Разработка и исследование преобразователей давления и силы на основе оптического туннельного эффекта тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.05, кандидат технических наук Звей Нэй Зо

• Звей Нэй Зо
• кандидат технических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат технических наук Звей Нэй Зо

ОГЛАВЛЕНИЕ

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1 ОБЗОР МЕТОДОВ И СРЕДСТВ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ И СИЛЫ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ

1.1 Микромеханические преобразователи давления и силы

1.2 Оптические преобразователи внешних воздействий

1.2.1 Оценка применения оптических преобразователей

1.2.2 Оптические преобразователи для измерения давления и силы

1.3 Постановка частных задач исследования

1.3.1 Обобщенная структурная схема и функция преобразования преобразователей на основе оптического туннельного эффекта

1.3.2 Зависимость отражательной способности сред от расстояния между центром мембраны и основанием призмы

1.3.3 Частные задачи исследования

Выводы

ГЛАВА 2 РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЯ УТОЧНЕННЫХ МЕАТЕМАТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ ОПТИЧЕСКОГО ТУННЕЛЬНОГО ЭФФЕКТА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ И СИЛЫ

2.1 Разработка уточненной математической модели преобразователей давления на основе оптического туннельного эффекта, учитывающей переменность прогиба мембраны

2.2 Исследование влияния прогиба переменности мембраны при воздействии давления на функцию преобразования

2.3 Разработка уточненной математической модели преобразователей силы на основе оптического туннельного эффекта

2.4 Исследование влияния прогиба переменности мембраны при воздействии силы на функцию преобразования

2.5 Анализ чувствительности преобразования к изменению зазора

Выводы

ГЛАВА 3 АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ ДЕСТАБИЛИЗИРУЮЩИХ ФАКТОРОВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ

ОПТИЧЕСКОГО ТУННЕЛЬНОГО ЭФФЕКТА И РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ PIX КОМПЕНСАЦИИ

3.1 Исследование влияния погрешностей изготовления конструктивных параметров на характеристики преобразователей давления и силы

3.2 Исследование влияния температуры на функцию преобразования преобразователей давления и силы на основе оптического туннельного эффекта и компенсация дополнительной температурной погрешности

3.3 Исследование влияния электрического поля на пьезоэлектрический элемент для управления зазором преобразователя на основе оптического туннельного эффекта

3.3.1 Исследование влияния электрического поля на пьезоэлектрический элемент

3.3.2 Управление преобразователем на основе оптического туннельного эффекта с помощью электрического напряжения

3.4 Исследование взаимодействия биметаллических воспринимающих элементов с системой «призма-зазор-мембрана» для построения преобразователя температуры

Выводы

ГЛАВА 4 РАЗРАБОТКА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С РАСШИРЕННЫМ ДИАПАЗОНОМ ИЗМЕРЕНИЯ И МЕТОДИКИ РАСЧЕТА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ ОПТИЧЕСКОГО ТУННЕЛЬНОГО ЭФФЕКТА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ И СИЛЫ

4.1 Функция преобразования преобразователя давления на основе оптического туннельного эффекта

4.2 Обеспечение расширенного диапазона измерения преобразователем давления на основе оптического туннельного эффекта

4.3 Моделирование статических характеристик преобразователя давления на основе оптического туннельного эффекта с расширенным диапазоном измерения

4.4 Моделирование динамических характеристик преобразователя давления на основе оптического туннельного эффекта с расширенным диапазоном измерения

4.5 Экспериментальное исследование характеристик преобразователей электрического напряжения и температуры на основе оптического туннельного эффекта

4.5.1 Экспериментальное исследование характеристик преобразователей электрического напряжения

4.5.2 Температурная чувствительность преобразователя

4.6 Методика расчета преобразователей на основе оптического туннельного эффекта для

измерения давления и силы

3

4.6.1 Выбор источника излучения с обеспечением стабилизации оптической излучаемой мощности

4.6.2 Выбор фотоприемника

4.6.3 Расчет конструктивных параметров мембраны для обеспечения требуемого диапазона измерения давления и силы

4.6.4 Расчет чувствительности преобразования для обеспечения квазилинейного участка

4.6.5 Этапы построения преобразователей на основе оптического туннельного эффекта для измерения давления и силы

Выводы

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

ПРИЛОЖЕНИЕ

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

ПП - первичный преобразователь,

ФП - фотоприемник,

ИИ - источник излучения,

БО - блок обработки

1-11 - преобразователь «ток-напряжение»

ОТЭ - оптический туннельный эффект

ПВО - полное внутреннее отражение

ОС - отрицательная связь

ООС - отрицательная обратная связь

ОУ - операционный усилитель

п - показатель преломления

в - угол падения излучения

X - длина волны оптического излечения

б/ - зазор между основанием призмы и мембраной

¿/0 - требуемый начальный зазор между основной призмой и мембраной РФП - мощность оптического излучения, достигающая фотоприемника Рии _ оптическая мощность источника излучения кп - суммарный коэффициент потерь Я - отражательная способность

|(а0 - отражательные способности границы сред для

перпендикулярно и параллельно поляризованной волны с переменным зазором (I

(р±// - фаза волны при отражении от раздела сред р - давление Е - сила

"и> - прогиб мембраны ИМ- толщина мембраны ЯМ- радиус мембраны

г - текущий радиус мембраны Рэп^ф) ~ граница эллиптической области (р - полярный угол координат области

Ео~ освещенность условной перпендикулярной поверхности гсв - радиус круглого оптического пятна Е - модуль упругости материала ¡л - коэффициент Пуассона

чувствительность Ас1$ — изменение начального зазора

Ас1(Т) - температурное изменение расстояния между призмой и мембраной

ТКЕ -температурный коэффициент линейного расширения материала

Т- температура окружающей среды

¿/31 - пьезоэлектрический коэффициент деформации

I - длина пьезоэлектрического преобразователя

АЬ - изменение длины пьезоэлектрического преобразователя

ивх - измеряемое входное напряжение

Ъ - ширина пьезоэлектрического преобразователя

а - чувствительность пьезопакета

*т(бим) - изменение перемещения центра круглой биметаллической пластинки при влиянии температуры

^(бим) - перемещение центра круглой биметаллической пластинки при воздействии противодействующей силы

хР(м) - перемещение центра круглой мембраны при воздействии противодействующей силы

- противодействующая сила к - коэффициент передачи 5 - оператор Лапласа с - жесткость мембраны /т: - частота полосы пропускания /рез- резонансная частота.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование преобразователей давления и силы на основе оптического туннельного эффекта»

ВВЕДЕНИЕ

Для реализации задач создания высокоэффективных информационно-измерительных систем управления и контроля требуется создание широкой номенклатуры измерительной аппаратуры с высокими метрологическими и эксплуатационными характеристиками. Отличия технических требований к измерительной аппаратуре авиационных систем привели к тому, что, начиная с 1980-х годов более 90% измерительной аппаратуры было разработано вновь, при этом понадобилось резко изменить традиционные подходы к конструированию и технологии изготовления измерительной аппаратуры.

Функционально измерительная аппаратура (датчик, преобразователь) играет роль основного информативного элемента о контролируемом или измеряемом физическом параметре. На объекте он подвергается одновременному воздействию большого количества дестабилизирующих факторов, которые, если не принять определенных мер, искажают истинную информацию о поведении объекта.

Основными требованиями, предъявляемыми к современным общепромышленным преобразователям, являются: высокая стабильность характеристик во времени, высокая надежность, работоспособность в жестких условиях эксплуатации, высокая точность (малые основная и дополнительная - в основном, температурная - погрешности), минимальная трудоемкость производства. Основные дестабилизирующие факторы (температура и вибрация) на изделиях авиационной техники в 3-5 раз превышают соответствующие значения на изделиях других отраслей [1].

Актуальность темы исследования. В последние годы наметилась тенденция развития и совершенствования оптических преобразователей. Они используются в тех случаях, когда определяющими являются малые размеры, масса и возможность работы при повышенных температурах, в условиях воздействия электромагнитных полей, а также в агрессивных и взрывоопасных средах.

В частности, такие условия являются характерными для объектов авиационной и космической техники. Например, при разработке систем управления авиационными двигателями необходимо использовать данные о давлении в различных зонах, в которых высокая температура газов исключает использование полупроводниковых устройств. В настоящее время определение давления газовой среды внутри камеры сгорания осуществляется по косвенным признакам. Для приближения преобразователя к высокотемпературной области измерения возможно построение его оптических узлов на основе кварца. Известны оптические преобразователи с отражательной мембраной и принимающими и передающими волоконными световодами, в которых внешнее механическое воздействие (давление, сила), приводит к прогибу мембраны, и отраженное мембраной оптическое излучение перераспределяется на торце принимающего волоконного световода. Но чувствительность таких оптических преобразователей невелика. Чтобы повысить чувствительность, можно использовать преобразователи на основе управляемого оптического туннельного эффекта с переменным зазором между световодом и подвижной пластиной. Для измерения давления и силы целесообразно использовать преобразователи внешних воздействий на основе оптического туннельного эффекта в системе «призма полного внутреннего отражения - пластина», выполненной из кварцевого стекла, что обеспечивает возможность работы при повышенных температурах. Вместе с тем отсутствует полное математическое описание взаимодействия оптического излучения с переменными нанозазорами в таких преобразователях, что не позволяет производить точный расчет их характеристик и параметров.

Поэтому разработка и исследование оптических преобразователей на основе оптического туннельного эффекта, способных обеспечить получение достоверной информации о механических воздействиях, и их уточненных математических моделей, является актуальной задачей.

Целью работы является улучшение характеристик преобразователей давления и силы на основе оптического туннельного эффекта в системе «призма полного внутреннего отражения - пластина», выполненных из кварцевого стекла и способных работать при повышенных температурах в составе систем автоматического управления авиационными двигателями.

Для достижения указанной цели необходимо решить следующие задачи исследования:

- разработать и исследовать уточненные математические модели преобразователей на основе оптического туннельного эффекта для измерения давления и силы;

- исследовать влияние конструктивных параметров на характеристики преобразователей давления и силы на основе оптического туннельного эффекта;

- произвести анализ влияния внешних дестабилизирующих факторов на характеристики преобразователей на основе оптического туннельного эффекта и разработать методы их компенсации;

- исследовать возможность расширения диапазона измерения преобразователей давления и силы за счет введения обратных связей по положению воспринимающего элемента и исследовать их статические и динамические характеристики;

- провести экспериментальное исследование характеристик преобразователей на основе оптического туннельного эффекта;

- разработать методику расчета преобразователей давления и силы на основе оптического туннельного эффекта.

Научная новизна работы:

- предложены уточненные математические модели преобразователей на основе оптического туннельного эффекта, которые учитывают переменность нанозазора для различных точек контакта оптического излучения с модулируемой гранью призмы, что обеспечивает уменьшение погрешности расчетов характеристик преобразователей давления и силы;

- предложена новая структура преобразователя давления и силы, которая отличается введением дополнительной обратной связи по положению воспринимающего элемента, компенсирующей влияние изменения формы мембраны, что обеспечивает расширение диапазона измерения давления и силы;

- предложено новое решение, использующие температурные изменения свойств взаимосвязанных биметаллической и кварцевой мембран преобразователя на основе оптического туннельного эффекта, что позволяет производить измерение температуры в заданном диапазоне;

- методика расчета преобразователей давления и силы с оптическим туннельным эффектом основана на обеспечении заданного диапазона чувствительности, что приводит к реализации квазилинейной функции преобразования.

Методы исследования

При разработке математических моделей преобразователей внешних воздействии на основе оптического туннельного эффекта использовались основные положения волновой и геометрической оптики, применялись методы теории упругости, прикладной механики.

При исследовании характеристик преобразователей для измерения давления, сил, электрических напряжений, температуры использовались положения теории интегрального исчисления, чувствительности, погрешностей, методы численного анализа. В экспериментальных исследованиях использовались положения теории измерений и математическая обработка полученных результатов. Исследование моделей преобразователей производилось с применением программного пакета (МаЛСАГ)).

Основные положения, выносимые на защиту:

- уточненные математические модели преобразователей на основе

оптического туннельного эффекта, которые учитывают неравномерность

прогиба мембраны при воздействии давления и силы и расходимость

10

оптического излучения, что уменьшает погрешность расчетов характеристик преобразователей;

- обеспечение малой температурной погрешности за счет использования кварцевых элементов преобразователя и способы компенсации температурной погрешности;

- полезная модель преобразователя температуры на основе оптического туннельного эффекта и биметаллических воспринимающих элементов, обеспечивающих работу в заданном температурном диапазоне;

- результаты экспериментального исследования влияния электрического поля на оптическое туннелирование при использовании пьезоэлектрического элемента и структурную схему преобразователя электрических напряжений на основе оптического туннельного эффекта;

- обеспечение расширенного диапазона измерения преобразователя на основе оптического туннельного эффекта за счет введения обратной связи, компенсирующей влияние изменения формы мембраны;

- методика расчета преобразователей механических воздействий с оптическим туннельным эффектом, основанная на обеспечении заданного диапазона чувствительности.

Практическая ценность исследования

Использование полученных в работе уточненных математических моделей преобразователей на основе оптического туннельного эффекта позволяет повысить точность расчета их характеристик.

Показано, что преобразователи на основе оптического туннельного эффекта в системе «призма полного внутреннего отражения - пластина», выполненные полностью из кварцевого стекла, способны работать при повышенных температурах (до 500 °С) с малой температурной погрешностью, что позволяет их использовать в системе автоматического управления авиационными газотурбинными двигателями в различных температурных зонах.

Результаты исследования влияния механических воздействий (давления, силы) и электрического напряжения на оптическое туннелирование в системе «призма-зазор-мембрана» и предложенное техническое решение преобразователя с компенсирующей обратной связью позволяют создавать преобразователи, отличающиеся расширенным диапазоном измерения.

Разработанная методика позволяет производить расчет основных параметров преобразователей давления и силы на основе оптического туннельного эффекта с обеспечением заданного диапазона их чувствительности.

Достоверность научных положений, результатов, выводов и рекомендаций, сформулированных в диссертации, обоснована соответствием полученных результатов известным, а также проведенными экспериментальными исследованиями.

Реализация результатов работы. Результаты работы использованы в учебном процессе по дисциплине «Оптические и волоконно-оптические устройства и системы» кафедры «Системы автоматического и интеллектуального управления» МАИ. На основе результатов работы созданы 2 объекта интеллектуальной собственности, подтвержденные патентом на полезную модель и патентом на изобретение.

Апробация работы. Основные научные результаты исследований по теме диссертации докладывались на 17-ой, 18-ой и 19-ой Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика » (МИЭТ, 2010, 2011, 2012 г.г.); Научной сессии НИЯУ МИФИ-2011 - Научно-технической конференции-семинаре по фотонике и информационной оптике (МИФИ, 2011); Всероссийской конференции по фотонике и информационной оптике (МИФИ, 2012); Х1Х-ом, ХХ-ом и ХХ1-ом международном научно-техническом семинаре «Современные технологии в задачах управления, автоматики и обработки информации» (Алушта, 2010, 2011, 2012 г.г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 4 научных статьи в изданиях перечня ВАК, 10 публикаций в виде тезисов докладов на научных конференциях. Получен 1 патент РФ на изобретение, 1 патент РФ на полезную модель.

Структура и объём работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы, включающего 80 наименований, и одного приложения. Работа изложена на 172 страницах текста, содержит 93 рисунка и 1 таблицу.

Заключение диссертации по теме «Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления», Звей Нэй Зо

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

В результате выполнения данной диссертационной работе получены следующие основные научные результаты.

1. Разработаны уточненные математические модели преобразователей на основе оптического туннельного эффекта для измерения давления и силы, которые учитывают переменность нанозазора для различных точек контакта оптического излучения с модулируемой гранью призмы, обеспечивающие уменьшение погрешности расчетов характеристик преобразователей давления и силы.

2. Исследовано влияние конструктивных параметров на характеристики преобразователей давления и силы на основе оптического туннельного эффекта и определены погрешности расчетов мощности оптического излучения РФП уточн с учетом предложенной уточненной математической модели по сравнению с приближенной моделью для мощности оптического излучения РФп прибл, определяющей приближенно по центральному лучу источника излучения с учетом допущения постоянства зазора.

3. Исследовано влияние температуры на характеристики преобразователей на основе оптического туннельного эффекта и определены величины дополнительной температурной погрешности, которая уменьшена за счет использования кварцевых элементов преобразователя, и предложены способы компенсации дополнительной температурной погрешности.

4. Предложена полезная модель преобразователя температуры на основе оптического туннельного эффекта и биметаллических воспринимающих элементов, обеспечивающего работу в заданном температурном диапазоне при исследовании взаимодействие биметаллических воспринимающих элементов с системой «призма-зазор-мембрана».

5. Экспериментально исследовано влияние электрического поля на оптическое туннелирование при использовании пьезоэлектрического элемента и предложена структурная схема преобразователя электрических напряжений на основе оптического туннельного эффекта.

6. Разработана структурная схема преобразователя, обеспечивающего расширение диапазона измерения давления и силы за счет введения обратной связи по положению воспринимающего элемента, компенсирующей влияния изменение формы мембраны.

7. Предложена методика расчета конструктивных параметров преобразователей на основе оптического туннельного эффекта, основанная на работе в заданном диапазоне чувствительности, которая обеспечивает реализацию требуемого диапазона измерения давления и силы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Звей Нэй Зо, 2013 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ источников

1. Коптев Ю. Н., Гориш А. В. Датчиковая аппаратура для ракетно-космической техники // Радио-техника. 1995. № 10.

2. Бусурин В. И., Носов Ю. Р. Волоконно-оптические датчики. М.: Энергоатомиздат, 1990. 256 с.

3. Баринов И. Н., Мокров Е. А. Микрооптомеханический преобразователь давления // 7-я Междунар. Конф. «Авиация и космонавтика-2008». 2008. 236 с.

4. S.J. Prosser, "Advances in Sensors for Aerospace Applications", Sensors and Actuators, vol. 37-38, no. 1-3, pp. 128-134.

5. G. Smith, "The Application Of Micro technology To Sensors For The Automotive Industry", Microelectronics Journal, vol.28, no.4, pp.371-9, May 1997.

6. W.P. Eaton and J.H. Smith, "Micromachined Pressure Sensors: Review And Recent Developments", Proceedings of the SPIE - The International Society for Optical Engineering, vol. 3046, pp.30-41, 1997.

7. S. Lee, et al, "Surface/bulk micromachining (SBM) process and deep trench oxide isolation method for MEMS", International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest, p.701-4, 5-8 Dec. 1999

8. A.V. Chavan and K.D.Wise, "A Multi-Lead Vacuum-Sealed Capacitive Pressure Sensor", Technical Digest. Solid-State Sensor and Actuator Workshop, pp.212-15, 1998.

9. R.S. Okojie, A.A. Ned, and A.D. Kurtz, "Operation Of Alpha (6H)-Sic Pressure Sensor At 500 Degrees C", Sensors and Actuators A (Physical), vol.A66, no. 1-3, pp.200-4, 1998.

10. R. Ziermann, et al, "A High Temperature Pressure Sensor With Beta -Sic Piezoresistors On SOI Substrates", Tranducers 97., 1997 International Conference on 241 Solid-State Sensors and Actuators. Digest of Technical Papers, vol 2, pp.1411-14, 1997.

11. Мокров Е. А., Баринов И. Н. Разработка высокотемпературных полупроводниковых датчиков давления // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2009. № 1.

12. Neudeck P.G., Okojie R. S., Chen L.-Y. High- Temperature Electronics — A Role for Wide Bandgap Semiconductors? Proceedings of the IEEE. 2002. Vol. 90, no. 6

13. Лебедев А., Сбруев С. SiC-электроника. Прошлое, настоящее, будущее // Электроника:Наука, Технология, Бизнес. 2006. № 5.

14. Hunter G. W., Neudeck P. G., Okojie R. S., Beheim G. M., Powell J. A.. An Overview of High-Temperature Electronics and Sensor Development at NASA Glenn Research Center // J. Turbomach. Oct 2003. Vol. 125, Issue 4.

15. Ned A. A., Kurtz A. D., Beheim G., Masheeb F., Stefanescu S. Improved SiC LeadlessPressure Sensors For High Temperature, Low and High Pressure Applications. Kulite Semiconductor Products, Inc. Twenty-First Transducer Workshop. Lexington, Maryland. June 22-23, 2004.

16. Okojie R., Beheim G., Saad G., Savrun E. Characteristics of a Hermetic 6H-SIC pressure sensor at 600 °C // In Proc. of the AIAA Space 2001 Conference and Exposition. Albuquerque, NM. Aug 28-30, 2001.

17. Wu C., Zorman C., Mehregany M. Fabrication and Testing of Bulk Micromachi-ned Silicon Carbide Piezoresistive Pressure Sensors for High Temperature Applications // IEEE Sensors Journal. 2006. 6, 2.

18. Patricia M. NIEVA. New Trends on MEMS Sensor Technology for Harsh Environment Applications // Sensors & Transducers Journal. Special Issue. Oct 2007.

19. Ziermann R., von Berg J., Obermeier E., Wischmeyer F., Niemann E., Möller H., Eickhoff M., Krötz G. High temperature piezoresistive ß-SiC-on-SOI pressure sensor with on chip SiC thermistor // Materials Science and Engineering. Vol. 61-62,30 July 1999.

20. Wieczorek G., Schellin В., Obermeier E., Fagnani G., Drera L. SiC Based Pressure Sensor for High-Temperature Environments // IEEE Sensors 2007 Conference. Oct 28-31, 2007.

21. Разработка высокотемпературных диффузионных чувствительных элементов на основе карбида кремния: Отчет по научно-исследовательской работе по договору А-43-71 от 13.11.1970 с организацией НИИИТ / Новосибирский электротехнический институт, кафедра диэлектриков и полупроводников. Рук. В. С. Шадрин. Новосибирск, 1971.

22. Матузов А. В. Технология структур «карбид кремния - кремний» для приборов микроэлектроники и микросистемной техники: дисс. канд. техн. наук. 05.27.2006.

23. Ильин В. А., Матузов А. В., Петров А. С. Исследо-вание процесса получения гетероэпитаксиальных структур ЗС-карбида кремния на подложках кремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2008. № 4.

24. Гуревич О. С., Буряченко А. Г., Ранченко Г. С. Перспективы развития датчиков давления для авиационных и общепромышленных ГТД // Авиационно-космическая техника и технология. 2007. № 10.

25. Е. Obermeier et al, "High Temperature Microsensors Based On Polycrystalline Diamond Thin Films", The Solid State Sensors and Actuators Workshop, pp. 178-181, 1995.

26. D. Hammerschmidt et al, "A CMOS Piezoresistive Pressure Sensor With On-Chip Programming And Calibration", 1993 IEEE International SolidState Circuits Conference. Digest of Technical Papers, pp. 128-9, 1993.

27. L. Young-Tae et al; "Compensation Method Of Offset And Its Temperature Drift In Silicon Piezoresistive Pressure Sensor Using Double Wheatstone-Bridge Configuration", 8th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators and Eurosensors IX . Digest of Technical Papers, vol. 2, pp.570-3, 1995.

28. D. De Bruyker, A. Cozma, R. Puers, "A Combined Piezoresistive/Capacitive Pressure Sensor with Self-Test Function Based on Thermal Actuation", Sensors and Actuators A (Physical), vol. A66, no. 1-3, pp.7075, 1997. /

29. Stuchebnikov V.M. SOS strain gauge sensors for force and pressure transducers. // Sensors & Actuators, 1991, v.28, No 3, pp. 207-213.

30. Стучебников B.M. Тензорезисторные преобразователи на основе гетероэпитаксиальных структур «кремний на сапфире». // Измерения, контроль, автоматизация//Н.-т. сборник, 1983, № 1(45), с.30-42.

31. Датчики - преобразователи давления. // Номенклатурный каталог концерна Метран. Челябинск, 1995.

32. High accuracy 4-20 mA sapphire sensor. // Bourns Pressure Transmitters (Каталог фирмы), 1995, p. 12.

33. Бушев B.B., Николайчук О.JI., Стучебников В.М. Серия микроэлектронных датчиков давления МИДА. // Датчики и системы, 2000, №1, с 21-27.

34. Бущев Е. Е., Николайчук О. JL, Стучебников В. М. Серия микроэлектронных датчиков давления МИДА // Датчики и системы. - 2000, -№ 1,-с. 21.

35. Стучебников В.М. О нормировании температурной погрешности тензорезисторных полупроводниковых датчиков. // Датчики и системы, в печати.

36. Датчики давления МТ-100. Преобразователи измерительные Сапфир-22М. // Номенклатурный каталог АО Манометр, М, 1996.

37. Датчики - преобразователи давления. // Номенклатурный каталог концерна Метран. Челябинск, Г995.

38. High accuracy 4-20 mA sapphire sensor. // Bourns Pressure Transmitters (Каталог фирмы), 1995, p.12.

39. Lefevre H., «the Fiber-optic Gyroscope», Artech House, 1993.

40. Smith R. В., ed., «Selected Papers on Fiber-optic Gyroscopes», SPIE Milestone Series, Vol. MS8, 1989.

41. Коркишко Ю. H., Федоров В. А., Прилуцкий В. E., Пономарев В. Г., Фенюк М. А., Марчук В. Г., Кострицкий С. М., Падерин Е. М. Высокоточный волоконно-оптический гироскоп с линейным цифровым. // Гироскопия и навигация. 2004. № 1, с. 69 - 82.

42. Решение о выдаче патента РФ на промышленный образец. Заявка № 2006503810. Малогабаритный трехосный волоконно-оптический измеритель угловых скоростей. Приоритет 23.11.2006 / Патентообладатель: ООО «НПК Оптолинк» / Авторы: Ю.Н. Коркишко, В. А. Федров, В. Е. Прилуцкий, В. Г. Пономарев.

43. Lin S/, Giallorienzi Т. G. Sensitivity analysis of the Sagnac-effect optical-fiber ring interferometer // Appl/ Optics/ 1979. V. 18. N 6. 915-931.

44. Davis J. L., Ezekiel S. Techniques for shot-noise-limited inertial rotation measurement using a multiturn fiber sagnac interferometer // Proc. SPIE, 1978. V. 157. P. 131-143.

45. Бадеева E.A., Гориш A.B., Крупкина, Т.Ю. Волоконно-оптический датчик давления на туннельном эффекте// Датчики и системы. 2005. - №8.

46. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1983. 721 с.

47. Андреева JI.E., Пономарев С.Д. Расчет упругих элементов машин и приборов. М.: Машиностроение, 1980. 326 с.

48. Тимошенко С.П. Пластинки и оболочки. М.: Гостехниздат, 1948. -

625 с.

49. Eduard Ventsel, Theodor Krauthammer, «Thin plates and shells Theory, Analysis and Application», Marcel Dekker, Inc. 2001, -658 c.

50. Бронштейн И.Н. Эллипс. // Квант. - 1975. - №1. с. 27 - 36.

51. Пискунов Н. С. Дифференциальное и интегральное исчисление для втузов. М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1985. -560 с.

52. Вахитов Я. Ш. Теоретические основы электроакустики и электроакустическая аппаратура. М.: Искусство, 1982.

53. Миловзоров О. В. К расчету оптоэлектронного преобразователя механических воздействий // Элементы, устройства и математическое обеспечение информационно-преобразовательных систем. Рязань: РРТИ, 1985. С. 76-78.

54. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Теореточеская физика. Теория упругости: М.: Наука. 1987. 248 с.

55. Таблицы физических величин. Справочник / Под ред. акад. И.К. Кикоина. — М., Атомиздат, 1976. — 1008 с.

56. Панич А.Е. Пьезокерамические актюаторы, Учебное пособие, Ростов-на-Дону, 2008, —159 с.

57. Жилин В. Г. Волоконно-оптические измерительные преобразователи скорости и давления. —М.: Энергоамиздат, 1987. — 112 с.

58. Шуберт Ф. Светодиоды / с англ. под ред. А. Э. Юновича. — 2-е изд. —М., ФИЗМАТЛИТ, 2008. — 496 с.

59. Бобцов А.А., Бойков В.И., Быстров С.В., Григорьев В.В. Исполнительные устройства и системы для микроперемещений. — СПБ ГУ ИТМО, 2011, — 131 с.

60. Piezo Ceramic Actuators and Custom Subassemblies // PIC _ Catalog _ Piezoelectric_Ceramic_Actuators, 2006, —56 c.

61. Allan R. New applications open up for silicon sensors: a special report. — Electronics, 1980, vol. 53, N 24, p. 113.

62. Kanthal AB., KANTHAL Thermostatic Bimetal Handbook, 2008, c-

134.

63. Удалов H. П., Бусурин В. И. Основные конструирования и производства оптоэлектронных устройств автоматики. М.: Изд-во МАИ, 1982.

64. Меркишин Г. В. Многооконные оптикоэлектронные датчики линейных размеров. М.: Радио и связь, 1986.

65. Бусурин В. И., Шток К. В., Звей Нэй Зо. Преобразователи давления и силы на основе оптического туннельного эффекта // Приборы. 2010. № 2. с. 1-5.

66. Бусурин В.И., Казарьян A.B., Чижов B.C., Звей Нэй Зо. Исследование характеристик преобразователей электрического напряжения и температуры на основе оптического туннелирования // Мехатроника, Автоматизация, Управления. 2011. № 12. с. 40-44.

67. Бусурин В.И., Звей Нэй Зо. Моделирование и компенсация температурной погрешности преобразователя давления на основе оптического туннелирования // Вестник МАИ, 2012, № 1, с. 149-156.

68. Бусурин В.И., Казарьян A.B., Жеглов М.А., Звей Нэй Зо. Моделирование преобразователя давления на основе оптического туннельного эффекта с настраиваемым диапазоном измерения // Вестник МАИ, 2012. № 4, с. 128-133.

69. Звей Нэй Зо. Моделирование преобразователя давления на основе оптического туннельного эффекта // 17-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2010», 28 - 30 апреля 2010 г. Тезисы докладов. - М.: МИЭТ, 2010. - с. 116.

70. Бусурин В.И., Гуськова Е.А., Звей Нэй Зо. Компенсация температурной погрешности преобразователя давления на основе оптического туннелирования // 18-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2011». 19-21 апреля 2011 г. Тезисы докладов. - М.: МИЭТ, 2011.-с. 102.

71. Бусурин В.И., Звей Нэй Зо, Нгуен Зуй Динь. Анализ характеристик преобразователя давления на основе оптического туннельного эффекта с расширенным диапазоном // 19-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника

и информатика - 2012». 18-20 апреля 2012 г. Тезисы докладов. - М.: МИЭТ, 2012.-с. 94.

72. Бусурин В.И., Звей Нэй Зо, Огурцова A.A. Компенсация температурной погрешности преобразователя давления на основе оптического туннелирования // Научная сессия НИЯУ МИФИ-2011. Научно-техническая конференция-семинар по фотонике и информационной оптике. 26-28 января 2011 г. Тезисы докладов. - М.: НИЯУ МИФИ, 2011- с. 32-33.

73. Бусурин В.И., Звей Нэй Зо, Дворникова О.Д., Мищенко O.A. Исследование математической модели преобразователя давления на основе оптического туннельного эффекта // Всероссийская конференция по фотонике и информационной оптике. 25 января - 27 января 2012 г. Тезисы докладов. М.: НИЯУ МИФИ, 2012-с. 134-135.

74. Бусурин В.И., Звей Нэй Зо. Преобразователь внешних воздействий на основе оптического туннельного эффекта //Труды Х1Х-ого международного научно-технического семинара «Современные технологии в задачах управления, автоматики и обработки информации», г. Алушта, 18-24 сентября 2010 г. - с. 223-224.

75. Бусурин В.И., Звей Нэй Зо. Преобразователь температуры на основе оптического туннелирования //Труды ХХ-ого международного научно-технического семинара «Современные технологии в задачах управления, автоматики и обработки информации», г. Алушта, 18-24 сентября 2011 г. Изд-во Пензенского ГУ, 2011. - с. 235-236.

76. Бусурин В.И., Казарьян A.B., Звей Нэй Зо. Преобразовтель электрического напряжения на основе оптического туннелирования //Труды XXI-ого международного научно-технического семинара «Современные технологии в задачах управления, автоматики и обработки информации», г. Алушта, 18-24 сентября 2012 г, - М.: Изд-во ГУП Академиздат центр "Наука" РАН, 2012. - с. 145.

77. Бусурин В.И., Шток К.В., Звей Нэй Зо, Гладышев А.И. Моделирование информационных преобразователей на основе оптического туннельного эффекта // Всероссийская конференция «Проведение научных исследований в области обработки, хранения, передачи и защиты информации», 1-5 декабря 2009 г., Ульяновск, УлГТУ, 2009. - т. 2, с. 509513.

78. Бусурин В.И., Звей Нэй Зо. Моделирование процесса излучения в преобразователе давления на основе оптического туннельного эффекта // Высокие технологии, исследования, промышленность: Сборник трудов Девятой международной конференции « Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности», 22-23.04.2010, Санкт-Петербург, Россия, 2010. - т. 3, с. 233-235.

79. Патент на полезную модель №111643 «Преобразователь температуры на основе оптического туннельного эффекта» от 20 декабря 2011 г., Б.И. №35. (Бусурин В.И., Жеглов М.А., Звей Нэй Зо, Казарьян A.B.).

80. Патент на изобретение №2456563 «Волоконно-оптический преобразователь давления с динамически настраиваемым диапазоном» от 20 июля 2013, Б.И. №20. (Бусурин В.И., Жеглов М.А., Коробков В.В., Звей Нэй Зо).