрушающего контроля: Справочник.

182. М.: Машиностроение, 1991. -240 с.

183. Oliferuk W. Investigation of metal deformation using thermography. In.: QIRT'98, Proceedings of Eurotherm Seminar No.60, Lodz, Poland, September 710, 1998. D.Balageas, G.Busse, G.M.Carlomagno, editors. Lodz, PKOpto SEP, 1998, p. 134-139.

184. Никифоров А. В., Клявин О. В. Разогрев кристаллических материалов в процессе их деформации при Т=4.2 К. ФТТ, 1976, т. 18, вып. 4, с. 1167-1169.

185. Малыгин Г. А. Локальный разогрев кристаллов при низкотемпературной деформации. ФТТ, 1977, т. 19, вып. 10, с. 3152-3155.

186. Quantitative InfraRed Thermography, Italy, Padova, June 28-30, 2006. Italy, 2006, 6 pp. - Proceedings on-line: http://qirt.gel.ulaval.ca/archives/qirt2006/papers/051 .pdf

187. Erdmann J. C., Jahoda J. A. Stored energy of plastic deformation at 4.2 К in Cu-Ni alloys. Appl. Phys. Lett., 1964, vol. 4, p. 204-205.

188. Nakada Y. Orientation dependence of energy dissipation during plastic deformation of F.C.C. crystals. Phil. Mag., 1965, vol. 11, p. 251-261.

189. Alaverdieva S., Krivova A. Antioxidant balance in cosmetic formulations. — Cosmetics & Medicine (English edition), 1999, no. 1, p. 11-15.

190. Григорьев А. И., Орлов О. И., Логинов В. А., Дроздов Д. В., Исаев А. В., Ре-вякин Ю. Г., Суханов А. А. Клиническая телемедицина. М.: Фирма "Слово", 2001.-144 с.

191. О телемедицине и информационной политике в области охраны здоровья граждан Российской Федерации. Материалы парламентских слушаний 20 мая 2002 г./Под общ. ред. акад. РАМН Н.Ф.Герасименко. М.: Фирма "Слово", 2002.-164 с.

192. Guidi A. J., Schnitt S. J. Angiogenesis in preinvasive lesions of the breast. The Breast J., 1996, vol. 2, p. 364-369.

193. Anbar M. Hyperthermia of the cancerous breast: Analysis of mechanism. Cancer Lett., 1994, vol. 84, no. 1, p. 23-29.

194. Benko I. Histographical analysis of infrared images for medical diagnosis. — 8th Int. Conference on Thermal Engineering and Thermogrammetry. — Budapest, Hungary, 1993. p. 307-308.

195. Whipp B. J., Wasserman K. Efficiency of muscular work. J. Appl. Physiol., 1969, vol. 26, no. 5, p. 644-648.

196. Torii M., Yamasaki M., Sasaki Т., Nakayama H. Fall in skin temperature of exercising man. Br. J. Sports Med., 1992, vol. 26, no. 1, p. 29-32.

197. Иванов К.П. Основы энергетики организма: Теоретические и практические аспекты. Том 1. Общая энергетика, теплообмен и терморегуляция. Л.: Наука, 1990, 307 с.

198. Johnson J. М. Exercise and the cutaneous circulation. Exerc. Sport Sci. Rev., 1992, vol. 20, p. 59-97.

199. Veghte J. H., Adams W. C., Bernauer E. M. Temperature changes during exercise measured by thermography. — Aviat. Space Environ. Med., 1979, vol. 50, no. 7, p. 708-713.

200. Kondo N., Shibasaki M., Aoki K., Koga S., Inoue Y., Crandall C. G. Function of human eccrine sweat glands during dynamic exercise and passive heat stress. — J. Appl. Physiol., 2001, vol. 90, no. 5, p. 1877-1881.

201. Добеши И. Десять лекций по вейвлетам. — Ижевск: НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика", 2001, 464 с.

202. Barclay V. J., Bonner R. F. Application of wavelet transforms to experimental spectra: smoothing, denoising, data set compression. Anal. Chem., 1994, vol. 69, p. 78-90.

203. Pennes H. H. Analysis of tissue and arterial blood temperature in the resting human forearm. J. Appl. Physiol., 1948, vol. 1, p. 93-102.

204. Глумов H. И., Капишников А. В. Компьютерная обработка сцинтиграфиче-ских изображений легких. Компьютерная оптика, ИСОИ РАН, Самара, 2003, вып. 25, с. 158-164.