Микроэлектронный чувствительный элемент датчика газообразного водорода тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.14, кандидат технических наук Маринина, Лариса Александровна

• Маринина, Лариса Александровна
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Маринина, Лариса Александровна

Введение.

Глава 1 Обзор и анализ методов преобразования, конструкций и технологий изготовления газочувствительных элементов.

1.1. Выбор и анализ методов преобразования и информативных параметров.

1.2. Обзор и анализ конструкций газочувствительных элементов.

1.3. Перспективные микроэлектронные газочувствительные элементы на основе МОП-структур.

1.4. Микроэлектронный датчик водорода на основе наноразмерных титановых трубок.

1.5. Физико-химические реакции и модели взаимодействия водорода с материалами микроэлектронных датчиков.

1.6. Особенности поглощения водорода пленками на основе палладия и его сплавов.

1.7. Влияние водорода на электрическое сопротивление металлов и сплавов.

1.8. Взаимодействие водорода с элементами полевых структур «металлдиэлектрик-полупроводник».

Глава 2 Разработка и исследование элементов и структур датчика газообразного водорода.

2.1. Термочувствительный элемент.

2.2. Нагревательный элемент.

2.3. Водородочувствительные элементы.

2.4. Моделирование структур и элементов датчика водорода.

Глава 3 Разработка и исследование технологических процессов изготовления элементов и структур водородочувствительного элемента.

3.1. Технологии, используемые в процессе изготовления ВЧЭ.

3.2. Технология изготовления тонкопленочного резистивного ВЧЭ на изолирующих подложках.

3.3. Технология изготовления резистивного ВЧЭ на основе полупроводниковых структур.

3.4. Технология изготовления ВЧЭ на основе МДП-транзистора с подвешенным затвором.

3.4.1. Технологии активации поверхности окисла кремния и напыления палладия.

3.4.2. Технология формирования палладиевого затвора.

3.5. Формообразование структур ВЧЭ.

3.5.1. Изотропное травление полупроводников и изоляторов.

3.5.2. Анизотропное травление полупроводниковых материалов.

3.5.3. Управление процессом профилирования ВЧЭ.

3.6. Экспериментальная технология формирования микроэлектронного ВЧЭ с использованием сплава палладий-серебро.

Глава 4 Результаты изготовления и исследования экспериментальных образцов ВЧЭ датчика водорода.

4.1. Водородный датчик на основе МДП структур.

4.2. Особенности топологии ВЧЭ датчика водорода.

4.3. Исследование экспериментальных образцов ВЧЭ.

4.4. Основные метрологические характеристики емкостного ВЧЭ на основе

МДП-структур с палладиевым затвором.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Микроэлектронный чувствительный элемент датчика газообразного водорода»

Измерение и анализ газовых сред производится в самых различных отраслях науки и техники: в химическом, нефтехимическом и металлургическом производствах, в технологии изготовления микроэлектронных компонентов, при анализе экологической обстановки и, выявлению взрывчатых веществ [35,51,81].

Потребность в полупроводниковых газовых сенсорах составляет десятки миллионов штук в год, а платежеспособный спрос на сенсоры в 2005.2010 гг. возрастет до нескольких миллиардов долларов США [11, 38, 91].

Практически все выпускаемые отечественные и зарубежные сигнализаторы газов основаны на и полупроводниковом принципах преобразования. Недостатком электрохимических и термохимических газочувствительных элементов (ГЧЭ) является их малое быстродействие.

Для создания ГЧЭ микроэлектронных газовых сенсоров наибольшее применение нашла окись олова (SnCb) благодаря своей технологичности и совместимости с операциями микроэлектронной технологии [10, 12, 61, 62].

Основным недостатком SnC>2 является то, что в чистом виде она имеет слабую чувствительность к водороду. Для повышения чувствительности к водороду, в пленку S11O2 вводят легирующие элементы. Но для малых концентраций водорода в контролируемой среде введение в пленку SnCb легирующих элементов не дает должного эффекта.

Более высоких характеристик по быстродействию, чувствительности и селективности при измерениях малых концентраций водорода, а также обеспечения управления процессом газоанализа можно достичь, используя водородочувствительные элементы (ВЧЭ) на основе полевых приборов (МОП-транзисторы), в которых в качестве чувствительного материала используется палладиевая пленка, нанесенная на управляющий электрод транзистора. Но при создании таких приборов основной задачей, пока до конца не решенной, является обеспечение долговременной стабильности характеристик газочувствительных МОП-транзисторов.

В связи с этим, разработка методов, конструкций и технологий изготовления ВЧЭ микроэлектронных газовых датчиков является актуальной задачей.

Следует отметить, что данной тематикой занимается множество исследовательских центров и промышленных фирм, как за рубежом, так и в России: Сименс и Бош (Германия), Моторолла (США), Пежо-Ситроен (Франция), Фигаро (Япония), ОАО "Авангард" (г. Санкт-Петербург), ОАО «Практик-НЦ» г. Зеленоград, «МИФИ» г. Москва, ГУП НИИФИ г. Пенза. [91].

Ведущими специалистами в данной области являются Николаев И.Н., Новиков В.В., Васильев А.А., Чаплыгин Ю.А., Шелепин Н.В. и др.

В тоже время в подавляющем большинстве известных публикаций недостаточно внимания уделяется технологическим и конструктивным методам повышения стабильности микроэлектронных датчиков (МЭД), измеряющих малые концентрации газообразного водорода.

Цель работы. Разработка и исследование методов повышения стабильности, создание технологических процессов изготовления, и конструкций микромеханических водородочувствительных элементов (ВЧЭ) микроэлектронных датчиков малых концентраций газообразного водорода.

Основные задачи исследования.

Заявленная цель достигается решением следующих задач:

1. Исследованием и выбором базовых принципов преобразования и информативных параметров;

2. Анализом и исследованием конструктивно-технологических решений по формированию структур ВЧЭ;

3. Синтезом и анализом тепловых и деформационных моделей ВЧЭ;

4. Совершенствованием конструктивно-технологических методов минимизации механических напряжений в элементах и структурах ВЧЭ;

5. Созданием новых технологических операций и процессов формирования ВЧЭ;

6. Проведением исследований характеристик экспериментальных образцов ВЧЭ МЭД.

Методы исследования. При разработке физико-математических моделей использовались положения физической химии, физики полупроводников и кристаллофизики, применялись методы теории теплопередачи. Использовался математический аппарат дифференциального и интегрального исчисления и аналитической геометрии. Основные теоретические положения и результаты подтверждены экспериментальными исследованиями экспериментальных образцов МЭД водорода.

Научная новизна работы

1. Разработаны, исследованы и реализованы методы уменьшения временного дрейфа электрофизических характеристик ВЧЭ на основе МОП-транзистора с подвешенным затвором за счет исключения образования встроенного заряда в затворной области, что позволило обеспечить стабильность измерения малых концентраций газообразного водорода;

2. Развиты технологии получения тонких перемычек ВЧЭ с заданной конфигурацией путем использования «стоп-слоев» и самотормозящего травления, что позволило повысить чувствительность и быстродействие измерения в области малых и средних концентраций водорода;

3. Разбиты конструктивные и технологические методы компенсации влияния механических напряжений на характеристики ВЧЭ МЭД, что позволило повысить их качество.

4. Разработаны и внедрены новые микромеханические технологии и конструкции ВЧЭ МЭД, обеспечивших увеличение информативности измерения малых концентраций водорода в изделиях РКТ.

Практическая значимость работы. Работа обобщает теоретические и экспериментальные исследования, проведенные автором в Пензенском государственном университете (111 У) на кафедре «Приборостроение», и способствует решению актуальной научно-технической задачи создания микромеханических технологий и датчиков малых концентраций водорода с улучшенными метрологическими и эксплуатационными характеристиками, предназначенных для использования в ракетно-космической технике.

Реализация результатов работы. Основные результаты теоретических и экспериментальных исследований автора использованы при разработке МЭД малых концентраций водорода, технологических процессов изготовления ВЧЭ:

В частности, эти результаты использовались при создании:

- экспериментальных образцов ряда ВЧЭ индекс 431418001;

- экспериментального образца датчика газообразного водорода индекс ГАВ 001.

- технологических операций и комплексных технологий создания ВЧЭ: 783 02200 00410; 583 60271 0041; 783 022200 00050; 783 02271 00015; 783 02201 00030.

- в учебном процессе кафедры «Приборостроение» ПГУ при проведении лекционных и практических занятий по дисциплинам: «Микромеханические устройства и приборы» и «КИП технологического оборудования».

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на международных научно-технических конференциях (МНТК), университетских и кафедральных научно-технических семинарах: VI Всес. конф. по физике диэлектриков «Электрофизика слоистых структур», Москва 1988, «Надежность и качество», Пенза 2003, 2005, VII МНТК "Университетское образование" Пенза, 2003; VIII МНТК "Университетское образование" Пенза 2004, Всерос. НТК «Вооружение, Безопасность,

Конверсия» Пенза 2004, Всерос. НТК «Современные охранные технологии обеспечения комплексной безопасности объектов» Пенза-Заречный 2004, Международного юбилейного симпозиума «Актуальные проблемы науки и образования», Пенза 2003 ПГУ, V МНТК «Оптика, оптоэлектроника и технологии» Ульяновск, 2003, МНТК «Проблемы автоматизации и управления в технических системах» Пенза, 2004;

Публикации. По теме диссертации опубликовано 21 работа, включая 10 статей, 1 авторское свидетельство на изобретение, 9 материалов и тезисов докладов.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 4 глав основного текста (159 стр.), заключения, списка литературы, включающего 136 наименований, приложения (на 11 стр.). Основная часть содержит 60 рисунков и 10 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Технология приборостроения», Маринина, Лариса Александровна

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ

1. Проведён анализ конструкций и технологических процессов изготовления полупроводниковых ВЧЭ и в качестве перспективных определены профилированные ВЧЭ на основе МДП-структур с палладиевым затвором и микромеханические технологии их формирования.

2. Проанализированы физико-химические реакции и процессы взаимодействия водорода с функциональными материалами, элементами и структурами газочувствительных микроэлектронных датчиков, разработаны соответствующие математические модели.

3. Разработана тепловая модель датчика газообразного водорода, которая позволила провести оценку необходимой мощности нагревателя.

4. Проведено исследование и моделирование элементов и структур датчика газообразного водорода: термочувствительного, нагревательного и водородочувствительных элементов, что позволило оптимизировать их характеристики.

5. Определены характер и влияние механических напряжений на параметры ВЧЭ микроэлектронных газовых датчиков и разработаны конструктивно-технологические методы компенсации внутренних напряжений.

6. Разработаны и оптимизированы технологических процессы и операции изготовления элементов и структур водородочувствительного элемента:

- изготовления резистивного ВЧЭ на изолирующих подложках;

- резистивного ВЧЭ на основе полупроводниковых структур;

- ВЧЭ на основе МДП-транзистора с подвешенным затвором;

- повышения активности поверхности окисла кремния;

- формирования пленок из чистого палладия и его сплава с серебром;

- изготовления подвешенного палладиевого затвора;

- формообразования структур ВЧЭ (анизотропного, изотропного и электрохимического травления);

- определены технологические режимы, травители и полупроводниковые структуры, позволяющие получить самотормозящиеся режимы травления.

7. Разработана топология основных элементов ВЧЭ и изготовлен комплект фотошаблонов.

8. Изготовлены и исследованы экспериментальные образцы датчиков водорода на основе МДП-структур. Датчики отличаются повышенной стабильностью основных характеристик и высоким быстродействием.

Решение поставленных задач позволило разработать и внедрить в датчики для ракетно-космической техники ряд ВЧЭ и измерительных модулей на их основе (рис. П1.7-П1.10), отличающихся повышенной временной стабильностью, быстродействием и малыми габаритами.

Кроме того, разработанные конструкции ВЧЭ и технологии изготовления позволяют при соответствующем технологическом оснащении выпускать групповыми методами значительные количества микроэлектронных газовых датчиков, предназначенных для различных отраслей народного хозяйства.

ПРИНЯТЫЕ СОКРАЩЕНИЯ АТ-анизотропное травление (анизотропный травитель); ВАХ-вольтамперная характеристика; ВФХ-вольтфарадная характеристика; ВЧЭ-водородочувствительный элемент; ГА-газоанализатор; ГЧД-газочувствительный датчик; ГЧЭ— газочувствительный элемент; ИТ-изотропное травление; КТР—конструктивно-технологическое решение; МДП-металл-диэлектрик-полупроводник; ММТ-микромеханические технологии; МН-механическое напряжение; МОП-металл-окисел-полупроводник; МЭД-микроэлектронный датчик; НЭ-нагревательный элемент; ПК—поликремний;

ПЧЭ-полупроводниковый чувствительный элемент; СН-структурные напряжения; СЭ-сенсорный элемент;

TKJlP-температурный коэффициент линейного расширения;

ТКС-температурный коэффициент сопротивления;

ТН-термонапряжения;

ТО-технологическая операция;

ТП-технологический процесс;

ТС-термосопротивление;

ТЧЭ—термочувствительный элемент;

ЧЭ-чувствительный элемент;

ЭФХ-электро-физическая характеристика.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Маринина, Лариса Александровна, 2006 год

1. Агеев В.Н. Взаимодействие водорода с металлами / В.Н. Агеев, И.Н. Бекман, О.П. Бурмистрова.-М: Наука, 1987.

2. А. с. 1785049 СССР. МКИ: H01L 21/336 Способ изготовления датчиков водорода на МОП-транзисторах / Л.А. Маринина, С.А.Козин опубл. 30.12.90. Бюл.№ 48.

3. Анго А. Математика для электро- и радиоинженеров, пер. с фр.-М.: Наука, 1964.

4. Баранский П.И. Полупроводниковая электроника / П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Справочник.- Киев: Наукова думка, 1975.

5. Бир Г.Л. Симметрия и диффузионные эффекты в полупроводниках / Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус-М.: Наука, 1972.

6. Блейкмор Дж. Физика твёрдого тела.- М.: Мир, 1988.

7. Бондаренко Е.В. Интегральный датчик температуры с повышенной долговременной стабильностью / Е.В Бондаренко, Э.Ф. Кравец // Вопросы радиоэлектроники. Серия: ТРТО.-Вып. 2-1985. ДСП.

8. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем.-М.: Высшая школа, 1989.

9. Бубнова С.Ю. Редкоземельные элементы в полупроводниковых структурах / С.Ю. Бубнова, Ю.М. Волокобинский, А.Г. Козлов // Вопросы радиоэлектроники. Серия: ТПО.-Вып. 2-1986. ДСП.

10. Ю.Ваганов В.И. Интегральные преобразователи-М.: Энергоатомиздат, 1983.

11. Н.Васильев А.А. Полупроводниковые сенсоры для детектирования фтора, фтористого водорода и фторуглеродов // Датчики и системы № 9 2004. С. 20-24.

12. Виглеб Г. Датчики. Устройство и применение. Пер. с нем.-М.: Мир, 1989.

13. Викулин Н.М. Физика полупроводниковых приборов / Н.М. Викулин, В.И. Стафеев-М.: Радио и связь, 1990.

14. Водород в металлах / под ред. Алефельда Г., Фёлькля И. Том 1-М.: Мир, 1980.

15. Водород в металлах / под ред. Алефельда Г., Фёлькля И. Том 2.-М.: Мир, 1981.

16. Гельд П.В. Водород и физические свойства металлов и сплавов: Гидриды переходных металлов / П.В. Гельд, Р.А. Рябов, Л.П. Мохрачёва-М.: Наука, 1985.

17. ГОСТ Р 51086-97 Датчики и преобразователи физических величин электронные. Термины и определения. Госстандарт России ИПК Издательство стандартов, 1997.

18. Готра ЗЛО. Технология микроэлектронных устройств. Справочник.-М.: Радио и связь, 1991.

19. Датчики теплофизических и механических параметров. Справочник под ред. Багдатьева Е.Е., Гориша А.В., Майкова Я.В. в 2-х томах.-М.: ИПРЖР, 1998.

20. Дручин B.C. Термодиффузионные коммутационные слои интегральных тензопреобразователей / B.C. Дручин, С.И. Кулагин, А.П. Решетило // Вопросы радиоэлектроники. Сер. ОВР.-Вып. 3.-1988. ДСП.

21. Дьюли У. Лазерная технология и анализ материалов. Пер. с англ.-М.: Мир, 1986.

22. Ефимов Е.А. Электрохимия германия и кремния / Е.А. Ефимов, И.Г. Ерусалимчик-М.: Госхимиздат, 1963.

23. Ефимов И.Е. Микроэлектроника / И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов-М.: Высшая школа, 1986.

24. Запорожченко М.В. Резистивная компенсация датчиков неэлектрических величин // Вопросы радиоэлектроники. Сер. ТРТО, вып. 1 , 1985. С. 87.

25. Зенкевич О. Метод конечных элементов в технике-М.: Мир, 1975.

26. Игнатьева Н. Датчики газа фирмы Figaro II Электронные компоненты №2 2003. С. 99-102.

27. Измерение параметров на РТС изделия 11К 77. 43.

28. Карабан А.Г. Кондуктометрический анализатор водорода в газах / А.Г. Карабан, Е.А. Кочеткова // Заводская лаборатория № 8, 1969.

29. Калачёв Б.А. Водородная хрупкость металлов-М: Металлургия, 1985.

30. Каталог «Датчики и преобразующая аппаратура» РКА, НИИФИ.

31. Кейджян Г.А. Основы обеспечения качества микроэлектронной аппаратуры-М.: Радио и связь, 1991.

32. Киреев В.Ю. Плазмо-химическое и ионно-химическое травление микроструктур-М: Радио и связь, 1985.

33. Козлов В.А. О деформациях в термически окисленном кремнии / В.А. Козлов, К.Н. Раков // Электронная Техника. Сер. Микроэлектроника, 1972, вып. 8.

34. Коптев Ю.Н. Датчиковая аппаратура для ракетно-космической техники / Ю.Н. Коптев, А. В. Гориш // Радиотехника № 10 1995, С. 5.

35. Конструирование и расчет БГИС, микросборок и аппаратуры на их основе / под ред. Высоцкого Б.Ф.-М.: Радио и связь, 1981.

36. Кривоносое А.И. Полупроводниковые датчики температуры.-М.: : Энергия, 1974.

37. Лучинин В.В. Широкозонные материалы основа экстремальной * электроники будущего // Микроэлектроника, 1999 т. 28 N 1.

38. Люлин Б.Н. Состояние и перспективы развития датчиков физических и химических величин / Б.Н. Люлин, В.В. Новиков // Датчики и системы № 6 2004. С. 22-26.

39. Маккей У.К. Водородное соединение металлов М.: Мир, 1968.

40. Маринина Л.А. Проблемы применения микромеханических приборов и систем в оборонном комплексе. // Научно-технический журнал Системный анализ и новые технологии» Пенза ПГУ, 2003. С. 36-39.

41. Матвейкив М.Д. Исследование механических напряжений в алюминиевых пленках / М.Д. Матвейкив, И.Т. Волоский // Микроэлектроника сер. 3, вып. 2, 1984.

42. Материалы микроэлектронной техники / под ред. В.М. Андреева.-М.: Радио и связь, 1989.-350 с

43. Митрофанов О.В. Физические основы функционирования изделий микроэлектроники / О.В. Митрофанов, Б.И. Симонов, Л.А. Коледов-М.: Высшая школа, 1987.

44. Маринина Л.А. Моделирование сенсорных структур микроэлектронных датчиков / Л.А. Маринина, П.Г. Михайлов // Университетское образование: Материалы VII Международной науч.-мет. конф. Пенза: ПДНТП, 2003. С. 457-459.

45. Маринина Л.А. Методы измерения температуры в газочувствительных элементах / Л.А. Маринина, П.Г. Михайлов // Датчики и системы.-2003, № 5.-С. 8-9.

46. Маринина Л.А. Моделирование датчиков, информационно-энергетический подход / Л.А. Маринина, П.Г. Михайлов // деп. в ВИНИТИ РАН per. № 217-В2003 от 04.02.03.

47. Маринина Л.А. Модификация материалов и структур газовых сенсоров / Л.А. Маринина, П.Г. Михайлов // Труды международного симпозиума «Надежность и качество 2003». Пенза, 2003. С. 410.

48. Маринина Л.А. Микроэлектронные газочувствительные элементы / Л.А. Маринина, П.Г. Михайлов // «Вооружение, Безопасность, Конверсия»

49. Сб. мат. трудов Всерос. НТК, поев. 40-летию каф. АИУС Пенза, 2004. С. 204212.

50. Маринина J1.A. Технология формообразования в микромеханике / JI.A. Маринина, П.Г.Михайлов // Материалы VIII Межд. науч.-мет. конф. МКУО-2004. Пенза, 2004. С. 454-456.

51. Маринина Л.А. Газочувствительные сенсорные элементы / JI.A. Маринина, П.Г. Михайлов // Труды Межд. юбил. симпоз. «Актуальные проблемы науки и образования» Часть 2. Пенза, 2003. С 240-243.

52. Маринина JI.A. Чувствительные элементы газовых сенсоров / Л.А. Маринина, П.Г. Михайлов//Датчики и системы.-2005, № 8. С. 12-14.

53. Маринина JI.A Формообразующие технологии в микромеханических устройствах / JI.A. Маринина, П.Г. Михайлов // Материалы VIII Межд. науч.-мет. конф. МКУО-2004, Пенза, 2004. 460-463.

54. Маринина JI.A. Моделирование формообразующих процессов формирования сенсорных элементов и структур / JI.A. Маринина, П.Г.

55. Михайлов, М.А. Щербаков // Тез. докл. V международной конференции

56. Оптика, оптоэлектроника и технологии» Ульяновск, 2003. С. 8.

57. Маринина Л.А. Методы оптической диагностики чувствительных элементов микроэлектронных датчиков / Л.А. Маринина, П.Г. Михайлов, М.А. Щербаков // Тез. докл. V международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» Ульяновск, 2003. С. 7.

58. Маринина ' Л.А. Лазерные формообразующие технологии / Л.А. Маринина, П.Г. Михайлов, М.А. Щербаков // Материалы VIII Межд. научн.-мет. конф. МКУО-2004 Пенза, 2004. С. 457-459.

59. Михайлов П.Г Модификация материалов микроэлектронных датчиков// Новые промышленные технологии.-2003, № 6. С. 15-18.

60. Михайлов П.Г. Методы управления механическими напряжениями в сенсорных элементах и системах микроэлектронных датчиков // Sensors & Sistems № 9 2004. С. 10-12.

61. Михайлов П.Г. Методы и модели регулирования технологических процессов производства радиоэлектронной аппаратуры: Учебное пособие / П.Г. Михайлов,Т.К. Чистова, Е.Ф. Белоусов, А.А. Кичкидов.-Пенза: Изд-во Пенз. Гос. Ун-та, 2002.-148 с.

62. Михайлов П.Г. Микроэлектронные датчики особенности конструкций и характеристик / П. Михайлов, Е. Мокров // Электронные компоненты.-2005, № 11.-С. 1-5.

63. Михайлов П.Г. Микромеханика приборных устройств // Новые промышленные технологии.-2003, № 2 (313).-С. 21-25.

64. Михайлов П.Г. Микроэлектронные датчики, особенности конструкций и характеристик // Приборы и Системы. Управление, Контроль, Диагностика 2004, № 6. С.38-42.

65. Михайлов П.Г. Микроэлектронные датчики: вопросы разработки // Микросистемная техника.-2003. № 1.-С. 4-7.i

66. Михайлов П.Г. Стабильность микроэлектронных датчиков и технологий (монография).- Пенза: ПГУ, 2003.-231 с.

67. Михайлов П.Г. Управление свойствами материалов сенсорных элементов микроэлектронных датчиков // Микросистемная техника.-2003, № 5.-С. 7-11.

68. Михайлов П.Г. Формообразование сенсорных элементов и структур микроэлектронных датчиков // Новые промышленные технологии.-2004, №2. С. 67-69.

69. Михайлов П.Г. Формообразующие процессы создания микромеханических устройств // Микросистемная техника. 2003, № 7.С. 10.

70. Михайлов П.Г. Микроэлектронные датчики. Проектирование, изготовление, диагностика / П.Г. Михайлов, Е.Ф. Белоусов Учебное пособие-Пенза ПГУ, 2001 .-87 с.

71. Модификация и легирование поверхности лазерными, ионными и » электронными потоками / пер. с англ, под ред. Дж. Поути.—М.:1. Машиностроение, 1987.

72. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела-М.: Мир, 1980.

73. Мямлин В.А. Электрохимия полупроводников / В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков-М: Наука, 1965.-338 с.

74. Най Дж. Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц-М: Мир, 1967.

75. Некрасов М.М. Испытания элементов радиоэлектронной аппаратуры.-Киев.: Вища школа, 1981.

76. Николис Г. Самоорганизация в неравновесных системах / Г. Николис, И. Пригожин-М: Мир, 1979.

77. Новицкий П.В. Оценка погрешности результатов измерений / П.В. Новицкий, И.А. Зограф-JI.: Энергоатомиздат, 1991.

78. Носов Ю.Р. Математические модели элементов интегральной электроники / Ю.Р. Носов, К.О. Петросян, В.А. Шилин-М.: Советское радио, 1986.-304с.

79. Пасынков В.В. Материалы электронной техники, 2ое издание / В.В. Пасынков, B.C. Сорокин -М.: Высшая школа, 1986, 367 с.

80. Петерсен К.Э. Кремний как механический материал //ТИИЭР № 5, 1982. С. 5.

81. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов.-М.: Наука 1965 .-448 с.

82. Плазменная технология в производстве СБИС / под ред. Н. Айнспрука и Д. Брауна, пер. с англ.-М.: Мир, 1987.

83. Полякова А.А. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов.-М.: Энергия, 1979.

84. Пугачев В.А. Водородопроницаемость и диффузия водорода в сплавах палладий-серебро / В.А. Пугачев, Ф.И. Бусон, Е.И. Николаев // Ж.Ф.Х. том XIX, №7, 1975.

85. РМГ 29-99 Рекомендации по межгосударственной стандартизации. Государственная система обеспечения единства измерения. Метрология. Основные термины и определения. Минск: ИГТК Издательство стандартов, 2000.

86. Родина А.А. Взаимодействие с водородом сплава палладий-серебро /

87. A.А. Родина, М.А. Гуревич, Н.И. Доронина//Ж.Ф.Х. том XI, № 9, 1967.

88. Розанов С.В. Контроль концентраций горючих газов и паров в атмосферном воздухе нефтегазового комплекса / С.В. Розанов, А.В. Рязанов,

89. B.А. Цибизов // Безопасность труда в промышленности № 1. 2002. С. 32.34.

90. Россадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника-М: Высшая школа, 1991.

91. Савицкий Е.М. Сплавы палладия / Е.М. Савицкий, В.П. Полякова-М.: Наука, 1967.

92. Сангал К. Травление кристаллов. Теория, эксперимент, применениеМ. :Мир, 1990.

93. Сергеев В.В. Напряжения и деформации в элементах микросхем / В.В. Сергеев, О.А. Кузнецов, Н.П. Захаров-М.: Радио и связь, 1988.

94. Соколов Л.В. Основы исследования и разработки в области сенсорных МЭМС-устройств И SENSOR & SYSTEMS 1999, № З.-С. 58.

95. Технология тонких пленок / Справочник в 2-х томах под ред. Мейсэла, Т.1.-М.: Мир, 1972.

96. Технология СБИС / пер. с англ, под ред. Зи С.-М: Мир, 1986.

97. Тимошенков С.П. Исследование технологии очистки поверхностипластин кремния в процессе изготовления структур КНИ и микроэлектронных изделий / С.П. Тимошенков, В.В. Калугин // Микросистемная техника № 1,2003, с. 13-21.

98. Травление полупроводников сб. статей. Пер. с англ. С.Н. Горина- М.: Мир, 1965.-382с.

99. Уэлт Ч., Томсон П. Физика твердого тела / Ч. Уэлт, П. Томсон пер. с англ.-М: Мир, 1969.

100. Фаст Дж. Д. Взаимодействие металлов с газами. Т 2. Кинетика и механизм реакций.-М.: Металлургия, 1975.

101. Физические основы надежности интегральных схем. Под ред. Миллера Ю.Г.-М.: Сов. радио, 1976.

102. Филимонов П.А. Исследование температурных полей в первичных измерительных преобразователях на основе кварцевых подогревных резисторов с локализацией энергии // В сб. «Электронные измерительные устройства и системы»-М.: Энергоатомиздат, 1984.

103. ЮО.Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников-М.: Высш. шк.-1984.

104. Фогельсон И.Б. Транзисторные термодатчики-М.: Советское радио, 1972.

105. Хакен Г. Синергетика. Иерархия неустойчивостей в самоорганизующихся системах и устройствах. -М.: Мир, 1985.

106. ОЗ.Хакен Г. Синергетика-М.: Мир, 1980.

107. Чернышев А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем.-М.: Радио и связь, 1988.

108. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА.-М.: Высшая школа, 1987.-375 с.

109. Шаскальская М.П. Кристаллография.-М.: Высшая школа, 1976.

110. Эдельман Ф.Л. Структура компонентов БИС.-Новосибирск: Наука, 1980.

111. Электрические измерения неэлектрических величин / Под ред. П. В.

112. Новицкого.-М.: Энергия, 1975.

113. Arbab. A., Spetz, A., Lundstom, I. "Gas Sensors For High Temperature Based on Metal-Oxide-Silieon Carbide (MOSiC) Devices", Journal of Sensors and Actuators B, Vol 15-16. 1993, pp. 19-23.

114. Declerg M.J., Gerzberg L., Meindl J.D. Optimization of the hydrazine-water solution for anisotropic etching of silicon in integrated circuit technology .-J. Electrochem. Soc., 1975, v. 122, № 4, p. 545-552.

115. Deng J., Zhu IV., Tan O.K. Amorphous Pb(Zr, Ti)03 Thin Film Hydrogen Gas Sensor Journal of Sensors and A ctuators Vol. 77, 2001, pp. 416-420.

116. Fomenko S., Gumenjuk S., Podlepetsky В., Chuvashov V. The influence of technological factors on the hydrogen sensitivity of MOSFET sensors // Sensors and Actuers B, Vol. 10 (1992) pp. 7-10.

117. Irvin J. C., Solid-Steate Electronics, 11, 599 (1968).

118. Kang W.P., Gurbuz G., Davidson J.L. An New Hydrogen Sensor Using a Poly crystalline Diamond-Based Schottky Diode J. Electrochem. Soc. Vol. 141. 1994, pp. 2231-2234.

119. Wl.Lee D. B. Anisotropic Etching of Silicon // Journal of Applied Physics 1969, V40, № 11 ,pp. 4569-4572.

120. Lundstrom I., Shivaraman S., Svensson C. Hydrogen Sensitive MOS Field-Effect Transistor, Appl. Phys. Lett., Vol 26, No. 2, 1975, pp. 55-57. 119 .Mandelbrot B.B. Fractals.-San Francisco: W. H. Freeman and Co., 1977.

121. Sze S.M., Physics and Technology of Semiconductor Devices, Willey, 1967.

122. Takanashi K. Sensor Materials for the Future: Intelligent Materials /Sensors and Actuators V 13 № 1, 1988.

123. Полупроводники на основе титаната бария. Пер. с яп. / Под ред. К. Окадзаки.-М.: Энергоиздат, 1982. 328с.

124. Талерчик Б. А. Позисторные нагреватели с автостабилизацией температуры // Датчики и системы № 4, 2005. С. 42-45.

125. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение // под ред. Г. Харбеке М.: Мир, 1989.

126. Stephen C. Jacobsen, David L. Wells, Clark C. Davis, John E. Wood. Fabrication of Micro-Structures Using Non-Planar Lithography {NPL) H Proceeding of 1991 IEEE Micro Electro Mechanical Systems. Nara. Japan. Jan. \99\.pp. 45-50.

127. Маринина J1.A. Микромеханика и технологии приборных устройств // JT.A. Маринина, М.А. Щербаков, А.П. Михайлов Системный анализ, управление и обработка информации Научно-технический сборник статей. Пенза ПГУ 2005. С. 60-66.

128. Маринина J1.A. Чувствительный элемент газового датчика / J1.A. Маринина, П.Г. Михайлов // Труды международного симпозиума «Надежность и качество 2005». Пенза, 2005. С. 390-391.

129. Маринина J1.A. Моделирование датчиков / J1.A. Маринина, П.Г. Михайлов // Сб. матер, трудов МНТК «Проблемы автоматизации и управления в технических системах» Пенза, 2004. С. 273-275.