Прецизионная литография в твердотельной электронике и микроэлектронике тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, доктор технических наук Марголин, Владимир Петрович

• Марголин, Владимир Петрович
• доктор технических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор технических наук Марголин, Владимир Петрович

Введение

Глава I. Моделирование процессов взаимодеиствия электронного, рентгеновского и лазерного пучков с системой резистподложка.

Введение.

1.1. Аналитическая модель для оценочных расчетов влияния первичных и обратно-отраженных электронов на процесс литографии.

1.2. Исследование процессов энерговыделения в слое элект-ронорезиста.

1.3. Выбор оптимальных параметров экспонирования без учета вторичных эффектов и разработка номограммного метода расчета.

1.4. Исследование процесса энерговыделения в слое резиста с учетом обратно-отраженных от подложки электронов в зоне электронного пучка.

1.5. Исследование процесса энерговыделения в зоне "геометрической тени" при облучении электронным пучком.

1.6. Разработка машинной модели на основе метода Монте -Карло.

1.7. Анализ возможностей метода электронно-ионной литографии.

1.8. Анализ процесса термического взаимодействия лазерного излучения с тонкими пленками.

1.9. Анализ процесса взаимодействия рентгеновского излучения с системой резист-подложка.

Вывод ы.

Глава II. Разработка комплекса аппаратуры и экспериментальных методик для исследования взаимодействия электронного, лазерного и рентгеновского пучков с системой резистподложка.

Введение.

2.1. Разработка электронно-лучевого генератора изображения с фототелевизионным вводом информации.

2.2. Разработка способа генерации серий линий однократной экспозиции на поверхности резиста.

2.3. Разработка макета для исследования спектров обратного отражения электронов от подложки.

2.4. Разработка экспериментальных методик для исследования процесса взаимодействия электронного пучка с системой резист-подложка.

2.5. Разработка экспериментального макета для исследования возможностей метода ионно-электронной литографии.

2.6. Выбор параметров источника рентгеновского излучения, расчет и конструирование электронной пушки и макета для исследования процесса рентгеновской литографии.

2.7. Разработка и изготовление электроно и рентгеношабло-нов.

2.8. Разработка лабораторного макета для исследования процесса генерации микрорисунка на внутренней поверхности криволинейных образцов методом лазерной безрезистной литографии.

Выводы.

Глава III. Исследование литографических характеристик электроно и рентгенорезистов, разработка методов повышения производительности и разрешащей способности процесса электронолитографии и исследование процесса лазерной безрезистной литографии.

Введение.

3.1. Анализ процессов полимеризации и деструкции в элек-тронорезисте.

3.2. Исследование ионной и плазменной стойкости электро-но и рентгенорезистов.

3.3. Экспериментальная проверка достоверности моделирования процесса энерговыделения в "зоне геометрической тени".

3.4. Разработка способов повышения производительности и разрешащей способности процесса электронолитогра-фии.

3.5. Исследование спектральных зависимостей коэффициентов поглощения рентгенорезистов.

3.6. Исследование процесса лазерной безрезистной литографии на внутренней поверхности криволинейных образцов.

Выводы.

Глава 1?. Исследование и разработка методов микролитографии на неплоских подложках.

Введение.

4.1. Анализ методов получения подложек, вписывающихся в радиальную симметрию процессов микротехнологии.

4.2. Исследование совместимости подложек, подвергнутых контролируемой обратимой деформации с другими процессами планарной технологии.

4.3. Исследование возможностей модификации метода рентгеновского экспонирования для литографии на неплоских подложках.

4.4. Исследование возможностей электронной литографии на неплоских подложках.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Прецизионная литография в твердотельной электронике и микроэлектронике»

В современной микротехнологии одним из основных процессов, формирующих топологию и структуру интегральных схем является процесс микролитографии, причём именно он определяет максимально возможное разрешение, достигаемое в процессе производства интегральной микросхемы, а, следовательно и определяет максимально достижимые на данном уровне технологии параметры. Можно сказать, что с точки зрения разрешающей способности традиционный метод микролитографии - фотолитография - исчерпал свои возможности и сейчас происходит активная замена его на более высокоразрешающие процессы, такие как электронная литография и лазерная безрезист-ная литография для индивидуальной обработки рисунка микросхем и электронная и рентгеновская литография в качестве группового метода обработки рисунка.

Важность этих вопросов для развития национальной промышленности подтверждается тем фактом, что в своё время в США и Японии были разработаны национальные программы, финансируемые государством, с целью разработки и скорейшего внедрения в промышленность современных методов производства СВИС, при этом основное внимание уделялось разработке методов микролитографии [1-5]. Реализация на практике результатов научно-исследовательских и опытно-конструкторских разработок, выполненных в рамках этих программ позволила пяти крупнейшим фирмам США объявить на 1997 г. размер элемента в 0,1 мкм технологическим стандартом [63. При этом продолжается активное финансирования частных фирм государством [7-9] и сейчас аналогичные программы разрабатываются странами Европейского сообщества, которые почувствовали своё серьёзное отставание от передовых фирм США и Японии [10-13].

Узким местом технологии изготовления интегральных микросхем являвтся генерация изображения и перенос рисунка с помощью микролитографических методов. Вклад затрат на литографические процессы при разрешении порядка одного микрона составляет примерно половину всей стоимости микросхемы. Выход годных на операции репродуцирования изображения при минимальном размере 1 мкм колеблется от 0,1 до 20-30%. Повышение разрешающей способности приводит к экспоненциальному росту брака и при минимальном размере микросхемы порядка 0,1 мкм выход годных уменьшается на 1-2 порядка. Поэтому все вопросы, связанные с исследованиями в области микролитографии, разработкой новых технологических методик и оригинальных процессов, методов повышения производительности и разрешающей способности методов микролитографии представляются достаточно актуальными и составляют цель представляемой работы, которая является следствием исследований, проводившихся автором в области микролитографии с 1972 г.

Основными задачами проводившихся исследований являлись:

1. Анализ процессов энерговыделения и рассеяния электронов в системе резист-подложка в процессах электронной литографии и создание ряда моделей, позволяющих с различной степенью приближения описывать процессы, происходящие при электронно-лучевом экспонировании резистов и рассчитывать характеристики этого процесса. Анализ возможностей метода ионно-электронной литографии и реальности его практического применения.

2. Анализ процесса термического взаимодействия лазерного излучения с тонкопленочными структурами. Разработка лабораторного макета для исследования процесса генерации микрорисунка на внутренней поверхности криволинейных образцов методом лазерной без-резистной литографии. Исследование возможности процесса лазерной безрезистной литографии на внутренней поверхности криволинейных образцов для создания конкретных образцов элементов РЭС.

-83. Анализ процесса взаимодействия рентгеновского излучения с системой резист-подложка и разработка модели процесса рентгеновского экспонирования резиста. Выбор параметров источника рентге-рентгеновского излучения, расчёт и конструирование электронной пушки и макета для исследования литографических характеристик рентгенорезистов, включая разработку и изготовление рентгеношаб-лона.

4. Разработка и изготовление лабораторного комплекса оборудования для исследования процесса электронной литографии, включающего в себя электронно-лучевой генератор изображения с фототелевизионным вводом информации и генератор линий однократного сканирования; лабораторный макет для исследования литографических характеристик электронных резистов; электронный шаблон с разрешением, позволяющим достаточно точно исследовать литографические характеристики резистов; лабораторный макет для исследования процессов ионно-электронной литографии; макет для исследования спектров обратного отражения электронов от подложки.

5. Исследование литографических характеристик современных элек-троно и рентгенорезистов и их ионной и плазменной стойкости в процессах прецизионного травления; исследование спектров отражения электронов от поверхности подложек и профилей линий однократного сканирования с целью модификации разработанных модельных представлений о процессах энерговыделения и рассеяния электронов в слое резиста. Разработка методов повышения производительности и разрешающей способности метода электронной литографии с учётом возможностей существующего оборудования.

6. Исследование и разработка возможности осуществления методов микролитографии на неплоских подложках, вписывающихся в радиальную симметрию современных процессов микролитографии.

Поставленные задачи определили структуру диссертации. Представляемая диссертационная работа состоит из четырёх глав.

Первая глава посвящена анализу процессов, происходящих при взаимодействии электронного, рентгеновского и лазерного пучков с системой резист-подложка; исследованию и моделированию процессов рассеяния и энерговыделения обрабатывающих электронов и квантов электромагнитного излучения с резистной плёнкой и анализу возможностей метода ионно-электронной литографии.

Вторая глава посвящена разработке комплекса экспериментального оборудования для решения следующих вопросов: разработке электронно-лучевого генератора изображения с фототелевизионным вводом информации и генератора линий однократного сканирования; разработке макета для исследования спектров обратного отражения электронов от подложки; разработке экспериментальных методик для исследования взаимодействия электронного луча с системой резист-подложка; разработке макета для исследования возможностей метода ионно-электронной литографии; разработке макета для исследования процесса рентгеновской литографии; изготовлению электроно и рентгеношаблонов и разработке макета для исследования генерации микрорисунка на внутренней поверхности криволинейных образцов методом лазерной безрезистной литографии.

Третья глава описывает исследования процессов полимеризации и деструкции в электронорезисте; исследования спектров обратного отражения электронов от реальных подложек; экспериментальную проверку достоверности моделирования процесса энерговыделения в "зоне геометрической тени"; исследования ионной и плазменной стойкости электроно и рентгенорезистов; исследования возможностей повышения разрешающей способности и производительности процесса электронолитографии; исследование спектральных зависимостей коэффициентов поглощения рентгенорезистов; применение метода безрезистной лазерной литографии для производства элементов

РЭС.

Четвёртая глава посвящена исследованию и разработке возможности осуществления методов микролитографии на неплоских подложках, подвергнутых контролируемой обратимой деформации с целью приведения их в соответствие с радиальной симметрией применяемых пучковых методов мнкролитографии.

В результате проведённой работы получены следующие новые научные результаты:

- Разработана аналитическая модель, позволяющая, исходя из параметров материала резиста, подложки и экспонирующего электронного пучка рассчитывать процесс энерговыделения в слое резиста за счет первичных и обратно-отраженных электронов, определять профиль поглощенной в слое резиста энергии в зоне пучка и в зоне геометрической тени, рассчитывать изменение размеров зоны обработки в зависимости от■параметров процесса. Разработана методика определения удельной критической энергии структурирования резиста.

- Разработан номограммный метод расчета процесса энерговыделения в резис-те, позволяющий расчетным путем получить энергетическую контрастно-чувствительную характеристику резиста. Для повышения энергетического контраста резиста предложен метод ступенчатого пошагового экспонирования с дискретно-переменной дозой и энергией экспонирующих электронов. Одним из путей повышения разрешающей способности электронолитографии является применение низковольтного режима экспонирования, при котором длина пробега электронов в резисте совпадает с его толщиной или незначительно ее превосходит.

- Предложена методика определения зоны формирования скрытого изображения и зоны эффекта близости. Установлено, что зона формирования скрытого изображения определяется в основном высокоэ-нергетичной линией спектра обратно-отраженных электронов, в то время как зона эффекта близости определяется преимущественно характеристиками материала резиста, в основном чувствительностью и контрастом.

- Обоснована методика исследования контрастно-чувствительных характеристик электронорезистов. Установлено, что зависимости чувствительности и контраста резиста от энергии электронов имеют резко выраженный максимум, лежащий в низковольтной области, при этом с понижением энергии электронов уменьшается ионная стойкость и адгезия к подложке. Установлена аномальная зависимость контрастно-чувствительной характеристики негативных электронорезистов отч энергии электронов в процессах шшковольтной электронбзштографии, выражающаяся в наличии участка насыщения в области средних доз между пороговой и критической дозами.

- Исследована возможность применения для целей электроноли-тографии метода ионно-электронной эмиссии. Установлено, что с точки зрения производительности и разрешающей способности злектро-нолитографии этот метод может быть рекомендован для практических целей. Установлено, что производительность проекционной электро-нолитогрзфш при применении метода ионно-электронной эмиссии существенно повышается, а число допустимых экспозиций значительно больше, чем при применении традиционных методов проекционной эле-ктронолитографии.

- Обнаружена и исследована зависимость пространственного распределения концентрации радиационно-химических превращений в слое резиста типа 11Ш. от формы поверхности подложки при электронно-лучевом и рентгеновском экспонировании, зависимость плотности поверхностных дефектов кристаллической структуры кремниевых пластин от радиуса кривизны контролируемого изгиба, диаметра пластин и режима отжига дефектов при механическом изгибе плоских пластин.

-12В выводах и рекомендациях диссертационной работы обобщены результаты теоретических и экспериментальных исследований, практическая ценность которых выражается в следующем:

- Разработан ряд моделей процесса взаимодействия электронного пучка с системой резист-подложка, которые могут использоваться для компенсации "эффекта близости" в системах электронной литографии. Разработаны методики, позволяющие рассчитать параметры технологического процесса электронолитографии с заданным значением энергетического контраста и с учётом спектра обратного отражения электронов от подложки. Разработаны программы, позволяющие за счет вариации дозы экспонирования резиста осуществлять коррекцию "эффекта близости".

- Разработанный номограммный метод расчёта процесса пошагового экспонирования используется в учебном процессе 0П6ГЭТУ при чтении курсов лекций "Физико-химические основы технологии РЭС" и "Основы нанотехнологии".

- Разработан комплекс оборудования для исследования литографических характеристик электронорезистов, получения и исследования линий однократного сканирования и возможностей метода ионно-электронной литографии. Разработан и изготовлен экспериментальный макет для исследования литографических параметров процесса рентгеновской литографии, включающий источник электронов, мишень со сменными анодами и рентгеношаблон. Разработаны способы повышения производительности и разрешающей способности литографических методов, включая рекомендации по повышению ионной и плазменной стойкости резистов.

- Установлена возможность практического применения метода ионно-электронной литографии для целей микротехнологии, оценены преимущества и недостатки этого метода, выработаны предварительные рекомендации по его применению.

-13- Исследованы спектральные зависимости коэффициентов поглощения рентгенорезистов, выработаны рекомендации по оптимизации процесса рентгеновского экспонирования. Предложен ряд устройств и способов экспонирования мягким рентгеновским излучением, позволяющих повысить производительность и разрешающую способность процесса рентгеновского экспонирования. Экспериментально подтверждена возможность повышения производительности рентгеновского экспонирования при одновременном улучшении разрешающей способности благодаря использованию сферических подложек и шаблонов.

- Разработан экспериментальный макет для осуществления процесса лазерной безрезистной литографии на внутренней поверхности цилиндрических образцов. Найдены Параметры оптимального режима, позволяющего производить обработку с внешней стороны образца. Изготовлены образцы элементов приемно-передающих телевизионных трубок с электростатическим отклонением луча.

- Выявлена возможность управлять профилем изображения, получаемого рентгеновским и электронно-лучевым экспонированием путем изменения кривизны поверхности подложек, предложены оригинальные способы получения шаблонов, отвечающих радиальной симметрии процессов микротехнологии.

- Предложены оригинальные способы и устройства электроннолучевого экспонирования для оптимизации процесса генерации изображения, с учетом зависимости плотности дефектов кристаллической структуры рабочего слоя полупроводниковой подложки от формы поверхности и разработаны оригинальные метода, позволяющие снизить плотность дефектов, вызванных контролируемой обратимой деформацией. Предложены конструкции устройств для нанесения вязких резис-тов на поверхность подложек с использованием центробежной силы и способ вакуумного термического напыления, позволяющие повысить равномерность распределения толщины слоя резиста по площади подложек. Подтверждена возможность повышения равномерности распределения толщины слоя резиста по площади подложки в случае использования сферической формы поверхности.

Полученные новые научные результаты позволяют сформулировать научные положения, выносимые на защиту.

1. Зависимость чувствительности, контраста и ионной стойкости резистов от энергии электронов имеют экстремум в низковольтной области, а контрастно-чувствительные характеристики область насыщения между пороговой и критической дозами облучения.

2. Увеличение производительности и разрешающей способности электронолитографии достигается путем использования ступенчатых процессов экспонирования резистов, обеспечивающих дополнительное выделение энергии в верхних слоях резиста.

3. Оптимальный режим лазерной безрезистной литографии на криволинейной прозрачной поверхности достигается при совокупности параметров, связывающих коэффициент пропускания подложки, длину волны, мощность, длительность импульса и частоту следования импульсов лазерного излучения и скорость перемещения потока излучения по поверхности образца.

4. Метод контролируемой обратимой деформации подложек позволяет сочетать радиальную симметрию большинства современных технологических процессов и пданарную форму обрабатываемых подложек.

Основные результаты, выводы и рекомендации работы докладывались на:

- Республиканской конференции "Метода миниатюризации производства компонентов ЭВМ", Киев, 1974;

- VII Всесоюзной научно-технической конференции по микроэлектронике, Львов, 1975;

- Всесоюзном семинаре "Новые плазменные и электронно-ионные метода обработки материалов", Ленинград, 1976;

-15- Всесоюзной межведомственной научно-технической конференции "Электронная литография и её применение в микроэлектронике", Москва, 1976;

- Всесоюзном симпозиуме "Применение электронной микроскопии в современной технике", Звенигород, 1978;

- Всесоюзной научно-технической конференции "Большие интегральные схемы - элементная база современных вычислительных машин и систем", Москва, 1978 г.

- Республиканских научно-технических конференциях "Развитие технических наук в республике", г. Каунас, 1979, 1981, 1983, 1986, 1988 гг.

- Республиканских научно-технических конференциях "Физическая электроника", г. Каунас, 1985, 1987 гг.

- Всесоюзной школе-семинаре "Автоматизация электронно-лучевой обработки материалов", Москва, 1979;

- XVI Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике, Махачкала, 1976;

- Республиканской конференции "Физико-технологические вопросы кибернетики", Киев, 1977;

- Всесоюзном симпозиуме "Применение новых электронно-микроскопических методов в технологии, кристаллографии и минералогии", Звенигород, 1980;

- Всесоюзном симпозиуме "Электронная микроскопия и электронография в исследовании образования, структуры и свойств твердых тел", Звенигород, 1983 г.

- Всесоюзных симпозиумах по растровой электронной микроскопии РЭМ-81 (Звенигород, 1981), РЭМ-84 (Звенигород, 1984), РЭМ-89 (Звенигород, 1989), ЗЕМ-95 (Черноголовка, 1995); РЭМ-97 (Черноголовка, 1997)

- Всесоюзной научно-технической конференции "Проблемы интегральной электроники СВЧ", Ленинград, 1984;

- Всесоюзном семинаре "Применение методов электронной и ионной обработки в промышленности", Ленинград, 1985;

- Всесоюзной конференции "Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники", Минск, 1985;

- Международных конференциях по электронно-лучевым технологиям ЭЛТ-85 (Варна, Болгария, 1985), ЭЛТ-88 (Варна, Болгария, 1988), ELT-91 (Варна, Болгария, 1991);

- Всесоюзной конференции "Теоретические и прикладные вопросы разработки и эксплуатации систем автоматизированного проектирования радиоэлектронной аппаратуры", Москва, 1986;

- 5й Международной научно-технической конференции ФЕНТО "Ми~ кроэлектроника-86", Пловдив, Болгария, 1986; й 3 Всесоюзной конференции "Применение лазеров в технологии и системах передачи и обработки информации", Таллин, 1987; Всесоюзных семинарах Микролитография-88, Микролитография

90, Черноголовка, й

- 3 польско-советской конференции "Комплексная автоматизация промышленности", Вроцлав, ПЕР, 1988;

- III Всесоюзном координационнм совещании по проблеме "Электронная литография", Черкассы, 1988;

- XI? Всесоюзной конференции по электронной микроскопии, Суздаль, 1990;

- Региональной конференции "Современные технологии обучения" Санкт-Петербург, 1996;

- XVI Российской конференции по электронной микроскопии, Черноголовка, 1996.

- X Международной школе по вакуумным, электронным и ионным технологиям VEIT"97, Варна, Болгария, 22-27 сент. 1997.

По теме диссертации депонированы в ВИНИТИ монографии объемом

-17288 стр. и 162 стр., опубликовано 80 печатных работ, получено 14 авторских свидетельств на изобретения ССОР и 15 авторских свидетельств и заявок на изобретения ПНР.

Результаты диссертационной работы внедрены:

- Разработка модели и оптимальных технологических режимов лазерной безрезистной литографии, разработка макетов экспериментального оборудования, исследование и разработка перспективных технологических процессов и устройств для производства дефлект-ронов внедрены на Ш0 "Электрон" при создании линии по производству дефлектронов производительностью 25 шт. в смену.

- Модели процессов рассеяния и энерговыделения электронов в процессах электронолитографии и разработанные на их основе методики компенсаций и коррекции "эффектов близости" использованы при разработке типового технологического процесса изготовления металлизированных фотошаблонов методом электронолитографии (код ТТП55-550), который вошел в отраслевой стандарт ОСТ 107.764416.001-89) и внедрен на НПО "Авангард".

- Методы нанесения резистов на поверхность изделий, имеющих криволинейную и цилшдрическую форму и технологические методики, разработанные автором при исследованиях процесса лазерной безрезистной литографии, использовались в производстве оксидноэлектро-литических конденсаторов (0Ж0 464.161 ТУ; 0Ж0 464.039ТУ; 0Ж0 464.209ТУ; 0Ж0 464.209ТУ и аналогичных) на предприятии "Завод "Мезон". Отличительной особенностью этих методов является возможность нанесения качественных резистных пленок на поверхность изделий сложной формы при достижении требуемой однородности по толщине пленок и отсутствии дефектности.

- Методика и компьютерная программа расчета процесса энерговыделения в процессах электронной и рентгеновской литографии при-меняютсмя в учебном процессе Новочеркасского государственного технического университета на кафедре физики.

- Методики расчета процессов рассеяния электронов и методические особенности определения удельной критической энергии структурирования резиста используются в учебном процессе Тверского государственного технического университета.

- Аналитические модели и развитые представления о роли рассеяния и отражения электронов в процессах электронолитографии используются в учебном процессе Санкт-Петербургского государственного электротехническолго университета.

Соответствующие акты внедрения приведены в Приложении.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Марголин, Владимир Петрович

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом:

1. Разработана аналитическая модель, позволяющая рассчитать энерговыделение в слое резиста и определить профиль поглощенной в слое резиста энергии как в зоне пучка, так и в зоне геометрической тени,рассчитать изменение размеров зоны обработки экспрнирую-щим пучком в зависимости от параметров процесса и определить удельную критическую энергию полимеризации (деструкции) резиста. Она адекватна для топологических структур, представляющих собой формы с геометрическими размерами порядка полуширины распределения обратно отраженных электронов и меньше (порядка 2 мкм и менее). При больших размерах рисунка для коррекции эффекта близости необходимо разбивать отдельные формы на подформы с последующей коррекцией доз.

2. Одним из путей повышения разрешающей способности элект-ронолитографии является применение низковольтного режима экспонирования, при котором длина пробега электронов в резисте совпадает с его толщиной. Для расчета его параметров разработан номог-раммный метод расчета процесса энерговыделения в резисте, позволяющий расчетным путем получить контрастно-чувствительную характеристику резиста в относительных единицах.

3. Установлены закономерности, позволяющие рассчитать обобщенный спектр отражения электронов от подложек. Предложена методика определения зоны формирования скрытого изображения и зоны эффекта близости. Установлено, что зона формирования скрытого изображения определяется в основном высокоэнергетичной линией спектра обратно-отраженных электронов, в то время как зона эффекта близости - характеристиками материала резиста, в основном чувствительностью и контрастностью.

-3184. Исследована возможность применения для целей электроно-литографии метода ионно-электронной эмиссии. Установлено, что с точки зрения производительности и разрешающей способности элек-тронолитографии этот метод может быть рекомендован для практических целей.

5. При использовании лазерной безрезистной литографии для испарения пленки одиночными импульсами глубина области остаточных механических напряжений и возможных дефектов структуры увеличивается вдвое при уменьшении периода импульсов примерно на порядок. Прогрев объема, в котором наиболее вероятно появление дефектов структуры, наступает для импульсов длительности 1,0 мкс и более, при этом граничный период составляет менее 40 - 60 мкс.

6. Установлено, что при рентгеновском экспонировании влияние подложки на разрешающую способность возрастает по мере роста атомного номера вещества подложки. Разрешающая способность, определяемая относительно вклада фото и оже электронов лежит в области 50 -60 нм для более длинных волн (порядка 8 а) и в области 100 а для более коротких волн (порядка 4 а).

7. Разработан и изготовлен макет электронно-лучевого генератора изображения на основе принципа фототелевизионного ввода информации, позволяющий получать рисунок требуемой топологии с разрешением не хуже 0,3 мкм в пределах рабочего поля 200 х 200 мкм, комплекс для генерации линий однократного сканирования и исследования параметров электронорезистов, лабораторный макет для исследования спектров обратного отражения электронов от подложек, (на основе полученных спектров смоделирован обобщенный спектр-гистограмма, позволяющий количественно оценивать влияние обратно-отраженных от подложки электронов на разрешающую способность эле-ктронолитографии и использующийся для коррекции разработанных аналитической и машинной моделей.).

-3198. Разработан экспериментальный макет для исследования возможностей метода ионно-электронной литографии. Показана принципиальная возможность применения этого метода для целей проекционной электронолитографии. Установлено, что при применении этого метода существенно повышается производительность проекционной электронолитографии, а число допустимых экспозиций на 2-3 порядка больше, чем при применении традиционных методов.

9. Для негативных электронорезистов установлен аномальный ход контрастно-чувствительных характеристик при низких энергиях экспонирующих электронов, причем чувствительность негативных ре-зистов имеет ярко выраженный максимум, лежащий в области энергий электронов 5-7 кэВ, однако в этом диапазоне ухудшается ионная стойкость и адгезия резиста к подложке, а при экспошфовании ре-зистной пленки с энергиями, при которых глубина пробега меньше толщины резиста, присходит полимеризация резиста на всю глубину при резком возрастании дозы экспонирования.

10. Зависимость чувствительности полимерных сухих резистов на основе октавинилсесквиоксанов от энергии экспонирующих электронов носит линейный характер и имеет малый угол наклона, что является несомненным преимуществом по сравнению с характеристиками жидкостных резистов.

11. Установлено, что в диапазоне энергий экспонирующих электронов 0,5-30 кэВ существуют две области, которые соответствуют повышенному контрасту изображения - низкоэнергетичные электроны (0,5-8 кэВ) и высокоэнергетичные электроны (свыше 25 кэВ). Применение низкоэнергетичных электронов более предпочтительно с точки зрения как производительности процесса, так и его разрешающей способности.

12 Разработанные на основе теоретических представлений и проведенных исследований методы повышения производительности и разрешащей способности процесса экспонирования позволяют существенно повысить параметры генерируемого изображения без модернизации используемого оборудования, только за счет разработанных технологических приемов.

13. Произведена коррекция полученных теоретических результатов в соответствии с данными экспериментов по экспонированию рен-тгенорезистов в широком диапазоне длин волн и материалов резиста и исследованы спектры поглощения резистов, выполнены расчетные оценки оптимальных условий экспонирования для ряда конкретных систем резист-подложка, исследована зависимость времени экспрниро-вания от выбора длины волны излучения. Установлено, что для рассмотренных систем оптимальным является интервал длин волн порядка 8 — 14 а. Отмечено малое отличие коэффициентов поглощения для различных резистов, свидетельствующее об их близкой чувствительности к мягкому рентгеновскому излучению.

14. Определены оптимальные параметры процесса лазерной микролитографии, позволяющие производить обработку с внешней стороны криволинейных образцов, прозрачных для лазерного излучения и с помощью макета установки получены партии опытных образцов дефлек-тронов. Разработаны опытные методики производства дефлектронов методами рентгенолитографии и методы контроля и ретуши получаемых образцов.

15. Экспериментально подтверждена перспективность метода контролируемой обратимой деформаций плоских подложек для придания им формы части сферы. Разработана методика, позволяющая понизить плотность возникающих при этом дефектов. Предложены способы и устройства электронно-лучевого и рентгеновского экспонирования, на-нанесения вязкого резиста на поверхность подложек и способ вакуумного термического напыления, позволяющие реализовать предложенный метод.

-32116. Экспериментально подтверждена возможность повышения производительности процесса рентгеновского экспонирования при одновременном улучшении разрешающей способности при использовании подложек и шаблонов, имеющих форму части сферы. При этом кроме классических рентгеновских трубок использованы перспективные плазменные источники мягкого рентгеновского излучения.

Полученные результаты позволили доказать обоснованность научных положений, выносимых на защиту.

Результаты диссертационной работы внедрены на ряде промышленных предприятий и в учебный процесс ВУЗов. Соответствующе акты внедрения приведены в Приложении.

-317-ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Марголин, Владимир Петрович, 1998 год

1. Конноли Рзй. Развёртывание работ по ССИС программе. //Электроника.- 1980.- т. 53, вып. 1. С. 95-101.

2. Электроника: прошлое, настоящее, будущее. Пер. с англ. под ред. В. И. Сифорова.- М.: Мир, 1980, С. 248-251.

3. Лаймен Д. Пути обеспечения малых размеров элементов СБИС. // Электроника.-1980.- т. 53, J 14.- С. 26-43.

4. Альтман, Коэн. Новая волна японской электронной техники (обзор) // Электроника.-1977.- т. 50, вып. 12.- С. 26-35.

5. Бубенников А. Н., Бубенников А. А. Мировые программы освоения высоких субмикронных технологий кнкурентноспособных СВИС. // Зарубеж. радиоэлектрон.-1993,- J 2.- С. 75-85.

6. Ellowitz Н. I. 1994 US GaAs foundary survey results. //Microwave J.- 1994.- vol. 37, № 8. C. 82-92.

7. SEKATECH invests in SYG's lithography efforts // Semicond. Int.- 1994.- vol. 17, № 13. -C. 24-29.

8. The fab of the future technology leaders plot roadmap strategy // Solid State Technol.-1995.- vol. 38, Л 1.- С. 60-61.

9. SIA draws up a new version of the national technology roadmap // Semicond Int.-1995.- vol. 18, Jl 1.- C. 17-18.

10. Smith B. JESSI fights back. //Phys. World.- 1992.- vol. 5, tf 8,- C. 10.

11. TEC 94: JESSI and then what? // Eur. Semicond.-1994.- vol. 16, J 10.- C. 19.

12. Hagneister H. Europe needs its JESSI. //Eur. Semicond.- 1995. vol. 17, Jfi 1 .- C. 13-14.

13. Dance B. Europe drafts a competitive fourth framework program //Semicond. Int.-1995.-vol. 18, Jfc 1.- C. 32.

14. U.Thornley R. I., Sun T. Electron beam exposure of photoresist //J. of Elektrochemical Soc.-1965.- vol. 112, C. 1151-1153.

15. Brewer G. R. The application of electron-ion beam technology to microelectronics //IEEE Spectrum.-1971.-vol. 8, J№ 1.1. C. 23-37.

16. Nosker R.W. Scattering of highly focused kilovolt electron beams by solids //J. Appl. Phys.-1969.- vol. 40, №4.-0. 1872 -1882.

17. Kanaya K., Miyauchi S., Tanaka K. Micro pattern fabrication by electron beam exposure of photoresist polymer films // Bull, llectrotechn. Lab.-1969.-vol. 33, Л 11.- С. 1315-1336.

18. Дедовской В.П., Марголин В.И., Якимов Т.Н. Влияние режима экспозиции и контрастности резиста на разрешение электронолито-графического метода // Сб. Физико-технологические вопросы кибернетики,- Киев. 1977.- С. 46-54.

19. Росси В. Частицы больших энергий.- М.: ГИТТЛ, 1955.

20. Мотт А., Месси Г. Теория атомных столкновений.- М.: Мир, 1969

21. Области применения электронолитографии и размерной обработкитонких пленок /В. П. Ледовской, Т. Н. Якимов, В. П. Вашкелис, В. И. Марголин // Сб. Методы миниатюризации и автоматизации производства компонентов ЭВМ.- Киев. 1974.- С. 39-43.

22. Archard G.D. Back scattering of electrons. //J. Appl. Phys. --1961.-vol. 32, M 8.- C. 1505.

23. Рассеяние и отражение электронов в процессе электронолитографии /В. П. Ледовской, В. I. Марголин, М. Тирок, Т. Якимов-324// Электронная техника, сер. 3, Микроэлектроника.-1977,-вып. 5 (71).- С. 55-60.

24. Опыт применения электронолитографии для получения микроэлектронных устройств / В. И. Марголин, Т. Н. Якимов, Э. Зайдов-ский, М. Тирок //Об. Новые плазменные и электронно-ионные методы обработки материалов.- Л.- 1976.- С. 54-56.

25. Herstellung von Dunnschichtstrukturen durch Elektronenstrah-llithografie / 1. P. Ledovsko^, W. I. Margolin, M. Tierok, T. N. Jakimov // Peingeratetechnik.-1976.- J£ 5.- C. 225-226.

26. Хейденрайх Р. Основы просвечивающей электронной микроскопии.-М.: Мир, 1966, 195 с.

27. Spenser L.V. Theory of electron penetration. //Phys. Rev.--1955.- vol. 98, I 6.- G. 1597-1615.

28. Рыкалин H.H., Зуев Й.В., Углов A.A. Основы злектронно-лучевой обработки материалов.- М.: Машиностроение, 1978, С. 32-47.

29. Schwarz Н. Remark on power density, total power and pressure of electron beams as a welding, cutting and surfacing tool. // Review Scientific Instruments.-1962.- vol. 33, J 6.

30. Laranjeira M.F. Equivalent atomic number of complex targets for saturation backscattering of electrons // Rev. Portug. quim vol. 5. № 2.- C. 58.

31. Muller R.H. Interaction of beta particles with matter. // Phys. Rev.-1952.- vol. 93.- C. 891.

32. Bakker C.I., Segre M. Stopping power and energy loss for ion pair production for 340 me? protons //Phys. Rev.-1951.-vol. 81, Jfi 4.- 0. 409.

33. Hawryluk R.J., Smith H.I. on-5th International conference on Electron and Ion Beam Science and Technology, Electrochemical Society, Princeton, N.J.- 1972.- 0. 51.

34. Greenich J.S., Van-Dyser T. An exposure model for electron sensitive resists // IEEE Transaction on electron devices.--1974.- vol. ED-21, tf 5.- 0. 286-299.

35. Greenich J.S., Van-Dyser T. Model of exposure of electron sensitive resists // J. of Vac. Sci. and Technol.- 1973.-vol. 10, № 6.- 0. 1056-1059.

36. Kyser D.F., Murata K. Proceedings of the 6tb International conference on Electron and Ion Beam Science and Technology, Electrochemical Society, Princeton, N.J.- 1974.-0. 205.

37. Possin G.E., Norton J.F. Spatial distribution of 5 and 10 kilovolt electron beam ionization in solids // Proceedings of the 8th annual scanning electron microscope symposium, part. 1, Chicago, USA.- 1975.

38. Charakubiak Gleen D., Kneedler Eric M., Hwang Robert Q.

39. Characterlzation of chemically amplified resists for soft X-ray projection lithography. // J. Yac. Sei. and Teehnol. B.-1992.- vol. 10, Jfi 6.- C. 2593-2599.

40. Monima A., Yamaguchi H., Okazaki S. Three-dimensional electron-beam resist profile simulator. //J. of Vac. Sei. and Technol., В.- 1992.- vol. 10, Jft 6.- 0. 2771-2775.

41. A.C. 1272922 СССР. МКЙ3 Н 01 Ъ 21/312. Способ электронной литографии / В. И. Марголин, А. Г. Габсалямов А.Г, 3. Б. Шейдин, Г. Я. Туренко (СССР).- Jfi 3840829 (007807). Заяв. 08.01.85.

42. Вольпяс В.А., Кучеренко A.B., Марголин В.Ж. Метод определения энерговыделения в электронорезисте // Тезисы докладов второго Всесоюзного семинара "Микролитография", Черноголовка.- 1988.- С.16.

43. Кучеренко A.B., Марголин В.И. Методы моделирования процессов электронной литографии // Известия ЛЭТИ.-1988.- вып. 396 С. 76-80.

44. B. А. Вольпяс, К. А. Котельников, А. В. Кучеренко, В. И. Марголин // Сборник трудов второй Международной конференции по электроннолучевым технологиям ЭЛТ-88, Варна, Болгария. -1988.- С. 39-44.

45. Dhole S.D., Chandhart D.T., Bhoraskar V.N. Measurement of backscattering parameters with a pulsed electron beam // Meas. Sci. and Technol.- 1993.- vol. 4, 9.- C. 1006-1009.

46. Shin А., Ног C. Secondary emission properties as a function of the electron incidence angle // IEEE Trans, on Electron devices -1993.- vol. 40, M 4.- C. 824-829.

47. Hunter K.L., Snook I.K., Wagenfeld H.K. Enhanced secondary electron emission from multilayer surfaces: experiment and Monte-Carlo simulation // J. Phys. D.- 1994.- vol.27, M 8.1. C. 1769-1773.

48. Отражение килоэлектронвольтных электронов / В. П. Афанасьев, С. Д. Федорович, М. С. Есимов и др.// Ж. техн. фаз.- 1994.т. 64, № 8.- С. 180-184.

49. Заявка 1214120, МКМ4 Н01 L 21/30. Способ формирования рисунка / Иватате Кадзуми, Мацуда Хорэхито (Япония) заявл. 28.08.88, опубл. 28.08.1989, Коккай Токе кохо, сер. 7(2).--1989.- vol. 197.- С. 91-101.

50. Hawryluk R.J., Hawryluk A.M., Smith H.I. Energy dissipation in a thin polymer film by electron beam scattering // J. Appl. Phys. -1974.- vol. 45, Ш 6.- С. 2551-2556.

51. Low voltage alternative for electron-beam lithography / Y.H. Lee, R. Browning , N. Maluf et. al.// J. Vac. Sci. and. Teehnol. В.- 1992.- vol.10, X 6,- 0. 3094-3098.

52. Kyser D.P., Murata K. Quantitative electron microprobe analysis of thin films on substrates // IBM J. Res. Dev.--1974.- vol. 18.- C. 352.

53. Пат.5051598 США, МКЙ5 H 01 J 37/302. Method for correcting proximity effects in electron beam lithography /С. J. Ashton P. D. Gerber, D. P. Kern (США), заявл. 12.09.90, опубл. 24.09.91.

54. Марголин В.И., Давыдов С.Ю., Котельников К.А. Методика расчета энерговыделения в резисте под воздействием электронного пучка // Тезисы докладов VI Всесоюзного симпозиума по растровой электронной микроскопии РЭМ-89, Звенигород -1989.1. С. 54.

55. Вольпяс В.А., Кучеренко А.В., Марголин В.И. Моделирование процесса энерговыделения при экспонировании электронорезиста полубесконечным пучком электронов. // Тезисы докладов второго Всесоюзного семинара "Микролитография", Черноголовка --1988.- С. 105.

56. Котенев, Г. 0. Гаряева и др.//Материалы Всесоюзной конференции "Электронная литография и ее применение в микроэлектронике" ЦНИИ "Электроника", М., 1976.- С. 13-14.

57. Электронно-лучевая технология в изготовлении микроэлектронных приборов / под. ред. Дж.Р.Брюэра.- М.: Радио и связь.--1984.- С. 292-300.

58. Пат. 4954717 США. МКИ5 Н 01 J 40/06. Photoelectron mask and photo cathode image projection method using the same / Sakamoto Kitchi, Yasuda Hiroshi, Yamada Akio (Япония): опубл. 04.09.90, приор. 15.17.87.

59. Szaplro В., Rocca J.J., Prabhuram Т. Electron yield of glow discharge cathode materials under helium Ion bombardment // Appl. Phys. Lett.-1988.- vol. 53, J 5.- C. 358-360.

60. Джаракулов X., Рахимов P.P., Принцева H.B. Применение тер-мистора для регистрации потока атомов при исследовании вторичной эмиссии электронов // Сб. Вторично-эмиссионные иструктурные свойства твердых тел- изд-во Фан, Ташкент.--1970.

61. Арифов У.А., Рахимов P.P., Джаракулов X. Электронная эмиссия граней (110) и (111) монокристалла Мо при бомбардировке ионами и атомами гелия и аргона // Сб. Вторично-эмиссионые и структурные свойства твердых тел.- изд-во Фан, Ташкент.--1970.

62. Laklts G.,Aumayer R., Winter Я. Electronic effects In slow heavy-particle-induced electron emission from a clean metal surface // Europhys. Lett.- 1989.- vol. 10, J 7.- С. 679-685

63. Vana M., Aumayr P., Varga P. Electron emission from polycry-stalline lithium fluoride by slow multlcharged ions // Euro-phys. Lett. 1995.- vol. 29, № 1.- G. 55-60.

64. Hlrokl Selji, Maebara Sunao, Abe Tetsuys //Дэнки гаккай ром-ней A=Trans. Inst. Elec. Eng. Jap. A.-1989.- vol. 109, M 8.--C. 372.

65. Interaction of multiple charged Ions with solid surfaces / С. C. Hovener, K. J. Reed, K. J. Snowdon et. al. // Radlat. Eff. and Defects Solids -1989.- vol. 109, M 1-4.-C. 99-109.

66. Батанов P.M. Вторичная эмиссия со стекла J£ 46 под действием положительных ионов некоторых газов // ФТТ.- 1960.- т. 2,$ 9.-0. 2048.

67. Петров Н.Н., Сергеева Е.А. // Труды ЖШ.- 1970.- $ 311.-С. 89.

68. Винокуров А.А. Зависимость коэффициента кинетической ионно-электронной эмиссии от атомного номера мишени и роль атомов отдачи // Изв. АН СССР, сер. физ. -1976.- т. 40, & 8.

69. Крейндель Ю.Е. Плазменные источники электронов.- М.: Атом-издат, 1977.

70. Марголин В.И. 0 применимости газового разряда для целей проекционной электронной литографии // Изв. ТЭТУ, вып. 4931996, С. 39-43.

71. А.С. Jfi 143479 СССР, кл. 21 G, 1323. Растровый дефлектрон /Б. Д. Вонштедт // Б. И. 1961.- 1 24.- 2 С.

72. Takehiro К., Takaomi Н., Shoji A. Development of a novel electrostatic focus electrostatic deflection camera tube// IEEE Trans, on consumption electronics.- 1984.- vol. 30, №-3314.- С. 529 536.

73. Вейко В. П. Лазерная обработка пленочных элементов.- Л.: Машиностроение, 1986.- 248 с.

74. Тупик А. А. Автоматизация производства пленочных узлов на основе лазерной технологии // Изв. ЛЭТЙ: Сб. науч. тр./ Ле-нингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина). Л.: 1987.- Вып. 388 .- С. 8 - 13.

75. Лазеры в технологии / Ф. Ф. Водоватов, В. А. Чельный, В. П. Вейко и др.; Под ред. М. Ф. Стельмаха,- М.: Энергия, 1975. 246 с.

76. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел.- М.: Наука, 1964.- 488 с.

77. Рыкалин H. Н. Расчеты тепловых процессов при сварке.- М.: Матгиз, 1951.- 296 с.

78. Рыкалин H. Н., Углов А. А., Анищенко Л. М. Высокотемпературные технологические процессы: Теплофизические основы.- М.: Наука, 1986.- 171 с.

79. Козлов В. П. Двумерные осесимметричные нестационарные задачи теплопроводности.- Мн.: Наука и техника, 1986.- 392 с.

80. Мачулка Г. А. Лазерная обработка стекла.- М. : Сов. радио, 1979.- 136 с.

81. Данилевская В. И., Шефтер 3. М. Температурные поля и напряжения, возникающие в упругом полупространстве под действием осесимметричного лучистого потока // Физика и химия обработки материалов.- 1969.- $ 3.- С. 13-19.

82. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука, 1984.- 832 с.

83. Градштейн И. С«., Рыжик И. М. Таблицы интегралов, сумм, рядови произведений. М.: Наука, 1971. 1108 с.

84. Блохин М. А. Физика рентгеновских лучей, М., 1957 г.-33298. J. Chem. Phys., 1974, 61, M 2.

85. Phys. Rev., 177, 1969, Jfi 1, 151, 157.

86. Adv. in X-ray Analysis, vol. 5, 1962, 153

87. Annual. Rev. Phys. Chem., 1975, vol. 26, 211

88. Matsui SMgeo, Tanaka Kasumitsu, Kanaya Koichi Electron bean micro machining and recording by using flying spot control system // Дэнки сикэнсё ихо, Bull Electrotechn. Lab.-1969.-- vol. 33, Я 11.- C. 1337-1350.

89. Марголин В. И., Гелевер В. Д., Шабуневич В. В. Исследование возможности применения растрового микроскопа РЭМН-2 для целей электронолитографии // Изв. ЛЭТИ, Л.- 1980.- вып. 279.0. 37-41.

90. Боков Ю. С. Фото-, электроно- и рентгенорезисты.- М.: Радио и связь, 1982.

91. Моро У. Микролитография.- М.: Мир, 1990.

92. Reichmanis Е., Thompson L. P. Polymer materials for microli-thography // Annual Review of Material Science.- 1987.vol. 17.- C. 235-271.

93. Kratschmer E., Isaacson M. Progress in self-developing fluoride resists // J. Vac. Sci. and Technol., В.- 1987.- vol. 5 $ 1.- С. 369-373.

94. Seeger David Resist material and processes for X-ray lithography // IBM J. Res. and Dev.- 1993.- vol. 37, $ 3.- С. 435448.

95. Ultimate limits of lithography / Morgan Cris, Chen Glin Shan Boothroyd Chris, Bailey Simon, Humphreys Colin // Phys. World.- 1992.- vol. 5, Л 11.- С. 28-32.

96. Боков Ю. С. Методы субмикронной фотолитографии // Электрон, пром-сть.- 1994.- J6 7-8.- С. 109-113.

97. Технология СБИС/Пер. с англ.; под ред. С. Зи.- М.: Мир, 1986

98. Burgraaf P. Lithography news // Semicond. Int.- 1994.- vol. 17, $ 3.- С. 28.

99. Хокс П. Электронная оптика и электронная микроскопия.- М.: Мир, 1974.

100. Васичев Б. Н. Электроныо-зондовый микроанализ тонких пленок. М.: Металлургия, 1977.-334120. Попов В. К., Ячменёв С. Н. Расчёт и проектирование устройств электронной и ионной литографии.- М.: Радио и связь, 1985.

101. Сатаров Г. X., Блинов И. Т., Гаряева Г. 0. Современное состояние электронно-лучевого оборудования // Микроэлектроника. 1980.- т. 9, вып. 6.- С. 310-318.

102. Микроанализ и растровая электронная микроскопия / Под ред. Ф. Морис, Л. Мени, Р. Тиксье.- М.: Металлургия, 1985.

103. Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов: Справочник / Н. Н. Рыкалин, А. А. Углов, И. В. Зуев, А. Н. Кокора.-М.: Машиностроение, 1985.

104. Практическая растровая электронная микроскопия / Под ред. Дж. Гоулдстейна, X. Яковица.- М.: Мир, 1978.

105. Исследование литографических характеристик и параметров эле-ктронорезистов / С. Л. Гладко, А. В. Кучеренко, В. Ф. Лима-нова, В. И. Марголин // Сб. Материалы электронной техники.-М.- 1989.- С. 75-78.

106. Григайтис П. П., Марголин В. И. 0 влиянии энергии экспонирующих электронов на свойства образуемых защитных рельефов // Сб. трудов Межд. конф. по электронно-лучевым технологиям ЕЛТ-85, НРБ, София.- 1985.- С. 577-582.

107. Proposals and experiments on large area exposure In synchrotron radiation lithography / H.Tanino, K.Hoh, M.Hirata et al. // J.Yac.Sci.Technol.-1985.- Ш 1.- C. 232-236.

108. Application of SOR lithography to 0,2 ^m LSI fabrication / Deguchi Klmiyoshi, Miyoshi Kazunori, Ban Hiroshi et al. // NTT Review.- 1995.- vol. 7, 4.- C. 51-54.

109. Ishihara Sunao The development of SOR lithography technology // NTT Review.- 1995.- vol. 7, В 4.- С. 18-25.

110. Hoffman A.L., Albrecht G.P., Crawford E.A. High brightness laser/plasma source for high throughput submicron X-Ray lithography // J.Vac.Sci.Technol.~1985,- J 1.- C. 258- 261.

111. Плазменные источники мягкого рентгеновского излучения / Н.Г. Басов, Ю.А.Быковский, А.В.Виноградов и др. // Поверхность. Физ.хим.мех.-1985.- Jé 9.- С. 5-14.

112. Опыты по рентгенолитографии с лазер-плазменным источником / В.П.Автономов, К.М.Врагов, Ю.Г.Геонджиан и др. // Тез. докл. 3-го Всес. семинара "Микролитография", Черноголовка.- 1990.1. С. 77.

113. Эксперименты по получению изображений субмикронных структур в мягких рентгеновских лучах / И.А.Артжов, А.В.Виноградов, В.В.Кондратенко и др. // Микроэлектроника.- 1996.- т. 25, $ 1.- С.- 54-59.

114. Быстров Ю. А., Иванов С. А. Ускорительная техника и рентгеновские приборы.- М.: Высш. шк.,1983.

115. Bearden I. A. X-ray wavelengthe.-Rev. Mod. Phus. v. 39 (1). 1967.- С. 76-124.

116. Lyman I. Scalling the barriere to VLSs hine lines Electronics, 1980, v. 53, J® 14, C. 115-126.

117. Казберук Я., Марголин В.И. Процессы рентгеновской литографии в микротехнологии. СПб ТЭТУ.- 1997.- 162 с. ил. 29 -Библиогр. 281 назв.- Деп. в ВИНИТИ

118. Langmuir J. The effect of the space charge and termolonic current between parallel plane electrodes.- Phys. Review,1923, Bd.21, C. 419-435.

119. Варбарич И. H., Иванов А. Н., Титов А. А. Устранение неопределенности в расчете объемного заряда в прикатодной области при решении задачи самосогласованного поля.- В кн.: Электроника: Межвуз. сб. Рязань: РРТИ, 1978, вып. 5, С. 98102.

120. Добрецов Л. Н., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника.-М.:1. Наука, 1966.

121. Ермак В. В. Модели активных компонентов с термокатодом для схемотехнического проектирования вакуумных интегральных схем. В кн.: Задачи физической электроники: ML: Наука, 1982, С. 231-243.

122. Sabchevski S., Mladenov G., Titov A. A., Barbarich I. N., Vereshchagin D. Models and software for computer simulation of technological electron-optical systems//Proc. 4th International Symp. Electron Beam Technology "EBT-94", Varna, 1994, C. 40-48.

123. Марголин В.И., Вистунов С.В., Святогоров Д.В. Разработка лабораторной работы "Моделирование процесса электронной литографии методом диаграммной техники" // Тез. докл. регион. конф. "Современные технологии обучения", С.Пб.- 1996.-С. 44.

124. Марголин В.И., Вистунов С.В. Разработка комплекса лабораторных работ по современным технологиям обучения //Тез. докл. регион, конф. "Современные технологии обучения", С.Пб.-1996.- С. 111-112.

125. Исследование литографических характеристик и параметров эле-ктронорезистов / Гладко С.Л., Кучеренко А.В., Лиманова В.Ф., Марголин В.И. // Сб. Материалы электронной техники.- М. 1989.- С. 75 78.

126. Григайтис П. П., Марголин В. И. 0 влиянии энергии экспонирующих электронов на свойства образуемых защитных рельефов // Сб. трудов Международной конференции по электронно-лучевым технологиям ЕЛТ-85, НРБ, София.- 1985.- С. 52.

127. Марголин В. И. Низковольтные режимы обработки тонких пленок резиста электронным лучом в вакууме // Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, Ленинград, ЛЭТИ им. В. И. Ульянова (Ленина), 1984.

128. Марголин В.Ж., Гуров С.А. О некоторых особенностях низковольтной электронолитографии // Тез.докл. Всес. симп. "Применение электронной микроскопии в современной технике" М.1978.- С. 130.

129. Марголин В., Гуров С., Лиманова В. Некоторые особенности экспонирования резистов в низковольтном режиме // Сб. Физическая электроника, Каунас.- 1979.- С. 45-46.

130. Margolin 7.1., SeidowskI Е. Untersuchungen zur Niederspan-nungs-Elektronenstrahllithografie // Feingeratetechnik.1979.- J 8.- C. 351-353.

131. Марголин В.Ж., Гуров O.A. Об экспериментальной проверке применимости закона Вете-Блоха для расчета взаимодействия низковольтного электронного луча с органическими резистами // Письма в ЖТФ.- 1979.- т. 5, вып. 6.- С. 331-333.

132. Белиовский А. Е., Корсаков В. С., Мартынов В. В. Высоковольтная электронно-лучевая литография для изготовления структур ультра СБИС.- Электронная промышленность, 1994.- J 7-8.- С. 124-127.

133. Ultimate limits of lithography / Morgan С., Chen Glin Shan, Boothroyd C., Bailey S. // Phys. World.- 1992.- vol. 5, M 11С. 28-32.

134. Марголин В.И. Особенности технологического процесса злектронолитографии в низковольтном режиме // Тез.докл. научн.-техн.конф., серия 3, Микроэлектроника, вып. 3 (112). М.: ЦНИИ Электроника. 1978.- С. 39-40.

135. Марголин В., Кучеренко А., Якимов Т. Исследование облученных электронами поверхностных пленок электронорезистов // Сб. Физическая электроника, Каунас.- 1987.- С. 153.

136. От субмикронной к нанотехнологии / Ю. С. Боков, Б. С. Борисов, В. В. Ракитин, Н. С. Самсонов // Электронная промышленность, 1994. $ 7-8.- С. 99-102.

137. Polaste) К. J., Yau Y. W. Low energy electron lithography // Opt. Eng.- 1983.- vol. 22, » 2.- C. 195-198.

138. Low voltage electron beam lithography /Petersen P. A., Rad-simskl Z.J., Beliwaim S.a., Rüssel P.e. // J. Vacs. Sol. and-339

139. Technol-- vol. Б 10, 1 б.- С. 3088-3093.

140. Burggraf P. bow voltage alternative lor electron beam lithography // Semicond. Int.- 1992.- vol. 15, » 8.- C. 32.

141. Ishii Kiyoshi, Matsuda Tabanito Sub-100 nm-scale patterning using a low-energy electron beam // Jap.J.Appl.Phys. Pt.2.-1992.- vol. 31, 1 6 A.- C. 744-746.

142. Houll В., Umansky V., Helbium M. Low energy electron beam lithography with 30 nm resolution // Semicond. Sol. and Tec-hnol.- 1993.- vol. 8, № 7.- C. 1490-1492.

143. Manometer lithography on silicon and hydrogenated amorphous silicon with low energy electrons/Kramer N., Jorritisma.J., Birk H., Schonenberger C. // J. Vac. Sci. and Technol. B.-1995.- vol. 13, ji 3.- C. 805-811.

144. Resists and processes for 1 kV electron beam microcolumn lithography / Lo C. W., Rooks M. J., Lo W. K., Isaacson M., Craighead Я. G. // J. Vac. Sci. and Technol. В.- 1995.- vol. 13, № 3.- C. 812-820.

145. Мартынова Т. H., Никулина Л. Д., Логвиненко В. А. Сухие ре-зиоты на основе разно лигандных комплексов лантанидов // Сб. трудов II Межд. конференции по электронно-лучевым технологиям ЕЛТ- 88, НРБ, София.- 1988.- С. 339-344.

146. Григайтис П., Марголин В. Особенности экспонирования резистов в ионной микролитографии // Сб. Физическая электроника. Каунас. 1983.- С. 117.

147. Григайтис П., Ионялюнас С., Марголин В. Сенситометрические характеристики ионно-лучевого экспонирования сухого резиста // Сб. Физическая электроника.- Каунас. 1988,- С. 53-54.

148. Влияние процесса ионного травления на свойства магнитных интегральных схем / Б. П. Трубицын, П. П. Пахомов, А. П. Царе-городцев, В. I. Марголин // Известия ЛЭТИ.- Л. 1976.- Вып. 190.- С. 79 81.

149. Исследование края при ионном травлении пленок ЖИГ методами растровой электронной микроскопии / В.И Марголин, H.A. Пот-сар, В.И. Шаповалов, Г.Я. Туренко // Тезисы докладов Всес. симпозиума РЭМ-84,. М.- 1984.- С. 51.

150. Топографическое проектирование СБИС с элементами субмикронного разрешения / В. Д. Вернер, М. Б. Гущин, Ю. Н.Дьяков, А. Н. Кононов, А. В. Никитин, В. В. Покровский, И.Я. Омоляниц-кий, А. Ф. Урахчин // Препринт, ИПТМ АН СССР,Черноголовка.-1986.

151. А.с. 1072675 СССР. МКИ3 Н 01 121/312. Способ электронной литографии / А.Г.Габсалямов, В.И.Марголин, И.В.Берг (СССР).- J 3467405.- Заявл. 06.07.82; Зарегистрир. 08.10.83.

152. Proximity exposure compensation and resist debris formation In electron beam lithography / Denshmukh P. R., Singh M., Rangra K. J. et al // J. 7ac. Sci. and Technol.,B. 1992.-vol. 10, J 1.- C. 179-182.

153. Способ формирования рисунка. Заявка 1214120, Япония. МКИ4 Н01 L 21/30, Ивататэ Кадзуми, Маууда Хорэхито. Заявл. 28.08 .88, опубл. 2.8.08.89 // Кокай Токке кохо. Сер. 7(2) 1989.-vol. 197.- С. 91-101 .

154. Способ электронно-лучевой литографии. Заявка 212809, Япония, МКИ5 Н01 Ъ 21/027 Икэнаса Осаму, Иосикава Рейти. Заявл. 30. 06.88, опубл. 17.1.90. Кокай Токке кохо. сер. 7(2).- 1990.-vol. 15.- С. 37-46.

155. Method for correcting proximity effects In electron beam lithography. Pat. 5051598 США, МКИ5 H01 J 37/302 /Ashton C. J., Gerber P.D., Kern D. P. Заявл. 12.9.90, опубл. 24.9.91 НКЙ 250/492.2

156. Modification of E-beam latent Images In negative resistby exposure to monocromatic deep UV flood light / Ban Hiro-shi, Moriya Shigeru, Nakamixra Jiro, Tanaka Akinobu // Jap. J. Appl. Phys. Pt 2.- 1991 .- vol. 30, Jfi 12.- C. L 2139 L 2141 .

157. A.c. 938705 СССР. МКЙ3 H 01 Ъ 21/312. Способ получения защитного рельефного изображения / И.В.Берг, А.Г.Габсалямов, С.А.Гуров, В.И.Марголин (СССР).- № 3229847.- Заявл. 31.12.-34280; Зарегистрир. 23.02.82.

158. The silicon nitride films for reduction of line width and proximity effects in electron beam lithography / Dobiss E. A., Marrian С. В. K., Shirey L. M., Ancona M. // J.Vac.Sci. and Technol. В.- 1992.- vol. 10, » 6.- G. 3067-3071 .

159. Komal lasatsugi, Yotsumoto Shu, Fuflwara Hideki Sumitoma klnzoki // Sumitomo metals.- 1993.- vol. 45, ifi 6.- G. 69-76.

160. Knapek E., Hintermater M. Stand dee proximity korrektur Inder Elektronenstrahllithography // Tag. Maskentechn. Mlkroelektronlkbanstain VDI Ber.- 1992.- Ji 1012.- С. 101113.

161. А.с. 1324475 СССР. MKI3 G 03 F 7/26 , 0 03 f 1/00. Способ электронной литографии / В.й.Марголин, Г.Я.Туренко, Г.А.Га-бсалямов, Я.Казберук (СССР).- Ш 3866544.- Заявл. 21.01.85; Зарегистрир. 15. 03.87.

162. А.с. 1394972 СССР. МКИ3 G 03 Ри7/26, Н 01 Ь 21/312. Способ микролитографии / В.И.Марголин, Г.Я.Туренко, А.Г.Габсалямов, А.В. Кучеренко, Е.И.Ададуров (СССР).- » 4079052.- Заявл. 23.06.86; Зарегистрир. 08.01.88.

163. Compensation of lithographic and etch proximity effects. Пат. 5057462 США, МКИ* H01 Ъ 21/312/ Eisenberg J. Я., Pritinger I». В., Заявл. 27.9.89, опубл. 15.10.91.

164. Ion beam modification of Mo-SI multilayer systems for X-ray reflection / Verhoeven J., Chunguang Lu, Puik E. J., WIel van der // Appl. Surface Scl.-1992.- vol. 55, J 2-3.- C. 97103.

165. Лукирский А. П., Врытов И. А. ПТЭ, т. 5, 66 (1965)

166. Лукирский А. П., Врытов И. А., Грибовский С. А. Оптика и спектроскопия, т. 20,368, (1966)

167. Sullivan P.А., Мс Coy J.H. IEEE Trans. Electron Devices,1. ED 23 (4), С.412, 1976.

168. Adv. in X-ray Analysis, vol. 17, G. 150, 1979, Plenum Press, N.Y.

169. A.o. 1397282 ССОР. МКЖ3 В 25 J 18/06 // В 25 J 1/02. Манипулятор / А.Г.Габсалямов, З.В.Шейдин, В.И.Марголин, О.М. Шевчук (СССР).- Л 4143671.- Заявл. 06.11.86; Зарегистрир. 22.01.86.

170. А.с. 1646437 СССР. МКИ3 Н 01 J 9/236. Способ формирования электродов электростатической отклоняющей системы / Г.Я. Туренко, Р.М.Степанов, А.А.Тупик, Д.К.Лидер, В.И.Марголин, В.В.Рыбалко (СССР).- Л 4663483.- Заявл. 20.03.89; Зарегистрир. 03.01.91.

171. А.с. 1443694 СССР. МКИ3 Н 01 Ъ 21/312. Способ нанесения слоя фоторезиста на внутреннюю поверхность полого цилиндра / Г.Я. Туренко, В.И.Марголин (СССР).- Л 4144261.- Заявл. 10.11.86; Зарегистрир. 08.08.88.

172. А.с. 1589905 СССР. МКИ3 Н 01 J 31/00. Способ создания рисунка на внутренней поверхности изделия цилиндрической формы / В.И.Марголин, Г.Я.Туренко, Н.А.Потсар, А.А.Тупик, Т.В. Лебедева (СССР).- Л 4446099.- Заявл. 22.04.88; Зарегистрир. 01.05. 90.

173. А.с. 1493006 СССР. МКИ3 Н 01 J 9/42. Способ контроля топологии внутренней металлизированной поверхности дефлектрона / Г.Я. Туренко, В.И.Марголин, Т.В.Лебедева (СССР).- Л 4350645.- Заявл. 09.11.87; Зарегистрир. 08.03.89.

174. А.с. 1093110 СССР. МКИ3 Н 01 L 21/302. Способ получения защитного рельефного изображения / А.Г.Габсалямов, В.И.Марголин, Г.Я. Туренко, И.В.Берг, С.А.Гуров (СССР).- Л 3384709.-Заявл. 26.11. 81; Зарегистрир. 15.01.81.

175. Пат. 4313284 США, МКИ В24 В7/04, НКИ 51/131.4. Устройстводля улучшения плоскостности полированных подложек / Р.Д. Вальш // Опубд. 02.02.82.

176. Пат. 57-45060 Япон., МКИ н 01 L 21/322. Геттерирование дефектов в подложках / К.Като // Опубл. 25.09.82.

177. Пат. 4475223 США, МКИ G21 К50/00, НКИ 378/34. Процесс и система экспонирования / М.Танигуши, М.Коизуми, Н.Акияма и др. // Опубл. 02.10.84.

178. Устройство для деформации тонких пластин / Ю.Кэндо, А.Куни, Н.Акияма и др.- Заявл. 10.12.82- Л 59-106118 Япон., МКИ Н 01 121/30, G03 Р7/20 // Опубл. 19.06.84.

179. Пат. 56-8494 Япон., МКИ Н 01 121/30. Устройство для экспонирования / Ю.Хориничи // Опубл. 24.02.81.

180. А.с. 907640 СССР, МКИ Н 01 L21/463. Способ выпрямления полупроводниковых структур/Д.Е.Павленко // В.И.-1982.- $ 7.

181. Пат. 4391511 США, МКИ G03 В27/52, НКИ 355/40. Установка дня экспонирования /Н.Акияма, Ю.Кэмбо, Я.Накагава и др.//Опубл. 05.07.83.

182. Пат. 57-6689 Япон., МКИ Н 01 L21/30. Устройство дня коррекции плоскостности тонких пластин / Ю.Оцука, Т.Оайто, Х.Ва-танабэ // Опубл. 06.02.82.

183. Методы получения сферических полупроводниковых пластин с монокристаллическим рабочим слоем / Я.Казбурук, В.й.Марголин, М.Казберук и др. // Тез.докл.респ.конф. Физическая электроника.- Каунас.- 1986.- С. 47-48.

184. Заявка Р-257802 ПНР, МКИ Н 01Ъ. Способ изгиба полупроводниковых подложек интегральных микросхем с монокристаллическим слоем / Я.Казберук, В.И.Марголин, Я.Вавер, В.А.Ставиковски. Заявл. 05.02.86, опубл. 26.08.86, Бил. X 17/86.

185. Заявка Р-254945 ПНР, МКИ Н 01 L. Способ механического изгиба подложек интегральных микросхем. / Я.Казберук, В.И.Марголин,

186. М.Казберук, Г.Я. Туренко. Заявл. 12.08.85, опубл. 06.05.86, Бил. £ 9/86.

187. Измерения и контроль в микроэлектронике / Н.Д.Дубовой, В.И. Осокин, А.С.Очков и др; под ред. А.А.Сазонова.- М.: Высш. шк., 1984.

188. Пат. 57-33698 Япон., МКИ Н 01 21/02, н 01 L21/208. Способ изготовления пластин кристаллического кремния / С.Сато // Опубл. 19.07.82.

189. Заявка P-256003 ПНР, МКИ H 01 G, P 21 К, G 03 С. Способ изготовления рентгеношаблона / Я.Казберук, В.И.Марголин, М.Казберук. Заявл. 30.10.85, опубл. 03.06.86, Бюл. № 11/86.

190. Электронно-лучевая технология в изготовлении микроэлектронных приборов / пер.с англ.; Под ред. Дж.Р.Брюэра.- М.: Радио и связь, 1984.

191. Заявка Р-256000 ПНР, МКИ В 41 М . Устройство для нанесения вязкого фоторезиста на поверхность подложки / Я.Казберук, В.И.Марголин, М.Казберук, Г.Я.Туренко. Заявл. 30.10.85, опубл. 20.05.86, Бюл. » 10/86.

192. Заявка Р-256001 ПНР, МКИ В 41 М. Устройство для нанесения вязкого фоторезиста на поверхность подложек / Я.Казберук, В.И.Марголин, М.Казберук. Заявл. 30.10.85, опубл. 20.05.86, Бюл. » 10/86.

193. А.с. 141665 ПНР. МКИ3 С 23 С 14/24. Способ вакуумного термического напыления / Я.Казберук, В.И.Марголин, Г.Я.Туренко, М.Казберук.- Л Р-256004.- Заявл. 30.10.85, опубл. 20.05.86,1. Енш.Я 10/86.

194. А.с. 145635 ПНР. МКИ3 Н 01 Ъ 21/312, G 03 G 5/00. Способ рентгеновской литографии / Я.Казберук, В.И.Марголин, Г.Я. Туренко.- Л Р-251649.- Заявл. 23.01.85, опубл. 13.08.85, Бюл. J£ 17/85.

195. Марголин В., Казберук Я., Казберук М., Туренко Г., Якимов Т. Методика повышения производительности и разрешающей способности процесса рентгеновской литографии // Сб. Физическая электроника, Каунас.- 1986.- С. 46-47.

196. Czekaj S., Wawer J., Kazberuk J., Margolin W.I., Stawikowski W., Sledzinski S. X-Ray litography efficiency and space resolution increase // IPPIM Report J 1/86.- Warszawa.- 1986.-C.1-9.

197. Заявка P-256002 ПНР, МКИ H 01 Ъ, G 21 К, F 03 С. Устройство для экспонирования мягким рентгеновским излучением / Я. Казберук, В.И.Марголин, Г.Я.Туренко, М.Казберук. Заявл. 30.10.85, опубл. 03.06.86, Вюл. J6 11/86.

198. Устройство для экспонирования мягким рентгеновским излучением / К.Одзава.- Заявл. 30.03.76., № 58-55659 Япон., МКИ Н 01 121/30, G 03 F7/20 // Опубл. 20.12.83.

199. А.с. 473237 СССР, МКИ Н 01 J 35/02, Рентгеновская трубка / Ю.П.Храбров // В.И.-1975.- J 21.

200. Заявка Р-260611 ПНР, МКИ Н 01 L. Устройство для экспонирования мягким рентгеновским излучением / Я.Казберук, В.И.Марголин, М.Казберук. Заявл. 14.07.86, опубл. 27.06.87, Бюл. Ш 15/87.

201. Генератор мягкого рентгеновского излучения / А.Накано, Ю.Хи-рацука.- Заявл. 26.07.82. Ш 59-19321 Япон., МКИ Н 01 L21/30 Н 01 J35/18 // Опубл. 31.01.84.

202. Пат. 4439244 США, МКи В 08 В7 /00, НКИ 144/33. Способ удаления фоторезиста с периферии подложки / Т.Алевато// Опубл.27. 03.84.

203. Способ нанесения фоторезиста на полупроводниковые пластины / Л.Германе, В.Мор. Р.Зигуш.- Заявл. 19.04.83. $ 3314156 ФРГ, МКИ G 03 F 7/16 // Опубл. 25.10.84.

204. Способ уменьшения разброса ширины линий из фоторезиста / Ж. Трагер, Р.Зигуш, В.Арден.- Заявл. 30.04.82. J 3216268 ФРГ, МКИ G 03 F 7/16, н 01 L 21/31 // Опубл. 03.11 .83.

205. А.с. 146156 ПНР. МКИ3 H 01 L 21/26, G 03 В 42/02. Устройство для экспонирования мягким рентгеновским излучением / Я. Казберук, С.А.Иванов, В.И.Марголин, М.Казберук.- Jfi Р-253180 Заявл. 02.05.85, опубл. 22.10.85, Вюл. » 22/85.

206. Everhart Т.Е. Electron scattering In solids // J.Appl.Phys. .- 1960.- » 8.- С. 1483.

207. Моделирование процесса формирования скрытого изображения при экспонировании резиста электронным пучком / К.А.Валиев, Л.В. Беликов, А.Н.Кириллов и др. // Микроэлектроника.- 1986.-вып. 1 .- С. 61-65.

208. Expo-sure and development simulations for nanometer electron beam lithography / N.Samoto, R,Shimizu, H.Hashimoto et al. // J.Vac.Sci.Technol.-1983.- J 4.- C. 1367-1371.

209. Kyser D.P. Spatial resolution limits in electron beam nano-lithography // J.Vac.Sci.Technol.-1983.- » 4.- С. 1391-1397.

210. Заявка P-251743 ПНР, МКИ H 01 Ъ. Устройство электронно-лучевого экспонирования / Я.Казберук, В.И.Марголин, М.Казберук. Заявл. 29.01.85, опубл. 17.12.85, Бяш. J® 26/85.

211. Заявка Р-251744 ПНР, МКИ H 01 L. Устройство электронно-лучевого экспонирования / Я.Казберук, В.И.Марголин, Г.Я.Туренко. Заявл. 29.01.85, опубл. 17.12.85, Бнш. M 26/85.

212. Установка для электронно-лучевой литографии / С.Танино,

213. Заявл. 20.01.75. Ш 54-20398 Япон., МКИ Н 01 Ь 21/30 // Опубл. 09.10.79.

214. А.с. 145407 ПНР. МКИ3 Н 01 Ъ 21/312, в 03 О 5/00. Способ электронной литографии / В.И.Марголин, Г.Я.Туренко, А.Г. Габсалямов, Я.Казберук.- Л Р- 251831.- Заявл. 04.02.85, опубл. 13.08.85, Бюл. » 17/85.

215. Марголин В.И. Исследование применимости пучковых технологий для литографии на неплоских подложках // Вакуумная техника и технология.- 1996.- т. 6, Ш 1.- С. 23-25.

216. Казберук Я., Марголин В.И. Совместимость применения изогнутых подложек с другими процессами пленарной технологии // Сб. трудов 2-ой Межд. конф. по электроннолучевым технологиям ЭЛТ-88, Варна, Болгария.- 1988.- С. 441-446.

217. Казберук Я., Марголин В.И. Исследование применимости метода обратимой деформации подложек для пучковых технологий // Сб. докл. 3-го Всес. координационного совещания "Электронная литография", Черкассы.- 1988.- С. 191-198.

218. Казберук Я., Марголин В.И. Исследование возможности применения изогнутых подложек в микролитографии // Сб. трудов 2-ой Межд. конф. по электроннолучевым технологиям ЭЛТ-88, Варна, Болгария.- 1988.- С. 436-440.

219. Марголин В.И., Туренко Г.Я., Казберук Я. Некоторые методики улучшения характеристик электронолитографического процесса // Тезисы докл. Всес. конф. "Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники", Минск.- 1985.- ч. 2.- С. 25.

220. А.с. 1301240 СССР. МКИ3 Н 01 Ъ 21/312, С 03 Р7/26. Способ рентгеновской литографии на гибких подложках / Я.Казберук, В.И. Марголин, Г.Я.Туренко (СССР).- № 3866545.- Заявл. 21.01.85; Зарегистрир. 01.12.86.

221. А.с. 1335040 СССР. МКИ3 Н 01 J 35/10. Вращающийся анод длягенерации мягкого рентгеновского излучения / Я.Казберук (ПЕР), С.А.Иванов, В.И.Марголин (СССР), М.Казберук (ПНР).- Л 3923359.- Заявл. 17.05.85; Зарегистрир. 01.05.87, ДСПя

222. А.с. 146155 ПНР. МКИ Н 01 J 35/10. Вращанщийся анод для генерации мягкого рентгеновского излучения / Я.Казбурук, С.А. Иванов, В.И.Марголин, М.Казбурук.- J Р-253179.- Заявл. 02.05.85, опубл. 22.10.85, Бюл. Л 22/85.

223. Thornton P.R. In scanning electron microscopy.- London: Chapman and Hall, 1968.

224. Марголин В, Казберук Я., Казберук М., Сюда С. Модель расчета плотности выделенной в резисте энергии с размножением траекторий рассеянных в слое резиста электронов // Сб. Физическая электроника, Каунас.- 1987.- С. 151.

225. Казберук Я., Марголин В.И., Казберук М. Исследование профилей изображения в резисте на неплоских подложках //Тезисы докл. 2-го Всес. семинара "Микролитография", Черноголовка.-1988.- С. 17.

226. Казберук Я., Марголин В.И., Якимов Т.Н. Взаимодействие электронного пучка с не плоскими подложками // Тезисы докл. V1 Всес. симпозиума РЭМ-84, Звенигород.- 1989.- С. 44.

227. Заявка Р-260612 ПНР, МКИ Н 01 L. Способ рентгеновской литографии / Я.Казберук, В.И.Марголин, М.Казберук. Заявл. 14.07.86, опубл. 27.06.87, Бюл. Л 15/87.

228. Казберук Я., Марголин В.И. Методика уменьшения влияния эффектов близости в процессе электронолитографии // Межвузовский сб. "Лучевая технология электронной техники: моделирование и эксперимент". М:. 1988.- С. 122-126.

229. СПИСОК ОСНОВНЫХ РАБОТ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ1. МОНОГРАФИИ

230. Марголин В.И. Аналитическое моделирование технологического процесса электронной литографии. СПб ТЭТУ.- 1996.- 288 с. ил. -Еиблиогр. 295 назв.- Деп. в ВИНИТИ 26.06.96, $ 2137-В96.

231. Казберук Я., Марголин В.И. Процессы рентгеновской литографии в микротехнологии. СПб ТЭТУ.- 1997.- 162 с. ил. 29 Виблиогр. 281 назв.- Деп. в ВИНИТИ 30.06.97 $ 2134-В97.

232. СТАТЬИ, ДОКЛАДЫ, ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ

233. Ледовской В.П., Марголин В.И., Тирок М.Т., Якимов Т.Н. О физической модели процесса электронолитографии // Сб. "Методы миниатюризаций и автоматизации производства компонентов ЭВМ", Киев.-1974.- С. 28-38.

234. Ледовской В.П., Якимов Т.Н., Вашкялис В.П., Марголин В.И. Области применения электронолитографии и размерной обработки тонких пленок // Сб. "Методы миниатюризации и автоматизации производства компонентов ЭВМ", Киев.- 1974.- С. 39-43.

235. Марголин В.И., Якимов Т.Н., Зайдовский Э.М., Тирок М.Э. Опыт применения электронолитографии для получения микроэлектронных устройств // Сб. Новые плазменные и электронно-ионные методы обработки материалов.- Л.- 1976.- С. 54-56.

236. LedovskoJ W.P., Margolin W.I., Tierok М., Jaklmov T.N. Herstellung von Dunnschichtstrukturen durch Elektronenstrahlllthog-rafie // Peingeratetechnlk.- 1976.- M 5.- C. 225-226.

237. Дедовской В.П., Марголин В.И., Якимов Т.Н. Влияние режима экспозиции и контрастности резиста на разрешение электронолитогра-фического метода // Сб. "Физико-технологические вопросы кибернетики", Киев.- 1977.- С. 46-54.

238. Дедовской В.П., Марголин В.Ж., Тирок М.Э., Якимов Т.Н. Рассеяние и отражение электронов в процессе электронолитографии // Электронная техника, сер. 3, Микроэлектроника.- 1977.- вып. 5 (71).- С. 55-60.

239. Марголин В.И., Гуров С.А. 0 некоторых особенностях низковольтной электронолитографии // Тезисы докладов Всес. симпозиума "Применение электронной микроскопии в современной технике" М.-1978.- С. 130.

240. Марголин В., Гуров С., Лиманова В. Некоторые особенности экспонирования резистов в низковольтном режиме // Сб. Физическая электроника, Каунас.- 1979.- С. 45-46.

241. Марголин В.И. Особенности технологического процесса электронолитографии в низковольтном режиме // Тез. докл. научн.-техн.конф., серия 3, Микроэлектроника, вып. 3 (112). М.: ЦНИИ Электроника. 1978.- С.- 39-40.

242. Марголин В.И., Гуров С.А. Об экспериментальной проверке применимости закона Вете-Блоха для расчета взаимодействия низковольтного электронного луча с органическими резистами // Письма в ЖТФ.-1979.- т. 5, вып. 6.- С. 331-333.

243. Margolin V.l., Seidowski Е. Untersuchungen zur Niederspan-nungs- Elektronensträhllithografie // Peingeratetechnik.- 1979.» 8.- G. 351-353.

244. Марголин В.И., Вольпяс В.А., Гуров O.A. Исследование физических процессов при низковольтной электронолитографии // Тезисы докладов XXV Всес. научн. сессии, поев. Дню радио.- М.: Сов. радио. 1980.-С. 51-52.

245. Марголин В.И. Генерация рисунка на резисте с помощью растрового электронного микроскопа // Тезисы докл. Всес. симпозиума Применение новых электронно-микроскопических методов в технологии, 8-10 окт. 1980, г. Звенигороду.: -1980.- С. 65.

246. Марголин В.И., Гелевер В.Д., Шабуневич В.В. Исследование возможности применения растрового микроскопа РЭМН-2 для целей электронолитографии // Изв. ЛЭТЙ.- 1980.- вып. 279.- С. 37-41.

247. Григайтис П., Марголин В. Особенности экспонирования резистов в ионной микролитографии // Сб. Физическая электроника, Каунас.-1983.- С. 117.

248. Марголин В., Туренко Г., Кузьмин А. Об улучшении параметров процесса электронной литографии // Сб. Физическая электроника, Каунас.- 1985.- С. 28-29.

249. Григайтис П.П., Марголин В.И. О влиянии энергии экспонирующих электронов на свойства образуемых защитных рельефов // Сб. трудов I Межд. конф. по электронно-лучевым технологиям ЕЛТ-85, София, Болгария.- 1985.- С. 577-582.

250. Вольпяс В.А., Марголин В.1. Расчет процесса энерговыделения в слое электронорезиста // Сб. трудов I Межд. конф. по электроннолучевым технологиям ЕЛТ-85, София, Болгария.- 1985.- С. 53.

251. Марголин В.И., Туренко Г.Я., Казберук Я. Некоторые методики улучшения характеристик электронолитографического процесса // Тезисы докл. Всес. конф. "Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники", Минск.- 1985.- ч. 2.- С. 25.

252. Давыдов С.Ю., Марголин В.И. К расчету теплового расширения полупроводниковых кристаллов методом связывающих орбиталей // ФРГ.- 1985.- Т. 27, вып. 12.- С. 3711-3713.

253. Марголин В., Казберук Я., Казберук М., Туренко Г., Якимов Т. Методика повышения производительности и разрешающей способности процесса рентгеновской литографии // Сб. Физическая электроника, Каунас.- 1986,- С. 46-47.

254. Марголин В., Казберук Я., Казберук М., Туренко Г., Якимов Т. Методы получения сферических полупроводниковых пластин с монокристаллическим рабочим слоем // Сб. Физическая электроника, Каунас.- 1986.- С. 47-48.

255. Вольпяс В.А., Григайтис П.П., Кучеренко A.B., Марголин В.И. Моделирование процесса энерговыделения в резисте методом диаграммной техники // Сб. трудов 7 Межд. конф. ФЕНТО Микрозлектроника-86, Пловдив, Болгария.- 1986.- т. 3.- С. 314-321.

256. Марголин В, Казберук Я., Казберук М., Сюда С. Модель расчета плотности выделенной в резисте энергии с размножением траекторий рассеянных в слое резиста электронов // Сб. Физическая электроника, Каунас.- 1987.- С. 151.

257. Марголин В., Кучеренко А., Якимов Т. Исследование облученных электронами поверхностных пленок электронорезистов // Сб. Физическая электроника, Каунас.- 1987.- С. 153.

258. Czekaj S., Wawer J., Kazberuk J., Margolin W.I., Stawikowski W., Sledsinski S. X-Ray litography efficiency and space resolutIon increase // IPPIM Report Л 1/86,- Warszawa.- 1986.- C.1-9.

259. Давыдов С.Ю., Марголин В.И. Лазерная спекл-интерферометрия напряженного состояния поверхности // Тезисы докл. 3 Всес. конф. "Применение лазеров в технологии и системах передачи и обработки информации". Таллин.- 1987.- т. 3.- С. 166.

260. Григайтис П., Ионялюнас С., Марголин В. Сенситометрические характеристики ионно-лучевого экспонирования сухого резиста // Сб. Физическая электроника, Каунас,- 1988.- С. 53-54.

261. Казберук Я., Марголин В.И. Методика уменьшения влияния эффектов близости в процессе электронолитографии // Межвузовский сб. "Лучевая технология электронной техники: моделирование и эксперимент". М:. 1988.- С. 122-126.

262. Вольпяс В.А., Кучеренко A.B., Марголин В.И. Метод определения энерговыделения в резисте // Тезисы докл. 2-го Всес. семинара "Микролитография", Черноголовка.- 1988.- С. 16.

263. Казберук Я., Марголин В.И., Казберук М. Исследование профилей изображения в резисте на неплоских подложках //Тезисы докл. 2-го Всес. семинара "Микролитография", Черноголовка.- 1988.- С. 17.

264. Вольпяс В. А., Кучеренко A.B., Марголин В.И. Моделирование процесса энерговыделения при экспонировании электронорезиста полубесконечным пучком электронов // Тезисы докл. 2-го Всес. семинара "Микролитография", Черноголовка.- 1988.- С. 105.

265. Вольпяс В. А., Котельников К.А., Кучеренко A.B., Марголин В.И. Анализ процессов энерговыделения в слое электронорезиста // Сб.трудов 2-ой Межд. конф. по электроннолучевым технологиям ЭЛТ-88, Варна, Болгария.- 1988.- С. 39-44.

266. Григайтио П.П., Марголин В.И., Кучеренко A.B., Котельников К.А. Исследование литографических характеристик современных элек-тронорезистов //Сб. трудов 2-ой Межд. конф. по электроннолучевым технологиям ЭЛТ-88, Варна, Болгария.- 1988.- С. 345-348.

267. Yäkimov Т., Margolin V.l. Influence of the secondary emission on the electron beam lithography //Сб. трудов 2-ой Межд. конф. по электроннолучевым технологиям ЭЛТ-88, Варна, Болгария.- 1988.-С. 403-408.

268. Казберук Я., Марголин В.И. Исследование возможности применения изогнутых подложек в микролитографии // Сб. трудов 2-ой Межд. конф. по электроннолучевым технологиям ЭЛТ-88, Варна, Болгария.-1988.- С. 436-440.

269. Казберук Я., Марголин В.И. Совместимость применения изогнутых подложек с другими процессами планарной технологии // Сб. трудов 2-ой Межд. конф. по электроннолучевым технологиям ЭЛТ-88, Варна, Болгария.- 1988.- С. 441-446.

270. Давыдов С.Ю., Марголин В.И. О магнитных свойствах поверхности // Поверхность. Физика, химия, механика.- 1987.- 1 5.- С. 5-6.

271. Давыдов С.Ю., Марголин В.И. О влиянии смещений на спекл-стру-ктуру изображения // Изв. ВУЗов, сер. Физика.- 1988.- Л 4.- С.

272. Марголин В., Зариныд П., Котельников К. О моделировании процессов микроалектронной технологии // Сб. Физическая электроника,1. Каунас.- 1989.- С. 54.

273. Кучеренко A.B., Марголин В.И. Методы моделирования процессов электронной литографии // Изв. ЛЭТИ.- 1988.- вып. 396.- С. 76-80.

274. Казберук Я., Марголин В.1., Якимов Т.Н. Взаимодействие электронного пучка с неплоскими подложками // Тезисы докл. VI Всес. симпозиума РЭМ-84, Звенигород.- 1989.- С. 44.

275. Марголин В. Ж., Давыдов С. Ю., Котельников К. А., Па тыров В. Д. Методика расчета энерговыделения в резисте под воздействием электронного пучка // Тезисы докл. VI Всес. симпозиума РЭМ-89, Звенигород.- 1989.- 0. 54.

276. Давыдов С.Ю., Марголин В.Ж. Намагниченность поверхности ферромагнетика // Поверхность. Физика, химия, механика.- 1989.- Ш 2. 0. 5-12.

277. Гладко О.Л., Кучеренко A.B., Лиманова В.Ф., Марголин В. И. Исследование литографических характеристик и параметров электроно-резистов // Межвузовский сборник "Материалы электронной техники", МИЭМ, М.- 1989.- С. 75-78.

278. Марголин В.И., Кучеренко A.B., Давыдов С.Ю., Якимов Т.Н. Моделирование энерговыделения в процессе электронолитографии // Тез. докл. 3-го Всес. семинара "Микролитография", Черноголовка.-1990.- С. 209-210.

279. Казберук Я., Марголин В.И. Исследование применимости метода обратимой деформации подложек для пучковых технологий //Сб. докл. 3-го Всес. координационного совещания "Электронная литография".

280. Черкассы.- 1988.- С. 191-198.

281. Марголин В.И., Кучеренко А.В., Котельников К.А., Якимов Т.Н. Моделирование изображения, инициируемого злектроннкм пучком в пленках электронорезистов // Тез. докл. XIV Всес. конф. по электронной микроскопии, Суздаль.- 1990.- С. 219-220.

282. Yakimov Т., Mladenov G., Margolin V., Yakimova R. Thickness control oi thin metal films by means of electron beam // Proc. on International conference on electron beam technologies, Varna, Bulgaria.- 1991.- C. 634-638.

283. Давыдов С.Ю., Марголин В.И. Влияние дислокаций на термоэлектронную эмиссию из металлов с субмонослойными покрытиями // Изв. ВУЗов, сер. Физика.- 1991.- » 2.- С. 116.

284. Margolin V.I. Studies of the structural modifications on electron resists // Abstracts of IX Russian symposium on scanning electron microscopy SEM-95.- 1995.- C. 25-26.

285. Марголин В.И., Вистунов С.В., Святогоров Д.В. Разработка лабораторной работы "Моделирование процесса электронной литографии методом диаграммной техники" // Тез. докл. регион, конф. "Современные технологии обучения", С.Пб.- 1996.- С. 44.

286. Марголин В.И., Вистунов С.В. Разработка комплекса лабораторных работ по современным технологиям обучения //Тез. докл. регион, конф. "Современные технологии обучения", С.Пб,- 1996.- С. 111-112.

287. Марголин В.И. Исследование применимости пучковых технологий для литографии на неплоских подложках // Вакуумная техника и технология.- 1996.- т. 6, J 1.- С. 23-25.

288. Марголин В.И., Тупик В.А., Петров П.К. Исследование эффекта близости и методик его компенсации // Тезисы докладов X Всероссийского симпозиума РЭМ-97, Черноголовка.- 1997.- С. 137

289. Margolin V.I., Toupik V.A. Study of ion and plasma etching of the resists for microlithography // Abstracts of X International school on vacuum, electron and Ion technologies VEIT"97, Varna, Bulgaria.- 1997- C. 78

290. АВТОРСКИЕ СВИДЕТЕЛЬСТВА СССР

291. А.с. 938339 СССР. МКИ3 Н 01 Ь 21/312. Способ электронолитогра-фии / В.И.Марголин (СССР).- » 2967466/18-21. Заявл. 31.07.80; Опубл. 23.06.82. Вил. № 23 1 с.

292. А.с. 938705 СССР. МКИ3 Н 01 L 21/312. Способ получения защитного рельефного изображения / И.В.Верг, А.Г.Габсалямов, С.А.Гуров, В.И.Марголин (СССР).- » 3229847.- Заявл. 31.12.80; Зареги-стрир. 23.02.82.

293. А.с. 1072675 СССР. МКИ3 Н 01 L 21/312. Способ электронной литографии / А.Г.Габсалямов, В.И.Марголин, И.В.Верг (СССР).- J 3467405.- Заявл. 06.07.82; Зарегистрир. 08.10.83.

294. А.с. 1093110 СССР. МКИ3 Н 01 Ъ 21/302. Способ получения защитного рельефного изображения / А.Г.Габсалямов, В.И.Марголин, Г.Я. Туренко, И.В.Берг, С.А.Гуров (СССР).- Ш 3384709.- Заявл. 26.11. 81; Зарегистрир. 15.01.81.

295. А.с. 1324475 СССР. МКИ3 С 03 Р 7/26, С 03 Р 1/00. Способ электронной литографий / В.И.Марголин, Г.Я.Туренко, Г.А.Габсалямов, Я.Казберук (СССР).- Л 3866544.- Заявл. 21.01.85; Зарегистрир. 15. 03.87.

296. А.с. 1335040 СССР. МКИ3 Я 01 J 35/10. Вращающийся анод для генерации мягкого рентгеновского излучения / Я.Казберук (ПНР), С.А.Ив; нов, В.И.Марголин (СССР), М.Казберук (ПНР).- Л 3923359.- Заявл. 17.05.85; Зарегистрир. 01.05.87.

297. А.с. 1394972 СССР. МКИ3 С 03 Ри7/26, Н 01 Ь 21/312. Способ микролитографии / В.И.Марголин, Г.Я.Туренко, А.Г.Габсалямов, А.В. Кучеренко, Е.И.Ададуров (СССР).- Л 4079052.- Заявл. 23.06.86; Зарегистрир. 08.01.88.

298. А.с. 1397282 СССР. МКЖ3 В 25 J 18/06 // В 25 J 1/02. Манипулятор / А.Г.Габсалямов, З.Б.Шейдин, В.Ж.Марголин, О.М.Шевчук (СССР).- Л 4143671.- Заявл. 06.11.86; Зарегистрир. 22.01.86.

299. А.с. 1443694 СССР. МКИ3 Н 01 Ъ 21/312. Способ нанесения слоя фоторезиста на внутреннюю поверхность полого цилиндра / Г.Я. Туренко, В.И.Марголин (СССР).- Л 4144261.- Заявл. 10.11.86; Зарегистрир. 08.08.88.

300. А.с. 1493006 СССР. МКИ Н 01 J 9/42. Способ контроля топологии внутренней металлизированной поверхности дефлектрона / Г.Я. Туренко, В.И.Марголин, Т.В.Лебедева (СССР).- Л 4350645.- Заявл. 09.11.87; Зарегистрир. 08.03.89.

301. АВТОРСКИЕ СВИДЕТЕЛЬСТВА ПНР

302. А.с. 141665 ПНР. МКИ3 С 23 С 14/24. Способ вакуумного термического напыления / Я.Казберук, В.И.Марголин, Г.Я.Туренко, М.Казбе-рук.- № Р-256004.- Заявл. 30.10.85, опубл. 20.05.86, Бюл.Л 10/86.

303. А.с. 145407 ПНР. МКИ3 Н 01 Ь 21/312, С 03 0 5/00. Способ электронной литографии / В.И.Марголин, Г.Я.Туренко, А.Г.Габсалямов, Я.Казберук.- $ Р- 251831.- Заявл. 04.02.85, опубл. 13.08.85, Вюл. Ш 17/85.

304. А.с. 145635 ПНР. МКИ3 Н 01 Ъ 21/312, С 03 С 5/00. Способ рентгеновской литографии / Я.Казберук, В.И.Марголин, Г.Я.Туренко.- М Р-251649.- Заявл. 23.01.85, опубл. 13.08.85, Вюл. Л 17/85.

305. А.с. 146155 ПНР. МКИ3 Н 01 J 35/10. Вращающийся анод для генерации мягкого рентгеновского излучения / Я.Казбурук, С.А.Иванов,

306. B.И.Марголин, М.Казбурук.- 1 Р-253179.- Заявл. 02.05.85, опубл. 22.10.85, Бил. № 22/85.

307. А.с. 146156 ПНР. МКИ3 Н 01 Ъ 21/26, С 03 В 42/02. Устройство для экспонирования мягким рентгеновским излучением / Я.Казберук,

308. C.А.Иванов, В.И.Марголин, М.Казберук.- Л Р-253180.- Заявл. 02.05.85, опубл. 22.10.85, Взм. Л 22/85.1. ЗАЯВКИ ПНР

309. О'I ОС" „„.Л -гт лп 1 О ГИГ Т"*™™ 1С /ост

310. О и, иду ил. I /. 1Й.Ои, ШШ1. да ЛО/ОО.

311. Заявк а Р-254Э45 ПНР, МКИ Н 01 I». Способ механического изгиба подложек интегральных микросхем. / Я.Казберук, В.И.Марголин, М.Казберук, Г.Я. Туренко. Заявл. 12.08.85, опубл. 06.05.86, Вюл. № 9/86.

312. Заявка Р-256000 ПНР, МКИ В 41 М . Устройство для нанесения вязкого фоторезиста на поверхность подложки / Я.Казберук, В.И.Марголин, М.Казберук, Г.Я.Туренко. Заявл. 30.10.85, опубл. 20.05.86, Вюл. № 10/86.

313. Заявка Р-256001 ПНР, МКИ В 41 М. Устройство для нанесения вязкого фоторезиста на поверхность подложек / Я.Казберук, В.И.Марголин, М.Казберук. Заявл. 30.10.85, опубл. 20.05.86, Вюл. Л 10/86.

314. Заявка Р-256002 ПНР, МКИ Н 01 Ь, й 21 К, Р 03 С. Устройство для экспонирования мягким рентгеновским излучением / Я.Казберук, В.И.Марголин, Г.Я.Туренко, М.Казберук. Заявл. 30.10.85, опубл. 03.06.86, Вюл. № 11/86.

315. Заявка Р-256003 ПНР, МКИ Н 01 С, Р 21 К, С 03 С. Способ изготовления рентгеношаблона / Я.Казберук, В.И.Марголин, М.Казберук. Заявл. 30.10.85, опубл. 03.06.86, Вюл. Л 11/86.

316. Заявка Р-257802 ПНР, МКИ Н 01 Ь. Способ изгиба полупроводниковых подложек интегральных микросхем с монокристаллическим слоем / Я.Казберук, В.И.Марголин, Я.Вавер, В.А. Ставиковски. Заявл. 05.02.86, опубл. 26.08.86, Вюл. Ш 17/86.

317. Заявка Р-260611 ПНР, МКИ Н 01 1>. Устройство для экспонирования мягким рентгеновским излучением / Я.Казберук, В.И.Марголин, М.Казберук. Заявл. 14.07.86, опубл. 27.06.87, Вюл. Ш 15/87.

318. Заявка Р-260612 ПНР, МКИ Н 01 Ъ. Способ рентгеновской литографии / Я.Казберук, В.И.Марголин, М.Казберук. Заявл. 14.07.86, опубл. 27.06.87, Вкш. Л 15/87.