Разработка и исследование интегральных измерителей давлений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.13, кандидат технических наук Рогожин, Антон Дмитриевич

  • Рогожин, Антон Дмитриевич
  • кандидат технических науккандидат технических наук
  • 2000, Арзамас
  • Специальность ВАК РФ05.11.13
  • Количество страниц 113
Рогожин, Антон Дмитриевич. Разработка и исследование интегральных измерителей давлений: дис. кандидат технических наук: 05.11.13 - Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий. Арзамас. 2000. 113 с.

Оглавление диссертации кандидат технических наук Рогожин, Антон Дмитриевич

Введение.

Глава 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ

ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЙ.

1.1. Краткий исторический очерк развития интегральных датчиков давлений и обоснование выбора кремниевой микротехнологии.

1.2. Обзор и анализ специфики построения интегральных датчиков давлений.

Выводы.

Глава 2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ РАЗРАБОТКИ МЕТОДОВ РАСЧЕТА

ИНТЕГРАЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЙ И ИХ УЗЛОВ.

2.1. Математическая модель интегральной мембраны датчика давлений.

2.2. Определение параметров передаточной функции интегральной мембраны.

2.3. Мембранный эффект. Условия устойчивости мембраны.

2.4. Разработка электронной схемы для датчика давлений с частотным выходом.

2.5. Разработка метода демпфирования интегральной мембраны датчика давлений.

Выводы.

Глава 3. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА ПОГРЕШНОСТЕЙ

ИНТЕГРАЛНЫХ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЙ.

3.1. Оценка ошибки крутизны статической характеристики несовершенной интегральной мембраны.

3.2. Теоретические обоснования коррекции погрешности от влияния газовой камеры образцового давления.

3.3. Оценка погрешности интегральных датчиков давлений от вибровозмущений.

3.4. Теоретические обоснования температурных компенсаций погрешностей в интегральных датчиках давлений.

Выводы.

Глава 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ

ИНТЕГРАЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЙ.

4.1. Описание лабораторной установки, приборов и оборудования

4.2. Методика проведения испытаний интегральных датчиков давлений и обработки результатов.

4.3. Снятие статических характеристик датчика давлений при различных температурах окружающей среды и обработка результатов.

4.4. Аппроксимация экспериментальных статических характеристик датчика малых давлений методом наименьших квадратов с помощью математического пакета программ Мар1е V, версия 4.0.

Выводы.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий», 05.11.13 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование интегральных измерителей давлений»

Появление интегральных датчиков, а именно объединение микромеханических чувствительных элементов и электронных схем в одну конструкцию, совершило научно-техническую революцию в современном приборостроении. Достигнуты значительные результаты в применении микроэлектронной технологии для изготовления таких сложных первичных преобразователей как маятники датчиков ускорений и мембраны для датчиков давлений. Совершенствовалась их электронная часть, а также алгоритмизация численных методов с применением микропроцессоров для обработки измерительной информации и коррекции характеристик приборов.

По мере того, как развивались технологии фото- и рентгенолитографии, микросхемы становились все более дешевыми, и увеличивалась степень их интеграции. Таким образом создались объективные предпосылки для массового производства и падения рыночных цен на вычислительную технику. В результате, приблизительно в середине 80-х годов цены на компьютеры и выо тно сите льны е ж цены

0,5

1,5 1

1—

1975

1980

1985

1990 годы сокоточные интегральные датчики первичной информации сравнялись, а уже к концу 80-х процессорные комплекты микро-ЭВМ стоили значительно дешевле (рис. 1) [40]. Очевидно, именно этим и объясняется всплеск интереса различных производителей систем автоматического регулирования и управления к относительно дешевым первичным измерителям. Недорогие системы на основе миниатюрных датчиков и микро-ЭВМ, их опрашивающих, алгоритмически компенсирующих погрешности измерений и выдающих сигналы управления и индикации, стали находить применение даже в тех областях техники, где раньше использование электронного оборудования считалось экономически невыгодным. Открылись новые рынки сбыта данной продукции, а невысокая скорость падения цен на датчиковую аппаратуру по сравнению с вычислительной техникой в 70 - 80-е годы обусловлена во многом экономическими причинами.

Из общего количества первичных преобразователей физических величин, производимых мировой промышленностью, наибольшая часть, около 25 %, приходится на различные датчики давлений, около 15 % - на датчики температуры, примерно столько же - на датчики параметров движения: линейных и угловых ускорений, скоростей и перемещений, около 10 % - на измерители размеров, приблизительно 6 % - преобразователи электрических и магнитных величин, все остальные виды приборов - значительно меньшие доли [16].

Интегральная микротехнология является перспективной в решении многих сложных вопросов приборостроения, однако, несмотря на значительные успехи в микроэлектронике, процесс создания и внедрения интегральных датчиков является весьма трудоемким и длительным. Перенос опыта микротехнологии из производства чисто электронных приборов в изготовление чувствительных элементов произошел со значительными изменениями и с принципиальным развитием. Так, например, топологический расчет фотошаблонов для изготовления упругих чувствительных элементов в виде мембран, маятников, струн и так далее имеет свои специфические особенности, заключающиеся в следующем. Выбор формы упругих подвесов, плоскостей и травителей тесно связан с получением оптимальных характеристик разрабатываемых микродатчиков. В готовых изделиях должны быть максимально устранены влияния дефектов пластин, связанных с предысторией механической обработки, неоднородностями состава и дислокациями. Температурные напряжения, связанные с локальными диффузиями примесей проводимости, выполняемыми в силу конструктивной необходимости, например, при изготовлении тензорезисторов, также должны быть максимально снижены.

Интегральные микродатчики в научно-техническом плане представляют собой сложные приборы, поскольку их разработка и исследования осуществляются на стыке многих наук: физики кристаллов, химии, теории электрического поля в полупроводниках, теории упругости анизотропных сред, аэрогидродинамики, схемотехники и других. Для датчиков давлений большие сложности при разработке связаны с чувствительностью к побочным параметрам окружающей среды, не подлежащим измерению, например, к температуре, вибрациям и влажности, а также с нестабильностью точностных характеристик первичного преобразователя во времени. Высокая стоимость теоретических исследований и необходимость проведения экспериментально-опытных работ делает интегральные датчики давлений пока все еще довольно дорогим товаром.

Актуальность работы. Характерной чертой мирового технологического развития конца XX века является выделение интегрально образующихся (комплексных) технологий, к которым относятся и технологии микромеханических систем. Как в нашей стране, так и за рубежом наблюдается устойчивый рост интереса к разработкам интегральных датчиков давлений, что связано с возможностью эффективного решения с их помощью ряда задач контроля и управления. Возможности измерительных приборов, таких как барометрические высотомеры, вариометры, гидродинамические расходомеры и т. д. всегда определялись характеристиками первичных преобразователей. Существующие конструкции интегральных тензорезисторных датчиков давлений не удовлетворяют современным требованиям из-за высокого уровня измерительных шумов, а также температурной и временной нестабильности метрологических характеристик. Данная работа проводилась в соответствии с тематикой научных исследований по договору предприятия ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА" (г. Арзамас) с Департаментом авиационной промышленности Госкомоборонпрома РФ № 71 - 1003 Б на разработку емкостного датчика малых давлений от 08. 04. 1996 г., а также планом основных научных работ Арзамасского филиала НГТУ по проблеме "Разработка и исследование интегральных датчиков первичной информации".

Цель работы. Целью диссертации является разработка и исследование интегральных датчиков давлений и их узлов, а также расчетных соотношений, совокупность которых имеет прикладное значение в развитии перспективного направления в отрасли интегрального приборостроения.

Задачи диссертационной работы:

1. Анализ физических процессов в интегральных чувствительных элементах (ЧЭ), интегральных электронных узлах и системах датчиков давлений с точки зрения современных требований к измерительным приборам с применением уравнений математической физики, теории автоматического управления, аэрогидродинамики, электротехники, теории упругости, компьютерного моделирования и т. д.

2. Проведение экспериментальных исследований статических характеристик интегральных датчиков давлений, результаты которых позволяют судить о точности и преимуществах интегральных конструкций перед традиционными схемами объемного монтажа.

3. Получение практического подтверждения теоретических результатов диссертации.

Объект исследования. Объектом исследования является интегральные датчики давлений, выполняемые на базе монокристаллического кремния:

• Кремниевые мембраны с жестким центром и без него.

• Преобразователи прогибов мембран в электрический сигнал.

• Приборы для измерения давлений.

• Микроэлектронные преобразователи и узлы, встраиваемые в датчики давлений.

Методы исследования. При решении поставленных задач использованы методы математического и физического моделирования, натурный эксперимент и синтез оптимальных решений, методы полупроводниковой схемотехники, теоретической механики, аэрогидродинамики, теории упругости и теории систем автоматического управления.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Разработана математическая модель интегральной микромеханической мембраны в общем виде с учетом влияния дефектов и процесса демпфирования подвижного узла.

2. Получены теоретические соотношения для расчета микроэлектронных преобразователей, предназначенных для совместной работы с интегральными микромеханическими ЧЭ.

3. Разработаны методики расчета погрешности определения статической характеристики неидеальной интегральной мембраны и погрешности, обусловленной воздействием вибрации.

4. Разработан метод компенсации погрешностей датчика относительных давлений при изменении температуры окружающей среды.

5. Реализованы результаты расчета погрешностей на математической модели существующего интегрального измерителя давлений.

Практическая ценность работы:

1. Теоретические решения доведены до практического использования в расчетах характеристик и в оптимизации параметров разрабатываемых интегральных датчиков давлений.

2. Результаты теоретических и экспериментальных исследований в виде рекомендаций и расчетных соотношений для определения важнейших характеристик датчиков позволяют сократить сроки разработок новых интегральных измерителей давлений.

3. Разработанные методики определения статических характеристик интегральных датчиков давлений и их погрешностей с помощью испытательного оборудования позволяют получить основные метрологические параметры приборов.

4. Результаты диссертационной работы внедрены в учебный процесс в Арзамасском филиале НГТУ на кафедре "Авиационные приборы и устройства" по специальности 190300.

Реализация в промышленности. Выводы, рекомендации и результаты, полученные в диссертационной работе, внедрены на предприятии ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА" (г. Арзамас), что подтверждается соответствующими документами.

Апробация работы. Диссертация и отдельные ее разделы обсуждались и получили положительную оценку на следующих конференциях и совещаниях:

• На региональной научно-технической конференции "Методы и средства измерений физических величин", Н. Новгород, 1997, 1998 г. г.

• На межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика - 97", Москва, 1997 г.

• На межвузовской научно-технической конференции, Казань, 1997 г.

• На расширенном заседании кафедры "Авиационные приборы и устройства" Арзамасского филиала НГТУ в 1998 г.

Публикации. По результатам выполненных исследований опубликовано 8 работ, из них 3 статьи (1 - в печати), 5 - тезисы докладов на научно-технических конференциях.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, приложения, списка литературы и содержит 110 страниц машинописного текста: иллюстраций - 42 (рисунки, схемы, графики), таблиц - 16, список литературы - 68 наименований.

Похожие диссертационные работы по специальности «Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий», 05.11.13 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий», Рогожин, Антон Дмитриевич

Выводы

1. При проведении лабораторных испытаний 3-х образцов ЧЭ датчика типа ДМД графики статических характеристик (п. 4.3, рис. 1, 3, 5) и относительных разностей прямого и обратного хода (п. 4.3, рис. 2, 4, 6) при различных температурах окружающей среды показали достаточно хорошую воспроизводимость результатов измерения давления: как правило, разность находилась в пределах 0 < 5 < 1 % относительно диапазона изменения выходного сигнала по осредненной характеристике, что обусловлено как вариацией (гистерезисом) физических параметров прибора, так и неточностью считывания показаний со шкалы контрольного манометра (для ЧЭ № 3 при температуре + 40° С и + 60° С точки 0, 20, 40 и 60 мм рт. ст. - явный промах из-за невысокой точности поддержания температуры в испытательной термокамере: AT = ±3° С от заданного значения).

2. Статистическая обработка результатов измерений (п. 4.4), а именно аппроксимация характеристик приборов полиномом 1-ого порядка по методу наименьших квадратов (пакет программ Maple V), позволила точно оценить температурное изменение крутизны статической характеристики

Т шах 1,97 % у ЧЭ № 2 при Гд = +20-г+60° С - табл. 13) и полной ее нелинейности (относительно диапазона по линейной регрессии), значение которой у ЧЭ № 1 и 2 не превышает |г!тах|»1 % (для ЧЭ № 3 - |г|тах|»1,92 % в следствие промаха, указанного в п. 1 Выводов). Максимальное температурное изменение нулевой частоты датчика относительно нормальных условий приведено в таблице 15.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Разработаны конструкция и функциональная электрическая схема универсального датчика давлений, основанного на дифференциальном измерительном принципе. Дифференциально-логометрический алгоритм преобразования позволил исключить мультипликативные погрешности от температурного изменения диэлектрической проницаемости рабочего зазора и геометрических размеров электродов измерительных емкостей.

2. Разработана математическая модель кремниевой мембраны с учетом 3-х степеней свободы подвижного элемента в виде передаточной функции, позволяющей получить все статические и динамические характеристики чувствительного элемента.

3. Разработаны методы компенсации температурного изменения нулевого смещения для измерителя относительного давления с применением встроенного терморезистора и температурного изменения масштабного коэффициента за счет оптимального выбора отношения толщины неподвижного напыленного электрода к величине рабочего зазора емкостного преобразователя перемещений.

4. Разработана методика расчета вибропогрешностей мембранного первичного преобразователя, что позволит определить величину ошибки прибора до установки на объект с известными вибрационными характеристиками.

5. Разработана методика статистической обработки результатов испытаний датчиков давлений: аппроксимация экспериментальной статической характеристики методом наименьших квадратов с помощью математического пакета программ Maple V на ПЭВМ и расчет точностных параметров по полученной модели.

Суммируя приведенные в Заключении научные результаты, можно отметить, что цель диссертационных исследований достигнута.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Рогожин, Антон Дмитриевич, 2000 год

1. Андреева J1. Е. Упругие элементы приборов. - М.: Машиностроение, 1981.-392 с.

2. Аш Ж. и др. Датчики измерительных систем. М.: Мир, 1992, книга 1, -480 с, книга 2, - 420 с.

3. Акустические кристаллы. Справочник / А. А. Блистанов, В. С. Бондарен-ко и др. Под ред. М. П. Шкальской. М.: Наука, 1982. - 632 с.

4. Березкин И. С., Жидков Н. П. Методы вычислений. Том 1. М.: Наука, 1966.-720 с.

5. Боднер В. А. Приборы первичной информации. М.: Машиносторение, 1981.-344 с.

6. Борисов В. Ф., Мухин А. А., Назаров А. С. и др. Конструирование РЭС. Учебное пособие. М.: МАИ, 1991. - 96 с.

7. Браславский Д. А. Приборы и датчики летательных аппаратов. М.: Машиностроение, 1970. - 392 с.

8. Браславский Д. А., Петров В. В. Точность измерительных устройств. -М.: Машиностроение, 1976. 312 с.

9. Брук В. А., Гаршенин В. В., Курносов А. И. Производство полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1973. - 264 с.

10. Вавилов В. Д., Поздяев В. И., Шеянов В. Н. Об аэродинамическом демпфировании чувствительных элементов интегральных акселерометров. -Труды НИТИ, 1986, вып. 2 (30), с. 89 93.

11. Вавилов В. Д., Поздяев В. И. Конструирование интегральных датчиков. М.: МАИ, 1989.-50 с.

12. Вавилов В. Д., Яковлев В. П. и др. Исследование характеристик датчика давления с силовой компенсацией. Технология авиационного приборо- и агрегатостроения, 1980, № 1, с. 46-47.

13. Вавилов В. Д. Оптимизация характеристик интегральных датчиков. -Известия вузов. Приборостроение. № 5, 1997, с. 53 56.

14. Вавилов В. Д. Разработка и исследование измерительных приборов на интегральных принципах. Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. Н. Новгород: НГТУ, 1997. - 294 с.

15. Ваганов В. И. Интегральные тензопреобразователи. М.: Энергоатом-издат, 1983. - 132 с.

16. Васильев А. Д. и др. Направленное микропрофилирование кремния. -Микроэлектроника, 1977, т. 6, вып.З, с. 249 257.

17. Возьмилова Л. Н., Бердиченко М. М. Травление сквозных отверстий в пластинах кремния. Электронная техника, сер. 2. Полупроводниковые приборы, 1980, вып.2, с. 102- 107.

18. Вишнева Т. И. и др. Применение анизотропного травления полупроводников в технологии микроэлектроники. Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники, МИЭТ, 1976, вып. 24, с. 169 - 174.

19. Гордиенко М. М. и др. Термокомпрессионная оснастка для диффузионной сварки чувствительных элементов. ПСУ, 1991, № 4, с. 42-43.

20. Гутников В. С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. Л.: Энергоатомиздат, 1988. - 304 с.

21. Гутников В. С. Тенденции развития электронных измерительных преобразователей для датчиков. ПСУ, 1990, № 10, с. 32 - 35.

22. Зиновьев В. А. и др. Емкостный датчик избыточного давления. ПСУ, 1992, №5, с. 27.

23. Канищева Г. А. и др. Получение выпуклых и вогнутых поверхностей посредством анизотропного травления кремния ориентации (100). -Электронная техника, сер. 3. Микроэлектроника, 1978, вып. 5, с. 77 82.

24. Карантиров Н. Ф. и др. Качество микрорельефа при анизотропном травлении кремниевых пластин ориентации (100). Электронная техника, сер. 6, вып. 10,1979, с. 68 - 74.

25. Кенигсберг В. Л., Сердюков В. И., Мильман С. И. и др. Полупроводниковый датчик давления "Кристалл" ПСУ № 7, 1974, с. 26 - 27.

26. Козин С. А. и др. Размерное травление кремния при изготовлении интегральных чувствительных элементов преобразователей механических величин. -ПСУ, 1990, №10, с. 42-43.

27. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров: перевод с английского. Под общей ред. И. Г. Арамановича. М.: Наука, 1968, - 720 с.

28. Косогоров В. М. Технология диффузионной сварки полупроводниковых чувствительных элементов в электрическом поле. ПСУ, 1991, № 4, с. 41 -42.

29. Кравченко Г. Ф. и др. Прочность мембран интегральных тензопреобра-зователей давления. ПСУ, 1986, № 12, с. 31 - 32.

30. Кудряшов Э. А., Магер В. Е., Рафиков Ш. М. Поперечные пьезоэлемен-ты для датчиков силы и давления. ПСУ, № 9, 1989, с. 9-10.

31. Кухлинг X. Справочник по физике: перевод с немецкого. М.: Мир, 1981.-425 с.

32. Мельников В. Е., Вавилов В. Д. Информационная специфика и методы обработки сигналов частотных датчиков. М.: Изд-во МАИ, 1980. - 44 с.

33. Мэзон У. Полупроводниковые преобразователи. В кн.: Методы и приборы ультразвуковых исследований. Часть Б. М.: Мир, 1967, с. 139 - 186.

34. Най Дж. Физические свойства кристаллов. М.: Мир, 1967. - 388 с.

35. Нашиф А., Джоунс Д., Хендерсон Д. Демпфирование колебаний. М.: Мир, 1988.-448 с.

36. Обухов В. И. Технология интегральных измерительных преобразователей. Н. Новгород: НГТУ, 1994. - 212 с.

37. Пащенко В. В., Маланин В. П. Анализ схем коррекции температурных погрешностей параметрических датчиков. ПСУ, 1991, № 2, с. 19 - 20.

38. Petersen Kurt Е. Silicon as a Mechanical Material. IEEE, 1982, vol. 70, № 5, p. 420 - 457.

39. Разработка интегральных кремниевых микродатчиков за рубежом. Обзор по материалам зарубежной печати. Составители: Андреев А. А., Патрушева Н. Г., ГОНТИ, 1991.-84 с.

40. Рогожин А. Д. Принципы построения интегральных датчиков давления // Радиоэлектронные и телекоммуникационные системы и устройства: Межвузовский сборник научных трудов. Вып. 4. Н. -Новгород: НГТУ, 1998, с. 101 -109.

41. Рогожин А. Д., Вавилов В. Д. Компенсация температурных ошибок электростатического преобразователя силы // Всероссийская научно-техническая конференция молодых ученых и специалистов: тезисы докладов. -Казань: КГТУ, 1997.

42. Рогожин А. Д. Математическая модель интегрального датчика давлений // Приборостроение в аэрокосмической технике: материалы докладов Всероссийской молодежной научно-технической конференции. Арзамас: АФ НГТУ, 1999, с. 65-67.

43. Рогожин А. Д. Интегральный датчик абсолютного давления // Методы и средства измерений физических величин: тезисы докладов II Всероссийской научно-технической конференции. Часть II. Н. Новгород: НГТУ, 1997, с. 68.

44. Рогожин А. Д. Интегральный емкостный мановакуумметр с электростатической обратной связью // Методы и средства измерений физических величин: тезисы докладов III Всероссийской научно-технической конференции. Часть IV. Н. Новгород: НГТУ, 1998, с. 37 - 38.

45. Рогожин А. Д., Лапин В. Б. Интегральный датчик для измерения артериального давления // Микроэлектроника и информатика 97: тезисы докладов межвузовской научно-технической конференции. Часть 1. - М.: МГИЭТ (ТУ), 1997, с. 117.

46. Соколов Л. В. Полупроводниковый датчик давления повышенной точности // Бортовое электронное оборудование и системы летательных аппаратов. Жуковский, 1992. - 179 с.

47. Стоффель И. М. Технологии производства датчиков XXI века. ПСУ, 1991, №1, с. 23 -24.

48. Сугано Т., Икома Т., Такэиси Е. Введение в микроэлектронику: перевод с японского. М.: Мир, 1988. - 320 с.

49. Суэмацу Я., Катаока С., Кисино К. и др. Основы оптоэлектроники: перевод с японского. М.: Мир, 1988. - 288 с.

50. Талерчик Б. А., Олеск А. О. Интегральные полупроводниковые датчики.-ПСУ, 1986, №6, с. 12-13.

51. Tamai Mitsuo. Development of new-generation transmitters FCX series. UDC 681. 2. 084: 531. 787. -6 c.

52. Тарг С. M. Краткий курс теоретической механики. М.: Физматгиз, 1963.-480 с.

53. Терстон Р. Применение полупроводниковых преобразователей для измерения деформаций, ускорений и смещений. В книге: Методы и приборы ультразвуковых исследований. Часть Б. М.: Мир, 1967, с. 181 - 209.

54. Тиль Р. Электрические измерения неэлектрических величин: перевод с немецкого. М.: Энергоатомиздат, 1987. - 192 с.

55. Тимошенко Н. Н. Об одном алгоритме управления качеством твердотельных датчиков физических величин. ПСУ, 1989, № 7 с. 26 - 28.

56. Тули М. Справочное пособие по цифровой электронике: перевод с английского. М.: Энергоатомиздат, 1990. - 176 с.

57. Удалов Н. П. Полупроводниковые датчики. М.: Энергия, 1965. - 238 с.

58. Физические величины. Справочник / А. Н. Бабичев, Н. А. Бабушкина, А. М. Братковский и др. Под ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мейлихова М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.

59. Фрицше X. Аморфный кремний и родственные материалы. М.: Мир, 1991.-542 с.

60. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: перевод с английского. Том 1, 2, 3. М.: Мир, 1983. - 413 е., 371 е., 367 с.

61. Целовальников П. Г. Динамическая модель датчика перепада давлений

62. Технология авиационного приборо- и агрегатостроения, № 9, 1989. Производственно-технический сборник. Саратов: ГОНТИ НИТИ, стр. 52-53.

63. Цывин А. А. Полупроводниковые чувствительные элементы тензорези-сторных датчиков. ПСУ, 1989, № 1, с. 24 - 27.

64. Цыпкин Я. 3. Основы теории автоматических систем. М.: Наука, 1977. - 560 с.

65. Шефтель И. Т. Терморезисторы. М.: Наука, 1973. - 416 с.

66. Элексион Марс. Внедрение технологии интегральных схем в производство датчиков. Электроника, 1986, т. 59, № 11, с. 49 - 56.

67. Яворский Б. М., Детлаф А. А. Справочник по физике для инженеров и студентов вузов. М.: Наука, 1968. - 940 с.1. Списокобозначений

68. Яу-> (2а»" обобщенные силы и моменты;1х,1г относительные координаты центра тяжести мембраны;- сосредоточенная сила от давления;

69. Ср линейные и угловые жесткости;5 = (¡1Ж оператор Лапласа;

70. Кт сопротивление терморезистора;- физическая константа терморезистора;

71. Гн температура нормальных условий; ^ - выходная частота мультивибратора-термометра;ac>aR " температурные коэффициентыемкости и сопротивления;j линейное ускорение объекта;у плотность монокремния;сос собственная частота колебаниймембраны;

72. Г температура окружающей среды; FBbIX - выходная частота датчика; АРИЗМ - измеряемая разность давлений; щ - коэффициенты степенного ряда; FBbIX i - среднее значение частоты в i -ой точке характеристики; 8,- - относительная разность хода;

73. Материалы теоретических и экспериментальных исследований Рогожина А Д. использовались на предприятии ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА" при проведении НИР и ОКР интегральных преобразователей; данные материалы включают в себя:

74. Расчеты нелинейностей статических характеристик интегральных емкостных датчиков механических величин методом разложения функции преобразования в степенной ряд.

75. Расчеты передаточных функций чувствительных элементов интегральных преобразователей из дифференциальных уравнений Лагранжа второго рода по правилу отношения определителей.

76. Расчеты передаточных функций электронных преобразователей емкостных датчиков давлений.

77. Результаты экспериментальных исследований статических и динамических характеристик интегральных датчиков.

78. Методику определения погрешностей крутизны статической характеристики, влияния вибровозмущений и температуры.

79. Зам. Генерального директора по научной работе, к. т. н.

80. Начальник научно-производственного отдела1. С. Ф. БЫЛИНКИН£ " и+Оид 1999 г.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.