Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Кравченко, Анатолий Анатольевич

• Кравченко, Анатолий Анатольевич
• кандидат технических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат технических наук Кравченко, Анатолий Анатольевич

Оглавление

Введение

1 Обзор

1.1 Химическое осаждение из газовой фазы

1.2 Оборудование эпитаксиального наращивания

1.2.1 История развития эпитаксиального оборудования

1.2.2 Конструкции основных типов эпитаксиальных реакторов

1.2.3 Сравнительные характеристики реакторов

1.3 Выводы по разделу 1

2 Температурное поле подложки и его влияние на напряженное состояние и деформацию в кремниевой подложке при эпитаксиальном наращивании

2.1 Анализ температурного поля подложки

2.2 Расчет суммарного прогиба подложки с периферийной круговой опорой при действии гравитационных сил и перепада температуры по толщине в условиях высокотемпературной обработки

2.3 Расчет суммарного прогиба подложки с центральной опорой при действии гравитационных сил и перепаде температуры по толщине в условиях высокотемпературной обработки

2.4 Термонапряженное состояние подложки при осесимметричном распределении температур

2.4.1 Температура изменяется по радиусу подложки, перепад по толщине подложки отсутствует

2.4.2 Средняя температура по радиусу пластины не изменяется; имеет место перепад температуры по толщине пластины

2.5 Выводы по разделу 2

3 Исследование газодинамических характеристик потока в реакторе

3.1 Влияние газодинамических характеристик на равномерность толщины эпитаксиального слоя на подложке

2

3.2 Описание пакета программ SolidWorks Flowork

3.2.1 Математическое моделирование физических процессов

3.3 Результаты исследования газодинамических характеристик в реакторах

3.3.1 Реактор щелевого типа

3.3.2 Реактор диффузорного типа

3.3.3 Реактор с удлиненным подложкодержателем

3.4 Выводы по разделу 3

4 Установка эпитаксиального наращивания одиночных подложек ЕТМ150

4.1 Назначение и характеристики установки ЕТМ 150

4.2 Устройство и работа установки

4.3 Экспериментальные исследования температурного поля подложки

4.3.1 Калибровка показаний термопар

4.3.2 Настройка ПИД регуляторов

4.3.3 Температурное, поле подложки

4.4 Испытания установки

4.5 Выводы по разделу 4

Общие выводы

Литература

Приложение А

Акты внедрения Приложение Б

Акт приемки-сдачи установки

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках»

Введение

Актуальность работы

Полупроводниковая электроника - самая динамичная отрасль экономики в мире. Основными секторами, обеспечивающими развитие этой отрасли, являются производства полупроводниковых компонентов, материалов и технологического производственного оборудования. Техническое совершенство и доступность производственного оборудования, полупроводниковых материалов и компонентов на их основе во многом определяют уровень промышленного развития и оборонный потенциал государства.

Устойчивая тенденция к уменьшению размеров элементов структуры микроприборов до субмикронных, требует модернизацию существующего и разработки нового эпитаксиального прецизионного оборудования. Это особенно важно в связи с переходом на использование подложек большого диаметра (200, 300 мм).

В России до последнего времени для получения эпитаксиальных структур на кремниевых подложках диаметром 100 мм в основном использовалось оборудование групповой обработки (УНЭС-101, Эпиквар-Ю1М, Эпиквар-121МТ и др.). Использование данного оборудования для подложек диаметром 150 мм уже проблематично, так как не всегда позволяло обеспечить необходимого качества эпитаксиальной структуры на подложке. А тенденции к увеличению диаметра обрабатываемой подложки до 200-300 мм делают нецелесообразным использование установок групповой обработки подложек. Это связано с тем , что наряду с ростом диаметра обрабатываемой подложки , возрастают требования и к качеству получаемых эпитаксиальных структур. Поэтому наиболее целесообразно использовать установки индивидуальной обработки подложек большого диаметра.

Основным узлом эпитаксиальной установки является реактор, в котором осуществляется процесс эпитаксиального наращивания. По

сравнению с реакторами групповой обработки подложек реактор индивидуальной обработки имеют ряд преимуществ. К ним относятся: возможность полной автоматизации; ^

возможность встраивания в кластер; простота и надежность;

лучше газодинамические параметры в реакторе; минимальная фоновая память реактора; меньшие энергетические затраты.

Зарубежные компании занимающиеся разработкой технологического оборудования выпустили на рынок ряд моделей эпитаксиальных установок индивидуальной обработки подложек большого диаметра. В нашей стране нет коммерческого аналога зарубежным установкам, поскольку долгое время данная ниша не была востребована на отечественном рынке. Решение задачи по созданию эпитаксиальной установки индивидуальной обработки подложек в основном связано с разработкой реактора, отвечающего всем требованиям процесса эпитаксии. Разрабатываемая установка не должна уступать по качеству зарубежным, что важно для отечественного производства. Следует также учитывать очень высокую стоимость зарубежных установок и их обслуживания. Подобных установок требуется сотни единиц.

Отсюда актуальность проведения работ по исследованию и разработке ректора, а следовательно и высокотемпературной эпитаксиальной установки для одиночных подложек больших диаметров очевидна.

Целью работы является исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем и установки эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках на его основе.

Задачи которые необходимо решить для достижения поставленной

цели:

• разработка модели влияния неравномерности температурного

поля на напряженное состояние и механизмы пластической

5

деформации в кремниевой подложки при высокотемпературной обработке;

• разработка методики анализа термической деформации подложки и дать рекомендации по оптимизации конструкции подложкодержателя;

• адаптация программы SolidWorks для расчета газодинамических характеристик реакторов, оптимизация их конструкции применительно к процессу эпитаксиального наращивания;

• разработка и изготовление опытной высокотемпературной эпитаксиальной установки отвечающей современным требованиям; Научная новизна работы представлена следующими положениями:

• разработана методика расчета температурного поля подложки и подложкодержателя в реакторе эпитаксиальной установки;

• разработана методика расчета напряженно-деформированного состояния подложки в подложкодержателе, оптимизирована конструкция гнезда укладки подложки, позволяющая минимизировать деформацию подложки;

• разработана методика исследования газодинамических характеристик реактора с использованием программ Solid Works, позволяющая оптимизировать конструкцию реактора с заданной температурой и скоростью газового потока.

Практическая значимость.

Результаты и рекомендации полученные в ходе выполненного

исследования в процессе разработки реактора и высокотемпературной

эпитаксиальной установки для одиночной обработки подложек, могут быть

использованы при проектировании нового современного эпитаксиального

оборудования. Разработанная в процессе исследования методика анализа

газодинамических характеристик реактора с помощью компьютерного

моделирования хорошо зарекомендовала себя и будет использована в

6

процессе разработок ряда новых современных установок. Методика анализа и регулирования температурного поля по подложке, хорошо зарекомендовавшая себя при отладке установки, используется при разработке нового технологического оборудования.

Достоверность результатов.

Достоверность теоретических положений и выводов подтверждается согласием их с экспериментальными данными, полученными в процессе исследований при доводке и отладке установки.

Личный вклад автора

Все основные результаты получены автором лично или в составе рабочей группы. Автором проведен анализ рынка эпитаксиального оборудования; исследовано влияние конструкции подложкодержателя и способа нагрева на распределение температурного поля по подложке; исследованы газодинамические характеристики реактора; предложена

конструкция реактора

Автор диссертации непосредственно принимал активное участие в проектировании установки, в разработке эксплуатационной документации, в экспериментальных и пуско-наладочных работах на установке. Работа выполнялась при активном участии научных консультантов к.т.н. Миркурбанова Х.А. и к.т.н. Сажнева C.B.

Внедрение

Результаты диссертации использованы в практических разработках ЗАО «Электронточмаш», при создании установки ЕТМ-150, которая прошла технологические испытания и внедрена на отечественном предприятии. Методики компьютерного моделирования, разработанные на базе универсальных программ, хорошо зарекомендовали себя в процессе создания оригинальных функциональных узлов, широко применяются при конструировании новых технологических установок. Внедрение подтверждено соответствующими актами.

Основные результаты выносимые на защиту

1. Методика расчета и измерения температуры подложки в реакторе в условиях рабочих температур. Установлен перепад температуры по толщине подложки и ее диаметру.

2. Методика расчета напряженного состояния подложки в подложкодержателе при осисимметричном изменении перепада температуры по толщине подложки, ответственного за упругую и пластическую деформацию подложки.

3. Методика расчета деформации подложки в гнезде подложкодержателя с учетом гравитационных сил. Рекомендованная геометрия гнезда подложкодержателя, позволяющая минимизировать температурные деформации подложки.

4. Методики исследования газодинамических характеристик реакторов и компьютерного проектирования с использованием собственных программ и универсальной программы SolidWorks Floworks.

Апробация работы

Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались на 14-й, 15-й и 16-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика» (г.Москва, Зеленоград, МИЭТ(ТУ), 2007,2008 и 2009 год соответственно), 7-й Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2010» (г. Нижний Новгород, ННГУ им. Н.И. Лобочевского, 2010 год), 8-ой Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2011» (г.Москва, МИСиС, 2011 год), а так же на 17-ом Координационном научно-техническом семинаре по СВЧ технике (г. Нижний Новгород, 2011 год)

Публикации.

Основные материалы диссертационной работы опубликованы в 12 работах, в том числе 5 статей и 7 тезиса доклада на конференциях. Две статьи опубликованы в ведущих научных журналах, утвержденных ВАК РФ.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех разделов, общих выводов, списка литературы и приложения.

Работа изложена на 167 страницах текста, содержит 52 рисунок, 13 таблиц, список литературы включает 124 наименования.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Кравченко, Анатолий Анатольевич

Общие выводы

1) Установлено, что неравномерность распределения температуры по подложке приводит к формированию термонапряженного состояния в ней с образованием радиальных и тангенциальных напряжений. Неравномерность температуры по диаметру подложки определяется неравномерностью теплового потока от подложкодержателя к подложке, зависящего от толщины газового зазора между ними. Величина зазора определяется суммой прогибов подложки от действия массовых сил и перепада температуры по толщине.

2) Установлено, что распределение радиальных и тангенциальных напряжений в подложке определяется ее деформацией полем температур, изменяющимся как по радиусу так и по ее толщине. Осесимметричное изменение температуры подложки вдоль радиуса приводит к формированию максимального тангенциального напряжения на периферии, величина которого может превышать предел текучести кремния при рабочей температуре процесса эпитаксии. Определены пороговые значения перепада температуры по подложке, исключающие формирование высоких тангенциальных напряжений.

3) Решена задача определения температурных напряжений от перепада температуры по толщине подложки. Установлено формирование как радиальных, так и тангенциальных напряжений. Показано, что величина тангенциального напряжения от перепада температуры по толщине много меньше величины напряжения от радиального перепада температур (составляет 3-5%). Вкладом такого напряжения в величину максимального тангенциального напряжения можно пренебречь.

4) Решена задача расчета прогиба подложки от действия гравитационной нагрузки. Величина прогиба зависит от радиуса подложки. Установлено, что управлять величиной прогиба возможно как изменением диаметра подложки, так и ее толщины.

5) Проведен анализ прогиба подложки, лежащей на периферийной круговой опоре и на плоскости гнезда (опоры в подложкодержателе при эпитаксии). Установлено, что оптимальной геометрией гнезда в подложкодержателе является гнездо с плоским основанием, в котором прогиб подложки уменьшается за счет действия гравитационной нагрузки. Такой эффект приводит к уменьшению перепада температуры по диаметру подложки, а следовательно и к значительному уменьшению величины тангенциальных напряжений.

6) Установлено, что при введении дополнительной зоны прогрева перед подложкодержателем стабилизируется скорость и температура газового потока. В реакторе щелевого типа с удлиненным подложкодержателем длинной 300 мм скорость газового потока в зоне подложки близка к равномерной. При расходах 3000-7000 л/час в пределах подложки разброс скорости и температуры составляет 1-8%.

7) Предложена и испытана методика контроля и регулировки температуры по подложкодержателю с использованием в качестве контрольных показаний для калибровки данных с термоспутника.

8) Разработана и изготовлена автоматизированная установка эпитаксиального наращивания одиночных подложек диаметром 150 мм, проведены пусконаладочные работы по завершению которых были проведены технологические испытания. В результате испытания установлено, что все режимы и параметры работы установки соответствуют техническим требованиям.

9) По результатам испытаний установлено, что разброс температуры в зоне подложки составляет менее 10°С, а разброс толщены эпитаксиального слоя и поверхностного сопротивления менее 5%, что соответствует зарубежным эпитаксиальным установкам.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Кравченко, Анатолий Анатольевич, 2012 год

Литература

1 Sequeda F.O. The Role Thin Film Materials in The Technology of Integrated Circuits Fabrication // J. of Metal. - 1985. -N 5. - P. 63-91.

2 Jensen K.E., Kern W. CVD for Solid State Device Fabrication // The Electrochemical Society. - Las-Vegas, Nevada, 1985. -P.3-56

3 Robert F. 50 years progress in crystal growth// Stanford university,USA,

268p.

4 Емельянов В.А. Оборудование для Химического осаждения из газовой фазы функциональных слоев / В.А. Емельянов, А.С. Турцевич, О.Ю. Наливайко.- Минск: Белорус. Наука, 2007. - 255с. - ISBN 978-985-08-0792-2

5 Васильев В.Ю., Сухов М.С. Аппаратура и методика осаждения слоев при пониженном давлении. 4.2. // Обзоры по электронной технике, 1985, -Сер. 7, вып. 3 (1087), -56с.

6 Jaeger J., Richard С. "Film deposition" Introduction to microelectronic fabrication // Sabble River 2002.

7 Киреев В.Ю., Столяров A.A. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы. - М.: Техносфера, 2006. - С.1-192.

8 Hammond L.M. Epitaxial Silicon Reactor Technology /А Review, Part I: Reactor Technology // Solid State Technology. - 1988. - N.5 - P. 159-164.

9 Robinson M.D. Microelectronics materials and Processes // Ed. By R.A. Levy, Silicon Epitaxy. - New York: by Kluwer Academics Publishers. - 1989. -P.25-78

10 Технология СБИС / Под ред. С. Зи: пер. с англ. - М.: Мир, 1986. Т.1. - 404 с.

11 Epitaxial radiation heated reactor // Пат. США №4047496, С23С 013/08. Опубл. 13.09.1977.

12 Kuhn W.S., Angermeier D., Triboulet R., Gebhardt W., Druilhe R. Analysis of CVD in horizontal reactor. I. Epitaxy of Ge // Jurnal of Crystal Growth, Volume 183, Number 4, February 1998, pp. 525-534.

13 Kuhn W.S., Angermeier D., Triboulet R., Gebhardt W., Druilhe R. Analysis of CVD in horizontal reactor. II. Epitaxy of Ge // Jurnal of Crystal Growth, Volume 183, Number 4, February 1998, pp. 525-534.

14 Gemini-1 // Проспект фирмы Epitaxy Equipment Inc. - 1980.

15 Hubuka H. Hot-wall and cold-wall environments for silicon epitaxial film growth // Journal of Crystal Growth, Volume 223, Number 1, February 2001, pp. 145-155.

16 Sitter H., Andreev A., Matt G. Hot wall epitaxial growth of highly ordered organic epi layers// Sinthetic Metals, Volume 138, №1,2 June 2003, pp.9-13.

17 Установка наращивания эпитаксиальных слоев DC - 6000Е // Проспект фирмы Kokusai Electric. - 1988.

18 EPI-АСЕ - Vertical Epitaxial Reactor System EGV-28FM // Проспект фирмы Toshiba Macine Co., LTD. - 1996.

19 Gemini-3 Epitaxial Reactor // Проспект фирмы Lam Research. 1989.

20 The Rexon 8 300 mm Reactor // Проспект фирмы REDIXON. - 2002.

21 Susceptor, structure for chemical vapor deposition reactor // Пат. США №3796182, МКИ C23C 12/08. Опубл. 12.03.1994.

22 Process for preparing semiconductor wafer with substantially no crystallographic slip // Пат. США №4081313, МКИ H01L 021/20. Опубл. 28.03.1978.

23 АМС 7810 and 7820 Radiantly Heated Epitaxial Reactor Syastem // Проспект фирмы Applied Materials.

24 Reactor gas injector for 1С processing // Пат. США №4928626, МКИ C23C 16/00. Опубл. 29.05.1990.

25 Сигалов Э.Б., Папков Н.С., Петров С.В. Эпитаксиальные реакторы для различных областей полупроводникового производства // Электронная промышленность. - 1990. - №4. - С.3-6.

26 Epitaxial Reactor РЕ 1061 // Проспект фирмы LPE, Италия. -1987

27 Epitaxial Reactor AET 100 // Проспект фирмы Sitesa, Швейцария. -

1987.

28 Epitaxial Reactor PE 2061 // Проспект фирмы LPE, Италия. -7-1997.

29 AET 2000 - The Advanced Epitaxial Reactor // Проспект фирмы Sitesa, Швейцария. - 1990.

30 Epitaxial Facility // Пат. США №5038711, МКИ C23C 016/00. Опубл. 13.08.1991.

31 The First Automatic Single Wafer Epitaxial Reactor / Реклама фирмы ASM International // Solid State Technology. - 1988 - №8. - P.72.

32 High Performance CMOS Epi for Non Backsealed Substrates // Проспект фирмы Applied Materials. - 1995.

33 Centura Epi SEG Process // Проспект фирмы Applied Materials. - 1993.

34 Reduced Pressure SiH4 Epi Process Performance Capability // Проспект фирмы Applied Materials. - 1995.

35 SiGe Epi Centura Capability // Проспект фирмы Applied Matterials. -

1995.

36 Сайт компании ASM. URL: http://www.asm.com

37 Method and apparatus for configuring an epitaxial reactor for reduced set-up time and improved layer quality // Пат. США №5685906, МКИ C30B 025/12. Опубл. 11.11.1997.

38 Epitaxial reactor with susceptor controlled positioning // Патент США №20090107404.

39 Reaction chamber for CVD system // Пат. США №4846102, МКИ C23C 16/52. Опубл. 11.07.1989.

40 Buslari A., Airksinen V. - М., Non-linear models used to address epi layer uniformity // Solid State Technology. - 2004. - №7. - P.33-38.

41 X. Миркурбанов, В. Тимофеев, В. Одиноков, Г. Павлов, Д. Веревкин, А. Кравченко Установка эпитаксиального наращивания слоев для

индивидуальной обработки подложек большого диаметра // Наноиндустрия. - М: 2008, № 6 с. 4-7. 2009; № 1 с. 4-11.

42 A.A. Кравченко Характеристики газового потока в щелевом реакторе эпитаксиального наращивания одиночных подложек больших диаметров // 14-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов « Микроэлектроника и информатика 2007», тез. докл. М.:2007 с. 48.

43 Самойликов В.К. Оптимизация технологического оборудования и процесса газофазной эпитаксии кремния производства СБИС. / Дисс. на соискание докт. техн. наук. М.: 1996.

44 Пленочные токопроводящие системы СБИС /под ред. Ю.Д. Чистякова. - Минск: 1989, 150 с.

45 Петров C.B., Сигалов Э.Б., Папков Н.С. Эпитаксиальные реакторы для различных областей полупроводникового производства.// Электронная промышленность, 1990, №3, с. 3-6.

46 Самойликов В.К. Оптимизация технологического оборудования и процесса газофазной эпитаксии кремния производства СБИС. /Дисс. на соискание докт. техн. наук. М.: 1996.

47 Грушичев A.B., Самойликов В.К.. Расчет температурного поля, возникающего в теле подложки // Всеросс. конф. «Электроника и автоматика», тез. докл.М.: 1995, с.217-219.

48 Bentini G., Correro L, Donalato С. Defects Introduced in Silicon Wafers During Rapid Isothermal Annealing: Electronic Materials/ Eds.S.R. Wilson, R. Powei,D.E. Davis. Pitsburg, MRS, 1987, 265-272.

49 Самойликов В.К., Николин В.Б., Кононов В.Ю. Система измерения действительной температуры «ТЕМИКС» // Электронная промышленность, 1996, №4, с.44-45.

50 Козлов Ю. Ф., Павлова C.B., Сидоров А.И. Измерение распределения температурного поля при помощи кремниевых структур,

имплантированных фосфором.// Электротехника, сер. Материалы, вып.7, 1982, с.31-33.

51 Белоусов B.C., Козлов Ю. Ф., Сидоров А.И., Сальников JI.A. Термоспутник//Авт. Свид. №1347814 с приоритетом от 14.01.1985 г.

52 Akiyama N., Inove Y, Suzuki T. Critical Radial Temperature Gradient Induction Slip Dislocations in Silicon Epitaxy Using Dual Heating of the Two Surfaces of a Wafer // Jap. J. Appl. Phys., 1986, V. 25, N11, p. 1619-1622

53 Концевой Ю.А., Литвинов Ю. M., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых структур. М.: Радио и связь, 1982,-239с.

54 Сажнев C.B., Тимофеев В.Н., Миркурбанов Х.А., Механизм формирования линий скольжения в полупроводниковых пластинах при высокотемпературной обработке //Материаловедение, № 2004, с.

55 Харламов Р.В. Разработка технологии производства кремниевых эпитаксиальных структур для силовых приборов /Дисс. на соискание канд. техн. наук, М.: 2000 г.

56 Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве, Мн.: Навука i тэхнша. 1992, 240 с

57 Сигалов Э. Б., Волков Н.С., Иванов В.И. Совершенствование конструкции подложкодержателей //Сб. Физико-термическое оборудование и автоматизация. Ч.З- М.: ЦНИИ «Электроника», 1981, с. 11-12.

58 Сигалов Э. Б., Волков Н.С., Иванов В.И. Подложкодержатели высокотемпературных реакторов для эпитаксии кремния // Технология п/п приборов. Таллинн: Валгус, 1082, с. 93-95.

59 А. С. 1208855 СССР, МКИ Boij 17/32. Подложкодержатель для газотермической обработки подложек / Х.А Миркурбанов., Э.Б. Сигалов, Н.С. Волков- 1984.

60 Самойликов В.К., Шварц K.M. Особенности тепломассообмена процессов осаждения из газовой фазы / Всесоюзная конференция по тепломассообмену. - Минск: 1984,т. VIII, 4.2, с. 140-146.

61 Bentini G., Correro L, Donalato C. Defects Introduced in Silicon Wafers During Rapid Isothermal Annealing: Thermoelastic and Thermoplastic Effects// Jap. J. Appl. Phys., 1984, V. 56, N10, p. 2922-2929

62 Schoen N. C. Thermoelastic Stress Analysis of Pulsed Electron Beam Recrystallization of Ion-Implanted Silicon // Jap. J. Appl. Phys., 1980, V. 51, N9, p. 4747-4751

63 Тимофеев В. H., Сажнев C.B., Миркурбанов Х.А. «Расчет напряженно-деформированного состояния и оценка размеров зоны пластической деформации в полупроводниковой пластине при осесимметричном температурном нагружении». //Материаловедение, 2002, № 9 , с. 2-5. -

64 Сажнев C.B., Тимофеев В. Н., Миркурбанов Х.А. Влияние закона распределения температуры по радиусу полупроводниковой пластины на размер зоны пластической деформации при высокотемпературном нагружении // Материаловедение, 2003, №1, с.7-9.

65 Сажнев C.B., Тимофеев В. Н., Миркурбанов Х.А. Напряженно-деформированное состояние тонкой круглой полупроводниковой пластины при действии массовых сил / Сб. «Научные основы технологий, материалов, приборов и систем электронной техники» -М. : МИЭТ, 2002, с.65-72

66 Сосунов А. Г. Теплофизические исследования и разработка реакторного блока установки быстрой термической обработки. / Дисс. на соискание канд. техн. наук, М.: 2000.

67 Волков А.Ф., Куценко В.К., Новиков В.В, Папков Н.С., Петров C.B., Суворов В.М. Мягкие режимы термообработки - основа бездефектной технологии микросхем. Электронная промышленность, 1980, № 10 (94), с. 53-57.

68 Борисенко В.Е., Дорофеев A.M., Яшин К. Д. Особенности образования линий скольжения в пластинах монокристаллического кремния

при импульсной термообработке некогерентным светом // Электронная техника, сер.6, Материалы, 1985, №7, с. 3-5

69 Райнов Ю.А. Исследование температурных и концентрационных полей при росте автоэпитаксиальных слоев кремния и совершенствование технологий их производства. / Дисс. на соискание канд. техн. наук, М.: 1977, с.18-19.

70 Попов В.П., Минкина В.Г. Вопросы тепло- и массообмена в процессах осаждения из газовой фазы //Сб. «Проблемы тепло- и массообмена. Минск: 1977, с.18-19.

71 Сигалов Э.Б. Принципиальные основы создания оборудования для производства эпитаксиальных структур кремния в газофазных процессов /Дисс. на соискание канд. техн. наук, М.: 1990.

72 Сажнев С.В., Миркурбанов Х.А., Тимофеев В.Н. Состояние проблемы разработки эпитаксиальных установок // Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России. - М : ВИМИ, 2003, № 4, с. 43-45.

73 Миркурбанов Х.А. Разработка реактора эпитаксиального наращивания одиночных подложек и исследование в нем теплофизических и физико-механических процессов. / Дисс. на соискание конд. техн. наук. М.: 2005.

74 Кутателадзе С.С. Основы теории теплообмена. Новосибирск. Наука, 1970, 659 с.

75 Михеев М.А., Михеева, И.М. Основы Теплопередачи. М., Энергия. 1977 г., 319 с.

76 Цонг X. Основные формулы и данные по теплообмену для инженеров. М.: Атомиздат, 1982,217с.

77 Болгарский A.B., Мухачев Г.А., Щукин В.К. Термодинамика и теплопередача. М Высш. шк., 1975,495 с.

78 Варгафтик Н.Б. Справочник по теплофизическим свойствам газов и жидкостей. М.: Наука, 1972,720с.

79 Излучательные свойства твёрдых материалов. Справочник./Под ред. А.Б. Шейндлина. М., Энергия. 1974, 472 с.

80 Справочник машиностроителя. Т. 6, М.: Машиностроение, 1964, 540

с.

81 Origima M. Low Pressure Silicon Epitaxy. // J. Electrochem. Soc. 1977, V. 124, N6, p. 903-908.

82 Сажнев C.B., Тимофеев В. H. Процессы быстрой термической обработки и оборудование на их основе // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России, 2003, №2, с. 24-31.

83 Машиностроение (Энциклопедия), том III-8, Технологии, оборудование и системы управления в электронном машиностроении. - М. Машиностроение, 2000,740 с.

84 Слэрроу Э.М., Сесс Р.Д. Теплообмен излучением. М.: Энергия, 1971,295 с.

85 Физические величины. Справочник под ред. И. С. Григорьева, М.: Энергоатомиздат. 1991, 1200 с.

86 Звероловлев В.М., Папков Н.С., Суворов В.М. Изучение особенностей нагрева подложек в реакторе с пониженным давлением. Электронная техника, сер. Материалы, вып.5 (190), 1984, с. 58-61.

87 Тимошенко С.П., Гудьер Дж. Теория упругости. - М.: Наука, 1975.576 с.

88 Тимошенков С.П. Теория упругости. -М.: ОНТИ, 1934.

89 Бояршинов C.B. Основы строительной механики машин. - М.: Машиностроение, 1973. -456 с.

90 Тимошенков С.П., Войновский Кригер С. Пластины и оболочки. -М.: Физматгиз, 1963 - 636 с.

91 Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. -М.: Металлургия, 1979. - 408с.

92 Бакин Н.Н., Борисенко JI.A. Гетероэпитаксия арсенида галлия на кремнии. / Обзоры по эл. Технике. Микроэлектроника: вып. 4(472), 1989, ЦНИИ «Электроника».

93 Sokai S. New method to relax thermal stress in GaAs grown on Si substrates // Applied Physics Lettozs. - 1987 - V.51, №14, P 1069-1071.

94 Рябцев Н.Г., Кузнецов Ф.А. Металлургия в электронике. - М.: Металлургия, 1970. - 150с.

95 Konstantinov V., Babenko V., Zhilyev М. Application of the holographic interferometer for modeling of process in a vapor phas epitaxy reactor // Technical physics lettet, volume 29, № 6, June 2003, pp.521-522.

96 Hanser A., Wolden C., Perry W., Zheleva Т., Carlson E. Analysis of reactor geometry and diluets gas flow effect on the metalorganic vapor phase epitaxy AIN GaN thin film on a-SiC substrates.

97 Белый В.И., Кузнецов Ф.А., Коковин Г.А. Процессы роста и структура нанокристалических слоев полупроводников. ч.1 - Новосибирск, «Наука», 1968. - 135с.

98 Oh I. Modeling of epitaxial silicon growth in pancake chemical vapor deposition reactors.// Dissertation Abstracts International, 1992, T.52, №6, C.3181.

99 Koyata M., Wittry D.B., Kato T. Propagation of residual dislocations during silicon epitaxy // J. Appl. Phys., 1975, V.46, №7, P 2899-2960.

100 Стрельченко C.C., Матьяш А. А. Кинетика осаждения эпитаксиальных слоев соединений AinBv из газовой фазы. / Обзоры по эл. технике. Материалы, вып. 8(678), 1979, ЦНИИ «Электроника».

101 Mitrovic В., Parekh A., Ramer J., Merai V., Armour E.A., Kadinski L., Gurary A. Reactor design optimization based on 3D modeling of nitrides deposition in MOCVD vertical rotating disc reactor // Journal of Crystal Growth. 2006, T. 289, №2, C. 708-714.

102 Ji W., Lafgren P.M., Hallin C., Zhou G. Computation modeling of SiC epitaxial growth in hot wall reactor // Jurnal of Crystal Growth, V320, №1-3, C.225-238.

103 Muccito R., Levergine N. Detailed thermal boundary conditions in the 3D fluid dynamic modeling of horizontal MOVPE rector // Journal of Crystal Growth V221, №1, December 2000, pp. 758-764.

104 Cho W.K., Choi D.H., Kim M.U. Optimization of the intel velocity profile for uniform epitaxial growth in a fertical metalogranic chemical vapor deposition reactor // International Journal of heat and Mass Transfer, 1999, T. 42, №22, C. 4143-4152.

105 SolidWorks 2007/2008 компьютерное моделирование в инженерной практике / А. А. Алямовский, А. А. Собачкин, Е.В. Одинцов, А.И. Харитонович, Н.Б. Понамарев. - СПб.: БХВ-Петербург,2008. с.219-469

106 Roache P. J. Fundamentals of computational fluid dynamics. Hermosa Publishers, Albuquerque, New Mexico, USA, 1998.

107 Hirsch C. Numerical computation of internal and external flows. John Wiley & Sons, Chichester, 1988.

108 Лойцянский Л.Г. Механика жидкости и газа: Учеб. Для вузов. - 7-е изд., испр. - М.: Дрофа, 2003. - 386с.

109 Тимофеев В.Н., Миркурбанов Х.А., Сажнев С.В., Кравченко А.А. Характеристики газового потока в щелевом реакторе эпитаксиального наращивания одиночных подложек больших диаметров // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. - М: ВИМИ, 2007, №3, с.96-100.

110 Кравченко А. А., Веревкин Д.В. Газодинамика реактора высокотемпературной эпитаксиальной установки индивидуальной обработки полупроводниковых подложек больших диаметров // Методы и средства экологического контроля систем качества производств электронной техники: Сборник научных трудов / Под ред. Каракеяна.-М.: МИЭТ, 2008.-216 с.

111 A.A. Кравченко Сравнительные газодинамические характеристики реакторов призматического и диффузорного типов // 15-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов « Микроэлектроника и информатика 2008», тез. докл. М.:2008 с. 48.

112 Тимофеев В.Н., Миркурбанов Х.А., Кравченко A.A., Веревкин Д.В. Сравнительные характеристики газового потока в щелевых реакторах эпитаксиального наращивания призматического и диффузорного типов // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. - М: ВИМИ, 2009, №1, с 34-39.

113 A.A. Кравченко, Д.В. Веревкин, Х.А. Миркурбанов, В.Н. Тимофеев Оптимизация конструкции эпитаксиального реактора индивидуальной обработки подложек / VI Международная конференция «Кремний 2009», Новосибирск, 2009.

114 A.A. Кравченко, Д.В. Веревкин Анализ газодинамических характеристик эпитаксиального реактора с удлиненным подложко держателем // 16-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика 2009», тез. докл. М.: 2009, с.54.

115 A.A. Кравченко, Х.А. Миркурбанов, В.Н. Тимофеев Перспективы создания и использования российской эпитаксиальной установки индивидуальной обработки пластин большого диаметра / VI Международная конференция «Кремний 2009», Нижний Новгород, 2010.

116 BJ. Baliga. In: Proc. 6th Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials (Kyoto, Japan, 1995) v. 142, p. 1.

117 Термопары: типы и общее описание, способы подключения. URL: http://www.radioradar.net/hand_book/documentation/terpara.html

118 Описание реле протока жидкости РПЖ-Т-25. URL: http://www.meshphas.ra/equip/mesh/rpgt25/rpgg/

119 Описание сигнализатора горючих газов и паров Щит-2. URL: http://www.measurement.ru/gk/sostav/01/116 .htm

120 Описание регулятора массового расхода газа РРГ-12. URL: http://eltochpribor.ru/pdf/Cat_08 .pdf

121 Описание основных принципов технологии тепловых измерений массового расхода, устройство РРГ производства компании Bronkhorst HighTech B.V. URL: http://www.massflow.m/info/techinfo/misc/thermal_MFM/

122 Принцип работы кориолисового расходомера CORI-FLOW. URL: http://www.massflow.ru/info/techinfo/misc/coriolis_MFM/

123 Описание контроллеров DirectLogic. URL: http://www.plcsystems.rU/catalog/DirectLOGIC_2/doc/index.php#205

124 Haberland К., Kaluza A., Zorn M., Pristovsek M., Hardtdegen H., Weyers M., Zettler J.T., Richter W. Real-time calibration of wafer temperature, growth rate and composition by optical in-situ techniques duaring AlxGal-xAs growth in MVPE // Journal of Crystal Growth, Volume 240, number 1, April 2002, pp. 87-97.