Локализация фононов и фонон-плазмонное взаимодействие в полупроводниковых наноструктурах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Володин, Владимир Алексеевич

• Володин, Владимир Алексеевич
• кандидат наук
• 2016

Оглавление диссертации кандидат наук Володин, Владимир Алексеевич

СОДЕРЖАНИЕ

стр.

ВВЕДЕНИЕ 5

Глава 1. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ, ГЕРМАНИЯ И АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ. 11

§1.1 Фононы в наноструктурах на основе полупроводников IV группы и полупроводников

л III о V л л

типа A -B . 11

§1.2 Фонон-плазмонное взаимодействие в полупроводниках. 19

§1.3 Комбинационное рассеяние света в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах. 23

§1.4 Методы формирования полупроводниковых наноструктур с использованием самоорганизации. 31

§1.5 Развитие оптических методов для контроля структуры нанообъектов. 42

Глава 2. ЛОКАЛИЗАЦИЯ ФОНОНОВ В НАНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ И ГЕРМАНИЯ. 56

§2.1 Формирование нанокристаллов кремния и плёнок поликристаллического кремния с использованием импульсных лазерных отжигов. 56

§2.2 Комбинационное рассеяние света в массиве ориентированных нанокристаллов кремния.

79

§2.3 Оптические свойства нанокристаллов в диэлектрических плёнках. 89

§2.4 Улучшенная модель локализации фононов в нанокристаллах. 100

§2.5 КРС в легированных нанокристаллах кремния. 122

Глава 3. ФОНОНЫ В НАНОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ Ge/Si. 139

§3.1 Определение состава и деформаций в плёнках Gexsi(1-x) из анализа спектров комбинационного рассеяния света. 139

§3.2 Определение состава и деформаций в квантовых точках Gexsi(1-x) с учётом влияния размерного эффекта и гетерограницы. 153

§3.3 Латеральная локализация фононов в нанообъектах Ge. 162

Глава 4. ЛОКАЛИЗАЦИЯ ОПТИЧЕСКИХ ФОНОНОВ В НАНООБЪЕКТАХ НА БАЗЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ AIII-BV, ФОРМИРУЮЩИХСЯ НА РЕКОНСТРУИРОВАННЫХ ПОВЕРХНОСТЯХ. 169

§4.1 Исследование оптических фононов, локализованных в нанообъектах GaAs с малыми латеральными размерами. 169

§4.2. Исследование локализации оптических фононов в квантовых проволоках GaAs. 186 §4.3. Исследование фотолюминесценции квантовых проволок и точек GaAs/AlAs самоформирующихся на реконструированных поверхностях. 206

§4.4. Анизотропия дисперсии фононов в сверхрешётках GaAs/AlAs. 216 Глава 5. ФОНОН-ПЛАЗМОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В НАНОСТРУКТУРАХ НА

ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Аш-Бу 228

§5.1 Численные расчёты дисперсии смешанных фонон-плазмонных мод в структурах со

сложным фононным спектром. 228 §5.2 Фонон-плазмонные моды в легированных сверхрешётках GaAs/AlAs (100):

делокализация в структурах с туннельными барьерами. 235 §5.3 Анизотропия фонон-плазмонных мод в плоских и латеральных сверхрешётках

GaAs/AlAs. 249

§5.4 Интерфейс-фонон-плазмонная мода в гетероструктуре n-GaAs/i-GaAs. 255

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ 261

ЗАКЛЮЧЕНИЕ 263

ЛИТЕРАТУРА 264

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Локализация фононов и фонон-плазмонное взаимодействие в полупроводниковых наноструктурах»

ВВЕДЕНИЕ

Прогресс физики полупроводников в настоящее время в огромной мере связан с возможностями создания и изучения квантово-размерных объектов. Успехи науки и технологии позволяют создавать полупроводниковые нанообъекты - квантовые ямы, точки и проволоки. Электронные и оптические и свойства этих объектов, меняющиеся из-за размерного квантования носителей заряда, вызывают как фундаментальный, так и практический интерес [1]. Создание как рукотворных, так и самоорганизующихся наноструктур с заданными электронными и оптическими свойствами представляет собой целую отрасль науки, называемую в англоязычной литературе «band gap engineering».

Энергетический спектр квантово-размерных объектов определяются их структурными свойствами, поэтому задача совершенствования бесконтактных, экспрессных и неразрушающих методов исследования наноструктур является актуальной. Трехмерные нанокластеры, обладающие вследствие локализации электронных волновых функций дискретным электронным спектром, называются квантовыми точками (КТ). По своему электронному спектру КТ являются искусственными «атомами», состоящими из десятков, сотен или тысяч реальных атомов. Колебательный спектр КТ определяется их структурой - составом, размерами, формой, деформациями и представляют собой своего рода «отпечаток пальца», присущий каждой КТ. Поэтому, исследование их колебательного спектра с применением комбинационного рассеяния света (КРС) является весьма информативной методикой для определения их структуры [2]. Конечно, в идеале лучше исследовать отдельные КТ, как это продемонстрировано в работе [3] при использовании резонансных эффектов, но зачастую это невозможно, поэтому необходимо совершенствовать методы исследований больших массивов нанообъектов, с анализом их усредненных свойств.

Для того, чтобы квантовые свойства проявлялись при комнатной температуре, размеры КТ должны быть порядка нескольких нанометров. Надежды по созданию квантовых проволок (КП) и КТ возлагаются на эффекты их самоорганизации в условиях роста и в условиях фазовых переходов [4-6]. Один из примеров - формирование нанокристаллов кремния в плёнках диоксида кремния или нитрида кремния с избыточным содержанием кремния [7,8]. В этом случае, возможно, контролируемо варьировать размеры нанокристаллов, меняя концентрацию избыточного кремния и условия термических обработок. В структурах, полученных таким способом, была обнаружена интенсивная фотолюминесценция (ФЛ) в видимом диапазоне излучения света. Актуальность их исследования обусловлена перспективами создания на их основе оптоэлектронных приборов, монолитно интегрированных на кремниевой подложке [9]. В спектрах ФЛ от нанокристалла кремния в окружении диоксида кремния обнаружены очень узкие пики [10], значит, электронный спектр дискретный и эти нанообъекты можно назвать КТ. Полупроводниковые КТ в диэлектрических плёнках перспективны для использования в

устройствах энергонезависимой памяти [11] («flash memory»). Другой пример - формирование нанокристаллов кремния на начальной стадии кристаллизации аморфного кремния. Ширина запрещённой зоны в кристаллическом кремнии меньше щели подвижности в аморфном кремнии, поэтому нанокристаллы кремния могут быть ловушками для носителей заряда. Привлекательным моментом данного способа создания нульмерных квантовых объектов является возможность контролируемо варьировать их размер и концентрацию, используя особенности кинетики кристаллизации аморфного кремния, которая хорошо исследована как экспериментально, так и теоретически [12-13].

Еще один пример использования эффектов самоорганизации для создания квантово-размерных объектов - это формирование массива КП GaAs при росте сверхрешёток (СР) GaAs/AlAs на фасетированных поверхностях [6,14]. Так, для GaAs и AlAs, поверхность (311)А при некоторых условиях роста образует периодический массив наноканавок. В процессе молекулярно-лучевой эпитаксии, GaAs заполняет наноканавки на поверхности (311)А AlAs и формирует КП [14]. При этом, латеральные размеры проволок определяются размерами канавок, а значит воспроизводимы, а их толщина определяется средней толщиной слоя. Нано-гетероструктуры на основе полупроводников AIILBV применяются в оптоэлектронных приборах и в высокочастотных устройствах для телекоммуникаций [4]. Существенное влияние на качество этих приборов оказывает структура гетерограниц, поэтому исследования их морфологии актуальны. Метод КРС имеет преимущества перед другими методиками исследований гетерограниц, поверхностей и нанообъектов. КРС не разрушает образцы, позволяет проводить измерения достаточно быстро, можно выполнять сканирующие измерения объектов [2]. Наиболее широко используемая для создания приборов на основе полупроводников AIIIBV поверхность (001) интересна с точки зрения исследования влияния её реконструкций на качество гетероструктур. Структурные реконструкции данной поверхности обычно исследуются с применением сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и дифракции быстрых электронов (ДБЭ) [15]. С применением КРС можно анализировать структуру нанообъектов, которые формируются на начальном этапе роста, при субмонослойном осаждении.

Решение обратной задачи спектроскопии (прямое получение структуры объекта из его спектра КРС) неоднозначно. Эта задача осложнена многообразием факторов, влияющих на колебательный спектр, а значит на спектр КРС нанообъектов. Для полупроводниковых нанообъектов, кроме вышеперечисленных факторов, иногда требуется учитывать фактор фонон-плазмонного взаимодействия. Дополнительную информацию можно получить, исследуя КРС в различных поляризационных геометриях, поэтому необходимо учитывать не только частоту колебательной моды, а также силу ее проявления в спектрах при различной поляризации падающей и рассеянной электромагнитных волн.

Таким образом, задача совершенствования методик анализа нанообъектов из их спектров КРС остается актуальной. В данной работе анализ активных в КРС колебательных мод был в основном нацелен на получение следующей информации о структурных свойствах нанообъектов. Первое, это собственно наличие нанокристаллов кремния, германия или твёрдого раствора кремния и германия в различных матрицах. Второе - их средний размер и дисперсия по размерам, форма, величина деформаций, в случае возникновения эффекта выделенной ориентации - то и их ориентация. Третье - наличие структурной анизотропии, качество гетерограниц. Четвертое - проявление эффектов фонон-плазмонного взаимодействия. В работе проведены исследования КРС в квантоворазмерных объектах на основе кремния и германия, полученных с применением подходов самоорганизации и на основе арсенида галлия, полученных при гетероэпитаксиальном росте на реконструированных поверхностях. Целью работы являлось выявить эффекты:

- локализации фононов в полупроводниковых нанокристаллах и нанообъектах, состоящих из моно- и бислоёв с латеральными размерами до нескольких межатомных расстояний;

- зависимости частот фононов, локализованных в полупроводниковых нанокристаллах, от их размеров и матрицы окружения;

- фонон-плазмонного взаимодействия в полупроводниковых наноструктурах. Для достижения поставленных целей решались следующие задачи:

- в части получения экспериментальных данных по локализации фононов и их анализа:

1. Исследование локализованных фононов в нанокристаллах Ge и GeSi с размерами от 10 нм до критических размеров в 1.5-2 нм в различных окружающих матрицах (аморфный материал, оксиды и нитриды, свободная граница), для определения зависимости фононного спектра от их размеров, состава, деформаций.

2. Исследование латеральной локализации фононов в нанообъектах GaAs и Ge, состоящих из нескольких атомов.

3. Исследование анизотропии дисперсии и снятия вырождения по поляризации (расщепления) частот фононов в массивах GaAs квантовых проволок, формирующихся в процессе гетероэпитаксии GaAs/AlAs на нанострукурированных поверхностях.

4. Исследование комбинационного рассеяния света в легированных нанокристаллах.

- в части фонон-плазмонного взаимодействия:

5. Исследование дисперсии фонон-плазмонных мод в легированных сверхрешётках GaAs/AlAs, выращенных на нанофасетированной поверхности (311)А.

6. Расчёт фонон-плазмонного взаимодействия для гетероструктур GaAs/AlAs с учетом экранировки плазмонами кулоновского взаимодействия.

- в методической части:

7. Развитие моделирования и экспериментальных методик анализа локализованных фононов для получения информации о размерах, форме, фазовом составе, ориентации, величине механических деформаций в массивах полупроводниковых нанообъектов.

8. Развитие подходов для создания массивов полупроводниковых наноструктур и управления их структурными параметрами с применением самоорганизации.

Научная новизна работы.

1. Обнаружена экспериментально и рассчитана зависимость частот оптических фононов локализованных в моно- и бислойных нанообъектах GaAs и Ge от их латеральных размеров.

2. В сверхрешётках GaAs/AlAs (311)A, содержащих массивы квантовых проволок GaAs, обнаружено расщепление частот поперечных оптических фононов. Анализ спектра локализованных фононов подтверждает, что высота нанофасеток на гетерогранице GaAs/AlAs (311)A составляет 6 монослоёв.

3. Экспериментально наблюдаемые пики в акустической области спектра сверхрешёток GaAs/AlAs (311)A содержащих массивы квантовых проволок GaAs проинтерпретированы как свёртка акустических ветвей поперечных фононов в направлении, перпендикулярном квантовым проволокам.

4. Экспериментально обнаружена делокализация фонон-плазмонных мод (переход от 2D к 3D плазмону) в легированных сверхрешётках GaAs/AlAs с туннельно-тонкими барьерами (до 2-х монослоёв AlAs).

5. Выявлена зависимость частот от направления волнового вектора фонон-плазмонных мод в легированных сверхрешётках GaAs/AlAs (100) и (311) с туннельно-тонкими барьерами.

6. В массивах нанокристаллов, формирующихся в аморфной матрице при импульсных лазерных отжигах обнаружена поляризационная анизотропия комбинационного рассеяния света, анализ которой и данные электронной микроскопии свидетельствуют о появлении выделенной (110) ориентации нанокристаллов.

7. Обнаружены уширение, сдвиг и асимметрия пиков комбинационного рассеяния света в легированных нанокристаллах кремния, полученных с применением импульсных лазерных отжигов.

Практическая значимость работы.

1. Развитие неразрушающих методов определения размеров полупроводниковых нанокристаллов (как встроенных в различные матрицы, так и свободных нанопорошков), состава и деформаций внесло вклад в развитие технологии роста квантовых точек Ge/si, а

также поликристаллических плёнок кремния на нетугоплавких подложках с применением импульсных нано- и фемтосекундных лазерных воздействий.

2. Предложен неразрушающий метод определения доли взаимно-ориентированных кристаллитов в текстурированных поликристаллических плёнках. Метод основан на анализе интенсивностей сигналов комбинационного рассеяния света в различных поляризационных геометриях.

3. Предложен неразрушающий метод контроля концентрации водорода в структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния.

4. Разработаны модели для расчёта спектров комбинационного рассеяния света полупроводниковых нанообъектов, состоящих из нескольких атомов.

5. Развит бесконтактный способ определения концентрации носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах из анализа спектров комбинационного рассеяния света.

Положения выносимые на защиту.

1. Модель локализации фононов, учитывающая дисперсию продольных и поперечных фононов по направлениям квазиимпульса, адекватна для определения размеров нанокристаллов кремния и германия в широком диапазоне размеров (от 1.5 до 10 нм).

2. Установлена зависимость сечений комбинационного рассеяния света на локальных колебаниях Ge-Si, Ge-Ge, и Si-Si в твёрдых растворах Gexsi(1-x) от стехиометрического параметра x. Для определения состава квантовых точек Gexsi(1-x) (0.3<x<1) в кремнии необходимо учитывать вклад связей Ge-Si на гетерограницах.

3. Латеральная локализация оптических фононов в квантовых проволоках, в монослойных и бислойных полупроводниковых нанообъектах, приводит к появлению фононных мод с частотами, зависящими от их размеров и формы. Для латеральной локализации фононов в нанообъектах GaAs достаточно барьера в 2 монослоя AlAs между ними.

4. Экранирование плазмонами кулоновского взаимодействия катионов и анионов в легированных сверхрешётках GaAs/AlAs определяет зависимость частот смешанных фонон-плазмонных мод от концентрации свободных носителей заряда. Анизотропия тензора обратных эффективных масс носителей заряда приводит к зависимости частот фонон-плазмонных мод от направления их волнового вектора. Эффект экспериментально наблюдаем при величине волнового вектора от ~106 см-1 и более.

Апробация работы.

Основные результаты работы изложены в 54-х статьях в реферируемых журналах, в шести монографиях или главах в монографиях, в 4-х патентах РФ, докладывались на конференциях:

Nano-structures: Physics and Technology (с 1993 по 2015 гг.); Российские конференции по физике полупроводников (с 1993 по 2015 гг.); 9th ICSMM (Liege, Belgium, 1996г.), Low Dimension Semiconductor Devices (Lisbon, 1997г.), на конференциях Общества материаловедов (MRS, Spring Meeting, USA, Boston, 1996, 1997, 1998 гг.) и (E-MRS Spring Meeting, France, 1996, 1997, 1998, 2008 и 2012 гг.), на международных конференциях по геттерированию и дефектной инженерии в полупроводниках, GADEST, (1993, 1999, 2001, 2003 и 2005 гг.). Количество ссылок на работы автора по базе Web of Science превышает 1000. Результаты получали положительную оценку в конкурсах РФФИ, СО РАН, и МОН РФ.

Личный вклад автора заключается в определении целей, постановке задач, выборе методов их решения, и интерпретации результатов. Измерения оптическими методами, их обработка и анализ были проведены лично автором, либо под его научным руководством.

Структура и объём диссертации

Работа состоит из введения, пяти глав, выводов, заключения и библиографического списка. Содержит 289 страниц, 124 рисунка и 5 таблиц на ста семи страницах, 350 библиографических ссылок на 26-и страницах.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Володин, Владимир Алексеевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

По результатам экспериментального и теоретического исследования локализации фононных мод в полупроводниковых наноструктурах:

1. Показано, что положение и ширина пика комбинационного рассеяния света на оптических фононах, локализованных в полупроводниковых нанокристаллах Ge и Si с размерами от 1.5 до 10 нм, определяются эффективной плотностью колебательных состояний, рассчитанной с учётом дисперсии продольных и поперечных фононов по направлениям квазиимпульса.

2. Обнаружены дополнительные пики в спектрах КРС сверхрешёток GaAs/AlAs, с субмонослойными слоями GaAs, выращенных на поверхности (001) реконструированной (2x4). Из анализа экспериментальных и расчётных данных показано, что пики обусловлены латеральной локализацией фононов в нанообъектах GaAs, содержащих от 12 до 18 атомов Ga, окруженных матрицей AlAs. Установлено, что длина затухания колебаний в латеральном направлении составляет 2 монослоя.

3. Установлено, что экспериментально наблюдаемое расщепление TO фононов с разными направлениями смещений атомов (поперек либо вдоль нанофасеток) обусловлено структурной анизотропией в сверхрешётках GaAs/AlAs (311)А, выращенных в условиях реконструкции (8x1). Показано, что при частичном заполнении поверхности AlAs (311)А арсенидом галлия происходит формирование квантовых проволок арсенида галлия конечной длины (до 4 нм вдоль нанофасеток).

4. Установлены зависимости отношения сечений комбинационного рассеяния света на локальных колебаниях Ge-Si, Ge-Ge и Si-Si связей от состава твёрдых растворов GexSi(1-X). Найденные зависимости позволяют определять стехиометрический параметр x для твёрдых растворов. Для определения атомарного состава наноструктур Ge/Si необходимо учитывать вклад связей Ge-Si на гетерограницах.

По результатам экспериментального исследования и моделирования фонон-плазмонного взаимодействия в легированных полупроводниковых наноструктурах:

5. Обнаружено, что интерференция Фано колебательных переходов на локализованных оптических фононах и электронных переходов, приводит к уширению и асимметрии пиков комбинационного рассеяния света в гетерофазной системе: нанокристаллы кремния в матрице легированного аморфного кремния.

6. Построена модель расчёта частот фонон-плазмонных мод в сверхрешётках GaAs/AlAs, основанная на экранировке плазмонами кулоновского взаимодействия между катионами и анионами. Найдены зависимости рассчитанных значений частот фонон-плазмонных мод от концентрации носителей заряда.

7. Обнаружена делокализация фонон-плазмонных мод в легированных сверхрешётках GaAs/AlAs с туннельно-тонкими барьерами; обнаружена зависимость частот делокализованных мод от направления волнового вектора. Показано, что зависимость обусловлена анизотропией тензора обратной эффективной массы носителей заряда.

Развиты следующие методы, существенно расширяющие возможности анализа полупроводниковых наноструктур с применением спектроскопии КРС:

8. Метод контроля размеров полупроводниковых нанокристаллов на основе модели локализации фононов, в которую введен учет дисперсии продольных и поперечных фононов по величине и направлению квазиимпульса в модели Китинга.

9. Метод определения элементного состава и деформаций в наноструктурах Ge/Si с квантовыми точками Gexsi(i-x) (0.3<x<1) из анализа интенсивностей и положений пиков в спектрах КРС.

10. Метод определения ориентации кристаллических зёрен в аморфных плёнках из анализа угловой зависимости интенсивности КРС в различных поляризационных геометриях рассеяния;

11. Метод оценки концентрации носителей заряда бесконтактным способом на основе анализа интерференции Фано в нанокристаллах кремния в аморфной матрице и фонон-плазмонного взаимодействия в сверхрешётках GaAs/AlAs.

263

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В заключение, автор выражает благодарность Анатолию Васильевичу Двуреченскому за консультации, полезные дискуссии и обсуждения, особенно на стадии формулирования результатов и выводов.

Профессорам Л.С. Смирнову и Г.А. Качурину за помощь и участие в работе.

Автор также благодарен:

Коллеге В.А. Сачкову за помощь в расчётах. Сотрудникам лаборатории 23 Д.В. Марину, М.Д. Ефремову, Г.Н. Камаеву, В.В. Смирновой, Т.Т. Корчагиной за помощь в работе. Сотрудникам лаборатории 16 В.В. Преображенскому и Б.Р. Семягину и лаборатории 37 А.И. Торопову за представленные сверхрешётки GaAs/AlAs. Сотруднику лаборатории 31 С.А. Кочубею за помощь в лазерных обработках. Сотрудникам лаборатории 20 А.Г. Черкову, А.К. Гутаковскому и Л.И. Фединой за исследования методом электронной микроскопии.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Володин, Владимир Алексеевич, 2016 год

264 ЛИТЕРАТУРА

1. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур / Ж.И. Алферов // ФТП. - 1998. - т. 32. - с. 3-18.

2. Light Scattering in Solids V Superlattices and Other Microstructures / Edited by M.Cardona and G.Gunterodt. - Berlin : Springer-Verlag, 1989. - 351 p.

3. Gammon D. High-resolution spectroscopy of individual quantum dots in wells / D.Gammon // MRS Bulletin. - February 1998. - p. 44-48.

4. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры : обзор / Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг // ФТП. -1998. - т. 32. - с. 385-398.

5. Alivisatos A.P. Semiconductor nanocrystals / A.Paul Alivisatos // MRS bulletin. - August 1995. -p. 23-32.

6. Выращивание квантовых кластеров GaAs-AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии / Ж.И.Алферов, А.Ю.Егоров, А.Е.Жуков, С.В.Иванов, П.С.Копьев, Н.Н.Леденцов, Б.Я.Мельцер, В.М.Устинов // ФТП. - 1992. - т. 26. - с. 1715-1721.

7. Shimizu-Iwayama T. Visible photoluminescence in Si+-implanted thermal oxide films on crystalline Si / T.Shimizu-Iwayama, S.Nakao, K.Saitoh // Appl. Phys. Lett. - 1994. - v. 65. - p. 1814-1816.

8. Visible light emission from thin films containing Si, O, N, and H / B.H.Augustine, E.A.Irene, Y.J.He, K.J.Price, L.E.McNeil, K.N.Christensen, D.M.Maher // J. Appl. Phys. - 1995. - v. 78. - p. 4020-4030.

9. Fauchet P.M. Light emission from Si quantum dot / Philippe M.Fauchet // Materials Today. -January 2005. - p. 26-33.

10.Narrow Luminescence Linewidth of a Silicon Quantum Dot / I.Sychugov, R.Juhasz, J.Valenta, and J.Linnros // Phys. Rev. Lett. - 2005. - v. 94. - p. 087405(01-04).

11.A silicon nanocrystals based memory / Sandip Tiwari, Farhan Rana, Hussein Hanafi, Allan Hartstein, Emmanuel F. Crabbe, Kevin Chan // Appl. Phys. Lett. - 1996. - v. 68. - p. 1377-1379.

12.Kashchiev D. Solution of non-steady state problem in nucleation kinetics / D.Kashchiev // Surface science. - 1969. - v. 14. - p. 209-220.

13.Shi G. Transient kinetics of nucleation and crystallization. Part I: Nucleation / G.Shi, J.M.Seinfeld // J. Mater. Res. - 1991. - v. 6. - p. 2091-2096.

14.Direct synthesis of corrugated superlattices on non-(100)-oriented surfaces / R.Notzel, N.N.Ledentsov, L.Dawerits, M.Hohenstein, and K.Ploog // Phys. Rev. Lett. - 1991. - v. 67. - p. 3812-3815.

15.Structures of As-Rich GaAs(001)-(2x4) Reconstructions / Tomihiro Hashizume, Q.K. Xue, J. Zhou,

A. Ichimiya, and T. Sakurai // Phys. Rev. Lett. - 1994. - v. 73. - p. 2208-2211.

16.Ю П. Основы физики полупроводников / П. Ю, М. Кардона. - М.: Физматлит, 2002. - 560 с.

17.Nelin G. Study of the homology between silicon and germanium by thermal-neutron spectroscopy / G.Nelin and G.Nilsson // Phys. Rev. B. - 1972. - v. 6. - p. 3777-3791.

18.Weber W. Adiabatic bond charge model for the phonons in diamond, Si, Ge, and a-Sn / W.Weber // Phys. Rev. B. - 1977. - v. 15. - p. 4789-4803.

19.Strauch D. Phonon dispersion in GaAs / D.Strauch, B.Dorner // J. Phys.: Condens. Matter. - 1990.

- v. 2. - p. 1457-1474.

20.Folded acoustic and quantized optic phonons in (GaAl)As superlattices / C.Colvard, T.A.Gant, M.V.Klein, R.Merlin, R.Fischer, H.Morkoc, A.C.Gossard // Phys. Rev. B. - 1985. - v. 31. - p. 2080-2091.

21.Pavesi L. Photoluminescence of GaxAl(1-X)As alloys / L.Pavesi, M.Guzzi // J. Appl. Phys. - 1994. -v. 75. - p. 4779-4842.

22.Raman scattering study of acoustical and optical folded modes in GaAs/Ga1-XAlXAs superlattices /

B.Jusserand, D.Paquet, J.Kervarec, A.Regreny // Journal de physique. - 1984. - v. 45. - p. C5-145-C5-149.

23.Jusserand B. "Folded" optical phonons in GaAs/Ga1-XAlXAs superlattices / B.Jusserand, D.Paquet,

A.Regreny // Phys. Rev. B. - 1984. - v. 30. - p. 6245-6247.

24.Interface vibrational modes in GaAs-AlAs superlattices / A.K.Sood, J.Menendez, M.Cardona, K.Ploog // Phys. Rev. Lett. - 1985. - v. 54. - p. 2115-2118.

25.Cardona M. Folded, confined, interface, surface, and slab vibrational modes in semiconductor superlattices / M.Cardona // Superlattices and microstructures. - 1989. - v. 5. - p. 27-42.

26.Гайслер В.А. Спектроскопия комбинационного рассеяния света слоистых полупроводниковых структур : диссертация на соискание степени доктора физико-математических наук / В.А. Гайслер. - Новосибирск, 1996. - 300 c.

27.Abstreiter G. Si-Ge strained layer superlattices / G.Abstreiter // Thin Solid Films. - 1989. - v. 183.

- p. 1-8.

28.Raman scattering from GeXSi1-X/Si strained-layer superlattices / F.Cerdeira, A.Pinczuk, J.C.Bean,

B.Batlogg, and B.A.Wilson // Appl. Phys. Lett. - 1984. - v. 45. - p. 1138-1140.

29.Beeman D. Structural information from the Raman spectrum of amorphous silicon / D.Beeman, R.Tsu, M.F.Thorpe // Phys. Rev. B. - 1985. - v. 32. - p. 874-878.

30.Hishikawa Y. Raman study of the variation of the silicon network of a-Si:H / Y.Hishikawa // J. Appl. Phys. - 1987. - v. 62. - p. 3150-3155.

31.Рассеяние света в твёрдых телах: проблемы прикладной физики / под редакцией М.Кардоны. - М. : Мир, 1979. - 392 с.

32.Рассеяние света в твёрдых телах. Выпуск IV : электронное рассеяние, спиновые эффекты,

морфические эффекты / под ред. М.Кардоны и Г.Гюнтеродта. - М. : Мир, 1986. - 408 с.

33.Mooradian A. Observation of the interactions of plasmons with longitudinal optical phonons in GaAs / A. Mooradian and G.B. Wright // Phys. Rev. Lett. - 1966. - v. 16. - p. 999-1001.

34.Пайнс Д. Элементарные возбуждения в твёрдых телах / Д. Пайнс. - М. : Мир, 1965. - 195 с. 35.Stern F. Polarizability of two-dimensional electron gas / F.Stern // Phys. Rev. Lett. - 1967. - v. 18.

- p. 546-548.

36.Sarma S.D. Collective excitation in semiconductor superlattices / S.Das Sarma, J.J.Quinn // Phys. Rev. B. - 1982. - v. 25. - p. 7603-7618.

37.Plasma dispersion in a layered electron gas: A determination in GaAs-(AlGa)As heterostructures / Diego Olego, A.Pinczuk, A.C. Gossard and W. Wiegmann // Phys. Rev. B. - 1982. - v. 26. - p. 7867-7870.

38.Комбинационное рассеяние света на смешанных LO-фонон-плазмонных колебаниях в двухмодовых твердых растворах n-AlxGa(1-x)As / А.М.Минтаиров, К.Е.Смекалин, В.М.Устинов, В.П.Хвостиков // ФТП. - 1990. - т. 24. - с. 1539-1549.

39.Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света эпитаксиальных слоев n-AlxGa(1-x)As / А.М.Минтаиров, К.Е.Смекалин, В.М.Устинов, В.П.Хвостиков // ФТП. -1992. - т. 26. - с. 614-628.

40.Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-LO-phonon modes in disordered systems / Yu.A. Pusep, M.T.O. Silva, J.C. Galzerani N.T. Moshegov P. Basmaji // Phys. Rev. B. - 1998. - v. 58. - p. 10683-10686. 41.Cerdeira F. Effect of free carriers on zone center vibration modes in heavily doped p-type Si. II Optical modes / F.Cerdeira, T.A.Fjeldly and M.Cardona // Phys. Rev. B. - 1973. - v. 8. - p. 47344745.

42.Оптические свойства полупроводников / В.И.Гавриленко, А.М.Грехов, Д.В.Корбутяк, В.Г.Литовченко. - Киев : Наукова Думка. - 1987. - 607 с.

43.Fano U. Effects of configuration interaction on intensities and phase shifts / U.Fano // Phys. Rev. -1961. - v. 124. - p. 1866-1878.

44.Фальковский Л.А. Фонон-плазмонные связанные моды в гетеро-сверхрешётках / Л.А.Фальковский, Е.Ж.Мищенко // Письма в ЖЭТФ. - 2005. - т. 82. - с. 103-107.

45.Chandrasekhar M. Effects of intersubband excitations on Raman phonons in heavily doped n-Si / M. Chandrasekhar, J.B. Renucci and M.Cardona // Phys. Rev. B. - 1978. - v. 17. - p. 1623-1633.

46.Allen S.J. Observation of the two-dimensional plasmon in silicon inversion layers / S.J. Allen, Jr., D C. Tsui and R.A. Logan // Phys. Rev. Lett. - 1977. - v. 38. - p. 980-983.

47.Kanzawa Y. Doping of B atoms into Si nanocrystals prepared by RF cosputtering / Y.Kanzawa, M.Fujii, S.Hayashi // Solid State Communications. - 1996. - v. 100. - p. 227-230.

48.Kanzawa Y. Preparation and Raman study of B-doped Si microcrystals / Y.Kanzawa, M.Fujii,

S.Hayashi // Materials Science and Engineering. - 1996. - v. A217/218. - p. 155-158.

49.Мотт Н. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н.Мотт, Э.Дэвис. - М. : Мир, 1982. - 662 с.

50.Тонкие поликристаллические и аморфные плёнки: физика и применение / под ред. Л.Казмерски. - М. : Мир, 1983. - 304 с.

51.Меден А. Физика и применение аморфных полупроводников / А.Меден, М.Шо. - М. : Мир, 1991. - 670 с.

52. Аморфный кремний и родственные материалы / под ред. Х.Фрицше. - М. : Мир, 1991. - 542 с.

53.Wagner S. Amorphous silicon: Vehicle and test bed for large-area electronics / Sigurd Wagner // Phys. stat. sol. (a). - 2010. - v. 207. - p. 501-510.

54.Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. 2 : Электронные и колебательные свойства / под ред. Дж. Джоунопулоса и Дж. Люковски. - М. : Мир, 1987. - 447 с.

55.Wieder H. Vibrational spectrum of hydrogenated amorphous Si-C films / H.Wieder, M.Cardona, C.R.Guarnieri // Phys. stat. sol. (b). - 1979. - v. 92. - p. 99-112.

56.Имплантация водорода в процессе осаждения аморфного кремния / В.В. Болотов, А.В. Двуреченский, И.А. Рязанцев, В.П. Шилова // ФТП. - 1984. - т. 18. - с. 2150-2154.

57.Infrared reflectance spectroscopy of very thin films of a-Si / N.Maley, I.Szafraner, I.Mandrell, M.Katiyar, J.R.Abelson, J.A.Thornton // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1989. - v. 114. - p. 163-165.

58.Luminescence above the Tauc gap in a-Si:H / P.M.Fauchet, I.H.Campbell, S.A.Lyon, R.J.Namanich // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1989. - v. 114. - p. 277-279.

59.Wang C. Effect of gas additives on the properties of a-Si films / C.Wang, G.N.Parsons, G.Lucovsky // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1989. - v. 114. - p. 193-195.

60.Searle T.M. Photoluminescence studies of ion implantation damage in a-Si:H / T.M.Searle,

W.A.Jackson, S.Kalbitzer // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1989. - v. 114. - p. 286-288. 61.Raman spectra of amorphous Si and related tetrahedrally bonded semiconductors / J.E.Smith, Jr.,

M.H.Brodsky, B.L.Crowder, M.I.Nathan // Phys. Rev. Lett. - 1971. - v. 26. - p. 642-646. 62.Shimuzu I. Chemical reactions for propagation of Si-network / I.Shimuzu // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1989. - v. 114. - p. 145-150.

63.Tsu R. Phonon linewidth and bond angle deviation in amorphous silicon and germanium / R.Tsu // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1989. - v. 114. - p. 199-201.

64.Anastassakis E. Polycrystalline Si under strain: Elastic and lattice-dynamical considerations / E.Anastassakis, E.Liarokapis // J. Appl. Phys. - 1987. - v. 62. - p. 3346-3352.

65.Kanellis G. Effect of dimensions on the vibrational frequencies of thin slabs of silicon / G.Kanellis, J.F.Morhange, M.Balkanski // Phys. Rev. B. - 1980. - v. 21. - p. 1543-1548.

66.Raman scattering from small particle size polycrystalline silicon / Z.Iqbal, S.Veptek, A.P.Webb, P.Capezzuto // Solid State Communications. - 1981. - v. 37. - p. 993-996.

67.Probing the crystallinity of evaporated silicon films by Raman scattering / T.Okada, T.Iwaki, H.Kasahara, K. Yamamoto // Japanese Journal of Applied Physics. - 1985. - v. 24. - p. 161-165.

68.Bustarret E. Experimental determination of the nanocrystalline volume fraction in silicon thin films from Raman spectroscopy / E.Bustarret, M.A.Hachicha, M.Brunel // Appl. Phys. Lett. - 1988. - v. 52. - p. 1675-1677.

69.Asano A. Preparation of highly photoconductive hydrogenated amorphous silicon carbide films with a multiplasma-zone apparatus / A.Asano, T.Ichimura, H.Sakai // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1989. - v. 114. - p. 175-177.

70.Raman measurement of the grain size for silicon crystallites / G.-X.Cheng, H.Xia, K.-J.Chen, W.Zhang, X.-K.Zhang // Phys. stat. sol. (a). - 1990. - v. 118. - p. K51-K54.

71.Structural properties of polycrystalline silicon films prepared at low temperature by plasma chemical vapor deposition / H.Kakinuma, M.Mohri, M.Sacamoto, T.Tsuruoka // J. Appl. Phys. -1991. - v. 70. - p. 7374-7381.

72.Raman spectroscopy of amorphous and microcrystalline silicon films deposited by low-pressure chemical vapor deposition / A.T.Voutsas, M.K.Hatalis, J.Boyce, A.Chiang // J. Appl. Phys. - 1995.

- v. 78. - p. 6999-7006.

73.Спектры рамановского рассеяния и электропроводность тонких плёнок кремния со смешанным аморфно-нанокристаллическим фазовым составом: определение объёмной доли нанокристаллической фазы / В.Г.Голубев, В.Ю.Давыдов, А.В.Медведев, А.Б.Певцов, Н.А.Феоктистов // ФТТ. - 1997. - т. 39. - с. 36-41.

74.Shuker R. Raman spectroscopy of amorphous silicon / R.Shuker, R.W.Gamon // Proc. 2nd Intern. Conf. Light Scattering in Solids (Paris, 1971). - Flammarion Science : Paris, 1971. - p. 334.

75.Brodsky M.H. Infrared and Raman spectra of the silicon-hydrogen bonds in amorphous silicon prepared by glow discharge and sputtering / M.H.Brodsky, M.Cardona, J.J.Cuomo // Phys. Rev. B.

- 1977. - v. 16. - p. 3556-3571.

76.Critical volume fraction of crystallinity for conductivity percolation in phosphorus-doped Si:F:H alloys / R.Tsu, J.G.-Hernandes, S.S.Chao, S.C.Lee, K.Tanaka // Appl. Phys. Lett. - 1982. - v. 40. -p. 534-535.

77.Raman shifts in Si nanocrystals / Jian Zi, H.Büscher, C.Falter, W.Ludwig, K.Zhang, X.Xie // Appl. Phys. Lett. - 1996. - v. 69. - p. 200-202.

78.Campbell I.H. The effects of microcrystal size and shape on the one-phonon Raman spectra of crystalline semiconductors / I.H.Campbell, P.M.Fauchet // Solid State Communications. - 1986. -v. 58. - p. 739-741.

79.Improved one-phonon confinement model for an accurate size determination of silicon nanocrystals

/ V.Pailard, P.Puech, M.A.Laguna, R.Carles, B.Kohn, FHuisken // J. App. Phys. - 1999. - v. 86. -p. 1921-1924.

80.Анализ рамановских спектров аморфно-нанокристаллических плёнок кремния / С.В.Гайслер, О.И.Семенова, Р.Г.Шарафутдинов, Б.А.Колесов // ФТТ. - 2004. - т. 46. - с. 1484-1488.

81.Ossadnik Ch. Applicability of Raman scattering for the characterization of nanocrystalline silicon / Ch. Ossadnik, S. Veprek, I. Gregora // Thin Solid Films. - 1999. - v. 337. - p. 148-151.

82.Shin H.K. Strain in coherent-wave SiGe/Si superlattices / H.K.Shin, D.J.Lockwood, J-M.Baribeau // Solid State Communications. - 2000. - v. 114. - p. 505-510.

83. Raman characterization of strain and composition in small-sized self-assembled Si/Ge dots / P.H.Tan, K.Brunner, D.Bougeard, G.Abstreiter // Phys. Rev. B. - 2003. - v. 68. - p. 125302-(1-6).

84.Phonons in Ge/Si quantum dot structures: influence of growth temperature / A.G.Milekhin, A.I.Nikiforov, M.Yu.Ladanov, O.P.Pchelyakov, D.N.Lobanov, A.V.Novikov, Z.F.Krasil'nik, S.Schulze, D.R.T.Zahn // Physica E. - 2004. - v. 21. - p. 464-468.

85.Херман М. Полупроводниковые сверхрешётки / М.Херман. - М. : Мир, 1989. - 240 с.

86.Light scattering from vibrational modes in GaAs/Ga1-xAlxAs superlattices and related alloys / J.Sapriel, J.C.Michel, J.C.Toledano, R.Vacher, J.Kervarec, A.Regreny // Phys. Rev. B. - 1983. - v. 28. - p. 2007-2016.

87.Barker A.S. Study of zone-folding effects on phonons in alterating monolayers of GaAs-AlAs / A.S.Barker, Jr., J.L.Merz, A.C.Gossard // Phys. Rev. B. - 1978. - v. 17. - p. 3181-3196.

88.Фононный спектр сверхрешёток GaAs-InAs / В.А.Гайслер, А.О.Говоров, Т.В.Курочкина, Н.Т.Мошегов, С.И.Стенин, А.И.Торопов, А.П.Шебанин // ЖЭТФ. - 1990. - т. 98. - с. 10811093.

89.Bernasconi M. Vibrational properties and infrared spectra of AlxGa1-x systems. Order and disorder features in superlattice configuration / M.Bernasconi, L.Colombo, L.Miglio // Phys. Rev. B. - 1991. - v. 43. - p. 14457-14464.

90.Mowbray D.J. Confined LO phonons in GaAs/AlAs superlattices / D.J. Mowbray, M.Cardona, K.Ploog // Phys. Rev. B. - 1991. - v. 43. - p. 1598-1603.

91.Resonance Raman scattering by confined LO and TO phonons in GaAs-AlAs superlattices / A.K.Sood, J.Menendez, M.Cardona, K.Ploog // Phys. Rev. Lett. - 1985. - v. 54. - p. 2111-2114.

92.Комбинационное рассеяние света на LA- и TA- фононах в сверхрешётках GaAs/AlAs выращенных вдоль направлений (111), (112) и (113) / М.В.Белоусов, В.Ю.Давыдов, И.Э.Козин, П.С.Копьев, Н.Н.Леденцов // Письма в ЖЭТФ. - 1993. - т. 57. - с. 112-115.

93.Phonon properties of (311) GaAs/AlAs superlattices / Z.V.Popovic, E.Richter, J.Spitzer, M.Cardona, A.J.Shields, R.Nötzel, K.Ploog // Phys. Rev. B. - 1994. - v. 49. - p. 7577-7583.

94.Folded phonons from lateral periodity in (311) GaAs/AlAs corrugated superlattices / Z.V.Popovic, M.V.Vukomirovic, Y.P.Raptis, E.Anastassakis, R.Nötzel, K.Ploog // Phys. Rev. B. - 1995. - v. 52.

- p.5789-5794.

95.Resonant interference effect in the phonon Raman spectra of (311) GaAs/AlAs superlattices / A.J.Shields, Z.V.Popovic, M.Cardona, J.Spitzer, R.Nötzel, K.Ploog // Phys. Rev. B. - 1994. - v. 49. - p. 7584-7591.

96.Phonon properties and Raman response of (113) GaAs/AlAs corrugated superlattices / P.Castrillo, G.Armelles, L.Gonzales, P.S.Domingues // Phys. Rev. B. - 1995. - v. 51. - p. 1647-1652.

97.Raman study of interface roughness in (GaAs)n/(AlAs)n superlattices grown on tilted surfaces: Evidence of corrugation of the (113) interface / S.W. da Silva, Yu.A.Pusep, J.C.Galzerani, M.A.Pimenta, D.I.Lubyshev, P.B.Gonzalez Borrero, P.Basmaji // Phys. Rev. B. - 1996. - v. 53. - p. 1927-1932.

98.Interface structure of (001) and (113)A GaAs/AlAs superlattices / D.Lüerßen, A.Dinger, H.Kalf,

W.Braun, R.Nötzel, K.Ploog // Phys. Rev. B. - 1998. - v. 57. - p. 1631-1636. 99.Interface structure of GaAs/AlAs superlattices grown on (113) surfaces: Raman scattering studies / G.Armelles, P.Castrillo, P.D.Wang, C.M.Sotomayor Torres, N.N.Ledentsov, N.A.Bert // Solid State Communications. - 1998. - v. 94. - p. 613-617.

100.Ashby W.R. Principles of the Self-Organizing Dynamic System / W. Ross Ashby // Journal of General Psychology. - 1947. - v. 37. - p. 125-128.

101.Principles of Self-Organization / edited by Heinz von Foerster and George W. Zopf, Jr. - U.S. Office of Naval Research, Information Systems Branch, 1962. - 217 p.

102.Metastability of Ultradense Arrays of Quantum Dots / V.A. Shchukin, D. Bimberg, T.P. Munt, and D.E. Jesson // Phys. Rev. Lett. - 2003. - v. 90. - p. 076102(1-4).

103.Leonard D. Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs / D. Leonard, M. Pond, P.M. Petroff // Phys. Rev. B. - 1994. - v. 50. - p. 11687-11692.

104.Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства : обзор / О.П.Пчеляков, Ю.Б.Болховитянов, А.В.Двуреченский, Л.В.Соколов, А.И.Никифоров, А.И.Якимов, Б.Фойхтлендер // ФТП. - 2000. - т. 34. - с. 12811299.

105.Theory of quantum-wire on corrugated surface / V.A.Shchukin, A.I.Borovkov, N.N.Ledentsov, P.S.Kop'ev // Phys. Rev. B. - 1995. - v. 51. - p. 17767-17779.

106.Castrillo P. Consequence of interface corrugation on the lattice dynamics and Raman spectra in high-index AlAs/GaAs superlattices / P.Castrillo, G.Armelles, J.Barbolla // Solid State Electronics.

- 1996. - v. 40. - p. 175-180.

107.Lobo C. InGaAs islands shapes and adatom migration behavior on (100), (110), (111), and (311) GaAs surfaces / C.Lobo, R.Leon // J. of Appl. Phys. - 1998. - v. 83. - p. 4168-4172.

108.Mechanism for Disorder on GaAs(001)-(2x4) Surfaces / A.R.Avery, C.M.Goringe, D.M.Holmes, J.L.Sudijono, and T.S.Jones // Phys. Rev. Lett. - 1996. - v. 76. - p. 3344-3347.

109.Island Nucleation and Growth on Reconstructed GaAs(001) Surfaces / M. Itoh, G.R. Bell, A. R. Avery, T. S. Jones, B. A. Joyce, D. D. Vvedensky // Phys. Rev. Lett. - 1998. - v. 81. - p. 633-636.

110.Reflectance Anisotropy of GaAs (100): Theory and Experiment / A.I.Shkrebtii, N.Esser, W.Richter, W.G.Schmidt, F.Bechstedt, B.O.Fimland, A.Kley, R. Del Sole // Phys. Rev. Lett. -1998. - v. 81. - p. 721-724.

111.Ekimov A. Growth and optical properties of semiconductor nanocrystals in a glass matrix / A.Ekimov // Journal of Luminescence. - 1996. - v. 70. - p. 1-20.

112.The effect of size distribution of Si nanoclusters on photoluminescence from ensembles of Si nanoclusters / X.Chen, J.Zhao, G.Wang, X.Shen // Physics Letters A. - 1996. - v. 212. - p. 285289.

113.Optical properties of passivated Si nanocrystals and SiOx nanostructures / L.N.Dinh, L.L.Chase, M.Balooch, W.J.Siekhaus, F.Wooten // Phys. Rev. B. - 1996. - v. 54. - p. 5029-5037.

114.Екимов А.И. Квантовый размерный эффект в трёхмерных микрокристаллах полупроводников / А.И. Екимов, А.А. Онущенко // Письма в ЖЭТФ. - 1981. - т. 34. - с. 363-366.

115.Room-temperature visible photoluminescence from silicon-rich oxide layers deposited by an electron cyclotron resonance plasma source / K.Kim, M.S.Suh, T.S.Kim, C.J.Youn, E.K.Suh, Y.J.Shin, K.B.Lee, H.J.Lee, M.H.An, H.Ryu // Appl. Phys. Lett. - 1996. - v. 69. - p. 3908-3910.

116.Raman scattering and photoluminescence from Si nanoparticles in annealed SiOx thin films / D. Nesheva, C. Raptis, A. Perakis I. Bineva, Z. Aneva, Z. Levi, S. Alexandrova, H. Hofmeister // J. Appl. Phys. - 2002. - v. 92. - p. 4678-4683.

117.Shimizu-Iwayama T. Optical and structural properties of implanted silicon nanocrystals / T.Shimizu-Iwayama, S.Nakao, K.Saitoh // Nucl. Instr. and Meth. in Physics Research B. - 1996. -v. 120. - p. 97-100.

118.Visible photoluminescence of SiO2 implanted with carbon and silicon / B.Garrido, M.Lopez, S.Ferre, A.Romano-Rodrigues, A.Prez-Rodrigues, P.Ruterana, J.R.Morante // Nucl. Instr. and Meth. in Physics Research B. - 1996. - v. 120. - p. 101-105.

119.Фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме / Г.А.Качурин, И.Е.Тысченко, И.Скорупа, Р.А.Янков, К.С.Журавлев, Н.А.Паздников, В.А.Володин, А.К.Гутаковский, А.Ф.Лейер // ФТП. - 1997. - т. 31. - с. 730 -734.

120.Visible and near-infrared luminescence from silicon nanostructures formed by ion implantation and pulse annealing / G.A.Kachurin, I.E.Tyschenko, K.S.Zhuravlev, N.A.Pazdnikov, V.A.Volodin,

A.K.Gutakovsky, A.F.Leier, W.Skorupa, R.A.Yankov // Nucl. Iustr. and Meth. in Physics Research

B. - 1997. - v. 122. - p. 571-574.

121.Visible photoluminescence in Si+ -implanted silica glass / T.Shimizu-Iwayama, K.Fujita, S.Nakao, K.Saitoh, T.Fujita, N.Itoh // J. Appl. Phys. - 1994. - v. 75. - p. 7779-7783.

122.Ion Beam Synthesis of Luminescent Si and Ge Nanocrystals in a Silicon Dioxide Matrix Mater / H.A.Atwater, K.V.Shcheglov, S.S.Wong, K.J.Vahala, R.C.Flagan, M.I.Brongersma, A.Polman // Res. Soc. Symp. Proc. - 1994. - v. 316. - p. 409.

123.Room-temperature visible luminescence from silicon nanocrystals in silicon implanted SiO2 layers / P.Mutti, G.Ghislotti, S.Bertoni, Z.Bonoldi, G.F.Cerofolini, Z.Meda, E.Grilli, M.Guzzi // Appl. Phys. Lett. - 1995. - v. 66. - p. 851-853.

124.Defect-related versus excitonic visible light emission from ion beam synthesized Si nanocrystals in SiO2 / K. S. Min, K. V. Shcheglov, C. M. Yang, Harry A. Atwater, M. L. Brongersma and A. Polman // Appl. Phys. Lett. - 1996. - v. 69. - p. 2033-2035.

125.Hydrostatic pressure dependence of the photoluminescence of Si nanocrystals in SiO2 / H.M.Cheong, W.Paul, S.P.Withrow, J.G.Zhu, J.D.Budai, C.W.White, D.M.Hembree Jr. // Appl. Phys. Lett. - 1996. - v. 68. - p. 87-89.

126.Density-functional-based predictions of Raman and IR spectra for small Si clusters / K.Jackson, M.R.Pederson, D.Porezag, Z.Hajnal, T.Frauenheim // Phys. Rev. B. - 1997. - v. 55. - p. 25492555.

127.Observation of folded acoustic phonons in nanocrystalline silicon/ amorphous silicon multilayers / X.L.Wu, G.G.Siu, M.J.Stokes, S.Tong, F.Yan, X.N.Liu, X.M.Bao, S.S.Jiang, X.K.Zhang, D.Feng // Appl. Phys. Lett. - 1996. - v. 69. - p. 1855-1857.

128.Raman scattering from acoustic phonons confined in Si nanocrystals / M.Fujii, Y.Kanzawa, S.Hayashi, K.Yamamoto // Phys. Rev. B. - 1996. - v. 54. - p. R8373-8376.

129.Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в плёнки SiO2 и последующим отжигом под гидростатическим давлением / И.Е. Тысченко, А.Б.Талочкин, А.Г.Черков, К.С.Журавлев, А. Мисюк, М.Фельсков, В.Скорупа // ФТП. - 2003. - т. 37. - с. 479-484.

130.Maeda Y. Visible photoluminescence from nanocrystalline Ge embedded in glassy SiO2 matrix: Evidence in support of quantum-confinement mechanism / Y. Maeda // Phys. Rev. B. - 1995. - v. 51. - p. 1658-1670.

131.Structure and photoluminescence properties of evaporated GeOx thin films / M. Ardyanian, H. Rinnert, X. Devaux, and M. Vergnat // Appl. Phys. Lett. - 2006. - v. 89. - p. 011902(1-3).

132.Каганович Э.Б. Фотолюминесценция германиевых квантовых точек, сформированных импульсным лазерным осаждением / Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, Е.Б. Бегун // ФТП. -2007. - т. 41. - с. 177-181.

133.Гриценко В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах / В.А. Гриценко. - Новосибирск : Наука, 1993. - 278 с.

134.Yamaguchi K. Short lifetime photoluminescence of amorphous-SiNx films / K. Yamaguchi, K. Mizushima, and K. Sassa // Appl. Phys. Lett. - 2000. - v. 77. - p. 3773-3775.

135.Гриценко В.А. Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния / В.А. Гриценко // УФН. - 2008. - т. 178. - с. 727-737.

136.Chaussat C. Chemical heterogeneity in off stoichiometry a-SixNyHz from a collective vibrational modes study / C.Chaussat, E.Bustarret, A.Deneuville // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1985. -v. 77-78. - p. 917-920.

137.Yu G. Theoretical study of the Raman spectrum in a-Si1-xNx:H films / G.Yu, G.Chen, F.Zhang // Phys. Stat. Sol. (b). - 1989. - v. 152. - p. 73-78.

138.Wakita K. Effect of annealing on photoluminescence spectra and film structure in a-SiNx:H / K.Wakita, S.Makimura, Y.Nakayama // Jpn. J. Appl. Phys. - 1995. - v. 34. - p. 1425-1430.

139.Sun Y. Possible origin for (110)-oriented growth of grains in hydrogenated microcrystalline silicon films / Yong Sun, T.Miyasato, J.K.Wigmore // Appl. Phys. Lett. - 1997. - v. 70. - p. 508510.

140.Preparation of three-dimensionally oriented polycrystalline Si film / G.Q.Di, H.Lin, N.Uchida, Y.Kurata, K.Kuomoto, S.Hasegawa // Appl. Phys. Lett. - 1996. - v. 68. - p. 69-71.

141.Lengsfeld P. Successive laser crystallization of doped and undoped a-Si:H. PhD Dissertation / Philip Lengsfeld. - Berlin. : TUB, 2001. - 117 p.

142.Фабелинский И.Л. Открытие комбинационного рассеяния света в России и Индии / И.Л. Фабелинский // УФН. - 2003. - т. 173. - с. 1137-1144.

143.Мандельштам Л.И. Новое явление при рассеянии света (предварительное сообщение) / Л.И.Мандельштам, Г.С.Ландсберг // ЖРФХО. - 1928. - т. 60. - с. 335-338.

144.Сущинский М.М. Спектры комбинационного рассеяния молекул и кристаллов / М.М.Сущинский. - М. : Наука, 1969. - 411 с.

145.Рассеяние света в твердых телах. Вып. II : основные понятия и методы исследования / под ред. М.Кардоны и Г.Гюнтеродта. - М. : Мир, 1984. - 328 с.

146.Пуле А. Колебательные спектры и симметрия кристаллов / А.Пуле, Ж.-П.Матье. - М. : Мир, 1973. - 437 с.

147.Горелик В.С. Введение в спектроскопию комбинационного рассеяния света / В.С.Горелик, Б.С.Умаров. - Душанбе : Дониш, 1982. - 286 с.

148.Жижин Г.Н.. Оптические колебательные спектры кристаллов / Г.Н.Жижин, Б.Н.Маврин, В.Ф.Шабанов. - М. : Наука, 1984. - 232 с.

149.Методы спектроскопии полупроводников / под редакцией Э.М.Скока. - Новосибирск : Наука, 1986. - 167 с.

150.Мешков И.Н.. Электромагнитное поле. Ч. 2 : Электромагнитные волны и оптика / И.Н. Мешков, Б.В. Чириков. - Новосибирск : Наука, 1987. - 253 с.

151. Ландау Л.Д. Теоретическая физика. Том I : Механика / Л. Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. - М. : Наука, 1988. - 215 с.

152.Barker A.S. Response function in the theory of Raman scattering by vibrational and polariton modes in dielectric crystals / A.S. Barker, Jr., R. Loudon // Review of Modern Physics. - 1972. - v. 44. - p. 18-47.

153.Горшков М.М. Эллипсометрия / М.М. Горшков. - М. : Советское Радио, 1974. - 200 с.

154.Fair J.E. Rapid thermal processing for active matrix devices / James E. Fair // Solid State Technology. - 1992. - v. 8. - p. 47-52.

155.Excimer laser and rapid thermal annealing stimulation of solid-phase nucleation and crystallization in amorphous silicon films on glass substrate / M.D.Efremov, V.V.Bolotov, V.A.Volodin, L.I.Fedina, E.A.Lipatnikov // J. Phys.: Condens. Matter. - 1996. - v. 8, - p. 273-286.

156.Observation of laser-induced melting of silicon film followed by amorphization / T.Sameshima, M.Hara, N.Sano, and S.Usui // Japanese Journal of Applied Physics. - 1990. - v. 29. - p. L1363-L1365.

157.Sameshima T. Pulsed laser-induced amorphization of silicon films / T.Sameshima, S.Usui // J.

Appl. Phys. - 1991. - v. 70. - p. 1281-1289. 158.Sameshima T. Pulsed laser-induced amorphization of silicon films / T.Sameshima, S.Usui // Mat.

Res. Soc. Symp. Proc. - 1992. - v. 235. - p. 89-94. 159.Im J.S. Phase transformation mechanism involved in excimer laser crystallization of amorphous silicon films / James S.Im, H.J.Kim, Michael O.Thompson // Appl. Phys. Lett. - 1993. - v. 63. - p. 1969-1971.

160.Высокотемпературная анизотропия проводимости сверхрешёток GaAs квантовых проволок, выращенных на фасетированных поверхностях 311А / В.Я.Принц, И.А.Панаев, В.В.Преображенский, Б.Р.Семягин // Письма в ЖЭТФ. - 1994. - т. 60. - с. 209-212. 161.Shklyaev A.A. High-density ultrasmall epitaxial Ge islands on Si (111) surfaces with a SiO2 coverage / A.A.Shklyaev, M.Shibata, and M.Ichikawa // Phys. Rev. B. - 2000. - v. 62. - p. 15401543.

162.Infrared absorption strength and hydrogen content of hydrogenated amorphous silicon / A. A. Langford, M. L. Fleet, B P. Nelson, W.A. Lanford, N. Maley // Phys. Rev. B. - 1992. - v. 45. - p. 13367-1377.

163.Volodin V.A. Quantitative Analysis of Hydrogen in Amorphous Silicon Using Raman Scattering Spectroscopy / V.A.Volodin, D.I.Koshelev // Journal of Raman Spectroscopy. - 2013. - v. 44. - p. 1760-1764.

164.Способ измерения для контроля водорода в твердотельном материале : пат. №2531081 Рос. Федерация / В.А.Володин, Г.Н.Камаев, А.Х.Антоненко, Д.И.Кошелев. - Приоритет от 18.07.2013 ; опубл. 20.10.2014, Бюл. № 29.

165.Probing of Crystallinity of Evaporated Silicon Films by Raman Scattering / Tadashi Ocada, Tetsuo Iwaki, Hajime Kasahara and Keiichi Yamamoto // Japanese Journal of Applied Physics. -

1985. - v. 24. - p. 161-165.

166.Effect of static uniaxial stress on the Raman spectrum of silicon / E.Anastassakis, A.Pinczuk, E.Burstein, F.H.Pollak, M.Cardona // Solid State Communications. - 1970. - v. 8, - p. 133-138.

167.Stress-induced shifts of first-order Raman frequencies of diamond- and zinc-blende-type semiconductors / F.Cerdeira, C.J.Buchenauer, F.H.Pollak, M.Cardona // Phys. Rev. B. - 1972. - v. 5. - p. 580-593.

168.Study of stress relaxation in implanted silicon on sapphire structures using Raman spectroscopy / V.V.Bolotov, M.D.Efremov, V.V.Karavaev, V.A.Volodin, A.V.Golomedov // Thin Solid Films. -1992. - v. 208. - p. 217-223.

169.Formation of poly-Si films on glass substrates using excimer laser treatment / M.D.Efremov, V.V.Bolotov, V.A.Volodin, E.A.Lipatnikov, L.I.Fedina, I.G.Neizvestny // Proceedings of SPIE. -June 1996. - v. 2801: Nonlinear Optics of Low Dimensional Structures and New Materials / eds. V.I.Emel'yanov, V.Y.Panchenko. - p. 263-270.

170.Фазовые превращения в плёнках аморфного кремния при низкотемпературной кристаллизации / И. Г. Неизвестный, М. Д. Ефремов, В. А. Володин, Г. Н. Камаев, А. В. Вишняков, С. А. Аржанникова // Поверхность. - 2007. - т. 9. - с. 95-102.

171.Фотопроводимость плёнок гидрированного кремния с двухфазной структурой / А.Г. Казанский, Е.И. Теруков, П.А. Форш, J.P. Kleider // ФТП. - 2010. - т. 44. - с. 513-516.

172.Influence of helium dilution of silane on microstructure and opto-electrical properties of hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) thin films deposited by HW-CVD / V.S. Waman, M M. Kamble, S.S. Ghosh, R.R. Hawaldar, D P. Amalnerkar, V.G. Sathe, S.W. Gosavi, S R. Jadkar // Materials Research Bulletin. - 2012. - v. 47. - p. 3445-3451.

173.Effects of doping concentration on the microstructural and optoelectrical properties of boron doped amorphous and nanocrystalline silicon films / Chao Song, Xiang Wang, Rui Huang, Jie Song, Yanqing Guo // Materials Chemistry and Physics. - 2013. - v. 142. - p. 292-296.

174.Highly doped p-type microcrystalline silicon thin films fabricated by a low-frequency inductively coupled plasma at a low temperature / W.S. Yan, D.Y. Wei, S. Xu, C.C. Sern and H.P. Zhou // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2011. - v. 44. - p. 345401(1-6).

175.From amorphous to microcrystalline: Phase transition in rapid synthesis of hydrogenated silicon thin film in low frequency inductively coupled plasmas / S.Q. Xiao, S. Xu, D.Y. Wei, S. Y. Huang, H. P. Zhou, and Y. Xu // J. of Appl. Phys. - 2010. - v. 108. - p. 113520-(1-6).

176.In-situ monitoring of laser annealing by micro-Raman spectroscopy for hydrogenated silicon nanoparticles produced in radio frequency glow discharge / D. Hill, T. Jawhari, J. Garcia Cespedes, J. Alvarez Garcia, and E. Bertran // Phys. Stat. Sol. (a). - 2006. - v. 203. - p. 1296-1300.

177.Heterogeneity in hydrogenated silicon: Evidence for intermediately ordered chainlike objects / David V. Tsu, Benjamin S. Chao, Stanford R. Ovshinsky, Scott J. Jones Jeffrey Yang, Subhendu

Guha and Raphael Tsu // Phys. Rev. B. - 2001. - v. 63. - p. 125338-(1-9).

178.Unamuno S.D. A thermal description of the melting of c- and a-silicon under pulsed excimer lasers / De Unamuno, E. Fogarassy // Applied Surface Science. - 1989. - v. 36. - p. 1-11.

179.Лиманов А.Б. Численное моделирование эксимерной кристаллизации тонких пленок аморфного кремния на стеклянных подложках / А.Б. Лиманов // Микроэлектроника. - 1994. -т. 23. - с. 87-95.

180.Исследование плёнок кремния, полученных методом последовательного латерального роста (SLS) с использованием 3-кГц эксимерного лазера с ленточным пучком излучения / А.Б.Лиманов, В.А.Чубаренко, В.М.Борисов, А.Ю.Виноходов, А.И.Демин, О.Б.Христофоров,

A.В.Ельцов, Ю.Б.Кирюхин // Микроэлектроника. - 1999. - т. 28. - с. 30-39.

181.Получение нанокристаллических пленок кремния на подложках из полиимида с применением импульсного воздействия излучения эксимерного лазера / М.Д.Ефремов,

B.А.Володин, Л.И.Федина, А.А.Гутаковский, Д.В.Марин, С.А.Кочубей, А.А.Попов, Ю.А.Минаков, В.Н.Уласюк // Письма в ЖТФ. - 2003. - т. 29. - с. 89-94.

182.Femtosecond and Nanosecond Laser Pulse Crystallization of Thin a-Si:H Films on Non-Refractory Glass Substrates / V.A.Volodin, M.D.Efremov, G.A.Kachurin, S.A.Kochubei, A.G.Cherkov, M.Deutschmann, and N. Baersch // Solid State Phenomena. - 2008. - vols. 131-133. - p.479-484.

183.Reason to believe pulsed laser annealing of Si does not involve simple thermal melting / J.A. Van Vechtee, R.Tsu, F.W.Saris, D.Hoonhout // Phys. Letters A. - 1979. - v. 74. - p. 417-421.

184.Van Vechtee J.A. Nonthermal pulsed laser annealing of Si; Plasma annealing / J.A. Van Vechtee, R.Tsu and F.W.Saris // Phys. Letters A. - 1979. - v. 74. - p. 422-426.

185.Bok J. Effect of electron-hole pairs on melting of silicon / J. Bok // Phys. Letters A. - 1981. - v. 84. - p. 448-450.

186.Stampfli P. Theory of instability of the diamond structure of Si, Ge and C induced by a dense electron-hole plasma / P. Stampfli, K.H. Bennemann // Phys. Rev. B. - 1990. - v. 42. - p. 71637173.

187.Arbitrary surface structuring of amorphous silicon films based on femtosecond-laser-induced crystallization / G.J.Lee, S.H.Song, Y.P.Lee, H.Cheong, C.S.Yoon, Y.D.Son, J.Jang // Appl. Phys. Lett. - 2006. - v. 89. - p. 151907(1-3).

188.Ашитков С.И. Рекомбинация электрон-дырочной плазмы в кремнии при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов / С.И.Ашитков, А.В.Овчинников, М.Б.Агранат // Письма в ЖЭТФ. - 2004. - т. 79. - с. 657-659.

189.Фазовые переходы в плёнках a-Si:H на стекле при воздействии мощных фемтосекундных импульсов: проявление нелинейных и нетермических эффектов / В.А.Володин, М.Д.Ефремов, Г.А.Качурин, А.Г.Черков, M.Deutschmann, N.Baersch // Письма в ЖЭТФ. -

2007. - т. 86. - с. 128- 131.

190.Способ получения слоя поликристаллического кремния : пат. №2431215 Рос. Федерация / В.А.Володин, А.С.Качко. - Приоритет от 02.06.2010 ; опубл. 10.10.2011, Бюл. №28.

191.Импульсный отжиг полупроводниковых материалов / А.В.Двуреченский, Г.А.Качурин, Е.В.Нидаев, Л.С.Смирнов. - М. : Наука, 1982. - 208 с.

192.Игонина Н.М. Затвердевание расплава и поведение примеси при электронном импульсном воздействии на неупорядоченные слои кремния : диссертация на соискание степени кандидата физико-математических наук / Н.М. Игонина. - Новосибирск, 1985. - 120 с.

193.Манжосов Ю.А. Увеличение размеров кристаллитов кремния на диэлектрике при импульсной перекристаллизации с дополнительным нагревом / Ю.А.Манжосов, Г.А.Качурин, А.Е.Плотников // Поверхность. - 1989. - т. 2. - с. 138-140.

194.Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers / ed. by G.Bauer, W.Richter. -Springer, 1996. - 392 p.

195.Волькенштейн М. Поляризуемость молекул и ее вклад в комбинационное рассеяние света / М.Волькенштейн // Доклады Академии наук СССР. - 1941. - т. 32. - с. 185-187.

196.Raman scattering anisotropy in system of (110) oriented silicon nanocrystals formed in a-Si film / M.D.Efremov, V.V.Bolotov, V.A.Volodin, S.A.Kochubei // Solid State Communications. - 1998. -v. 108. - p. 645-648.

197.Образование нанокристаллов кремния с выделенной ориентацией (110) в аморфных плёнках Si:H на стеклянных подложках при наносекундных воздействиях ультрафиолетового излучения / М.Д.Ефремов, В.В.Болотов, В.А.Володин, С.А.Кочубей, А.В.Кретинин // ФТП. -2002. - т. 36. - с. 109-116. 198.A detailed Raman study of porous silicon / H.Munder, C.Andrejak, M.G.Berger, U.Klemradt,

H.Luth, R.Herino, and M.Ligeon // Thin Solid Films. - 1992. - v. 221. - p. 27-33.

199.Iqbal Z. Raman scattering from hydrogenated microcrystalline and amorphous silicon / Z.Iqbal, and S.Veprek // J. Phys. C: Solid State Phys. -1982. - v. 15. - p. 377-393.

200.Formation of polycrystalline silicon films on glass substrates using stimulation of nucleation in PCVD amorphous silicon / V.V.Bolotov, M.D.Efremov, L.I.Fedina, E.A.Lipatnikov, V.A.Volodin,

I.G.Neizvestnij // Proceedings of 9th International colloquium on plasma processes. - Antibes, France. - 1993. - p. 420-422.

201.Raman and HREM observation of oriented silicon nanocrystals inside amorphous silicon films on glass substrates / M.D.Efremov, V.V.Bolotov, V.A.Volodin, L.I.Fedina, A.A.Gutakovskij, S.A.Kochubei // Solid State Phenomena. - 1997. - v. 57-58. - p. 507-512.

202.Yu G. Theoretical Study of the Raman Spectrum in a-Si1-xNx:H Films / Gong Yu, Guanghua Chen, F. Zhang // Phys. stat sol.(b). - 1989. - v. 152. - p. 73-78.

203.Quantum-sized silicon precipitates in silicon-implanted and pulse-annealed silicon dioxide films:

photoluminescense and structural transformations / I.E.Tyschenko, G.A.Kachurin, K.S.Zhuravlev, N.A.Pazdnikov, V.A.Volodin, A.K.Gutakovsky, A.F.Leier, H.Frob, K.Leo, T.Bohme, L.Rebohle, R.A.Yankov, W.Skorupa // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. - 1997. - v. 438. - p. 453-458.

204.Annealing effects in light emitting Si nanostructures formed in SiO2 by ion implantation and transient preheating / G.A.Kachurin, K.S.Zhuravlev, N.A.Pazdnikov, A.F.Leier, I.E.Tyschenko, V.A.Volodin, W.Skorupa, R.A.Yankov // Nuclear instruments and Methods in Physics Research B. - 1997. - v. 127/128. - p. 583-586.

205.Влияние дозы и режима отжигов на формирование центров люминесценции в SiO2, имплантированном ионами Si / Г.А.Качурин, А.Ф.Лейер, К.С.Журавлев, И.Е.Тысченко,

B.А.Володин, В.Скорупа, Р.А.Янков // ФТП. - 1998. - т. 32. - с. 1371-1377.

206.Формирование SiOx-слоёв при плазменном распылении Si- и SiO2- мишеней / А.Н.Карпов, Д.В.Марин, В.А.Володин, J.Jedrzejewski, Г.А.Качурин, E.Savir, Н.Л.Шварц, З.Ш.Яновицкая, I.Balberg, Y.Goldstein // ФТП. - 2008. - т. 42. - с. 747-752.

207.The modification of Si nanocrystallites embedded in a dielectric matrix by high energy ion irradiation / I.V. Antonova, M.B. Gulyaev, A.G. Cherkov, V.A. Volodin, D.V. Marin, V.A. Skuratov, J.Jedrzejewski, and I. Balberg // Nanotechnology. - 2009. - v. 20. - p. 095205-(1-5).

208.Volodin V.A. Raman spectroscopy investigation of silicon nanocrystals formation in silicon nitride films / V.A.Volodin, M.D.Efremov, V.A.Gritsenko // Solid State Phenomena. - 1997. - v. 57-58. - p. 501-506.

209.Raman study of silicon nanocrystals formed in SiNx films by excimer laser or thermal annealing / V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.A. Gritsenko, S.A. Kochubei // Appl. Phys. Lett. - 1998. - v. 73. -p. 1212-1214.

210.Способ формирования содержащего нанокристаллы диэлектрического слоя : патент №2391742 Рос. Федерация / В.А.Володин, Т.Т.Корчагина. - Приоритет от 12.02.2009 ; опубл. 10.06.2010, Бюл. №16.

211.Видимая фотолюминесценция нанопорошков кремния, созданных испарением кремния мощным электронным пучком / М.Д. Ефремов, В.А. Володин, Д.В. Марин,

C.А. Аржанникова, С.В. Горяйнов, А.И. Корчагин, В.В. Черепков, А.В. Лаврухин, С.Н. Фадеев, Р. А. Салимов, С.П. Бардаханов // Письма в ЖЭТФ. - 2004. - т. 80. - с. 619-622.

212.Овсюк Н.Н. Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света нанопорошков кремния / Н.Н. Овсюк, В.А. Володин, Prafulla K. Jha // Известия РАН. Серия Физическая. -2013. - т. 77. - с. 1204-1207.

213.Richter H. The one phonon Raman spectrum of microcystalline silicon / H.Richter, Z.P.Wang and L.Lay // Solid State Comm. - 1981. - v. 39. - p. 625-629.

214.Modified Raman confinement model for Si nanocrystals / G.Faraci, S.Gibilisco, P.Russo, A.R.Pennisi, S.L.Rosa // Phys. Rev. B. - 2006. - v. 73. - p. 033307(1-4).

215.Probing the phonon confinement in ultrasmall silicon nanocrystals reveals a size-dependent surface energy / J I.F.Crowe, M.P.Halsall, O.Hulko, A.P.Knights, R.M.Gwilliam, M.Wodjdak and

A.J.Kenyon // J. Appl. Phys. - 2011. - v. 109. - p. 083534(1-8).

216.Quantum size effects in Raman spectra of Si nanocrystals / G.Faraci, S.Gibilisco, A.R.Pennisi, C.Faraci // J. Appl. Phys. - 2011. - v. 109. - p. 074311(1-4).

217.Кристаллизация кластеров аморфного кремния в плёнках SiNx на стекле с применением наносекундных импульсных обработок излучением KrF лазера / Т.Т. Корчагина, В.А. Володин, А.А.Попов, Б.Н.Чичков // Вестник НГУ. Серия: Физика. - 2009. - т.4. - с. 47-52.

218.Корчагина Т.Т. Формирование и кристаллизация нанокластеров кремния в плёнках SiNx:H с применением фемтосекундных импульсных отжигов / Т.Т. Корчагина, В.А. Володин,

B.N. Chichkov // ФТП. - 2010. - т. 44. - р. 1660-1665.

219.Femtosecond laser induced formation of Si nanocrystals and amorphous Si clusters in silicon-rich nitride films / V.A. Volodin, T.T. Korchagina, J. Koch, B.N. Chichkov // Physica E. - 2010. - v. 42. - p. 1820-1823.

220.Femtosecond pulse crystallization of thin amorphous hydrogenated films on glass substrates using near ultraviolet laser radiation / V.A. Volodin, A.S. Kachko, A.G. Cherkov, A.V. Latyshev, J. Koch, B.N. Chichkov // Письма в ЖЭТФ. - 2011. - т. 93. - с. 665-668.

221.Femtosecond laser induced formation and crystallization of Si nanoclusters in SiOx films / V.A. Volodin, T.T. Korchagina, A.K. Gutakovsky, L.I. Fedina, M.A. Neklyudova, A.V. Latyshev, J. Jedrzejewski, I. Balberg, J. Koch, B.N. Chichkov // Physics Express. - 2012. - v. 2. - p. 5(1-6).

222.Selforientation of silicon nanocrystals created under pulse laser impact in stressed a-Si:H films on glass substrates / M.D.Efremov, V.A.Volodin, V.V.Bolotov, A.V.Kretinin, A.K.Gutakovskii, L.I.Fedina, S.A.Kochubei // Solid State Phenomena. - 2002. - v. 82-84. - p. 681-686.

223.Volodin V.A. Optical and Vibration Properties of Silicon Rich Nitride / V.A.Volodin // Silicon Nitride: Synthesis, Properties and Applications / Ed. by E.J. Hierra and J.A. Salazar. - N.Y. : Nova Science Publishers Inc., 2012. - p. 71-103.

224.Dolling G. Lattice vibrations in crystals with the diamond structure / G.Dolling // Inelastic Scattering of Neutrons in Solids and Liquids. - IAEA, Vienna, 1963. - v. II. - p. 37-48.

225.Tubino R. Lattice Dynamics and Spectroscopic Properties by a Valence Force Potential of Diamondlike Crystals: C, Si, Ge, and Sn / R.Tubino, L.Piseri, G.Zebri // The Journal of Chemical physics. - 1972. - v. 56. - p. 1022-1039.

226.Inelastic-neutron-scattering study of phonon eigenvectors and frequencies in Si / J. Kulda, D. Strauch, P. Pavone, Y. Ishii // Phys. Rev. B. - 1994. - v. 50. - p. 13347-13356.

227.Cheng W. Calculations on the size effects of Raman intensities of silicon quantum dots / Wei Cheng, Shang-Fen Ren // Phys. Rev. B. - 2002. - v. 65. - p. 205305(1-8).

228.Keating P.N. Effect of Invariance Requirements on the Elastic Strain Energy of Crystals with

Application to the Diamond Structure / P.N. Keating // Phys. Rev. - 1966. - v. 145. - p. 637-649.

229.Володин В.А. Кристаллизация плёнок аморфного гидрогенизированного кремния с применением фемтосекундных лазерных импульсов / В.А. Володин, А.С.Качко // ФТП. -2011. - т. 45. - с. 268-273.

230.Качко А.С. Ангармонизм фононов в кремнии: исследование методом спектроскопии комбинационного рассеяния света / А.С. Качко, В.Н. Ваховский, В.А. Володин // Вестник НГУ. Серия: Физика. - 2010. - т. 5. - с. 48-55.

231.Faraci G. Quantum confinement and thermal effects on the Raman spectra of Si nanocrystals / G.Faraci, S.Gibilisco, A.R.Pennisi // Phys. Rev. B. - 2009. - v. 80. - p. 193410(1-6).

232.Embedded Silicon Nanocrystals Studied by Photoluminescence and Raman Spectroscopies: Exciton and Phonon Confinement Effects / P.Miska, M.Dossot, T.D.Nguen, M.Grun, H.Rinnert, M.Vergnat, B.Humbert // J. Phys. Chem. C. - 2010. - v. 114. - p. 17344-17349.

233.Володин В.А. Улучшенная модель локализации оптических фононов в нанокристаллах кремния / В.А.Володин, В.А. Сачков // ЖЭТФ. - 2013. - т. 143. - с. 100-108.

234.Formation of Ge and GeSi nanocrystals in GeOx/SiO2 multilayers / V.A. Volodin, D.V. Marin, H. Rinnert, M. Vergnat // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2013. - v. 46. - p. 275305(1-7).

235.Фотолюминесценция в плёнках GeO2, содержащих нанокристаллы германия / В.А.Володин, Е.Б.Горохов, М.Д.Ефремов, Д.В.Марин, Д.А.Орехов // Письма в ЖЭТФ. - 2003. - т. 77. - с. 485-488.

236.Влияние квантоворазмерного эффекта на оптические свойства нанокристаллов Ge в плёнках GeO2 / Е.Б. Горохов, В.А. Володин, Д.В. Марин, Д.А. Орехов, А.Г. Черков,

A.К. Гутаковский, В.А. Швец, А.Г. Борисов, М.Д. Ефремов // ФТП. - 2005. - т. 39. - с. 12101217.

237.Ge nanoclusters in GeO2 films: synthesis and optical properties / V.A. Volodin, E.B. Gorokhov, D.V. Marin, A G. Cherkov, A.K. Gutakovskii and M.D. Efremov // Solid State Phenomena. - 2005. - vols. 108-109. - p. 84-88.

238.Volodin V.A. Ge Nanoclusters in GeO2 Films: Synthesis, Structural Researches and Optical Properties / V.A.Volodin, E.B.Gorokhov // Quantum Dots: Research, Technology and Applications / Ed. by Randolf W. Knoss. - N.Y. : Nova Science Publishers Inc., 2008. - 240. - p. 331-370.

239.Способ создания плёнок германия : пат. № 2336593 Рос. Федерация / Е.Б.Горохов,

B.А.Володин, К.Н.Астанкова, Д.В.Щеглов, А.В.Латышев, А.Л.Асеев. - Приоритет от 11.04.2007 ; опубл. 20.10.2008, Бюл. №29. - с. 733-734.

240.A novel tip-induced local electrical decomposition method for thin GeO films nanostructuring / D.V. Sheglov, E.B. Gorokhov, V.A. Volodin, K.N. Astankova, A.V. Latyshev // Nanotechnology. -2008. - v. 19. - p. 245302-(1-4).

241.Quasi-direct optical transitions in Ge nanocrystals embedded in GeO2 matrix / V.A. Volodin,

E.B. Gorokhov, D.V. Marin, H.Rinnert, P.Miska, M.Vergnat // Письма в ЖЭТФ. - 2009. - т. 89. -с. 84-88.

242.Fujii M. Raman scattering from quantum dots of Ge embedded in SiO2 thin films / M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto // Appl. Phys. Lett. - 1990. - v. 57. - p. 2692-2694.

243.Nelin G. Phonon density of states in germanium at 80 K measured by neutron spectrometry / G.Nelin and G.Nilsson // Phys. Rev. B. - 1972. - v. 5. - p. 3151-3160.

244.Ren S.F. Calculations of surface effects on phonon modes and Raman intensities of Ge quantum dots / Shang-Fen Ren and Wei Cheng // Phys. Rev. B. - 2002. - v. 66. - p. 205328(1-6).

245. Cheng W. Theoretical investigation of the surface vibrational modes in germanium nanocrystals / Wei Cheng, Shang-Fen Ren, and Peter Y. Yu // Phys. Rev. B. - 2003. - v. 68. - p. 193309 (1-4).

246.Raman study of stress effect on Ge nanocrystals embedded in Al2O3 / S.R.C. Pinto, A.G. Rolo, A. Chahboun, R.J. Kashtiban, U. Bangert, M.J.M. Gomes // Thin Solid Films. - 2010. - v. 518. - p. 5378-5381.

247.Applying of Improved Phonon Confinement Model for Analysis of Raman Spectra of Germanium Nanocrystals / V.A.Volodin, D.V.Marin, V.A.Sachkov, E.B.Gorokhov, H.Rinnert, M.Vergnat // ЖЭТФ. - 2014. - т. 145. - с. 77-83.

248.Raman spectrum of Si nanowires: temperature and phonon confinement effects / J. Anaya A. Torres, V. Hortelano, J. Jiménez, A.C. Prieto, A. Rodriguez, T. Rodriguez, R. Rogel, L. Pichon // Appl. Phys. A. - 2014. - v. 114. - p. 1321-1331.

249.Sun C.Q. Size dependence of nanostructures: Impact of bond order deficiency / Chang Q. Sun // Progress in Solid State Chemistry. - 2007. - v. 35. - p. 1-159.

250.Raman and photoluminescence spectroscopy of Si nanocrystals: Evidence of a form factor / G. Faraci, G. Mannino, A. R. Pennisi, R. Ruggeri, P. Sberna, and V. Privitera // J. of Appl. Phys. -2013. - v. 113. - p. 063518-(1-5).

251.Володин В.А. Комбинационное рассеяние света в массивах нанообъектов кремния и арсенида галлия : диссертация на соискание степени кандидата физико-математических наук.

- Новосибирск, 1999. - 185 с.

252.Modified phonon confinement model for Raman spectroscopy of nanostructured materials / K. Roodenko, I. A. Goldthorpe, P. C. McIntyre, and Y. J. Chaba // Phys. Rev. B. - 2010. - v. 82. - p. 115210-(1-11).

253.Влияние имплантации ионов P на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2 / Г. А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов // ФТП. - 2003. - т. 37. - с. 738-742.

254.Fano U. Effects of configuration interaction on intensities and phase shifts / U. Fano // Phys. Rev.

- 1961. - v. 124. - p. 1866-1878.

255.Nickel N.H. Raman spectroscopy of heavily doped polycrystalline silicon thin films / N. H.

Nickel, P. Lengsfeld, and I. Sieber // Phys. Rev. B. - 2000. - v. 61. - p. 15558-15561. 256.Raman spectroscopy of heavily doped polycrystalline and microcrystalline silicon / P. Lengsfeld, S. Brehme, K. Brendel, Ch. Genzel, and N. H. Nickel // Phys. Stat. Sol. (b). - 2003. - v. 235. - p. 170-178.

257.Saleh R. The influence of boron concentrations on structural properties in disorder silicon films / R. Saleh, N.H. Nickel // Applied Surface Science. - 2007. - v. 254. - p. 580-585.

258.Cerdeira F. Raman study of the interaction between localized vibrations and electronic excitations in boron doped silicon. / F.Cerdeira, T.A.Fjeldly and M.Cardona // Phys. Rev. B. - 1974. - v. 9. -p. 4344-4350.

259.Phonon-electron interaction in Si nanocrystals formed in a-Si films by pulse excimer laser impact / M.D.Efremov, S.A.Arzhannikova, V.A.Volodin, L.I.Fedina, A.K.Gutakoskii, S.A.Kochubei // 12th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". - St.Petersburg, Russia. -2004. -p. 117-118.

260.Володин В.А. Электрон-фононное взаимодействие в легированных бором нанокристаллах кремния: влияние интерференции Фано на спектр комбинационного рассеяния света /

B.А.Володин, М.Д.Ефремов // Письма в ЖЭТФ. - 2005. - т. 82. - с. 91-94.

261.Аржанникова С.А. Электропроводность тонких диэлектрических плёнок с нанокристаллами кремния : диссертация на соискание степени кандидата физико-математических наук. - Новосибирск, 2008. - 182 с.

262.Влияние имплантации ионов фосфора на кристаллизацию пленок аморфного кремния при воздействии импульсов излучения эксимерного лазера / М.Д.Ефремов, В.А.Володин,

C.А.Аржанникова, С.А.Кочубей, В.Н.Уласюк // Письма в ЖТФ. - 2005. - т. 31. - с. 86-94.

263.Бейлин В.М. Влияние легирования на упругие константы в кремнии / В.М. Бейлин, Ю.Х. Векилов, О.М. Красильников // ФТТ. - 1970. - т. 12. - с. 684-689.

264.Володин В.А. Исследование электрон-фононного взаимодействия в нанокристаллах кремния n-типа с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света / В.А.Володин, М.Д.Ефремов, А.Г.Черков // ФТТ. - 2008. - т. 50. - с. 921-923.

265.Laser-Induced Fano Resonance Scattering in Silicon Nanowires / R. Gupta, Q. Xiong, C. K. Adu, U. J. Kim, and P. C. Eklund // Nano Letters. - 2003. - v. 3. - p. 627-631.

266.Искусственные подложки GeSi для гетероэпитаксии - достижения и проблемы : обзор / Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, С.И. Чикичев // ФТП. - 2003. - т. 37. - с. 513-538.

267.Feldman D.W. Raman scattering by local modes in germanium-rich silicon-germanium alloys /

D.W. Feldman, M. Ashkin, and James H. Parker, Jr. // Phys. Rev. Lett. - 1966. - v. 17. - p. 12091212.

268.Brya W.J. Raman scattering in Ge-Si alloys / W.J. Brya // Solid State Comm. - 1973. - v. 12. - p.

253-257.

269.Srivastava V. Phonons in disordered Si-Ge alloys / V.Srivastava and K.Joshi // Phys. Rev. B. -1973. - v. 8. - p. 4671-4677.

270.Alonso M.I. Raman spectra of c-Si1-xGex alloys / M.I.Alonso and K.Winer // Phys. Rev. B. - 1989. - v. 39. - p. 10056-10062.

271.High-resolution Raman spectroscopy of Ge-rich c-Ge1-xSix alloys: Features of Ge-Ge vibrational modes / H D. Fuchs, G H. Grein, M.I. Alonso, and M. Cardona // Phys. Rev. B. - 1991. - v. 44. - p. 13120-13123.

272.Raman scattering of relaxed GexSi1-x alloy layers / P.M.Mooney, F.Dacol, J.C.Tsang, and J.O. Chu // Appl. Phys. Lett. - 1993. - v. 62. - p. 2069-2071.

273.Measurements of alloy composition and strain in thin GexSi1-x layers / J.C.Tsang, P.M.Mooney, F.Dacol, and J.O. Chu // J. Appl. Phys. - 1994. - v. 75. - p. 8098-8111.

274.Raman characterization of strain and composition in small-sized self-assembled Si/Ge dots / P.H. Tan, K. Brunner, D.Bougeard, and G.Abstreiter // Phys. Rev. B. - 2003. - v. 68. - p. 125302-(1-6).

275.Strain relaxation of GeSi/Si(001) heterostructures grown by low-temperature molecular-beam epitaxy / Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, A. K. Gutakovskii, M. A. Revenko, L. V. Sokolov // J. Appl. Phys. - 2004. - v. 96. - p. 7665-7669. 276.Kolobov A.V. Raman scattering from Ge nanostructures grown on Si substrates: Power and

limitations / A.V.Kolobov // J. Appl. Phys. - 2000. - v. 87. - p. 2926-2930. 277.Ourmazd A. Observation of order-disorder transmissions in strained semiconductor systems /

A.Ourmazd and J.C.Bean // Phys. Rev. Lett. - 1985. - v. 55. - p. 765-768.

278.Ordering in Si1-xGex crystals / D.J.Lockwood, K.Rajan, E.W.Fenton, J.-M.Baribeau, and M.W.Denhoff // Solid State Comm. - 1987. - v. 61. - p. 465-467.

279.Резонансное комбинационное рассеяние света в наноостровках Ge, сформированных на подложке Si(111) покрытой ультратонким слоем SiO2 / В.А. Володин, М.Д. Ефремов, А.И. Никифоров, Д.А.Орехов, О.П.Пчеляков, В.В.Ульянов // ФТП. - 2003. - т. 37. - с. 1220-1224.

280.Фононы в структурах на основе GaAs и AlAs: численное моделирование и эксперимент /

B.А.Сачков, В.В.Болотов, В.А.Володин, М.Д.Ефремов // препринт ИМСЭ СО РАН 2000-01. -62 с.

281.Ge dots on Si (111) and (100) surfaces with SiO2 coverage: Raman study / V.A. Volodin, M.D Efremov, D.A. Orekhov, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov, V.V.Ulyanov, A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii // Physica E. - 2004. - v. 23. - p. 320-323.

282.Phonons as probes in self-organized SiGe islands / J.Groenen, R.Carles, S.Christiansen, M.Albrecht, W.Dorsch, H.P.Strunk, H.Wawra, and G.Wagner // Appl. Phys. Lett. - 1997. - v. 71. -p. 3856-3858.

283.Sui Z. Raman scattering in germanium-silicon alloys under hydrostatic pressure / Z.Sui,

H.H.Burke, and I.P.Herman // Phys. Rev. B. - 1993. - v. 48. - p. 2162-2168. 284.Определение состава и механических деформаций в GexSi(1-x) гетероструктурах из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света: уточнение параметров модели / В.А. Володин, М.Д. Ефремов, А С. Дерябин, Л.В. Соколов // ФТП. - 2006. - т. 40. - с. 1349-1355.

285.Волноводные Ge/Si фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи / А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В Кириенко, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, С.В. Чайковский, В.А. Володин, М.Д. Ефремов, М.С. Сексенбаев, Т.С. Шамирзаев, К С. Журавлев // ФТП. - 2004. - т. 38. - с. 1265-1269.

286.Phonons in Ge/Si quantum dot structures influence of growth temperature / A.G.Milekhin, A.I.Nikiforov, M.Yu.Ladanov, O.P.Pchelyakov, D.N.Lobanov, A.V.Novikov, Z.F.Krasil'nik, S.Schulze, D.R.T.Zahn // Physica E. - 2004. - v. 21. - p. 464-468.

287.Effect of the growth rate on the morphology and structural properties of hut-shaped Ge islands in Si(001) / A.I.Yakimov, A.I.Nikiforov, A.V.Dvurechenskii, V.V.Ulyanov, V.A.Volodin, and R Groetzschel // Nanotechnology. - 2006. - v. 17. - p. 4743-4747.

288.Optical phonons in self-assembled Ge quantum dot superlattices: Strain relaxation effects / J. L. Liu, J. Wan, Z.M. Jiang, A. Khitun, K.L. Wang D. P. Yu // J. Appl. Phys. - 2002. - v. 92. - p. 6804-6808.

289.Ren S.F. Microscopic investigation of phonon modes in SiGe alloy nanocrystals / Shang-Fen Ren,

Wei Cheng, and Peter Y. Yu // Phys. Rev. B. - 2004. - v. 69. - p. 235327(1-8). 290.Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si / А.В. Двуреченский, Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, В.А. Армбристер, В.А. Володин, М.Д. Ефремов // Письма в ЖЭТФ. - 2004. - т. 79. - с. 411-415.

291. Определение из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света состава и деформаций в наноструктурах на основе GexSi1-x с учётом вклада гетерограницы / В.А. Володин, М.Д. Ефремов, А.И. Якимов, Г.Ю. Михалёв, А.И. Никифоров, А.В. Двуреченский // ФТП. - 2007. - т. 41. - с. 950-954.

292.Проявление латеральной локализации фононов в наноостровках Ge в спектрах комбинационного рассеяния света / Д.А.Орехов, В.А.Володин, М.Д.Ефремов, А.И.Никифоров, В.В.Ульянов, О.П.Пчеляков // Письма в ЖЭТФ. - 2005. - т. 81. - с. 415-418.

293.Teys S.A. Formation of the wetting layer in Ge/Si (111) epitaxy at low growth rate studied by STM / S.A.Teys and B.Z.Olshanetsky // Phys. Low Dim. Struct. - 2002. - v.1/2. - p. 37-46.

294.Interface reconstruction in GaAs/AlAs ultrathin superlattices grown on (311) and (001) surfaces / M.D.Efremov, V.A.Volodin, V.V.Preobrazhenski, B.R.Semyagin, V.A.Sachkov, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, I.P.Soshnikov, D.Litvinov, A.Rosenauer, D.Gerthsen // Trends in Nanotechnology Research / Еd. by Eugene V. Dirote. - N.Y. : Nova Science Publishers Inc. - 2004. - p. 145-172.

295.Genrel L. Model for Long-Wavelength Optical Phonon Modes of Mixed Crystals / L.Genrel, T.P.Martin, C.H. Perry // Phys. stat. sol. (b). - 1974. - v. 62. - p. 83-93.

296.Jusserand B. Raman investigation of anharmonicity and disoder-induced effects in Ga1-xAlxAs epitaxial layers / Bernard Jusserand and Jacques Sapriel // Phys. Rev. B. - 1981. - v. 24. - p. 71947205.

297.Бахвалов Н.С. Численные методы / Н.С.Бахвалов, Н.П.Жидков, Г.М.Кобельков. - М. : Наука, 1987. - 598с.

298. Латеральная локализация оптических фононов в квантовых островках GaAs / М.Д.Ефремов, В.А.Володин, В.А.Сачков, В.В.Преображенский, Б.Р.Семягин, В.В.Болотов, Е.А.Галактионов, А.В.Кретинин // Письма в ЖЭТФ. - 1999. - т. 70. - с. 73-79.

299.Interface reconstruction in GaAs/AlAs ultrathin superlattices grown on (311) and (001) surfaces / M.D.Efremov, V.A.Volodin, V.A.Sachkov, V.V.Preobrazhenski, B.R.Semyagin, V.V.Bolotov, E.A.Galaktionov, A.V.Kretinin // Nanotechnology. - 2001. - v. 12. - p. 421-424.

300.Semiconductor quantum-wire structures directly grown on high-index surfaces / R.Nötzel, N.N.Ledentsov, L.A.Däweritz, K.Ploog, M.Hohenstein // Phys. Rev. B. - 1992. - v. 45. - p. 35073515.

301.Reconstruction of the GaAs (311)A surface / M. Wassermeier, J. Sudijono, M.D. Johnson, K.T. Leung, B.G. Orr, L A. Däweritz, K. Ploog // Journal of Crystal Growth. - 1995. - v. 150. - p. 425429.

302.Reconstruction of the GaAs (311)A surface / M. Wassermeier, J. Sudijono, M.D. Johnson, K.T. Leung, B.G. Orr, L A. Däweritz, K. Ploog // Phys. Rev. B. - 1995. - v. 51. - p. 14721-14724.

303.Наблюдение локализации LO-фононов в квантовых проволоках GaAs на фасетированной поверхности (311)А / В.А.Володин, М.Д.Ефремов, В.Я.Принц, В.В.Преображенский, Б.Р.Семягин // Письма в ЖЭТФ. - 1996. - т. 63. - с. 942-946.

304.Расщепление поперечных оптических фононных мод локализованных в квантовых проволоках GaAs на фасетированной поверхности (311)А / В.А.Володин, М.Д.Ефремов, В.Я.Принц, В.В.Преображенский, Б.Р.Семягин, А.О.Говоров // Письма в ЖЭТФ. - 1997. - т. 66. - с. 45-48.

305.Raman study of confinement of optical phonons in GaAs QWWs on facet (311)A GaAs / V.A.Volodin, M.D.Efremov, V.Ya.Prints, V.V.Preobrazhenski, B.R.Semyagin // Аbstract of ICSMM-9, Liege, Belgium. - 1996. - ThP-25.

306.Raman study of confined TO phonons in GaAs/AlAs superlattices grown on GaAs (311) A and B surfaces / V.A.Volodin, M.D.Efremov, V.V.Preobrazhenskii, B.R.Semyagin, V.V.Bolotov // Superlattices and Microstructures. - 1999. - v. 26. - p. 11-16.

307.Исследование методом комбинационного рассеяния света расщепления TO фононов в сверхрешётках GaAs/AlAs выращенных на поверхностях (311) / В.А. Володин, М.Д.

Ефремов, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Болотов, В.А. Сачков // ФТП. - 2000. - т. 34. - с. 62-66.

308.Raman study of GaAs quantum wires grown with partial filling of corrugated (311)A AlAs surfaces / M.D.Efremov, V.A.Volodin, V.A.Sachkov, V.V.Preobrazhenski, B.R.Semyagin, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, I.P.Soshnikov, D.Litvinov, A.Rosenauer, D.Gerthsen // Microelectronic Journal. - 2002. - v. 33. - p. 535-540.

309.Interface structure and growth mode of quantum wire and quantum dot GaAs-AlAs structures on corrugated (311)A surface / N.N.Ledentsov, D.Litvinov, A.Rosenauer, D.Gerthsen, I.P.Soshnikov, V.A.Shchukin, V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.E.Zukov, V.A.Volodin, M.D.Efremov, V.V.Preobrazhenskii, B.P.Semyagin, D.Bimberg and Zh.I.Alferov // Journal of Electronic Materials. - 2001. - v. 30. - p. 463-470.

310.Ordered arrays of vertically-correlated GaAs and AlAs quantum wires grown on a GaAs (311)A surface / D.Litvinov, A.Rosenauer, D.Gerthsen, N.N.Ledentsov, D.Bimberg, G.A.Ljubas, V.V.Bolotov, V.A.Volodin, M.D.Efremov, V.V.Preobrazhenskii and B.R.Semyagin, I.P.Soshnikov // Appl. Phys. Lett. - 2002. - v. 81. - p. 1080-1082.

311.Reconstruction of GaAs/AlAs (311) and (100) interfaces: Raman study / M.D.Efremov, V.A.Volodin, V.V.Bolotov, V.A.Sachkov, G.A.Lubas, V.V.Preobrazhenski, B.R.Semyagin // Solid State Phenomena. - 1999. - v. 69-70. - p. 507-512.

312.Hsu Y. Molecular-beam epitaxial GaAs/AlAs superlattices in the (311) orientation / Y.Hsu, W.I.Wang, T.S.Kuan // Phys. Rev. B. - 1994. - v. 50. - p. 4973-4975.

313.U.S. patent 5,714,765 / R. Nötzel, N.N. Ledentsov, L A. Däweritz, K.Ploog. - Issued 3.02.1998, priority 29.01.1991.

314.Nakayama M. Photoluminescence properties of GaAs/AlAs short-period superlattices / M.Nakayama, I.Tanaka, I.Kimura // Japanese J. Appl. Phys. - 1990. - v. 29. - p. 41-44.

315.Geelhaar L. Step structure on GaAs(113)A studied by scanning tunneling microscopy / L.Geelhaar, J.Marquez, and K.Jacobi // Phys. Rev. B. - 1999. - v. 60. - p. 15890-15895.

316. Дихроизм пропускания света массивом квантовых проволок GaAs, самоформирующихся на нанофасетированной поверхности (311)А / В.А.Володин, М.Д.Ефремов, Р.С.Матвиенко, В.В.Преображенский, Б.Р.Семягин, Н.Н.Леденцов, И.Р.Сошников, Д.Литвинов, А.Розенауэр, Д.Герцен // ФТТ. - 2005. - т. 47. - с. 354-356.

317. Оптическая анизотропия сверхрешёток GaAs/AlAs выращенных вдоль направления [113] / М.В.Белоусов, В.Л.Беркович, А.О.Гусев, Е.Л.Ивченко, П.С.Копьев, Н.Н.Леденцов, А.И.Несвижский // ФТТ. - 1994. - т. 36. - с. 1098-1105.

318.Optical properties of (311)-oriented GaAs/AlAs superlattices / Paulo V.Santos, A.Cantarero, M.Cardona, R.Nötzel, K.Ploog // Phys. Rev. B. - 1995. - v. 52. - p. 1970-1977.

319.Volodin V.A. Photoluminescence study of type-II GaAs quantum well wires grown on nano-faced

(311)A surface: quasi-1D exciton observation? / V.A.Volodin, M.D Efremov // Microelectronic Journal. - 2006. - v. 37. - p. 1557-1560.

320.Володин В.А. Длинноволновый сдвиг края поглощения в растянутых слоях Ge / В.А. Володин, Л.В. Соколов // Письма в ЖЭТФ. - 2015. - т. 101. - с. 455-458.

321.Optical phonons as a probe to determine both composition and strain in InxAl(1-x)As quantum dots embedded in an AlAs matrix / V.A. Volodin, МР. Sinyukov, V.A. Sachkov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat // Europhysics Letters. - 2014. - v. 105. - p. 16003(1-4).

322.Selection rules and dispersion of GaAs/A1As multiple-quantum-well optical phonons studied by Raman scattering in right-angle, forward, and backscattering in-plane geometries / A. Fainstein, P. Etchegoin, M. P. Chamberlain, M. Cardona, K. Totemeyer, and K. Eberl // Phys. Rev. B. - 1995. -v. 51. - p. 14448-14459.

323.Cвёртка ветвей акустических фононов в направлении перпендикулярном нанофасеткам в сверхрешётках GaAs/AlAs (311)А / В.А. Володин, А.С. Кожухов, А.В. Латышев, Д.В. Щеглов // Письма в ЖЭТФ. - 2012. - т. 95. - с. 76-79.

324.Volodin V.A. Angle and Polarization Anisotropy of Phonons and Phonon-plasmon Modes in GaAs/AlAs Superlattices: Raman Spectroscopy Studies / V.A.Volodin // Anisotropy Research: New Developments / Ed. H.Lemu. - N.Y. : Nova Science Publishers Inc. - 2012. - p. 121-134.

325.Micro-Raman phonon scattering by InAs/AlAs quantum dot superlattices / A.G. Milekhin, N.A. Yeryukov, A.I. Toropov, D.R.T. Zahn // Thin Solid Films. - 2013. - v. 543. - p. 23-26.

326. Volodin V.A. Angular phonon dispersion in lateral superlattices / V.A. Volodin, V.A.Sachkov, I.S.Golovin // Physics Express. - 2014. - v. 4. - p. 11(1-4).

327.Володин В.А. Анизотропия длинноволновых оптических фононов в сверхрешётках GaAs/AlAs / В.А. Володин, МП. Синюков // Письма в ЖЭТФ. - 2014. - т. 99. - с. 463-466.

328.Володин В.А. Взаимодействие оптических и интерфейсных фононов и их анизотропия в сверхрешётках GaAs/AlAs: эксперимент и расчёты / В.А. Володин, В.А. Сачков, М П. Синюков // ЖЭТФ. - 2015. - т. 147. - с. 906-916.

329.Volodin V.A. Angular dependence of Raman scattering selection rules for long wavelength optical phonons in short-period GaAs/AlAs superlattices / V.A. Volodin, V.A. Sachkov, M.P. Sinyukov // ЖЭТФ. - 2016. - т. 150. - с. 184-190.

330.Ovander L.N. Theory of Raman scattering on polar phonons / L.N.Ovander, N.S.Tyu // Phys. stat. sol. (b). - 1979. - v. 91. - p. 763-772.

331.Volodin V.A. Phonon-plasmon coupling modes in tunneling thin GaAs/AlAs (311) and (001) SLs: Raman studies and modeling / V.A.Volodin, M.D.Efremov, V.A.Sachkov // Nanophysics, Nanoclusters and Nanodevices / Ed. by K.S. Gehar. - N.Y. : Nova Science Publishers Inc. - 2006. -p.245-281.

332.Милехин А.Г. Спектроскопия колебательных состояний низкоразмерных

полупроводниковых систем : диссертация на соискание степени доктора физико-математических наук. - Новосибирск, 2007. - 329 c. 333.Pusep Yu. FTIR spectroscopy of (GaAs)n/(AlAs)m superlattices / Yu. Pusep, A. Milekhin, A.

Toropov // Superlattices and Microstructures. - 1993. - v. 13. - p. 115-123. 334.Influence of electron mass anisotropy on phonon-plasmon coupling in short period GaAs/AlAs superlattices grown on (100), (311)B and (311)A nano-faceted surfaces / V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.A. Sachkov, N.N. Ledentsov // Phys. Low-Dim. Struc. - 2003. - v. 5/6. - p. 109-116.

335.Efremov M.D. Raman study of the phonon-plasmon modes in the short period GaAs/AlAs superlattices / M.D.Efremov, V.A.Volodin, V.V.Bolotov // Solid State Phenomena. - 1993. - v. 3233. - p. 583-588.

336.Володин В.А. Делокализация фонон-плазмонных мод в сверхрешётках GaAs/AlAs с туннельно-тонкими барьерами AlAs / В.А.Володин, М.Д.Ефремов, В.А.Сачков // ЖЭТФ. -2006. - т. 130. - с. 739-747.

337.Pusep Yu. A. Plasma response of electrons in GaAs/AlAs superlattices in the presence of strong localization / Yu. A. Pusep and A. J. Chiquito // J. of Appl. Phys. - 2000. - v. 88. - p. 3093-3095.

338.Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures / Yu. A. Pusep, M. T. O. Silva, J. C. Galzerani, S. C. P. Rodrigues, L. M. R. Scolfaro, A. P. Lima, A. A. Quivy, J. R. Leite, N. T. Moshegov, and P. Basmaji // J. of Appl. Phys. - 2000. - v. 87. - p. 1825-1831.

339.Effect of dispersion of ''vertically'' polarized collective plasmon-LO-phonon excitations on Raman scattering of strongly coupled GaAs/AlAs superlattices / Yu.A. Pusep, M.T.O. Silva, N.T. Moshegov J.C. Galzerani // Phys. Rev. B. - 2000. - v. 61. - p. 4441-4444.

340.Исследование фонон-плазмонного взаимодействия в туннельных сверхрешётках GaAs/AlAs / В.А.Володин, М.Д.Ефремов, В.В.Преображенский, Б.Р.Семягин, В.В.Болотов, В.А.Сачков, Е.А.Галактионов, А.В.Кретинин // Письма в ЖЭТФ. - 2000. - т. 71. - с. 698-704.

341.Володин В.А. Экспериментальное обнаружение анизотропии фонон-плазмонных мод в сверхрешётках GaAs/AlAs (100) / В.А. Володин // Письма в ЖЭТФ. - 2009. - т. 89. - с. 483485.

342.Direct and indirect transition in (GaAs)n/(AlAs)n superlattices with n=1-15 / H.Fujimoto, C.Hamaguchi, T.Nakazawa, K.Tanigushi, H.Kato, Y.Watanabe // Phys. Rev. B. - 1990. - v. 41. -p. 7593-7601.

343.Pavesi L. Photoluminescence of AlxGa(1-x)As alloys / L.Pavesi, M.Guzzi // J. Appl. Phys. -1994. - v. 75. - p. 4779-4842.

344.Володин В.А. Анизотропия фонон-плазмонных мод в сверхрешётках GaAs/AlAs (311) / В.А. Володин // ФТТ. - 2011. - т. 53. - с. 377-379.

345.Володин В.А. Электрон-фононное взаимодействие и комбинационное рассеяние света в

полупроводниковых наноструктурах / В.А. Володин // Автометрия. - 2014. - т. 50. - с. 68-73.

346.Nakayama M. Raman scattering by interface-phonon polaritons in a GaAs/AlAs heterostructure / M.Nakayama, M.Ishida and N.Sano // Phys. Rev. B. - 1988. - v. 38. - p. 6348-6351.

347.Fouriertransform infrared and Raman spectroscopies of plasmon anisotropy in heavily doped GaAs/AlAs superlattices // Yu. A. Pusep, M. T. O. Silva, J. C. Galzerani, A. G. Milekhin, N. T. Moshegov, and A. I. Toropov // J. Appl. Phys. - 1996. - v. 79. - p. 8024-8029.

348.Raman scattering of coupled longitudinal optical phonon-plasmon modes in dry etched n +-GaAs / P.D. Wang, M.A. Foad, CM. Sotomayor-Torres, S. Thoms, M. Watt, R. Cheung, C.D.W. Wilkinson, and S. P. Beaumont // J. Appl. Phys. - 1992. - v. 71. - p. 3754-3759.

349.Interface phonons in GaAs/AlAs superlattices studied by micro-Raman spectroscopy / A. Huber, T. Egeler, W. Ettmiiller, H. Rothfritz, G. Trankle, and G. Abstreiter // Superlattices and Microstructures. - 1991. - v. 9. - p. 309-311. 350.Experimental observation of interface-phonon-plasmon mode in n-GaAs/i-GaAs heterostructure / V.A. Volodin, MP. Sinyukov, B.R. Semyagin, M.A. Putyato, V.V. Preobrazhenskiy // Solid State Communications. - 2015. - v. 224. - p. 21-23.