Релаксационные процессы и кристаллизация аморфных диэлектриков на основе Bi1.8Pb0.3Sr2Ca2Cu2,7K0,3Oz и PbTiO3 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Репников, Николай Иванович

• Репников, Николай Иванович
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Репников, Николай Иванович

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

ГЛАВА 1. СТРУКТУРА И СВОЙСТВА НЕКОТОРЫХ АМОРФНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ И ИХ

КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ АНАЛОГОВ (обзор).

1.1. Кристаллическая структура Bii^Pbo^Si^Ca^Ci^jKryOz.

1.2. Сегнетоэлектрические свойства некоторых аморфных материалов.

1.2.1. Аморфные материалы, полученные на основе полярных диэлектриков.

1.2.2. Сегнетоподобные свойства аморфного Bib8Pbo.3Sr2Ca2Cu3.xKA (х=0.1- 0.4).

1.2.3. Модели возникновения сегнетоэлектрического состояния в аморфных материалах.

1.3. Структурная релаксация.!.

1.3.1. Изменение электрических свойств, вызванных структурной релаксацией.

1.3.2. Изменение избыточного объема при структурной релаксации.

1.3.3. Изменение вязкости, обусловленное структурной релаксацией.

1.3.4. Связь внутреннего трения со структурной релаксацией в металлических стеклах.

1.4. Высокотемпературная диэлектрическая релаксация.

1.5. Кристаллизация аморфных материалов.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ И ПОЛУЧЕНИЕ ОБРАЗЦОВ.

2.1. Получение образцов.66.

2.2. Обоснование выбора методик исследования.

2.3. Блок - схемы измерительных установок.

2.3.1. Установка для проведения дифференциального термического анализа.

2.3.2. Установка для исследования диэлектрической нелинейности.

2.3.3. Установка для изучения электрических и диэлектрических параметров.

2.3.4. Установка для комплексных исследований инфранизкочастотных механических свойств твердых тел.

ГЛАВА 3. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА АМОРФНОГО МАТЕРИАЛА

Bi1.8Pbo.3Sr2Ca2Cu3.xKA (х=0.1 - 0.5).

3.1. Высокотемпературная диэлектрическая релаксация аморфного материала Bii.8Pb0.3Sr2Ca2Cu2j7Ko;30z.

3.2. Диэлектрический и электрический шум.

3.3. Поляризационные исследования аморфного материала Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu2>7Ko;30z.

3.3.1. Изучение реверсивной нелинейности.

3.3.2. Петля диэлектрического гистерезиса Р(Е) в аморфном материале Bii.8Pb0.3Sr2Ca2Cu2)7Ko;30z.

ГЛАВА 4. СТРУКТУРНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В АМОРФНОМ

МАТЕРИАЛЕ Bi1.8Pbo.3Sr2Ca2Cu3jKo,3Oz.

ГЛАВА 5. КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ АМОРФНЫХ МАТЕРИАЛОВ Bi1.gPbo.3Sr2Ca2Cu2J7KoI30z И РЬТЮ3.

5.1. Кристаллизация в изотермических условиях.

5.2. Кристаллизация в неизотермических условиях.

5.2.1. Кристаллизация аморфного материала Bi1.8Pbo.3Sr2Ca2Cu2>7Ko>30z.

5.2.2. Кристаллизация аморфного материала PbTi03.

5.3. Свойства Bii.8Pb0.3Sr2Ca2Cu2;7Ko,30z кристаллизованного из аморфного состояния.

5.3.1. Структурные исследования.

5.3.2. Измерение внутреннего трения и упругого модуля.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Релаксационные процессы и кристаллизация аморфных диэлектриков на основе Bi1.8Pb0.3Sr2Ca2Cu2,7K0,3Oz и PbTiO3»

Актуальность темы. Исследование неупорядоченных твердых тел стало в последние годы одним из активно развивающихся направлений в физике твердого тела вообще и в физике полярных диэлектриков в частности. Интерес к таким исследованиям обусловлен, прежде всего, новизной проблемы, а также тем, что многие неупорядоченные материалы обладают уникальными физическими свойствами, которые могут найти применение в современной технике. Особое место среди неупорядоченных материалов принадлежит аморфным диэлектрикам, физические процессы в которых оказались настолько сложными, что до сих пор большая часть вопросов о закономерностях образования, механизмах стеклования и кристаллизации, о влиянии дефектов на процессы долговременной релаксации метастабильных состояний, о характере изменения топологического и химического ближнего порядка в процессе структурной релаксации остается открытой. Несмотря на достаточно большое количество работ по исследованию аморфных диэлектриков, выполненных в разных научных центрах, отсутствуют надежные экспериментальные доказательства наличия в них сегнетоэлектрических свойств и не решен принципиально важный вопрос о возможности возникновения спонтанно поляризованного состояния в объемных аморфных образцах.

В связи с этим изучение механизмов низкочастотной диэлектрической и механической релаксации, процессов перехода из аморфного в кристаллическое состояние, поляризационных эффектов и других явлений, происходящих в структурно-неустойчивых системах, которые представляют собой аморфные диэлектрики, несомненно, является актуальной задачей.

Тематика данной диссертации соответствует "Перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований", утвержденному Президиумом РАН (раздел 1.2 - "Физика конденсированного состояния вещества"). Выполненная работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре физики твердого тела Воронежского государственного технического университета по госбюджетной теме НИР № ГБ 04.23 "Синтез, структура и свойства перспективных материалов электронной техники", а также по грантам РФФИ №01-02-16097, №04-02-16418, №05-02-96408, Минобразования РФ №202.03.02.038, УР.01.01.016 и Американского фонда гражданских исследований и разработок (CRDF) проект VZ-010 «Нелинейные волны в неоднородных гетерогенных средах».

Цель работы. Основной целью настоящей работы являлось проведение экспериментальных исследований диэлектрических, электрических и поляризационных свойств; процесса структурной релаксации аморфного Bii.gPbo.3Sr2Ca2Cu2j7Koj30z в широком интервале температур и частот, а также изучение процесса кристаллизации аморфных В^.вРЬо^ГгСагСи^Ко^Ог и РЬТЮз как в изотермических, так и неизотермических условиях.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие основные задачи:

1. Исследовать диэлектрические свойства аморфного материала на основе Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu3xKxOz (х=0 - 0.5) в широком интервале частот при температурах от комнатной до 600 К.

2. Изучить зависимости диэлектрической проницаемости от напряженности постоянного электрического поля и зависимости поляризации от напряженности переменного электрического поля.

3. С помощью диэлектрических измерений провести исследование процесса структурной релаксации методом изотермических отжигов при температурах, близких к температуре стеклования аморфного материала

Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu2,7Ko>3Oz.

4. Используя измерения электропроводности и сигнала ДТА, изучить процесс кристаллизации аморфных образцов на основе Вii.gPbo.3ЗггСагСи^К^зOz и PbTi03 как в изотермических, так и неизотермических условиях.

5. Исследовать температурные зависимости внутреннего трения Q"1 и модуля упругости G образцов, кристаллизованных из аморфного состояния, и керамических образцов Bi^Pbo^S^Ca^u^KtyOz в интервале температур от 100 до 650 К.

Объект исследований. В качестве объекта исследований были выбраны аморфные материалы сложного состава на основе Bii.8Pb03Sr2Ca2Cu2j7Ko;30z и РЬТЮ3. Выбор таких материалов был обусловлен следующими причинами. Во-первых, один из материалов, PbTi03, в кристаллическом состоянии является модельным и хорошо изученным сегнетоэлектриком, а второй в отсутствие калия - высокотемпературным сверхпроводником, но в аморфном состоянии (по данным некоторых авторов) материал Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu3xKxOz (х=0.1 - 0.4) обладает сегнетоэлектрическими свойствами. Новые исследования позволят изучить возможность и условия возникновения сегнетоэлектри-чества в массивных аморфных образцах и провести сравнения со свойствами кристаллического материала. Во-вторых, оба аморфных материала можно получить по хорошо отработанной технологии в виде массивных образцов с воспроизводимыми свойствами и необходимого для исследований состава. В-третьих, кристаллические аналоги обоих аморфных материалов хорошо изучены, что может облегчить интерпретацию полученных в работе результатов и их сопоставление с данными других авторов.

Научная новизна. Основные результаты экспериментальных исследований аморфных материалов Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu3.xKxOz (х=0 - 0.5) и PbTi03 получены автором впервые и заключаются в следующем:

1. Установлена причина возникновения релаксационного пика на температурной зависимости диэлектрической проницаемости аморфного материала на основе

Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu3.xKxOz (х=0 - 0.5) при температуре вблизи 500 К, связанная с термоактивированным движением в структуре материала кислородных вакансий. При этом определяющую роль играют вакансии на поверхности образца в слое глубиной до 500 нм.

2. Исследованы электрический и 1/f диэлектрический шумы в аморфном Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu2)7Koj30z в области высокотемпературного пика диэлектрической проницаемости. Показано, что процесс диэлектрической релаксации в аморфном материале Bii.8Pbo3Sr2Ca2Cu2i7Ko;3C)z является близким к монорелаксационному.

3. Установлено, что структурная диэлектрическая релаксация вблизи температуры стеклования в аморфном материале Bii,8Pbo3Sr2Ca2Cu2j7Ko,30z может быть описана дробно-экспоненциальной функцией типа растянутой экспоненты Кольрауша с показателем степени (3=0,58-0,7.

4. На температурной зависимости внутреннего трения для свежеполученного аморфного РЬТЮз при температуре 470 °С, близкой к точке Кюри поликристаллического РЬТЮз, обнаружен пик, которому соответствует скачкообразное изменение модуля сдвига, характерное для структурного фазового перехода. Полученные результаты связываются с наличием областей полярной фазы в аморфном PbTi03.

5. Получено экспериментальное доказательство одинаковой природы механических потерь в керамическом материале и диэлектрических потерь в аморфном материале Bii.sPbojS^Ca^u^Ko^Oz, обусловленной термоактивированным движением кислородных вакансий.

6. В противоположность имеющимся в литературе сведениям о сегнето-электрических свойствах аморфного материала Bii.8Pb0.3Sr2Ca2Cu3.xKxOz (х=0.1 - 0.4) показано, что этот материал является линейным диэлектриком.

Практическая значимость. Полученные в работе новые результаты и установленные закономерности позволяют расширить имеющуюся научную информацию о свойствах неупорядоченных полярных диэлектриков и аморфных систем. Они могут быть использованы в лабораториях и научных центрах, занимающихся исследованиями структуры и свойств аморфных материалов, полученных закалкой расплава полярных диэлектриков.

Данные по изучению долговременной релаксации, установленные в работе условия проявления и параметры диэлектрической и механической релаксации метастабильных состояний могут быть использованы при разработке датчиков, а также элементов и устройств долговременной памяти в твердотельной электронике. Сделанные в работе оценки активационных параметров процесса структурной релаксации в исследуемом материале могут быть полезными исследователям, занимающимся изучением стабильности физических свойств аморфных материалов.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Обнаружение и объяснение релаксационного пика диэлектрической проницаемости вблизи 500 К в аморфном материале на основе Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu3-xKxOz (х=0 - 0.5).

2. Экспериментальное доказательство отсутствия сегнетоэлектрических свойств в аморфном Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu3.xKxOz (х=0 - 0.5).

3. Экспериментальные данные о структурной релаксации исследуемого материала.

4. Результаты сравнительного исследования процесса кристаллизации в изотермических условиях аморфных материалов на основе Bi1.8Pbo.3Sr2Ca2Cu2j7Ko!30z и PbTi03.

Апробация работы. Отдельные результаты и положения работы докладывались и обсуждались на 13 Международных, Всероссийских и других научных конференциях: Седьмой Всероссийской научной конференции студентов - физиков и молодых учёных "ВНКСФ - 7" (Санкт - Петербург, 2001), 5-ой научной молодежной школе по микро- и наносистемной технике (материалы, технологии, структуры и приборы) (Санкт-Петербург, 2002), Международной школе - семинаре "Нелинейные процессы в дизайне материалов"

Воронеж, 2002), Региональной конференции студентов и учащихся "Шаг в будущее" (Воронеж, 2002), Nato advanced research workshop on the disordered ferroelectrics (Киев, 2003), The 4-th international seminar on ferroelastics physics (Воронеж, 2003), V Международной конференции по действию электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов (Воронеж, 2003), Седьмом Международном симпозиуме «Порядок, беспорядок и свойства оксидов» (Сочи, 2004), XXI International conference on relaxation phenomena in solids (Воронеж, 2004), Международной конференции "Пьезотехника - 2005" (Азов, 2005), XVII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Пенза, 2005), International scientific-practical conference "Structural relaxation in solids" (Винница, 2006), 5 International Seminar on Ferroelastic Physics (Voronezh, 2006).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 16 научных работ, в том числе 3 статьи в изданиях, рекомендованных ВАК РФ.

Личный вклад автора. Все включенные в диссертацию результаты экспериментальных исследований получены лично автором или при его непосредственном участии. Написание статей и подготовка докладов на конференции автором были выполнены самостоятельно. Определение направления исследований, обсуждение экспериментальных результатов и подготовка работ к печати, а также формулировка выводов работы осуществлялись совместно с научным руководителем проф. С.А. Гридневым. Соавторы публикаций д.ф.-м.н. Коротков Л.Н. и к.ф.-м.н. Константинов С.А. принимали участие в содержательных дискуссиях по диссертации и разработке измерительных установок для проведения экспериментальных исследований диэлектрических и поляризационных свойств. Сотрудник Пензенского государственного университета Метальников A.M. проводил измерения частотных зависимостей е и tg5, а также исследование петель диэлектрического гистерезиса аморфного материала Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu2;7K0]30z.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 5 глав, перечня основных результатов и выводов, списка цитированной литературы из 119 наименований и содержит 172 страницы машинописного текста и 81 рисунок.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Репников, Николай Иванович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. На частотах 10"2-104 Гц изучены диэлектрические свойства аморфного материала Bii.8Pbo3Sr2Ca2Cu3xKxOz (х=0 - 0.5) в интервале температур от 293 до 600 К. Вблизи 500 К обнаружен релаксационный пик диэлектрической проницаемости, характеризующийся энергией активации U= 0.57 эВ и пре-дэкспоненциальным множителем То=6,9-10"п с. Анализ экспериментальных результатов показал, что процесс релаксации может быть качественно описан модифицированным уравнением Дебая, в котором учитывается электропроводность материала при высоких температурах и рассматривается тепловая дипольная поляризация, связанная с термоактивированным движением кислородных вакансий. Оценки показали, что движение вакансий происходит в поверхностном слое образцов толщиной порядка ~ 500 нм.

2. Экспериментальные исследования динамической гетерогенности в свежеполученных аморфных образцах Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu2;7Ko;30z посредством измерения электрического и 1/f диэлектрического шума показали, что высокотемпературная диэлектрическая релаксация вблизи температуры стеклования Tg является процессом, близким к монорелаксационному, и связана с кинетикой кислородных вакансий.

3. Обнаружено и изучено влияние постоянного электрического поля Е=0-10 кВ/см на диэлектрическую проницаемость е аморфных образцов л

Bii,8Pbo.3Sr2Ca2Cu257Ko;30z. Уменьшение е с ростом поля Де~Е хорошо описывается в рамках термодинамической теории, рассматривающей насыщение индуцированной поляризации в сильном электрическом поле.

4. При использовании предварительного высокотемпературного отжига (при T>Tg) аморфных образцов Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu2j7K0j30z разделены вклады в изотермическую диэлектрическую релаксацию от кинетики кислородных вакансий и структурной релаксации метастабильных состояний. Установлено, что временные зависимости е при структурной релаксации вблизи температуры стеклования достаточно хорошо описываются дробноэкспоненциальной функцией Кольрауша с показателем степени (3=0,58-0,7. Процесс структурной релаксации является термически активированным с U=1 эВ и То=2,3-10"6 с. Уменьшение (3 при понижении температуры свидетельствует о переходе стекла в состояние, характеризующееся меньшей подвижностью структурных элементов. Полученные в эксперименте зависимости s(t) достаточно хорошо описываются механизмом релаксации напряжений в локальных областях аморфного материала.

5. Проведено сравнительное исследование процесса кристаллизации аморфных материалов Bi18Pbo.3Sr2Ca2Cii2;7Ko;30z и PbTi03 как в изотермических условиях, так и неизотермических условиях методом ДТА. Установлено, что, несмотря на разницу в химическом составе этих материалов, кристаллизация в изотермических условиях подчиняется термодинамическому формализму Колмогорова - Джонсона - Мэла - Аврами в предположении о росте зародышей фрактальной (дробной) размерности на начальной стадии процесса. Процесс кристаллизации обоих материалов проходит в две стадии, которые разделяются на быструю и медленную. Исходя из экспериментально определенных значений показателя степени п в уравнении Аврами, сделано заключение о том, что кристаллизация аморфного В^.вРЬо.зЗггСагСи^КозОг происходит в основном в результате роста заранее существующих (скрытых) зародышей, а кристаллизация аморфного PbTi03 происходит путем движения плоской межфазной границы через систему стопоров.

6. На основе изучения температурных зависимостей низкочастотного внутреннего трения Q"1 и модуля сдвига G для образцов Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu2!7Koj30z после кристаллизации из аморфного состояния и образцов, полученных по керамической технологии, установлено, что релаксационный пик на зависимости Q"'(T) вблизи 400 К в кристаллическом Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu2;7Ko;30z и релаксационный пик 8 вблизи 500 К в аморфном Bi18Pbo.3Sr2Ca2Cu2)7Ko:30z имеют одинаковую природу, связанную с кинетикой кислородных вакансий.

7. В результате экспериментального исследования низкочастотных упругих и неупругих свойств свежеполученного аморфного РЬТЮз установлено, что высокотемпературный пик Q"1 и скачек модуля сдвига G вблизи 470° С обусловлены структурным фазовым переходом в локальных областях полярной фазы, а релаксационный пик Q"1 вблизи 100° С связан с перезарядкой ловушек и экранированием спонтанной поляризации в этих локальных областях. Анализ результатов свидетельствует о том, что полученные закалкой расплава образцы не являются однородными образцами, а представляют собой гетерогенные структуры, состоящие из аморфной матрицы и кристаллических полярных включений.

8. С помощью схемы Сойера-Тауэра получены петли диэлектрического гистерезиса Р(Е) на частоте 10 Гц при амплитудных значениях поля от 0 до 2 кВ/см для свежеполученного аморфного образца Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu2;7Ko;30z. Обнаружено, что при всех значениях поля петли Р(Е) имеют вид эллипсов, а зависимость Ртах от Етах является линейной, т.е. изученный материал не обладает сегнетоэлектрическими свойствами.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Репников, Николай Иванович, 2006 год

1. Koyama S., Endo U. and Kawai T.Preparation of single 110 К phase of the Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-0 superconductor // Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V. 27. № 10. P. L1861-L1863.

2. Высокотемпературная сверхпроводимость. Фундаментальные и прикладные исследования. Сб. науч. Статей / под редакцией Киселевой А.А.: Ленинград. "Машиностроение". Вып. 1. 1990. .с.

3. Кнотько А.В, Гаршев А.В., Пулькин М.Н., Путляев В.И., Морозов С.И. Связь динамики атомов кислорода и кинетики окисления твердых растворов на основе Bi2Sr2CaCu208 // ФТТ. 2004. Т. 46. № 3. С. 414-418.

4. Волков М.П., Мелех Б.Т., Бахарев В.И., Картенко Н.Ф., Матыкин Н.В., Филин Ю.Н. Влияние легирования литием на критическую температуру и особенности стеклообразования системы Bi-Sr-Ca-Cu-О // ФТТ. 1999. Т. 41. № 1.С. 18-21.

5. Осипов В.Н., Зимкин И.Н., Турин В.Н., Носов Ю.Г. Влияние примеси РЬ в системе Bi-Sr-Ca-Cu-О на формирование кристаллов 2212, выращенных из раствора в расплаве КС1 с использованием предварительно синтезированных соединений (прекурсоров).

6. Glass A.M., Lines М.Е. Nassau К. and Shiever J.M. Anomalous dielectric behavior and reversible pyroelectricity in roller-quenched LiNbOs and LiTa03 glass // Appl. Phys. Let. 1977. V. 31. №4. P. 249-251.

7. Lines M.E. Microscopic model for a ferroelectric glass // Phys. Rev. B. 1977. V. 15. №1. P. 388-395.

8. Ayton G., Gingras M.J.P., Patey G.N. Ferroelectric and dipolar glass phases of noncrystalline systems // Phys. Rev. E. 1997. V. 56. №1. P. 562570.

9. Ayton G., Gingras M.J.P., Patey G.N. Orientational ordering in spatially disordered dipolar systems // Phys. Rev. Letters. 1995. V. 75. №12. P. 23602363.

10. Lines M.E. Theoretical derivation of possible dielectric anomalies in high-permittivity glasses // Phys. Rev. B. 1978. V. 17. P. 1984-1990.

11. Xu Yu. Cheng С.П. and Mackenzie J.D. Electrical characterizations of polycrystalline and amorphous thin films of Pb(ZrxTi.x)03 and BaTi03 prepared by sol-gel technique // J. of Non Cryst. Solids. 1994. V. 176. P. 1-17.

12. Xu Yu. and Mackenzie J.D. A theoretical explanation for ferroelectric-like properties of amorphous Pb(ZrxTi.x)03 and BaTi03 // J. of non Cryst. Solids 1999. V. 246. P. 136-149.

13. Xu Yu. and Mackenzie J.D. Ferroelectric thin films prepared by sol-gel processig//Integrated Ferroelectrics. 1992. V. l.P. 17-42.

14. Varma K.B.R., Harshavardhan K.S., Rao K.J. and Rao C.N.R. Ferroelectric-like dielectric anomaly in RF-sputtered amorphous LiNb03 films // Mat. Res. Bui. 1985. V. 20. P. 315-320.

15. Kitabatake M., Mitsuyu T. and Wasa K. Structure and dielectric properties of amorphous LiNb03 thin films prepared by a sputtering deposition // J. Appl. Phys. 1984. V. 56. P. 1780-1784.

16. Kim S.H., Jang M.S., Chae B.G., Yang Y.S. A study of dielectric properties of amorphous ferroelectric LiNb03 // J. Korean Phys. Soc. 1998. V. 32. P. S807 -S810.

17. Kim S.H., Lee S.J., Kim J.P., Chae B.G., Yang Y.S. Jang M.S. Low-frequency dielectric dispersion and Raman spectroscopy of amorphous LiNb03 // J. of Korean Phys. Soc. 1998. V.32. P. S830 S833.

18. Kallaev C.N., Babaev A.A., Sadykov S.A. and Safaraliev G.K., Forzilaev R.M. Features of dielectric properties and photoluminescence of glass SbSI // Ferroelectrics. 2004. V. 307. P. 187.

19. Srinivasan M.R., Ayyub P., Multani M.S., Palkar V.R. and Vijayaragha-van R. Ferroelectric phase transition in amorphous Pb(Zr0.5iTi0.49)O3 // Phys. Letters. 1984. V. 101A. № 8. P. 435 438.

20. Lee S.W., Shim K.B., Auh K.H. and Knott P. Ferroelectric anomaly in the different thermal analysis of PbTi03 glass // Material Letters. 1999. V. 38. P. 356-359.

21. Смансевская Е.Г., Фельдман Н.Б. Пьезоэлектрическая керамика. М.: Сов. Радио. 1971. 199 с.

22. Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл: титанат бария. М.: Наука. 1974. 296 с.

23. Nakamura Т., Takashige М., Terauchi Н., Miura Yu., Lawless W.N. The structural, dielectric, Raman-spectral and low temperature properties of amorphous PbTi03 // Jap. J Appl. Phys. 1984. V. 23. № 10. P. 1265-1273.

24. Коротков JI.H., Гриднев C.A., Ходоров A.A., Константинов C.A., Бондарев А.В. Диэлектрический отклик в титанате свинца в процессе перехода от аморфного состояния к кристаллическому // Изв. РАН. Сер. физ. 2002. Т. 66. №. 6. С. 834 838.

25. Takashige М. and Nakamura Т. Dielectric properties of amorphous РЬТЮ3 // J- Phys. Soc . Jap. 1980. V. 49. Suppl. В. P.143.

26. Nakamura T. and Takashige M. Raman scattering studies of crystallization process from amorphous PbTi03 // J. Phys. Soc. Jap. 1980. V. 49. Suppl. B. P.38.

27. Bahgat A.A. and Kamel T.M. Possible observation of a glassy ferroelectric: BiK8Pb0.3Sr2Ca2Cu2.gK0.2Oz // Phys. Rev. B. 2000. V. 63. P. 1210112104.

28. Bahgat A.A. and Kamel T.M. Study of ferroelectricity in glassy Bi.8Pbo.3Sr2Ca2Cu3.xKxOz (x=0.1- 0.4) //Ferroelectrics. 2002. V. 271. P. 3944.

29. Лихачев B.A., Шудегов B.E. Принципы организации аморфных структур. Изд. С.- Петербургского университета. 1999. 288 с.

30. Mukherjee S., Chaudhuri В.К. and Sakata Н. Comment on "Possible observation of a glassy ferroelectric: Bi1.8Pbo.3Sr2Ca2Cu2.8Ko.2O2" // Phys. Rev. B. 2003. V. 68. P. 016101-016104.

31. Bahgat A.A. On the ferroelectricity of Bi-cuprate glass doped with К ions // Phys. Stat. Sol .(a). 2003. V. 200. №1. P. R1-R4.

32. Золотухин И.В., Косилов A.T., Хоник В.А., Рябцева Т.Н., Лукин А.А., Прокошина Г.Ф. Релаксация напряжений в металлическом стекле Ni60Nb40 // ФТТ. 1990. Т. 32. № 5. С. 1378-1384.

33. Косилов А.Т., Хоник В.А., Рябцева Т.Н. Нормальная и аномальная релаксация напряжений в металлических стеклах // Металлофизика. 1990. Т. 12. №3. С. 37-41.

34. Золотухин И.В, Косилов А.Т., Рябцева Т.Н., Хоник В.А. Внутренние напряжения в деформированном металлическом стекле Ni60Nb40 // Физика металлов и металловедение. 1990. №11. С. 175-179.

35. Золотухин И.В., Бармин Ю. В. Стабильность и процессы релаксации в металлических стеклах. М.: Металлургия. 1991. 158 с.

36. Золотухин И.В. Физические свойства аморфных металлических материалов. М.: Металлургия. 1986. 176 с.

37. Кобелев Н.П., Кольванов E.JL, Хоник В.А. Влияние деформационной и термической обработок на затухание и модуль сдвига в объемном металлическом стекле Zr-Cu-Ni-Al-Ti // ФТТ. 2005. Т. 47. № 4. С. 646-649.

38. Кобелев Н.П., Колыванов Е.Л., Хоник В.А. Температурные зависимости низкочастотного внутреннего трения и модуля сдвига в объемном аморфном сплаве // ФТТ. 2003. Т. 45. № 12. С. 2124-2130.

39. Кобелев Н.П., Колыванов Е.Л., Хоник В.А. Временные и амплитудные зависимости затухания и модуля сдвига при необратимой структурной релаксации объемного металлического стекла Zr-Cu-Ni-Al-Ti // ФТТ. 2005. Т. 47. № 3. С. 400-403.

40. Кобелев Н.П., Сойфер Я.М., Бродова И.Г., Манухин А.Н. Внутреннее трение и изменение модуля Юнга в сплаве Mg-Ni-Y, обусловленное переходом в нанокристаллическое состояние // ФТТ. 1999. Т. 41. № 4. С. 561-566.

41. Лаврентьев В.И. Структурные превращения ближнего порядка в аморфных металлических сплавах // ФТТ. 1998. Т. 40. № 3. С. 389-392.

42. Khonik V.A. Internal friction of metallic glasses: mechanisms and conditions of their realization // Journal de Physique IV. 1996. V 6. P. C8-591 -C8-600.

43. Виноградов А.Ю., Михайлов B.A., Хоник B.A. Акустическая эмиссия при гетерогенном и гомогенном пластическом течении металлического стекла// ФТТ. 1997. Т. 39. № 5. С. 885-888.

44. Виноградов А.Ю., Китагаева К., Хоник В.А. Кинетика структурной релаксации и закономерности пластического течения металлических стекол // ФТТ. 1999. Т. 41. № 12. С. 2167-2173.

45. Юдин В.В., Щеголева С.А., Писаренко Т.А. Кинетика процессов термической релаксации сеточных мезодефектов Со-№-Р-аморфных пленок в модели случайных потоков // ФТТ. 2001. Т. 43. № 11. С. 19911998.

46. Baranov A.I. Relaxor-like dielectric relaxation: Artifacts and intrinsic properties // Ferroelectrics. 2003. V. 285. P. 225-241.

47. Stumpe R. Electrical properties of surface layers of oxidic perovskites // Ferroelectrics. 1992. V. 131, №1-4. C. 155-162.

48. Schmidt V.H., Tu C.-S., Siny I.G., Dielectric and brillouin anomalies in anNai/2Bii/203 (NBT) relaxor ferroelectric crystal, 1994

49. Kang B.S., Choi S.K., Park C.H. Diffuse dielectric anomaly in perovskite type ferroelectric oxides in the temperature range of 400 700 °C // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. №3. C. 1904-1911.

50. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. Киев: Вища школа. 1980. 400 с.

51. Судзуки К. Аморфные металлы. М.: Металлургия. 1987. 328 с.

52. Хейванг В., Биркольц У. и др. Аморфные и поликристаллические полупроводники. М.: Мир. 1987. 160 с.

53. Бартенев Г. М., Сандитов Д. С. Релаксационные процессы в стеклообразных системах. Новосибирск: Наука. 1986. 235 с.

54. Любов Б.Я. Теория кристаллизации в больших объемах. М.: Наука. 1975.

55. Скрипов В.П. Спонтанная кристаллизация переохлажденных жидкостей. М.: Наука. 1984.

56. Александров Л.Н. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации ПП пленок. Новосибарск: Наука. 1985. 225 с.

57. Шкловский В.А., Кузьменко В.М. Взрывная кристаллизация аморфных веществ//УФН. 1989. Т. 157. Вып. 2. С. 311-338.

58. Бетехтин В.И., Кадомцев А.Г., Толочко О.В. Врожденная субмикро-пористость и кристаллизация аморфных сплавов // ФТТ. 2001. Т. 43. № 10. С. 1815-1820.

59. Кристиан Дж. У. Фазовые превращения / В книге Физическое металловедение Вып. 2. М.: Мир. 1968. С. 227.

60. Olemskoi A.I., Khomenko A.Y. and Koverda Y.P. Explosive crystallization mechanism of ultradisperse amorphous films // Physica A. 2000. V. 284. P. 79-96.

61. Абросимова Г.Е., Аронин A.C. Особенности фазового расслоения при нагреве аморфного сплава Fe9oZr.0 // ФТТ. 1998. Т. 40. № 10. С. 1769-1772.

62. Абросимова Г.Е., Аронин А.С., Гуров А.Ф., Зверькова И.И., Игнатьева Е.Ю. Фазовое расслоение и кристаллизация в аморфном сплаве Ni7oMo10P2o // ФТТ. 1998. Т. 40. № 9. С. 1577-1580.

63. Абросимова Г.Е., Аронин А.С., Гуров А.Ф., Кирьянов Ю.В. Молоканов В.В. Начальные стадии распада аморфной фазы в массивном металлическом стекле Zr-Cu-Ti // ФТТ. 1999. Т. 41. № 7. С. 1129-1133.

64. Manisha Saxena. A crystallization study of amorphous Tex(Bi2Se3)ix alloys with variation of the Se content // J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. V. 38. P. 460-463.

65. Dinghua Bao, Xi Yao, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani Crystallization and optical properties of sol-gel-derived PbTi03 thin films // J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. V. 38. P. 2141-2145.

66. Abd-Eltrahman M. I., Abu-Sehly A.A., Afify N. and Shuriet G. Crystallization kinetics of Ge17.5Te82.5 chalcogenide glass // Phys. Stat. Sol. (a). 2003. V. 198. № l.P. 49-55.

67. Lee S.W., Shim K.B., Auh K.H. and Knott P. Activation energy of crystal growth in PbTi03 glass using differential thermal analysis // J. of Non-Cryst. Solids. 1999. V. 248. P. 127-136.

68. Pei Q.X., Lu C. and Lee P.H. Crystallization of amorphous alloy during isothermal annealing: a molecular dynamics study // J. Phys. Condens. Matter. 2005. V. 17. P. 1493-1504.

69. Jiancheng Tang, Shandong Li, Xingyu Mao and Youwei Du Effect of electric field on the crystallization process of amorphous Fe86Zr7B6Cui alloy // J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. V. 38. P. 729-732.

70. Жарков C.M., Квеглис Л.И. Кристаллизация пленок железо-углерод, инициированная электронным пучком // ФТТ. 2004. Т. 46. № 5. С. 938944.

71. Коротков Л.Н., Константинов С.А., Бармин Ю.В., Бабкина И.В., Бондарев, А.В. Посметьев В.В., Кожухарь С.Н. Изменение структуры аморфного материала на основе титаната свинца при его кристаллизации // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 20. С. 22-28.

72. Сверхбыстрая закалка жидких сплавов: Сб. науч. трудов. Под ред. Германа Г. Пер. с англ. М.: Металлургия. 1986. 375 с.

73. Константинов С. А. Диэлектрические и электрические свойства аморфного материала на основе РЬТЮ3 // Дисс. к.ф.-м.н. Воронеж. 2001.118 с.

74. Веневцев Ю.Н., Политова Е.Д., Иванов С.А. Сегнето- и антисегне-тоэлектрики семейства титаната бария. М.: Химия. 1985. 256 с.

75. Окадзаки К. Технология керомических диэлектриков. Пер. с японского. М.: Энергия. 1976. 336 с.

76. Гриднев С.А. Техническая физика. Физика полярных диэлектриков: Учеб. пособие. Воронеж: Воронеж, гос. техн. ун-т, 2004. 263 с.

77. Гриднев С.А., Кудряш В.И., Шувалов JI.A. Петли механического гистерезиса в кристаллах KH3(Se03)2 // Изв. АН СССР. сер. физ. 1979. Т. 43. №8. С. 1718-1722.

78. Кудряш В.И. Инфранизкочастотная релаксация в чистых собственных сегнетоэластиках KH3(Se03)2 и KD3(Se03)2 // Дисс. к.ф.-м.н. Воронеж. ВПИ. 1981. 182 с.

79. Stumpe R., Wagner D. and Bauerly D. Effect of surface layers of oxidic perovskites on their electrical properties // Phys. Stat. Sol. (a). 1983. V. 75. P. 143.

80. Schmidt V.H. Random barrier height model for phase shifted conductivity in perovskites//Ferroelectrics. 1997. T. 199. C. 51-67.

81. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. М.: Высшая школа. 1985. 275 с.

82. Careri G., Consolini G., Kutnjak Z., Filipic C., and Levstik A. 1/f noise and dynamical heterogeneity in glasses // Phys. Rev E. 2001. V. 64. P. 052901(1-4).

83. Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. Основные свойства и применение в электронике. М.: Радио и связь. 1989. 288 с.

84. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. Киев: Вища школа. 1980. 400 с.

85. Gridnev S., Glazunov A., Tsotsorin A. Nonlinear dielectric response of relaxor PMN-PZT ceramics under dc electric field// Ferroelectrics. 2004. V. 307. P. 151-159.

86. Яффе Б., Кук У., Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика. М: Мир. 1974. 208 с.

87. Дудкевич В.П., Фесенко Е.Г. Физика сегиетоэлектрических пленок. Ростов-на-Дону: РГУ. 1979. 192 с.

88. Gridnev S.A., Repnikov N.I. Dielectric nonlinearity of the glassy material Bi1.8Pb0.3Sr2Ca2Cu2.7K0.3Oz // Phys. Stat. Sol. B. 2006. 243. № 1. P. R4-R6.

89. Гриднев С.А., Репников Н.И. Диэлектрическая нелинейность аморфного материала Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu3.xKxOz (х=0.2-0.3) // ФТТ. 2006. Т. 48. Вып. 6. С. 1093-1095.

90. Гриднев С.А., Репников Н.И. Диэлектрическая релаксация в аморфном материале Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu2)6Koj40z // XXI International conference on relaxation phenomena in solids, 5-8 October. 2004. Voronezh. P. 186.

91. Гриднев C.A., Репников Н.И. Диэлектрическая нелинейность аморфного материала Bii.8Pbo.3Sr2Ca2Cu3.xKxOz (х=0.3+0.4) // Тез. докл. 17 Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков, 26 июня 1 июля. 2005. Пенза. С. 233.

92. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела (Пер. с немецкого). М.: Мир. 1986. 556 с.

93. Золотухин И.В. Аморфные металлические сплавы // УФН. 1990. Т. 160. Вып. 9. С. 75-110.

94. Металлические стекла. Ионная структура, электронный перенос и кристаллизация / Под ред. Г.И. Гюнтеродта, Г. Бека. М.: Мир. 1983.

95. Фольнер М. Кинетика образования новой фазы. М.: Мир. 1986.

96. Тареев Б.М. Физика диэлектрических материалов. М.: Энергия. 1982.318с.

97. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник Н.Н., Пасынков Р.Е.,Соколов А.И., Юшин Н.К. Физика сегнетоэлектрических явлений. Л. :Наука. 1985.396с.

98. Trachenko К. A stress relaxation approach to glass transition // J. Phys. Condens. Matter. 2006. V. 18. P. L251-L258.

99. Гриднев С.А., Репников Н.И., Метальников A.M. Диэлектрическая релаксация в аморфном В^.зРЬо.зЗггСагСи^Ко^Ог// Тез.докл.

100. Greer A.L. Rapidly solidified alloys. New York: Marcel Dek Ket. 1993. 269 c.

101. Dimmler K., Parris M., Butler D., Eaton S., Pouligny В., Scott J.F., Isi-bashi Y. Switching kinetics in KNO3 ferroelectric thin-film memories // J. Appl. Phys. 1995. V. 61. № 12. P. 5467-5470.

102. Scott J.F., Kammerdiner L., Parris M., Traynor S., Ottenbacher V., Sha-wabkeh A., Oliver W.F. Switching kinetics of lead zirconate titanate submi-cron thin-film memories // J. Appl. Phys. 1998. V. 64. № 2. P. 787-792.

103. Шур В.Я. и др. Эволюция фрактальной поверхности аморфных пленок ЦТС при кристаллизации // ФТТ. 1999. Т.41. № 2. С. 306.

104. Isibashi Y., Takagi Y. Note on ferroelectric domain switching // J. Phys. Soc. Jap. 1971. V. 31. № 2. P. 506-510.

105. Глозман И.А. Пьезокерамика. M.: Энергия. 1972. 288 с.

106. Wang Y., Shen H., Zhu M. and Wu J. Elasticity study on lattice instability in Bi-Sr-Ca-Cu-0 // Solid State Commun. 1990. V. 76. № 11. P. 12731275.

107. Постников B.C. Внутреннее трение в металлах. М.: Металлургия. 1974.352 с.

108. Гриднев С. А., Константинов С. А., Репников Н. И. Кинетика кристаллизации аморфного материала на основе PbTi03 // Вестник ВГТУ. сер. Материеловедение. 2003. вып. 1.13. С. 28-31.

109. Гриднев С. А., Репников Н. И. Изучение процесса кристаллизации аморфного РЬТЮз // Известия РАН. сер. физ. 2004. Т. 68. № 7. С. 969972.

110. Gridnev S. A., Repnikov N. I. Kinetics of isothermal crystallization of amorphous PbTi03 // Ferroelectrics. 2004. Vol. 298. P. 107-112.

111. Гриднев С. А., Репников H. И. Изучение процесса кристаллизации аморфного материала на основе PbTi03 // Тез. докл. 5-й научной молодёжной школы "Микро и наносистемная техника (материалы, технологии, структуры и приборы)". С. - Петербург. 2002. С. 62.

112. Репников Н. И. Изучение процесса кристаллизации аморфного сег-нетоэлектрика PbTi03 // Тез. докл. междунар. школы-семинар "Нелинейные процессы в дизайне материалов". Воронеж. 2002. С. 86.

113. Gridnev S. A., Korotkov L. N. and Repnikov N. I. Kinetics of dielectric relaxation in amorphous PbTi03 // Abstr. of the workshop on the disordered ferroelectrics. Kiev. 2003. P. 87.

114. Gridnev S. A., Repnikov N. I. A study of crystallization process of amorphous PbTi03 by DTA method // Abstr. of the fourth international seminar on ferroelastics physics. Voronezh. 2003. P. 88.

115. Гриднев С. А., Коротков Jl. H., Константинов С. А., Репников Н. И. Дисперсия диэлектрической проницаемости аморфного РЬТЮЗ. // Тез. докл. Седьмой Всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых учёных. С.- Петербург. 2001.

116. Гриднев С.А, Репников Н.И., Малахов Г.А. // Тез. докл. 44-й научно—технической конференции профессорско-преподавательского состава, сотрудников, аспирантов и студентов, 8 апреля. 2004. Воронеж. С. 23.г