Разработка реактора эпитаксиального наращивания одиночных подложек и исследование в нем теплофизических и физико-механических процессов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Миркурбанов, Халит Абдулгазизович

• Миркурбанов, Халит Абдулгазизович
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Миркурбанов, Халит Абдулгазизович

Введение

1. Состояние проблемы разработки эпитаксиальных установок

2. Исследование напряженного состояния и механизма пластической деформации в кремниевой подложке при высокотемпературной обработке

2.1. Исследование распределения температуры по поверхности подложки в реакторе

2.1.1. Анализ теплового баланса и влияния газового зазора на температурное поле подложки

2.1.2. Расчет прогиба подложки при действии массовых сил в условиях высокотемпературной обработки

2.1.3. Температурное поле подложки в реакторе

2.2. Расчет термонапряженного состояния в подложке при осесимметричном перепаде температур

2.3. Расчет термонапряженного состояния в подложке при периферийном осесимметричном перепаде температур

2.4. Обобщенное термонапряженное состояние в подложке при осевом и периферийном перепаде температур

2.5. Механизм пластической деформации кремниевой подложки при высокотемпературной обработке в реакторе. - 74 Выводы по разделу 2.

3. Исследование газодинамических характеристик потока в щелевом реакторе и расчет его на прочность.

3.1. Анализ течения газового потока в реакторе

3.2.Движение подложки относительно газового потока в реакторе

3.3. Расчет на прочность кварцевого реактора щелевого типа, работающего при пониженном давлении рабочего газа в условиях высоких температур -120 3.4. Экспериментальная оценка характера деформации и разрушение реактора при работе с пониженным давлением

Выводы по разделу 3. - 132 4.Установка эпитаксиального наращивания одиночных подложек

4.1. Назначение установки и ее характеристики

4.2. Устройство и работа установки

4.2.1. Реакторный блок

4.2.2. Модуль загрузки (МВЗП)

4.2.3. Система газораспределения

4.2.4. Система управления установкой

4.3. Циклограмма работы установки - 155 Выводы по разделу 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка реактора эпитаксиального наращивания одиночных подложек и исследование в нем теплофизических и физико-механических процессов»

Базовые технологии производства полупроводниковых приборов (СБИС, СВЧ, и др.) основаны на «планарной технологии», включающей эпитаксиальные /1-3/. Последние позволяют получить подложки с заданной концентрацией легирующей примеси и с управляемой толщиной эпитаксиального слоя. Это особенно важно для приборов СВЧ, оптоэлектронных и др. Объем используемых подложек с эпитаксиальным слоем (ЭС) в планарной технологии составляет 20-30% /4/. Диаметр подложек, используемых в России, в основном 100 + 150 мм.

В производстве новых приборов широкое распространение получили эпитаксиальные структуры Si-Si, Si-Ge, Si-GaAs, КНС и др. /1, 2, 4/. Переход к приборам с субмикронными структурами сопровождается ужесточением требований к качеству ЭС и прежде всего к снижению дефектности (дислокации, полосы скольжения, поверхностные дефекты и др.), к однородности толщины и удельного сопротивления /5-7/.

Использование подложек больших диаметров (150, 200 и 300 мм) еще более ужесточает требования к качеству ЭС. Это прежде всего вызвано повышением требований к техническим характеристикам приборов /8, 9/. Существующее эпитаксиальное оборудованию в основной массе предназначено для групповой обработки подложек с присущими ей недостатками, объективно сдерживающими усовершенствование установок. К числу таких недостатков относятся /10, 11/:

- практическое ограничение диаметра обрабатываемых подложек из-за сложности обеспечения однородности параметров ЭС по поверхности;

- трудности автоматизации перегрузки подложек в установках групповой обработки из-за высокой сложности и стоимости эксплуатации;

- ручная перегрузка, приводящая к загрязнению посторонними частицами подложек и влиянию человеческого фактора на их качество. Так вскрытие реактора приводит к неизбежному контакту горячего подложкодержателя с атмосферой;

- повышенный расход газов-носителей и реагентов в связи с низким коэффициентом их использования;

- высокая энергоемкость установок.

В связи с изложенным, назрела необходимость перехода на обработку одиночных подложек больших диаметров 150, 200 и 300 мм в невскрываемых реакторах с жестко контролируемыми параметрами газового потока и температурой по подложке. Это позволит выполнить требования к качеству, включая минимизацию числа структурных дефектов в подложке и ЭС. Необходимо выполнить и другие важные требования - однородность по удельному сопротивлению и толщине ЭС /12, 13/.

Для ряда микроприборов используется толщина эпитаксиального слоя 0,1-0,3 мкм /14/. Такие слои получаются при эпитаксиальном процессе с пониженными давлением газовой смеси и температурой в реакторе, что позволяет минимизировать автолегирование и твердотельную диффузию /5, 8/.

Задача воспроизведения толщины и физических свойств ЭС решается оптимизацией температуры и формированием стабильного ламинарного газового потока в реакционной камере.

Вопросам исследования температурных полей в реакторе и на подложке посвящены ряд работ /5, 6, 15, 16/. В этом направлении ведется обсуждение и поиск средств измерения и контроля температуры в реакторе и на подложке /17-19/.

Разница температур между подложкой и подложкодержателем при пониженном давлении приводит к росту перепада температур по толщине и по площади. Такие перепады ответственны за неоднородность толщины ЭС и удельного сопротивления. При достижении критического перепада температуры формирование термонапряжений ведет к генерации дислокаций, а следовательно к пластической деформации, проявляющейся образованием линий скольжения /20-24/. Эта проблема приобретает особую остроту в связи с ростом размера подложек.

Для выполнения перечисленных требований необходимо решить четыре важные задачи, определяющие работу эпитаксиального оборудования для одиночных подложек:

1. Детальный анализ механизма формирования полос скольжения на подложке и получение конкретного критерия допустимого перепада температур по радиусу подложки, сводящего к минимуму пластическую деформацию подложки.

2. Разработка геометрии реактора на основе анализа газодинамического процесса, протекающего при эпитаксии, и анализа напряженно-деформированного состояния реактора.

3. Разработка новых газовых дозаторов с жесткими характеристикам по расходу и времени срабатывания.

4. Оптимизация схемы нагрева и геометрии гнезда для подложки на подложкодержателе в реакторе с целью формирования минимального перепада температур по радиусу подложки.

Большое количество информации по организации процесса групповой газофазной эпитаксии не дает четкого подхода к разработке реактора эпитаксии одиночных подложек. Исходя из вышеизложенного актуальность разработки рекомендаций и принципов построения реакторов эпитаксии одиночных подложек большого диаметра очевидна.

В свете решения проблем эпитаксии одиночных подложек больших диаметров необходимо прежде всего провести анализ состояния подложек в реакторе в условиях высокотемпературной обработки, а затем сформулировать требования к реактору. При этом важно провести анализ газодинамических параметров потока.

Выбор теплового источника и его конструкции следует проводить из условия распределения температур по подложке, дающего допустимый градиент по площади, а следовательно и минимум структурных дефектов.

Цель работы - разработка эпитаксиальных реакторов наращивания одиночных подложек больших диаметров в условиях нормального и пониженного давления газа.

В работе решаются следующие задачи:

1. Исследование распределения поля температур по подложке в условиях высокотемпературного нагружения при эпитаксиальном росте в реакционной камере.

2. Разработка методики расчета напряженно-деформированного состояния подложки при эпитаксиальном наращивании с учетом поля температур и создание модели пластической деформации полупроводниковой подложки по результатам анализа напряженно-деформированного состояния и исследованиям структуры материала.

3. Разработка программ расчета газодинамических параметров потока в реакторе, позволяющих построить распределение линий тока, скорость и температурное поле газового потока, определить аномальные зоны течения.

4. Разработка методики расчета деформации подложки при действии массовых (гравитационных) сил в условиях высокотемпературной обработки.

5. Разработка методики выбора параметров движения подложки относительно газового потока с целью выравнивания толщины эпитаксиального слоя в процессе роста.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Построены поля распределения температуры по поверхности подложки в условиях одностороннего нижнего нагрева для горизонтального щелевого реактора. Определены причины, вызывающие неравномерность распределения температуры по поверхности. Показано влияние суммарного прогиба подложки (температурного и от массовых сил) на перепад температур по радиусу.

2. Проведены расчеты напряженно-деформированного состояния в подложке. Показано определяющее влияние тангенциального напряжения на формирование полос скольжения. Определены преимущественные границы развития полос скольжения по поверхности кремниевой подложки.

3. Построена модель механизма формирования полос скольжения в кремниевой подложке с учетом анизотропии свойств. Оценена роль ползучести в развитии полос скольжения. Установлен источник генерации дислокаций, формирующих полосу скольжения.

4. Проведен анализ влияния формы гнезда укладки подложки на подложкодержатель в горизонтальном реакторе. Определена форма гнезда для подложек большого диаметра, позволяющая получить минимум линий скольжения.

5. Проведен анализ динамики течения газа в реакторе при различных расходах. Установлено распределение температуры в потоке в сечениях реактора, определены толщины пограничных слоев у горизонтальных и боковых стенок, установлена аномальность течения газа на входе в реактор.

6. Разработан расчет на прочность реактора для работы в условиях пониженного давления газа с учетом температурной нагрузки. Определены толщина стенок, их форма и геометрия реактора с учетом особенностей газодинамических процессов.

Личный вклад соискателя

Автору принадлежит постановка задач исследования, выполнение значительной части экспериментов, расчетов, систематизация и анализ результатов. По инициативе автора был осуществлен комплекс работ по моделированию газодинамического процесса в реакторе. Автором проведен анализ влияния движения подложки в газовом потоке на скорость роста эпитаксиального слоя, ему принадлежит одна из ведущих ролей в разработке отечественных реакторов для установок обработки одиночных подложек больших диаметров. Основной объем исследований и разработок, вошедших в диссертацию, получен в соавторстве с Сажневым С. В., Файзулиным В.Х., Волковым Н.С., которым автор благодарен за тесное и плодотворное сотрудничество.

Практическая значимость

Проведенный комплекс теоретических и экспериментальных исследований позволил решить следующие задачи:

1. Предложены методики расчета напряженно-деформированного состояния подложек в реакторе эпитаксиальной установки, построен механизм формирования линий скольжения в подложке.

2. Разработаны универсальные программы расчета параметров течения газов в реакторе, применимые при проектировании высокотемпературного оборудования, в том числе оборудования эпитаксиальной обработки одиночных подложек, оборудования быстрой термической обработки (БТО).

3. Предложена методика расчета на прочность реакторов, работающих в условиях пониженного давления рабочего газа. Даны рекомендации по выбору толщин и геометрии элементов реактора.

4. Сформулированы основные требования к конструкции реакторов для одиночных подложек, работающих в условиях нормального и пониженного давления.

5. Разработан и изготовлен макет роботизированной установки эпитаксии одиночных подложек диаметром 150 и 200 мм.

На защиту выносятся следующие основные положения диссертационной работы:

- результаты исследования поля температур в подложке при установившемся процессе эпитаксии;

- методы расчета напряжений и деформаций подложки в условиях термического нагружения при эпитаксии;

- модель механизма формирования линий скольжения в подложке с учетом анизотропии и исходной структуры;

- результаты исследований газодинамического процесса, протекающего в реакторе при эпитаксии;

- результаты исследования влияния движения подложки в газовом потоке на кинетику роста эпитаксиального слоя.

Внедрение и использование результатов

Результаты исследований были использованы в НИОКР «Отношение-3» по разработке универсальной установки эпитаксии одиночных подложек, в НИОКР «Отношение-1» по разработке установок БТО, по разработке быстродействующих прецизионных газовых дозаторов типа РРГ-9М, РРГ-10, в ОКР «ПЛ Контур» по разработке реактора установки обработки минерального сырья, в ОКР «МАГНУМ-2» с освоением промышленного выпуска КНС структур для КМОП БИС с приемкой 5.

Апробация работы:

Основные результаты диссертационной работы доложены и обсуждены на 2-ой Международной конференции «Информатика и электроника» (Москва, МГИЭТ, 2002 г.), на ежегодных Всероссийских межвузовских научно-технических конференциях «Электроника и информатика» (Москва, МГИЭТ, 2000-2004 г.г.), на Восьмой международной научно-технической конференции студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» (Москва, МЭИ, 2002 г.), на V Международной конференции «Электромеханика, электротехнологии и электроматериаловедение МКЭЭЭ-2003» (Крым, Алушта, 2003 г.), на Ш-ей Всероссийской Конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы» (Москва, физфак МГУ, 2004 г), на 8-ой Международной конференции по физике твердого тела (Алматы, Казахстан, 2004 г.), на научных семинарах ОАО НИИТМ и кафедры «Техническая механика» (Москва, МГИЭТ, 2001, 2002, 2004 г.г.).

Публикации:

По теме диссертации опубликовано 20 работ, в том числе 8 тезисов, 3 авторских свидетельства. Материалы диссертации отражены в 8 научно-технических отчетах.

Структура и объем диссертации:

Диссертация состоит из введения и четырех разделов, основных выводов, списка литературы из 116 наименований и приложения. Диссертация содержит 173 стр. текста, 64 рисунка, 15 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Миркурбанов, Халит Абдулгазизович

ВЫВОДЫ по результатам испытаний:

1. Обеспечена работоспособность основных механизмов системы автоматической перегрузки подложек. Окончательная отладка автоматического цикла перегрузки будет проведена на технологическом предприятии. Обеспечено плавное вращение подложкодержателя в реакторе.

2. Обеспечена герметичность системы газораспределения (падение за сутки - менее 0,005ТО5 Па).

3. Установка обеспечивает требуемые температурные параметры для процесса эпитаксиального наращивания.

4. Система управления установки обеспечивает регулирование и контроль аналоговых параметров (температура, расход газов), функционирование блокировок безопасности.

5. Установка по своим параметрам соответствует ТЗ на ОКР «Отношение-З» и подготовлена к проведению технологических испытаний.

Нач. производства

Нач. НТЦ СТО

Нефедов В.М.

Рагузин В.Д.

Рук. темы «Отношение- 3» г"

Миркурбанов Х.А.

Начальник КБ

Овечкин А.А.

Зам. рук. темы по электрической части

Бердников Ю.Л.

Заключение

Разработанные компьютерные программы позволяют с приемлемой точностью рассчитывать ламинарное течение газа в эпитаксиальном реакторе. Расчеты правильно отражают особенности течения при различных условиях на входе, в том числе поворот потока. Являясь достаточно мощным инструментом теоретического исследования, программы дают возможность выбирать оптимальные размеры реактора и режимы течения.

По результатам проведенных расчетов можно сделать следующие выводы:

1. Выбранные размеры реактора и диапазон расходов газа, в целом, обоснованы.

2. Для достижения лучших условий желательно несколько увеличить длину 1-го участка, а также ширину канала, чтобы исключить влияние как динамического, так и теплового пограничного слоя в области обтекания кремниевых пластин заданных диаметров.

3. Избежать неравномерности скоростей и температур по длине канала на каждом уровне высот в пределах 2-го участка при заданных размерах реактора не представляется возможным. Этого можно добиться лишь при значительном удалении пластины от начала второго участка, где могут быть достигнуты установившиеся профили скорости и температуры.

4. Расчеты не подтверждают эффективного влияния диффузора на равномерность полей скорости и температуры. Тем более, что существуют предельные значения чисел Рейнольдса, зависящих от угла раскрытия, при которых начинается отрыв пограничного слоя, и эти числа пересекаются с расчетными в заданном диапазоне расходов газа.

5. Необходимость неравномерного распределения расхода по ширине канала также не подтверждается расчетом.

6. Малый зазор щелей позволяет уменьшить влияние неизбежных возмущений в магистрали отвода газа в атмосферу.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Миркурбанов, Халит Абдулгазизович, 2005 год

1. Электроника СБИС: Проектирование мик-роструктур. М.: Мир, 1989,236 с.

2. Твердотельные устройства СВЧ в технике связи. М.: Радио и связь, 1988, 288с.

3. Петров СВ., Прокопьев Е.П., Белоусов B.C. Опытнопромышленная эпитаксия кремния: Новая аналитическая модель.// Петербургский журнал электроники, 1996, №1 (10), с. 29-40.

4. Semi.http://www.semi.org/wps/portal/pagr/120/pa. 120/133?id=7703& StartRow=l

5. Петров СВ., Сигалов Э.Б., Панков Н.С. Эпитаксиальные реакторы для различных областей полупроводникового Электронная промышленность, 1990, №3, с. 3-6.

6. Самойликов В.К. Оптимизация технологического оборудования и процесса газофазной эпитаксии кремния производства СБИС. /Дисс. на соискание докт, техн. наук. М.: 1996.

7. Сигалов Э.Б. Принципиальные основы создания оборудования для производства эпитаксиальных структур кремния в газофазных процессов/Дисс. на соискание канд. техн. наук, М.: 1990.

8. Макушин М. В. Современное состояние и перспективы развития рынка эпитаксиальных пластин. /Зарубежная электронная техника, ЦНИИ Электроника, в. 4, 2001, с.53-59.

9. Каблуков А.Л. Разработка и исследование афегатов для проведения процесса газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния на подложки большого диаметра./Дисс. на соискание канд. техн. наук, М.:2003. Ю.Сажнев СВ., Миркурбанов Х.А., Тимофеев В.Н. Состояние проблемы разработки эпитаксиальных установок Оборонный комплекс научно-техническому профессу России. М ВИМИ, 2003, 4, с. 43-45. 162 производства.//

10. Hammond М. Epitaxial Silicon Reactor Tehnology -A Review, pt.l SST, 1988, V31,N5, p. 159-164.

11. Макушин M. B. Заводы no обработке пластин диаметром 300 мм: переход от опытного к массовому производству. /Зарубежная электронная техника, ЦНИИ Электроника, в. 4, 2000, с.3-15.

12. Козлов Ю. Ф. Оценка влияния технологических факторов на вольт-емкостные характеристики детекторов ядерных частиц Известия высших учебных заведений, Электроника, №4, 2002, с.4447.

13. Грушичев А.В., Самойликов В.К.. Расчет температурного поля, возникающего в теле подложки Всеросс. конф. «Электроника и автоматика», тез. докл.М.: 1995, с.217-219.

14. Bentini G., Correro L, Donalato Defects Introduced in Silicon Wafers During Rapid Isothermal Annealing: Electronic Materials/ Eds.S.R. Wilson, R. Powei,D.E. Davis. Pitsburg, MRS, 1987, 265-272

15. Самойликов B.K., Николин В.Б., Кононов В.Ю. Система измерения действительной

16. Козлов Ю. Ф., температуры Павлова «ТЕМИКС» Сидоров А.И. Электронная Измерение промышленность, 1996, №4, с.44-45 СВ., распределения температурного поля при помощи кремниевых структур, имплантированных фосфором.// Электротехника, сер. Материалы, вьш.7, 1982, с,31-33.

17. Белоусов B.C., Козлов Ю. Ф., Сидоров А.И., Сальников Л.А. Термоспутник Авт. Свид. №1347814 с приоритетом от 14.01.1985 г.

18. Akiyama N., Inove Y, Suzuki Т. Critical Radial Temperature Gradient Induction Slip Dislocations in Silicon Epitaxy Using Dual Heating of 163

19. Концевой Ю.А., Литвинов Ю. М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых структур. М.: Радио и связь, 1982,239с.

20. Сажнев СВ., Тимофеев В.Н., Миркурбанов Х.А., Механизм формирования линий скольжения в полупроводниковых пластинах при высокотемпературной 2004, с.

21. Харламов Р.В. Разработка технологии производства кремниевых эпитаксиальных структур для силовых приборов /Дисс. на соискание канд. техн. наук, М.: 2000 г.

22. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве, Мн.: Навука i тэхшка. 1992, 240 с

23. Сигалов Э. В., Волков Н.С. Установки ЭПРТКВАР для эпитаксии кремния Электронная промышленность, 1989, №11, с. 27-39

24. Epitaxial Reactor РЕ3061, LPE s.p.a., Milan, Italy, March, 1999.

25. Epsilon E 2000, Single-wafer Epitaxial Reactor, ASM International, April, 1999.

26. Epsilon E 3000, 300 mm Epitaxial Reactor, ASM, A World of Production, Solutions, ASM International, April, 1999. 29. Epi Centura, Applied Materials, Specification, May, 1995.

27. Семенченко A. H., Райнова Ю. П., Чистяков Ю.Д. Тенденции рвития оборудования для газофазной эпитаксии кремния Сб. Технология, организация производства и оборудование, сер.7, М.: ЦНИИ Электроника, 1989, вып.8 (1455), 47 с.

28. Увеличение диаметра пластин и связанные с этим проблемы технологических процессов //Дэнси Дзаире, 1983, V.22, р. 16-

29. Site and System Preparation обработке //Материаловедение, 164

30. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники М Металлургия, 1979, 408 с.

31. Самойликов В.К., Батюк Н., Шварц К.М. Экспериментальные исследования тепломассообмена при осаждении слоев из газовой фазы при пониженном давлении Минский международный форум «Теплообмен», Избранные доклады, секц.

33. Райнова Ю. П., Турилин С М Антоненко К.И. и др. Исследование газовых потоков при эпитаксии кремния Неорганические материалы, 1955, т.31,№ 2, с. 151-154.

34. Антоненко К.И., Арендаренко А.А., Райнова Ю. П. и др. Исследование газовых потоков в реакторе радиального типа при эпитаксии GaAs Изв. РАН. Механика жидкости и газа, 1996, 6, с. 118-124.

35. Попов В.И., Любарский А.И,, Самойликов В.К. Методы расчета и исследований процесса эпитаксиального осаждения кремния Сб. «Спец. технол. оборудование для производства изделий МЭ» сер, III. «Микроэлектроника» М.: ЦНИИ «Электроника», 1972, в. 1(9), 39 с.

36. Попов В.П. Тепломассоперенос в эпитаксиальном реакторе вертикального типа

37. Симметричный нафев //ИФЖ, 1989, т.56, №6, с,242-248. 39, Попов В,П, Тепломассоперенос в эпитаксиальном реакторе вертикального типа 2, Несимметричный нагрев //ИФЖ, 1989, т.57, №1,с.23-27.

38. Fottiadis D. I. Bockhold I, et, al. Flow and Heat Transfer in CVD Reactors: Comparison of Raman Temperature Measurement and Finite 165

39. Fottiadis D. I., Yensen K. F. Termophoresist of Solid Particlies in Horisontal Chemical Vapour Deposition Reactors J. Cryst. Growth. 1990, V. 102, N 4 p. 743-761.

40. Андриевский P. A., Спивак H. И. Прочность тугоплавких соединений и материалов на их основе. Справочник. Челябинск: Металлургия, 1989, 370 с.

41. Srinivason G. R. Recent Advances in Silicon Epitaxy and its Application for High Performance Integrated Circuits Reactors J. Cryst. Growth. 1984, V. 70, N 4, p. 201-207. 44.0rigima M. Low Pressure Silicon Epitaxy. //J. Electrochem. Soc. 1977, V. 124, N 6 p. 903-908.

42. Элементная база. Нормаль газовых систем (АО НИИТМ). М.: НИИТМ, 2000.

43. Сажнев СВ., Миркурбанов Х.А., Тимофеев В.Н. Прецизионный термоконвективный регулятор расхода газа для технологического оборудования» Оборонный комплекс научно-техническому прогрессу России. М ВИМИ, 2003, 2, стор 25-27.

44. Сигалов Э. Б., Волков Н.С, Иванов В.И. Совершенствование конструкции подложкодержателей //Сб. Физико-термическое оборудование и автоматизация. 431981,с. 11-12 М.: ЦНИИ «Электроника»,

45. Сигалов Э. Б., Волков Н.С, Иванов В.Н. Подложкодержатели высокотемпературных реакторов для эпитаксии кремния Технология п/п приборов. Таллинн: Валгус, 1082, с. 93-95 49. А. С 1208855 СССР, МКИ Boij 17/

46. Подложкодержатель для газотермической обработки подложек Х.А Миркурбанов., Э.Б. Сигалов, Н.С Волков- 1984 166

47. Bentini G., Correro L, Donalato С Defects Introduced in Silicon Wafers During Rapid Isothermal Annealing: Thermoelastic and Thermoplastic Effects// Jap. J. Appl. Phys., 1984, V. 56, N10, p. 29222929

48. Schoen N. С Thermoelastic Stress Analysis of Pulsed Electron Beam Recrystallization of Ion-Implanted Silicon Jap. J. Appl. Phys., 1980, V. 51, N9, p. 4747-4751

49. Тимофеев В. Н., Сажнев СВ., Миркурбанов Х.А. «Расчет напряженно-деформированного состояния и оценка размеров зоны пластической деформации в полупроводниковой пластине при осесимметричном температурном нагружении». //Материаловедение, 2002, 9 с. 2-5

50. Сажнев СВ., Тимофеев В. Н., Миркурбанов Х.А. Влияние закона распределения температуры пластины с.7-9.

51. Сажнев СВ., Тимофеев В. Н., Миркурбанов Х.А. Напряженнодеформированное состояние тонкой круглой Ттолупроводниковой пластины при действии массовых сил Сб. «Научные основы технологий, материалов, приборов и систем электронной техники» -М.: МИЭТ, 2002, с.65-72

52. Сосунов А. Г. Теплофизические исследования и разработка реакторного блока установки быстрой термической обработки. Дисс. на соискание канд. техн. наук, М.: 2000.

53. Каблуков А.Л., Кандыба П.Е,, Самойликов В.К. Моделирование устройств ИК-нагрева для обработки подложки большого 167 по радиусу пластической полупроводниковой деформации при на размер зоны высокотемпературном нафужении Материаловедение, 2003, №1,

54. Волков А.Ф., Куценко В.К., Новиков В.В, Папков Н.С, Петров СВ., Суворов В.М. Мягкие режимы термообработки основа бездефектной

55. Борисенко образования технологии микросхем. A.M., Яшин скольжения К.Д. в Электронная Особенности пластинах промышленность, 1980, 10 (94), с. 53-57. В.Е., Дорофеев линий монокристаллического кремния при импульсной термообработке некогерентным светом Электронная техника, сер.

56. Материалы, 1985, №7, с. 3-5

57. Райнов Ю.А. Исследование температурных и концентрационных полей при росте автоэпитаксиальных слоев кремния и совершенствование технологий их производства. Дисс. на соискание канд. техн. наук, М.: 1977, с. 18-19.

58. Попов В.П,, Минкина В.Г. Вопросы тепло- и массообмена массообмена. Минск: 1977, с. 18-19.

59. Кутателадзе С С Основы теории теплообмена. Новосибирск. Наука, 1970, 659 с.

60. Болгарский А.В., Мухачев Г.А., 1Ц>кин В.К. Термодинамика и теплопередача. М Высш. шк., 1975,495 с.

61. Варгафтик Н.Б. Справочник по теплофизическим свойствам газов и жидкостей. М.: Наука, 1972,720с.

62. Цонг X. Основные формулы и данные по теплообмену для инженеров. М.: Атомиздат, 1982, 217с.

63. Михеев М.А., Михеева, И.М. Основы Теплопередачи. М., Энергия. 1977 г., 319 с. в процессах осаждения из газовой фазы //Сб. «Проблемы тепло- и 168 64. Конструкционные материалы. Справочник под ред. Лзамасова Б.Н., М.: Машиностроение, 1990, 688 с.

65. Излучательные свойства твёрдых материалов. Справочник./Под ред. А.Б. Шейндлина. М., Энергия. 1974, 472 с.

66. Слэрроу Э.М., Сесс Р.Д. Теплообмен излучением. М.: Энергия, 1971,295 с.

67. Тимошенко СП., Войновский-Кригер Пластины и оболочки. М.: Энергия, 1974,472 с.

68. Справочник машиностроителя. Т. 3, М.: ГНТИ, 1962, 650 с.

69. Тимошенко С П Гудьер Дж. Теория упругости. М.: Наука, 1975, 575 с.

70. Сажнев СВ., Тимофеев В. Н. Процессы быстрой термической обработки и оборудование на их основе Оборонный комплекс научно-техническому профессу России, 2003, Я22, с. 24-31. 75.3вероловлев особенностей В.М., Панков Н.С, Суворов в реакторе В.М. с Изучение нагрева подложек пониженным давлением. Электронная техника, сер. Материалы, вып.5 (190), 1984, с. 58-61.

71. Физические величины. Справочник под ред. И. С, Григорьева, М.: Энергоатомиздат. 1991, 1200 с.

72. Машиностроение оборудование и (Энциклопедия), системы том 1II-8, в Технологии, электронном управления машиностроении. М. Машиностроение, 2000,740 с.

73. Bloem J., Goemans A.N. Slip in Silicon Epitaxy J. Appl. Phys., 1972,V43,N3,p.l281-1283.

74. Fisher A.W., Schnable G.L. Minimizing process induced slip silicon wafers by slow heating and cooling. J. Electrochem. Soc. 1976, V.123,N3,p.434-435 169

75. Высокотемпературная ползучесть окисных огнеупоров Обзор, сер.П, вып. 2, И.И. Вишневский, ЦНИИ чер. мет. 1976 43 с.

76. Вишневский И.И., Аксельрод Е.И., Тальянская Н.Д тела, 1974,т.16,№5,с. 1530-1533

77. Аксельрод Е.И., Боярина И.Л., Вишневский И.И. Изв. АН СССР. «Неорганические материалы», т. 10, №5, с. 876-880

78. Иванов В.И., Сигалов Э.Б., Костромин А.А. Подложкодержатель для газовой эпитаксии А.С. 93105 СССР МКИН01 21/00.

79. Суворов В.А., Тверское В.А., Шерстнева А.А. Особенности генерации линий скольжения в эпитаксиальных кремния. Сб. «Применение эпитаксиальной структурах в технологии Физ. тв. производстве силовых полупроводниковых приборов», ч. II, Таллин, 1978, с. 56-61.

80. Волков А.Ф., Панков Н.С., Суворов В.М., Тверсков В.А. Исследование причины генерации линий скольжения в процессе эпитаксиального наращивания. Сб. Применение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов», ч. II, Таллин, 1978, с. 48-55.

81. Павилайнен B.C., Тимофеев В.П., Шоршоров М.Х., Гревцев Н.В. Кристаллоструктурные характеристики деформированных слоев Si при различной ориентации и типах легирующей примеси.// Физ. хим. обр. материалов. 1973, №2, с.77-80

82. Павилайнен B.C., Тимофеев В.Н. Влияние отжига на глубину нарушенного слоя монокристаллов кремния после шлифовки //Физ. хим. обр. материалов. 1972, №4, с.80-83. 170

83. Хоникомб Р. Пластическая деформация металлов М.: Мир, 1972, 400 с.

84. Шульце Г. Металлофизика. М.: Мир, 1971, 505с.

85. Трефилов В.И., Мильман Ю.В., Фирстов А. Физические основы прочности тугоплавких металлов. Киев,:Наукова думка, 1975, 3 Юс.

86. Бернер Р., Кронмюллер Г.. Пластическая деформация монокристаллов. М.: Мир, 1969, 270 с. 95.HOTT Дж. Основы механики разрушения. М.: Металлургия, 1978, 255 с.

87. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972, 590 с.

88. Стрельченко С, Матьяш А.А. Кинетика осаждения эпитаксиальных слоев соединений А В ИЗ газовой фазы. Обзоры по эл. технике. Материалы, вып. 8(678), 1979, ЦНИИ «Электроника».

89. Бакин Н.Н., Борисенко Л.А. Гетероэпитаксия арсенида галлия на кремнии. Обзоры по эл. технике. Микроэлектроника, вып. 4(472), 1989, ЦНИИ «Электроника».

90. Устинов В.И., Захаров Б.Г., Большакова Г.В. Дислокации в эпитаксиальных слоях соединений А В и твердых растворов на их основе. Обзоры по эл. технике. Материалы, вып. 5(493), 1977, ЦРГИИ «Электроника».

91. Мацуи, Исида и др. Деформация решетки в гетероэпитаксиальных слоях. Сообшение

92. Выращивание GaAs на 171

93. Sokai S. New method to relax thermal stress in GaAs grown on Si substrates//Apphed Physics letters.-1987-V51,N14, p. 1069-1071.

94. Справочник «Водород» (Свойства, получение, хранение, транспортирование, применение) Под ред. Д.Ю. Гамбурга. М.: Химия,1989,350 с.

95. Справочник машиностроителя Т.6, М.: Машиностроение, 1964, 540 с.

96. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М.. Теоретическая физика. Т.VI, Гидродинамика. М.: Наука, 1986.

97. Шлихтинг Г. Теория пофаничного слоя. М.: Наука, 19969. исследования течений вязкой жидкости. М.: Мир, 1972, 240с.

98. Рябцев Н.Г., Кузнецова Ф.А., Сб. «Металлургия в электронике» М.: Металлургия, 1970, с.8. 108. Шоу Д.У. Теория роста и методы выращивания кристаллов. Сборник «Рост кристаллов» М.: Мир, 1977, 280с.

99. Пинка У.А., Авотс А.А. Система профамм для проведения теплодинамических с.2401-2402. ПО. Белый В.И., Кузнецов Ф.А., Коковин Г.А. Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников. 4.

100. Новосибирск, «Наука», 1968, с. 135.

101. Косорев А.Н., Карпухин В.В., Мармалюк А.А. Кинетика роста эпитаксиальных слоев GaAs в системе триэтилгаллий арсин водород в горизонтальном реакторе //Мат-лы электронной техники №4, 2001, с 56-58. расчетов с использованием библиотеки термодинамических свойств веществ. ЖФХ, 1978, т 52, №9, Юб.Госмен А.Д., Пан В.М., Ранчел А.К. и др. Численные методы 172

102. Tapr CM. Краткий курс теоретической механики. М.: Наука, 1974,478 с.

103. Ботвинкин O.K., Запорожский А.И. Кварцевое стекло. М.: Стройиздат, 1965, 350 с.

104. Падалица А.А., Мармалюк А.А., Залесский И.Д. и др. «Получение гетерокомпозиций JnAso.ss Sbo.17/ CaAs пригодных для создания матричных фотоприемников на 3-5 мкм, методом мосгидридной эпитаксии»//Мат-лы электронной техники №4, 1999, с 21-23.

105. Habuka М., Katayata, Sumba М., Okuyama К. Numerical Evaluation of on Silicon Thin Growth from SiHCb Hi Gas Mixture in a Horizontal Chemical Vapon Deposition Reactor. Jpn. J. Appl. Phys., 1994, p. 1977-1985. 173