Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ti тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Смирнов, Владимир Александрович

• Смирнов, Владимир Александрович
• кандидат технических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат технических наук Смирнов, Владимир Александрович

Введение.

Глава 1. Основные методы нанолитографии, перспективы применения фотонной стимуляции при формировании элементов наноэлектроники.

1.1. Основные методы формирования наноструктур.

1.1.1. Оптическая литография.

1.1.2. Электронно-лучевая литография.

1.1.3. Ионно-лучевая литография.

1.1.4. Рентгеновская литография.

1.1.5. Литография в экстремальном ультрафиолете.

1.1.6. Нанопечатная литография.

1.2. Основные методы формирования наноразмерных структур с помощью сканирующего зондового микроскопа (СЗМ).

1.2.1. Механическая модификация поверхности с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ).

1.2.2. Полевое испарение.

1.2.3. Dip-pen литография.

1.2.4. Нанолитография методом локального анодного окисления (ЛАО). 28 1.3. Основные направления создания устройств наноэлектроники с помощью метода ЛАО.

1.3.1. Устройства металлической наноэлектроники.

1.3.2. Одноэлектронный транзистор.

1.3.3. Мезоскопические устройства.

1.4. Формирование каталитических центров методом ЛАО.

1.5. Перспективы применение фотонной стимуляции при формировании структур и устройств наноэлектроники методом ЛАО.

1.5.1. Фотонная стимуляция ЛАО некогерентным излучением.

1.5.2. Фотонная стимуляция ЛАО когерентным излучением.

1.6. Выводы и постановка задачи.

Глава 2. Анализ процессов в зазоре атомно-силового микроскопа в условиях фотонной стимуляции.

2.1. Анализ механизмов анодного окисления металлов.

2.2. Термодинамический анализ реакций JIAO титана.

2.3. Оценка распределения температуры в области воздействия зонда при ДАО титана.

2.4. Модель локального анодного окисления металла.

2.5. Выводы.

Глава 3. Исследование режимов формирования оксидных наноразмерных структур (ОНС) методом ДАО в условиях фотонной стимуляции.

3.1. Исследование режимов напыления тонких пленок металлов.

3.2. Исследование режимов проведения нанолитографии методом ДАО.

3.3. Исследование температурной активации метода JIAO.

3.4. Исследование влияния фотонной стимуляции на геометрические параметры ОНС.

3.5. Исследование влияния длительности импульсов напряжения на геометрические параметры ОНС.

3.6. Исследование влияния материала кантилеверов на геометрические параметры ОНС.

3.7. Влияние фотонной стимуляции на воспроизводимость ОНС.

3.8. Исследование режимов формирования ОНС на поверхности пленки

Ni методом JIAO Ni.

3.9. Выводы.

Глава 4. Формирование наноэлектронных структур методом ДАО в условиях фотонной стимуляции.

4.1. Формирование наноразмерных каналов проводимости методом JIAO в условиях фотонной стимуляции УФ-излучением.

4.2. Формирование наноэлектронных структур методом JIAO.

4.3. Разработка топологии и технологического маршрута формирования элементов наноэлектроники на основе наноразмерных каналов проводимости с использованием многофункционального сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК-9.

4.4. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ti»

Актуальность диссертационной работы

Разработка элементной базы наноэлектроники предъявляет повышенные требования к разрешающей способности и точности выполнения технологических операций. Одной из основных проблем при изготовлении элементов наноэлектроники является необходимость разработки и совершенствования методов литографии, которые должны обеспечивать воспроизводимость изготовления элементов приборов атомарного масштаба. Зондовая нанолитография методом локального анодного окисления (JIAO) является наиболее перспективным методом получения оксидных наноразмерных структур (ОНС) с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ).

Известно, что процессы формирования наноразмерных структур характеризуются низкой воспроизводимостью, а также высокой дефектностью структур и границ раздела. Это связано с сильным влиянием параметров технологической среды (влажность, температура) и качества подложки (зернистость пленки металла, наличие нарушенного слоя на поверхности полупроводниковых подложек и т.д.). Также при проведении нанолитографии локальные неоднородности свойств материалов приводят к нестабильности процессов токо- и массопереноса в зазоре зонд-подложка, следствием этого является неравномерность геометрических параметров оксидных наноструктур и снижение разрешающей способности и воспроизводимости процесса нанолитографии методом JIAO.

В микроэлектронике накоплен значительный положительный опыт по применению некогерентных и лазерных световых потоков на различных стадиях технологического процесса изготовления интегральных микросхем (ИМС). В том числе и на операциях получения ультратонкого диэлектрика. Установлено, что применение фотонного излучения наиболее эффективно, а в некоторых случаях является единственным решением, при изготовлении ИМС с минимальными размерами менее 1 мкм. Поэтому актуальным способом повышения разрешающей способности зондовой нанолитографии является введение в зазор зонд-подложка фотонного излучения, оказывающего значительное влияние на процесс формирования однородного окисла и снижающее влияние неоднородных свойств материалов. В настоящее время механизм получения ультратонких диэлектрических пленок, влияния поля и фотонного излучения на эти процессы достаточно не изучен. Поэтому проведение этих исследований актуально для получения оксидных наноразмерных структур и разработки элементной базы наноэлектроники зондовыми методами.

Цель и задачи диссертационной работы

Целью диссертационной работы является разработка и моделирование фотонностимулированного технологического процесса локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiC^/Ti для создания элементной базы наноэлектроники.

Для достижения данной цели были поставлены следующие задачи:

1. определить возможности применения фотонной стимуляции при формирования структур и устройств наноэлектроники;

2. определить основные механизмы процессов локального анодного окисления металлов, а также массопереноса в межэлектродном зазоре, зонд-подложка АСМ;

3. разработать математическую модель процессов формирования наноструктур методом JIAO в условиях фотонной стимуляции;

4. исследовать режимы формирования наноразмерных структур методом JIAO с использованием фотонной стимуляции;

5. исследовать влияние фотонной стимуляции на воспроизводимость и однородность наноразмерных структур, сформированных методом JIAO;

6. разработать топологию и технологические маршруты формирования структур наноэлектроники на основе наноразмерных каналов проводимости применительно к многофункциональному сверхвысоковакуумному нанотехнологическому комплексу НАНОФАБ НТК-9.

Научная новизна работы

1. Проведена оценка распределения температуры в области воздействия зонда при проведении JIAO пленки, в результате которой было показано, что в локальной области диаметром порядка 10 нм под зондом АСМ при приложении импульсов напряжения амплитудой 10 В и расстоянии зонд-подложка 0,5 нм, температура подложки много больше температуры испарения воды, и поэтому можно сделать вывод, что активные частицы окислителя поступают в зазор зонд подложка из газовой атмосферы воздуха в технологической камере и переносятся в зоне реакции под действием электрического поля.

2. Предложена математическая модель расчета скорости роста оксидных наноразмерных структур при JIAO поверхности металла с учетом напряженности поля системы зонд-подложка, фотонной стимуляции, а также относительной влажности воздуха внутри технологической камеры.

3. Предложена методика получения оксидных наноразмерных структур методом JIAO в условиях фотонной стимуляции, позволяющая определять режимы формирования ОНС, а также воспроизводимо создавать однородные наноразмерные каналы проводимости с поперечными размерами порядка 10 нм.

4. Проведены комплексные исследования режимов формирования оксидных наноразмерных структур в пленки титана методом JIAO в условиях фотонной стимуляции некогерентным УФ- и ИК-излучением.

Практическая значимость:

1. Получены режимы термической активации зондовой нанолитографии методом JIAO. Формирование ОНС при температуре 100°С и выше показывает, что наличие пленки воды на поверхности подложки не является единственным лимитирующим фактором, ограничивающим проведение ДАО, активные частицы поставляются в зазорзонд-подложка из газовой фазы атмосферы воздуха внутри технологической камеры АСМ.

2. Выявлено, что использование потоков некогерентного УФ- и ИК-излучения при формировании ОНС в пленке титана методом JIAO позволяет повысить разрешающую способность и воспроизводимость данного метода нанолитографии. Использование УФ-стимуляции процесса JIAO позволяет формировать в пленке титана однородныые каналы проводимости с поперечными размерами порядка 10 нм.

3. Определены режимы формирования оксидных наноразмерных структур в пленке никеля методом ЛАО, которые могут быть использованы в качестве каталитических центров при росте углеродных нанотрубок, а также нанокристаллов ZnO, ZnxMgixO.

4. Получены наноразмерные структуры диода, логического вентиля и выпрямителя на основе наноразмерных каналов проводимости в титановой пленке с помощью АСМ;

5. Разработана топология и технологические маршруты изготовления тестового кристалла для создания планарных элементов наноэлектроники, методом фотонностимулированного ЛАО, применительно к многофункциональному сверхвысоковакуумному нанотехнологи-ческому комплексу НАНОФАБ НТК-9.

Положения, выносимые на защиту

1. Модель расчета скорости роста оксидных наноразмерных структур при ЛАО поверхности металла с учетом напряженности электрического поля системы зонд-подложка, фотонной стимуляции, а также относительной влажности воздуха внутри технологической камеры.

2. Закономерности формирования оксидных наноразмерных структур методом JIAO от температуры подложки, материала проводящего покрытия кантилеверов, амплитуды и длительности импульсов напряжения, прикладываемого к системе зонд-подложка в условиях фотонной стимуляции.

3. Предложенный метод, основанный на использовании фотонной стимуляции зондовой нанолитографии методом JIAO, который позволяет получать однородные наноразмерные каналы проводимоти с поперечными размерами порядка 10 нм.

4. Применение стимуляции УФ- и ИК-излучением увеличило латеральное разрешение зондовой нанолитографии методом JIAO с помощью АСМ по сравнению с существующей технологией, а также повысило однородность и воспроизводимость формирования ОНС.

5. Метод JIAO позволяет формировать оксидные наноразмерные структуры в пленке никеля в виде точек с диаметром от 25 до 100 нм, которые могут быть использованы в качестве каталитических центров при росте углеродных нанотрубок, а также нанокристаллов ZnO, ZnxMgixO.

6. Топологии и технологический маршрут формирования наноразмерных диодных структур, структуры логического вентиля и выпрямителя на основе наноразмерных каналов проводимости в титановой пленке в условиях фотонной стимуляции.

Реализация результатов работы

Диссертационная работа выполнялась в соответствии с планом госбюджетных научно-исследовательских работ кафедры ТМ и НА и НОЦ «Нанотехнологии» в 2005 - 2008 гг.: «Разработка теоретических основ построения систем мониторинга природной среды на базе микро- и нанотехнологий» (№ гос. регистрации 01200402781); «Проведение исследовательской работы в области нанотехнологий с привлечением студентов и аспирантов ТРТУ» (№ гос. регистрации 01200508390); «Разработка принципов построения и основ теории нетермически активируемых технологических процессов создания элементной базы наноэлектроники» (№ гос. регистрации 01200501949); «Исследование принципов построения и процессов формирования структур нано- и микроэлектроники фотонно-стимулированными зондовыми методами и мощными потоками ИК- излучения» (№ гос. регистрации 02200607615).

Результаты диссертационной работы внедрены на промышленном предприятии: ЗАО «Нанотехнологии - МДТ» (г. Москва), а также в учебный процесс на кафедре ТМиНА ТТИ ЮФУ.

Апробация работы

Основные научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на различных международных и всероссийских научных конференциях и семинарах, в частности: XIII Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика» (Зеленоград, 2006); VIII Всероссийская научная конференция студентов и аспирантови «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления» (Таганрог, 2006); X Международная научная конференция и школа-семинар «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморское, Россия, 2006); VI Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 2006); Ежегодная научная конференция студентов и аспирантов базовых кафедр южного научного центра РАН (Ростов-на-Дону, 2005-2008); Международная научная конференция «Тонкие пленки и наноструктуры» (Москва, 2005); Международная научно-техническая школа-конференция «Молодые ученые науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике» (Москва, 2006); Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 2007, 2008).

Результаты работы отмечены дипломами ряда конференций и конкурсов научных работ: Всероссийского смотра-конкурса научно-технического творчества (Новочеркасск, 2005), Конференции Южного научного центра РАН (2005-2008), Всероссийской научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления» (Таганрог, 2006), Международной научно-технической школы-конференции «Молодые ученые - науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике» (Москва, 2006).

Публикации

По теме диссертации опубликовано 12 печатных работ, в том числе, 4 статьи опубликовано в журналах, входящих в Перечень ВАК. В ВНИИТЦ зарегистрировано 7 отчетов по НИР.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка цитируемой литературы и приложений.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Смирнов, Владимир Александрович

4.4 Выводы

По результатам 4 главы можно сделать следующие выводы:

1. Получены структуры наноразмерных каналов проводимости на основе тонкой пленки титана при фотонной стимуляции ЛАО некогерентным УФ- и ИК-излучением. Показано, что при УФ-стимуляции формировался однородный по всей длине канал шириной порядка 10 нм. Наноразмерные каналы при проведении ЛАО в условиях стимуляции ИК-излучением и без имели неоднородности поперечных размеров, а также происходило сращивание двух оксидных линий между собой, при этом канал не формировался.

2. Показана возможность и отработаны режимы формирования наноразмерных структур наноэлектроники с помощью метода ЛАО в тонкой пленке титана, ВАХ которых соизмеримы с ВАХ мезоскопических структур с ассиметричным квантовым сужением.

3. Получены структуры элементов наноэлектроники на примере формирования диодных структур, логического вентиля ИЛИ, а также выпрямителя на основе тонкой пленки титана.

4. Разработаны топология кристалла и технологические маршруты изготовления элементов наноэлектроники на основе наноразмерных каналов проводимости выполненных в тонких металлических пленках по микроэлектронной технологии с использованием НАНОФАБ НТК - 9.

Заключение

В результате проведенной работы были получены следующие основные результаты:

1. Проведен анализ влияния фотонного излучения на процесс формирования оксидных структур наноэлектроники методом локального анодного окисления. Показано, что фотонное излучение оказывает дополнительное внешнее воздействие на кинетику процесса ЛАО, что может быть использовано для управления параметрами формируемых ОНС и модификации их свойств.

2. Разработана математическая модель процессов формирования наноструктур методом ЛАО, использование которой позволяет определить режимы формирования наноструктур в условиях фотонной стимуляции, учитывающая.

3. Определены режимы температурной активации процесса формирования оксидных наноразмерных структур методом ЛАО, которые позволяют уточнить механизм ЛАО. Формирование ОНС при температуре 100 °С и выше показывает, что наличие молекул адсорбата воды на поверхности подложки не является единственным лимитирующим фактором, ограничивающим проведение ЛАО.

4. Выявлены закономерности влияния материала проводящего покрытия кантилеверов на геометрические параметры формируемых методом ЛАО оксидных наноразмерных структур. Показано, что при уменьшении работы выхода проводящего покрытия кантилеверов происходит увеличение диаметра ОНС за счет увеличения диаметра пятна автоэлектронной эмиссии с зонда АСМ.

5. Установлено, что применение УФ- и ИК-стимуляции ЛАО приводит к уменьшению средних значений и стандартных отклонений геометрических параметров ОНС титана, что позволяет повысить разрешающую способность и воспроизводимость данного метода зондовой нанолитографии.

6. Разработана методика и получены режимы воспроизводимого формирования однородных наноразмерных каналов проводимости методом ЛАО с поперечными размерами порядка 10 нм, основанная на облучении локальной области под зондом АСМ некогерентным УФ- и ИК-излучением. Показано, что при УФ-стимуляции формировался однородный по всей длине канал шириной порядка 10 нм.

7. Экспериментально реализованы наноразмерные структуры на основе наноразмерных каналов проводимости в тонкой пленке титана методом ЛАО, ВАХ которых имели ассиметричный вид, а также имели несколько ступенек проводимости, что может быть связано с квантованием проводимости наноразмерного сужения.

8. Разработаны и экспериментально реализованы наноразмерные структуры диода, логического вентиля и выпрямителя на основе наноразмерных каналов проводимости в пленке титана с помощью нанолитографии методом ЛАО.

9. Разработана топология тестовой многофункциональной структуры для создания планарных элементов наноэлектроники и технологические маршруты его изготовления на основе металлических пленок и полупроводниковых гетероструктур по микроэлектронной технологии применительно к НАНОФАБ НТК - 9.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Смирнов, Владимир Александрович, 2008 год

1. Щука, А.А. Наноэлектроника Текст. / А.А. Щука. М.: Физматкнига, 2007. - 464 с.

2. Головин, Ю.И. Введение в нанотехнику Текст. / Ю.И. Головин. -М.: Машиностроение, 2007. 496 с.

3. Орликовский А.А. Кремниевая транзисторная наноэлектроника Текст. / А.А. Орликовский // Известия вузов. Электроника. 2006. - №5. -С. 35-44

4. Intenational Technology Roadmap for Semiconductors Text. // San Jose: Semiconductor Industry Association, 1998.

5. Валиев, К. А. Кремниевая наноэлектроника: проблемы и перспективы Текст. / К.А. Валиев, В.Ф. Лукичев, А.А. Орликовский / Нанотехнологии и материалы. 2005. - №1. - С. 17-29

6. Валиев, К.А. Физика субмикронно литографии Текст. / К.А. Валиев. М.: Наука, 1990. - 528 с.

7. Асеев, А.Л. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике Текст. / А.Л. Асеев. Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004. - 368 с.

8. Аброян, И.А. Физические основы электронной и ионной технологии Текст. / И.А. Аброян, А.Н. Андронов, А.И. Титов. М.: Высшая школа, 1984.-320 с.

9. Брандон, Д. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля Текст. / Д. Брандон, У. Каплан. М: Техносфера, 2006. - 384 с.

10. Пул, Ч. Нанотехнологии Текст. / Ч. Пул, Ф. Оуэне. М: Техносфера, 2007. - 376 с.

11. П.Лучинин, В.В. Нанотехнологии: физика, процессы, диагностика, приборы Текст. / под ред. В.В. Лучинина, Ю.М. Таирова. М: Физматлит, 2006. - 552 с.

12. Сейсян Р.П. Нанолитографии СБИС в экстремально дальнем вакуумном ультрафиолете Текст. / Р.П. Сейсян // Журнал технической физики. 2005. - Т. 75. - В. 5. - С. 1-13.

13. И.Виноградов, А.В. Многослойная рентгеновская оптика Текст. / А.В. Виноградов // Квантовая электроника. 2002. - Т. 32. — № 12. - С. 1113-1121.

14. Сейсян, Р.П. ЭУФ-нанолитография как средство производства СБИС и инструмент нанотехнологий Текст. / Р.П. Сейсян / Нано- и микросистемная техника. 2006. - №2. - С. 2-22.

15. Гапонов, С.В. Экстремальная ультрафиолетовая литография -будущее наноэлектроники Текст / С.В. Талонов // Нано- и микросистемная техника. 2005. - №2. - С. 2-4.

16. Whitman, L. J. Tunneling microscopy and spectroscopy Text. / L. J. Whitman. The Encyclopedia of Applied Physics, 2007.

17. Обухов, И.А. О возможности применения СТМ-АСМ литографии для создания новых типов квантовых приборов / И.А. Обухов // Микросистемная техника. 2003. - №6. - С. 34-37.

18. Востоков, Н.В. Разработка методов атомно-силовой литографии для создания наноразмерных элементов Текст. / Н.В. Востоков и др. / Институт физики микроструктур РАН, Н. Новгород.

19. Miskovsky, N.M. Field Evaporation of Gold in Single and Double -Electrode Systems Text. / N.M. Miskovsky, T.T. Tsong // Phys. Rev. - 1992. - B. 46.-P. 2640-2643.

20. Tsong, T.T. Effects of an Electric Field in Atomic Manipulations Text. / T.T. Tsong // Phys. Rev. 1991. - B. 44. - P. 13703-13710.

21. Bessho, K. Fabricating Nanoscale Structures on Au Surface with Scanning Tunneling Microscope Text. / K. Bessho, S. Hashimoto // Appl. Phys. Lett. 1994. - V. 65. - P. 2142-2144.

22. Mascher, C. Creation of Nanometer-Scale Structures with the Scanning Tunneling Microscope Text. / C. Mascher, B. Damaschke // J. Appl. Phys. -1994.-V. 75.-P. 5438-5440.

23. Hsiao, G.S. Deposition of Metal Nanostructures onto Si(l 11) Surfaces by Field Evaporation in the Scanning Tunneling Microscope Text. / G.S. Hsiao, R.M. Penner, J. Kingsley // Appl. Phys. Lett. 1994. -V. 64. - P. 1350-1352.

24. Koyanagi, H. Field Evaporation of Gold Atoms onto a Silicon Dioxide Film by Using an Atomic Force Microscope Text. / H. Koyanagi, S. Hosaka, R. Imura, M. Shirai // Appl. Phys. Lett. 1995. - V. 67. - P. 2609- 2611.

25. Jung, Young Mee Gold Nanoparticle Assemblies on a Functionalized Surface Patterned by AFM Lithography Text. / Young Mee Jung, Sang Jung Aim, Eung Ryul Kim and Haiwon Lee // Journal of the Korean Physical Society. 2002. -V. 40.-№>4.-P. 712-715.

26. Thomas, P. John Dip-pen lithography using aqueous metal nanocrystal dispersions Text. / P. John Thomas, G. U. Kulkarni and C. N. R. Rao // J. Mater. Chem. 2004. - V. 14. - P. 625-628.

27. Нано- и микросистемная техника: от исследований к разработкам: сб. ст. Текст. / под ред. П.П. Мальцева. М.: Техносфера, 2005. - 592 с.

28. Неволин, В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике Текст. / В.К. Неволин. -М.: Техносфера, 2006. 160 с.

29. Корнилов, В.М. К вопросу о модификации поверхности кремния при ее исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии Текст. / В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов // Физика и техника полупроводников. 2003. - Т. 37. - В. 3. - С. 323-327.

30. Garcia, R. Patterning of silicon surfaces with noncontact atomic force microscopy: Field-induced formation of nanometer-size water bridges Text. / R. Garcia, M. Calleja // Journal of Applied Physics. 1999. - V. 86. - № 4. - P. 1898-1903.

31. Lyding, J.W. Nanoscale patterning and oxidation of H-passivated Si(100) surfaces with an ultrahigh vacuum scanning tunneling microscope Text. / J.W. Lyding et al. // Appl. Phys. Lett. 1994. -V. 64. -№ 15. - P. 2010-2012.

32. Асеев, А.Л. Атомная структура полупроводниковых структур: сб. ст. Текст. / под ред. А.Л. Асеева. Новосибирск: Издательство СО РАН, 2006. - 292 с.

33. Агеев, О.А., Формирование наноразмерных структур в пленке титана методом фотонностимулированного локального анодного окисления Текст. / О.А. Агеев и др. // Материалы IV МНК «Молодые ученые-2006». -М. Изд-во МИРЭА, 2006. Т.2. - С. 219-222.

34. Abadal, G. Field induced oxidation of silicon by SPM: study of the mechanism at negative sample voltage by STM, ESTM and AFM Text. / G. Abadal, F. P'erez-Murano, N. Barniol, X. Aymerich // J. Appl. Phys. Lett. 1998. -A 66.-P. 791-795.

35. Dagata, J.A. Modification of hydrogen-passivated silicon by a scanning tunneling microscope operating in air Text. / J.A. Dagata et al. // J. Appl. Phys. Lett. 1990. - Vol. 56. - P. 2001-2003.

36. Гаврилов, C.A. Исследование особенностей процесса локального окисления пленок титана на основе сканирующей зондовой микроскопии Текст. / С.А. Гаврилов, и др. // Известия Вузов. Электроника. 2000. -№3. -С. 27-33.

37. Булатов, А. Н. Анодное окисление тонких пленок алюминия в атомно-силовом микроскопе Текст. / А. Н. Булатов, В.К. Неволин // Микросистемная техника. 2003. - №11. - С. 42-44.

38. Workman, R.K. Current-dependent growth of silicon nitride lines using a conducting tip AFM Text. / R.K. Workman, C.A. Peterson, D. Sarid // Surface Science. 1999. - 423. - P. L277-L279.

39. Dubois, E. Nanometer scale lithography on silicon, titanium and PMMA resist using scanning probe microscopy Text. / E. Dubois, Jean-Luc Bubbendor // Solid-State Electronics. 1999. - V.43. -P. 1085-1089.

40. Соколов, Д. В. Нанооксидирование и нанотравление п-In0,53Ga0,47As с помощью атомно-силового микроскопа Текст. / Д. В. Соколов//Научное приборостроение.-2001.-Т. 11.-№1.-С. 15-21.

41. Shirakashi, Jun-ichi. Room Temperature Nb-Based Single-Electron Transistors Text. / Jun-ichi Shirakashi, Kazuhiko Matsumoto, Naruhisa Miura and Makoto Konagai //Jpn. J. Appl. Phys. 1998. - Vol. 37. - P. 1594-1598.

42. Heinzel, T. Mesoscopic Electronics in Solid State Nanostructures Text. / T. Heinzel. Wiley-VCH, 2007. - 412 p.

43. Clivia, M. Sottomayor Torres Alternative lithography: Unleashing the potentials of nanotechnology Text. / M. Clivia. Plenum Publishing Corporation, 2004. - 425 p.

44. Givargizov6, E.I. Text. // J. Crystal Growth. 1975 - V.31. - P.20

45. M. Lorenz, E. M. Kaidashev, A. Rahm, Th. Nobis, J. Lenzner, G. Wagner, D. Spemann, H. Hochmuth, and M. Grundmann // Appl.Phys.Lett. -2005.-V. 86.-P. 143113.

46. M. Rolandi, C.F. Quate, H. Dai // Adv. Mater. 2002. - V. 14. - P. 191.

47. Сеченов, Д.А. Фотостимулированные технологические процессы в кремниевых структурах Текст. / Д.А. Сеченов, A.M. Светличный, В.В. Поляков. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2002. - 103 с.

48. Marchi, F. Growth of silicon oxide on hydrogenated silicon during lithography with an atomic force microscope Text. / F. Marchi, V. Bouchiat, H. Dallaporta, V. Safarov, and D. Tonneau // J. Vac. Sci. Technol. 1998. -B 16.6. -P. 2952-2956.

49. Marsh, G. Moore's Law at the Extremes Text. / G. Marsh // Material Today. -2003. V. 6. - P. 28-33.

50. Соколов, Д.В. Воспроизводимость процессов нанооксидирования п-InO,53GaO,47As с помощью атомно-силового микроскопа Текст. / Д.В. Соколов // Микросистемная техника. 2001. - № 5. - С. 25-29.

51. Hwang, Jih Shang Photo-assisted local oxidation of GaN using an atomic force microscope Text. / Jih Shang Hwang and other / Nanotechnology. 2006. -№ 17.-P. 3299-3303.

52. Te-Hua Fang Mechanisms of nanooxidation of Si(100) from atomic force microscopy Text. / Hua Fang // Microelectronics Journal. 2004. - Vol. 35. - P. 701-707.

53. Martinez, Ramse's V. Nanolithography Based on the Formation and Manipulation of Nanometer-Size Organic Liquid Menisci Text. / Ramses V. Martinez, Ricardo Garcia // NanoLettrs. 2005. - Vol. 5. - №. 6. - P. 1161-1164.

54. Garcia, R. Patterning of silicon surfaces with noncontact atomic force microscopy: Field-induced formation of nanometer-size water bridges Text. / R. Garcia, M. Calleja // Jornal Of Applied Physics. 1999. - Vol. 86. - № 4. - P. 1898-1903.

55. Held, R. Nanolithography by local anodic oxidation of metal films using an atomic force microscope Text. / R. Held, T. Heinzel, P. Studerus, K. Ensslin / Physica. 1998. -E2. - p. 748-752.

56. Ma, Y.-R. Lee Tip-induced local anodic oxidation on the native Si02 layer of Si (111) using an atomic force microscope Text. / Y.-R. Ma, C. Yu, Y.-D. Yao, Y. Liou, and S.-F. Lee / Physical Review B. 2001. - V. 64. - P. 1953XX-1-1953XX-6.

57. Крюков, А.И. Основы фотохимии координационных соединений Текст. / А.И. Крюков, С.Я. Кучмий. Киев: Наука, 1990. - 280 с.

58. Колобов, Н.А. Диффузия и окисление полупроводников Текст. / Н.А. Колобов, М.М. Самохвалов. М.: Изд-во "Металлургия", 1975. -455с.

59. Глинка, H.J1. Общая химия: Учебное пособие для вузов Текст. / под ред. В.А. Рабиновича. Л.: Химия, 1985. - 704 с.

60. Краткий справочник физико-химических величин Текст. / Под ред. К.П. Мищенко, А.А. Равделя Л.: Химия, 1974. - 200 с.

61. Маслов, В.П. Математическое моделирование процессов тепломассопереноса Текст. / В.П. Маслов, В.Г. Данилов, К.А. Волосов -М.: Наука. 1987. -346 с.

62. Сеченов, Д.А. Распределение температуры и механических напряжений в области воздействия зонда сканирующего туннельного микроскопа в кремнии Текст. / Д.А. Сеченов, A.M. Светличный, О.А. Агеев // Известия Вузов. Электроника. 1998. - № 3. - С. 52-59.

63. Gordon, А.Е. Mechanism of surface anodization produced by scanning probe microscopes Text. / A.E. Gordon, R.T. Fayfield, D.D. Litfin, Т.К. //

64. Неволин, B.K. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии Текст. / B.K. Неволин // Электронная промышленность. -1993. -№3.~ Р. 139-142.

65. Методы физических измерений Текст. / под ред. Р.И. Солоухина. — Новосибирск.: Наука. Сиб. Отделение, 1975. -250 с.

66. Богданов, А.И. Роль активных кислородных частиц в процессе УФ -очистки поверхности неорганической подложки Текст. / А.И. Богданов, К.А. Валиев, Л.В. Беликов, С.Д. Душенков, М.И. Иванова // Микроэлектроника. -1989.-Т. 18. -№6. С.540-543.

67. Барыбин, А.А. Физико-технологические основы электроники Текст. / А.А. Барыбин, В.Г. Сидоров. Спб.: Изд-во «Лань», 2001. - 272 с.

68. Таблицы физических величин. Справочник Текст. / под ред. И.К. Кикоина. М., Атомиздат, 1976. - 1008 с.

69. Воробьев, Г.А. Физика диэлектриков Текст. / Г.А. Воробьев. -Томск, 1977.-251 с.

70. Черняев, В.Н., Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров Текст. / В.Н. Черняев. М., 1987.-358 с.

71. Tello, М. Nano-oxidation of silicon surfaces: Comparison of noncontact and contact atomic-force microscopy methods Text. / M. Tello, R. Garcia // Applied Physics Letters. 2001. - VOL. 79. - №3. - P. 424-426

72. Da Silva, E.F. Simulation of the early stages of thin Si02 film growth Text. / E.F. da Silva, B.D. Stochic // Semicond. Sci. Technol. 1997. - № 12. -P. 1038-1045.

73. Гадияк, Г.В. Развитие теории термического окисления кремния Текст. / Г.В. Гадияк // Микроэлектроника. 1998. - Т. 27. - № 4. - С. 288293.

74. Song, А. М. Room-Temperature Ballistic Nano-Devices Text. / A. M. Song // Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology. American Scientific Publishers. 2004. - V. 9. - P. 371-389.

75. Song, A. M. Room-temperature and 50 GHz operation of a functional nanomaterial Text. / A. M. Song, P. Omling, L. Samuelson, W. Seifert, I. Shorubalko //Applied Physics Letters. -2001. Vol. 79. -№ 9. - P. 1357-1359.

76. Каталог аксессуаров фирмы НТ-МДТ с сайта www.ntmdt.ru

77. Белов, А.Н. Нанотехнологии на основе анодных оксидов материалов Текст. / А.Н. Белов, С. А. Гавр ил ов, М.Г. Путря, В.И. Шевяков // Известия Вузов. Электроника. 2006. - № 5. - С. 93-98.

78. Агеев, О.А. Зондовая фотонно-стимулированная нанолитография структур на основе пленки титана Текст. / О.А. Агеев, Б.Г. Коноплев, В.В. Поляков, A.M. Светличный, В.А. Смирнов // Микроэлектроника. 2007. - Т. 36. - № 6. 2007. - С. 403-408.

79. Wagner, D. Spemann, Н. Hochmuth, and М. Grundmann // Appl.Phys.Lett. -2005. V. 86.-P. 143113.

80. Демиховский, В.Я. Физика квантовых низкоразмерных структур Текст. / В.Я. Демиховский, Г.А. Вугальтер. М.: Логос, 2000. - 248 с.

81. Кравченко, А.Ф. Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности Текст. / А.Ф. Кравченко, В.Н. Овсюк. -Новосибирск: Изд-во Новосиб. ун-та, 2004. 448 с.

82. Eberg, Markku Simulation and Modeling of Self-switching Devices Text. / Markku Eberg, Jan Saijets, Aimin Song, Mika Prunnila // Physica Scripta.- 2004. Vol. TI 14. - P. 123-126.

83. Song, A. M. Unidirectional electron flow in a nanometer-scale semiconductor channel: A self-switching device Text. / A. M. Song, M. Missous, P. Omling, L. Samuel son, W. Seifert // Applied Physics Letters. 2003. - Vol. 83.- № 9. P. 1881-1883.

84. Быков, В.А. Разработка и освоение производства приборов и оборудования для нанотехнологии Текст. / В.А. Быков // Российские нанотехнологии. 2007. - Т. 2. - № 1-2.