Распространение и излучение электромагнитных волн в открытой структуре с двумерной электронной плазмой и периодической металлической решеткой тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.03, кандидат физико-математических наук Полищук, Ольга Витальевна

• Полищук, Ольга Витальевна
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Полищук, Ольга Витальевна

Оглавление

Введение

1 Современное состояние исследований

2 Решение задачи о спектре электромагнитных колебаний в открытой полупроводниково-диэлектрической структуре с двумерной электронной плазмой и периодической металлической решеткой

2.1 Изотропная двумерная электронная плазма

2.2 Учет конечной проводимости металлических полосок периодической решетки

2.3 Магнитоактивная двумерная электронная плазма

2.4 Алгоритм и программа для решения дисперсионного уравнения, вычисления распределений полей и плотности заряда на ЭВМ

2.5 Выводы

3 Двумерные плазменные колебания в открытой полупроводни-

ково-диэлектрической структуре с периодической металличе-

ской решеткой в отсутствии внешнего магнитного поля

3.1 Двумерные плазменные волны в планарно-однородной структуре

3.2 Влияние периодической металлической решетки на дисперсию неизлучающих двумерных плазменных волн

3.3 Спектр электромагнитного излучения двумерных плазменных колебаний. Сравнение с экспериментом

3.4 Выводы

4 Электромагнитное излучение двумерных магнитоплазменных и

циклотронных колебаний в полупроводниково-диэлектрической

структуре с периодической металлической решеткой

4.1 Магнитоплазменные и циклотронные колебания в однородной структуре

4.2 Спектр электромагнитного излучения магнитоплазменных и циклотронных колебаний в структуре с периодической металлической решеткой. Сравнение с экспериментом

4.3 Выводы

Заключение

Список литературы

Приложение

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Распространение и излучение электромагнитных волн в открытой структуре с двумерной электронной плазмой и периодической металлической решеткой»

Введение

В последние годы интенсивно исследуются двумерные электронные системы в полупроводниках [1], то есть системы, поперечные размеры которых сравнимы или меньше длины волны электрона. Такие двумерные слои пространственного заряда могут возникать на поверхности полупроводников [2], в полупроводниковых гетеропереходах и МДП структурах. Плазменные волны, которые могут возбуждаться и распространяться в таких двумерных электронных системах, называются двумерными плазменными волнами ( 21) плазмонами) [!]•

Двумерные плазмоны могут распространяться на частотах миллиметрового, субмиллиметрового и далекого инфракрасного диапазонов волн. Экспериментальные исследования плазменных волн на частотах далекого ИК диапазона в тонких (двумерных) электронных слоях начались в конце 70-х годов за рубежом [3] - [5] хотя первые теоретические работы по этой проблеме появились гораздо раньше [6, 7, 8] в том числе в нашей стране [9, 10].

Первоначально двумерные ( 2Б ) плазмоны наблюдались в инверсионных электронных слоях в кремниевых МДП структурах (см. обзор [11]) , а затем в слоях 21) электронного газа в гетеропереходах СаАв/А^Са^хАв [12, 13, 14]. Экспериментальные и теоретические исследования свойств 21) плазмонов

находят свое применение в основном для задач спектроскопии поверхности и границ раздела полупроводников с помощью электромагнитных волн.

Несмотря на то, что в области исследования двумерных плазменных колебаний и волн выполнено большое число работ, некоторые важные проблемы исследованы неполно.

Плазменные волны в 2Б электронных слоях являются медленными волнами и не могут возбуждаться непосредственно падающей внешней электромагнитной волной. Для связи электромагнитных и плазменных волн обычно применяются замедляющие системы типа периодической металлической решетки с периодом, определяемым длиной возбуждаемой плазменной волны [11, 12, 13]. В субмиллиметровом диапазоне электромагнитных волн период решетки составляет величину порядка микрона, то есть решетка является ча-стопериодической (период решетки намного меньше длины электромагнитной волны). Строго говоря, 2В плазменные колебания и волны в структурах с периодической металлической решеткой должны рассматриваться на основе общего электродинамического подхода. Тем не менее наиболее распространенной до настоящего времени была электростатическая постановка задачи и первоначально основное внимание уделялось исследованию сильно замедленных 2/) плазмонов, которые в большинстве случаев (но не во всех) с достаточной степенью точности могут быть описаны в электростатическом приближении. Это было оправдано для плазменных волн, существующих в МДП структурах на основе кремния, для которых диссипативные потери на порядок превышают радиационные, но с появлением гетероструктур СаАз/ЛЬхОа^хАэ [12, 14] ситуация изменилась.

В рамках электростатического приближения удается объяснить многие особенности спектров возбуждения 2Б плазмонов при слабой связи электромаг-

нитных и 21) плазменных волн. Однако, если ситуация не соответствует случаю слабой связи, электростатическая теория становится не применимой. В частности, с ее помощью не удается объяснить экспериментально наблюдаемые ширины линий электронных плазменного и циклотронного резонансов, а также сдвиг частоты плазменного резонанса при изменении геометрических параметров решетки.

Из вышесказанного следует, что исследования взаимодействия электромагнитных и 22} плазменных волн на периодической металлической решетке на основе общего строгого электродинамического подхода представляются актуальными.

Целью настоящей диссертационной работы является строгое решение электродинамической задачи о колебаниях 21) электронной плазмы в структурах с периодической металлической решеткой.

Научная новизна работы состоит в том, что в ней:

- впервые в строгой электродинамической постановке решена задача о спектре колебаний 21) электронной плазмы в открытой полупроводниково-диэлектрической структуре с металлической решеткой для случаев изотропной и магнитоактивной 2В электронной плазмы;

- с помощью разработанных алгоритма и программы расчета вычислены дисперсии и затухания 2 Б плазменных колебаний, распределения неравновесной плотности заряда и амплитуды электрического поля плазменных колебаний в плоскости 21) электронного слоя в зависимости от коэффициента заполнения решетки (отношение ширины проводящей полоски решетки ю к ее периоду Ь ), расстояния от решетки до слоя 2Б электронной плазмы и от поверхностной концентрации электронов в слое;

- исследовано распространение неизлучающих медленных 2В плазменных волн в открытой полупроводниково-диэлектрической структуре, содержащей слой 2В электронной плазмы и металлическую решетку.

- исследован спектр электромагнитного излучения 2В плазменных волн с учетом радиационных и диссипативных потерь в зависимости от геометрических и физических параметров структуры для изотропной и магнитоактивной 2В плазмы.

- рассчитаны частота и радиационное затухание циклотронных колебаний 2В электронной плазмы в структуре с частопериодической металлической решеткой.

Диссертация состоит из Введения, четырех глав, Заключения, Списка литературы и Приложения.

Во Введении обоснована актуальность темы, сформулирована цель работы, научная новизна, содержание различных разделов диссертации и основные результаты, выносимые на защиту.

В первой главе, которая носит обзорный характер, кратко изложены основные свойства двумерных плазменных колебаний в однородных структурах с 2В электронной плазмой, дан анализ состояния теоретических исследований свойств двумерных плазменных и магнитоплазменных колебаний в латерально-периодических структурах с 2В электронной плазмой, отмечено несовпадение данных известных экспериментальных работ и имеющихся теоретических результатов. В конце первой главы сформулирована задача диссертационной работы.

Вторая глава посвящена решению задачи о спектре электромагнитных колебаний в открытой полупроводниково-диэлектрической структуре с 2В элек-

тронной плазмой и периодической металлической решеткой. Задача решена в строгой электродинамической постановке без введения каких-либо параметров малости. Изложен алгоритм нахождения дисперсии и затухания колебаний, а также распределение амплитуды электрического поля и неравновесной плотности заряда в плоскости 2D электронного слоя. Далее алгоритм распространен на случай присутствия постоянного внешнего магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости 2D электроного слоя.

В третьей главе приведены результаты расчетов дисперсии неизлучающих медленных 2D плазменных волн в зависимости от коэффициента заполнения решетки, расстояния от решетки до 2D электронного слоя и поверхностной концентрации электронов в слое. Рассчитаны частоты, диссипативное и радиационное затухание излучающих 2D плазменных колебаний как функции от величины коэффициента заполнения решетки и от расстояния от решетки до 2D электронного слоя.

Четвертая глава посвящена расчету спектра электромагнитного излучения колебаний 2D плазмы в структуре с металлической решеткой в присутствии внешнего постоянного магнитного поля. В начале главы рассчитано строгое значение комплексной собственной частоты и величины радиационного затухания однородного циклотронного движения в структуре без решетки. Далее найдены частоты, диссипативное и радиационное затухание циклотронных и маг-нитоплазменных колебаний с нулевым приведенным волновым числом, соответствующим центру зоны Бриллюэна рассматриваемой периодической структуры.

В заключении сформулированы основные результаты работы.

Приложение представляет собой текст програмы "GRATING" на языке

FORTRAN-77, разработанной автором для проведения численных расчетов, результаты которых представлены в диссертации.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Ширина частотной полосы непропускания на границе зоны Бриллюэ-на спектра двумерных плазменных волн в полупроводниково-диэлектрической структуре с расположенной на ее поверхности частопериодической (период решетки намного меньше длины электромагнитной волны на данной частоте) металлической решеткой не зависит от поверхностной концентрации электронов в двумерном электронном слое в широком диапазоне изменения концентрации. Наибольшая величина ширины частотной полосы непропускания реализуется при коэффициентах заполнения решетки 0.8-0.9.

2. Радиационное затухание двумерных плазменных колебаний в структуре с периодической металлической решеткой может достигать значений, сравнимых по величине с диссипативным затуханием, связанным с рассеянием электронов в двумерном электронном слое. Радиационное затухание возрастает при уменьшении ширины щелей решетки.

3. Существует оптимальное значение толщины dmax зазора между металлической решеткой и двумерным электронным слоем, при котором достигается наибольшее радиационное затухание плазменных колебаний. Величина dmax возрастает при увеличении поверхностной концентрации электронов или коэффициента заполнения решетки. Уменьшение радиационного затухания при d > dmax происходит из-за уменьшения связи плазменных колебаний с полями решетки, а при d < dmax - связано с шунтированием поля плазменных колебаний металлическими полосками решетки.

4. В случае частопериодической решетки радиационное затухание цикло-

тронных колебаний практически не зависит от коэффициента заполнения решетки и составляет половину величины радиационного затухания однородного циклотронного движения в структуре без решетки. Это связано с действием ча-стопериодической металлической решетки в качестве эффективного линейного поляризатора для электромагнитных полей излучения.

5. В сильных магнитных полях (циклотронная частота больше частоты 21? плазменного резонанса в нулевом магнитном поле) эффективное время электронной релаксации магнитоплазменных колебаний в общем случае не совпадает с циклотронным временем релаксации.

Практическая значимость работы заключается в том, что полученные в работе теоретические результаты исследований плазменных электромагнитных колебаний в структурах с 2В электронной плазмой и металлической решеткой позволяют интерпретировать экспериментальные данные спектроскопических исследований 2В электронных систем с помощью электромагнитных волн.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на 5-ти Всероссийских и 4-х Международных конференциях, а так же на научных семинарах СФ ИРЭ РАН и СГУ.

По материалам диссертации опубликовано 13 печатных работ, из которых 4 статьи в центральной печати в России, 2 статьи в зарубежных журналах, 7 тезисов докладов.

Заключение диссертации по теме «Радиофизика», Полищук, Ольга Витальевна

Основные результаты диссертации опубликованы в работах [73] -[85].

Заключение

В данной работе получены следующие основные результаты:

1. В строгой электродинамической постановке решена задача о спектре 22) плазменных колебаний в открытой полупроводниково-диэлектрической структуре, содержащей слой 22) электронной плазмы и металлическую решетку для случаев изотропной и магнитоактивной 20 электронной плазмы.

2. Разработанные алгоритм и программа позволяют рассчитывать как дисперсию и затухание медленных неизлучающих 22) плазменных волн в зависимости от коэффициента заполнения решетки, расстояния от решетки до слоя 21) электронной плазмы и поверхностной концентрации электронов в слое, так и спектр электромагнитного излучения 2О магнитоплазменных волн на решеточном элементе связи, что особенно важно для интерпретации экспериментов по спектроскопии 22) плазменных волн с помощью электромагнитных волн.

3. Рассчитаны дисперсионные зависимости неизлучающих медленных 22) плазменных волн в открытой полупроводниково-диэлектрической структуре с периодической металлической решеткой. Обнаружено, что идеально проводящая ленточная решетка, расположенная вблизи тонкого полупроводникового слоя, существенно влияет на дисперсию 22) плазменных волн. Наибольшее влияние решетки на дисперсию медленных неизлучающих 22) плазменных волн реализуется при отношении ширины щели решетки к ее периоду

X — 0,10,2.

4. Влияние решетки на дисперсию медленных неизлучающих 21) плазменных волн не зависит от поверхностной концентрации электронов в слое в широком интервале изменения концентрации.

5. Проведены расчеты частот и ширин линий электромагнитного излучения 2В плазменных колебаний в структуре с металлической решеткой. С ростом коэффициента заполнения решетки от нуля до единицы частота 21) плазменных колебаний падает от значения частоты, совпадающей с частотой плазменных колебаний в открытой структуре до значения частоты, практически совпадающей с частотой 2,0 плазмонов в структуре со сплошным металлическим экраном. Радиационное затухание при этом растет. Для высших типов колебаний частота и радиационое затухание 21) плазмонов испытывают осцилляции с изменением коэффициента заполнения решетки.

6. Найдено оптимальное значение толщины (],тах зазора между металлической решеткой и двумерным электронным слоем, при котором достигается наибольшее радиационное затухание двумерных плазменных колебаний. Величина (1тах возрастает при увеличении поверхностной концентрации электронов или коэффициента запонения решетки. Уменьшение радиационного затухания при (1 > (1тах происходит из-за уменьшения связи плазменных колебаний с полями решетки, а уменьшение радиационного затухания при с? < йтах связано с шунтированием поля плазменных колебаний металлическими полосками решетки.

7.Показано, что радиационное затухание определяет значительную часть ширины линии 2Б плазменного резонанса в реальных экспериментальных структурах AlGaAs/GaAs и приблизительно равно диссипативному электронному затуханию, определяемому экспериментальным значением времени релаксации.

8. Диэлектрические потери в материалах гетероструктуры AlGaAs/GaAs дают значительный вклад в наблюдаемую ширину линии плазменного резонанса. Наилучшее согласие между экспериментальной и теоретической ширинами линии имеет место при е[ 2 0, 3 , что является вполне реалистичной величиной для GaAs, получаемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

9. Учет конечного удельного поверхностного сопротивления металлических полосок Gmet практически не влияет на значение частоты ш и затухания 2D плазменных колебаний j .

10. Проведены исследования спектра электромагнитного излучения магни-топлазменных и циклотронного колебаний в полупроводниковой гетерострук-туре с решеточным элементом связи. Показано, что частота радиационных маг-нитоплазменных колебаний в структуре с решеткой увеличивается с ростом магнитного поля в хорошем соответствии с формулой (1.6), полученной для поверхностно-однородной структуры, если под и>р в этой формуле понимать частоту плазменных колебаний в структуре с решеткой в нулевом магнитном поле.

11. Показано, что сдвиг частоты Аш = и>—и>с циклотронной моды возрастает с увеличением магнитного поля, однако величина этого сдвига незначительна. Предложена физическая картина явления, объясняющая сдвиг частоты циклотронного резонанса в структуре с решеткой за счет электродинамической связи однородного циклотронного движения с неоднородными вынужденными магнитоплазменными колебаниями.

12. Радиационное затухание магнитоплазменных колебаний значительно увеличивается при уменьшении ширины щелей решетки из-за возрастания связи поля колебаний с однородным электрическим полем излучаемой электромагнитной волны.

13. Радиационное затухание циклотронных колебаний в случае частопери-одической решетки практически не зависит от коэффициента заполнения решетки ы/Ь и составляет половину величины радиационного затухания однородного циклотронного движения в структуре без решетки. Это связано с действием частопериодической решетки в качестве эффективного линейного поляризатора для полей излучения.

14. С использованием развитой теории расчитана суммарная ширина линии циклотронного резонанса для характеристических параметров известного эксперимента. Полученное значение ширины линии совпало с экспериментальной величиной в пределах погрешности эксперимента.

15. Расчетная и экспериментальная величины суммарной ширины линии магнитоплазменного резонанса в сильных магнитных полях шс ~ 2шр совпадают только в предположении о том, что эффективное время электронной релаксации магнитоплазменных колебаний примерно в два раза меньше циклотронного времени релаксации.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Полищук, Ольга Витальевна, 1998 год

Литература

[1] Т.Андо, А.Фаулер, Ф.Стерн/ Электронные свойства двумерных систем// Москва, Мир, 1985, 415с.

[2] В.Н.Добровольский, В.Г.Литовченко/ Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников// Киев: Наукова Думка, 1985.

[3] S.J.Allen, Jr., D.S.Tsui and R.A.Logan/ Observation of the two-dimensional plasmon in silicon inversion layers // Phys.Rev. Lett. 1977. V.38. N17. P.980-983.

[4] T.N.Theis, J.P.Kotthaus and P.J.Stiles/ Two-dimensional magnetoplasmon in the silicon inversion layer // Solid State Comm. 1977. V.24. P.273-277.

[5] T.N.Theis, J.P.Kotthaus and P.J.Stiles/ Wave-vector dependence of the two-dimensional plasmon dispersion relationship in the (100) silicon inversion layer // Solid State Comm. 1978. V.24. P.603-606.

[6] R.H.Ritchie/ Plasma losses by fast electrons in thin films // Phys. Rev. 1957. V.1Û6. P.874-881.

[7] E.A.Stern, R.A.Ferrell/ Surface plasma oscillations of a degenerate electron gas// Phys. Rev. 1960. V.120. N1. P.130-136.

[8] F.Stern/ Polarizability of a two-dimensional electron gas // Phys. Rev. Lett. 1967. V.18. P.546-548.

[9] А.В.Чаплик/ Энергетический спектр и процессы рассеяния электронов в инверсионных слоях // ЖЭТФ. 1971. V.60. N5. Р.1845-1852.

[10] А.В.Чаплик/ Возможная кристаллизация носителей заряда в инверсионных слоях низкой плотности // ЖЭТФ. 1972. V.62. N2. Р.746-753.

[11] T.N.Theis/ Plasmons in inversion layers // Surface Science 1980. V.98. P.515-532.

[12] D.Heitmann/ Two-dimensional plasmons in homogeneous and laterally microstructured space-charge layers // Surface Science. 1986. V.170. P.332-345.

[13] A.V.Chaplik/ Absorption and emission of electromagnetic waves by two-dimensional plasmons // Surface Science Reports. 1985. V.5. P.289-336.

[14] E.Batke, D.Heitmann and C.W.Tu/ Plasmon and magnetoplasmon exitation in two-dimensional electron space-charge layers // Phys. Rev. B. 1986. V.34. P.6951-6960.

[15] М.В.Крашенинников, А.В.Чаплик/ Радиационное затухание двумерных плазмонов // ЖЭТФ. 1985. V.88. N1. с.129-133.

[16] N.Okisu, Y.Sambe and T.Kobayashi/ Far-infrared emission from two-dimensional plasmons in AlGaAs/GaAs // Appl. Phys. Lett. 1986. V.48. P.776-778.

[17] N.J.M.Horing, M.M.Yildiz/ Quantum theory of longitidinal dielectric response properties of a two-dimensional plasma in a magnetic field // Annals of Phys. 1976. V.97. P.216-241.

[18] A.Gold/ Conductivity, plasmon and cyclotron-resonance anomalies in Si(100) metal-oxide-semiconductor sistems // Phys. Rev. B. 1985. V.32. N6. P.4014-4027.

[19] Р.З.Витлина, А.В.Чаплик/ Плазменные колебания многокомпонентных двумерных систем // ЖЭТФ. 1981. V.81. Р.1011-1021.

[20] E.G.Mohr, D.Heitmann/ Interaction of magnetoplasmons and cyclotron resonance harmonics in electron inversion layers on Si(100) //J. Phys. C: Solid State Phys. 1982. V.15. L753-L756.

[21] A.V.Chaplik and D.Heitmann/ Geometric resonances of two-dimensional magnetoplasmons // J. Phys. C: Solid State Phys. 1985. V.18. P.3357-3363.

[22] E.Batke, D.Heitmann, J.P.Kotthaus and K.Ploog/ Nonlocality in two-dimensional plasmon dispersion // Phys. Rev. Lett. 1985. V.54. N21. P.2367-2370.

[23] T.Zettler, C.Peters, J.P.Kotthaus, K.Ploog/ Pesonant Raman scattering of coupled magnetoplasmon-cyclotron modes in layered two-dimansional electron system// Surface Science. 1990. V.229. P.388-390.

[24] Y.Oi Nakamura, K.Tagava/ Layered electron gas and acoustic plasmon // Journal of the Physical Society of Japan. 1989. V.58. N2 P.646-657.

[25] A.L.Fetter/ Electrodinamics of layered electron gas I. Single layer // Annals of Physics. 1973. V.81. P.367-393.

[26] K.W.Chin, J.J.Quinn/ Plasma oscillations of a two-dimensional electron gas ina strong magnetic field // Phys. Rev. B. 1974. V.9. N11. P.4724-4732.

[27] M.S.Kushwaha/ Interface exitations associatied with double inversion layers in SIS heterostructures in a transverse magnetic field // Solid State Commun. 1988. V.67. N10. P.993-997.

[28] Н.Л.Дмитрук, В.Г.Литовченко, В.Л.Стрижевский/ Поверхностные поля-ритоны в полупроводниках и диэлектриках// Киев: Наукова Думка. 1989.

[29] Поверхностные поляритоны. Электромагнитные волны на поверхностях и границах раздела сред/ под ред. В.М.Аграновича и Д.А.Миллса. Москва: Наука. 1985.

[30] С.С.Као, E.M.Conwell/ Surface plasmon dispersion of semiconductors with deplation or accumulation layers // Phys. Rev. B. 1976. V.14. N6. P.2464-2479.

[31] V.G.Litovchenko/ Characteristics of quasi-two-dimensional excitons and plasmons at various concentrations // Surface Science. 1978. V.73. P.446-471.

[32] M.S.Kushwaha, P.Halevy/ Splitting of surface polariton dispersion curves due to resonance with magnetoplasma transition layer// Solid State Commun. 1987. V.64. N11. P.1405-1408.

[33] Н.Н.Белецкий, Е.А.Гасан/ Поверхностные поляритоны в полупроводниковых пленках с обедненными переходными областями// Физика твердого тела. 1996. Т.38. N2. С.460-470.

[34] Wu Xiaoguang, F.M.Peeters, J.T.Devreese/ Plasmon-phonon coupling in a two-dimensional electron gas// Phys. Rev. B. 1985. V.32. N10. P.6982-6985.

[35] Wu Xiaoguang, F.M.Peeters, J.T.Devreese/ Coupled plasmon-LO-phonon modes in GaxIni_xAs heterostructures// Phys. Rev. B. 1987. V.36. N14. P. 7518- 7522.

[36] S.Hisanao, H.Yoshikazu/ Coupling of plasmons to polar phonons in GaAs quantum wells// Phys. Rev. B. 1989. V.39. N14. P.10192-10195.

[37] L.Wendler, R.Haupt, V.G.Grigoryan/ Electron-phonon interaction, dynamical screening and collective excitations in hetrostructures. III. Coupled intra- and intersubband plasmon-phonons// Physica. B. 1990. V.167. N2. P.113-123.

[38] А.И.Касиян, И.В.Сур, И.И.Балмуш/ Подвижность 2D электронов при их рассеянии на связанных плазмон-фононных колебаниях// Физика и техника полупроводников. 1991. Т.25. N4. С.689-694.

[39] Н.Л.Дмитрук, Ю.В.Крюченко, В.Г.Литовченко/ Смешение двумерных плазмонов и оптических поверхностных фононов в полярных средах// Украинский физический журнал. 1984. Т.29. N3. С.357-361.

[40] А.М.Косевич, Х.К.Гранада/ Колебания двумерного электроного газа в инверсионном слое на поверхности ионного кристалла// Физика низких температур. 1988. Т. 14. N5. С.510-514.

[41] C.P.Chang, K.A.Pai, С.S.Fang, W.S.Tse/ Dispersion curves of phonon-plasmon coupled polaritons in n-type AlxGa\-xAs // Phys. status, solidi. B. 1989. V.154. N1. P.135-141.

[42] Е.Ф.Венгер, Н.Л.Дмитрук, О.В.Снитко, Н.А.Фидря/ Поверхностные плазмон-фононные поляритоны в 8 - легированных слоях GaAs// Журнал прикладной спектроскопии. 1991. Т.54. N2. С.276-280.

[43] К.Wan, J.F.Young, R.L.S.Devine et. al./ Raman scattering from coupled LO phonon-plasmon modes in р-GaAs// Adv. Laser Sci. Vol.3. Proc. 3rd Int. Conf., Atlantic City, 1987.-New York(N.Y.), 1988, P.442-444.

[44] A.Krost, W.Richter, D.R.T.Zahn/ Photoexcited plasmon-LO-phonon modes at the ZnSe/GaAs interface// Appl. Surface Sci. 1992. V.56-58, В.- С. P.691-696.

[45] R.Fukasawa, S.Perkowitz/ Raman-scattering Spectra of coupled LO-phonon-hole- plasmon modes in p-type GaAS// Phys. Rev. B. 1994. V.50. N19. P.14119-14124.

[46] Zhu Qin-Sheng, Wang Xia-Bing, Du Quan-Gang et.al./ Infrared absorption due to two-dimensional-electron-gas collective excitation in GaAs/AlxGa\-xAs multiple-quantum-well structures// Phys. Rev. B. 1995. V.52. N3. P.1848-1851.

[47] M.Konagai, K.Tokahashi, Qi Ming/ Raman scattering from longitudial-optical phonon-plasmon-coupled mode in carbon-doped p-type InGaAs// J. Appl. Phys. 1995. V.78. N12. P.7265-7268.

[48] H.S.A.Oji, A.H.MacDonald/ Magnetoplasmon-phonon coupling in a two-dimensional electron gas// Phys. Rev. B. 1986. V.34. N2. P.1371-1374.

[49] О.В.Полищук, В.В.Попов, Н.И.Синицын/ Связанные фонон-магнитоплазменные поверхностные волны в структуре с двумерным электронным газом// Письма в журнал технической физики. 1987. Т.13. N19. С.1197-1200.

[50] O.V.Polischuk, V.V.Popov, N.I.Sinitsyn/ Coupled phonon-magnetoplasma surface waves in the structure with two-dimensional electron gas// In: II International Symposium on Surface Waves in Solids and Layered Structures ISSWAS'89 and IV National Scientific Technical Conference with international participation "ACOUSTOELECTRONICS-89", September 14-19, 1989, Varna, Bulgaria, Vol.1, P.100-102.

[51] Wu Xiaoguang/ Magnetoplasmon-phonon coupling in Gaxln\-xAs heterostructures// Phys. Rev. B. 1988. V.38. N6. P.4212-4217.

[52] L.Wendler, R.Pechstedt/ Magnetoplasmon-phonon coupling in semiconductor quantum wells// J. Phys. Condens. Matter. 1990. V.2. N.45. P.8881-8904.

[53] V.L.Gurevich, K.E.Shtengel/ Dynamical screening of a polar optical phonon bound to a quantum well. Localised phonon-magnetoplasmon modes// J. Phys. Condens. Matter. 1990. V.2. N29. P.6323-6326.

[54] L.V.Butov, V.I.Grinev, V.D.Kulakovskii, T.G.Andersson/ Direct observation of magnetoplasmon-phonon coupled modes in the magnetophotoluminescence spectra of the two-dimensional electron gas in InxGa-y-xAs/GaAs quantum wells// Phys. Rev. B. 1992. V.46. N20. P.13627-13630.

[55] M.V.Burtyka, O.V.Glukhov, V.M.Yakovenko/ Interaction of hot electrons with two-dimensional gas in semiconductor superlattices// Solid State Electronies. 1991. V.34. N6. P.559-564.

[56] H.Xie, K.Kempa, P.Bakshi/ Grow rates of current-excited plasma waves in semiconductor layered systems// J. Appl. Phys. 1992. V.72. P.4767-4772.

[57] М.В.Буртыка, В.М.Яковенко, И.В.Яковенко/ Взаимодействие потоков заряженных частиц с плазмонами в двумерном электронном газе// Физика низких температур. 1995. Т.21. N6. С.628-632.

[58] A.V.Chaplik/ Collisionless apsorption and possible FIR amplification in microstructureed 2D electron systems// Solid State Commun. 1988. V.65. N12. P.1589-1591.

[59] S.A.Mikhailov, N.A.Sevostianova/ Terahertz wave amplification, stimulated low-dimensional electron systems// Appl. Phys. Lett. 1997. V.71. N10. P.1308-1310.

[60] L.Zheng, W.L.Schaich, and A.H.MacDonald/ Theory of two-dimensional grating couplers// Phys. Rev. 1990. B.41. P.8493.

[61] C.D.Ager, R.J.Wilkinson, H.P.Hugers/ Periodic grating-gate screening of plasmond in heterojunction structures// J. Appl. Phys. 1992. V.71. N3. P.1322-1326.

[62] C.D.Ager, H.P.Hugers/ Optical properties of stratified systems including lamellar grating// Phys. Rev. B. 1991. V.44. N24. P.13452-13465.

[63] R.E.Tyson, D.E.Bangert, H.P.Hughes/ Oscillations in the frequencies and coupling strengths of two-dimensional plasmons induced by grating couplers// J. Appl. Phys. 1994. V.76. N10. P.5909-5915.

[64] В.Л.Бонч-Бруевич, С.Г.Калашников/ Физика полупроводников, Наука, Москва 1977, 672 с.

[65] Р.Миттра, С. Ли/ Аналитические методы в теории волноводов, пер. с англ. под ред. Г.В.Воскресенского, Мир, Москва. 1974. с.14-22.

[66] И.С.Нефедов/ Электродинамический метод расчета периодической ми-крополосковой линии// Электронная техника, серия1, электроника СВЧ, вып.5, 1980, с.50-57.

[67] Г.Корн, Т.Корн/ Справочник по математике для научных работников и инженеров, пер. с англ. под ред. И.Г.Арамановича, Наука, Москва 1978.

[68] Ф.Крауфорд/ Берклеевский курс физики. Волны. Том III., пер. с англ. под ред. А.И.Шальникова и А.О.Вайсенберга, Москва, Наука, 1984.

[69] T.N.Theis/ Plasmon in inversion layers// Surface Science. 1980. V.98. P.515-532.

[70] А.А.Волков, Б.П.Горшунов, В.П.Калинушкин, Г.В.Козлов, О.И.Сиротинский/ Субмиллиметровые свойства (1011 — 1012)Гц низкоом-ных фосфида индия и арсенида галлия //ФТТ 1990 т.32. вып.5 с.1368-1373.

[71] M.V.Krasheninnikov, A.V.Chaplik/ Radiation damping of 2D plasmons // Zh. Ekperim. Teor. Fiz. 1985. V.88. P.129-133.

[72] Л.А.Вайнштейн/ Электромагнитные волны, Радио и связь, Москва, 1988. Е.Ю.Альтшулер, Л.И.Кац, В.В.Попов/ Поверхностные электромагнитные волны в полупроводниковых структурах и их применение в технике СВЧ// Обзоры по электронной технике, Сер.1, Электроника СВЧ, вып.7(940). -ЦНИИ "Электроника". 1983. с.60.

[73] О.В.Полищук/ КВЧ спектроскопия магнетоплазмонов в тонких пленках GaAs// В кн.: Международная конференция молодых ученых "Горячие электроны и коллективные явления в полупроводниках". Тезисы докладов. Нида, Литва, 23-27 апреля 1990, с.14.

[74] О.Р.Матов, О.В.Полищук, В.В.Попов/ О радиационном затухании двумерных плазменных волн в открытой структуре с металлической решеткой// Письма в ЖТФ. 1992. Т.18. вып.16. С.86-89.

[75] О.Р.Матов, О.В.Полищук, В.В.Попов/ Дисперсия двумерных плазменных волн в полупроводниково-диэлектрической структуре// В кн.: "Взаимодействие электромагнитных волн с твердым телом". Труды III Всесоюзной школы семинара, 2-8 сентября, 1991, Саратов: Изд-во СГУ, 1991, с.55.

[76] О.Р.Матов, О.В.Полищук, В.В.Попов/ Спектр излучения электромагнитных волн двумерными плазмонами в полупроводниково-диэлектрической структуре с металлической решеткой// В кн.: 1-й Украинский симпозиум "Физика и техника миллиметровых и субмиллиметровых радиоволн". Харьков, 15-18 октября, 1991. Тезисы докладов. 4.1. - Харьков: Институт радиофизики и электроники АН УССР, 1991, с.96.

[77] О.Р.Матов, О.В.Полищук, В.В.Попов/ Влияние плоской металлической решетки на дисперсию плазменных волн в тонком полупроводниковом слое// Радиотехника и электроника. 1992. Т.37. N12. С.2242-2250.

[78] O.R.Matov, O.V.Polischuk, V.V.Popov/ Electromagnetic emission from two-dimensional plasmons in a semiconductor-dielectric structure with metal grating: rigorous theory// Int. J. Infrared and Millimeter Waves. 1993. V.14. P.1455.

[79] О.Р.Матов, О.В.Полищук, В.В.Попов/ Влияние диссипации на ширину линии поглощения электромагнитных волн двумерными плазмонами в AlGaAs/GaAs гетероструктуре// Письма в ЖТФ. 1993. Т.19. N17. С.37-39.

[80] О.Р.Матов, О.В.Полищук, В.В.Попов/ Влияние диссипации на ширину линии поглощения электромагнитных волн двумерными плазмонами в AlGaAs/GaAs гетероструктуре// В кн.: 1 Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород, 10-14 сентября 1993. Тезисы докладов. - Нижний Новгород, 1993. Т.1, с.64.

[81] O.R.Matov, O.V.Polischuk, V.V.Popov/ Difraction of two-dimensional plasma waves from lamellar metal grating in a GaAs/AlGaAs heterostructure//

Conference Proceeding.-Kharkov, Institute of Radiophysics and Electronics of National Academy of Sciences of Ukraine. 1994. Vol.1. P.204-207.

[82] O.R.Matov, O.F.Meshkov, O.V.Polischuk, V.V.Popov/ Grating assisted electromagnetic emission from magnetoplasmon and cyclotron modes in two- dimensional plasma layer on GaAs: a rigorous theory// In: NATO Advanced Study Institute on Fabrication, Properties and Applications of Low-Dimensional Semiconductors (Bulgaria, Sosopol, September 1995), Series 3, Vol.37, p.237-238.

[83] О.Р.Матов, О.В.Полищук, В.В.Попов/ Расчет перестраиваемого фильтра субмиллиметрового диапазона на основе плазменных волн в полупроводниковой гетероструктуре// В кн.: Всероссийская научно-техническая конференция "Электроника и информатика", Зеленоград, 15-17 ноября 1995г.: Тезисы докладов. Москва, 1995, с.330-331.

[84] О.Р.Матов, О.Ф.Мешков, О.В.Полищук, В.В.Попов/ Расчет уширения линии магнитоплазменного резонанса в двумерном электронном газе с латеральной металлической решеткой// В кн.: 2-ая Российская конференция по физике полупроводников, Зеленогорск, 26 февраля-1 марта 1996 г. : Тезисы докладов, 1996, Том II, с. 181.

[85] О.Р.Матов, О.Ф.Мешков, О.В.Полищук, В.В.Попов/ Теория электромагнитного излучения двумерных магнитоплазменных и циклотронных колебаний в полупроводниковой гетероструктуре с периодическим экраном// ЖЭТФ. 1996. Т.109. Вып.З. С.876-890.

[86] Matov O.R., Meshkov O.R., Polischuk O.V., Popov V.V. / Generation of submillimeter electromagnetic radiation from two-dimensional plasma waves in a semiconductor heterostructure with metal grating // В кн.:4th Int. Conf. on

Electrical Trasport and Optical Properties of Ingomogeneous Media, Moscow - St. Petersburg, Russia, 23-30 July 1996: Book of Abstracts. - Moscow, 1996, p. 112.

[87] O.R.Matov, O.F.Meshkov, O.V.Polischuk, V.V.Popov/ Generation of submilliraeter electromagnetic radiation from two-dimensional plasma waves in a semiconductor heterostructure with metal grating// Physica A: Statistical and Theoretical Physics.- Amsterdam: Elsevier Science B.V. (North-Holland). 1997. Vol.214. P.409-413.

[88] Матов О.P., Полищук О.В., Попов В.В. / Генерация когерентного дифракционного излучения в открытой периодической структуре с дрейфующей двумерной электронной плазмой //В кн.: Современные проблемы электроники и радиофизики СВЧ: Материалы научной конференции, 4-8 сентября 1997 г. - Саратов, 1997, с. 124-126.