Закономерности релаксации упругих напряжений и диффузия в псевдоморфных SiGe/Si структурах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат физико-математических наук Аврутин, Виталий Семенович

• Аврутин, Виталий Семенович
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Аврутин, Виталий Семенович

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

Глава 1. Литературный обзор

1.1. Подготовка подложек к эпитаксиалъному росту

2.1. Релаксация упругих напряжений в БЮе гетероструктурах

1.2.1. Обзор теорий критической толщины псевдоморфного роста

1.2.2. Экспериментальные исследования релаксации упругих напряжений в 81Се гетероструктурах

1.3. Диффузия основных компонентов и легирующих примесей в системе 8Юе

1.4. Выводы и постановка задачи 27 Глава 2. Приготовление образцов и методики их исследования

2.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия 57 и

2.2. Подложки

2.3. Приготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии

2.4. Исследование релаксации упругих напряжений и дислокационной структуры в £7^(3^/57 гетероструктурах

2.4.1. Определение степени релаксации структуры методом

рентгеновской дифракции

2.4.2-. Исследование дислокационной структуры образцов

2.5. Исследование профилей распределения основных компонентов и примесей в эпитаксиалъных структурах

Глава 3. Исследование влияния остаточных загрязнений на кристаллическое совершенство эпитаксиальных структур 81/81(001) и оптимизация методики подготовки подложек

3.1 Введение

3.2 Экспериментальная часть

3.2.1 Подготовка поверхности пластин и рост буферных кремниевых слоев

3.2.2 Методики исследования границы раздела эпитаксиальный слой/подложка и кристаллического совершенства эпитаксиальных структур

3.3 Результаты и их обсуждение

3.4 Выводы

Глава 4. Релаксация упругих напряжений в псевдоморфных буферных

слоях 810е различной толщины

4.1. Введение

4.2. Эксперимент

4.2.1. Приготовление образцов

4.2.2. Методы анализа эпитаксиальных структур

4.3. Результаты

4.4. Обсуждение

4.4.1. Скорость релаксации и остаточные напряжения в Sio.89Geo.11/Si гетероструктурах с Sio.89Geo.11 слоем различной толщины

4.4.2. Механизм релаксации

4.5. Выводы

Глава 5. Исследование диффузии сурьмы в гетероструктурах

8У8и-хОех/81<8Ь>/81(001) с напряженным 8ц-хОех слоем

з

5.1. Введение

5.2. Приготовление образцов

5.3. Экспериментальные результаты и определение коэффициента диффузии сурьмы

5.4. Выводы 80 Заключение

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Закономерности релаксации упругих напряжений и диффузия в псевдоморфных SiGe/Si структурах»

Введение

В последние годы гетероструктуры и сверхрешетки привлекают все больший интерес исследователей в связи с их уникальными электрическими и оптическими свойствами, позволяющими создавать новые приборы с улучшенными характеристиками. Одной из перспективных гетероэпитаксиальных систем являются твердые растворы на основе 81Се. Большое количество работ посвящено разработке разнообразных электронных (полевые и биполярные транзисторы, лавинные диоды и т.д.) и оптических (различные типы ИК фотоприемников) приборов на основе этих материалов [1, 2]. Особый интерес исследователей к этой системе продиктован уникальной комбинацией, позволяющей сочетать традиционную кремниевую технологию с возможностями зонной инженерии, когда с помощью вариации состава и толщины слоев, а также упругих напряжений в гетероэпитаксиальной системе конструируется зонная структура, необходимая для получения заданных физических свойств.

Данная система характеризуется довольно большим несоответствием параметров решетки (до 4.2%), вызывающим высокие упругие напряжения в гетероструктурах. С одной стороны, это дает дополнительную степень свободы при конструировании структур с заданными электронными свойствами. С другой стороны, упругие напряжения могут вызывать в псевдоморфных, т.е. выращенных когерентно с подложкой, гетероструктурах процессы пластической деформации (релаксации структуры), приводящие к образованию многочисленных дислокаций, что является крайне нежелательным явлением в технологии полупроводниковых приборов, поскольку свойства монокристаллических материалов чрезвычайно чувствительны к наличию дефектов. Кроме того, упругие напряжения оказывают сильное влияние на процессы диффузии в гетероструктурах и сверхрешетках на

основе соединений с несоответствием параметров решетки. В зависимости от механизма (вакансионный или межузельный) и знака напряжений, диффузия основных компонентов и легирующих примесей может как замедляться, так и ускоряться. В связи с этим, важным аспектом приборного применения гетероструктур и сверхрешеток на основе системы 810е является их температурная стабильность как непосредственно в процессе роста, так и во время последующих технологических процессов. Под температурной стабильностью понимается диффузионная стабильность (т.е. сохранение заданных профилей распределения основных компонентов и легирующих примесей) и структурная стабильность (сохранение заданного в процессе роста напряженного состояния системы). Кроме того, очень важный параметр при разработке и изготовлении электронных и оптических приборов -уровень остаточных напряжений в релаксированных гетероструктурах.

Большое количество работ посвящено исследованию процессов релаксации упругих напряжений в 81Се гетероструктурах и сверхрешетках. Главной проблемой, на решение которой направлены эти исследования, является проверка теорий критической толщины гетероструктур, т.е. толщины, при которой срывается когерентный рост и вводятся дислокации несоответствия. В большинстве ранних работ релаксация упругих напряжений происходила непосредственно в процессе эпитаксиального роста, когда невозможно разделить процессы зарождения, скольжения и взаимодействия дислокаций. Ряд работ посвящен изучению кинетики релаксации псевдоморфных БЮе гетероструктур в ходе послеростовых отжигов. В этих работах большое внимание уделяется также минимальным остаточным напряжениям, достигающимся в структурах в результате релаксации. Однако, остаточные напряжения в гетероструктурах с тонкими эпитаксиальными слоями плохо описываются равновесными теориями, в связи с чем в последнее время в ряде работ были сделаны попытки включить в рассмотрение энергию междислокационного взаимодействия.

Интенсивно изучаются механизмы пластической деформации напряженных гетероструктур. Однако, целый ряд вопросов остается исследованным крайне слабо, либо неисследованным вовсе. Например, не было изучено влияние толщины псевдоморфных слоев на скорость релаксации упругих напряжений в структуре в ходе термообработок, какие факторы определяют распределение дислокаций в гетероструктуре и т.д.

Несмотря на исключительную важность для технологии полупроводниковых приборов на основе напряженных 81Се сверхрешеток и гетероструктур, процессы диффузии основных компонентов и легирующих примесей в таких структурах изучены существенно хуже, чем процессы релаксации упругих напряжений. К настоящему времени опубликован ряд работ, посвященных изучению влияния упругих напряжений на взаимодиффузию 81 и Ое гетерограницах. Из основных электрически активных примесей, используемых в технологии полупроводниковых приборов, наиболее хорошо изучена диффузия бора. Гораздо хуже исследовано перераспределение сурьмы в гетероструктурах с напряженными 81Се слоями. Кроме того, к моменту выполнения настоящей работы не было опубликовано ни одной статьи, в которой было бы учтено влияние гетерограниц на диффузию легирующих примесей в напряженных 810е гетероструктурах и сверхрешетках.

Вышеизложенное определяет актуальность исследования процессов релаксации упругих напряжений и диффузии в псевдоморфных 81Се гетероструктурах.

Основной задачей диссертационной работы было изучение закономерностей процесса пластической деформации в напряженных гетероструктурах 810е/81 и изучение перераспределения сурьмы в трехслойных 81/81Се/81<8Ь> гетероструктурах с псевдоморфным 81Се слоем.

Диссертация состоит из пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. В первой главе представлен литературный обзор

по современным методам подготовки Si подложек к эпитаксиальному росту, исследованиям посвященным релаксации упругих напряжений, а также диффузии основных компонентов и легирующих примесей в SiGe системе. Во второй главе описана ростовая установка и основные методики, используемые для анализа исследуемых процессов. В третьей главе изложены процессы предростовой подготовки кремниевых пластин, их очистки от пассивирующего слоя SiCh непосредственно в ростовой камере, а также исследовано влияние остаточных загрязнений на качество структур Si/Si. Четвертая глава посвящена исследованию процессов релаксации упругих напряжений в Sii-xGex/Si структурах с Sii_xGex слоями различной ширины. В ней анализируются особенности возникающей дислокационной структуры на основе известных механизмов пластической деформации, а также влияние толщины пленки Sii_xGex на скорость релаксации напряжений и величину минимально достижимых остаточных напряжений. В пятой главе исследована диффузия сурьмы в трехслойной Si/Sii-xGex/Si<Sb> структуре с напряженным Sii_xGex слоем на основе модели, учитывающей влияние гетерограниц на перераспределение атомов сурьмы в трехслойной гетероструктуре. Определены эффективные коэффициенты диффузии Sb и энергия активации диффузии в напряженном слое Sio.85Geo.15-

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Аврутин, Виталий Семенович

Основные выводы диссертационной работы

1. Сопоставление данных ВИМС, ПЭМ и рентгеновской дифрактометрии указывает на то, что остаточный кислород на границе подложка/эпитаксиальный слой 81 распределен в виде островков фазы 8ЮХ (х = 0-1). Показано, что в случае островкового распределения загрязнений на поверхности 81(001) перестройка 2x1, фиксируемая по картине ДБЭО, формируется при покрытии кислорода ~0.1 монослоя. Поэтому, регистрация такой перестройки не является однозначным показателем полной очистки поверхности от защитного 8Ю2.

2. Показано, что присутствие остаточного кислорода в количестве ~0.1 монослоя на поверхности 81(001) приводит к образованию в эпитаксиальном слое 81 ~107 см-2 микродвойников размером 20-50 нм, локализованных вблизи границы раздела подложка/эпитаксиальный слой 81, и ~105 см-2 дислокаций, формирующихся на островках окида и прорастающих сквозь эпитаксиальный слой. При покрытии кислорода на границе раздела < 0.03 монослоя и меньше ПЭМ исследования не выявили в эпитаксиальных слоях протяженных дефектов, а по данным селективного химического травления плотность прорастающих дислокаций составляла ~ 103 см~2.

3. Показано, что двухкристальная рентгеновская дифрактометрия оказывается весьма чувствительным методом для выявления остаточных загрязнений, распределенных в виде островков на гомоэпитаксиальной границе.

4. Впервые показано, что скорость релаксации упругих напряжений в псевдоморфных 811-хСех/81 гетерозпитаксиальных структурах в ходе послеростовых термических отжигов увеличивается с увеличением толщины 8Ь-хОех слоя.

5. Показано, что минимальные остаточные напряжения в Sio.89Geo.11/Si гетероструктурах с тонким (-100 нм) Sio.89Geo.11 слоем меньше, чем предсказывает теория, учитывающая междислокационное взаимодействие. В то же время, величина остаточных напряжений в SiGe слое толщиной 300 нм хорошо согласуется с теоретическими величинами.

6. Показано, что при релаксации упругих напряжений в гетероструктурах Sii-xGex/Si и Sii-xGex/Sii-yGey (х,у < 0.5) с небольшим несоответствием параметров решетки (< 1%) дислокационные петли распространяются в материал с меньшим содержанием Ge (т.е. более пластичный материал), независимо от знака напряжений.

7. Показано, что отжиг при температурах выше 900°С приводит к релаксации напряжений в структуре за счет ускоренной взаимодиффузии Si и Ge на гетерогранице.

8. Впервые исследована диффузия Sb в трехслойных Si/Sio.85Geo.i5/Si структурах с напряженным Sio.85Geo.15 слоем. Показано, что в таких структурах происходит накопление Sb в напряженном SiGe слое.

9. Впервые определены эффективные коэффициенты диффузии Sb в напряженном Sio.85Geo.15 и определена энергия активации процесса (Еак = 3.89 эВ). Показано, что коэффициент диффузии Sb в Sio.85Geo.15 слое существенно выше, чем в Si.

В заключение автор считает своим приятным долгом выразить глубокую благодарность научному руководителю доктору физ.-мат. наук Вяткину А.Ф. за помощь и постоянное внимание к работе, канд. физ.-мат. наук Вдовину В.И. за плодотворные обсуждения результатов, канд. физ.-мат. наук Барабаненкову М.Ю. за помощь в работе, м.н.с. Изюмской Н.Ф. за моральную поддержку и помощь в работе, всему коллективу лаборатории ионной технологии ИПТМ РАН и своим соавторам.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Аврутин, Виталий Семенович, 1999 год

Список литературы

1. Kasper Е., "Prospects of SiGe heterodevices", J. Cryst. Growth, 1995, 150,921-925.

2. Kenig U., "Future applications of heterostructures", Physica Scripta, 1996,68, 90-101.

3. Marsh O.J., "Status of the Si MBE process", 1988, Proc. MRS, 333-346.

4. Henderson R.C., "Silicon cleaning with hydrogen peroxide solutions: a high energy electron diffraction and Auger electron spectroscopy study, J. Electochem. Soc., 1972,119, 772-775.

5. Ishizaka A. and Shiraki Y., J. Electrochem. Soc. 1996,133,666.

6. Kern W. and Puotinea D.A., RCA Rev., 1970,31, 187.

7. Contour J.P., Massies J., and Arnaud d'Avitaya F., "An x-ray photoelectron spectroscopy and low-energy electron diffraction controlled surface preparation of Si(001) prior to epitaxial growth of GaAs", J. Vac. Sci. Technol., 1987, B5, 908.

8. Wolf S.H., Higashi G.S., Chabal Y.J., Trucks G.W., and Raghavachari Krishnan, "Ideal hydrogen termination of the Si(lll) surface", Appl. Phys. Lett., 1990,56,656-658.

9. Антипов В.Г., Каллион Р.В., Никишин С.А., Синявский Д.В., "Стабильность свойств (состав, структура) пассивированной водородом Si(001) поверхности в процессе предэпитаксиальной термообработки", Письма в ЖТФ, 1990,16, 66-69.

10. Антипов В.Г., Никишин С.А., Синявский Д.В., "Молеукулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) GaAs на Si(001) поверхности, насыщенной водородом", Письма в ЖТФ, 1991,17, 19-23.

11. Bean J.C., Becker G.E., Petroff P.M., and Seidel T.E., "Dependence of residual damage on temperature during Ar+ sputter cleaning of silicon", J. Appl. Phys., 1977,48,907.

12. Bean J.C. and Rozgonyi G.A., Appl. Phys. Lett., 1982, 41, 752-754.

13. Tabe M., "Etching of SiCh films by Si in ultra-high vacuum", Jpn. J. Appl. Phys., 1982, 45, 534-538.

14. Tatsumi T., Aizaki N., and Tsuya H., "Advanced techniques to decrease defect density in molecular beam epitaxial silicon", Jpn. J. Appl. Phys., 1985, 24, L227.

15. Kugimya K., Hirofuji Y., and Matsuo N., "Si-beam radiation cleaning in molecular-beam epitaxy", Jpn. J. Appl. Phys., 1985,24, 564-567.

16. Streit D.C. and Allen F.G., " Thermal and Si-beam assisted desorption of Si02 from silicon in ultrahigh vacuum", J. Appl. Phys., 1987, 61, 28942897.

17. Hirofuji Y. and Matsuo N., "Orientation dependence of crystal defects formation in silicon molecular beam epitaxy", J. Vac. Sci. Technol., 1987, B5, 10.

18. Hirofuji Y., Matsuo N., and Kugimiya K., Ext. Abstr. of the 17th Conf. on Solid State Devices and Materials, 1987,297.

19. Joshkin V.A., Oktyabrsky S.R., Bogonin I.A., and Orlikovsky A.A., "Low temperature preannealing for carbon removal from Si surface in GaAs-on-Si molecular beam epitaxial growth", J. Cryst. Growth, 1993, 132, 209-214.

20. Frank F.C. and van der Merwe J., "One-dimensional dislocations I. Static Theory", Proc. Roy. Soc., 1949, A198, 205-216.

21. Frank F.C. and van der Merwe J., "One-dimensional dislocations II.

PRDC . Soc ■

V""......

Misfitting monolayers and oriented overgrowth", 1949, A198,216-225.

22. Matthews J.W. and Blakeslee, "Defects in epitaxial multilayers", J. Cryst. Growth, 1974, 27, 118-125.

23. Matthews J.W. and Blakeslee, "Defects in epitaxial multilayers II. Dislocation pileups, threading dislocations, slips lines and cracks", J. Cryst. Growth, 1975,29, 273-280.

24. Matthews J.W. and Blakeslee, "Defects in epitaxial multilayers III. Preparation of almost perfect multilayers", J. Cryst. Growth, 1976, 32, 265-273.

25. Van der Merwe J., "On the stresses and energies associated with inter-crystalline boundaries", Proc. Phys. Soc., 1950, A63, 616-637

26. Van der Merwe J., "Crystal interfaces. Part I. Semi-infinite crystals", J. Appl. Phys., 1963,34, 117-122.

27. Van der Merwe J./'Crystal interfaces. Part II. Finite overgrowth", J. Appl. Phys., 1963,34, 123-127.

28. Van der Merwe J., "Structure of epitaxial crystal interfaces", 1972, Surf. Sci.,31, 198-228.

29. Kasper E. and Herzog H.J., "Elastic strain and misfit dislocation density in Ge0.92Si0.08 films on silicon substrates", Thin Solid Films, 1977, 44, pp. 357-370.

30. Kasper E., "Growth and properties of Si/SiGe superlattices", Surface Science, 1977,174, 630-639.

31. Kasper E., Herzog H.J., Daembkes H., and Abstreiter G., "Equally strained Si/SiGe superlattices on Si substrate", Layered Structures and Epitaxy, Proc. MRS, 1986,56, 347-357.

32. Dodson B.W., "Meta-stability in Si/Ge strained-layer structures", MRS

Symp. Proc. on Heteroepitaxy on Silicon: Fundamentals, Structure, and Devices, 1988,116,491-503.

33. Tsao J.Y., Dodson B.W., Picraux S.T., and Cornelison D.M., "Critical stresses for strained-layer plasticity", Phys. Rev. Lett., 1988, 59, 24552459.

34. Dodson B.W., "Work hardening and stain relaxation in strained-layer buffers", Appl. Phys. Lett., 1988, 53, 37-39.

35. Dodson B.W., "An empirical relation for semiconductor strained-layer relaxation", J. Cryst. Growth, 1988,91,649.

36. Van der Leur R.H.M., Shellingerhout A.J.G., Tuinstra F., and Mooij J.E., "Critical Thickness for pseudomorphic growth of Si/Ge alloys and superlattices", J. Appl. Phys., 1988, 64, 3034.

37. Stiffler S.R., Stanis C.L., Goorsky M.S., and Chan K.K., "The role of dislocation-dislocation interactions in the relaxation of pseudomorphically strained semiconductors. I. Theory," J. Appl. Phys., 1992,71,4814-4819.

38. Gillard V.T., Nix W.D., and Freund L.B., "Role of dislocation blocking in limiting strain relaxation in heteroepitaxial films", J. Appl. Phys., 1994, 76, 7280-7287.

39. Bean J.C., Feldman L.C., Fiory A.T., Nakahara S., and Robinson I.K., "Pseudomorphic growth of GexSii_x on silicon by molecular beam epitaxy", Appl. Phys. Lett., 1984,44, 102-104.

40. People R. and Bean J.C., "Calculation of critical layer thickness versus lattice mismatch for GexSii-x/Si strained-layer heterostructures", Appl. Phys. Lett., 1985,47, 322-324.

41. Houghton D.C., Gibbings C.J., Tuppen C.G., Lyons M.H., and Halliwell M.A.G., "The structural stability of uncapped versus buried Sii-xGex

strained layers through high temperature processing", Thin Solid Films, 1989,183,171-182.

42. Jain S.C., Willis J.R., and Bullough R, "A review of theoretical and experimental work on the structure of GexSii_x strained layers and superlattices, with extensive bibliography", Advances in Physics, 1990, 39, 127-190.

43. Jain S.C. and Hayes W., "Structure, properties and applications of GexSii_x

strained layers and superlattices", Semicond. Sci. Technol., 1991, 6, 547576.

44. Perovic D.D. and Houghton D.C., "The introduction of dislocations in low misfit epitaxial systems", Inst. Phys. Conf. Sen, 1995,146, 117-134.

45. Houghton D.C., Gibbings C.J., Tuppen C.G., Lyons M.H., and Halliwell M.A.G., "Equilibrium critical thickness for Sii-xGex strained layers on (100) Si", Appl. Phys. Lett., 1990,56,460-462.

46. Houghton D.C., "Strain relaxation kinetics in Sii_xGex heterostructures", J. Appl. Phys., 1991,70,2136.

47. Perovic D.D. and Houghton D.C., "Spontaneous nucleation of misfit dislocations in strained epitaxial layers", Phys. Stat. Sol. (a), 1993, 138, 425-430.

48. Alexander H. and Haasen P., "Dislocations and plastic flow in the diamond structure", Solid State Physics, 1968, 22,27-156.

49. Tuppen C.G. and Gibbings C.J., "Misfit dislocations in annealed Sii-xGex/Si heterostructures", Thin Solid Films, 1989,183, 157-163.

50. Tuppen C.G. and Gibbings C.J., "A quantitative analysis of strain dislocation glide in Sii-xGex/Si heterostructures", J. Appl. Phys., 1991, 68, 1526-1534.

51. Nix W.D., Noble D.B., and Turlo J.F., MRS Symp. Proc., 1990,188, 315.

52. Hull R., Bean J.C., Bahnck, D., Peticolas L.J., Shot K.T., and Unterwald F.C., "Interpretation of dislocation propagation velocities in strained GexSii-x/Si(100) heterostructures by the diffusive kink pair model", J. Appl. Phys., 1991, 70, 2052-2065.

53. Hauenstein R.J., Clemens B.M., Miles R.H., Marsh O.J., Croke E.T., and McGill T.C., "Strain relaxation kinetics in Sii_xGex heterostructures", J. Vac. Sci. Technol., 1989, B7, 767-774.

54. Hull R., Bean J.C., and Buecher C., "A phenomenological description of strain relaxation in GexSii_x/Si(100) heterostructures", J. Appl. Phys., 1989,66, 5837-5843.

55. LeGoues F.K., Mooney P.M., and Tersoff J., "Measurements of the activation barrier to nucleation of dislocations in thin films", Phys. Rev. Lett., 1993,71,396-399.

56. Dodson B. W., "Nature of misfit dislocation sources in strained-layer semiconductor structure", Appl. Phys. Lett., 1988, 53, 394.

57. Perovic D.D., Weatherly G.C., Baribeau J., and Houghton D.C., "Heterogeneous nucleation sources in molecular beam epitaxy-grown GexSii_x/Si strained layer superlattices", Thin Solid Films, 1989, 183, 141156.

58. LeGoues F.K., Meyerson B.S., and Morar J.F., "Anomalous strain relaxation in SiGe thin films and superlattices", Phys. Rev. Lett., 1991, 66, 2903-2906.

59. LeGoues F.K., Ott J.A., Eberl K., and Iyer S.S., "In situ study of relaxation of SiGe thin films by the modified Frank-Read mechanism", Appl. Phys. Lett., 1992, 61, 174-176.

60. Fitzgerald E.A., Xie Y-H., Monroe D., Silverman P.J., Kuo J.M., Kortan

A.R., Thiel F.A., and Weir B.E., "Relaxed GexSii_x structures for III-V integration", J. Vac. Sci. Technol., 1992, BIO, 1807-1819.

61. Vdovin V.I., A formation of three-dimensional misfit dislocation networks in SiGe/Si and SiGe/Ge heterostructures", Proc. Microsc. Semicon. Mat. Conf., Inst. Phys. Conf. Ser., 1995, No 146, 187-190.

62. Вдовин В.И., Мильвидский М.Г. и Югова Т.Г., "Механизмы генерации дислокаций в гетероструктурах на основе твердых растворов SiGe", Кристаллография, 1996,41,1-6.

63. LeGoues F.K., "The effect of strain on the formation of dislocations at the SiGe/Si interface", MRS Bui., 1996,21, 38-44.

64. Vdovin V.I., Mil'vidskii M.G., Yugova T.G., Lyutovich K.L., and Saidov S.M., "Effect of alloy composition on defect formation in GexSii_x/Si heterostructures obtained by molecular beam epitaxy", J. Cryst. Growth, 1994,141, 109-118.

65. Vdovin V.I., "Misfit dislocations in epitaxial heterostructures: mechanisms of generation and multiplication", Phys. Stat. Sol. (a), 1999,171, 239-250/

66. Kenig U. and Hersener J., "Needs of low thermal budget processing in SiGe technology", Solid State Phenomena, 1996,47-48, 17-32.

67. Prinz E.J., Garone P.M., Schwartz P.V., Xiao X., and Sturm J.C., "The effect of base dopant outdiffusion and undoped Sii-xGex junction spacer layers in Si/Sii_xGex/Si heterojunction bipolar transistors", IEEE Electron Dev. Lett., 1991,12, 42-44.

68. Schaffler F., Herzog H.-J., Jorke H., and Kasper E., "Influence of thermal annealing on the electron mobility in modulation doped Si/SiGe heterostructures", J. Vac. Sci. Technol., 1991, B9,2039-2044.

69. Schaffler F. and Jorke H., "Thermal annealing of modulation-doped Si/SiGe heterostructures with high electron mobilities", Appl. Phys. Lett.,

1991,58, 397-399.

70. Kruger D., Gaworzewski P., Kurps R., and Zeindl H.P., "Characterization of B and Sb delta-doping profiles in Si and Sii_xGex alloys grown by molecular-beam epitaxy", J. Vac. Sci. Technol., 1996, B14, 341-347.

71. Chang S.J., Arbet V., Wang K.L., Bowman R.C., Adams J.R., Adams P.M., Nayak D., Woo J.C.S., "Studies of interdiffusion in GemSin strained layer superlattices", J. Electron. Mat., 1990,19, 125-129.

72. Fries E., Schorer R., Eberl K., Abstreiter G., "Stability and interdiffusion of short-period Si/Ge strained layer superlattices", J. Vac. Sci. Technol., 1991, B9, 2045-2047.

73. Godbey D.J. and Ancona M.G., "Ge profile from the growth of SiGe buried layers by molecular beam epitaxy", Appl. Phys. Lett., 1992, 61, 2217-2219.

74. Sunamura H., Fukatsu S., Usami N., and Shiraki Y., "Luminescence study on interdiffusion in strained Sii_xGex/Si single quantum wells grown by molecular beam epitaxy", Appl. Phys. Lett., 1993,63, 1651-1653.

75. Cowern N.E.B., Kersten W.J., de Kruif R.C.M., van Bercum, G.J.M., de Boer W.B., Gravesteijn D.J., and Bulle-Liewma C.W.T., "Interdiffusion mechanisms in coherently strained SiGe multilayers", Electrochem. Soc. Proc., 1996,96-4,195-209.

76. Kuo P., Hoyt J.L., Gibbons J.F., Turner J.E., Jacowitz R.D., and Kamins T.I., "Comparison of boron diffusion in Si and strained Sii_xGex epitaxial layers", Appl. Phys. Lett., 1993,62, 612-614.

77. Loechelt G.H., Tam G., Steele J.W., Knoch L.K., Klein K.M., Watanabe J.K., and Christiansen J.W., "Measurement and modeling of boron diffusion in Si and strained Sii_xGex epitaxial layers during rapid thermal

annealing", J. Appl. Phys., 1993,74, 5520-5526.

78. Kuo P., Hoyt J.L., Gibbons J.F., Turner J.E., and Lefforge D., "Effect on strain on boron diffusion in Si and strained Sii_xGex", Appl. Phys. Lett., 1995, 66, 580-582.

79. Kringhoj P., Larsen A.N., and Shiryaev S.Yu., "Diffusion of Sb in Strained and Relaxed Si and SiGe", Phys. Rev. Lett., 1996,76, 3372-3375.

80. Larsen A.N. and Kringhoj P., "Diffusion of Sb in relaxed Sii-xGex", Appl. Phys. Lett., 1986, 68, 2684-2686.

81. Bugiel E. and Zaumseil P., "Independent determination of composition and relaxation of partly pseudomorphically grown Si-Ge layers on silicon by a combination of standard x-ray diffraction and transmission electron microscopy measurements, Appl. Phys. Lett., 1993, 62, 2051-2053.

82. Zaumseil P., "In-situ x-ray measurements of relaxation processes in Sii_xGex layers", Phys. Stat. Sol. (a), 1993,140,421-427.

83. Timbrell P.Y., Baribeau J.-M., Lockwood D.J., and McCaffrey J.P., "An annealing study of strain relaxation and dislocation generation in Sii_xGex/Si heteroepitaxy", J. Appl. Phys., 1990, 67,6292-6300.

84. Fatemi M. and Stahlbush R.E., "X-ray rocking curve measurements of composition and strain in Si-Ge buffer layers grown on Si substrates", Appl. Phys. Lett., 1990,67, 825-827.

85. Bai G., Nicolet M.A., Chern C.H., and Wang K.L., "Metastable GeSi layers on Si(100)", J. Appl. Phys., 1994,75,4475-4481.

86. Stiffler S.R., Stanis C.L., Goorsky M., Chan K.K., and de Fresat E., "The role of dislocation-dislocation interaction in the relaxation of pseudomorphically strained semiconductors. II. Experiment-The high temperature relaxation of ultrahigh-vacuum chemical-vapor-deposited SiGe thin films", J. Appl. Phys., 1992, 71,4820-4825.

87. Dowsett M.G., Barlow R.D., Fox H.S., Kubiak R.A.A., and Collins R., "Secondary ion mass spectrometry profiling of boron, antimony, and germanium deltas in silicon and implications for profile deconvolution", J. Vac. Sci. Technol., 1992, BIO, 336-341.

88. Wright Jenkins M. " A new preferential etch for defects in silicon crystals",

J. Electrochem. Soc., 1977,124, 757-761.

89. Takagi S., J. Phys. Soc. Japan, 1969,26, 1239

90. LeGoues F.K., Meyerson B.S., and Morar J.F., "Mechanism and conditions for anomalous strain relaxation in graded thin films and superlattices", 1992, J. Appl. Phys., 71,4230-4243.

91. van Gorkum A.A., van de Walle G.F.A., van den Heuvel R.A., Gravestejn D.J., and Fredriksz C.W., "Performance and processing line integration of a silicon molecular beam epitaxy system", J. Cryst. Growth, 1990, 104, 207-219.

92. Аврутин B.C., Вяткин А.Ф., Матвеева Jl.A., Ходос И.И., "Эпитаксиальный рост буферных слоев SiGe с низкой плотностью дефектов", Микроэлектроник а, 1994, 23, 70-75.

93. Аврутин B.C., Вяткин А.Ф., Матвеева J1.A., Пустовит А.Н., "Релаксация псевдоморфных буферных слоев Sii_xGe х различной толщины", 1996, 25, 311-315.

94. Roos В., Richter Н., and Wollweber J., "Composition dependence of hardness and elastic modulus in Si-Ge measured by nanoindentation-possible consequence for elasto-plastic relaxation and diffusion", Solid State Phenomena, 1996,47-48, 509-515.

95. Yonenaga I. and Sumino K., "Mechanical strength of GeSi alloy", Appl. Phys. Lett., 1996,80, 3243-3245.

96. Lunin Yu.L., Orlov V.I., Dyachenko-Dekov D.V., Abrosimov N.V.,

Rossolenko S.N., and Schreder W., "Ge concentration effect on the dislocation mobility in the bulk SiGe alloy single crystals", Solid State Phenomena, 1997, 57-58, 419-424.

97. Tersoff J., "Dislocations and strain relief in compositionally graded layers",

Appl. Phys. Lett., 1993, 62, 693-695.

98. Jorke H., "Surface segregation of Sb on Si(100) during molecular beam epitaxy growth", Surf. Sci., 1988,193, 569-578.

99. Nakagawa K., Miyao M., and Shiraki Y., "Surface segregation of dopant atoms in silicon", Jpn. J. Appl. Phys., 1988,27, L2013-L2014.

100. Rozgonyi G.A. and Miller D.C., "X-ray characterization of stresses and defects in thin films and substrates", Thin Solid Films, 1976,31, 185-216.

101. Аврутин B.C., Барабаненков М.Ю., Вяткин А.Ф., Изюмская Н.Ф., Пустовит А.Н., "Ускоренная диффузия сурьмы в напряженных гетероэпитаксиальных кремний-германиевых транзисторных структурах", Материалы Всероссийского совещания, "Наноструктуры на основе кремния и германия", 1998, 147-150.

102. Avrutin V.S., Barabanenkov M.Yu., Izyumskaya N.F., Pustovit A.N., and Vyatkin A.F., "Antimonium redistribution in layered Si/Sio.85Geo.i5/Si<Sb>/Si(100) heterostructure with strained Sio.85Geo.15 layer", направлена в J. Appl. Phys.

103. Quick reference manual for silicon integrated circuit technology, eds. Beadle W.E., Tsai J.C.C., and Plummen R.D., NY: John Wiley @ Sons, 1985.