Разработка методов синтеза и обработки наноразмерных пленок тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.16.09, доктор технических наук Тупик, Виктор Анатольевич

• Тупик, Виктор Анатольевич
• доктор технических наук
• 2011

Оглавление диссертации доктор технических наук Тупик, Виктор Анатольевич

Введение

Глава 1. Процессы синтеза и роста тонких пленок с фрактальной структурой

1.1. Современные представления о фракталах и фрактальных структурах

1.2. Методы синтеза фрактальных наноразмерных структур. Необходимость самоорганизации

1.3. Моделирование синтеза тонких пленок и формирования фрактального кластера в условиях неравновесного состояния методом ограниченной диффузией агрегации^ 34 Выводы по главе

Глава 2. Получение и исследование наноразмерных пленок металлов с фрактальной структурой

2.1 Взаимодействие КДР с электромагнитными полями, генерируемыми при магнетронном ионном распылении '

2.2 Применение КДР для получения фрактальных наноразмерных пленок

2.3 Экспериментальное оборудование

2.4. Результаты экспериментальных исследований фрактальных пленок, полученные с помощью оптической микроскопии

2.5. Результаты рентгенодифракционных и микрозондовых исследований фрактальных пленок

2.6. Результаты электронно-микроскопических и атомно-силовых исследований фрактальных пленок

2.7. Эффект репликации и эффект памяти

2.8. Исследование тонкой структуры фрактальных пленок методами РЭМ и АСМ

2.9. Исследование параметров плазмы газового столба, фрактальной размерности и отражательной способности фрактальных пленок и структуры КДР

2.9.1 Исследования параметров плазмы газового столба

2.9.2 Исследования диаграмм направленности при отражении электромагнитного излучения миллиметрового диапазона

2.9.3. Исследование процессов отражения лазерного излучения от структур

КДР и полученных под их воздействием фрактальных медных пленок

2.9.4. Определение фрактальной размерности полученных в экспериментальных исследованиях фрактальных наноразмерных пленок 115 2.10 Исследования электрофизических свойств наноразмерных пленок 118 Выводы по главе

Глава 3. Анализ возможностей процесса ионно-электронной эмиссии в микро- и нанолитографии

3.1. Возможности метода1 ионно-электронной эмиссии для литографии. Зависимость эмиссии от энергии ионов

3.2. Зависимость коэффициента ионно-электронной эмиссии от атомного номера мишени и роль атомов отдачи 138 3.3 Влияние остаточных газов на коэффициент ионно-электронной эмиссии

3.4. Разработка экспериментального макета для исследования возможностей метода ионно-электронной литографии и результаты экспериментальных исследований

3.5. Процессы, определяющие разрешающую способность метода ионно-электронной эмиссии 154 3.5.1. Зона выхода электронов из катода

3.5.2 Начальные энергетические распределения электронов

3.5.3 Процессы в пролетном пространстве 168 Выводы по главе

Глава 4. Анализ процесса взаимодействия рентгеновского излучения с системой резист-подложка 172 4.1. Анализ влияния фото- и Оже-электронов на процесс экспонирования в рентгенолитографии

4.2. Экспериментальное определение влияния фото- и Оже- электронов на разрешающую способность рентгенолитографии

4.3. Выбор параметров источника рентгеновского излучения

4.4. Расчет и конструирование электронной пушки

4.5. Исследование коэффициентов поглощения рентгеновских резистов

4.6. Оценка оптимальных условий экспонирования для рентгенолито-графических систем 224 Выводы по главе

Глава 5. Разработка методов лазерной литографии на криволинейных поверхностях

5.1. Разработка математической модели теплового поля в подложке при нагреве серией лазерных импульсов

5.2. Применение лазерной литографии для изготовления дефлектрона

5.3. Разработка экспериментальных макетов для исследования процесса генерации микрорисунка на внутренней поверхности криволинейных образцов методом лазерной безрезистной литографии 249'

5.4. Исследование энергетических параметров лазерного луча

5.5. Исследование качества-края пленки в зоне реза

5.6. Исследование поверхности подложки в зоне испарения

5.7. Исследование безрезистной технологии травления пленок

5.8. Лазерное стимулирование безрезистивного травления пленок

5.9. Разработка опытного макета для изготовления1 дефлектрона с помощью рентгенолитографии

5.10. Разработка метода контроля топологии внутренней поверхности дефлектрона- 285 Выводы по главе 5 288 Выводы 291 Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка методов синтеза и обработки наноразмерных пленок»

Работа посвящена разработке методов синтеза тонких структурированных наноразмерных пленок; установлению связей между структурой пленки, технологией ее получения и свойствами; исследованию этих свойств и их эволюции под воздействием эксплуатационных факторов; разработке групповых (параллельных) и последовательных прецизионных методов формирования заданного топологического рисунка в тонких пленках на основе резистных (масочных) и безрезистных литографических технологий.

Актуальность исследования

Развитие нанотехнологии и ее ориентация на практические задачи требует решения такой проблемы, как получение больших массивов упорядоченных структур в объеме и на подложке, имеющих наноразмерные структурированные компоненты хотя бь1 по одному измерению. Особенно это важно для создания средств, инструментов для различных отраслей приборостроения и машиностроения, предназначенных для взаимодействия, исследования и формирования объектов микро- и нанотехники, в которых требуется создание на поверхности образцов прецизионного рисунка (методы литографии), без чего невозможно дальнейшее развитие технологии интегральных схем, создание различных микро- и нанодатчиков и сенсоров, каталитических устройств, защитных покрытий, где размер минимальной области функциональных устройств по технологической норме 0,1 мкм й менее становится промышленной нормой и требует изготовления; для технологических процессов оснастки (шаблоны, маски, элементы дифракционной оптики для рентгенолитографии и другие), создания металлических пленочных контактов в этих устройствах с заданной топологией в нанометровом диапазоне. Необходима разработка технологических методов формирования заданной топологии пленочных элементов, когда синтезируемая двумерная структура формируется на всей подложке или значительной ее части без потери разрешающей способности, повышая производительность технологических процессов по сравнению с базовыми. 1

Соизмеримость масштабов наночастиц с характерным размерным диапазоном того или иного физического явления вызывает различные размерные эффекты, а увеличенная поверхностная энергия приводит к особому состоянию материалов, находящихся в ультрадисперсном состоянии. Отдельным классом наноматериалов являются материалы с наноструктурированными поверхностями. Проведение синтеза наночастиц в неравновесных условиях стимулирует процессы самоорганизации, приводящие к появлению высокоорганизованных структур и новых свойств наноструктурированных материалов. Методы ионно-плазменной технологии, в силу высокой энергетики процесса, позволяют производить синтез пленок в условиях, инициирующих процессы самоорганизации^ при синтезе пленок.

Наноразмерные материалы с фрактальной структурой и уникальными свойствами, обусловленными их структурными, топологическими и морфологическими особенностями, позволяют реализовать новейшие технические и инженерные разработки, выходящие за пределы, традиционных возможностей и технологий. Применение фрактального подхода в разработке различных радиолокационных и антенных устройств, компьютерных сетей и дискретных элементов уже получило промышленное'внедрение

Данная работа выполнялась в соответствии с ФЦНТП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники» приоритетного направления «Индустрия наносистем и материалов» перечня критических технологий РФ. Направление исследований лежит в рамках президентской инициативы «Стратегия развития наноиндустрии», «Концепции развития в РФ работ в области нанотехнологий на период до 2010 г.», «Перечню приоритетных направлений развития науки, технологии и техники РФ» (утвержден Президентом РФ 21 мая 2006 г.), Постановлению Правительства Российской Федерации № 498 от 2 августа 2007 об утверждении ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации на 2008 -2010 гг».

Целью работы является разработка методов синтеза наноразмерных пленок, обладающих собственной фрактальной структурой; исследование связей между их структурой, строением, технологией получения и свойствами с помощью современных аналитических методов; моделирование процессов зарождения и роста фрактальных пленок; разработка и исследование методов последующей обработки тонких пленок с целью формирования их структуры с помощью прецизионной резистной и безрезистной литографии с перспективой на переход к нанолитографии.

Цель работы определяет задачи, которые необходимо решить в процессе диссертационного исследования:

1. Разработать методы синтеза наноразмерных пленок, имеющих собственную фрактальную структуру, в условиях, обеспечивающих процессы зарождения и роста пленок на основе принципов самоорганизации.

2. Разработать модельные представления о формировании фрактальных кластеров в процессе синтеза и роста фрактальных наноразмерных пленок.

3. На основе экспериментальных исследований выбрать оптимальные режимы синтеза фрактальных наноразмерных пленок, изучить зависимость их свойств от условий получения.

4. Исследовать возможность формирования заданной структуры рези-стивных масочных материалов на1 поверхности металлических пленок под воздействием вторичной ионно-электронной эмиссии на основе тлеющего разряда для практического применения проекционной электронной литографии.

5. Исследовать возможность формирования заданной структуры органических и кремний-органических резистивных масочных материалов на поверхности металлических пленок при рентгеновском экспонировании и определить оптимальные значения длин волн экспонирующего излучения с точки зрения разрешающей способности рентгеновской литографии.

6. Разработать метод безмасочного травления металлических пленок на основе лазерного и лазерно-стимулированного химического травления для формирования рисунка на внутренней поверхности стеклянной криволинейной подложки.

Объекты исследования

Объектами исследования являются металлические пленки с фрактальной структурой, полученные под воздействием интерференционных полей методами ионного магнетронного распыления; физические процессы, происходящие в объеме газоразрядного столба при нанесении пленок и в процессах вторичной ионно-электронной эмиссии; прозрачные для лазерного излучения полые цилиндрические образцы с нанесенными на внутреннюю поверхность тонкими пленками; органические и кремний-органические композиции, используемые в качестве резистов для прецизионной литографии. Для моделирования процессов зарождения и роста фрактальных наноразмерных пленок использовался метод ограниченной диффузией агрегации (ОДА).

Область исследования: теоретические и экспериментальные исследования фундаментальных связей состава и строения материалов на уровнях оптической, электронной и атомно-силовой микроскопии и разработка физико-механических процессов формирования структуры материала под воздействием слабых электромагнитных полей, включая влияние режимов технологических воздействий на структуру материала.

Научная новизна

Впервые применены представления о воздействии слабых электромагнитных полей на синтез материалов с фрактальной структурой. Синтезированные методом ионного магнетронного распыления (ИМР) под воздействием сложных криволинейных дифракционных решеток (КДР) тонкие нано-размерные пленки меди и титана имеют фрактальную структуру вследствие того, что процесс их синтеза происходит в открытой системе, когда образование и последующий рост зародышей происходят в иных условиях, чем при классической теории конденсации. Реализация неравновесных условий (в отличие от классических, определенных нами как равновесные) на границе раздела "подложка - наносимый материал" в условиях воздействия интерференционных полей (ИП), генерируемых в области газового разряда с помощью КДР не имеет аналогов в мировой практике.

Тонкие наноразмерные металлические пленки, имеющие фрактальную структуру, обладают физическими свойствами (взаимодействие с электромагнитным излучением, температурная зависимость электросопротивления пленок), отличными от свойств аналогичных обычных наноразмерных пленок из тех же материалов и коррелируют со свойствами КДР, применяемых для синтеза таких пленок.

На основе метода ионно-электронной эмиссии разработан метод переноса изображения с катода-маски на подложку по всей ее площади одновременно и может использоваться в групповых методах нанолитографии при условии обеспечения вторичной ионно-электронной эмиссии с нанокласте-ров и наночастиц.

На основе исследования процессов полимеризации и деструкции органических и кремний-органических композиций под действием рентгеновского излучения, предложены оптимальные режимы формирования масочных покрытий для целей создания заданной топологии пленочных покрытий с высокой степенью разрешения на основе групповых методов обработки для рентгеновской литографии.

Разработана математическая модель нагрева подложки при испарении металлической пленки лазерным излучением, на основе модели предложены оптимальные технологические параметры для лазерной безрезистной литографии, позволяющей вести микрообработку с тыльной стороны прозрачного для лазерного излучения образца, в том числе имеющего цилиндрическую форму. Предложены методы лазерно-стимулированного химического травления металлических пленок.

Научная новизна полученных результатов подтверждается публикацией полученных результатов в рецензируемых и реферируемых научных и научно-технических журналах России, в том числе журналах РАН и, обсуждением полученных результатов на Российских и Международных конференциях, участием в программах РАН и Минобрнауки.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Интерференционные поля криволинейных дифракционных решеток сложной формы оказывают структурирующее воздействие на процессы синтеза наноразмерных пленок при ионном магнетронном и термическом вакуумном напылении, инициируя процессы самоорганизации в напыляемых структурах и стимулируя образование упорядоченных фрактальных структур.

2. Наноразмерные пленки с фрактальной структурой, полученные под воздействием интерференционных полей обладают нехарактерными оптическими, электрофизическими и механическими особенностями, определяемыми их структурой и коррелирующими со свойствами криволинейных дифракционных решеток, используемых для получения наноразмерных фрактальных пленок.

3. Метод вторичной ионно-электронной эмиссии позволяет осуществлять в условиях высоковольтного тлеющего разряда перенос рисунка с катода маски на подложку в процессах групповой прецизионной литографии.

4. Оптимальные длины волн рентгеновского излучения, перспективные в процессах рентгеновской литографии при использовании синхротронного излучения, лежат в диапазоне 0,8 - 1,4 нм.

5. Технологические режимы обработки тонких пленок, нанесенных на внутреннюю поверхность прозрачных для лазерного излучения изделий, позволяют проводить безрезистную лазерную литографию этих пленок со стороны подложки изделия любого размера. Оптимальные условия обработки достигаются при токе накачки 33-36 А, плотности мощности излучения бо-6 2 лее 2,9-10 Вт/см и частоте импульсов менее 8 кГц.

Практическая значимость работы

1. Тонкие наноразмерные металлические пленки, имеющие фрактальную структуру, обладают физическими свойствами (взаимодействие с электромагнитным излучением, температурная зависимость электросопротивления пленок), отличными от свойств аналогичных обычных наноразмерных пленок из тех же материалов и коррелируют со свойствами КДР, применяемых для синтеза таких пленок. Технология синтеза наноразмерных пленок, имеющих фрактальную структуру, переданная в ЗАО НПК «Аверс», использовалась для создания термозащитных покрытий поверхностей, работающих при высокой температуре, а также для получения отражающих покрытий на архитектурном стекле, преобразующих электромагнитное излучение в рассеянный сигнал интерференционного поля.

2. Тонкие наноразмерные металлические пленки, имеющие фрактальную структуру, обладают температурной зависимостью электросопротивления, отличной от свойств аналогичных обычных наноразмерных пленок из тех же материалов и позволяют изготавливать на их основе высокотемпературные термодатчики.

3. Макет устройства вторичной ионно-эмиссионной литографии и предложенные режимы изменения структуры материала резистивно-масочного покрытия при электронном экспонировании, позволяют реализовать новый тип установок групповой прецизионной литографии для формирования заданной топологии тонкопленочных элементов с высокой производительностью.

4. На основе исследования процессов полимеризации и деструкции органических и кремний-органических композиций под действием рентгеновского излучения, получены контрастно-чувствительные характеристики ре-зистивных материалов и предложены оптимальные режимы проведения, рентгеновской литографии с точки зрения повышения производительности и улучшения пределов разрешения процесса.

5. На основе математической модели нагрева подложки при испарении металлической пленки лазерным излучением предложены оптимальные технологические параметры для лазерной безрезистной литографии, позволяющей вести микрообработку с тыльной стороны прозрачного для лазерного излучения образца, в том числе имеющего цилиндрическую форму. Предложены методы лазерно-стимулированного химического травления металлических пленок. Технология передана в холдингову компанию «ЛениI нец», где она использована для производства узлов электростатического отклонения электронного луча на цилиндрических подложках (дефлектронов), что позволило сократить технологический цикл изготовления дефлектронов, с 8 часов до 1 часа (на одно изделие), повысить процент выхода годных приборов с 25% до 50% по сравнению с фотолитографической технологией, а также позволило использовать полученные дефлектроны при повышенных напряженностях электрического поля.

Личный вклад автора

Содержание диссертации и основные положения, выносимые на защиту, отражают персональный вклад автора в опубликованные работы. Автором диссертации сформулированы концепции научных направлений исследований, проведена систематизация имеющихся данных, выявлены общие закономерности и выбраны объекты исследований. Представленные в диссертации экспериментальные результаты и расчеты, выводы и обобщения соискателем получены лично. Экспериментальные исследования с применением растровой электронной микроскопии и атомно-силовой микроскопии выполнялись на базе СПбГТИ (ТУ), ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ИК РАН при непосредственном участии автора.

Апробация

Результаты диссертационной работы докладывались на 42 региональных, Российских и международных конференциях и семинарах, в том числе: Всероссийской научно-технической конференции "Микро- и наноэлектроника 2001", Звенигород, 1-5 окт. 2001; Международной конференции "Микро- и наноэлектроника - 2003", 6-10 октября, Москва - Звенигород; XIX, XX XXI и XXII Российской конференции по электронной микроскопии, Черноголовка, 28 мая - 31 мая 2002 г. ,1 - 4 июня 2004, 5-9 июня 2006, 31 мая-4 июня 2010; 4-ом Международном семинаре "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении", 3-5 октября 2002г., Астрахань; научно-практической конференции "Новые функциональные материалы и экология", 26 - 29 ноября 2002, Звенигород; V международной конференции "Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов", 14-15 февраля 2003г., Воронеж; XIX, XXI Всероссийском совещании "Температуроустойчивые функциональные покрытия", С. Петербург, 2003, 2010; Международном научно-практическом симпозиуме "Функциональные покрытия на стеклах".- Харьков, 2003; 15-ом Международном симпозиуме "Тонкие пленки в оптике и электронике",- Харьков, 2003; III Международном Конгрессе "Слабые и сверхслабые поля и излучения в биологии и медицине", С. Петербург, 2003; Втором Международном форуме "Голография ЭКСПО - 2005", 27 - 29 сентября 2005 г., М.: ВВЦ; Конгрессе Европейского Керамического общества "Наночастицы, Наноструктуры, Нанокомпозиты", 5-7 июля 2004 г., Санкт-Петербург; 5-ой Международной конференции "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении", 3-5 октября 2004, Воронеж; научно-практической конференции в рамках 5-й Российской специализированной выставки "Изделия и технологии двойного назначения. Конверсия ОПК", Москва, ВВЦ, октябрь 2004; Научно-практической конференции материаловедче-ских обществ России "Создание материалов с заданными свойствами: методология и моделирование, Москва, МИФИ, 2004; XII, XIII, XIV, XV Российских симпозиумах по растровой электронной микроскопии, и аналитическим методам исследования твердых тел РЭМ, Черноголовка; Втором Международном форуме "Голография ЭКСПО - 2005", 27 - 29 сентября 2005 г., Москва, ВВЦ; Научно-практической конференции "Нанотехнологии - производству-2005", 30 ноября - 1 декабря 2005., Фрязино-Москва; Международной конференции "Современное материаловедение: достижение и проблемы" ММ8-2005, 2630 сентября 2005, Киев; 4-й международной конференции "Теория и практика технологий производства изделий из композиционных материалов и новых металлических сплавов" (ТПКММ), 26 - 29 апреля 2005, Москва; Научно-практической конференции "Голография ЭКСПО - 2006", Москва; Научно-технических семинарах "Вакуумная техника и технология - 2005", "Ваку? умная техника и технология - 2006", Санкт-Петербург, 21-24 июня 2005 г., апрель 2006; Третьей международной научно-практической конференции "Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности", 14-17 марта 2007, СПб; 5-ой Международной специализированной выставке "Лаборатория Экспо"07, 2-5 октября 2007, ВВЦ, Москва; 11ом Международном семинаре-ярмарке «Российские технологии для индустрии. Нанотехнологии в электронике, энергетике, экологии и медицине», 2023 ноября 2007, Санкт-Петербург; Харьковской Международной нанотехно-логической Ассамблее 2007; V Международной научной конференции "Кинетика и механизм кристаллизации. Кристаллизация для нанотехнологии, техники и медицины", Иваново, Россия, 23-26 сентября 2008г, Пятом Международном междисциплинарном симпозиуме ФиПС-08 «Прикладная синергетика в нанотехнологиях», 17-20 ноября 2008; Международных форумах по нанотехнологиям Роснанотех-2008, Москва, 3-5 декабря 2008 и Рос-нанотех 2009, Москва, 6-9 октября 2009.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 65 научных работ, в том числе 1 монография, 22 статьи, 42 тезиса докладов на Российских и Международных конференциях.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы, включающего 323 наименования. Основная часть работы изложена на 329 страницах машинописного текста. Работа содержит 19 таблиц и 155 рисунков.

Заключение диссертации по теме «Материаловедение (по отраслям)», Тупик, Виктор Анатольевич

Выводы

Исследование комплекса вопросов, связанных с разработкой эффективных технологий синтеза тонких наноразмерных пленок с фрактальной структурой, переноса изображения с помощью метода ионно-электронной эмиссии, условий формирования изображений при рентгеновском облучении и лазерной безрезистной обработки, в том числе и пленочных узлов на цилиндрических подложках, позволило получить ряд теоретических и прикладных результатов.

1. Проведен анализ существующих моделей, использование которых ведет к формированию фрактальных структур дробной размерности.4 Проведено моделирование процесса зарождения и роста наноразмерной пленки. Показано, что фрактальный слой фрактальной наноразмерной пленки формируется как фрактальный объект по механизму, включающему в себя стохастический процесс диффузии частиц по поверхности подложки в условиях меняющейся конфигурации рельефа интерференционного поля системы стоячих электромагнитных волн на границе раздела подложка — плазма газового разряда, что не исключает возможность образования системы локальных пространственных зарядов в соответствии с моделью пространственного заряда и диффузионный перенос поступающих в процессе напыления атомов.

2. Проведен теоретический расчет диффузии частиц на фрактальную границу кластера. Разработана модель, позволяющая формировать равновесные фрактальные структуры, растущие в процессе поверхностной самодиффузии. Показано, что фрактальный кластер в идеальном случае будет представлять собой куполообразную или кольцеобразную структуру, а в реальном случае в той или иной степени будет деформирован в зависимости от условий его зарождения и роста.

3. Фрактальные наноразмерные пленки обладают электрофизическими и механическими свойствами, определяемыми их структурой. В тонких пленках меди с фрактальной структурой наблюдается дополнительное сопротивление, обусловленное проявлением размерных эффектов в условиях, когда длина свободного пробега электронов сопоставима с характерными размерами структуры, т.е. с размерами типичного кластера. Латентная структура пленок сохраняет и демонстрирует свойства КДР, имеющих строго упорядоченную геометрическую форму, во взаимодействии с электромагнитным излучением.

4. Теоретически обоснована и экспериментально доказана возможность переноса электронного изображения в плазме высоковольтного тлеющего разряда, который обеспечивает высокую производительность. Преимущества этого метода по сравнению с существующими литографическими системами состоят в следующем: катод-маска обладает большим сроком службы, превышающим 105 экспозиций, а время экспозиции может достигать 10"3 - 10"4 с при одновременном облучении всей площади анода-подложки. Установлено, что производительность проекционной электронолитографии при применении метода ионно-электронной эмиссии повышается на три порядка, а число допустимых экспозиций на два - три порядка по сравнению с традиционными методами, что является предпосылкой к промышленному применению.

5. Разрешающая способность процессов рентгенолучевого экспонирования, определяемая относительно вклада фото- и Оже- электронов, лежит в области 50 - 60 нм для более длинных волн (порядка 0,8 нм) и в области 100 нм для более коротких волн (порядка 0,4 нм). При рентгеновском экспонировании, использующем сравнительно более длинноволновое излучение, влияние подложки на разрешающую способность невелико для материалов с малым атомным номером, однако это влияние возрастает по мере роста атомного номера вещества подложки. При использовании более коротковолнового излучения возрастает влияние подложки, особенно с ростом атомного номера вещества подложки, что объясняется более интенсивным процессом генерации фото- и Оже- электронов.

6. На основе решения краевой задачи теплопроводности получено описание температурного поля полуограниченного тела при нагреве поверхностным источником тепла с произвольным временным и произвольным осесимметричным распределением мощности, получено описание температурного поля полуограниченного тела при нагреве внутренним источником тепла, имеющим распределение Бугера-Ламберта по глубине, произвольное осесимметричное по радиусу и произвольное по времени распределения мощности. Разработанные математические модели могут использоваться при исследовании нагрева достаточно широкого класса объектов, при определении теплофизических характеристик различных материалов.

7. На основе полученных моделей тепловых полей разработана математическая модель нагрева подложки при испарении поглощающей пленки последовательностью импульсов ОКГ с гауссовым распределением плотности мощности по радиусу пучка, что позволяет оценить степень термического воздействия на подложку при обработке пленки импульсами: ОКГ с высокой частотой следования.

8. Исследованы экспериментальные режимы испарения пленки хрома на подложках электровакуумного стекла импульсами ОКГ типа ЛТИ-501. Определены технологические режимы, обеспечивающие минимальный размер неровностей края пленки и отсутствие трещин в пленке и подложке для образцов с гладкой поверхностью стекла. Для образцов с матированной поверхностью стекла определены технологические режимы, не приводящие к увеличению плотности микротрещин пленки и подложки выше уровня, соответствующего плотности микротрещин исходной матированной поверхности. Исследовано влияние дефектов стекла на процесс обратного испарения пленки, определены требования к качеству подложек для лазерной технологии получения пленочных отклоняющих узлов радиоэлектронной аппаратуры. Использование разработанных оптимальных технологических режимов позволяет с высокими качеством и производительностью обрабатывать пленочные узлы.

9. Разработан технологический модуль лазерной размерной обработки пленочных узлов на цилиндрических подложках. Практическая эксплуатация технологического модуля показала высокие технико-экономические показатели, выражающиеся в сокращении числа технологических операций, повышении производительности труда, повышении процента выхода годных, т.е. в целом повышена эффективность производства пленочных отклоняющих узлов. Полученные результаты могут быть использованы для производства пленочных узлов радиоэлектронной аппаратуры на цилиндрических подложках при производстве других пленочных структур.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Тупик, Виктор Анатольевич, 2011 год

1. Алферов Ж.И. Наноматериалы и нанотехнологии / Ж.И. Алферов, A.JI. Асеев, C.B. Гапонов и др. // Микросистемная техника. 2003. - № 8. - С. 3 - 13.

2. Ежовский Ю.К. Химическая сборка поверхностных наноструктур // Химическая физизика- 2005.- Т. 24, № 24.- С. 36-37.

3. Нанотехнология в ближайшем десятилетии. Под ред. М.К. Роко, P.C. Уильямса, П. Аливисатоса // М.: Мир.- 2002. 292 с.

4. Яшин К.Д., Осипович B.C., Пицук С.Е. Получение наночастиц '// Нано- и микросистемная техника.- 2007, № 6.- С. 2-8.

5. Ч. Пул, Ф. Оуэне Нанотехнологии. М.: Техносфера, 2004. - 328 с.

6. Сергеев Г.Б. Нанохимия. М.: Изд-во МГУ. 2003. - 288 с.

7. Ю.Д. Третьяков, Е.А. Гудилин Уроки зарубежного нанобума // Вестник Российской академии наук.- 2009, т. 79.- № 1.- С. 3-10.

8. Елисеев A.A., Лукашин A.B. Функциональные наноматериалы / под ред. Ю.Д. Третьякова.- ФИЗМАТЛИТ, 2010.- 456 с.

9. Наноматериалы. Нанотехнологии. Наносистемная техника Мировые достижения за 2005 год. Сборник под редакцией д.т.н., профессора П.П. Мальцева М.: Техносфера, 2006.- 152 с.

10. Compano R., Hullmann A. Forecasting the development of nanotechnology with the help of science and technology indicators // Nanotechnology, v. 13, 2002, № 3, pp. 243 247.

11. M. Роко Перспективы развития нанотехнологии: национальные программы, проблемы образования // Рос. хим. ж., 2002, T. XLVI, № 5, С. 90 95.

12. Алфимов М.В., Разумов В.Ф. Доклад рабочей группы "Индустрия наносистем и материалов // Российские нанотехнологии.- 2007, Т. 2.- № 1-2.- С. 12-25.

13. Шевченко В.Я. (ред.) Белая книга. Исследования в области наночастиц, наноструктур и нанокомпозитов в Российской Федерации. М. Издательство ЛКИ, 2006, 344 С.

14. В. Путин подписал закон о создании корпорации нанотехнологий // Наноиндустрия.- 2007.- № 4.- С. 2 3.

15. Положение о правительственном совете по нанотехнологиям // Наноиндустрия.- 2007.- № 3.- С. 38 39.

16. Шевченко В.Я., Шудегов В.Е. Доктрина развития работ в Российской Федерации в области нанотехнологий // Наноиндустрия.- 2007.- № 3.- С. 4 11.

17. Ежовский Ю.К. Поверхностные наноструктуры — перспективы синтеза и использования // СОЖ, том 6, № 1. 2000.- С. 56-63.

18. Полторацкий Э.А., Рычков Г.С. Функциональные элементы в наноэлектронике // Тез. докл. Российской конф. Микроэлектроника 94. М., 1994. часть 2.- С. 497 - 498.

19. В.Г. Лифшиц, A.A. Саранин, C.B. Рыжков и др. Поверхностные фазы как материал для нанотехнологий на поверхности кремния // Химия поверхности и синтез наноразмерных систем.- Сб. трудов.- СПб.: 2002.- С. 69 76.

20. С. Puente-Baliarda, J. Romeu, R. Pous, and A. Cardama, "On the behavior of the Sierpinski multiband fractal antenna," IEEE Trans. Antennas Propagat., vol. 46, Apr. 1998. pp. 517-524.

21. Бабичев Д.А., Тупик В.А. Моделирование формы фрактальной антенны на основе электромагнитного расчета характеристик микрополосковой прямоугольной антенны // Известия СПбГЭТУ "ЛЭТИ".- 2009.- № 10.- С. 3-7.

22. Бабичев Д.А., Тупик В.А. Влияние протяженности границы излучения фрактальной микрополосковой антенны на ее характеристики. Часть 1 // Известия СПбГЭТУ "ЛЭТИ".- 2010.- № 8.- С. 7-11.

23. Бабичев Д.А., Тупик В.А. Влияние протяженности границы излучения фрактальной микрополосковой антенны на ее характеристики. Часть 2 // Известия СПбГЭТУ "ЛЭТИ".- 2010.- № 9.- С. 18-21.

24. Баланкин A.C., Изотов, Мультифрактальный анализ взаимосвязи структурных и прогностных параметров полимерных композитов // Неорганические материалы. 1997. № 5, С. 600.

25. Апрелов С.А., Гайдуков Г.Н., Герасименко H.H., Медетов H.A. Фрактальный анализ упорядоченности поверхностных микроструктур// Известия ВУЗов России. Сер. Электроника 2005.- № 2.- С. 25 — 31.

26. Шелухин О.И., Тенякшев A.M., Осин A.B. Фрактальные процессы в телекоммуникациях. М.: Радиотехника. 2003, 418 с.

27. Серов И.Н., Жабрев В.А., Марголин В.И. Проблемы нанотехнологии в современном материаловедении // Физика и химия стекла. 2003, Т. 29, № 2. С. 242-256.

28. Чеховой А.Н. Нанотехнология вокруг нас: синергетика наноконструирования в промышленности и экологии. М.: Издательство ООО Экспо дизайн, 2005, 114 с.

29. Козырев В.И. Нанотехнологии — производству 2006. Труды конференции, 29 ноября - 30 ноября 2006 г., Фрязино, 2006. М.: Янус-К, 428 с.

30. Ю.В. Соколов, B.C. Железный. Получение, структура и некоторые физические свойства углеродного депозита и хрома, имеющих фрактальное строение // Письма в ЖТФ, 2003, Т. 29, вып. 15, С. 24 28.

31. Mandelbrot B.B. Les Objects Fractals, Forme, Hazard et Dimension. Paris: Flammarion, 1975, 192 с.

32. Mandelbrot B.B. The Fractal Geometry of Nature. W.H. Freeman and Company, 1983,468 c.

33. Мандельброт Б. Фрактальная геометрия природы / Б. Мандельброт. — М.: Институт компьютерных исследований, 2002. 656 с.

34. Мандельброт Б. Фракталы, случай и финансы, 2004. Изд-во R&C, 256 с.

35. Takayasu H. Fractals in the Physical Sciences. J. Wiley&Sons, 1970, 170 c.

36. Ватолин Д. Применение фракталов в машинной графике. // Computerworld-Россия.-1995.-Ш5.-с.11.

37. Федер Е. Фракталы. Пер. с англ.-М.: Мир, 1991.- (Jens Feder, Plenum Press, NewYork, 1988) 254c.

38. Ma Ш. Современная теория критических явлений. М. Мир, 1980. 298 с.

39. Соколов И.М. Размерности и другие геометрические критические показатели в теории протекания. // УФН. 1986. Т. 150. № 2. С. 221 255.

40. Зельдович Я.Б., Соколов Д.Д. Фрактали, подобие, промежуточная асимптотика. // УФН. 1985. Т. 146. № 3. С. 493 506.

41. Смирнов Б.М. Физика фрактальных кластеров. М.: Наука. 1991, 134 с.

42. Барченко В.Т., Потехин М.С., Солтовская И.А., Тупик В.А. Применение ионного магнетронного распыления для получения фрактальных наноразмерных пленок // Вакуумная техника и технология. 2005.- Том 15 №2.- С. 205-208.

43. Потехин М.С., Солтовская И.А., Тупик В.А., Фантиков B.C. Исследование фрактальных свойств тонких наноразмерных пленок // Вакуумная техника и технология. 2005.- Том 15 №2.- С. 209-214.

44. Встовский Г.В. Введение в мультифрактальную параметризацию структур материалов / Г.В. Встовский, А.Г. Колмаков, И.Ж. Бунин / Москва-Ижевск: Научно-издательский центр "Регулярная и хаотическая динамика", 2001, 116 с.

45. Рембеза Е.С. Симметрия фрактальной структуры нанокристаллических пленок диоксида олова / Е.С. Рембеза, И.А. Попова, А.П. Павин и др. // Электроника и информатика: Тез. докл. IV Межд. конф., Зеленоград, 19-21 ноября 2002, М.: 2002. С. 226 - 227.

46. Шевченко В.Я., Мадисон А.Е., Шудегов В.Е. Фрагментарность и метаморфозы наноструктур // Физика и химия стекла. 2003. - Т. 29, № 6. - С. 809-816.

47. Лукьянов Г.Н. Методы исследований систем с детерминированным хаосом: Учебное пособие / Г.Н. Лукьянов- СПб.: изд-во СПбГИТМО (ТУ), 1997. 63 с.

48. Соцков В.А. О явлениях самоорганизации в электрофизике макросистем // ЖТФ.- 2009.- № 7.- С. 129-132.

49. Третьяков Ю.Д., Казин П.Е., Гудилин П.А. "Лекции по сверхпроводимости". Москва, Изд-во МГУ, Химический факультет, 2001. 262с.

50. Ю.В.Панфилов Нанесения тонких пленок в вакууме // "Технологии в электронной промышленности, №3 2007, С 76-80.

51. Б.С. Данилин. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М.: "Энергоатомиздат", 1989, 328 с.

52. В.К. Сырчин. Магнетронные распылительные системы //Электронная промышленность. 1995, вып. 6, с. 21.

53. Каштанов П.В., Смирнов Б.М., Хипплер Р. Магнетронная плазма и нанотехнология // УФН.- 2007.- № 5.- С. 473-510.

54. К. Wasa, S. Hayakawa. Handbook of sputter deposition technology. Principles, technology and applications. New Jersey. USA: "Noyes Publications", 1991, 280 c.

55. Handbook of deposition technologies for films and coatings / Ed. R.F. Bunshah, 2-nd ed. New Jersey. USA: "Noyes Publications", 1994, 312 c.

56. R.J. Hill, S.J. Nadel. Coated glass. Applications and markets. Fairfield, CA, USA: "BOC Coating Technology", 1999,210 c.

57. Г. Хакен Информация и самоорганизация. Микроскопический подход к сложным системам: пер. с англ./ М. КомКнига, 2005. -248 с.

58. Сойфер В.А. Компьютерная оптика. Часть 1. Дифракционные оптические элементы // Соросовский Образовательный журнал. 1999, № 4. - С. 110 -115.

59. Пригожин И., Стенгерс И. Порядок из хаоса. М.: Прогресс, 1986. 431 с.

60. Бочкарев В.Ф., Бучин Э.Ю. Влияние электромагнитных полей на процесс формирования сверхтонких Fe-Ni пленок при плазмостимулированном методе осаждения // Микроэлектроника.- 2009.- № 3.- С. 181-187.

61. A.A. Захидов, O.A. Клименко, И.А. Попов и др. Влияние электрического поля на рост наноуглеродных структур из газовой фазы // Письма в ЖТФ, 2007.-№ 14. С. 1-9.

62. Карташов Ю.А. Попов И.В. Тепловое флуктуационное электромагнитное поле источник чувствительности диамагнитной конденсированной среды к слабым воздействиям // ЖТФ, 2008.- № 1.- С. 3-8.

63. Хмелевская B.C. Процессы самоорганизации в твердом теле// СОЖ, том 6, N6,2000. С. 85-91. .

64. Хмелевская B.C., Куликова Н.В., Бондаренко В.В. Фрактальные структуры в металлических материалах после ионного облучения и лазерного воздействия // Письма в ЖТФ.- 2005.- Т. 31, № 14.- С. 77 82.

65. Смирнов Б.М. Энергетические процессы в макроскопических фрактальных структурах // УФН.- 1991, Т. 161.- № 6.- С. 171-200.

66. Мирзаде Ф.Х. Самоорганизация пространственно неоднородных структур при объемной кристаллизации полидисперсных систем // ЖТФ.- 2006, Т. 76.- № 9.- С. 74 80.

67. Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Слынько Е.И. и др. Самоорганизация наноструктур теллуридов свинца и олова на Ван-дер-Ваальсовой поверхности селенида галлия (0001) // Письма в ЖТФ.- 2007, Т. 33.- № 2.- С. 80 88.

68. Елюхина О.В., Соколовский Г.С., Кучинский В.И., Елюхин В.А. Самоорганизация Zn и Те в MgS // Письма в ЖТФ.- 2006, Т. 32.- № 18.- С. 82 -87.

69. Горобей H.H., Князев С.А., Корсуков В.Е. и др. Самоподобие в структуре рельефа деформированной поверхности // Письма в ЖТФ,- 2002, Т. 28.- № 1.- С. 54-59.

70. Зайцев C.B. Образование упорядоченных структур из адсорбированных молекул на поверхности металлов в электрическом поле // Письма в ЖТФ.-2001, Т. 27.-№ П.- С. 19-23.

71. Яфаров Р.К. Самоорганизация наноалмазных кристаллитов в неравновесной СВЧ-плазме низкого давления // ЖТФ.- 2007, Т. 77.- № 1.- С. 79 84.

72. Кернер Б.С., Осипов В.В. Самоорганизация в активных распределенных-средах // УФН.- 1990, Т. 160.- № 9.- С. 1 73.

73. Иванов О.П Взаимодействие сложных систем и синергетика видов энергий // Труды пятого международного междисциплинарного симпозиума ФиПС-08 "Прикладная синергетика в нанотехнологиях", 17-20 ноября 2008 года. М.:МАТИ, 2008г. С. 90-95.

74. Веревкин Ю.К., Дауме Э.Я., Петряков В.Н. и др. Самоорганизация нанометровых островков на поверхности монокристаллов кремния, стимулированная пространственно-периодическим лазерным излучением // Пйсьма в ЖТФ, 2005, № 17.- С. 83-88.

75. Балыкин В.И. Атомно-проекционная параллельная нанофабрикация наноструктур // УФН.- 2007.- № 7.- С. 780-786.

76. Mutzel M, Haubrich D, Meschede D Parallel fabrication of nanostructures via atom projection //Appl. Phys. В 70 689 (2000). P. 832-836.

77. Drodofsky U et al. Atomic nanofabrication: atomic deposition and lithography by laser // Microelectron. Eng. 30 383 (1996). P. 211-214.

78. Битюцкая JI.A., Машкина Е.С., Крячко В.В., Румянцева H.A. Эффекты неравновесной кристаллизации ионных кристаллов, индуцированные импульсным магнитным полем // Письма в ЖТФ, 2002, № 13.- С. 88-94.

79. Усыченко В.Г. Энтропия, информация и сложность стационарных состояний открытых систем, не удовлетворяющих принципу локального равновесия // ЖТФ, 2005, № 5.- С. 19-27.

80. Дедков Г.В., Кясов A.A. Нанолампа: игла сканирующего микроскопа как управляемый источник микроволнового излучения // Письма в ЖТФ, 2005, № 11.- С. 35-41.

81. Карпов C.B., Попов А.К., Слабко В.В. Фотохромные реакции в нанокомпозитах серебра с фрактальной структурой и их сравнительные характеристики // ЖТФ, 2003, № 6.- С. 90-98.

82. Каплий С.А., Проказников A.B., Рудь H.A. Формирование кластеров, в детерминированных и стохастических полях // ЖТФ, 2004, № 5.- С. 6-11.

83. Mandelbrot B.B. Les objects fractals: Forme, hazard et dimension. Paris. 1975. 372 c.

84. Зосимов B.B., Лямшев Л.М. Фракталы в волновых процессах // УФН. 1995. Т. 165. №4. С. 361-402.

85. Забродский А.Г., Немов С.А., Равич Ю.А. Электронные свойства неупорядоченных систем. СПб. Наука. 2000. 72 с.

86. Венгер Е.Ф., Завадский С.Н., Розувалов С.Г. и др. Фрактальная структура спектров многослойных диэлектрических покрытий // Оптика и спектр. 1996. Т. 80. №2. С. 248-250.

87. Кистенев Ю.В. Шаповалов A.B. Абсорбционные свойства резонансных мультифрактальных структур // Оптика и спектр. 1996. Т. 80. № 4. С. 695 698.

88. Гулд X., Тобочник Я. Компьютерное моделирование в физике. М. Наука, 1990. Т. 1.349 с. Т. 2. 399 с.

89. Шустер Г. Детерминированный хаос. М.: Мир, 1988. 240 с.

90. Баренблатг Г.И. Подобие, автомодельность, промежуточная асимптотика. М. 1978. 296 с.

91. Zangooie S., Bjorklund R., Arwin H. Water interaction with thermally oxidizied porous silicon layers // J. Electrochem. Soc. 1997. Vol. 144. No 11. P. 4027 -4035.

92. B.H. Малышев, А.И. Мамыкин, В.И. Марголин, В.А. Тупик Исследование поверхностных аквакомплексов в пористых кристаллах методом ядерного магнитного резонанса // Нанотехника.- 2009.- № 1(17).- С. 99-103.

93. Мамыкин А.И., Ильин А.Ю., Горелик А.И. Диагностика субмикропор в кремнии // Тез. докл. I Всероссийской конф. "Кремний-96". М.: 1996. С. 280.

94. Мамыкин А.И., Ильин А.Ю., Мошников В.А. Магнитнорезонансная спектроскопия пористых квантово-размерных структур // ФТП. 1998. Т. 32. № 3. С. 356-358.

95. Zhabrev V.A., Lukyanov G.N., Margolin V.I., Tupik V.A. et. al. Research on mechanism of DOE influence on fractal nano-dimensional films production // Proc. of SPIE, vol.6251.- C. 338-346.

96. Серов И.Н., Лукьянов Г.Н., Копыльцов A.B. Математическое моделирование взаимодействия электромагнитного излучения с кремниевой самоаффинной поверхностью // Офиц. материалы науч. практ. конф. "Голография ЭКСПО 2006", М.: 2006.- С. 102 - 1036.

97. Pickering С., Beale М., Robbins D.J. а. о. Optical studies of the structure of porous silicon films formed in p-type degenerate and nondegenerate silicon// J. Phys. C: Solid State Phys. 1984. Vol. 17. No. P. 6535- 6552.

98. Mizayama K., Mijazaki S., Horese M. Exitation and recombination process in porous silicon. // Solid State Commun. 1995. Vol. 93. No. 10. P. 841 847.

99. Марчук Г.И. Методы вычислительной математики. М. Наука, 1980. 536.С.

100. Dassas Y., Duby P. Diffusion toward Fractal Interfaces Potentiostatic, Galvanostatic, and Linear Sweep Voltammetric Techniques // J.Electrochem.Soc., v.142,12, P.4175-4180.

101. Miller K.S., Ross B. An introduction to the fractional calculus and fractional differential equations. New York. Wiley. 1993. 376 c.

102. B.M. Иевлев, E.B. Шведов, Д.В. Москалев Молекулярно-динамическое моделирование формы нанокластера металла на поверхности кристалла // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение-2002. Вып. 1.12.- С. 65 68.

103. В.М. Иевлев, Е.В. Шведов, Д.В. Москалев Молекулярно-динамическое моделирование процессов роста одно- и двухкомпонентного нанокластеров на поверхности кристалла // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение-2003. Вып. 1.14.- С. 40-44.

104. Д.В. Москалев, Е.В. Шведов Компьютерное моделирование начальных стадий конденсации металлических пленок // Научная сессия МИФИ-2002: Сб. науч. трудов.- М.: МИФИ 2002.- Т. 9.- С. 196.

105. Шестопалов В.П., Литвиненко Л.Н., Масалов С.А., Сологуб У.Б. Дифракция волн на решетках, Харьков, Изд-во харьковского университета, 1973, 287 с.

106. Шестопалов В.П., Сиренко Ю.К. Динамическая теория решеток, Киев, Наук, думка, 1989, 216 с.

107. Шестопалов В.П., Кириленко A.A., Рудь Л.А. Резонансное рассеяние волн, Т.2, Волноводные неоднородности, Киев: Наук, думка, 1986, 216 с.

108. Нелепец A.B., Тарлыков A.B., Тарлыков В.А. Исследование дифракционного поля, формируемого совокупностью идентичных источников тороидальных волн // Вестник СПбГУИТМО, 2006.- № 31.- С. 59 65.

109. Методы компьютерной оптики / Под ред. В.А. Сойфера. М.: Физматлит, 2000. - 688 с.

110. Khonina S.N., Kotlyar V.V., Soifer V.A. Techniques for encoding composite diffractive optical elements // Proceedings of SPIE. 2003. - v. 5036. - p. 493 - 498

111. Doskolovich L.L., Soifer V.A., Kazanski N.L., Perlo P., Repetto P. Design of DOE for multiwavelength demultiplexing and spatial focusing // Proceedings of SPIE. 2004. - v. 5485. - p. 98 - 106.

112. Иванова T.B. Введение в прикладную и компьютерную оптику. Конспект лекций. СПб.: СПбГИТМО (ТУ), 2002, 92 с.

113. Грушина Н.В. Золотые пропорции в структуре и оптических хаактеристиках апериодических самоподобных систем // автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Москва, МГУ, 2009, 16 с.

114. П.В. Короленко, Н.В. Грушина Золотое сечение и самоподобные структуры в оптике.- М.: Едиториал УРСС, 2010, 136 с.

115. Berrggren К.К., Prentiss М., Timp G.L., Behringer R.E. Calculation of atomic positions in nanometer-scale directwrite optical lithography with an optical standing wave // J. Opt. Soc. Amer. В.- 1994.- 11, № 7. 1166 1176.

116. Bradley C.C., Anderson W.R., McCleland JJ., Celotte R.J., Nanofabrication Via Atom Optics // Pap of the International Symposium on Nano Scale Modification of surfaces, Krakow, May 28 30, 1998, Appl. Sur. Sci. 1999, 141, № 3 - 4, C. 210 -218.

117. Лебедев M.B., Мисочко O.B., Декорси Т., Георгиев Н.Ж. К вопросу о природе "когерентного артефакта" // ЖЭТФ. 2005.- 127.- № 2.- С. 308 319.

118. Рубинов А.Н., Афанасьев А.А. Нерезонансные механизмы биологического действия когерентного и некогерентного света // Оптика и, спектроскопия, 2005, 98.- № 6.- С. 1027 1032.

119. Кислов В.В. Взаимодействие электромагнитных полей с молекулярными структурами и их исследование методами сканирующего туннельного микроскопа с целью применения в наноэлектронике. Автореф. докт. дисс., ИриЭ, М. 1994, 32с.

120. Фомин A.M. Получение и применение полимерных композитов с наночастицами металлов // Тез. докл. конф. "Нанотехнологии производству -2007".- 28 ноября - 30 ноября 2007, Фрязино.- Изд-во "Янус - К", 2007.- С. 5253.

121. Патент 2212375 РФ / Способ получения тонких пленок с фрактальной структурой / И.Н. Серов, В.И. Марголин (РФ). Заявл. 04.11.2002.

122. Барвинок В.А., Богданович В.И. Физические основы и математическое моделирование процессов вакуумного ионно-плазменного напыления М.: Машиностроение, 1999. - 309 с.

123. Броудай И., Мерей Дж.Физические основы микротехнологии, пер. с англ.- М.: Мир, 1985. 496 с.

124. Кукушкин A.C., Осипов A.B. Процессы конденсации тонких пленок // УФН.-Т. 168, № 10.- 1998.-С. 1083-1116.

125. И.Н. Серов, В.И. Марголин, H.A. Потсар, И.А. Солтовская, В.А. Тупик, B.C. Фантиков Исследование наноструктурированных пленок меди методами растровой и атомно-силовой микроскопии // Поверхность. 2004. - № 7. - С. 31 -35.

126. Бердников А.Е., Попов A.A., Черномордик В.Д. Анализ структуры нанокластеров в аморфной матрице, осажденной из газовой фазы // Тез. докл. Всерос. научно-техн. конф. Микро- и нано-электроника 2001, Звенигород, 2001. С. 12-19.

127. Иевлев В.М. Компактные пленочные наноструктуры: структурный аспект проблемы // Тонкие пленки в оптике и электронике: Сб. докл. 15-го Межд. симп. Харьков, ННЦ ХФТИ, "Константа" 2003. - С. 82 - 96.

128. Русанов А.И. Удивительный мир наноструктур // Журнал общей химии. -2002. Т. 72 (134), Вып. 4. - С. 532 - 549.

129. Цытович В.Н. Плазменно пылевые кристаллы, капли и облака // УФН. Т. 167, № 1.- 1997.-С. 57-99.

130. Каштанов П.В., Смирнов Б.М., Хипплер Р. Магнетронная плазма и нанотехнология // УФН.- 2007, Т. 177.- № 5.- С. 473 510.

131. Имри Й. Введение в мезоскопическую физику М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. - 304 с.

132. Vonk C.G. Investigation of non-ideal two-phase polymer structures by small-angle X-ray scattering.- J.Appl. Crystallogr.,1973.V.6, N4, p.81-86.

133. Бинги B.H., Савин A.B. Физические проблемы действия слабых магнитных полей на биологические системы // УФН. 2003. - Т. 173, № 3. - С. 265-300.

134. Марьян М.И. Моделирование формирования диссипативных структур и алгоритмическая сложность некристаллических материалов// Функциональные покрытия на стеклах: Сб. докл. Межд. научно-практ. симп., Харьков, ННЦ ХФТИ "Константа" 2003. - С. 51 - 55.

135. Карнаухов А.В. Диссипативный резонанс и его роль в механизмах действия электромагнитного излучения на биологические и физико-химические системы // Биофизика. 1997. - Т. 42, вып. 4. - С. 971 - 979.

136. Карнаухов А.В., Пономарев В.О. Диссипативный резонанс — новый класс физических явлений. Некоторые подходы к аналитическому описанию // Биомедицинские технологии и радиоэлектроника. 2001. - № 8. - С. 23 - 31.

137. Серов И.Н., Марголин В.И., Жабрев В.А., Тупик В.А. и др. Исследование воздействия фрактальных структур на процессы образования наноразмерных пленок // Тяжелое машиностроение. 2005, № 11.-С. 19-21.

138. Смирнов Б.М. Физика фрактальных кластеров / М.: Наука, 1991. - 136 с.

139. Андреева А.Ф., Двойненко O.K., Захаров Р.В. и др. Изменение структуры пленок железа под действием лазерного облучения // Тонкие пленки в оптике и электронике: Сб. докл. 15-го Межд. симп., Харьков, ННЦ ХФТИ "Константа", 2003.-С. 310-312.

140. Серов И.Н., Лукьянов Г.Н., Марголин В.И., Тупик В.А. Получение и ииследование наноразмерных пленок меди с фрактальной структурой // Микросистемная техника, 2004, № 1, С. 31 37.

141. Серов И.Н., Марголин В.И., Потсар H.A., Тупик B.A., Фантиков B.C. Исследование наноразмерных пленок с фрактальной топологией // Микроэлектроника. 2004. - Т. 33, № 5. - С. 263 - 271.

142. Викторов H.A. Гипотеза квантованного пространства // Радиотехнические тетради. № 27. - 2003. - С. 71 - 75.

143. В.А. Жабрев, Г.Н. Лукьянов, В.И. Марголин, И.Н. Серов, В.А. Тупик Экспериментальное исследование фрактальных структур Си и Ti, полученных методом магнетронного ионного распыления // Нанотехника. 2005. - № 3. - С. 60 - 77.

144. Практическая растровая электронная микроскопия под ред. Дж. Гоулдстейна и X. Яковица. М.: Мир, 1978. 656 с.

145. Гиваргизов Е.И. Искусственная эпитаксия / Е.И. Гиваргизов. М.: Наука, 1988.- 176 с.

146. Дистлер Г.И., Каневский В.М., Герасимов Д.М. Получение тонких пленок с гладкой поверхностью методом дальнодействующей кристаллизации // Изв. АН СССР. Сер. Физика. 1984. - Т. 48, № 9. - С. 1698 - 1702.

147. Дистлер Г.И. Кристаллизация как матричный репликационный процесс // В сб. "Рост кристаллов", Т. XI, Ереван, Изд-во Ереванского университета, 1975. С. 47 62.

148. Дистлер Г.И. Информационная структура твердых тел как определяющий фактор гетерогенных процессов // Тематический сборник "Активная поверхность твердых тел", М.: ВИНИТИ. 1976. - С. 96 - 108.

149. Жабрев В.А., Лукьянов Г.Н., Марголин В.И., Немов С.А., Серов И.Н., Сошников И.П., Тупик В.А., Фантиков B.C. Структурные особенности и свойства фрактальных наноразмерных пленок // Сборник научных трудов 4-й

150. Международной специализированной выставки "Лаборатория Экспо 06".- М.: Эксподизайн, 2006 С. 37-41.

151. Серов И.Н., Лукьянов Г.Н., Марголин В.И., Солтовская И.А. Динамическая эволюция фрактальной металлической наноповерхности // Фракталы и прикладная синергетика. Сб. статей. С. 147 148. -Изд-во Интерконтакт - Наука, Москва, 2005. - 280 с.

152. Алесковский В.Б. Процессы структурной организации вещества // Тез. докл. VIII Всеросс. совещания по высокотемпературной химии силикатов и оксидов.- Санкт-Петербург.- Янус.- 2002.- С. 8 9.

153. В.И. Марголин, С.Е. Шишов Перспективы и проблемы нанотехнологий // О национальной доктрине развития в Российской Федерации нанотехнологий. Аналитический сборник.- М.: 2006.- Издание Совета Федерации.- С. 54 - 63.

154. Латышев А.Н., Овчинников О.В., Селиванов В.Н. Излучение поверхностных электромагнитных волн металлической пластиной при нагреве

155. Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов, Материалы V межд. конф. 14—15 февр. 2003 г., Воронеж. С. 34 — 35.

156. Пригожин И. Конец неопределенности. Время, хаос и новые законы природы. Москва — Ижевск, НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика".- 2001. 208 с.

157. Лукирский А. П., Брытов И. А., Грибовский С. А. //Оптика и спектроскопия, т.20,, 1966. С 368.

158. Капица С.П. Синергетика и прогнозы будущего / С.П. Капица, С.П. Курдюмов, Г.Г. Малинецкий, М.: Эдиториал УРСС, 2001. 288 с.

159. Жабрев В.А., Лукьянов Г.Н., Марголин В.И., Серов И.Н., Тупик В.А.,I

160. Фантиков B.C. Методы получения фрактальных наноразмерных пленок // Сборник научных трудов 4-й Международной специализированной выставки "Лаборатория Экспо 06".- М.: Эксподизайн, 2006.- С. 32-36.

161. Марголин В.И. Нанотехнология современные проблемы и возможности // Факультету радиотехники и телекоммуникаций 60 лет / под ред. Н.В. Лысенко. - СПб.: Изд.-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2005. - С. 148 - 156.

162. В.И. Марголин, В.И. Аржанцев, С.Е. Шишов Наноиндустрия: наука и техника вызовы XXI века // О национальной доктрине развития в Российской Федерации нанотехнологий. Аналитический сборник.- М.: 2006.- Издание Совета Федерации.- С. - 64 - 70.

163. От субмикронной к нанотехнологии // Ю.С. Боков, Б.С. Борисов, В.В. Ракитин, НС. Самсонов Электронная промышленность, 1994, № 7-8, С. 99-102.

164. Арутюнов П. А., Толстихина А. Л. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть 1 .Микроэлектроника, 1999, № 6, С. 405 514.

165. Валиев К. А., Орликовский А. А. Развитие элементной базы высокопроизводительных ЭВМ. // Информационные технологии и вычислительные системы. 1996. № 2. С. 26 47.

166. Востоков Н.В., Волгунов Д.Г., Дряхлушин В.Ф. Разработка методов атомно-силовой литографии для создания наноразмерных элементов. (Ин-т физики микроструктур РАН, Нижний Новгород) Поверхность: Рентген., синхротрон, и нейторн. исслед. 2000, № 7. с. 76 78.

167. Сатаров Г.Х., Котенев Б.И., Гаряева Г.О. и др. Электронно-проекционная установка // Мат-лы Всесоюзной конф. "Электронная литография и ее применение в микроэлектронике" ЦНИИ Электроника, М.: 1976.- С. 13-14.

168. Электронно-лучевая технология в изготовлении микроэлектронных приборов / под ред. Дж. Р. Брюэра.- М.: Радио и связь.- 1984,- С. 292-300.

169. Патент 4954717 США. МКИ5 Н 01 J 40/06 Photoelectron mask and photo cathode image projection method using the same / Sakamoto Kitchi, Yasuda Hiroshi (Япония): опубл. 04.09.90, приор. 15.17.87.

170. Марголин В.И., Тупик В.А. Процессы прецизионной литографии в электронике.- С. Петербург, гос. электротехн. ун-т "ЛЭТИ". СПб, 2001, 211 е., ил. Библ 203. Рус. Деп. в ВИНИТИ 12.07.2001, № 1640 В 2001.

171. Гущин Е.М., Миханчук H.A., Покачалов С.Г. Фотоэмиссия электронов под действием излучения лазера на молекулярном азоте // Письма в ЖТФ.2005.- Т.31.- № 17.- С. 42-47.

172. Szapiro В., Rocca J.J., Prabhuram T/Electron yield of glow discharge cathode materials under helium ion bombardment // Appl. Phys. Lett.- 1988.- vol. 53, № 5.-C. 358-360.

173. Ламажалов Х.Д., Алчагиров Б.Б., Яковлев В.М. Фрактальные размерности распределения работы выхода и эмиссионных свойств катода // Письма в ЖТФ.- 2006.- Т. 32.- № 13.- С. 37-42.

174. Ткачев А.Н., Яковленко С.И. Прохождение газоразрядного промежутка инжектированными быстрыми электронами под воздействием высоковольтного импульса // Письма в ЖТФ.- 2006.- Т. 32.- № 11.- С. 56-60.

175. Брусиловский Б.А. Кинетическая ионно-электронная эмиссия.- М.: Энергоатомиздат, 1990.- 184 с.

176. Борисов A.M., Машкова Е.С., Немов A.C., Питиримова Е.А. Особенности ионно-электронной эмиссии графита // Поверхность.- 2005.- № 3.- С. 70.

177. Арифов У.А., Рахимов P.P., Джаракулов X. Электронная эмиссия граней (110) и (111) монокристалла Мо при бомбардировке ионами и атомами гелия и аргона. Сб. Вторично-эмиссионные и структурные свойства твердых тел. Изд-во Фан, Ташкент, 1970, 232 с.

178. Lakits G.,Aumayer R., Winter H. Electronic effects in slow heavy-particle-induced electron emission from a clean metal surface // Europhys. Lett.- 1989.- vol. 10, №7.- C. 679-685.

179. Smith P.C., Ни В., Rusic D. N. Low energy ion induced electron emission from gas-covered surfaces. // J. Vac. Sci. and Technol. A.- 1994.- vol. 12, № 5.- C. 2692-2700.

180. Busulutskov A., Breskin A., Chechik K. R. Field enhancement the photoelectric and secondary electron emission from CsJ // J. Appl. Phys.- 1995.- vol. 77, №5.-С 2138-2145.

181. Vana M., Aumayr P., Varga P. Electron emission from polycrystalline lithium fluoride by slow multicharged ions // Europhys. Lett. 1995.- vol. 29, № 1.- C. 5560.

182. Hiroki Selji, Maebara Sunao, Abe Tetsuys //Дэнки гаккай ромнси A- Trans., Inst. Elec. Eng. Jap. A.-1989.- vol. 109, № 8. C. 372.

183. Interaction of multiple charged ions with solid surfaces / С. C. Hovener, K. J. Reed, K. J. Snowdon et. al. // Radiat. Eff. and Defects Solids -1989.- vol. 109, № 1-4.-C. 99-109.

184. Батанов Г.М. Вторичная эмиссия со стекла № 46 под действием положительных ионов некоторых газов // ФТТ.- I960,- Т. 2, № 9.-С. 2048.

185. Петров Н.Н., Сергеева Е.А. Эмиссия заряженных частиц с некоторых диэлектриков, вызываемая ионами водорода с энергией 0,2-30 кэВ //Труды ЛПИ им. М.И. Калинина, 1970, №311, "Физическая электроника", С.89-93.

186. Винокуров А.А. Зависимость коэффициента кинетической ионно-электронной эмиссии от атомного номера мишени и роль атомов отдачи // Изв. АН СССР, сер. физ. -1976.- Т. 40, № 8, с. 128-132.

187. Бронштейн И.М., Фрайман Б.С. Вторичная электронная эмиссия.- М.: Наука, 1969. 408 с.

188. Распыление твердых тел ионной^ бомбардировкой: Физ. распыление одноэлементных твердых тел. Пер. с англ./ Под ред. Р. Бериша.- М.: Мир, 1984.336 с.

189. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: Вып. 2. Распыление сплавов и соединений, распыление под действием электронов и нейтронов, рельеф поверхности: Пер. с англ./ Под ред. Р. Бериша.- М.: Мир, 1986.- 488 с.

190. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел: Сб. статей 1986 1987 гг.: Пер. с англ./ Сост. Е.С. Машкова.- М.: Мир, 1989.- 349 с.

191. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная обработка материалов.

192. М.: Радио и связь, 1986.- 232 с.

193. Сливков И.Н. Процессы при высоком напряжении в вакууме.- М.: Энергоатомиздат, 1986.- 256 с.

194. Плазменная технология в производстве СБИС: Пер. с англ. / Под ред. Н. Айнспрука, Д. Брауна.- М.: Мир, 1987.- 467 с.

195. Рязанов М.И., Тилинин И.С. Исследование поверхности по обратному рассеянию частиц. М.: Энергоатомиздат, 1985, 152 с.

196. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов.- М.: Энергоатомиздат, 1987.- 264 с.

197. Т.Е. Everhart, M.S. Chung. Experimental and theoretical study of energy dissipation profiles of keV electrons in polymethylmethacrylate J. Appl. Phys., 43, 3707, 1972 p.1581-1584.

198. Аброян И.А., Андронов A.H., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии: учеб. пособие.- М.: Высш. шк., 1984.- 320 с.

199. Попов В.К., Ячменев С.Н. Расчет и проектирование устройств электронной и ионной литографии.- М.: Радио и связь, 1985.- 128 с.

200. Сошников В.М. Расчет пространственных распределений вторичныхэлектронов, возбуждаемых ионами Аг+ в поликристалле Мо // Мат-лы V Всес. конф. "Взаимодействие атомных частиц с твердым телом", Минск, 1977 С. 97101.

201. Томашпольский Ю.Я. Аналитическая вторично-электронная эмиссиометрия М.: Научный мир, 2006, - 112 с.

202. Мишин А.Н., Петров H.H. Энергетические спектры ионно-электронной эмиссии. Труды ЛПИ, сер. физическая, электроника. № 345.- 1975.- С. 4

203. Дорожкин A.A. Энергетические спектры ионно-электронной эмиссии в малом и больших телесных углах // Изв. АН СССР, сер. физич., Т. 40.- № 8.1976. С. 62-65.

204. Алесковский И.В. Электронные пучки и электронные пушки. Изд-во Сов. Радио. М.:, 1966,120 с.

205. Крейндель Ю.В. Плазменные источники электронов.- 1977.- М.: Атомиздат 145 с.

206. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика, Наука, М.: 1972 368 с.

207. Нолле Э.Л., Щелев М.Я. Фотоэлектронная эмиссия с наночастиц серебра, обусловленная поверхностными плазмонами // Письма в ЖТФ.- 2004.- Т. 30.- № 8.- С. 1-6.

208. Марголин В.И., Рыбалко В.В., Тупик В.А. Применение РЭМ для контроля внутренней поверхности металлизированных криволинейных образцов // Тезисы докладов XI Российского симпозиума РЭМ"99, Черноголовка, 1999, С 112.

209. Казберук Я., Марголин В.И. Процессы рентгеновской литографии в микротехнологии. СПбГЭТУ.- 1997.- 162 с. ил. 29- Библиогр. 281 назв.- Деп. в ВИНИТИ.

210. Schlesinger К. Internal electrostatic deflection yokes // Electronics. 1952. - N 7 - p.105-109.

211. Кураинэ M., Ямазаки И., Оказаки С. и др. 1-дюймовый компактный сатикон с магнитной фокусировкой и электростатическим отклонением для НДВТ применения // Тэрэ бидден. 1985. -Т. 39. N 9. - с. 813-821. *

212. Валиев К.А. Физика субмикронной литографии. М.: Наука, 1990. 528 с.

213. Блохин М. А. Физика рентгеновских лучей, М.: ГИТТЛ, 1957 260 с .

214. Бронштейн И. М., Фрайман Б. С., Вторичная электронная эмиссия, М., 1969. 408 с.

215. Hawryluk R.J., Hawryluk A.M., Smith H.I. Energy dissipation in a thin polymer film by electron beam scattering. // J. Appl. Phys., v. 45, N 6, 1974, - p. 2551-2556.

216. Ледовской В. П., Марголин В. И., Тирок М. Э. Якимов Т.Н. Рассеяние и отражение электронов в процессе электронолитографии.// Электронная техника, сер. 3, 1977, N 5 (71), с. 55 -60.

217. Бете Г.А. Квантовая механика, М., Мир, 1965. 334 с.

218. J.Wayne Rabalais, T.P. Debies, J.L. Berkosky, J-T.J.Huang, F.O. Ellison Calculated angular distributions of photoelectrons using the orthogonalized plane-wave approximation. // The Journal of Chemical Physics, 1974, 61, N 2, p.529-533.

219. Cooper J.W., Manson S.T. Photoionization in the Soft X-Ray Range: Angular Distributions of Photoelectrons and Interpretation in Terms of Subshell Structure. //The Physical Review, v. 177, 1969, N 1, p. 157-163.

220. Henke B.L., Ebisu E.S. // Advances in X-ray analysis, Plenum Press, N.-Y., v.17,-1974, p.150-153.

221. Ellison F.O. Charge Distribution in Electronically Excited States //Annual rev. Phys. Chem., 1975, vol. 26, p.211.

222. Валиев K.A., Кудря В.П., Махвиладзе T.M., Филатова М.С. Поиск оптимальных шаблонов для рентгенолитографии в пучках синхротронного излучения // Микроэлектроника. 1995, Т.24, N 4, с. 286-290.

223. Yamakoshi Y., Atoda N., Shimizu К., Sato Т., Shimizu Y. X-ray Lithography System: Analysis and an Optimum Constraction // Applied Optics. 1986. - v.25, -N 6, p.922-927.

224. Артюков И.А., Виноградов A.B. и др. Эксперименты по получению изображений субмикронных структур в мягких рентгеновских лучах // Микроэлектроника. 1996. - Т.25. - N 3. -с. 54-59.

225. MacDowell А.А., Bjorkholm J.E. et al. Reduction Imaging with Soft X-rays for Projection Lythography // Rev. Sci. Instrum. 1992. -v.63. -N 1. - p.737.

226. Кухаренко Ю.А., Леонов Ю.С. Процессы наносекундного экспонирования рентгенорезистов // Микроэлектроника. 1990. -Т. 19. выпуск 6. - с.555-563.

227. Быстров Ю. А., Иванов С. А. Ускорительная техника и рентгеновские приборы.- М.: Высшая школа.,-1983. 159 с.

228. Bearden Т.A. X-ray wavelengthe // Rev. Mod. Phys. v.39(l). - 1967. - p.76-124.

229. Lyman I. Scalling the barriere to VLSs hine lines // Electronics. 1980. -v.53.-N 14.-p.l 15-126.

230. Langmuir J. The effect of the space charge and thermoionic current between parallel plane electrodes // Phys. Review. 1923. - Bd.21. - p.419-435.

231. Барбарич И. H., Иванов А. H., Титов А. А. Устранение неопределенности в расчете объемного заряда в прикатодной области при решении задачи самосогласованного поля.- В кн.: Электроника: Межвуз. сб. Рязань: РРТИ, 1978, вып. 5, с. 98-102.

232. Добрецов JI. Н., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника.-М.: Наука, 1966.

233. Ермак В. В. Модели активных компонентов с термокатодом для схемотехнического проектирования вакуумных интегральных схем.- В кн.: Задачи физической электроники: М.: Наука, 1982, с. 231-243.

234. Sabchevski S., Mladenov G., Titov A.A., Barbarich I.N., Vereshchagin D. Models and software for computer simulation of technological electron-optical systems // Proc. 4th International Symp. Electron Beam Technology "EBT-94". -Varna. 1994. -p.40-48.

235. Мазуренко C.H., Мануйлов В.В., Матвеев В.M. Моделирование процессов генерации и энергетических потерь фото- и ожэ-электронов при рентгеновском экспонировании полимерных резистов. // Микроэлектроника, Т. 19, вып. 3, 1990, с.284-292.

236. Валиев К.А., Коба И.М., Ковтун Б.Н., Махвиладзе Т.М. Функция близости и разрешающая способность рентгеновской литографии. //

237. Микроэлектроника, т. 19, вып.4,1990, с.347-359.i

238. Артюков И.А., Балакирева JI.JL, Бийкерк Ф. И др. Проекционная рентгеновская литография с использованием точечных источников. // Квантовая электроника, т. 19, 1992, с.114.

239. Suzuki I., Saito N. // Jap. J. Appl. Phys. -1986. -V. 25, № 1. -p. 130-136.

240. Марголин В.И., Тупик В.А. Исследование ионной и плазменной стойкости резистов для микролитографии // Известия ВУЗов России. Сер. Радиоэлектроника. 2000. № I.e. 61-64.

241. Бонч-БруевичА.М., Либенсон М.Н. Нерезонансная лазерохимия в процессах взаимодействия интенсивного излучения с веществом // Изв. АН СССР, сер. Физическая. 1982. - Т.46, №6. - с.1104-1118.

242. Вейко В.П. Лазерная обработка пленочных элементов. Л.: Машиностроение, 1986. — 248 с.

243. Вейко В.П. Опыт внедрения лазерной обработки тонких пленок в микроэлектронике. Л.: ЛДНТП, 1977. - 32 с.

244. Вейко В.П., Кайданов A.M., Яковлев Е.Б. Двухфазная модель разрушения поглощающих пленок мощными световыми импульсами // Квантовая электроника. 1980. - Т. 7, №1. - с.34-41.

245. Вейко В.П., Либенсон М.Н. Лазерная обработка. Л.: Лениздат, 1973. -190 с.

246. Вейко В.П., Яковлев Е.Б. Некоторые особенности процесса разрушения тонких металлических пленок мощными световыми импульсами // Физика и химия обработки материалов. 1979. - №2. - с.33-36.

247. Волоконная оптика и приборостроение / М.М.Бутусов, С.Л.Галкин, С.П.Оробинский и др.; Под ред. М.М.Бутусова. Л.: Машиностроение, 1987. — 328 с.

248. Гуревич Е.Б., Красюков В.П., Тархов Г.Н. и др. Температурное поле в пластине при воздействии импульсов излучения ОКГ конечной длительности // Изв. Вузов, Пр иборостроение. 1978. - Т. 21, №1. - с. 102-106.

249. Данилевская В.И., Шефтер Э.М. Температурные поля и напряжения, возникающие в упругом полупространстве под действием осесимметричноголучистого потока // Физика и химия обработки материалов. — 1969. №3. - с.13-19.

250. Козлов В.П. Двумерные осесимметричные нестационарные задачи теплопроводности. Мн.: Наука и техника, 1986. - 392 с.

251. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука, 1984. - 832 с.

252. Карпман И.М., Котлецов Б.Н. и др. Лазерная литография в производстве фотошаблонов // Электронная промышленность. 1975. - №6. - с.41-44.

253. Лазеры в технологии / Ф.Ф.Водоватов, В.А.Чельный, В.П.Вейко и др.; Под ред. Стельмаха. — М.: Энергия, 1975. — 246 с.

254. Левинсон Г.Р., Смилга В.И. Лазерная обработка тонких пленок // Квантовая электроника. 1978. - Т.З, №8. - с.1637-1659.

255. Либенсон М.Н. Нагрев и разрушение тонких пленок излучением ОКГ // Физика и химия обработки материалов. — 1968. — №2. — с.3-11.

256. Либенсон М.Н., Минаев С.М. Инициирование экзотермических процессов на поверхности импульсом света // ЖТФ. 1987. - Т.57, №2. - с.286-290.

257. Мокеев O.K., Романов A.C. Химическая обработка и фотолитография в производстве полупроводниковых приборов и микросхем. — М.: Высш.шк., 1985.-312 с.

258. Моричев И.Б., Онохов А.П., Савинов В.П. Экспериментальное определение температурной зависимости поглощения прозрачныхдиэлектриков // Взаимодействие оптического излучения с веществом: Тез. Докл. IV Всесоюз. совещ. Л., Знание, 1978. - с.292.

259. Технология тонких пленок. Т. 1 / Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга. М.: Сов. радио, 1977. - 664 с.

260. Ehrlich D.J., Tsao J.Y. A review of laser-microchemical processing // Journal of vacuum science and technology, B. 1983. - v.l, №4/ - p. 969-984.

261. Серов И.Н., Марголин В.И., Солтовская И.А., Тупик В.А., Фантиков B.C. Исследования наноразмерных пленок меди методами АСМ // // Тез. докл. XX Российской конф. по электронной микроскопии, Черноголовка, 1-4 июня 2004. Черноголовка. - С. 147.

262. Жабрев В.А., Марголин В.И., Мошников В.А., Тупик В.А. Электронно-микроскопические исследования тонких пленок // Труды XVIII совещания "Температуроустойчивые функциональные покрытия", Тула, Изд-во ТГПУ им. Л.Н. Толстого, 2001. с. 159-162.

263. Серов И.Н., Марголин В.И., Жабрев В.А., Потсар Н.А., Солтовская И.А., Тупик В.А., Фантиков B.C. Резонансные явления в наноразмерных структурах // Инженерная физика. 2004. - № 1. - С. 18 - 32.

264. Жабрев В.А., Мамыкин А.И., Марголин В.И., Потехин М.С., Тупик В.А., Разработка технологии производства элементов нанорадиоэлектроники на основе тлеющего разряда // Известия СПбГЭТУ "ЛЭТИ".- 2009.- № 5.- С. 3-8.

265. Марголин В.И., Поликарпов Н.С., Тупик В.А. Исследование особенностей процесса низковольтной электронной литографии // Тезисы докладов XII Российского симпозиума РЭМ 2001, Черноголовка, 2001.С 104.

266. Мамыкин А.И., Потехин М.С., Тупик В.А. Применение процессов ионно-электронной эмиссии в микро- и нанолитографии // Тез. докл. Второго! Всероссийского совещания ученых, инженеров и производителей в : области нанотехнологий, М., 15 мая 2008.-С. 50.