Полупроводниковые гетероструктуры со сверхтонкими напряженными квантовыми ямами и лазеры спектрального диапазона 1525-1565 нм на их основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Колодезный, Евгений Сергеевич

• Колодезный, Евгений Сергеевич
• кандидат наук
• 2018

Оглавление диссертации кандидат наук Колодезный, Евгений Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ......................................................................................................................5

1 Аналитический обзор литературы............................................................................15

1.1 Сравнение оптических и электрических межсоединений..................................16

1.2 Радиофотоника........................................................................................................17

1.3 Оптические аналого-цифровые преобразователи................................................19

1.4 Платформы для построения и интеграции радиофотонных схем......................22

1.4.1 Фотоника на основе фосфида индия..................................................................24

1.5 Полупроводниковые лазеры с пассивной синхронизацией мод........................25

1.5.1 Принцип пассивной синхронизации мод...........................................................29

1.6 Низкоразмерные объекты в полупроводниковых гетероструктурах для генерации лазерного излучения в спектральном диапазоне 1525-1565 нм............31

1.7 Полупроводниковые лазеры с пассивной синхронизацией мод спектрального диапазона 1525-1565 нм................................................................................................36

1.8 Вертикально-излучающие лазеры с прямой токовой модуляцией....................41

1.8.1 Особенности активной области вертикально-излучающего лазера...............43

2 Напряженные лазерные полупроводниковые гетероструктуры 1пОаЛ1Лв/1пОаЛв/1пР....................................................................................................47

2.1 Преимущества использования квантовых ям 1пОаЛБ в активной области лазерной гетероструктуры............................................................................................47

2.2 Метод изготовления напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP......49

2.2.1 Метод молекулярно-пучковой эпитаксии.........................................................49

2.2.2 Термическая подготовка подложек 1пР.............................................................51

2.2.3 Особенности изготовления напряженных гетероструктур InAlGaAs/InGaAs на поверхности подложки !п? методом молекулярно-пучковой эпитаксии..........51

2.3 Базовая конструкция активной области лазерного диода на основе напряженных гетероструктур 1пОаЛ8/1пЛЮаЛв/1пР................................................55

2.4 Базовая конструкция лазерной гетероструктуры со сверхтонкими напряженными квантовыми ямами ТпОаЛБ................................................................69

2.4.1 Конструкция волновода лазерной гетероструктуры........................................69

2.4.2 Описание базовой лазерной гетероструктуры диода спектрального диапазона 1525-1565 нм..................................................................................................................74

2.5 Характеризация лазерных диодов полосковой конструкции спектрального диапазона 1525-1565 нм на основе базовой напряженной гетероструктуры.........74

2.6 Оптимизация базовой лазерной гетероструктуры со сверхтонкими напряженными квантовыми ямами.............................................................................80

2.7 Выводы.....................................................................................................................85

3 Лазер с пассивной синхронизацией мод на основе напряженных полупроводниковых гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP.....................................86

3.1 Лазерный диод с пассивной синхронизацией мод на основе гетероструктуры с напряженными сверхтонкими квантовыми ямами InGaAs......................................86

3.1.1 Пассивная синхронизация мод в лазерном диоде с длиной насыщающегося поглотителя 200 мкм.....................................................................................................89

3.1.2 Пассивная синхронизация мод в лазерном диоде с длиной насыщающегося поглотителя 120 мкм.....................................................................................................92

3.2 Конструкция модуля лазера с пассивной синхронизацией мод спектрального диапазона 1525-1565 нм................................................................................................96

3.2.1 Маршрут изготовления модуля лазера с ПСМ...............................................103

3.2.2 Регистрация оптических мод модуля лазера с ПСМ......................................104

3.3 Выводы...................................................................................................................105

4 Напряженные лазерные полупроводниковые гетероструктуры InGaAlAs/InGaAs/InP с легированными барьерными слоями................................106

4.1 Оптические и структурные характеристики напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP, выращенных способом непрерывного роста.....................106

4.2 Влияние 5-легирования углеродом барьерного слоя In0,53Al0,20Gac,27As на оптические характеристики напряженной гетероструктуры

In0,53Al0,27Ga0,20As/In0,74Ga0,26As/InP............................................................................111

4.3 Характеризация лазерных диодов полосковой конструкции на основе напряженных гетероструктур Ino,5зA1oд7GaoдoЛsЛno,74Gaoд6AsЛnP, выращенных

способом непрерывного роста...................................................................................118

4.4 Выводы...................................................................................................................123

ЗАКЛЮЧЕНИЕ...........................................................................................................125

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ..............................127

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ...........................................................................................129

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Полупроводниковые гетероструктуры со сверхтонкими напряженными квантовыми ямами и лазеры спектрального диапазона 1525-1565 нм на их основе»

Актуальность темы исследования

В современных системах приема-передачи информации, использующих сверхширокополосную связь, цифровая обработка сигналов является ключевым процессом, обеспечивающим качество и скорость связи. Ее использование открывает широкие возможности обработки сигналов программными методами. В электронных аналого-цифровых преобразователях быстродействие ограничено дрожанием тактовой частоты, переходными процессами в электрических цепях и скоростью преобразования схем на основе транзисторов на уровне 1010 отсчетов в секунду при частоте тактового сигнала 15-20 ГГц на 1 канал передачи данных. Использование оптических аналого-цифровых преобразователей позволяет увеличить быстродействие 1 канала передачи данных до 5-1011 отсчетов в секунду и частоту тактового сигнала до 100 ГГц [1].

Для оптических аналого-цифровых преобразователей требуется источник тактовых оптических импульсов с высокой стабильностью во времени и по амплитуде. Последовательности оптических импульсов выполняют функцию дискретизации по времени информационного сигнала. Одним из перспективных вариантов реализации источника оптических импульсов является полупроводниковый лазер - компактный и надежный прибор, позволяющий получать оптические импульсы со сверхвысокими частотами повторения как методом прямой токовой модуляции, так и при синхронизации мод лазера [2, 3].

Гетероструктуры на основе твердых растворов арсенидов индия, галлия и алюминия на подложке фосфида индия 1пР являются основой для создания эффективных лазерных излучателей, генерирующих оптический сигнал с длиной волны 1525-1565 нм [4]. Важным преимуществом устройств на основе 1пР является возможность достижения рабочих частот, недоступных для устройств на других материальных платформах [5].

Цель работы

Разработка физико-технологических основ оптимизации свойств напряженных полупроводниковых гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP на подложках 1пР для изготовления высокоэффективных лазерных диодов, излучающих в спектральном диапазоне 1525-1565 нм: лазеров с пассивной синхронизацией мод (ПСМ) и вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ).

Задачи работы

Для достижения цели были поставлены следующие задачи:

- разработка физических основ конструирования полупроводниковых лазерных гетероструктур с напряженными квантовыми ямами (КЯ) InGaAs на подложке 1пР, обеспечивающих генерацию оптического излучения в спектральном диапазоне 1525-1565 нм, включая определение базовых конструктивных параметров полупроводниковых слоев: химического состава, толщины и оптимального уровня легирования;

- разработка технологии эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетероструктур с напряженными КЯ InGaAs на подложке 1пР методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и выбор оптимального способа изготовления, - способ непрерывного осаждения или субмонослойный рост, - для получения наилучших структурных и оптических характеристик;

- характеризация напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP методами фотолюминесценции (ФЛ), рентгеноструктурного анализа (РА) и просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) для определения максимально допустимого несоответствия между параметрами кристаллических решеток КЯ и подложки, эффективности оптической генерации гетероструктур с различными параметрами несоответствием, минимальной толщины КЯ;

- изготовление лазерных диодов полосковой конструкции на основе полупроводниковых гетероструктур со сверхтонкими напряженными КЯ InGaAs для исследования пороговых характеристик, оптического усиления и уровня

внутренних потерь в зависимости от длины резонатора, количества ям и уровня легирования барьерных слоев;

- изготовление лазера с ПСМ на основе полупроводниковой гетероструктуры с напряженными КЯ InGaAs и исследование его частотных и временных характеристик;

- определение перспективности использования напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP в активной области ВИЛ с прямой токовой модуляцией.

Научная новизна

Изготовлены лазерные диоды спектрального диапазона 1525-1565 нм на основе полупроводниковых гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP с напряженными КЯ. Гетероструктуры выращены по технологии МПЭ без использования фосфора - токсичного для человека и грязного в производстве вещества. Компактная активная область со сверхтонкими напряженными КЯ InGaAs толщиной 2-3 нм демонстрирует высокое модовое усиление, сравнимое с тем, которое демонстрируют КЯ InGaAsP большей толщины. В напряженной КЯ InGaAs у потолка валентной зоны отсутствует подзона легких дырок, и в излучательной рекомбинации участвуют только электроны и тяжелые дырки. При использовании сверхтонких КЯ электроны сильно локализованы в КЯ, и существует только один уровень размерного квантования электронов, который находится ниже дна зоны проводимости барьера на 110-120 мэВ.

Для изготовления гетероструктур была разработана технология получения напряженных КЯ InGaAs методом МПЭ с различными величинами несоответствия между параметрами кристаллических решеток КЯ и подложки ¡пР. Были определены оптимальные параметры роста гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP с напряженными КЯ. Полученные образцы гетероструктур были охарактеризованы при помощи РА и ФЛ.

Были разработаны и изготовлены лазерные напряженные полупроводниковые гетероструктуры Ino;5зA1oдoGao;27As/Ino;67Gao,ззAsЛnP и

In0,5зAl0,27Gao,20As/Ino,74Gao,26As/InP с различным количеством КЯ в активной области и лазерные диоды полосковой конструкции спектрального диапазона 1525-1565 нм на их основе. В изготовленных устройствах были исследованы пороговые и оптические характеристики и уровень внутренних потерь в зависимости от длины резонатора, найдены оптимальные решения для изготовления эффективных полупроводниковых лазеров.

Были изготовлены лазеры с ПСМ на основе напряженной гетероструктуры In0,5зAl0,20Gao,27As/Ino,67Gao,ззAs/InP, которые продемонстрировали стабильную генерацию оптических импульсов пикосекундной длительности.

Обнаружено, что р-легирование барьерных слоев в гетероструктуре In0,5зAl0,27Gao,20As/Ino,74Gao,26As/InP до уровня 1 • 1012 - 2-1012 см-2 приводит к подавлению безызлучательной рекомбинации. Экспериментально показано, что применение метода р-легирования барьерных слоев должно приводить к росту частоты прямой токовой модуляции ВИЛ на основе напряженной гетероструктуры Ino,5зAlo,27Gao,2oAs /Ino,74Gao,26As/InP.

Практическая значимость работы

Исследование лазерных напряженных полупроводниковых гетероструктур InAlGaAs/InGaAs/InP является важным шагом в освоении отечественной компонентной базы радиофотоники, работающей в С- и L- полосах пропускания. Напряженные гетероструктуры позволяют реализовать активные области лазерных диодов с высоким уровнем оптического усиления и изготавливать на их основе ВИЛ с частотой прямой модуляции более 10 ГГц или лазеры с ПСМ с низким временным дрожанием излучаемых оптических импульсов. Лазеры таких типов могут быть использованы в качестве источников оптических импульсов в радиофотонных системах.

Методы исследования

Напряженные гетероструктуры InGaAlAs/InGaAs/InP на подложке !пР изготовлены методом МПЭ.

Лазерные диоды полосковой конструкции изготавливались методами контактной фотолитографии, прецизионного сухого травления многослойных гетероструктур, планаризации диэлектриком, вакуумного напыления омических контактов.

Полупроводниковые структуры характеризовались методами РА гетероструктур, ФЛ и ПЭМ.

Лазерные диоды полосковой конструкции исследовались методами электролюминесценции и электронной микроскопии.

Динамические характеристики лазеров с ПСМ исследовались на специальном измерительном стенде, работающем на сверхвысоких частотах. Оптические характеристики исследовались с помощью спектроанализатора сверхвысокого разрешения.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Использование напряженных КЯ InGaЛs в лазерных полупроводниковых гетероструктурах, изготовленных без использования фосфора на подложке !пР, позволяет достигать высокого модового оптического усиления на одну КЯ, сравнимого с усилением в гетероструктурах на основе КЯ InGaЛsP, и получать эффективную лазерную генерацию при комнатной температуре.

2. Разработанный метод создания напряженных КЯ InGaAs позволяет изготавливать лазерные гетероструктуры с широким спектром излучения 15321538 нм, а экспериментальные образцы лазеров на основе гетероструктур со сверхтонкими напряженными КЯ InGaAs демонстрируют устойчивый режим ПСМ лазера с частотой следования импульсов 10 ГГц и временным дрожанием оптических импульсов величиной не более 150 фс.

3. Легирование барьерных слоев InGaAlAs примесью углерода (примесь р-типа) в напряженных гетероструктурах InGaA1As/InGaAs/InP с КЯ приводит к подавлению безызлучательной рекомбинации по сравнению с гетероструктурой с нелегированными барьерными слоями.

Степень достоверности

Измерения характеристик напряженных полупроводниковых гетероструктур и лазерных диодов были проведены с использованием высокоточных измерительных приборов с низкой инструментальной погрешностью, калиброванных производителем или по эталону, или прошедших метрологическую поверку. Для исследования оптических, электрических и механических характеристик разработанных структур и устройств использовались стандартные методики. Результаты расчетов параметров лазерных гетероструктур совпадают с результатами проведенных измерений.

Личный вклад автора

Все представленные в диссертации результаты получены автором лично или при его определяющем участии. Автор принимал решающее участие в постановке и решении задач, в конструкторской, технологической и диагностической работах, интерпретации результатов расчета и эксперимента и последующей подготовке публикаций в рецензируемых журналов. Он лично представлял научные результаты на всероссийских и международных конференциях.

Апробация работы

Результаты диссертации доложены на следующих конференциях: V Всероссийская конференция "Электроника и микроэлектроника СВЧ", Санкт-Петербург, Россия, 2016; International Conference on Metamaterials and Nanophotonics «METANANO - 2016», «METANANO - 2017», Анапа, Владивосток, Россия, 2016, 2017; 5-й Российский симпозиум с международным участием, Полупроводниковые лазеры: физика и технологии, Санкт-Петербург, Россия, 2016; 18-я, 19-я молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, Россия, 2016, 2017; Saint Petersburg OPEN 2017, 2018, Санкт-Петербург, Россия, 2017, 2018; XIII Российская конференция по физике полупроводников,

Екатеринбург, Россия, 2017; Всероссийская конференция по волоконной оптике ВКВО-2017, Пермь, Россия, 2017; Международная молодежная конференция ФизикА.СПб/2017, Санкт-Петербург, Россия, 2017.

Публикации

Основное содержание диссертации опубликовано в 11 работах, из них 9 публикаций, в изданиях из перечня ВАК или приравненных к перечню ВАК.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения, списка сокращений и условных обозначений и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 149 страниц, включая 72 рисунка и 14 таблиц. Список литературы содержит 180 наименований.

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, изложены цели и задачи диссертационной работы, дана оценка ее научной и практической значимости.

Первая глава содержит обзор экспериментальных и теоретических работ, определяющих область исследований, мировых тенденций развития в области волоконно-оптических линий связи и радиофотоники, конструктивных и технологических особенностей полупроводниковых лазерных гетероструктур спектрального диапазона 1525-1565 нм и полупроводниковых лазеров на их основе, в том числе лазеров с ПСМ и ВИЛ.

Во второй главе рассмотрены способы изготовления напряженных полупроводниковых гетероструктур InA1GaAs/InGaAs/InP; приведены результаты структурных исследований и исследований оптических характеристик напряженных гетероструктур Ino,5зЛ1oдoGao,27ЛsЛno,67Gao,ззЛsЛnP; описана разработанная базовая конструкция лазерной полупроводниковой гетероструктуры с активной областью, содержащей с напряженные КЯ In0;67Ga0;33As; приведены результаты исследований рабочих характеристик лазерных диодов на основе лазерной гетероструктуры с напряженными КЯ

In0,67Gao,33As; разработана оптимизированная конструкция напряженной лазерной гетероструктуры, и исследованы ее оптические свойства.

В первом разделе второй главы перечислены преимущества твердых растворов InGaAs по сравнению InGaAsP для изготовления активной области лазерной гетероструктуры.

Во втором разделе второй главы описаны метод МПЭ и установка МПЭ; определены особенности роста напряженных гетероструктур InAlGaAs/InGaAs/InP, исследованы возможности роста напряженных гетероструктур InAlGaAs/InGaAs/InP с различным несоответствием между параметрами кристаллических решеток КЯ InGaAs и подложки субмонослойным и непрерывным способами роста.

В третьем разделе второй главы приведен расчет зонной диаграммы напряженной гетероструктуры Ino,5зAlo,2oGao,27As/Ino,67Gao,ззAs/InP; приведены результаты исследований структурных и оптических характеристик напряженных гетероструктур InAlGaAs/InGaAs/InP с параметрами несоответствия от 1,0 до 2,0 %; разработана базовая конструкция активной области, содержащей барьерные слои Ino,5зAlo,2oGao,27As и КЯ Ino,67Gao,ззAs с параметром несоответствия 1,0 %.

В четвертом разделе второй главы предложена базовая лазерная гетероструктура для генерации излучения в спектральном диапазоне 15251565 нм с активной областью, содержащей барьерные слои Ino,53Al0,20Gao,27As и КЯ In0,67Gao,33As с параметром несоответствия 1,0 %.

В пятом разделе второй главы исследованы пороговые и усилительные свойства лазерных диодов полосковой конструкции на основе базовой лазерной гетероструктуры с активной областью, содержащей барьерные слои Ino,5зAlo,2oGao,27As и КЯ Ino,67Gao,ззAs с параметром несоответствия 1,0 %, содержащих 5 и 8 КЯ In0,67Gao,33As.

В шестом разделе второй главы с целью улучшения оптических характеристик предложена оптимизированная лазерная гетероструктура с активной областью, содержащей барьерные слои Ino,5зAlo,2oGao,27As и КЯ

In0;67Ga0;33As с параметром несоответствия 1,0 %; исследованы пороговые и усилительные свойства лазерных диодов полосковой конструкции на основе оптимизированной лазерной гетероструктуры, содержащей 2 и 3 КЯ In0;67Ga0;33As.

В седьмом разделе второй главы кратко представлены основные результаты, описанные во второй главе.

В третьей главе рассмотрена конструкция полоскового лазера с ПСМ на основе лазерной гетероструктуры с активной областью, содержащей 3 сверхтонкие напряженные КЯ InGaЛs толщиной 3,1 нм с параметром несоответствия / InGaЛs/InP 1,0 % и барьерные слои In0,53Gao,27Л10,20Лs; приведены результаты исследования оптических характеристик, вольт-амперных характеристик, ватт-амперных характеристик, радиочастотных спектров, осциллограмм и дрожания оптических импульсов во времени (джиттер) изготовленных лазеров с ПСМ

В первом разделе третьей главы исследованы статические и динамические характеристики лазерных диодов с ПСМ на основе лазерной гетероструктуры с активной областью, содержащей 3 сверхтонкие напряженные КЯ InGaЛs толщиной 3,1 нм с параметром несоответствия 1,0 % и барьерные слои Ino,5зGao,27A1o,2oAs; изготовлены лазерные диоды с длиной резонатора 4 мм и длиной НП 120 мкм и 200 мкм.

Во втором разделе третьей главы описана конструкция модуля лазера с ПСМ с оптоволоконным выходом; представлены результаты измерения ширины спектра генерации лазера с ПСМ.

В третьем разделе третьей главы кратко представлены основные результаты, описанные в третьей главе.

В четвертой главе рассмотрены лазерные гетероструктуры InGaAlAs/ InGaAs/InP, изготовленные методом МПЭ способом непрерывного роста; исследованы структурные свойства изготовленных гетероструктур методом РА и оптические свойства методом ФЛ. На основе выращенных гетероструктур изготовлены лазерные диоды полосковой конструкции, содержащие 7 и 10 КЯ; определены пороговый ток, оптические потери и оптическое усиление

изготовленных лазерных диодов; исследовано влияние 5-легирования барьерных слоев InGaAlAs углеродом на оптические свойства лазерных гетероструктур.

В первом разделе четвертой главы рассмотрены оптические и структурные свойства напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP с параметрами несоответствия от 1,0 до 2,3 %, изготовленных методом МПЭ способом непрерывного роста.

Во втором разделе четвертой главы исследовано влияние 5-легирования барьерных слоев InGaAlAs углеродом на эффективность ФЛ в гетероструктурах Ino,5зAlo,27Gao,2oAs/Ino,74Gao,26As/InP.

В третьем разделе четвертой главы исследовано влияние 5-легирования барьерных слоев InGaAlAs углеродом на оптические свойства лазерных гетероструктур; рассчитан предел частоты эффективной модуляции ВИЛ на основе напряженных гетероструктур Ino,5зAlo,27Gao,2oAs/Ino,74Gao,26As/InP с прямой токовой модуляцией.

В четвертом разделе четвертой главы кратко представлены основные результаты, описанные в четвертой главе.

В заключении представлены основные результаты исследования и сформулированы выводы.

Связь работы с научными проектами

Исследования проводились в Университете ИТМО в рамках выполнения соглашений о предоставлении субсидии Министерства образования и науки Российской Федерации № 14.581.21.0013 от 04.08.2015 (КЕМЕЕ!58115Х0013) и 14.578.21.0253 от 26.09.2017 (КЕМЕЕ!57817Х0253).

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Колодезный, Евгений Сергеевич

1. Исследованы оптические и структурные свойства напряженных гетероструктур 1пАЮаА8/1^аАв/1пР с различным несоответствием f между параметрами кристаллических решеток КЯ InGaAs и подложки 1пР.

2. Использование метода МПЭ позволяет изготавливать высококачественные напряженные гетероструктуры InAlGaAs/InGaAs/InP, излучающие в спектральном диапазоне 1525-1565 нм, двумя способами: субмонослойным способом (использование короткопериодных сверхрешеток) и способом непрерывного роста (изменение скорости потока эффузионного источника Ga).

2.1. Субмонослойный способ позволяет получать напряженные гетероструктуры InAlGaAs/InGaAs/InP с параметром несоответствия f до 1,3 %.

2.2. Способ непрерывного осаждения позволяет получать напряженные гетероструктуры InAlGaAs/InGaAs/InP с параметром несоответствия f до 1,8 %.

3. Лазерный диод на основе напряженной гетероструктуры In0,53Al0,20Ga0,27As/In0,67Ga0,33As/InP с пятью КЯ толщиной 3,5 нм демонстрирует значение коэффициента модового усиления 11 см-1, среднее значение модового усиления 20 см-1 и плотность тока прозрачности 46 А/см2 на одну КЯ.

4. Для уменьшения внутренних потерь до уровня 20 см-1 в лазерной гетероструктуре Inо,5зAlо,2оGaо,27As/Inо,67Gaо,ззAs/InP предложено использовать низколегированный волноводный слой.

5. Для уменьшения плотности порогового тока до уровня 650 А/см2 на длинном резонаторе в лазерной напряженной гетероструктуре In0,53Al0,20Gao,27As/Ino,67Gao,33As/InP предложено использовать в активной области 3 КЯ толщиной 3,1 нм.

6. Полосковые двухсекционные лазерные диоды спектрального диапазона 1525-1565 нм на основе лазерной гетероструктуры с активной областью, содержащей 3 сверхтонкие напряженные КЯ InGaAs толщиной 3,1 нм с

параметром несоответствия / ~ 1,0 % и барьерные слои 1п0,5^а0,27А10,20Ав, продемонстрировали режим ПСМ с частотой следования импульсов 10 ГГц и временным дрожанием оптических импульсов (джиттером), равным 145 фс. Спектр генерации содержал 20 продольных мод, что обеспечивает устойчивый режим ПСМ и малую длительность оптического импульса - 6,5 пс.

7. В напряженных гетероструктурах 1п0,53А10,2^а0,20А8/1п0,7^а0,26А8/1пР были легированы углеродом (примесью р-типа) барьерные слои, разделяющие КЯ. Легирование проводилось методом 5-легирования в центр барьерного слоя. Уровень легирования составил от 0,5-1012 до 5,0-1012 см-2. Показано, что легирование барьерных слоев до уровня 1 • 1012 - 2-1012 см-2 приводит к росту интенсивности ФЛ при малых уровнях накачки и подавлению безызлучательной рекомбинации по сравнению с гетероструктурой с нелегированными барьерными слоями.

8. Использование напряженных гетероструктур 1п0,53А10,2^а0,20Ав/ In0,74Gao,26As/InP с 10 КЯ или с 7 КЯ и р-легированными барьерными слоями до уровня 1-1012 см-2 позволяет существенно повысить дифференциальное усиление активной среды. Проведённые расчеты показывают, что использование таких гетероструктур в качестве активной среды в ВИЛ должно обеспечить получение предельной частотой прямой модуляции более 20 ГГц.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Колодезный, Евгений Сергеевич, 2018 год

1. Khilo A. Photonic ADC: overcoming the bottleneck of electronic jitter / Khilo A., Spector S.J., Grein M.E., Nejadmalayeri A.H., Holzwarth C.W., Sander M.Y., Dahlem M.S., Peng M.Y., Geis M.W., DiLello N.A., Yoon J.U., Motamedi A., Orcutt J.S., Wang J.P., Sorace-Agaskar C.M., Popovic M.A., Sun J., Zhou G.-R., Byun H., Chen J., Hoyt J.L., Smith H.I., Ram R.J., Perrott M., Lyszczarz T.M., Ippen E.P., Kartner F.X. // Optics Express - 2012. - Т. 20 - № 4 - С.4454-4469.

2. Iezekiel S.Microwave photonics: devices and applications / S. Iezekiel -Chichester: John Wiley & Sons, Ltd, 2009.- 342c.

3. Michalzik R.VCSELs: fundamentals, technology and applications of vertical-cavity surface-emitting lasers / R. Michalzik - London: Springer International Publishing, 2013.- 558c.

4. Tsang W.T. Ga0.47In0.53As/InP Double-Heterostructure and Multiquantum Well Lasers Grown by Chemical Beam Epitaxy / Tsang W.T. // IEEE Journal of Quantum Electronics - 1987. - Т. QE-23 - № 6 - С.936-942.

5. Iezekiel S. RF Engineering Meets Optoelectronics: Progress in Integrated Microwave Photonics / Iezekiel S., Burla M., Klamkin J., Marpaung D., Capmany J. // IEEE Microwave Magazine - 2015. - Т. 16 - № 8 - С.28-45.

6. Thomson D. Roadmap on silicon photonics / Thomson D., Zilkie A., Bowers J.E., Komljenovic T., Reed G.T., Vivien L., Marris-Morini D., Cassan E., Virot L., Fedeli J.M., Hartmann J.M., Schmid J.H., Xu D.X., Boeuf F., O'Brien P., Mashanovich G.Z., Nedeljkovic M. // Journal of Optics (United Kingdom) - 2016. - Т. 18 - № 7.

7. Urick V.J.Fundamentals of microwave photonics / V. J. Urick, J. D. Mckinney, K. J. Williams - New Jersey: John Wiley & Sons, 2015.- 1-467c.

8. Dat Le S. Experimental demonstration of a 40 Gb/s DWDM metropolitan network over 90-km-long based on self-seeded RSOAs / Dat Le S., Nguyen Thi Thu N. // International Conference on Advanced Technologies for Communications - 2015. -Т. 2015-Febru - С.140-143.

9. IEEE Standard for Ethernet 802.3 : IEEE Computer Society - 2012.

10. Kash J.Optical PCB Overview / J. Kash, D. Kuchta, F. Doany, C. Schow, F. Libsch, R. Budd, Y. Taira, S. Nakagawa, B. Offrein, M. Taubenblatt - , 2009.

11. Fritze A. Integration of optoelectronic devices, electronic circuitry and optical waveguides : PhD Thesis / Fritze A. - Edinburg., 2002.

12. Song X. Opportunities for PAM4 Modulation / Song X., Dove D. // Huawei Technologies Co., LTD, Reports - 2014.

13. Bo Liu Experimental Comparison of Pulse Amplitude Modulation (PAM) and Discrete Multi-tone (DMT) for Short-Reach 400-Gbps Data Communication / Bo Liu, Zhenning Tao, Lei Li, Tanaka T., Takahara T., Nishihara M., Drenski T., Kai Y., Rasmussen J.C. // 39th European Conference and Exhibition on Optical Communication (ECOC 2013) - 2013. - C.750-752.

14. Capmany J. Microwave photonics combines two worlds // Nat. Photonics. -2007. - T. 1. - № 6. - 319-330c.

15. Seeds A. Microwave Photonics: Present Status and Future Outlook (Plenary Paper) / Seeds A., Natrella M., Shams H., Ponnampalam L., Balakier K., Graham C., Liu C.-P., Liu H., Renaud C., Fice M. // Microwave Photonics (MWP), 2015 International Topical Meeting on - 2015. - C.1-6.

16. Seeds A.J. Microwave photonics / Seeds A.J. // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques - 2002. - T. 50 - № 3 - C.877-887.

17. Yao J.P. Microwave Photonics / Yao J.P. // Journal of Lightwave Technology - 2009. - T. 27 - № 1-4 - C.314-335.

18. Perez D. Integrated microwave photonics / Perez D., Gasulla I., Capmany J. // 2016 IEEE Photonics Conference, IPC 2016 - 2017. - C.5-6.

19. Waterhouse R. Realizing 5G: Microwave Photonics for 5G Mobile Wireless Systems / Waterhouse R., Novack D. // Microwave Magazine, IEEE - 2015. - T. 16 -№ 8 - C.84-92.

20. Cox III C.H.Analog Optical Links: Theory and Practice / C. H. Cox III -Cambridge, U.K: Cambridge Univ. Press, 2006.

21. Al-raweshidy H. Radio over Fiber Technology for the Next Generation / Al-

raweshidy H., Komaki S. // Radio Over Fiber Technologies for Mobile Communications Networks - 2002. - C.183-199.

22. Vegas Olmos J.J. Reconfigurable Radio-Over-Fiber Networks / Vegas Olmos J.J., Tafur Monroy I. // [OFC] Optical Fiber Communication Conference - 2015. -C.W1F.3.

23. Wake D. Radio over fiber for mobile communications / Wake D., Webster M., Wimpenny G., Beacham K., Crawford L. // 2004 IEEE International Topical Meeting on Microwave Photonics (IEEE Cat. No.04EX859) - 2004. - C.157-160.

24. Mjeku M. Performance analysis of 802.11e transmission bursting in fiberfed networks / Mjeku M., Gomes N.J. // 2008 IEEE Radio and Wireless Symposium, RWS - 2008. - C.133-136.

25. Novak D. Radio-Over-Fiber Technologies for Emerging Wireless Systems / Novak D., Waterhouse R.B., Nirmalathas A., Lim C., Gamage P.A., Clark T.R., Dennis M.L., Nanzer J.A. // IEEE Journal of Quantum Electronics - 2016. - T. 52 - № 1 -C.1-11.

26. Sotom M. Microwave photonic technologies for flexible satellite telecom payloads / Sotom M., Benazet B., Kernec A. Le, Maignan M. // 2009 35th European Conference on Optical Communication - 2009. - № 1 - C.1-17.

27. Dijk F. Van The European project Hippo high-power photonics for satellite laser communications and on-board optical processing / Dijk F. Van, Achouche M., Kernec A. Le, Brabant T., Kehayas E., Stampoulidis L., Henderson P., Robertson A., Sotom M., Schuberts F. // International Conference on Space Optics — ICSO 2014 -2017. - C.58.

28. Crisp M.J. Radio over Fibre DAS for Energy Efficient Inbuilding Wireless Communications / Crisp M.J., Penty R.V.R., White I.H., Sabesan S. // Optical Fiber Communication - 2009. - C.4-6.

29. Capmany J. A tutorial on microwave photonic filters / Capmany J., Ortega B., Pastor D. // Journal of Lightwave Technology - 2006. - T. 24 - № 1 - C.201-229.

30. Minasian R.A. Microwave photonic filters / Minasian R.A., Yi X., Chan E.H.W. // 2010 Photonics Global Conference, PGC 2010 - 2010.

31. Minasian R.A. Photonic signal processing of microwave signals / Minasian R.A. // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques - 2006. - Т. 54 - № 2

- С.832-846.

32. Popov M. The convergence of wired and wireless services delivery in access and home networks / Popov M. // Optical Fiber Communication (OFC), collocated National Fiber Optic Engineers Conference, 2010 Conference on (OFC/NFOEC) -2010. - С.8-10.

33. Aguas-Martínez E.F. Dynamic WDM-TDM access networks featuring wired-wireless convergence / Aguas-Martínez E.F., Puerto-Leguizamón G.A., Suárez-Fajardo C.A. // Revista Tecnica de la Facultad de Ingenieria Universidad del Zulia - 2017. - Т. 40 - № 2 - С.118-125.

34. Saeedkia D.Handbook of Terahertz Technology for Imaging, Sensing and Communications / D. Saeedkia - , 2013.- 1-662c.

35. Won R. Microwave photonics shines // Nat. Photonics. - 2011. - Т. 5. - № 12. - 736с.

36. Кестер У.Проектирование систем цифровой и смешанной обработки сигналов / У. Кестер - Москва: Техносфера, 2010.

37. Valley G.C. Photonic analog-to-digital converters / Valley G.C. // Optical Society of America - 2007. - Т. 15 - № 5 - С. 1955-1982.

38. Callahan P.T. Photonic analog-to-digital conversion / Callahan P.T., Dennis M.L., Clark T.R. // Johns Hopkins APL Technical Digest (Applied Physics Laboratory)

- 2012. - Т. 30 - № 4 - С.280-286.

39. Fujitsu ROTTA 37-92 GSa/s 8-bit ADC family [Электронный ресурс]. URL: http: //www. fuj itsu. com/cn/en/products/devices/semiconductor/fsp/asic/asic/ ipmacro/networkingips/ (accessed: 01.05.2018).

40. Kim J. Attosecond-precision ultrafast photonics / Kim J., Kartner F.X. // Laser and Photonics Reviews - 2010. - Т. 4 - № 3 - С.432-456.

41. Стариков Р.С. Фотонные АЦП / Стариков Р.С. // Успехи современной электроники - 2015. - Т. 2 - С.3-28.

42. Doerr C.R. Integrated Photonic Platforms for Telecommunications: InP and

Si / Doerr C.R. // IEICE Transactions on Electronics - 2013. - T. E96.C - № 7 -C.950-957.

43. Nagarajan R. InP Photonic Integrated Circuits / Nagarajan R., Kato M., Pleumeekers J., Evans P., Corzine S., Hurtt S., Dentai A., Murthy S., Missey M., Muthiah R., Salvatore R.A., Joyner C., Schneider R., Ziari M., Kish F., Welch D. // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics - 2010. - T. 16 - № 5 -C.1113-1125.

44. Zhang W. Silicon-Based Integrated Microwave Photonics / Zhang W., Yao J. // IEEE Journal of Quantum Electronics - 2016. - T. 52 - № 1 - C.1-12.

45. Hoving W. Low loss, high contrast planar optical waveguides based on low-cost CMOS compatible LPCVD processing / Hoving W., Heideman R., Geuzebroek D., Leinse A., Klein E., Dekker R. // SPIE Proceedings - 2008. - T. 6996 - C.699612-699612-6.

46. Bauters J.F. Ultra-low-loss high-aspect-ratio Si3N4 waveguides / Bauters J.F., Heck M.J.R., Demis J., Dai D., Tien M., Barton J.S., Leinse A., Heideman R.G., Blumenthal D.J., Bowers J.E. // Optics Express - 2011. - T. 19 - № 4 - C.3163-3174.

47. Ramaswamy A. Integrated coherent receivers for high-linearity microwave photonic links / Ramaswamy A., Johansson L.A., Klamkin J., Chou H.F., Sheldon C., Rodwell M.J., Coldren L.A., Bowers J.E. // Journal of Lightwave Technology - 2008. -T. 26 - № 1 - C.209-216.

48. Heideman R. TriPleX-based integrated optical ring resonators for lab-on-a-chip and environmental detection / Heideman R., Hoekman M., Schreuder E. // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics - 2012. - T. 18 - № 5 - C.1583-1596.

49. Mitchell A. LiNbO3 devices for microwave photonics / Mitchell A. // Conference Proceedings - Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting-LEOS -2007. - C.184-185.

50. Yamada E. Demonstration of 50 Gbit/s 16QAM signal generation by novel 16QAM generation method using a dual-drive InP Mach-Zehnder modulator / Yamada E., Shibata Y., Watanabe K., Yasui T., Ohki A., Mawatari H., Kanazawa S., Iga R.,

Ishii H. // 2011 Optical Fiber Communication Conference and Exposition and the National Fiber Optic Engineers Conference - 2011. - С.1-3.

51. Dummer M.M. Selectively-undercut traveling-wave electroabsorption modulators incorporating a p-InGaAs contact layer. / Dummer M.M., Raring J.R., Klamkin J., Tauke-Pedretti A., Coldren L.A. // Opt. Express - 2008. - Т. 16 - № 25 -С.20388-20394.

52. Dummer M.M. 40 Gb/s field-modulated wavelength converters for all-optical packet switching / Dummer M.M., Klamkin J., Tauke-Pedretti A., Coldren L.A. // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics - 2009. - Т. 15 - № 3 - С.494-503.

53. Augustin L.M. InP-Based Generic Foundry Platform for Photonic Integrated Circuits / Augustin L.M., Santos R., Haan E. Den, Kleijn S., Thijs P.J.A., Latkowski S., Zhao D., Yao W., Bolk J., Ambrosius H., Mingaleev S., Richter A., Bakker A., Korthorst T. // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics - 2018. - Т. 24 - № 1.

54. Klamkin J. High output saturation and high-linearity uni-traveling-carrier waveguide photodiodes / Klamkin J., Ramaswamy A., Johansson L.A., Chou H.F., Sysak M.N., Raring J.W., Parthasarathy N., DenBaars S.P., Bowers J.E., Coldren L.A. // IEEE Photonics Technology Letters - 2007. - Т. 19 - № 3 - С.149-151.

55. Kozyreva O.A. High-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector for microwave photonics / Kozyreva O.A., Solov'ev Y.V., Polukhin I.S., Mikhailov A.K., Mikhailovskiy G.A., Odnoblyudov M.A., Gareev E.Z., E.S. K., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. // Journal of Physics: Conference Series - 2017. - Т. 917 - С.52029.

56. Vasil'ev P.P. Fast phenomena in semiconductor lasers / Vasil'ev P.P., White I.H., Gowar J. // Reports on Progress in Physics - 2000. - Т. 63 - № 12 - С.1997-2042.

57. Алферов Ж.И. Характеристики гетеролазеров с насыщающимся поглотителем, полученным глубокой имплантацией ионов / Алферов Ж.И., Журавлев А.Б., Портной Е.Л., Стельмах Н.М. // Письма в Журнал Технической Физики - 1989. - Т. 15 - № 11 - С.44-48.

58. Portnoi E.L. Passive mode locking in a short-cavity diode laser / Portnoi E.L.,

Chelnokov A.V. // 12th IEEE International Conference on Semiconductor Laser. IEEE - 1990. - С.140-141.

59. Golov M.A. 250-GHz passive mode-locking of semiconductor injection lasers / Golov M.A., Stengel G.E., Avrutin E.A. // Semiconductor & Integrated OptoElectronics (SIOE'92) Conference - 1992. - С.5.

60. Гаджиев И.М. Особенности синхронизации мод в лазерах с квантовой ямой в широком волноводном слое / Гаджиев И.М., Буяло М.С., Бакшаев И.О., Григорьев Р.И., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Винокуров Д.А., Тарасов И.С., Портной Е.Л. // Письма в Журнал Технической Физики - 2010. - Т. 36 - № 22 - С.29-36.

61. Otto C. Mode-Locked Laser Springer International Publishing, 2014. - 191-

262с.

62. Avrutin E.A. Monolithic and multi-gigahertz mode-locked semiconductor lasers: constructions, experiment, models and applications // IEE Proc. Optoelectron. -2000. - Т. 147. - № 4. - 251-278с.

63. Gubenko A.E. Mode-locking at 9.7 GHz repetition rate with 1.7 ps pulse duration in twosection QD lasers / Gubenko A.E., Gadjiev L.M., Il'Inskaya N.D., Zadiranov Y.M., Zhukov A.E., Ustinov V.M., Alferov Z.I., Portnoi E.L., Kovsh A.R., Livshits D.A., Ledentsov N.N. // 2004 IEEE 19th International Semiconductor Laser Conference - 2004. - С.51-52.

64. Jones D.J. Dynamics of monolithic passively mode-locked semiconductor lasers / Jones D.J., Zhang L.M., Carroll J.E., Marcenac D.D. // IEEE Journal of Quantum Electronics - 1995. - Т. 31 - № 6 - С.292-297.

65. Derickson D. Short pulse generation using multisegment mode-locked semiconductor lasers / Derickson D., Helkey R., Mar A., Karin J.R., Wasserbauer J.G., Bowers J.E. // IEEE Journal of Quantum Electronics - 1992. - Т. 28 - № 10 - С.2186-2202.

66. Chen Y.K. Subpicosecond monolithic colliding-pulse mode-locked multiple quantum well lasers / Chen Y.K., Wu M.C., Tanbun-Ek T., Logan R.A., Chin M.A. // Applied Physics Letters - 1991. - Т. 58 - № 12 - С.1253-1255.

67. Martins-Filho J.F. Multiple colliding pulse mode-locked operation of a semiconductor laser / Martins-Filho J.F., Ironside C.N. // Applied Physics Letters -1994. - Т. 65 - № 15 - С.1894-1896.

68. Martins-Filho J.F. Monolithic Multiple Colliding Pulse Mode-Locked Quantum-Well Lasers: Experiment and Theory / Martins-Filho J.F., Avrutin E.A., Ironside C.N., Roberts J.S. // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics - 1995. - Т. 1 - № 2 - С.539-551.

69. Arahira S. 500 GHz optical short pulse generation from a monolithic passively mode-locked distributed Bragg reflector laser diode / Arahira S., Oshiba S., Matsui Y., Kunii T., Ogawa Y. // Applied Physics Letters - 1994. - Т. 64 - № 15 -С.1917-1919.

70. Hou L. 160 GHz harmonic mode-locked AlGaInAs 155^m strained quantumwell compound-cavity laser / Hou L., Haji M., Dylewicz R., Stolarz P., Qiu B., Avrutin

E. a, Bryce a C. // Optics Letters - 2010. - Т. 35 - № 23 - С.3991.

71. Hou L. 160 GHz passively mode-locked AlGaInAs 1.55 ^m strained quantum-well lasers with deeply etched intracavity mirrors / Hou L., Avrutin E.A., Haji M., Dylewicz R., Bryce A.C., Marsh J.H. // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics - 2013. - Т. 19 - № 4.

72. Качмарек Ф.Введение в физику лазеров / Ф. Качмарек - Москва: Мир,

1980.

73. Буяло М.С. Особенности пассивной синхронизации мод в полупроводниковых лазерах на наногетероструктурах : дис. канд. физ.-мат. наук / Буяло М.С. - СПб., 2016.

74. Pachotta R.Field guide to lasers / R. Pachotta - Washington: SPIE, 2007.

75. Bett A.W. III-V compounds for solar cell applications / Bett A.W., Dimroth

F., Stollwerck G., Sulima O.V. // Applied Physics A: Materials Science & Processing -1999. - Т. 69 - № 2 - С.119-129.

76. Reithmaier J.P. InP based lasers and optical amplifiers with wire-/dot-like active regions / Reithmaier J.P., Somers A., Deubert S., Schwertberger R., Kaiser W., Forchel A., Calligaro M., Resneau P., Parillaud O., Bansropun S., Krakowski M.,

Alizon R., Hadass D., Bilenca A., Dery H., Mikhelashvili V., Eisenstein G., Gioannini M., Montrosset I., Berg T.W., Poel M. Van Der, M0rk J., Tromborg B. // Journal of Physics D: Applied Physics - 2005. - T. 38 - № 13 - C.2088-2102.

77. Ledentsov N.N. High performance quantum dot lasers on GaAs substrates operating in 1.5 ^m range / Ledentsov N.N., Kovsh A.R., Zhukov A.E., Maleev N.A., Mikhrin S.S., Vasil'ev A.P., Semenova E.S., Maximov M.V., Shernyakov Y.M., Kryzhanovskaya N.V., Ustinov V.M., Bimberg D. // Electronics Letters - 2003. - T. 39 - № 15 - C.1126.

78. Tanbun-Ek T. Reproducible growth of low-threshold single and multiple quantum well InGaAs/InP lasers by a novel interlayer growth technique / Tanbun-Ek T., Temkin H., Chu S.N.G., Logan R.A. // Applied Physics Letters - 1989. - T. 55 - № 9 -C.819-821.

79. Tanbun-Ek T. Very low threshold InGaAs/InGaAsP graded index separate confinement heterostructure quantum well lasers grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy / Tanbun-Ek T., Logan R.A., Temkin H., Berthold K., Levi A.F.J., Chu S.N.G. // Applied Physics Letters - 1989. - T. 55 - № 22 - C.2283-2285.

80. Koren U. Low internal loss separate confinement heterostructure InGaAs/InGaAsP quantum well laser / Koren U., Miller B.I., Su Y.K., Koch T.L., Bowers J.E. // Applied Physics Letters - 1987. - T. 51 - № 21 - C.1744-1746.

81. Temkin H. Strained InGaAs/InP quantum well lasers / Temkin H., Tanbun-Ek T., Logan R.A. // Applied Physics Letters - 1990. - T. 56 - № 13 - C.1210-1212.

82. Deryagin A.G. Generation of 110 GHz train of subpicosecond pulses in 1.535 um spectral region by passively modelocked InGaAsP/InP laser diodes / Deryagin A.G., Kuksenkov D.V., Kuchinskii V.I., Portnoi E.L., Khrushchev I.Y. // Electronics Letters -1994. - T. 30 - № 4 - C.309.

83. Vasil'ev P.P. Ultrashort pulse generation in diode lasers // Opt. Quantum Electron. - 1992. - T. 24. - № 8. - 801-824c.

84. Temkin H. 1.5-1.6-^m Ga0.47In0.53As/Al0.48In0.52As multiquantum well lasers grown by molecular beam epitaxy / Temkin H., Alavi K., Wagner W.R., Pearsall

T.P., Cho A.Y. // Applied Physics Letters - 1983. - Т. 42 - № 10 - С.845-847.

85. Tandon A. Low-threshold, high-T0 and high-efficiency 1300 nm and 1500 nm lasers with AlInGaAs active region grown by MOCVD , 2004. - 206-217с.

86. Biswas D. Traps in molecular-beam epitaxial In0.53(GaxAl1-x)0.47As/InP / Biswas D., Chin A., Pamulapati J., Bhattacharya P. // Journal of Applied Physics -1990. - Т. 67 - № 5 - С.2450-2453.

87. Grabmaier A. Low nonlinear gain in InGaAs/InGaAlAs separate confinement multiquantum well lasers / Grabmaier A., Hangleiter A., Fuchs G., Whiteaway J.E.A., Glew R.W. // Applied Physics Letters - 1991. - Т. 59 - № 23 - С.3024-3026.

88. Буяло М.С. Ширина линии радиочастотного спектра в лазерах на квантовой яме с пассивной синхронизацией мод / Буяло М.С., Гаджиев И.М., Бакшаев И.О., Портной Е.Л. // Письма в Журнал Технической Физики - 2013. - Т. 39 - № 3 - С.41-48.

89. Cataluna M.A. Stable mode-locked operation up to 80 °C from an InGaAs quantum-dot laser / Cataluna M.A., Rafailov E.U., McRobbie A.D., Sibbett W., Livshits D.A., Kovsh A.R. // IEEE Photonics Technology Letters - 2006. - Т. 18 - № 14 -С.1500-1502.

90. Cataluna M.A. Stable mode locking via ground- or excited-state transitions in a two-section quantum-dot laser / Cataluna M.A., Sibbett W., Livshits D.A., Weimert J., Kovsh A.R., Rafailov E.U. // Applied Physics Letters - 2006. - Т. 89 - № 8.

91. Li H. Effects of the matrix on self-organization of InAs quantum nanostructures grown on InP substrates / Li H., Daniels-Race T., Hasan M.A. // Applied Physics Letters - 2002. - Т. 80 - № 8 - С. 1367-1369.

92. Stintz A. Formation of quantum wires and quantum dots on buffer layers grown on InP substrates / Stintz A., Rotter T.J., Malloy K.J. // Journal of Crystal Growth - 2003. - Т. 255 - № 3-4 - С.266-272.

93. Mori J. Wavelength control of 1.3-1.6^m light emission from the quantum dots self-formed in GaAs/InAs short-period superlattices grown on InP (411)A substrates / Mori J., Nakano T., Shimada T., Hasegawa S., Asahi H. // Journal of Applied Physics - 2004. - Т. 96 - № 3 - С. 1373-1375.

94. Poole P.J. Chemical beam epitaxy growth of self-assembled InAs/InP quantum dots / Poole P.J., McCaffrey J., Williams R.L., Lefebvre J., Chithrani D. // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures - 2001. - T. 19 - № 4 - C. 1467.

95. Kim J.S. Room-Temperature operation of InP-based InAs quantum dot laser / Kim J.S., Lee J.H., Hong S.U., Han W.S., Kwack H.S., Lee C.W., Oh D.K. // IEEE Photonics Technology Letters - 2004. - T. 16 - № 7 - C.1607-1609.

96. Wang R.H. Room-temperature operation of InAs quantum-dash lasers on InP (001) / Wang R.H., Stintz A., Varangis P.M., Newell T.C., Li H., Malloy K.J., Lester L.F. // IEEE Photonics Technology Letters - 2001. - T. 13 - № 8 - C.767-769.

97. Lelarge F. Recent advances on InAs/InP quantum dash based semiconductor lasers and optical amplifiers operating at 1.55 ^m / Lelarge F., Dagens B., Renaudier J., Brenot R., Accard A., Dijk F. Van, Make D., Gouezigou O. Le, Provost J.G., Poingt F., Landreau J., Drisse O., Derouin E., Rousseau B., Pommereau F., Duan G.H. // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics - 2007. - T. 13 - № 1 - C.111-123.

98. Rafailov E.U. Ultrafast pulse generation by semiconductor lasers , 2013. -149-217c.

99. Gosset C. Subpicosecond pulse generation at 134 GHz using a quantum-dash-based Fabry-Perot laser emitting at 1.56 ^m / Gosset C., Merghem K., Martinez A., Moreau G., Patriarche G., Aubin G., Ramdane A., Landreau J., Lelarge F. // Applied Physics Letters - 2006. - T. 88 - № 24.

100. Latkowski S. Short pulse generation with 40 GHz passively-mode locked q-dashed Fabry-Perot laser / Latkowski S., Maldonado-Basilio R., Landais P. // ICTON 2009: 11th International Conference on Transparent Optical Networks - 2009.

101. Smit M. An introduction to InP-based generic integration technology // Semicond. Sci. Technol. - 2014. - T. 29. - № 8.

102. Stolarz P.M. High-power and low-noise mode-locking operation of al-quaternary laser diodes / Stolarz P.M., Pusino V., Akbar J., Mezosi G., Hou L., Coleman A.C., Marsh J.H., Kelly A.E., Sorel M. // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics - 2015. - T. 21 - № 6.

103. Hou L. Low divergence angle and low jitter 40 GHz AlGaInAs/InP 1.55 ^m mode-locked lasers. / Hou L., Haji M., Akbar J., Qiu B., Bryce A.C. // Optics letters -2011. - Т. 36 - № 6 - С.966-8.

104. Hou L. 240 GHz pedestal-free colliding-pulse mode-locked laser with a wide operation range / Hou L., Haji M., Marsh J.H. // Laser Physics Letters - 2014. - Т. 11 - № 11.

105. Hou L. 160 GHz 1.55 ^m colliding-pulse mode-locked AlGaInAs/InP laser with reduced optical overlap / Hou L., Haji M., Bryce A.C., Marsh J.H. // IEEE Photonic Society 24th Annual Meeting, PHO 2011 - 2011. - С.751-752.

106. Ahmad F.R. Passively mode-locked high-power (210 mW) semiconductor lasers at 1.55-^m wavelength / Ahmad F.R., Rana F. // IEEE Photonics Technology Letters - 2008. - Т. 20 - № 3 - С. 190-192.

107. Deryagin A.G. Generation of high repetition frequency subpicosecond pulses at 1.535 ^m by passive mode-locking of InGaAsP/InP laser diode with saturable absorber regions created by ion implantation / Deryagin A.G., Kuksenkov D. V., Kuchinskii V.I., Portnoi E.L., Khrushchev I.Y., Frahm J. // Proceedings of IEEE 14th International Semiconductor Laser Conference. IEEE - 1991. - С.107-108.

108. Green R.P. Fast saturable absorption and 10 GHz wavelength conversion in Al-quaternary multiple quantum wells. / Green R.P., Haji M., Hou L., Mezosi G., Dylewicz R., Kelly A.E. // Optics express - 2011. - Т. 19 - № 10 - С.9737-43.

109. Nikolaev V. V. Quantum-Well Design for Monolithic Optical Devices with Gain and Saturable Absorber Sections / Nikolaev V. V., Avrutin E.A. // IEEE Photonics Technology Letters - 2004. - Т. 16 - № 1 - С.24-26.

110. Буяло М.С. Влияние эффекта Штарка на увеличение мощности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами в режиме модуляции добротности / Буяло М.С., Гаджиев И.М., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Ильинская Н.Д., Губенко А.Е., Егоров А.Ю., Портной Е.Л. // Письма в Журнал Технической Физики - 2015. - Т. 41 - № 20 - С.30-36.

111. Buyalo M.S. Passive modelocking due to diagonal optical transition in asymmetric double quantum well / Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Gorbacevich A.A.,

Egorov A.Y., Bakshaev I.O., Zadiranov Y.M., Il'inskaya N.D., Portnoi E.L. // Electronics Letters - 2012. - Т. 48 - № 14 - С.870.

112. Hou L. Monolithic 45-GHz mode-locked surface-etched DBR laser using quantum-well intermixing technology / Hou L., Haji M., Dylewicz R., Qiu B., Bryce A.C. // IEEE Photonics Technology Letters - 2010. - Т. 22 - № 14 - С. 1039-1041.

113. Hou L. Subpicosecond pulse generation at quasi-40-GHz using a passively mode-locked AlGaInAs-InP 1.55-^m strained quantum-well laser / Hou L., Stolarz P., Javaloyes J., Green R.P., Ironside C.N., Sorel M., Bryce A.C. // IEEE Photonics Technology Letters - 2009. - Т. 21 - № 23 - С. 1731-1733.

114. Hou L. Mode locking at terahertz frequencies using a distributed Bragg reflector laser with a sampled grating. / Hou L., Haji M., Marsh J.H. // Optics letters -2013. - Т. 38 - № 7 - С.1113-1115.

115. Wilsem C.Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers: Design, Fabrication, Characterization, and Applications / C. Wilsem, H. Temkin, L. Coldren - , 2001.- 474c.

116. Cheng J.Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers: Technology and Applications / J. Cheng, N. K. Dutta - Gordon and Breach Scienca Publishers, 2000.

117. Ustinov V.M.Quantum dot lasers / V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Y. Egorov, N. A. Maleev - Oxford University Press, 2003.

118. Ustinov V.M. Quantum dot VCSELs / Ustinov V.M., Maleev N.A., Kovsh A.R., Zhukov A.E. // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science -2005. - Т. 202 - № 3 - С.396-402.

119. Лешко А.Ю. Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур (X = 1.3-1.6мкм) / Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Голикова Е.Г., Рябошан Ю.А., Тарасов И.С. // Физика и техника полупроводников - 2002. - Т. 36 - № 11 - С.1393-1399.

120. Kondow M. GaInNAs: A novel material for long-wavelength-range laser diodes with excellent high-temperature performance / Kondow M., Uomi K., Niwa A., Kitatani T., Watahiki S., Yazawa Y. // Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers - 1996. - Т. 35 - № 2 SUPPL. B -

С.1273-1275.

121. Hetterich M. Electronic states and band alignment in GalnNAs/GaAs quantum-well structures with low nitrogen content / Hetterich M., Dawson M.D., Egorov A.Y., Bernklau D., Riechert H. // Applied Physics Letters - 2000. - Т. 76 - № 8

- С.1030-1032.

122. Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : дис. док. физ.-мат. наук / Егоров А.Ю. - СПб., 2011.

123. Harris J.S. Tunable long-wavelength vertical-cavity lasers: The engine of next generation optical networks? / Harris J.S. // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics - 2000. - Т. 6 - № 6 - С. 1145-1160.

124. Spruytte S.G. Nitrogen incorporation in group III-nitride-arsenide materials grown by elemental source molecular beam epitaxy , 2001. - 506-515с.

125. Jin C. Nitrogen incorporation kinetics in metalorganic molecular beam epitaxy of GaAsN / Jin C., Qiu Y., Nikishin S.A., Temkin H. // Applied Physics Letters

- 1999. - Т. 74 - № 23 - С.3516-3518.

126. Harmand J.C. Comparison of nitrogen incorporation in molecular-beam epitaxy of GaAsN, GaInAsN, and GaAsSbN / Harmand J.C., Ungaro G., Largeau L., Roux G. Le // Applied Physics Letters - 2000. - Т. 77 - № 16 - С.2482-2484.

127. Liau Z.L. Wafer fusion: A novel technique for optoelectronic device fabrication and monolithic integration / Liau Z.L., Mull D.E. // Applied Physics Letters

- 1990. - Т. 56 - № 8 - С.737-739.

128. Black A. Wafer fusion: Materials issues and device results / Black A., Hawkins A.R., Margalit N.M., Babic D.I., Holmes A.L., Chang Y.L., Abraham P., Bowers J.E., Hu E.L. // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics -1997. - Т. 3 - № 3 - С.943-951.

129. Babic D.I. Room-temperature continuous-wave operation of 1.54 um vertical-cavity lasers / Babic D.I., Streubel K., Mirin R.P., Margalit N.M., Bowers J.E., Hu E.L., Mars D.E., Yang L., Carey K. // IEEE Photonics Technology Letters - 1995. -Т. 7 - № 11 - С.1225-1227.

130. Caliman A. 8 mW fundamental mode output of wafer-fused VCSELs emitting in the 1550-nm band / Caliman A., Mereuta A., Suruceanu G., Iakovlev V., Sirbu A., Kapon E. // Optics Express - 2011. - Т. 19 - № 18 - С.16996.

131. Ortsiefer M. Long-wavelength VCSELs with buried tunnel junction / Ortsiefer M., Hofmann W., Rosskopf J., Amann M.C. // Springer Series in Optical Sciences - 2013. - Т. 166 - С.321-351.

132. Spiga S. Single-Mode High-Speed 1.5-^m VCSELs / Spiga S., Soenen W., Andrejew A., Schoke D.M., Yin X., Bauwelinck J., Boehm G., Amann M.C. // Journal of Lightwave Technology - 2017. - Т. 35 - № 4 - С.727-733.

133. Spiga S. Enhancing the small-signal bandwidth of single-mode 1.5-^m VCSELs / Spiga S., Schoke D., Andrejew A., Boehm G., Amann M.C. // 5th IEEE Photonics Society Optical Interconnects Conference, OI 2016 - 2016. - С.14-15.

134. Babichev A.V. Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm / Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. // Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 24 - № 3.

135. Novikov I.I. The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy / Novikov I.I., Babichev A. V, Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Nevedomsky V.N., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M. // Materials Physics and Mechanics - 2016. - Т. 29 - № 1 - С.76-81.

136. Novikov I.I. On the gain properties of "thin" elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm / Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Babichev A. V., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Zadiranov Y.M., Usikova A. A., Shernyakov Y.M., Savelyev A. V., Nyapshaev I. A., Egorov A.Y. // Semiconductors - 2016. - Т. 50 - № 10 - С.1412-1415.

137. Новиков И.И. Усилительные свойства "тонких" упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм / Новиков И.И., Карачинский Л.Я.,

Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А. А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшев И.А., Егоров А.Ю. // Физика И Техника Полупроводников - 2016. - Т. 50 - № 10 - С.1429-1433.

138. Baranov A.Semiconductor lasers Fundamentals and applications / A. Baranov, E. Tournie - Cambridge: Woodhead Publishing Limited, 2013.- 149-208c.

139. Yu E.T. Band Offsets in Semiconductor Heterojunctions / Yu E.T., McCaldin J.O., McGill T.C. // Solid State Physics - Advances in Research and Applications - 1992. - Т. 46 - № C - С.1-146.

140. Asada M. Analysis of Current Injection Efficiency of Separate -Confinement-Hetero structure Quantum-Film Lasers / Asada M., Miyake Y. // IEEE Journal of Quantum Electronics - 1992. - Т. 28 - № 1 - С.68-74.

141. Loehr J.P. Theoretical studies of the effect of strain on the performance of strained quantum well lasers based on GaAs and InP technology / Loehr J.P., Singh J. // IEEE Journal of Quantum Electronics - 1991. - Т. 27 - С.708.

142. Cho A.Y. Film Deposition by Molecular-Beam Techniques / Cho A.Y. // Journal of Vacuum Science and Technology - 1971. - Т. 8 - № 5 - CS31-S38.

143. Davies G.J. Arsenic stabilization of InP substrates for growth of GaxIn1-xAs layers by molecular beam epitaxy / Davies G.J., Heckingbottom R., Ohno H., Wood C.E.C., Calawa A.R. // Applied Physics Letters - 1980. - Т. 37 - № 3 - С.290-292.

144. Chuang S.L. Efficient band-structure calculations of strained quantum wells / Chuang S.L. // Physical Review B - 1991. - Т. 43 - № 12 - С.9649-9661.

145. Luttinger J.M. Motion of Electrons and Holes in Perturbed Periodic Fields / Luttinger J.M., Kohn W. // Physical Review - 1955. - Т. 97 - № 4 - С.869-883.

146. Irikawa M. Sharp interfaces in GaInAsP/InP single quantum wells grown by MOVPE / Irikawa M., Murgatroyd I.J., Ijichi T., Matsumoto N., Nakai A., Kashiwa S. // Journal of Crystal Growth - 1988. - Т. 93 - № 1-4 - С.370-375.

147. Adams A.R. Band-structure engineering for low-threshold high-efficiency semiconductor lasers / Adams A.R. // Electronics Letters - 1986. - Т. 22 - № 5 -С.249.

148. Houng M. Electronic structures of In1-xGaxAs/InP strained layer quantum wells / Houng M., Chang V. // J. Appl. Phys. - 1989. - № 65 - С.3096.

149. Institute Ioffe New Semiconductor Materials. Biology systems. Characteristics and Properties [Электронный ресурс]. URL: http://www.matprop.ru/semicond (accessed: 08.03.2018).

150. Zhukov A.E. Control of the emission wavelength of self-organized InGaAs quantum dots: Main achievements and present status / Zhukov A.E., Ustinov V.M., Kovsh A.R., Egorov A.Y., Maleev N.A., Ledentsov N.N., Tsatsul'nikov A.F., Maximov M. V., Musikhin Y.G., Bert N.A., Kop'ev P.S., Bimberg D., Alferov Z.I. // Semiconductor Science and Technology - 1999. - Т. 14 - № 6 - С.575-581.

151. Жуков А.Е.Современные инжекционные лазеры / А. Е. Жуков - Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2009.- 276c.

152. Малеев Н.А. Сравнительный анализ длинноволновых (1.3 мкм) вертикально-излучающих лазеров на подложках арсенида галлия / Малеев Н.А., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Васильев А.П., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Алфёров Ж.И. // Физика и техника полупроводников - 2001. - Т. 35 - № 7 -С.881-888.

153. Panish M.B.Heterostructure Lasers: Fundamental Principles / M. B. Panish, H. C. Casey - Cambridge, Massachusetts, US: Academic press, 1978.

154. Ilroy P.W.A.M. Analysis and to the De ication of Theoretical Gain Curves / Ilroy P.W.A.M., Kurobe A., Uematsu Y. // Quantum Electronics, IEEE Journal of -1985. - Т. QE-21 - № 12 - С.1958-1963.

155. Krishnamurthy S. Temperature- and wavelength-dependent two-photon and free-carrier absorption in GaAs, InP, GaInAs, and InAsP / Krishnamurthy S., Yu Z.G., Gonzalez L.P., Guha S. // Journal of Applied Physics - 2011. - Т. 109 - № 3.

156. Pikhtin N.A. Analysis of Threshold Current Density and Optical Gain in InGaAsP Quantum Well Lasers / Pikhtin N.A., Sliptchenko S.O., Sokolova Z.N., Tarasov I.S. // Semiconductors - 2002. - Т. 36 - № 3 - С.344353.

157. Nelson R.J. Semiconductors and semimetals, Chapter 1 Review of InGaAsP/InP Laser Structures and Comparison of their Performance / R. J. Nelson, N.

K. Dutta - 1985.- 1-59c.

158. Buyalo M.S. Mode-Locked Lasers with "Thin" Quantum Wells in 1.55 ^m Spectral Range / Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Il'inskaya N.D., Usikova A.A., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Egorov A.Y., Portnoi E.L. // Technical Physics Letters - 2018. - Т. 44 - № 2 - С.174-177.

159. Kolodeznyi E.S. 1550 nm Mode-Locked Semiconductor Lasers for All-Optical Analog-To-Digital Conversion / Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A. V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Egorov A.Y., Bougrov V.E. // AIP Conference Proceedings - 2017. - Т. 1874 - С.040019.

160. Polukhin I.S. Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures / Polukhin I.S., Mikhailovskiy G.A., Rybalko D.A., Solov'Ev Y.V., Petukhov E.P., Odnoblyudov M.A., Kolodeznyi E.S., Mikhailov A.K., Bougrov V.E., Lipsanen H. // Materials Physics and Mechanics - 2016. - Т. 29 - № 1 - С.71-75.

161. Kolodeznyi E.S. Phosphorus-free mode-locked semiconductor laser with emission wavelength 1550 nm / Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Ilynskaya N.D., Bougrov V.E., Egorov A.Y. // Journal of Physics: Conference Series - 2017. - Т. 917 - № 5 - С.1-6.

162. Буяло М.С. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 цт на основе "тонких" квантовых ям / Буяло М.С., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю., Портной Е.Л. // Письма в Журнал Технической Физики - 2018. - т. 44 - № 4 - С.95-102.

163. Колодезный Е.С. Полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1520 - 1580 нм для радиофотоники и телекоммуникаций / Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Егоров А.Ю., Михайлов А.К., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Буяло М.С., Бугров В.Е. // Сборник статей V Всероссийской научно-технической конференции

«Электроника и Микроэлектроника СВЧ» - 2016. - Т. 2 - С.302-306.

164. Колодезный Е.С. Полупроводниковый лазер с пассивной синхронизацией мод, излучающий на длине волны 1550 нм, для оптического аналого-цифрового преобразователя / Колодезный Е.С., Новиков И.И., Бабичев А.В., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Усикова А.А., Бугров В.Е., Егоров А.Ю. // Научно-технический журнал "Фотон-Экспресс" - 2017. - Т. 142 - № 6 - С.213-214.

165. Губенко А.Е. Пикосекундные инжекционные лазеры с пассивной модуляцией добротности и синхронизацией мод : дис. канд. физ-мат. наук / Губенко А.Е. - СПб., 2005.

166. Jiang L.A. Measuring timing jitter with optical cross correlations / Jiang L.A., Wong S.T., Grein M.E., Ippen E.P., Haus H.A. // IEEE Journal of Quantum Electronics - 2002. - Т. 38 - № 8 - С.1047-1052.

167. Eliyahu D. Effect of noise on the power spectrum of passively mode-locked lasers / Eliyahu D., Salvatore R.A., Yariv A. // Journal of the Optical Society of America B-Optical Physics - 1997. - Т. 14 - № 1 - С.167-174.

168. Липницкая С.Н. Исследование эффективности оптических систем светодиодных модулей и передачи лазерного излучения в оптоволокно : дис. канд. тех. наук / Липницкая С.Н. - СПб., 2017.

169. Колодезный Е.С. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs / InGaAs / InP / Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И. // Физика и техника полупроводников - 2018. - Т. 52 - № 9 -С.1034-1037.

170. Колодезный Е.С. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе / Колодезный Е.С., Рочас С.С., Курочкин А.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Блохин С.А., Воропаев К.О., Ионов А.С., Егоров А.Ю. // Оптика и спектроскопия

- 2018. - Т. 125 - № 2 - С.229-233.

171. Spiga S. Single-mode 1.5-um VCSELs with small-signal bandwidth beyond 20 GHz / Spiga S., Andrejew A., Boehm G., Amann M.-C. // 2016 18th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON) - 2016. - С.1-4.

172. Vahala K.J. Effect of doping on the optical gain and the spontaneous noise enhancement factor in quantum well amplifiers and lasers studied by simple analytical expressions / Vahala K.J., Zah C.E. // Applied Physics Letters - 1988. - Т. 52 - № 23 -С.1945-1947.

173. Uomi K. Modulation-Doped Multi-Quantum Well (MD-MQW) Lasers. II. Experiment / Uomi K., Mishima T., Chinone N. // Japanese Journal of Applied Physics

- 1990. - Т. 29 - № 1 - С.88-94.

174. Uomi K. Modulation-Doped Multi-Quantum Well (MD-MQW) Lasers. I. Theory / Uomi K. // Japanese Journal of Applied Physics - 1990. - Т. 29 - № 1 - С.81-87.

175. Галиев Г.Б. Влияние температуры роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа в PHEMT-структурах / Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Мокеров В.Г., Черечукин А.А. // Физика и техника полупроводников - 2006. - Т. 40 - № 12 - С. 1479-1483.

176. Poguntke K.R. Analysis of radiative efficiency of long wavelength semiconductor lasers / Poguntke K.R., Adams A.R. // Electronics Letters - 1992. - Т. 28 - № 1 - С.41-42.

177. Mukai K. 1.3-ym CW lasing characteristics of self-assembled InGaAs-GaAs quantum dots / Mukai K., Nakata Y., Otsubo K., Sugawara M., Yokoyama N., Ishikawa H. // IEEE Journal of Quantum Electronics - 2000. - Т. 36 - № 4 - С.472-478.

178. Гельмонт Б.Л. Температурная зависимость пороговой плотности тока инжекционного гетеролазера / Гельмонт Б.Л., Зегря Г.Г. // Физика и техника полупроводников - 1991. - Т. 25 - № 1 - С.2019-2024.

179. Dyakonov M.I. Nonthreshold Auger recombination in quantum wells / Dyakonov M.I., Kachorovskii V.Y. // Physical Review B - 1994. - Т. 49 - № 24 -С.17130-17138.

180. Babichev A. V. 6-mW Single-Mode High-Speed 1550-nm Wafer-Fused VCSELs for DWDM Application / Babichev A. V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Blokhin S.A., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. // IEEE Journal of Quantum Electronics - 2017. - T. 53 - № 6.