Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Косарев, Артем Михайлович

• Косарев, Артем Михайлович
• кандидат технических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат технических наук Косарев, Артем Михайлович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. Литературный обзор.

1.1. Свойства соединений GaAs, InAs, AlAs и твердых растворов на их основе, учитывающиеся при производстве приборов оптоэлектроники.

1.2. МОС-гидридный метод получения эпитаксиальных слоев.

1.2.1. Исходные материалы.

1.2.2. Аппаратура для проведения процесса.

1.2.3. Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии с использованием математического моделирования.

1.2.4. Характеристики эпитаксиальных слоев, получаемых на зарубежных и отечественных установках.

1.3. Выводы по главе 1 и постановка задачи исследования.

Глава 2. Технологический процесс и экспериментальная установка.

2.1. Режимы получения эпитаксиальных слоев соединений GaAs, AlAs, InAs и твердых растворов на их основе.

2.2. Характеристика экспериментальной установки.

2.3. Методы контроля качества выпускаемых эпитаксиальных композиций.

2.4. Выводы по главе 2.

Глава 3. Математическая модель процесса ПФЭХО по МОС-гидридной технологии бинарных соединений А В и твердых растворов на их основе.

3.1. Математическое моделирование технологического процесса.

3.2. Термодинамическая модель процесса МОС-гидридной эпитаксии.

3.2.1. Расчет равновесного состава фаз.

3.2.2. Численное моделирование термодинамики процесса.

3.2.3. Расчет параметра взаимодействия в твердых растворах.

3.2.4. Расчет возможности гомогенного зародышеобразования.

3.3. Модель кинетики процесса.

3.3.1. Трехмерная модель процесса осаждения эпитаксиальных слоев в прямоугольном реакторе горизонтального типа.

3.3.2. Интерфейс трехмерной модели.

3.3.3. Двухмерная модель процесса осаждения эпитаксиальных слоев.

3.3.4. Интерфейс двухмерной модели.

3.4. Базы данных свойств соединений используемых в расчете.

3.5. Разработка модели роста слоев на вращающемся пьедестале.

3.6. Выводы по главе 3.

Глава 4. Компьютерное исследование процессов эпитаксии GaAs, AlxGai-xAs, InAs, InxGai.xAs. Адекватность модели.

4.1. Расчет равновесного состава фаз в процессе эпитаксии.

4.1.1. Система GaCC2H5)3-AsH3-H2.

4.1.2. Система Ga(C2H5)3-Al(CH3)3-AsH3-H2.

4.1.3. Система In(CH3)3-Ga(C2H5)3-AsH3-H2.

4.2. Выбор соединения - источника элемента третей группы.

4.3. Исследование кинетики процесса эпитаксии и адекватность модели.

4.3.1. Трехмерная модель скоростного поля парогазовой смеси в зоне роста.

4.3.2. Трехмерная модель температурного поля в зоне роста на примере системы Ga(C2H5)3-AsH3-H2.

4.3.3. Компьютерное исследование кинетики роста эпитаксиальных слоев GaAs.

4.3.4. Компьютерное исследование кинетики роста эпитаксиальных слоев AlxGai-xAs.

4.3.5. Компьютерное исследование кинетики роста эпитаксиальных слоев InxGai-x As.

4.4. Выводы по главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели»

Актуальность работы

Развитие оптоэлектроники приводит к необходимости совершенствования методов получения эпитаксиальных композиций для оптоэлектронных приборов, к которым предъявляются все возрастающие требования по мощности, стабильности пространственного распределения излучения, ширине полосы передачи информационного сигнала, долговечности и технологичности конструкции. В качестве полупроводниковых материалов для изготовления указанных приборов широко используются GaAs и твердые растворы AlxGai-xAs, InxGai.xAs.

Существует несколько методов получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе: хлоридно-гидридная эпитаксия, жидкофазная эпитаксия, молекулярно-лучевая эпитаксия, МОС-гидридная эпитаксия. Последняя является наиболее перспективным, развивающимся методом, который выгодно отличается возможностью получения эпитаксиальных слоев на большой площади, невысокой скоростью роста, позволяющей выращивать квантоворазмерные слои, наличием одной температурной зоны в реакторе, что облегчает управление процессом, средней по сравнению с молекулярно-лучевой эпитаксией и жидкофазной эпитаксией стоимостью оборудования, малой стоимостью исходных веществ. Важной особенностью метода является возможность выращивания широкого спектра многослойных композиций.

Для улучшения характеристик приборов технологам необходимо решать задачи, связанные с уменьшением неоднородности толщины эпитаксиального слоя, состава твердого раствора и уровня легирования по поверхности подложки, а также к уменьшению концентрации фоновых примесей. Все это обусловливает научную и практическую актуальность совершенствования и оптимизации технологии получения эпитаксиальных слоев соединений А3В5 и твердых растворов на их основе МОС-гидридным методом.

Целью настоящей работы является создание математической модели процесса МОС-гидридной эпитаксии соединений А3В5 и их твердых растворов в горизонтальном реакторе для оптимизации технологических параметров процесса, обеспечивающих однородность толщины, состава эпитаксиальных слоев и уменьшение концентрации фоновых примесей.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- анализ существующей технологии и влияние технологических параметров и особенностей конструкции оборудования на характеристики получаемых слоев;

- создание математической модели процесса МОС-гидридной эпитаксии и проверю ее адекватности сравнением результатов проведенных вычислительных экспериментов с данными измерений в лаборатории опорного предприятия толщины, состава, концентрации фоновых примесей в выращенных на производственной установке эпитаксиальных слоях;

- расчет численными методами скоростных, температурных и концентрационных полей в реакторе. Выявление технологических параметров, играющих доминирующую роль в достижении однородности толщины, состава, а также в снижении концентрации фоновых примесей в эпитаксиальных слоях.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Обосновано применение двухмерной модели макрокинетики процесса МОС-гидридной эпитаксии в горизонтальном реакторе прямоугольного сечения с геометрическим отношением ширины к высоте больше 6 и числе Рейнольдса меньше 50.

2. Предложены методики расчета скорости роста слоя с учетом вращения пьедестала с подложками, а также вращения самих подложек вокруг оси симметрии. Адекватность модели проверялась по разбросу толщины эпитаксиального слоя и его составу при получении твердых растворов.

3. Расчетами по трехмерной модели движения парогазовой смеси с учетом теплообмена показано, что при температурах 600-800 °С на поверхности роста ламинарный газодинамический режим в реакторе поддерживается при скорости подачи парогазовой смеси до 0,2 м/с (н.у.) на входе в реактор и градиенте температуры над ростовой поверхностью 100-300 К/см.

4. Вычислительным экспериментом показан разный характер зависимости состава эпитаксиальных слоев InxGai-xAs и AlxGaixAs от температуры и соотношения V/III в исходной парогазовой смеси. Для InxGai-xAs при температурах выше 923 К указанная зависимость существенно нелинейна.

5. Показано влияние отрицательного градиента температуры над поверхностью роста и скорости движения парогазовой смеси на фоновую концентрацию углерода в эпитаксиальном слое, объясняющееся присутствием в газовой фазе радикалов СНз', (ЗаСНг' .

6. Обосновано уменьшение концентрации кислорода в эпитаксиальном слое при увеличении содержания арсина в исходной парогазовой смеси.

Практическая значимость работы заключается в следующем.

1. Для получения эпитаксиальных композиций с более высокой однородностью толщины и состава по подложке и более низкой концентрацией фоновых примесей предложены пути оптимизации технологического процесса (выбор температуры, давления в реакторе, расходов исходных компонентов) на основе модели процесса МОС-гидридной эпитаксии в горизонтальном реакторе с плоским вращающимся пьедесталом. Модель проверена на адекватность сопоставлением результатов вычислительных экспериментов с данными производственной лаборатории.

2. Рекомендована для производства полученная технологическая зависимость, позволяющая определять состав исходной парогазовой смеси по желаемому составу твердого раствора InxGai.xAs.

3. Создана программа и необходимая для ее работы база проверенных на согласованность данных для расчета параметра взаимодействия в четверных твердых растворах в среде "MS Excel" с применением объектно-ориентированного аппарата VBA.

4. Усовершенствованный интерфейс созданных по разработанным моделям программ позволяет рекомендовать их использование в учебном процессе при выполнении студентами курсовых и дипломных работ.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Возможность использования двухмерной модели массо- и теплопереноса в процессе роста в горизонтальном реакторе прямоугольного сечения для оптимизации технологических параметров с целью увеличения однородности толщины и состава эпитаксиальных слоев, а также снижения концентрации фоновых примесей.

2. Математическая модель ростового процесса с учетом планетарного механизма вращения пьедестала с подложками в горизонтальном реакторе, позволяющая исследовать и оптимизировать параметры роста, влияющие на однородность толщины и состава эпитаксиальных слоев по поверхности подложек.

3. Расчет содержания фоновых примесей в получаемых эпитаксиальных слоях по модели, описывающей термодинамику процесса МОС-гидридной эпитаксии.

4. Расчетная зависимость однородности толщины эпитаксиальных слоев GaAs, толщины и состава эпитаксиальных слоев AlxGai.xAs и InxGai.xAs от температуры процесса, ее отрицательного градиента над поверхностью роста, скорости подачи парогазовой смеси в реактор и давления в реакторе.

Апробация работы

Достоверность результатов диссертационной работы не противоречит теоретическим основам и подтверждена практическими результатами, полученными на производственной установке «СИГМОС-130».

Результаты использования математической модели докладывались и обсуждались на конференции «2-ая Российская школа по кремнию» 2-4 июля 2001 года, Москва, МИСиС.

Публикации

По теме настоящей диссертации опубликовано три статьи.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Косарев, Артем Михайлович

Основные выводы

1. С использованием программ, реализующих математическую модель процесса МОС-гидридной эпитаксии GaAs, AlxGaixAs, InxGai-xAs, проведено исследование и предложены параметры процесса, позволяющие улучшить однородность толщины получаемых слоев на 25%, уменьшить разброс длины волны спонтанного излучения лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для приборов оптоэлектроники на 35%, снизить уровень фоновых примесей в слоях AlGaAs на 50%. Улучшен интерфейс программ, работающих с созданными базами данных термодинамических свойств и кинетических коэффициентов веществ, участвующих в процессе, с целью доведения программного комплекса до уровня автоматизированного рабочего места инженера-технолога.

2. Для определения составов твердых растворов и концентраций фоновых примесей с использованием ПЭВМ проведена серия расчетов равновесных составов фаз для процесса эпитаксии слоев GaAs, AlxGai.xAs, InxGai.xAs в многокомпонентной системе методом минимизации общей энергии Гиббса с определением параметра взаимодействия в системе четверных твердых растворов в приближении квазирегулярных растворов.

3. С использованием трехмерной модели исследованы газодинамика и теплообмен в ростовой зоне промышленного реактора. Показано, что при отношении ширины поперечного сечения реактора к высоте больше 6 и установившемся ламинарном движении ПГС в реакторе Re<50, для моделирования массопереноса может использоваться двухмерное приближение.

4. Предложена математическая модель расчета скорости роста и состава эпитаксиального слоя с учетом планетарного механизма вращения пьедестала с подложками, а также вращения подложек вокруг оси симметрии. Анализ вычислительных экспериментов по предложенной модели позволил рекомендовать для производства оптимизированные технологические параметры процесса и изменение некоторых узлов в конструкции установки, что позволяет снизить неоднородность толщины эпитаксиальных слоев GaAs, AlxGai.xAs до 11,47% 3,25% по подложке и неоднородность состава InxGai.xAs с 13,42% до 6,78%.

5. В результате расчетов равновесного состава фаз показано, что с увеличением температуры процесса и давления в реакторе уменьшается концентрация углерода в эпитаксиальном слое, а концентрация кислорода уменьшается с увеличением температуры процесса и отношения V/III в исходной ПГС.

6. Показано влияние температуры процесса, скорости подачи ПГС, отрицательного температурного градиента над поверхностью роста, содержания ростообразующего компонента в исходной ПГС на распределение скорости роста и состава эпитаксиальных слоев GaAs, AlxGai.xAs, InxGaixAs по длине пьедестала.

Автор выражает особую благодарность к.т.н. Мармалюку А.А. и сотрудникам ООО «Сигм-Плюс» за предоставленную возможность ознакомления с технологией получения эпитаксиальных слоев и внимание, уделенное при обсуждении результатов работы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Косарев, Артем Михайлович, 2004 год

1. Adachi S. Material parameters for use in research and device applications// J. Applyed Physics, 1985, V. 58, № 3, p.p. R1-R29

2. Kressel H., Nelson H. Phisics of Thin Films, edited by Gass G., Francombe M.H., Hoffman R W.I I Academic, New York, 1973, V. 7, p. 115

3. Driscoll C.M.H., Willonghby A.F.W., Mullin J.B., Strangham B.W. Gallium Arsenide and Related Compounds// Inst, of Phys., London 1975, p. 275

4. EttenberyM., PaffR.J. Thermal Expansion of AlAs// J. Appl. Phys., 1970, V. 41, p.p. 3926-3927

5. Стрельченко C.C., Лебедев B.B. Соединения А3В5. Справ, изд. М.: Металлургия, 1984

6. WeisbergLR, Blanc J. Properties of semiconductor alloys// J. Appl. Phys., 1963, V. 34, p. 1002

7. Wiley J.D. Semiconductors and Semimetals, edited by Willardson R.K., Beer A.C.I I Academic, New York, 1975, V. 10, p. 91

8. KudmanL, PajfRJ. Thermal expansion ofInxGabxP alloys// J. Appl. Phys., 1972, V. 43, p.p. 3760-3762

9. Косарев A.M., Крапухин В.В., МармалюкА.А. Компьютерный расчет равновесных фаз при эпитаксии арсенида галлия в системе Ga(C2H5)3-AsH3-H20-H2// Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2001, №3 с. 56-58

10. Takahashi Y., Yamashita K., Motojima S. et al. Low temperature deposition of a refractory aluminium compound by the thermal decomposition of aluminium dialkilamides// Surface Sci., 1979, V. 86, № 1, p.p. 238-245

11. Tirtowidjojo M. and Pollard R. Equilibrium gas phase species for MOCVD of AlxGai.xAs//J. of Crystal Growth, 1986, V. 77, p.p. 200-209

12. Toulouskian Y.S., Kirby R.K., Taylor R.E., Lee T.Y.R. Thermal expansion: Nonmetallic solids// Thermophysical Properties of Matter., 1977, V. 13, p.p. 16171658

13. Piesbergen U., in Semiconductors and Semimetals, edited by Willardson R.K., Beer A.C.// Academic, New York, 1967, V. 2, p. 49

14. Abeles B. Lattice thermal conductivity of disordered semiconductor alloys at high temperatures// Phys. Rev., 1963, V. 131, № 5 p. 1906

15. КейсиХ., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах -М.: Мир, 1981

16. Елисеев П.Г. Введение в физику инжекционных лазеров -М.: Наука, 1983

17. Акчурин Р.Х. МОС-гидридная эпитаксия: современное состояние и основные тенденции развития// Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 1999, №2, с. 4-12

18. Ю.А. Алещенко Химическое осаждение полупроводников А3В5 из паровой фазы металлорганических соединений// Э-Ч Электроника, 1986, № 46, стр. 29-46

19. Koukitu A., Takahashi N., Seki Н. Thermodynamic study on metalorganic vapor-phase epitaxial growth of group III nitrides// Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 2, 1997, V. 36, №9 p.p. L1136-L1138

20. Разуваев Г.А., Гpибов Б.Г., Домрачеев Г.А., Саламатин Б.А. Металлорганические соединения в электронике -М.: Наука, 1977, с. 479

21. Razeghi М. The MOCVD challenge -Bristol: Adam Hilger, 1989, p. 288

22. Stringfellow G.B. Organometallic Vapour Phase Epitaxi: Theory and Practice -Boston: Academic Press, 1989, p. 314

23. Komiyama #., Shimogaki Y., Egashira Y. Chemical reaction engineering in the design of CVD reactors// Chem. Engineer. Sci., 1999, V. 54, № 13-14, p.p. 19411957

24. Schmitz D., Deschler M., Schulte F., Juergensen H. State-of-the-art control of growth of superlattices and quantum wells// Materials Science And Engineering ser. B, 1995, V. 35, p.p. 102-108

25. Quazzani J., Kuan-Cheng Chiu, Rosenberg F. On the 2D modelling of horizontal CVD reactors and its limitations// J. of Crystal Growth, 1988, V. 91, p.p. 497-508

26. Quazzani J., Rosenberger F. Three-dimensional modeling of horizontal chemical vapor deposition: I. MOCVD at atmospheric pressure// J. of Crystal Growth, 1990, V. 100, p. 545

27. Косарев A.M., Крапухин B.B., Мармалюк A.A. Кинетика роста эпитаксиальных слоев GaAs в системе Ga(C2H5)3-AsH3-H2 в горизонтальном реакторе// Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2001, № 4, стр. 56-59

28. Peskin A.P., Hardin G.R. Gallium arsenide growth in pancake MOCVD reactor// J. of Crystal Growth, 1998, V. 186, p.p. 494-510

29. Jenkinson J.P., Pollard R. Thermal diffusion effects in chemical vapor deposition reactors// J. of the Electrochemical Society, 1984, V. 131, № 12 p.p. 2911-2917

30. Rosenberger R, in: Chemical Vapour Deposition, edited by Callen G.N.II Electrochem. Soc., 1987, Rennington, NV, p. 11

31. Jensen K.F. Transport phenomena and chemical reaction issues in OMVPE of compound semiconductors// J. of Crystal Growth, 1989, V. 98, p.p. 148-166

32. Platten J.K., Legron J.C. Convection in Liquids ch. 8 -Springer, New York, 1984

33. J. van der Ven, Rutten G.M.J., Raaijmakers M.J., Giling L.J. Gas phase depletion and flow dynamics in horizontal MOCVD reactors// J. of Crystal Growth, 1986, V. 76, p.p. 352-372

34. Kisker D.W., Miller J.N., Stringfellow G.B. Oxygen gettering by graphite baffles during organometallic vapor phase epitaxial AlGaAs growth// Appl. Phys. Lett., 1982, V. 40, p.p. 614-616

35. Stringfellow G.B., Horn G. Increase in luminescence efficiency of AlxGai-xAs grown by organometallic VPEII Appl. Phys. Lett., 1979, V. 34, p. 794

36. Goorsky M.S., Kuech T.F., Cardone F„ Mooney P.M., Scilla G.J., Potemski KM. Characterization of epitaxial GaAs and AlxGai.xAs layers doped with oxygenII Appl. Phys. Lett., 1991, V. 58, № 18, p.p. 1979-1981

37. Wall is R.H., Forte-Poison M.A., Bonnet M, Beachet G., Duchemin J.P. Effect of oxygen injection during VPE growth of GaAs and AlxGaixAs// Inst. Phys. Conf. Ser., 1981, V. 56, p.p. 73-81

38. Hersee S.D., Forte-Poison M.A., Baldy M, Duchemin J.P. A new approach to the "gettering" of oxygen during the growth of GaAlAs by low pressure MOCVD// J. of Crystal Growth, 1981, V. 55, p.p. 53-57

39. Bhattachaja P.K., Matsumoto Т., Subramanian S. The relation of dominant deep levels in MOCVD AlxGai.xAs with growth conditions// J. of Crystal Growth, 1978, V. 68, p.p. 301-304

40. Chang N., Jordan A.S., Chu S.N.G., Geva M. Residual oxygen levels in AlGaAs/GaAs quantum-well laser structures: effects of Si and Be doping and substrate misorientation// J. Appl. Phys. Lett., 1991, V. 59, № 25, p.p. 3270-3272

41. Leu S., Hohnsdorf F., Stolz W., Recker R., Salzmann A., Greiling A. C- and O-incorporation in AlGaAs epitaxial layers grown by MOVPE using TBAs// J. of Crystal Growth, 1998, V. 195, p.p. 98-104

42. Fujii K., Kawamura K., Gotoh H. Impurity incorporation of unintentionally doped AlxGabxAs during MOVPE// J. of Crystal Growth, 2000, V. 221, p.p. 41-46

43. Косарев A.M., Крапухин B.B., Мармалюк A.A. Термодинамический расчет распределения кислорода при получении эпитаксиальных слоев AlxGai-xAs из системы Ga(C2H5)3-Al(CH3)3-AsH3-H20-H2// Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2002, № 4, с. 63-65

44. Stringfellow G.B. Calculation of regular solution interaction parameters in semiconductor solid solutions// J. Phys. Chem. Solids, 1973, V/73, № 10, p.p. 1749-1751

45. Кузнецов B.B., Москвин П.П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов -М.: Металлургия, 1991

46. Kumar V., Prasad G.M., Chetal A.R. et al. Microhardness and bulk modules of binary tetrahedral semiconductors// J. Phys. Chem. Solids, 1996, V. 57, № 4, p.p. 503-506

47. Павлов К.Ф., Романков П.Г., Носков A.A. Примеры и задачи по курсу процессов и аппаратов химической технологии -JL: Химия, 1987, с. 576

48. Dilawari А.Н., Szekely J. Computed results for the deposition rates and transport phenomena for an MOCVD system with a conical rotating susstrate// J. of Crystal Growth, 1989, V. 97, p.p. 777-791

49. Но 1.Н., Stringfellow G.B. Incomplete solubility in nitride alloys// Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1997, V. 449, p.p. 871-880

50. Урусов B.C., Таусон В.Л., Акимов B.B. Геохимия твердого тела -M.: ГЕОС, 1997, стр. 500

51. Андриевский Р.А. Прочность тугоплавких соединений -М.: Металлургия, 1974

52. Cohen М. Calculation of bulk moduli of diamond and zinc blende solids// Phys. Rev. ser. В, V. 32, № 12, p.p. 7988-7991

53. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников -М.: Высшая школа, 1982, с. 488

54. Leitner J., Mikulec J. Thermodynamic Analysis of the Deposition of GaAs Epitaxial Layers Prepared by the MOCVD Method// J. of Crystal Growth, 1991, V. 112, p.p. 437-444

55. PeskinA.P., Hardin G.R. Gallium arsenide growth in a pancake MOCVD reactor Hi. of Crystal Growth, 1998, V. 186, p.p. 494-510

56. Введение в математическое моделирование. Под редакцией доктора физ мат. наук, проф. Трусова П. В. -М.: Интернет Инжиниринг, 2000

57. Kuech T.F., Potemski R., Cardone F., Scilla G. Quantitative oxygen measurements in OMVPE AlxGai-xAs grown by methyl precursors// J. of Electronic Materials, 1992, V. 21, №3, p.p. 341-344

58. Кожитов Л.В., Крапухин B.B., Улыбин B.A. Технология эпитаксиальных гетерокомпозиций. Учебное пособие. Московский Государственный Институт Стали и Сплавов (Технологический университет), Москва, 2001

59. Basics of the MOCVD process The CVD Engineering Company A1XTRON И www.aixtron.com, публикация от 04.02.02

60. KoukituA., Takahashi N., Seki H. Thermodynamic Study of Metalorganic Vapour-Phase Epitaxial Growth of Group III// J. Appl. Phys., 1997, V. 36, p.p. 1136-1138

61. On J., Yung-Chung Pan, Lee N.H. A high-temperature thermodynamic model for metalorganic vapor phase epitaxial growth of InGaN// Jpn. J. Appl. Phys., 1999, V. 38, № 9A, p.p. 4958-4961

62. Механика жидкости и газа. Под научной редакцией Минаева А.Н -М.: Металлургия, 1987

63. Handbook of Inorganic and Organometallic Chemistry 8-th Edition Founded by Leopold Gme Iin, Hong-Kong Barcelona, 1991

64. DarmoJ., DubeckyF., Hardtdegen #., HollfelderM., Schmidt Я Deep-level states in MOVPE AlGaAs: the influence of carrier gas// J. of Crystal Growth, 1998, V. 186, p.p. 13-20

65. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков -М: Металлургия, 1988

66. White W.B., Johnson S.M., Dantzig G.B. Chemical equilibrium in complex mixtures//J. Chem. Phys., 1958, V. 28, № 5, p.p. 751-755

67. Cruise D.R. Notes on rapid computation of chemical equilibria// J. Phys. Chem., 1964, V. 68, № 12, p.p. 3797-3798l\.Naphtali L.M. Calculate complex chemical equilibria// Ind. Eng. Chem., 1961, V. 53, № 5, p.p. 387-388

68. Klima P., Silhavy J., Resabek V. A study of equilibrium reactions in the Ga-PCh-H2 and Ga-AsCb-Нг epitaxial systems// J. of Crystal Growth, 1976, V. 32, № 3, p.p. 279-286

69. Peskin А.Р., Hardin G.R. Gallium arsenide growth in pancake MOCVD reactor// J. of Crystal Growth, 1998, V. 186, p.p. 494-510

70. Краткий физико-технический справочник под общей редакцией К. П. Яковлева. Том 1: Математика. Физика -М.: Государственное издательство физико-математической литературы, 1960

71. Oikawa S., Tsuda М, Morishita М Elementary process of the thermal decomposition of alkyl gallium// J. of Crystal Growth, 1988, V. 91, p.p. 471-480

72. Coltrin M.E., Kee R.J. A mathematical model of the gas-phase and surface chemistry in GaAs MOCVD// Mat Res. Soc. Symp. Proc., 1989, V. 145 Materials Research Society, p.p. 119-125

73. Sladek K.J., The role of homogenous reactions in chemical vapor deposition// J. Electrochem. Soc., 1971, V. 118, №4, p. 654

74. Кожитов Л.В., Крапухин B.B., Нечаев B.B., Улыбин В.А. Компьютерное моделирование процесса парофазной эпитаксии химическим осаждением// Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 1998, № 1, с. 53-56

75. Шлихтинг Г. Возникновение турбулентности -М.: Наука, 1963

76. Stringfellow G.B. Calculation of ternary and quaternary III-V phase diagrams// J. of Crystal Growth, 1974, V. 27, p.p. 21-34