Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, доктор технических наук Мармалюк, Александр Анатольевич

• Мармалюк, Александр Анатольевич
• доктор технических наук
• 2006

Оглавление диссертации доктор технических наук Мармалюк, Александр Анатольевич

Введение.

1. Гетероструктуры на основе полупроводников AmBv для приборных применений.

1.1. Основные свойства соединений AmBv и их твердых растворов.

1.2. Гетероструктуры для лазерных диодов.

1.3. Гетероструктуры для суперлюминесцентных диодов.

1.4. Гетероструктуры для фотоприемников с квантовыми ямами.

1.5. Гетероструктуры для полупроводниковых фотокатодов.

2. Методика и техника эксперимента.

2.1 Оборудование МОС-гидридной эпитаксии.

2.2 Измерительная и аналитическая техника.

3. Разработка технологии получения гетероструктур для лазерных диодов.

3.1 Гетероструктуры в системе AlGaAs/GaAs (^.=750-850нм).

3.1.1 Получение эпитаксиальных слоев GaAs.

3.1.1.1 Общие закономерности эпитаксиального роста.

3.1.1.2 Легирование GaAs.

3.1.1.3 Дельта-легирование.

3.1.2 Получение эпитаксиальных слоев AlGaAs.

3.1.3 Проблема получения резких гетеропереходов и квантовых ям.

3.1.4 Получение приборных гетероструктур.

3.1.4.1 Оптимизация легирования гетероструктур для лазерных диодов

3.1.4.2 Лазерные диоды спектрального диапазона 740-770 нм.

3.1.4.3 Лазерные диоды спектрального диапазона 770-860 нм.

3.1.4.4 Линейки лазерных диодов спектрального диапазона 770-860нм

3.2 Гетероструктуры в системе InGaAs/AlGaAs (1=870-1 ЮОнм).

3.2.1 Проблема получения напряженных квантовых ям.

3.2.1.1 Критическая толщина и особенности дефектообразования.

3.2.1.2 Оптимизация условий получения напряженных квантовых ям.

3.2.2 Сегрегация атомов индия и формирование резких гетерограниц.

3.2.2.1 Особенности распределения In в квантоворазмерных ГС.

3.2.2.2 Разработка практических подходов к повышению резкости гетерограниц квантовых ям.

3.2.2.3 Модель сегрегации в квазижидком приближении.

3.2.3 Получение приборных гетероструктур.

3.2.3.1 Влияние сегрегации In на получение одномодовых лазерных диодов на основе гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs.

3.2.3.2 Получение лазерных диодов с малой расходимостью.

3.2.3.3 Лазерные диоды спектрального диапазона 860-920 нм.

3.2.3.4 Лазерные диоды спектрального диапазона 920-1000 нм.

3.2.3.5 Лазерные диоды спектрального диапазона 1000-1100 нм.

3.3 Гетероструктуры в системе GalnAsP/InP (А,=1300-1800нм).

3.3.1 Получение эпитаксиальных слоев InP.

3.3.2 Получение эпитаксиальных слоев InGaAs.

3.3.3 Получение эпитаксиальных слоев GalnAsP.

3.3.4 Получение гетероструктур GalnAsP/GalnAsP с квантовыми ямами

3.3.5 Получение приборных гетероструктур.

3.3.5.1 Лазерные диоды спектрального диапазона 1300-1550 нм.

3.3.5.2 Лазерные диоды спектрального диапазона 1600-2000 нм.

3.4 Гетероструктуры в системе AlGalnAs/InP (А,=1300-1800нм).

3.4.1 Получение эпитаксиальных слоев AlGalnAs.

3.4.2 Оптимизация получения гетероструктур (Al)GaInAs/AlGaInAs с квантовыми ямами.

3.4.3 Получение приборных гетероструктур.

4. Гетероструктуры для суперлюминесцентных диодов.

4.1 Гетероструктуры AlGaAs/GaAs (Я=750-850нм).

4.2 Гетероструктуры InGaAs/AlGaAs (?i=870-1080hm).

4.3 Гетероструктуры GalnAsP/InP и AlGalnAs/InP (1=1300-1800нм).

5. Разработка технологии получения гетероструктур с квантовыми ямами для

ИК-фотоприемников спектрального диапазона 3-5 и 8-12 мкм.

5.1 Гетероструктуры GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами (8-12 мкм).

5.2 Гетероструктуры InGaAs/AlGaAs с квантовыми ямами (3-5 мкм).

5.3 Двухспектральные гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами (3-5 и 8-12мкм).

6. Разработка технологии получения гетероструктур для фотокатодов.

6.1 Гетероструктуры AlGaAs/GaAs.

6.2 Гетероструктуры GalnP/AlGalnP/GaAs.

6.3 Гетероструктуры GaAsP/AlGaAsP/GaAs.

6.4 Гетероструктуры InGaAs/AlGalnAs/GaAs.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники»

Последние успехи и достижения современной электронной техники во многом обязаны прогрессу в создании полупроводниковых приборов и устройств на их основе. Уникальные характеристики полупроводниковых оптоэлектронных приборов последнего поколения во многом определяются прогрессом в технологии формирования эпитаксиальных гетероструктур (ГС) на основе полупроводников АШВУ, в первую очередь квантоворазмерных [1]. Многокомпонентные твердые растворы соединений AUIBV обеспечивают широкие возможности управления фундаментальными физическими параметрами, что значительно расширяет спектр их возможных применений [2]. Именно на стадии получения ГС формируются основные параметры приборов, поэтому разработка такой современной отечественной технологии является важнейшей задачей.

Среди возможных методов получения эпитаксиальных ГС на передний план выдвигается МОС-гидридная эпитаксия (МОСГЭ). Она объединяет в себе как достоинства высокопрецизионного метода формирования эпитаксиальных слоев (ЭС), включая квантоворазмерные, так и преимущества высокой производительности и низкой себестоимости, что незаменимо для создания технологий промышленного получения ГС [3].

Современные ГС отличают высокие требования к соблюдению геометрии, энергетической диаграммы, профиля легирования и наличие одной или более квантовых ям (КЯ) с заданными параметрами. Изготовление многих приборов оптоэлектроники и ИК-техники последнего поколения, среди которых, в первую очередь, лазерные диоды (ЛД), суперлюминесцентные диоды (СЛД) и ИК-фотоприемники (ИК-ФП) с КЯ, невозможно без использования многослойных многокомпонентных квантоворазмерных ГС. Приборные характеристики во многом определяются конструкцией и качеством ГС, что требует высокого уровня технологии формирования указанных ГС. Следовательно, реализация потенциальных преимуществ МОСГЭ возможна только в случае использования хорошо отработанных технологий получения многослойных многокомпонентных ГС.

Задача разработки технологии МОСГЭ осложняется необходимостью учета множества параметров, влияющих на процесс осаждения ЭС и требующих оптимизации. Это обуславливает необходимость проведения комплексных исследований закономерностей роста соединений АШВУ и твердых растворов на их основе в условиях МОСГЭ, изучения особенностей формирования квантоворазмерных слоев и оптимизации процесса роста для получения многослойных ГС с высокой однородностью параметров и воспроизводимостью.

Среди квантоворазмерных ГС помимо КЯ в последнее время значительный интерес к себе привлекают ГС с квантовыми проволоками (КП) и квантовыми точками (КТ). Понижение размерности от двумерной (КЯ) к одномерной (КП) и нульмерной (КТ) позволяет изменить энергетический спектр носителей заряда и реализовать ряд интересных эффектов [1]. Однако работы по ГС с КП и КТ до сих пор носят исследовательский характер и их промышленная реализация все еще впереди. Изучение ГС с КЯ началось ранее, что сделало их сейчас основой многих промышленно освоенных приборов. Поэтому в данной работе основной упор сделан на разработку промышленно ориентированной технологии получения именно ГС с КЯ.

К середине 90-х годов прошлого столетия метод МОСГЭ завоевал признание как один из перспективных для промышленного получения приборных ГС на основе соединений AmBv и твердых растворов на их основе. К этому моменту достаточно подробно был изучен процесс получения одиночных ЭС GaAs, InP и твердых растворов на их основе [4, 5]. Однако в литературе не обнаружилось исчерпывающей информации, достаточной для организации выпуска приборных ГС, состоящих из множества ЭС, зачастую отличающихся оптимальными режимами осаждения. Недостаточно полно изучены вопросы взаимосвязи между условиями осаждения ЭС и их параметрами. Слабо освещены вопросы оптимизации конструкции квантоворазмерных ГС и условий их формирования для улучшения приборных характеристик.

В связи с этим актуальность разработки технологии формирования квантоворазмерных ГС на основе соединений AU1BV для приборных применений методом МОСГЭ является очевидной.

Цель работы состояла в создании технологии формирования методом МОСГЭ квантоворазмерных ГС на основе соединений АП1ВУ и твердых растворов на их основе для приборов оптоэлектроники и ИК-техники.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Установить взаимосвязь между параметрами процесса роста и характеристиками ЭС и определить закономерности формирования твердых растворов на основе GaAs и InP заданного состава и/или с требуемым профилем изменения состава или ширины запрещенной зоны.

2. Установить закономерности легирования ЭС GaAs, InP и твердых растворов на их основе примесями п- и р-типа проводимости в условиях МОСГЭ и разработать технологические приемы повышения резкости создаваемых р-n переходов.

3. Исследовать особенности формирования в условиях МОСГЭ напряженных ГС с ЭС нанометрового диапазона толщин, изучить закономерности их дефектообразования и распределения компонентов и на этой основе разработать процессы получения квантоворазмерных ГС с требуемыми характеристиками.

4. На основе проведенных исследований разработать технологические режимы формирования ГС на основе соединений АШВУ для лазерных диодов (ЛД) и суперлюминесцентных диодов (СЛД) на диапазон 0.751.80 мкм; ИК-фотоприемников (ИК-ФП) с КЯ на спектральный диапазон 3-5 и 8-12 мкм, в т.ч. двухспектральных с одновременной чувствительностью в указанных диапазонах; полупроводниковых фотокатодов (ФК) чувствительных в спектральном диапазоне 350-1100 нм.

Научная новизна

Проведено комплексное исследование процесса получения ЭС трех- и четырехкомпонентных твердых растворов на основе GaAs и InP и установлены закономерности влияния технологических факторов процесса МОСГЭ при пониженном давлении на их скорость роста, электрофизические и структурные свойства. Исследованы и определены режимы подачи исходных газообразных реагентов для получения ЭС с заданным характером изменения их свойств, изучена взаимосвязь состава газовой фазы с составом твердой фазы и скоростью роста ЭС.

Исследованы и определены условия легирования ЭС GaAs, InP и твердых растворов на их основе. Предложен способ получения дельта-легированных слоев п- и р-типа проводимости в условиях МОСГЭ. Разработана модель формирования профиля легирования атомами Zn с учетом диффузии последнего в условиях движущейся границы роста. Установлено, что профильное легирование ГС для ЛД позволяет снизить оптические потери и повысить внутренний квантовый выход.

Определены условия проведения процесса МОСГЭ для получения высококачественных напряженных КЯ и сверхрешеток. Установлено наличие пороговой величины эффективного напряжения в ГС с напряженными КЯ InGaAs, превышение которой приводит к активному дефектообразованию в них.

Изучена сегрегация In в условиях МОСГЭ квантоворазмерных ГС InGaAs/GaAs/AlGaAs и предложена модель, описывающая влияние параметров роста на профиль распределения In в КЯ. Определено, что наиболее эффективным и технологичным способом управления формой КЯ InGaAs является прерывание роста на ее гетерограницах.

В результате комплексного исследования взаимосвязи рабочих характеристик приборов оптоэлектроники и ИК-техники с технологическими условиями формирования ГС на основе GaAs и InP и их твердых растворов установлены закономерности, позволившие оптимизировать технологию их получения для достижения улучшенных приборных характеристик, в том числе для ГС с квантоворазмерной активной областью, пригодных для создания ЛД повышенной мощности, СЛД с расширенным спектром излучения и ИК-ФП, работающих на внутризонных переходах.

На защиту выносятся:

Закономерности влияния технологических параметров процесса МОСГЭ на характеристики ЭС GaAs, InP и твердых растворов на их основе. Зависимость скорости роста ЭС от потоков исходных компонентов и технологических режимов.

Результаты изучения процесса формирования твердых растворов в условиях МОСГЭ. Закономерности изменения расходов исходных компонентов для получения твердых растворов с заданным профилем изменения состава или ширины запрещенной зоны.

Условия легирования ЭС GaAs, InP и твердых растворов на их основе донорными и акцепторными примесями. Режимы формирования резких р-п переходов при легировании ЭС GaAs и AlGaAs углеродом. Способ формирования дельта-легированных слоев п- и р-типа проводимости. Методика получения заданного концентрационного профиля в ГС, легированных цинком, с учетом движущейся границы роста.

Закономерности формирования резких гетеропереходов, КЯ и сверхрешеток в условиях МОСГЭ. Оптимизация процесса получения напряженных КЯ и особенности дефектообразования в них.

Модель сегрегации атомов индия при формирования КЯ InGaAs/(Al)GaAs методом МОСГЭ. Способы уменьшения размытия концентрационных профилей атомов индия.

Технология получения ГС на основе GaAs, InP и их твердых растворов для излучающих и фотоприемных приборов оптоэлектроники и РЖ-техники.

Практическая значимость

Разработана технология выращивания ЭС бинарных соединений, трех- и четырехкомпонентных твердых растворов на основе GaAs и InP и их управляемого легирования примесями п- и р-типа проводимости. Разработана технология формирования ГС с резкими границами областей р-типа путем легирования ЭС GaAs и AlGaAs углеродом. Предложены способы формирования дельта-легированных слоев п- и р-типа проводимости, обеспечивающие возможность прецизионного создания тонких слоев с заданным типом проводимости.

Разработана технология получения резких гетеропереходов, КЯ и сверхрешеток в условиях МОСГЭ при пониженном давлении. Предложены методы подавления сегрегации In, повышения резкости гетерограниц и идентичности КЯ в напряженных квантоворазмерных слоях InGaAs/(Al)GaAs.

Разработана базовая технология получения эпитаксиальных ГС соединений AIIIBV методом МОСГЭ для современных приборов оптоэлектроники и ИК-техники. При этом: широкое разнообразие освоенных систем материалов ((Al)GaAs/AlGaAs/GaAs, InGaAs/AIGaAs/GaAs, InGaAs(P)/InGaAsP/InP и AIGalnAs/AllnAs/InP) позволило создать на их основе и освоить в промышленном производстве целый ряд надежных многомодовых и одномодовых ЛД непрерывного и импульсного режима работы с длинами волн 0,75-1,1 мкм и 1,3-1,8 мкм; совершенствование геометрии квантоворазмерной активной области в ГС на основе указанных систем материалов позволило создать широкополосные СЛД и модули на их основе и организовать их промышленный выпуск; исследование условий формирования ГС с множественными КЯ различного состава позволили разработать технологию получения фото приемных ГС (In)GaAs/AlGaAs на спектральный диапазон 3-5 и 8-12 мкм, в т.ч. двухспектральных структур с одновременной чувствительностью в указанных диапазонах. Разработанные ГС перспективны для сверхвысокооднородных матричных фотоприемников с минимальным разбросом характеристик между отдельными элементами матрицы; разработка процесса формирования фотокатодных ГС GaAs/AlGaAs с высокой однородностью параметров на подложках большой площади и использование наноразмерных ЭС позволило создать полупроводниковые фотокатоды с расширенным в УФ область диапазоном 0,35-0,9 мкм (GaAs/AlGaAs/GaAs), с чувствительностью в зеленой области спектра 0,5-0,65 мкм (InGaP/AlInGaP/GaAs, GaAsP/GaAs) и со сдвинутым в длинноволновую область краем чувствительности 0,55-1,1 мкм (InGaAs/AlGalnAs/GaAs). На их основе может быть организован промышленный выпуск электронно-оптических преобразователей (ЭОП) 3-го поколения с новыми свойствами для производства приборов ночного видения.

В результате выполненных исследований и технологических разработок созданы и освоены в промышленном производстве ГС, предназначенные для изготовления на их основе свыше 50 моделей излучающих и приемных полупроводниковых приборов.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на International Forum on Advanced High-Power Lasers and Applications (Osaka, Japan, 1999), VIII European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (Sevilla, Spain, 1999), X, XI and XII International Conference on Laser Optics (St. Petersburg, Russia, 2000, 2003, 2006), III Международной научно-технической конференции по квантовой электронике (Минск, Белоруссия, 2000), 9th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology» (St Peterburg, Russia, 2001), XIII International Conference on Crystal Growth in Conjunction with XI International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (Kyoto,

Japan, 2001), European Material Research Society Spring Meeting (Strasbourg, France 2001), XII научно-технической конференции по СВЧ-электронике (Нижний Новгород, Россия, 2001), IV Белорусско-Российском Семинаре «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» (Минск, Беларусь, 2002), XXVI Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (Chernogolovka, Russia, 2002), XVII, XVIII и XIX Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, Россия, 2002, 2004, 2006), 11th International Conference on Metalogranic Vapor Phase Epitaxy (Berlin, Germany, 2002), VIII и IX Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморское, Россия, 2002, 2004), I и II Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (Воронеж, Россия, 2002, 2004), X и XI Национальной конференции по росту кристаллов (Москва, Россия, 2002, 2004), X and XI European Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Lecce, Italy, 2003; Lausanne, Switzerland, 2005), European Material Research Society Fall Meeting (Warsaw, Poland, 2003), XIII и XIV Отраслевом координационном семинаре по СВЧ-технике (Нижний Новгород, Россия, 2003, 2005), Совещании по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (Новосибирск, Россия, 2003), Совещании «Нанофотоника» (Нижний Новгород, Россия, 2004), IV Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, Россия, 2004), VI Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Сочи, Россия, 2004), Симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, Россия, 2005, 2006), XVIII Международной научной конференции «Математические методы в технике и технологиях» (Казань, Россия, 2005), VII Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2005» (Москва, Россия, 2005), Международной научной конференции «Тонкие пленки и наноструктуры» (Москва, Россия, 2005).

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 110 работ в отечественной и зарубежной научной печати.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, шести глав, выводов, списка литературы и приложений. Работа содержит 420 страниц текста, включая 181 рисунок, 11 таблиц и список литературы из 447 наименований.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Мармалюк, Александр Анатольевич

Основные результаты и выводы

1. На основе комплексного исследования процесса получения и легирования ЭС на основе соединений AMIBV и их твердых растворов установлены закономерности влияния технологических факторов процесса МОСГЭ при пониженном давлении на скорость роста, электрофизические и структурные свойства ЭС.

2. Теоретические и экспериментальные исследования процесса формирования КЯ, разработка методов улучшения их оптических характеристик, изучение их влияния на рабочие параметры приборов позволили разработать специальные технологические приемы по получению резких гетерограниц и высококачественных КЯ в условиях МОСГЭ, что привело к повышению эксплуатационных характеристик полупроводниковых приборов, использующих КЯ в качестве активной области.

3. Результаты исследований явились основой для разработки технологии формирования многослойных многокомпонентных ГС для ЛД, СЛД, матричных ИК-ФП с КЯ и полупроводниковых ФК.

4. Оптимизация процессов получения квантоворазмерных лазерных ГС позволила увеличить внутренний квантовый выход ЛД, снизить их внутренние оптические потери и увеличить выходную мощность. Результатом явилось освоение выпуска лазерных ГС в следующих системах материалов (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs, InGaAs/AlGaAs/GaAs, InGaAs(P)/InGaAsP/InP и AlGalnAs/AlInAs/InP и создание на их основе мощных многомодовых и одномодовых ЛД непрерывного и импульсного режима работы для спектрального диапазона 0.75-1.1 и 1.31.8 мкм. Реализована выходная мощность многомодовых ЛД в непрерывном режиме работы до 8-10 Вт с апертурой излучения 100 мкм и одномодовых - до 200-300 мВт с апертурой излучения 3-5 мкм. Импульсные лазерные диоды демонстрировали выходную мощность до

50-60 Вт (10 кГц, 100 не), а линейки ЛД - до 150-200 Вт (10 кГц, 1 мкс). Оптимизированные ГС позволили снизить расходимость лазерного излучения в плоскости, перпендикулярной р-n переходу, до величины 10-22° при сохранении остальных характеристик на указанном уровне.

5. На основе расчетных оценок и экспериментальных исследований влияния положения уровней в КЯ на ширину спектра СЛД разработаны конструкции ГС, и оптимизированы режимы их роста для получения приборов с шириной спектра до 50-120 нм в спектральном диапазоне 0.78-1.1 и 1.3-1.6 мкм.

6. Выполнена теоретическая оценка фотоэлектрических параметров ИК-ФП, основанных на внутризонных переходах в КЯ, и экспериментально изучены особенности формирования фотоприемных ГС с множественными КЯ. Проведенный комплекс исследований позволил оптимизировать режимы роста многослойных квантоворазмерных ГС с требуемыми характеристиками и создать на их основе матричные ИК-ФП, чувствительные в диапазонах 3-5 (InGaAs/AlGaAs) и 8-12 мкм (GaAs/AlGaAs). Тестовые ФП без специальных устройств ввода излучения показали обнаружительную способность Z)*=2-5xl010 см-Гц'^-Вт*1 в максимуме спектральной чувствительности при длине волны Хтах=9-\0 мкм и температуре 60 К; и D*=3-6xl010 см-Гц1/2-Вт"' в максимуме спектральной чувствительности при длине волны Хтах= 4.55.0 мкм и температуре 77 К. Разработаны и получены двухспектральные квантоворазмерные ГС для ИК-фотоприемников, обеспечивающих одновременную фоточувствительность в диапазонах 3-5 и 8-12 мкм и обладающих аналогичными параметрами. Такие ИК-фотоприемники «смотрящего» типа обеспечивают возможность создания нового поколения сверхчувствительных тепловизоров без пространственного сканирования изображения.

7. В результате изучения особенностей процесса формирования ГС для полупроводниковых ФК в условиях МОСГЭ и оптимизации условий их роста разработаны и созданы ГС для полупроводниковых ФК с расширенным в УФ область диапазоном 0.35-0.9 мкм (GaAs/AlGaAs/GaAs), с чувствительностью в зеленой области спектра 0.5-0.65 мкм (InGaP/AlInGaP/GaAs, GaAsP/GaAs) и со сдвинутым в длинноволновую область краем чувствительности 0.55-1.1 мкм (InGaAs/AlGalnAs/GaAs). Организован промышленный выпуск фотокатодных ГС GaAs/AlGaAs с высокой однородностью параметров на подложках большой площади, пригодных для создания на их основе ЭОП 3-го поколения.

8. В результате выполненной работы разработана технология получения многослойных многокомпонентных ГС на основе соединений AIMBV методом МОСГЭ, позволившая создать и освоить в промышленном производстве ряд квантоворазмерных ГС, предназначенных для изготовления на их основе свыше 50 моделей излучающих и фотоприемных приборов.

373

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Мармалюк, Александр Анатольевич, 2006 год

1. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетеросгруктур // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. №1. С. 3 18.

2. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Долгинов JI.M., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в оптоэлектронике // Вестник АН СССР. 1978. №4. С. 31 — 38.

3. Акчурин Р.Х. МОС-гидридная эпитаксия: современное состояние и основные тенденции развития // Материалы электронной техники. Известия вузов. 1999. №2. С. 4-12.

4. Razeghi М. The MOCVD chalange. Adam Hilger.: Bristol, 1989.

5. Stringfellow G.B. Organometallic vapor-phase epitaxy: theory and practice. 2nd ed. Academic Press. San Diego. 1999. 572 p. (1st ed. 1989.)

6. Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology/edited by Madelung О. V. 17a. N. Y.: Springer, 1982. - 427 p.

7. Соединения A3B5. Стрельченко C.C., Лебедев B.B.: Справ, изд. М.: Металлургия 1984. 144 с.

8. Semiconductors. Group IV Elements and III-V Compounds/Editor Madelung O. -Berlin Heidelberg.: Springer-Verlag, 1991. 164 p.

9. Физические величины: Справочник / А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, A.M. Братковский и др.; Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мелихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. - 1232 с.

10. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Учебник для вузов. М.: Металлургия, - 1988. - 574 с.

11. Glisson Т.Н., Hauser J.R., Littlejohn М.А., Williams С.К. // J. Electron. Mater. 1978. V. 7. P. 1.

12. Krijn M.P.C.M. Heterojunction band offsets and effective masses in III-V quaternary alloys // Semicond. Sci. Technol. 1991. V. 6. P. 27-31.

13. Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys // J. Appl. Phys. 2001. V.89. № 11. P. 5815-5875.

14. Li E.H. Material parameters of InGaAsP and InAlGaAs systems for use in quantum well structures at low and room temperatures // Physica E. 2000. V. 5. P. 215-273.

15. Hamoudi A., Ougazzaden A., Krauz Ph., Rao E.V.K., Juhel M., Thibierge H. Cation interdiffusion in InGaAsP/InGaAsP multiple quantum wells with constant P/As ratio // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. № 6. P. 718.

16. Hirayama Y., Choi W.Y., Peng L.H., Fonstad S.H. Absorption spectroscopy on room temperature excitonic transitions in strained layer InGaAs/InGaAlAs multiquantum-well structures// Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 74. № 1. P. 570.

17. Nahorny R.E., Pollak M.A., Johnston W.D. Band gap versus composition and demonstration of Vegard's law for In^GaxAsyPi-y lattice matched to InP // Appl. Phys. Lett. 1978. V. 33. № 7. P. 659.

18. Moon L., Antypas G.A., James L.W. // J. Electron. Mater. 1974. V. 3. P. 635.

19. Van de Walle C.G. Band lineups and deformation potentials in the model-solid theory//Phys. Rev. B. 1989. V. 39. №3. P. 1871-1882.

20. Guden M., Piprek J. Material parameters of quaternary III-V semiconductors for multilayer mirrors at 1.55 im wavelength // Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. 1996. V. 4. P. 349-357.

21. Hall R.N., Fenner G.E., Kingley J.D., Soltys T.J., Carlson R.O. Coherent Light Emission From GaAs Junctions // Phys. Rev.Lett. 1963. V. 9. № 9. P. 366.

22. Nathan M.I., Dumke W.P., Burns G., Dill J.H., Lasher G.J. Stimulated emission of radiation from GaAs р-n junction // Appl. Phys. Lett. 1962. V. 1. № 3. P. 62.

23. Наследов Д.Н., Рогачев A.A., Рыбкин C.M., Царенков Б.В. // Физика твердого тела. 1962. Т. 4. С. 1062.

24. Багаев B.C., Басов Н.Г., Вул Б.М., Копыловский Б.Д., Крохин О.Н., Попов Ю.М., Маркин Е.П., Хвощов А.Н., Шотов А.П. // ДАН СССР. 1963. Т. 150. № 2. С. 275.

25. Kressel Н., Nelson Н. Improved red and infrared light emitting AlxGa.xAs laser diodes using the close-confinement structure // Appl. Phys. Lett. 1969. V. 15. № ]. p. 7.

26. Panish M.B., Hayashi I., Sumski S. A technique for the preparation of low-threshold room-temperature GaAs laser diode structures // IEEE J. Quantum Electron. 1969. V. 5. № 4. P. 210.

27. Алферов Ж.И., Андреев B.M., Гарбузов Д.З., Жиляев Ю.В., Морозов Е.П., Портной Е.Л., Трофим В.Г. // Физика и техника полупроводников. 1970. Т. 4. С. 1826.

28. Hayashi I., Panish М.В., Foy P.W., Sumski S. Junction lasers which operate continuously at room temperature // Appl. Phys. Lett. 1970. V. 17. № 3. P. 109.

29. Panish M.B. at al. Reduction of threshold current density in GaAsAlx Ga^ As heterostructure lasers by separate optical and carrier confinement // Appl. Phys. Lett. 1973. V. 22. P. 590.

30. Kirkby P.A., Thompson G.H.B. // Opto-Electronics. 1972. V. 4. № 3. P. 323.

31. Holonyak N., Kolbas R.M., Dupius R.D., Dapkus P.D. Quantum-well heterostructure lasers // IEEE J. Quantum. Electron. 1980. V. 16. № 2. P. 170.

32. Tsang W.T. Extremely low threshold (AlGa)As modified multiquantum well heterostructure lasers grown by molecular-beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1981. V. 39. № 10. P. 786.

33. Зайцев С.В., Гордеев Н.Ю., Устинов В.М. и др. Исследование свойств низкопороговых гетеролазеров с массивами квантовых точек // Физика и техника полупроводников. 1997. Т. 31 № 5. С. 539-544.

34. Holonyak N., Kolbas R.M., Dupuis R.D., Dapkus P.D. Quantum-well heterostructure lasers // IEEE J. Quantum Electron. 1980. V. QE-16. № 2. P. 170185.

35. Кейси X., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах в 2-х томах. М.: Мир, 1981 299 и 364 с.

36. Елисеев П.Г. Введение в физику инжекционных лазеров. М.: Наука, 1983 -294 с.

37. Голоньяк Н.Н. Полупроводниковые лазеры с квантовыми размерными слоями // Физика и техника полупроводников. 1985. Т. 19. № 9. С. 1529-1557.

38. Елисеев П.Г., Попов Ю.М. Полупроводниковые лазеры // Квантовая электроника. 1997. Т. 24. № 12. С. 1067-1079.

39. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. № 1. С. 3-18.

40. Zou W.X., Chuang Z.M., Law К-К., Dagli N., Coldren L.A., Merz J.L. Analysis and optimization of graded-index separate-confinement heterostructure waveguides for quantum well lasers // J. Appl. Phys. 1991. V. 69. № 5. P. 2857-2861.

41. York P.K., Langsjoen S.M., Miller L.M., Beernink K.J., Alwan J.J., Coleman J.J. Effect of confining layer aluminum composition on AlGaAs-GaAs-InGaAs strained-layer quantum well heterostructure lasers // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 9. P. 843-845.

42. Choi H.K., Wang C.A. AlGaAs/InGaAs strained single quantum well diode lasers with extremely low threshold current density and high efficiency // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. №4. P. 321-323.

43. Williams R.L., Dion M., Chatenoud F., Dzurko K. Extremely low threshold current strained InGaAs/AlGaAs lasers by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. № 17. P. 1816-1818.

44. Алферов Ж.И., Антошкис Н.Ю., Арсентьева И.Н., Гарбузов Д.З., Тикунов А.В., Халфин В.Б. // Физика и техника полупроводников. 1987. Т. 21. № 8. С. 1501-1503.

45. Chand N., Becker Е.Е., van der Ziel J.P., Chu N.G., Dutta N.K. Exelent uniformity and very low (<50 A/cm ) threshold current density strained InGaAs quantum well diode lasers on GaAs substrate // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. № 16. P. 1704-1706.

46. Алферов Ж.И., Васильев А.И., Иванов C.B., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Луценко М.Э., Мельцер Б.Я., Устинов В.М. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. С. 1803.

47. Welch D.F., Chan В., Streifer W., Scifres P.R. High-power, 8 W CW, single-quantum-well laser diode array // Electron. Lett. 1988. V. 24. № 2. P. 113-115.

48. Takeshita Т., Okayasu M., Uehara S. High-Output Power and Fundamental Transverse Mode InGaAs/GaAs Strained-Layer Laser with Ridge Waveguide Structure // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. № 6. P. 1220.

49. Hayakawa Т., Matsmoto K., Morishima M. et al. High power AlGaAs quantum well laser diodes prepared by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. № 13. P. 1718.

50. Yoo J.S., Lee S.H., Park G.T., et al. Peculiarities of catastrophic optical damage in single quantum well InGaAsP/InGaP buried-heterostructure lasers// Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 75. №3. P. 1840.

51. Garbuzov D.Z., Abeles J.H., Morris N.A., Gardner P.D., Triano A.R., Harvey M.G., Gilbert D.B., Connoly J.C. High power separate confinement heterostructure

52. AlGaAs/GaAs laser diodes with broadened waveguide // Proc. of SPIE. V. 2682. P. 20-26.

53. Mawst L.J., Bhattachaiya A., Lopez J., Botez D., Garbuzov D.Z., Demarko L., Connoly I.C., Jansen M., Fang F., Nabiev R.F. 8W front-facet power from broad-waveguide Al-free 980 nm diode lasers // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. № 11. P. 1532-1534.

54. Sakamoto M., Welch D.F., Yao H., Endriz J.G., Scifres D.R. High power, high brightness 2 W (200 цт) and 3 W (500 цгп) CW AlGaAs laser diode arrays with long lifetimes //Electron. Lett. 1990. V. 26. P. 729-730.

55. Choi H.K., Wang C.A., Kolesar D.F., Aggarwal R.L., Walpole J.N. High-power, high-temperature operation of AlInGaAs-AlGaAs strained quantum well // IEEE Photon. Technol. Lett. 1991. V. 3. P. 857-859.

56. Emanuel M.A., Carlson N.W., Skidmore J.A. High-Efficiency AlGaAs-Based Laser Diode at 808 nm with Large Transverse Spot Size // IEEE Photonics Technol. Lett. 1996. V. 8. № 10. P. 1291-1293.

57. Waters R.G., Hill D.S., Yellen S.L. Efficiency enhancement in quantum well lasers via tailored doping profiles // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 24. P. 20172018.

58. Liu D.C., Lee C.P., Tsai C.M., Lei T.F., Tsang J.S., Chiang W.H., Tu Y.K. Role of cladding layer thicknesses on strained-layer InGaAs/GaAs single and multiple quantum well lasers // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. № 12. P. 8027-8034.

59. Dutta N.K., Lopata J., Berger P.R., Sivco D.L., Cho A.Y. Performance characteristics of GalnAs/GaAs large optical cavity quantum well lasers // Electron. Lett. 1991. V. 27. № 8. P. 680-682.

60. Veridiell J.M., Ziari M., Welch D.F. Low-loss coupling of 980 nm GaAs laser to cleaved singlemode fibre//Electron. Lett. 1996. V. 32. № 19. P. 1817-1818.

61. Jeon H., Verdiell J-M. Ziari M., Mathur A. High-power low-divergence semiconductor lasers for GaAs-based 980-nm and InP-based 1550-nm applications // IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics. 1997. V. 3. № 6. P. 1344-1350.

62. Авруцкий И.А., Дианов E.M., Звонков Б.Н., Звонков Н.Б., Малкина И.Г., Максимов Г.А., Ускова Е.А. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с туннельно-связанными волноводами // Квантовая электроника. 1997. Т. 24. №2. С. 123-126.

63. Chen Y.K., Wu М.С., Hobson W.S., Chin M.A., Choquette K.D., Freund R.S., Sergent A.M. High-temperature operation of periodic index separate confinement heterostructure quantum well laser // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. № 22. P. 27842786.

64. Temmyo J., Sugo M. Design of high power strained InGaAs/AlGaAs quantum-well lasers with a vertical divergency angle of 18° // Electron. Lett. 1995. V. 31. № 8. P. 642-644.

65. Dion M., Li Z.M., Ross D., Chatenoud F., Williams R.L., Dick S. A study of the temperature sensitivity of GaAs-(Al,Ga)As multiple quantum-well GRINSCH lasers // IEEE J. Selected Topics of Quantum Electronics. 1995. V. 1. № 2. P. 230-233.

66. Waters R.G. Diode laser degradation mechanisms: a review // Prog. Quant. Electr. 1991. V. 15. P. 153-173.

67. Wang C.A., Groves S.H. New materials for diode laser pumping of solid-state lasers // IEEE. J. Quantum Electronics. 1992. V. 28. № 4. P. 942-951.

68. Fisher S.E., Waters R.G., Fekete D., Ballantyne J.M., Chen Y.C., Soltz B.A. Long-lived InGaAs quantum well lasers // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. P. 18611862.

69. Bour D.P., Gilbert D.B., Fabian K.B., Bednarz J.P., Ettenberg M. Low degradation rate in strained InGaAs/AlGaAs single quantum well lasers // IEEE Photon. Technol. Lett. 1990. V. 2. P. 173-174.

70. Yellen S.L., Waters R.G., Chen Y.C., Soltz B.A., Fischer S.E., Fekete D., Ballantyne G.M. 20,000 h InGaAs quantum well lasers // Electron. Lett. 1990. V. 26. P. 2083-2084.

71. Waters R.G., Dalby R.J., Baumann J.A., De Sanctis J.L., Shepard A.H. Dark-line-resistant diode laser at 0.8 |im comprising InAlGaAs strained quantum well // IEEE Photon. Technol. Lett. 1991. V. 3. № 5. P. 409-411.

72. Голикова Е.Г., Дураев В.П., Козиков C.A., Кригель В.Г., Лабутин О.А., Швейкин В.И. Лазеры на основе InGaAsP/InP с квантово-размерными слоями // Квантовая электроника. 1995. Т. 22. № 2. С. 105-107.

73. Fang R.Y., Bertone D., Meliga M., Montrosset I., Oliveti G., Paoletti R. Low-cost 1.55-цт InGaAsP-InP spot size converted (SSC) laser with conventional active layers // IEEE Photonics Technol. Lett. 1997. V. 9. № 8. P. 1084-1086.

74. Borchert В., Gessner R., Stegmuller B. Advanced 1.55 цт quantum-well GalnAlAs laser diodes with enhanced performance // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. №2. P. 1034-1039.

75. Kito M., Otsuka N., Ishino M., Matsui Y. Barrier composition dependence of differential gain and external differential quantum efficiency in 1.3-цт strained-layer multiquantum-well lasers // IEEE J. Quantum Electronics. 1996. V. 32. № 1. P. 3842.

76. Matsui Y., Murai H., Arahira S., Kutsuzawa S., Ogawa Y. 30-GHz bandwidth 1.55-цт strain-compensated InGaAlAs-InGaAsP MQW laser // IEEE Photonics Technol. Lett. 1997. V. 9. № 1. P. 25-27.

77. Mathur A., Dapkus P.D. Fabrication. Characterization and analysis of low threshold current density 1.55-)im-strained quantum-well lasers // IEEE J. Quantum Electron. 1996. V. 32. № 2. P. 222-226.

78. Belenky G.L., Donetsky D.V., Reynolds C.L., Kazarinov R.F., Stengel G.E., Luryi S., Lopata J. Temperature performance of 1.3-jim InGaAsP-InP lasers with different profile of p-doping // IEEE Photonics Technol. Lett. 1997. V. 9. № 12. P. 1558-1560.

79. Kasukawa A., et al. 1.3цт InAsyPi.y-InP Strained-Layer Quantum-Well Lasers Diodes Crown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition // IEEE J. Quantum Electron. 1993. V. 29. № 6. P. 1528-1534.

80. Park S.H. High-temperature Characteristics of Strained InGaAs/InGaAlAs Quantum Well Lasers //Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. P. 3528-3530.

81. Kazarinov R.F., Belenky G.L. Novel design of AlGalnAs-InP laser operating at 1.3 pm // IEEE J. Quantum Electron. 1995. V. 31. № 3. P. 423-425.

82. Stegmuller В., Borchert В., Gessner R. 1.57 jim strained-layer quantum-well Gain AlAs ridge-waveguide laser diodes with high temperature (130°C) andultrahigh-speed (17 GHz) performance // IEEE Photon. Technol. Lett. 1993. V. 5. № 6. P. 597.

83. С. E. Zah, et al. High temperature operation of AlGalnAs/InP lasers // Proc. of 7th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials. Sapporo, Japan. 1995, May 9-13. P.14-17.

84. T.R. Chen, et al. Low-threshold and high temperature operation of InGaAlAs-InP lasers // IEEE Photon. Technol. Lett. 1997. V. 9. P. 17-18.

85. Bi W.G. et al. Improved High-Temperature Performance of 1.3-1.5-pm InNAsP-InGaAsP Quantum-Well Microdisk Lasers // IEEE Photonics Technol. Lett. 1997. V. 9. №8. P. 1072-1074.

86. Kondow M., Uomi K., Niwa A., Kitatani Т., Watahiki S., Yazawa Y. GalnNAs: A novel material for long-wavelength-range laser diodes with excellent high-temperature performance // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. № 2B. P. 1273-1275.

87. Kondow M., Nakatsuka S., Kitatani Т., Yazawa Y., Okai M. Room-temperature pulsed operation of GalnNAs laser diodes with excellent high-temperature performance//Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. № 11. P. 5711-5713.

88. Андреев B.M., Долгинов Jl.M., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1975. 328 с.

89. Уфимцев В. Б., Акчурин P. X. Физико-химические основы жидко-фазной эпитаксии. М.: Металлургия, 1983. 222 с.

90. Кузнецов В.В., Москвин П.П. Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия. 1991,176 с.

91. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Арсентьев И.Н., Бер Б.Я., Вавилова Л.С., Красовский В.В., Чудинов А.В. // Физика и техника полупроводников. 1985. Т. 19. С. 1108.

92. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Воднев А.А., Конников С.Г., Ларионов В.Р., Погребицкий К.Ю., Румянцев В.Д., Хвостиков В.П. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. С. 1089.

93. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / под ред. Ченга J1. и Плога К. М.: Мир, 1989. 580 с.

94. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир, 1989. 240 с.

95. Денисов А.Г., Кузнецов Н.А., Макаренко В.А. Оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии. // Обзоры по ЭТ, серия 7 «Технология, организация производства и оборудование». 1981. Вып. 17 (828). 52 с.

96. Ludowise M.J. Metalorganic chemical vapor deposition of III-V semiconductors //J. Appl. Phys. 1985. V. 58. № 8. P. R31-R55.

97. Razeghi M. The MOCVD chalange. Adam Hilger.: Bristol, 1989.

98. Stringfellow G.B. Organometallic vapor-phase epitaxy: theory and practice. 2nd ed. Academic Press. San Diego. 1999. 572 p. (1st ed. 1989.)

99. Behet M., Hovel R., Kohl A., Mesquida Kusters A., Opitz В., Heime K. MOVPE growth of III-V compounds for optoelectronic and electronic applications // Microelectronics Journal. 1996. V. 27. P. 297-334.

100. Bugge F., Erbert G., Procop M., Rechenberg I., Zeimer U., Weyers M. Effect of growth temperature on performance of AlGaAs/InGaAs/GaAs QW laser diodes // J. Electron. Materials. 1996. V. 25. № 2. P. 309-312.

101. Wang C.A., Walpole J.N., Choi H.K., Missaggia L.J. AlInGaAs-AlGaAs strained single-quantum-well diode lasers // IEEE Photon. Technol. Lett. 1991. V. 3. № 1. P. 4-5.

102. Chelny A.A., Zalevsky I.D., Bulaev P.V., Kobyakova M.Sh. High power laser diodes at 1.06 \im grown by MOCVD // Proc. of SPIE. V. 2683. P. 146-152.

103. Zalevsky I.D., Bulaev P.V., Padalitza A.A., Gorbylev V.A. High reliable 808 nm laser diodes with alGalnAs strained quantum well grown by MOCVD // Proc. of SPIE. V. 2886. P. 50-58.

104. Hirata S., Narui H., Kumagai O. 780 nm AlGaAs DFB lasers fabricated by MOCVD // Electron. Lett. 1988. V. 24. № 4. P. 239.

105. Chand N., Chu S.N.G., Geva M. Effects of substrate misorientation on incorporation, of ambient oxygen and interfacial roughness in AlGaAs/GaAs heterostructures grown by MBE // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P. 2167-2169.

106. Chand N., Jordan A.S., Chu S.N.G., Geva M. Residual oxygen levels in AlGaAs/GaAs QW laser structures: Effects of Si and Be doping and substrate misorientation //Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P. 3270-3272.

107. Mihashi Y., Miyashita M., Kaneno N., Tsugami M., Fujii N., Takamiya S., Mitsui S. Influence of oxygen on the threshold current of AlGaAs multiple quantum well lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition // J. C. G. 1994. V. 141. P. 22-28.

108. Kuech T.F., Potemski R., Cardone F., Scilla G. // J. Electron. Materials. 1992. V. 21. №3. P. 341-344.

109. Kuphal E., Burkhard H., Pocker A. Composition analysis and distributed feedback lasers of strained InGaAsP quantum wells with constant As/P ratio // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. № 7A. P. 3486-3490.

110. Glew R.W., Greene P.D., Henshall G.D., Lowney C., Stagg J.P., Whiteaway J.E.A., Garret В., Norman A.G. Growth and assessment of InGaAs/AnGaAlAs/InP multiple quantum well lasers // J. Cryst. Growth. 1991. V. 107. P. 784-789.

111. Alphonse G.A., Gilbert D.B., Harvey M.G., Ettenberg M. High-power superluminescent diodes // IEEE J. Quantum Electron. 1988. V. 24. № 12. P. 2454.

112. Safin S.A., Semenov A.T., Shidlovsky V.R., Zhukov N.R., Kurnyavko Yu.V. High-power 0.82 jim superluminescent diodes with extremely low Fabry-Perot modulation depth// Electron. Lett. 1992. V. 28. № 2. P. 127.

113. Olsson N.A., Oberg M.G., Tzeng L.D., Cella T. Ultra-low reflectivity 1.5 jim semiconductor laser preamplifier// Electron. Lett. 1988. V. 24. № 9. P. 569.

114. Chang J.T.K., Vukusic J.I. Active mode locking of InGaAsP Brewster angled semiconductor lasers // IEEE J. Quantum Electron. 1987. V. 23. № 8. P. 1329.

115. Lin C.F. Superluminescent diodes with angled facet etched by chemically assisted ion beam etching // Electron. Lett. 1991. V. 27. № 11. P. 968.

116. Burns W.K., Chen C.L., Moeller R.P. Fiber optic gyroscopics with broad-band sources // J. Lightwave Technol. 1983. V. LT-1. P. 98-105.

117. Huang D. Optical coherence tomography// Science. 1991. V. 253. P. 1178-1181.

118. Semenov A.T., Shidlovski V.R., Safin S.A. Wide spectrum single quantum well superluminescent diodes at 0.8 im with bent optical waveguide // Electron. Lett. 1993. V. 29. № 10. P. 854.

119. Semenov A.T., Batovrin V.K., Garmash I.A., Shidlovski V.R., Shramenko M.V., Yakubovich S.D. (GaAl)As SQW superluminescent diodes with extremely low coherence length // Electron. Lett. 1995. V. 31. № 4. P. 314.

120. Chen T.R., Eng L., Zhuang E.H., Yariv A., Kwong N.S., Chen P.C. Quantum well superluminescent diode with very wide emission spectrum // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. № 14. P. 1345-1346.

121. Mikami O., Yasaka H., Noguchi Y. Broader spectral width InGaAsP stacked active layer superluminescent diode // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. № 11. P. 987989.

122. Lin C.F., Lee B.L., Lin P.C. // IEEE Photonics Technol. Lett. 1996. V. 8. P. 1456.

123. Lin C.F., Lee B.L. Extremely broadband AlGaAs/GaAs superluminescent diodes // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. № 12. P. 1598-1600.

124. Ерофейчев В.Г., Мирошников M.M. Перспективы использования ИК матриц в тепловидении // Оптич. Журнал. 1997. Т. 64. № 2. С. 5-13.

125. Levine B.F. Quantum-well infrared photodetectors// J. Appl. Phys. 1993. V. 74. №8. P.R1-R81.

126. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов / Р.Дж. Киес, П.В. Крузе, Э.Г. Патли и др.; Под ред. Р.Дж. Киеса: Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1985. - 328 с.

127. Бовина JI.A., Стафеев В.И Узкозонные твердые растворы (CdHg)Te // в кн. «Физика соединений AnBVI » под ред. А.Н Георгобиани и М.К. Шейнкмана, М.: Наука, 1986.-С. 56.

128. Rogalski A., Jozwikowski К. GaAs/AlGaAs quantum well infrared photoconductors versus HgCdTe photodiodes for long-wavelength infrared applications // Optical Engineering. 1994. V. 33. P. 1477-1484.

129. Liu H.C. Recent progress on GaAs quantum well intersubband infrared photodetectors//Optical Engineering. 1994. V. 33. P. 1461-1467.

130. Sizov F.F., Rogalski A. Semiconductor superlattices and quantum wells for infrared optoelectronics // Progress in Quantum Electronics. 1993. V. 17. P. 93-164.

131. Levine B.F., Choi K.K., Bethea C.G., Walker J., Malik R.J. New 10 pm infrared detector using intersubband absorption in resonant tunneling GaAlAs superlattices // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50. № 16. P. 1092.

132. Gunapala S.D., Levine B.F., Logan R.A., Tanbun-Ek Т., Humphrey D.A. GaAs/GalnP multiquantum well long-wavelength infrared detector using bound-to-continuum state absorption // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 17. P. 1802.

133. Zhou X., Bhattacharya P.K., Hugo G., Hong S.C., Gulari E. Intersubband absorption in strained InxGaixAs/Al0.4Ga0.6As (0<x<0.15) multiquantum wells // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. № 9. P. 855.

134. Shakuda Y., Katahama H. Intersubband Absorption in Ino.15Gao.85As/Alo.35Gao.65As Multiple Quantum Wells // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. V. 29. P. L552.

135. Gunapala S.D., Levine B.F., Ritter D., Hamm R.A., Panish M.B. InGaAs/InP long wavelength quantum well infrared photodetectors // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. № 18. P. 2024.

136. Andersson J.Y., Lundvist L., Paska Z.F., Streubel K., Wallin J. // Proc. of SPIE.1992. V. 1762. P. 216.

137. Gunapala S.D., Levine B.F., Ritter D., Hamm R.A., Panish M.B. Lattice-matched InGaAsP/InP long-wavelength quantum well infrared photodetectors // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. № 5. P. 636.

138. Hoff J., Kim S., Erdtmann M., Williams R., Piotrowski J., Bigan E., Razeghi M. Background limited performance in p-doped GaAs/Gao.7iIn0.29As0.39P0.6i quantum well infrared photodetectors // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. № 1. P. 22.

139. Levine B.F., Cho A.Y., Walker J., Malik R.J., Kleinman, D.A., Sivco D.L. InGaAs/InAlAs multiquantum well intersubband absorption at a wavelength of ^=4.4 jim // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 18. P. 1481.

140. Hasnain G., Levine B.F., Sivco D.L., Cho A.Y. Mid-infrared detectors in the 3-5 jim band using bound to continuum state absorption in InGaAs/InAlAs multiquantum well structures // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. № 8. P. 770.

141. Levine B.F., Gunapala S.D., Kuo J.M., Pei S.S., Hui S. Normal incidence hole intersubband absorption long wavelength GaAs/AlxGa!xAs quantum well infrared photodetectors //Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. № 15. P. 1864.

142. Gunapala S.D., Levine B.F., Ritter D., Hamm R., Panish M.B. InGaAs/InP hole intersubband normal incidence quantum well infrared photodetector // J. Appl. Phys. 1992. V.71.P. 2458.

143. Xie H., Katz J., Wang W.I., Chang Y.C. Normal incidence infrared photoabsorption in p-type GaSb/GaxAl!xSb quantum wells // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V 71. №6. P. 2844.

144. Wang Y.H., Sheng S., Chu J., Ho P. Ultralow dark current p-type strained-layer InGaAs/InAlAs quantum well infrared photodetector with background limited performance for T<100 K// Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. № 6. P. 727.

145. Levine B.F., Hasnain G., Bethea C.G., Chand N. Broadband 8-12 \im high-sensitivity GaAs quantum well infrared photodetector // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. № 26. P. 2704.

146. Choi K.K., Levine B.F., Bethea C.G., Walker J., Malik R.J. Photoexcited Coherent Tunneling in a Double-Barrier Superlattice // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 59. № 21-23. P. 2459.

147. Levine B.F., Bethea C.G., Choi K.K., Walker J., Malik R.J. Bound-to-extended state absorption GaAs superlattice transport infrared detectors // Jpn. J. Appl. Phys. 1987. V. 64. №3. P. 1591.

148. Levine B.F., Bethea C.G., Hasnain G., Shen V.O., Pelve E., Abbott R.R., Hsieh S.J. High sensitivity low dark current 10 цт GaAs quantum well infrared photodetectors // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. № 9. P. 851.

149. Andersson J.Y., Lundqvist L. Near-unity quantum efficiency of AlGaAs/GaAs quantum well infrared detectors using a waveguide with a doubly periodic grating coupler//Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. № 7. P. 857.

150. Andrews S.R., Miller B.A. Experimental and theoretical studies of the performance of quantum-well infrared photodetectors// Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 70. №2. P. 993.

151. Steele A.G., Liu H.C., Buchanan M., Wasilewski Z.R. Importance of the upper state position in the performance of quantum well intersubband infrared detectors // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. № 27. P. 3625.

152. Wu C.S., Wen C.P., Sato R.N., Ни M., Tu C.W., Zhang J., Flesner L.D., Pham L., Nayer P.S. Novel GaAs/AIGaAs multiquantum-well Schottky-junction device and its photovoltaic LWIR detection // IEEE Trans. Electron Devices. 1992. V. 39. № 2. P. 234.

153. Kiledjian M.S., Schulman J.N., Wang K.L. Absorption in GaAs/Gai.xAlxAs quantum wells with resonant barriers for improved responsivity // Phys. Rev. B. 1991. V. 44. № 11-15. P. 5616.

154. Liu H.C. Dependence of absorption spectrum and responsivity on the upper state position in quantum well intersubband photodetectors// Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 73. № 6. P. 3062.

155. Levine B.F., Zussman A., Kuo J.M., de Jong J. 19 цт cutoff long-wavelength GaAs/AlxGaixAs quantum-well infrared photodetectors // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V. 71. № 10. P. 5130.

156. Bandara S.V., Gunapala S.D., Liu J.K., Luong E.M., Mumolo J.M., Hong W., Sengupta D.K., McKelvey M.J. 10-16 jim Broadband quantum well infrared photodetector// Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. № 19. P. 2427.

157. Ritter D. et al. Metalorganic molecular beam epitaxial growth of InP/GalnAs multiquantum wells for infrared photodetection // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. №5. P. 552.

158. Mii Y.J. et al. Large Stark shifts of the local to global state intersubband transitions in step quantum wells // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. № 20. P. 1986.

159. Martinet E., Luc F., Rosensher E., Bois Ph., Delaitre S. Electrical tunability of infrared detectors using compositionally asymmetric GaAs/AlGaAs multiquantum wells // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. № 7. P. 895.

160. Fraenkel A., Brandel A., Bahir G., Finkman E., Livescu G., Asom M.T. Bias dependence of responsivity and transport in asymmetric quantum well infrared detectors // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61. № 11. P. 1341.

161. Goossen K.W. et al. Photovoltaic quantum well infrared detector // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. №20. P. 1701.

162. Levine B.F., Bethea C.G., Shen V.O., Malik R.J. Tunable long-wavelength detectors using graded barrier quantum wells grown by electron beam source molecular beam epitaxy//Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 4. P. 383.

163. Buyngsug O.J. et al. Long-wavelength infrared detection in a Kastalsky-type superlattice structure //Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 5. P. 503.

164. Серженко Ф.Л., Шадрин В.Д. // ФТП. 1991. Т. 25. С. 1579.

165. Gunapala S.D., Levine B.F., Chand N. Bound to continuum superlattice miniband long wavelength GaAs/AlxGaixAs photoconductors // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 70. №1. P. 305.

166. Bandara K.M.S.V., Coon D.D., О В., Lin Y.F., Francombe M.H. Exchange interactions in quantum well subbands // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. № 20. P. 1931.

167. Kastalsky A.A., Duffield Т., Allen S.J., Harbison J. Photovoltaic detection of infrared light in a GaAs/AlGaAs superlattice // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 16. P. 1320.

168. Wu C.S, Wen C.P., Sato R.N, Ни M, Tu C.W, Zhang Tu.J, Flesner L.D, Le Pham, Nayer P.S. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1992. V. ED-39. № 6. P. 1320.

169. Yu L.S, Li S.S. A metal grating coupled bound-to-miniband transition GaAs multiquantum well/superlattice infrared detector // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. № 11. P. 1332.

170. Yu L.S, Wang Y.H, Li S.S, Ho P. Low dark current step-bound-to-miniband transition InGaAs/GaAs/AlGaAs multiquantum-well infrared detector // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. № 8. P. 992.

171. Borenstain S.J, Grave I, Larsson A, Rich D.H, Jonsson B, Andersson I. // Long-wavelength infrared spectroscopy of an asymmetrically structured Gao.6Alo.4As/GaAs superlattice // Phys. Rev. B. 1991. V. 43. № 11-15. P. 9320.

172. Gunapala S.D, Bandara S.V, Singh A, Liu J.K, Luong E.M, Mumolo J.M, McKelvey M.J. // Proc. of SPIE. 1998. V. 3379. P. 225.

173. Kheng K, Ramsteiner J. M. E, Schheider H. Two-color GaAs/(AlGa)As quantum well infrared detector with voltage-tunable spectral sensitivity at 3-5 and 812 jim// Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61. №6. P. 666.

174. Gunapala S.D, Bandara S.V, Liu J.K, Hong W., Sundaram M, Maker P.D. Muller R.E, Shott C.A, Carralejo R. Long-wavelength 640x486 GaAs-AlGaAsquantum well infrared photodetector snap-shot camera // IEEE Trans. Electron Devices. 1998. V. 45. № 9. P. 1890.

175. Tidrow M.Z., Chiang J.C., Li Sheng S., Bacher K. A two-stack two-color high strain quantum well infrared photodetector // Proc. of SPIE. 1997. V. 3061. P. 772780.

176. Bois Ph., Costand E., Dubuz J.Y., Nagle J. Technology of Multiquantum Well Infrared Detectors // Proc. of SPIE. 1997. V. 3061. P. 764-771.

177. Avetisjan G.H., Kulikov V.B., Kotov V.P., Erkin A.K., Zalevsky I.D. Quantum Well Infrared Photodetectors array on a basis of GaAs/AlGaAs MQW grown by MOCVD // Proc. of SPIE. 1995. V. 2790. P. 30-37.

178. B.F. Levine, C.G. Bethea, K.G. Glogovsky et al. Long-wavelength 128x128 quantum well infrared photodetector arrays// Semicond. Sci. Techn. 1991. V. 6. P. 114.

179. Chen C.J., Choi K.K., Chang W.H., Tsui D.C. Corrugated Quantum Well Infrared Photodetectors // Proc. of SPIE. 1997. V. 3061. P. 728-739.

180. Andersson J.Y., Alverbo J., Borglind J., Helander P., Martijin H., Ostland M. 320x240 Pixels Quantum Well Infrared Photodetector (QWIP) Array for Thermal Imaging: Fabrication and Evaluation // Proc. of SPIE. 1997. V. 3061. P. -740-748.

181. Behet M., Hovel R., Kohl A., Mesquida Kusters A., Opitz В., Heime K. MOVPE growth of III-V compounds for optoelectronic and electronic applications // Microelectronics Journal. 1996. V. 27. P. 297-334.

182. Kock A., Gornik E., Absreiur G., Bohm G., Walther M., Weimann G. Double wavelength selective GaAs/AlGaAs infrared detector device // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. № 16. P. 2011.

183. Li W.J., McCombe B.D. Coupling efficiency of metallic gratings for excitation of intersubband transitions in quantum-well structures // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V. 71. №2. P. 1038.

184. Hobson W.S., Zussman A., Levine B.F., de Jong J., Geva M., Luther L.S. Carbon-doped long wavelength GaAs/AlxGaixAs quantum well infrared photodetectors grown by organometallic vapor phase epitaxy // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. №7. P. 3642-3644.

185. Pham L., Jiang X.S., Yu P.K.L. High-responsivity intersubband infrared photodetector using InGaAsP/InP superlattice // IEEE Electron Device Lett. 1993. V. 14. №2. P. 74.

186. Аветисян Г.Х., Залевский И.Д., Кузнецов Ю.А., Куликов В.Б. Фотоприемники на основе сверхрешеток // Электронная промышленность. 1993. № 6-7. С. 69-70.

187. Tsai K.L., Lee C.P., Chang K.H., Chen H.R., Tsang J.S. Influence of oxygen on the performance of GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors // J. Appl. Phys. 1994. V. 76. №1. P. 274-277.

188. Hardtdegen H., Hollfelder M., Ungermanns Ch., Wirtz 1С., Carius R., Guggi D., Luth H. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1993. V. 136. P. 625.

189. Allenson M.B., King P.G.R., Rowland M.C., Steward G.J., Symc C.H.A. An improved GaAs transmission photocathode // J. Phys. D. 1972. V. 5. № 10. P. L89-L92.

190. Guttierrez W.A., Wilson H.L., Yee E.M. GaAs transmission photocathode grown by hybrid epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1974. V. 25. № 9. P. 482-483.

191. Antypas G.A., Edgecumbe J. Glass-sealed GaAs-AlGaAs transmission photocathode // Appl. Phys. Lett. 1975. V. 26. № 7. P. 371-372.

192. James L.W., Antypas G.A., Edgecumbe J., Moon R.L., Bell R.L. Dependence on Crystalline Face of the Band Bending in Cs2 O-Activated GaAs // Jpn. J. Appl. Phys. 1971. V. 42. № 12. P. 4976.

193. Olsen G.H., Szostak D.J., Zamerowski T.J., Ettenberg M. High-performance GaAs photocathodes //J. Appl. Phys. 1977. V. 48. № 3. P. 1007-1008.

194. Антонова Л.И., Бирюлин Ю.Ф., Вуль А.Я., Денисов В.П., Забелина Л.Г., Ичкитзе P.P., Климин А.И., Козлов С.Е., Шмарцев Ю.В. Арсенид-галлиевый фотокатод с интегральной чувствительностью 3200 мкА/лм // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. № 10. С. 602-605.

195. Bell R.L., Uebbing J.J. Photoemission from InP-Cs-0 // Appl. Phys. Lett. 1968. V. 12. №3. P. 76.

196. Simon R.E., Sommer A.H., Tietjen J.J., Williams B.F. GaAsixPx as a new high quantum yield photoemissive material for the visible spectrum // Appl. Phys. Lett. 1969. V. 15. №2. P. 43.

197. James L.W., Uebbing J.J., Yep Т.О., Bell R.L. Optimization of the InAsxPjx-Cs20 Photocathode // Jpn. J. Appl. Phys. 1971. V. 42. № 2. P. 580.

198. Shade H., Nelson H., Kressel H. Efficient photoemission from Ge-doped GaAs grown by liquid-phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1971. V. 18. № 4. P. 121.

199. Liu Y.Z., Hollish C.D., Stein W.W., Bolger D.E., Greene P.D. LPE GaAs/(Al,Ga)As/GaAs transmission photocathodes and a simplified formula for transmission quantum yield // J. Appl. Phys. 1973. V. 44. № 12. P. 5619-5621.

200. James L.W., Antypas G.A., Moon R.L., Edgecumbe J., Bell R.L. Photoemission from cesium-oxide-activated InGaAsP // Appl. Phys. Lett. 1973. V. 22. № 6. P. 270.

201. Esher J.S., Antypas G.A., Edgecumbe J. High-quantum-efficiency photoemission from an InGaAsP photocathode // Appl. Phys. Lett. 1976. V. 29. № 3. P. 153-155.

202. Fisher D.C., Enstrom R.E., Williams B.F. Photoelectron surface escape probability of (Ga,In)As : Cs0 in the 0.9 to 1.6 \im range// Jpn. J. Appl. Phys. 1972. V. 43. №9. P. 3815.

203. Fisher D.G., Enstrom R.E., Escher J.S., Williams B.F. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. P. 3815.

204. Петров H.H. Эмиттеры с отрицательным сродством к электрону. (Обзор) // Журнал технической физики. 1971. Т. 41. № 12. С. 2473-2491.

205. Соболева Н.А. Новый класс электронных эмиттеров // Успехи физических наук. 1973. Т. 111. №2. С. 331-353.

206. Spicer W.E. Negative affinity III-V photocathode: their physics and technology // J. Appl. Phys. 1977. V. 12. № 2. P. 115-123.

207. Белл P.JI. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством.: Пер. с англ. -М.: Энергия, 1978.- 192 с.

208. Цвиккер Г.Р. Фотоэмиссионные приемники излучения / в кн. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов / Р.Дж. Киес, П.В. Крузе, Э.Г. Патли и др.; под. ред Р. Дж. Киеса: пер. с англ. М.: Радио и связь, 1985. -328с.

209. Spicer W.E. Photoemissive, Photoconductive, and Optical Absorption Studies of Alkali-Antimony Compounds // Phys.Rev. 1958. V. 112. № 1-1. P. 114.

210. James L.W. Calculation of the minority-carrier confinement properties of III-V semiconductor heterojunctions (applied to transmission-mode photocathodes) // J. Appl. Phys. 1974. V. 45. № 3. P. 1326-1335.

211. Astles M.G., Smith F.G.H., Williams E.W. // J. Electrochem. Soc. 1973. V. 120. P. 1750.

212. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука. Гл. ред. физ.-матем. лит-ры, 1977. - 672 с.

213. Fisher D.G., Enstrom R.E., Escher J.S., Gossenberger H.F., Appert J.R. Photoemission charactristics of transmission-mode negative electron affinity GaAsand (In,Ga)As vapor-grown structures // IEEE Trans. Electron Devices. 1974. P. 641649.

214. Enstrom R., Fisher D. The effect of lattice parameter mismatch in NEA GaAs photocathodes grown on GaP/InGaP substrates // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. № 5. P. 1976-1982.

215. Fisher D.G., Martinelli R.U./ in «Advances in Image Pickup and Display». V. 1. New York.: Academic Press, 1974. P. 71.

216. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. -М.: Металлургия, 1984. 159 с.

217. Estrera J., Sinor Т., Passmore К., Rector М. Development of extended red (1.01.3 цт) image intensifiers//Proc. of SPIE. 1994. V. 2551. P. 135-144.

218. Antypas G.A., Escher J.S., Edgecumbe J., Enck R.S. Broadband GaAs transmission photocatode // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. № 7. P. 4301.

219. Costello K.A., Aebi V.W., MacMillan H.F. Imaging GaAs Vacuum Photodiode with 40% Quantum Efficiency at 530 nm //Proc. of SPIE. 1992. V. 1665. P. 163-171.

220. Sinor T.W., Estrera J.P., Phillips D.L., Rector M.K. Extended blue GaAs image intensifiers//Proc. of SPIE. 1995. V. 2551. P. 130-134.

221. Edgecumbe J.P., Aebi V.W., Davis G.A. A GaAsP photocathode with 40% QE at 550 nm // Proc. of SPIE. 1992. V. 1655. P. 204-210.

222. Oirschot T.G.J. Liquid-phase epitaxial growth of (AlGa)As on polished and roughened GaP substrates for transmission photocathodes // Appl. Phys. Lett. 1974. V. 24. №5. P. 211-213.

223. Забелина Л.Г., Петров A.C., Поляков А.Я., Саксеев Д.А., Шульбах В.А. Поверхностные свойства гетероструктур GaAs-In(x)Ga(l-x)As для ОЭС фотокатода // Электронная техника. Сер. 4. 1987. № 8. (4)257. С. 8.

224. Allenson М., Bass S.K. GaAs reflection photocathodes growth by metal akkyl vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1976. V. 28. № 3. P. 113-115.

225. Boldish S. Production considerations necessary to produce large quantities of optoelectronics devices by MOCVD epitaxy // Proc. of SPIE. 1991.

226. Narayanan A.A., Fisher D.G., Erickson L.P., O'CIock G.D. Negative electron affinity gallium arsenide photocathode grown by molecular beam epitaxy // J. Appl. Phys. 1984. V. 56. № 6. P. 1886-1887.

227. Залевский И.Д., Горбылев B.A. Камера для осаждения слоев методом МОС-гидридной эпитаксии // заявка № 95112214/20(021298), приоритет от 18.07.95, положительное решение на полезную модель.

228. Залевский И.Д., Кириленко Н.И., Коваленко М.В. Подложкодержатель // заявка №95112266/25(021312), приоритет от 18.07.1995г., положительное решение на изобретение.

229. Manasevit Н.М., Simpson V.I. //J. Electrochem. Soc. 1968. V. 116. P. 1968.

230. Dapkus P.D., Manasevit H.M., Hess K.L. High purity GaAs prepared from trimethylgallium and arsine//J. Cryst. Growth. 1981. V. 55. № 1. P. 10.

231. Kuo C.P., Cohen R.M., Stringfellow G.B. OMVPE growth of GalnAs// J. Cryst. Growth. 1983. V. 64. № 3. P. 461.

232. Krautle H., Roehle H., Escobosa A., Beneking H. // J. Electron. Mater. 1983. V. 12. P. 215.

233. Reep D.H., Chandhi S.K. Electrical Properties of Organometallic Chemical Vapor Deposited GaAs Epitaxial Layers // J. Electrochem. Soc. 1984. V. 131. № 11. P. 2697.

234. Plass C., Heinecke H., Kayser O., Luth H., Bulk P. A comparative study of Ga(CH3)3, Ga(C2H5)3 and Ga(C4H9)3 in the low pressure MOCVD of GaAs // J. Cryst. Growth. 1988. V. 88. P. 455.

235. Ghandhi S.K., Field R.J. A re-examination of boundary layer theory for a horizontal CVD reactor//J. Cryst. Growth. 1984. V. 69. № 2-3. P. 619.

236. Мармалюк А.А. Получение GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии // Материалы электронной техники. Известия вузов. 2004. №4. С. 21-24.

237. Мармалюк А.А. Закономерности образования трехкомпонентных твердых растворов в условиях МОС-гидридной эпитаксии // Материалы электронной техники. Известия вузов. 2005. №1. С. 17-23.

238. Мармалюк А.А. Получение четырехкомпонентных твердых растворов методом МОС-гидридной эпитаксии // Материалы электронной техники. Известия вузов. 2005. №2. С. 25 31.

239. Крапухин В.В, Соколов И.А, Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии. 2-е изд. перераб. и доп. - М.: «МИСИС», 1995. - 493 с.

240. Stringfellow G.B, Hall Н.Т. VPE growth of AlxGaixAs // J. Cryst. Growth. 1978. V. 43. № 1.Р. 47.

241. Seki Y, Tanno K, Iida K, Ichiki E. Properties of Epitaxial GaAs Layers from a Triethyl Gallium and Arsine System // J. Electrochem. Soc. 1975. V. 122. № 8. P. 1108.

242. Nakanisi T. The growth and characterization of high quality MOVPE GaAs and GaAlAs//J. Ciyst. Growth. 1984. V. 68. № 1. P. 282.

243. Kuech T.F, Veuhoff E, Kuan T.S, Deline V, Potemski R. The influence of growth chemistry on the MOVPE growth of GaAs and AlxGaixAs layers and heterostructures// J. Ciyst. Growth. 1986. V. 77. № 1-3. P. 257.

244. Kuech T.F, Veuhoff E. Mechanism of carbon incorporation in MOCVD GaAs // J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. № 1. P. 148.

245. Yoshida M, Watanabe H, Uesugi F. Mass Spectrometric Study of Ga(CH3)3 and Ga(C2H5) з Decomposition Reaction in H2 and N2// J. Electrochem. Soc. 1985. V. 132. №3. P. 677.

246. Hanna M.C, Lu Z.H, Oh E.G., Mao E, Majerfeld A. Atmospheric pressure organometallic vapor phase epitaxy growth of high-mobility GaAs using trimethylgallium and arsine // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 11. P. 1120.

247. Shastry S.K, Zemon S, Kenneson D.G, Lambert G. Control of residual impurities in very high purity GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 2. P. 150.

248. Razeghi M., Omnes F., Nagle J., Defour M., Archer O., Bove P. High-purity GaAs layers grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. № 16. P. 1677.

249. Мармалюк A.A. Легирование GaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии //Материалы электронной техники. Известия вузов. 2004. №3. С. 14 18.

250. Hanna М.С., Lu Z.H., Majerfeld A. Very high carbon incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy of heavily doped p-type GaAs // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. №2. P. 164.

251. Watanabe N., Ito H. Saturation of hole concentration in carbon-doped GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition // J. Cryst. Growth. 1997. V. 182. № 1-2. P. 30.

252. Bass S.J. Silicon and germanium doping of epitaxial gallium arsenide grown by the trimethylgallium-arsine method // J. Cryst. Growth. 1979. V. 47. № 5-6. P. 613.

253. Kuech T.F., VeuhofTE., Meyerson B.S. Silicon doping of GaAs and AlxGaixAs using disilane in metalorganic chemical vapor deposition // J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. № 1. P.48.

254. Field R.J., Ghandhi S.K. Doping of gallium arsenide in a low pressure organometallic CVD system : I. Silane//J. Cryst. Growth. 1986. V. 74. № 3. P. 543.

255. Glew R.W. Zinc Doping of MOCVD GaAs// J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. № 1. P. 44.

256. Hageman P.R., te Nijenhuis J., Anders M.J., Gilling L.J. Dependence of impurity incorporation upon substrate misorientation during GaAs growth by metalorganic vapour phase epitaxy //J. Cryst. Growth. 1997. V. 170. № 1-4. P. 270.

257. Stockman S.A., Hanson A.W., Colomb C.M., Fresina M.T., Baker J.E., Stillman G.F. //J. Electron. Mater. 1994. V. 23. P. 791.

258. Kim S., Kim Y., Kim M., Kim Ch.K., Min S., Lee Ch. Carbon doping characteristics of GaAs and Alo.3Gao.7As grown by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition using CC14 // J. Cryst. Growth. 1994. V. 141. № 3-4. P. 324.

259. Hong K., Pavlidis D. // J. Electron. Mater. 1996. V. 25. P. 449.

260. Shastry S.K., Zemon S., Kenneson D.G., Lambert G. Control of residual impurities in very high purity GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 2. P. 150.

261. Razeghi M., Omnes F., Nagle J., Defour M., Archer 0., Bove P. High-purity GaAs layers grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. № 16. P. 1677.

262. Tsai M.J., Tashima M.M., Moon R.L. // J. Electron. Mater. 1984. V. 13. P. 437.

263. Lewis C.R, Hamaker H.C., Green R.T. // J. Electron. Mater. 1987. V. 16. P. 365.

264. Stringfellow G.B. A critical appraisal of growth mechanisms in MOVPE// J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. № 1. P. 111.

265. Stringfellow G.B. The role of impurities in III/V semiconductors grown by organometallic vapor phase epitaxy// J. Ciyst. Growth. 1986. V. 75. № 1. P. 91.

266. Richter E., Kurpas P., Gutsche D., Weyers M. // J. Electron. Mater. 1995. V. 24. P. 1719.

267. Buchan N.I., Kuech T.F., Scilla G., Cardone F. Carbon incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy grown GaAs using CHyX4 y, TMG and AsH3// J. Cryst. Growth. 1991. V. 110. № 3. P. 405.

268. Kuech T.F., Redwing J. Carbon doping in metalorganic vapor phase epitaxy // J. Cryst Growth. 1994. V. 145. № 1-4. P. 382.

269. Begarney M.J., Warddrip M.L., Kappers M.J., Hicks R.F. Kinetics of carbon tetrachloride decomposition during the metalorganic vapor-phase epitaxy of gallium arsenide and indium arsenide // J. Cryst. Growth. 1998. V. 193. № 3. P. 305.

270. Gong Y., Mo J., Yu H., Wang L., Xia G. Quantitative study of carbon doping of GaAs grown by metalorganic vapor-phase epitaxy// J. Cryst. Growth. 2000. V. 209. № l.P. 43.

271. Shubert E.F. Delta doping of III-V compound semiconductors: Fundamentals and device applications//J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. V. 8. № 3. P. 2980-2996.

272. Li. G., Jagadish C. Recent progress in d-doping of III-V semiconductors grown by metal organic vapour phase epitaxy // Solid-State Electronics. 1997. V. 41. № 9. P. 1207-1225.

273. Батукова JI.M., Батушкина T.C., Дроздов Ю.Н., Звонков Н.Н., Малкина И.Г., Янькова Т.Н. Свойства d-легированных углеродом слоев GaAs, полученных МОС-гидридной эпитаксией // Неорганические материалы. 1993. Т. 29. №3. С. 309-312.

274. Davidson B.R., Hart L., Newman R.C., Joyce T.B., Billough T.J., Button C.C. // J. Mater. Sci.: Matters in Electronics. 1996. V. 7. P. 355.

275. Makimoto Т., Kobayashi N. Carbon Atomic Layer Doping in AlGaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition and Its Application to a P-Type Modulation Doped Structure // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. № 9B. P. L1300-1303.

276. Jagadish C., Li G., Johnston M.B., Gal M. Si and С d-doping of GaAs grown by metal organic vapour phase epitaxy for fabrication of nipi doping superlattices // Materials Sci. and Eng. B. 1998. V. 51. P. 103-105.

277. Seki H., Koukitu A. Thermodynamic analysis of metalorganic vapor phase epitaxy of III-V alloy semiconductors // J. Cryst. Growth. 1986. V. 74. № 1. P. 172.

278. Tirtowidjojo M., Pollard R. Equilibrium gas phase species for MOCVD of AlxGaixAs //J. Cryst. Growth. 1986. V. 77. № 1-3. P. 200.

279. Mizuta M., Iwamoto Т., Moriyama F., Kawata S., Kukimoto H. AlGaAs growth using trimethyl and triethyl compound sources // J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. № 1. P. 142.

280. Dapkus P.D., Manasevit H.M., Hess K.L. High purity GaAs prepared from trimethylgallium and arsine// J. Cryst. Growth. 1981. V. 55. № 1. P. 10.

281. Kuo C.P., Cohen R.M., Stringfellow G.B. OMVPE growth of GalnAs // J. Cryst. Growth. 1983. V. 64. № 3. P. 461.

282. Krautle H., Roehle H., Escobosa A., Beneking H. // J. Electron. Mater. 1983. V. 12. P. 215.

283. Reep D.H., Chandhi S.K. Electrical Properties of Organometallic Chemical Vapor Deposited GaAs Epitaxial Layers // J. Electrochem. Soc. 1984. V. 131. № 11. P. 2697.

284. Plass C., Heinecke H., Kayser O., Luth H., Bulk P. A comparative study of Ga(CH3)3, Ga(C2H5)3 and Ga(C4H9)3 in the low pressure MOCVD of GaAs // J. Cryst. Growth. 1988. V. 88. № 4. P. 455.

285. Shastry S.K., Zemon S., Kenneson D.G., Lambert G. Control of residual impurities in very high purity GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 2. P. 150.

286. Razeghi M., Omnes F., Nagle J., Defour M., Archer O., Bove P. High-purity GaAs layers grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. № 16. P. 1677.

287. Agnello P.D., Ghandhi S.K. The composition dependence of GalnAs grown by organometallic epitaxy //J. Cryst. Growth. 1989. V. 97. № 3-4. P. 551.

288. Trush E., Whiteaway J., Wale Evans G., Wight D., Cullis A. Compositional Transients in MOCVD Grown III-V Heterostructures // J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. P. 412-421.

289. Clark I., Fripp A., Jesser W. MOCVD manifold switching effects on growth and characterization//J. Cryst. Growth. 1991. V. 109. P. 246-251.

290. Roberts J., Mason M., Robinson M. Factors Influencing Doping control and Abrupt Metallurgical Transitions During Atmospheric Pressure MOVPE Growth of AlGaAs and GaAs // J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. P. 422-430.

291. Мармалюк А.А. Формирование гетероструктур с квантовыми ямами для ИК-фотоприемников на внутризонных переходах методом МОС-гидридной эпитаксии // Материалы симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Россия. 25-29 марта 2005 г. С. 82 85.

292. Andronov А.А., Drozdov M.N., Zinchenko D.I., Nozdrin Y.N., Sosnin A., Ustinov A., Shashkin V.I., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A. Transport in Narrow

293. Minigap Superlattices and the Terahertz Bloch Oscillator // Semicond. Sci. Technol. 2004. V. 19. №4. P. S96-S98.

294. В.В.Безотосный, И.Д.Залевский, Х.Х.Кумыков, Н.В.Маркова, Квантовая электроника. 1998. т. 25, №. 7. с. 611.

295. Безотосный В.В, Кумыков Х.Х, Маркова Н.В. Предельные выходные параметры линеек и матриц лазерных диодов // Квантовая электроника. 1997. Т. 24. № 6. С. 495-498.

296. Волноводная оптоэлектроника / под ред. Т. Тамира. М.: Мир, 1991. 576 с.

297. T.Ahlgren, J.Likonen, et al Concentration dependent and independent Si diffusion in ion-implanted GaAs // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. P. 4597.

298. Y.Kim, M.S.Kim, et al, Dislocation-accelerated diffusion of Si in delta-doped GaAs grown on silicon substrates by metalorganic chemical vapor deposition // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 69. № 3. P. 1355.

299. А.Д.Полянин, А.В.Вязьмин, А.И.Журов, Д.А.Казенин, Справочник по точным решениям уравнений тепло- и массопереноса. М.: Факториал, 1998. — 368 с.

300. С.С.Стрельченко, В.В.Лебедев, Соединения АЗВ5: Справ, изд. М.: Металлургия, 1984. 144с.

301. J.E.Bisberg, A.K.Chin, et al. Zinc diffusion in III-V semiconductors using a cubic-zirconia protection layer // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. V. 67. № 3. P. 1347.

302. H.G.Hettwer, N.A.Stolwijk, et al, Defect and Diffusion Forum, 1997. V. 143147. P. 1117.

303. M.P.Chase, M.D.Deal, et al. Diffusion modeling of zinc implanted into GaAs // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 81. № 4. P. 1670

304. F.Agashi, К.М. Lau, Н.К. Choi, A. Baliga, N.G. Anderson Anderson High-performance 770-nm AlGaAs-GaAsP tensile-strained quantum-well laser diodes // IEEE Photonics Technol. Lett. 1995. V. 7. № 2. P. 140-143.

305. G. Erbert, F. Bugge, A. Knauer, J. Sebastian, A. Thies, H. Wenzel, M. Weyers, G. Trankle High-power tensile-strained GaAsP-AlGaAs quantum-well lasers emitting between 715 and 790 nm // IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron. 1999. V. 5. № 3. P. 780-784.

306. Mawst L.J. High power, Al-free active region (ALFA) lasers for the 0.70-0.81 pm wavelength lasers // Proc. of Conference on Lasers and Electro Optics. 19-24 May, 2002. Long Beach, CA, USA. V. 1. P. 43-44.

307. S.L.Chuang, Physics of Optoelectronic Devices. John Wiley & Sons, New York. 1995.

308. Пихтин H.A., Слипченко C.O., Соколова 3.H., Тарасов И.С. Внутренние оптические потери в полупроводниковых лазерах // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. № 3. С. 374 381.

309. Livshits D.A., Kochnev I.V., Lantratov V.M., Ledentsov N.N., Nalyot T.A., Tarasov I.S., Alferov Zh.I. High Catastrophic Optical Mirror Damage Level in InGaAs/AlGaAs Laser Diodes // Electron. Lett. 2000. V. 36. P. 1848-1849.

310. Bugge F., Erbert G., Fricke J., Gramlich S., Staske R., Wenzel H., Zeimer U., Weyers M. 12 W continuous-wave diode lasers at 1120 nm with InGaAs quantum wells //Appl. Phys. Lett. 1998. V. 79. P. 1965-1967.

311. Kuo С.Р., Cohen R.M., Fry K.L., Stringfellow G.B. // J. Electron. Mater. 1985. V. 14. P. 231.

312. Kuphal E., Pocker A. Phase Diagram for Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Strained and Unstrained InGaAsP/InP //Jpn. Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V. 37. P. 632.

313. Ludowise M.J., Cooper C.B., Saxena R.R. // J. Electron. Mater. 1981. V. 10. P. 1051.

314. Matthews J.W., Blakeslee A.E. Defects in epitaxial multilayers: I. Misfit dislocations // J. Cryst. Growth. 1974. V. 27. P. 118.

315. Houghton D.C., Davies M., Dion M. Design criteria for structurally stable, highly strained multiple quantum well devices // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. № 4. P. 505-507.

316. Dodson B.W., Tsao J.Y. Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow //Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. № 17. P. 1325.

317. Tsao J.Y., Dodson B.W. Excess stress and the stability of strained heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. № 10. P. 848 850.

318. Bugge F., Zeimer U., Gramlich S. et al. Effect of growth conditions and strain compensation on indium incorporation for diode lasers emitting above 1050 nm // J. Cryst. Growth. 2000. V. 221. № 1-4. P. 496-502.

319. Дроздов Ю.Н., Байдусь H.B., Звонков Б.Н. и др.// ФТП, 2003, Т. 37, вып. 2, С 203-208.

320. Орлов Л.К., ИвинаН.Л.// ФТП, 2002, т. 36, вып. 2, С. 199-204.

321. Jamaquchi К., Okada Т. and Hiwatashi F.// Appl. Surf. Sci., 1997, Vol. 117-118, P. 700-704.

322. Potin V., Hahn E., Rozenauer A et al. Comparison of the In distribution in InGaN/GaN quantum well structures grown by molecular beam epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy // J. Cryst. Growth. 2004. V. 262. № 1-4. P. 145150.

323. Pitts O.J., Watkins S.P., Wang C.X. et al. Antimony segregation in GaAs-based multiple quantum well structures // J. Cryst. Growth, 2003, V. 254, P. 28-34.

324. Dussaigne A., Damilano В., Grandjean N. In surface segregation in InGaN/GaN quantum wells//J. Cryst. Growth. 2003. V. 251. P. 471-475.

325. Zheng Y.J., Lam A. M. and Eugstram J. R. Modeling of Ge surface segregation in vapor-phase deposited Sii xGex thin films // Appl. Phys. Lett., 1999. V. 75. № 6. P. 817-819.

326. Grenet G., Bergignet E., Gendry M. et al.// Surf. Sci., 1996, Vol. 352-354, P. 734-739.

327. Mesrine M., Massies J., Deparis C. et al. Indium surface segregation during chemical beam epitaxy of Gai xInxAs/GaAs and Gai xInxP/GaAs heterostructures // J. Cryst. Growth. 1997. V. 175-176. P. 1242-1246.

328. Moison J. M., Guille C., Houzay F., Barthe F., Van Rompay M. Surface segregation of third-column atoms in group III-V arsenide compounds: Ternary alloys and heterostructures // Phys. Rev. 1989. V. B40. № 9. P. 6149 6162.

329. Акчурин P.X., Андреев А.Ю., Говорков О.И., Мармалюк А.А., Петровский А.В. Влияние напряжений на перераспределение индия в квантовых ямах InGaAs/GaAs // Труды VIII Международной научно-технической конференции

330. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Дивноморское, Россия. 14-19 сентября 2002г. С. 32 35.

331. Houghton D.C., Davies М., Dion М. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P.505.

332. Radhakrishnan К., Yoon S.F., Gopalakrishnan R., Tan K.L. // J. Vac. Sci. Technol. 1994. V. A 12. P. 1124.

333. Bugge F., Blister G., Erbert G., Gramlich S., Rechenberg I., Treptow H., Weyers M. // J. Cryst. Growth. 1994. V. 145. P. 907.

334. Muraki K., Fukatsu S., Shiraki Y. Surface segregation of In atoms during molecular beam epitaxy and its influence on the energy levels in InGaAs/GaAs quantum wells // Appl Phys. Lett. 1992. V. 61. № 5. P. 557-559.

335. Dehaese O., WallartX. and Mollot F. Kinetic model of element III segregation during molecular beam epitaxy of III-III'-V semiconductor compounds // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. № l.P. 52- 55.

336. Акчурин Р.Х. // Изв. Вузов. Материалы электронной техники, 2004, №3, С. 48-51.

337. Nakajima К. Calculation of compositional dependence of stresses in GalnAs/GaAs strained multilayer heterostructures // J. Crystal Growth. 1993. V. 126. №4. P. 511 -524.

338. Паниш М.Б., Илегемс M. в кн. «Материалы для оптоэлектроники» (пер. с англ.). М.: Мир, 1976. 405 с.

339. Богатов А.П., Дракин А.Е., Стратонников А.А., Коняев В.П. // Квантовая электроника, 30, 401 (2000).

340. Utaka К. et al basing characteristics of 1.5 1.6 ptm GalnAsP/InP integrated twin-guide lasers with first-order distributed Bragg reflectors // IEEE J.Quantum Electron. 1981. V. 17. №5. P. 651.

341. Afromowitz M.A. Refractive index of GabxAlxAs // Solid State Comm. 1974. V. 15 P. 59.

342. Utaka К. et al GalnAsP/InP Integrated Twin-Guide Lasers with First-Order Distributed Bragg Reflectors at 1.3 |im Wavelength // Jpn. J. Appl. Phys. 1980. V. 19.P.L137.

343. Kaufman R.G. Measurement of the refractive index of AlxGa.xAs and the mode indices of guided modes by a grating coupling technique // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. P. 8053.

344. Авруцкий И.А, Дианов Е.М, Звонков Б.Н, Звонков Н.Б, Малкина И.Г, Максимов Г.А, Ускова Е.А. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с туннельно-связанными волноводами // Квантовая электроника. 1997. т. 24. №2. С. 123-126.

345. Wenzel H, Bugge F, Erbert G, Hulsewede R, Staske R, Trankle G. High-Power Diode Lasers with Small Vertical Beam Divergence Emitting at 808 nm // Electronics Letters. 2001. V. 37. № 16. P.

346. Швейкин В.И, Богатов А.П, Дракин А.Е, Курнявко Ю.В. Даграмма направленности излучения квантоворазмерных лазеров InGaAs/GaAs, работающих на «вытекающей» моде. Квантовая электроника. 1999. Т. 26. № 1. С. 33-36.

347. Швейкин В.И., Геловани В.А. Новые диодные лазеры с вытекающим излучением в оптическом резонаторе // Квантовая электроника. 2002. Т. 32. № 8. С. 683-688.

348. A.Al-Muhanna, L.J.Mawst, D.Botez, D.Z.Garbuzov, R.U.Martinelly, J.C.Connolly. High-power (> 10 W) continuous-wave operation from ЮО-цт-aperture 0.97-|im-emitting Al-free diode lasers // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. № 9. P. 1182.

349. Поповичев В.В., Давыдова Е.И., Мармалюк А.А., Симаков А.В., Успенский М.Б., Чельный А.А., Богатов А.П., Дракин А.Е., Плисюк С.А., Стратонников

350. A.А. Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребневой конструкцией оптического волновода // Квантовая электроника. 2002. Т. 32. № 12. С. 1099- 1104.

351. Давыдова Е.И., Зубанов A.B., Мармалюк A.A., Успенский М.Б., Шишкин

352. B.А. Одномодовые лазеры с гребневидным элементом, сформированные в источнике трансформаторно-связанной плазмы // Квантовая электроника. 2004. Т. 34. №9. С. 805 808.

353. Schlenker D. et al Growth of highly strained GalnAs/GaAs quantum wells for 1.2 \im wavelength lasers // J. Cryst. Growth. 2000. V. 209. № 1. P. 27.

354. Schlenker D. Miyamoto Т., Chen Z., Koyama F. and Iga K. Growth of highly strained GalnAs/GaAs quantum wells for 1.2 (im wavelength lasers // IEEE Photonics Technol. Lett. 1999. V. 11. № 1. P. 946.

355. BuggeF. et al 12 W continuous-wave diode lasers at 1120 nm with InGaAs quantum wells//Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 1965.

356. Lin W., Tu Y., Dai Т., Ho W., Lee G. The In^Ga^A^i-y (0.53<x<l,0<y<l) compound semiconductor for LD structures by organometallic vapor-phase epitaxy // J. Cryst. Growth. 1992. V. 123. № 3-4. P. 451.

357. Pellegrino S., Vitali L. // J. Electron. Mater. 1996. V. 25. P. 519.

358. Sugou S., Kameyama A., Miyamoto Y., Furuya K., Suematsu Y. Conditions for OMVPE Growth of GalnAsP/InP Crystal // Jpn. Jpn. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. № 13. P. 1182.

359. Smeets E.T.J.M. Solid composition of GaAsixPx grown by organometallic vapour phase epitaxy //J. Cryst. Growth. 1987. V. 82. № 3. P. 385.

360. Guden M., Piprek J. Material parameters of quaternary III V semiconductors for multilayer mirrors at 1.55 pm wavelength // Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. 1994. V. 4. №6. P. 349.

361. Nagorny R.E., Pollak M.A., Johnston W.D., Barns R.I. Band gap versus composition and demonstration of Vegard's law for InixGaxAsyP.y lattice matched to InP // Appl. Phys. Lett. 1978. V. 33. № 7. P. 659.

362. Mircea A., Ougazzaden A., Primot G., Kazmierski C. Highly thermally stable, high-performance InGaAsP: InGaAsP multi-quantum-well structures for optical devices by atmospheric pressure MOVPE // J. Cryst. Growth. 1992. V. 124. № 1-4. P. 737.

363. Ishikawa Т., Bowers J.E. Band lineup and in-plane effective mass of InGaAsP or InGaAlAs on InP strained-layer quantum well // IEEE. J. Quantum. Electron. 1994. V. 30. № 2. P. 562.

364. Hamoudi A., Ougazzaden A., Krauz Ph., Rao E.V.K., Juhel M., Thibierge H. Cation interdiffusion in InGaAsP/InGaAsP multiple quantum wells with constant P/As ratio // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. № 6. P. 718.

365. Мамедов Д.С., Прохоров B.B., Шраменко M.B., Якубович С Д Исследование характеристик излучения маломощных суперлюминесцентных диодовв диапазоне температур -558С.+938С // Квантовая электроника. 2002. Т 32. № 7. С. 593-596.

366. Мамедов Д.С, Мармалюк А.А, Никитин Д.Б, Якубович С.Д, Прохоров

367. B.В. Двухпроходные суперлюминесцентные диоды с пониженным энергопотреблением на основе многослойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры // Квантовая электроника. 2004. Т. 34. №3. С. 206 208.

368. Андреева Е.В, Шраменко М.В, Якубович С.Д. Двухпроходный суперлюминесцентный диод с клиновидным активным каналом // Квантовая электроника. 2002. Т. 32. № 2. С. 112-114.

369. Мамедов Д.С, Прохоров В.В, Якубович С.Д. Сверхширокополосный мощный суперлюминесцентный диод с длиной волны излучения 920 нм // Квантовая электроника. 2003. Т. 33. № 6. С. 471-473.

370. Fercher A.F, Drexler W, Hitzenberger C.K, Lasser Т. Optical coherence tomography principles and applications // Rep. Prog. Phys. 2003. V. 66. № 2. P. 239-303.

371. Адлер Д.С, Ко T.X, Конорев А.К, Мамедов Д.С, Прохоров В.В, Фуджимото Дж.Дж, Якубович С.Д. // Квантовая электроника. 2004. Т. 34. №10.1. C. 915-918.

372. Unterhuber A, Povazay B, Herman B, Sattmann H, Shavez-Pirson A, Drexler W. In vivo retinal optical coherence tomography at 1040 nm enhanced penetration into the choroid // Opt. Express. 2005. V. 13. № 9. P. 3252-3258.

373. Лапин П.И, Мамедов Д.С, Мармалюк А.А, Падалица А.А, Якубович С.Д. Мощные и широкополосные суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1000—1100 нм // Квантовая электроника. 2006. Т. 36. № 4. С. 315 -318.

374. Мармалюк А.А. Формирование гетероструктур с квантовыми ямами для ИК-фотоприемников на внутризонных переходах методом МОС-гидридной эпитаксии // Материалы симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Россия. 25-29 марта 2005 г. С. 82 85.

375. Физика квантовых низкоразмерных структур. / Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. М.: Логос, 2000. - 247 с.

376. Razeghi М., Erdtmann М., Jelen С., Guastavinos F., Brown G.J., Park Y.S. Development of quantum well infrared photodetectors at the center of quantum devices // Infrared Physics and Technology. 2001. V. 42. P. 135-148.

377. Van de Walle C.G. Band lineups and deformation potentials in the model-solid theory //Phys. Rev. B. 1989. V. 39. №3. P. 1871-1881.

378. Тарасов В.В., Якушенков Ю.Г. Инфракрасные системы «смотрящего» типа. -М.: Логос, 2004.-444 с.

379. Косолобов С.Н., Кравченко А.А., Паулиш А.Г., Шевелев С.В., Хатункин

380. Aspnes D.E., Kelso S.M., Logan R.A., Bhat R.Optical properties of AlxGa^As //J. Appl. Phys. 1986. V.60. №2. P. 754.

381. Забелина Л.Г, Петров A.C. Гетероэпитаксиальные структуры на основе арсенида галлия для фотокатодов до 1,1 мкм // Прикладная физика. 1999. № 3.1. C. 40.

382. Boerree L.E., Chasse D.R., Thamban P.L.S., Glosser R. MBE Grown InGaAs Photocathodes // Proc. of SPIE. 2002.