Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для многоэлементных лазерных излучателей ближнего ИК-диапазона тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.03, доктор наук Ладугин Максим Анатольевич

• Ладугин Максим Анатольевич
• доктор наук
• 2020

Оглавление диссертации доктор наук Ладугин Максим Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1 Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для мощных многоэлементных лазерных излучателей ближнего ИК-диапазона. Разработка и реализация подходов

1.1 Повышение мощности и КПД. Влияние температуры

и тепловые источники

1.2 Транспорт носителей заряда в лазерных гетероструктурах. Эффективность инжекции в активную область

1.3 Пороговый ток и его составляющие, рекомбинация носителей

1.4 Характеристическая температура и способы ее повышения

1.5 Напряжение отсечки и электрическое сопротивление. Профильное легирование

Глава 2 Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для мощных многоэлементных лазерных излучателей - линеек лазерных диодов

2.1 Гетероструктуры AlGaAs/AlGaAs, ОаАвР/АЮаАБ и InAlGaAs/AlGaAs для квазинепрерывных линеек лазерных

диодов спектрального диапазона 800-810 нм

2.2 Гетероструктуры InGaAsP/GaInP для непрерывных

линеек лазерных диодов спектрального диапазона 770-860 нм

2.3 Гетероструктуры InGaAs/GaAs и InGaAs/AlGaAs для квазинепрерывных линеек лазерных диодов

спектрального диапазона 910-970 нм

Глава 3 Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для мощных многоэлементных лазерных излучателей - решеток лазерных диодов

3.1 Гетероструктуры AlGaAs/AlGaAs и GaAsP/AlGaAs для квазинепрерывных решеток лазерных диодов

спектрального диапазона 800-810 нм

3.2 Гетероструктуры GaAs/AlGaAs для импульсных

решеток лазерных диодов спектрального диапазона 850-880 нм

2

3.3 Гетероструктуры GaAs/AlGaAs для квазинепрерывных решеток лазерных диодов спектрального диапазона 850-880 нм

3.4 Гетероструктуры InGaAs/GaAs и InGaAs/AlGaAs для квазинепрерывных решеток лазерных диодов

спектрального диапазона 910-970 нм

Глава 4 Полупроводниковые эпитаксиально-интегрированные

гетероструктуры А3В5 для мощных многоэлементных лазерных

излучателей - лазерных диодов с несколькими излучающими областями

4.1 Вертикальная интеграция эпитаксиальных гетероструктур

4.2 Конструкция и принцип работы лазерных излучателей

на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур

4.3 Разработка лазерной гетероструктуры

и туннельного перехода

4.4 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/GaAs

для лазерных диодов спектрального диапазона 890-920 нм

4.5 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры AlGaAs/GaAs

для лазерных диодов спектрального диапазона 790-810 нм

4.6 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры

для многоволновых лазерных диодов

4.7 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs для лазерных диодов спектрального

диапазона 940-960 нм

4.8 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/GaAs для лазерных диодов спектрального

диапазона 1000-1100 нм

4.9 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlInAs/InP для лазерных диодов спектрального

диапазона 1500-1600 нм

4.10 Функциональная интеграция. Эпитаксиальные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs для лазер-тиристоров

Глава 5 Полупроводниковые эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры А3В5 для мощных многоэлементных лазерных излучателей - линеек и решеток лазерных

диодов с несколькими излучающими областями

5.1 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры AlGaAs/GaAs для квазинепрерывных линеек лазерных

диодов спектрального диапазона 800-810 нм

5.2 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры AlGaAs/GaAs для импульсных решеток лазерных диодов спектрального диапазона 850-870 нм

5.3 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/GaAs для импульсных решеток лазерных диодов спектральных диапазонов 890-920 нм, 930-980 нм

и 1000-1100 нм

5.4 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs для квазинепрерывных линеек лазерных

диодов спектрального диапазона 940-960 нм

5.5 Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlInAs/InP для импульсных линеек и решеток

лазерных диодов спектрального диапазона 1500-1600 нм

ЗАКЛЮЧЕНИЕ (ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ)

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ СОКРАЩЕНИЙ

КЯ - квантовая яма

МКЯ - множественная квантовая яма

АО - активная область

ГС - гетероструктура

ОГС - одиночная гетероструктура

ДГС - двойная гетероструктура

ЭС - эпитаксиальный слой

МОС-гидридная эпитаксия - газофазная эпитаксия с использованием гидридных и металлорганических соединений

МЛЭ / МПЭ - молекулярно-лучевая эпитаксия / молекулярно-пучковая эпитаксия

ЖФЭ - жидкофазная эпитаксия

ГФЭ - газофазная эпитаксия

ВЗ - валентная зона

ЗП - зона проводимости

ЛД - лазерный диод

ЛЛД - линейка лазерных диодов

РЛД - решетка лазерных диодов

ВАХ - вольт-амперная характеристика

ВтАХ - ватт-амперная характеристика

КПД - коэффициент полезного действия

КОДЗ - катастрофическая оптическая деградация зеркал

ТП - туннельный переход

ТД - туннельный диод

Д-ВИМС - динамическая вторично-ионная микроскопия

- ширина спектра на полувысоте, полуширина СЭМ - сканирующий электронный микроскоп

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для многоэлементных лазерных излучателей ближнего ИК-диапазона»

ВВЕДЕНИЕ

Для дальнейшего устойчивого развития науки, техники и народного хозяйства требуется непрерывное улучшение параметров современных приборов квантовой электроники, одним из главных представителей которой является полупроводниковый лазерный излучатель. При его использовании в оптической накачке различных активных сред твердотельных лазеров, в дальнометрии и системах связи, в автомобиле- и судостроении, в информационных технологиях, медицине и других отраслях промышленности основными приборными параметрами являются выходная оптическая мощность и КПД [1].

Типичная выходная мощность оптического излучения традиционного полупроводникового лазерного диода (ЛД) составляет около 10-15 Вт и, как правило, ограничивается тепловым разогревом активной области или достижением предельно возможной плотности оптического излучения на передней грани резонатора вследствие её разрушения. Еще больше повысить мощность излучения, получаемую с одного ЛД, можно, например, увеличением ширины полоскового контакта (пятна излучения в горизонтальной плоскости) [2], расширением волновода (пятна излучения в вертикальной плоскости) [3], а также путем эпитаксиальной интеграции [4], позволяющей в рамках одиночного кристалла увеличить мощность кратно излучающим областям. Каждый из способов имеет свои преимущества и недостатки, но, тем не менее, они не позволяют увеличить мощность на порядок, поэтому дальнейшее повышение мощности оптического излучения достигается путем суммирования мощностей отдельных излучающих каналов посредством создания многоэлементных излучателей - линеек лазерных диодов (ЛЛД) или решеток лазерных диодов (РЛД). Стоит подчеркнуть, что при суммировании мощности важно создавать приборы не просто с высокой выходной мощностью, а с высокой плотностью выходной мощности - сверхмощные и одновременно компактные лазерные излучатели. Например, на момент начала проведения данных исследований типичная плотность выходной оптической

мощности коммерчески доступных РЛД непрерывного и квазинепрерывного режимов накачки составляла величину на уровне 500-800 Вт/см2, а в импульсном режиме - 600-1000 Вт/мм2 [1, 5-7]. При этом КПД таких излучателей составлял в среднем 50-55%, что обычно ограничивало предельную оптическую мощность из-за теплового разогрева активных областей вследствие плотного расположения лазерных каналов.

Существенное увеличение вышеуказанных значений можно достигнуть только путем тщательной оптимизации конструкции и технологии изготовления многоэлементных излучателей. Одновременное получение высокого КПД и плотности выходной оптической мощности лазеров можно реализовать посредством разработки и создания более эффективных конструкций полупроводниковых гетероструктур (ГС) А3В5, лежащих в их основе. Так как при повышении КПД более 55-60% каждый дополнительный процент прироста дается с большим трудом, требуется приложение существенных усилий в части совершенствования конструкции и технологии лазерных ГС. Поэтому такие первостепенные параметры излучателя как пороговая плотность тока, последовательное электрическое сопротивление, напряжение отсечки, внутренние оптические потери и внешняя дифференциальная эффективность, а также их температурные зависимости нуждаются в тщательном анализе. Требуется установление ключевых закономерностей, связывающих параметры эпитаксиальных ГС и выходные характеристики различных типов многоэлементных лазерных излучателей, предназначенных для работы в заданном спектральном диапазоне.

Настоящая работа посвящена развитию существующих подходов и поиску новых конструктивно-технологических решений по созданию эпитаксиальных ГС (в том числе вертикально-интегрированных) в системе материалов А3В5 для малогабаритных многоэлементных лазерных излучателей ближнего ИК диапазона повышенной мощности, работающих в импульсном, квазинепрерывном и непрерывном режиме инжекционной накачки.

Хотя за последние десятилетия и достигнут заметный прогресс в разработке эпитаксиальных ГС для мощных лазерных излучателей, однако, всё еще существует целый ряд нерешенных проблем. К ним, по-прежнему, относятся поиск наиболее оптимальной конструкции (материал, толщина, глубина и количество квантовых ям (КЯ), наличие и величина упругих напряжений) и технологии получения наноразмерной активной области в условиях выбранного метода эпитаксии, а также всех окружающих ее барьерных и волноведущих слоев с требуемыми профилями и видом легирующих атомов для обеспечения эффективной инжекции носителей заряда. Важным вопросом является комплексный выбор лазерной ГС, позволяющей получить высокие скорости захвата электронов и дырок в КЯ, повысить их пространственную локализацию и обеспечить низкие внутренние оптические потери, напряжение отсечки и последовательное сопротивление. Данный выбор осложняется тем известным фактом, что лишь несколько полупроводниковых материалов являются прямозонными, обладают высокими подвижностями носителей заряда и коэффициентами излучательной рекомбинации, малыми эффективными массами носителей заряда и низким тепловым сопротивлением - обязательно необходимыми параметрами для достижения сверхвысоких значений плотности оптической мощности и КПД.

Таким образом, актуальность работы, состоящая во всестороннем исследовании и изучении вопросов создания эффективных ГС А3В5 для высокомощных многоэлементных лазерных излучателей, является очевидной.

Цель и основные задачи работы

Основная цель диссертационной работы заключалась в проведении комплекса исследований, направленных на разработку и получение методом МОС-гидридной эпитаксии наиболее эффективных конструкций полупроводниковых ГС А3В5 для высокомощных лазерных излучателей ближнего ИК диапазона (от 750 до 1600 нм), изготовлении многоэлементных излучателей с высоким коэффициентом полезного

действия, работающих в импульсном, квазинепрерывном и непрерывном режиме генерации, а также изучении их выходных характеристик.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Исследовать влияние конструкции и технологии изготовления наноразмерной активной области полупроводниковых ГС А3В5 на пороговую плотность тока и дифференциальную квантовую эффективность лазерных излучателей ближнего ИК-диапазона.

2. Изучить существующие и предложить новые способы одновременного достижения малых значений внутренних оптических потерь и последовательного электрического сопротивления с сохранением высокой дифференциальной квантовой эффективности лазерных излучателей.

3. Проанализировать конструкции полупроводниковых ГС А3В5, различающихся по своим оптическим, электрофизическим и тепловым свойствам, и предложить наиболее оптимальные варианты для создания многоэлементных лазерных излучателей, работающих в широком интервале температур.

4. Определить необходимые условия для одновременного достижения высокой внутренней квантовой эффективности, низких внутренних оптических потерь, напряжения отсечки и последовательного сопротивления с целью увеличения КПД многоэлементных излучателей - линеек и решеток лазерных диодов - выше 60 %.

5. Разработать и реализовать на базе предложенных ГС многоэлементные излучатели квазинепрерывного и непрерывного режима работы в востребованных наукой и промышленностью спектральных диапазонах: 750-790 нм, 800-820 нм и 930-960 нм.

6. Разработать, создать и исследовать лазеры с несколькими излучающими областями на основе эпитаксиально-интегрированных ГС А3В5, работающих в спектральном диапазоне от 800 до 1600 нм, в том числе обеспечивающих различное функциональное назначение.

7. Разработать и реализовать новый класс компактных импульсных решеток лазерных диодов с высокой плотностью оптической мощности (яркости) на основе

модернизированных конструкций эпитаксиальных ГС, излучающих в спектральном диапазоне от 850 до 1600 нм.

Научная новизна работы

1. На основе представленной оценки внутренних оптических потерь, учитывающей распределения интенсивности электромагнитного поля и носителей заряда в лазерной ГС при увеличении тока накачки, развит подход по применению профильного легирования эмиттерных и волноводных слоев различных конструкций ГС А3В5 спектрального диапазона 800-1550 нм с целью снижения последовательного электрического сопротивления, повышения дифференциальной квантовой эффективности и КПД.

2. Установлено, что для обеспечения низкого порога лазерной генерации и высокой квантовой эффективности необходимо предотвратить заселение высших уровней размерного квантования, приводящее впоследствии к выбросу носителей заряда из КЯ. Предложены конструкции КЯ (ширина и глубина) для широкого ряда ГС, излучающих в ближнем ИК-диапазоне, реализация которых позволила создать многоэлементные лазерные излучатели с улучшенной температурной стабильностью. Для большего эффекта необходимо применять легирование барьерных слоев примесями р- и п-типа проводимости с каждой из сторон от активной области.

3. Показано, что применение напряженных КЯ на основе GaAsP и InGaAlAs в качестве активного слоя лазерных ГС, излучающих на длинах волн 790-850 нм, более предпочтительно по отношению к ненапряженной КЯ (Al)GaAs. При этом установлено, что оптимальное значение напряжения сжатия (в случае КЯ InGaAlAs) и растяжения (в случае КЯ GaAsP) находится в диапазоне 0.4-0.6 %. Реализация этого подхода позволила создать многоэлементные лазерные излучатели спектрального диапазона 800-850 нм с высокой предельной оптической мощностью - до 600 Вт с длины тела свечения 1 см (ЛЛД) и до 13 кВт с площади тела свечения 1 см2 (РЛД).

4. Продемонстрировано, что для создания высокомощных многоэлементных лазерных излучателей необходимо увеличивать их КПД не только за счет снижения внутренних оптических потерь и повышения дифференциальной эффективности, но и посредством минимизации напряжения отсечки и последовательного электрического сопротивления. Результатом этого явилось создание полупроводниковых ГС для мощных квазинепрерывных линеек лазерных диодов с КПД до 70% и решеток лазерных диодов с КПД до 62%.

5. Предложены способы по минимизации токовой утечки, заключающиеся в использовании асимметричных конструкций ГС и дополнительных широкозонных упруго-напряженных барьерных слоев на границе волновода и эмиттера, позволившие улучшить выходные характеристики лазеров спектрального диапазона 1520-1580 нм.

6. Представлены результаты разработки конструкции и технологии получения КЯ на основе (In)GaAsP/(Al)InGaP/GaAs, учитывающие влияние режимов их выращивания на люминесцентные свойства, позволившие создать полупроводниковые ГС для мощных многоэлементных лазерных линеек спектрального диапазона 770-790 нм непрерывного режима работы с полным КПД до 60%.

7. Продемонстрирована работа мощных лазерных излучателей, изготовленных на основе двойных эпитаксиально-интегрированных ГС InGaAs/AlGaAs/GaAs, в непрерывном режиме накачки. Представлены результаты исследования зависимости температуры активных излучающих областей интегрированного лазерного диода спектрального диапазона 1040-1080 нм от величины тока накачки, длительности и частоты импульса.

8. Развит подход по монолитной интеграции ГС InGaAs/AlGaAs/GaAs различного функционального назначения - лазера и тиристора. Создан новый класс излучателей с улучшенными мощностными и спектральными характеристиками. Продемонстрирована генерация лазерных импульсов (100 нс, 10 кГц) с рекордной мощностью 50 и 90 Вт для одиночного и двойного лазера-тиристора.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Минимизация плотности тока прозрачности лазерной ГС на основе AlGaAs возможна при выборе толщины КЯ из узкого диапазона (5-7 нм), в котором положение первого возбужденного уровня размерного квантования в КЯ (Al)GaAs должно находиться на уровне с потенциальным барьером, а отношение двумерной концентрации электронов на основном нижнем уровне размерного квантования к общей концентрации электронов в КЯ должно стремиться к максимальному значению.

2. Одновременное снижение внутренних оптических потерь и последовательного электрического сопротивления лазерных ГС (In,Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и InGaAs/AlIn(Ga)As/InP при повышенных токах накачки осуществляется благодаря профильному легированию эмиттерных и волноводных слоев (с 31016 до 5-1018 см-3).

3. Заметное снижение параметра То, характеризующего температурную зависимость порогового тока, при повышении рабочей температуры ЛД обусловлено повышением уровня Ферми в КЯ и его приближением к уровню потенциального барьера, окружающего КЯ. При этом То зависит не только от общей глубины КЯ относительно барьерных волноводных слоев, но и от энергетической высоты эмиттерных слоев.

4. Повышение характеристического параметра То реализуется в лазерных излучателях, изготовленных на основе ГС с узким волноводом (0.2-0.4 мкм) по сравнению с ГС с широким волноводом (1.5-3.0 мкм). Это обусловлено снижением скорости захвата носителей заряда в КЯ при расширении волновода и, как результат, большему их накоплению в волноводных слоях, что, в свою очередь, приводит к увеличению отдельных составляющих порогового тока, ответственных за вертикальную утечку носителей заряда из активной области и возрастанию внутренних оптических потерь. При этом снижение фактора оптического ограничения активной области приводит не только к соответствующему подъему уровня Ферми, увеличивая тем самым пороговый ток, но и при той же конструкции КЯ приближает уровень Ферми к барьеру, что фактически уменьшает эффективное

энергетическое расстояние, определяющее То, и увеличивает в дальнейшем выброс носителей заряда при увеличении инжектируемого тока и/или температуры.

5. Создание многоэлементных лазерных излучателей с высокой плотностью выходной оптической мощности на уровне 7-12 кВт/см2 и выше, а также с коэффициентом полезного действия более 60% возможно не только за счет достижения низких значений порогового тока, внутренних оптических потерь, повышения дифференциальной эффективности, но и благодаря одновременному снижению напряжения отсечки и последовательного электрического сопротивления.

6. Кратное увеличение выходной мощности лазерных излучателей достигается благодаря использованию эпитаксиально-интегрированных ГС с несколькими излучающими областями. Изготовленные на основе указанных ГС (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs, (In)GaAs/AlGaAs/GaAs и (Al)GaInAs/AlInAs/InP лазерные излучатели продемонстрировали более высокую выходную оптическую мощность в спектральных диапазонах 800-1100 нм (до 150 Вт на токе 50 А) и 15001600 нм (до 30 Вт на токе 50 А), снимаемую с одного активного элемента (шириной контакта 100 мкм).

7. Реализация многоволновой лазерной генерации обеспечивается за счет использования эпитаксиально-интегрированных ГС (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и (In)GaAs/AlGaAs/GaAs с различающимися активными областями. Получена одновременная генерация на двух и более длинах волн в спектральных диапазонах 790-830 нм и 910-930 нм.

8. Использование эпитаксиально-интегрированных ГС GaAs/AlGaAs и InGaAs/AlGaAs позволяет создавать многоэлементные малогабаритные лазерные источники спектрального диапазона 840-890 нм и 900-1080 нм, соответственно, с плотностью выходной мощности импульсного излучения на уровне 1.5-2.0 кВт/мм2 при токе накачки 100 А.

Практическая значимость результатов работы

Наибольшее практическое значение имеют следующие результаты:

1. Предложен подход по выбору геометрии квантоворазмерной активной области в системе материалов (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs, в результате которого были достигнуты низкие значения плотности порогового тока (100-120 А/см2) и повышенная характеристическая температура (120-140 К) лазерных излучателей, работающих в спектральном диапазоне 800-850 нм.

2. Развит подход профильного легирования лазерных ГС (In)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaInAs/AlGaAInAs/InP, который позволил обеспечить низкие внутренние оптические потери и электрическое сопротивление, а также увеличить предельную выходную мощность в 1.2-1.4 раза.

3. Продемонстрирована высокая предельная выходная оптическая мощность (до 600 Вт с 1 см) линеек лазерных диодов, работающих на длине волны 808 нм, благодаря применению КЯ с напряжением е = 0.4-0.6 %.

4. Представлены результаты разработки конструкции и технологии получения квантоворазмерных структур на основе GaAsP/AlGaAs и GaAsP/GaInP, учитывающие влияние режимов их выращивания на люминесцентные свойства, позволившие снизить на 20% пороговый ток и увеличить на 10% дифференциальную эффективность лазерных излучателей, изготовленных на их основе.

5. Разработаны и исследованы полупроводниковые ГС с глубокими КЯ InGaAs/AlGaAs для многоэлементных лазерных решеток спектрального диапазона 920-960 нм с высокой плотностью выходной оптической мощности (2.3-3.0 кВт/см2). Показано, что благодаря предложенному подходу наклон ВтАХ увеличился с 0.90-0.95 Вт/А до 1.10-1.15 Вт/А.

6. Представлены результаты разработки и создания полупроводниковых ГС для мощных (более 110 Вт с длины тела свечения 1 см) многоэлементных лазерных линеек спектрального диапазона 770-790 нм непрерывного режима работы с повышенным КПД.

7. Созданы лазерные излучатели всего ближнего ИК спектрального диапазона на основе эпитаксиально-интегрированных конструкций ГС полупроводниковых соединений А3В5, которые позволили обеспечить выходную оптическую плотность мощности на уровне 20-50 кВт/мм2. Продемонстрированы возможности создания подобных устройств, работающих в непрерывном режиме.

8. Разработаны высокоэффективные решетки лазерных диодов спектрального диапазона 790-860 нм квазинепрерывного режим работы с высокой плотностью выходной оптической мощности (до 13 кВт/см2).

9. Разработаны высокомощные компактные лазерные излучатели (1.5-2.0 кВт), работающие в спектральном диапазоне 840-1060 нм, изготовленные на основе эпитаксиально-интегрированных ГС (In)GaAs/AlGaAs с несколькими излучающими областями.

10. Предложен и развит подход интеграции лазерного диода и тиристора, изготовленных в условиях единого эпитаксиального процесса на основе ГС InGaAs/AlGaAs/GaAs. Разработаны и реализованы излучатели, продемонстрировавшие генерацию лазерных импульсов (100 нс, 10 кГц) мощностью до 90 Вт для двойного лазера-тиристора.

Научная обоснованность и достоверность результатов

Достоверность научных результатов, полученных в настоящей диссертационной работе, подтверждается корректностью и адекватностью использованных аналитических и экспериментальных методов исследования с применением современного электронно-вычислительного, контрольно-измерительного и технологического оборудования. Использование надежных данных из авторитетных источников, всесторонний анализ научно-технической литературы, совпадение теоретических расчетов и неоднократно повторяемых/воспроизводимых экспериментальных результатов также свидетельствуют о научной достоверности проведенных исследований. Основные результаты работы опубликованы в ведущих отечественных и зарубежных

научных журналах и получили признание при обсуждении на представительных конференциях, симпозиумах и научных семинарах.

Личный вклад автора

В настоящем диссертационном исследовании личный вклад автора состоит в комплексном решении научной проблемы на всех стадиях выполнения работы, а именно в анализе и описании текущего состояния проблемы, постановке целей и задач исследования, предложении теоретических и эмпирических методов их решения, проведении численных расчетов и постановке эксперимента, анализе и интерпретации полученных результатов, а также в формулировании выводов и публикации научных работ. В диссертацию вошли только те результаты, в которых личный вклад автора являлся определяющим.

Апробация результатов работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих Всероссийских, международных и отраслевых конференциях, семинарах и симпозиумах: X, XI, XVI, XVII, XVIII, XXI, XXIII, XXIV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (Россия, Нижний Новгород 2006, 2007, 2012, 2013, 2014, 2017, 2019, 2020); ¡XX, XXI, XXIII, XXIV XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Россия, Москва 2006, 2010, 2014, 2016, 2018); Первый международный форум по нанотехнологиям «РОСНАНО» (Россия, Москва 2008); XII, XIII, XIV, XV, XVI, XVII, XVIII Европейский семинар по газофазной эпитаксии из металлорганических соединений «EW-MOVPE» (Словакия, Братислава 2007, Германия, Ульм 2009, Польша, Вроцлав 2011, Германия, Аахен 2013, Швеция, Лунд 2015, Франция, Гренобль 2017, Литва, Вильнюс 2019); VII Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нано технологии (Россия, Кисловодск 2007); VIII, XI, XII, XIII, XIV Российская конференция по физике полупроводников (Россия, Екатеринбург 2007, Санкт-Петербург, 2013, Ершово 2015, Екатеринбург 2017,

Новосибирск 2019); X, XI, XIII, XIV Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Россия, Ульяновск 2008, 2009, 2011, 2012); 3-я Международная конференция по физике электронных материалов «PHYEM» (Россия, Калуга 2008); XIII, XIV Национальная конференция по росту кристаллов «НКРК» (Россия, Москва 2008, 2010); 1-ый, 2-ой, 3-ий, 4-ый, 5-ый, 6-ой Российский симпозиум с международным участием «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» (Россия, Санкт-Петербург 2008, 2010, 2012, 2014, 2016, 2018) II, IV, V, VI, VII Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур (Россия, Москва - Звенигород, 2009, 2013, 2015, 2017, 2019); III Международная конференция по кристаллическим материалам «ICCM» (Украина, Харьков 2010); 14-я, 15-я, 16-я, 17-я, 18-я, 19-я Международная конференция по оптике лазеров ICLO (Россия, Санкт-Петербург 2010, 2012, 2014, 2016, 2018); 8-ой, 9-ый, 12-ый, 13-ый Российско-Белорусский семинар «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» (Беларусь, Минск 2011, 2013, 2017, 2019); 5-я, 6-я Международная конференция по моделированию лазерных и волоконно-оптических сетей «IEEE IC LFNM» (Украина, Харьков 2011, Украина, Судак 2013); III Международная конференция по современной оптоэлектронике и лазерам IEEE CAOL (Украина, Судак 2013); 17-я, 20-я Международная конференция по газофазной эпитаксии из металлорганических соединений «IC-MOVPE» (Швейцария, Лозанна 2014); XX Международная конференция по лазерам и электрооптике IEEE CLEO/Europe (Германия, Мюнхен, 2015).

Публикации

По результатам диссертационного исследования имеется 180 печатных научных работ, из которых 105 в рецензируемых журналах, в трудах российских и международных конференций, индексируемых базами данных Web of Science, Scopus, RSC и входящих в перечень ведущих периодических изданий, рекомендованных в действующем перечне ВАК. Список наиболее значимых научных публикаций приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, 5 глав, выводов и списка литературы. Работа содержит 327 страниц, включая 206 рисунков, 6 таблиц, список литературы из 295 наименований и приложения.

Глава 1 Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 для мощных многоэлементных лазерных излучателей ближнего ИК-диапазона. Разработка и реализация подходов

1.1 Повышение мощности и КПД. Влияние температуры и тепловые источники

Полупроводниковые лазерные излучатели ближнего инфракрасного (ИК) спектрального диапазона уже давно и широко используются во всех ключевых областях науки и техники [1, 8]. За счет улучшения основных параметров лазерных излучателей стало возможным их растущее применение в передовых научных исследованиях и промышленных направлениях таких как:

- накачка активных сред твердотельных лазеров, прямая технологическая обработка материалов, высокоразрешающая печать и сканирование, спектроскопия, медицина (750-860 нм);

- дальнометрия, локация и навигация, оптическая связь в свободном пространстве, системы управления движением транспорта, подсветка и безопасность, сканирование, медицина (880-920 нм);

- накачка активных сред волоконных и твердотельных лазеров, подсветка и безопасность, прямая технологическая обработка материалов (940-990 нм);

- оптическая связь в свободном пространстве, задающие генераторы, телекоммуникационные системы, медицина (1020-1100 нм);

- информационные и телекоммуникационные технологии, волоконно-оптические линии связи, системы сканирования и построения изображений, безопасные для глаз системы управления движением транспорта (1500-1600 нм).

Стоит подчеркнуть, что благодаря уникальным свойствам и характеристикам полупроводниковых лазеров количество их практических приложений продолжает и дальше увеличиваться. В этой связи очевидно, что разработка и создание новейших типов лазерных излучателей привлекает пристальное внимание многих исследователей, являясь актуальными задачами.

В большинстве указанных выше применений требуется использование энергоэффективных источников лазерного излучения с достаточно высокой выходной оптической мощностью. Повышение мощностных характеристик достигается различными способами, например, одним из наиболее популярных является увеличение пятна излучения в горизонтальной (увеличение ширины полоскового электрического контакта) и/или вертикальной (расширение светового волновода полупроводниковой структуры) плоскости. Следующим шагом повышения выходной оптической мощности излучателя становится суммирование мощностей отдельных лазерных диодов (ЛД) и создание многоэлементных массивов (рис. 1.1), как будет показано в последующих главах, в виде линеек лазерных диодов (ЛЛД) и решеток лазерных диодов (РЛД).

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Ладугин Максим Анатольевич, 2020 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1 Bachmann F., Loosen P., Poprawe R., High Power Diode Lasers: Technology and Applications (New York, Springer Series in Optical Sciences, V.128, 2007, P. 554).

2 Botez D., Scifres D.R., Diode laser arrays (Cambridge, Cambridge University Press, 1994, P. 448).

3 Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Внутренние оптические потери в полупроводниковых лазерах // Физика и техника полупроводников. - 2004. - Т.38. - №3. - С. 374-381.

4 Garcia J.Ch., Rosencher E., Collot Ph., Laurent N., Guyaux J.L., Vinter B., Nagle J. Epitaxially stacked lasers with Esaki junctions: a bipolar cascade laser // Applied Physics Letters. - 1997. - V.71. - P.3752-3754.

5 Coldren L.A., Corzine S.W., Masanovic M.L. Diode lasers and photonic integrated circuits. Second Edition (Hoboken: John Wiley & Sons, Inc., 2012, P. 709).

6 Микаелян Г.Т. Мощные диодные лазерные линейки и матрицы: дисс. ... докт. техн. наук 01.04.21 / Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН. - Москва. - 2006. - 84 с.

7 Тер-Мартиросян А.Л. Мощные источники лазерного излучения на основе квантоворазмерных гетероструктур: дисс. ... докт. техн. наук: 01.04.01 / ФГУН Институт аналитического приборостроения РАН.- Санкт-Петербург. - 2014. - 331 с.

8 Diehl R. High-power diode lasers. Fundamentals, technology, applications (Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2000, P. 408).

9 Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys // Journal of Applied Physics. - 2001. - V. 89. - N. 11. -P. 5815-5875.

10 Ладугин М.А., Мармалюк А.А. Оптимизация конструкции эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/GaAs с целью достижения максимального КПД полупроводниковых лазеров // Материалы 6-го симпозиума с международным участием «Полупроводниковые лазеры: физика и технология». - г. Санкт-Петербург,

Россия, - 2018. - С.31.

11 Liu X., Zhao W., Xiong L., Liu H., Packaging of High Power Semiconductor Lasers (Springer Science+Business Media, New York, 2015, P. 415)

12 Behringer M., Eberhard F., Herrmann G., Luft J., Maric J., Morgott S., Philippens M.C, Teich W. High power diode lasers technology and application in Europe // Proceedings of SPIE. - 2003. V.4 831. - P. 4-13.

13 Лившиц Д.А., Егоров А.Ю., Кочнев И.В., Капитонов В.А., Лантратов В.М., Леденцов Н.Н., Налет Т.А., Тарасов И.С. Рекордные мощностные характеристики лазеров на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктур // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Т. 35. - №3. - С. 380-384.

14 Piprek J. Semiconductor optoelectronic devices. Introduction to physics and simulation (Academic Press; 1 edition, Amsterdam, 2003, Р. 279)

15 Piprek J. Handbook of Optoelectronic Device Modeling and Simulation: Fundamentals, Materials, Nanostructures, LEDs and Amplifiers (CRC Press, 1st Edition 2nd Volume, 2017, P. 887)

16 Botez D., Advances in High-Power Monolithic Semiconductor Lasers // IEEE ISLC'04: SC3 Matsue-shi, Japan (2004)

17 Sebastian J., Beister G., Bugge F. High-power 810 nm GaAsP-AlGaAs diode lasers with narrow beam divergence // IEEE J. Selected Topics in Quantum Electron. - 2001. -V. 7. - P. 334-339.

18 Li L., Liu G., Li Z. High-efficiency 808 nm InGaAlAs-AlGaAs double-quantum-well semiconductor lasers with asymmetric waveguide structures // IEEE Photonics Technology Lett. - 2008. - V. 20. - P. 566-568.

19 Gasser M., Latta, E. E., Method for mirror passivation of semiconductor laser diodes (International Business Machines Corporation) // European Patent Application EP0416190A1, 1990.

20 Lambert R., Ayling T. Hendry A., Carson J., Barrow D., McHendry S., Scott C., McKee A., Meredith W. Facet-passivation processes for the improvement of Al-containing semiconductor laser diodes // Journal of Lightwave Technology. - 2006. -

V. 24. - P. 956-961.

21 Syrbu A.V., Yakovlev V.P., Suruceanu G.I., Mereutza A.Z., Mawst L.J., Bhattacharya A., Nesnidal M., Lopez J., Botez D., ZnSe facet-passivated InGaAsP diode lasers of high CW power and wallplug efficiency // Electron. Lett. - 1996. - V. 32. -P. 352-353.

22 Rinner F., Rogg J., Kelemen M., Mikulla M., Weimann G., Tomm J., Thamm E., Poprawe R. Facet temperature reduction by a current blocking layer at the front facets of high-power InGaAs/AlGaAs lasers // Journal of Applied Physics - 2003. - V. 93. - P. 1848.

23 Walker CL., Bryce A.C., Marsh J.H. Improved catastrophic optical damage level from laser with nonabsorbing mirrors // IEEE Photonics Technology Letters. - 2002. -V. 14. - P. 1394.

24 www.crosslight.ru

25 Соколовский Г.С., Дюделев В.В., Дерягин А.Г., Кучинский В.И. Влияние насыщения усиления на ватт-амперную характеристику полупроводникового лазера // Письма в ЖТФ. - 2012. - Т. 38. - В. 13. - C. 35-40.

26 Blom P.W.M., Smit C., Haverkort J.E.M., Wolter J.H. Carrier capture into a semiconductor quantum well // Phys. Rev. B. - 1993. V. 47, N. 4. - P. 2072-2081.

27 Yao J., Gallion P. Effects of Carrier Diffusion and Quantum Capture on the Dynamics of Separated Confinement Single Quantum Well Lasers Operating at the First and Second Quantized States // IEEE Photonics Technology Letters. - 1994. - V. 6. -N. 4. - P 471-474.

28 Witzigmann B., Hybertsen M.S. A Theoretical Investigation of the Characteristic Temperature T0 for Semiconductor Lasers // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. - 2003. - V. 9. - N. 3. - 807-815.

29 Rosencher E., Vinter B., Levine B. Intersubband Transitions in Quantum Wells (Springer Science + Business Media, New York, 1992, P. 340)

30 Deveaud B., Chomette A., Morris D., Regreny A. Carrier Capture In Quantum Wells // Solid State Communications. - 1993. - V. 85. - N. 4. - P. 367-371.

31 Blom P.W.M., Haverkort J.E.M., van Hall P.J., Wolter J.H. Carrier-carrier

scattering induced capture in quantum well lasers // Appl. Phys. Lett. - 1993. - V. 62. -N. 13. - P. 1490-1492.

32 D. Morris, B. Deveaud, A. Regreny, P. Auvray - Electron and hole capture in multiple-quantum-well structures. // Phys. Rev. B. - 1993. - V. 47. - P. 6819-6822.

33 Hirayama H., Yoshida J., Miyake Y., Asada M. Carrier Capture Time and Its Effect on The Efficiency of Quantum-Well Lasers // IEEE Journal of Quantum Electronics. -1994. - V. 30. - N. 1. - P. 54-62.

34 Blom P.W.M., Claes J., Haverkort J.E.M., Wolter J.H., Experimental and theoretical study of the carrier capture time // Optical and Quantum Electronics. - 1994. -V. 26. - P. S667-S677.

35 Tsai C.Y., Tsai C.Y, Lo Y.H., Spencer R.M., Eastman L.F. Nonlinear gain coefficients in semiconductor quantum-well lasers: effects of carrier diffusion, capture, and escape // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics. - 1995. - V. 1. -N. 2.- P. 316-330.

36 Haverkort J.E.M., Blom P.W.M., van Hall P.J., Claes J., Wolter J.H., Capture of carriers into a GaAs/AlGaAs quantum well relevance to laser performance // Phys. Stat. Sol. (b). - 1995. - V. 188. - P. 139-152.

37 Kalna K. Theoretical Study of Carrier Capture into Semiconductor Quantum Wells Ph.D. dissertation, Bratislava, Slovak Academy of Sciences, 1997.

38 Ferreira R., Bastard G. Unbound states in quantum heterostructures // Nanoscale Research Letters. 2006. V. 1, N. 120. P. 1-17.

39 Thranhardt A., Koch S.W., Hader J., Moloney J.V. Carrier dynamics in QW lasers // Optical and Quantum Electronics. - 2006. - V. 38 - P. 361-368.

40 Tsai. C.Y. Theoretical Study of the Effects of Carrier Transport, Capture and Escape Processes on Solar Cells with Embedded Nanostructures // Journal of Nanomaterials. -2014. - ID 972597. - P. 1-8.

41 Shichijo H., Kolbas R.M., Holonyak N. Jr., Colernan J.J., Dapkus P.D. Carrier collection in a semiconductor quantum well // Solid State Cornrnun. - 1978. - V. 27. - P. 1029.

42 Tang J.Y., Hess K., Holonyak N. Jr., Coleman J.J., Dapkus P.D. The dynamics of electronhole collection in quantum well heterostructures // J. Appl. Phys. - 1982. - V. 53. - P. 6043.

43 Kasemset D., Hong C.-S., Patel N.B., Dapkus P.D. Graded Barrier Single Quantum Well Lasers - Theory and Experiment // IEEE Journal of Quantum Electronics. - 1983. -V. 19. - P. 1025.

44 Hersee S.D., de Cremoux B., Duchemin J.P. Some characteristics of the GaAs/GaAlAs graded index separate confinement heterostructure quantum well laser structure // Applied Physics Letters. - 1984. - V. 44. - P. 476.

45 Quantum well lasers. ed. by Zory P.S., Jr. (Academic Press, San Diego, 1993).

46 Ahrenkiel R. Minority-Carrier Lifetime in III-V Semiconductors // Semiconductors and Semimetals. - 1993. - V. 39. - P. 39-150.

47 Kozyrev S.V., Shik A.Ya. // Sov. Phys. Semicond. - 1985. - V. 19. - P. 1024.

48 Brum J.A., Bastard G. Resonant carrier capture by semiconductor quantum well // Phys. Rev. B. - 1986. - V. 33. - P. 1420.

49 Babiker M., Chamberlain M.P., Ghosal A., Ridley B.K. A New Resonance Phenomenon Associated with Electron Transitions in Superlattices and Single Quantum Wells // Surface Science. - 1988. - V. 196. - P. 422-428.

50 Price P.J. Two-Dimensional Electron Transport in Semiconductor Layers // Phonon Scattering // Annals of Physics. - 1981. - V. 133. - P. 217-239.

51 Feldmann J., Peter G., Gobel E.O., Leo K., Polland H.-J., Ploog K., Fujiwara K., Nakayama T. Carrier trapping in single quantum wells with different confinement structures // Appl. Phys. Lett. - 1987. - V. 51. - P. 226.

52 Deveaud B., Clerot F., Regreny A., Fujiwara K., Mitsunaga K., Ohta J. Capture of photoexcited carriers by a laser structure // Appl. Phys. Lett. - 1989. - V. 55. - P. 26462648.

53 Bimberg D., Christen J., Steckenborn A., Weimann G., Schlapp W. Injection, intersubband relaxation and recombination in GaAs multiple quantum wells // Journal of Luminescence. - 1985. - V. 30. - P. 562-579.

54 Kersting R., Zhou X.Q., Wolter K., Grützmacher D., Kurz H. Subpicosecond luminescence study of carrier transfer in InGaAs/InP multiple quantum wells // Superlatt. Microstruct. - 1990. - V. 7. - P. 345.

55 Blom P.W.M. Carrier Capture in III-V Semiconductor Quantum Wells, Ph.D. dissertation, Eindhoven, University of Technology, 1992.

56 Ладугин М.А., Мармалюк А.А. Влияние параметров квантоворазмерной области (Al)GaAs/AlGaAs на пороговую плотность тока лазерных диодов // Квантовая электроника. - 2019. - Т. 49. - № 6. - С. 529-534.

57 Buda M., van de Roer T.G., Kaufmann L.M.F., Iordache Gh., Cengher D., Diaconescu D., Petrescu-Prahova I.B., Haverkort J.E.M., van der Vleuten W., Wolter J.H. Analysis of 6 nm AlGaAs SQW low confinement laser structures for very high power operation // IEEE Selected Topics on Quantum Electronics - 1997. - V. 3 - N. 2. - P. 173179.

58 Oherli D.Y., Shah J., Jewell J.L., Damen T.C., Chand N. Dynamics of carrier capture in and InGaAs/GaAs quantum well trap // Appl. Phys. Lett. - 1989. - V. 54. - P. 1028-1030.

59 Tessler N., Nagar R., Abraham D., Eisenstein G., Koren U., Raybon G. Coupling between barrier and quantum well energy states in a multiple quantum well optical amplifier// Appl. Phys. Lett. - 1992. - V. 60. - P. 665.

60 Полубавкина Ю.С., Зубов Ф.И., Моисеев Э.И., Крыжановская Н.В., Максимов М.В., Семенова Е.С., Yvind K., Асрян Л.В., Жуков А.Е. Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями // Физика и техника полупроводников. - 2017. - Т. 51. - В. 2. - C. 263-268.

61 Piprek J., Li Z.-M. What Causes the Pulse Power Saturation of GaAs-Based Broad-Area Lasers // IEEE Photonics Technology Letters. - 2018. - V. 30. - N. 10. - P. 963-966.

62 Bambha R., Hutchings D. C., Snelling M. J., Likamwa P., Miller A., Moretti A. L., Wickman R.W., Stair K.A., Bird T.E., Cavailles J.A., Miller D.A.B. Carrier escape dynamics in a single quantum well waveguide modulator // Opt. Quantum Electron. -1993. - V. 25. - P. S965-S971.

63 Lefebvre K. R., Anwar A. F. M., Electron escape time from single quantum wells, // IEEE J. Quantum Electron. - 1997. - V. 33. - P. 187-191.

64 Nikolaev V.V., Avrutin E.A. Photocarrier Escape Time in Quantum-Well Light-Absorbing Devices: Effects of Electric Field and Well Parameters // IEEE Journal of Quantum Electronics. - 2003. - V. 39. - N. 12. - P. 1653-1660.

65 Tsvid G., Kirch J., Mawst L.J., Kanskar M., Cai J., Arif R.A., Tansu N., Smowton P.M., Blood P. Spontaneous Radiative Efficiency and Gain Characteristics of Strained-Layer InGaAs-GaAs Quantum-Well Lasers // IEEE Journal of Quantum Electronics. -2008. - V. 44. - N. 8. - P. 732-739.

66 Слипченко С.О., Соколова З.Н., Пихтин Н.А., Борщев К.С., Винокуров Д.А., Тарасов И.С Конечное время рассеяния энергии носителей заряда как причина ограничения оптической мощности полупроводниковых лазеров // Физика и техника полупроводников. - 2006. - В. 8. - С. 1017.

67 Ладугин М.А., Коваль Ю.П., Мармалюк А.А., Петровский В.А., Багаев Т.А., Андреев А.Ю., Падалица А.А., Симаков В.А., Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 850 - 870 нм на основе гетероструктур с узкими и широкими волноводами // Квантовая электроника. - 2013. - Т. 43. - № 5. -С. 407-409

68 Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Багаев Т.А., Андреев А.Ю., Телегин К.Ю., Лобинцов А.В., Давыдова Е.И., Сапожников С.М., Данилов А.И., Подкопаев А.В., Иванова Е.Б., Симаков В.А. Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70% // Квантовая электроника. - 2017. - Т. 47. - № 4. - С. 291-293

69 Coldren L.A., Corzine S.W. Diode lasers and photonic integrated circuits. First Edition (Hoboken: John Wiley & Sons, Inc., 1995).

70 G.P. Agrawal, N.K. Dutta. Long-Wavelength Semiconductor Lasers (Van Nostrand Reinhold, N.Y., 1993)

71 Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С. // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36. - С. 364.

72 W. T. Tsang // Applied Physics Letters. - 1982. - V. 40. - P.217.

73 Безотосный В.В., Васильева В.В., Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Крохин О.Н., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Мурашова А.В., Налет Т.А., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Попов Ю.М., Слипченко С.О., Станкевич А.Л., Фетисова Н.В., Шамахов В.В., Тарасов И.С. Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм на основе различных типов асимметричных гетероструктур со сверхшироким волноводом // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 3. - С. 357.

74 Ильченко С.Н., Костин Ю.О., Кукушкин И.А., Ладугин М.А., Лапин П.И., Лобинцов А.А., Мармалюк А.А., Якубович С.Д., Широкополосные суперлюминесцентные диоды и полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750-800 нм // Квантовая электроника. - 2011. - Т. 41. -№ 8. - С. 677-680

75 Елисеев П.Г. Введение в физику инжекционных лазеров. - М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1983 - 294 с.

76 Arakawa Y., Sakaki H., Nishioka M., Yoshino J., Kamiya T. Recombination lifetime of carriers in GaAs-GaAlAs quantum wells near room temperature // Applied Physics Letters. - 1985. - V. 46. - P. 519.

77 Wang P., Lee K. K., Yao G., Chen Y. C., Waters R. G. Carrier recombination rate in GaAs-AlGaAs single quantum well lasers under high levels of excitation // Applied Physics Letters. -1990. - V. 56. - P. 2083.

78 Chen T. R., Eng L. E., Zhuang Y. H., Yariv A. Experimental determination of transparency current density and estimation of the threshold current of semiconductor quantum well lasers // Applied Physics Letters. - 1990. - V. 56. - P. 1002.

79 Мурашова А.В., Винокуров Д.А., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Шамахов В.В., Васильева В.В., Капитонов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Налет Т.А., Николаев Д.Н., Станкевич А.Л., Фетисова Н.В., Тарасов И.С., Kim Y.S., Kang D.H., Lee C.Y // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42. - С. 882.

80 Chen H.Z., Ghaffari A., Morko? H., Yariv A. // Applied Physics Letters. - 1987. -

V. 51. - P. 2094.

81 Ладугин М.А., Лютецкий А.В., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Подоскин А.А., Рудова Н.А., Слипченко С.О., Шашкин И.С., Бондарев А.Д., Тарасов И.С. // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. - С. 1417.

82 Lo Y.C., Hsieh K.Y., Kolbas R.M. // Applied Physics Letters. - 1988. - V. 52. -P. 1853

83 Андреев А.Ю., Зорина С.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Мармалюк А.А. , Мурашова А.В., Налет Т.А., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Сабитов Д.Р., Симаков В.А., Слипченко С.О., Телегин К.Ю., Шамахов В.В., Тарасов И.С // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43. - С. 543.

84 Sugimura A. Threshold currents for AlGaAs GaAs quantum well lasers // Journal of Quantum Electronics. - 1984. - V. 20. - P. 336.

85 Arakawa Y., Yariv A. Theory of gain, modulation response and spectral linewidth in AlGaAs lasers // IEEE Journal of Quantum Electronics. - 1985. - V. 21. - P. 1666.

86 Saint-Cricq B., Lozes-Dupuy F., Vassilieff G. // IEEE Journal of Quantum Electronics. - 1986. - V. 22. - P. 625.

87 Мармалюк А.А., Ладугин М.А., Андреев А.Ю., Телегин К.Ю., Яроцкая И.В., Мешков А.С., Коняев В.П., Сапожников С.М., Лебедева Е.И., Симаков В.А. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (l=808 нм) с повышенной температурной стабильностью // Квантовая электроника. - 2013. - Т. 43.- С. 895.

88 Звелто О. Принципы лазеров, 4-е изд. - СПб.: Издательство «Лань», 2008. -720 с.

89 Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники: Учеб. Пособие, - Новосибирск, Изд-во НГТУ, 2000. - 332 с

90 Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Багаев Т.А., Андреев А.Ю., Телегин К.Ю., Лобинцов А.В., Давыдова Е.И., Сапожников С.М., Данилов А.И., Подкопаев А.В., Иванова Е.Б., Симаков В.А. // Квантовая электроника. - 2017. -В. 47. - С. 291.

91 Belenky G.L., Reynolds Jr. C.L., Donetsky D.V., Shtengel G.E., Hybertsen M.S., Alam M.A., Baraff G.A., Smith R.K., Kazarinov R.F., Winn J., Smith L.E. Role of p-doping profile and regrowth on the static characteristics of 1.3-^m MQW InGaAsP-InP lasers: experiment and modeling // IEEE Journal of Quantum Electronics. - 1999. - V. 35. - N. 10. - P. 1515-1520.

92 Hariz A., Dapkus P.D., Lee H.C., Menu E.P., DenBaars S.P. Minority-carrier lifetimes in undoped AlGaAs/GaAs multiple quantum wells // Applied Physics Letters. -1989. - V. 54. - P. 635.

93 Strauss U, Rühle W.W., Köhler K. // Appl. Phys. Lett. - 1993 - V. 62. - P. 55

94 Lush G.B., MacMillan H.F., Keyes B.M., Levi D.H., Melloch M.R., Ahrenkiel R.K., Lundstrom M.S. // J. Appl. Phys. - 1992. - V. 72. - P. 1436.

95 Riech I., Diaz P., Marin E. Study of Nonradiative Recombination Mechanisms in Semiconductors by Photoacoustic Measurements // Phys. Status Solidi B. - 2000. -V. 220. - P. 305-308.

96 Tiwari S., Wright S. L. Material Properties of P-Type GaAs at Large Dopings // Appl. Phys. Lett. - 1990. - V. 56. - N. 6. - P. 563-565.

97 Гунько Н.А., Полковников А.С., Зегря Г.Г. Расчет коэффициентов оже-рекомбинации в гетероструктуре с квантовыми ямами InGaAsP/InP // Физика и техника полупроводников. - 2000. - Т. 34. - В. 4. - С. 462-466.

98 Piprek J., Roemer F., Witzigmann B. On the uncertainty of the Auger recombination coefficient extracted from InGaN/GaN light-emitting diode efficiency droop measurements // Applied Physics Letters. - 2015. - V. 106. - P. 101101.

99 http://www.matprop.ru

100 Sze S.M., Ng K.K., Physics of Semiconductor Devices (John Wiley&Sons, NewYork, NY, USA, 3rd edition, 2007).

101 Lock D., Sweeney S.J., Adams A.R, Robbins D. J. Leakage and Auger effects in 980 nm InGaAs-based MQW semiconductor lasers under high pressure // Phys. Stat. Sol. (b). - 2002. - V. 235. - N. 2. - P. 542.

102 Лютецкий А.В., Борщёв К.С., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н.,

Тарасов И.С. Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (lambda=1.0-1.9 мкм) // Физика и техника полупроводников. - 2008. - В. 1. - С. 106.

103 Gilard O., Lozes-Dupuy F., Vassilieff G., Barrau J., Le Jeune P. Theoretical study of Auger effect in 1.5 um quantum-well lasers // Journal of Applied Physics. -1998. - V. 84. - N. 5. - P. 2705-2715.

104 Wolford D.J., Gilliland G.D., Kuech T.F., Klem J.F., Hjalmarson H.P., Bradley J.A., Tsang C.F., Martinsen J. Comparison of transport, recombination, and interfacial quality in molecular beam epitaxy and organometallic vaporphase epitaxy GaAs/AlxGa1-xAs structures // Applied Physics Letters. - 1994. - V. 64. - N. 11. - P. 1416-1418.

105 Domen K., Kondo M., Tanahashi N. in Gallium Arsenide and Related Compounds (Inst. of Phys. Conf. Ser, Bristol and Philadelphia, 1992, 129, pp.447-452).

106 Pavesi L., Guzzi M. Photoluminescence of AlxGa1-xAs alloys // Journal of Applied Physics. -1994. - V. 75. - N. 10. - P. 4779-4842.

107 Viswanath A.K. Handbook of Surfaces and Interfaces of Materials, ed. by H.S. Nalwa Volume 1: Surface and Interface Phenomena (San Diego Academic Press, 2001, P. 2911)

108 Wang C.A., Shiau D.A., Donetsky D., Anikeev S., Belenky G., Luryi S. Effect of growth interruption on surface recombination velocity in GalnAsSb/AlGaAsSb heterostructures grown by organometallic vapor-phase epitaxy // Journal of Crystal Growth. - 2004. - V. 272. - P. 711-718.

109 Aspnes D.E. Recombination at semiconductor surfaces and interfaces // Surface Science. - 1983. - V. 132. - N. 1. - P. 406-421.

110 Lannoo M. Electron states and recombination velocities at semiconductor surfaces and interfaces // Revue Phys. Appl. - 1987. - V.22. - N. 8. - P. 789-795.

111 Nolte D.D. Surface recombination, free-carrier saturation, and dangling bonds in InP and GaAs // Solid-state Electronics. - 1990. - V. 33. - N. 2. - P. 295-298.

112 Langer J.M., Delerue C., Lannoo M., Heinrich H. Transition-metal impurities in semiconductors and heterojunction band lineups // Phys. Rev. B - 1988. - V. 38. - N. 11.

- P. 7723-7739.

113 Aspnes D.E., Studna A.A. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV // Phys.Rev. B. - 1983. - V. 27.

- N. 2. - P. 985-1009.

114 Pearton S.J., Ren F., Hobson W.S., Abernathye C.R., Chakrabarti U.K., Comparison of surface recombination velocities in InGaP and AlGaAs mesa diodes // Journal of Vacuum Science & Technology B. - 1994. - V. 12. - N.1. - P.142-146.

115 Boroditsky M., Gontijo I., Jackson M., Vrijen R., Yablonovitch E., Krauss T., Chuan-Cheng Cheng, Scherer A., Bhat R., Krames M. Surface recombination measurements on III-V candidate materials for nanostructure light-emitting diodes // Journal of Applied Physics. - 2000. - V. 87. N. 7. - P. 3497-3504.

116 Brammertz G., Heyns M., Meuris M., Caymax M., Jiang D., Mols Y., Degroote S., Leys M., Borghs G. Surface recombination velocity in GaAs and In0.15Ga0.85As thin films // Applied Physics Letters. - 2007. - V. 90. - P. 134102-134102-3.

117 Achtenhagen M., Hardy A. Lateral current spreading in ridge waveguide laser diodes // Applied Physics Letters. - 1999. - V. 74. - N. 10. - P. 1364-1366.

118 Belenky G., Reynolds , Jr. C., Kazarinov R., Swaminathan V., Luryi S., Lopata J. Effect of p-Doping Profile on Performance of Strained Multi-Quantum-Well InGaAsP-InP Lasers // IEEE J. Quantum Electronics. - 1996. - V. 32. - N. 8. - P. 1450-1455.

119 Зубов Ф.И., Жуков А.Е., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Крыжановская Н.В., Yvind K., Семенова Е.С., Асрян Л.В. Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на мощностные характеристики лазеров на квантовой яме // Письма в ЖТФ. - 2015. - Т. 41. - В. 9. - С. 61-70.

120 Lock D., Sweeney S. J., Adams A. R. Carrier leakage suppression utilising short-period super-lattices in 980nm InGaAs/GaAs quantum well lasers // Phys. Stat. Sol. B. -2004. - V. 241. - N. 14. - P. 3405-3409.

121 Мармалюк А.А., Иванов А.В., Курносов В.Д., Курносов К.В., Ладугин М.А., Лобинцов А.В., Падалица А.А., Романцевич В.И., Рябоштан Ю.Л., Сапожников С.М., Светогоров В.Н., Симаков В.А. Полупроводниковые лазеры на основе

AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером // Квантовая электроника. -2019. - Т. 49. - В. 6. - С. 519-521.

122 Kazarinov R.F., Belenky G.L. Novel design of AlGaInAs-InP lasers operating at 1.3 um // IEEE Journal of Quantum Electronics. - 1995. - V. 31. - N. 3. - P. 423-426.

123 Murai H., Matsui Y., Ogawa Y., Kunii T. Lasing characteristics under high temperature operation of 1.55 ^m strained InGaAsP/InGaAlAs MQW laser with InAlAs electron stopper layer // Electronics Letters. - 1995. - V. 31. - N. 24. - P. 2105-2107.

124 Takemasa K., Munakata T., Kobayashi M., Wada H., Kamijoh T. 1.3-^m AlGaInAs-AlGaInAs strained multiple-quantum-well lasers with a p-AlInAs electron stopper layer // IEEE Photonics Technology Letters. - 1998. - V. 10. - N. 4. - P. 495-497.

125 Веселов Д.А., Шашкин И.С., Бахвалов К.В., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Растегаева М.Г., Слипченко С.О., Бечвай Е.А., Стрелец В.А., Шамахов В.В., Тарасов И.С. К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердыхрастворов AlGaInAs/InP // ФТП. - 2016. - Т. 50. - №9. - C. 1247-1252.

126 Lin C-C., Liu K-S., Wu M-C., Shiao H-P. High-Temperature and Low-Threshold-Current Operation of 1.5 ^m AlGaInAs/InP Strain-Compensated Multiple Quantum Well Laser Diodes // Jpn. J. Appl. Phys. - 1998. - V. 37. - N. 6A. - P. 3309-3312.

127 Wu M-Y., Yang C-D., Lei P-H., Wu M-C., Ho W-J. Very Low Threshold Current Operation of 1.3-^m AlGaInAs/AlGaInAs Strain-Compensated Multiple-Quantum-Well Laser Diodes // Jpn. J. Appl. Phys. - 2003. - V. 42 - N. 6B. - P. L643-L645.

128 Semiconductor lasers: optics and photonics / Edited by Eli Kapon (San Diego, Academic Press, 1999, P. 454)

129 Жуков А.Е. Лазеры на основе полупроводниковых наноструктур (СПб.: ООО. «Техномедиа» / Изд. «Элмор», 2007, с. 304)

130 Tolliver T.R., Anderson N.G., Agahi F., Lau K.M. Characteristic temperature study of GaAsP-AlGaAs tensile strained quantum well lasers // Journal of Applied Physics -2000. - V. 88. - P. 5400-5409.

131 Malag A., Dbrowska E., Grodecki K. Temperature sensitivity (T0) of tensile-

strained GaAsP/(AlGa)As double-barrier separate confinement heterostructure laser diodes for 800 nm band // Journal of Applied Physics. - 2008. - V. 103. - P. 113109-1113109-7.

132 Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И., Смирнов В.А., Евтихиев В.П., Пихтин Н.А., Растегаева М.Г., Станкевич А.Л., Тарасов И.С., Школьник А.С., Зегря Г.Г. Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах // Физика и техника полупроводников. - 2005. - В. 10. - С. 1252-1256.

133 Булаев П.В., Говорков О.И., И.Д. Залевский, Кригель В.Г., Мармалюк А.А., Никитин Д.Б., Падалица А.А., Петровский А.В. Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов // Квантовая электроника. - 2002. - Т. 32, № 3. - С. 216-218.

134 Голикова Е.Г., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Скрынников Г.А., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Cвойства гетеролазеров на основе InGaAsP/InP c широким мезаполосковым контактом // Физика и техника полупроводников. - 2000. - В. 7. - С. 886-890.

135 Зегря Г.Г., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Слипченко С.О., Тарасов И.С. Исследование пороговых характеристик InGaAsP/InP-гетеролазеров (lambda=1.55 мкм) // Физика и техника полупроводников - 2001. - В. 8. - С. 1001-1008

136 Buda M. Low-confinement high-power semiconductor lasers Ph.D. dissertation Eindhoven: Technische Universiteit Eindhoven. 1999.

137 Dion M., Li Z.-M., Member, IEEE, Ross D., Chatenoud F., Williams R. L., Dick S. A Study of the Temperature Sensitivity of GaAs-(A1,Ga)As Multiple Quantum-Well GRINSCH Lasers // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. - 1995. -V. 1. - N. 2. - P. 230-233.

138 Asano H., Wada M., Fukunaga T., Hayakawa T. Temperature-insensitive operation of real index guided 1.06 ^m InGaAs/GaAsP straincompensated single-quantum-well laser diodes // Applied Physics Letters. - 1999. - V. 74. - N. 21. - P. 3090-3092.

139 Chin R., Holonyak N. Jr., Vojak B.A., Hess K., Dupuis R.D., Dapkus P.D.

Temperature dependence of threshold current for quantumwell AlxGa1-xAs-GaAs heterostructures laser diodes // Applied Physics Letters. - 1980. - V. 36. - P. 19-21

140 Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Николаев Д.Н., Станкевич А.Л., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Арсентьев И.Н., Тарасов И.С. InGaAs/GaAs/InGaP-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии // Физика и техника полупроводников. - 2001.

- В. 11.- С. 1380-1384.

141 Мармалюк А.А., Рябоштан Ю.Л., Горлачук П.В., Ладугин М.А., Падалица А.А., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Веселов Д.А., Пихтин Н.А. Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500-1600 нм // Квантовая электроника. - 2018.

- Т. 48. - № 3. - С. 197-200.

142 Bowman S.R. Low quantum defect laser performance // Optical Engineering. -2016. - V. 56. - N. 1. - P. 011104-011114

143 Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича, 2-е изд. (М., ФИЗМАТЛИТ, 2008, C. 496)

144 Frevert C., Bugge F., Knigge S., Ginolas A., Erbert G., Crump P. 940 nm QCW diode laser bars with 70% efficiency at 1 kW output power at 203 K: analysis of remaining limits and path to higher efficiency and power at 200 K and 300 K // Proc. of SPIE. -2016. - V. 9733. - P. 97330L- 97330L-13.

145 Zhen Zh., Xin Zhang, Li Peixu, Wang Gang, Xu Xiangang Voltage reduction of 808 nm GaAsP/(Al)GaInP laser diodes with GaInAsP intermediate layer // Journal of Semiconductors. - 2015. - V. 36. - N. 1. - P. 014011-014011-3.

146 Tu L.-W., Schubert E. F., G ' Bryan H. M. , Wang Y.-H. , Weir B. E., Zydzik G. J., Cho A. Y. Transparent conductive metal-oxide contacts in vertical-injection top-emitting quantum well lasers // Applied Physics Letters - 1991. - V. 58. - N. 8. - P. 790-792.

147 Jewell J. L., Lee J. H., Schere A., McCall S. L., Olsson N. A., Harbison J. P., Florez L. T. Surface-emitting microlasers for photonic switching and interchip connections // Optical Engineering. - 1990. - V. 29. - N. 3. - P. 210-214.

148 Geels R. S., Corzine S.W., Scott J. W., Young D. B., Coldren L. A. Low threshold planarized vertical-cavity surface-emitting lasers // IEEE Photon. Technol. Lett. - 1990.

- V. 2. - N. 4. - P. 234-236.

149 Tai K., Yang L., Wang Y. H., Wynn I. D., Cho A. Y. Drastic reduction of series resistance in doped semiconductor distributed Bragg reflectors for surface-emitting lasers // Applied Physics Letters. - 1990. - V. 56. - N. 25. - P. 2496-2498.

150 Hong M., Tu L. W., Gamelin J., Wang Y. H., Fischer R. J., Schubert E. F., Tai K., Hasnain G., Mannaerts J. P., Weir B. F., Wynn I. D., Kopf R. F., Zydzik G. J., Cho A. Y., Vertical cavity top-surface emitting lasers with thin Ag mirrors and hybrid reflectors // J. Cryst Growth. - 1991. - V. 111. - P. 1052-1056.

151 Schubert E. F., Tu L. W., Zydzik G. J., Kopf R. F., Benvenuti A., Pinto M. R. Elimination of heterojunction band discontinuities by modulation doping // Applied Physics Letters. - 1992. - V. 60. - N. 4. - P. 466-468.

152 Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников (М.: «Наука», 1990, - 688 с.)

153 Sotoodeh M., Khalid A. H., Rezazadeh A. A. Empirical low-field mobility model for III-V compounds applicable in device simulation codes // Journal of Applied Physics.

- 2000. - V. 87. - N. 6. - P. 2890-2900.

154 Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Свойства соединений А3В5: Справ. изд. (М.: Металлургия, 1984, - 144 с.).

155 Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах в 2-х томах, (М.: Мир, 1981,

- 299 и 364 с.).

156 Веселов Д.А., Пихтин Н.А., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Шамахов В.В., Шашкин И.С., Воронкова Н.В., Тарасов И.С. Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера // Квантовая электроника. - 2015. - Т. 45. - № 7. С. 604606.

157 Розеншер Э., Винтер Б. Оптоэлектроника, - М.: Техносфера, 2004, 592 с., ил.

158 Avrutin E. A. , Ryvkin B. S. Dember type voltage and nonlinear series resistance

of the optical confinement layer of a high-power diode laser // Journal of Applied Physics. - 2013. - V. 113. - N. 111. - P. 113108-113108-6.

159 Reinhart F. K. Direct determination of the free-carrier injection density, the free-carrier absorption, and the recombination factors in double heterostructure diodes by optical phase measurements. Part III // J. Appl. Phys. - 2005. - V. 97. - P. 123536123536-13.

160 Casey Jr. H. C., Carter P. L. Variation of intervalence band absorption with hole concentration in ptype InP // Applied Physics Letters. - 1984. - V. 44. - N. 1. - P. 82-83.

161 Bulashevich K., Mymrin V., Karpov S. Effect of Free-Carrier Absorption on Performance of 808 nm AlGaAs-Based High-Power Laser Diodes // Semcond. Sci. Technol. - 2007. - V. 22. - N. 5. - P. 502-510.

162 T. Suhara Semiconductor Laser Fundamentals Edition1st Edition (First Published Boca Raton CRC Press, 2004, P. 288).

163 Слипченко С.О., Винокуров Д.А., Пихтин Н.А., Соколова З.Н., Станкевич А.Л., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Сверхнизкие внутренние оптические потери в квантово-размерных лазерных гетероструктурах раздельного ограничения // Физика и техника полупроводников. - 2004. - Т.38. - №12. - С.1477-1486.

164 Ryvkin B. S., Avrutin E. A. Asymmetric, nonbroadened large optical cavity waveguide structures for high-power long-wavelength semiconductor lasers // Journal of Applied Physics. - 2005. - V. 97. - N. 12. - P. 123103-123103-6.

165 Adachi S. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (Chichester: John Wiley & Sons, 2009, P. 400).

166 Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Станкевич А.Л., Хомылев М.А., Шамахов В.В., Борщёв К.С., Арсентьев И.Н., Тарасов И.С. Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (lambda=1.0-1.8 мкм) в импульсном режиме генерации // Физика и техника полупроводников. - 2007. - T. 41. - № 8. - С. 1003-1009.

167 Мармалюк А.А., Рябоштан Ю.Л., Горлачук П.В., Ладугин М.А., Падалица А.А., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Веселов Д.А., Пихтин Н.А.

Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры со сверхузкими волноводами // Квантовая электроника. - 2017. - Т. 47. - № 3. - С. 272-274.

168 Bowman S. R. High-power diode-pumped solid-state lasers // Optical Engineering.

- 2012. - V. 52. - N. 2. - P. 021012-1 - 021012-9.

169 Котельников Е.Ю., Кацнельсон А.А., Кудряшов И.В., Растегаева М.Г., Рихтер В., Евтихиев В.П., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Плотность мощности оптической деградации зеркал InGaAs/AlGaAs/GaAs-лазерных диодов // Физика и техника полупроводников. - 2000. - Т. 34. - № 11. - С. 1394-1395.

170 Knauer A, Erbert G., Staske R., Sumpf B., Wenzel H., Weyers M. High-power 808 nm lasers with a super-large optical cavity // Semiconductor Science and Technology. -2005. - V. 20. - P. 621-624.

171 Андреев А.Ю., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Мармалюк А.А., Налет Т.А., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Сабитов Д.Р., Симаков В.А., Слипченко С.О., Хомылев М.А., Тарасов И.С. Мощные лазеры (lambda=808-850 нм) на основе асимметричной гетероструктуры раздельного ограничения // Физика и техника полупроводников. - 2006. - T. 40. - № 5. - С. 628-632.

172 Ressel P., Erbert G., Zeimer U., Häusler K., Beister G., Sumpf B., Klehr A., Tränkle G. Novel Passivation Process for the Mirror Facets of High-Power Semiconductor Diode Lasers // IEEE Photonics Technology Letters. - 2005. - V. 17. - P. 962-964.

173 Silfvenius C., Blixt P., Lindström C., Feitisch A. Native-nitride passivation eliminates facet failure // Laser Focus World. - 2003. - V. 39. - P. 69-73.

174 Мармалюк А.А., Андреев А.Ю., Коняев В.П., Ладугин М.А., Лебедева Е.И., Мешков А.С., Морозюк А.Н., Сапожников С.М., Данилов А.И., Симаков В.А., Телегин К.Ю., Яроцкая И.В. Лазерные излучатели (Х=808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48.

- № 1. - С. 120-124.

175 Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Шашкин И.С., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Подоскин А.А., Тарасов И.С. Температурная зависимость внутренних оптических потерь в полупроводниковых лазерах (lambda=900-920 нм) // Физика и техника

полупроводников. - 2010. - Т. 44. - № 10. - C. 1411-1416.

176 Шашкин И.С., Винокуров Д.А., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Растегаева М.Г., Соколова З.Н., Слипченко С.О., Станкевич А.Л., Шамахов В.В., Веселов Д.А., Бондарев А.Д., Тарасов И.С. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах (lambda=1010-1070 нм) // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46. - № 9. - C. 1230-1233.

177 Chand N., Chu S.N.G., Dutta N.K., Lopata J., Geva M., Syrbu A.V., Mereutza A.Z., Yakovlev V.P. Growth and fabrication of high-performance 980-nm strained InGaAs quantum-well lasers for erbium-doped fiber amplifiers // IEEE J. Quantum Electronics. -1994. - V. 30. N. - 2. - P. 424-440.

178 Алферов Ж.И., Кацавец Н.И., Петриков В.Д., Тарасов И.С., Халфин В.Б. Об оптической прочности зеркал высокомощных квантово-размерных лазерных диодов с раздельным ограничением, работающих в непрерывном режиме // Физика и техника полупроводников. - 1996. - T. 30. - № 3. - С. 474-483.

179 Tomm J., Ziegler M., Hempel M., Elsaesser T. Mechanisms and fast kinetics of the catastrophic optical damage (COD) in GaAs-based diode lasers // Laser Photonics. -2011. - V. 5. - N. 3. - P. 422-441.

180 Ueda O., Pearton S.J. (eds.), Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices (New York: Springer Science + Business Media, 2013, P. 616).

181 Zhang Q., Xiong Y., An H., Boucke K., Treusch G. Unveiling laser diode "fossil" and the dynamic analysis for heliotropic growth of catastrophic optical damage in high power laser diodes // Scientific Reports . - 2016. - V. 6. - P. 19011.

182 Mihashi Y., Miyashita M., Kaneno N., Tsugami M., Fujii N., Takamiya S., Mitsui S. Influence of oxygen on the threshold current of AlGaAs multiple quantum well lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition // Journal of Crystal Growth. - 1994. - V. 141. - P. 22-28.

183 Tsang W.C., Rosen H.J., Vettiger P., Webb D.J. Evidence for current-density-induced heating of AlGaAs single-quantum-well laser facets // Applied Physics Letters.

- 1991. - V. 59. - P. 1005-1007.

184 Kanskar M., Goodnough T., Stiers E., Botez D., Mawst L.J. High power conversion efficiency diode lasers for pumping high power solid state laser systems // Proc. ICALEO.

- 2005. - P. 401.

185 Давыдова Е.И., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Петровский А.В., Сухарев А.В., Успенский М.Б, Шишкин В.А., Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом // Квантовая электроника. - 2009. - Т. 39. - № 1. - С. 1820.

186 Garrod T., Olson D., Klaus M., Zenner C., Galstad C., Mawst L., Botez D. 50% continuous-wave wallplug efficiency from 1.53^m-emitting broad-area diode lasers // Appl. Phys. Lett. - 2014. - V. 105. - N. 7. - P. 071101-071101-5.

187 Avrutin E.A., Ryvkin B.S., Kostamovaara J.T. Analysis of waveguide doping effect on losses in high power semiconductor amplifiers and lasers // Proceedings of 18-th International Conference Laser Optics. St. Petersburg, Russia. - 4-8 June 2018. - P. 62

188 Jason J. Plant, Paul W. Juodawlkis, Robin K. Huang, Joseph P. Donnelly, Leo J. Missaggia, Kevin G. Ray 1.5-um InGaAsP-InP Slab-Coupled Optical Waveguide Lasers // IEEE Photonics Technology Letters. - 2005. - V. 17. - N. 4. - P. 735

189 Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А // ФТП 41, 1281 (2007).

190 Zah C. E., Bhat R., Pathak B.N., Favire F., Lin W., Wang M.c., Andreadakis N.C., Hwang D.M., Koza M.A., Lee T.P., Wang Z., Darby D., flanders D., Hsieh J.J. IEEE J. Quantum Electron. - 1994. - V. 30. - № 2. - P. 511-523.

191 Kasukawa A., 1.3um InAsyPi.y-InP Strained-Layer Quantum-Well Lasers Diodes Crown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition // IEEE J. Quantum Electron. - 1993.

- V. 29. - N. 6. - P. 1528.

192 G.A. Acket, P.J.A. Thijs, J.J.M. Binsma, L.F. Tiemeijer, A. Valster, C.J. van der Poel, M.J.B. Boermans and T. van Dongen Strained Layer Quantum Well Semiconductor Lasers // H. W.M. Salemink and M.D. Pashley (etis.), Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale, 241-249. 1993 Kluwer Academic Publishers

193 Seki S., Yokoyama K. The effects of strain on the threshold current density in InGaAsP/InP strained layer singlequantumwell lasers // Journal of Applied Physics. -1994. - V. 76. - P. 3250-3254.

194 Fukuda, M. Optical Semiconductor Devices; John Wiley & Sons: New York, NY, USA, 1999

195 Sands D. Diode Lasers. Series in Optics and Optoelectronics (IOP Publishing Ltd 2005 P.457)

196 Adams A. R. Strained-Layer Quantum-Well Lasers // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. - 2011. - V. 17. - N. 5. - P. 1364.

197 Collot P., Arias J., Mira V., Vassilakis E., Julien F., Non-absorbing mirrors for A1GaAs quantum well lasers by impurity-free interdiffusion // SPIE Vol. 3628 P.260-266

198 J. K. Wade, L. J. Mawst, D. Botez R. F. Nabiev, M. Jansen 5W continuous wave power, 0.81-mm-emitting, Al-free active-region diode lasers // Appl. Phys. Lett. - 1997. -V. 71. - N. 2. - P. 172-174.

199 Bhat R., Koza M.A., Brasil M.J.S.P., Nahory R.E., Palmstrom C.J., Wilkens B.J. Interface control in GaAs/GaInP superlattices grown by MOCVD // J. Cryst. Growth. -1992. - V. 124. - P. 576-582.

200 Tsai C.Y., Moser M., Geng C., Härle V., Forner T., Michier P., Hangleiter A., Scholz F. Interface characteristics of GaInP/GaAs double heterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy // J. Cryst. Growth. - 1994. - V. 145. - P. 786-791.

201 Prost W., Scheffer F., Liu Q., Lindner A., Lakner H., Gyuro I., Tegude F.J. Metalorganic vapor phase epitaxial grown heterointerfaces to GalnP with group-III and group-V exchange // J. Cryst. Growth. - 1995. - V. 146. - P. 538-543.

202 Chiou S.W., Lee C.P., Hong J.M., Chen C.W., Tsou Y. Optimization of MOVPE-grown GaInP/GaAs quantum well interfaces // J. Cryst. Growth. - 1999. - V. 206. - P. 166170.

203 Kudela R., Kucera M., Olejnmkova B., Elia P., Hasenohrl S., Novak J. Formation of interfaces in InGaP/GaAs/InGaP quantum wells // J. Cryst. Growth. - 2000. - V. 212. -P. 21-28.

204 Zhang X.B., Ryou J.H., Dupius R.D., Walter G., Holonyak Jr N. Metalorganic Chemical Vapor Deposition Growth and Characterization of InGaP/GaAs Superlattices // J. Electron. Mater. - 2006. - V. 35. - P. 705-710.

205 Knauer A., Krispin P., Balakrishnan V.R., Weyers M. Properties of (In,Ga)(As,P)/GaAs interfaces grown under different metalorganic vapor phase epitaxy conditions // J. Cryst. Growth. - 2003. - V. 248. - P. 364-368

206 Bugge F., Zeimer U., Gramlich S., Rechenberg I., Sebastian J., Erbert G., Weyers M. Effect of growth conditions and strain compensation on indium incorporation for diode lasers emitting above 1050nm // J. Cryst. Growth. - 2000. - V. 221. - P. 496-502.

207 Marmalyuk A.A., Govorkov O.I., Petrovsky A.V., Nikitin D.B., Padalitsa A.A., Bulaev P.V., Budkin I.V., Zalevsky I.D. Investigation of Indium Segregation in InGaAs/(Al)GaAs Quantum Wells Grown by MOCVD // J. Cryst. Growth. - 2002. - V. 237-239. - P. 264-268.

208 Jasik A., Wnuk A., Wojcik-Jedlinska A., Jakiela R., Muszalski J., Strupinski W., Bugajski M. The influence of the growth temperature and interruption time on the crystal quality of InGaAs/GaAs QW structures grown by MBE and MOCVD methods // J. Cryst. Growth. - 2008. - V. 310. - P. 2785-2792.

209 Pearton S. J., Ren F., Hobson W. S., Abernathy C. R., Chakrabarti U. K. Comparison of surface recombination velocities in InGaP and AlGaAs mesa diodes // J. Vacuum Science & Technology B. - 1994. - V.12. - P. 142-146.

210 Olson J.M., Ahrenkiel R.K., Dunlavy D.J., Keyes B., Kibbler A.E. Ultralow recombination velocity at Ga0.5In0.5P/GaAs heterointerfaces // J. Appl. Phys. Lett. -1989. - V. 55. - N. 12. - P. 1208-1210.

211 Matthews J.W., Blakeslee A.E. Defects in epitaxial multilayers: I. Misfit dislocations // Journal of Crystal Growth. - 1974. - V. 27. - P. 118-125

212 Philips B.A. et al. Mechanism for CuPt-type ordering in mixed III-V epitaxial layers// Journal of Crystal Growth. - 1994. - V. 140. - P. 249-263

213 Nishikawa Y. et al. Effects of Growth Parameters on Oxygen Incorporation into InGaAlP Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition // Extended abstracts of the

1992 international conference on solid state devices and materials, Tsukuba, 1992. - P. 293-295

214 Ohba Y., Nishikawa Y., Colin Nozaki, Sugawara H. A study of p-type doping for AlGaInP grown by low-pressure MOCVD// Journal of crystal growth. - 1988. - V. 93. -P. 613-617.

215 Minagawa S., Kakibayashi H. Observation of OMVPE-Grown GaInP/ GaAs Cross-Sections by Transmission Electron Microscopy // Japanese Journal of Applied Physics, 1985 - V. 24. - N. 11. - P. 1569-1570

216 Дегтярева Н.С., Кондаков С.А., Микаелян Г.Т., Горлачук П.В., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Рябоштан Ю.Л., Яроцкая И.В. Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750-790 нм // Квантовая электроника. - 2013. - Т. 43, № 6. - С. 509-511

217 Liu X., Zhao W. Proc. Technology Trend and Challenges in High Power Semiconductor Laser Packaging // IEEE Electronic Components and Technology Conf. -2009. - P. 2106-2113

218 Мармалюк А.А., Ладугин М.А., Яроцкая И.В., Панарин В.А., Микаелян Г.Т. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений // Квантовая электроника. - 2012. - Т. 42, №15. - С. 15-17

219 Georgiou E., Musset O., Boquillon J.P. High-efficiency and high-output pulse energy performance ofa diode-pumped Er-Yb:glass 1,54-um laser // Appl. Phys. B. -2000. - V. 70. - P. 755-762.

220 Ладугин М.А., Лютецкий А.В., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Подоскин А.А., Рудова Н.А., Слипченко С.О., Шашкин И.С., Бондарев А.Д., Тарасов И.С. Температурная зависимость пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности в полупроводниковых лазерах (lambda=900-920 нм) // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. - № 10. -C. 1417-1421.

221 Ladugin M.A., Bagaev T.A., Lebedeva E.I., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A., Sapozhnikov A.S., Simakov V.A., Laser Diodes (X=940 nm) Based on

InGaAs/AlGaAs/GaAs Heterostructures // Proceedings of 15-th International Conference Laser Optics. St. Petersburg, Russia. June 25-29. - 2012. - P. 54.

222 Yi Qu, Shu Yuan, Member, Chong Yang Liu, Baoxue Bo, Guojun Liu, Huilin Jiang. High-Power InAlGaAs/GaAs and AlGaAs/GaAs Semiconductor Laser Arrays Emitting at 808 nm // IEEE Photonics Technol. Lett. - 2004. - V. 16, № 2. - P. 2351-2357.

223 Qiu B.C., Kowalski O., McDougall S.D., Liu X.F., Marsh J.H. High reliability, high power arrays of 808 nm single mode diode lasers employing various quantum well structures // Proceedings of SPIE. - 2008. - V. 6909. - P. 69090S1-69090S9.

224 Кацавец Н.И., Бученков В.А., Демидов Д.М., Леус Р.В., Искандаров М.О., Никитичев А.А., Тер-Мартиросян А.Л. Мощные высокоэффективные квазинепрерывные лазерные линейки для накачки твердотельных лазеров на основе Yb-содержащих активных сред // Письма в журнал технической физики.

- 2004. - Т. 24. - С. 43-48.

225 Бученков В.А., Никитичев А.А. Твердотельные лазеры безопасного для глаза диапазона с полупроводниковой накачкой // Лазер-информ. 2003. - № 13-14. -С. 268-269

226 Guo W., Shen G., Li J., Wang T., Gao G., Zou D. Tunneling regenerated high power dual-wavelength laser diodes // Proceedings of SPIE. - 2004. - V.5452. - P.250-254.

227 Patterson S.G., Petrich G.S., Ram R.J., Kolodziejski L.A. Continuous-wave room temperature operation of bipolar cascade laser // Electronics Letters. - 1999. - V.35, №.5.

- P.395-397.

228 Yang R.Q., Qiu Y. Bipolar cascade lasers with quantum well tunnel junctions // Journal of Applied Physics. - 2003. - V.94. - P.7370-7372.

229 Ziel van der J.P., Tsang W.T. Integrated multilayer GaAs lasers separated by tunnel junctions // Applied Physics Letters. - 1982. - V.41. - P.499-501.

230 Kim J.K., Hall E., Sjolund O., Coldren L.A. Epitaxially-stacked multiple-active-region 1.55^m lasers for increased differential efficiency // Applied Physics Letters. -1999. - V.74, №.22. - P.3251-3253.

231 Acklin B.D., Behringer M., Herrmann G., Luft J., Hanke C., Korte L., Marchiano

M., Wilhelmi J., Odorico B.D. 200W InGaAlAs/GaAs diode laser bars for pumping // Proceedings of SPIE. - 2000. - V.3889. - P.128-133.

232 Hanke C., Korte L., Acklin B.D., Behringer M., Herrmann G., Luft J., Odorico B.D., Marchiano M., Wilhelmi J. High-power AlGalnAs/GaAs microstack laser bars // Proceedings of SPIE. - 2000. - V.3947. - P.50-57.

233 Malyarchuk V., Tomm J.W., Lienau Ch., Behringer M., Luft J. Uniformity tests of individual segments of interband cascade diode laser Nanostacks // Journal of Applied Physics. - 2002. - V.92, №.5. - P.2729-2733.

234 Kosonocky W.F., Cornely R.H., Hegyi I.J. Multilayer GaAs injection laser // Journal of Quantum Electronics. - 1968. - V.QE-4. - P.176-179.

235 Lockwood H.F., Etzold K.-F., Stockton T.E., Marinelli D.P. The GaAs P-N-P-N laser diode // Journal of Quantum Electronics. - 1974. - V.QE-10. - P.567-569.

236 Lee C.P., Gover A., Margalit S., Samid I., Yariv A. Barrier-controlled low-threshold pnpn GaAs heterostructure laser // Applied Physics Letters. - 1977. - V.30, №2.10. - P.535-537.

237 Katz J., Bar-Chaim N., Margalit S., Yariv A. Large optical cavity AlGaAs injection lasers with multiple active regions // Journal of Applied Physics. - 1980. - V.51, №.8. -P.4038-4041.

238 Зверков М.В., Коняев В.П., Кричевский В.В., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Симаков В.А., Сухарев А.В. Двойные интегрированные наноструктуры для импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 мкм // Квантовая электроника. - 2008. - Т. 38, № 11. - С. 989-992.

239 Винокуров Д.А., Коняев В.П., Ладугин М.А., Лютецкий А.В., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Петрунов А.Н., Пихтин Н.А., Симаков В.А., Слипченко С.О., Сухарев А.В., Фетисова Н.В., Шамахов В.В., Тарасов И.С. Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, № 2. - С. 251-255.

240 Stringfellow G.B. OMVPE growth of AlxGa1-xAs // Journal of Crystal Growth. -

1981. - V.53. - P.42-52.

241 Акчурин Р.Х. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники / Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А. - М.: Техносфера, 2016. - C. 488.

242 Зеегер К. Физика полупроводников / Зеегер К. - М.: Мир, 1997. - 629 c.

243 Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники / Фистуль В.И. - М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1967, - 416 с.

244 И.М. Викулин. Физика полупроводниковых приборов / И.М. Викулин, В.И. Стафеев. - М.: Сов. Радио, 1980. - 296 c.

245 Акчурин Р.Х. МОС-гидридная эпитаксия: современное состояние и основные тенденции развития // Материалы электронной техники. Известия вузов. - 1999. -№2. - С.4-12.

246 Kuech T.F., Tischler M.A., Potemski R., Cardone., Scilla G. Doping and dopant behavior in (Al,Ga)As grown by metalorganic vapor phase epitaxy // Journal of Crystal Growth. - 1989. - V.98. - P.174-187.

247 Druminski M., Wolf H.D., Zschauer K.-H., Wittmaack K. Unexpectedly high energy photoluminescence of highly Si doped GaAs grown by MOVPE // Journal of Crystal Growth. - 1982. - V.57. - P.318-324.

248 Venkatsubramanian R., Patel K., Ghandhi S.K. Compensation mechanisms in n+-GaAs doped with silicon // Journal of Crystal Growth. - 1989. - V.94. - P.34-40.

249 Tokumitsu E. Correlation between Fermi level stabilization positions and maximum free carrier concentrations in III-V compound semiconductors // Japanese Journal of Applied Physics. - 1990. - V.29, №.5. - P.L698-L701.

250 P.M. Enquist, J.A. Hutchby, T.J. de Lyon Growth and diffusion of abrupt zinc profiles in gallium arsenide and heterojunction bipolar transistor structures grown by organometallic vapor phase epitaxy // Journal ofApplied Physics. - 1988. - V.63. - P.4485-4493.

251 Fujii K. Influence of Zn introduction on AlxGa1 -xAs crystal growth by MOVPE // Journal of Crystal Growth. - 2000. - V.221. - P.75-80.

252 Nelson A.W., Westbrook L.D. A study of p-type dopants for InP grown by adduct

MOVPE // Journal of Crystal Growth. - 1984. - V.68. - P.102-110.

253 Kuech T.F., Wang P.-J., Tischler M.A., Potemski R., Scilla G.J., Cardone F. The control and modeling of doping profiles and transients in MOVPE growth // Journal of Crystal Growth. - 1988. - V.93. - P.624-630.

254 Enquist P., Wicks G.W., Eastman L.F., Hitzman C. Anomalous redistribution of beryllium in GaAs grown by molecular beam epitaxy // Journal of Applied Physic. - 1985. - V.58, №.11. - P.4130-4134.

255 Liu B.D., Shieh T.H., Wu M.Y., Chang T.C., Lee S.C., Lin H.H. Stress-induced outdiffusion of Be in p+ GaAs prepared by molecular-beam epitaxy // Journal of Applied Physics. - 1992. - V.72, №.7. - P.2767-72.

256 Kopf R.F., Schubert E.F., Downey S.W., Emerson A.B. N- and P-type dopant profiles in distributed Bragg reflector structures and their effect on resistance // Applied Physics Letters. - 1992. - V.61, №.15. - P.1820-1822.

257 Xu J., Towe E., Yuan Q., Hull R. Beryllium doping and silicon amphotericity in (110) GaAs-based heterostructures: structural and optical properties // Journal of Crystal Growth. - 1999. - V.196. - P.26-32.

258 Kobayashi N., Makimoto T., Horikoshi Y. Abrupt p-type doping profile of carbon atomic layer doped GaAs grown by flow-rate modulation epitaxy // Applied Physics Letters. - 1987. - V.50, №.20. - P.1435-1437.

259 Ладугин М.А., Сухарев А.В., Падалица А.А., Булаев П.В., Мармалюк А.А. Особенности легирования углеродом GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии // Материалы Электронной Техники. Известия вузов. - 2008. - №1. - С. 36-40.

260 Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках / Милнс А. -Пер. с англ. под ред. М.К. Шейнкмана. - М.:Мир. - 1977. - 562 с

261 Лантратов В.М., Калюжный Н.А., Минтаиров С.А., Тимошина Н.Х., Шварц М.З., Андреев В.М. Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т.41, №.6. - C.751-755.

262 Винокуров Д.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Симаков В.А., Сухарев А.В., Фетисова Н.В., Шамахов В.В., Тарасов И.С. Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, № 9. -С. 1253-1256.

263 Takamoto T., Ikeda E., Kurita H., Onmori M. Over 30% efficient InGaP/GaAs tandem solar cells // Applied Physics Letters. - 1997. - V.70. - P.381-383.

264 Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Николаев Д.Н., Станкевич А.Л., Хомылев М.А., Шамахов В.В., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Налет Т.А., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Тарасов И.С. Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения // Физика и техника полупроводников. -2005. - Т.39. - №3. - С.388-392.

265 Malyarchuk V., Tomm J.W., Lienau Ch., Behringer M., Luft J. Uniformity tests of individual segments of interband cascade diode laser Nanostacks // Journal of Applied Physics. - 2002. - V.92, №.5. - P.2729-2733.

266 Olsen G.H., Ettenberg M. Calculated stresses in multilayered heteroepitaxial structures // Journal of Applies Physics. - 1977. - V. 48, № 6. - Р. 25432547.

267 Давыдова Е.И., Зверков М.В., Коняев В.П., Кричевский В.В., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Симаков В.А., Сухарев А.В., Успенский М.Б. Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм // Квантовая электроника. - 2009. - Т. 39, № 8. - С. 723-726.

268 Guo W., Shen G., Li J., Wang T., Gao G., Zou D. Tunneling regenerated high power dual-wavelength laser diodes // Proceedings of SPIE. - 2004. - V.5452. - P.250-254.

269 Guo W., Shen G., Li J., Wang T., Gao G., Zou D. Dual wavelength 650-780 nm laser diodes // Proceedings of SPIE. - 2005. - V.5623. - P.217-221.

270 Белянин А.А., Деппе Д., Кочаровский В.В., Кочаровский Вл.В., Пестов Д.С.,

Скалли М.О. Новые схемы полупроводниковых лазеров и освоение терагерцового диапазона // Успехи физических наук. - 2003. - Т.173, №9. - С.1015-1021.

271 Бирюков А.А., Звонков Б.Н., Некорин С.М., Демина П.Б., Семенов Н.Н., Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Дубинов А.А., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Белянин А.А., Кочаровский В.В., Кочаровский Вл.В. Многочастоный межзонный двухкаскадный лазер // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т.41, №10. -С.1226-1230.

272 Винокуров Д.А., Ладугин М.А., Лютецкий А.В., Мармалюк А.А., Петрунов А.Н., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Станкевич А.Л., Фетисова Н.В., Шашкин И.С., Аверкиев Н.С., Тарасов И.С. Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, № 6. - С. 833-836.

273 Crump P., Erbert G., Wenzel H., Frevert C., Schultz C. M., Hasler K.-H., Staske R., Sumpf B., Maaßdorf A., Bugge F., Knigge S., Trankle G. Efficient High-Power Laser Diodes // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. - 2013. - V. 19, № 4. - P. 1501211.

274 Ф. Крейт. Основы теплопередачи: Пер. с англ. / Ф. Крейт, У. Блэк. - М.: Мир, 1983. - 512 с.

275 Микаелян Г.Т. Анализ тепловых режимов мощных полупроводниковых лазеров и наборных решеток // Квантовая электроника. - 2006. - Т. 36, № 3. - С. 222-227.

276 Shane D. Mayor, Scott M. Spuler. Raman-shifted eye-safe aerosol lidar // Applied Optics. - 2004. - Vol. 43, № 19. - P. 3915-3924.

277 Алферов Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.И., Никитин В.Г., Портной Е.Л., Яковенко А.А. Рекомбинационное излучение в четырехслойных структурах на основе гетеропереходов GaAs-AlAs // ФТП. - 1972. - Т. 6, № 4. - С. 739.

278 Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Rozhkov A.V., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Bagaev T.A., Zverkov M.V., Konyaev V.P., Kurniavko Y.V., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A., Simakov V.A. High-Power Pulse Semiconductor Laser-Thyristor

Emitting at 900-nm Wavelength // IEEE Photonics Technology Letters. - 2013. - V. 25, №17. - P. 1664.

279 Гусев В.Г. Электроника и микропроцессорная техника: учеб, для вузов. / Гусев В.Г. - М.: Высшая школа, 2004. - C.790.

280 Слипченко С.О., Подоскин А.А., Васильева В.В., Пихтин Н.А., Рожков А.В., Горбатюк А.В., Золотарев В.В., Веселов Д.А., Жаботинский А.В., Петухов А.А., Тарасов И.С., Багаев Т.А., Зверков М.В., Коняев В.П., Курнявко Ю.В., Ладугин М.А., Лобинцов А.В., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Симаков В.А. Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890-910 нм // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, № 5. - С. 716-718.

281 Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Rozhkov A.V., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Bagaev T.A., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A., Simakov V.A. HighPower Laser Thyristors With High Injection Efficiency (890-910 nm) // IEEE Photonics Technology Letters. - 2015. - V. 27, № 3. - P. 307-310.

282 Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А., Курнявко Ю.В., Лобинцов А.В., Данилов А.И., Сапожников С.М., Кричевский В.В., Зверков М.В., Коняев В.П., Симаков В.А., Слипченко С.О., Подоскин А.А., Пихтин Н.А. Двойной интегрированный лазер-тиристор // Квантовая электроника. - 2019. - Т.49, № 11. -С. 1011-1013.

283 Мармалюк А.А., Давыдова Е.И., Зверков М.В., Коняев В.П., Кричевский В.В., Ладугин М.А., Лебедева Е.И., Петров С.В., Сапожников С.М., Симаков В.А., Успенский М.Б., Яроцкая И.В., Пихтин Н.А., Тарасов И.С. Лазерные диоды с несколькими излучающими областями (1=800-1100 нм) на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, № 4. - С. 528-534.

284 Горлачук П.В., Рябоштан Ю.Л., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А., Курносов В.Д., Курносов К.В., Журавлева О.В., Романцевич В.И., Чернов Р.В., Иванов А.В., Симаков В.А. Линейки импульсных лазерных диодов спектрального

диапазона 1.5 - 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP // Квантовая электроника. - 2013. - Т. 43, № 9. - С. 822-823.

285 Давыдова Е.И., Коняев В.П., Ладугин М.А., Лебедева Е.И., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Петров С.В., Сапожников С.М., Симаков В.А., Успенский М.Б., Яроцкая И.В. Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения Х=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур // Квантовая электроника. - 2010. - Т. 40, № 8 - С. 682-684.

286 Bai J. G., Bao L., Dong W., Guan X., Elim S., Zhang S., Patternson J., Grimshaw M., DeVito M., Kanskar M., Martinsen R., Haden J. Optimized Performance of 808 nm Diode Laser Bars for Efficient High-Power Operation // Proc. of SPIE - V. 8605 - P. 86050F-1-86050F-7.

287 Majumdar. Free-Space Laser Communications. Principles and Advances / Majumdar, Arun K., Ricklin, Jennifer C. - Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2008. -418p.

288 Ладугин М.А., Багаев Т.А., Мармалюк А.А., Коваль Ю.П., Коняев В.П., Сапожников С.М., Лобинцов А.В., Симаков В.А. Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs // Квантовая электроника. - 2018. - Т. 48, № 11. - С. 993-995.

289 Ладугин М.А, Гультиков Н.В., Мармалюк А.А., Коняев В.П., Соловьева А.В. Непрерывные лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs // Квантовая электроника. - 2019. - Т.49, № 10. - С. 905-908.

290 Коняев В.П., Мармалюк А.А., Ладугин М.А., Багаев Т.А., Зверков М.В., Кричевский В.В., Падалица А.А., Сапожников С.М., Симаков В.А. Решетки лазерных диодов с повышенной мощностью и яркостью импульсного излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, № 1. - С. 104-108.

291 Li H. E. Material parameters of InGaAsP and InAlGaAs systems for use in quantum well structures at low and room temperatures // Physica E: Low-dimensional Systems and

Nanostructures. - 2000. - V 5. - P.215-273

292 Андреева Е.В., Ильченко С.Н., Ладугин М.А., Лобинцов А.А., Мармалюк А.А., Шраменко М.В., Якубович С.Д. Широкополосные полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 - 1100 нм // Квантовая электроника. - 2013. - Т. 43, №11. - С. 994-998.

293 Zorn M., Hülsewede R., Schulze H., Sebastian J., Schröder D., Hennig P. New developments of high-power single emitters and laser bars at JENOPTIK // Proc. of SPIE - V. 7918 - P. 79180S-1.

294 Булаев П.В., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Никитин Д.Б., Петровский А.В., Залевский И.Д., Коняев В.П., Оськин В.В., Зверков М.В., Симаков В.А., Зверев Г.М., Мощные полупроводниковые лазеры (X = 0.89 - 1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения // Квантовая электроника. - 2002. - В. 32. - № 3. - С. 213215.

295 Gorlachuk P., Yarotskaya I., Ryaboshtan Yu., Ladugin M., Padalitsa A., Marmalyuk A., Ivanov A., Kurnosov V., Kurnosov K., Zhuravleva O., Chernov R. Romantsevich V., Lobintsov A., Simakov V. High power 1550 nm Multijunction Laser Emitters Based On Integrated Heterostructure // Proceedings of 16-th International Conference Laser Optics. St. Petersburg, Russia. - 30 June - 4 July 2014. - P. 47.