Синтез и свойства магнитных материалов на основе соединений CuGaTe2 и CdGeAs2 со структурой халькопирита тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Бойчук, Станислав Владимирович

• Бойчук, Станислав Владимирович
• кандидат химических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат химических наук Бойчук, Станислав Владимирович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Спинтроника и спинтронные материалы

1.2. Кристаллохимия тройных алмазоподобных 24 полупроводниковых соединений

1.3. Условия образования твердых растворов на основе 38 халькопиритов

1.4. Основные физико-химические свойства халькопирита $q CdGeAs

1.5. Основные физико-химические свойства халькопирита 54 CuGaTe

ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТА

ГЛАВА 3. ИЗУЧЕНИЕ УСЛОВИЙ ПОЛУЧЕНИЯ 68 ЛЕГИРОВАННЫХ МАРГАНЦЕМ ПОЛИКРИСТАЛЛОВ CuGaTe2, ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ МАГНИТНЫХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ.

Вводная часть.

3.1. Изучение условий получения поликристаллов CuGaTe2{Mn}. 69 Аттестация образцов. Определение области гомогенности.

3.2. Магнитные и электрические свойства легированных 75 марганцем поликристаллов CuGaTe

ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА УСЛОВИЙ СИНТЕЗА 82 ЛЕГИРОВАННЫХ МАРГАНЦЕМ ПОЛИКРИСТАЛЛОВ CdGeAs2, ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ МАГНИТНЫХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ.

Вводная часть

4.1. Изучение растворимости марганца в CdGeAs2 при различных 83 условиях синтеза. Определение области гомогенности CdGeAs2{Mn}

4.2. Магнитные и электрические свойства легированных 91 марганцем поликристаллов CdGeAs

ГЛАВА 5. ВЫРАЩИВАНИЕ ЛЕГИРОВАННЫХ 101 МАРГАНЦЕМ МОНОКРИСТАЛЛОВ CdGeAs2. ИЗУЧЕНИЕ РАСТВОРИМОСТИ МАРГАНЦА, МАГНИТНЫХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

5.1. Выращивание легированных марганцем монокристаллов 101 CdGeAs2. Аттестация образцов, определение растворимости марганца.

5.4. Исследование магнитных и электрических свойств 106 монокристаллов CdGeAs2{Mn}

6. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ

7. ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез и свойства магнитных материалов на основе соединений CuGaTe2 и CdGeAs2 со структурой халькопирита»

В настоящее время, когда известны основные свойства и создана теория алмазоподобных полупроводников (включая бинарные аналоги типа АШВУ и AhByi), значительное внимание привлекают родственные тройные соединения. По своему составу, кристаллической структуре и типу химической связи они являются близкими электронно-ядерными аналогами соединений AHIBY и AnBYI. Однако, наряду со сходством тройные соединения алмазоподобного типа обладают существенными отличиями, что объясняет возросший интерес к ним со стороны исследователей и практиков.

Этот интерес обусловлен, в частности, тем, что в структуре тройных веществ, по сравнению со структурой двойных алмазоподобных соединений, имеется дополнительная возможность кристаллографического упорядочения. Если в структурах сфалерита и вюртцита, в которых кристаллизуются соединения AInBY и AnBYI, катионы упорядочены относительно анионов (катион окружен только анионами и наоборот), то в структуре, тройных соединений, где имеются два разных катиона (или аниона), встречается, кроме упомянутого вида упорядочения, еще и упорядочение катионов относительно друг друга.

Тот факт, что многие из тройных полупроводниковых соединений кристаллизуются в тетрагональной структуре халькопирита, означает понижение симметрии решетки и специфическое изменение электронной

- A IIIr»Y структуры по сравнению с энергетическим спектром соединении А В и тт YI

А В . Изменение зонной структуры, в свою очередь, существенно влияет на механизм переноса заряда и представляет большой интерес с учетом генетической близости тройных полупроводниковых соединений к хорошо изученным соединениям типа AInBY и AnBYI.

Если рассуждать о преимуществе тройных алмазоподобных соединений перед двойными аналогами, то оно может заключаться, к примеру, в их более низкой температуре плавления. При учете перспектив использования тройных соединений указанное свойство может 4 способствовать развитию их технологии, обеспечить меньшую степень загрязнения продуктов при синтезе.

Данные по тройным алмазоподобным полупроводникам, как говорилось, обычно интерпретируются на основе моделей переноса заряда в бинарных соединениях AmBY и AnBYI. Однако первые отличаются от последних большим количественным и качественным разнообразием свойств. Это придает исследованиям в области химии и физики тройных соединений актуальный характер.

Хотя химическая связь в тройных полупроводниках сложнее, чем в бинарных, существуют группы таких соединений, которые образуются по простым валентным законам. Это - тетраэдрические и октаэдрические фазы со средней электронной концентрацией на атом, равной четырем. Они являются основной частью всех полновалентных химических соединений с простейшим ионно-ковалентным взаимодействием, когда у всех атомов происходит завершение электронных оболочек за счет всех валентных электронов. В группу таких 4- электронных веществ входят полупроводники: германий, кремний, соединения AmBY и АПВУ|. Полновалентные тройные соединения А'ВшСУ12 и AnBIYCY2, объекты данного исследования, тоже образуются по простым законам в соответствии с 4- электронным значением электронной концентрации. Их существование, как и элементарных аналогов из подгруппы алмаза, обусловлено возникновением устойчивой sp3-гибридной электронной конфигурации.

Еще одна причина повышенного интереса к алмазоподобным полупроводникам связана со становлением нового направления науки и техники - спинтроники, которое сформировалось в последние годы в результате прогресса прикладных исследований. В спинтронике используются не только заряд электрона, но и его спин, то есть внутренний момент количества движения и связанный с ним магнитный момент. Материалы - поставщики ориентированных спинов для этой новой ветви электроники - сочетают в себе ферромагнетизм выше комнатной температуры с проводимостью (металл, полуметалл, полупроводник).

Тройные алмазоподобные полупроводниковые соединения A'BinCYI2 и A"BiyCy2 представляют значительный «спинтронный» интерес потому, что они обладают достаточно высокими величинами подвижностей носителей тока. Контролируемое введение атомов переходных элементов типа Mn, Fe или Сг в их анионную и катионную подрешетки, изменяя зонную структуру, может обеспечить переход материала в ферромагнитное состояние со сравнительно высокой точкой Кюри при сохранении основных полупроводниковых параметров.

О перспективности использования соединений AiBiiiCYI2 и AnB1YCY2 в оптоэлектронике и спинтронике свидетельствует также возможность направленного изменения в них ширины энергетической щели и эффективной массы носителей заряда в зависимости от содержания атомов переходного металла. Варьируя состав материала, здесь можно добиваться оптимальных значений параметров решеток в создаваемых магнитных структурах, поскольку взаимное соответствие кристаллических решеток слоев имеет важное значение для стабильной работы устройств. Алмазоподобные полупроводники, легированные переходными элементами, обладают широким набором магнитных свойств вследствие концентрационной зависимости обменных параметров и рядом новых эффектов (типа перекрытия в магнитном поле валентной зоны с зоной проводимости, большого фарадеевского вращения или гигантского отрицательного магнитного сопротивления) из-за взаимодействия между магнитными моментами локализованных и зонных электронов.

Диссертационная работа посвящена синтезу и исследованию магнитных свойств новых материалов на основе халькопиритов CuGaTe2 и CdGeAs2 как перспективных матриц для нано- и спиновой электроники. Хотя становление последнего направления проходит весьма успешно (созданы и работают экспериментальные образцы спиновых вентилей, спиновых аналогов диодов и транзисторов), в настоящее время существует значительная потребность в новых материалах, обладающих оптимальным набором магнитных (спиновых), полупроводниковых, оптических и других параметров.

В литературном обзоре диссертации рассмотрены вопросы, связанные с условиями образования указанных соединений и их твердых растворов, кристаллической структурой, основными физическими и физико-химическими свойствами CdGeAs2 и CuGaTe2, нелегированных и легированных переходными элементами. Даны общие положения, приведены примеры некоторых устройств спинтроники, сформулированы требования, предъявляемые к новым материалам. В экспериментальной части работы, в главе 3, представлены результаты изучения условий синтеза легированных марганцем поликристаллов CuGaTe2, данные по исследованию их магнитных и электрических свойств, аттестации и определению области гомогенности. В главе 4 изложены результаты, полученные при разработке условий синтеза и исследовании магнитных и электрических свойств нелегированных и легированных поликристаллов CdGeAs2, а также данные аттестации синтезированных образцов и определения в них области гомогенности. В главе 5 приводятся результаты опытов по выращиванию нелегированных и легированных монокристаллов CdGeAs2, данные по исследованию их магнитных и электрических свойств, аттестации выращенных монокристаллов и определению в них растворимости марганца. В обсуждении и выводах изложены наиболее важные результаты, полученные при выполнении диссертационной работы.

Работа включает 121 страницу, 16 таблиц, 22 рисунка, 134 наименования цитируемой литературы.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Бойчук, Станислав Владимирович

выводы

1. Определены условия получения халькопирита CuGaTe2{Mn} для возможного использования в устройствах спинтроники. Синтезировано два ряда твердых растворов: с одинарным и двойным замещением марганцем в катионных подрешетках. Установлено, что в системе со связанным замещением Cui.xGai.xMn2XTe2 протяженность области гомогенности почти вдвое превышает область с одинарным замещением в CuGai.xMnxTe2. Предложены модели образования этих твердых растворов, катионного и валентного распределений.

2. Исследованы магнитные и электрические свойства поликристаллов

2+

CuGaTe2{Mn}, содержащих суперпарамагнитные кластеры с ионами Мп . л.

Показано, что с увеличеним концентрации Мп (и дырок) в CuGai.xMnxTe2 магнитные моменты кластеров растут до значений 20-25 Цв, отвечающих л . содержанию в кластерах 4-5 ионов Мп . Сопротивление образцов при этом уменьшается за счет участия в проводимости свободных дырок, не вошедших в суперпарамагнитные кластеры.

3. Разработаны условия синтеза нового спинтронного материала CdGeAs2{Mn} и благодаря возможности легирования р-типа с высокой подвижностью носителей получены новые высокотемпературные полупроводниковые ферромагнетики с температурой Кюри выше комнатной (7с « 355 К).

4. Определены условия образования и область гомогенности в CdGeAs2{Mn} при различных температурах. Установлено, что растворимость марганца в CdGeAs2 с понижением температуры вначале растет, а потом уменьшается от х = 0,35 (650 С) до х = 0,12 (комнатная температура). Закалкой образцов благодаря увеличению растворимости Мп получен спинтронный материал с 92,7%-ным содержанием ферромагнитной фазы.

5. Предложена модель, объясняющая магнитная свойства полученных твердых растворов CdGeAs2{Mn}.

В заключение автор считает своим долгом выразить искреннюю признательность доктору химических наук С.Ф. Маренкину, доктору физико-математических наук Л.И. Королевой и кандидату химических наук Г.Г. Шабуниной за помощь и советы при выполнении настоящей работы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Бойчук, Станислав Владимирович, 2006 год

1. M.Ziese, МJ.Thornton. Spin electronics. Springer, Berlin, 2001, 500 pp.

2. M.I.Dyakonov. In Future Trends in Microelectronics: The Nano, the Giga, and the Ultra. (Ed. S.Luryi, J.Xu, A.Zaslavsky). Wiley-IEEE Press, New York, 2004. P.424

3. H.Munekata, H.Ohno, S.von Molnar, A.Segmuller, L.L.Chang, L.Esaki. Diluted magnetic III-V semiconductors. Phys. Rev. Lett., 63, 1849 (1989)

4. H.Ohno, H.Munekata, S.von Molnar, L.Chang. New III-V diluted magnetic semiconductors (invited). J. Appl. Phys., 69, 6103 (1991)

5. H.Munekata, A.Zaslavsky, P.Fumagalli, RJ.Gambino. Preparation of (In,Mn)As/(Ga,Al)Sb magnetic semiconductor heterostructures and their ferromagnetic characteristics. Appl. Phys. Lett., 63, 2929 (1993)

6. K.E. Drexler. Proc. Natl. Acad. Sci. USA, Chemistry section, 78, 5275 (1981)

7. K.E. Drexler. Nanosystems: Molecular Machinery, Manufacturing, and Computation. John Wiley & Sons, New York, 1992, 556 pp.

8. Л.П.Горьков, Г.М.Элиашберг. ЖЭТФ, 48,1407 (1965)

9. Е.А.Шаповал, JETP, 47,1007 (1964)

10. Э.И.Рашба. Свойства полупроводников с петлей экстремумов. Физика твердого тела, 2, вып. 6,1224 (1960)

11. Э.И.Рашба. Комбинированный резонанс в полупроводниках. Успехи физических наук, 84, 557 (1964)

12. R.L.Bell. Electric Dipole Spin Transitions in InSb. Phys.Rev. Lett., 9, 52 (1962) j

13. В.В.Кведер, Ю.А.Осипьян, А.И.Шалынин. Письма в ЖЭТФ, 40,10 (1984)

14. В.В.Кведер, В.Я.Кравченко, Т.Р.Мчелидзе, Ю.А.Осипьян, Д.Е.Хмельницкий. Письма в ЖЭТФ, 43,202 (1986)

15. Ю.А.Бычков, Э.И.Рашба. Письма в ЖЭТФ, 39,66 (1984)

16. В.К.Калевич, В.Л.Коренев. Письма в ЖЭТФ, 52, 859 (1990)

17. A.V.Vedyayev, B.Dieny, N.Ryzhanova. Europhys. Lett., 19, 329 (1992)

18. Е.Л.Франкевич, Е.И.Балабанов. Письма в ЖЭТФ, 1, 33 (1965)

19. Е.Л.Франкевич, В.И.Лесин, А.И.Приступа. ЖЭТФ, 75,415 (1978)

20. И.А.Соколик, Е.Л.Франкевич. Влияние магнитных полей на фотопроцессы в органических твердых телах. Успехи физических наук, 111, №2, 261 (1973)

21. А.Л.Бучаченко, Р.З.Сагдеев, К.М.Салихов. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. Новосибирск, Наука, 1978,296 с.

22. А.Л.Бучаченко, Э.М.Галимов, Т.В.Лешина, Ю.Н.Молин, Р.З.Сагдеев. Открытие, диплом N 300 от 15 февраля 1979 г.

23. А.Л.Бучаченко. Химия на рубеже веков: свершения и прогнозы. Успехи химии, 68,99(1999)

24. V.A.Ivanov, K.Kanoda. Molec. Cryst. Liq. Cryst., 285,211 (1996)

25. V.A.Ivanov, K.Kanoda. Physica C, 268,205 (1996)

26. X V.A.Ivanov, E.A.Ugolkova, M.Ye.Zhuravlev. JETP, 86,395 (1998)•'T.Ohno, H.Munekata, T.Penney, S.von Molnar, L.Chang. Phys.Rev. Lett., 68,2664(1992)

27. В.Ф.Гантмахер, М.В.Фейгельман. Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы. УФН, 168, №2, 113 (1998)

28. В.И.Овчаренко, Р.З.Сагдеев. Молекулярные ферромагнетики.Успехи химии, 68,381 (1999)

29. A.JT. Бучаченко. Нанохимия прямой путь к высоким технологиям нового века. Успехи химии, 72,419 (2003)

30. G.Schmidt, D.Ferrand, L.W.Molenkamp, A.T.Filip, B.J.van Wees. Fundamental obstacle for electrical spin injection from a ferromagnetic metal into a diffusive semiconductor. Phys. Rev. B, 62,4790 (2000)

31. P.R.Hammar, B.R.Bennet, M.J.Yang, M.Johnson. Observation of Spin Injection at a Ferromagnet-Semiconductor Interface Phys. Rev. Lett., 83,203 (1999)

32. H.J.Zhu, M.Ramsteiner, H.Kostial, M.Wassermeier, H.-P.Schonherr, K.H.Ploog. Observation of Spin Injection at a Ferromagnet-Semiconductor Interface Phys. Rev. Lett., 87,016601 (2001)

33. Semiconductors and Semimetals, Eds J. K. Furdyna and J. Kossut, Vol. 25, Academic Press, New York, 1988,496 pp

34. B.T.Jonker, Y.D.Park, B.R.Bennett, H.D.Cheong, G.Kioseoglou, A.Petrou. Observation of Spin Injection at a Ferromagnet-Semiconductor Interface Phys. Rev. B, 62,8180 (2000)

35. M.Oestreich, J.Hubner, D.Hagele, P.J.Klar, W.Heimbrodt, W.W.Ruhle, D.E.Ashenford, B.Lunn. Observation of Spin Injection at a Ferromagnet-Semiconductor Interface Appl. Phys. Lett., 74, 1251 (1999)

36. R.Fiederling, M.Keim, G.Reuscher, W.Ossau, G.Schmidt, A.Waag, L.W.Molenkamp. Nature, 402,787 (1999)

37. H.Ohno. J. Magn. & Magn. Mater., 200, 110 (1999)

38. Y.Ohno, D.K.Young, B.Beschoten, F.Matsukura, H.Ohno, D.D.Awschalom. Nature, 402, 790 (1999)

39. P. Van Dorpe, Z.Liu, W.Van Roy, V.F.Motsnyi, M.Sawicki, G.Borghs, J.De Boeck. Very high spin polarization in GaAs by injection from a (Ga,Mn)As Zener diode. Appl. Phys. Lett, 84,3495 (2004)

40. J.Stephens, J.Berezovsky, J.P.McGuire, L.J.Sham, A.C.Gossard, D.D.Awschalom. March Meeting of the APS, 22-26 March 2004, Montreal.

41. S.von Molnar, D.Read. New Materials for Semiconductor Spin-Electronics.Proc.IEEE, 91,715-726(2003)

42. А.Г.Аронов, Г.Е.Пикус. ФТП, 10,1177 (1976)

43. J.M.Kikkawa, D.D.Awschalom. Nature, 397,139 (1999)

44. J.M. Kikkawa, D.D. Awschalom. Very high spin polarization in GaAs by injection from a (Ga,Mn)As Zener diode. Phys. Rev. Lett., 80,4313 (1998)

45. H.Ohno, D.Chiba, F.Matsukura, T.Omiya, E.Abe, T.Dietl, Y.Ohno, K.Ohtani. Nature, 408,944 (2000)

46. D.Chiba, M.Yamanouchi, F.Matsukura, H.Ohno. Science, 301,943 (2003)

47. Y.D.Park, A.T.Hanbicki, S.C.Erwin, C.S.Hellberg, J.M.Sullivan, J.E.Mattson, T.F.Ambrose, A.Wilson, G.Spanos, B.T.Jonker. Science, 295,651 (2002)

48. S.Datta, B.Das. Electronic analog of the electro-optic modulator. Appl. Phys. Lett., 56, 665 (1990)

49. W.Weber, S.Riesen, H.C.Siegmann. Science, 291 1015 (2001)

50. В.А.Иванов. Современные проблемы общей и неорганической химии. Москва, 2004,150.

51. Tsubokawa. J. Phys. Soc. Japan, 15, 1664 (1960)

52. Л.И Королева. Магнитные полупроводники. Москва, МГУ, 2003,312 с. Gupta. Phys. Rev. Lett., 86, 5585 (2001)

53. A.Hauri, A.Wasiela, A.ArnouIt, J.Cibert, S.Tatarenko, T.Dietl, Y.Merle d'Aubigne'. Observation of a Ferromagnetic Transition Induced by Two-Dimensional Hole Gas in Modulation-Doped CdMnTe Quantum Wells Phys. Rev. Lett., 79, 511 (1997)

54. S.-H.Wei, S.B.Zhang. Chemical trends of defect formation and doping limit in The case of CdTe II-VI semiconductors. Phys. Rev. B, 66,155211 (2002)

55. L.Hansen, D.Ferrand, G.Richter, M.Thierley, V.Hock, N.Schwarz, G.Reuscher,

56. G.Scmidt, A.Waag, L.W.Molenkamp. Epitaxy and magnetotransport properties of the diluted magnetic semiconductor p-Be^Mn/Te. Appl. Phys. Lett., 79, 3125 (2001)

57. C.Gould, G.Schmidt, G.Richter, R.Fiederling, P.Grabs, L.W.Molenkamp. Appl. Surf. Science, 190, 395 (2002)

58. D.Ferrand, J.Cibert, A.Wasiela, C.Bourgognon, S.Tatarenko, G.Fishman, T.Andrearczyk, J.Jaroszyn'ski, S.Koles'nik, T.Dietl, B.Barbara D.Dufeu. Carrier-induced ferromagnetism inp-Zn^Mn/Te Phys. Rev. B, 63,085201 (2001)

59. H.Saito, V.Zayets, S.Yamagata, Y.Suzuki, K.Ando. J. Ferromagnetism in II—VI diluted magnetic semiconductor Znj^Cr^Te. Appl. Phys., 91, 8085 (2002)

60. H.Saito, V.Zayets, S.Yamagata, K.Ando. 60 Room-Temperature Ferromagnetism in a И-VI Diluted Magnetic Semiconductor Zni-*CrxTe. Phys. Rev. Lett., 90,207202 (2003)

61. M.Holub, S.Chakrabarti, S.Fathpour, P.Bhattacharyaa, Y. Lei, S. Ghosh. Mn-doped InAs self-organized diluted magnetic quantum-dot layers with Curie temperatures above 300 K. Appl. Phys. Lett., 85,973 (2004)

62. Y.L.S00, S.W.Huang, Z.H.Ming, Y.H.Kao, H.Munekata. III-V diluted magnetic semiconductor: Substitutional doping of Mn in InAs Phys. Rev. B, 53,4905(1996)

63. Y.Nishikawa, A.Tackeuchi, M.Yamaguchi, S.Muto, O.Wada. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., 2, 661 (1996)

64. S.Koshihara, A.Oiwa, M.Hirasawa, S.Katsumoto, Y.Iye, C.Urano, H.Takagi,

65. H.Munekata. Ferromagnetic Order Induced by Photogenerated Carriers in Magnetic III-V Semiconductor Heterostructures of (In,Mn)As/GaSb Phys. Rev. Lett., 78,4617 (1997)

66. A.Oiwa, T.Slupinski, H.Munekata. Control of magnetization reversal process by light illumination in ferromagnetic semiconductor heterostructure p-(In, Mn)As/GaSb. Appl. Phys. Lett., 78, 518 (2001)

67. H.Ohno. J. Cryst. Growth, 251,285 (2003)

68. R.Shioda, K.Ando, T.Hayashi, M.Tanaka. Local structures of III-V diluted magnetic semiconductors Ga^Mn^As studied using extended x-ray-absorption fine structure Phys. Rev. B, 58, 1100 (1998)

69. H.Ohno. Science, 281,951 (1998)

70. F.Matsukura, H.Ohno, A.Shen, Y.Sugawara. Transport properties and origin of ferromagnetism in (Ga,Mn)As Phys.Rev. B, 57,2037 (1998)

71. T. Kuroiwa, F. Matsukura, A. Shen, Y.Ohno, H.Ohno, T. Yasuda, Y. Segawa. Electronic Letters, 34,190 (1998)

72. H.Ohno, A.Shen, F.Matsukura, A.Oiwa, A.Endo, S.Katsumoto, Y.Iye. Ga,Mn)As: A new diluted magnetic semiconductor based on GaAs Appl. Phys. Lett., 69,396 (1996)

73. K.M.Yu, W.Walukiewicz, T.Wojtowicz, I.Kuryliszyn, X.Liu, Y.Sasaki, J.K.Furdyna. Effect of the location of Mn sites in ferromagnetic Gai.^Mn^As on its Curie temperature. Phys. Rev. B, 65,201303 (2002)

74. J.Masek, J.Kudrnovsky, F.Maca. Lattice constant in diluted magnetic semiconductors (Ga,Mn)As. Phys. Rev. B, 67,153203 (2003)

75. M.Adell, V.Stanciu, J.Kanski, L.Ilver, J.Sadowski, J.Z.Domagala, P.Svedlindh,

76. F.Terki, C.Hernandez, S.Charar, http://arXiv.org/cond-mat/0406584.

77. T.Shono, T.Hasegawa, T.Fukumura, F.Matsukura, H.Ohno. Observation of magnetic domain structure in a ferromagnetic semiconductor (Ga, Mn)As with a scanning Hall probe microscope. Appl. Phys. Lett., 77, 1363 (2000)

78. G.A. Medvedkin, T.Ishibashi, T.Nishi, K.Hiyata. Jap. J. Appl. Phys., 39, L949 (2000)

79. G.A.Medvedkin, K.Hirose, T.Ishibashi, T.Nishi, V.G.Voevodin, K.Sato. J. Cryst. Growth, 236, 609 (2002)

80. П.Г.Баранов, С.И.Голощапов, Г.А.Медведкин, В.Г.Воеводин. Обнаружение сигналов магнитного резонанса с аномальной дисперсией и двух типов изолированных центров марганца в кристалле халькопирита (Zn,Mn)GeP2. Письма в ЖЭТФ, 77,686 (2003)

81. P.G.Baranov, S.I.Goloshchapov, G.A.Medvedkin, S.B.Orlinskii, V.G.Voevodin. Physica B, 340 -342, 878 (2003)

82. S.Cho, S.Choi, G.-B.Cha, S.C.Hong,Y.Kim, Y.-J.Zhao, A.J.Freeman, J.B.Ketterson, B.J.Kim, Y.C.Kim, B.-C.Choi. 81 Room-Temperature Ferromagnetism in (Zn|.xMnx)GeP2 Semiconductors. Phys. Rev. Lett., 88, 257203 (2002)

83. S.Choi, G.B.Cha, S.C.Hong, S.Cho, Y.Kim, J.B.Ketterson, S.-Y.Jeong,

84. G.C.Yi. Solid State Commun., 122,165 (2002)

85. S.J. Pearton, C.R.Abernathy, G.T.Thaler, R.Frazier, F.Ren, A.F.Hebard, Y.D.Park, D.P.Norton, W.Tang, M.Stavola, J.M.Zavada, R.G. Wilson. Physica1. B, 340-342,39 (2003)

86. S.J.Pearton, M.E.Overberg, C.R.Abernathy, N.A.Theodoropoulou,

87. A.F.Hebard, S.N.G.Chu, A.Osinsky, V.Zuflyigin, L.D.Zhu, A.Y.Polyakov, R.G. Wilson, Magnetic and structural characterization of Mn-implanted, single-crystal ZnGeSiN2. J.Appl. Phys., 92,2047 (2002)

88. S.Cho, S.Choi, G.-B.Cha, S.C.Hong, Y.Kim, A.J.Freeman, J.B.Ketterson, Y.Park, H.-M.Park. Solid State Commun., 129,609 (2004)

89. K.Sato, G.A.Medvedkin, T.Ishibashi, S.Mitani, K.Takanashi, Y.Ishida, D.D.Sarma, J.Okabayashi, A.Fujimori, T.Kamatani, H.Akai. J. Phys. Chem. Solids, 64,1461 (2003)

90. Y.Ishida, D.D.Sarma, K.Okazaki, J.Okabayashi, J.I.Hwang, H.Ott, A.Fujimori, G.A.Medvedkin, T.Ishibashi, K.Sato. In situ Photoemission Study of the Room Temperature Ferromagnet ZnGeP2:Mn. Phys. Rev. Lett., 91,107202 (2003)

91. T.Hwang, J.H.Shim, S.Lee. Observation of MnP magnetic clusters in room-temperature ferromagnetic semiconductor Zni^Mn^GeP2 using nuclear magnetic resonance. Appl. Phys. Lett., 83,1809 (2003)

92. V.M. Novotortsev, V.T. Kalinnikov, T.G. Aminov, G.G. Shabunina.

93. The physicochemical basis for the synthesis and crystal growth of chromium chalcogenide spinels. Russ.J.Inorg.Chem., 48, Suppl. 1, S.32(2003)

94. P.B. Демин, Л.И. Королева, С.Ф. Маренкин, Т.Г. Аминов, С.Г. Михайлов, Г.Г. Шабунина, Р. Шимчак, М. Баран В сб. «Новые магнитные материалы микроэлектроники» М.: Физфак МГУ, 342 (2004)

95. В.М. Новоторцев, В.Т. Калинников, Л.И. Королева, Р.В. Демин,

96. C.Ф. Маренкин, Т.Г. Аминов, Г.Г. Шабунина, С.В. Бойчук, В.А. Иванов Высокотемпературный ферромагнитный полупроводник CdGeAs2{Mn}. Журн. неорган, химии, 50, № 4,552 (2005)

97. К.А. Кикоин. Электронные свойства примесей переходных металлов в полупроводниках. Энергоатомиздат, Москва, 1991,301 с.

98. V.A.Ivanov, P.M.Krstajic, F.M.Peeters, V.Fleurov, K.Kikoin. J. Magn. Magn. Mater., 258-259,237(2003)

99. V.A.Ivanov, P.M.Krstajic, F.M.Peeters, V.Fleurov, K.Kikoin. Physica B, 329, 1282(2003)

100. S.F.Marenkin, V.M.Novotortsev, T.G.Aminov, V.A.Ivanov; V.Fleurov, K.Kikoin; L.I.Koroleva, V.A.Morozova, R.V.Demin, R.Szymczak. Book of Abst. 14th Intern. Conf. Ciyst. Growth ICCG-14, Grenoble, France (2004)

101. P.B. Демин, Л.И. Королева, С.Ф. Маренкин, Т.Г. Аминов, С.Г. Михайлов,

102. B.М.Новоторцев, В.Т. Калинников, Р. Шимчак Р., Г. Шимчак, М. Баран. Новый ферромагнетик с температурой Кюри выше комнатной -легированный Мп халькопирит CdGeAs2. Письма в ЖТФ, Т.30, вып.21, 81 (2004)

103. R. Sandrock, I.Treusch. Z.Naturforch., Bd 19a, 844 (1964)

104. G. Folberth, H. Pfister. Uber neue halbleitende Verbindungen mitchalkopyritstructur. Acta Crystallogr. v. 13,199 (1960) 99. Л.С. Палатник, B.M. Кошкин, Л.П. Гальчинецкий. О механизмеупорядочения в трехкомпонентных полупроводниковых соединениях.

105. Физика твердого тела, Т.4, 2365 (1962)

106. Н. Pfister. Acta Crystallogr. v.l 1, P.221 (1958)

107. A.A. Вайполин, Э.О. Османов Э.О., Д.Н. Третьяков. Некоторые аспекты химии алмазоподобных соединений типа А2В4С52.Неорган. материалы, Т.З, № 2,260(1967)

108. Полупроводники А2В4С52 (под редакцией Н.А.Горюновой, Ю.А.Валова), Москва, Советское радио, 1974, с.40.

109. С.Ф. Маренкин, В.М. Новоторцев, К.К. Палкина, С.Г. Михайлов, В.Т. Калинников. Получение и структура кристаллов CdGeAs2 Неорган, материалы, Т.40, № 2, 135 (2004)

110. Е.В. Чупрунов, А.Ф. Хохлов, М.А.Фаддеев. Основы кристаллографии. М., Физматлит, 416 (2004)

111. L. Pauling, M.L. Huggins. Z. Kristallogr., Bd 87,205 (1934)

112. JI.И. Бергер, В.Д. Прочухан. Тройные алмазоподобные полупроводники, Москва, Металлургия, 47 (1968)

113. G.A. Slack, S. Galginaitis. Thermal Conductivity and Phonon Scattering by Magnetic Impurities in CdTe Phys.Rev., V.l33, № 1, A253 (1964)

114. A.A. Левин, Я.К. Сыркин, M.E. Дяткина. Распределение заряда и основные особенности структуры валентной зоны в соединениях А2В6 и А3В5 с решеткой вортцита.Ж.структ.химии, Т.8, № 6,1064 (1967)

115. A. A. Vaipolin, N.A. Goryunova, L.I. Keschinskii et al. Phys.Stat.Sol., v. 29, № 1,435(1968)

116. A.A. Вайполин, Л.В. Крадинова, В.Д. Прочухан. Рентгенографическое исследование полупроводникового сплава ZnSnSb2. Кристаллография, Т.15,№4,820(1970)

117. А. Назаров, А. А. Вайполин, В.Д. Прочухан, Н.А. Горюнова. Получение твердых растворов по разрезам 2GaAS-ZnGeAs2,2GaAS-ZnSiAs2 и их некоторые физико-химические свойства. Неорган, материалы, Т.З, № 2, 2269 (1967)

118. Н. Borchers, R.G. Maier. Metall, № 10,1006 (1963)

119. Н.А. Горюнова, А.В. Войцеховский, В.Д. Прочухан. О возможности образования твердых растворов в некоторых четверных системах. Вестник ЛГУ (Сер.физ.хим), № 10,156 (1961)

120. G. Giesecke, Н. Pfister. Acta Cryst., v.14, № 12,1289 (1961)

121. P. Leroux-Hugon. Compt.Rend., v.255, № 4,662 (1962)

122. Н.А. Горюнова, Ф.П Кесаманлы, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь. Исследование некоторых свойств CdGeAs2 Неорган, материалы, Т.1, № 6, 885(1965)

123. Ф.М.Гашимзаде. Зонная структура полупроводниковых соединений типа А2В4С52 со структурой халькопирита. Физика твердого тела, Т.5,1199 (1963)

124. А.С. Борщевский, Н.Д. Роенков. Диаграмма состояния системы Cd-Ge-As. Журн.неорг.химии, Т. 14, № 8, 2253 (1969)

125. P. Leroux-Hugon. Conductive thermique des composes CdSnAs2, CdGeAs2, ZnSnAs2 and ZnGeAs2. Compt.Rend., v. 256, № 1,118 (1963)

126. Н.И. Кожина, Н.С. Болтовец, А.С. Борщевский, Н.А. Горюнова.

127. О некоторых особенностях полупроводникового соединения ZnSnP2. Вестник ЛГУ (Физика и Химия), № 10, 93 (1969)

128. Г.Д. Нипан. Стабильные и метастабильные фазовые состояния в многокомпонентных системах с участием кристаллов переменного состава и пара. Докторская диссертация, ИОНХ РАН. Москва, 2003.

129. Л.С. Палатник, Е.К. Белова. О тройных халькогенидах галлия типа A'B'"^1! Неорган, материалы, Т.З, № 6, 967 (1967)

130. Л.С. Палатник, Е.К. Белова. Исследование закономерностей в полуроводниковых системах типа A'2Cyi BIIl2Cyi3. Неорган, материалы, Т.З, № 12,2194(1967)

131. Л.С. Палатник, Е.И. Рогачева. ДАН, Т.174, № 1, 80 (1967)

132. G.S.C. Abrahams, J.L. Bernstein. J.Chem.Phys., v.59, № 10, 5415 (1973)

133. У. Пирсон. Кристаллохимия и физика металлов и сплавов. Т.1. М.: Мир, 1977,419 с.

134. Б.К. Вайнштейн, В.М. Фридкин, В.Л. Индембом. Современная кристаллография. Т.2. М.: Наука, 1979, 360 с.

135. G. Marin, G. Sanchez Perez, G. Marcano, S.M. Wasim, C. Rincon. Characterization of CuGaTe2 grown by the tellurization of Cu and Ga in liquid phase. J.Phys.Chem.Solids, v.64, 1869 (2003)

136. A.J. Freeman, Yu-Jun Zhao. Advanced tetrahedrally-bonded magnetic semiconductors for spintronic applications. 13-th Intern.Conference on Ternary and Multinary Compounds ICTMC 13, Paris 2002. Book of Abstracts, 33 (2002)

137. B.R. Pamplin. Progr.Cryst.Growth Charact., v.l, 331 (1979)

138. А.С. Борщевский. Исследования в области физико-химии и технологии полупроводников А3В5 и А В4С52. Докторская диссертация, ФТИ РАН. Ленинград, 1972.

139. V.G. Voevodin, S.A. Bereznaya, O.V. Voevodina. Doping of ternary compounds CdGeAs2and CdSnAs2 by impurities of I, II and III groups. J.Phys.Chem.Solids, v.64, № 9-10, 1755 (2003)

140. Спинтроника и спинтронные материалы. Изв.АН. Сер.хим., № 11,2255 (2004).