Молекулярно-слоевое осаждение и постобработка кремнийсодержащих органо-неорганических тонких пленок тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Ашурбекова Кристина Наримановна

• Ашурбекова Кристина Наримановна
• кандидат наук
• 2021

Оглавление диссертации кандидат наук Ашурбекова Кристина Наримановна

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1 МОЛЕКУЛЯРНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ; СИНТЕЗ И ПРИМЕНЕНИЕ КРЕМНИЙСОДЕРЖАЩИХ ТОНКИХ ПЛЕНОК /ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ/

1.1 Молекулярное наслаивание и Молекулярно-слоевое осаждение: механизм и ростовые характеристики

1.2 Особенности строения силоксановой связи

1.3 Применение кремнийсодержащий тонких пленок и полимерной керамики на основе кремния

1.4 Газофазные методы осаждения кремнийсодержащих тонких пленок

1.4.1 Атомно-слоевое осаждение SiO2

1.4.2 Молекулярно-слоевое осаждение кремнийсодержащих органо-неорганических пленок

ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ 1. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ

ГЛАВА 2 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

2.1 Лабораторная установка для атомно и молекулярно-слоевого осаждения

2.2 Устройство для кварцевого пьезоэлектрического микровзвешивания (КПМ)

2.3 НПВО ИК-Фурье, рамановская и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС)

2.4 Рентгеновская рефлектометрия

2.5 Просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения (ПЭМ ВР) и рентгеновская энергодисперсионная спектрометрия (ЭДС) в ПЭМ

2.6 Создание металл-изолятор-металл (МИМ) структур и электрические измерения

43

2.7 Высокотемпературный отжиг и пиролиз

2.8 Реагенты и подложки

ГЛАВА 3 СИНТЕЗ ТОНКИХ SiAlCHO СИЛОКСАН-АЛЮМИНИЕВЫХ ПЛЕНОК МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ С РАСКРЫТИЕМ ЦИКЛА 1,3,5,7-ТЕТРАВИНИЛ-1,3,5,7-

ТЕТРАМЕТИЛЦИКЛОТЕТРАСИЛОКСАНА

3.1 Программа МСО синтеза Б1А1СИО пленок и мониторинг роста с помощью т-situ КПМ

3.2 Рентгеновская рефлектометрия SiAlCHO пленок

3.3 НПВО ИК, РФЭС и ЭДС анализ 31А1СГО МСО пленок

3.4 ПЭМ визуализация высокого разрешения для определения структуры и конформности SiA1CHO МСО пленок

3.5 Диэлектрические свойства SiAlCHO пленок, тестированные в МИМ-структуре АУУ^-ТМАШ

3.6 Высокотемпературный отжиг SiAlCHO пленок

ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ

ГЛАВА 4 СИНТЕЗ SiAlCO КЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКИХ ПОЛИМЕРОВ ПУТЕМ ТЕРМИЧЕСКОЙ ПОСТОБРАБОТКИ ПЕРВИЧНЫХ ПРЕДКЕРАМИЧЕСКИХ ГИБРИДНЫХ SiAlCHO МСО ПЛЕНОК

4.1 Рамановская спектроскопия, ЭДС в ПЭМ, РФЭС и ПРЭМ анализ и визуализация тонкопленочной SiAlCO керамики на основе кремнийорганических полимеров

4.2 Отжиг SiAlCO тонкопленочной керамики на основе кремнийорганических полимеров для определения термостабильности

ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ

ГЛАВА 5 ПРОЦЕСС ОДНОВРЕМЕННОГО РОСТА И РАДИКАЛ-ИНИЦИИРОВАННОЙ СШИВКИ SiAlCHO ТОНКОЙ ПЛЕНКИ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ

5.1 Программа МСО синтеза SiAlCHO пленок и мониторинг роста и радикал-инициированной сшивки с помощью т-яНи КПМ

5.2 НПВО ИК и РФЭС анализ химического состава SiAlCHO пленок после сшивки

85

5.3 Рентгеновская рефлектометрия сшитых SiAlCHO пленок

5.4 ПЭМ визуализация высокого разрешения для определения структуры и конформности сшитых SiAlCHO пленок

5.5 Высокотемпературный отжиг пленок

ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ

ГЛАВА 6 МОЛЕКУЛЯРНО СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ С РАСКРЫТИЕМ КОЛЬЦА 1,3,5-ТРИВИНИЛ-1,3,5-ТРИМЕТИЛЦИКЛОТРИСИЛОКСАНА (УэБэ) И ^МЕТИЛАЗА-2,2,4-ТРИМЕТИЛСИЛАЦИКЛОПЕНТАНА ДЛЯ СИНТЕЗА SiCNHO ТОНКИХ ПЛЕНОК

6.1 Программа МСО синтеза SiCNHO пленок и мониторинг роста с помощью 1п-яПи КПМ

6.2 НПВО ИК и РФЭС анализ химического состава SiCNHO МСО пленок

6.3 Рентгеновская рефлектометрия SiCNHO МСО пленок

6.4 ПЭМ визуализация высокого разрешения для определения структуры и конформности SiCNHO пленок

ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ

ГЛАВА 7 МОЛЕКУЛЯРНО СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ С РАСКРЫТИЕМ КОЛЬЦА 2,4,6-ТРИМЕТИЛ-2,4,6-ТРИВИНИЛЦИКЛОТРИСИЛАЗАНА (Уз№) ДЛЯ СИНТЕЗА ТОНКИХ SiAlCNH ПЛЕНОК

7.1 Программа МСО синтеза 81А1СМИ пленок и мониторинг роста с помощью т-situ КПМ

7.2 НПВО ИК и РФЭС анализ химического состава 81А1СМИ пленок

7.3 Рентгеновская рефлектометрия 81А1СМИ МСО пленок

7.4 ПЭМ визуализация высокого разрешения для определения структуры и конформности SiAlCNH пленок

7.5 Программа синтеза и радикал-инициированной сшивки SiAlCONH пленки и мониторинг МСО с помощью т^Ш КПМ

7.6 РФЭС анализ химического состава сшитых SiAlCONH пленок

7.7 Рентгеновская рефлектометрия сшитых SiAlCONH пленок 118 ЗАКЛЮЧЕНИЕ К ГЛАВЕ 7 118 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 120 СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ 122 БЛАГОДАРНОСТЬ 123 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Молекулярно-слоевое осаждение и постобработка кремнийсодержащих органо-неорганических тонких пленок»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы исследования. Нанонаука и нанотехнологии открывают большие перспективы для решения четырех глобальных проблем современного общества [1]: еда [2], здоровье [3], энергетика [4] и загрязнение окружающей среды [5]. На пути к решению этих проблем, крайне важно выполнить миниатюризацию. С этой целью на практике используются две технические стратегии получения наноструктур: «сверху-вниз» и «снизу-вверх». Становится все более очевидным, что подход «сверху-вниз» имеет серьезные ограничения для размеров структур менее 100 нм. Подход «снизу-вверх», напротив, позволяет обеспечивать атомарный и молекулярный контроль для создания функциональных нанопленок и открывает практически неограниченные возможности в создании устройств молекулярного уровня, которые позволят работать в наномасштабе надежным и воспроизводимым образом, составляя основу для будущих производственных процессов.

Гибридные органо-неорганические покрытия на основе кремния вызывают большой интерес благодаря своим особым физико-химическим свойствам. Материалы, содержащие линейные силоксановые компоненты и линейный силоксановый каркас, демонстрируют один из самых низких модулей упругости, о которых сообщалось в литературе [6], высокую устойчивость к деформации, гидрофобность, термостойкость и химическую инертность [7, 8]. Эти свойства являются результатом гибкой силоксановой ^-О^) основной цепи, которая придает высокую степень молекулярной подвижности и одну из самых низких температур стеклования, обнаруженных в полимерах (Тё < -100 °С) [9, 10]. Данные нанопокрытия нашли применение в качестве диэлектрических слоев в микроэлектронике [11], покрытий для электродов батарей [12], биосовместимых покрытий [13], барьерных пленок [14] и др. Кремнийорганические полимеры могут быть превращены в керамические материалы путем пиролиза. Полученная таким образом керамика на основе кремнийорганических полимеров в зарубежной

литературе известна как «Polymer Derived Ceramics, (PDC)» [15]. Это особый класс материалов, обладающих исключительными барьерными и механическими свойствами и устойчивых к разложению, кристаллизации, разделению фаз и ползучести при сверхвысоких температурах 2000 °C) [16]. Пленки гибридных материалов на основе кремния традиционно получают из растворов с помощью золь-гель-полимеризации [17], центрифугирования [18] или методом химического или физического осаждения из газовой фазы (ХОГФ, ФОГФ) [19]. К сожалению, эти методы осаждения приводят к получению неравномерных по составу и толщине пленок, а также ограничены в возможности синтеза конформных покрытий на подложках с высоким аспектным соотношением сторон [8].

Одним из методов направленного синтеза наноматериалов «снизу-вверх» является технология атомно-слоевого осаждения (АСО). Данная технология известна с начала 60х годов прошлого столетия как метод молекулярного наслаивания (МН) и в зарубежной литературе называется «Atomic layer deposition» (ALD) [20]. В основе технологии АСО (МН) лежит сформулированная член-корреспондентом РАН СССР В. Б. Алесковским гипотеза об «остовном» строении твердых веществ [21]. АСО представляет собой газофазную технологию осаждения функциональных тонких пленок по типу «снизу-вверх» [22]. Метод молекулярно-слоевого осаждения (МСО), известный за рубежом как «Molecular layer deposition» (MLD), является одной из модификаций метода АСО. МСО называется процесс синтеза полимерных органических и гибридных нанопленок, в то время как методом АСО называют процесс получения неорганических пленок. Осаждение МСО пленок происходит путем циклически чередующихся термически-стимулированных реакций функционалов подложки с прекурсорами, в результате которых происходит послойное наращивание твердого вещества при многократном повторении цикла. Особенностью данной технологии является прецизионный контроль состава и толщины осаждаемых пленок, высокая степень конформности покрытий на наноструктурированных подложках и низкая дефектность пленок.

Таким образом, исследование возможности получения тонких функциональных конформных кремнийорганических покрытий, синтезируемых с максимальной точностью по толщине на молекулярном уровне, которые могут найти применение во всех вышеупомянутых областях, является актуальным.

Степень разработанности темы исследования. На сегодняшний день разработана химия поверхности для осаждения многих МСО органо-неорганических гибридных пленок, большинство из которых - алкоксиды металлов переходной группы, называемых "металлконами". Эти материалы осаждаются за счет реакций конденсации между металлорганическим прекурсором (или галогенидом) и многоатомными спиртами [20]. Химия поверхности гибридных МСО пленок на основе Si все еще мало исследована.

Первая успешная работа по синтезу тонких карбосилоксановых пленок методом МСО была опубликована в 2013 г. Авторами были получены стабильные карбосилоксановые пленки, используя 1,2-бис[(диметиламино)диметилсилил]этан и О3 в качестве прекурсоров [23]. Однако в результате высокой реакционной способности озона и побочных реакций горения произошла значительная потеря углерода и образование богатых кислородом SiO2-подобных соединений. Та же группа в 2018 опубликовала новый процесс МСО тонких SiOC пленок [7]. Для SiOC МСО использовались бис(трихлорсилил)метан и вода в качестве прекурсоров, в результате были получены плёнки с примесями хлора и низкой концентрацией углерода. Авторы в работе [24] продемонстрировали МСО синтез Б1А1СО тонких пленок используя диметилметоксихлорсилан и диизопропилизопропоксисилан с И20 и триметилалюминием (ТМА) в четырехступенчатом процессе ТМА/И2О/Силан /И2О. Элементный анализ показал соотношение Si:Al в пленке равное 1:7. Низкую концентрацию в пленках авторы объяснили неэффективной реакцией силана с гидроксилированной поверхностью.

Цели и задачи работы. Целью работы являлся синтез кремнийсодержащих тонких пленок методом молекулярно-слоевого осаждения и исследование их

диэлектрических свойств, а также термическая постобработка первичных МСО пленок для синтеза высокотемпературных нанопокрытий керамики на основе полимеров.

Для достижения цели автором были поставлены и решены следующие основные научно-технические задачи:

1. Разработка и создание экспериментальной установки для атомно- и молекулярно-слоевого осаждения с возможностью мониторинга роста пленок в режиме реального времени (гп-яНи) методом кварцевого пьезоэлектрического микровзвешивания (КПМ).

2. Разработка программы синтеза и схем химических поверхностных реакций для получения SiAlCHO, SiAlCNН, SiCNНO тонких пленок методом молекулярно-слоевого осаждения и анализ синтезированных материалов.

3. Разработка процесса радикал-инициированной сшивки SiA1CHO пленок методом молекулярно-слоевого осаждения для улучшения термической стабильности пленок.

4. Изучение диэлектрических свойств SiA1CHO МСО пленок разных толщин в устройстве металл-изолятор-металл (МИМ).

5. Термическая постобработка предкерамических гибридных силоксан-алюминиевых МСО нанопленок для синтеза SiAlCO покрытий высокотемпературной аморфной керамики на основе кремнийорганических полимеров.

Научная новизна работы:

1. Впервые продемонстрировано МСО кремнийсодержащих (SiA1CHO, SiCNHO, SiA1CNH, SiA1CONH) гибридных органо-неорганических пленок с использованием циклосилоксанов (2,4,6,8-тетраметил-2,4,6,8-

тетравинилциклотетрасилоксан (У4В4), 1,3,5-тривинил-1,3,5-

триметилциклотрисилоксан (У3Э3)) и циклосилазана (2,4,6-триметил-2,4,6-тривинилциклотрисилазан (V3N3)) путем реакций присоединения по механизму

раскрытия кольца. Поверхностные МСО реакции с раскрытием кольца циклических силоксанов и силазанов термодинамически выгодны и протекают за счет большей конформационной свободы открытой полисилоксановой/полисилазановой цепи по сравнению с циклическим силоксаном/силазаном и высвобождения энергии деформации при раскрытии кольца.

2. Впервые проведен процесс одновременного роста и радикал-инициированной сшивки кремнийсодержащих пленок методом МСО путем включения дополнительной стадии напуска ди-трет-бутилпероксида (ТБПО), термическое разложение которого приводит к образованию радикалов. Самоограничивающаяся реакция радикалов ТБПО с виниловыми поверхностными функциональными группами приводит к формированию поперечных химических связей между хемосорбированными линейными циклосилоксановыми и циклосилазановыми цепями.

3. Впервые измерены диэлектрические свойства Б1А1СИО МСО пленок и приведена зависимость емкости (С нФ см-2) от частоты (£, Гц) и приложенного электрического поля (Е^ МВ см-1), кривые плотности тока утечки (^ от Е^ и диэлектрическая проницаемость (к-уа1ие) для Б1А1СИО силоксан-алюминиевых пленок разных толщин, измеренная в МИМ-устройстве А1/У4В4-ТМА/А1.

4. Впервые МСО гибридные Б1А1СНО пленки использованы в качестве предкерамических прекурсоров для синтеза тонкопленочной конформной керамики на основе кремнийорганических полимеров путем термической постобработки. Показано сохранение аморфной структуры Б1А1СО композитной керамической пленки без признаков фазовой сепарации, а также формирование свободного sp2-гибридизированного углерода в пленке после пиролиза, обуславливающего фотолюминесцентные свойства материала. Полученная SiAlCO керамика на основе кремнийорганических полимеров показала линейную усадку пленки по толщине и бездефектную структуру без трещин и пор после высокотемпературной обработки.

Теоретическая и практическая значимость работы.

1. В данной работе разработаны методы МСО-синтеза кремнийсодержащих SiA1CHO, SiCNHO, SiA1CNH, SiA1CONH гибридных тонких пленок с использованием циклосилоксанов и циклосилазанов в качестве прекурсоров кремния. Циклические силоксаны и силазаны в диссертационной работе представлены как новый класс кремниевых прекурсоров для МСО кремнийсодержащих тонких пленок. Результаты исследований могут быть применены для синтеза конформных кремнийсодержащих тонких пленок, используя разработанные поверхностные реакции МСО.

2. Был разработан МСО процесс осаждения с радикал-инициированным сшиванием полимерных цепей гибридной тонкой SiA1CHO пленки. Сшитая пленка показала улучшенные свойства, такие как более высокая плотность (на 12%) и повышенная термическая стабильность по сравнению с несшитой пленкой. Разработанный процесс демонстрирует первый основанный на МСО радикально -индуцированный подход к сшиванию пленок и может быть применен к другим МСО процессам, в которых прекурсоры содержат химические группы с ненасыщенными связями.

3. Синтезированные в данной работе тонкие SiA1CHO МСО пленки толщиной всего 12 нм, показали низкую плотность тока утечки (ниже 5,1*10-8 А см-2 при ± 2,5 МВ см-1), а также хорошую термическую стабильность. Полученный новый диэлектрический материал может быть использован в качестве ультратонких конформных диэлектрических слоев в современных электронных устройствах.

4. Синтезированные путем пиролиза первичных SiA1CHO МСО пленок-SiAlCO пленки керамики на основе полимеров показали высокую температурную стабильность при отжиге на воздухе свыше 1100 °С Полученные результаты представляют новый подход к синтезу высокотемпературной керамики на основе кремнийорганических полимеров используя МСО пленки в качестве прекурсоров, что позволяет обеспечить бездефектную структуру, сильную адгезию к подложке и конформность нанокерамических покрытий. Синтезированные

высокотемпературные покрытия керамики на основе кремнийорганических полимеров могут найти применение в аэрокосмической и автомобильной промышленности.

Методология и методы исследования. Процесс МСО выполнялся в установке укомплектованной для т-яЫи измерений методом кварцевого пьезоэлектрического микровзвешивания (КПМ). КПМ использовали для исследования химии поверхности и определения линейности роста пленок. ИК-Фурье спектроскопия нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) и рамановская спектроскопия были применены для получения информации о составе полученных пленок. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) использовалась для химического и элементного анализа пленок. Метод рентгеновской рефлектометрии применялся для определения толщины, плотности и шероховатости пленок. Просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения (ПЭМ ВР) и просвечивающая растровая электронная микроскопия (ПРЭМ) использовались для исследования структуры, однородности и конформности полученных покрытий. Рентгеновская энергодисперсионная спектрометрия (ЭДС) в ПЭМ была использована для проведения элементного анализа поперечного среза МСО пленок на кремниевых пластинах. Метод сфокусированного ионного пучка был использован для изготовления тонкого поперечного сечения образцов пленок на кремниевых пластинах. Для создания МИМ структур, образцы нижних и верхних электродов из А1 толщиной 50 нм были изготовлены методом сверхвысоковакуумного магнетронного распыления через теневые маски. Электрические характеристики и измерение емкости проводились на воздухе с использованием полупроводникового анализатора (КейЫеу 4200-8СБ), подключенного к зондовой станции Lakeshore. Высокотемпературный отжиг и пиролиз полученных МСО пленок проводили в высокотемпературной печи при 1100 оС на воздухе и при 900 оС в атмосфере УВЧ аргона, соответственно.

Положения, выносимые на защиту:

1. Результаты разработанного процесса МСО SiAlCHO силоксан-алюминиевых пленок с использованием последовательных поверхностных реакций между 1,3,5,7-тетравинил-1,3,5,7-тетраметилциклотетрасилоксаном (V4D4) и ТМА.

2. Результаты разработанного процесса полимеризации с раскрытием кольца используя поверхностные реакции между 1,3,5-тривинил-1,3,5-триметилциклотрисилоксаном (V3D3) и К-метилаза-2,2,4-триметилсилациклопентаном методом МСО для синтеза тонких SiCNHO пленок.

3. Результаты разработанного процесса МСО с использованием поверхностных реакций между 2,4,6-триметил-2,4,6-тривинилциклотрисилазаном (V3N3) и ТМА для синтеза тонких SiAlCNH пленок.

4. Результаты разработанного процесса одновременного роста и радикал-инициированной сшивки SiAlCHO тонкой пленки послойным способом посредством МСО.

5. Установленная зависимость емкости (Ci, нФ см-2) силоксан-алюминиевых пленок от частоты (f, Гц) и приложенного электрического поля (Ei, МВ см-1) и кривые плотности тока утечки (Ji от Ei) для SiAlCHO МСО пленок, тестированных в МИМ-устройстве AI/V4D4-TMA/AI.

6. МСО метод получения предкерамических гибридных SiAlCHO пленок в качестве прекурсоров для последующего синтеза из них керамики на основе кремнийорганических полимеров (SiAlCO) путем термической постобработки первичных МСО пленок.

Степень достоверности и апробация результатов. Достоверность полученных в работе результатов обеспечивается использованием комплекса современных независимых физико-химических методов исследования материалов, комплексным анализом полученных данных, воспроизводимостью результатов, а также их апробацией на практике.

Основные результаты были представлены и получили одобрение на следующих конференциях и симпозиумах: «Materials Research Society (MRS) Virtual

Spring/Fall Meeting & Exhibit» (Boston, USA, 2020), 20th International Conference on «Atomic Layer Deposition» (Ghent, Belgium, 2020), «CMD2020GEFES international conference of the Condensed Matter Divisions of the Spanish Royal Physics Society (RSEF-GEFES) and of the European Physical Society (EPS-CMD)» (Madrid, Spain, 2020), International Workshop «Atomic Layer Deposition: Russia - 2017» (Санкт-Петербург, 2017 г.), VI Всероссийская школа-конференция молодых ученых «Органические и Гибридные материалы» (Иваново, 2017 г.), Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2017» (Москва, 2017 г.).

По материалам диссертации опубликовано 7 статей в научных журналах, индексируемых базами данных Web of Science, Scopus и входящих в перечень ВАК: [25-31], и 4 тезиса докладов на всероссийских и международных научных конференциях.

ГЛАВА 1 МОЛЕКУЛЯРНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ; СИНТЕЗ И ПРИМЕНЕНИЕ КРЕМНИЙСОДЕРЖАЩИХ ТОНКИХ ПЛЕНОК /ОБЗОР

ЛИТЕРАТУРЫ/

1.1 Молекулярное наслаивание и Молекулярно-слоевое осаждение: механизм и

ростовые характеристики

В основе технологии АСО (МН) лежит сформулированная научной школой член-корреспондента РАН СССР В. Б. Алесковского в 1953 г. гипотеза об «остовном» строении твердых веществ (рисунок 1) [21].

Рисунок 1 - Химическая модель твердого вещества (по В.Б. Алесковскому)

[21,32]

Согласно «остовной» гипотезе В.Б. Алесковского, независимо от способа получения твердого тела, в его строении всегда можно различить остов и облекающие его атомы, и группы атомов. С химической точки зрения любой остов представляет собой макрорадикал, состоящий из структурных единиц (А) и функциональных групп (В), формирующих поверхность остова и образованных за счет хемисорбции атомов и молекул из окружающей среды. Из вышесказанного состав твердого тела можно представить как [32]:

Лп-5 (АВЪ (1),

где п и б - число структурных единиц (А) и поверхностных функциональных групп (В), соответственно.

Согласно двойственной природе твердых веществ, отражающаяся в остовно-функциональном химическом строении, химический состав твердого вещества на поверхности и в объёме может отличаться, вследствие чего возможны реакции, протекающие с участием лишь функционалов (В) на поверхности твердого вещества и реакции, сопровождающиеся изменением всего остова твердого вещества. Превращения первого типа, в результате которых получают аналогичные по структуре и составу остова твердые вещества, различающиеся лишь набором функционалов, лежат в основе метода МН [22, 33, 34]. Идея метода МН заключается в последовательном наращивании монослоев структурных единиц заданного химического состава на поверхности твердофазной матрицы [35]. Для реализации процесса МН необходимо соблюдать следующие принципы:

1. Химические реакции МН между поверхностными функциональными группами твердой матрицы и молекулами напускаемых прекурсоров должны быть необратимы в условиях эксперимента.

2. Для наращивания слоев нового вещества необходимо проводить многократное повторение циклов МН для регенерации поверхностных функциональных групп.

3. Для прохождения реакции МН необходимо структурное соответствие поверхности подложки и данного соединения, а также наличие достаточного числа функциональных групп как на исходной, так и на образованной в ходе МН поверхности.

Традиционно метод АСО (МН) использовался для получения довольно простых, хорошо известных неорганических материалов, таких как бинарные оксиды и нитриды. Диапазон материалов был существенно расширен экспериментами по синтезу органических полимеров в 1990-х годах с помощью

родственной АСО технологии, известной как молекулярно- слоевое осаждение (МСО) (Molecular layer deposition, MLD) [36-40].

На рисунке 2 (А) и (Б) показаны схемы процесса АСО бинарных неорганических материалов, и МСО с использованием гомобифункциональных прекурсоров, соответственно.

Рисунок 2 - (А) Иллюстрация АСО и (Б) МСО процессов [41]

Поверхностные реакции при АСО можно рассмотреть на модельном процессе АСО A12O3 с использованием триметилалюминия (ТМА, А1(СН3)3) и Н^. Процесс может быть описан уравнениями (2) и (3) следующим образом:

^ + ^(^3)3 (г) ^ |-O-A1(CHз)2 + Ш4 (г) (2)

|-O-A1(CHз)2 + 2H2O (г) ^ |-OA1(OH)2 + 2ОТ4 (г) (3)

где «|» обозначает поверхность подложки, а «(г)» - газовую фазу реагента. Химия поверхности АСО A12O3 основана на лигандном обмене между -OH и -ОИз группами. Кроме механизма обмена лигандами, существуют и другие механизмы для АСО поверхностной химии, такие как диссоциация и ассоциация [42].

Во время типичного процесса МСО с использованием двух гомобифункциональных реагентов (Рисунок 2Б), молекулы одного реагента реагируют с поверхностными функциональными группами, образуя молекулярный монослой на поверхности подложки с новыми реакционными группами. После

стадии продувки поверхности от молекул (А), следует напуск второго реагента (Б), который вступает в реакцию с новыми функционалами, формируя следующий молекулярный монослой второго реагента и восстанавливая исходные поверхностные функциональные группы. После стадии напуска второго реагента следует еще одна стадия продувки. Повторение данных четырех этапов МСО процесса позволяет синтезировать органические или гибридные пленки с контролем толщины и состава на молекулярном уровне. МСО процесс используя адипоил хлорид и 1,6-гександиамин в качестве прекурсоров, может быть использован для линейного роста тонких нейлоновых пленок [43], а поверхностные МСО реакции можно представить следующим образом:

I-NH2 + ClCO(CH2)4COCl (г) ^ |-NHCO(CH2)4COCl + HCl (г) (4)

|-NHCO(CH2)4COCl + H2N(CH2>NH2 (г) ^

|-NHCO(CH2)4CO-NH(CH2)6NH2 + Ж1(г) (5)

Очевидно, что молекулярные слои -CO(CH2)4CO- и -NH(CH2)6NH-наращивающиеся во время МСО-нейлона намного больше, чем атомарные слои -A1- и —O— формирующиеся при ACO-Al2O3. Это объясняет более высокие значения постоянной роста для МСО процессов по сравнению с АСО.

Необходимым условием МСО является самоограничивающееся поведение поверхностных реакций. Для обеспечения самоограничивающегося роста стадии дозирования прекурсора и продувки должны быть достаточно продолжительными. В идеальном процессе поверхность полностью покрыта монослоем реагента на каждой стадии напуска прекурсоров, но на практике обычно достигается только частичное покрытие. Оптимальную продолжительность напуска реагентов определяют экспериментально. Так называемое значение постоянной роста — это среднее увеличение толщины пленки за один цикл АСО/МСО.

Когда постоянная роста не меняется с увеличением числа циклов осаждения, рост называется линейным. Однако постоянная роста во время инкубационного периода (до наступления сплошности пленки) и при установившемся росте может

отличаться. Подложка может подавлять или усиливать рост пленки в зависимости от химической совместимости и концентрации поверхностных функциональных групп поверхности исходной матрицы и растущей пленки. Различают "поверхностно-стимулированный" и "поверхностно-ингибированный" механизмы инкубации АСО/МСО пленок на матрице, когда постоянная роста сначала выше или ниже, соответственно, прежде чем установится постоянное значение [42].

АСО/МСО рост зависит от температуры осаждения в некоторых температурных диапазонах. Влияние температуры на значение постоянной роста часто описывается концепцией, известной как "АСО/МСО окно", в котором постоянная роста не меняется и не зависит от параметров процесса. За пределами "окна АСО/МСО" значение постоянной роста может быть выше из-за конденсации реагентов (при слишком низких температурах осаждения) или разложения (при слишком высоких температурах осаждения), тогда как ограниченный рост может быть результатом недостаточной реакционной способности (при слишком низких температурах осаждения) или десорбции реагентов (при слишком высоких температурах осаждения). Однако наличие "АСО/МСО окна" не является необходимым предварительным условием для АСО/МСО роста. Примеры типичных случаев когда АСО/МСО процесс может быть хорошо воспроизводимым, но при этом отсутствует температурный диапазон с постоянной скоростью роста показаны на рисунке 3.

Рост может происходить так, как показано на рисунке 3 а, когда один из реагентов диффундирует в пленку, улучшая рост за счет обеспечения большего количества функциональных групп: диффузия из пленки усиливается при более высоком температуры, что приводит к снижению постоянной роста [44]. Уменьшение постоянной роста (рисунок 3б) при повышении температуры осаждения может наблюдаться в целом, когда температура влияет на количество функционалов матрицы или на механизм реакции. Комбинированный эффект активации реакции (увеличение постоянной роста), с последующим уменьшением

количества функциональных групп приводит к росту, как показано на рисунке 3в [42].

Температура Температура Температура

Рисунок 3 - Зависимость постоянной роста пленки от температуры осаждения: (а) - (в) представляют собой типичные случаи, в которых не наблюдается температурный диапазон постоянного роста, но процесс все же может быть

хорошо воспроизводимым [42]

Значения постоянной роста для МСО пленок часто ниже ожидаемого значения, полученного из рассчитанной длины мономеров. Есть несколько возможных причин замедленного роста (рисунок 4).

Молекулы органических реагентов с длинными цепями, вероятно, наклоняются так, что рост не будет идеально перпендикулярным поверхности. Точно так же, органические молекулы могут изгибаться и дважды реагировать с поверхностью, уменьшая количество функциональных групп на поверхности матрицы и снижая значение постоянной роста. Органические прекурсоры также зачастую объемные, что вызывает стерические затруднения при МСО. Различные трудности, возникающие при использовании органических прекурсоров, подробно обсуждаются в работе [45]. Авторами было использовано несколько стратегий для улучшения степени контроля процесса МСО роста, таких как использование органических прекурсоров с жесткими скелетами [46-48] или гетеробифункциональных реагентов [49-51], использование реагентов, в ходе

осаждения которых протекают реакции раскрытия кольца [52], или с использованием трех разных реагентов вместо двух [52, 53].

Отношение г = постоянная роста /ЬМ, где ЬМ - идеальная длина мономера (без изгиба, см. рисунок 4), указывает на меру идеальности роста [54]. Для идеального случая г = 1. Достигаемое значение г сильно варьируется в зависимости от различных комбинаций прекурсоров. Для чисто органических МСО пленок г обычно ниже 0,5. Для гибридных АСО/МСО тонких пленок существует больший разброс значений г в зависимости от используемого органического прекурсора. Выбор

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Ашурбекова Кристина Наримановна, 2021 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Whitesides, G.M. Nanoscience, nanotechnology, and chemistry / G.M. Whitesides [et al.] // Small. - 2005. - V.1, N 2.- P. 172-179.

2. Kagan, C.R. At the nexus of food security and safety: opportunities for nanoscience and nanotechnology / C. R. Kagan [et al.] // ACS Nano. - 2016.- V. 10, N 3.- P. 29852986.

3. Sahoo, S.K. The present and future of nanotechnology in human health care / S.K. Sahoo, S. Parveen, J.J. Panda // Nanomedicine: Nanotechnology, Biology and Medicine. -2007.- V. 3, N 1.- P. 20-31.

4. Zach, M. Nanoscience and nanotechnology for advanced energy systems / M. Zach, C. Hagglund, B. Kasemo // Current Opinion in Solid State and Materials Science. - 2006.-V. 10, N 3.- P.132-143.

5. Masciangioli, T. Peer reviewed: environmental technologies at the nanoscale / T. Masciangioli, W.X. Zhang // Environmental Science & Technology. - 2003. - V. 37, N 5. - P. 102A-108A.

6. Takano, N. Analysis of structures of oligomeric siloxanes from dimethoxydimethylsilane under heat treatment by FT-IR / N.Takano, T. Fukuda, K. Ono // Polymer Journal. - 2001.- V. 33, N 6.- P. 469-474.

7. Closser, R.G. Molecular layer deposition of a highly stable silicon oxycarbide thin film using an organic chlorosilane and water / R.G. Closser, D.S. Bergsman, S.F. Bent // ACS Applied Materials & Interfaces.- 2018.- V. 10, N 28.- P. 24266-24274.

8. Zhou, H. Fabrication of organic interfacial layers by molecular layer deposition: Present status and future opportunities / H. Zhou, S.F. Bent // Journal of Vacuum Science & Technology A.- 2013.- V. 31, N 4.- P. 040801.

9. Saed, M.O. Siloxane crosslinks with dynamic bond exchange enable shape programming in liquid-crystalline elastomers / M.O. Saed, E.M. Terentjev // Scientific Reports. - 2020. - V. 10, N 1. - P. 6609.

10. Kulyk, K. Dimethylsilanone generation from pyrolysis of polysiloxanes filled with nanosized silica and ceria/silica / K. Kulyk, H. Zettergren, J.D. Alexander // ChemPlusChem. - 2016.- V. 81, N 9.- P. 1003-1013.

11. Moon, H. Synthesis of ultrathin polymer insulating layers by initiated chemical vapour deposition for low-power soft electronics / H. Moon [et al.] // Nature Materials -2015. - N 14. - p. 628.

12. Chen, N. Nanoscale, conformal polysiloxane thin film electrolytes for three-dimensional battery architectures / N. Chen [et al.] // Materials Horizons.- 2015.- V. 2, N 3.- P. 309-314.

13. Achyuta, A. Biocompatibility assessment of insulating silicone polymer coatings using an in vitro glial scar assay / A. Achyuta [et al.] // Macromolecular bioscience. -2010.- N 10.- P. 872-80.

14. Coclite, A.M. Global and local planarization of surface roughness by chemical vapor deposition of organosilicon polymer for barrier applications / A.M. Coclite, K.K. Gleason // Journal of Applied Physics. - 2012.- V. 111, N 7.- P. 073516.

15. Barroso, G. Polymeric and ceramic silicon-based coatings - a review / G. Barroso, R.K. Bordia, G. Motz // Journal of Materials Chemistry A.-2019.- V. 7, N 5.- P. 19361963.

16. Alvi, S.A. High temperature tribology of polymer derived ceramic composite coatings / S.A. Alvi, F. Akhtar // Scientific Reports.- 2018.- V. 8, N 1.- P. 15105.

17. Loy, D.A. Bridged polysilsesquioxanes and highly porous hybrid organic-inorganic materials / D.A. Loy, K.J. Shea // Chemical Reviews. -1995. - V. 95, N 5. - P. 14311442.

18. Kim, H. Fabrication of robust superhydrophobic surfaces with dual-curing siloxane resin and controlled dispersion of nanoparticles / H. Kim, K. Nam, D.Y. Lee // Polymers.-

2020.- V.12, N 6.- P. 2073-4360.

19. Gleason, K.K. Nanoscale control by chemically vapour-deposited polymers / Gleason, K.K. // Nature Reviews Physics. - 2020.- V. 2, N 7.- P. 347-364.

20. George, S.M. Atomic layer deposition: an overview / S.M. George // Chemical Reviews.- 2010.- V. 110, N 1.- P. 111-131.

21. Malygin, A.A. From V. B. Aleskovskii's "Framework" hypothesis to the method of molecular layering atomic layer deposition/ A.A. Malygin [et al.] // Chemical Vapor Deposition. - 2015.- V. 21(10-11-12).- P. 216-240.

22. Кольцов, С.И. Реакции молекулярного наслаивания / Кольцов Станислав Иванович. - Л.: Изд-во ЛТИ им. Ленсовета, 1992.- 62 с.

23. Zhou, H. Highly stable ultrathin carbosiloxane films by molecular layer deposition / H. Zhou, S.F. Bent // The Journal of Physical Chemistry C.- 2013.- V. 117, N 39.- P. 19967-19973.

24. George, S.M. Molecular layer deposition of hybrid organic-inorganic films in atomic layer deposition of nanostructured materials / S.M. George, N. Pinna, M. Knez ; Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2012. - P. 107.

25. Ashurbekova, K. Ultrathin hybrid SiAlCOH dielectric films through ring-opening molecular layer deposition of cyclic tetrasiloxane / K. Ashurbekova [et al.] // ACS Chemistry of Materials.- 2021.-V. 33, N (3).- P. 1022-1030.

26. Ashurbekova, K. Radical-triggered cross-linking for molecular layer deposition of SiAlCOH hybrid thin films / K. Ashurbekova [et al.] // Chemical Communications.-

2021.- V. 57, N 17.- P. 2160-2163.

27. Ashurbekova, K. Molecular layer deposition of hybrid siloxane thin films by ring opening of cyclic trisiloxane (V3D3) and azasilane/ K. Ashurbekova [et al.] // Chemical Communications. - 2020.- V. 56, N 62.- P. 8778-8781.

28. Ashurbekova, K. Vapor phase processing: a novel approach for fabricating functional hybrid materials / K. Ashurbekova [et al.] // Nanotechnology.- 2020.- V. 31, N 34.- P. 342001.

29. Абдулагатов, А.И. Атомно-anoeBoe осаждение Y2O3 с использованием трис(бутилциклопентадиенил)иттрия и воды/ А.И. Абдулагатов, Р.Р. Амашаев, Кр.Н. Ашурбекова // Микроэлектроника. -2019. - T. 48, № 1. - C. 3-15.

30. Абдулагатов, И.М. Молекулярно-слоевое осаждение и термические превращения титан(алюминий)-ванадиевых органо-оксидных пленок / А.И. Абдулагатов, Кр.Н. Ашурбекова, К.Н. Ашурбекова // Журнал прикладной химии. -2018. - Т. 91, № 3.- С. 305-318.

31. Абдулагатов, А.И. Атомно-слоевое осаждение нитрида и оксинитрида алюминия на кремнии с использованием трис(диметиламидо)алюминия, аммиака и воды / А.И. Абдулагатов, Р.Р. Амашаев, Кр.Н. Ашурбекова, // Журнал общей химии. - 2018.- Т. 88, № 8.- С. 1381-1388.

32. Алесковский, В.Б. Остовная гипотеза и опыт приготовления некоторых активных твердых тел: дисс. ... д-ра хим. наук /Алесковский Валентин Борисович. -Л., - 1952. - 360 с.

33. Кольцов, С.И. Состав и химическое строение твердых веществ / Кольцов Станислав Иванович. - Л.: Изд-во ЛТИ им. Ленсовета, 1987. - 82 с.

34. Кольцов, С.И. Химические превращения на поверхности твердых веществ / Кольцов Станислав Иванович. - Л.: Изд-во ЛТИ им. Ленсовета, 1984. - 59 c.

35. Малыгин, А.А. Химическая сборка поверхности твердых тел методом молекулярного наслаивания / А. А. Малыгин // Соросовский образовательный журнал. -1998. - № 7. - C. 58-64.

36. Yoshimura, T. Polymer films formed with monolayer growth steps by molecular layer deposition / T. Yoshimura, S. Tatsuura, W. Sotoyama // Applied Physics Letters. -1991. - V. 59, N 4. - P. 482-484.

37. Kubono, A. In-situ study on alternating vapor deposition polymerization of alkyl polyamide with normal molecular orientation / A. Kubono, N. Yuasa, S. Umemoto // Thin Solid Films. -1996. - V. 289, N 1. - P. 107-111.

38. Nagai, A. Quadruple aliphatic polyamide systems prepared by a layer-by-layer alternating vapour deposition method / A. Nagai, H. Shao, T. Kikutani // High Performance Polymers. -2001. - V. 13, N 2. - P. S169-S179.

39. Shao, H.I. Layer-by-layer polycondensation of nylon 66 by alternating vapour deposition polymerization / H.I. Shao, S. Umemoto, N. Okui // Polymer. -1997. - V. 38, N 2. - P. 459-462.

40. Yoshimura, T. Quantum wire and dot formation by chemical vapor deposition and molecular layer deposition of one-dimensional conjugated polymer / T. Yoshimura, S. Tatsuura, A. Matsuura // Applied Physics Letters.- 1992.- V. 60, N 3.- P. 268-270.

41. Meng, X. An overview of molecular layer deposition for organic and organic-inorganic hybrid materials: mechanisms, growth characteristics, and promising applications / Meng, X. // Journal of Materials Chemistry A.- 2017.- V. 5, N 35.- P. 18326-18378.

42. Puurunen, R.L. Surface chemistry of atomic layer deposition: A case study for the trimethylaluminum/water process / Puurunen, R.L. // Journal of Applied Physics.- 2005. -V. 97, N 12.- P. 121301.

43. Du, Y. Molecular Layer Deposition of Nylon 66 Films Examined Using in Situ FTIR Spectroscopy / Y. Du, S.M. George // The Journal of Physical Chemistry C.- 2007.-V. 111, N 24. - P. 8509- 8517.

44. Dameron, A.A. Molecular Layer Deposition of Alucone Polymer Films Using Trimethylaluminum and Ethylene Glycol / A.A. Dameron [et al.] // Chemistry of Materials.- 2008.- V. 20, N 10. - P. 3315- 3326.

45. George, S.M. Surface Chemistry for Molecular Layer Deposition of Organic and Hybrid Organic-Inorganic Polymers / S.M. George, B. Yoon, A.A. Dameron // Accounts of Chemical Research.- 2009.- V. 42, N 4. - P. 498- 508.

46. Sood, A. Layer-by-layer deposition of Ti-4,4'-oxydianiline hybrid thin films / A. Sood, P. Sundberg, Karppinen M. // Applied Surface Science. - 2011. - V. 257, N 15. -P. 6435- 6439.

47. Klepper, K.B. Deposition of thin films of organic-inorganic hybrid materials based on aromatic carboxylic acids by atomic layer deposition / K.B. Klepper, O. Nilsen, H. Fjellvag // Dalton Transactions.- 2010.- V. 39. N 48. - P. 11628-11635.

48. Sundberg, P. Organic-inorganic thin films from TiCl4 and 4-Aminophenol precursors: a model case of atomic/ molecular layer deposition hybrid-material growth / P. Sundberg, M. Karppinen // European Journal of Inorganic Chemistry.-2014. - V. 2014, N 6. - P. 968-974.

49. Sood, A. Atomic/ molecular layer deposition (ALD/ MLD) of novel layer-engineered Zn-based inorganic-organic hybrid thin films using heterobifunctional 4-aminophenol as an organic precursor / P. Sundberg, M. Karppinen // Dalton Transactions.- 2013. - V. 42, N 11. - P. 3869-3875.

50. Gong, B. Conformal organic-inorganic hybrid network polymer thin films by molecular layer deposition using trimethylaluminum and glycidol / B. Gong, Q.P. Peng, G.N. Parsons // The Journal of Physical Chemistry B. -2011.- V. 115, N 19. - P. 59305938.

51. Lee, Y. Molecular layer deposition of aluminum alkoxide polymer films using trimethylaluminum and glycidol / Y. Lee, B. Yoon, S.M. George // Langmuir. - 2011. - V. 27, N 24. - P. 15155-15164.

52. Gong, B. Caprolactone ring-opening molecular layer deposition of organic-aluminum oxide polymer films / B. Gong, G.N. Parsons // ECS J. Solid State Science and Technology. -2012. - N 1.- P. P210-P215.

53. Chen, C. Nanoporous nitrogen-doped titanium dioxide with excellent photocatalytic activity under visible light irradiation produced by molecular layer deposition / C. Chen, P. Li, G. Wang // Angewandte Chemie International Edition. -2013.- V. 52, N 35.- P. 91969200.

54. Sundberg, P. Organic and inorganic-organic thin film structures by molecular layer deposition: A review / P. Sundberg, M. Karppinen // Beilstein Journal of Nanotechnology. - 2014. -N 5. - P. 1104-1136.

55. Peng, Q. Zincone zinc oxide - organic hybrid polymer thin films formed by molecular layer deposition / Q. Peng [et al.] // Chemistry of Materials. -2009. - V. 21, N 5. - p. 820-830.

56. Yoon, B. Molecular layer deposition of hybrid organic-inorganic polymer films using diethylzinc and ethylene glycol / Yoon, B. [et al.] // Chemical Vapor Deposition. -2009.- V. 15, N 46. - P. 112-121.

57. Abdulagatov, A.I. Molecular layer deposition of titanicone films using TiCl4 and ethylene glycol or glycerol: growth and properties / A.I. Abdulagatov [et al.] // Chemistry of Materials. -2012. - V. 24, N15. - P. 2854-2863.

58. Lee, B.H. Molecular layer deposition of zircone and ZrO2/zircone alloy films: growth and properties / Lee, B.H., V.R. Anderson, S.M. George // Chemical Vapor Deposition. -2013. - V. 19, N 46. - P. 204-212.

59. Jones, R.G. Silicon-containing polymers. The science and technology of their synthesis and applications. / R.G. Jones, W. Ando, J. Chojnowski. - Kluwer Academic Publishers, 2001. - 768 P.

60. Volksen, W. Low dielectric constant materials / Volksen, W., R.D. Miller, G. Dubois // Chemical Reviews. -2010. - V. 110, N 1. - P. 56-110.

61. Pak, K. Synthesis of ultrathin, homogeneous copolymer dielectrics to control the threshold voltage of organic thin-film transistors / K. Pak [et al.] // Advanced Functional Materials. - 2016. - V. 26, N 36. - P. 6574-6582.

62. Kim, B.J. Initiated chemical vapor deposition of polymer films at high process temperature for the fabrication of organic/inorganic multilayer thin film encapsulation / B.J. Kim, H. Seong, H. Shim // Advanced Engineering Materials.-2017.- V. 19, N 7. - P. 1600870.

63. Patent 0299538A12014 US / Antifouling and chlorine-resistant ultrathin coatings on reverse osmosis membranes / K.K. Gleason, R. Yang. - 2014.

64. O'Shaughnessy, W.S. Initiated chemical vapor deposition of trivinyltrimethylcyclotrisiloxane for biomaterial coatings / W.S. O'Shaughnessy [et al.] // Langmuir. -2006. - V. 22, N 16. - P. 7021-7026.

65. O'Shaughnessy, W.S. Stable biopassive insulation synthesized by initiated chemical vapor deposition of poly(1,3,5-trivinyltrimethylcyclotrisiloxane) / W.S. O'Shaughnessy, S.K. Murthy, K.K. Gleason // Biomacromolecules. - 2007. - V. 8, N 8. - P. 2564-2570.

66. Chu, P.K. Plasma-surface modification of biomaterials / P.K. Chu, J.Y. Chen, L.P. Wang, N. Huang // Materials Science and Engineering: Reports. -2002. - V. 36, N 5. -P. 143 - 206.

67. Mera, G. Polymer-derived SiCN and SiOC ceramics - structure and energetics at the nanoscale / G. Mera, A. Navrotsky, R. Riedel // Journal of Materials Chemistry A. - 2013. -N 1. - P. 3826.

68. Sujith, R. Mechanical behavior of polymer derived ceramics - a review / Sujith, R. [et al.] // International Materials Reviews. - 2020. N 1. - P. 1-24.

69. Sujith, R. Graphene nanoplatelets as nanofillers in mesoporous silicon oxycarbide polymer derived ceramics / R. Sujith [et al.] //Scientific Reports. -2018. - V. 8, N 1. - P. 17633.

70. Colombo, P. Polymer-Derived Ceramics: 40 Years of Research and Innovation in Advanced Ceramics / P. Colombo, [et al.] // Journal of the American Ceramic Society. -2010. - V. 93, N 7. - P. 1805-1837.

71. Riedel, R. Silicon-Based Polymer-Derived Ceramics: Synthesis Properties and Applications-A Review / R. Riedel, [et al.] // Journal of the Ceramic Society of Japan. -2006. - N 114. - P. 425-444.

72. Linck, C. Corrosion behavior of silicon oxycarbide-based ceramic nanocomposites under hydrothermal conditions / C. Linck, [et al.] // International Journal of Materials Research. - 2012. - V. 103, N 1. - P. 31-39.

73. Ionescu, E. Polymer-derived SiOC/ZrO2 ceramic nanocomposites with excellent high-temperature stability / Ionescu, E. [et al.] // Journal of the American Ceramic Society. -2010. - V. 93, N 1. - P. 241-250.

74. Blankenburg, L. Perhydropolysilazane derived silica for flexible transparent barrier foils using a reel-to-reel wet coating technique: Single- and multilayer structures / L. Blankenburg, M. Schrödner // Surface and Coatings Technology. - 2015. - N 275. - P. 193-206.

75. Ohishi, T. Preparation and Gas Barrier Characteristics of Polysilazane-Derived Silica Thin Films Using Ultraviolet Irradiation / T. Ohishi, S. Sone, K. Yanagida // Materials Sciences and Applications. -2014. - N 5. - P. 105-111.

76. Morlier, A. Gas barrier properties of solution processed composite multilayer structures for organic solar cells encapsulation. Solar Energy Materials and Solar Cells / A. Morlier [et al.] // -2013. -N 115. - P. 93-99.

77. Wach, R.A. Formation of silicone carbide membrane by radiation curing of polycarbosilane and polyvinylsilane and its gas separation up to 250°C / R.A. Wach, M. Sugimoto, M. Yoshikawa // Journal of the American Ceramic Society. - 2007. - V. 90, N 1 - P. 275-278.

78. Kaspar, J. Electrochemical study of lithium insertion into carbon-rich polymer-derived silicon carbonitride ceramics / J. Kaspar [et al.] // Electrochimica Acta. - 2010. -V. 56, N 1. - P. 174-182.

79. Reinold, M. Carbon-rich SiCN ceramics as high capacity/high stability anode material for lithium-ion batteries / M. Reinold [et al.] // Journal of Power Sources. -2013. - N. 236. - P. 224-229.

80. Liu, J. Polymer-derived yttrium silicate coatings on 2D C/SiC composites / J. Liu [et al.] // Journal of the European Ceramic Society. - 2013. - V. 33, N 2. - P. 433-439.

81. Schütz, A. High temperature (salt melt) corrosion tests with ceramic-coated steel / A. Schütz, M. Günthner, G. Motz // Materials Chemistry and Physics. -2015. - N. 159. -P. 10-18.

82. Riffard, F. Beneficial Effect of a Pre-ceramic polymer coating on the protection at 900 °C of a commercial AISI 304 stainless steel / F. Riffard [et al.] // Oxidation of Metals.

- 2017. - N.13. - P. 88.

83. Nguyen, M.D. Novel polymer-derived ceramic environmental barrier coating system for carbon steel in oxidizing environments / M.D. Nguyen [et al.] // Journal of the European Ceramic Society. -2017. - V. 37, N.5. - P. 2001-2010.

84. Akuzov, D. Polydimethyl siloxane coatings with superior antibiofouling efficiency in laboratory and marine conditions / D. Akuzov [et al.] // Progress in Organic Coatings. -2017. - N 103. - P. 126-134.

85. Cho, E.-C. Robust multifunctional superhydrophobic coatings with enhanced water/oil separation, self-cleaning, anti-corrosion, and anti-biological adhesion / E.-C. Cho, C. W. Chang-Jian, K. S. Chuang // Chemical Engineering Journal. -2017. - N 314. -P. 347-357.

86. Gunthner, M. High emissivity coatings based on polysilazanes for flexible Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells / M. Gunthner [et al.] // Solar Energy Materials and Solar Cells. -2014. - N 123. - P. 97-103.

87. Nagayoshi, H. Effective liquid source SiO2 passivation on n-type silicon using perhydropolysilazane / Nagayoshi, H. and C. Hagiwara // Energy Procedia. -2015. - N 77.

- P. 822-826.

88. Yoon, S.-S. Contact-printed ultrathin siloxane passivation layer for highperformance Si-PEDOT:PSS hybrid solar cells / S.-S. Yoon, G.-R. Lee, D.-Y. Khang // Microelectronic Engineering. -2017. - N 170. - P. 1-7.

89. Orel, B. Silicone-based thickness insensitive spectrally selective (TISS) paints as selective paint coatings for coloured solar absorbers (Part I) / B. Orel [et al.] // Solar Energy Materials and Solar Cells. -2007. -N 91. - P. 93-107.

90. Zuber, K. Post-polymerization surface segregation in thin PECVD siloxane films leading to a self-regenerative effect / K. Zuber [et al.] // Plasma Processes and Polymers. -2017. - V. 14, N 9. - P. 1600233.

91. Grill, A. structure of low dielectric constant to extreme low dielectric constant SiCOH films: fourier transform infrared spectroscopy characterization / A. Grill, D. Neumayer // Journal of Applied Physics. -2003. - N 94. - P. 6697- 6707.

92. Gates, S.M. Preparation and structure of porous dielectrics by plasma enhanced chemical vapor deposition / S.M. Gates [et al.] // Journal of Applied Physics. - 2007. - V. 101, N 9. - P. 094103.

93. Grill, A. Ultralow-k dielectrics prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition / A. Grill, V. Patel // Applied Physics Letters. - 2001. - V. 79, N 6. - P. 803805.

94. Burkey, D.D. Organosilicon thin films deposited from cyclic and acyclic precursors using water as an oxidant / D.D. Burkey, K.K. Gleason // Journal of The Electrochemical Society. -2004. - V. 151, N 5. - P. F105.

95. Schäfer, J. Liquid assisted plasma enhanced chemical vapour deposition with a nonthermal plasma jet at atmospheric pressure / J. Schäfer [et al.] // Thin Solid Films. - 2017. - N 630. - P. 71-78.

96. Wrobel, A.M. Silicon Oxycarbide Thin Films by Remote Microwave Hydrogen Plasma CVD Using a Tetramethyldisiloxane Precursor / Wrobel, A.M. [et al.] // Chemical Vapor Deposition. -2015. - V. 21, N 456. - P. 88-93.

97. Lee, J. Characteristics of low-K SiOC films deposited via atomic layer deposition / J. Lee, W. Jang, Y. Kweon // Thin Solid Films. -2018. - N. 645: - P. 334-339.

98. Agnieszka, W. -P. Silicon carbide, silicon carbonitride, and silicon oxycarbide thin films formed by remote hydrogen microwave plasma CVD / W. - P. Agnieszka, U. K. Pawel, M.W. Aleksander // Current Organic Chemistry. -2017. - V. 21, N 22. - P. 22292239.

99. Abessolo O.D. Atmospheric-Pressure Synthesis of Atomically Smooth, Conformal, and Ultrathin Low-k Polymer Insulating Layers by Plasma-Initiated Chemical Vapor Deposition / Abessolo O.D. [et al.] // ACS Applied Polymer Materials. - 2019. - V. 1, N 12. - P. 3304-3312.

100. Trujillo, N.J. Ultralow Dielectric Constant Tetravinyltetramethylcyclotetrasiloxane Films Deposited by Initiated Chemical Vapor Deposition (iCVD) / N.J. Trujillo, Q. Wu, K.K. Gleason // Advanced Functional Materials. - 2010. - V. 20, N 4. - P. 607-616.

101. Chen, N. iCVD Cyclic Polysiloxane and Polysilazane as Nanoscale Thin-Film Electrolyte: Synthesis and Properties / N. Chen [et al.] // Macromolecular Rapid Communications. -2016. - V. 37, N 5. - P. 446-452.

102. Lau, K. Hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD) of fluorocarbon and organosilicon thin films / Lau, K., P. H. Lewis, S. Limb // Thin Solid Films. -2001. - N 395. - P. 288-291.

103. Kwan, M.C. Pyrolytic CVD of poly(organosiloxane) thin films / M.C. Kwan, K.K. Gleason // Chemical Vapor Deposition. -1997. - V. 3, N 6. - P. 299-301.

104. Klaus, J.W. Atomic layer controlled growth of SiO2 films using binary reaction sequence chemistry / J.W. Klaus [et al.] // Applied Physics Letters. -1997. - V. 70, N 9. -P. 1092-1094.

105. Ferguson, J.D. ALD of SiO2 at Room Temperature Using TEOS and H2O with NH3 as the Catalyst / J.D. Ferguson [et al.] // J. Electrochemical Society. -2004. - V. 151, N 8. - P. G528-G535.

106. Gasser, W. Quasi-monolayer deposition of silicon dioxide / W. Gasser, Y. Uchida, M. Matsumura // Thin Solid Films. -1994. - V. 250, N 1. - P. 213-218.

107. Morishita, S. Atomic-layer chemical-vapor-deposition of SiO2 by cyclic exposures of CH3OSi-(NCO)3 and H2O2 / S. Morishita, Y. Uchida, M. Matsumura // Jpn. J. Appl. Physics. -1995. - V. 34, N 10R. - P. 5738-5738.

108. Bachmann, J. A Practical, Self-Catalytic, Atomic Layer Deposition of Silicon Dioxide / Bachmann, J. [et al.] // Angewandte Chemie International Edition. -2008. - V. 47, N 33. - P. 6177-6179.

109. Hausmann, D. Rapid Vapor Deposition of Highly Conformal Silica Nanolaminates / D. Hausmann [et al.] // Science. -2002. - V. 298, N 5592. - P. 402.

110. He, W. Pulsed deposition of silicate films / He, W. [et al.] // Journal of Applied Physics. -2003. - V. 94, N 5. - P. 3657-3659.

111. Klaus, J.W. Atomic layer deposition of SiO2 at room temperature using NH3-catalyzed sequential surface reactions / J.W. Klaus, S.M. George // Surface Science. -2000. - V. 447, N 1. - P. 81-90.

112. Klaus, J.W. Growth of SiO2 at room temperature with the use of catalyzed sequential half-reactions / Klaus, J.W., O. Sneh, and S.M. George // Science. -1997. - V. 278, N 5345. - P. 1934-1936.

113. Program for thermodynamic calculations: HSC Chemistry 5.11: e., Outokumpu Research Oy, Pori, A. Roine, Finland.

114. Sneh, O. Atomic layer growth of SiO2 on Si(100) using SiCl4 and H2O in a binary reaction sequence / O. Sneh, M.L. Wise, S.M. George // Surface Science. - 1995. - V. 334, N 1. - P. 135-152.

115. Kang, J.K. Mechanism of atomic layer deposition of SiO2 on the silicon (100)-2*1 surface using SiCl4 and H2O as precursors / J.K. Kang, C.B. Musgrave // Journal of Applied Physics. - 2002. - V. 91, N 5. - P. 3408-3414.

116. Egorov, A.L. Preparation of ultrathin silicon dioxide films on the tantalum surface by the chemical buildup method / A.L. Egorov, Y.K. Ezhovskii // Journal of Applied Chemistry of the USSR. -1984. - V. 57, N 4. - P. 685-688.

117. Du, Y. Mechanism of pyridine-catalyzed SiO2 atomic layer deposition studied by fourier transform infrared spectroscopy / Y Du, X. Du, S.M. George // The Journal of Physical Chemistry C. - 2007. - V. 111, N 1. - P. 219-226.

118. Okamoto, Y. Initial stage of the catalyzed growth of SiO2 films on Si(001): an ab initio study. / Y. Okamoto [et al.] // The Journal of Physical Chemistry B. - 1999. - V. 103, N 50. - P. 11074-11077.

119. Du, Y. SiO2 film growth at low temperatures by catalyzed atomic layer deposition in a viscous flow reactor / Y. Du, X. Du, S.M. George // Thin Solid Films. - 2005. - V. 491, N 1. - P. 43- 53.

120. Kamiyama, S. Comparison between SiO2 films deposited by atomic layer deposition with SiH2[N(CH3)2]2 and SiH[N(CH3)2]3 precursors / S. Kamiyama, T. Miura, Y. Nara // Thin Solid Films. - 2006. - N 515. - P. 1517-1521.

121. Kinoshita, Y. Infrared study of tris(dimethylamino)silane adsorption and ozone irradiation on Si(100) surfaces for ALD of SiO2 / Kinoshita, Y. [et al.] // Electrochemical and Solid State Letters. - 2007. - V. 10, N 10. - P. G80- G83.

122. Suzuki, I. Extra Low-Temperature SiO2 Deposition Using Aminosilanes / I. Suzuki, C. Dussarrat, K. Yanagita // ECS Transactions. - 2019. - V. 3, N 15. - P. 119- 128.

123. Burton, B.B. SiO2 atomic layer deposition using tris(dimethylamino)silane and hydrogen peroxide studied by in situ transmission FTIR spectroscopy / B.B. Burton, S.W. Kang, S.M. George // The Journal of Physical Chemistry C. - 2009. - V. 113, N 19. - P. 8249- 8257.

124. Hirose, F. Atomic layer deposition of SiO2 from Tris(dimethylamino)silane and ozone by using temperature-controlled water vapor treatment / F. Hirose [et al.] // Thin Solid Films. -2010. - V. 519, N 1. - P. 270-275.

125. O'Neill, M.L. Impact of Aminosilane Precursor Structure on Silicon Oxides by Atomic Layer Deposition / M.L. O'Neill [et al.] // Interface magazine. -2011. - V. 20, N 4.- P. 33-37.

126. Potts, S.E. Room-temperature ALD of metal oxide thin films by energy-enhanced ALD / S.E. Potts, H.B. Profijt, W.M. Kessels // Chemical Vapor Deposition. -2013. - V. 19, N 4-6. - P. 125-133.

127. Mallikarjunan, A. Designing high performance precursors for atomic layer deposition of silicon oxide / A. Mallikarjunan [et al.] // J. Vac. Sci. Technol., A, -2015. -V. 33, N 1. -P. 01A137-134.

128. Ju, L. Cyclic azasilanes as volatile and reactive precursors for atomic layer deposition of silicon dioxide / L. Ju, N.C. Strandwitz // Journal of Materials Chemistry C. - 2016. - V.4, N 18. - P. 4034-4039.

129. Peña, L.F. Atomic layer deposition of silicon dioxide using aminosilanes di-sec-butylaminosilane and bis(tert-butylamino)silane with ozone / L.F. Peña [et al.] // The Journal of Physical Chemistry C. -2016. - V.120, N 20.- P. 10927-10935.

130. Choi, J.S. Low temperature formation of silicon oxide thin films by atomic layer deposition using NH3/O2 plasma / J.S. Choi [et al.] // ECS Solid State Letters. -2013. -V 2. - P. P114-P116.

131. Degai, M. Non-heating atomic layer deposition of SiO2 using tris(dimethylamino)silane and plasma-excited water vapor / M. Degai [et al.] // Thin Solid Films. -2012. - N 525. - P. 73-76.

132. Putkonen, M. Thermal and plasma enhanced atomic layer deposition of SiO2 using commercial silicon precursors / M. Putkonen [et al.] // Thin Solid Films. -2014. - N 558. - P. 93-98.

133. Lee, B.H. Rapid Vapor-Phase Fabrication of Organic-Inorganic Hybrid Superlattices with Monolayer Precision / B.H. Lee [et al.] // Journal of the American Chemical Society. -2007. - V.129, N 51. - P. 16034-16041.

134. Abdulagatov, A.I. Growth, characterization and post-processing of inorganic and hybrid organic-inorganic thin films deposited using atomic and molecular layer deposition techniques / A.I. Abdulagatov // Chemistry & Biochemistry Graduate Theses & Dissertations. -2012.- P. 83.

135. Rocklein, M.N. Temperature-induced apparent mass changes observed during quartz crystal microbalance measurements of atomic layer deposition / M.N. Rocklein, S.M. George / Analytical Chemistry. - 2003. - V. 75, N 19. - P. 4975- 4982.

136. Huang, Z. Combining Ar ion milling with FIB lift-out techniques to prepare high quality site-specific TEM samples / Z. Huang [et al.] // Journal of Microscopy. - 2004. -V. 215, N 3. - P. 219- 223.

137. Jones, R. G. Silicon-Containing Polymers. The Science and Technology of their Synthesis and Applications / R. G. Jones, W. Ando, J. Chojnowski. - Dordrecht: Springer Science and Business Media, 2000. - 763 P.

138. P. Dubois Handbook of ring-opening polymerization / P. Dubois, O. Coulembier, J.-M. Raquez. - Weinheim: WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2009. - 425 P.

139. Groner, M. Low-temperature A12O3 atomic layer deposition / M. Groner [et al.] // Chemistry of Materials. - 2004. - N 16. - P. 639- 645.

140. Qiu, H. Development and characterization of mechanically durable silicone-polythiourethane composites modified with tetrapodal shaped ZnO particles for the potential application as fouling-release coating in the marine sector / H. Qiu [et al.] // Materials. - 2018. - N 11. - P. 2413.

141. Frank, M.M. Nucleation and interface formation mechanisms in atomic layer deposition of gate oxides / M.M. Frank, Y.J. Chabal, G.D. Wilk // Applied Physics Letters. -2003. - V. 82, N 26. - P. 4758-4760.

142. Mozgawa, W. Spectroscopic studies of different aluminosilicate structures / W. Mozgawa, M. Sitarz, M. Rokita // J. Mol. Struct. -1999. - N 511. - P. 251-257.

143. Burkey, D. Temperature-resolved Fourier transform infrared study of condensation reactions and porogen decomposition in hybrid organosilicon- porogen films / D. Burkey, K. Gleason // Journal of Vacuum Science & Technology A. -2004. - N 22. - P. 61-70.

144. Anderson, D. Analysis of silicones. Infrared, Raman and ultraviolet spectroscopy / D. Anderson, A.L. Smith. - New York: Wiley-Interscience, 1974. - 247 P.

145. Casserly, T. Chemical vapor deposition of organosilicon thin films from methylmethoxysilanes / T. Casserly, K. Gleason // Plasma Processes and Polymers. -2005. - N 2. - P. 679- 687.

146. Hesse, R. Peak shape analysis of core level photoelectron spectra using UNIFIT for WINDOWS / Hesse, R., T. Chassé, R. Szargan // Fresenius' Journal of Analytical Chemistry. - 1999. - V. 365, N 1. - P. 48 - 54.

147. O'Hare, L.-A. A methodology for curve-fitting of the XPS Si 2p core level from thin siloxane coatings / L.-A. O'Hare, A. Hynes, M.R. Alexander // Surface and Interface Analysis. -2007.- V. 39, N 1213. - P. 926-936.

148. Kloprogge, T. XPS study of the major minerals in bauxite: Gibbsite, bayerite and (pseudo-)boehmite / T. Kloprogge [et al.] // Journal of colloid and interface science. -2006. - N 296. - P. 572- 576.

149. Che, J. Grafting polymerization of polyacetal onto nano-silica surface via bridging isocyanate / J. Che [et al.] // Surf. Coat. Technol. - 2007. - N 201. - P. 4578-4584.

150. Herreros, B. ESCA studies of framework silicates with the sodalite structure: 1. comparison of purely siliceous sodalite and aluminosilicate sodalite / B. Herreros [et al.] // The Journal of Physical Chemistry. -1994. - V.98, N 4. - P. 1302-1305.

151. Chen, L. Al-O-Si bond formation in boehmite-fumed silica mixtures during mechanochemical activation / L. Chen [et al.] // Interceram - International Ceramic Review. -2014. - V. 63, N 7. - P. 372-375.

152. Anderson, P.R. X-ray photoelectron spectroscopy of some aluminosilicates / P.R. Anderson, W.E. Swartz // Inorganic Chemistry. -1974. - V. 13, N 9. - P. 2293-2294.

153. Ku, C.C. Electrical Properties of Polymers: Chemical Principles / Ku, C.C. and R. Liepins. - Munich: Hanser Publishers, 1987. -389 P.

154. Liang, X. Ultra-thin microporous-mesoporous metal oxide films prepared by molecular layer deposition (MLD) / X. Liang [et al.] // Chemical Communications. -2009. - N 46. - P. 7140-7142.

155. Gunthner, M. Conversion behaviour and resulting mechanical properties of polysilazane-based coatings / M. Gunthner [et al.] // Journal of the European Ceramic Society. -2012. - V. 32, N 9. - P. 1883-1892.

156. Nakajima, K. Conversion of solution-derived perhydropolysilazane thin films into silica in basic humid atmosphere at room temperature / K. Nakajima [et al.] // Journal of the American Ceramic Society. -2013. - V. 96, N 9. - P. 2806-2816.

157. Kozuka, H. Superior properties of silica thin films prepared from perhydropolysilazane solutions at room temperature in comparison with conventional alkoxide-derived silica gel films / H. Kozuka, K. Nakajima, H. Uchiyama // ACS Applied Materials & Interfaces. -2013. - V. 5, N 17. - P. 8329-8336.

158. Morlier, A. Structural properties of ultraviolet cured polysilazane gas barrier layers on polymer substrates / A. Morlier [et al.] // Thin Solid Films. -2014. - N 550. - P. 85-89.

159. Prager, L. Photochemical approach to high-barrier films for the encapsulation of flexible laminary electronic devices / L. Prager [et al.] // Thin Solid Films. -2014. - N 570.- P. 87-95.

160. Schulz, M. Polymer derived ceramics in MEMS/NEMS - a review on production processes and application / M. Schulz [et al.] // Advances in Applied Ceramics. -2009.-V.108, N 8.- P. 454-460.

161. Li, M. Polyvinylsilazane layer coating and its application in poly(dimethylsiloxane) microchip electrophoresis / M. Li [et al.] // Microchemical Journal. -2013. - N 110. - P. 753-757.

162. Tangermann-Gerk, K. Laser pyrolysis of an organosilazane-based glass/ZrO2 composite coating system / K. Tangermann-Gerk [et al.] // Materials & Design. -2016. -N109. - P. 644-651.

163. Pivin, J.C. Comparison of ion irradiation effects in silicon-based preceramic thin films / J.C. Pivin, P. Colombo, G.D. Soraru // Journal of the American Ceramic Society. -2000. - V. 83, N 4. - P. 713-720.

164. Chang, W.-Y. Optical properties of plasma-enhanced chemical vapor deposited SiCxNy films by using silazane precursors / W.-Y. Chang, C.-Y. Chang, J. Leu // Thin Solid Films. -2017. - N 636. - P. 671-679.

165. Jhansirani, K. Deposition of silicon nitride films using chemical vapor deposition for photovoltaic applications / K. Jhansirani [et al.] // Results in Physics. -2016. - N 6.- P. 1059-1063.

166. Sadezky, A. Raman microspectroscopy of soot and related carbonaceous materials: Spectral analysis and structural information / A. Sadezky [et al.] // Carbon. -2005. - V. 43, N 8. - P. 1731-1742.

167. Wang, K. Structural evolutions in polymer-derived carbon-rich amorphous silicon carbide / Wang, K. [et al.] // The Journal of Physical Chemistry A. -2015. - V. 119, N 4. -P. 552-558.

168. Meng, L. Hierarchically porous silicon-carbon-nitrogen hybrid materials towards highly efficient and selective adsorption of organic dyes / L. Meng [et al.] // Scientific Reports. -2015. - V. 5, N 1. - P. 7910.

169. Choong, K. Y. Thermogravimetric analysis/mass spectrometry investigation of the thermal conversion of organosilicon precursors into ceramics under argon and ammonia. 2. Poly(silazanes) / Choong, K. Y. [et al.] // Chemistry of Materials. -1992. - V. 4, N 6. - P. 1263-1271.

170. Wen, Q. The fate and role of in situ formed carbon in polymer-derived ceramics / Q. Wen, Z. Yu, R. Riedel // Progress in Materials Science. -2020. - N 109. - P. 100623.

171. Greil, P. Modelling of dimensional changes during polymer-ceramic conversion for bulk component fabrication / P. Greil, M. Seibold // Journal of Materials Science. -1992.-V. 27, N 4.- P. 1053-1060.

172. Weinmann, M. Polymer Derived Ceramics / M. Weinmann, E. Ionescu, R. Riedel // Handbook of Advanced Ceramics. -2013.- N 2.- P. 1025-1101.

173. Richert, L. Elasticity of native and cross-linked polyelectrolyte multilayer films / L. Richert [et al.] // Biomacromolecules. - 2004. - V.5 N 5. - P. 1908-1916.

174. Chan, K. Initiated chemical vapor deposition of linear and cross-linked poly(2-hydroxyethyl methacrylate) for use as thin-film hydrogels / K. Chan, K.K. Gleason // Langmuir. -2005.- V. 21, N 19. - P. 8930-8939.

175. Yoon, M.H. Low-voltage organic field-effect transistors and inverters enabled by ultrathin cross-linked polymers as gate dielectrics / M.H. Yoon [et al.] // Journal of the American Chemical Society. - 2005. - V. 127, N 29. - P. 10388- 10395.

176. Sakai, Y. Humidity sensors based on polymer thin films / Y. Sakai, Y. Sadaoka, M. Matsuguchi // Sensors and Actuators B: Chemical. -1996. -V.35, N 1. - P. 85-90.

177. Geise, G.M. Water purification by membranes: The role of polymer science / G.M. Geise [et al.] // Journal of Polymer Science Part B: Polymer Physics. -2010. - V. 48, N 15.

- P. 1685-1718.

178. Qian, H. Ultrathin Films of Organic Networks as Nanofiltration Membranes via Solution-Based Molecular Layer Deposition / H. Qian [et al.] // Langmuir. - 2012. - V. 28, N 51. - P. 17803-17810.

179. Akhrass, S.A. Design of crosslinked hybrid multilayer thin films from azido-functionalized polystyrenes and platinum nanoparticles / S.A. Akhrass [et al.] // Soft Matter. -2009. - V.5, N 3. - P. 586-592.

180. Zhou, H. Cross-linked ultrathin polyurea films via molecular layer deposition / H. Zhou, M.F. Toney, S.F. Bent // Macromolecules. - 2013. - V.46, N 14. - P. 5638-5643.

181. Mao, Y. Hot filament chemical vapor deposition of poly(glycidyl methacrylate) thin films using tert-butyl peroxide as an initiator / Y. Mao, K.K. Gleason // Langmuir. -2004.

- V. 20, N 6. - P. 2484-2488.

182. Seghete, D. Importance of trimethylaluminum diffusion in three-step abc molecular layer deposition using trimethylaluminum, ethanolamine, and maleic anhydride / D. Seghete [et al.] // Langmuir. -2010.- V.26, N 24.- P. 19045-19051.

183. Chen, X. A review on C1s XPS-spectra for some kinds of carbon materials / X. Chen, X. Wang, D. Fang // Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures. -2020. -V.28, N 12. - P. 1048-1058.

184. Maddox, A. Single molecular layer adaption of interfacial surfaces by cyclic azasilane "click-chemistry" // A. Maddox [et al.] // MRS Proceedings. -2015. - N 1.- P. 1793.

185. Casserly, T.B. Density functional theory calculation of 29Si NMR chemical shifts of organosiloxanes / T.B. Casserly, K.K. Gleason // The Journal of Physical Chemistry B. -2005. - V. 109, N 28. - P. 13605-13610.

186. Mandal, B.M. Fundamentals of polymerization / B.M. Mandal. - India: World Scientific, 2013. - 323 P.

187. Lodziana, Z. The stability of the hydroxylated (0001) surface of a-Al2O3 / Z. Lodziana, J.K. N0rskov, P. Stoltze // The Journal of Chemical Physics. - 2003. - V.118, N 24. - P. 11179-11188.

188. Burkey, D.D. Structure and mechanical properties of thin films deposited from 1,3,5-trimethyl-1,3,5-trivinylcyclotrisiloxane and water / Burkey, D.D. and K.K. Gleason // Journal of Applied Physics. -2003. - V.93, N 9.- P. 5143-5150.

189. Kobayashi, S.I. IR Spectroscopic Study of Silicon Nitride Films Grown at a Low Substrate Temperature Using Very High Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition / Kobayashi, S.I. [et al.] // World Journal of Condensed Matter Physics. -2016 -N 6. - P. 287-293.

190. Mayo D.W. Course notes on the interpretation of infrared and Raman spectra / D.W. Mayo, F.A. Miller. - New Jersey: John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, 2003. - 567 p.

191. Achyuta, A.K. Incorporation of Linear Spacer Molecules in Vapor-Deposited Silicone Polymer Thin Films / A.K. Achyuta [et al.] // Macromolecules. -2009. - V. 42, N 6. - P. 1970-1978.

192. Aresta, G. Initiated-chemical vapor deposition of organosilicon layers: Monomer adsorption, bulk growth, and process window definition / G. Aresta [et al.] // Journal of Vacuum Science & Technology A. -2012. - V.30, N 4. - P. 041503.

193. Launer, P.J. Infrared analysis of organosilicon compounds: spectra-structure correlations/ P.J. Launer, B. Arkles. - Pennsylvania: Silicon Compounds: Silanes & Silicones, Gelest, Inc, 2013. -178 P.