Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Мансуров, Владимир Геннадьевич

• Мансуров, Владимир Геннадьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Мансуров, Владимир Геннадьевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Литературный обзор и постановка задачи

1.1. Современные представления о дифракционном рассеянии электронов твердым телом

1.1.1. Геометрия дифракционной картины

1.1.2. Интенсивности дифракционных рефлексов

1.1.3. Численные расчеты в ДЭВЭО

1.2. Резонансное рассеяние электронов

1.3. Постановка задачи

ГЛАВА 2. Экспериментальные методы

2.1. Подготовка образцов

2.2. Герметичная технологическая камера

2.3. Металлический транспортный контейнер для переноса образцов в инертной атмосфере

2.4. Экспериментальные методы для исследования состава поверхности

2.4.1. Оже-спектроскопия

2.4.2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия.

2.5. Техника дифракционного эксперимента

ГЛАВА 3. Подготовка атомарно-чистых поверхностей ОаАэ и

1пАз и исследование их свойств методами электронной спектроскопии и ДЭВЭО

3.1. Подготовка атомарно-чистых поверхностей СаАэ (001).

3.2. Дифракция от поверхности (001)СаАз, обработанной в НС1-ИПС

3.3. Подготовка атомарно-чистых и структурно совершенных поверхностей 1пАз

3.3.1. Состояние поверхности 1пАг (111)А после обработки в растворах и загрузки в вакуум

3.3.2. ДЭВЭО-исследование поверхности 1пАз(111)А при термическом прогреве

3.4. Реконструкция и морфология различных граней InAs

3.4.1. Грань InAs ( 111 ) А

3.4.2. Грань InAs (001)

3.4.3. Грань скола InAs(110)

ГЛАВА 4. Резонансные явления в InAs и брэгговское отражение

4.1. Геометрическое рассмотрение резонансов в InAs и простые модели

4.2. Спектры состояний поперечного движения в InAs при плоскостном каналировании

4.2.1. Метод расчета

4.2.2. Выбор потенциала рассеяния

4.2.3. Сопоставление экспериментальных и рассчитанны параметров спектра состояний

4.2.4. Систематический ряд отражений

4.3. Захват электрона в состояние поперечного движения.

4.4. Аксиальное каналирование

4.5. Экспериментальное исследование влияния различных факторов на резонансные явления

4.6. Применение анализа резонансного и брэгговского рассеяния при изучении In фаз на (111)A InAs.

ГЛАВА 5. Брэгговское отражение и осцилляции зеркального рефлекса при эпитаксиальном росте.

5.1. Краткий обзор моделей осцилляций

5.2. Поверхностный потенциал и коэффициент отражения

5.3. Интерференционная модель осцилляций ЗР.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение»

Первые эксперименты по исследованию структуры твердого тела с помощью дифракции электронов были проведены в конце 20-ых годов, однако, достаточно интенсивно методы использующие дифракцию электронов начали применяться только с середины 60-ых годов, это связано прежде всего с развитием вакуумной и сверхвысоковакуумной техники, а также с разработкой мощных методов анализа химического состава поверхностей.

Дифракционные методы анализа, наряду с микроскопическими и спектроскопическими, использующие пучки нерелятивистских электронов с энергией от нескольких десятков эВ вплоть до сотен кэВ являются в настоящее время одним из основных источников информации о локальной структуре и элементном составе твердого тела. С одной стороны, это объясняется относительной лёгкостью фокусировки электронного пучка на выбранном объекте и малостью размера освещенной области (которая, в принципе, может иметь площадь порядка нескольких квадратных ангстрем), с другой - возможностью реализации соответствующих дифракционных методов в лабораторных условиях. В дальнейшем изложении материала мы будем придерживаться следующего условного деления диапазонов энергий: до 1 кэВ - электроны низких энергий, 1-10 кэВ -средние энергии, более 10 кэВ - электроны высокой энергии или быстрые электроны. Оборудование, необходимое для проведения дифракционных исследований (электронная пушка, держатель образца, система регистрации интенсивности и т.д.), является компактным и относительно дешёвым в изготовлении (разумеется, если не принимать во внимание стоимость самой вакуумной установки), а получение дифракционных картин при наличии опыта не требует долгого времени. Кроме того, эти методы являются высокоинформативными благодаря тому, что длина волны электронов сопоставима с характерными межатомными расстояниями в твердом теле, а также благодаря сильному взаимодействию быстрых электронов с атомами. Многочисленные приложения метода дифракции электронов высокой энергии подробно описаны в монографиях и обзорах, опубликованных в течение последних пятнадцати - двадцати лет. Одним из лучших изданий, по-прежнему, остаётся впервые опубликованная в 1965 году книга Хирша с соавторами [1] . Новые результаты описаны в монографиях [2]-[4] .

Аналитические методы, использующие электроны средних и высоких энергий, нашли широкое применение для диагностики поверхности твёрдого тела. Наряду с классическим методом анализа поверхности - дифракцией электронов низкой энергии (ДЭНЭ, LEED) [5] , спектроскопия квазиупруго отражённых быстрых электронов и спектроскопия характеристических потерь энергии позволяют получать информацию о дальнем и ближнем порядке в расположении атомов, и анализировать динамику различных процессов, происходящих на поверхности. Использование дифракции электронов высокой энергии в экспериментах «на прохождение» частиц через тонкие плёнки впервые позволило определить структуру одной из самых сложных реконструированных поверхностей - поверхности (111) SI (7x7).

Интересным и технологически важным приложением дифракции электронов высокой энергии, развитие которого пришлось на последние 15-20 лет, стало открытие и разработка метода контроля динамики молекулярно-лучевого роста кристаллов по осцилляциям интенсивности дифракционных рефлексов, наблюдаемых в геометрии дифракции на отражение. Использование дифракции электронов в геометрии на отражение частиц от поверхности кристалла под скользящими углами 1-3°) (ДЭВЭО, 1ЯНЕЕ0) позволяет непосредственно и точно определить период заполнения одного монослоя в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста (МЛЭ, МВЕ) кристалла, и проследить за динамикой изменения морфологии и структуры поверхности [6,7]. Будучи в настоящее время одним из немногих методов, позволяющих анализировать кинетику МЛЭ 1п-з1Ьи, дифракция электронов высоких энергий «на отражение» (ДЭВЭО) стала неотъемлемой частью любого современного исследования в области технологии молекулярно-лучевого роста полупроводниковых кристаллов.

Учитывая сказанное, можно сделать вывод, что совокупность экспериментальных методов, использующих рассеяние (дифракцию) быстрых электронов, составляет один из надёжных способов получения информации о строении вещества. В то же время, сравнивая эти методы с методами рентгеноструктурного и нейтронографического анализа, можно заметить один общий и весьма серьёзный недостаток подхода, использующего дифракцию электронов: относительно простая интерпретация результатов экспериментальных наблюдений во многих случаях оказывается невозможной.

Главная причина трудности состоит в том, что электроны, как заряженные частицы, взаимодействуют с ядрами атомов и электронами твердого тела, как мы отмечали, гораздо сильнее, чем рентгеновское излучение или нейтроны. Средняя длина свободного пробега быстрого электрона с энергией порядка 100 кэВ между последовательными актами неупругих взаимодействий с возбуждением фононной и/или электронной подсистем твёрдого тела приближённо равняется 1000 А , что на несколько порядков меньше длины свободного пробега тепловых нейтронов или длины поглощения квантов рентгеновского излучения в конденсированной среде. В результате интерпретация экспериментальных данных по сечениям рассеяния быстрых электронов в рамках приближения однократного рассеяния в большинстве случаев оказывается неадекватной, и это существенным образом затрудняет решение обратной задачи рассеяния - определения статической структуры и динамических характеристик твердого тела по угловым и энергетическим распределениям частиц.

Актуальность работы. Одним из наиболее интересных явлений, известных в дифракции (ДЭНЭ, ДЭВЭО) и отражательной электронной микроскопии (ОЭМ), является резонансное рассеяние (РР) быстрых электронов кристаллической поверхностью. Оно проявляется в резком увеличении коэффициента отражения в определенных (вообще говоря не брэгговских) условиях наблюдения. Это явление связывают с распространением дифракционного пучка вдоль поверхности, поэтому для всех методик, использующих рассеяние электронов, наибольшая чувствительность к состоянию поверхности должна проявляться именно в резонансных условиях.

Несмотря на значительное число работ, посвященных исследованию резонансных явлений в дифракции, остается много нерешенных проблем. На сегодняшний день, одной из главных проблем является выяснение природы собственых состояний кристалла, участвующих в резонансном рассеянии электронов. Решение этой проблемы тормозится недостатком экспериментальных данных. Проблема особенно остро стоит в исследовании резонансного рассеяния для энергий электронов 5-15 кэВ. Этому диапазону энергий посвящено значительно меньше работ, чем более высоким энергиям, однако именно такие энергии широко используются в технологии МЛЭ.

Цельюработыявлялось: экспериментальное и теоретическое исследование процессов упругого резонансного и брэгговского) рассеяния быстрых электронов поверхностью твердого тела на примере граней монокристаллов 1пАб и СаАэ для получения дополнительной и более детальной информации из дифракционных данных о структуре поверхности и о происходящих на ней процессах.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Мансуров, Владимир Геннадьевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертационной работе получены следующие основные результаты и выводы:

1. Разработана методика для получения атомарно-чистых поверхностей inas, заключающаяся в обработке поверхностей в спиртовом растворе НС1 и последующем низкотемпературном прогреве образцов в условиях сверхвысокого вакуума. Из анализа дифракционных картин и профилей интенсивности зеркального рефлекса в ДЭВЭО при различных температурах образца следует вывод, что указанная методика позволяет получать реконструированные поверхности с характерным размером террас ~10 О О А.

2. Обнаружено и экспериментально исследовано плоскостное и аксиальное резонансное каналирование электронов с энергией 10 кэВ на химически приготовленных гранях (111)А, (001) и грани скола (110) InAs.

3. Разработан метод расчета спектра состояний поперечного движения быстрого электрона в потенциале рассеяния кристалла, усредненном вдоль плоскостей параллельных поверхности. Сопоставление рассчитанных параметров такого спектра для грани (111)A InAs с реконструкцией (2x2)v и экспериментально измеренных параметров плоскостного каналирования в ДЭВЭО, позволяет сделать вывод, что в данной системе в резонансном рассеянии участвует состояние, связанное с поверхностной плоскостью атомов In.

4. Экспериментально показано, что морфологическое несовершенство поверхности препятствует проявлению резонансных эффектов. Повышение температуры образца приводит к исчезновению эффектов аксиального каналирования, но слабо влияет на эффекты плоскостного каналирования. При адсорбции тяжелых атомов на поверхность (111) А, напротив, исчезают эффекты плоскостного каналирования, но сохраняются характерные признаки аксиального каналирования. Этот факт подтверждает вывод о локализации плоскостной резонансной волны во внешней плоскости атомов In.

5. Впервые обнаружены и экспериментально исследованы адсорбционные фазы In на поверхности (111)A InAs: соразмерная (2х2)а и несоразмерная (0.7 7x0.77). Показано отличие фазы (2х2)а от обычной вакансионной сверхструктуры (2x2)v на основе сравнения брэгговских рефлексов и резонансных особенностей в дифракционных картинах.

6. Предложена структурная модель несоразмерной фазы (0.77x0.77), как плотноупакованного слоя (111) кристалла In (ГЦК), находящегося в эпитаксиальном соотношении

110>xnI l<H0>inAs с подложкой. Показано, что несоразмерная фаза пространственно модулирована периодическим потенциалом подложки.

7. Предложена простая, физически ясная модель осцилляций интенсивности зеркального рефлекса при молекулярно-лучевой эпитаксии, основанная на учете интерференции амплитуд отражения от непериодического

160 поверхностного потенциала и брэгговского отражения от периодического потенциала.

В заключение выражаю искреннюю благодарность моим научным руководителям Ю.Г.Галицыну и А.И.Торопову за руководство, постоянную помощь в работе и за формирование моих представлений о природе и процессах на поверхности полупроводников А3В5, как при дифракции электронов от этих поверхностей, так и при молекулярно-лучевой эпитаксии,

A.С.Терехову, под руководством и в соавторстве с которым получена часть результатов главы 3, сотрудникам

B.И.Пошевневу, С.П.Мощенко, А.С.Суранову, Л.Г.Окороковой, Р.А.Соколову, С.В.Шевелеву за помощь в работе и полезные обсуждения.

161

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Мансуров, Владимир Геннадьевич, 2000 год

1. Хирш П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. - И:Москва, Мир, 1968. - 574 с.

2. Каули Дж.М. Физика дифракции.-И: Москва, Мир, 197 9 -431 с.

3. Spence J.S.H., Zuo J.M. / Electron Microdifraction. -Plenum Press, New York, 1992.

4. Estrup P.J., McRae E.G. Surface studies by electron diffraction. Surf.Sci., 1971, v.25, p.1-52.

5. Neave J.N., Joyce В.A., Dobson P.J., Norton N. Dynamics of Film Growth of GaAs by MBE from RHEED observation. Appl.Phys.A, 1983, v.31, №1, pp.1-8.

6. Van Hove J.M., Lent C.S., Pukite P.R., Cohen P.I. Damped Oscillations in Reflection High Energy Electron Diffraction during GaAs MBE.

7. J.Vac.Sci.Technol.B, 1983, v.l, № 3, pp.741-746.

8. Bulgaria): Тез.докл./Común.Depart.Chem. of BAS 1988, -c.116.

9. Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Пошевнев В. И., Терехов A.C., Окорокова Л.Г. Остаточные углеродные загрязнения на поверхности GaAs обработанной в спиртовых растворах HCl. Поверхность, 1989, № 4, с.147-150.

10. Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Пошевнев В. И., Терехов A.C. Пассивация поверхности GaAs в спиртовыхрастворах HCl. Поверхность,1989, № 10, с.140-144

11. XXI Всес. конф. по эмиссионной электронике (декабрь 1990): Тез.докл/ ФТИ им.А.Ф.Иоффе и Ленингр. политехи, ин-т, 1990 -с.147.

12. Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Пошевнев В. И., Соколов P.A., Валишева H.A. Исследование поверхности InAs(lll)A после различных химических обработок с помощью ДЭВЭО и РФЭС. Поверхность, 1992, № 5, с.108-117 .

13. Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Пошевнев В.И. Сверхструктурные перестройки на гранях (111)А и (001) InAs. Поверхность, 1992, № 7, с.59-67.

14. Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Мараховка И. И. Динамические сверхструктурные переходы на (001) InAs. в сбор.науч. трудов ИФП СО РАН «Полупроводники 9 6», Н.: ИФП, 1996, - с 238-240.

15. Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Пошевнев В. И., Соколов P.A. Резонансное каналирование быстрых электронов в дифракции на отражение в InAs. Поверхность, 1994, № 8, с.81-87.

16. Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г. Природа осцилляций зеркального рефлекса в ДЭВЭО от растущих граней кристаллов в МЛЭ. Поверхность, 1995, № 9, с.90-96.

17. Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Мараховка И. И., Петренко И.П. Адсорбционные фазы In на (111)A InAs. -в сбор.науч. трудов ИФП СО РАН «Полупроводники 9 6», Н.: ИФП, 1996, с 236-238.

18. Междунар.конф. «Эмиссионная электроника, новые методы и технологии» (4-6 ноября 1997, Ташкент): Тез.докл./Ин-т.электроники АН РУ, ТашГТУ, ТашГУ. Ташкент, 1997г. с.40.

19. Междунар.конф. «Эмиссионная электроника, новые методы и технологии» (4-6 ноября 1997, Ташкент): Тез.докл./Ин-т.электроники АН РУ, ТашГТУ, ТашГУ. Ташкент, 1997г. с.123.

20. Галицын Ю.Г., Мараховка И.И., Мансуров В. Г. Плоскостное каналирование быстрых электронов и систематические брэгговские отражения в дифракции от граней InAs. Поверхность, 1998, № 3, с.59-65.

21. Галицын Ю.Г., Мараховка И.И., Мансуров В. Г., Петренко И.П. Соразмерные и несоразмерные фазы In на поверхности (111)A InAs. ФТП, 1998, т.32, в.1, с.89-94 .

22. Galitsyn Yu.G., Mansurov V.G., Moshchenko S.P. Indium Phases on a (111)A InAs Surface. PLDS, 1998, V.11/12, p.111-124.

23. IV-Российская конференция по физике полупроводников (25-29 октября 1999): Тез.док. / ИФП СО РАН, Ак.городок. Н.:ИФП, ОМЕГА ПРИНТ, 1999г. - с.147.

24. IV-Российская конференция по физике полупроводников (25-29 октября 1999): Тез.док. / ИФП СО РАН, Ак.городок. H.:ИФП, ОМЕГА ПРИНТ, 1999г. - с 197

25. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 560 с.

26. Larsen Р.К., Dobson P.J., Neave.J.H., Joyce В.А., Bolger В., Zhang J. Dynamic effects in RHEED from MBE Grown GaAs(OOl) Surfaces. Surf.Sci., 1986, v.169, p.176-196.

27. Gajdardziska-Jousifovska M., Cowley J.M. Brillouin Zones and Kikuchi Lines for Crystals Under Electron Channeling Conditions. Acta Cryst., 1991, v.A47, p.74-82 .

28. Peng L.-M., Whelan M.J. A General Matrix Representation of the Dynamical Theory of Electron Diffraction. Proc.R.Soc.Lond.A, 1990, v.431, pp.111-123, and pp.125-142.

29. R.Collela. n-Beam dynamical diffraction of High-energy electrons at glancing incidence. General theory and computational methods. Acta.Cryst., 1972, A28, P.11-15.

30. R.Collela and J.F.Menadue. Comparison of experimental and n-beam calculated intensities for glancing incidence high-energy electron diffraction. Acta.Cryst., 1972, A28, P.16-22.

31. К.Britz and G.Meyer-Ehmsen. High Energy Electron Diffraction at Si (001) Surface. Surf.Sci., 1978, v. 77, pp.131-141.

32. Maksym P.A., Beeby J.L. A Theory of RHEED. Surf.Sci., 1981, v.110, p.423-438

33. Dudarev S.L., Whelan M.J. Resonance Scattering of High Energy Electrons by a Crystal Surface. Intern.J.Modern Phys. B, 1996, v.10, №2, pp.133-168

34. Peng L.-M. Dynamical theory of spot intensity in RHEED. Surf. Sci., 1989, v.222, p.296

35. Ma Y., Marks L.D. Bloch-wave solution in the Bragg case. Acta Crystallogr., 1989, v.A45, p.174

36. Peng L.-M., Whelan M.J. Surface Superlattice Reflections and Kinematical Approximation in RHEED.-Acta Crist., 1991, v.A47, p.95

37. G.Meyer-Ehmsen. Direct calculation of the dynamical reflectivity matrix for RHEED.- Surf.Sci., 1989, v.219, p.177, .

38. Z.Mitura, M.Jalochowski, M.Subotowich. Computer Study of the Influence of Thermal Vibrations on the RHEED Intensity. Phys.Lett., 1990, A.150, p.51.

39. Ichimiya A. Many-Beam Calculation of Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED) Intensities by the Multi-Slice Method. Japan.Journ.Appl.Phys., 1983, v.22, № 1, p.176-180.

40. Ichimiya A., Kohmoto S., Nakahara H., Horio Y. Theory of RHEED and application to surface structure studies. Ultramicroscopy, 1993, v.48, pp.425-432.

41. Smith A.E., Linch D.F. Surface resonance effects in high and low-energy electron diffraction patterns in molybdenite. Acta.Cryst., 1988, A44, p.780.

42. Smith A.E., Lehmpfuhl G., Uchida Y. A comparison between experimental and calculated convergent beam RHEED patterns from the Pt(lll) surface Ultramicroscopy, 1992, v.41, p.367-373.

43. Zhao T. S., Poon H.C., Tong S. Y. Invariant-Embedding R-matrix Scheme for Reflection High-Energy Electron Diffraction. Phys.Rev.B, 1988, v.38, № 2, pp.11721182.

44. Zhao T.S., Tong S. Y. R-matrix method for calculating wave functions in reflection high-energy electron diffraction. Phys.Rev.B, 1993, v.47, №7, p.3923-3928.

45. Peng L.-M., Cowley J.M. Dynamical diffraction calculations for RHEED and REM. Acta Crystallogr., 1986, v.A42, pp.545-552.

46. Wang Z.L. A multislice theory of electron inelastic scattering in a solid. Philos.Mag., 1989, v. 60, p.617 .

47. Ma Y., Marks L.D. Bloch Waves and Multislice in Transmission and Reflection Diffraction. Acta Crystallogr., 1990, A46, p.11-32.

48. Ma Y., Marks L.D. A Robust Solution for RHEED Acta Crystallogr., 1991, A47, p.707-715.

49. S.Lordi, Y.Ma, J.A.Eades. Comparison of Calculated and Experimental Convergent-Beam RHEED Patterns from MgO(lOO). Ultramicroscopy, 1994, V.55, p.284-292.

50. S.Miyake, K.Kohra, M.Takagi. The nature of the specular reflection of electrons from a crystal surface. Acta Crystallogr., 1954, v.7, p.393-401.

51. K.Kohra, K.Molliere, S.Nakano, M.Ariyama. Diffraction of electrons from a crystal surface.

52. J.Phys.Soc.Jpn. suppl.B-II, 1962, p.82.

53. Miyake S., Hayakawa K. Resonance Effects in Low and High Energy Electron Diffraction by Crystals. Acta Crystallogr.A, 1970, v.26, p.60-70.

54. Ichimiya A., Kambe K., Lehmpfuhl G. Observation of the Surface State Resonance Effect by the Convergent Beam RHEED Technique. Jorn.Phys.Soc. of Japan, 1980, v.49, № 2, p.684-688.

55. Uchida Y., Lehmpfuhl G., J.Jager. Diect imaging of atomic steps in reflection electron microscopy. Ultramicroscopy, 1984, v.15, p.119.

56. Hsu T., Peng L.-M. Experimental studies of atomic step contrast in reflection electron microscopy (REM). Ultramicroscopy, 1987, v.22, pp.217-224.

57. Peng L.-M., Cowley J.M. Geometric Analysis of Surface Resonance Conditions in Reflection High Energy Electron Diffraction. Journ.Electron Microscopy Technique, 1987, v.6, pp.43-53.

58. Peng L.-M., Cowley J.M. Experimental Study of Surface Resonance Scattering Processes in RHEED. Surf.Sci., 1988, v.201, pp.559-572.

59. Peng L.-M., Cowley J.M., Yao N. The Observation of Surface Resonance Effects in RHEED Patterns. Ultramicroscopy, 1988, v.26, pp.189-194.

60. Wang Z.L., Liu J., Ping Lu, Cowley J.M. Electron Resonance Reflections from Perfect Crystal Surfaces and Surface with Steps. Ultramicroscopy,, 1989, v.27, p.101-112.

61. Yao N., Cowley J.M. The Parabolas and Circles in RHEED Patterns. Ultramicroscopy, 1989, v.31, p.149-157 .

62. Cowley J.M. Imaging and analysis of surfaces with high spatial resolution. J.Vac.Sci.Technol.A, 1989, v.7, №4, p.2823-2828.

63. Yao N., Cowley J.M. Electron Difraction Conditions and Surface Imaging in Reflection Electron Microscopy. Ultramicroscopy, 1990, v.33, p.237-254.

64. Lehmpfuhl G., Dowell W.C.T. Convergent-Beam Reflection High-Energy Electron Diffraction (RHEED) Observations from an Si(111) Surface. Acta Crist., 1986, v.A42, p.569-577.

65. Smith E., Lehmpfuhl G., Uchida Y. A comparison between experimental and calculated convergent beam RHEED patterns from the Pt(lll) surface. Ultramicroscopy, 1992, v.41, p.367-373.

66. James R., Bird D.M., Wright A.G. Smooth Parabolas in Transmission Electron Diffraction Patterns. Acta Cryst., 1994, v.A50, p.357-366.

67. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. 3-е изд., перераб. и доп. - М.: Наука, 1974 - с 633.

68. Miyake S., Hayakawa К. Resonance Effects in Low and High Energy Electron Diffraction by Crystals Acta Cryst., 1970, v.A26, p60-70.

69. Marten H., Meyer-Ehmsen G. Resonance Effects in RHEED from Pt(lll).- Surf.Sci.,1985, v.151, p.570-584

70. Peng L.-M. Bloch wave origin of surface resonance scattering in RHEED. Surf.Sci., 1994, v.316, L1049-L1054 .

71. Bleloch A.L., Howie A., Milne R.H., Walls M.G. Elastic and Inelastic Scattering Effects in Reflection Electron Microscopy. Ultramicroscopy, 1989, v.29, p.175-182.

72. Бриггс Д., Сих М.П. Анализ поверхности методами Оже-и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.1. М.:Мир,1987 598 с.

73. Зигбан К., Нордлинг К., Фальман А., Нордберг Р., Хамрин К., Хедман Я., Йоханссон Г., Бергмарк Т., Карлссон С., Линдгрен И., Линдберг Б. Электронная спектроскопия. М.: Мир, 1971 - 493с.

74. Alnot P., Wyczisk F. , Friederich A. Photoelectron spectroscopy study of chemically etched GaAs. Surf. Sci., 1985, v.162., № 1-3, p.708-716.

75. Vasquez R.P., Lewis B.F., Grunthauer F.J. Cleaning chemistry of GaAs (100) and InSb (100) substrates for molecular beam epitaxi. J.Vac. Sci. Technol. 1983. V. Bl. № 3. P. 791-794.

76. Saletes A., Massies J., Contour J.P. Residual Carbon and Oxigen Surface Contamination of Chemically Etched GaAs(001) substrates. Jap.J.Appl.Phys., 1986, v.25, №1, p.L48-L51.

77. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции.1. М.:Наука, 1987. с 210.

78. Massies J., Contour J.P. In Situ Deoxidation of GaAs Substrates by HC1 Gas. Japan.J.Appl.Phys., 1987, v.26, № 1, pp.L38-L40.

79. Frese K.W., Morisson S.R. Passivation and interface studies on n-GaAs. Appl.Surf.Sci., 1981, v.8., N1, p.266-277.

80. Fridel P., Landesman J.-P., Boher P., Schneider J. Cleaning and nitridation of GaAs-surfaces in multipolar plasmas. J.Vac.Sci. and Technol., 1987, V.B5, N4, pp.1129-1134.

81. Kawai N.J., Nakagawa T., Kojima T., Ohta K., Kawashima M. Passivation of GaAs surface by As layers. Electron. Lett. 1984. V.20. N1. P.47.

82. Etienne P., Alnot P., Rochette J.F, Massies J. Auger Electron spectroscopy Sputter Depth Profiles on AlxGaixAs Protected by As and GaAs Ultrathin Layers. J.Vac.Sci.Technol. B, 1986, v.4, № 6, pp.1301-1305.

83. Bringans R.D., Uhrberg R.I.G., Bachrach R.Z., Nortrup J.E. Arsenic -Terminated Ge(lll): An Ideal 1x1 Surface. Phys.Rev.Lett.,1985,v.55, №5, p.533

84. Hashizume T., Xue Q.K., Zhou J., Ichimiya A., Sakurai T. Structures of As-Rich GaAs(001)-(2x4) Reconstructions. Phys.Rev.Lett., 1994, v.73, № 16, p.2208-2211.

85. Avery A.R., Holmes D.M., Sudijono J., Jones T.S., Joyce B.A. The As-terminated reconstructions formed by GaAs(001): a scanning tunneling microscopy study of the (2x4) and c(4x4) surfaces. Surf.sci., 1995, v.323, p.91-101.

86. Sandroff C.J, Nottenburg R.N., Bischoff J.C., Bhat R. Dramatic enhancement in the gain of GaAs/AlGaAs heterostructure bipolar transistorby surface chemical passivation. Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. №1. P. 33.

87. Carpenter M.S., Melloch M.R., Landstrom M.S., Tobin S.P. Effects of Na2S and (NH4)2SX edge passivation treatments on the dark current-volage characteristics of GaAs p-n diodes. Appt. Phys. Lett. 198 8 V.52, N25, P 2157

88. Carpenter M.S., Melloch M.R., Dungan T.E. Shottki barier formation on (NH4)2S-treated n- and p-type (100)GaAs Appl.Phys.Lett. 1988. V.53. N1. P.67-68.

89. Nottenburg R.N., Sandroff C.J., Humphrey D.A. Near-ideal transport in an AlGaAs/GaAs heterostructure bipolar transistorby Na2S regrowth J.Appl.Phys.1988. V.27. N12. P.L2367

90. Yablonovitch E., Sandroff C.J., Bhat R., Guitter T. Nearli ideal electronic properties of sulfur coated GaAs surfaces Appl. Phys. Lett. 1987. V.51. № 6. P.439.

91. Oigawa H., Fan J.-F., Nannichi Y., Ando K., Saiki K., Koma A. Studies on an (NH4) 2SX-Treated GaAs Surface using AES,LEELS and RHEED.- Japan. J. AppL Phys. 1989. V.28. N3. P. L340-L342.

92. Hirayama H., Matsumoto Y., Oigawa H., Nannichi Y. Reflection high-energy electron diffraction and X-ray photoelectron spectroscopic study on (NH4)2Sx-treated GaAs (001) surfaces. Appl.Phys.Lett., 1989, V.54, №25, P.2565.

93. Sandroff C.J., Hegde M.S., Farrow L. A., Chang C.C., Harbison J.P. Electronic passivation of GaAs surfaces through the formation of arsenic-sulfur bonds. -Appl.Phys.Lett. 1989. V. 54. N 4. P. 362.

94. Wilmsen C.W., Kirchner P.P., Woodal J.M. Effects of N2,02 and H20 on GaAs passivated by photowashing or coating with Na2S-9H20. J.Vac.Sei. and Technol.,1989, V.B7, №4, P.851.

95. Ren S.-F., Chang Y.-C. Electronic Properties of Sulfur Treated GaAs(OOl) Surfaces. Phys.Rev. 1990. V.B41. N.ll. P.7705.

96. Nannichi Y., Fan J.-F., Oigawa H., Koma A. A model to explain the effective passivation of the GaAs surface by (NH4)2SX treatment Japan. J.Appl.Phys. 1988. V. 27., N 12., P.L2367.

97. Moison J.M., Bensoussan M, Houzay F. Epitaxial regrowth of an InAs surface on InP: an example of artificial surface. Phys.Rev. 1986. V. B34. № 3. P. 2018 .

98. Laurence G., Simondet F., Saget P. Combined RHEED-AES Study of the Thermal Treatment of (001)GaAs Surface Prior to MBE Growth. Appl.Phys., 197 9,v.19, pp.63-70.

99. Ueno K., Shimada T., Saiki K., Koma A. Heteroepitaxial growth of layered transition metal dichalcogenides on sulfur-terminated GaAs (111) surfaces. Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. № 4. P. 327 .

100. Chadi D.J. Vacancy-Indused 2x2 Reconstruction of the Ga(lll) Surface of GaAs. Phys.Rev.Lett, 1984, V.52, N21, pp.1911-1914.

101. Noreika A.J., Francombe M.N., Wood C.E.C. Growth of Sb and InSb by molecular-beam epitaxy.- J. Appl Phys., 1981, V.52, P.7416.

102. Haberern K.W., Pashley M.D. GaAs (111)A-(2x2) Reconstruction Studied by Scanning Tunneling Microscopy. Phys.Rev.B, 1990, v.41, № 5, pp.32263229.

103. Bohr J., Feidenhansl R., Nielsen M., Toney M. , Johnson R.L., Robinson I.K. Model-Independent Structure Determination of the InSb(lll)2x2 Surface with Use of Synchrotron X-Ray Diffraction. Phys.Rev.Lett., 1985, v.54, №12, pp.1275-1278 .

104. Kaxiras E., Bar-Yam Y., Joannopoulos J.D., Pandey K.C. Ab initio theory of polar semiconductor surfaces. I. Methodology and the (2x2) reconstructions of GaAs(lll). Phys.Rev.B, 1987, v.35, № 18, pp.9625-9635.

105. Thornton J.M.S., Unsworth P., Jackson M.D., Weightman P., Woolf D.A. Existance of Ga-vacancy and As-trimer induced (2x2) phases on the GaAs(lll)A surface. Surf.Sci., 1994, v.316, pp.231-237.

106. Pukite P.R., Lent C.S., Cohen P.I. Diffraction from Stepped Surfaces. II. Arbitrary terrace distributions- Surf.Sci., 1985, v.161, pp.39-68.

107. Larsen P.K., Chadi D.J. Surface structure of As-stabilized GaAs(OOl): 2x4, c(2x8) and domain structures. Phys.rev.В, 198 8,v.37,№14, p.8282-8288

108. Калашников Н.П., Ремизович B.C., Рязанов М.И. Столкновения быстрых заряженных частиц в твердых телах. М.:Атомиздат, 1980, С.212.

109. Линдхард И. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц. У.Ф.Н., 1969, Т.99, С.249.

110. Doyle P.A., Turner P.S. Relativistic Hartree-Fock X-ray and electron scattering factors. Acta Crystallogr., 1968, V.A24, N3, P.390.

111. Whelan M.J. On the Usefulness of the Concept of the Dispersion Surface Introdused by Professor P.P.Ewald. Act.Cryst., 1986, V.42, P.493.

112. Дударев С.Л. Объемное резонансное рассеяние быстрых электронов в кристаллах. Письма в ЖЭТФ, 1991, том 53, вып. 2, с.112-115.

113. Ястребов Л.И., Кацпельсон А.А. Основы одно-электронной теории твердого тела. М.:Наука, 1981, с. 48

114. Woolf D.A., Westwood D.J., Williams R.H. Surface reconstructions of GaAs(lll)A and (lll)B: A static surface phase study by reflection high-energy electron diffraction Appl.Phys.Lett., 1993, v. 62, p.1370

115. Savage D.E., Lagally M.G. Reflection high-energy electron diffraction study of the growth of In on GaAs (110) at different temperatures.

116. J.Vac.Sci.Technol., 1986, v.4, p.943.

117. Ichikawa T. RHEED study of In-induced superstructures on Ge(lll) surfaces. Surf.Sci., 1981, v.lll, p.227

118. Monch W. /Semiconductor Surfaces and Interfaces. -Springer, Berlin, 1993 p.180

119. Ganz E., Hwang I., Xiong F., Golovchenko J. Growth and morphology of Pb on Si (111) Surf. Sci., 1991, v.257, p.259-273.

120. Weitering H., Heslinga D., Hibma T. Strucrture and growth of epitaxial Pb on Si(lll). Phys.Rev.B, 1992, v.45, p.5991.

121. Heine V., Weaire D. Structure of Di- and Trivalent metals. Phys.Rev.B, 1966, v.152, p.603

122. Neave J.H., Joyce B.A., Dobson P.J., Norton N. Dynamics of Film Growth of GaAs by MBE from RHEED Observation. Appl.Phys., 1983, V.A31, P.1-8.

123. Knibb M.G., Maksym P.A. The effect of reconstruction on RHEED intensities for GaAs (001) (2x4) surface. Surf.Sci. 1988. V.195. P.475-498.

124. Clarke S., Vvedensky D.D. Growth kinetics and step density in reflection high-energy electron diffraction during molecular-beam epitaxy

125. J.Appl.Phys., 1988, V63, N7, P.2272.

126. Eds. Larsen P.K., Dobson P.J. RHEED and reflection electron imaging of surface. New York:Plenum Press. 1988, p.271

127. Harris J.J., Joyce B.A., Dobson P.J. Comments on «RED intencity oscillations durin MBE of GaAs» -Surf. Sci., 1981, V.103, P.L90.

128. Zhang J., Neave J.H., Dobson P.J., Joyce B.A., Effects of Diffraction Conditions and Processes on RHEED Intencity Oscillations During the MBE Growth of GaAs. Appl.Phys., 1987, V.A42, pp.317-326.

129. Van Hove J.M., Lent C.S., Pukite P.R., Cohen P.J. Damped oscillations in reflection high energy electron diffraction during GaAs MBE J.Vac.Sci. Technol., 1983, V.B1, N3, pp.741-746.

130. Petrich G.S., Pukite P.R., Wowchak A.M., Cohen P.I., Arrott A.S. On the origin of RHEED intensity oscillations. Surface Science, 1989, V.216, P.222-248 .

131. Lehmpfuhl G., Ichimiya A., Nakahara H. Interpretation of RHEED oscillation during MBE growth. Surf.Sci.Letters, 1991, v.245, P.L159-162.

132. Braun W., Daweritz L., Ploog K.H. Origin of Electron Diffraction during Crystal Growth. -Phys.Rev.Lett., 1998, v.80, N22, pp.4935-4938

133. Kawamura T., Maksym P.A. RHEED from stepped surfaces and its relation to RHEED intensity oscillations observed during MBE. Surf. Sci., 1985, V.161, P.12-24.

134. Peng L.-M., Whelan M.J. Dynamical calculations for RHEED from MBE growing surfaces. I. Growth on a low-index surface. Proc.R.Soc. Lond.A, 1991, V.432,1. P.195-213.

135. Zhang J., Dobson P.J., Joyce B.A., Neave J.H., Fawcett P.N. Specular beam intensity oscillations during MBE growth.-Surf. Sci., 1990, V.231. P.379.

136. S.Miyake, K.Kohra, M.Takagi. The nature of the specular reflection of electrons from a crystal surface. Acta Crystallogr., 1954, v.7, p.393-401

137. Joyce B.A., Neave J.H., Zhang J., Dobson P.J. RHEED intensity oscillations during MBE growth of III-V compaunds- an Overview. in book «RHEED and REM of Surfaces» edited by P.K.Larsen, P.J.Dobson - Plenum Press, Ney-York, 1988, pp.397-417.

138. Reginski K., Lamin M.A., Mashanov V.I., Pchelyakov O.P., Sokolov L.V. RHEED intensity oscillations from Si(111) surface in the presence of surface resonance. Surf.Sci., 1995, v.327, pp.93-99