Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках цилиндрической формы тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Гришко, Анна Сергеевна

• Гришко, Анна Сергеевна
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Гришко, Анна Сергеевна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1 Диоды Шоттки. Характеристики приборов планарной и непланарной конфигурации.

1.2 Кремниевые эпитаксиальные структуры для силовых диодов

Шоттки.

1.3 Методы получения эпитаксиальных слоев кремния.

1.4 Условия структурно совершенного роста эпитаксиальных слоев в процессе газофазной эпитаксии кремния в системах SiCl4-H2 и SiH4-H2.

1.4.1 Эпитаксия в системах SiH^-He, SiH4-N2.

1.4.2 Двухтемпературная методика наращивания.

1.4.3 Влияние кислородосодержащих примесей на эпитаксию кремния, минимальная температура процесса эпитаксиального наращивания.

1.4.4 Эпитаксия при пониженном давлении.

1.5 Влияние кристаллографической ориентации подложки на скорость роста эпитаксиальных слоев.

1.6 Методы исследования электрофизических параметров эпитаксиальных структур кремния планарной конфигурации.

1.7 Выводы по главе 1 и постановка задачи.

ГЛАВА 2. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ.

2.1 Термодинамический блок математической модели процесса пиролиза моносилана в системе SiH4-H2.

2.2 Макрокинетический блок математической модели процесса пиролиза моносилана в системе SIH4-H2.

2.2.1 Схема реактора для процесса ПФЭХО при получении эпитаксиальных структур цилиндрической конфигурации.

2.2.2 Гидродинамика в реакторе эпитаксиального наращивания.

2.2.3 Температурное поле реактора.

2.3 Рост эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 в диффузионном режиме.

2.4 Модель скорости роста эпитаксиальных слоев кремния в системе S1H4-H в кинетическом режиме.

2.5 Определение минимальной температуры эпитаксиального наращивания с учетом влияния кислородосодержащих примесей в парогазовой смеси.

2.6 Вероятность гомогенного зародышеобразования при эпитаксии кремния.

2.7 Выводы по главе 2.

ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ.

3.1 Исходные материалы. Входной контроль цилиндрических подложек.

3.2 Подготовка цилиндрических подложек к эпитаксиальному наращиванию.

3.2.1 Разработка методики полирования и контроля качества поверхности кремниевых цилиндрических подложек.

3.2.1.1 Полирование с использованием алмазных паст (АСМ 2/1, АСМ 1/0).

3.2.1.2 Полирование с использованием ультрадисперсных алмазов.

3.2.1.3 Химико-механическое полирование.

3.2.1.4 Химико-динамическое полирование.

3.2.2 Влияние кристаллографических направлений, выходящих на поверхность цилиндрических подложек, на качество обработки поверхности.

3.3 Разработка методики эпитаксиального наращивания кремния на цилиндрические подложки методом парофазной эпитаксии химическим осаждением

3.3.1 Экспериментальная установка эпитаксиального наращивания.

3.3.2 Схема технологического процесса.

3.4 Разработка методик измерения электрофизических параметров цилиндрических эпитаксиальных структур.

3.4.1 Методика измерения толщины цилиндрических эпитаксиальных структур.

3.4.2 Разработка методики измерения удельного электрического сопротивления цилиндрических эпитаксиальных структур.

3.4.3 Рентгеноструктурные исследования совершенства монокристаллической структуры.

3.5 Выводы по главе 3.

ГЛАВА 4. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ.

4.1 Влияние параметров процесса осаждения кремния на свойства получаемых цилиндрических эпитаксиальных структур.

4.1.1 Зависимость скорости роста эпитаксиальных слоев кремния, полученных на цилиндрических подложках, от параметров процесса осаждения.

4.1.2 Качество поверхности эпитаксиальных слоев, поучаемых на цилиндрических подложках.

4.2 Предложения по усовершенствованию конструкции реактора.

4.3 Выводы по главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках цилиндрической формы»

Больше полувека назад была предложена планарная технология изготовления полупроводниковых приборов, открывшая возможность совершенствования технологии получения дискретных приборов с переходом к интегральным схемам. В настоящее время диаметр кремниевых пластин составляет ~300 мм, дальнейшее увеличение связано с технологическими трудностями получения монокристаллических слитков кремния с однородным распределением свойств. Переход на кристаллы большего диаметра требует высоких технологий и является дорогостоящим направлением.

Вместе с тем проводится поиск альтернативных решений с переходом от планарной технологии к приборам непланарной конфигурации. Так, например, компанией "Share" США разработаны и изготовлены полупроводниковые приборы на сферической поверхности диаметром ~ 1 мм III. Разработаны соответствующие методы газофазных процессов и трехмерной фотолитографии. К преимуществам новой технологии компания относит отсутствие необходимости получения больших монокристаллов, их резки, создания рабочих помещений особого класса чистоты и обеспечивает значительное сокращение (1 день вместо 100) длительности изготовления приборов и расхода кремния (в 12 раз); возможность создания непрерывного, полностью автоматизированного производства.

В работах /2-4/ приведены расчетные данные параметрического преимущества силовых полупроводниковых выпрямительных диодов и диодов Шоттки на основе цилиндрической (трубчатой) подложки по сравнению с приборами, выпускаемыми в промышленных масштабах по существующей технологии /5-9/.

В связи с выше изложенным, нецланарная технология изгоговления полупроводниковых приборов и интегральных схем, с возможностью перехода к нанотехнологиям, представляется перспективной областью развития.

Процесс эпитаксиального наращивания с получением структурно совершенных слоев с заданными электрофизическими параметрами и допустимым их отклонением является широко используемым процессом при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Обзор отечественных и зарубежных литературных данных не дал четкого представления о возможности эпитаксиального наращивания на подложки непланарной конфигурации с получением структурно совершенных слоев.

В работе /10/ приведены результаты исследования автоэпитаксиально-го роста GaAs методом газофазной эпитаксии на сферической поверхности. При различных парамеграх процесса обнаружился избирательный рост эпитаксиального слоя по различным кристаллографическим направлениям. Автору не удалось получить равномерной по толщине эпитаксиальной структуры. Данных об эпитаксии кремния на непланарных подложках обнаружено не было.

В связи с выше изложенным, возможность получения эпитаксиальных слоев кремния с равномерным по толщине эпитаксиальным слоем на подложках непланарной конфигурации вызывает ряд сомнений, поскольку монокристаллы кремния также характеризуются существенной анизотропией скорости роста по различным кристаллографическим направлениям.

Целью настоящей работы является изучение возможности получения равномерных по толщине автоэпитаксиальных слоев кремния на подложках цилиндрической формы и выбор параметров процесса, обеспечивающих получение структурно совершенных эпитаксиальных слоев с контролируемыми электрофизическими параметрами.

Постановка задач:

- анализ существующих методов и технологий получения планарных эпитаксиальных структур с позиций влияния технологических параметров и особенностей конструкции оборудования на характеристики эпитаксиальных слоев;

- математическое моделирование тепловых процессов и явлений мас-сопереноса при эпитаксиальном росте кремния в макро- и микрокинетическом режимах;

- разработка методики получения непланарных эпитаксиальных структур с заданными характеристиками и оборудования для ее реализации;

- разработка методик контроля качества непланарных эпитаксиальных слоев;

- исследование влияния параметров процесса эпитаксиального наращивания на свойства непланарных эпитаксиальных структур; проверка адекватности моделирования сравнением результатов проведенных расчетов с экспериментальными данными.

Научная новизна работы:

1. Впервые получены монокристаллические автоэнитаксиальные слои кремния на подложках цилиндрической формы, соответствующие основным требованиям, предъявляемым к планарным эпитаксиальным слоям для изготовления приборных структур (диодов Шоттки).

2. Разработана 2-х мерная осесимметричная модель осаждения автоэпи-таксиальных слоев кремния в системе SiH4 - Н2, учитывающая микрокинетику процесса на подложке, термодинамику и макрокинетику.

3. Проведен анализ тепловых и скоростных полей реактора нового типа для осаждения кремния на цилиндрических подложках, определены оптимальные параметры процесса, обеспечивающие воспроизводимые условия роста, характеризующиеся установившимся ламинарным течением ПГС, постоянным составом парогазовой смеси и температурой в рабочей зоне реакционной камеры.

Практическая ценность работы:

I. Впервые разработана методика получения однородных эпитаксиальных слоев кремния на цилиндрических подложках и создана новая конструкция реактора для ее реализации методом парофазной эпитаксии химическим осаждением в системе S1H4 - Н2 (Ноу-хау № iUi-2i9-2UUb ОИС, 100-219-2005 депозитарий МГИСиС).

2. Предложен способ и разработана оснастка для проведения процесса полирования цилиндрической поверхности при подготовке к эпитаксиальному наращиванию с достижением наноразмерной шероховатости поверхности.

J. диадам учгилик ни пилучсниш лшшксиальныл слись кремния на цилиндрических подложках.

4. Разработаны методики контроля основных параметров получаемых не-нланарныл зпишксшшьных структур ^шлщины зпш аксиальных слисв, удельного сопротивления и структурного совершенства).

Основные положения, выносимые на защиту:

1. ьыоор метода парофазной эпитаксии кремния химическим осаждением в системе SiH4 - Н2, как максимально отвечающего требованиям, предъявляемым к непланарным эпитаксиальным структурам - получение тонкил Л1И1 аксиальных ujiucb ^вдоннии 1 илщпмы при мшшмшацш раиичей температуры процесса - и его математическая модель, учитывающая микрокинетику процесса на подложке, термодинамику и макрокинетику.

2. Разработанная на основе математической модели конструкция реактора нового типа для проведения процесса ПФЭХО в системе SiH4 - Н2, иисспсчивающан висприизвидимыс усливия исаждсния.

3. Способ предэпитаксиальной обработки подложки с достижением наноразмерной шероховатости ~ 0,5. 1,5 нм; для цилиндрических подложек, когда ось ооразцов совиадаег с направлением 1шероховатость поверхности не зависит от кристаллографического направления.

4. Методика получения эпитаксиальных структур на подложках цилинд-рическои формы и оптимальные параметры процесса осаждения, характеризующиеся установившимся ламинарным течением ПГС, постоянным составов и температурой в рабочей зоне реакционной камеры и обеспечивающие получение равномерного структурно совершенного эпитаксиального слоя кремния на цилиндрической поверхности заданной толщины и удельного сопротивления.

Апробация работы

Материалы работы докладывались на 3-й Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе «Кремний - 2003» (Москва, 26-30 мая 2003 г.).

Публикации

Результаты исследований опубликованы в 8 научных работах.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Гришко, Анна Сергеевна

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Впервые получены монокристаллические автоэпитаксиальные слои кремния на подложках цилиндрической формы, по основным параметрам соответствующие требованиям, предъявляемым к планарным эпитакси-альным структурам для изготовления диодов Шоттки.

2. Разработана 2-х мерная осесимметричная модель осаждения автоэпи-таксиальных слоев кремния в системе SiII4 - Н2, учитывающая микрокинетику процесса на подложке, термодинамику и макрокинетику. Численными расчетами показано, что основным ростообразующим компонентом в системе SiHt - Н2 является моносилан. Произведен расчет зависимости скорости роста эпитаксиальных слоев от температуры для случаев лимитирования процесса массопереносом и кинетикой поверхностных реакций; определена температура переходной области. Экспериментальные данные свидетельствуют об адекватности разработанной модели.

3. Произведен анализ тепловых и скоростных полей для конструкции реактора нового типа, определены оптимальные параметры процесса, обеспечивающие воспроизводимые условия осаждения (диффузионный режим) и характеризующиеся установившимся ламинарным течением ПГС, постоянным составом ПГС и температурой в рабочей зоне реакционной камеры: температура рабочей поверхности 1300. 1350 К, общее давление 1 атм., исходная концентрация SiHt в водороде 0,1.0,2 об.% при скорости движения ПГС 10.20 см/с (Re < 20).

4. Разработана новая конструкция реактора проведения процесса паро-фазной эпитаксии химическим осаждением в системе SfflU - Н2 на подложках цилиндрической формы (Ноу-хау № 101-219-2005 ОИС депозитарий МГИСиС).

5. Предложен и реализован способ обработки цилиндрической поверхности, в процессе подготовки к эпитаксиальному наращиванию с достижением наноразмерной шероховатости поверхности (~0,5.1,5 нм) и разработана оснастка для проведения полирования.

6. Разработана методика получения автоэпитаксиальных слоев кремния на цилиндрических подложках методом парофазной эпитаксии химическим осаждением в системе SiH4 - Н2.

7. Разработаны методики измерения толщины, удельного электрического сопротивления и структурного совершенства цилиндрических эпитаксиальных слоев.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Гришко, Анна Сергеевна, 2005 год

1. Akira Ishikava "Transistor on Spherical Surface", Ball Semiconductor Anc., October, 15, 1998. www.ballsemi.com

2. Кондратенко Т.Я. «Основы теории объемных гетеропереходов как элементов функциональной электроники» // Тезисы докладов на первой конференции «Функциональная электроника» АН СССР, Ленинград, 1990. С.18.

3. Кожитов JI.B., Кондратенко Т.Я. // ЭЛЕКТОРИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2002. №5. - С. 54-57.

4. Грехов И.В. // Изв. вузов. Материалы Электронной Техники. — М.: МИСиС, 2000. №3. - С. 9-14.

5. Енишерлова К.Л., Концевой Ю.А. // Изв. вузов. Материалы Электронной Техники. М.: МИСиС, 2000. - №4. - С. 4-9.

6. Крапухин В.В., Тимошина Г.Г. Экология производства материалов и компонентов электронной техники: Курс лекций. — М.: МИСиС, 2004. -119 с.

7. Мещеряков В.М. // Электротехника. 1996. № 12. С. 1 -14.

8. Чибиркин В.В. // Электротехника. 1998. №3. С. 1-14.

9. Чащинов Ю.М. «Формы роста арсенида галлия в иодидной и хлорид-ной системах»// Сб. «Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок». Наука, Новосибирск, 1977, С. 106-112.

10. Попов С. // Электронные компоненты. 2002. - №3. С. 35-38.

11. Miesner С., Rupp R., Kapels H., Krach M., Zverev I., "Thin Silicon Carbide Schottky Diodes: An SMPS Circuit Designer's Dream Comes True!" (Публикация Infineon Technologies, 2001).

12. Попов С. // Электронные компоненты. 2002. - №4. С. 65-67.

13. Монахов А.Ф., Евсеев А.А. Полупроводниковые приборы для мощных высоковольтных преобразовательных устройств. М.: Энергия, 1978, с. 192. Авторское свидетельство СССР № 1207345, кл. Н 01 L 29/06, 1985.

14. Непланарные полупроводниковые приборы с замкнутой областью пространственного заряда. Международная публикация № WO 02/31884 А1 от 18.04.2002.

15. Патент РФ № 2165661 от 27.03.2000. Диод Шоттки (варианты). Бюллетень изобретения №11,2001.

16. Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия / Скворцов И.М., Лапидус И.И., Орион Б.В. и др. М.: Энергия, 1978. -136 с.

17. Кожитов JI.B., Крапухин В.В., Улыбин В.А. Технология эпитаксиальных слоев и гетерокомпозиций: Учеб.-метод, пособие. — М.: МИСиС, 2001.-158 с.

18. Тизенберг О.Э., Одзиня А .Я., Веверс И.И. и др. Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников. 4.2. Новосибирск: «Наука», Сибирское отделение, 1969, с.52-57.

19. Вагин В.А., Скворцов И.М. Газовое промотирование гетерогенной реакции термического разложения моносилана, ч.1. «Электронная техника. Серия 6. Материалы», 1977, выпуск 11, с.62-67.

20. Вагин В.А. Газовое промотирование гетерогенной реакции термического разложения моносилана, ч.2. «Электронная техника. Серия 6. Материалы», 1977, выпуск 12, с.51-56.

21. Франкомб М.Х., Джонсон Дж.Е. Получение и свойства полупроводниковых пленок. В сб. Физика тонких пленок. Т. 5. Под ред. Г.Хасса, Р.Э. Туна. Пер. с англ. / Под ред. В.В. Садомирского, А.Г. Ждана / М.: Мир, 1972, с. 140-244.

22. Armitoro A.L. Silane: review and applications. "Solid - St. Techn.", 1968, v.ll, №10, P.43-47.

23. Nishi J., Watanabe M. Epitaxial deposition of silicon by pyrolisis of SiH4. Japan J. Appl. Phys." 1967. v.6, №4.

24. Richman D., Arlett R.H. Low temperature epitaxial growth of single crystalline silicon from silane. "J. Electrochem. Soc.", 1969, v. 116, №6, p.872-873.

25. Chiang J., Richman D. Growth of homoepitaxial silicon at low temperatures using silane-helium mixtures. "Met. Trans.", 1971, v.2, №3, p.743-746.

26. Richman D. Chiang J., Ribinson P. Low temperature vapor growth of homoepitaxial silicon. "RCA. Rev.", 1970, v.31, XII, №4, p. 613-619.

27. Jouce B.A., Bradley R.R. Epitaxial growth of silicon from pyrolysic of monosilane on silicon substrates. "J. Electrochem. Soc.", 1963, v. 110, №12, p. 1235-1240.

28. Gittler F.L. Epitaxial deposition of silicon in nitrogen. "J. Cryst. Growth", 1972, v.17, Dec., 271-275.

29. Nakanuma S. Silicon variable capacitance diode with high voltage sensiv-ity by low temperature epitaxial growth. "J.EEE. Electron. Dev.", 1966, v. ED-13, №76 p. 579-581.

30. Ota Y. Silicon molecular bean epitaxy (n on n+) by molecular-bean method. "J. Electrochem. Soc.", 1977, v.124, №11, p. 1795-1802.

31. Gupta D.C., Yee R. Silicon epitaxial layers with abrupt impurity profiles. -"J. Electrochem. Soc.", 1969, v. 116, №11, p. 1561-1565.

32. Патент №6190453 США МПК C30 В 25/16 Рост эпитаксиального полупроводникового материала с улучшенными кристаллографическими свойствами.

33. Chu T.L., Gruber G.A., Shtickler R. In situ etching of silicon substrates prior to epitaxial growth. "J. Electrochem Soc.", 1966, v.113, №2, part.l, p. 156-158.

34. Franz J., Langheinrich W. Convection of silicon nitride into silicon dioxide through the influence of oxygen. "Solid - St. Electron.", 1971, v. 14, №6, p.499-505.

35. Townsend W.D., Uddin M.E. Epitaxial growth os silicon from SiH4 in the temperature range 800-1150 C. "Solid-St. Electronics", 1973, v.16,1, №1, p. 39-42.

36. Shimbo M., Nishizawa J., Terasaki T. J. Crystal Growth, 1974, v.23, p.267-274.

37. Чернов А.А., Рузайкин М.П., Папков H.C. Поверхность. Физика, химия, механика, №2, 1982, с.94-108.

38. Чернов А.А., Папков Н.С. Кристаллография, 1980, т.25, № 5, с. 10021009.

39. Чернов А.А., Папков Н.С., Волков А.Ф. Кристаллография, 1980, т.25, №5, с.997-1001.

40. Brekel C.H.J. J.Crystal Growth, 1974, v. 23, p.259-266.

41. Скворцов И.М., Орион Б.В. О влиянии примесей на рост эпитаксиальных слоев кремния при пониженных температурах. — «Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы», 1971, вып.4, С.99-106.

42. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: «Металлургия», 1970, с.432.

43. Кожитов JI.B., Зарапин А.Ю., Чиченов Н.А. Технологическое вакуумное оборудование. Часть 2. Расчет и проектирование вакуумного технологического оборудования: Учебник для вузов. М.: Издательский дом «Руда и металлы», 2002. — 456 с.

44. Шлихтинг Г. Возникновение турбулентности. М.: Наука, 1963.

45. Верезуб Н.А., Простомолотов А.И. // Изв. вузов. Материалы Электронной Техники. М.: МИСиС, 2000. - №3. - С. 28-34.

46. Бузанов О.А., Простомолотов А.И., Верезуб Н.А. Гидродинамика расплавов. Курс лекций. М.: МИСиС, 1997. С 81.

47. Математическое моделирование конвективного тепломассообмена на основе уравлений Навье-Стокса. / Полежаев В.И., Буне А.В., Верезуб Н.А., и др. -М.: Наука, 1987. С. 272.

48. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии. -М.: МИСиС, 1995. - 493 с.

49. J. Korec, М. Heyen J. // Journal of Crystal Growth. 1982. №60. P. 286296.

50. R. Cadored, F. Hottier. Journal of Crystal Growth 61(1983) 259-274.

51. J. Bloem, W.A.P. Claassen. Journal of Crystal Growth 49 (1980) 435-444.

52. J. Korec. //Journal of Crystal Growth. 1983. №61. P. 32-44.

53. Moore W.J. // Physical Chemistry. 5th ed. (Logmans, London, 1972).

54. Eyring H. // Physical Chemistry. Advanced Treatise. Academic Press. New York. 1975. P.22.

55. Riedl W.J. // Advances in Epitaxy and Endotaxy. Elsevier, Amsterdam. 1976. P.97.

56. Расчеты процессов полупроводниковой технологии. Соколов И.А.: Учеб.пособие для вузов. М.: Металлургия, 1994. — 176 с.

57. Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Соединения А3В5. Справочник. — М. Металлургия, 1984, .144.

58. Артемов А.С. Разработка и исследование процесса полирования полупроводниковых материалов композициями коллоидного кремнезема. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. М.: МИСиС, 1979.

59. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. Чистяков Ю.Д., РайноваЮ.П.: Учеб.пособие для вузов. -М.: Металлургия, 1979, 408 с.

60. Николаев И.М. Оборудование и технология производства полупроводниковых приборов. -М.: «Высшая школа», 1977, с.269.

61. Vertical barrel epi reactor series. Проспект LPE Inc., 1988.

62. Epitaxial reactor PE 206IS. Проспект LPE Inc., 2002.

63. Epitaxial reactor PE 3061. Проспект LPE Inc., 2003.

64. И.В. Гранков и др. Основные направления совершенствования химической эпитаксии кремния из газовой фазы. М. Цветметинформация, 1982.

65. Т.А. Борисова, В.В. Митин, Т.В. Симонова. Полупроводниковый кремний в электротехнической промышленности. М., ЦНИИ экономики и информации, вып.З, 1987.

66. Гришко А.С., Кондратенко Т.Т., Митин В.В., Август С.В., Симонова В.В., Чинаров В.В. Получение непланарных эпитаксиальных структур кремния методом парофазной эпитаксии химическим осаждением // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2005, № 1.

67. Батавин В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев. М.: «Сов.радио», 1976, с. 104.

68. Сангвал К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение: Пер. с англ. -М.: «Мир», 1990.-492 с.

69. Бауэн Д.К., Таннер Б.К. Высокоразрешающая рентгеновская дефрак-тометрия и топография / Перевод с англ. И.Л. Шульгиной, Т.С. Аргуновой СПб.: Наука, 2002. - 274.

70. Металловедение, термообработка и рентгенография: Учебник для вузов. Новиков И.И., Строганов Г.Б., Новиков А.И. М.: «МИСиС», 1994.-480 с.

71. Шаскольская М.П. Кристаллография: Учеб. Пособие для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высш. шк., 1984. - 376 с.

72. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Горелик С.С., Дашевский М.Я.: Учебник для вузов. М.: Металлургия, - 1988. - 574 с.