Полупроводниковые чувствительные элементы датчиков давлений на основе структуры "кремний-на-диэлектрике" тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.14, кандидат технических наук Баринов, Илья Николаевич

• Баринов, Илья Николаевич
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Баринов, Илья Николаевич

Введение.

1 Состояние вопроса и задачи исследования. Обзор и сравни 1ельные характеристики методов изготовления сгруктур «кремний-на-диэлектрике».

1.1 Технология формирования структур «кремний-на-сапфире».

1.2 Технология формирования струк1ур «кремний-на-диэлектрике» методом рекристаллизации кремниевых ' слоев на аморфных диэлектрических подложках.

1.2.1 Лазерная рекристаллизация.

1.2.2 Элек гронно-лучевая рекрис i алли ?ai щя.

1.2.3 Рекристаллизация с помощью полосковых графи ювых нагревателей.

1.2.4 Рекристаллизация с помощью некогерентных источников свеш.

1.3 Технология формирование структур «кремний-на-диэлеткрике» методом эпитаксиального наращивания./.

1.4 Технология формирования структур «кремний-на-диэлеткрике» имплантационным ме i одом.

1.5 Технология формирования сфуктур «кремний-на-ди.>ле1 крике» методом прямого сращивания.

Выводы.

2 Разработка конструктивно-технологических решений по оптимизации механических параметров полупроводниковых чувс1вительных элементов на структуре «кремний-на-диэлектрике».

2.1 Исследование конструктивных вариантов полупроводниковых чувствительных элементов па crpyKiype «кремний-на-диэлекфике».

2.2 Анализ xapaKiepa напряжений в полупроводниковых чувствительных элементах на сфукгурах «кремпий-па-диэле1 крике». 49 2.2.1 Разработка модели расчет механических парамефов полупроводникового чувствительного элемента па структуре

Ф «кремний-на-диэле1крике».

2.3 Вопросы снижения внутренних напряжений в полупроводниковых чувствительных элементах па cipyKiypax «кремний-на-диэле1крйке». 57 2.3.1 Оптимизация влияния конструктивно-технологических факторов на напряженно-деформированное состояние сфуктуры «кремний-на-диэлеткрике».'.

2.4 Подготовка поверхностей кремниевых пластин перед сращиванием.

2.5 Разработка технологической оснасти процесса оiжига.,.

2.6 Вопросы моделирования анизотропного травления кремния в плоскости (ЮО) при изюювлеиии полупроводникового чувствительного элемента.

2.6.1 Управление характерисшками полупроводникового чувствительного элемента методом анизофопного фавления кремния в плоскости (100).

2.6.2 Разработка методики формирования линейных размеров фигур травления.

Выводы.

3 Разработка и исследование технологии изюювления полупроводникового чувствительного эл смеша на с фу к туре «кремний-на-диэлеткрике».

3.1 Оптимизация 1ехнологических операций подгоювки поверхносш пластин в процессе изготовления полупроводникового чувспзшельпою элемента на структуре «кремний-на-диэлеткрике».

3.1.1 Анализ и совершенствование процессов химической очистки пластин.

3.1.2 Очистка поверхностей пластин в азотной кислоте.

3.1.3 Очистка поверхностей пластин в аммиачно-перекисной смеси.

3.1.4 Отмывка и сушка кремниевых нлааин перед сращиванием.

3.2 Сращивание пласшн.

3.2.1 Методика проведения отжига.

3.3 Вопросы управления формированием гензорезисюров и профилированной мембраны методом аниюфоппою «сюп-травления». 138 3.3.1 Модификация юполо1ии фоюшаблоиа для повышения ючпосш геометрии фигуры гравлепия.;.

3.4 Разработка типового технологического процесса изгоювления полупроводникового чувствительного элемента па cipyKiype кремний-на- диэлектрике».

Выводы.

4 Экспериментальные исследования полупроводниковых чувствительных элементов датчиков давлений па структуре «кремний-на-диэлек грике».

4.1 Экспериментальные исследования по ошимитации [ехнологических операций технологического процесса из! оювлепия.

4.2 Исследования экспериментальных образцов полупроводниковых чувствительных элементов датчиков давлений на сфуктуре кремний-на-диэлектрике».'.

4.2.1 Методика выполнения экспериментов.

4.2.2 Результаты исследований экспериментальных ,образцов полупроводниковых чувствительных элементов датчиков давлений на структуре «кремний-на-диэлекфике».

4.3 Анализ результаюв исследования.

4.3.1 Определение темпераiypHoiо коэффициент сопрошвлепия (ТКС) тензорезисторов R1-R4.

4.3.2 Определение температурного ухода начального и максимального выходного сигнала.

4.3.3 Измерение сопротивления изоляции, тока утечки.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Полупроводниковые чувствительные элементы датчиков давлений на основе структуры "кремний-на-диэлектрике"»

г

Актуальность работы. Стремительное развитие технологии микроэлектроники открывает широкие возможное i и оснащения современных изделий ракетно-космической техники новыми датчиками давлений, являющимися основными злемешами сис1ем управления работой двигательных установок и систем кошроля их 1ехнического состояния па различных этапах эксплуатации, отличающихся воздействием температур от криогенных значений до (500-600) °С, .ионизирующих излучений и жестких электромагнитных помех.' Используемые в насюящее время системы измерения давления базируются в основном на устаревших конструктивное технологических решениях: потенциометрических, металлопленочных и фольговых тензорезисгорах, не удовлетворяющих в насюящее время возросшие требования РКТ. Поэтому имею1 мест о тенденции замены устаревших средств измерения давления новыми, основанными на полупроводниковой электронике, в часшосш, применение сфукгур «кремний-на-диэлектрике» (КНД), обеспечивающих работоспособность средств измерений в экстремальных условиях (повышенные и криогенные температуры, ионизирующее излучение и т. п.) и стабильность их параметров в процессе длительной эксплуатации.

Основоположником данного направления является В. И. Ваганов. Продолжили и развили его работы отечественные и зарубежные авторы: В. JT. Кенигсберг, 3. Ю. Готра, В. А. Гридчин, В. В. Грищепко, P. Gravesen, D. S. Campbell и др. Но в трудах вышеперечисленных ученых не рассматриваются вопросы применения микроэлектронных датчиков в жестких условиях РКТ. Поэтому разработки данных авторов не удовлетворяют возросшие потребности РКТ. Например, в полупроводниковых чувствительных элементах (ПЧЭ) датчиков давлений существуют следующие недостатки: в ПЧЭ, изготовленных на основе объемного кремния, наличие /?-и-переходов р не позволяет функционировать средствам измерений при температурах свыше 100°С и иметь стабильные параметры (ток утечки, сопротивление изоляции, сопротивление тензорезисторов и т. д.); в ПЧЭ на основе поликремния с изоляцией тензорезисторов пленкой двуокиси кремния из-за низкой тензочувствительносги поликремния средства измерений на основе таких ПЧЭ имеют малую амплитуду выходного сигнала; в ПЧЭ на основе структур «кремний-на-сапфире» (KIIC) недостачами являю юн фудность профилирования сапфира, различие криааллических peineюк кремния и сапфира, невозможное ib применения групповой Еехнологии изготовления ПЧЭ, высокая стоимость сапфира.

Указанные недостатки снижают метрологические и эксплуатационные характеристики датчиков, используемых в РКТ. Поэтому задача создания ПЧЭ с улучшенными метрологическими и эксплуатационными характеристиками является актуальной. е

Датчики давлений, ПЧЭ которых изготовлены меюдом формирования

КНД-структур, имеют ряд педостгков: высокую стимоаь, обусловленную применением сложного оборудования и дли1слыюс1ью обрабожи (SIMOX,

Smart-Cut SOT), низкую надежность при reMiiepaiypax выше 150 °С из-за несовершенства структуры имплантированного (по сравнению с термическим) слоя двуокцеи кремния (S1MOX), низкую 1ехнологичность, t вызванную большими затратами времени на обработку одной пластины и тепловыми потерями, низкую временную стабильность из-за наличия дислокаций и диффузии загрязняющих примесей (рекристаллизации поликремния).

Устранение вышеуказанных иедоаачов возможно при использовании метода прямого сращивания, который не фебует применения специального дорогостоящего оборудования и реализуется на стандартном оборудовании предприятий, производящих изделия микроэлектронной промышленности.

В то же время имеющиеся работы по технологии прямого сращивания р для изготовления КНД-структур не рассматривают вопросы практического использования данной технологии применительно к формированию ПЧЭ датчиков давлений (в основном все работы по данной технологии посвящены формированию КНД-структур для изготовления изделий электронной техники (микросхем, процессоров и т." п.)), поэтому требуется проведение дополнительных исследований для создания методов производства новых, высокоточных, надежных ПЧЭ высокотемпературных датчиков давлений, построенных на КНД-структуре.

С учетом вышеизложенного можно сделан* вывод, чю разработка конструктивно-1ехнологических решений ПЧЭ да1чиков давлений на КНД-структуре является актуальной научно-технической задачей.

Цель и задачи исследований. Целью работы являе1ся разработка конструктивно-технологических решений полупроводниковых чувствительных элементов датчиков давлений с улучшенными метрологическими и эксплуатационными характеристиками.

Эта цель достигается решением следующих задач:

- анализом и обобщением принципов посфоеиия ПЧЭ датчиков давлений, методов изготовления КНД-cipyKiyp применительно к ПЧЭ датчиков давлений; 1

- разработкой новых режимов проведения iexiuxnoiической операции отжига, а также подготовки поверхности пласшн перед сращиванием (химическая очистка, отмывка, сушка);

- разработкой последовательности технологических операций изготовления типового ПЧЭ датчиков давлений на КНД-структуре методом прямого сращивания пластин, проводимой на • стандартном микроэлектронном оборудовании;

- разработкой конструкций полупроводниковых чувавшельных элементов на структуре «кремний-на-диэлекфике» для дапшков давлений, эксплуатируемых при повышенных температурах (до 250 °С) и обладающих повышенными временной стабильностью и стойкостью к воздействиям электромагнитных полей и токов источников естественного и искусственного происхождения;

- разработкой модели расчет механических параметров (напряжений, деформаций) ПЧЭ на КНД-структуре, содержащего новые по сравнению с уже существующими оригинальные конструкторскотехнологические решения (гензорезисторы из монокремния, размещенные на мембране через слои двуокиси кремния и высоколегированного слоя кремния, наличие многослойной профилированной мембраны толщиной от 4 мкм и др.);

- проведением экспериментальных исследований изгоювлеиных ПЧЭ на КНД-структуре.

Методы исследований. При разработке моделей ПЧЭ датчиков давлений на КНД-структуре использованы основные положения физики твердого тела, применены методы' математической физики, теории упругости, прикладной механики. При решении задач по анализу и разработке технологии ПЧЭ датчиков давлений на КНД-структуре использованы положения физической . химии, кристллографии, микроэлектроники, технологии изютовления элементов схем, имитационное моделирование на ЭВМ. В экспериментальных исследованиях использованы положения теории измерений, планирования эксперимент. Основные теоретические положения и резулыаты расчеюв подтверждены экспериментальными исследованиями образцов ПЧЭ да1чиков давлений на КНД-структуре.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1 Разработан коне труктивномехнологический меюд, .позволяющий получать требуемые номиналы теизорезисюров на этапе окончательного формирования измершельной схемы. При этом за счет оптимизации технологических операций уменьшается верояшос1ь попадания посюронних включений и образования несвязываемых участков на границе'сращивания, компенсируется несовершенство границ раздела сращивания, уменьшаются внутренние напряжения в ПЧЭ, вызванные различными физическими г свойствами слоев.

2 Предложена новая консфукция 11ЧЭ да тика давления на КНД-структуре, содержащая оригинальные решения (тензорезисторы из монокремния, размещенные на мембране через слои двуокиси кремния и высоколегированного слоя кремния, наличие многослойной профилированной мембраны толщиной от 2 мкм, наличие слоя двуокиси кремния на поверхности тензорезисюров).

3 Разработна математическая модель ПЧЭ датчика давления на

КНД-структуре, содержащею новые конструк1 ивные решения.

4 Разработана юпология фотошаблона по фавлению профилированной мембраны ПЧЭ на основе предложенной .консфукции ПЧЭ, проведено моделирование операции анизофопного травления с использованием профаммы ACES.

5 Разработан и реализован технологический процесс изготовления

ПЧЭ датчиков давлений на КНД-структуре.

Практическая значимость работы. Работа обобщает теоретические и t экспериментальные исследования, проведенные автором в Пензенском государственном университет (ПТУ) на кафедре «Приборосфоепие», и способствует решению актуальной научно-1ехнической задачи создания ПЧЭ датчиков давлений на основе КПД-сфук1уры с улучшенными метрологическими и эксплуатционными характерисшками для информационно-измерительных систем на изделиях авиационной и ракетнокосмической техники.

Проведенные теоретические и экспериментальные исследования позволяют перейти к их промышленному проектированию, производству и 1 внедрению. Научная и практическая значимость подтверждаются тем, что исследования проводились в рамках работ, финансируемых Федеральным космическим агентством, Федеральным агенгсмюм по науке и инновациям.

Диссертационные исследования выполнялись и реализовьщались в ПГУ при финансовой поддержке НИР аспирапгов вуюв в форме фанта Федерального агентства по образованию. Шифр гранта

А04-3.20-590 «Оптимизация параметров миниатюрных полупроводниковых чувствительных элеменюв да1чиков давлений на основе структуры «кремний-на-диэлектрике».

Реализация результатов работы. Основные резулыаш георегических и экспериментальных исследований использованы при создании ПЧЭ р датчика избыточного давления ДДЭ-117 (ОКР «Миндаль», ФКА ГК 7835548/02 от 07.03.2002 г.); выполнении работ по [еме НИР «Модель» -«Исследование новых конструктивно-технологических решений создания кремниевых прецизионных микроструктур для ряда сверхминиатюрных датчиков давления общепромышленного и медицинского применения» (Распоряжение № 09.900/02-6 от 24.09.04 г. Федерального aieinciBa по науке г и инновациям); выполнении работ по теме МИР «Акация» - «Разработка перспективных базовых конструктивно-технологических решений для создания унифицированных датчиков давления с интегральным чувствительным элементом на структурах «кремний-диэлектрик-кремний» (Распоряжение № 07.168.01/016 от 28.07.05 г. Федерального aremciBa по науке и инновациям); выполнении работ по теме ОКР «Хопер» -«Исследование и отработка перспективных технологических решений формирования микроэлектромеханических систем для чувсшшельных элементов датчиков» (ГК 783-Т308/01 oi 02.03.01 г.).

Апробация работы. Основные научные и пракшческие результаты исследований по теме диссертации докладывались и обсуждались на Международном симпозиуме «Надежность и качество-2004» (г. Пенза, 24-31 мая 2004 г.); И-й Всероссийской научно-технической конференции (НТК) «Датчикц и детекторы для АЭС-2004» (г. Пенза, 31 мая - 5 июня 2004 г.); Международной НТК «Проблемы автоматизации и управления в технических системах» (г. Пенза, 2004 г.); Международной НТК «Датчики и системы-2005» (г. Пенза, 6-10 июня 2005 г.); Международной НТК «Материалы для пассивных радиозлекфонных компонентов» (г. Пенза, 2005 г.); XXIV Российской НТК молодых ученых и специалистов «Наукоемкие проекты и высокие технологии - производству 21 века» (г. Пенза, 2005 г.).

Публикации. По геме диссертации опубликовано 13 работ, в том числе патент, две статьи в центральных изданиях. Без соавторов опубликовано десять работ.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка' используемой литературы, двух приложений. Основная часть изложена на 198 страницах машинописного текста, содержит 69 рисунков, 12 таблиц. Список литературы содержит 117 наименований. Приложения к диссертации занимают 12 страниц.

Заключение диссертации по теме «Технология приборостроения», Баринов, Илья Николаевич

Выводы

На основе полученных результатов можно сделать следующие выводы:

1 значение основной погрешности не превышает значения 0,25%, что соответствует требованиям типового ТЗ на датчики давления, использующихся в ракетно-космической и авиационной технике;

2 ПЧЭ подтвердили свою работоспособность в рабочем диапазоне температур от минус 70 до 250°С;

3 разработанная технология формирования ПЧЭ датчиков давлений на КНД-структуре позволяет получать высокое сопротивление изоляции (до 10 ГОм) между тензорезистивной схемой и подложкой, что является необходимым условием для создания датчиков давлений, обладающих повышенными временной стабильностью и стойкостью к воздействиям электромагнитных полей и токов источников естественного и искусственного происхождения;

4 проведенные экспериментальные исследования и анализ метрологических и эксплуатационных характеристик экспериментальных образцов разработанных ПЧЭ на КНД-структуре, подтвердили большинство теоретических положений диссертации.

Заключение

1 Предложена новая конструкция ПЧЭ, содержащая кремниевую мембрану с утолщенным периферийным основанием и профилем с концентраторами механических напряжений, имеющую толщину, равную высоте тензорезисторов, сформированных на закрепленном на мембране слое двуокиси кремния.

2 Предложен конструктивно-технологический метод, позволяющий получать требуемые номиналы тензорезисторов на этапе окончательного формирования измерительной схемы. При этом за счет оптимизации технологических операций уменьшается вероятность попадания посторонних включений и образования несвязываемых участков на границе сращивания, компенсируется несовершенство границ раздела сращивания, уменьшаются внутренние напряжения в ПЧЭ, вызванные различными физическими свойствами слоев.

3 Разработана топология фотошаблона травления профилированной мембраны ПЧЭ, проведено моделирование анизотропного травления с использованием программы ACES, изготовлены экспериментальные образцы ПЧЭ с профилированной мембраной на основе разработанной топологии фотошаблона, подтвердившие адекватность теоретических и практических результатов.

4 Разработана последовательность технологических операций изготовления ПЧЭ датчиков давлений на КНД-структуре методом прямого сращивания пластин с использованием стандартного оборудования для производства изделий микроэлектроники.

5 Разработаны и изготовлены конструктивные варианты ПЧЭ на КНД-структуре для датчиков давлений с повышенными рабочим диапазоном температур до 250 °С, временной стабильностью и стойкостью к воздействиям электромагнитных полей и токов источников естественного и искусственного происхождения, проведенные экспериментальные исследования изготовленных ПЧЭ на КНД-структуре подтвердили большинство теоретических положений диссертации.

6 Построена модель расчета механических параметров (напряжений, деформаций) нового ПЧЭ на КНД-структуре.

7 Работа обеспечивает создание и способствует внедрению полупроводниковых чувствительных элементов датчиков давлений с улучшенными метрологическими и эксплуатационными характеристиками для информационно-измерительных систем авиационной и ракетнокосмической техники.

В диссертационной работе содержится решение актуальной научной задачи обоснования, разработки и исследования новых ПЧЭ датчиков давлений на КНД-структуре, внедрение которых позволит существенно повысить эффективность информационно-измерительных систем изделий авиационной и ракетно-космической техники. т

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Баринов, Илья Николаевич, 2005 год

1. G01L9/06.

2. Авт. св-во СССР №626374 кл. G01L9/04.

3. Ажажа Э. Г., Верховский Е. И. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1969. Вып. 3(46). С. 28.

4. Б. А. Барвинок. Управление напряженным состоянием и свойствами плазменных покрытий. М.: Машиностроение 1990.

5. Баринов И. Н. «Метод прямого сращивания структур «кремний-на-изоляторе» для датчиков давления» // Датчики и системы, 2003, № 11, с. 39-40.

6. Баринов И. Н. Полупроводниковый чувствительный элемент на основе структуры «кремний-на-диэлектрике» для высокотемпературных датчиков давления» // Датчики и системы. 2004. №12. С. 39 — 42.

7. Баринов И. Н. Полупроводниковый преобразователь давления / Баринов И. Н., Козин С. А. // Решение о выдаче патента на изобретение № 2004116428 (от 31.05.04).

8. Богданович Б.Ю. и др. Технологии и методы исследования структур КНИ: Монография М.: МИЭТ. 2003. 289 с. (Троицк, Моск. обл.): Тип. Изд-ва Тровант - 288 с.

9. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии: Пер. с англ. М.: Мир, 1985. - 496 е., ил.

10. В. Г. Литовченко, В. П. Шаповалов. Исследование процессов геттерирования в кремнии // Микроэлектроника. Т. 17. Вып. 4. 1988. С. 305.

11. В. JI. Кенигсберг, В. И. Сердюхов, С. И. Мильман и др. Полупроводниковый датчик давления «Кристалл» // Приборы и системы управления. 1974. №7. С. 26-27.

12. В. С. Дручин, С. И. Кулагин, А. П. Решетило. Термодиффузионные коммутационные слои интегральных тензопреобразователей // Вопросы радиоэлектроники. Сер. ОВР. Вып. 3. 1988.

13. Ваганов В. И. Интегральные тензопреобразователи. М.: Энергоатомиздат, 1983.

14. Верховский Е. И., Ажажа Э.Г., Санжаровский А. Г. // доклады АН СССР. Т.207. 1972 г.

15. Верховский Е. И., Фокин А. С., Альтшуллер В. М. Дислокации в кремниевых диффузионных структурах // Зарубежная электронная техника. 1972. № 19. С. 31-61.

16. ГОСТ 20420-75. Тензорезисторы. Термины и определения.

17. ГОСТ 21615-76. Тензорезисторы. Методы определения характеристик.

18. ГОСТ 216-16-76. Тензорезисторы. Общие технические условия.

19. ГОСТ 2789-73. Шероховатость поверхности. Параметры характеристики.

20. ГОСТ 8.009-72. Нормируемые метрологические характеристики средств измерений.108

21. ГОСТ 8.543-86. ГСИ. Государственная поверочная схема для средств измерения деформации.27 3. Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991. - 528 е.: ил.

22. И. Б. Фогельсон. Упругие элементы силоизмерительных приборов. М.: Машиностроение, 1977.

23. Концевой Ю. А., Литвинов Ю. М., Фаттахов Э. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982.-240 с.

24. Косогоров В.М., Федулов А.В., Соколов Е.Ю., Шлифер С.Э. Технология диффузионной сварки полупроводниковых чувствительных элементов в электрическом поле // Приборы и системы управления. 1991. №4. С.41-42.

25. Кравченко В. М., Будько М. С. Современное состояние КНД-технологии // Научно-технический сборник обзоров «зарубежная электронная техника. 1989. №9. С. 3-54.

26. Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем // Учебное пособие для вузов. М.: Высш. шк., 1986. 386 е., ил.

27. Лабунов В. А., Данилович Н. И., Демчук А. В. и др. Лазерная рекристаллизация кремниевых слоев на аморфных диэлектрических подложках // Зарубежная электронная техника. 1984. № 10. С. 46-75.

28. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. 630 е., ил.

29. ОСТ 92-1729-88. Элементы чувствительные полупроводниковые преобразователей механических величин. Общие требования к типовым технологическим процессам изготовления.36 ОСТ 92-4279-80.

30. Палатник Л. С., Сорокин В. К. Материаловедение в микроэлектронике. М.: Энергия, 1978. 280 с.38 Патент США № 4522662.39 Патент США №44447497.40 Патент Японии №58-32792.41 Патент Японии №59-22318.42 Патент Японии №59-58821.

31. Прокопьев Е. П., Тимошенков С. П., Суворов А. Л., Чаплыгин Ю. А., Графутин В. И. Smart-Cut технология получения структур КНИ во влажных условиях с использованием методов химической сборки поверхности // Материаловедение. 2002. №3. С. 11-20.

32. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Графутин В.И., Мясищева Г.Г., Фунтиков Ю.В. Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. М.: МИЭТ (ТУ), 1999. 176 с.

33. С. А. Гаряинов. Диэлектрическая изоляция элементов интегральных схем. М.: Сов. Радио, 1975 г.

34. Сотников В. С., Белановский А. С. Исследование адсорбции ионов металлов на поверхности германия, кремния и кварца // ДАН СССР, т. 137, №5, с 1162(1961).

35. Тимошенков С. П., Рубчиц В.Г. Моделирование процесса прецизионного травления вибрационной системы датчика угловой скорости // Микросистемная техника, №3, 2002.

36. Труды международной конференции по физике и химии полупроводниковых переходов и слоистых структур. Будапешт. 1970. С. 3.

37. Электроника. 1969. №3. С. 52-53.

38. Электроника. 1982. № 11. С. 67.

39. Электроника. 1982. №22. С. 5-6.

40. Электроника. 1985. Т. 58. № 6. С. 12-13.

41. Электроника. 1990. №48. С. 17-21.

42. Электроника. 1992. №36. С. 11-15.

43. Anthony Т. R. Anodic bonding of imperfect surfaces // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. № 5. P. 2419-2428.

44. An-S. Chu, S. H. Zaidi, and S. R. J. Brueck, "Fabrication and Raman Scattering Studies of One-Dimensional Nanometer Structures in (110) Silicon", Appl. Phys. Let. 63 (7), 905 (1999).

45. Appl. Phys. Lett., 1982, v. 41, N 9, pp. 824-826.

46. Britten J.A. A moving-zone Marangoni drying process for critical cleaning and wet processing// Solid State Technology. 1997. V. 40. № 10. P. 143 148.

47. Campbell, D.S., "Mechanical Properties of Thin Films," in Handbook of thin Film technology, Maissel, L.I. and R.G., Eds., McGraw-Hill, New York, 1970.

48. Carison D.E. Ion depletion of glasses at a blocking anode: I. Theory and experimental results for alkali silicate glass // J. Am. Ceram. Soc. 1974. V. 57. P. 291.

49. Cerutti A., Ghezzi C. X-ray observation of induced dislocations at simple planar structures. Phys. St. Sol. (a), 1973, №17, p. 273-275.

50. Christenson K., Smith M., Werho D. Removing metallic contaminants in ф RCA-2 clean as a function of blend ratio and temperature // Microcontamination.1994. V. 12. №6.

51. Couteau T. Dilute RCA cleaning chemistries // Semiconductor International. 1996. Vol. 21. N 11. Oct. P. 95-100.

52. Couteau T. Dilute RCA cleaning chemistries // Semiconductor International. 1998. V. 23. № 9. P.80 84.

53. Dutton R. W., Antoniadis D. A., Meindl J. D., Kamins Т. I., Saraswat K. C., Deal В. E., Plummer J. D., Oxidation and Epitaxy, Technical Report, No. 5021•r1, Integrated Circuit Laboratory, Standford University, Standford, California, May 1977.

54. E. H. Klaassen, R. J. Reay, C. Storment, J. Audy, P. Henry, P. A. P. Brokaw, and G. T. A. Kovacs, "Micromachined Thermally Isolated Circuits," in Proceedings: Solid-State Sensors and Actuators Workshop. Hilton Head Island, S.1. C., 1996, pp. 127-31.

55. E. Peeters, "Process Development for 3D Silicon Microstructures, with Application to Mechanical Sensor Design," Ph.D. thesis, Catholic University of Louvain, Belgium, 1994.

56. Electron Lett., 1986, v. 22, N 23, pp. 1236-1237.

57. Furuhawa. M. Silicon-to-Silicon direct bonding method // J.Appl.Phys. 1986. V. 60. № 8. p. 2987 2989.

58. Gravesen, P., "Silicon Sensors," Status report for the industrial engineering thesis, DTH Lyngby, Denmark, 1986.

59. H. Seidel, et al., J. Electrochem. Soc.,. 137, 3626-32, 1990.

60. Hall R. M., Rosato J. J. Improving rinse effeciency with automated cleaning tools // Semiconductor International. 1996. Vol. 19. N 11. Nov.

61. Hall R.M., Rosato JJ. Improving rinse efficiency with automated cleaning tools // Semiconductor International. 1996. V. 19. № 11.

62. Hoffman, R. W., Stresses in Thin Films: The Relevance of Grain Boundaries and Impurities," Thin Solid Films, 34, 185-90, 1975.

63. Hoffman, Thornton J. Vac.Science and Techn. 1979 V16 B2, PI34-137.

64. IEEE J., 1985, v. SC-20, N 1, pp. 173-177.

65. J. Appl. Phys., 1987, v. 62, N 10, pp. 4118-4123.

66. J. Appl. Phys., 1988, v. 64, N 10, pp. 4943-4950.

67. J. Cryst., Growth.,1983, v. 63, N 3, pp. 445-452.

68. J. Cryst.Growth., 1983, v. 63, N 3, pp. 527-546.

69. J. Cryst.Growth., 1984, v. 70, N 1 -2, pp. 253-270.

70. J. Electrochem Soc., 1985, v. 132, N 1, pp. 239-244.

71. J. Electrochem. Soc., 1981, v. 128, N 9, pp. 1981-1986.

72. Jaccodine R. J., Schlegel W. A. "Journ. Appl. Phys.", 1966, v. 37, p. 2429.

73. Jeung Sang Go, Young-Ho Cho. Experimental evaluation of anodic bonding process based on the Taguchi analysis of interfacial fracture toughness // Sensors and Actuators. 1999. Vol. 73 .P. 52-57.

74. Kanda Y., Matsuda K., Murayama C., Sugaya J. The mechanism of field-assisted silicon-glass bonding // Sensors and Actuators. 1990. V. A21-A23. P. 939.

75. Kern W. The evolution of silicon wafer cleaning technology // J. Electrochem. Soc. 1990. V. 137. № 6. P. 1887 1890.

76. Krulevitch, P.A., "Micromechanical Investigations of Silicon and Ni-Ti-Cu Thin Films," Ph.D.thesis, University of California at Berkeley, 1994.

77. Lester M. A. Clean approaches for dual-damascene // Semiconductor international. 1999. Vol. 22. N 9. Aug. P.15.

78. Lester M.A. Clean approaches for dual-damascene // Semiconductor international. V. 18. № 6. Aug. 1998. P. 51.

79. Lestic A., Muller R. S. Low-temperature silicon-silicon bonding with oxides. FIELD // Acts polytechn. seand. Elec. End. Sr. 1988. № 63.P. 151 153.

80. Masaru S. Технология прямого соединения кремниевых пластин и ее применение // J. Inst. Electron, and Commun. Eng. Jap. 1987. V. 70. № 6. P. 593 595.

81. Mater. Lett., 1982, v. 1, N 1, p. 32.

82. Mayer, G. К., H. L. Offereins, H. Sandmeier, and K. Kuhl, "fabrication of Non-Underetched Convex Corners in Anisotropic Etching of (lOO)-Silicon in Aqueous KOH with respect to Novel Nicromechanics Elements," J. Electrochem. Soc., 137,3947-3951, 1990.

83. Meuris M., Merteus P. W., Opdebeeck A. The IMEC clean: a new concept for particle and metal removal on Si surfaces // Solid State Technology. 1995. Vol. 38. N 7. P. 109.

84. Meuris M., Merteus P.W., Opdebeeck A. The IMEC clean: A new concept for particle and metal removal on Si surfaces // Solid State Technology. 1995. V. 38. №7. P. 109.

85. Ohmi T. Total room temperature wet cleaning of silicon surfaces // Semiconductor International. 1996. Vol. 19. N 8. Jul.

86. Oho V. "Rev. Electr. Commun. Lab.", 1969, v. 17, p. 70.

87. P.M. M. C. Bressers, J. J. Kelly, J. G. E. Gardeniers, and M. Elwenspoek, "Surface Morphology of p-type (100) Silicon Etched in Aqueous Alkaline Solution," J. Electrochem. Soc., vol. 143, pp. 1744-50, 1996.

88. R. B. Fair. Semiconductor Silicon 1977. Electrochemical Society, 1977, p. 968.

89. Repts Progr. Phys., 1987, v. 50, №3, pp. 327-371.

90. Schwuttke G. H. Silicon materials problems in semiconductor device technology. Microelectr. and Reliab., 1970, v. 9, №4, p. 397-412.

91. Sensor Technology Devices Ed. Ljubisa Rustic. Boston London: Artech House, 1994. P. 157-201.

92. Serebrinsky I. H. "Solid-State Electron", 1970, v. 13, p. 1435.

93. Spierings G.A.S.M., Haisma J. In Semiconductor Wafer Bonding // Science, Technology and Applications U.Gosele, T.Abe, T.J.Letavic, R.D.Pinker and E.Arnold (eds.), The Electrochemical Society Proc. 1992. V. 92 7. P. 18 - 31.

94. Stengl R., Tan Т., Gosele U. A model for the silicon wafer bonding process//Japan J. Appl. Phys. 1989. V. 28. N 10. P. 1735-1741.

95. Т. Baum and D. J. SchifFrin, "AFM Study of Surface Finish Improvement by Ultrasound in the Anisotropic Etching of <100> in KOH for Micromachining Application," J.Micromech. Microeng., vol. 7, pp. 338-42, 1997.

96. Tong Q.-Y., Goesele U. A Model of Low-Temperature Wafer Bonding And Its Applications//J. Electrochem. Soc. 1996. V. 143. № 5. p. 1773 1779.94

97. Tong Q.-Y., Goesele U. Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology. Wiley. New York. 1998. 326 p.

98. Tong Q.-Y., Goesele U. Wafer Bonding and Layer Splitting for Microsystem // Adv. Mater. 1999. V. 11. № 17. P. 1409 1425.

99. Tong Q.-Y., Gosele U. Wafer bonding and layer splitting for microsystem // Adv. Mater. 1999. V. 11. N 17. P. 1409-1425.

100. U. S. Patent 3.765.969. 1973. Bell.

101. Walter A. E., Paczewski R. Using an enclosed process chamber for FPD chemical cleaning // MICRO. 1996. Vol. 14. N 5. May.

102. Whelan m. V., Golmans A. H., Goosens L. M. "Appl. Phys. Letters," 1967, v. 10, p. 262.117 www.mass.micro.uiuc.edu/research/completed/aces/pages/download.html.