Разбавленные магнитные полупроводники на основе ZnGeAs2 и CdGeP2 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Варнавский, Сергей Александрович

• Варнавский, Сергей Александрович
• кандидат химических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат химических наук Варнавский, Сергей Александрович

Введение.

Глава I. Литературный обзор.

1. Фазовые равновесия в системах А11 - BIV - Cv2, где А - Zn, Cd; В -Ge; С - As, Р.

1.1 Тройная система Zn - Ge - Р.

1.2 Тройная система Cd - Ge - Р.

1.3 Тройная система Zn - Ge - As.

1.4 Тройная система Cd - Ge - As.

2. Кристаллическая структура соединений AnBIVCV2, где А - Zn, Cd; В - Ge; С - As, Р.

2.1 Кристаллическая структура ZnGeP2.

2.2 Кристаллическая структура CdGeP2.

2.3 Кристаллическая структура ZnGeAs2.

2.4 Кристаллическая структура CdGeAs2.

3. Электрофизические свойства полупроводников AnBIVCV2, где А -Zn, Cd; В - Ge; С - As, Р.

4. Влияние введения d-элементов (Mn, Сг, Fe) на магнитные свойства полупроводников AnBIVCv2, где А - Zn, Cd; В - Ge; С - As, Р.

4.1 ZnGeP2.

4.2 CdGeP2.

4.3 ZnGeAs2.

4.4 CdGeAs2.

5. Магнитные свойства MnAs и MnP.

Глава II. Методики эксперимента.

1 Рентгенофазовый анализ.

2. Химический анализ.

3. Дифференциальный термический анализ.

4. Рентгеноспектральный флуоресцентный микроанализ.

5. Микроструктурный анализ.

6. Измерение микротвёрдости.

7. Электронная микроскопия.

8. Измерение электрических свойств.

9. Измерение магнитных свойств.

Глава III. Фазовые равновесия в тройных системах А11 - Ge - Cv, где А

Zn, Cd; С - Р, As.

1. Анализ тройных систем Zn - Ge - As и Cd - Ge - P на основе граничных бинарных систем.

1.1 Анализ тройной системы Zn - Ge - As на основе граничных бинарных систем.

1.2 Анализ тройной системы Cd - Ge - Р на основе граничных бинарных систем.

2. Экспериментальное исследование разреза Ge - ZnAs2 тройной фазовой системы Zn - Ge - As.

2.1 Получение и исследование сплавов ZnGeAs2 - Ge.

2.2 Получение и исследование сплавов ZnGeAs2 - ZnAs2.

Глава IV. Синтез и электромагнитные свойства кристаллов ZnGeAs допированных Мп.

1. Характеристика исходных прекурсоров.

2. Получение образцов ZnGeAs2 допированных Мп.

3. Изучение растворимости Мп в кристаллах ZnGeAs2.

4. Магнитные и электрические свойства ZnGeAs2 допированных Мп.

5. Получение монокристаллов ZnGeAs2 легированных Мп и Со.

Глава V. Синтез и электромагнитные свойства образцов CdGeP допированных Мп.

1. Характеристика исходных материалов.

2. Получение образцов CdGeP2 допированных Мп.

3. Изучение растворимости Мп в кристаллах CdGeP2.

4. Магнитные и электрические свойства CdGeP2 {Мп}.

5. Фазовые переходы в СсЮеРг допированном Мп при высоком давлении.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разбавленные магнитные полупроводники на основе ZnGeAs2 и CdGeP2»

Современные технологии позволяют получать транзисторы с толщиной всего в несколько атомных слоёв, однако при дальнейшем уменьшении толщины кремниевый транзистор может терять свои свойства. Одним из вариантов дальнейшего развития микроэлектроники, является создание квантовых вычислительных устройств, в которых основным узлом является набор элементарных частиц (атомов или электронов), подчиняющихся законам квантовой механики, - квантовых битов (кубитов). Для атома логическим нулём и единицей может быть спокойное или возбуждённое состояние, для фотона его поляризация (её отсутствие, а также ситуация «фотон в ловушке»), а для электрона - его спин, ввиду того, что управление спином более энергетически выгодно, чем управление электроном. В настоящее время новым перспективным направлением твёрдотельной электроники становится спиновая электроника (спинтроника), где наряду с зарядом спин электрона представляет собой активный элемент для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнито-оптоэлектронных приборов. Использование в устройствах спинтроники как ферромагнитных, так и полупроводниковых свойств материала, то есть спина и заряда его электронов, выдвигает на первый план задачу поиска и синтеза новых высокотемпературных ферромагнитных полупроводников с высокоподвижными поляризованными носителями тока [1]. В качестве пути создания таких материалов рассматривается внедрение d-элементов в полупроводники. До недавнего времени лучшие результаты были получены на плёнках GaAs, изготовленных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и содержащих 5-^-6 моль.% Мп. Максимальная температура Кюри в таких образцах достигала 160 °С [2].

Однако недавно были получены новые ферромагнетики на основе полупроводников группы AnBIVCV2 с Тс=355 К для CdGeAs2 [3] и Тс=320 К для СсЮеРг [4, 5]. Характерными свойствами для этой группы тройных полупроводников являются высокие подвижности носителей заряда, малые эффективные массы электронов и большие отношения подвижности электронов к подвижности дырок. Контролируемое введение атомов переходных элементов (Mn, Fe, Сг и др.) в кристаллическую решетку, в принципе, позволяет обеспечить переход этих полупроводников в ферромагнитное состояние с достаточно высокой точкой Кюри. Поэтому в настоящей работе представляло интерес изучить влияние Мп на электромагнитные свойства других полупроводников группы AHB1VC\ в частности ZnGeAs2 и CdGeP2.

Интерес ZnGeAs2 обусловлен возможностью создания эпитаксиальных структур на подложке GaAs, т.к. параметры кристаллической решётки ZnGeAs2 и GaAs различаются не более чем на 2 %.

В качестве второго объекта исследования был выбран CdGeP2, на основе которого был впервые синтезирован высокотемпературный ферромагнетик [6]. Результаты исследований СсЮеРг были получены на плёночных образцах, что затрудняло получение однородного распределения марганца по глубине слоя, поэтому представляло интерес провести исследования на объёмных образцах СсЮеРг с различным содержанием Мп.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Варнавский, Сергей Александрович

Выводы

1. Разработаны физико-химические основы получения ZnGeAs2 и CdGeP2, допированных Мп, путём непосредственного взаимодействия высокочистых A"Bv2 (где А - Zn, Cd; В - Р, As) с Ge исходя из анализа и экспериментального изучения тройных систем Zn - Ge - As и Cd - Ge - P.

2. Комплексом методов физико-химического анализа изучен разрез Ge-ZnAs2 тройной фазовой диаграммы Zn-Ge-As. В данном разрезе образуются конгруэнтно плавящиеся соединения ZnGeAs2, обладающие малой растворимостью Ge и ZnAs2. ZnGeAs2 образует с Ge эвтектику с координатами 825 °С, -15 моль.% ZnAs2. ZnAs2 и ZnGeAs2 образуют эвтектику с координатами 745 °С, 95 моль.% ZnAs2. Изучение микроструктуры этих эвтектик показало, что они относятся к эвтектикам пластинчатого типа.

3. В широком интервале температур (от 30 до 850 °С) была изучена растворимость Мп в ZnGeAs2. Установлено, что растворимость Мп возрастала с ростом температуры и достигала максимума ~4 масс.%. С ростом содержания Мп объём элементарной ячейки ZnGeAs2 уменьшается, что свидетельствует об образовании твёрдых растворов замещения.

4. Синтезированы твёрдые растворы Cdi.xMnxGeP2, при х=0 + 0.19. С ростом содержания марганца наблюдалось уменьшение параметров кристаллической решётки, что свидетельствовало об образовании твёрдых растворов замещения.

5. Измерение электрических и магнитных свойств в интервале температур 5 - 400 К показало, что ZnGeAs2 и CdGeP2, допированные Мп, обладают спонтанной намагниченностью с температурами Кюри 367 и 330 К соответственно. При малых магнитных полях их магнитные свойства характерны для спиновых стёкол.

6. Изучение барических зависимостей р(Р) и Rh(P) соединений ZnGeAs2 и CdGeP2 подтверждало данные об образовании твёрдых растворов A"i.xMnxGeCV2. В частности, введение Мп упрочняло кристаллическую структуру CdGeP2 т.к. в образцах, допированных Мп, фазовые превращения происходили при более высоких давлениях.

7. Методом направленной кристаллизации были получены монокристаллы ZnGeAs2, допированные Мп и Со, магниточуствительные при комнатных температурах.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Варнавский, Сергей Александрович, 2007 год

1. Иванов В.А., Аминов Т.Г., Новоторцев В.М., Калинников В.Т., Спинтроника и спинтронные материалы // Известия академии наук. Серия химическая, 2004, №11, с.2255-2303.

2. OhnoH., Making Nonmagnetic Semiconductors Ferromagnetic // Science, 1998, v.281, N.5379, p.951.

3. Новоторцев B.M., Калинников B.T., Королёва Л.И., Демин Р.В., Маренкин С.Ф., Аминов Т.Г., Шабунина Г.Г., Бойчук С.В., Иванов В.А., Высокотемпературный ферромагнитный полупроводник CdGeAs2{Mn} // Журнал Неорганической Химии, 2005, т. 50, №4, с. 552-557.

4. Medvedkin G.A., Ishibashi Т., Nishi Т., Hayata К., Hasagewa Y., Sato К., Jap. J. Appl. Phys., 39, L949, (2000).

5. SatoK., Medvedkin G.A., Ishibashi Т., Proceeding of international conference on Physics and applications of spin-related phenomena in semiconductors (PASP 2000), Sendai, Japan, Sept. 13-15,2000.

6. Медведкин Г.А., ИшибашиТ., Ниши Т., СатоК., Новый магнитный полупроводник Cdi.xMnxGeP2 // Физика и техника полупроводников, 2001, т.35,№3,с.305 -309.

7. Горюнова Н.А., Сложные алмазоподобные полупроводники, М., «Советское радио», 1968.

8. Foldberth O.G., Patent BRG No. 1.044.980, kl. 21g 11/02 (November 14, 1955).л

9. Delley В., From molecules to solids with the DMol approach, The Journal of Chemical Physics November 8, 2000 - Volume 113, Issue 18, pp. 77567764.

10. Seryogin G.A., Nikishin S.A., TemkinH., Single phase ZnSnAs2 grown by molecular beam epitaxy, J. Vac. Sci. Technol. В 16,1456 (1998).

11. MerceyB., ChippauxD., VizotJ., Deschanvres A., Preparation, electrical properties and annealing of ZnGeAs2, Journal of Physics and Chemistry of Solids, vol. 47, Issue 1, 1986, p.37-43.

12. FrancoerS., Seryogin G.A., Nikishin S.A., TemkinH., Quantitative determination of the order parameter in epitaxial layers of ZnSnP2, Applied Physics Letters April 10,2000 - Volume 76, Issue 15, pp. 2017-2019.

13. SetzlerS.D., Schunemann P.G., PollakT.M. et. al., Characterization of defect-related optical absorption in ZnGeP2, J. Appl. Phys., 86, 5577 (1999).

14. Химия алмазоподобных полупроводников, Горюнова H.A., JI., изд-во ЛГУ, 1963,222 с.

15. Диаграммы состояния двойных металлических систем, справочник в 3-х томах, под ред. Лякишева Н.П., М., Машиностроение, 1996.

16. Гончаров Е.Г., Соколов Л.И., УгайА.Я., Диаграмма состояния и некоторые темодинамические параметры системы Ge Р, Журнал Неорганической Химии. 1975, т.20, № 9, с. 2452-2455.

17. УгайАЛ., Соколов Л.И., Гончаров Е.Г., Пшестанчик В.Р. «Р-Т-х диаграмма состояния системы Ge Р и термодинамика взаимодействия компонентов» - Журнал неорганической химии, т.ХХШ, №7, 1978, с. 1907-1910.

18. Ogusi D., NamikavaR., Tanaka J. // J. Chem. Soc. Japan. Pure Chem. Sec. 1968. v.89. N 8. p. 746-752.

19. Donohue P.C., Young H.S. //J, Solid State Chem. 1970. v.l. N.l. p. 143-149.

20. УгайЯ.А., Соколов Л.И., Гончаров Е.Г., О термической диссоциации германия // Полупроводниковые материалы и их применение. Сб.науч.тр. Воронеж, 1974. с.173-181.

21. Dutkiewicz J. //J. Phase Equilibria, 1991. V.l 2, N.4, p. 435.

22. Rubtsov V.A., Smolyarenko E.M., Trukhan V.M., Yakimovich V.N., Crystal structure of the ZnP4 compound. Crystal Res. Technol. 21.1986. 6. K93-K94.

23. Якимович B.H., Получение соединений цинка, кадмия, олова с фосфором и мышьяком и следование их термодинамических свойств: Автореф. Дис. канд. хим. наук. Минск, 1982 -18 с.

24. Рубцов В.А., Якимович В.Н., ТруханВ.М. Условия образования твердых растворов в системе ZnP4 CdP4. Весщ АН БССР, №4,1991.

25. Olesninski R.W., Abbaschian G.J. // Bull. Alloy Phase Diagrams. 1985. v.6, N6, p. 509.

26. Борщевский A.C., Шанцовой T.M., «Давление и состав пара над полупроводником ZnGeP2» Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, т.11, №12,1975, с. 2158.

27. Buehler Е., Wernick J.H.J. Cryst. Growth, v.8, 324 (1971).

28. Borshchevskii A.S., Goryunova N.A., Kesamanly F.P., Nasledov D.N. Phys. Stat. Sol., 21, 9 (1967).

29. Борщевский A.C., Тройные соединения A2B4C52 (библиотечный указатель отечественной и иностранной литературы за 1955 1969 гг.). Изд. ВНИИКИ, М., 1970.

30. УгайА.Я., Соколов JI.И., Гончаров Е.Г., Пшестанчик В.Р. «Р-Т-х диаграмма состояния системы Ge Р и термодинамика взаимодействия компонентов» - Журнал неорганической химии, т.ХХШ, №7, 1978, с. 1907-1910.

31. Krebs Н., Muller К.Н., Zurn A. Darstellung and Struktur des CdP4. Z.anorg. und allgem. Chem., 1956, bd.285, N1-2, p.15-28.

32. BerakT., PruchnikZ. Phase Equilibriain the Zinc-Cadmium-Phosphorus System. Part: The Cadmium-Phosphorus System., Roc. Chem. Ann. Soc. Chim. Polon, 1958, v.42, p.1403 1409.

33. Zdanowicz W., Wojakowski A. Semiconducting Properties of CdP4, Phys.Stat.Sol., 1966, v. 16, N2, p. 129 131.

34. Ковалёва И.С., Дмитриев A.B., ЖижейкоИ.А. О получении фосфида кадмия CdP4 и его электрических свойств // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1966, т.2, №2, с. 403 404.

35. Kalicinska-KarutТ., PruchnikZ., LukaszewiczК. The stoichiometric formula and space group of cadmium phosphide Cd7Pio. Roc. Chem. Ann. Soc. Chim. Pol., 1971, v.45, N11, p. 1991-1992.

36. ШелегА.У., Новиков В.П. Исследование фазовых переходов в дифосфиде кадмия рентгеновским методом. В сб.: XIII всесоюзноесовещание по применению рентгеновских лучей к исследованию материалов. Черноголовка, 1982, с.110.

37. Лазарев В.Б., Гринберг Я.Х., Маренкин С.Ф., Самиев С.Х. Исследование Р-Т-х фазовой диаграммы системы Cd Р и термодинамические свойства фосфидов кадмия // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1979, т. 15, №7, с. 1149-1154.

38. Pistorius C.W.F.T., Clark Т.В., Coetzer Т. High-pressure phase relations and crystal structure determination for zinc phosphide. Zn3P2 and cadmium phosphide Cd3P2. High Temp. High Press., 1977, v.9, N4, p.471 - 482.

39. Самиев С.Х. Физико-химическое исследование фосфидов кадмия и цинка. Диссертация на соискание учёной степени кандидата химических наук, М., ИОНХ, 1979.

40. Thomas М.Е., Richter P.W., Clark J.B.// High Temp. Sci. 1985. V. 19.N.1. p.89-91.

41. Борщевский A.C., Вайполин A.A., Конников С.Г., и др. «Исследование разреза CdP2 Ge системы Cd-Ge-Р» - Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, т.9, №2,1973, с.562-565.

42. Бойко М.Е., Борщевский А.С., УндаловЮ.К., «Исследования сплавов разреза Cd-CdGeP2» Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, т.12, №4, 1976, с.761-764.

43. Борщевский А.С., Ундалов Ю.К., Шанцовой Т.М. «Исследование упругости пара над CdGeP2, CdP2 и Cd3P2» Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, т.13, №1,1977, с. 22-26.

44. Лазарев В.Б., Шевченко В.А., Маренкин С.Ф., Физико-химические свойства и применение полупроводниковых систем А2В5. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1979, Т. 15, № 10, с.1701 - 1712.

45. Термографическое исследование полиморфных переходов в арсенидах кадмия и цинка./ Лазарев В. Б., Понамарев В. Ф., Маренкин С. Ф. и др. // Изв.АН СССР. Неорганические материалы.- 1982.- Т.18.- № П.- С.540-543.

46. Фазовая Р-Т-х диаграмма системы Zn As, Гуськов В. Н., Лазарев В. Б., Гринберг Я. X. и др. // Изв.АН СССР. Неорганические материалы.-1983.- Т.19.-№ 14.- С.532-537.

47. Pistorus C.W.F.T. Melting and Polymorphism of Cd3As2 and Zn3As2 at High Pressures. //High Tern.- High Press.- 1975.- V.7.- N 2.- P.441-449.

48. TayaramanA., Anantharaman T.R., KlementW. Melting and and Polymorphism of Cd3As2 and Zn3As2 at High Pressures. // J.Phys. Chem.Sol.1966.- V.27.- N 10.- P.1605-1609.

49. Исследование области гомогенности ZnAs2, Лазарев В.Б., Маренкин С.Ф., Максимова С.И. и др. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы.- 1979,- Т. 15.- № 5.- С.749-751.

50. Clark Т.В., Pistorius C.W.F.T. Stable ahd metastable equilibria near the melting curkers of CdAs2 and ZnAs2 to high pressures.// High Temp.- High Press.- 1973.- V.5.- N 3.- P.319-326.

51. Clark T.B., Range K.T., High Pressure Reactions in the Systems Zn3As2 -As and CdAs2 -As.// Z. Naturforschung.- 1975.- V.306.- N 9-10.- P.688-695.

52. Маренкин С.Ф., Лазарев В.Б., Саныгин В.П. // Журнал Неорганические материалы, 1985, №21, с.721.

53. УгайА.Я., Гладышев Н.Ф., Гончаров Е.Г., Тензометрическое исследование системы Ge As, Изв. АН СССР, Неорганическая химия, 1978, т.23, вып.4, с. 1065 - 1068.

54. УгайА.Я., ПоповА.Е., ГончаровЕ.Г., ПахаруковВ.А., Область гомогенности арсенида германия, Журнал неорганической химии. 1982. т.27, №7, с. 1783- 1787.

55. Olesninski R.W., Abbaschian G.J. // Bull. Alloy Phase Diagrams. 1985. v.3, N3, p. 250-254.

56. Trumond C.D., KowalchikM. // Bell. System Techn. J. 1960. v.39. p. 169 -204.

57. Шейхет Э.Г., Шкот В.Я. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы.1967. т.З, №11, с. 1967-1971.

58. Н.А. Горюнова, В. И. Соколова, Цзян Бин-Си. О растворении германия в некоторых тройных полупроводниковых соединениях. // ДАН СССР. -1963.-Т. 152. -№2.

59. Борщевский А.С., Роенков Н.Д. «Диаграмма состояния системы Cd-Ge-As» журнал неорганической химии, т. 14, №8, 1969, с. 2253-2258.61. «Тройные полупроводники А2В4С52 и А2В32С64» сб.докладоввсесоюзного совещания, Кишинев, «Штиинца», 1976, с. 259.

60. Mikkelsen J.C., Jr. and H.Y-P. Hong "A new ternary phase in the Cd-Ge-As system"-Mat. Res. Bull., v.9, 1974, p.1209-1218.

61. Жемчужный С.Ф. О сплавах мышьяка с оловом, кадмием, свинцом, сурьмой. Ж.Р.Ф.Х., 1905, т.37, с.1281 1285.

62. ГуковОЛ., УгайЯ.А., Пшестанчик В.Р., Гончаров Е.Г., ПахомоваН.В. Диаграмма состояния системы Cd As // Изв. АН СССР, Неогранические материалы, 1970, т.6, №11, с. 1926 - 1929.

63. Вол Е.А., Каган И.К. Строение и свойства двойных металлических систем // М., Наука, 1979, т.4, с. 100 104.

64. Pruchnik Z. On the existence of cadmium tetraarsenide and its phase relations in the cadmium arsenic system. J. Mat. Sci., 1977, v.3, N4. p.121 125.

65. Лазарев В.Б., Лужная Н.П., Маренкин С.Ф., Шевченко В.Я. Взаимодействие кадмия с мышьяком в области существования соединения CdsAs2 // Журнал Неорганическая Химия, 1972, т.17, в.2, с.3082 — 3085.

66. Маренкин С.Ф., Максимова С.И., Хусейнов Б., Шевченко В.Я. Исследование области гомогенности CdAs2 // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1978, т.14, №3, с.397 400.

67. Нипан Г.Д., Лазарев В.Б., Гринберг Я.Х. Р Т - х диаграмма состояния системы Cd - As // Журнал Неорганическая Химия, 1982, т.21, №7, с. 1788-1792.

68. Katzman Н., Donohue Т., Libby W. High Pressure Metallic Polymorphic Cadmium Arsenide, Phys.Rev.Lett., 1968, v.20, №7, p.442 444.

69. ПалкинаК.К., Кузнецов В.Г., Лазарев В.Б., Маренкин С.Ф., Шевченко В.Я. Рентгенографическое исследование области гомогенности арсенида кадмия // Журнал Неорганическая Химия, 1975, т.20, №8, с.226 228.

70. УгайЯ.А., ЗюбинаТ.А. Получение и электрические свойства полупроводниковых поли- и монокристаллов CdAs2 и Cd3As2 // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1965, т.1, №6, с. 860 867.

71. У гай Я. А., ЗюбинаТ.А., Алейников К.Б. Получение и электрические свойства стеклообразного CdAs2 // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1968, т.4, №1, с. 17-22.

72. HrubyA., StouracL. Glassy semiconducting CdAs2. Mat. Res. Bull., 1971, v.6, №2, p.247-250.

73. Маренкин С.Ф., Пашкова O.H., Лазарев В.Б. Политермический разрез CdAs2 GaAs системы Cd - Ga - As // Журнал Неорганическая Химия, 1986, т.31, №7, с. 1821- 1824.

74. Лазарев В.Б., Пономарёв В.Ф., Маренкин С.Ф., Шарпатая Г.А. Термографическое исследование полиморфных переходов в арсенидах кадмия и цинка // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1982, т. 18, с. 540-543.

75. Clark Т.В., Range К.Т. Crystal Structure of the High Pressure Phases ZnAs and CdAs. Z. Naturforschung, 1976, Bd. 21, №2, p. 158 162.

76. Pamplin B.R. and Feigelson R.S. "New phases in the Cd-Ge-As system" -Mat. Res. Bull., v. 14,1979, p.263-266.

77. Коцюруба E.C., Борщевский A.C. «Тензометрическое исследование системы Ge CdAs2» - журнал неорганической химии, т.ХХН, №11, 1977, с. 3174-3176.

78. Чернов А.Н., Фесенко Т.П., Ольховский В.П., Калинников В.Т. «Диаграмма состояния системы CdGeAs2 GeAs2» - журнал неорганической химии, т.29, №1, 1984, с. 210-213.

79. Чернов А.Н., Фесенко Т.П., Ольховский В.П., Калинников В.Т. «Стеклообразование в системе Cd-Ge-As по сечениям CdAs2 GeAs2 и CdGeAs2 - GeAs2» - журнал неорганической химии, т.28, №12, 1983, с. 3150-3153.

80. Чернов А.П., Бабицина А.А., Жуков Э.Г., Фёдоров В.А., Хуцишвили Н.Т., «Исследование взаимодействий в системе CdAs2 -GeAs2 CdGeAs2», VIII Всесоюзное совещание по физико-химическому анализу. Саратов, 17-19 сентября 1991, Тезисы докладов, часть 1.

81. Новые алмазоподобные полупроводники AnBIVCV2 (обзор), под ред. Ю.А. Валового, М., 1971.

82. Полупроводники AirBIVCV2 под ред. Горюновой Н.А., Валова Ю.А., М., «Советское радио», 1974.

83. Vaipolin А.А., OsmanovE.O., Prochukhan V.D., Modifications of A(II) B(IV) C2(V) compounds with the sphalerite structure. Izvestiya Akademii Nauk SSSR, Neorganicheskie Materialy (1972) 8, 825-827.

84. LindM.D., Grant R.W., Structural dependence of birefringence in the chalcopyrite structure. Refinement of the structural parameters of ZnGeP2 and ZnSiAs2, The Journal of Chemical Physics January 1, 1973 - Volume 58, Issue 1, pp. 357-362.

85. Pfister H. Kristallstruktur von ternaeren Verbindungen der Art A(II) B(IV) C(III)2, Acta Crystallographica (1958) 11,221-224.

86. Vaipolin A.A., Specific defects of the structure of compounds A(II) B(IV) C(V)2, FizikaTverdogo Tela (1973) 15,1430-1435.

87. Continenza A., Massidda S. et. al., Structural and electronic properties of narrow-gap ABC2 chalcopyrite semiconductors, Physical Review, Serie 3. В Condensed Matter (1992) 46, 10070-10077.

88. Grigorovici R., ManailaR., Vaipolin A.A., The structure of crystalline and amorphous Cd Ge P2, Acta Crystallographica В (1968) 24, 535-541.

89. Hoenle W., von Schnering H.G., Verfeinerung der Kristallstruktur von CdGeP2, Zeitschrift fuer Kristallographie (1981) 155, 319-320.

90. Levalois M., Allais G, Etude structurale, par diffraction de R-X des liaisons dans les semiconducteurs ternaires Zn Si As2, Zn Ge As2 et Zn Sn As2, Physica Status Solidi, Sectio A: Applied Research (1988) 109, 111-118.

91. Janotti A., Wei Su-Huai, Zhang S.B., Kurtz S., Structural and electronic properties of ZnGeAs2, Physical review B, 2001, vol. 63, p. 195210.

92. Abrahams S.C., Bernstein J.L., Piezoelectric nonlinear optic CuGaSe2 and CdGeAs2: Crystal structure, chalcopyrite microhardness, and sublattice distortion, The Journal of Chemical Physics — August 1, 1974 Volume 61, Issue 3, pp. 1140-1146.

93. Маренкин С.Ф., Новоторцев В.М., Палкина К.К., Михайлов С.Г., Калинников В.Т., Получение и структура кристаллов CdGeAs2, Неорганические материалы, 2004, т.40, №2, с. 1-3.

94. Вайполин А.А., Османов Э.О., Третьяков Д.Н. // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1967. 3, №2, 260.

95. MasumotoK., IsomuraS., Goto W. // J. Phys. Chem. Solids, 1966, 27, N 11/12, p. 1939.

96. Buchler E., Wernik J.H., Welley J.D., // J. Electr. Mater., 1973, 2, N3, p.445.

97. GoryunovaN.A., Poplavnoi A.S., Polygalov Yu.J., Chaldyshev N.A. // Phys. Stat. Sol., 1970, 39, N 1, p.9.

98. Bendorius R., Prochukhan V.D., SileikaA. // Phys. Stat. Sol., 1972, B53, N 2, p.745.

99. Bertoty J., Somogyi K. // Phys. Stat. Sol., 1971, A6, N 2, p.439.

100. Somogui K., Bertoti J. // Japan J. Appl. Phys., 1972,11, N 1, p. 103.

101. Grigorueva V.S., Prochukhan V.D., RudYu.V., Yakovenko A.A. // Phys. Stat. Sol., 1973, A17, N 1, k69.

102. Григорьева B.C., Прочухан В.Д., РудьЮ.В. и др. // Письма в ЖЭТФ, 1975, 1, №3, с.130.

103. Григорьева B.C., Прочухан В.Д., РудьЮ.В., Яковенко А.А. // Физика и техника полупроводников, 1974, 8, вып. 8, с. 1582.

104. Mughal S.A., Payne A.J., Ray В., // J. Mater. Sci., 1969, 4, N 10, p.895-901.

105. Goryunova N.A., RyvkinS.M., Shpenikov G.P., // Phys. stat. sol., 1968, 28, N2, p.489.

106. Goryunova N.A., Kusmenko G.S., Osmanov E.O. // Mater. Sci. Engng, 1971, 7, N1,54.

107. Аксёнов B.B., Петров B.M., Полыгалов Ю.И., Чалдышев B.A., // Всесоюзная конференция по электрическим и оптическим свойствам кристаллов типа A nBv и сложных соединений типа AnBIVCV2. Тезисы докладов. Ашхабад, «Ылым», 1971, c.l 1.

108. Ш.СупруненкоП.А., КальнаяГ.И., Кириленко М.М., // Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1974,10, №6, 988.

109. Ундалов Ю.К., Получение и исследование полупроводникового соединения CdGeP2. Автореферат канд. дис. Л., Ленинградский политехнический институт, 1974.

110. Тычина И.И., Получение монокристаллов полупроводниковых соединений CdGeP2 и ZnGeP2 и исследование их свойств. Автореф. канд. дисс. Киев, Киевский пед. ин-т, 1966.

111. Leroux-Hugon Р. // Compt rend. Acad, sci., 1963, 256, N1,118.

112. Choi S., Choi J., Hong S.C., Cho S., Mn-doped ZnGeAs2 and ZnSnAs2 single crystals: growth and electrical and magnetic properties, Journal of the Korean Physical Society, vol.42, February 2003, pp. S739-S741.

113. Аверкиева Г.К., Прочухан В.Д., РудьЮ.В., ТаштановаМ. // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1975, 11, №4, с.607.

114. Solomon G.S., TimmonsM.L., and Posthill J.B., Organometallic vapor-phase-epitaxial growth and characterization of ZnGeAs2 on GaAs, Journal of Applied Physics March 1, 1989 - Volume 65, Issue 5, pp. 1952-1956.

115. Дашевский М.Я., ХасиковВ.В. // В кн.: Тройные полупроводники AhBivCv2 и AnBin2Cvi4. Кишенёв, «Штиинца», 1972, с.83.

116. Бергер Л.И. Исследования в области тройных алмазоподобных полупроводников. Автореф. докт. дис. М., МИСиС, 1968.

117. Boyd G.D., Buehler Е., StorrF.G., WernickJ.H. // IEEE J. Quant. Electronics, 1972, 8, N 4, p.419.

118. Горюнова H.A., Тахтарёва H.K. // В кн.: Сложные полупроводники и их физические свойства. Кишинёв, «Штиинца», 1971, с. 47.

119. Landolt-B6rnstein. Semiconductors: Physics of Ternary Compounds, ed. By O.Madelung (Berlin-Heidelberg, Springer Verlag, 1985) v. 17h.

120. Y.Ishida, D.D. Sarma, K. Okazaki, J.Okabayashi, J.I.Hwang, H. Ott, A. Fujimori, G.A. Medvedkin, T. Ishibashi, and K. Sato, Phys. Rev. Lett., 2003, 91, 107202.

121. T. Hwang, J.H. Shim, and S. Lee, Appl. Phys. Lett., 2003, 89, 1809.

122. S. Cho, S. Choi, G.-B. Cha, S.C. Hong, Y. Kim, Y.-J. Zhao, A.J. Freeman, J.B. Ketterson, B.J. Kim, Y. C. Kim, and B.-C. Choi, Room-temperature ferromagnetism in (Znj.xMnx)GeP2 semiconductors, Phys. Rev. Lett., 2002, 88,257203.

123. Медведкин Г.А., ИшибашиТ., Ниши Т., Сато К., Новый магнитный полупроводник Cdi.xMnxGeP2 // Физика и техника полупроводников, 2001, т.35, №3, с.305 -309.

124. Wellmann P.J., Garcia J.M., Feng J.-L., PetroffP.M., Formation of nanoscale ferromagnetic MnAs crystallites in low-temperature grown GaAs // Applied Physics Letters October 27,1997 - Volume 71, Issue 17, pp. 2532-2534.

125. Fumihiro Ishikawa, Keiichi Koyama, Kazuo Watanabe, Tetsuya Asano and Hirofiimi Wada, First-order Phase Transition at the Curie Temperature in MnAs and MnAs0.9Sb0.1 // Journal of the Physical Society of Japan, vol. 75, No. 8, August, 2006, 084604.

126. Huber E.E., RidgleyD.H., Magnetic properties of a single crystal of manganese phosphide, Phys. Rev. 135, A1033 A1040,1964.

127. Горелик C.C., СкаковЮ.А., Расторгуев JI.H., Рентгенографический и электронно-оптический анализ. М.: МИСиС, 1994.

128. Львов В.Б., Атомно-адсорбционный спектральный анализ. М.: Наука. 1966.392 с.

129. Прайс В. Аналитическая атомно-абсорбционная спектроскопия. М.:1. Мир, 1975.-355с.

130. Терек Т., МикаИ., Гегуш Э., Эмиссионный спектральный анализ, пер. с англ., ч. 1-2, М., 1982.

131. Пшеничников Ю.П., Выявление тонкой структуры кристаллов. М.: Металлургия, 1974, 528 с.

132. Бублик В.Т., Дубровина А.Н., Зимичева Г.М., Методы исследования структуры полупроводников. М.: МИСиС, 1985, ч.1.

133. Глазов В.М., Вигдорович В.Н., Микротвёрдость металлов. М.: Металлургия, 1969, с. 13-31.

134. ХоксП., Электронная оптика и электронная микроскопия. М.: Мир. 1974. 347 с.

135. Деркач В.П., КияшкоГ.Ф., Кухарчук М.С., Электронно-зондовые устройства. Киев: Наукова думка, 1974, 238 с.

136. Стоянова И.Г., АнаскинИ.Ф., Физические основы методов просвечивающей электронной микроскопии, М.: Наука, 1972, 347 с.

137. УманскийЯ.С. и др., Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982,432 с.

138. Микроанализ и растровая электронная микроскопия, под ред. Морис Ф., Мени Л., Тиксье Р. М.: Металлургия, 1985,407 с.

139. Энгель Л., КлингельГ. Растровая электронная микроскопия. -Справочник. М:, «Металлургия», 1986,200 с.

140. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ, справочник, под ред. Новосёлова А.В., Лазарева В.Б., Лужной Н.П. и др., М., Наука, 1979 г.

141. Silvey G.A., Lyons V.J., Silvestry V.J., The Preparation and Properties of Some 2-5 Semiconducting Compounds // J. Electrochem. Soc. 1961. V. 108. № 7. P.653-658.

142. Marenkin S.F., Huseynov В., Shevchenko V.Ya., Belyskiy N.K., The growth of CdAs2 and ZnAs2 Single Crystals from the Vapour Phase // J. Ciyst. Growth. 1978. V. 44. № 2. P.259-261.

143. Lyons V.J., The Dissociation Pressure of ZnAs2 // J. Phys. Chem. 1959. V. 63. P.l 142-1144.

144. Маренкин С.Ф., Шевченко И.Я., Стеблевский A.B. и др., Исследование термической диссоциации полупроводников группы AnBv // Изв. АН СССР. Неорга. Материалы. 1980. Т.16. № 10. С.1757-1761.

145. Глазов В.М., Касымова М.К., Плотность арсенидов цинка и кадмия в твёрдом и жидком состоянии и объёмные измерения при их плавлении // Докл. АН СССР. 1968. Т. 183. № 1. С. 141-143.

146. Надточий Ю.Г., Пищиков Д.И., Маренкин С.Ф. и др. Анизотропия теплопроводности, термо-э.д.с. и удельного сопротивления в ZnAs2 // Неорган. Материалы. 1992. Т. 28. № 2. С. 293-298.

147. Маренкин С.Ф., Маймасов А.В., Попов А.Б., Особенности выращивания монокристаллов диарсенида цинка // Неорганические материалы. 1997. т.ЗЗ. № 4. с. 394-404.

148. Edmonds К.М., Wang К.Y., Campion R.P., Neumann A.C., Farley N.R.S., Gallagher B.L., Foxon C.T., Appl. Phys. Lett. 81, 18,4991 (2002).

149. Edmonds K.M., Boguslawski P., WangK.Y., Campion R.P., Novikov S.N., Farley N.R.S., Gallagher B.L., Foxon C.T., Sawicki M., Dietl Т., Buongiorno Nardelli M., Bernholc J., Phys. Rev. Lett. 92,3, 03720 (2004).

150. Medvedkin G.A., HiroseK., Ishibashi Т., NishiT., Voevodin V.G., Sato K., J. Cryst. Growth 236, 4, p.609 (2002).

151. Choi S., Cha G.-B., Hong S.C., Cho S., Kim Y., Ketterson J.B., Jeong S.-Y., Yi G.-C., Solid State Commun. 122, 3-4, 165 (2002).

152. Kent P.R., Schulthess Т.С., СР772, Physics of Semiconductors: 27th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, ed. J. Menendez, Ch.G. Van de Walle, 1369 (2005).

153. Akai H., Phys. Rev. Lett., 81,14, 3002 (1998).

154. AkaiH., Kamatani Т., Watanabe S., J. Phys. Soc. Jpn, suppl. A 69, 112 (2000).

155. Mahadevan P., Zunger A., Phys. Rev. Lett., 88, 4, 047205 (2002)

156. Zhao Y.-J., GengW.T., Freeman A.J., OguchiT., Phys. Rev. В 63, 20, 201202 (R) (2001).

157. LaihoR., LisunovK.G., Lahderanta E., Zakhvalinskii V.S., Magnetic MnAs nanoclusters in the dilute magnetic semiconductor (Zni.xMnx)3As2 // J. Phys.: Condens. Matter 11 (1999) 8697-8706.

158. LaihoR., LisunovK.G., LahderantaE., Zakhvalinskii V.S., Magnetic properties of the new diluted magnetic semiconductor (Zni-xMnx)3As2: evidence of MnAs clusters // J. Phys.: Condens. Matter 11 (1999) 555-568.

159. Dhar S., Nag B.R., J., Cryst. Growth, 43,120 (1978).

160. Sato K, Medvedkin G.A., Nishi T. et al // J. Appl. Phys. 2001, 89, p.7027.

161. Трухан В.М., Сошников Л.Е., Маренкин С.Ф., Голякевич Т.В., Выращивание и свойства монокристаллов p-CdP2 // Неорганические материалы, 41, №9,1031 (2005).

162. Fjellvag Н., Kjekshus A. Solid Solution Phase with MnP Structure // Acta Chemica Scandinavica, Series A: (28,1974-) (1986), 40,8-16.

163. Akai H. // Phys. Rev. Lett., 1998, V. 81, p.3002.

164. Zhang S.B., Wei S.H., Zunger A. // Phys. Rev. Lett., 1997, V. 78, p.4059.

165. Zhang S.B., Wei S.H., Zunger A., Katayama-Yoshida H. // Phys. Rev. В., 1998, V.57, p.9642.

166. Sato K., Medvedkin G.A., Ishibashi T. et al, J. Phys. Chem. Sol., 2003, 64, p.1461.

167. Моллаев А.Ю., Сайпулаева Л.А., Арсланов P.K., Маренкин С.Ф., Влияние гидростатического сжатия на свойства переноса в кристаллах диарсенида кадмия // Неорганические материалы. 2001. т.37. №4. с. 405-408.

168. Моллаев А.Ю., Арсланов Р.К., Даунов М.И., Сайпулаева Л.А., Явления переноса и фазовые превращения в диарсениде кадмия-олова при высоком давлении // ФТВД 13, №1,29 (2003).

169. L.Pytlik, A.Zieba. J.Magn.Magn.Mat., V.51, р.199-210 (1985).