Реконструкции поверхности GaAs(001) и их влияние на морфологию слоёв при МЛЭ и вакуумном отжиге тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Васев, Андрей Васильевич

• Васев, Андрей Васильевич
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Васев, Андрей Васильевич

ОГЛАВЛЕНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА

ПОВЕРХНОСТЬ GaAs: РЕКОНСТРУКЦИОННЫЕ СОСТОЯНИЯ И ИХ РОЛЬ ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ И ВАКУУМНОМ ОТЖИГЕ.

1.1. Методики получения атомарно-чистой поверхности GaAs и их влияние на свойства сверхструктурных состояний.

1.1.1. Методики получения атомарно-чистой поверхности GaAs.

1.1.2. Влияние процедуры декеппинга на реконструкционные свойства эпитаксиальной поверхности GaAs.

1.1.3. Влияние процедуры химической обработки на свойства сверхструктурных состояний поверхности GaAs.

1.1.4. Влияние водорода на реконструкционные свойства эпитаксиальной поверхности GaAs

1.2. Реконструкционные состояния и стехиометрия поверхности GaAs.

1.2.1. Поверхность GaAs(OOl).

1.2.2. Поверхность GaAs(l 11)В.

1.3. Механизмы сверхструктурных преобразований с(4х4)с>.с>(4х2).

1.3.1. Переходы с(4х4)с>у(2х4)1=>р(2х4)'=>а(2х4), модель Т. Hashizume et al.

1.3.2. Переходы (2x4)^. ^(4x2), модель I. Chizhov et al.

1.4. Влияние реконструкционного состояния на свойства поверхности.

1.4.1. Реконструкция и оптические свойства.

1.4.2. Влияние реконструкции на параметры поверхностных процессов.

1.5. Выводы к главе 1.

ГЛАВА

МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ СВЕРХСТРУКТУРНЫХ ПЕРЕХОДОВ.

2.1. Экспериментальные установки.

2.1.1. Установка "Адам".

2.1.2. Установка "Штат".

2.2. Методы предварительной подготовки поверхности образцов.

2.2.1. Предварительная подготовка подложек GaAs.

2.2.2. Процедуры кеппинга и декеппинга.

2.3. Эллипсометрия.

2.3.1. Эллипсометрия, как метод исследования поверхности полупроводников.

2.3.2. Основные положения метода эллипсометрии.

2.3.3. Основное уравнение эллипсометрии для простейших моделей отражающих систем

2.3.4. Погрешности измерений относительного коэффициента отражения.

2.3.5. Экспериментальное определение параметров эллипсометрических окон.

2.3.6. Оценка величины случайной ошибки при эллипсометрических измерениях

2.3.7. Методика определения угла падения света на образец.

2.4. Дифракция быстрых электронов на отражение.

2.4.1. Дифракция быстрых электронов на отражение, как метод исследования поверхности полупроводников.

2.5. Методы ex situ исследований.

2.5.1. Атомно-силовая микроскопия.

2.6. Методики измерения температуры.

2.6.1. Процедура калибровки (установка "Адам").

2.6.2. Процедура калибровки (установка "Штат").

2.7. Определение плотности молекулярных потоков.

2.7.1. Определение плотности молекулярных потоков с помощью ионизационного манометрические преобразователи типа Баярда-Альперта.

2.7.2. Определение плотности молекулярных потоков и контроль стабильности работы молекулярного источника методом эллипсометрии.

2.8. Выводы к главе 2.

ГЛАВА

ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЕРЕХОДНЫХ РЕКОНСТРУКЦИОННЫХ СОСТОЯНИЙ ПОВЕРХНОСТИ GaAs.

3.1. Оптические и структурные свойства гомоэпитаксиальных слоев.

3.1.1. Условия и методы проведения исследований.

3.1.2. Поверхность GaAs(OOl).

3.1.3. Поверхность GaAs(lll)B.

3.1.4. Анализ эллипсометрических данных.

3.2. Выводы к главе 3.

ГЛАВА

ВЛИЯНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ РЕКОНСТРУКЦИОННЫХ СОСТОЯНИЙ НА КИНЕТИКУ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПРОЦЕССОВ.

4.1. Роль реконструкционных состояний в формировании рельефа поверхности GaAs при МЛЭ и вакуумном отжиге.

4.1.1. Условия и методы проведения исследований.

4.1.2. Природа ДБЭО-осцилляций в процессе МЛЭ.

4.1.3. Эволюция морфологии в процессе МЛЭ роста.

4.1.4. Эволюция морфологии во время отжига.

4.1.5. Анализ результатов и их сопоставление с литературными данными.

4.2. Выводы к главе 4.

ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Реконструкции поверхности GaAs(001) и их влияние на морфологию слоёв при МЛЭ и вакуумном отжиге»

Полупроводниковые устройства являются основными элементами приборной базы почти всех видов связи (космической, радиорелейной, сотовой, радиотелефонной) и навигации (управление потоками воздушных, морских и речных судов). Они определяют ключевые параметры большинства систем специального назначения — бортового навигационного оборудования, систем радиоэлектронного противодействия, радиометрических средств обнаружения, охранных комплексов. Значительная часть из вышеперечисленного, работая в ВЧ- и СВЧ- диапазонах, в своих приемных и передающих устройствах использует транзисторы, диоды, усилители, а также другие элементы, созданные на базе GaAs [1,2].

Получение полупроводниковых структур для СВЧ-приборов является сложной технологической задачей. Это связано с тем, что соответствующие структуры должны иметь высокую степень кристаллического совершенства и обладать хорошими электрофизическими свойствами. Как правило, приборные структуры состоят из множества слоев, толщина которых варьируется в диапазоне от нескольких нанометров до нескольких микрон. При этом состав и уровень легирования слоев должны быть точно выдержаны, а границы раздела сформированы максимально резкими и планарными. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) обладает уникальными возможностями для решения подобного рода задач [3,4].

Качество гетерограниц напрямую зависит от морфологии ростовой поверхности. Более того, в сложных многослойных гетеросистемах морфология способна наследоваться и аккумулироваться от слоя к слою. Эти процессы могут наблюдаться, уже начиная с исходной предэпитаксиальной поверхности. Как следствие, возникает целый ряд задач, связанный с "выглаживанием" исходной поверхности подложки и последующим улучшением ее морфологии в процессе эпитаксиального роста. Решая подобные задачи, необходимо учитывать не только температуру подложки и давление паров компонентов, но и кинетику происходящих на поверхности процессов. То есть, в рассмотрение должны быть включены адсорбция, десорбция и диффузия адатомов, а также их взаимодействие друг с другом и с особенностями рельефа. Характеристики перечисленных процессов, наряду с термодинамическими параметрами, определяются реконструкционным состоянием поверхности. Систематических исследований влияния реконструкционных состояний на морфологию поверхности, как во время роста, так и при вакуумном отжиге до сих пор не проводилось.

Подобные исследования могут быть осуществлены лишь при использовании in situ методов. Объединение возможностей одноволновой автоматической эллипсометрии (ОАЭ) и дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) в едином аналитическом комплексе позволяет решать такие задачи с максимальной эффективностью. Обладая высокой оперативностью и информативностью, эти неразрушающие методы несут информацию о стехиометрии, реконструкционном состоянии и морфологии поверхности в условиях МЛЭ роста и вакуумного отжига.

Цель диссертационной работы состояла в выявлении роли реконструкций поверхности GaAs(OOl) в формировании морфологии эпитаксиальных слоев при молекулярно-лучевой эпитаксии и вакуумном отжиге.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Постановка методик, позволяющих прецизионно определять и контролировать температуру подложки и плотности молекулярных потоков при МЛЭ и вакуумном отжиге.

2. Выявление методами ОАЭ и ДБЭО корреляции между изменениями оптических и структурных свойств поверхностей GaAs(OOl) при монотонном повышении температуры в условиях вакуумного отжига. Установление на базе комплекса ОАЭ и ДБЭО данных областей существования переходных реконструкций поверхности GaAs(OOl).

3. Построение модели, описывающей влияние реконструкции и морфологии ростовой поверхности на характер осцилляций интенсивности зеркального рефлекса картины ДБЭО в процессе МЛЭ. Разработка на базе построенной модели методики in situ контроля характера морфологических изменений ростовой поверхности GaAs(OOl).

4. Проведение, на базе разработанных методик, исследования влияния температуры подложки и плотности потока мышьяка на характер морфологических изменений, происходящих на поверхности GaAs(OOl) при МЛЭ и вакуумном отжиге. Выявление роли переходных реконструкций в формировании морфологии поверхности. Определение условий получения структурно-совершенной поверхности GaAs(OOl).

На защиту выносятся следующие основные научные положения:

1. Изменение поляризационных свойств поверхности GaAs(OOl), наблюдаемое методом од-новолновой эллипсометрии в процессе сверхструктурных переходов, обусловлено эволюцией диэлектрических свойств реконструированного слоя в направлении перпендикулярном поверхности.

2. При молекулярно-лучевой эпитаксии слоев GaAs(OOl) в температурном диапазоне 550-ь650°С реконструкция ростовой поверхности задает характер развития морфологии эпи-таксиального слоя. Рост в условиях существования реконструкции (2x4) характеризуется формированием трехмерного рельефа, а в условиях (3x1) — образованием упорядоченной системы монослойных ступеней.

3. Реконструкция поверхности GaAs(OOl) определяет скорость морфологических изменений, происходящих на ней в процессе вакуумного отжига. Эффективность процедуры выглаживания в процессе отжига скачкообразно повышается при переходе границы между реконструкциями (2Х4) и (3x1).

Научная новизна работы:

1. Показано, что в процессе сверхструктурных переходов эволюция ортогональной компоненты £■„ тензора диэлектрической функции реконструированного слоя сопровождается оптическим откликом SA, превышающим аналогичный отклик для латеральных компонент s^ и s более чем на порядок.

2. Обнаружено, что наиболее интенсивным оптическим откликом характеризуется появление на поверхности переходных As-обедненных реконструкционных состояний.

3. Построена статическая фазовая диаграмма переходных сверхструктурных состояний (3x1), (1x6), (1x1) и (4x6) для поверхности GaAs(OOl). Определены активационные энергии переходов (2х4)^>(Зх1)Ф(1х6)^>(1х1)^(4х6) при ВЕР(As4) > 2.3х10"8 Торр: 3.3, 3.3, 4.0 и 4.1 эВ, соответственно.

4. Установлена связь сверхструктурного состояния ростовой поверхности GaAs(OOl) с характером морфологических изменений при МЛЭ в диапазоне температур 550-И550°С.

• Показано, что рост в условиях существования реконструкции (2x4) приводит к формированию 3D рельефа, образованного неупорядоченно расположенными террасами и отдельными островками. Определена активационная энергия 1.1 ± 0.3 эВ процесса, отвечающего за развитие рельефа при МЛЭ GaAs(001)-(2x4).

• Переход к эпитаксии в условиях существования реконструкции (3x1) ведет к исчезновению островков и появлению упорядоченной системы монослойных ступеней.

5. При температуре роста ниже 550°С поверхность GaAs(OOl) характеризуется ярко выраженной анизотропией рельефа. Показано, что переход от реконструкции (2x4) к (3x1) на ростовой поверхности сопровождается изменением ориентации выделенного направления рельефа на 90°. При эпитаксии на границе этого перехода рельеф поверхности изотропен.

6. При температуре выше 650°С влияние реконструкции на формирование морфологических свойств ростовой поверхности слабо выражено.

7. Установлено влияние сверхструктурного состояния поверхности GaAs(OOl) на характер морфологических изменений, происходящих на ней в процессе вакуумного отжига. Показано, что эффективность процедуры отжига с целью выглаживания поверхности скачкообразно повышается при переходе границы между реконструкциями (2x4) и (3x1).

Практическая значимость работы

1. Показано, что метод ОАЭ позволяет регистрировать начало сверхструктурных переходов на поверхности GaAs(OOl) с прецизионной точностью. Продемонстрирована более высокая чувствительность этого метода в сравнении с ДБЭО, особенно при регистрации переходов между переходными реконструкциями.

2. На базе метода ДБЭО разработана и апробирована методика in situ контроля направления и интенсивности морфологических изменений, происходящих на поверхности эпитаксиаль-ных слоев GaAs(OOl) в процессе МЛЭ.

3. Определена область условий роста GaAs(OOl), эпитаксия при которых позволяет получать слои, характеризующиеся высокой степенью структурного совершенства поверхности.

4. Полученные в работе результаты могут быть использованы для усовершенствования технологии роста полупроводниковых гетероструктур с целью повышения структурного совершенства гетерограниц и активных поверхностей.

Диссертация содержит 148 страниц текста, 75 рисунков, 2 таблицы, 2 приложения на 11 страницах и 401 ссылку на литературные источники.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Васев, Андрей Васильевич

Основные результаты исследований, приведенные в данной диссертации, опубликованы в статьях [400], [357], [341], [342], [274], [368], [367], [273], [366], [365] и апробированы на: Sixth International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials &-Technologies, (EXMATEC 2002) (26-29 May, 2002, Budapest, Hungary) [355].

- VIII Российской Конференции "Арсенид Галлия и Полупроводниковые Соединения Группы III-V" (GaAs - 2002) (1-4 октября, 2002, Томск, Россия) [345].

- Fifth International Conference Single Crystal Growth and Heat & Mass Transfer (ICSC-03) (2226 September, 2003, Obninsk, Russia) [346].

- VI Российской Конференции по Физике Полупроводников "ПОЛУПРОВОДНИКИ-2003" (27-31 октября, 2003, Санкт-Петербург) [356].

- VII Российской Конференции по Физике Полупроводников "ПОЛУПРОВОДНИКИ -2005" (18-23 сентября, 2005, Москва, Россия) [358].

- IX Российской Конференции "Арсенид Галлия и Полупроводниковые Соединения Группы III-V" (GaAs - 2006) (3-5 октября, 2006, Томск, Россия) [362], [359].

- VIII Российской Конференции по Физике Полупроводников "ПОЛУПРОВОДНИКИ -2007" (30 сентября - 5 октября, 2007, Екатеринбург, Россия) [363], [364], [401].

Диссертационная работа выполнена в Институте физики полупроводников СО РАН. При реализации исследований в рамках данной диссертационной работы в научных изысканиях принимали участие сотрудники ИФП СО РАН и других организаций. Выращивание эпитаксиальных структур и исследование процессов роста методом ДБЭО проводилось совместно с сотрудниками ИФП СО РАН к.ф.-м.н. В.В. Преображенским, к.ф.-м.н. М.А. Путято и к.ф.-м.н. Б.Р. Семягиным. Исследование выращенных структур ex situ проводилось: к.ф.-м.н. Д.В. Щеглов и к.ф.-м.н. В. А. Селезнев - измерения методом АСМ; Д.В. Гуляев — спектры низкотемпературной ФЛ.

Личный вклад автора состоит в:

- модернизации СВВ исследовательского комплекса "Адам"; отработке методик эллипсометрического контроля параметров исследуемой системы (угла падения эллипсометрического луча, температуры подложки, плотности потока As);

- создании модели, описывающей процесс осцилляций ИЗР ДБЭО при МЛЭ росте;

- получении, обработке и интерпретации всех экспериментальных результатов, представленных в данной работе;

Автор выражает благодарность научным руководителям к.ф.-м.н. С.И. Чикичеву и к.ф.-м.н. В.В. Преображенскому, а так же к.ф.-м.н. М.А. Путято за организационную поддержку в выполнении данной работы и плодотворное обсуждение основных результатов, к.ф.-м.н. Б.Р. Семягину и Л.Г. Окороковой за техническую поддержку при проведении экспериментов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Васев, Андрей Васильевич, 2009 год

1. GaAs FET principles and technology, Edited by Dilorenzo J.V., Khandelwal D.D. -Dedham: Artech House, 1982. 787 P.

2. Shur M.S. GaAs devices and circuits 1 edition - New York: Plenum Press, 1986, 684 P.

3. The technology and physics of molecular beam epitaxy, Edited by Parker E.H.C. New York: Plenum Press, 1985. - 706 P.

4. Molecular beam epitaxy and heterostructures, Edited by Chang L.L., Ploog K.H. -Dordrecht: Martinus Nijhoff, 1985. 719 P.

5. Schoolar R.B., Zemel J.N. Preparation of single crystal films of PbS // J. Appl. Phys. 1964. -V. 35.-P. 1848-1851.

6. Davey J.E., Pankey T. Epitaxial GaAs films deposited by vacuum evaporation // J. Appl. Phys. 1968. - V. 39. - P. 1941-1948.

7. Vasquez R.P., Lewis B.F., Grunthaner F.J. Cleaning chemistry of GaAs(lOO) and InSb(lOO) substrates for molecular beam epitaxy // J. Vac. Sci. Technol. В 1983. - V. 1. -P. 791-794.

8. Галицин Ю.Г., Мансуров В.Г., Пошевнев В.И., Терехов А.С., Окорокова Л.Г. Остаточные углеродные загрязнения на поверхности GaAs, обработанной в спиртовых растворах НС1 // Поверхность 1989. - Т. 4. - стр. 147-150.

9. Saletes A., Massies J., Contour J.P. Residual carbon and oxigen surface contamination of chemically etched GaAs(OOl) substrates // Jpn. J. Appl. Phys. 1986. - V. 25. - P. L48-L51.

10. Галицин Ю.Г., Мансуров В.Г., Пошевнев В.И., Терехов А.С. Пассивация поверхности GaAs(OOl) в спиртовых растворах НС1 // Поверхность 1989. - Т. 10. - стр. 140-142.

11. Yamada М., Ide Y., Tone К. Effect of atomic hydrogen on GaAs(OOl) surface oxide studied by temperature-programmed desorption // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. - V. 31. - P. LI 157-L1160.

12. Kikawa Т., Ochiai I., Takatani S. Atomic hydrogen cleaning of GaAs and InP surfaces studied by photoemission spectroscopy// Surf. Sci. 1994. - V. 316. - P. 238-246.

13. Yamada M. GaOH: unstable species liberated from GaAs surface oxides during atomic hydrogen cleaning // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. - V. 35. - P. L651-L653.

14. Petit E.J., Houzay F., Moison J.M. Interaction of atomic hydrogen with native oxides on InP(100) // Surf. Sci. 1992. - V. 269-270. - P. 902-908.

15. Chang C.L., Shutthanandan V., Singhal S.C., Ramanathan S. In situ ion scattering and X-ray photoelectron spectroscopy studies of stability and nanoscale oxidation of single crystal InAs(OOl) // Appl. Phys. Lett. 2007. - V. 90. - P. 203109-3.

16. Sugaya Т., Kawabe M. Low temperature cleaning of GaAs substrate by atomic hydrogen irradiation // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. - V. 30. - P. L402-L404.

17. Petit E.J., Houzay F. Optimal surface cleaning of GaAs(OOl) with atomic hydrogen // J. Vac. Sci. Technol. В 1994. - V. 12. - P. 547-550.

18. Ritchie S., Johnson S.R., Lavoie C., Mackenzie J.A., Tiedje Т., Streater R. Semiconductor substrate cleaning and surface morphology in molecular beam epitaxy // Surf. Sci. 1997. -V. 374.-P. 418-426.

19. Khatiri A., Ripalda J.M., Krzyzewski T.J., Bell G.R., McConville C.F., Jones T.S. Atomic hydrogen cleaning of GaAs(OOl): A scanning tunnelling microscopy study // Surf. Sci. -2004.-V. 548.-P. L1-L6.

20. Chun Y.J., Sugaya Т., Okada Y., Kawabe M. Low temperature surface cleaning of InP by irradiation of atomic hydrogen // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. - V. 32. - P. L287-L289.

21. Jones N., Norris C., Nicklin C.L., Steadman P., Taylor J.S.G., McConville C.F., Johnson A.D. An X-ray diffraction study of oxide removal from InSb(OOl) substrates // Appl. Surf. Sci. 1998. - V. 123-124. - P. 141-145.

22. Tessler R., Saguy C., Klin O., Greenberg S., Weiss E., Akhvlediani R., Edrei R., Hoffman A. Oxide-free InSb(lOO) surfaces by molecular hydrogen cleaning // Appl. Phys. Lett. -2006.-V. 88.-P. 031918-3.

23. Bell G.R., Kaijaks N.S., Dixon R.J., McConville C.F. Atomic hydrogen cleaning of polar III-V semiconductor surfaces // Surf. Sci. 1998. - V. 401. - P. 125-137.

24. Veal T.D., McConville C.F. Controlled oxide removal for the preparation of damage-free InAs(l 10) surfaces // Appl. Phys. Lett. 2000. - V. 77. - P. 1665-1667.

25. Bell G.R., McConville C.F. Atomic hydrogen cleaning of GaSb(OOl) surfaces // Appl. Phys. Lett. 1996. - V. 69. - P. 2695-2697.

26. Veal T.D., Lowe M.J., McConville C.F. HREELS and photoemission study of GaSb(OOl)-(1x3) surfaces prepared by optimal atomic hydrogen cleaning // Surf. Sci. 2002. - V. 499. -P. 251-260.

27. Munoz-Yague A., Piqueras J., Fabre N. Preparation of carbon-free GaAs surfaces: AES and RHEED analysis // J. Electrochem. Soc. 1981. -V. 128. - P. 149-153.

28. Rouleau C.M., Park R.M. GaAs substrate cleaning for epitaxy using a remotely generated atomic hydrogen beam // J. Appl. Phys. 1993. - V. 73. - P. 4610-4613.

29. Guillen-Cervantes A., Rivera-Alvarez Z., Lopez-Lopez M., Lopez-Luna E., Hernandez-Calderon I. GaAs surface oxide desorption by annealing in ultra high vacuum // Thin Solid Films 2000. - V. 373. - P. 159-163.

30. Asaoka Y. Desorption process of GaAs surface native oxide controlled by direct Ga-beam irradiation // J. Crystal Growth 2003. - V. 251. - P. 40-45.

31. Averbeck R., Riechert H., Schlotterer H., Weimann G. Oxide desorption from InP under stabilizing pressures of P2 or As4 // Appl. Phys. Lett. 1991. - V. 59. - P. 1732-1734.

32. Klem J.F., Tsao J.Y., Reno J.L., Dayte A., Chadda S. Thermal desorption of InSb surface oxides // J. Vac. Sci. Technol. A 1991. - V. 9. - P. 2996-2998.

33. Liu W.K., Santos M.B. Characterization of oxide desorption from InSb(OOl) substrates // J. Vac. Sci. Tcchnol. В 1996. - V. 14. - P. 647-651.

34. Schafer M., Naumann W., Finnberg Т., Hannss M., Dutschke A., Anton R. UV/ozone-activated growth of oxide layers on InAs(OOl) surfaces and oxide desorption under arsenic pressure // Appl. Surf. Sci. 2000. - V. 158. - P. 147-158.

35. Farrow R.F.C. The evaporation of InP under Knudsen (equilibrium) and Langmuir (free) evaporation conditions // J. Phys. D 1974. -УЛ.- P. 2436-2448.

36. Riesz F., Dobos L., Vignali C., Pelosi C. Thermal decomposition of InP surfaces: volatile component loss, morphological changes and pattern formation //Mat. Sci. Engin. В 2001. -V. 80. - P. 54-59.

37. Yano M., Yokose H., Iwai Y., Inoue M. Surface reaction of III-V compound semiconductors irradiated by As and Sb molecular beams // J. Crystal Growth 1991. - V. 111. - P. 609613.

38. Crossley A., Sofield C.J., Sugden S., Clampitt R., Bradley C. In-situ low temperature cleaning of silicon surfaces using hydrogen atoms // Vacuum 1995. - V. 46. - P. 667-672.

39. Luo Y., Slater D.A., Jr. Osgood R.M. Low-damage processing of CdTe(l 10) surfaces using atomic hydrogen // Appl. Phys. Lett. 1995. - V. 67. - P. 55-57.

40. Luo Y., Slater D.A., Levy M., Jr. Osgood R.M. Chemical preparation of CdTe(100) and (110) surfaces using atomic hydrogen // Appl. Surf. Sci. 1996. - V. 104-105. - P. 49-56.

41. O'keeffe P., Komuro S., Den S., Morikawa Т., Aoyagi Y. Development and applications of a compact electron cyclotron resonance source // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. - V. 30. - P. 31643168.

42. Yoshida Y., Ito K., Okazaki Y., Mitsuyu Т., Mizuguchi S.-I. Development and application of a nozzle-beam-type microwave radical source // Rev. Sci. Instrum. 1995. - V. 66. - P. 1015-1017.

43. Schlemm H., Fritzsche M., Roth D. Linear radio frequency plasma sources for large scale industrial applications in photovoltaics // Surf. Coat. Technol. 2005. - V. 200. - P. 958-961.

44. Takamori A., Sugata S., Asakawa K., Miyauchi E., Hashimoto H. Cleaning of MBE GaAs substrates by hydrogen radical beam irradiation // Jpn. J. Appl. Phys. 1987. - V. 26. - P. L142-L144.

45. Sugata S., Takamori A., Takado N., Asakawa K., Miyauchi E., Hashimoto H. GaAs cleaning with a hydrogen radical beam gun in an ultrahigh-vacuum system // J. Vac. Sci. Technol. B- 1988.-V. 6.-P. 1087-1091.

46. Kondo N., Nanishi Y. Low temperature surface cleaningof GaAs by electron cyclotron resonance (ECR) plasma // Jpn. J. Appl. Phys. 1989. - V. 28. - P. L7-L9.

47. Lu Z., Schmidt M.T., Chen D., Jr. Osgood R.M., Holber W.M., Podlesnik D.V., Forster J. GaAs-oxide removal using an electron cyclotron resonance hydrogen plasma // Appl. Phys. Lett. 1991. - V. 58. - P. 1143-1145.

48. Watanabe N., Nittono Т., Ito H., Kondo N., Nanishi Y. Surface cleaning of C-doped p+ GaAs with hydrogen electron cyclotron resonance plasma // J. Appl. Phys. 1993. - V. 73. -P. 8146-8150.

49. Nagayoshi H., Yamamoto Y., Kamisako K. Etching and surface modification of GaAs by hydrogen radicals generated by hydrogen microwave afterglow method // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. - V. 35. - P. L451-L454.

50. Robey S.W., Sinniah K. Initial etching of GaAs(OOl) during H2 plasma cleaning // J. Appl. Phys. 2000. - V. 88. - P. 2994-2998.

51. Bruno G., Losurdo M., Capezzuto P., Capozzi V., Trovato Т., Perna G., Lorusso G.F. Hydrogen plasma passivation of InP: Real time ellipsometry monitoring and ex situ photo luminescence measurements // Appl. Phys. Lett. 1996. - V. 69. - P. 685-687.

52. Chen Y.Q., Unuvar Т., Moscicka D., Wang W.I. Hydrogen-plasma assisted molecular beam epitaxial growth of high-purity InAs // J. Vac. Sci. Technol. В 2006. - V. 24. - P. 15991603.

53. Lu Z., Jiang Y., Wang W.I., Teich M.C., Jr. Osgood R.M. GaSb-oxide removal and surface passivation using an electron cyclotron resonance hydrogen source // J. Vac. Sci. Technol. В 1992.-V. 10.-P. 1856-1861.

54. Montgomery J.S., Schneider T.P., Carter R.J., Barnak J.P., Chen Y.L., Hauser J.R., Ne-manich R.J. Morphology of Si(100) surfaces exposed to a remote H plasma // Appl. Phys. Lett. 1995. - V. 67. - P. 2194-2196.

55. Picard E., Gentile P., Martrou D., Magnea N. Hydrogen cleaning and smoothing of semiconductor surfaces: The case of II—VI compounds // Appl. Phys. Lett. 1999. - V. 75. - P. 677-679.

56. Pearton S.J. Characterization of damage in electron cyclotron resonance plasma etched compound semiconductors // Appl. Surf. Sci. 1997. - V. 117-118. - P. 597-604.

57. Kishimoto A., Suemune I., Hamaoka K., Koui Т., Honda Y., Yamanishi M. In-situ RHEED monitoring of hydrogen plasma cleaning on semiconductor surfaces // Jpn. J. Appl. Phys. -1990.-V. 29.-P. 2273-2276.

58. Krusor B.S., Bachrach R.Z. Two-stage arsenic cracking source with integral getter pump for MBE growth // J. Vac. Sci. Technol. В 1983. - V. 1. - P. 138-141.

59. Huet D., Lambert M., Bonnevie D., Dufresne D. Molecular beam epitaxy of Ino.53Gao.47As and InP on InP by using cracker cells and gas cells // J. Vac. Sci. Technol. В 1985. - V. 3. -P. 823-829.

60. Lee R.-L., Schaffer W.J., Chai Y.G., Liu D., Harris J.S. Material effects on the cracking efficiency of molecular beam epitaxy arsenic cracking furnaces // J. Vac. Sci. Technol. В -1986.-V. 4.-P. 568-570.

61. Garcia J.C., Barski A., Contour J.P., Massies J. Dimer arsenic source using a high efficiency catalytic cracking oven for molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1987. - V. 51. - P. 593-595.

62. Grepstad J.K., Husby H., Borg A., Fimland B.O. As capping of MBE-grown compound semiconductors; Novel opportunities to interface science and device fabrication // Physica Scripta 1994. - V. 54. - P. 216-225.

63. Kowalczyk S.P., Miller D.L., Waldrop J.R, Newman P.G., Grant R.W. Protection of molecular beam epitaxy grown AlxGaixAs epilayers during ambient transfer // J. Vac. Sci. Technol. 1981. - V. 19. - P. 255-256.

64. Resch U., Esser N., Raptis Y.S., Richter W., Wasserfall J., Forster A., Westwood D.I. Arsenic passivation of MBE grown GaAs(100): structural and electronic properties of the de-capped surfaces // Surf. Sci. 1992. - V. 269-270. - P. 797-803.

65. Resch U., Scholz S.M., Rossow U., Mullera A.B., Richter W., Forster A. Thermal-desorption of amorphous arsenic caps from GaAs(100) monitored by reflection anisotropy spectroscopy// Appl. Surf. Sci. 1993. - V. 63. - P. 106-110.